New! View global litigation for patent families

JPH0772473A - Color liquid crystal display device - Google Patents

Color liquid crystal display device

Info

Publication number
JPH0772473A
JPH0772473A JP24040693A JP24040693A JPH0772473A JP H0772473 A JPH0772473 A JP H0772473A JP 24040693 A JP24040693 A JP 24040693A JP 24040693 A JP24040693 A JP 24040693A JP H0772473 A JPH0772473 A JP H0772473A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
color
substrate
formed
filters
counter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24040693A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuko Inoue
祐子 井上
Original Assignee
Sony Corp
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F2001/136222Color filter incorporated in the active matrix substrate

Abstract

PURPOSE:To prevent the drop of the effective voltage to be impressed to liquid crystals by improving the pixel electrode arrangement in an on-chip color filter structure. CONSTITUTION:This color liquid crystal display device has a panel structure consisting of a pair of main substrate 0 and counter substrate 11 and a liquid crystal layer 13 interposed between both. Switching elements consisting of the pixel electrodes 9, color filters 7 and TFTs are formed on the main substrate 0. A counter electrode 10 is formed on the counter substrate 11. The color filters 7 consist of electropeposited films deposited on patterned ground surface electrode 6 electrically connected to the TFTs. The pixel electrodes 9 consist of transparent conductive films which are likewise electrically connected to the TFTs and are patterned and formed on the color filters 7. In addition, the color filters 7 are segmented to every three primary colors and are arranged in a matrix form. Black masks 8 are formed approximately at the same thickness between the blocks.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明はカラー液晶表示装置に関する。 The present invention relates to a color liquid crystal display device. より詳しくは、同一基板上に画素電極、スイッチング素子、カラーフィルタ等が集積的に形成されたアクティブマトリクス型のカラー液晶表示装置に関する。 More specifically, the pixel electrode on the same substrate, the switching elements, color filters and the like relates to a color liquid crystal display device of active matrix type formed integrated manner. さらに詳しくは、カラーフィルタの形成技術に関する。 More particularly, to techniques for forming color filters.

【0002】 [0002]

【従来の技術】先ず最初に本発明の背景を明らかにする為、図10を参照してアクティブマトリクス型液晶表示装置の一般的な構成を簡潔に説明する。 BACKGROUND ART First order to clarify the background of the present invention, briefly described a general structure of an active matrix liquid crystal display device with reference to FIG. 10. アクティブマトリクス型液晶表示装置はマトリクス状に配列した画素電極101を有する。 Active matrix liquid crystal display device includes a pixel electrode 101 which are arranged in a matrix. 又個々の画素電極101を駆動するスイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT)1 The thin film transistor as a switching element for driving each pixel electrode 101 (TFT) 1
02も形成されている。 02 is also formed. 画素電極101の各行間には、 Between each row of the pixel electrode 101,
TFTを行毎に選択するゲートライン103が配置され、画素電極101の各列間には画像信号を供給する為の信号ライン104が配置される。 Gate line 103 for selecting a TFT for each row is disposed between each column of the pixel electrodes 101 signal lines 104 for supplying image signals are arranged. 薄膜トランジスタ1 The thin film transistor 1
02のドレインは対応する画素電極101に接続される一方、ソースは信号ライン104に接続され、さらにゲートはゲートライン103に接続される。 While the drain 02 is connected to the pixel electrode 101 corresponding, source is connected to the signal line 104, further gate connected to the gate line 103. 又、ドレイン領域の延長部においてゲート絶縁膜を誘電膜とする蓄積容量106が形成される。 Also, the storage capacitor 106 to the gate insulating film and the dielectric film in the extension of the drain region is formed. なお、薄膜トランジスタ10 It should be noted that the thin film transistor 10
2のゲート、ゲートライン103、蓄積容量ライン10 Second gate, gate lines 103, the storage capacitor line 10
5は同時に形成され、例えば不純物をドープした多結晶シリコン膜からなる。 5 is formed at the same time, a polycrystalline silicon film doped with an impurity.

【0003】図11はアクティブマトリクス型液晶表示装置の他の従来構成を示す。 [0003] Figure 11 shows another conventional structure of an active matrix type liquid crystal display device. このアクティブマトリクス型液晶表示装置においても、画素電極201がマトリクス状に配列されている。 In this active matrix type liquid crystal display device, the pixel electrode 201 are arranged in a matrix. 個々の画素電極201を駆動するスイッチング素子として、この従来例ではMIMダイオード202が用いられている。 As a switching element for driving each pixel electrode 201, MIM diodes 202 are used in this prior art example. 画素電極201の各列間には画像信号を供給する為の信号ライン204が配置されている。 Signal line 204 for supplying an image signal between each column of the pixel electrodes 201 are disposed. MIMダイオード202の一方の端子が対応する画素電極201に接続され、他方の端子が信号ライン204に接続される。 One terminal of the MIM diode 202 is connected to the pixel electrode 201 corresponding, and the other terminal connected to the signal line 204. これらMIMダイオード20 These MIM diode 20
2や画素電極201が形成された主基板に対面する対向基板にはアドレスライン203が配置されている。 The counter substrate 2 and the pixel electrode 201 opposing to the main substrate formed address lines 203 are disposed. このアドレスライン203は信号ライン204に対して直交している。 The address lines 203 are perpendicular to the signal line 204.

【0004】上述したアクティブマトリクス型液晶表示装置をカラー化する為には各画素電極に対応してRGB [0004] In order to color the active matrix type liquid crystal display device described above RGB corresponding to each pixel electrode
三原色のカラーフィルタを形成する必要がある。 It is necessary to form the three primary color filters. 図12 Figure 12
はカラー化されたアクティブマトリクス型液晶表示装置の従来構造を示す模式的な断面図である。 Is a schematic sectional view showing a conventional structure of an active matrix type liquid crystal display device which is colored. 主基板301 The main board 301
の内表面にはスイッチング素子としてトップゲート型のTFT302が形成されており、そのドレインDには画素電極303が接続している。 The inner surface of which TFT302 top gate type is formed as a switching element, a pixel electrode 303 is connected to the drain D. 又TFT302のソースには信号電極304が接続している。 The source of the TFT302 signal electrode 304 is connected. この主基板301 The main board 301
に対して所定の間隙を介し対向基板305が接合している。 A counter substrate 305 via a predetermined gap is bonded to. 対向基板305の内表面には画素電極303と整合してカラーフィルタ306が形成されている。 On the inner surface of the counter substrate 305 is a color filter 306 aligned with pixel electrode 303 is formed. 又TFT The TFT
302を遮閉する様にブラックマスク307が形成されている。 Black mask 307 is formed so as that closing shield 302. これらカラーフィルタ306及びブラックマスク307の上には対向電極308が全面的に形成されている。 These counter electrode 308 on the color filter 306 and the black mask 307 is entirely formed. かかる対向基板305と主基板301との間には例えばツイストネマティック配向された液晶層309が保持されている。 It is held in the liquid crystal layer 309 which is oriented for example twisted nematic between such opposing substrate 305 and the main board 301. この従来例はスイッチング素子としてトップゲートTFTを用いカラーフィルタを対向基板側に形成したものである。 This conventional example is obtained by forming the counter substrate a color filter using a top gate TFT as a switching element.

【0005】図13は他の従来例を示す模式的な断面図である。 [0005] Figure 13 is a schematic sectional view showing another conventional example. 基本的には図12に示した従来例と同一の構造を有しており、理解を容易にする為対応する部分には対応する参照番号を付してある。 Basically it has the same structure as the conventional example shown in FIG. 12, and corresponding parts for ease of understanding are denoted by corresponding reference numerals. 異なる点は、スイッチング素子としてトップゲートTFTに代え、ボトムゲートTFT312を用いた事である。 Difference is instead to the top gate TFT as a switching element, is that the using a bottom gate the TFT 312. カラーフィルタ306 The color filter 306
については図12の従来例と同様に対向基板305側に形成されている。 For are formed in the conventional example as well as side opposite the substrate 305 of Figure 12.

【0006】図14はさらに他の従来例を示す模式的な断面図である。 [0006] FIG. 14 is a schematic sectional view showing yet another conventional example. 基本的な構成は図12に示した従来例と同様であり、理解を容易にする為対応する部分には対応する参照番号を付してある。 The basic structure is the same as the conventional example shown in FIG. 12, and corresponding parts for ease of understanding are denoted by corresponding reference numerals. 異なる点は、スイッチング素子としてMIMダイオード322を用いた事である。 Differs is that using MIM diode 322 as a switching element.
これに関連して主基板301の上には列状に配列した信号ライン324がパタニング形成されている。 In this regard are the signal lines 324 which are arranged in rows on top of the main substrate 301 is formed patterned. 又、対向基板305にはアドレスラインを構成する対向電極32 Further, the counter electrode 32 on the counter substrate 305 constituting the address lines
8がストライプ状にパタニング形成されている。 8 is patterned in a stripe shape. この従来例においても、カラーフィルタ306は対向基板側に設けられている。 In this conventional example, a color filter 306 is provided on the counter substrate side.

【0007】図15は先に説明した3個の従来例と異なり、主基板側にカラーフィルタが形成された別の従来例を表わしている。 [0007] Figure 15 is different from the three conventional example previously described, represents another conventional example having a color filter formed on the main substrate side. かかる構造はオンチップカラーフィルタと呼ばれる。 Such structure is referred to as on-chip color filter. スイッチング素子としてはボトムゲート型のTFTを用いており、基本的な構成は図13に示した従来例と同一であり、理解を容易にする為対応する部分には対応する参照番号を付してある。 The switching element uses a bottom-gate TFT, and the basic configuration is the same as the conventional example shown in FIG. 13, corresponding parts to facilitate understanding are denoted by corresponding reference numerals is there. この従来例では画素電極303と整合してカラーフィルタ306が設けられている。 This prior art color filter 306 is disposed in alignment with the pixel electrode 303. このオンチップカラーフィルタ306は電着法により形成される。 The on-chip color filter 306 is formed by electrodeposition. 又、ボトムゲート型のTFT3 In addition, TFT3 of bottom-gate type
12及び信号ライン304を遮閉する様にブラックマスク307が形成されている。 Black mask 307 is formed so as that closing shield 12 and signal line 304.

【0008】図16はオンチップカラーフィルタの他の従来例を示す模式的な断面図である。 [0008] FIG. 16 is a schematic sectional view showing another conventional example of on-chip color filter. スイッチング素子としてMIMダイオードを用いており、基本的な構成は図14に示した先の従来例と同一であり、理解を容易にする為対応する部分には対応する参照番号を付してある。 And using the MIM diodes as switching elements, the basic structure is the same as the previous prior art example shown in FIG. 14, the corresponding parts for ease of understanding are denoted by corresponding reference numerals. 本従来例においても、画素電極303の上に整合して電着法によりカラーフィルタ306が形成されている。 In this conventional example, the color filter 306 is formed by aligning to electrodeposition method on the pixel electrode 303. 又MIMダイオード322及び信号ライン324を遮閉する様にブラックマスク307が形成されている。 The MIM diode 322 and signal lines 324 a shielding black mask 307 as that closing is formed.
以上、図15及び図16に示した電着法によるオンチップカラーフィルタの従来例は、例えば特開昭63−53 Above, conventional on-chip color filter by electrodeposition method shown in FIGS. 15 and 16, for example, JP-63-53
520号公報、特開昭63−55523号公報、特開平2−81025号公報等に開示されている。 520, JP-Sho 63-55523 and JP disclosed in JP-A 2-81025 Patent Publication.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】図12,図13及び図14に示した従来例では、カラーフィルタとブラックマスクが対向基板側に形成されている。 [SUMMARY OF THE INVENTION] Figure 12, in the conventional example shown in FIGS. 13 and 14, a color filter and a black mask is formed on the counter substrate side. 従って、主基板側に設けられた画素電極との位置合わせ精度に応じて、画素開口率が大きく変わってしまうという課題がある。 Thus, depending on the alignment accuracy between the pixel electrode provided on the main substrate side, there is a problem that the pixel aperture ratio is greatly changed.
又、開口率はカラーフィルタの平坦性や寸法精度、スイッチング素子が形成された主基板の平坦性等により影響を受ける。 Further, the aperture ratio flatness and dimensional accuracy of the color filter is affected by the flatness and the like of the main substrate on which switching elements are formed. アクティブマトリクス型液晶表示装置の微細化に伴ない、開口率は厳しくなっていく為、パタン精度以外の要因による開口率の犠牲はできる限り避ける必要がある。 In conjunction with miniaturization of the active matrix liquid crystal display device, since the aperture ratio will become stricter, victims of the aperture ratio due to factors other than the pattern accuracy should be avoided as much as possible. しかしながら、対向基板側にカラーフィルタを形成する場合平坦性及び寸法精度が良好な微細カラーフィルタを作製する為コストが非常に高くなるという課題がある。 However, there is a problem that the cost for the flatness and dimensional accuracy when forming a color filter on the opposing substrate side to produce a good fine color filters becomes very high.

【0010】一方、図15及び図16に示したオンチップカラーフィルタの従来例の場合、画素電極の上に1. On the other hand, the conventional example of on-chip color filter shown in FIGS. 15 and 16, 1 on the pixel electrode.
5μm程度の絶縁物であるカラーフィルタを電着形成する為、液晶層に対してはこの絶縁物を介して駆動電圧を印加しなくてはならない。 To form a color filter electrodeposition is 5μm about the insulator must be a driving voltage is applied through the insulating material to the liquid crystal layer. 従って液晶層に加わる実効電圧が低くなりコントラストや消費電力の面で課題が残る。 Therefore problems remain in terms of the effective voltage is lowered contrast and power consumption applied to the liquid crystal layer.

【0011】 [0011]

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課題に鑑み、本発明はコントラストの低下や消費電力の増大を招く事なく位置合わせ不要のオンチップカラーフィルタ構造を提供する事を目的とする。 In view of the problems of the prior art described above SUMMARY OF THE INVENTION The present invention aims to provide an alignment unnecessary on-chip color filter structure without causing an increase and a decrease in power consumption of the contrast to. 又、低コストで平坦性及び寸法精度に優れたカラーフィルタを提供し高解像度及び高精細のアクティブマトリクス型液晶表示装置の開口率を改善する事を目的とする。 Further, for the purpose of improving the aperture ratio of providing active matrix liquid crystal display device of high resolution and high definition excellent color filter flatness and dimensional accuracy at a low cost. かかる目的を達成する為に以下の手段を講じた。 In order to achieve the above object has taken the following means. 即ち本発明にかかるカラー液晶表示装置は基本的に、一対の主基板及び対向基板と、両者の間に介在する液晶層とからなるパネル構造を有する。 That color liquid crystal display device according to the present invention basically includes a pair of main substrate and the counter substrate, the panel structure comprising a liquid crystal layer interposed therebetween. 主基板には画素電極、カラーフィルタ及びスイッチング素子が形成されており、対向基板には対向電極が形成されている。 Pixel electrodes in the main board, and a color filter and a switching element are formed, a counter electrode is formed on the opposing substrate. 本発明の特徴事項として前記カラーフィルタは、各スイッチング素子に電気接続してパタニングされた下地電極上に堆積した電着膜からなり、前記画素電極は同じく各スイッチング素子に電気接続して該電着膜上にパタニング形成された透明導電膜からなる。 The color filter As a feature of the present invention consists respective switching elements in electrical connection to patterned been ground electrode on the deposited electrodeposition film, the pixel electrode is electrodeposited and also electrically connected to the switching elements made of a transparent conductive film which is patterned formed on the membrane.
好ましくは、前記カラーフィルタは三原色毎に区画してマトリクス状に配置されており、区画間に略同一厚みでブラックマスクが形成されている。 Preferably, the color filters are arranged in a matrix and divides every three primary colors, the black mask is formed in substantially the same thickness between compartments. 前記スイッチング素子としては、トップゲートTFT、ボトムゲートTF As the switching element, a top gate TFT, a bottom gate TF
T、MIMダイオード等を用いる事が可能である。 T, it is possible to use a MIM diode, or the like.

【0012】かかる構成を有するカラー液晶表示装置は以下の製造方法により作製される。 [0012] The color liquid crystal display device having such a configuration is produced by the following production method. 先ず第1工程において、主基板上に配線及びスイッチング素子を集積形成する。 First, in a first step, the wiring and the switching element is integrated formed on the main board. 第2工程において、コンタクトを介して個々のスイッチング素子に電気接続する下地電極をパタニング形成する。 In a second step, a base electrode electrically connected to the individual switching elements through the contact to patterned form. 第3工程において、該下地電極を除いて主基板表面をレジストで被覆する。 In the third step, with the exception of the lower ground electrode covering the main surface of the substrate with a resist. 第4工程において、露出した下地電極に対してスイッチング素子を介し通電を行ない三原色のカラーフィルタを選択的に電着する。 In the fourth step, selectively electrodeposited color filters of three primary colors subjected to energization through the switching element to the exposed underlying electrode. 第5工程において、レジストを除去した後コンタクトを介してスイッチング素子に電気接続する様に画素電極を該カラーフィルタの上にパタニング形成する。 In the fifth step, the pixel electrode so as to electrically connected to the switching element through the contact after removal of the resist is patterned formed on the color filter. 最後に第6工程において、主基板に所定の間隙を介して対向基板を接合し該間隙に液晶を封入する。 Finally, in the sixth step, filling liquid crystal into the gap by joining the opposed substrate with a predetermined gap therebetween on the main board. 好ましくは、マトリクス状に分割配置されたカラーフィルタの間に背面露光法でブラックマスクを形成する工程を含んでいる。 Preferably includes a step of forming a black mask on the back exposure method between the color filters distributed in a matrix.

【0013】 [0013]

【作用】本発明によれば、従来のオンチップカラーフィルタ構造と異なり、下地電極を予め形成しこれを利用して電着によりカラーフィルタを設けている。 According to the present invention, unlike the conventional on-chip color filter structure is provided with a color filter by preformed using electrodeposition to which the base electrode. このカラーフィルタに整合して画素電極を形成している。 Forming a pixel electrode in alignment with the color filter. 従って、 Therefore,
画素電極は液晶層と直接接する事が可能になり実効駆動電圧の低下を防止できる。 Pixel electrodes can prevent the decrease of the effective driving voltage becomes possible in direct contact with the liquid crystal layer. 又、電着法を用いたカラーフィルタは平坦性及び寸法精度に優れている。 Further, a color filter using an electrodeposition method is excellent in flatness and dimensional accuracy. さらに電着法によるカラーフィルタの作製は低コストである。 Preparation of a color filter according to yet electrodeposition method is low cost. この電着法を用いて画素電極の下にカラーフィルタを作製する事によって、主基板の平坦化が可能になる。 By producing a color filter under the pixel electrode using the electrodeposition method, it is possible to flatten the main board. 加えてコントラストや消費電力に悪影響を与える事なく、オンチップカラーフィルタ及びオンチップブラックマスクが同時に低コストで実現可能になる。 In addition without adversely affecting the contrast and power consumption, on-chip color filters and on-chip black mask can be realized at low cost at the same time.

【0014】 [0014]

【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を詳細に説明する。 EXAMPLES illustrating the preferred embodiments in detail of the present invention with reference to the drawings. 図1は本発明にかかるカラー液晶表示装置の第1実施例を示す模式的な部分断面図である。 Figure 1 is a schematic partial sectional view showing a first embodiment of a color liquid crystal display device according to the present invention. ガラス又は石英等の絶縁材料からなる主基板0の上には多結晶シリコン膜(もしくはアモルファスシリコン膜)1 Polycrystalline silicon film on the main board 0 made of glass or an insulating material such as quartz (or amorphous silicon film) 1
が所定の形状でパタニング形成されている。 There has been patterned formed in a predetermined shape. この多結晶シリコン膜1を素子領域としてトップゲート型のTFT Top gate type TFT of this polycrystalline silicon film 1 as an element region
が形成されスイッチング素子として機能する。 There is formed functions as a switching element. この多結晶シリコン膜1の上にゲート絶縁膜2を介しゲート電極3が形成されている。 The poly gate electrode 3 through the gate insulating film 2 on the silicon film 1 is formed. 同時に、ゲートライン及び蓄積容量ライン(図示せず)も形成される。 At the same time, the gate line and the storage capacitor line (not shown) are also formed. その上にはPSG PSG is on it
等からなる層間絶縁膜4及びアルミニウム等の導電性薄膜からなる信号ライン5がこの順で形成されている。 Comprising the interlayer insulating film 4 and the signal line 5 made of a conductive thin film such as aluminum is formed in this order from the like. 一方画素領域にはTFTのドレインDに電気接続して下地電極6が所定の形状にパタニング形成されている。 On the other hand the pixel region underlying electrode 6 electrically connected to the drain D of the TFT is patterned formed into a predetermined shape. この下地電極6はITO等の透明導電薄膜から構成されている。 The base electrode 6 is formed of a transparent conductive thin film such as ITO. この下地電極6に整合して電着膜からなるカラーフィルタ7が形成されている。 The color filter 7 consisting of aligned electrodeposition film base electrode 6 is formed. 又、カラーフィルタ7以外の部分にはブラックマスク8が形成されている。 Also, the black mask 8 is formed in a portion other than the color filter 7. ブラックマスク8とカラーフィルタ7の表面は略同一レベルにあり主基板0は平坦化されている。 There main board 0 to approximately the same level the surface of the black mask 8 and the color filter 7 are flattened. 最後に、カラーフィルタ7と整合する様に画素電極9が形成されている。 Finally, the pixel electrode 9 is formed so as to match the color filter 7. この画素電極9はコンタクトを介してTFTのドレインD The drain D of the pixel electrode 9 via a contact TFT
に電気接続している。 It is electrically connected to. 画素電極9は下地電極6と同様にITO等の透明導電薄膜からなる。 Pixel electrode 9 is made of a transparent conductive film such as ITO similarly to the base electrode 6.

【0015】一方該主基板0に対して所定の間隙を介して対面配置された対向基板11はガラス等の絶縁材料から構成されている。 Meanwhile the counter substrate 11 with respect to the main substrate 0 is arranged facing with a predetermined gap is composed of an insulating material such as glass. 対向基板の内表面には全面的にIT Fully IT on the inner surface of the counter substrate
O等からなる対向電極10が形成されている。 Counter electrode 10 made of O or the like is formed. 対向電極10の表面にはポリイミド等の配向膜12が塗布され、 Orientation film 12 such as polyimide is coated on the surface of the counter electrode 10,
所定の配向処理を施されている。 It is subjected to a predetermined alignment treatment. なお、主基板0の内表面にも同様に配向膜12が形成されている。 Note that the main board similarly oriented film 12 to the inner surface of 0 is formed. 対向基板1 A counter substrate 1
1と主基板0の間隙内には例えばツイストネマティック配向された液晶層13が封入され、アクティブマトリクス型のカラー液晶表示装置が構成される。 1 and the main substrate 0 in the gap is sealed liquid crystal layer 13 which is oriented for example twisted nematic color liquid crystal display device is constituted of an active matrix type.

【0016】次に図2及び図3を参照して、図1に示したカラー液晶表示装置の製造方法を詳細に説明する。 [0016] Referring now to FIGS. 2 and 3, a method of manufacturing a color liquid crystal display device will be described in detail shown in FIG. 先ず図2の工程Aにおいて、主基板(図示省略)の上にT First, in step A of FIG. 2, T on the main board (not shown)
FT、信号ライン5、下地電極6等を半導体プロセスにより集積的に形成する。 FT, the signal line 5, integrated to form a base electrode 6 and the like by a semiconductor process. そして、下地電極6以外の部分をレジスト14でカバーする。 Then, covering the portion other than the base electrode 6 with the resist 14. このカバーされた領域にはTFTのドレイン側コンタクトCONも含まれる。 This is the covered area also includes drain side contact CON of the TFT. 次に工程Bにおいてグリーン(G)の画素に対応する信号ライン5を電気的に選択し、電着処理を施すと下地電極6に整合してグリーンの電着膜からなるカラーフィルタ7が形成される。 Then electrically select the signal lines 5 corresponding to the pixels of green (G) in step B, the color filter 7 consisting of electrodeposition film of green in alignment with the base electrode 6 when subjected to electrodeposition process is formed that. この電着処理は、グリーンに着色した電着浴液が入った槽に被塗物を浸漬し、対極板との間に適当な条件下で直流電流を通電し、被塗物に着色された電着膜を形成するものである。 The electrodeposition process, by immersing the object to be coated in a bath containing the colored electrodeposition bath green, energizing the direct current under suitable conditions between the counter electrode plate, colored objects to be coated and it forms an electrodeposition film. 一旦成膜された電着膜はプリベークを施す事により導電性を失なう。 Once deposited the electrodeposition film has conductivity by giving a prebaking loses. 電着浴液は着色顔料を分散した高分子樹脂の水溶液又は水分散液であり、例えばカルボキシル基を有するポリエステル樹脂を有機アミンで中和したアニオン型を用いる事ができる。 Electrostatic Chakuyokueki is an aqueous solution or dispersion of the dispersed polymer resin a coloring pigment, can be used, for example anionic neutralizing the polyester resin in an organic amine having a carboxyl group. 又着色材としては有機顔料を使用し精密分散にてカラーフィルタの品質を確保している。 Also, as the coloring material has secured the quality of the color filters in the use of organic pigment fine dispersion.

【0017】次に工程Cにおいてレッド(R)の画素に対応する信号ラインを電気的に選択し、レッドの電着液に浸漬し赤色のカラーフィルタ7を形成する。 [0017] Then electrically select the signal lines corresponding to the pixel of red (R) in step C, and a color filter 7 of the red immersed in an electrodeposition solution red. この時、 At this time,
先に形成したグリーンの電着膜はプリベークにより導電性を失なっているのでレッドの電着膜が重ねて付着する惧れはない。 Green electrodeposition film formed previously is fear Re not adhered overlapping electrodeposition film red so has lost conductivity by prebaking. 同様に、ブルー(B)に着色された電着膜も対応する画素領域に形成される。 Similarly, blue (B) in the colored electrodeposited film is also formed in the corresponding pixel region. RGB三原色のカラーフィルタが全て成膜された段階で本焼成を行なう。 The color filter of RGB three primary colors to perform all the sintering in the formed phase. 次に工程Dで、使用済みになったレジスト14を剥離し、 Next, in step D, the resist was removed 14 that were used,
コンタクトCONを露出させる。 To expose the contact CON. 続いて図3の工程Eにおいて、各カラーフィルタ7に整合して画素電極9をパタニング形成する。 Subsequently, in step E of FIG. 3, for patterning a pixel electrode 9 in alignment with the color filter 7. この画素電極9はコンタクトCON The pixel electrode 9 contacts CON
を介してトップゲート型TFTのドレインDに電気接続している。 It is electrically connected to the drain D of the top gate type TFT through. 次に工程FにおいてRGBカラーフィルタを遮光膜として背面露光法によりブラックマスク8を部分的に形成する。 Then partially forming the black mask 8 by back exposure method RGB color filter as a light shielding film in the step F. この背面露光法はRGBカラーフィルタを紫外線の遮光膜として活用し、RGBカラーフィルタ間のギャップ部に整合して主基板の上にブラックマスク8を設けるものである。 The back exposure method is one in which RGB color filters utilized as the light-shielding film of the ultraviolet, in alignment with the gap between the RGB color filters provided black mask 8 on the main board. 紫外線の光量を調整する事によりブラックマスク8の厚さが制御でき、RGBカラーフィルタと同一膜厚に成膜可能である。 By adjusting the quantity of ultraviolet light can be controlled is the thickness of the black mask 8, capable of being deposited in the same thickness and the RGB color filter. ブラックマスク用材料は主に光硬化性樹脂と黒色着色材の混合物からなる。 Black mask material is mainly composed of a mixture of a photocurable resin and a black colorant. なお遮光性の信号ライン5の上にはブラックマスクは形成されない。 Incidentally black mask on the light-shielding of the signal lines 5 are not formed. 最後に工程Gにおいて、主基板平坦化の為、全ての信号ラインを選択した状態でブラックの電着液に浸漬し、信号ライン5上に他のブラックマスク8 Finally, in step G, the main substrate for flattening was immersed in an electrodeposition solution for black on all while selecting the signal line, the other black mask on the signal line 5 8
を堆積する。 Depositing a. なお、この工程Gは前述した工程Fの先に実施しても良い。 Note that this step G may be carried out in the previous step F described above. 又全信号ラインに電圧を印加する時、 Also when a voltage is applied to all the signal lines,
TFTは非導通状態にしておき画素電極9に電圧が加わらない様にしてある。 TFT is are the manner voltage to the pixel electrodes 9 leave a non-conductive state is not applied.

【0018】以上の様な製造工程によれば、カラーフィルタ及びブラックマスクを作製する為に増加するPR工程は1回で済む。 [0018] According to the above such manufacturing process, PR process to increase in order to produce a color filter and black mask only once. この為かなり低コストでオンチップカラーフィルタの作製が可能になる。 Therefore it is possible to produce the on-chip color filters at a much lower cost. 又オンチップカラーフィルタの上に画素電極を形成している為液晶に印加される駆動電圧の損失もない。 The on-chip without the loss of the driving voltage applied to the liquid crystal for forming a pixel electrode on the color filter. さらに、薄膜トランジスタ等が形成された主基板の上にカラーフィルタを堆積させる事により主基板の平坦化も同時に実現する事ができる。 Furthermore, it is possible to realize simultaneously flattening of the main substrate by depositing a color filter on the main board thin film transistors and the like are formed. 加えて、対向基板に対する位置合わせを行なう必要がなくなる為、開口率が改善される事はいうまでもない。 In addition, because the need to align with respect to the counter substrate is eliminated, it is needless to say that the aperture ratio is improved. 同時に、本製造方法によりオンチップカラーフィルタを作製すると、TFTが破壊されている画素(輝点欠陥画素)にはブラックマスクが付着する事になる。 At the same time, to produce an on-chip color filter by the present production method, so that the black mask is attached to the pixel (bright spot defective pixel) in which TFT is destroyed. よって輝点欠陥は滅点欠陥となり目立たなくなるので画像品位が向上し歩留まり改善に繋がる。 Therefore luminance point defect leads to improve yield improved image quality since inconspicuous becomes dark spot defects.

【0019】図4は、本発明にかかるカラー液晶表示装置の第2実施例を示す模式的な部分断面図である。 [0019] FIG. 4 is a schematic partial sectional view showing a second embodiment of a color liquid crystal display device according to the present invention. 図示する様に、ガラス又は石英等の絶縁材料からなる主基板30の上にゲートライン31が形成されている。 As shown, the gate lines 31 on the main substrate 30 made of an insulating material such as glass or quartz are formed. このゲートライン31はモリブデン/タングステン合金等の導電性薄膜を所定の形状にパタニングして得られる。 The gate line 31 is obtained by patterning a conductive thin film such as molybdenum / tungsten alloy into a predetermined shape. このゲートライン31を被覆する様に2層のゲート絶縁膜3 The gate insulating film 3 of the two layers so as to cover the gate line 31
2,33が形成されている。 2, 33 is formed. その上には多結晶シリコン層(もしくはアモルファスシリコン層)34が所定の形状にパタニング形成されている。 Moreover the polycrystalline silicon layer (or amorphous silicon layer) 34 is patterned formed into a predetermined shape. この多結晶シリコン層34を素子領域としてボトムゲート型のTFTが形成される。 The polycrystalline silicon layer 34 as a device region bottom gate type TFT is formed. 多結晶シリコン層34の上には二酸化シリコン等からなる絶縁膜35がゲートライン31に整合して設けられる。 On the polycrystalline silicon layer 34 is an insulating film 35 made of silicon dioxide is provided in alignment with the gate line 31. この絶縁膜35をエッチングストッパとしてn n the insulating film 35 as an etching stopper
+のシリコン膜36を所定の形状にパタニング形成し、 + Silicon film 36 is patterned formed into a predetermined shape,
ボトムゲート型TFTのソース及びドレインとする。 The source and the drain of the bottom gate type TFT. ソースに電気接続して信号ライン37を形成する。 Source and electrically connected to form a signal line 37. 又ドレインと電気接続して下地電極38を形成する。 Further to drain and electrical connections forming the base electrode 38. 下地電極38の上には電着膜からなるカラーフィルタ39が形成されている。 On the ground electrode 38 is a color filter 39 consisting of electrodeposition film is formed. 又カラーフィルタ39以外の領域にはブラックマスク40が埋め込まれている。 The black mask 40 is embedded in a region other than the color filter 39. 最後に、画素電極41がカラーフィルタ39の上に整合して設けられている。 Finally, the pixel electrode 41 is provided in alignment on the color filter 39. この画素電極41はボトムゲート型TFTのドレインに電気接続している。 The pixel electrode 41 is electrically connected to the drain of the bottom gate type TFT.

【0020】一方、全面に対向電極42が形成されたガラス等からなる対向基板43が、主基板30に対面して配置されている。 [0020] On the other hand, the counter substrate 43 made of glass or the like opposing electrode 42 on the entire surface is formed is disposed to face the main substrate 30. これら対向基板43、主基板30の内表面には夫々配向膜44が塗布され所定の配向処理が施されている。 These counter substrate 43, and a predetermined alignment treatment each alignment layer 44 is coated on the inner surface of the main substrate 30 is subjected. 両基板30,43の間隙内には液晶層45 The liquid crystal layer 45 is in the gap between the substrates 30 and 43
が封入され、アクティブマトリクス型のカラー液晶表示装置が構成される。 There is enclosed, a color liquid crystal display device is constituted of an active matrix type.

【0021】次に図5及び図6を参照して、図4に示した第2実施例にかかるカラー液晶表示装置の製造方法を詳細に説明する。 [0021] Referring now to FIGS. 5 and 6, a manufacturing method of a color liquid crystal display device according to the second embodiment will be described in detail shown in FIG. 先ず図5の工程Aにおいて主基板(図示せず)の上にボトムゲート型のTFT、信号ライン3 First bottom gate type TFT on a main board (not shown) in the step A of FIG. 5, the signal lines 3
7、下地電極38等を集積的に形成する。 7, integrated manner forming an underlying electrode 38 and the like. 続いて下地電極38以外の部分をレジスト46でカバーする。 Followed by covering portions other than the base electrode 38 with the resist 46. このカバーされた領域にはボトムゲート型のTFT及び信号ライン37が含まれる。 This is the covered area includes TFT and a signal line 37 of the bottom-gate type. 次に工程Bにおいてグリーンの画素に対応する信号ラインを電気的に選択し、対応するボトムゲート型のTFTを導通状態にした上で主基板をグリーンの電着液に浸漬し、グリーンのカラーフィルタ3 Then electrically select the signal lines corresponding to the pixels of the green in the step B, by immersing the main substrate on which the corresponding bottom gate type TFT in the conductive state to the electrodeposition solution for green, a green color filter 3
9を成膜する。 9 is deposited. この後プリベークを行ないカラーフィルタ39を非導電化する。 A color filter 39 performs a pre-baked after this to non-electrified. 続いて工程Cにおいて同様の電着法により所定の下地電極にレッドのカラーフィルタを成膜する。 Followed by forming a red color filter to a predetermined base electrode by the same electrodeposition process in step C. さらに、ブルーのカラーフィルタも成膜する。 In addition, also deposited blue color filters. なお、グリーン、レッド、ブルーの順序は特にこれに限られるものではない。 In addition, green, red, blue of the order is not particularly limited to this. 三原色RGBカラーフィルタを全て電着した後本焼成を行なう。 All the three primary colors RGB color filters performs the sintering after electrodeposition. 次に工程Dにおいて、不要になったレジストを剥離しボトムゲート型のT Next, in the step D, the bottom-gate peeled off becomes unnecessary resist T
FTを露出させる。 To expose the FT. 続いて図6の工程Eにおいて、カラーフィルタ39と整合する様にその上に画素電極41をパタニング形成する。 Subsequently, in step E of FIG. 6, the pixel electrode 41 thereon so as to match the color filter 39 is patterned form. この画素電極41はTFTのドレインに電気接続される。 The pixel electrode 41 is electrically connected to the drain of the TFT. 次に工程Fにおいて、RGBカラーフィルタを遮光膜として背面露光法によりブラックマスク36を形成する。 Next, in step F, to form a black mask 36 by the back exposure method an RGB color filter as a light shielding film. なお、背面露光法を用いた場合には遮光性の信号ライン37の領域にブラックマスクが形成できない。 Note that the black mask can not be formed in the region of the shielding of the signal line 37 in the case of using the back exposure method. 最後に工程Gにおいて、信号ライン37 Finally, in step G, the signal line 37
に所定の電圧を印加しブラックの電着液に浸漬して信号ライン37上に別のブラックマスク36を堆積する。 Depositing a separate black mask 36 immersed in on the signal line 37 to the electrodeposition solution applied to black a predetermined voltage to.

【0022】次に図7を参照して、本発明にかかるカラー液晶表示装置の第3実施例を説明する。 [0022] Referring now to FIG. 7, a description will be given of a third embodiment of a color liquid crystal display device according to the present invention. 図示する様に、ガラス又は石英等の絶縁材料からなる主基板50の上に、下電極51が所定の形状にパタニング形成される。 As shown, on the main substrate 50 made of an insulating material such as glass or quartz, the lower electrode 51 is patterned formed into a predetermined shape. この下電極51はタンタル等の金属等から構成されている。 The lower electrode 51 is composed of a metal such as tantalum or the like. その上に、陽極酸化法により絶縁膜52を形成する。 Thereon, an insulating film 52 by an anodic oxidation method. 本例ではこの絶縁膜52はタンタル酸化膜である。 In this example the insulating film 52 is a tantalum oxide film. 又、下電極51に隣接して下地電極53も形成されている。 Further, the base electrode 53 is also formed adjacent to the lower electrode 51. この下地電極53と下電極51を接続する様に上電極54が形成されている。 The upper electrode 54 is formed so as to connect the base electrode 53 and the lower electrode 51. この上電極54はクロム等の金属からなる。 The upper electrode 54 is made of metal such as chrome. 下地電極53の上には電着膜からなるカラーフィルタ55が形成されている。 On the base electrode 53 color filter 55 consisting of electrodeposition film is formed. 個々のカラーフィルタ55の間にはブラックマスク56が埋め込まれている。 Black mask 56 is embedded between the individual color filter 55. 最後に、カラーフィルタ55と整合して画素電極57がパタニング形成されている。 Finally, the pixel electrode 57 in alignment with the color filter 55 is formed patterned. この画素電極57 The pixel electrode 57
はコンタクトを介して下地電極53と電気接続している。 It is electrically connected to the base electrode 53 through a contact.

【0023】一方、信号ラインとなる下電極51に対してマトリクス状に交差配列した対向電極58(アドレスライン)が対向基板59の内表面に形成されている。 On the other hand, the counter electrode 58 intersecting arranged in a matrix (address lines) are formed on the inner surface of the opposing substrate 59 with respect to the lower electrode 51 serving as a signal line. この対向基板59は所定の間隙を介して主基板50に対面配置されている。 The counter substrate 59 is arranged facing to the main board 50 via a predetermined gap. 対向基板59及び主基板50の内表面には配向膜60が成膜されている。 Alignment film 60 is deposited on the inner surface of the counter substrate 59 and the main substrate 50. 両基板50,59の間隙内には液晶層61が封入されており、カラー液晶表示装置を構成する。 The in the gap between the substrates 50 and 59 and the liquid crystal layer 61 is sealed to form a color liquid crystal display device.

【0024】次に図8及び図9を参照して、図7に示した第3実施例にかかるカラー液晶表示装置の製造方法を詳細に説明する。 [0024] Referring now to FIGS. 8 and 9, a method of manufacturing a color liquid crystal display device in the third embodiment will be described in detail shown in FIG. 先ず最初に図8の工程Aにおいて、主基板(図示せず)の上にMIMダイオード及び下地電極53を形成する。 First in step A of FIG. 8 First, a MIM diode and the base electrode 53 on the main board (not shown). 前述した様に、MIMダイオードは下電極51、絶縁膜52、上電極54の3層構造からなる。 As mentioned above, the lower electrode 51 MIM diode, the insulating film 52, a three-layer structure of the upper electrode 54. さらに、所定のコンタクト領域CONを被覆する様にレジスト62をパタニング形成する。 Further, the resist 62 so as to cover the predetermined contact regions CON is patterned form. 次に工程Bで、 Next, in step B,
グリーンの画素に対応した信号ラインを電気的に選択し、グリーンの電着液に浸漬して緑色のカラーフィルタ55を下地電極53の上に電着する。 Electrically select the signal line corresponding to a pixel of green, electrodepositing a green color filter 55 on the base electrode 53 is immersed in an electrodeposition solution for green. 続いて工程Cにおいて、レッドの画素に対応する信号ラインを選択しレッドの電着液に浸漬して赤色のカラーフィルタ55を電着する。 Subsequently, in step C, and electrodepositing a red color filter 55 is immersed select signal line corresponding to the red pixel in the electrodeposition solution red. 同様に、ブルーの電着膜からなるカラーフィルタも形成する。 Similarly, to form a color filter consisting of blue electrodeposition film. RGB三原色のカラーフィルタを全て貼着した段階で本焼成を行なう。 All the color filters of RGB three primary colors performing the sintering at stuck stages.

【0025】次に工程Dで、不要となったレジストを剥離しコンタクト領域CONを露出させる。 [0025] Next, in step D, to expose the contact region CON was peeled off became unnecessary resist. 続いて図9の工程Eにおいて、カラーフィルタ55の上に画素電極5 Subsequently, in step E of FIG. 9, the pixel electrodes 5 on the color filter 55
7をパタニング形成する。 7 to the patterning formation. なおこの画素電極57はコンタクト領域CONにおいて下地電極53と電気接続する。 Incidentally, this pixel electrode 57 is electrically connected to the base electrode 53 in the contact region CON. 最後に工程Fにおいて、RGBカラーフィルタを遮光マスクとして、背面露光法によりブラックマスク56 Finally, in step F, the RGB color filter as light-shielding mask, the black mask 56 by the back exposure method
を形成する。 To form.

【0026】 [0026]

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、下地電極を予め形成しその上に電着法でカラーフィルタを設けている。 As has been described above, according to the present invention, there is provided a color filter in the base electrode preformed electrodeposition method thereon. このカラーフィルタの上に整合して画素電極を設けている。 It is provided pixel electrodes aligned on the color filter. これにより、画素電極は液晶層と直接接触する構造となり液晶に印加される実効電圧の低下を防ぐ事が可能となる。 Thus, the pixel electrode becomes possible to prevent a reduction in the effective voltage applied to the liquid crystal becomes structure in direct contact with the liquid crystal layer. この為、コントラストの低下や消費電力の増大等が防止できるという効果がある。 Therefore, the effect of increasing such a reduction and power consumption of the contrast can be prevented. 又、電着法により形成されたカラーフィルタは平坦性が優れており、主基板の平坦化を可能にするという効果がある。 Further, a color filter formed by electrodeposition has excellent flatness, there is an effect that allows the flattening of the main board.
電着法で作製する為PR工程が少なく低コスト化が図れるという効果がある。 There is an effect that a PR process less cost can be reduced to produce by electrodeposition method. 又、オンチップカラーフィルタとして主基板に直接形成する事から寸法精度にも優れ液晶表示装置の画素が微細になっても開口率を下げる事なく、カラー液晶表示装置の高精細化及び高開口率化に多大な寄与をしその効果は絶大なものがある。 Moreover, on-chip without lowering the aperture ratio even superior in dimensional accuracy since it is directly formed on the main substrate pixel of the liquid crystal display device becomes fine as a color filter, a high definition and a high aperture ratio of the color liquid crystal display device the effect made a significant contribution to the reduction is there is enormous. 加えて、ブラックマスクを電着法により形成する事により、輝点欠陥画素を滅点欠陥画素に転換でき、画像品位を非常に高めるという効果も得られる。 In addition, by forming the black mask by electrodeposition method, convertible bright spot defective pixel to a dark spot defective pixel, there is also an effect that greatly enhance the image quality.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明にかかるカラー液晶表示装置の第1実施例を示す部分断面図である。 1 is a partial sectional view showing a first embodiment of a color liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】第1実施例の製造工程図である。 2 is a manufacturing process diagram of the first embodiment.

【図3】同じく第1実施例の製造工程図である。 [3] which is also a manufacturing process diagram of the first embodiment.

【図4】本発明にかかるカラー液晶表示装置の第2実施例を示す部分断面図である。 It is a partial sectional view showing a second embodiment of a color liquid crystal display device according to the present invention; FIG.

【図5】第2実施例の製造工程図である。 5 is a manufacturing process diagram of the second embodiment.

【図6】同じく第2実施例の製造工程図である。 [6] which is also a manufacturing process diagram of the second embodiment.

【図7】本発明にかかるカラー液晶表示装置の第3実施例を示す断面図である。 7 is a sectional view showing a third embodiment of such a color liquid crystal display device of the present invention.

【図8】第3実施例の製造工程図である。 8 is a manufacturing process diagram of a third embodiment.

【図9】同じく第3実施例の製造工程図である。 [9] which is also a manufacturing process diagram of a third embodiment.

【図10】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の一例を示す等価回路図である。 FIG. 10 is an equivalent circuit diagram showing an example of a conventional active matrix type liquid crystal display device.

【図11】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の他の例を示す等価回路図である。 11 is an equivalent circuit diagram showing another example of a conventional active matrix liquid crystal display device.

【図12】従来のカラー液晶表示装置の一例を示す断面図である。 12 is a sectional view showing an example of a conventional color liquid crystal display device.

【図13】従来のカラー液晶表示装置の他の例を示す断面図である。 13 is a sectional view showing another example of a conventional color liquid crystal display device.

【図14】従来のカラー液晶表示装置の別の例を示す断面図である。 14 is a cross-sectional view showing another example of a conventional color liquid crystal display device.

【図15】従来のカラー液晶表示装置のさらに別の例を示す断面図である。 15 is a sectional view showing still another example of a conventional color liquid crystal display device.

【図16】従来のカラー液晶表示装置のさらに別の例を示す断面図である。 16 is a sectional view showing still another example of a conventional color liquid crystal display device.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

0 主基板 1 多結晶シリコン膜 2 ゲート絶縁膜 3 ゲート 4 層間絶縁膜 5 信号ライン 6 下地電極 7 カラーフィルタ 8 ブラックマスク 9 画素電極 10 対向電極 11 対向基板 12 配向膜 13 液晶層 0 main substrate 1 polycrystalline silicon film 2 a gate insulating film 3 gate fourth interlayer insulating film 5 signal line 6 underlying electrode 7 color filter 8 black mask 9 pixel electrode 10 counter electrode 11 counter substrate 12 alignment film 13 liquid crystal layer

Claims (7)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 一対の主基板及び対向基板と、両者の間に介在する液晶層とからなるパネル構造を有し、主基板には画素電極、カラーフィルタ及びスイッチング素子が形成されており、対向基板には対向電極が形成されているカラー液晶表示装置であって、 前記カラーフィルタは、各スイッチング素子に電気接続してパタニングされた下地電極上に堆積した電着膜からなり、 前記画素電極は同じく各スイッチング素子に電気接続して該電着膜上にパタニング形成された透明導電膜からなる事を特徴とするカラー液晶表示装置。 And 1. A pair of the main substrate and the counter substrate has a panel structure comprising a liquid crystal layer interposed therebetween, and the main board are pixel electrodes, a color filter and a switching element is formed, opposite the substrate a color liquid crystal display device in which the counter electrode is formed, the color filter is made of patterned by electrodeposition film deposited on the base electrode electrically connected to each of the switching elements, the pixel electrodes color liquid crystal display device, characterized in that consists likewise transparent conductive film patterned formed by electrical connection to the electrodeposition film to each of the switching elements.
  2. 【請求項2】 前記カラーフィルタは三原色毎に区画してマトリクス状に配置されており、区画間に略同一厚みでブラックマスクが形成されている事を特徴とする請求項1記載のカラー液晶表示装置。 Wherein said color filters are arranged in a matrix and divides every three primary colors, a color liquid crystal display according to claim 1, characterized in that a black mask is formed in substantially the same thickness between compartments apparatus.
  3. 【請求項3】 前記スイッチング素子はトップゲートT Wherein said switching element is a top-gate T
    FTである事を特徴とする請求項1記載のカラー液晶表示装置。 Color liquid crystal display device according to claim 1, wherein it is FT.
  4. 【請求項4】 前記スイッチング素子はボトムゲートT Wherein said switching element is a bottom gate T
    FTである事を特徴とする請求項1記載のカラー液晶表示装置。 Color liquid crystal display device according to claim 1, wherein it is FT.
  5. 【請求項5】 前記スイッチング素子はMIMである事を特徴とする請求項1記載のカラー液晶表示装置。 5. A color liquid crystal display device according to claim 1, wherein a said switching element is a MIM.
  6. 【請求項6】 主基板上に配線及びスイッチング素子を集積形成する第1工程と、 コンタクトを介して個々のスイッチング素子に電気接続する下地電極をパタニング形成する第2工程と、 該下地電極を除いて主基板表面をレジストで被覆する第3工程と、 露出した下地電極に対してスイッチング素子を介し通電を行ない三原色のカラーフィルタを選択的に電着する第4工程と、 レジストを除去した後コンタクトを介してスイッチング素子に電気接続する様に画素電極を該カラーフィルタの上にパタニング形成する第5工程と、 主基板に所定の間隙を介して対向基板を接合し該間隙に液晶を封入する第6工程とを含むカラー液晶表示装置の製造方法。 Except 6. A first step of the integrated formation of the wiring and the switching element on the main substrate, a second step of the base electrode patterned forming electrically connected to individual switching elements through the contact, a lower ground electrode Te and a third step of coating a major surface of the substrate with a resist, and a fourth step of selectively electrodeposited color filters of three primary colors subjected to energization through the switching element to the exposed underlying electrode, contacts after removing the resist the encapsulating a fifth step of forming patterned pixel electrode so as to electrically connected to the switching element on the said color filter, a liquid crystal joined the gap of the counter substrate through a predetermined gap to the main substrate via the method of manufacturing a color liquid crystal display device including a 6 step.
  7. 【請求項7】 マトリクス状に分割配置されたカラーフィルタの間に背面露光法でブラックマスクを形成する工程を含む請求項6記載のカラー液晶表示装置の製造方法。 7. A method of manufacturing a color liquid crystal display device of claim 6, further comprising a step of forming a black mask on the back exposure method between the color filters distributed in a matrix.
JP24040693A 1993-09-01 1993-09-01 Color liquid crystal display device Pending JPH0772473A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24040693A JPH0772473A (en) 1993-09-01 1993-09-01 Color liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24040693A JPH0772473A (en) 1993-09-01 1993-09-01 Color liquid crystal display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0772473A true true JPH0772473A (en) 1995-03-17

Family

ID=17058995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24040693A Pending JPH0772473A (en) 1993-09-01 1993-09-01 Color liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0772473A (en)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997020251A1 (en) * 1995-11-29 1997-06-05 Sanyo Electric Co., Ltd. Display and method of producing the display
US5866919A (en) * 1996-04-16 1999-02-02 Lg Electronics, Inc. TFT array having planarized light shielding element
US6002462A (en) * 1996-12-26 1999-12-14 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with electrodes corresponding to channel region and display region and colored layers being formed on the electrodes
FR2809523A1 (en) * 2000-05-25 2001-11-30 Lg Philips Lcd Co Ltd Display has liquid crystal and method of manufacturing such a display
US6417898B1 (en) 1997-05-15 2002-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US6583830B2 (en) 2000-04-21 2003-06-24 Seiko Epson Corporation Electrooptical device, projection-type display apparatus, and method for manufacturing the electrooptical device
US6787930B1 (en) * 1999-07-29 2004-09-07 Nec Lcd Technologies, Ltd. Alignment marks and manufacturing method for the same
JP2005084230A (en) * 2003-09-05 2005-03-31 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Liquid crystal display and its manufacturing method
US6879359B1 (en) 1998-11-18 2005-04-12 Nec Lcd Technologies, Ltd. Reflection type liquid crystal display provided with reflective layer, coplanar gate electrode, color filter layer and transparent pixel electrode and manufacture method thereof
KR100623980B1 (en) * 1999-07-22 2006-09-13 삼성전자주식회사 Thin film transistor array panel for liquid crystal display and manufacturing method of the same
US7176993B2 (en) 1997-02-06 2007-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Reflection type display device using a light shading film with a light shading material evenly dispersed throughout
USRE40162E1 (en) 1999-06-03 2008-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display
US7400366B2 (en) 2002-12-09 2008-07-15 Lg Display Co., Ltd. Array substrate having color filter on thin film transistor structure for LCD device and method of fabricating the same
US7495728B2 (en) 2003-02-28 2009-02-24 Lg Display Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device having color filter-on-thin film transistor (COT) structure and method of fabricating the same
US7517620B2 (en) 2002-12-09 2009-04-14 Lg Display Co., Ltd. Method for fabricating array substrate having color filter on thin film transistor structure for liquid crystal display device
KR100924751B1 (en) * 2002-12-04 2009-11-05 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Device and Method for fabricating the same
KR100924750B1 (en) * 2002-12-06 2009-11-05 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Device and Method for fabricating the same
KR100959366B1 (en) * 2003-07-04 2010-05-24 엘지디스플레이 주식회사 Array Substrate of Liquid Crystal Display Device Having Color Filter on Thin Film Transistor COT Structure and Method for Fabricating the Same
WO2016095243A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal panel and manufacturing method therefor

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997020251A1 (en) * 1995-11-29 1997-06-05 Sanyo Electric Co., Ltd. Display and method of producing the display
US6162654A (en) * 1995-11-29 2000-12-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Display and method of producing the display
US5866919A (en) * 1996-04-16 1999-02-02 Lg Electronics, Inc. TFT array having planarized light shielding element
US5926702A (en) * 1996-04-16 1999-07-20 Lg Electronics, Inc. Method of fabricating TFT array substrate
US6002462A (en) * 1996-12-26 1999-12-14 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with electrodes corresponding to channel region and display region and colored layers being formed on the electrodes
US7176993B2 (en) 1997-02-06 2007-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Reflection type display device using a light shading film with a light shading material evenly dispersed throughout
US6417898B1 (en) 1997-05-15 2002-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US6879359B1 (en) 1998-11-18 2005-04-12 Nec Lcd Technologies, Ltd. Reflection type liquid crystal display provided with reflective layer, coplanar gate electrode, color filter layer and transparent pixel electrode and manufacture method thereof
USRE40162E1 (en) 1999-06-03 2008-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display
KR100623980B1 (en) * 1999-07-22 2006-09-13 삼성전자주식회사 Thin film transistor array panel for liquid crystal display and manufacturing method of the same
US6787930B1 (en) * 1999-07-29 2004-09-07 Nec Lcd Technologies, Ltd. Alignment marks and manufacturing method for the same
US7008829B2 (en) 1999-07-29 2006-03-07 Nec Lcd Technologies, Ltd. Alignment marks and manufacturing method for the same
US6768535B2 (en) 2000-04-21 2004-07-27 Seiko Epson Corporation Electrooptical device, projection-type display apparatus, and method for manufacturing the electrooptical device
US6768522B2 (en) 2000-04-21 2004-07-27 Seiko Epson Corporation Electrooptical device, prejection-type display apparatus, and method for manufacturing the electrooptical device
US6583830B2 (en) 2000-04-21 2003-06-24 Seiko Epson Corporation Electrooptical device, projection-type display apparatus, and method for manufacturing the electrooptical device
US6987548B2 (en) 2000-05-25 2006-01-17 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
FR2809523A1 (en) * 2000-05-25 2001-11-30 Lg Philips Lcd Co Ltd Display has liquid crystal and method of manufacturing such a display
KR100924751B1 (en) * 2002-12-04 2009-11-05 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Device and Method for fabricating the same
KR100924750B1 (en) * 2002-12-06 2009-11-05 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Device and Method for fabricating the same
US7400366B2 (en) 2002-12-09 2008-07-15 Lg Display Co., Ltd. Array substrate having color filter on thin film transistor structure for LCD device and method of fabricating the same
US7796204B2 (en) 2002-12-09 2010-09-14 Lg Display Co., Ltd. Array substrate having color filter on thin film transistor structure for LCD device and method of fabricating the same
US7517620B2 (en) 2002-12-09 2009-04-14 Lg Display Co., Ltd. Method for fabricating array substrate having color filter on thin film transistor structure for liquid crystal display device
US7567310B2 (en) 2002-12-09 2009-07-28 Lg Display Co., Ltd. Array substrate having color filter on the film transistor structure for LCD device and method of fabricating the same
KR100916603B1 (en) * 2002-12-09 2009-09-14 엘지디스플레이 주식회사 Method for fabricating of a substrate of LCD
US7495728B2 (en) 2003-02-28 2009-02-24 Lg Display Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device having color filter-on-thin film transistor (COT) structure and method of fabricating the same
KR100959366B1 (en) * 2003-07-04 2010-05-24 엘지디스플레이 주식회사 Array Substrate of Liquid Crystal Display Device Having Color Filter on Thin Film Transistor COT Structure and Method for Fabricating the Same
JP2005084230A (en) * 2003-09-05 2005-03-31 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Liquid crystal display and its manufacturing method
WO2016095243A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal panel and manufacturing method therefor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5886761A (en) Process for producing actively addressing substrate, and liquid crystal display
US5910829A (en) Liquid crystal display device
US5668649A (en) Structure of liquid crystal display device for antireflection
US6989876B2 (en) Four color liquid crystal display and panel therefor
US5883682A (en) Structure of a liquid crystal display and method of manufacturing the same
US5339181A (en) Liquid crystal display comprising a storage capacitor including the closed-ended electrode for providing a current bath for circumventing break
US6005647A (en) Shorting bars for a liquid crystal display and method of forming the same
US6784964B2 (en) Liquid crystal display device
US6288414B1 (en) Liquid crystal display and a double layered metal contact
US20030197181A1 (en) Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
US20020171791A1 (en) Liquid crystal display device
US5124823A (en) Active matrix addressed liquid crystal image display and method for fabricating the same
US6900854B1 (en) Thin film transistor array panel for a liquid crystal display
US5936694A (en) Liquid crystal device and process for producing same
US6163356A (en) Liquid crystal display with enhanced gate pad protection and method of manufacturing the same
US5671027A (en) LCD device with TFTs in which pixel electrodes are formed in the same plane as the gate electrodes with anodized oxide films and before the deposition of the silicon gate insulator
US5359206A (en) Thin film transistor substrate, liquid crystal display panel and liquid crystal display equipment
US6118505A (en) Liquid crystal display device having color organic film as the interlayer insulator
US6465806B2 (en) Semiconductor device, display device, and method for producing a semiconductor device
US20050112790A1 (en) Method of manufacturing liquid crystal display
US5210045A (en) Dual dielectric field effect transistors for protected gate structures for improved yield and performance in thin film transistor matrix addressed liquid crystal displays
US6038003A (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
US5194136A (en) Process for making a display panel
US20040227895A1 (en) Liquid crystal display apparatus and method of forming the same
US5142392A (en) Color liquid crystal display having light shielding layers and method of manufacturing thereof