JPH0769728A - カーボン基板の製造方法 - Google Patents

カーボン基板の製造方法

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JPH0769728A
JPH0769728A JP5242039A JP24203993A JPH0769728A JP H0769728 A JPH0769728 A JP H0769728A JP 5242039 A JP5242039 A JP 5242039A JP 24203993 A JP24203993 A JP 24203993A JP H0769728 A JPH0769728 A JP H0769728A
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JP
Japan
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carbon
end plate
substrate
carbon substrate
weight
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JP5242039A
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English (en)
Inventor
悟 ▲高▼田
Satoru Takada
Hideki Yamamuro
秀樹 山室
Kazuo Muramatsu
一生 村松
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Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 カーボン基板の反りを防止し、高密度記録磁
気ディスク用のカーボン基板として利用することができ
ると共に、基板欠陥が防止されたカーボン基板の製造方
法を提供する。 【構成】 黒鉛製治具1に設けた孔2内にカーボン製エ
ンドプレート4を載置した後、炭化焼成後の複数枚の樹
脂成形体3を積層し、更にその上にカーボン製エンドプ
レート5を載置し、更にその最上部にタンタルカーバイ
ド製重し6を黒鉛製容器7内に密閉して載置する。この
状態で、熱間静水圧加圧処理を行う。エンドプレート
4,5は熱伝導度が20kcal/m・Hr・℃以下で
ある。また、樹脂成形体3と接触する黒鉛製治具1及び
カーボン製エンドプレート4,5は、灰分が100pp
m以下、Feが10ppm以下、Tiが5ppm以下、
Vが5ppm以下である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク、磁気ヘッ
ド、光学レンズ鋳型、光学用反射板及び感光ドラム等の
基板として使用するのに好適のカーボン基板を熱間静水
圧加圧処理により製造するカーボン基板の製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術及びその問題点】炭化焼成後の樹脂成形体
は、各樹脂成形体の間にスペーサを配置して積層し、こ
の状態で熱間静水圧加圧処理(HIP処理)することに
より高密度化する。このHIP処理により、樹脂成形体
は5%程度収縮し、材料密度は1.55〜1.8程度ま
で上昇する。
【0003】しかしながら、このHIP処理中の収縮に
より、HIP処理工程で材料が変形し、得られるカーボ
ン基板に大きな反りが発生しやすい。この反りは研磨に
よりある程度除去できるものの、近年の高密度記録用磁
気ディスクにおいては極めて平坦な表面が要求されるた
め、実用化が困難である。
【0004】また、HIP処理時に使用する治具に金属
系の不純物が存在すると、炭化焼成中にこれらの不純物
元素が樹脂成形体中に拡散し、基板欠陥の原因となる。
【0005】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、カーボン基板の反りを防止し、高密度記録
磁気ディスク用のカーボン基板として利用することがで
きると共に、基板欠陥が防止されたカーボン基板の製造
方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係るカーボン基
板の製造方法は、黒鉛製治具に設けた孔内に炭化焼成後
の樹脂成形体を積層し、更にその上にカーボン製エンド
プレートを載置し、更にその最上部にタンタルカーバイ
ド製重しを載置した状態で、熱間静水圧加圧処理を行う
ことを特徴とする。
【0007】
【作用】本発明においては、例えば複数の孔を有する黒
鉛製治具を使用し、この孔の中に炭化焼成後の樹脂成形
体を10乃至200枚積層して充填することにより、樹
脂成形体の積層体を黒鉛製治具内に収納する。この際
に、10〜200枚の樹脂成形体を挟むようにして1対
のアモルファスカーボン製のエンドプレートを配置す
る。更に、エンドプレートの上に、タンタルカーバイド
製の重しを載置して樹脂成形体に加重を印加する。そし
て、この状態で、熱間静水圧加圧処理を行う。このよう
に、重しの加重をかけた状態で、炭化焼成後の樹脂成形
体を熱間静水圧加圧(HIP)処理するから、HIP処
理時にカーボン基板に反りが発生することが防止され
る。また、HIP装置のヒータによる加熱の影響が、黒
鉛製治具により緩和されるので、この点からもカーボン
基板のHIP処理時の反りの発生が抑制される。
【0008】エンドプレートの熱伝導度は20kcal
/m・Hr・℃以下とすることが好ましい。エンドプレ
ートの熱伝導度が20kcal/m・Hr・℃より大き
いと、エンドプレートと接している樹脂成形体の表面の
温度が上昇するため、得られるカーボン基板の平坦度が
悪化してしまう。
【0009】前述のごとく、樹脂成形体の積層体の最上
部の上には、エンドプレートの上にタンタルカーバイド
(TaC)製の重しを置き、樹脂成形体に荷重をかけた
状態でHIP処理を行う。この場合に、TaCがエンド
プレートと長時間接触していると、拡散接合により接着
されてしまう。そこで、この重しとエンドプレートとの
接着を防止するために、タンタルカーバイド製重しは、
上蓋を有する黒鉛製の容器等の黒鉛製容器内に密閉した
状態で使用することが好ましい。
【0010】黒鉛製筒体及びカーボン製のエンドプレー
トは樹脂成形体と接触している。このため、黒鉛製筒体
及びカーボン製エンドプレートに金属系の不純物が存在
すると、HIP処理中に、これらの金属元素が樹脂成形
体中に拡散し、基板欠陥の原因となる。そこで、黒鉛製
筒体及びカーボン製エンドプレートは、灰分(Ash)
が100ppm以下、Feが10ppm以下、Tiが5
ppm以下、Vが5ppm以下になるように高純度化す
ることが好ましい。これにより、基板欠陥の発生を著し
く減少することができる。
【0011】
【実施例】以下、添付の図面を参照して本発明の実施例
について説明する。図1は本発明の実施例方法で使用す
る黒鉛製治具の上面図である。この黒鉛製治具1は全体
として円柱状をなし、その軸方向に平行に複数個の有底
円柱状の孔2が多数(図示例は21個)設けられてい
る。図2はこれらの孔2の一例を示す断面図である。そ
して、この孔2内に、その最低部にカーボン製エンドプ
レート4を載置し、このエンドプレート4上に、例えば
10乃至200枚の樹脂成形体3を積層する。そして、
樹脂成形体3の積層体の上にエンドプレート5を載置
し、更にこのエンドプレート5上に、タンタルカーバイ
ド製の重し6を載置する。この重し6は蓋を有する黒鉛
製容器7内に格納され、前記蓋を密閉することにより、
容器7内に密封されている。
【0012】このように黒鉛製治具1の内部に、炭化焼
成後の樹脂成形体3の積層体を収納し、重し6による加
重を印加しつつ、熱間静水圧加圧処理を行う。これによ
り、得られるカーボン基板の反りを防止することができ
る。また、重し6は黒鉛製容器7内に密閉されているの
で、HIP処理時にタンタルカーバイド製の重し6がカ
ーボン製エンドプレート5と拡散接合してしまうことが
防止される。また、カーボン製エンドプレート4、5
と、黒鉛製治具1は、灰分(Ash)が100ppm以
下、Feが10ppm以下、Tiが5ppm以下、Vが
5ppm以下になるように高純度化されたものである。
これにより、不純物がカーボン基板中に拡散して基板欠
陥が発生することが防止される。
【0013】次に、本発明の実施例方法により、実際に
カーボン基板を作成し、その特性を比較例と比較した結
果について説明する。実施例1 先ず、フェノールホルムアルデヒド樹脂をホットプレス
成形し、外径が85mm、内径が15mm、板厚が1.
3mmの樹脂成形体を作製した。この樹脂成形体を外径
が108mm、内径が88mm、高さが630mmのカ
ーボン製筒体の中にカーボン製のスペーサと交互に積層
した。最上部にはタングステンカーバイト製の重しを置
き、一定の荷重をかけた。カーボンスペーサは平坦度が
5μmのものを使用した。この平坦度はスペーサの表面
の最上位位置と最下位位置との間の高低差である。次い
で、熱処理炉内でN2ガスを流しながら、1400℃の
温度まで加熱して熱処理し、カーボン基板を炭化焼成し
た。
【0014】その後、焼成後のカーボン基板を、図1に
示すように、21個の孔2(径73mm)が設けられた
黒鉛製治具1の孔2内に充填した。この黒鉛製治具1
は、例えば外径が430mm、高さが950mmであ
る。なお、各孔2には、炭化焼成後のカーボン基板を、
基板100枚に1枚の割合で厚さが20mmのエンドプ
レートを配置した状態で積層した。各積層体の最上部に
は、カーボン容器の中に密封された状態のタンタルカー
バイト製の重しをのせ、所定の荷重をかけた。この状態
で2500℃、2000気圧のHIP処理を行い、カー
ボン基板材料中の気孔を除去した。
【0015】HIP処理後のカーボン基板を両面研磨機
にて研磨し、外径・内径・端面の機械加工を行い、外径
65mm、内径20mm、板厚0.889mm、表面粗
さRa8Åのカーボン基板を作製した。
【0016】カーボン製治具の有無、エンドプレートの
種類、タンタルカーバイト製重しの有無について、本発
明の範囲に入る実施例、範囲から外れる比較例を用意
し、各カーボン基板の平坦度不良率を比較した。その結
果を下記表1に示す。
【0017】なお、エンドプレートの種類は、下記表2
に示すように、厚さ及び熱伝導度の違いによるものであ
る。
【0018】また、平坦度不良率とは最終製品(カーボ
ン基板)で平坦度が10μm以上であった基板の発生率
である。この平坦度は、基板の最上位位置と最下位位置
との間の高低差を、光学式の測定装置により測定するこ
とにより求めた。
【0019】
【表1】
【0020】
【表2】
【0021】この表1から明らかなように、カーボン治
具を使用せずにHIP処理を行った場合(比較例1)
は、HIPのヒータの直接加熱の影響を受け、カーボン
基板の平坦度は著しく悪化する。
【0022】また、エンドプレートの熱伝導度が大きい
と(比較例2)、カーボン基板よりもエンドプレートの
温度がかなり高くなるため、基板間の温度差が大きくな
り、反りが大きくなる。
【0023】更に、タンタルカーバイドの重しの効果も
大きく、重しを使用しない場合(比較例3)に比して、
本発明の実施例1の場合は平坦度が改善されている。
【0024】実施例1は、エンドプレートの熱伝導率を
最適化し、また、重しの効果によりエンドプレートの使
用毎数を減らすことができ、生産性を著しく向上させる
ことができた。
【0025】比較例4,5は基板1枚毎に厚さが3mm
のエンドプレートを使用している。実施例1では比較例
4,5に比して同程度の平坦度不良率を保ち、生産性は
約4倍である。
【0026】実施例2 HIP処理中に使用するカーボン製治具及びエンドプレ
ートとして、Ashが100ppm以下、Feが10p
pm以下、Tiが5ppm以下、Vが5ppm以下に高
純度化したものを使用し、実施例1と同様にしてカーボ
ン基板を作製した。
【0027】そして、このカーボン基板の表面に存在す
る欠陥をレーザー式欠陥分析装置(QCオプティクス社
製 DI−7000)を使用して検査した。
【0028】比較例として高純度化をしていないカーボ
ン製治具及びエンドプレートを用意し、その得られたカ
ーボン基板の一面当たりの欠陥数を比較した。その結果
を下記表3に示した。また、下記表4には、カーボン製
治具及びエンドプレートの純度(ppm)を示した。い
ずれも、Dが本発明の範囲内、Eが本発明から外れるも
のである。
【0029】
【表3】
【0030】
【表4】
【0031】この表3から明らかなように、カーボン製
治具及びプレートの純度が悪いと、HIP処理中に不純
物元素がカーボン基板中に拡散する。ほとんどの金属元
素、特にFe、Ti、Vは、黒鉛化触媒として作用する
ため、部分的に黒鉛を発生し、これが基板欠陥となる。
代表的な黒鉛欠陥を示す金属顕微鏡写真を図3に示す。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、樹脂成
形体を収納する孔を設けた黒鉛製治具を使用し、カーボ
ン製エンドプレートにより樹脂成形体を挟み、タンタル
カーバイド(TaC)製重しにより加重を印加した状態
で熱間静水圧加圧処理するから、HIP処理時のカーボ
ン基板の反りを防止することができる。これにより、研
磨時間が短縮されるので、生産性を著しく向上すること
ができる。
【0033】また、請求項4に記載のように、黒鉛製治
具及びエンドプレートを高純度化することにより、HI
P処理時の材料への金属不純物の拡散が防止され、基板
欠陥の発生を著しく低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例にて使用する黒鉛製治具を示す
平面図である。
【図2】同じくその縦断面図である。
【図3】基板欠陥(黒鉛欠陥)を示す金属顕微鏡写真で
ある。
【符号の説明】
1;黒鉛製治具 2;孔 3;樹脂成形体 4,5;エンドプレート 6;タンタルカーバイド製重し 7;黒鉛容器

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 黒鉛製治具に設けた孔内に炭化焼成後の
    樹脂成形体を積層し、更にその上にカーボン製エンドプ
    レートを載置し、更にその最上部にタンタルカーバイド
    製重しを載置した状態で、熱間静水圧加圧処理を行うこ
    とを特徴とするカーボン基板の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記エンドプレートは熱伝導度が20k
    cal/m・Hr・℃以下であることを特徴とする請求
    項1に記載のカーボン基板の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記タンタルカーバイド製重しは黒鉛製
    の容器内に密閉した状態で重しとして使用することを特
    徴とする請求項1に記載のカーボン基板の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記黒鉛製治具及びカーボン製エンドプ
    レートは、灰分が100ppm以下、Feが10ppm
    以下、Tiが5ppm以下、Vが5ppm以下であるこ
    とを特徴とする請求項1に記載のカーボン基板の製造方
    法。
JP5242039A 1993-08-30 1993-09-02 カーボン基板の製造方法 Pending JPH0769728A (ja)

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JP5242039A JPH0769728A (ja) 1993-09-02 1993-09-02 カーボン基板の製造方法
GB9417407A GB2281557B (en) 1993-08-30 1994-08-30 Method of manufacturing carbon substrate
MYPI94002276A MY131767A (en) 1993-08-30 1994-08-30 Method of manufacturing carbon substrate
US08/297,811 US5580500A (en) 1993-08-30 1994-08-30 Method of manufacturing carbon substrate
DE4430570A DE4430570C2 (de) 1993-08-30 1994-08-30 Verfahren zum Herstellen eines Kohlenstoffsubstrates

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1307617C (zh) * 2003-03-04 2007-03-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 磁存储介质及其制备方法
JP2018148163A (ja) * 2017-03-09 2018-09-20 日本特殊陶業株式会社 半導体製造装置用部品の製造方法

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