JPH0758531B2 - Method of manufacturing thin film magnetic head - Google Patents
Method of manufacturing thin film magnetic headInfo
- Publication number
- JPH0758531B2 JPH0758531B2 JP15197587A JP15197587A JPH0758531B2 JP H0758531 B2 JPH0758531 B2 JP H0758531B2 JP 15197587 A JP15197587 A JP 15197587A JP 15197587 A JP15197587 A JP 15197587A JP H0758531 B2 JPH0758531 B2 JP H0758531B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- thin film
- magnetic layer
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本発明は高密度の磁気記録、再生に好適な薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application The present invention relates to a method for producing a thin film magnetic head suitable for high density magnetic recording and reproduction.
（ロ） 従来の技術 従来、この種の薄膜磁気ヘツドとしては、例えば、特開
昭62−46416号公報（G11B5/31）等に開示されているも
のがある。(B) Conventional Technology Conventionally, as a thin film magnetic head of this type, for example, there is one disclosed in JP-A-62-46416 (G11B5 / 31).
第５図は従来の薄膜磁気ヘツドの要部断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a main part of a conventional thin film magnetic head.
図中、（１）はフエライト、結晶化ガラス等の材料より
なる基板で、該基板（１）上にはセンダスト、パーマロ
イ、Co系アモルフアス磁性金属等よりなる下部磁性層
（下部磁気コア層）（２）、SiO2等からなるギヤツプス
ペーサ（３）、Cu等からなる導体コイル層（４）、SiO2
等からなる層間絶縁層（５）、及び前記下部磁性層
（２）と同じ材料よりなる上部磁性層（上部磁気コア
層）（６）が夫々形成されている。（７）はTi酸Ba等の
セラミツク材料よりなる保護板で、低融点ガラス（８）
等により上部磁性層（６）に接合されている。In the figure, (1) is a substrate made of a material such as ferrite or crystallized glass, and a lower magnetic layer (lower magnetic core layer) made of sendust, permalloy, Co-based amorphous magnetic metal, etc. on the substrate (1) ( 2), a gap spacer (3) made of SiO 2 or the like, a conductor coil layer (4) made of Cu or the like, SiO 2
And an upper magnetic layer (upper magnetic core layer) (6) made of the same material as the lower magnetic layer (2). (7) is a protective plate made of ceramic material such as Ba Ti oxide, which is a low melting point glass (8)
And the like are joined to the upper magnetic layer (6).
しかし乍ら、上記従来の薄膜磁気ヘツドを高周波領域で
使用した場合、下部磁性層（２）及び上部磁性層（６）
に渦電流が生じ、表皮効果により前記磁性層（２）
（６）の極表層の部分にしか磁束は流れず、前記磁性層
（２）（６）の透磁率μは低下する所謂渦電流損失が生
じる。即ち、この従来の薄膜磁気ヘツドは、高周波領域
では良好な記録再生を行うことが出来なかった。However, when the above-mentioned conventional thin film magnetic head is used in a high frequency region, the lower magnetic layer (2) and the upper magnetic layer (6) are
Eddy current is generated in the magnetic layer (2) due to the skin effect.
The magnetic flux flows only in the pole surface layer of (6), and the magnetic permeability μ of the magnetic layers (2) and (6) decreases, so-called eddy current loss occurs. That is, this conventional thin film magnetic head could not perform good recording / reproducing in the high frequency region.
また、上述の欠点を解消するために、例えば特開昭60−
32107号公報（G11B5/127）等に開示されているように、
センダスト等の強磁性金属材料をSiO2等の高硬度絶縁膜
を介してスパツタリングにより積層形成した薄膜磁気ヘ
ツドが提案されている。Further, in order to solve the above-mentioned drawbacks, for example, JP-A-60-
As disclosed in Japanese Patent No. 32107 (G11B5 / 127) and the like,
A thin-film magnetic head has been proposed in which a ferromagnetic metal material such as sendust is laminated by sputtering with a high-hardness insulating film such as SiO 2 interposed therebetween.
しかし乍ら、この薄膜磁気ヘツドの場合、強磁性金属薄
膜と高硬度絶縁膜とを交互に形成するため、その都度ス
パツタリング装置のターゲツトを交換する必要があり、
作業性が悪く量産性に適していなかった。However, in the case of this thin film magnetic head, since the ferromagnetic metal thin film and the high hardness insulating film are alternately formed, it is necessary to replace the target of the sputtering device each time.
Workability was poor and it was not suitable for mass production.
（ハ） 発明が解決しようとする問題点 本発明は上記従来例の欠点に鑑みなされたものであり、
高周波領域においても透磁率μが低下せず、良好な記録
再生を行うことが出来る薄膜磁気ヘッドを量産性良く製
造することが出来る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。(C) Problems to be Solved by the Invention The present invention has been made in view of the drawbacks of the above-mentioned conventional examples,
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a thin film magnetic head, which can manufacture a thin film magnetic head capable of performing good recording and reproduction with good mass productivity without lowering the magnetic permeability μ even in a high frequency region. .
（ニ） 問題点を解決するための手段 本発明は、基板上に強磁性金属材料よりなる磁気コア層
を薄膜形成工程により形成する薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、前記薄膜形成工程を途中で中断することに
よの前記磁気コア層を複数の磁性層に区切ることを特徴
とする。(D) Means for Solving the Problems The present invention provides a method of manufacturing a thin film magnetic head in which a magnetic core layer made of a ferromagnetic metal material is formed on a substrate by a thin film forming step, and the thin film forming step is interrupted midway. The magnetic core layer is divided into a plurality of magnetic layers.
（ホ） 作用 上記構成に依れば、薄膜形成工程の被着源を交換するこ
となく第１、第２磁性層を分離層によって区切ることが
可能となり、該分離層により渦電流損失が押えられる。(E) Action According to the above configuration, the first and second magnetic layers can be separated by the separation layer without exchanging the deposition source in the thin film forming step, and the eddy current loss is suppressed by the separation layer. .
（ヘ） 実 施 例 以下、図面を参照しつつ本発明の第１実施例を詳細に説
明する。(F) Example Hereinafter, a first example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は第１実施例の薄膜磁気ヘツドの斜視図、第２図
はそのａ−ａ′断面図であり、第５図と同一部分には同
一符号を付し、その説明は第５図の説明を援用する。FIG. 1 is a perspective view of the thin film magnetic head of the first embodiment, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line aa ', and the same parts as those in FIG. The description of is used.
図中、（９）は下部磁性層、（10）は上部磁性層であ
る。前記下部磁性層（９）は柱状構造の結晶構造を有す
るセンダストよりなる第１磁性層（9a）、第２磁性層
（9b）…からなり、該第１、第２…磁性層（9a）（9b）
…は夫々、別々の結晶構造をもつように界面層（分離
層）（11）（11）…により区切られている。In the figure, (9) is a lower magnetic layer and (10) is an upper magnetic layer. The lower magnetic layer (9) is composed of a first magnetic layer (9a), a second magnetic layer (9b) ... Of sendust having a columnar crystal structure, and the first, second ... Magnetic layers (9a) ( 9b)
Are separated by interface layers (separation layers) (11), (11), ... so as to have different crystal structures.
前記上部磁性層（10）も前記下部磁性層（９）と同様に
柱状構造の結晶構造を有するセンダストよりなる第１磁
性層（10a）、第２磁性層（10b）、…からなり、該第
１、第２…磁性層（10a）（10b）…は夫々別々の結晶構
造をもつように界面層（分離層）（12）（12）…により
区切られている。Like the lower magnetic layer (9), the upper magnetic layer (10) also includes a first magnetic layer (10a), a second magnetic layer (10b), and the like, which are made of sendust having a columnar crystal structure. The first, second ... Magnetic layers (10a) (10b) ... Are separated by interface layers (separation layers) (12) (12) ... so as to have different crystal structures.
前記下部磁性層（９）及び上部磁性層（10）の界面層
（11）（11）…（12）12）…は共にAr等の不活性ガスを
導入した状態でスパツタリングを中断した時に自然に形
成される。The interface layers (11) (11) ... (12) 12) of the lower magnetic layer (9) and the upper magnetic layer (10) are both naturally formed when the sputtering is interrupted with an inert gas such as Ar introduced. It is formed.
次に、第１実施例の薄膜磁気ヘツドの製造方法について
説明する。Next, a method of manufacturing the thin film magnetic head of the first embodiment will be described.
先ず、所定形状に切り出されたフエライト、結晶化ガラ
ス等よりなる基板（１）を用意し、該基板（１）の上面
にスパツタリングにより、膜厚３μｍの柱状構造の結晶
構造を有するセンダストよりなる第１磁性層（9a）を形
成し、その後、上述のスパツタリング工程に用いられた
Ar等の不活性ガスを導入したままでスパツタリングを中
断し、約10分間放置する。前記基板（１）は不活性ガス
により急冷され、前記第１磁性層（9a）上に界面層（1
1）が形成される。次に、前記界面層（11）上にスパツ
タリングにより膜厚３μｍの柱状構造の結晶構造を有す
るセンダストよりなる第２磁性層（9b）を形成し、その
後上述と同様にして約10分間スパツタリングを中断して
界面層（11）形成する。そして、この操作を繰り返すこ
とにより界面層によって区切られた第３、第４…磁性層
を被着して膜厚30μｍの下部磁性層（９）を形成する。
前記第１、第２…磁性層（9a）（9b）…の結晶構造は前
記界面層（11）（11）…により別々に区切られている。First, a substrate (1) made of ferrite, crystallized glass, or the like cut out in a predetermined shape is prepared, and the upper surface of the substrate (1) is sputtered to form a sendust having a columnar crystal structure with a film thickness of 3 μm. 1 magnetic layer (9a) was formed and then used in the sputtering process described above
The sputtering is interrupted while the inert gas such as Ar is introduced, and it is left for about 10 minutes. The substrate (1) is quenched by an inert gas, and the interface layer (1) is formed on the first magnetic layer (9a).
1) is formed. Next, a second magnetic layer (9b) made of sendust having a columnar crystal structure with a film thickness of 3 μm is formed on the interface layer (11) by sputtering, and then sputtering is interrupted for about 10 minutes in the same manner as described above. Then, the interface layer (11) is formed. Then, by repeating this operation, the lower magnetic layer (9) having a film thickness of 30 μm is formed by depositing the third, fourth ... Magnetic layers separated by the interface layers.
The crystal structures of the first, second ... Magnetic layers (9a), (9b) ... Are separated by the interface layers (11), (11).
次に、前記下部磁性層（９）上にSiO2等よりなるギヤツ
プスペーサ（３）を形成し、該ギヤツプスペーサ（３）
上にCu等よりなる導体コイル層（４）を形成し、該導体
コイル層（４）を覆うようにSiO2等の層間絶縁層（５）
を形成する。Next, a gear spacer (3) made of SiO 2 or the like is formed on the lower magnetic layer (9), and the gear spacer (3) is formed.
A conductor coil layer (4) made of Cu or the like is formed on the interlayer insulating layer (5) such as SiO 2 so as to cover the conductor coil layer (4).
To form.
次に、前記ギヤツプスペーサ（３）、前記導体コイル層
（４）及び層間絶縁層（５）上に前記下部磁性層（９）
の形成方法と同様にして界面層（12）（12）…により区
切られた膜厚３μｍの柱状構造の結晶構造を有するセン
ダストよりなる第１、第２…磁性層（10a）（10b）…を
被着して膜厚30μｍの上部磁性層（10）を形成する。こ
の第１、第２…磁性層（10a）（10b）…の結晶構造は前
記下部磁性層（９）の第１、第２…磁性層（9a）（9b）
…と同様に前記界面層（12）（12）…により別々に区切
られている。Next, the lower magnetic layer (9) is formed on the gap spacer (3), the conductor coil layer (4) and the interlayer insulating layer (5).
In the same manner as in the method for forming the above, the first and second magnetic layers (10a) (10b), which are composed of sendust having a columnar crystal structure with a film thickness of 3 μm, which are partitioned by the interface layers (12) (12). An upper magnetic layer (10) having a film thickness of 30 μm is formed by deposition. The crystal structures of the first, second ... Magnetic layers (10a) (10b) ... Are the same as the first, second ... Magnetic layers (9a) (9b) of the lower magnetic layer (9).
Similarly to the above, they are separated from each other by the interface layers (12) (12).
そして最後に、前記上部磁性層（10）の上面にTi酸Ba等
のセラミツク材料よりなる保護板（７）を低融点ガラス
（８）等により接合して、第１図及び第２図に示す第１
実施例の薄膜磁気ヘツドが完成する。Finally, a protective plate (7) made of a ceramic material such as Ba Ti oxide is bonded to the upper surface of the upper magnetic layer (10) with a low melting point glass (8) or the like, as shown in FIGS. 1 and 2. First
The thin film magnetic head of the embodiment is completed.
上述のような第１実施例の薄膜磁気ヘツドでは、下部磁
性層（９）及び上部磁性層（10）は夫々、界面層（11）
（11）…（12）（12）…によって区切られた第１、第２
…磁性層（9a）（9b）…（10a）（10b）…よりなるため
渦電流による磁束の表皮効果が起こらず、透磁率μは低
下しない。また、前記界面層（11）（11）…（12）（1
2）…はスパツタリングの中断により簡単に形成出来る
ので作業性が向上する。In the thin film magnetic head of the first embodiment as described above, the lower magnetic layer (9) and the upper magnetic layer (10) are respectively the interface layer (11).
(11) ... (12) (12) ...
Since the magnetic layers (9a), (9b), (10a), (10b) ... are used, the skin effect of the magnetic flux due to the eddy current does not occur and the magnetic permeability μ does not decrease. Further, the interface layers (11) (11) ... (12) (1
2) ... can be easily formed by interrupting spattering, improving workability.
次に、本発明の第２実施例について詳細に説明する。Next, the second embodiment of the present invention will be described in detail.
第３図は第２実施例の薄膜磁気ヘツドの要部断面図であ
り、第２図と同一部分には同一符号を付し、その説明は
第２図の説明を援用する。FIG. 3 is a sectional view of an essential part of the thin-film magnetic head of the second embodiment. The same parts as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals, and the description thereof is incorporated by reference.
図中、（13）は下部磁性層、（14）は上部磁性層であ
る。前記下部磁性層（13）及び前記上部磁性層（14）の
第１、第２磁性層（13a）（13b）…（14a）（14b）…は
夫々別々の柱状構造の結晶構造をもつようにAlN層（分
離層）（15）（15）…（16）（16）…により区切られて
いる。尚、このAlN層（15）（15）…（16）（16）…は
共にN2ガスを導入した状態でスパツタリングを中断した
時に自然に形成される。In the figure, (13) is a lower magnetic layer and (14) is an upper magnetic layer. The lower magnetic layer (13) and the first and second magnetic layers (13a) (13b) ... (14a) (14b) of the upper magnetic layer (14) have different columnar crystal structures. The layers are separated by AlN layers (separation layers) (15) (15) ... (16) (16). The AlN layers (15), (15), ..., (16), (16), ... Are naturally formed when the sputtering is interrupted while N 2 gas is introduced.
次に、第２実施例の薄膜磁気ヘツドの製造方法について
説明する。Next, a method of manufacturing the thin film magnetic head of the second embodiment will be described.
先ず、第１実施例と同様に基板（１）の上面にスパツタ
リングにより膜厚３μｍの第１磁性層（13a）を形成
し、その後、上述のスパツタリングに用いられたAr等の
不活性ガスに代えてN2ガスを導入してベルジヤー内の温
度を200℃以上に保ち乍らスパツタリングを中断して所
定時間放置する。この際、前記第１磁性層（13a）を形
成するセンダスト中に約5.5wt％含まれているAlは前記N
2ガスと反応して前記第１磁性層（13a）上にAlN層（1
5）が形成される。尚、この時、形成されるAlN層（15）
の膜厚が0.1μｍになるように制御されている。次に、
スパツタリングを再開して前記AlN層（15）上に膜厚３
μｍの第２磁性層（13b）を形成する。その後、第１実
施例と同様に上述の動作を繰り返すことによりAlN層に
よって区切られた第３、第４…磁性層を被着して膜厚30
μｍの下部磁性層（13）を形成する。First, as in the first embodiment, the first magnetic layer (13a) having a film thickness of 3 μm is formed on the upper surface of the substrate (1) by sputtering, and then the inert gas such as Ar used for the sputtering is replaced. Then, N 2 gas is introduced to maintain the temperature in the bell jar at 200 ° C. or higher, and the spattering is interrupted and the mixture is left for a predetermined time. At this time, Al contained in about 5.5 wt% in the sendust forming the first magnetic layer (13a) is N
AlN layer (1) on the first magnetic layer (13a) by reacting with 2 gas.
5) is formed. The AlN layer (15) formed at this time
The film thickness is controlled to be 0.1 μm. next,
Re-sputtering is restarted and the film thickness is 3 on the AlN layer (15).
A second magnetic layer (13b) having a thickness of μm is formed. After that, by repeating the above-mentioned operation similarly to the first embodiment, the third, fourth ...
A lower magnetic layer (13) having a thickness of μm is formed.
次に、第１実施例と同様にして前記下部磁性層（13）上
にギヤツプスペーサ（３）、導体コイル層（４）、層間
絶縁層（５）を形成した後、その上に前記下部磁性層
（13）と同様にして第１、第２…磁性層（14a）（14b）
…がAlN層（16）（16）…により区切られた上部磁性層
（14）を形成する。Next, after forming the gap spacer (3), the conductor coil layer (4) and the interlayer insulating layer (5) on the lower magnetic layer (13) in the same manner as in the first embodiment, the lower magnetic layer is formed thereon. Similar to (13), first, second ... Magnetic layers (14a) (14b)
Form an upper magnetic layer (14) separated by AlN layers (16) (16).
以後は第１実施例と同様にして第３図に示す第２実施例
の薄膜磁気ヘツドが完成する。Thereafter, the thin film magnetic head of the second embodiment shown in FIG. 3 is completed in the same manner as the first embodiment.
この第２実施例の薄膜磁気ヘツドも、下部磁性層（13）
及び上部磁性層（14）は夫々、第１、第２…磁性層（13
a）（13b）…（14a）（14b）…がAlN層（15）（15）…
（16）（16）…によって区切られているので表１実施例
と同様に渦電流損失は起こらない。また、このAlN層（1
5）（15）…（16）（16）…は従来の如くいちいちスパ
ツタリング装置のターゲツトを交換せずにスパツタリン
グを中断してN2ガスを導入するだけで簡単に形成出来作
業性が向上する。The thin film magnetic head of the second embodiment also has the lower magnetic layer (13).
And the upper magnetic layer (14) are respectively the first, second ... Magnetic layer (13
a) (13b) ... (14a) (14b) ... are AlN layers (15) (15) ...
(16) Since it is divided by (16) ... No eddy current loss occurs as in the embodiment of Table 1. Also, this AlN layer (1
5) (15), (16), (16), etc. can be easily formed by simply interrupting spattering and introducing N 2 gas without replacing the target of the sputtering device as in the conventional case, and the workability is improved.
次に、外径5mm、内径3mmの環状の基板上に従来例の如く
単層の磁性層を膜厚30μｍ形成した試料Ａと、第１、第
２…磁性層がAlN層によって区切られた第２実施例の構
造の磁性層を膜厚30μｍ形成した試料Ｂとを用意し、前
記試料Ａ、Ｂ夫々に直径0.1mmψの銅線を60ターン施し
て透磁率μの周波数特性を調べた。その結果を第４図に
示す。この図から判るように第２実施例の構造の磁性層
をもつ試料Ｂは試料Ａに比べて高周波領域においても高
い透磁率μが得られた。Next, a sample A in which a single magnetic layer having a film thickness of 30 μm was formed on an annular substrate having an outer diameter of 5 mm and an inner diameter of 3 mm as in the conventional example, and a first magnetic layer and a second magnetic layer were separated by an AlN layer. A sample B having a magnetic layer having a structure of Example 2 having a film thickness of 30 μm was prepared, and a copper wire having a diameter of 0.1 mmφ was applied 60 times to each of the samples A and B to examine the frequency characteristic of magnetic permeability μ. The results are shown in FIG. As can be seen from this figure, the sample B having the magnetic layer having the structure of the second embodiment has a higher magnetic permeability μ in the high frequency region than the sample A.
尚、第１、第２磁性層をCo系アモルフアス磁性材料で形
成しても、上記第１実施例と同様に界面層が形成され、
渦電流損失を抑えることが出来る。Even if the first and second magnetic layers are made of a Co-based amorphous magnetic material, the interface layer is formed as in the first embodiment.
Eddy current loss can be suppressed.
（ト） 発明の効果 本発明に依れば、高周波領域においても渦電流損失が生
じず、良好な記録再生を行うことが出来る薄膜磁気ヘッ
ドを量産性良く製造することが出来る薄膜磁気ヘッドの
製造方法を提供し得る。(G) Effect of the Invention According to the present invention, a thin film magnetic head capable of performing good recording / reproducing without producing eddy current loss even in a high frequency region and manufacturing a thin film magnetic head with good mass productivity A method may be provided.
第１図乃至第３図は本発明に係り、第１図は第１実施例
の薄膜磁気ヘツドの斜視図、第２図は第１図のａ−ａ′
断面図、第３図は第２実施例の薄膜磁気ヘツドの要部断
面図である。第４図は透磁率の周波数特性を示す図、第
５図は従来の薄膜磁気ヘツドの要部断面図である。 （１）……基板、（９）（13）……下部磁性層、（9a）
（13a）……第１磁性層、（9b）（13b）……第２磁性
層、（10）（14）……上部磁性層、（10a）（14a）……
第１磁性層、（10b）（14b）……第２磁性層、（11）
（12）……界面層（分離層）、（15）（16）……AlN層
（分離層）1 to 3 relate to the present invention. FIG. 1 is a perspective view of the thin film magnetic head of the first embodiment, and FIG. 2 is aa 'in FIG.
A sectional view and FIG. 3 are sectional views of a main part of the thin film magnetic head of the second embodiment. FIG. 4 is a diagram showing a frequency characteristic of magnetic permeability, and FIG. 5 is a sectional view of a main part of a conventional thin film magnetic head. (1) …… Substrate, (9) (13) …… Lower magnetic layer, (9a)
(13a) …… first magnetic layer, (9b) (13b) …… second magnetic layer, (10) (14) …… upper magnetic layer, (10a) (14a) ……
First magnetic layer, (10b) (14b) ... Second magnetic layer, (11)
(12) …… Interfacial layer (separation layer), (15) (16) …… AlN layer (separation layer)
Claims (1)
層を薄膜形成工程により形成する薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、前記薄膜形成工程を途中で中断すること
により前記磁気コア層を複数の磁性層に区切ることを特
徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。1. A method of manufacturing a thin film magnetic head, wherein a magnetic core layer made of a ferromagnetic metal material is formed on a substrate by a thin film forming step, wherein the thin film forming step is interrupted midway to form a plurality of magnetic core layers. A method of manufacturing a thin-film magnetic head, characterized by dividing into a magnetic layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15197587A JPH0758531B2 (en) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | Method of manufacturing thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15197587A JPH0758531B2 (en) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | Method of manufacturing thin film magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63316308A JPS63316308A (en) | 1988-12-23 |
| JPH0758531B2 true JPH0758531B2 (en) | 1995-06-21 |
Family
ID=15530316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15197587A Expired - Fee Related JPH0758531B2 (en) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | Method of manufacturing thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758531B2 (en) |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP15197587A patent/JPH0758531B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63316308A (en) | 1988-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59130408A (en) | Magnetic film | |
| WO1993011531A1 (en) | Thin film magnetic head | |
| JPS6134707A (en) | Magnetic head | |
| JPH0758531B2 (en) | Method of manufacturing thin film magnetic head | |
| JPH0624043B2 (en) | Magnetic head | |
| JPS63254709A (en) | Laminated thin magnet film and magnetic head using the same | |
| JP2531145B2 (en) | Thin film magnetic head | |
| JPH0526244B2 (en) | ||
| JPS633406A (en) | Magnetically soft thin film | |
| JPS61250810A (en) | Magnetic head and its production | |
| JPS61144006A (en) | Magnetic thin film and manufacture thereof | |
| JPH0476806A (en) | Laminated magnetic head | |
| JPS6362805B2 (en) | ||
| JPH03278409A (en) | Laminated thin soft magnetic film | |
| JPH04214831A (en) | Soft magnetic film | |
| JPH01109505A (en) | Magnetic head | |
| JPS61182619A (en) | Thin film magnetic head | |
| JPS59117729A (en) | Production of magnetic head core | |
| JPS63249913A (en) | Magnetic head | |
| JPS6191058A (en) | Ceramic composition | |
| JPH0371409A (en) | Magnetic head | |
| JPS6028014A (en) | Thin film magnetic head | |
| JP2001067611A (en) | Magnetic head | |
| JPS63175213A (en) | Thin film magnetic head | |
| JPH0668423A (en) | Thin-film magnetic head |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |