JPH0771371B2 - 三相絶縁スペーサ - Google Patents
三相絶縁スペーサInfo
- Publication number
- JPH0771371B2 JPH0771371B2 JP1189649A JP18964989A JPH0771371B2 JP H0771371 B2 JPH0771371 B2 JP H0771371B2 JP 1189649 A JP1189649 A JP 1189649A JP 18964989 A JP18964989 A JP 18964989A JP H0771371 B2 JPH0771371 B2 JP H0771371B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- conductor
- container
- insulating spacer
- embedded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
- H02G5/00—Installations of bus-bars
- H02G5/06—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings
- H02G5/066—Devices for maintaining distance between conductor and enclosure
- H02G5/068—Devices for maintaining distance between conductor and enclosure being part of the junction between two enclosures
Landscapes
- Installation Of Bus-Bars (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、ガス絶縁開閉装置に使用される三相絶縁ス
ペースに関するものである。
ペースに関するものである。
［従来の技術］ 第２図（ａ）は例えば特開昭61−227622号公報に示され
た従来の三相絶縁スペーサを示す縦断面図、第２図
（ｂ）はその横断面図である。図において、第１相の埋
込導体（３）、第２相の埋込導体（４）及び第３相の埋
込導体（５）を円盤状の絶縁板（2b）に埋込んで成る三
相絶縁スペーサ（２）はその周辺部を容器（１）に固定
されている。各相の埋込導体（3,4,5）の両端にはそれ
ぞれ導体（6a,6b）、導体（7a,7b）及び導体（8a,8b）
が連結されている。第２図（ｂ）において、容器（１）
及び三相絶縁スペーサ（２）の互いに直交する鉛直方向
の中心線（9a）及び水平方向の中心線（9b）の交点、す
なわち容器（１）の軸心及び三相絶縁スペーサ（２）の
中心、をＯとすると、各埋込導体（3,4,5）は中心線（9
a）または（9b）上にあって交点Ｏを中心とする直径ｄ
の円周（10）上に第２の埋込導体（４）を下にして配置
されている。各埋込導体（3,4,5）は対地間の絶縁距離
Ａ及び各相間の絶縁距離を考慮してその適正位置が決定
される。本構造においては、円周（10）の直径ｄは容器
（１）の直径の約0.55倍が適正であることが一般に知ら
れている。
た従来の三相絶縁スペーサを示す縦断面図、第２図
（ｂ）はその横断面図である。図において、第１相の埋
込導体（３）、第２相の埋込導体（４）及び第３相の埋
込導体（５）を円盤状の絶縁板（2b）に埋込んで成る三
相絶縁スペーサ（２）はその周辺部を容器（１）に固定
されている。各相の埋込導体（3,4,5）の両端にはそれ
ぞれ導体（6a,6b）、導体（7a,7b）及び導体（8a,8b）
が連結されている。第２図（ｂ）において、容器（１）
及び三相絶縁スペーサ（２）の互いに直交する鉛直方向
の中心線（9a）及び水平方向の中心線（9b）の交点、す
なわち容器（１）の軸心及び三相絶縁スペーサ（２）の
中心、をＯとすると、各埋込導体（3,4,5）は中心線（9
a）または（9b）上にあって交点Ｏを中心とする直径ｄ
の円周（10）上に第２の埋込導体（４）を下にして配置
されている。各埋込導体（3,4,5）は対地間の絶縁距離
Ａ及び各相間の絶縁距離を考慮してその適正位置が決定
される。本構造においては、円周（10）の直径ｄは容器
（１）の直径の約0.55倍が適正であることが一般に知ら
れている。
上記のような構成においては、対地間の絶縁距離Ａは各
相すべて同一であり、各相間の絶縁距離は、第１相の埋
込導体（３）と第３相の埋込導体（５）との間のみ長く
なるが、第１相の埋込導体（３）と第２相の埋込導体
（４）との間及び第２相の埋込導体（４）と第３相の埋
込導体（５）との間は共に距離Ｂを保っていて、全体的
にバランスのとれた構成となっている。なお、第２図
（ｂ）に示すように、円周（10）の半径をｒ（＝d/2）
とすると、距離Ｂは、 の関係にある。
相すべて同一であり、各相間の絶縁距離は、第１相の埋
込導体（３）と第３相の埋込導体（５）との間のみ長く
なるが、第１相の埋込導体（３）と第２相の埋込導体
（４）との間及び第２相の埋込導体（４）と第３相の埋
込導体（５）との間は共に距離Ｂを保っていて、全体的
にバランスのとれた構成となっている。なお、第２図
（ｂ）に示すように、円周（10）の半径をｒ（＝d/2）
とすると、距離Ｂは、 の関係にある。
［発明が解決しようとする課題］ 上記のような従来の三相絶縁スペーサ（２）では、容器
（１）の内部に金属粉等が混入した場合に絶縁性能が低
下することが各種試験により周知となっている。特に上
記の構造では、金属粉等が滞留しやすい容器（１）の底
部に近い位置にある第２相の埋込導体（４）と容器
（１）との間の絶縁性能が、他相の埋込導体（3,5）と
容器（１）との間の絶縁性能と比較して低下しやすい。
従って、第２相の埋込導体（４）と容器（１）との間の
絶縁性能の低下を考慮して、共通の絶縁距離Ａを大きめ
にとって容器（１）内に封入されるガス中の電界強度を
充分低い値に抑える必要があった。そのため、容器
（１）の直径は大きくなるという問題点があり、また、
それに伴って製品全体のコストも高くなるという問題点
があった。
（１）の内部に金属粉等が混入した場合に絶縁性能が低
下することが各種試験により周知となっている。特に上
記の構造では、金属粉等が滞留しやすい容器（１）の底
部に近い位置にある第２相の埋込導体（４）と容器
（１）との間の絶縁性能が、他相の埋込導体（3,5）と
容器（１）との間の絶縁性能と比較して低下しやすい。
従って、第２相の埋込導体（４）と容器（１）との間の
絶縁性能の低下を考慮して、共通の絶縁距離Ａを大きめ
にとって容器（１）内に封入されるガス中の電界強度を
充分低い値に抑える必要があった。そのため、容器
（１）の直径は大きくなるという問題点があり、また、
それに伴って製品全体のコストも高くなるという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、容器（１）を大形化することなく、金属粉等
の混入に対してもなお充分な絶縁性能を保ち得る三相絶
縁スペーサを提供することを目的とする。
たもので、容器（１）を大形化することなく、金属粉等
の混入に対してもなお充分な絶縁性能を保ち得る三相絶
縁スペーサを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明に係る三相絶縁スペーサは、容器に周辺部を支
持された円盤状の絶縁板に三相一組からなる３個の導体
を埋込んで形成された三相絶縁スペーサであって、上記
３個の導体は、軸心の位置が上記絶縁板の中心から所定
の半径ｒの円周より所定距離だけ内側に配置された第１
の導体と、上記半径ｒの円周と上記第１の導体の軸心を
中心とする半径 の円周との２つの交点の位置にそれぞれ軸心が配置され
た第２の導体及び第３の導体とを有して成るものであ
る。
持された円盤状の絶縁板に三相一組からなる３個の導体
を埋込んで形成された三相絶縁スペーサであって、上記
３個の導体は、軸心の位置が上記絶縁板の中心から所定
の半径ｒの円周より所定距離だけ内側に配置された第１
の導体と、上記半径ｒの円周と上記第１の導体の軸心を
中心とする半径 の円周との２つの交点の位置にそれぞれ軸心が配置され
た第２の導体及び第３の導体とを有して成るものであ
る。
［作用］ この発明においては、所定の半径の円周上にある導体が
容器との間に所定の絶縁距離を保ち、所定の半径の円周
より内側にある導体が容器との間に所定の絶縁距離より
長い距離を形成する。
容器との間に所定の絶縁距離を保ち、所定の半径の円周
より内側にある導体が容器との間に所定の絶縁距離より
長い距離を形成する。
［実施例］ 第１図（ａ）はこの発明の一実施例を示す縦断面図、第
１図（ｂ）はその横断面図である。図において、第１相
の埋込導体（３）、第２相の埋込導体（４）及び第３相
の埋込導体（５）を円盤状の絶縁板（2c）に埋込んで成
る三相絶縁スペーサ（2A）はその周辺部を容器（１）に
固定されている。各相の埋込導体（3,4,5）の両端には
それぞれ導体（6a,6b）、導体（7a,7b）及び導体（8a,8
b）が連結されている。容器（１）及び三相絶縁スペー
サ（2A）の直径は従来例と同じである。
１図（ｂ）はその横断面図である。図において、第１相
の埋込導体（３）、第２相の埋込導体（４）及び第３相
の埋込導体（５）を円盤状の絶縁板（2c）に埋込んで成
る三相絶縁スペーサ（2A）はその周辺部を容器（１）に
固定されている。各相の埋込導体（3,4,5）の両端には
それぞれ導体（6a,6b）、導体（7a,7b）及び導体（8a,8
b）が連結されている。容器（１）及び三相絶縁スペー
サ（2A）の直径は従来例と同じである。
第１図（ｂ）において、容器（１）及び三相絶縁スペー
サ（2A）の互いに直交する鉛直方向の中心線（9a）及び
水平方向の中心線（9b）の交点、すなわち容器（１）の
軸心及び三相絶縁スペーサ（2A）の中心、をＯとする
と、第２相の埋込導体（４）は交点Ｏを中心とする直径
ｄの円周（10）と中心線（9a）との交点Ｐから鉛直方向
に距離Ｃだけ離れた位置P2に設けられている。第１相の
埋込導体（３）及び第３相の埋込導体（５）は、P2を中
心とした半径Ｂの円と、軸心Ｏを中心とする直径ｄの円
との交点（P1及びP3）にそれぞれ設けられている。ｄ及
びＢの値は従来例と同一であるので、第１相の埋込導体
（３）と第２相の埋込導体（４）との絶縁距離並びに第
２相の埋込導体（４）と第３相の埋込導体（５）との絶
縁距離は従来と変らない。第１相の埋込導体（３）と第
３相の埋込導体（５）との絶縁距離は従来例より若干短
くなる程度に維持されるように、Ｃの値が制限される。
各相の埋込導体（3,4,5）と容器（１）との絶縁距離
（対地絶縁距離）は、第１相及び第３相の埋込導体（3,
5）については従来例と同様にＡであるが、第２相の埋
込導体（４）についてはＡ＋Ｃとなり、従来のものより
長くなる。従って、金属粉等が第２相の埋込導体（４）
及びそこに連結された導体（7a,7b）の下に滞留して
も、なお十分な絶縁性能を有する。
サ（2A）の互いに直交する鉛直方向の中心線（9a）及び
水平方向の中心線（9b）の交点、すなわち容器（１）の
軸心及び三相絶縁スペーサ（2A）の中心、をＯとする
と、第２相の埋込導体（４）は交点Ｏを中心とする直径
ｄの円周（10）と中心線（9a）との交点Ｐから鉛直方向
に距離Ｃだけ離れた位置P2に設けられている。第１相の
埋込導体（３）及び第３相の埋込導体（５）は、P2を中
心とした半径Ｂの円と、軸心Ｏを中心とする直径ｄの円
との交点（P1及びP3）にそれぞれ設けられている。ｄ及
びＢの値は従来例と同一であるので、第１相の埋込導体
（３）と第２相の埋込導体（４）との絶縁距離並びに第
２相の埋込導体（４）と第３相の埋込導体（５）との絶
縁距離は従来と変らない。第１相の埋込導体（３）と第
３相の埋込導体（５）との絶縁距離は従来例より若干短
くなる程度に維持されるように、Ｃの値が制限される。
各相の埋込導体（3,4,5）と容器（１）との絶縁距離
（対地絶縁距離）は、第１相及び第３相の埋込導体（3,
5）については従来例と同様にＡであるが、第２相の埋
込導体（４）についてはＡ＋Ｃとなり、従来のものより
長くなる。従って、金属粉等が第２相の埋込導体（４）
及びそこに連結された導体（7a,7b）の下に滞留して
も、なお十分な絶縁性能を有する。
なお、上記実施例においては第２相の埋込導体（４）に
ついて容器（１）との絶縁距離を他相より大きくとる構
成としたが、本発明はこの構成に限られるものではない
ことは言うまでもない。すなわち、より大きな絶縁距離
を必要とする相の埋込導体（3,4又は５）について同様
に構成すればよい。
ついて容器（１）との絶縁距離を他相より大きくとる構
成としたが、本発明はこの構成に限られるものではない
ことは言うまでもない。すなわち、より大きな絶縁距離
を必要とする相の埋込導体（3,4又は５）について同様
に構成すればよい。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、第１の導体は、その
軸心の位置が上記絶縁板の中心から所定の半径ｒの円周
より所定距離だけ内側に配置し、かつ、第２の導体及び
第３の導体は、それらの軸心が、上記半径ｒの円周と上
記第１の導体の軸心を中心とする半径 の円周との２つの交点の位置にそれぞれ来るように配置
したことにより、容器を大形化することなく第１の導体
と容器との絶縁距離を第２、第３の導体と容器との絶縁
距離より大きくしたので、金属粉等の滞留があってもな
お充分な絶縁性能を保持することができるという効果が
ある。
軸心の位置が上記絶縁板の中心から所定の半径ｒの円周
より所定距離だけ内側に配置し、かつ、第２の導体及び
第３の導体は、それらの軸心が、上記半径ｒの円周と上
記第１の導体の軸心を中心とする半径 の円周との２つの交点の位置にそれぞれ来るように配置
したことにより、容器を大形化することなく第１の導体
と容器との絶縁距離を第２、第３の導体と容器との絶縁
距離より大きくしたので、金属粉等の滞留があってもな
お充分な絶縁性能を保持することができるという効果が
ある。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例を示す縦断面図、第
１図（ｂ）はその横断面図、第２図（ａ）は従来の三相
絶縁スペーサを示す縦断面図、第２図（ｂ）はその横断
面図である。 図において、（１）は容器、（2A）は三相絶縁スペー
サ、（2c）は絶縁板、（３）は第１相の埋込導体、
（４）は第２相の埋込導体、（５）は第３相の埋込導体
である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
１図（ｂ）はその横断面図、第２図（ａ）は従来の三相
絶縁スペーサを示す縦断面図、第２図（ｂ）はその横断
面図である。 図において、（１）は容器、（2A）は三相絶縁スペー
サ、（2c）は絶縁板、（３）は第１相の埋込導体、
（４）は第２相の埋込導体、（５）は第３相の埋込導体
である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】容器に周辺部を支持された円盤状の絶縁板
に三相一組からなる３個の導体を埋込んで形成された三
相絶縁スペーサにおいて、上記３個の導体は、 軸心の位置が上記絶縁板の中心から所定の半径ｒの円周
より所定距離だけ内側に配置された第１の導体と、 上記半径ｒの円周と上記第１の導体の軸心を中心とする
半径 の円周との２つの交点の位置にそれぞれ軸心が配置され
た第２の導体及び第３の導体と、 を有して成ることを特徴とする三相絶縁スペーサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189649A JPH0771371B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 三相絶縁スペーサ |
| CN90104745A CN1034305C (zh) | 1989-07-21 | 1990-07-14 | 三相绝缘衬垫 |
| EP19900113886 EP0409250B1 (en) | 1989-07-21 | 1990-07-19 | Three-phase insulating spacer |
| DE1990620655 DE69020655T2 (de) | 1989-07-21 | 1990-07-19 | Dreiphasiger isolierter Abstandshalter. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189649A JPH0771371B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 三相絶縁スペーサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0356015A JPH0356015A (ja) | 1991-03-11 |
| JPH0771371B2 true JPH0771371B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=16244852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1189649A Expired - Lifetime JPH0771371B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 三相絶縁スペーサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0409250B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0771371B2 (ja) |
| CN (1) | CN1034305C (ja) |
| DE (1) | DE69020655T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19515308C1 (de) * | 1995-04-21 | 1996-05-02 | Siemens Ag | Hochspannungs-Rohrgasleiter |
| JP2007108410A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Kyocera Mita Corp | 画像形成装置の定着装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2211987A1 (de) * | 1972-03-09 | 1973-09-13 | Siemens Ag | Gekapseltes hochspannungsgeraet |
| US4352949A (en) * | 1979-08-29 | 1982-10-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Transmission line including support means with barriers |
| JPS6325856Y2 (ja) * | 1980-09-24 | 1988-07-14 | ||
| JPS61227622A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-09 | 三菱電機株式会社 | ガス絶縁開閉装置用三相絶縁スペ−サ |
-
1989
- 1989-07-21 JP JP1189649A patent/JPH0771371B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-14 CN CN90104745A patent/CN1034305C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-19 DE DE1990620655 patent/DE69020655T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-19 EP EP19900113886 patent/EP0409250B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69020655D1 (de) | 1995-08-10 |
| EP0409250A1 (en) | 1991-01-23 |
| DE69020655T2 (de) | 1996-01-04 |
| CN1034305C (zh) | 1997-03-19 |
| CN1048954A (zh) | 1991-01-30 |
| JPH0356015A (ja) | 1991-03-11 |
| EP0409250B1 (en) | 1995-07-05 |
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