JPH0774940B2 - Display defect correction method for display device - Google Patents

Display defect correction method for display device

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JPH0774940B2
JPH0774940B2 JP60233812A JP23381285A JPH0774940B2 JP H0774940 B2 JPH0774940 B2 JP H0774940B2 JP 60233812 A JP60233812 A JP 60233812A JP 23381285 A JP23381285 A JP 23381285A JP H0774940 B2 JPH0774940 B2 JP H0774940B2
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display
line
gate
gate line
electrode
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幸治 穴田
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明はマトリクス状の表示セグメントを有する表示装
置の表示欠点修正法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application The present invention relates to a method for correcting a display defect of a display device having a matrix-shaped display segment.

(ロ) 従来技術 マトリクス状の表示セグメントを有する表示装置として
は、日経エレクトロニクス1984年1月2日号の記事「文
書と画像表示をねらうフラット・パネル・デイスプレ
イ」に開示されている様に液晶表示器を用いたもの、エ
レクトロ・ルミネッセンス表示器を用いたもの、等各種
の表示装置が存在するが、現在は低消費電力大容量化が
可能である点で液晶表示器の将来性が高く評価されてい
る。
(B) Prior art As a display device having a matrix-shaped display segment, a liquid crystal display as disclosed in the article “Flat Panel Display for Document and Image Display” of Nikkei Electronics January 2, 1984 issue. There are various types of display devices, such as those that use a display device and those that use an electroluminescence display device.Currently, the future potential of liquid crystal display devices is highly evaluated in terms of low power consumption and large capacity. ing.

斯様な従来の液晶表示装置の要部の平面図を第3図
(a)に示し、同図(b)にそのX−X断線図面を示
す。これ等の図に於いて、(10)は第1のガラス基板、
(11)は第1のガラス基板(10)上に窒化シリコンから
なる絶縁膜(12)を介して行列配置され、マトリクスセ
グメントを構成するITOからなる透明電極,(13)…は
上記透明電極(11)(11)…間隙を縦方向に複数本並列
配置したアモルフアスシリコン膜であり、絶縁膜(12)
上に設けられている。(14)…は各アモルフアスシリコ
ン膜(13)…の左側辺上に絶縁膜(12)を介して一部重
畳した状態で縦方向に複数本並列配置されたアルミニウ
ム膜からなるドレインラインである。(15)(15)…は
各アモルフアシスシリコン膜(13)…の右側辺上に絶縁
膜(12)を介して一部重畳した状態で各透明電極(11)
(11)…に対応配置されたアルミニウム膜からなるソー
ス電極であり、その右側辺は各透明電極(11)(11)…
の左下端部と接続されている。(16)…は上記透明電極
(11)(11)…間隙位置を横方向に複数本並列配置され
て上記第1のガラス基板(10)と絶縁膜(12)との間に
形成された金とクロムの2層膜からなるゲートラインで
あり、該ライン(16)…には上記各ソース電極(15)…
とドレインライン(14)…との間隙位置のアモルフアシ
スシリコン膜(13)…下のゲート電極(17)…が一体に
形成されている。即ち、図中Dで示すドレインライン
(14)…箇所のドレイン電極と、Sで示すソース電極
(15)…と、Gで示すゲート電極(17)…と、これ等電
極D、S、Gに結合しているアモルフアスシリコン膜
(13)…箇所とに依つて薄膜FETからなるスイッチング
トランジスタが構成されており、各透明電極(11)(1
1)…は夫々に対応したこのスイッチングトランジスタ
を介してドレインライン(14)…に接続されるのであ
る。(18)は上記各透明電極(11)(11)…及びドレイ
ンライン(14)…を一面に被覆した配向膜である。
A plan view of the main part of such a conventional liquid crystal display device is shown in FIG. 3 (a), and its XX disconnection drawing is shown in FIG. 3 (b). In these figures, (10) is the first glass substrate,
(11) are arranged in rows and columns on the first glass substrate (10) with an insulating film (12) made of silicon nitride interposed between them, and transparent electrodes (13) ... 11) (11) ... An amorphous silicon film in which a plurality of gaps are arranged in parallel in the vertical direction, and an insulating film (12)
It is provided above. (14) ... are drain lines made of a plurality of aluminum films arranged in parallel in the vertical direction in a state where they partially overlap each other on the left side of each amorphous silicon film (13) with an insulating film (12) interposed therebetween. . (15) (15) are transparent electrodes (11) that are partially overlapped with the insulating film (12) on the right side of each amorphous silicon film (13).
(11) is a source electrode made of an aluminum film arranged corresponding to, and the right side thereof is each transparent electrode (11) (11) ...
Is connected to the lower left corner of the. (16) ... Gold formed between the first glass substrate (10) and the insulating film (12) by a plurality of transparent electrodes (11) (11) ... Is a gate line formed of a two-layer film of chromium and chromium, and the source electrodes (15) ...
, And the gate electrodes (17) ... Underneath the amorphous silicon film (13) at the gap position between the drain line (14) and the drain line (14) are integrally formed. That is, in the drain line (14) ... D shown in the figure, the source electrode (15) ... S, the gate electrode (17) ... G, and these electrodes D, S, G. Amorphous silicon film (13) connected to each other ... A switching transistor composed of a thin film FET is formed depending on the location, and each transparent electrode (11) (1
1) are connected to the drain lines (14) via the corresponding switching transistors. Reference numeral (18) is an alignment film in which the transparent electrodes (11) (11) ... And the drain lines (14) ...

一方、(20)は第2のガラス基板であり、その下面、即
ち第1のガラス基板(10)と対向する面には一面に共通
電極(21)、配向膜(28)が順次形成されている。
On the other hand, (20) is a second glass substrate, and a common electrode (21) and an alignment film (28) are sequentially formed on one surface of the lower surface thereof, that is, the surface facing the first glass substrate (10). There is.

(3)は上記両基板(10)、(20)間に封入された液晶
物質であり、各マトリクスセグメント毎に上記スイッチ
ングトランジスタがONする事に依つて電圧が印加される
第1のガラス基板(10)の透明電極(11)箇所の液晶物
質(5)が電気光学効果を引き起こす事となる。
(3) is a liquid crystal substance enclosed between both substrates (10) and (20), and a first glass substrate (a voltage is applied to each matrix segment by applying a voltage by turning on the switching transistor). The liquid crystal substance (5) in the transparent electrode (11) of 10) causes the electro-optical effect.

斯様な構成の表示装置に於いては各薄膜FET箇所のゲー
トライン(16)…とドレインライン(14)…との交差部
に於いて短絡事故が発生すると、このドレインライン
(16)に供給される映像信号が短絡箇所を介してこのゲ
ートライン(14)に印加される事となる。従つて、斯る
短絡箇所のゲートライン(14)に連なる水平方向の全て
の薄膜FETがON状態となつて、水平方向の各透明電極(1
1)…箇所のセグメントにライン状の表示欠陥を引き起
こす事となる。
In the display device having such a configuration, when a short circuit accident occurs at the intersection of the gate line (16) ... And the drain line (14) ... at each thin film FET, the thin line FET is supplied to this drain line (16). The video signal to be applied is applied to this gate line (14) via the short-circuited portion. Therefore, all the horizontal thin film FETs connected to the gate line (14) at the short-circuited location are turned on, and the horizontal transparent electrodes (1
1)… It will cause a line-shaped display defect in the segment.

そこで、従来は各ゲートライン(16)…及びドレインラ
イン(14)…の夫々の両端部から同一のタイミング信号
であるゲートライン信号及び映像信号であるドレインラ
イン信号を供給する事として、上述の如き短絡箇所の左
右のゲートライン(16)あるいはこの箇所の上下のドレ
インライン(14)…をレーザービームを用いて切断し、
斯る短絡箇所を孤立せしめる事に依つて、この箇所のセ
グメントのみの表示欠陥は残るものの、このライン全て
のセグメントの表示欠陥を解消していた。しかしなが
ら、ゲートライン(16)…の短絡箇所の左右を切断し、
FETのゲート電極(17)を孤立させたとしても、ドレイ
ンライン(14)とゲート電極(17)が短絡している為
に、映像信号がこのドレインライン(14)からゲート電
極(17)に流れ込んでしまい、FETのゲートがONした状
態となる。従つてドレインライン(14)から、ソース電
極(15)へ映像信号が、本来のゲートライン(16)にOF
F電圧が印加されている場合にもかかわらず流れ込んで
しまい、実際のTV表示をした場合には画面の変化に無関
係にONした状態になつてしまう不都合があつた。例え
ば、TN型白黒TV表示の場合(偏光板クロスニコル)に
は、白地に短絡修正点が黒いドットで表われてしまう。
又、TN型カラーTV表示の場合(偏光板平行ニコル)には
黒地に短絡修正点のカラーフイルターの色が発色した見
づらい状態になつていた。
Therefore, conventionally, the gate line signal which is the same timing signal and the drain line signal which is the same video signal are supplied from both ends of each gate line (16) and the drain line (14). Cut the left and right gate lines (16) of the short-circuited part or the upper and lower drain lines (14) of this part with a laser beam,
By isolating the short-circuited portion, the display defect of only the segment of this portion remains, but the display defect of all the segments of this line is solved. However, disconnect the left and right of the short-circuited part of the gate line (16) ...
Even if the gate electrode (17) of the FET is isolated, the video signal flows from the drain line (14) to the gate electrode (17) because the drain line (14) and the gate electrode (17) are short-circuited. Then the gate of the FET is turned on. Therefore, the video signal from the drain line (14) to the source electrode (15) is fed to the original gate line (16).
Even if the F voltage was applied, the current flowed in, and when the actual TV display was performed, there was the inconvenience that it turned on regardless of screen changes. For example, in the case of TN type black-and-white TV display (polarizing plate crossed Nicols), short-circuit correction points are shown as black dots on a white background.
Also, in the case of TN type color TV display (Nicol parallel to the polarizing plate), the color of the color filter at the short-circuit correction point developed on a black background, making it difficult to see.

(ハ) 発明が解決しようとする問題点 本発明は、上述の点に鑑みなされたものであり、ドット
状の表示欠陥を視覚的に軽減できるドレイン−ゲートの
短絡部の修正法を提供するものである。
(C) Problems to be Solved by the Invention The present invention has been made in view of the above points, and provides a method for correcting a drain-gate short-circuit portion that can visually reduce dot-shaped display defects. Is.

(ニ) 問題点を解決する為の手段 本発明の表示欠点修正法は表示装置のドレインラインと
ゲートラインの短絡箇所のゲートラインを切断すると共
にスイッチングトランジスタと表示セグメント電極との
結合部を切断するものである。
(D) Means for Solving the Problems According to the display defect correcting method of the present invention, the gate line at the short-circuited portion between the drain line and the gate line of the display device is cut, and at the same time, the connecting portion between the switching transistor and the display segment electrode is cut. It is a thing.

(ホ) 作用 本発明の表示欠点修正法によれば、ゲートラインとドレ
インラインとが短絡した箇所のFETがゲートラインから
分離されると共に、該FETと表示セグメント電極とが分
離されるので、表示セグメント電極にはゲートラインの
信号ばかりか、ドレインラインの信号も印加されず、点
欠点が目立たなくなる (ヘ) 実施例 第1図に本発明の表示欠点修正法を用いた液晶表示装置
を示す。同図に於いて、第3図(a)の従来装置と同じ
箇所には第3図(a)と同一符号を付している。本発明
の表示欠点修正法は、ドレインライン(14)とゲートラ
イン(16)との短絡(F)事故が生じたFETに対して、
ゲートラインの両端部からゲートライン信号を供給し、
その左右2箇所(c)(c)でゲートライン(16)をレ
ーザービームにて切断する点では、第3図(a)の従来
法と同様であり、従来法と異なる所は該FETのソース電
極(15)と透明電極(11)との結合箇所(A)で透明電
極(11)を同じくレーザビームにて切断した点にある。
即ち、上述の如く、(c)(c)箇所でゲートライン
(16)を切断する事によつて、このゲートライン(16)
とドレインライン(14)との短絡は防止され、さらに
は、(A)箇所で透明電極(11)を切断する事によつ
て、表示セグメントとなるこの透明電極(11)に対する
信号の印加が回避される。
(E) Operation According to the display defect correcting method of the present invention, the FET at the location where the gate line and the drain line are short-circuited is separated from the gate line, and the FET and the display segment electrode are separated, so that the display Not only the signal of the gate line but also the signal of the drain line is not applied to the segment electrodes, so that the point defects become inconspicuous. (F) Example FIG. 1 shows a liquid crystal display device using the display defect correcting method of the present invention. In the figure, the same parts as those of the conventional device of FIG. 3 (a) are designated by the same reference numerals as those of FIG. 3 (a). The display defect correction method of the present invention is applied to a FET in which a short circuit (F) between the drain line (14) and the gate line (16) has occurred.
Supply the gate line signal from both ends of the gate line,
The point that the gate line (16) is cut by a laser beam at two places (c) and (c) on the left and right is the same as the conventional method of FIG. 3 (a), and the difference from the conventional method is the source of the FET. The transparent electrode (11) is also cut by the laser beam at the joint (A) between the electrode (15) and the transparent electrode (11).
That is, as described above, by cutting the gate line (16) at the points (c) and (c), the gate line (16) is cut.
Is prevented from short-circuiting between the drain line (14) and the transparent electrode (11) at the position (A), thereby avoiding application of a signal to this transparent electrode (11) which is a display segment. To be done.

又、第2図の本発明実施例に於いては、ドレインライン
(14)とゲートライン(16)との交差箇所に於いて、ゲ
ートライン(16)にさらにバイパスライン(19)を共存
せしめた液晶表示装置に本発明が採用されている。この
場合、ゲートライン(16)とバイパスライン(19)との
いずれかがドレインライン(14)と短絡(F)し、この
短絡した方のライン(16)又は(19)の一方をその両端
部(c)(c)で切断しても、他方のライン(19)又は
(16)にてゲートライン(16)の電気的な接続は維持さ
れるのである。
Further, in the embodiment of the present invention shown in FIG. 2, a bypass line (19) coexists with the gate line (16) at the intersection of the drain line (14) and the gate line (16). The present invention is applied to a liquid crystal display device. In this case, either the gate line (16) or the bypass line (19) is short-circuited (F) with the drain line (14), and one of the short-circuited line (16) or (19) is applied to both ends thereof. Even if the lines (c) and (c) are cut off, the electrical connection of the gate line (16) is maintained at the other line (19) or (16).

上述の如き本発明の表示欠点修正方法を採用すれば、TN
型白黒TV表示の場合でも修正箇所の表示点は映像信号に
関係なく全くONしない状態となる。TN型カラーTV表示も
同様である。
If the display defect correcting method of the present invention as described above is adopted, TN
Even in the case of black-and-white TV display, the display point of the corrected portion is in a state of not being turned on at all regardless of the video signal. The same applies to TN color TV displays.

(ト) 発明の効果 本発明の表示欠点修正法によれば、従来、短絡事故を生
じたFETに対してそのゲートラインを切断していただけ
の修正法によつて生じていたドレインラインの信号の表
示セグメント電極への回り込みを皆無とできる。従つ
て。従来修正法では欠陥表示点に本来の表示とは無関係
な表示が行なわれる惧れがあつたが、本発明修正法で
は、欠陥表示点の表示をあたかも無くなったようにして
点欠点による画質の劣化が視覚的に軽減でき、従来法に
比べて表示画像の大巾な向上が望める。
(G) Effect of the Invention According to the display defect correcting method of the present invention, the signal of the drain line which has conventionally been caused only by cutting the gate line of the FET which caused the short-circuit accident was detected. It is possible to eliminate the wraparound to the display segment electrodes. Therefore. In the conventional correction method, the defect display point may be displayed unrelated to the original display, but in the correction method of the present invention, the image quality is deteriorated due to the point defect as if the display of the defect display point is eliminated. Can be visually reduced, and a large improvement in the displayed image can be expected compared with the conventional method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の表示欠点の修正法を採用した液晶表示
装置の要部平面図、第2図は本発明法を用いた他の実施
例の液晶表示装置の要部平面図、第3図(a)及び
(b)は従来法を用いた液晶表示装置の要部平面図及び
断面図である。 (11)……透明電極、(13)……アモルフアスシリコン
膜、(14)……ドレインライン、(16)……ソース電
極、(16)……ゲートライン、(17)……ゲート電極、
(19)……バイパスライン。
FIG. 1 is a plan view of an essential part of a liquid crystal display device adopting the method for correcting a display defect of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of an essential part of a liquid crystal display device of another embodiment using the method of the present invention. 1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view of a main part of a liquid crystal display device using a conventional method. (11) …… Transparent electrode, (13) …… Amorphous silicon film, (14) …… Drain line, (16) …… Source electrode, (16) …… Gate line, (17) …… Gate electrode,
(19) …… Bypass line.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】並列配置された複数本のゲートラインと、
該ゲートライン上に層間絶縁膜を介して並列配置された
複数本のドレインラインとが交差し、このマトリクス状
の各交差点にて前記ゲートラインに接続されたゲート電
極が備えられたFETからなるスイッチングトランジスタ
を構成してなり、該各トランジスタのソース側に表示セ
グメント電極を結合し、該表示セグメント電極と共通電
極との間に液晶を挟持した表示装置の表示欠点修正法に
於いて、前記スイッチングトランジスタの有る箇所の前
記ゲートラインと前記ドレインラインとが交差部で短絡
した場合、前記スイッチングトランジスタが連なる前記
ゲートラインを、前記ゲート電極と前記交差部とが連続
して含まれる領域外でかつ前記ドレインラインを挟んだ
二箇所で切断すると共に、前記ゲート電極に接続されて
いる前記スイッチングトランジスタと前記表示セグメン
ト電極との結合部を切断する事を特徴とした表示装置の
表示欠点修正法。
1. A plurality of gate lines arranged in parallel,
Switching consisting of an FET provided with a gate electrode connected to the gate line at each intersection of a plurality of drain lines arranged in parallel on the gate line with an interlayer insulating film interposed therebetween. A method of correcting a display defect of a display device, comprising a transistor, a display segment electrode being coupled to a source side of each transistor, and a liquid crystal being sandwiched between the display segment electrode and a common electrode. When the gate line and the drain line at a location where there is a short circuit at the intersection, the gate line where the switching transistor is continuous, outside the region where the gate electrode and the intersection are continuously included and the drain The switch is connected to the gate electrode while being cut at two points across the line. Display disadvantage modification method of a display apparatus characterized by cutting the coupling portion of the display segment electrode and the transistor.
JP60233812A 1985-10-18 1985-10-18 Display defect correction method for display device Expired - Lifetime JPH0774940B2 (en)

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