JPS6173373A - Thin-film transistor - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、液晶表示パネルのスイッチング素子として用
いられる半導体能動素子など、光に起因する特性劣化が
問題となる薄膜トランジスタにおいて、光による特性劣
化を防とするための遮光膜を設けた薄膜トランジスタに
関するものである。Detailed Description of the Invention [Industrial Fields of Application] The present invention is directed to a thin film transistor in which characteristic deterioration caused by light is a problem, such as a semiconductor active element used as a switching element in a liquid crystal display panel. This invention relates to a thin film transistor provided with a light shielding film for protection.
［従来の技術］
最近、ＯＡ機器端末や平面テレビ等薄形ディスプレイ開
発の要求が強くなっており、そのひとつとして、行列状
に電極を配置した液晶表示装置において、電極の交差部
分に能動素子を配置し、液晶の駆動を行なうアクティブ
マトリ。[Prior Art] Recently, there has been a strong demand for the development of thin displays such as office automation equipment terminals and flat-panel televisions, and one of these is a liquid crystal display device in which electrodes are arranged in rows and columns, with active elements placed at the intersections of the electrodes. Active matrices are arranged and drive the liquid crystal.
クス方式が、盛ａ研究されている。第２図はアクティブ
マトリックスの代表的な等価回路図である。 （１１）
は液晶層であり、 （１２）は液晶層に印加される電圧
を保持するためのコンデンサーである。但し、コンデン
サー（Ｉ２）は省略されることもある。 （１３）は液
晶層を駆動する電圧を制御するためのスイッチングトラ
ンジスタである。Ｘ、、Ｘ２ 、Ｘ３ 、・・・はスイ
ッチングトランジスタ（１３）のゲートを制御する選択
信号線、Ｙ、、Ｙ２ 、Ｙ３ 、・・・は液晶を駆動す
るのに必要な電圧を印加するためのデータ線であり、線
順次で駆動される。The system has been extensively researched. FIG. 2 is a typical equivalent circuit diagram of an active matrix. (11)
is a liquid crystal layer, and (12) is a capacitor for holding the voltage applied to the liquid crystal layer. However, the capacitor (I2) may be omitted. (13) is a switching transistor for controlling the voltage that drives the liquid crystal layer. X,, X2, X3, . . . are selection signal lines for controlling the gates of the switching transistors (13), Y, , Y2, Y3, . . . are selection signal lines for applying voltages necessary to drive the liquid crystal. These are data lines and are driven line-sequentially.
スイッチングトランジスタの半導体層としては、ポリシ
リコン、ＣｔｉＳｅ 、アモルファスシリコン等が使わ
れるが、安価に大面積の基板の作成が可能なこと、 ３
００℃程度の低温プロセスを採用できること、素子作製
の再現性が良いこと等の点で、アモルファスシリコンが
有利である。Polysilicon, CtiSe, amorphous silicon, etc. are used as the semiconductor layer of the switching transistor, and it is possible to create a large-area substrate at low cost; 3.
Amorphous silicon is advantageous in that it can employ a low-temperature process of about 00° C. and has good reproducibility in device fabrication.
その反面、アモルファスシリコンは光導電性が高く、光
照射下でもちいるとトランジスタのオン／オフ比か低下
し、液ｌ払駆動に応用した際にはコントラストの低下を
招くという欠点を有していた。これを解決する為に、通
常金属層による遮光膜をもちいて、光が直接半導体層に
到達しないようにし、光漏れ電流を防ＩＦ、シている。On the other hand, amorphous silicon has high photoconductivity, and when used under light irradiation, the on/off ratio of the transistor decreases, which leads to a decrease in contrast when applied to liquid dispensing drives. Ta. To solve this problem, a light-shielding film made of a metal layer is usually used to prevent light from directly reaching the semiconductor layer and to prevent light leakage current.
しかし、金属製遮光膜の形成は工程の増加、歩留りの低
下を招き、製造コスト低減の障害となっている。However, forming a metal light-shielding film increases the number of steps and reduces yield, which is an obstacle to reducing manufacturing costs.
一方、スイッチングトランジスタとして用いる薄膜トラ
ンジスタの構造は、半導体層、ゲート電極、ソース電極
、ドレイン電極の位置関係に従って、コプレーナ型構造
、スタガー５ａ造などに分類される。第３図はコプレー
ナ型。On the other hand, the structure of a thin film transistor used as a switching transistor is classified into a coplanar structure, a staggered structure, etc. according to the positional relationship of a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. Figure 3 shows the coplanar type.
第４図はスタガー型の薄膜トランジスタの断面図、第５
図はその平面図をそれぞれ示している。図中で同一の番
号で示した部分は、同一の薄膜トランジスタ構成要素を
示している。（１）は石英、ガラスなどの絶縁性基板で
あり、この上に薄膜トランジスタが形成される。（２）
は半導体層であり、前述のように７モル７アスシリコン
等が用いられる。 （３） 、 （４）−れぞれドレイ
ン電極、ソース電極であり、通常Ａ文等で配線される。Figure 4 is a cross-sectional view of a staggered thin film transistor;
The figures each show a plan view thereof. Portions designated by the same numbers in the figures indicate the same thin film transistor components. (1) is an insulating substrate made of quartz, glass, etc., on which a thin film transistor is formed. (2)
is a semiconductor layer, and as mentioned above, 7 mol 7 as silicon or the like is used. (3) and (4) - are respectively a drain electrode and a source electrode, and are usually wired in an A pattern or the like.
（５）はゲート絶縁膜であり、５ｉＯｚ、Ｓｉ３ Ｎ
４等で形成される。（６）はゲート電極であり、（７）
は透明導電膜から成る表示画素電極である。(5) is a gate insulating film, made of 5iOz, Si3N
It is formed by 4 mag. (6) is the gate electrode, (7)
is a display pixel electrode made of a transparent conductive film.
ゲート電極は、通常ＡｆＬ等の遮光性のある金属で配線
されている。これは、ゲート電極が透明な場合には、第
３図及び第４図において上方から入射する光が、ゲート
電極、絶縁膜を透過して、はとんど減衰することなしに
半導体層に到達することになるためであり、半導体層の
材質としては、光導電性が問題とならないポリシリコン
等に限定されることになり、アモルファスシリコンは使
用できないこととなる。The gate electrode is usually wired with a light-shielding metal such as AfL. This is because when the gate electrode is transparent, the light incident from above in Figures 3 and 4 passes through the gate electrode and the insulating film and reaches the semiconductor layer without attenuation. This is because the material of the semiconductor layer is limited to polysilicon or the like in which photoconductivity is not a problem, and amorphous silicon cannot be used.
し発明の解決しようとする問題点］
ゲート電極が透明又は半導体層に比して小さい場合には
、コプレーナ型構造、スタガー５ａ造の薄膜トランジス
タにおいては、第３図、第４図において上方から入射す
る光が、ゲート電−ｉ、絶縁膜と透過した後、わずかな
減衰で半導体層に到達する。このため、半導体として光
導電性を有するアモルファスシリコン等を用いた場合、
第６図に示すように、ＯＦＦ電流が光照射によって上昇
し、スイッチング素子としての性能の指標となる０Ｎ１
０ＦＦ比が低下してしまい、液晶表示セルにした時の表
示品位が低下するという欠点を有していた。従ってこの
場合には、半導体材質は、光導電性のないポリシリコン
１に限定されるという欠点を有していた。また、この構
造で光導電性を有するアモルファスシリコンを用いて、
なおかつ上述のような光の影響を排除するためには、半
導体層に光が到達しないように、新たに金属製遮光膜等
を設ける必要があり、この場合、金属のデポジットとフ
ォトリソグラフィーによる選択的吐去等の工程増加とな
り、総合的に見ても、かえって工程の増加を招くという
欠点を有していた。[Problems to be Solved by the Invention] When the gate electrode is transparent or smaller than the semiconductor layer, in a thin film transistor having a coplanar structure or a staggered 5a structure, the light is incident from above in FIGS. 3 and 4. After the light passes through the gate electrode and the insulating film, it reaches the semiconductor layer with slight attenuation. For this reason, when amorphous silicon or the like having photoconductivity is used as a semiconductor,
As shown in Figure 6, the OFF current increases due to light irradiation and becomes 0N1, which is an indicator of the performance of the switching element.
This had the disadvantage that the 0FF ratio was lowered, and the display quality when used as a liquid crystal display cell was lowered. Therefore, in this case, the semiconductor material had the disadvantage that it was limited to polysilicon 1, which had no photoconductivity. In addition, with this structure, using amorphous silicon that has photoconductivity,
Furthermore, in order to eliminate the effects of light as mentioned above, it is necessary to provide a new metal light-shielding film, etc. to prevent light from reaching the semiconductor layer. This increases the number of steps such as discharging, which has the drawback of increasing the number of steps overall.
本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであ−
Ｓガラス等の絶縁性基板の上に形成された薄膜トランジ
スタにおいて、半導体層の一部あるいは全部を覆う形で
パターニングされた透明導電Ｈ々の上に、電着液によっ
て形成された遮光膜が設けられていることを特徴とする
薄膜トランジスタである０本発明の目的は、製造工程を
ｎｉ略化して生産性を上げると共に、低い製造コストで
遮光膜を形成して、薄膜トランジスタの光漏れ電流を防
ぐことにある。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems.
In a thin film transistor formed on an insulating substrate such as S glass, a light-shielding film formed with an electrodeposition liquid is provided on the transparent conductive H which is patterned to cover part or all of the semiconductor layer. An object of the present invention is to simplify the manufacturing process to increase productivity, and to form a light shielding film at a low manufacturing cost to prevent light leakage current of the thin film transistor. be.
本発明の薄膜トランジスタは、コプレーナ型、スタガー
型、逆スタガー型、ダブルゲート型等公知の種々の構造
のものが使用できるが。The thin film transistor of the present invention can have various known structures such as a coplanar type, a staggered type, an inverted staggered type, and a double gate type.
ゲート電極が絶縁性基板と反対側に形成される構造のも
のに適している。It is suitable for structures in which the gate electrode is formed on the opposite side of the insulating substrate.
本発明による遮光膜は、電着法により形成されるため、
１ｊｊ膜トランジスタの上部に透明導電膜を表示画素電
極の透明導電膜と同一工程で形成でき、新たな追加の工
程が電着工程１工程で良く、従来の金属膜のデポジット
とフォトリソグラフィーの２工程よりも作業性が良いも
のであり、特にゲート−等轡が上部にある、即ち絶縁性
基板と反対側に形成される構造の場合には。Since the light shielding film according to the present invention is formed by electrodeposition,
The transparent conductive film can be formed on the top of the 1jj film transistor in the same process as the transparent conductive film of the display pixel electrode, and the new additional process requires only one electrodeposition process, instead of the conventional two processes of metal film deposition and photolithography. It is easier to work with than the conventional method, especially in the case of a structure in which the gate is located on the top, that is, formed on the opposite side to the insulating substrate.
ゲート電極を透明導電膜で形成することにより生産工程
が簡略化されて好ましい０本発明は、コプレーナ型、ス
タガー型、ダブルゲート型の薄膜トランジスタに適して
いる。Preferably, the production process is simplified by forming the gate electrode with a transparent conductive film.The present invention is suitable for coplanar, staggered, and double-gate thin film transistors.
又、もちろん半導体層が、ソース電極、ドレイン電極、
ゲート電極で完全に被われていない構造の場合には、さ
らに別途に透明導電膜を形成し、電着して遮光膜を別途
に形成することもできる。Also, of course, the semiconductor layer has a source electrode, a drain electrode,
In the case of a structure that is not completely covered with the gate electrode, a transparent conductive film may be formed separately and a light shielding film may be formed separately by electrodeposition.
以下、本発明をその好ましい態様に従って説明する。Hereinafter, the present invention will be explained according to its preferred embodiments.
以下、第１図を参照しながら説明する。第１図はコプレ
ーナ型構造、第７図はスタガー型構造の′ａ薄膜トラン
ジスタ、本発明を適用した場合の断面図、第８図はその
平面図をそれぞれ示している。各部分に付した番号は、
第３図と対応させである。電着法による遮光膜（８）を
取り付ける前までの製造工程、各部分の材質は、前述し
たような通常のもので麟但し、ゲート電極（６）は１表
示画素電極（７）と同時に、透明導電膜によって形成す
る。This will be explained below with reference to FIG. FIG. 1 shows a thin film transistor having a coplanar structure, FIG. 7 shows a thin film transistor having a staggered structure, a sectional view when the present invention is applied, and FIG. 8 a plan view thereof. The numbers assigned to each part are
This corresponds to Figure 3. The manufacturing process and the materials of each part before attaching the light-shielding film (8) by electrodeposition are the usual ones as described above. It is formed from a transparent conductive film.
続いて、電着法による遮光膜形成工程について述べる。Next, the process of forming a light shielding film by electrodeposition will be described.
まず、ゲート電極、ソース電極を、第９図に示すように
、液晶表示パネルの周辺取り出し部分においてそれぞれ
短絡させ、共通電極Ａ、Ｂとしてまとめる。短絡させる
方法としては、あとで除去可能な導電性ペーストを用い
る方法、ゲート電極（９）、ソース電極（１０）形成時
に短絡させた形でパターニングしておき、電着工程終了
後に短絡部分を切り離す方法等が考えられる。First, as shown in FIG. 9, the gate electrode and the source electrode are short-circuited at the peripheral extraction portion of the liquid crystal display panel, and are combined into common electrodes A and B. The short-circuiting method is to use a conductive paste that can be removed later, or to pattern it in a short-circuited form when forming the gate electrode (9) and source electrode (10), and then cut off the short-circuited part after the electrodeposition process is completed. There are several possible methods.
続いて、第１Ｑ図に示すように、ソース共通電ＪＯＢと
対向電極Ｃを接続し、ＡとＣの間に適当な大きさの電圧
を印加して、電着槽に浸漬して、電着を開始する。電着
液としては、充分な遮光性を有する電着塗料を用いる。Next, as shown in Figure 1Q, the source common electrode JOB and the counter electrode C are connected, an appropriate voltage is applied between A and C, and the electrode is immersed in an electrodeposition tank to perform electrodeposition. Start. As the electrodeposition liquid, an electrodeposition paint having sufficient light-shielding properties is used.
共通電極Ａの側を正電位とする、アニオン型電着とする
。Anionic electrodeposition is used in which the common electrode A side is at a positive potential.
そして、電圧印加を中鎖することにより、電着を終了す
る。Then, the electrodeposition is completed by stopping the voltage application.
この場合ＢとＣを結線してソース電極と対向電極を共通
電位に保つことにより１表示画素電極やソース電極が、
ゲート電圧の影響により、対向電極に対して上昇し、電
着液と直接に接する表示画素電極及びソース電極上に、
電着層が堆積するのを防ぐことができ好ましい。In this case, by connecting B and C and keeping the source electrode and counter electrode at a common potential, one display pixel electrode and source electrode can
Due to the influence of the gate voltage, it rises with respect to the counter electrode, and on the display pixel electrode and source electrode that are in direct contact with the electrodeposition liquid.
This is preferable because it can prevent the electrodeposition layer from accumulating.
ＡとＣの間に印加する電圧、電着する時間は、電着物が
充分な遮光性能を持つ膜厚になるように選べばよい。The voltage applied between A and C and the electrodeposition time may be selected so that the electrodeposited material has a thickness that has sufficient light-shielding performance.
また、ゲート電極上で周辺取り出し部分等、電着層をつ
けたくない部分は、電着液に浸漬されないようにするか
、あらかじめ絶縁テープ等で覆っておけばよい。Furthermore, areas on the gate electrode where it is not desired to have an electrodeposited layer, such as a peripheral area taken out, may be prevented from being immersed in the electrodeposition solution, or may be covered in advance with an insulating tape or the like.
以上の方法により、第１図、第７図、第８図において（
８）で示すように、ゲート電極の土に遮光膜が形成され
る。By the above method, in Figures 1, 7, and 8 (
As shown in 8), a light shielding film is formed on the soil of the gate electrode.
電着終了後、適当な条件で熱処理を行なうことにより、
電着層を硬化させる。この熱処理は、電ｚ層の安定化と
共に、薄膜トランジスタの特性向上のためにも役立つも
のである。After the electrodeposition is completed, heat treatment is performed under appropriate conditions.
Harden the electrodeposition layer. This heat treatment is useful not only for stabilizing the electric z layer but also for improving the characteristics of the thin film transistor.
［実施例コ
次に本発明の方法による遮光膜を持った薄膜トランジス
タ製造の実施例を示す。[Example 2] Next, an example of manufacturing a thin film transistor having a light shielding film by the method of the present invention will be described.
第１図に示すように、ガラス基板（１）の上に、コプレ
ーナ型構造の薄膜トランジスタを作製した。まず、厚さ
２０００Ａのアモルファスシリコンをパターニングし、
その上に厚さ３０００人のドレイン電極（３）、ソース
電極（４）を、Ａ文で配線した。次に厚さ２０００人の
５ｉＯＮ膜（５）をデポジットし、ドレイン電極上にコ
ンタクトホールをあけた。続いてＩＴＯ透明導電膜をデ
ポジットし、ゲート電極（８）、表示画素電極（７）を
、同時にパターニングした。As shown in FIG. 1, a thin film transistor having a coplanar structure was fabricated on a glass substrate (1). First, we patterned amorphous silicon with a thickness of 2000A,
On top of that, a drain electrode (3) and a source electrode (4) with a thickness of 3000 mm were wired in A pattern. Next, a 5iON film (5) with a thickness of 2000 nm was deposited, and a contact hole was made on the drain electrode. Subsequently, an ITO transparent conductive film was deposited, and a gate electrode (8) and a display pixel electrode (7) were patterned at the same time.
次に第９図辷示すように、ゲート電極、ソース電極を、
周辺取り出し部分において、銀ペーストを用いてそれぞ
れ短絡させ、共通電極Ａ。Next, as shown in Figure 9, the gate electrode and source electrode are
At the peripheral extraction part, short-circuit each using silver paste to form a common electrode A.
Ｂとした０次に第１０図に示すように、共通電極Ｂと対
向電極Ｃを結線した。対向電極Ｃは、白金板を用いた。As shown in FIG. 10, the common electrode B and the counter electrode C were connected to each other. A platinum plate was used for the counter electrode C.
電着液としては、神東塗料株式会社製のＳＨＩＮＴＲＯ
Ｍを用い、赤色顔料Ｆ２１０１Ｒと緑色顔料Ｆ２３０１
Ｇを、■＝２の比率で混合したちの上用いた。共通ゲー
ト電極Ａと対向電極Ｃの間に直流電圧３０Ｖを印加して
、電着液に２分間浸漬した。この結果、ゲート電極の上
のみに、厚さ１．５ ミクロンの電着層が形成された。As the electrodeposition liquid, SHINTRO manufactured by Shinto Paint Co., Ltd.
Using M, red pigment F2101R and green pigment F2301
G was used after mixing in a ratio of ■=2. A DC voltage of 30 V was applied between the common gate electrode A and the counter electrode C, and the electrode was immersed in the electrodeposition solution for 2 minutes. As a result, an electrodeposited layer with a thickness of 1.5 microns was formed only on the gate electrode.
以上のようにして作製した、電着法による遮光膜を持つ
薄膜トランジスタの特性を、ＩＴＯ透明導電膜製のゲー
ト電極の上に遮光膜を持たない薄膜トランジスタ、Ａλ
製のゲートを持つ薄膜トランジスタの特性と比較してみ
た。結果を第６図に示す、ＩＴＯ透明導電膜製のゲート
電極の上に遮光膜を持たない薄膜トランジスタの場合、
上方から２０００ルクスの光を照射すると、破線で示す
ように、 ＯＦＦ電流が２桁以上増加した。これに対し
、電着法で遮光膜を取り付けた薄膜トランジスタ、及び
ＡＭ製のゲート電極を薄膜トランジスタでは、同様に光
を照射した場合、ＯＦＦ電流は実線で示したままで、上
昇はみとめられなかった。The characteristics of the thin film transistor fabricated as described above and having a light shielding film formed by electrodeposition are as follows: A thin film transistor having no light shielding film on the gate electrode made of an ITO transparent conductive film;
I compared the characteristics with those of a thin film transistor with a gate manufactured by The results are shown in Figure 6, in the case of a thin film transistor that does not have a light shielding film on the gate electrode made of ITO transparent conductive film.
When irradiated with 2000 lux light from above, the OFF current increased by more than two orders of magnitude, as shown by the broken line. On the other hand, when a thin film transistor with a light shielding film attached by electrodeposition and a thin film transistor with an AM gate electrode were similarly irradiated with light, the OFF current remained as shown by the solid line and no increase was observed.
このように、半Ｑｑ≦として光導電性を有するアモルフ
ァスシリコンを用いたにもかかわらず、電着法によって
形成した遮光膜は、金属製遮光ｎＱと比べて、同等の遮
光性能を持つことが確認された。In this way, it was confirmed that the light-shielding film formed by electrodeposition has the same light-shielding performance as the metal light-shielding nQ, even though amorphous silicon, which has photoconductivity with half Qq≦, was used. It was done.
［発明の効果］
本発明の電着法による遮光ｎ９形成法を用いることによ
り、ゲート電極と表示画素電極を同時に透明導電膜を用
いて形成する構造の薄膜トランジスタにおいて、新たに
フォトリソグラフィー等の工程を追加することなしに、
必要部分のみに選択的に遮光膜を形成することが可能に
なる。これにより、総合的に見て、工程数の少ない薄膜
トランジスタの製造工程を組むことが可能となり、製造
コストの低下並びに製造歩留のβ１上に役立つ。[Effects of the Invention] By using the light-shielding N9 formation method using the electrodeposition method of the present invention, a new process such as photolithography can be newly performed in a thin film transistor having a structure in which a gate electrode and a display pixel electrode are simultaneously formed using a transparent conductive film. without adding
It becomes possible to selectively form a light shielding film only in necessary parts. Overall, this makes it possible to set up a thin film transistor manufacturing process with a small number of steps, which is useful for reducing manufacturing costs and increasing manufacturing yield β1.
以上のように本発明は、遮光膜を従来の方法に比へて少
ない！Ａ造工程で形成する方法を提供するものであり、
アクティブマトリンクスパネルの生産性を向上させ、製
造コストを低減させる効果を生じる優れたものである。As described above, the present invention requires less light-shielding film than conventional methods! It provides a method of forming in the A construction process,
This is an excellent method that improves the productivity of active matrix panels and reduces manufacturing costs.
アクティブマトリックス液晶表示パネルは、従来からパ
ーソナルコンピュータや小５液晶テレビ等に使用されて
いるドットマトリンクス液晶表示パネルに比べて、生産
性か低く製造コストが高いことが欠点とされてきた０本
発明は、アクティブマトリックス液晶表示パネルの生産
性を向上すると共に、製造コストを低減せしめ、その実
用化に大きく貢献するものである。Active matrix liquid crystal display panels have traditionally had the disadvantage of low productivity and high manufacturing costs compared to dot matrix liquid crystal display panels used in personal computers, small-sized LCD televisions, etc. The present invention improves the productivity of active matrix liquid crystal display panels, reduces manufacturing costs, and greatly contributes to their practical application.
なあ、本発明は以上に記述したように、液晶表示パネル
に適しているか、他の表示素子等に応用されてもよく、
今後種々の応用か可能なものである。Incidentally, as described above, the present invention is suitable for liquid crystal display panels, or may be applied to other display elements, etc.
Various applications are possible in the future.
４ 図の簡単な説明
第１図は、本発明をコプレーナ型構造の薄膜トランジス
タに適用した場合の断面図である。4 Brief Description of the Figures Figure 1 is a sectional view of the case where the present invention is applied to a thin film transistor having a coplanar structure.
第２［４は、アクティブマトリンクスの代表的な等価回
路図である。2nd [4] is a typical equivalent circuit diagram of an active matrix.
第３図は、従来のコプレーナ塑成１１タトランシスタの
断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a conventional coplanar plastic 11-tatransistor.
第４図は、従来のスタガー塑成膜護ノジスクの断面図で
ある。FIG. 4 is a sectional view of a conventional staggered plastic film protection nozzle.
第５図は、第４図の平面図である。FIG. 5 is a plan view of FIG. 4.
第６図は、本発明によるトランジスタ特性の効果を示す
図である。FIG. 6 is a diagram showing the effect of transistor characteristics according to the present invention.
第７図は、本発明をスタガー型構造の薄膜トランジスタ
に適用した場合の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view when the present invention is applied to a thin film transistor having a staggered structure.
第８図は、第７図の平面図である。FIG. 8 is a plan view of FIG. 7.
第９図は電着する際の液晶表示パネルの共通電極のとり
方を示す、平面図である。FIG. 9 is a plan view showing how to form a common electrode of a liquid crystal display panel during electrodeposition.
第１０図は１本発明による電着工程を示す斜視図である
。FIG. 10 is a perspective view showing an electrodeposition process according to the present invention.
１・絶縁性基板 ２ 半導体層 ３、トレイン電極 ４、ソース電極 ６、ゲート電極 ８：遮光膜 第１図 第２図 第３図 集 ４ 図 第５図 嶌８図1. Insulating substrate 2 Semiconductor layer 3. Train electrode 4. Source electrode 6. Gate electrode 8: Light shielding film Figure 1 Figure 2 Figure 3 Collection 4 Figure Figure 5 Mount 8
Claims (5)
ンジスタにおいて、半導体層の一部あるいは全部を覆う
形でパターニングされた透明導電膜の上に、電着法によ
って形成された遮光膜が設けられていることを特徴とす
る薄膜トランジスタ。(1) In a thin film transistor formed on an insulating substrate such as glass, a light shielding film formed by electrodeposition is provided on a transparent conductive film patterned to cover part or all of the semiconductor layer. A thin film transistor characterized by:
構造である特許請求の範囲第１項記載の薄膜トランジス
タ。(2) The thin film transistor according to claim 1, wherein the thin film transistor has a structure having a gate electrode on top.
導電膜が、薄膜トランジスタのゲート電極を兼ねている
特許請求の範囲第２項記載の薄膜トランジスタ。(3) The thin film transistor according to claim 2, wherein the transparent conductive film serving as the base of the light shielding film formed by electrodeposition also serves as the gate electrode of the thin film transistor.
された透明導電膜を用いて、単一のパターニングプロセ
スで同時に形成されている特許請求の範囲第３項記載の
薄膜トランジスタ。(4) The thin film transistor according to claim 3, wherein the gate electrode and the display pixel electrode are formed simultaneously in a single patterning process using simultaneously deposited transparent conductive films.
請求の範囲第１項記載の薄膜トランジスタ。(5) The thin film transistor according to claim 1, wherein the semiconductor layer is made of amorphous silicon.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19457384A JPS6173373A (en) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | Thin-film transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19457384A JPS6173373A (en) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | Thin-film transistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6173373A true JPS6173373A (en) | 1986-04-15 |
Family
ID=16326781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19457384A Pending JPS6173373A (en) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | Thin-film transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6173373A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63192017A (en) * | 1987-02-05 | 1988-08-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Production of liquid crystal device |
| JPH0281025A (en) * | 1988-09-19 | 1990-03-22 | Seiko Instr Inc | Multicolor liquid crystal display device and its production |
| KR100580391B1 (en) * | 1998-09-03 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | Polycrystalline silicon thin film transistor and thin film transistor substrate for liquid crystal display including the same and manufacturing method thereof |
-
1984
- 1984-09-19 JP JP19457384A patent/JPS6173373A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63192017A (en) * | 1987-02-05 | 1988-08-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Production of liquid crystal device |
| JPH0281025A (en) * | 1988-09-19 | 1990-03-22 | Seiko Instr Inc | Multicolor liquid crystal display device and its production |
| KR100580391B1 (en) * | 1998-09-03 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | Polycrystalline silicon thin film transistor and thin film transistor substrate for liquid crystal display including the same and manufacturing method thereof |
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