JPH0774434B2 - イオンプレーティング装置 - Google Patents
イオンプレーティング装置Info
- Publication number
- JPH0774434B2 JPH0774434B2 JP61237628A JP23762886A JPH0774434B2 JP H0774434 B2 JPH0774434 B2 JP H0774434B2 JP 61237628 A JP61237628 A JP 61237628A JP 23762886 A JP23762886 A JP 23762886A JP H0774434 B2 JPH0774434 B2 JP H0774434B2
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- JP
- Japan
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- plated
- metal
- pipe
- plating
- ion plating
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は、主として長尺のパイプ材の内周面に金属メ
ッキを施すのに用いられるイオンプレーティング装置に
関する。
ッキを施すのに用いられるイオンプレーティング装置に
関する。
（従来の技術） たとえば、石油掘削パイプ等においては、その内周面の
摩耗を防止するためメッキが施される。
摩耗を防止するためメッキが施される。
このようなパイプ材の内周面へのメッキは、電気メッキ
手段では長尺パイプの内周面全域にメッキを施すことが
極めて困難である。
手段では長尺パイプの内周面全域にメッキを施すことが
極めて困難である。
一方、真空槽の中に被メッキ材を入れ、加熱により蒸発
した蒸発成分をアルゴングロー放電中においてイオン化
し、これを負に印加された被メッキ材に衝突させて凝固
させるイオンブレーティング装置があり、これによれば
パイプ材の内周面であってもメッキを施すことが可能で
ある。
した蒸発成分をアルゴングロー放電中においてイオン化
し、これを負に印加された被メッキ材に衝突させて凝固
させるイオンブレーティング装置があり、これによれば
パイプ材の内周面であってもメッキを施すことが可能で
ある。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、従来のイオンプレーティング装置では、
被メッキ材が長尺のパイプ材であると、このパイプ材を
収納する大きさの真空槽が必要となり、その結果、装置
自体が著しく大型化してしまうという問題がある。この
ようなことから、長尺パイプ材の内周面へのメッキ手段
として顧りみられなかった。
被メッキ材が長尺のパイプ材であると、このパイプ材を
収納する大きさの真空槽が必要となり、その結果、装置
自体が著しく大型化してしまうという問題がある。この
ようなことから、長尺パイプ材の内周面へのメッキ手段
として顧りみられなかった。
この発明は、上記従来のイオンプレーティングによるメ
ッキ手段を、大きな真空槽を用いることなしに長尺パイ
プ材の内周面へのメッキ手段として使用することができ
るようにしたイオンプレーティング装置を提供すること
を目的とするものである。
ッキ手段を、大きな真空槽を用いることなしに長尺パイ
プ材の内周面へのメッキ手段として使用することができ
るようにしたイオンプレーティング装置を提供すること
を目的とするものである。
この発明は、前記問題点を解決するため、被プレーティ
ング材の両端を封止材により封止して内部を真空自在に
形成するとともに、一方の封止材に被膜形成用原材料金
属蒸発源を備え、原材料金属を間に軸方向前後に絶縁材
を介して電極を配した同軸構造のプレーティング銃を気
密状態で摺動可能に挿通し、前記被プレーティング材の
軸方向に前記プレーティング銃を移動させて被プレーテ
ィングパイプ材の内周面に金属被膜を形成するようにし
たことにある。
ング材の両端を封止材により封止して内部を真空自在に
形成するとともに、一方の封止材に被膜形成用原材料金
属蒸発源を備え、原材料金属を間に軸方向前後に絶縁材
を介して電極を配した同軸構造のプレーティング銃を気
密状態で摺動可能に挿通し、前記被プレーティング材の
軸方向に前記プレーティング銃を移動させて被プレーテ
ィングパイプ材の内周面に金属被膜を形成するようにし
たことにある。
上記のように構成したことにより、被プレーティングパ
イプ材の内部を真空にし、原材料金属を間に軸方向前後
に絶縁材を介して電極を配した同軸構造のプレーティン
グ銃を被プレーティングパイプ材の一端から他端にかけ
て移動させながらプレーティング銃の原材料金属蒸発源
から蒸発する金属イオンを被プレーティングパイプ材の
内周面に付着させることにより細径から太径までの長尺
パイプ材であってもその内周面全域に均等に被膜が形成
される。
イプ材の内部を真空にし、原材料金属を間に軸方向前後
に絶縁材を介して電極を配した同軸構造のプレーティン
グ銃を被プレーティングパイプ材の一端から他端にかけ
て移動させながらプレーティング銃の原材料金属蒸発源
から蒸発する金属イオンを被プレーティングパイプ材の
内周面に付着させることにより細径から太径までの長尺
パイプ材であってもその内周面全域に均等に被膜が形成
される。
以下この発明を添付図面に示す一実施例を参照して説明
する。
する。
被プレーティングパイプ材１の両端は、適宜接続手段に
より固定される封止材2,3により気密に封止され、一方
の封止材２の挿入孔には先端部に被膜形成用原材料金属
蒸発源４を備えたプレーティング銃５の基端部外周を構
成するシールド部材６の外周がシール材７を介し気密状
態を保って摺動可能に挿通されている。
より固定される封止材2,3により気密に封止され、一方
の封止材２の挿入孔には先端部に被膜形成用原材料金属
蒸発源４を備えたプレーティング銃５の基端部外周を構
成するシールド部材６の外周がシール材７を介し気密状
態を保って摺動可能に挿通されている。
また、他方の封止材３の開口部3aには図示しない真空ポ
ンプが接続され、前記被プレーティングパイプ材１の内
部を真空自在とされている。
ンプが接続され、前記被プレーティングパイプ材１の内
部を真空自在とされている。
この実施例におけるプレーティング銃５は、第２図に拡
大して示すように、その先端部に原材料金属９を間にし
て軸方向前後部に絶縁材10,10を介し電極11,11が配置さ
れた同軸配置構造となっており、外径が小さくなってい
る。
大して示すように、その先端部に原材料金属９を間にし
て軸方向前後部に絶縁材10,10を介し電極11,11が配置さ
れた同軸配置構造となっており、外径が小さくなってい
る。
また、シールド部材６内には水冷管８が通されて、プレ
ーティング銃５の冷却を行なっている。
ーティング銃５の冷却を行なっている。
さらに、前記水冷管８とシールド部材６との間隙部12に
は、反応ガス源13およびイオン化ガス源14から反応ガス
とイオン化ガスとの混合ガスを送る管路15が接続されて
おり、混合ガスはシールド部６内の水冷管８の外周を通
って電極11と絶縁材10の間の間隙部22や原材料金属９と
絶縁材10との間の間隙部23から放出される。
は、反応ガス源13およびイオン化ガス源14から反応ガス
とイオン化ガスとの混合ガスを送る管路15が接続されて
おり、混合ガスはシールド部６内の水冷管８の外周を通
って電極11と絶縁材10の間の間隙部22や原材料金属９と
絶縁材10との間の間隙部23から放出される。
また、前記電極11には、正の電源16が接続され、原材料
金属９には負の電源17が接続されており、軸心を中心と
して軸方向に放電（点線図示）が行われる。
金属９には負の電源17が接続されており、軸心を中心と
して軸方向に放電（点線図示）が行われる。
前記反応ガスとしては、たとえば被プレーティングパイ
プ材１の内周面にTiC（炭化チタン）等の被膜を形成す
る場合には原材料金属をTiとし、反応ガスをＣとして、
それぞれ放電によりイオン化して被プレーティングパイ
プ材１の内周面上で結合させるようにされる。また放電
をうながすためのイオン化ガスとしては、たとえばアル
ゴン等のガスが用いられる。
プ材１の内周面にTiC（炭化チタン）等の被膜を形成す
る場合には原材料金属をTiとし、反応ガスをＣとして、
それぞれ放電によりイオン化して被プレーティングパイ
プ材１の内周面上で結合させるようにされる。また放電
をうながすためのイオン化ガスとしては、たとえばアル
ゴン等のガスが用いられる。
第１図中、符号18は、被プレーティングパイプ材１の外
周に配設された加熱用高周波コイルあるいはヒータ等の
加熱源で、被プレーティングパイプ材１を加熱し、金属
蒸着作用を助成するためのものである。この加熱源18は
プレーティング銃とともに移動して（あるいは、パイプ
材１の左右両端間全体に配設すれば、移動させる必要は
ない。）、蒸着を行なう部分を加熱する。
周に配設された加熱用高周波コイルあるいはヒータ等の
加熱源で、被プレーティングパイプ材１を加熱し、金属
蒸着作用を助成するためのものである。この加熱源18は
プレーティング銃とともに移動して（あるいは、パイプ
材１の左右両端間全体に配設すれば、移動させる必要は
ない。）、蒸着を行なう部分を加熱する。
第１図中符号19は被プレーティングパイプ材１の内周面
に形成された被膜を示す。
に形成された被膜を示す。
つぎに作用を説明する。
被プレーティングパイプ材１の内部の空気を封止材３の
開口部3aを通じ真空ポンプで吸引し、内部を真空にす
る。
開口部3aを通じ真空ポンプで吸引し、内部を真空にす
る。
ついで反応ガスとイオン化ガスとの混合ガスを供給する
一方、電極11に通電すると、プレーティング銃５の先端
部の間隙部23から放出される反応ガスがイオン化して原
材料金属９の表面の放電したところから金属蒸気が放出
され、放電による熱電子や反応ガスイオンが金属蒸気に
衝突し、金属原子から電子が叩き出されてイオン化し、
被プレーティングパイプ材１を負電位としておくことに
より金属イオン、反応ガスがパイプ材１の内周面に衝突
付着して、両イオンが結合された被膜19が形成される。
一方、電極11に通電すると、プレーティング銃５の先端
部の間隙部23から放出される反応ガスがイオン化して原
材料金属９の表面の放電したところから金属蒸気が放出
され、放電による熱電子や反応ガスイオンが金属蒸気に
衝突し、金属原子から電子が叩き出されてイオン化し、
被プレーティングパイプ材１を負電位としておくことに
より金属イオン、反応ガスがパイプ材１の内周面に衝突
付着して、両イオンが結合された被膜19が形成される。
こうして被膜19を形成しながらプレーティング銃５と加
熱源18を移動させれば、被プレーティングパイプ材１の
内周面の軸方向全域に均等に被膜19を形成することがで
きる。
熱源18を移動させれば、被プレーティングパイプ材１の
内周面の軸方向全域に均等に被膜19を形成することがで
きる。
この場合、プレーティング銃５の移動方向は奥側から手
前側へ、あるいは手前側から奥側へのいずれでもよい
が、反応ガス等の吹出しの関係から奥側より手前側へ移
動させる構造とすることが望ましい。また加熱源18は必
ずしも被プレーティングパイプ材１の外周に配設せずと
もよい。
前側へ、あるいは手前側から奥側へのいずれでもよい
が、反応ガス等の吹出しの関係から奥側より手前側へ移
動させる構造とすることが望ましい。また加熱源18は必
ずしも被プレーティングパイプ材１の外周に配設せずと
もよい。
以上説明したように本発明は、被プレーティングパイプ
材の両端を封止材により封止して内部を真空自在に形成
すると共に、一方の封止材に被膜形成用原材料金属蒸着
源を備え、原材料金属を間に軸方向前後に絶縁材を介し
て電極を配した同軸構造のプレーティング銃を気密状態
で摺動可能に挿通し、前記被プレーティングパイプ材の
軸方向に前記プレーティング銃を移動させて被プレーテ
ィングパイプ材の内周面に金属被膜を形成するようにし
たので、被プレーティングパイプ材が長尺物であっても
大容積の真空槽を用いることなく被膜を形成することが
でき、装置が被プレーティングパイプ材と実質上同じス
ペースですみ、著しくコンパクトにすることができる。
材の両端を封止材により封止して内部を真空自在に形成
すると共に、一方の封止材に被膜形成用原材料金属蒸着
源を備え、原材料金属を間に軸方向前後に絶縁材を介し
て電極を配した同軸構造のプレーティング銃を気密状態
で摺動可能に挿通し、前記被プレーティングパイプ材の
軸方向に前記プレーティング銃を移動させて被プレーテ
ィングパイプ材の内周面に金属被膜を形成するようにし
たので、被プレーティングパイプ材が長尺物であっても
大容積の真空槽を用いることなく被膜を形成することが
でき、装置が被プレーティングパイプ材と実質上同じス
ペースですみ、著しくコンパクトにすることができる。
また、プレーティング銃が同軸構造であるので、小径で
あり、細管へのイオンプレーティングを容易に行うこと
ができる。
あり、細管へのイオンプレーティングを容易に行うこと
ができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図、第２図は第
１図におけるプレーティング銃の原材料金属蒸発源の拡
大側面図である。 １……被プレーティングパイプ材、2,3……封止材、４
……原材料金属蒸発源、５……プレーティング銃、６…
…シールド部材、７……シール材、８……水冷管、９…
…原材料金属、10……絶縁物、11……電極、13……反応
ガス源、14……イオン化ガス源、18……加熱源、19……
被膜。
１図におけるプレーティング銃の原材料金属蒸発源の拡
大側面図である。 １……被プレーティングパイプ材、2,3……封止材、４
……原材料金属蒸発源、５……プレーティング銃、６…
…シールド部材、７……シール材、８……水冷管、９…
…原材料金属、10……絶縁物、11……電極、13……反応
ガス源、14……イオン化ガス源、18……加熱源、19……
被膜。
Claims (1)
- 【請求項１】被イオンプレーティング材の両端を封止材
により封止して内部を真空自在に形成するとともに、一
方の封止材に、被膜形成用原材料金属蒸発源を備え原材
料金属を間に軸方向前後に絶縁材を介して電極を配した
同軸構造のイオンプレーティング銃を気密状態で摺動可
能に挿通し、前記被イオンプレーティング材の軸方向に
前記イオンプレーティング銃を移動させて被イオンプレ
ーティングパイプ材の内周面に金属被膜を形成するよう
にしたことを特徴とするイオンプレーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61237628A JPH0774434B2 (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | イオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61237628A JPH0774434B2 (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | イオンプレーティング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393858A JPS6393858A (ja) | 1988-04-25 |
| JPH0774434B2 true JPH0774434B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=17018139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61237628A Expired - Lifetime JPH0774434B2 (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | イオンプレーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774434B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2517436A (en) * | 2013-08-19 | 2015-02-25 | Pct Protective Coating Technologies Ltd | Coating or sealing an internal surface of a workpiece |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS516016B2 (ja) * | 1972-08-08 | 1976-02-24 | ||
| JPS516017B2 (ja) * | 1972-09-08 | 1976-02-24 | ||
| JPS5594474A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-17 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Ion plating apparatus for tube inside using laser beam |
-
1986
- 1986-10-06 JP JP61237628A patent/JPH0774434B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6393858A (ja) | 1988-04-25 |
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