JPH0771362A - イオンスラスタ及びその構造の製造方法 - Google Patents
イオンスラスタ及びその構造の製造方法Info
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- JPH0771362A JPH0771362A JP6186151A JP18615194A JPH0771362A JP H0771362 A JPH0771362 A JP H0771362A JP 6186151 A JP6186151 A JP 6186151A JP 18615194 A JP18615194 A JP 18615194A JP H0771362 A JPH0771362 A JP H0771362A
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F03—MACHINES OR ENGINES FOR LIQUIDS; WIND, SPRING, OR WEIGHT MOTORS; PRODUCING MECHANICAL POWER OR A REACTIVE PROPULSIVE THRUST, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F03H—PRODUCING A REACTIVE PROPULSIVE THRUST, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- F03H1/0006—Details applicable to different types of plasma thrusters
- F03H1/0031—Thermal management, heating or cooling parts of the thruster
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B64—AIRCRAFT; AVIATION; COSMONAUTICS
- B64G—COSMONAUTICS; VEHICLES OR EQUIPMENT THEREFOR
- B64G1/00—Cosmonautic vehicles
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Abstract
(57)【要約】
【目的】熱衝撃に対する耐力を増大させ、イオンスラス
タのセラミック材料における熱の消散を改善するための
装置及び方法を提供すること。 【構成】高い熱伝導性を有する金属製材料の被覆(21)が
放電チャンバ(3) のセラミック被覆(5) の外側と結合す
る。
タのセラミック材料における熱の消散を改善するための
装置及び方法を提供すること。 【構成】高い熱伝導性を有する金属製材料の被覆(21)が
放電チャンバ(3) のセラミック被覆(5) の外側と結合す
る。
Description
【０００１】本発明は、宇宙空間推進用のイオンエンジ
ン内の放電によって発生された熱がイオン化チャンバの
セラミック壁を通して外部環境へ消散する容量を増大で
きる新しい方法及び新しい装置に関する。概して、本発
明は、外側支持構造体、セラミック材料製のイオン化チ
ャンバ、前記イオン化チャンバにガスを供給する手段、
及びガスをイオン化する手段を備えた形式のイオンスラ
スタに関する。排他的ではないが、より特別には、本発
明は、セラミック塗装された加速チャネルを有し、「ク
ローズ・エレクトロン・ドリフト ( Closed Electron
Drift )」状態における放電の発生を基礎とした「ステ
イショナリ・プラズマ・スラスタ (Stationary Plasma
Thrusters :SPT )」として商業的に知られているスラス
タに関する。この形式のスラスタをより詳細に説明する
ための文献として、１９９１年１０月１４日〜１７日に
ビアレジオ(Viareggio)で開催されたＡＩＤＡＡ／ＡＩ
ＡＡ／ＤＧＬＲ／ＪＳＡＳＳ，２２ｎｄ Ｉｎｔ．Ｅｌ
ｅｃｔ．Ｐｒｏｐ．Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，ＩＥＰＣ−
９１−０７９におけるＡ．Ｉ．ブグロバア( A.I.Bugrov
a )他の「物理的製造方法及びクローズ・エレクトロン
・ドリフトを備えたステイショナリ・プラズマ・スラス
タの特徴」がある。
ン内の放電によって発生された熱がイオン化チャンバの
セラミック壁を通して外部環境へ消散する容量を増大で
きる新しい方法及び新しい装置に関する。概して、本発
明は、外側支持構造体、セラミック材料製のイオン化チ
ャンバ、前記イオン化チャンバにガスを供給する手段、
及びガスをイオン化する手段を備えた形式のイオンスラ
スタに関する。排他的ではないが、より特別には、本発
明は、セラミック塗装された加速チャネルを有し、「ク
ローズ・エレクトロン・ドリフト ( Closed Electron
Drift )」状態における放電の発生を基礎とした「ステ
イショナリ・プラズマ・スラスタ (Stationary Plasma
Thrusters :SPT )」として商業的に知られているスラス
タに関する。この形式のスラスタをより詳細に説明する
ための文献として、１９９１年１０月１４日〜１７日に
ビアレジオ(Viareggio)で開催されたＡＩＤＡＡ／ＡＩ
ＡＡ／ＤＧＬＲ／ＪＳＡＳＳ，２２ｎｄ Ｉｎｔ．Ｅｌ
ｅｃｔ．Ｐｒｏｐ．Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，ＩＥＰＣ−
９１−０７９におけるＡ．Ｉ．ブグロバア( A.I.Bugrov
a )他の「物理的製造方法及びクローズ・エレクトロン
・ドリフトを備えたステイショナリ・プラズマ・スラス
タの特徴」がある。
【０００２】プラズマエンジン又はスラスタにおいて
は、推進ガス内での放電によってプラズマを発生させる
ために使用される能力の一部が放電室の壁に消失される
ことが公知である。さらにまた、放電中に形成されるプ
ラズマからチャンバーの壁へ伝達された熱は、装置の他
の壁への直線的な伝導( linear conduction ) 及び／又
は外部への放射によって消散される。概して、放電チャ
ンバの壁は局部的な過熱領域が存在することを避けるた
めに高い熱伝導性を有する必要がある。そのような領域
の存在は、局部的であろうが広範囲であろうが、過熱に
より短期間の間に放電チャンバの表面に変形、腐食及び
破損を発生させて装置の寿命を制限しするので、壁に大
きなダメージを与える。
は、推進ガス内での放電によってプラズマを発生させる
ために使用される能力の一部が放電室の壁に消失される
ことが公知である。さらにまた、放電中に形成されるプ
ラズマからチャンバーの壁へ伝達された熱は、装置の他
の壁への直線的な伝導( linear conduction ) 及び／又
は外部への放射によって消散される。概して、放電チャ
ンバの壁は局部的な過熱領域が存在することを避けるた
めに高い熱伝導性を有する必要がある。そのような領域
の存在は、局部的であろうが広範囲であろうが、過熱に
より短期間の間に放電チャンバの表面に変形、腐食及び
破損を発生させて装置の寿命を制限しするので、壁に大
きなダメージを与える。
【０００３】この問題は、特にイオン化又は放電チャン
バの壁が熱伝導性が低く熱衝撃に対する耐力の低いセラ
ミック材料で作られている時に顕著に現れる。良好な熱
伝導性を有する特別な種類のセラミックを使用すること
によって、この問題を克服する試みが現在考えられてい
る。しかし、これらのセラミックは作用とコストに関し
て不利な点がある。
バの壁が熱伝導性が低く熱衝撃に対する耐力の低いセラ
ミック材料で作られている時に顕著に現れる。良好な熱
伝導性を有する特別な種類のセラミックを使用すること
によって、この問題を克服する試みが現在考えられてい
る。しかし、これらのセラミックは作用とコストに関し
て不利な点がある。
【０００４】従って、本発明の目的はより効果的な解決
法を提供して、ＳＰＴ又は同類のスラスタにおける放電
チャンバのセラミック壁に伝達する熱の消散の問題を解
決することにある。より特別には、本発明の目的は、セ
ラミック壁によって画定され、熱衝撃に対する高い耐力
と放電によって生ずる熱のよりよい消散性とを有する放
電チャンバを備えたＳＰＴ又は他の形式のスラスタを提
供することにある。
法を提供して、ＳＰＴ又は同類のスラスタにおける放電
チャンバのセラミック壁に伝達する熱の消散の問題を解
決することにある。より特別には、本発明の目的は、セ
ラミック壁によって画定され、熱衝撃に対する高い耐力
と放電によって生ずる熱のよりよい消散性とを有する放
電チャンバを備えたＳＰＴ又は他の形式のスラスタを提
供することにある。
【０００５】この技術分野における熟練者によって以下
の本文から明瞭に理解されるであろうこれら及び他の目
的と利点とは、消散を促進し、熱衝撃に対する耐力を増
大させ、イオン化チャンバを形成するセラミック材料
（例えばＡｌ2 Ｏ3 ）に接触する高い熱伝導性を有する
適当な材料の層を必須に設けることで冒頭で説明した形
式のスラスタに関して得られる。高い熱伝導性を有する
この層によって、セラミック材料と高い伝導性の層との
間の熱接触に起因して、一方では、装置の外部構造体に
向かってセラミック壁上に発生する熱を消散すること
が、他方では、放電に接触するチャンバの全表面に亘る
セラミック材料の温度を均一化することが可能になる。
この目的のために、有利にはセラミック材料の全表面を
被覆する被膜の形態で高い熱伝導性を有する層が形成さ
れる。
の本文から明瞭に理解されるであろうこれら及び他の目
的と利点とは、消散を促進し、熱衝撃に対する耐力を増
大させ、イオン化チャンバを形成するセラミック材料
（例えばＡｌ2 Ｏ3 ）に接触する高い熱伝導性を有する
適当な材料の層を必須に設けることで冒頭で説明した形
式のスラスタに関して得られる。高い熱伝導性を有する
この層によって、セラミック材料と高い伝導性の層との
間の熱接触に起因して、一方では、装置の外部構造体に
向かってセラミック壁上に発生する熱を消散すること
が、他方では、放電に接触するチャンバの全表面に亘る
セラミック材料の温度を均一化することが可能になる。
この目的のために、有利にはセラミック材料の全表面を
被覆する被膜の形態で高い熱伝導性を有する層が形成さ
れる。
【０００６】イオン化チャンバ内のプラズマ発生現象に
おけるマイナス効果を防止するために、高い熱伝導性を
有する材料が、放電と接触せずかつチャンバを画定する
表面と対向したセラミック材料の表面に有利に適用され
得る。概して、イオン化チャンバは円筒状の外壁によっ
て画定される。この場合、高い熱伝導性を有する材料
は、イオン化チャンバを画定する壁の全円筒状外面の被
覆を形成するために配設され得る。一般的には、ＳＰＴ
形式のイオンスラスタは、セラミック材料で形成された
２つの同心上の円筒状壁によって画定される環状の外形
を有するイオン化チャンバを備えている。この場合、高
い熱伝導性を有する材料の層は、前記両方の壁のプラズ
マと接触しない表面上に配設され得る。有利には、高い
熱伝導性を有する材料は金属製材料であり得、かつ特別
には異なった種類の金属層を連続的に塗布することによ
って形成される積層材料から成り得る。さらに有利に
は、本発明に関する装置の特徴は、添付した特許請求の
範囲の中で示されている。
おけるマイナス効果を防止するために、高い熱伝導性を
有する材料が、放電と接触せずかつチャンバを画定する
表面と対向したセラミック材料の表面に有利に適用され
得る。概して、イオン化チャンバは円筒状の外壁によっ
て画定される。この場合、高い熱伝導性を有する材料
は、イオン化チャンバを画定する壁の全円筒状外面の被
覆を形成するために配設され得る。一般的には、ＳＰＴ
形式のイオンスラスタは、セラミック材料で形成された
２つの同心上の円筒状壁によって画定される環状の外形
を有するイオン化チャンバを備えている。この場合、高
い熱伝導性を有する材料の層は、前記両方の壁のプラズ
マと接触しない表面上に配設され得る。有利には、高い
熱伝導性を有する材料は金属製材料であり得、かつ特別
には異なった種類の金属層を連続的に塗布することによ
って形成される積層材料から成り得る。さらに有利に
は、本発明に関する装置の特徴は、添付した特許請求の
範囲の中で示されている。
【０００７】また、本発明は、セラミック材料で作られ
たイオン化チャンバを有するイオンスラスタの構造の製
造方法において、チャンバの外面を被覆するために適当
に設けられる高い熱伝導性を有する材料の層をイオン化
チャンバのセラミック材料に接触させて設けるようにし
たことを特徴とするイオンスラスタの構造の製造方法に
も関する。
たイオン化チャンバを有するイオンスラスタの構造の製
造方法において、チャンバの外面を被覆するために適当
に設けられる高い熱伝導性を有する材料の層をイオン化
チャンバのセラミック材料に接触させて設けるようにし
たことを特徴とするイオンスラスタの構造の製造方法に
も関する。
【０００８】
【実施例】本発明は、以下の説明と本発明の排他的でな
い実施例を示した添付図面とにからより明瞭に理解され
る。図１はＳＰＴスラスタの非常に簡略化した略図を示
しており、このスラスタは金属製外側構造体１を備え、
前記構造体１はその内部に環状のイオン化チャンバ３が
形成されている。イオン化チャンバ３は、図中５で示さ
れたセラミック材料製のブロックで画定され、ブロック
５は各々外壁及び内壁を形成する２つの同心上の円筒状
壁７及び９を備えている。一つ又はそれ以上のコイル１
１を有するユニットがイオン化チャンバ３の周りに配設
され、かつ第２コイル１３が円筒状内壁９の内部に配設
されている。図中１５はそれ自体は公知の形式のガス分
配器を示しており、このガス分配器１５はイオン化チャ
ンバ３の中に開口している。イオン化チャンバ３内で発
生されるイオン放電はセラミック製の壁７及び９を加熱
し過ぎる傾向にある。この加熱はスラスタのノズル１７
の周囲に集中され得る。セラミック製のブロック５の温
度を均一にすることによってこの現象を制限するため
に、 例えば、局部的な過熱を避けるために、そしてま
た、金属製外側構造体への熱の消散及びセラミック製ブ
ロック５の内部で発生する熱の外部への消散を促進する
ために、イオン化チャンバ３の円筒状外壁７は金属製材
料の層で覆われる。より詳細には、円筒状外壁７の外面
１９が金属皮膜２１を有すると同時に円筒状内壁９の内
面２３が金属製皮膜２５を有している。
い実施例を示した添付図面とにからより明瞭に理解され
る。図１はＳＰＴスラスタの非常に簡略化した略図を示
しており、このスラスタは金属製外側構造体１を備え、
前記構造体１はその内部に環状のイオン化チャンバ３が
形成されている。イオン化チャンバ３は、図中５で示さ
れたセラミック材料製のブロックで画定され、ブロック
５は各々外壁及び内壁を形成する２つの同心上の円筒状
壁７及び９を備えている。一つ又はそれ以上のコイル１
１を有するユニットがイオン化チャンバ３の周りに配設
され、かつ第２コイル１３が円筒状内壁９の内部に配設
されている。図中１５はそれ自体は公知の形式のガス分
配器を示しており、このガス分配器１５はイオン化チャ
ンバ３の中に開口している。イオン化チャンバ３内で発
生されるイオン放電はセラミック製の壁７及び９を加熱
し過ぎる傾向にある。この加熱はスラスタのノズル１７
の周囲に集中され得る。セラミック製のブロック５の温
度を均一にすることによってこの現象を制限するため
に、 例えば、局部的な過熱を避けるために、そしてま
た、金属製外側構造体への熱の消散及びセラミック製ブ
ロック５の内部で発生する熱の外部への消散を促進する
ために、イオン化チャンバ３の円筒状外壁７は金属製材
料の層で覆われる。より詳細には、円筒状外壁７の外面
１９が金属皮膜２１を有すると同時に円筒状内壁９の内
面２３が金属製皮膜２５を有している。
【０００９】金属製皮膜は他の部門における応用で公知
のタイプの技術によって形成される。（H.knoll − Mat
erials and Process of Electron Devices − Springer
verlag−1959 ) 図２及び図３は金属製皮膜を適用した２つの異なった形
式の壁７の超拡大断面図を示している。図２はセラミッ
ク材料上に堆積することによる三重金属層の応用を示し
ている。この三重金属層はモリマンガニーズ(Moly-mang
anese)の内層３１から成り、内層３１は、セラミック材
料に直接接触し、かつニッケル層３３、銅層３５及び図
中３７で示されるＣｕ−ＣｕＮｉの外層が続いている。
これら種々の層はＡｇＣｕ合金によって互いに溶接され
る。図３は図中３９で示されるケミカルニッケル(chemi
cal nickel)の内層及び図中４１で示される電解銅の外
層とを有する金属製層が壁７のセラミック材料に適用さ
れた実施例を示している。図２に示された金属製皮膜が
真空気密性である一方図３に示された金属製皮膜は非真
空気密性である。その選択は、その時々に応じた特殊な
要求に従って行われ得る。
のタイプの技術によって形成される。（H.knoll − Mat
erials and Process of Electron Devices − Springer
verlag−1959 ) 図２及び図３は金属製皮膜を適用した２つの異なった形
式の壁７の超拡大断面図を示している。図２はセラミッ
ク材料上に堆積することによる三重金属層の応用を示し
ている。この三重金属層はモリマンガニーズ(Moly-mang
anese)の内層３１から成り、内層３１は、セラミック材
料に直接接触し、かつニッケル層３３、銅層３５及び図
中３７で示されるＣｕ−ＣｕＮｉの外層が続いている。
これら種々の層はＡｇＣｕ合金によって互いに溶接され
る。図３は図中３９で示されるケミカルニッケル(chemi
cal nickel)の内層及び図中４１で示される電解銅の外
層とを有する金属製層が壁７のセラミック材料に適用さ
れた実施例を示している。図２に示された金属製皮膜が
真空気密性である一方図３に示された金属製皮膜は非真
空気密性である。その選択は、その時々に応じた特殊な
要求に従って行われ得る。
【００１０】図４は異なった構造を持つイオンスラスタ
に対する本発明の適用を示している。図中３は円筒状セ
ラミック壁５によって画定されたイオン化チャンバを再
度示している。符号１５はガス供給手段を再度示し、か
つ符号２１は高い熱伝導性を有する材料の外側皮膜を示
している。符号５１は陰極を示し、かつ符号５３は陽極
を示しており、それらの間ではプラズマを発生する放電
が開始される。図４においては、外側構造体要素を省略
すると同時に、符号５５でイオン抽出グリッドを示して
いる。添付図面は発明の実用的な説明として単に与えら
れる実施例を示しているだけであること、かつ本発明が
発明の概念を導く範囲から逸脱することなくその形状及
び配列を変更し得ることは理解されるべきである。特許
請求の範囲に用いられた参照番号は、詳細な説明及び図
面と関連する特許請求の範囲の理解を容易にすることを
目的としており、特許請求の範囲が表す保護範囲を制限
するものではない。
に対する本発明の適用を示している。図中３は円筒状セ
ラミック壁５によって画定されたイオン化チャンバを再
度示している。符号１５はガス供給手段を再度示し、か
つ符号２１は高い熱伝導性を有する材料の外側皮膜を示
している。符号５１は陰極を示し、かつ符号５３は陽極
を示しており、それらの間ではプラズマを発生する放電
が開始される。図４においては、外側構造体要素を省略
すると同時に、符号５５でイオン抽出グリッドを示して
いる。添付図面は発明の実用的な説明として単に与えら
れる実施例を示しているだけであること、かつ本発明が
発明の概念を導く範囲から逸脱することなくその形状及
び配列を変更し得ることは理解されるべきである。特許
請求の範囲に用いられた参照番号は、詳細な説明及び図
面と関連する特許請求の範囲の理解を容易にすることを
目的としており、特許請求の範囲が表す保護範囲を制限
するものではない。
【図１】 本発明に関するＳＰＴ形式のイオンスラスタ
の概略縦断面図である。
の概略縦断面図である。
【図２】 図１のIIの部分を縮尺を関係なく拡大した図
である。
である。
【図３】 図２のIIの部分を縮尺を関係なく拡大した図
２とは異なる実施例の図である。
２とは異なる実施例の図である。
【図４】 異なった形式のイオンスラスタに本発明を適
用した実施例を示している。
用した実施例を示している。
１ 金属製外側構造体 ３ イオン化チャンバ ５ ブロック（セラミック材料製） ７ 外壁 ９ 内壁 １１ コイル（イオン化チャンバの周り） １３ 第２コイル（内壁の内部） １５ ガス分配器 １７ ノズル １９ 外面（外壁の） ２１ 金属製被膜 ２３ 内面（内壁の） ２５ 金属製被膜 ３１ 内層 ３３ ニッケル層 ３５ 銅層 ３７ Ｃｕ−ＣｕＮｉ製外層 ３９ ケミカルニッケル製内層 ４１ 電解銅製外層 ５１ 陰極 ５３ 陽極 ５５ イオン抽出グリット
Claims (13)
- 【請求項１】 外側支持構造体(1) 、セラミック材料で
作られたイオン化チャンバ(3) 、前記イオン化チャンバ
(3) にガスを供給する手段(15)及びガスをイオン化する
手段(11,13)を備えたイオンスラスタにおいて、高い熱
伝導性を有する材料(21,25) の層をイオン化チャンバ
(3) を形成するセラミック材料に接触させて配置し、熱
の消散を促進するようにしたことを特徴とするイオンス
ラスタ。 - 【請求項２】 前記高い熱伝導性を有する金属製層(21,
25) をイオン化チャンバ(3) を形成するセラミック材料
の外面(19,23)に適用したことを特徴とする請求項１に
記載のイオンスラスタ。 - 【請求項３】 前記イオン化チャンバをセラミック材料
で作られた円筒状外壁(7) で画定し、前記高い熱伝導性
を有する材料で前記壁(7) の外面(19)を被覆したことを
特徴とする請求項２に記載のイオンスラスタ。 - 【請求項４】 前記イオン化チャンバ(3) がセラミック
材料で作られた２つの同心上の円筒状壁(7,9) によって
画定された環状の形態を成し、かつ前記高い伝導性を有
する材料(21,25) でイオン化チャンバ(3) に対する外側
の両方の円筒状壁の表面(19,23) を被覆したことを特徴
とする請求項２に記載のイオンスラスタ。 - 【請求項５】 前記高い熱伝導性を有する材料が金属製
材料から成ることを特徴とする請求項１〜請求項４のい
ずれか一項に記載のイオンスラスタ。 - 【請求項６】 前記金属製材料の層が積層材料から成る
ことを特徴とする請求項５に記載のイオンスラスタ。 - 【請求項７】 前記積層材料がセラミック材料と接触す
るケミカルニッケルからなる第１層(39)と電解銅からな
る第２外層(41)から成ることを特徴とする請求項６に記
載のイオンスラスタ。 - 【請求項８】 前記積層材料がセラミック材料と接触す
るモリマンガンから成る第１層(31)、ニッケルから成る
第２層(33)、銅から成る第３層(35)及びＣｕ−ＣｕＮｉ
の層から成る第４外層(37)から成ることを特徴とする請
求項６に記載のイオンスラスタ。 - 【請求項９】 第１の３層(31,33,35)がＡｇＣｕ合金に
よって互いに溶接されることを特徴とする請求項８に記
載のイオンスラスタ。 - 【請求項１０】 セラミック材料で作られたイオン化チ
ャンバを備えたイオンスラスタの構造の製造方法におい
て、高い熱伝導性を有する材料の層をイオン化チャンバ
のセラミック材料に接触させて配置したことを特徴とす
る製造方法。 - 【請求項１１】 前記高い熱伝導性を有する材料を被覆
を形成するためにイオン化チャンバの外面に適用したこ
とを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。 - 【請求項１２】 高い熱伝導性を有する材料が金属製材
料であることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に
記載の製造方法。 - 【請求項１３】 前記金属製材料が積層材料であること
を特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ITFI930159A IT1262495B (it) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | Rivestimento conduttivo termico per ceramiche dei motori ionici |
| IT93A000159 | 1993-10-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0771362A true JPH0771362A (ja) | 1995-03-14 |
Family
ID=11350588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6186151A Pending JPH0771362A (ja) | 1993-08-06 | 1994-08-08 | イオンスラスタ及びその構造の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0637689A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0771362A (ja) |
| IT (1) | IT1262495B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017516021A (ja) * | 2014-05-21 | 2017-06-15 | サフラン エアークラフト エンジンズ | 宇宙機のためのエンジンと、上記エンジンを備える宇宙機 |
Families Citing this family (4)
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| US5892329A (en) * | 1997-05-23 | 1999-04-06 | International Space Technology, Inc. | Plasma accelerator with closed electron drift and conductive inserts |
| US6075321A (en) * | 1998-06-30 | 2000-06-13 | Busek, Co., Inc. | Hall field plasma accelerator with an inner and outer anode |
| CN103945633B (zh) * | 2014-05-12 | 2016-05-18 | 重庆大学 | 一种双柱面电子直线加速器有效焦点尺寸调节装置及方法 |
| DE102016204438A1 (de) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | Airbus Ds Gmbh | Entladungskammer für ein Ionentriebwerk |
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|---|---|---|---|---|
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1993
- 1993-08-06 IT ITFI930159A patent/IT1262495B/it active IP Right Grant
-
1994
- 1994-07-25 EP EP94830374A patent/EP0637689A3/en not_active Withdrawn
- 1994-08-08 JP JP6186151A patent/JPH0771362A/ja active Pending
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2017516021A (ja) * | 2014-05-21 | 2017-06-15 | サフラン エアークラフト エンジンズ | 宇宙機のためのエンジンと、上記エンジンを備える宇宙機 |
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|---|---|
| EP0637689A2 (en) | 1995-02-08 |
| ITFI930159A1 (it) | 1995-02-06 |
| EP0637689A3 (en) | 1995-11-02 |
| IT1262495B (it) | 1996-06-28 |
| ITFI930159A0 (it) | 1993-08-06 |
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