JPH0767043A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

Info

Publication number
JPH0767043A
JPH0767043A JP5207525A JP20752593A JPH0767043A JP H0767043 A JPH0767043 A JP H0767043A JP 5207525 A JP5207525 A JP 5207525A JP 20752593 A JP20752593 A JP 20752593A JP H0767043 A JPH0767043 A JP H0767043A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
count value
incident
reset
solid
light receiving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5207525A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3029363B2 (ja
Inventor
Tadashi Sugiki
忠 杉木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP5207525A priority Critical patent/JP3029363B2/ja
Publication of JPH0767043A publication Critical patent/JPH0767043A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3029363B2 publication Critical patent/JP3029363B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/772Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
    • H04N25/773Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters comprising photon counting circuits, e.g. single photon detection [SPD] or single photon avalanche diodes [SPAD]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】実際の設計上のビット数がすくなくてもそれ以
上の解析能力を持ち、無理な高速処理を行う必要が無
く、かつビット変換手段も不要とする。 【構成】フォトトランジスタ104は、リセットトラン
ジスタ102がオフの期間は入射フォントに反応して光
電変換出力を得るが、増幅器105は、リセットトラン
ジスタ102による毎に、入射フォントが有ったか否か
に応じた検出出力パルスを得て、計数値保持手段106
に供給する。これにより計数値保持手段106は、リセ
ットパルスの間に入射フォントの入射個数では無く入射
フォントが有ったか否かの情報をである検出パルスを所
定の期間計数し、読取り手段200は、前記所定の期間
毎に計数値を光電変換出力デジタル信号として読み出す
ことになる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像装置に関
し、光電変換された信号を直ちにデジタル変換し、すべ
ての画素から得る光情報をデジタル信号として取り出せ
るようにしたものである。
【0002】
【従来の技術】光電変換された信号を直ちにデジタル変
換し、すべての画素から得られる光情報をデジタル信号
として取り出す固体撮像装置として、特開昭61−15
2176号公報に記載された技術がある。この技術で
は、到来するフォトン(光子)の数をデジタル的に計数
して、その計数値を直接、光電変換された(入射光量に
応じた)デジタル信号として利用するというものであ
る。
【0003】この技術では、入射したフォトンのほとん
どすべてを計数し、高ダイナミックレンジ、高S/Nの
信号を得ようとするものである。しかしながら、入射フ
ォトン数が最大計数値を越えた場合には、図Aに示すよ
うに入射光量に対する出力値の単調増加性が失われると
いう問題がある。これを避けるために計数保持手段の最
大計数値は、十分な余裕をもつ必要がある。例えば、1
画素の大きさが10μm×10μmで100lux の最大
入射光量とすると23ビットが必要である。また計数値
保持手段の最大動作周波数は、23ビットの計数値を得
るためには、 1023×(フレーム周波数)=1023×30=240M
Hz が最低必要であり、高速動作の計数値保持手段が必要で
ある。また画素表示装置の代表的な存在である表示用ブ
ラウン管(CRT)では、表現できるコントラスト比
は、20:1が限度であると言われており、8ビットの
情報量があれば十分とされていて、23ビットの信号を
8ビットの信号へマッピングする変換手段も必要とな
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、デジ
タル信号を直接得る従来の固体撮像装置においては、入
射フォトン数が計数値保持手段の最大計数値を越えた場
合に問題がある(入射光量に対する出力値の単調増加性
が失われる)。これを回避するためにビット数の大きい
計数値保持手段を用いると高速動作のものが必要なる。
また、1画素当たりの最大入射光量に対する計数値が2
3ビットになると、8ビット表現のディスプレイに供給
するには、ビット変換手段が必要となる。
【0005】そこでこの発明は、実際の設計上のビット
数がすくなくてもそれ以上の解析能力を持ち、無理な高
速処理を行う必要が無く、かつビット変換手段も不要な
固体撮像装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明は、光電変換機
能を有する受光素子と、前記受光素子を繰り返しリセッ
トするリセット手段と、前記受光素子をリセットするリ
セットパルスの間に入射フォントの入射個数では無く入
射フォントが有ったか否かの情報を検出する検出手段
と、前記検出手段の検出パルスを所定の期間計数する計
数値保持手段と、前記計数値保持手段の計数値を前記所
定の期間毎に読み出す読み出し手段とを備える。
【0007】
【作用】上記の手段によると、入射フォント数を計数す
るのではなく、入射フォントが有ったか否かを計数する
ようにしているために、ビット数がすくなくてもダイナ
ミックレンジを拡大できる。
【0008】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。図1(A)はこの発明の一実施例であり、1画
素に対応する周辺回路の構成を示している。102はリ
セットトランジスタであり、そのドレインにはリセット
電源電圧Vrが与えられ、ゲート103にはリセットパ
ルスが与えられ、ソースには、フォトダイオード(受光
素子)104のカソードが接続されている。このフォト
ダイオード104のアノードは接地ラインに接続され
る。フォトダイオード104のカソードは、検出手段を
構成する増幅器105を介して計数値保持手段106の
クロック入力端子に接続されている。計数値保持手段1
06の初期設定端子107には初期設定パルスが与えら
れる。
【0009】リセットトランジスタ102がオフのとき
に、フォトトランジスタ104にフォトンが入射する
と、光電変換作用によりフォトダイオード104のカソ
ード電位が低下する。次に、ゲート103に与えられる
リセットパルスによりリセットトランジスタ102がオ
ンすると、フォトダイオード104のカソード電位がリ
セット電位Vrに上昇する。このリセット電位への上昇
変化は、増幅器105により増幅され、計数値保持手段
106に供給される。
【0010】計数保値持手段106は、増幅器105か
ら得られるパルスを計数した値を以下のように保持す
る。図1(B)は上記の回路の動作例を示している。リ
セットトランジスタ102には、端子103から任意の
周期でリセットパルス(B1)が与えられる。これに対
して入射フォントが(B2)のように入力したとする。
すると、リセットパルスの周期で区分していくと、(B
3)に示すように、入射フォントの有無情報が得られ
る。有無情報は、リセットパルスの1周期に入射フォト
ンが何個存在するかというのではなく、有ったか否かの
情報である。入射フォトンが無かった区間は、リセット
トランジスタ102がオンされても増幅器105からパ
ルスが得られない。よって計数値保持手段106の計数
値は、フォントンが1個以上有った場合は+1(計数値
に1を加える)、無かった場合は、+0(計数値はその
まま)というように、リセットパルスの周期で増加また
は維持される。
【0011】リセットパルスが一定数入力すると(例え
ば1/60sec 、1/120sec 等)、その累積値が保
持されて、読み出し手段200により読み出される。こ
のとき読み出した値が、入射光量に応じた1画素分のデ
ジタル信号である。その後は、計数値保持手段106は
初期設定端子107からパルスが与えられ初期値に設定
される。
【0012】フォトンは、ランダムに入射するものであ
るから、ある期間内に入射するフォトンの数は、ポアソ
ン分布にしたがっている。単位時間当たりの平均入射フ
ォトン数をLとすると、時間tの間にn個のフォトンが
入射する確率は、 exp(−L・t)×(L・t)n÷n! であるから、フォトンが入射しない確率は、exp(−
L・t)であり、1個以上のフォトンが入射する確率
は、1−exp(−L・t)となる。つまり、平均1−
exp(−L・t)の計数値増加となる。ここで、受光
素子のリセット間隔が一定でt0として、計数値の読み
出し周期をm・t0とすると、対数値出力は、m(1−
exp(−L・t))の期待値をもつことになる。この
計数値出力の期待値と入射光量の関係が、光電変換特性
を与えることになる。
【0013】図2は、上記光電変換特性を示している。
この特性図からわかるように、計数値=mが漸近線とな
り、どんなに入射光量が増加しても単調増加性を保持で
きる範囲が大きい。
【0014】これにより、計数値保持手段106のビッ
ト数を大きくすることなく、そのビット数以上のダイナ
ミックレンジを得ることができる。この発明は上記の実
施例に限定されるものではない。
【0015】図3(A)に示すように、リセットパルス
の間隔は、常に一定の周期でなくても良い。この場合の
光電変換特性は、リセットパルス間の時間がtiであ
り、その回数がmi回であるとすると、
【0016】
【数1】
【0017】
【表1】 としたときの光電変換特性は、図3(B)のようにな
り、ほぼγ=0.45の光電変換特性とすることができ
る。
【0018】また、リセットパルスの間隔は、図4に示
すように同一時間のものが集合せずにランダムに並んだ
ものでも非線形特性には影響ない。上記受光素子として
は、アバランシェダイオードで形成されてもよいし、ま
た、マイクロチャンネルプレート(MCP)による電子
増倍手段を用いたものであってもよい。
【0019】上記したように、フォトン計数型の撮像装
置において、受光素子をリセットするときの電位変化を
計数することにより、光電変換特性に高照度になるにつ
れて微分利得が低下する非線形型特性を持たせることが
でき、高ダイナミックレンジの装置を実現するものであ
る。
【0020】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
実際の設計上のビット数がすくなくてもそれ以上の解析
能力を持ち、無理な高速処理を行う必要が無く、かつビ
ット変換手段も不要となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例とその動作を説明するため
の図。
【図2】図1の装置の光電変換特性の例を示す図。
【図3】図1の装置の動作タイミングの他の例とそのと
きの光電変換特性を示す図。
【図4】この発明の装置のさらに他の動作タイミングを
示す図。
【符号の説明】
102…リセットトランジスタ、104…フォトトラン
ジスタ、105…増幅器、106…計数値保持手段、2
00…読み出し手段。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光電変換機能を有する受光素子と、 前記受光素子を繰り返しリセットするリセット手段と、 前記受光素子をリセットするリセットパルスの間に入射
    フォントの入射個数では無く入射フォントが有ったか否
    かの情報を検出する検出手段と、 前記検出手段の検出パルスを所定の期間計数する計数値
    保持手段と、 前記計数値保持手段の計数値を前記所定の期間毎に読み
    出す読み出し手段とを具備したことを特徴とする固体撮
    像装置。
  2. 【請求項2】 上記受光素子は、複数個が1次元配列さ
    れ、それぞれの受光素子に前記リセット手段、検出手
    段、読み出し手段が対応して設けられていることを特徴
    とする固体撮像装置。
  3. 【請求項3】 上記受光素子は、複数個が2次元配列さ
    れ、それぞれの受光素子に前記リセット手段、検出手
    段、読み出し手段が対応して設けられていることを特徴
    とする固体撮像装置。
  4. 【請求項4】 前記受光素子は、アバランシェダイオー
    ドであることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装
    置。
  5. 【請求項5】 前記受光素子は、マイクロチャンネルプ
    レートによる電子増倍手段を用いていることを特徴とす
    る請求項1記載の固体撮像装置。
JP5207525A 1993-08-23 1993-08-23 固体撮像装置 Expired - Fee Related JP3029363B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5207525A JP3029363B2 (ja) 1993-08-23 1993-08-23 固体撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5207525A JP3029363B2 (ja) 1993-08-23 1993-08-23 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0767043A true JPH0767043A (ja) 1995-03-10
JP3029363B2 JP3029363B2 (ja) 2000-04-04

Family

ID=16541166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5207525A Expired - Fee Related JP3029363B2 (ja) 1993-08-23 1993-08-23 固体撮像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3029363B2 (ja)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2302905A1 (en) 2009-08-28 2011-03-30 Sony Corporation Imaging device and camera system
KR20110036500A (ko) * 2009-10-01 2011-04-07 소니 주식회사 촬상 소자 및 카메라 시스템
EP2330625A2 (en) 2009-12-03 2011-06-08 Sony Corporation Imaging element and camera system
EP2437484A2 (en) 2010-10-01 2012-04-04 Sony Corporation Imaging device and camera system
WO2013058213A1 (ja) 2011-10-20 2013-04-25 ソニー株式会社 撮像素子およびカメラシステム
WO2013058147A1 (ja) 2011-10-18 2013-04-25 ソニー株式会社 撮像素子およびカメラシステム
WO2014097519A1 (ja) * 2012-12-18 2014-06-26 パナソニック株式会社 半導体光検出器
CN104854476A (zh) * 2012-12-20 2015-08-19 索尼公司 摄像装置、电子设备和摄像方法
WO2016042734A1 (ja) * 2014-09-19 2016-03-24 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置
WO2016067692A1 (ja) * 2014-10-30 2016-05-06 ソニー株式会社 撮像素子、および、撮像装置
US9431439B2 (en) 2012-10-16 2016-08-30 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Light detector
JP2018050319A (ja) * 2017-11-02 2018-03-29 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
WO2018181013A1 (ja) * 2017-03-29 2018-10-04 株式会社デンソー 光検出器
JP2018169384A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 株式会社デンソー 光検出器
JP2019017065A (ja) * 2017-07-06 2019-01-31 キヤノン株式会社 固体撮像素子、撮像装置及び撮像方法
JP2020127243A (ja) * 2020-05-14 2020-08-20 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
JP2020136691A (ja) * 2019-02-12 2020-08-31 日本放送協会 固体撮像素子及び撮像装置
WO2020195617A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像素子
US11153521B2 (en) 2017-05-25 2021-10-19 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solid-state image sensor and imaging device
US11240453B2 (en) 2019-09-09 2022-02-01 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device
US11363219B2 (en) 2019-03-12 2022-06-14 Canon Kabushiki Kaisha Information processing apparatus, image sensor, image capturing apparatus, and information processing method
US11937004B2 (en) 2019-01-30 2024-03-19 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus, imaging system, movable object, and semiconductor substrate
WO2024090031A1 (ja) * 2022-10-25 2024-05-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および電子機器

Cited By (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2302905A1 (en) 2009-08-28 2011-03-30 Sony Corporation Imaging device and camera system
CN102006427A (zh) * 2009-08-28 2011-04-06 索尼公司 成像器件和相机系统
CN103402059B (zh) * 2009-08-28 2017-08-11 索尼公司 成像器件
US9794501B2 (en) 2009-08-28 2017-10-17 Sony Corporation Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision
US10075660B2 (en) 2009-08-28 2018-09-11 Sony Corporation Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision
US9374541B2 (en) 2009-08-28 2016-06-21 Sony Corporation Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision
US9055247B2 (en) 2009-08-28 2015-06-09 Sony Corporation Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision
US8842206B2 (en) 2009-08-28 2014-09-23 Sony Corporation Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision
US10841518B2 (en) 2009-08-28 2020-11-17 Sony Corporation Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision
US10506185B2 (en) 2009-08-28 2019-12-10 Sony Corporation Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision
US8488034B2 (en) 2009-08-28 2013-07-16 Sony Corporation Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision
US10341589B2 (en) 2009-08-28 2019-07-02 Sony Corporation Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision
CN103402059A (zh) * 2009-08-28 2013-11-20 索尼公司 成像器件
US9055244B2 (en) 2009-10-01 2015-06-09 Sony Corporation Imaging device and camera system with photosensitive conversion element
EP2312829A2 (en) 2009-10-01 2011-04-20 Sony Corporation Image taking device and camera system
EP2312829A3 (en) * 2009-10-01 2012-08-29 Sony Corporation Image taking device and camera system
US8953072B2 (en) 2009-10-01 2015-02-10 Sony Corporation Image taking device and camera system
US9369650B2 (en) 2009-10-01 2016-06-14 Sony Corporation Imaging device and camera system with photosensitive conversion element
KR20110036500A (ko) * 2009-10-01 2011-04-07 소니 주식회사 촬상 소자 및 카메라 시스템
US9277154B2 (en) 2009-10-01 2016-03-01 Sony Corporation Image taking device and camera system
US8493483B2 (en) 2009-10-01 2013-07-23 Sony Corporation Image taking device and camera system
EP2330625A2 (en) 2009-12-03 2011-06-08 Sony Corporation Imaging element and camera system
US9202830B2 (en) 2009-12-03 2015-12-01 Sony Corporation Imaging element and camera system employing a high-concentration layer between a photodiode and an insulation layer, with the insulation layer being between the high-concentration layer and a well of an amplifying transistor
JP2011119441A (ja) * 2009-12-03 2011-06-16 Sony Corp 撮像素子およびカメラシステム
US10182198B2 (en) 2010-10-01 2019-01-15 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device and camera system with photosensitive conversion element
US9723237B2 (en) 2010-10-01 2017-08-01 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device and camera system with photosensitive conversion element
EP2437484A2 (en) 2010-10-01 2012-04-04 Sony Corporation Imaging device and camera system
CN103875236A (zh) * 2011-10-18 2014-06-18 索尼公司 图像拾取设备以及摄像机系统
WO2013058147A1 (ja) 2011-10-18 2013-04-25 ソニー株式会社 撮像素子およびカメラシステム
US9100601B2 (en) 2011-10-18 2015-08-04 Sony Corporation Image pickup device and camera system
US9100603B2 (en) 2011-10-20 2015-08-04 Sony Corporation Image pickup device and camera system
WO2013058213A1 (ja) 2011-10-20 2013-04-25 ソニー株式会社 撮像素子およびカメラシステム
US9706150B2 (en) 2011-10-20 2017-07-11 Sony Corporation Image pickup device and camera system with high precision at high speed pixel read
US9431439B2 (en) 2012-10-16 2016-08-30 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Light detector
WO2014097519A1 (ja) * 2012-12-18 2014-06-26 パナソニック株式会社 半導体光検出器
JPWO2014097519A1 (ja) * 2012-12-18 2017-01-12 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体光検出器
US9743026B2 (en) 2012-12-18 2017-08-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Semiconductor photodetector
CN104854476A (zh) * 2012-12-20 2015-08-19 索尼公司 摄像装置、电子设备和摄像方法
US10812729B2 (en) 2014-09-19 2020-10-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solid-state imaging device
WO2016042734A1 (ja) * 2014-09-19 2016-03-24 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置
CN106716994B (zh) * 2014-09-19 2020-01-17 松下知识产权经营株式会社 固体摄像装置
CN106716994A (zh) * 2014-09-19 2017-05-24 松下知识产权经营株式会社 固体摄像装置
JPWO2016042734A1 (ja) * 2014-09-19 2017-07-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置
WO2016067692A1 (ja) * 2014-10-30 2016-05-06 ソニー株式会社 撮像素子、および、撮像装置
US10348995B2 (en) 2014-10-30 2019-07-09 Sony Semiconductor Solutions Corporation Image sensor and imaging apparatus
JP2018169384A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 株式会社デンソー 光検出器
WO2018181013A1 (ja) * 2017-03-29 2018-10-04 株式会社デンソー 光検出器
US11153521B2 (en) 2017-05-25 2021-10-19 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solid-state image sensor and imaging device
JP2019017065A (ja) * 2017-07-06 2019-01-31 キヤノン株式会社 固体撮像素子、撮像装置及び撮像方法
JP2018050319A (ja) * 2017-11-02 2018-03-29 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
US11937004B2 (en) 2019-01-30 2024-03-19 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus, imaging system, movable object, and semiconductor substrate
JP2020136691A (ja) * 2019-02-12 2020-08-31 日本放送協会 固体撮像素子及び撮像装置
US11363219B2 (en) 2019-03-12 2022-06-14 Canon Kabushiki Kaisha Information processing apparatus, image sensor, image capturing apparatus, and information processing method
WO2020195617A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像素子
JPWO2020195617A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01
US11240453B2 (en) 2019-09-09 2022-02-01 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device
JP2020127243A (ja) * 2020-05-14 2020-08-20 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
WO2024090031A1 (ja) * 2022-10-25 2024-05-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
JP3029363B2 (ja) 2000-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3029363B2 (ja) 固体撮像装置
US4710817A (en) Solid state image sensor
US8063963B2 (en) Imaging device having a pixel structure with high dynamic range read-out signal
CN101189885B (zh) 照相系统中照明闪烁检测的方法和设备及其图像传感器
US6380880B1 (en) Digital pixel sensor with integrated charge transfer amplifier
US7667176B2 (en) Readout technique for increasing or maintaining dynamic range in image sensors
TW444404B (en) Autocalibaration of an A/D converter within a CMOS type image sensor
US20220006942A1 (en) Imaging devices with single-photon avalanche diodes having sub-exposures for high dynamic range
WO2008004230A2 (en) Method and device for detecting weak optical signals
US10834349B2 (en) Solid-state image sensor, image capturing apparatus and image capturing method
EP3848965A1 (en) Solid-state imaging element, imaging system, method for driving solid-state imaging element, and photodetector
CN110392183B (zh) 摄像设备及其控制方法
JP4135486B2 (ja) イメージセンサ
Denvir et al. Electron multiplying ccds
EP2763398B1 (en) Use of an image sensor array in laser range gated imaging
US20020191742A1 (en) Image pickup device
US20060163454A1 (en) Low-level light detector and low-level light imaging apparatus
JP2001168311A (ja) 固体撮像装置
JP3867882B2 (ja) 固体撮像装置
US7012238B2 (en) Amplification-type solid-state image pickup device incorporating plurality of arrayed pixels with amplification function
CN109951657B (zh) 像素电路及图像传感器
WO2002098125A1 (en) Signal processing circuit and solid-state image pickup device
JP4238377B2 (ja) 固体撮像素子およびその駆動方法
KR100645964B1 (ko) 확장된 동적 범위를 갖는 이미지 센싱 소자 및 이를이용한 촬상장치
JP4345145B2 (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees