JPH0772487A

JPH0772487A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH0772487A
Application number: JP5217232A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Tsuda; 和彦津田; Tokihiko Shinomiya; 時彦四宮; Shinji Yamagishi; 慎治山岸
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1993-09-01
Filing date: 1993-09-01
Publication date: 1995-03-17
Anticipated expiration: 2015-10-23
Also published as: JP3102972B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】大面積な液晶表示装置の提供。【構成】液晶（９）は、双安定的ネマチック相よりな
り、配向膜（１１）は、側鎖に少なくとも１つの６員環
を有する高分子膜よりなり、かつ一軸方向に配向処理さ
れ、駆動装置は、電圧を印加することによって、上方の
基板（７）において基板と液晶分子長軸が一定のチルト
角を持ち、下方の基板（８）において基板と液晶分子長
軸が平行でかつ基板面に投影された上方、下方基板付近
の液晶分子の長軸が互いにほぼ同一方向である状態１
と、下方の基板において基板断面方向と液晶分子長軸が
一定のチルト角を持ち、上方の基板においては基板断面
方向と液晶分子長軸が平行でかつ基板面に投影された上
方、下方基板付近の液晶分子の長軸が互いにほぼ同一方
向である状態２を、選択的にスイッチングさせることを
特徴とする液晶表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、よ
り詳しくは双安定性ネマチック液晶と液晶配向性高分子
配向膜を利用した液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】これまでに、液晶を用いた表示方式に
は、液晶に対して印加された電気信号を光情報に変換す
る方式によりＤＳ（dynamic scattering）方式、ＴＮ
（twistednematic）方式、ＥＣＢ（electrically contr
olled birefringence)方式、ＰＣ（phase change）方
式、記憶形方式、ＧＨ（guest-host）方式、ＳＳＦ（su
rfacestabirized ferro-electric）方式等が考えられて
いる。

【０００３】その中で現在、時計、電卓、ワープロ、パ
ソコン、テレビ等の商品において表示装置として用いら
れている方式は、主にネマチック液晶を用いたＴＮ方式
とその改良型のＳＴＮ（super twisted nematic)方式で
ある。しかし、その動作原理が、液晶分子の誘電異方性
を利用する電界効果型であるため、応答速度が数百〜数
十ｍｓｅｃのオーダでしかなく、より高速な応答速度の
求められるＣＡＤ端末等の用途には、現状のネマチック
液晶との組合せでは応答速度的に不十分である。また、
その電気光学効果が液晶分子のねじれのあるホモジニア
スな配向状態と液晶分子の基板面に対し起き上がった状
態の２つの状態間のスイッチングに起因するために液晶
分子のねじれの方向に対する視野異存性を原理上回避で
きない。

【０００４】これらに対して、高速な応答速度を有する
液晶素子として、クラーク(N.A.Clark）とラガバル(Lag
erwall）によって提唱されている表面安定化強誘電性液
晶素子（ＳＳＦＬＣＤ：Surface Stabilized Ferro-ele
ctric Liquid Crystal Display）(Appl.Phy.Lett.,36,8
99(1980)；特開昭56-107216号公報；米国特許第4366924
号）がある。ＳＳＦＬＣはスメクチック液晶の持つ自発
分極の極性と電界の極性の電気的な相互作用を利用し、
液晶分子の運動し得るコーン上でスイッチングを行う素
子であるために、ネマチック液晶に比べ極めて高速なス
イッチングが可能であり、かつ視野依存がないという利
点を有している。その反面、スメクチック液晶が層構造
をとるため配向制御が難しく、また衝撃等によって一度
壊れた配向は回復しにくい等の問題点が残されている。

【０００５】以上の方法に対してジョルジュ．デュラン
によって、ネマチック液晶を用いた双安定液晶表示装置
が２種類提唱されている。１つはカイラルイオンを駆動
トルクに用いるもので（国際公開番号WO 91/11747
号）、右巻き、左巻き両方のカイラルイオンを液晶に混
合し、電圧によってイオン分布に片寄りをつくりだし、
これを駆動トルクとするものである。この方式はＳＳＦ
ＬＣＤと同様にパルス電界の印加によって、基板面に平
行に液晶分子をスイッチングさせることが可能となる。
しかしこの方式は不純物であるイオンを駆動に用いるた
め、信頼性の面で本質的に大きな問題が残る。

【０００６】いま１つは配向歪によるフレクソ分極を駆
動トルクとする方式で（国際公開番号WO92/00546号）、
この方法は不純物等の問題も生じず高い信頼性が見込ま
れる。この方式もＳＳＦＬＣＤと同様にパルス電界の印
加によって、基板面に平行に液晶分子をスイッチングさ
せることが可能となり、その応答速度は１００μｓｅｃ
程度で、液晶分子が基板面に平行にスイッチングするた
め視覚依存性もない。またネマチック液晶を用いるため
ＳＳＦＬＣＤのように配向制御や衝撃に弱い等の問題も
なく、動作温度範囲も十分広くとることができる。

【０００７】ジョルジュ．デュランによって従来報告さ
れている（９１年ＳＩＤ予稿集 p606〜607, Appl.Phy
s.Lett.60(9),2 March 1992 p1085〜1086）フレクソ分
極によるネマチック双安定表示装置の構成は図１に示さ
れるようなものである。図１中（１），（２）はガラス
基板、（３）は液晶層、（４）は透明電極、（５）Ｓｉ
Ｏ配向膜、（６）はスペーサである。ＳｉＯ配向膜の蒸
着角は基板放線より７４°、膜厚は３０オングストロー
ムとし、スペーサの直径は１〜３μｍ程度とする。この
ような条件で液晶分子の配向方向は図２に示すように、
ＳｉＯ蒸着方向と垂直かつ基板面に平行な方向Ｃの配向
も安定となる。しかし界面と液晶のアンカリングエネル
ギーが小さいため、カイラル剤の添加によってツイスト
パワーを加えると、基板面からθ°チルトして、またそ
の基板面に投影した方向がＳｉＯ蒸着方向からα°及び
−α°傾いた方向Ａ及びＢの配向が発現する。

【０００８】図３はＳｉＯ蒸着方向と液晶分子配向の安
定し得る方向を示している。上下基板の配向処理方向は
上下基板のＳｉＯ蒸着方向が反平行（アンチパラレル）
から４５°ねじって構成される。液晶材料は液晶単体で
上下基板間で２２．５°ねじるようカイラル材を添加し
たものを用いる。なお、ねじれ方向は図３に示す上下基
板間のＳｉＯ蒸着方向のねじれと反対方向とする。この
ような条件の下で液晶材料を注入すると、カイラル剤の
効果で安定に存在できる配向が制限され、液晶分子は１
−３’，３−２’の２つの組合せが安定となる。

【０００９】図４はセルの断面図を示しておりａは図３
における１−３’、ｂは３−２’の配向に対応してい
る。ここで使用する液晶の分子形状が楔型なら、スプレ
イの配向歪によってフレクソ分極が生じる。図中の矢印
のはフレクソ分極の向きを示している。ここでａとｂで
はフレクソ分極の垂直成分が反対方向を向いている。し
たがってパルス電界を印加してフレクソ分極の垂直成分
を反転させることによって、ａ，ｂ２つの状態を双安定
スイッチングすることができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従来の双安定性ネマチ
ック液晶表示装置は、配向膜としてＳｉＯの斜め蒸着膜
を用いるため、大面積にわたって均一な膜を形成するこ
とが困難であり、生産性が悪いといった問題が有る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明によれば、表面
に電極が選択的に形成され、その全面に配向膜が形成さ
れ、これに配向処理が施されてなる上方および下方の基
板が略平行になるように対向して配置され、基板間に液
晶が介在され、液晶分子長軸を切換える駆動装置を備え
てなる液晶表示装置において、液晶は、双安定的ネマチ
ック相よりなり、配向膜は、側鎖に少なくとも１つの６
員環を有する高分子膜よりなり、かつ一軸方向に配向処
理され、駆動装置は、電圧を印加することによって、上
方の基板において基板と液晶分子長軸が一定のチルト角
を持ち、下方の基板において基板と液晶分子長軸が平行
でかつ基板面に投影された上方、下方基板付近の液晶分
子の長軸が互いにほぼ同一方向である状態１と、下方の
基板において基板断面方向と液晶分子長軸が一定のチル
ト角を持ち、上方の基板においては基板断面方向と液晶
分子長軸が平行でかつ基板面に投影された上方、下方基
板付近の液晶分子の長軸が互いにほぼ同一方向である状
態２を、選択的にスイッチングさせることを特徴とする
液晶表示装置が提供される。

【００１２】本願発明における配向膜とは、その材質が
少なくとも１つの６員環基を有する高分子の膜であり、
膜自体が既に面内配向を有しており、更にこれに一軸配
向処理を施した膜をいう。例えば面内配向処理の方法
は、スピンコート法などで塗布すると、遠心方向に向っ
て配向したものが得られる。また、無配向の膜を所定方
向に延伸し、ついで横方向に延伸して配向させ、面内配
向した膜が得られる。何れの場合もこの配向膜に含まれ
る。しかし遠心によって形成するのが好ましい。本願発
明では、このように一旦形成された配向膜を一軸方向に
配向処理することを必須とする。この一軸処理の方法は
ラビング処理が好ましい。

【００１３】この発明の配向膜の程度は、配向膜上での
ネマチック液晶の配向方向で測定できる。配向膜近傍で
のネマチック液晶の配向方向は一軸処理の方向に略平行
な方向と、処理の方向に対して１０゜以上８０゜以下の
方向の２方向が現れる。以下図を用いてこの発明を説明
する。図５はこの発明のパネル構成図である。図５中
（７），（８）は基板、（９）は液晶層、（１０）は透
明電極、（１１）は液晶配向性高分子配向膜、（１２）
はスペーサである。

【００１４】この発明の基板としては透光性の絶縁性基
板が用いられ、通常ガラス基板が使れる。この絶縁性基
板にはそれぞれＩｎＯ_3,ＳｎＯ_2,ＩＴＯ(Indium Tin Ox
ide)などの導電性薄膜からなる所定のパターンの透明電
極が形成される。その上に、任意に絶縁膜が形成され
る。この絶縁膜は例えば、ＳｉＯ_2,ＳｉＮｘ，Ａｌ₂Ｏ₃
などの無機系薄膜、ポリイミド、フォトレジスト樹脂、
高分子液晶などの有機系薄膜などを用いることができ
る。絶縁膜が無機系薄膜の場合には蒸着法、スパッタ
法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)法、あるいは
溶液塗布法などによって形成できる。また、絶縁膜が有
機系薄膜の場合には有機物質を溶かした溶液またはその
前駆体溶液を用いて、スピンナー塗布法、浸せき塗布
法、スクリーン印刷法、ロール塗布法などで塗布し、所
定の硬化条件（加熱、光照射など）で硬化させ形成する
方法、あるいは蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などで形
成したり、ＬＢ（Langumuir-Blodgett）法などで形成す
ることもできる。

【００１５】絶縁膜の厚さは０．０１〜１μｍであるこ
とが好ましい。さらに０．０２〜０．５μｍが好まし
く、０．０５〜０．２μｍが最も好ましい。この厚さが
０．０１μｍより薄いと、ガラス表面あるいは透明電極
表面の影響をうけ好ましくない。またこの厚さが１μｍ
より厚いと、ガラス表面部分との段差の原因となり好ま
しくない。

【００１６】任意に形成された絶縁膜または透明性電極
の上に、液晶配向性の高分子配向膜が形成される。液晶
配向性の高分子配向膜の材料としては、側鎖に６員環
基、例えばフェニール基をもつビニル化合物が好まし
く、例えばポリスチレン、ポリ（２−ブロモスチレ
ン）、ポリ（３−ブロモスチレン）、ポリ（４−ブロモ
スチレン）、ポリ（２−クロルスチレン）、ポリ（３−
クロルスチレン）、ポリ（４−クロルスチレン）、ポリ
（２−ビニルピリジン）、ポリ（４−ビニルピリジ
ン）、ポリビニルカルバゾール、ポリ（２−ニトロスチ
レン）、ポリ（２−フェニルスチレン）、ポリ（２−メ
チルスチレン）、ポリ（２−メトキシスチレン）または
ポリ（２−ヒドロキシスチレン）等が挙げられる。

【００１７】配向膜の塗布方法は、高分子溶解溶液を塗
布面に遠心力を作用させた状態で塗布し、溶媒を除去し
て遠心力方向に配向させる方法が適用できる。遠心力方
向に配向させる方法は、高分子を溶解した粘性溶液を遠
心力によって流動させ、遠心力方向に沿って高分子鎖を
配向させるもので、膜が形成される範囲内で遠心力は高
く、粘性は低い方が配向し易い。使用される溶媒は、ベ
ンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、四
塩化炭素などのハロゲン化物、エチルメチルケトンなど
のケトンが挙げられる。これら溶媒中に１０〜５０重量
％溶解させ、温度１０〜７０℃で遠心させ配向する。具
体的な遠心条件は、前記高分子の種類およびその重合度
によって決るので一概には表現し難いが、回転数は、例
えば１００〜２０００ｒｐｍである。

【００１８】この高分子膜を一方方向、例えば縦方向に
１．５〜１０倍程度延伸する。さらに、初めの延伸方向
とは垂直に、例えば横方向に１．５〜１０倍程度延伸す
る。このときの雰囲気温度は、高分子の分子運動を促進
するため、Ｔｇ以上の温度が好ましく、延伸速度は高分
子膜の厚さが均一にするため、ネッキングが発生する速
度以下であることが好ましい。

【００１９】この液晶配向性の高分子配向膜の上に配向
処理、例えばラビング処理が施される。ラビング処理条
件においては、ラビング処理時の布の種類、毛足のあた
る長さ、ローラーの回転数を変化させることにより制御
される。液晶配向性の高分子配向膜では、高分子の主鎖
方向がラビング方向と一致し、側鎖方向はラビング方向
と垂直となるよう配列されている。このとき液晶分子
は、配向膜上でラビングが十分強いときは、高分子の主
鎖方向または基板面にほぼ平行に一様に配向し、ラビン
グが弱いときは、高分子の側鎖に平行にまたは基板に対
して一定のチルト角を持って一様に配向し、ラビング強
度を適当に選ぶと２つの状態の中間方向に一様に配向す
る。

【００２０】以上のように、液晶配向性の高分子配向膜
の配向はラビング強度を適当に選ぶことによって、液晶
の配向方向が配向処理の方向に平行な方向と、配向処理
の方向に対し１０゜以上８０゜以下の角度をもつ配向の
２つの配向方向を得ることができ、また色々なチルト角
をもつ配向膜を得ることができる。このように、ＳｉＯ
の斜め蒸着膜と同様の膜質を、大面積にわたって一様か
つ簡便に実現できる。

【００２１】本発明においては、一方の基板上の配向膜
と他方の基板上の配向膜とのそれぞれの配向方向が互に
異なるよう、ことに０〜９０゜となるように配置するの
が好ましい。さらに、この角度は４５゜が好ましい。

【００２２】図６にこの場合のラビング方向と液晶分子
配向の安定し得る方向を示す。使用する液晶材料はカイ
ラル剤を混合し、ねじれ方向は上下基板間のラビング方
向のねじれと逆方向とする。さらにカイラル剤の添加量
は上記液晶とカイラル剤の種類によって異なるが、液晶
セルのセル厚（ｄ）と液晶のカイラルピッチ（ｐ）とで
次式０．０５＜ｄ／ｐ＜０．１の関係が成立する量であることが好ましく、さらにｄ／
ｐが約０．０６２５であることが最も好ましい。以上の
条件で液晶分子は１−３’，３−２’の完全に２つの組
合せのみが安定となる。これによって大面積にわたって
一様に理想的な配向が得られ、安定した双安定性スイッ
チングが実現できる。

【００２３】この発明のネマチック液晶は、シッフ塩基
系、アゾ系、アゾキシ系、安息香酸エステル系、ビフェ
ニル系、ターフェニル系、シクロヘキシルカルボ酸エス
テル系、フェニルシクロヘキサン系、ピリミジン系およ
びジオキサン系の液晶とそれらの混合物である多成分液
晶が挙げられる。具体的な市販の混合液晶としては、メ
ルク社製のＺシリーズ（Ｚ−１６２５，Ｚ−１５６５，
Ｚ−１７８０，Ｚ−１８００，Ｚ１８４０，Ｚ−１８２
５）、ＢＤＨ社製のＥシリーズ（Ｅ−７，Ｅ−３７，Ｅ
−３１ＬＶ，Ｅ−８０，Ｅ−４４）、ロシュ社製のＲシ
リーズ（Ｒ−２００，Ｒ−６２３，Ｒ−７０１，Ｒ−６
１９，Ｒ−６２７Ｃ）、チッソ社製のＬシリーズ（Ｌ−
ＧＲ４６，Ｌ−９１０６，Ｌ−ＥＮ２４，Ｌ−Ｐ２３Ｎ
Ｎ２３）および大日本インキ社製のＤシリーズ（Ｄ−６
０１Ｔ，Ｄ−Ｘ０１Ａ，Ｄ−８００）などが挙げられ
る。さらに、これら液晶を適宜混合して用いてもよい。

【００２４】ついで、上記液晶にカイラル剤（光学活性
化合物）を添加される。それによって、液晶相のらせん
ピッチを調整する。具体的なカイラル剤はコレステリル
ブロマイド、コレステリル−ｎ−ヘキシルエーテル、コ
レステリルベンゾエート、コレステリルｎ−ヘキシ
ルヘプタノエート、コレステリルヌナノエート、４−
［４−（２−メチルブチル）フェニル］ベンゼン酸４’
−シアノフェニルエステル、ｔ−４−（２−メチルブチ
ル）シクロヘキシルカルボキシル酸シアノビフェニルエ
ステル、４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼン酸４’−（２
−ブトキシカルボニル）フェニルエステル、４−（４’
−メチルブチル）−４''−シアノ−ｐ−ターフェニル、
Ｎ−（４−エトキシベンジリデン）−４−（２−メチル
ブチル）アニリン、４−（２−メチルブチル）ベンゼン
酸４’−ｎ−ヘキシルオキシフェニルエステル、４−ｎ
−ヘプトキシ−４’−（２−メチルブチルオキシカルボ
ニル）ビフェニル、４−（２−メチルブチル）−４’−
カルボニルフェニル、４−［４−（２−メチルブチル）
フェニル］ベンゼン酸４’−ブチルフェニルエステルな
どが挙げられる。

【００２５】また上記のネマティック液晶化合物以外の
化合物を適宜混合してもよい。この化合物は必ずしも液
晶相を示す必要はなく、（ａ）作製する組成物の液晶相
の温度範囲を調整するための化合物、（ｂ）強誘電性液
晶相において大きな自発分極を示すか、または誘起する
光学活性化合物、などが挙げられる。

【００２６】注入後、アクリル系等のＵＶ硬化型の樹脂
で注入口を封止して液晶セルとされる。さらに、この液
晶セルの上下に偏光軸をほぼ直交させた偏光板を配置さ
せ、偏光板の一方の偏光軸をセルの液晶のどちらか一方
の光軸にほぼ一致させて液晶表示装置とすることができ
る。

【００２７】

【実施例】

実施例１以下、本発明を更に詳細に説明する。双安定性ネマチッ
ク液晶セル部分は、以下の様な手順で作成した。１．ガラス基板１，２のぞれぞれの上に１０００オング
ストロームの厚さの複数本の透明電極をストライプ状に
形成した。透明電極の厚さは３００〜５０００オングス
トローム、好ましくは１０００〜３０００オングストロ
ームの範囲に設定することが可能である（この実施例で
は１０００オングストローム）。

【００２８】２．１の基板上に配向膜としてポリ（２−
ニトロスチレン）を約１０重量％溶解した溶液を、約２
５℃の液温にて回転数１０００ｒｐｍにて、スピンコー
ト法を用いて塗布した。この時膜厚は４００〜６００オ
ングストロームの範囲に設定する事が可能である（この
実施例では５００オングストローム）。３．次にラビング処理を行う。この時のラビング布の押
し込み量０．４ｍｍ、ラビング布回転速度１５０ｒｐ
ｍ、基板搬送速度６０００ｍｍ／分とした。

【００２９】４．上下基板のラビング方向は、基板に投
影した方向が同方向から４５°ずらして設定した。５．１〜４の工程を経た上下の基板の間に直径１．５μ
ｍのシリカビーズを分散させエポキシ樹脂製のシール部
材で貼り合わせた。シリカビーズの直径は１〜３μｍ、
好ましくは、１．２〜１．８μｍの範囲に設定すること
ができる。

【００３０】６．１〜５の工程を経て作成したパネル
に、ネマチック液晶（ホスト液晶５ＣＢにカイラル剤Ｓ
−８１１を０．３６ｗ％混合したもの）を真空注入法に
より注入した。注入後はアクリル系ＵＶ硬化型の樹脂に
より注入口を封止した。７．以上の手順で作成したパネルに、パルス電界を印加
したとき１ｃｍ²の領域で安定して双安定性を示した。
この時の応答特性は図７に示す。この様に１００μｓｅ
ｃ±１２Ｖで応答が可能であった。

【００３１】実施例２１．実施例１の項目１と同様の処理を行った基板上に配
向膜としてポリ（２クロルスチレン）を約１５重量％溶
解した溶液を、約２５℃の液温にて回転数８００ｒｐｍ
にて、スピンコート法を用いて塗布する。この時膜厚は
４００〜６００オングストロームの範囲に設定する事が
可能である（この実施例では５００オングストロー
ム）。２．この時のラビング布の押し込み量０．２ｍｍ、ラビ
ング布回転速度１００ｒｐｍ、基板搬送速度６０００ｍ
ｍ／分とした。３．上記基板に実施例１の項目５〜６と同様の処理を行
って基板を作成した。４．以上の手順で作成したパネルに、パルス電界を印加
したとき１ｃｍ²の領域で安定して双安定性を示した。
この時の応答特性は図８に示す。この様に１００μｓｅ
ｃ±１５Ｖで応答が可能であった。

【００３２】比較例１１．上記実施例１の項目１と同様の処理を行った基板に
ＳｉＯの斜め蒸着処理を行う。この時の蒸着角は基板法
線方向から７４°、膜厚は７０オングストロームとし
た。２．上下基板のＳｉＯの斜め蒸着方向は、基板に投影し
た方向が同方向から４５°ずらして設定した。３．上記基板を実施例１の項目５〜６と同様の処理を行
って基板を作成した。４．以上の手順で作成したパネルに、パルス電界を印加
したとき１ｃｍ²の領域で安定して双安定性を示した。
この時の応答特性は図９に示す。１００μｓｅｃ±２２
Ｖで応答が可能であった。

【００３３】

【発明の効果】この発明により高速作動であり、かつ大
面積の液晶素子装置を作製することができる。これは従
来の液晶装置に較べて大面積にわたって、液晶が一様な
配向状態を示し、安定な双安定性なスイッチングを行う
ことができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】先行技術の液晶表示装置の概略図である。

【図２】ＳｉＯ配向膜上での液晶分子の安定方向を示す
概略図である。

【図３】従来技術における、ＳｉＯ蒸着方向と液晶分子
配向の関係を示す概略図である。

【図４】液晶セルの断面における液晶の配向とその時生
じるフレクソ分極の方向を示す概略図である。

【図５】本発明の液晶表示装置の概略図である。

【図６】本発明における、ラビング方向と液晶分子配向
の関係を示す概略図である。

【図７】本発明の液晶表示装置における、スイッチング
時の印加パルス幅と印加電圧の関係を示す図である。

【図８】本発明の液晶表示装置における、スイッチング
時の印加パルス幅と印加電圧の関係を示す図である。

【図９】本発明の液晶表示装置における、スイッチング
時の印加パルス幅と印加電圧の関係を示す図である。

【符号の説明】

（１），（２）ガラス基板（３）ネマチック液晶層（４）透明電極（５）ＳｉＯ蒸着膜（６）スペーサー（７），（８）ガラス基板（９）ネマチック液晶層（１０）透明電極（１１）２軸配向性高分子配向膜層（１２）スペーサーＡＳｉＯ界面での液晶分子ＢＳｉＯ界面での液晶分子ＣＳｉＯ界面での液晶分子１，１’ 基板面で取り得る液晶分子の配向方向２，２’ 基板面で取り得る液晶分子の配向方向３，３’ 基板面で取り得る液晶分子の配向方向４，４’ 基板面で取り得る液晶分子の配向方向

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に電極が選択的に形成され、その全
面に配向膜が形成され、これに配向処理が施されてなる
上方および下方の基板が略平行になるように対向して配
置され、基板間に液晶が介在され、液晶分子長軸を切換
える駆動装置を備えてなる液晶表示装置において、液晶は、双安定的ネマチック相よりなり、配向膜は、側鎖に少なくとも１つの６員環基を有する高
分子の膜よりなり、かつ一軸方向に配向処理され、駆動装置は、電圧を印加することによって、上方の基板
において基板と液晶分子長軸が一定のチルト角を持ち、
下方の基板において基板と液晶分子長軸が平行でかつ基
板面に投影された上方、下方基板付近の液晶分子の長軸
が互いにほぼ同一方向である状態１と、下方の基板にお
いて基板断面方向と液晶分子長軸が一定のチルト角を持
ち、上方の基板においては基板断面方向と液晶分子長軸
が平行でかつ基板面に投影された上方、下方基板付近の
液晶分子の長軸が互いにほぼ同一方向である状態２を、
選択的にスイッチングさせることを特徴とする液晶表示
装置。
【請求項２】配向膜の上での液晶の配向方向が、配向
処理の方向に平行な方向と、配向処理の方向に対し１０
゜以上８０゜以下の角度をもつ配向の２つの配向方向が
あり、両配向方向でのプレチルト角が互いに異なる請求
項１の液晶表示装置。
【請求項３】高分子が、ポリスチレン、ポリ（２−ブ
ロモスチレン）、ポリ（３−ブロモスチレン）、ポリ
（４−ブロモスチレン）、ポリ（２−クロルスチレ
ン）、ポリ（３−クロルスチレン）、ポリ（４−クロル
スチレン）、ポリ（２−ビニルピリジン）、ポリ（４−
ビニルピリジン）、ポリビニルカルバゾール、ポリ（２
−ニトロスチレン）、ポリ（２−フェニルスチレン）、
ポリ（２−メチルスチレン）、ポリ（２−メトキシスチ
レン）またはポリ（２−ヒドロキシスチレン）である請
求項１の液晶表示装置。