JPH0758159A - Ｔａｂキャリアとボンディングツール - Google Patents
ＴａｂキャリアとボンディングツールInfo
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- JPH0758159A JPH0758159A JP5206574A JP20657493A JPH0758159A JP H0758159 A JPH0758159 A JP H0758159A JP 5206574 A JP5206574 A JP 5206574A JP 20657493 A JP20657493 A JP 20657493A JP H0758159 A JPH0758159 A JP H0758159A
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- holes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＡＢキャリアとボンディングツールに関
し、回路基板に位置精度よくボンディングできることを
目的とする。 【構成】 ＴＡＢキャリアを製造するに当たってベース
フィルム（１）を選択エッチングする際に、デバイスホ
ール（５）とアウターリードホール（６）との中間領域
でリード端子(11)のパターン形成がなされていないサポ
ートリング(13)から、アウターリードホール（６）間を
結ぶタイパー(19)を通ってツーリングホール（７）を結
ぶ領域にラインホール(20)を設け、また、ボンディング
ツールの吸着ノズルが、方形をした枠体の底部に複数の
吸着孔(30)を有すると共に、この枠体の底面がＴＣＰの
アウターリードホール（６）の内側位置に当接するよう
に構成する。
し、回路基板に位置精度よくボンディングできることを
目的とする。 【構成】 ＴＡＢキャリアを製造するに当たってベース
フィルム（１）を選択エッチングする際に、デバイスホ
ール（５）とアウターリードホール（６）との中間領域
でリード端子(11)のパターン形成がなされていないサポ
ートリング(13)から、アウターリードホール（６）間を
結ぶタイパー(19)を通ってツーリングホール（７）を結
ぶ領域にラインホール(20)を設け、また、ボンディング
ツールの吸着ノズルが、方形をした枠体の底部に複数の
吸着孔(30)を有すると共に、この枠体の底面がＴＣＰの
アウターリードホール（６）の内側位置に当接するよう
に構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ＩＣチップの実装
に使用するＴＡＢキャリアとＴＣＰを回路基板に装着す
るのに使用するボンディングツールの構造に関する。
に使用するＴＡＢキャリアとＴＣＰを回路基板に装着す
るのに使用するボンディングツールの構造に関する。
【０００２】半導体ＩＣはこれを構成する単位素子の小
形化が行なわれてＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されている
が、更に大容量化が進んでＵＬＳＩが実用化されつゝあ
る。こゝで、このように集積度が向上したＩＣチップの
パッケージング法としてリードフレームを使用するフラ
ットパッケージが使用されているが、ＶＬＳＩなど集積
度の向上したＩＣチップのパッケージングにはＴＡＢ
（Tape Automated Bonding) 技術が使用されている。
形化が行なわれてＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されている
が、更に大容量化が進んでＵＬＳＩが実用化されつゝあ
る。こゝで、このように集積度が向上したＩＣチップの
パッケージング法としてリードフレームを使用するフラ
ットパッケージが使用されているが、ＶＬＳＩなど集積
度の向上したＩＣチップのパッケージングにはＴＡＢ
（Tape Automated Bonding) 技術が使用されている。
【０００３】本発明はＴＡＢ技術に使用するＴＡＢキャ
リアと、このＴＡＢキャリアにＩＣチップを装着して
後、保護樹脂の被覆やフォーミングを施してなるＴＣＰ
（TapeCarrier Package) をプリント配線基板やセラミ
ック回路基板のＩＣチップ装着位置に搭載するのに使用
するボンディングツールの改良に関する。
リアと、このＴＡＢキャリアにＩＣチップを装着して
後、保護樹脂の被覆やフォーミングを施してなるＴＣＰ
（TapeCarrier Package) をプリント配線基板やセラミ
ック回路基板のＩＣチップ装着位置に搭載するのに使用
するボンディングツールの改良に関する。
【０００４】
【従来の技術】ＴＡＢ技術は厚さが約30μm の銅(Cu)箔
に写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）を使用して幅が
数10〜数100 μm のリードを多数備えたテープキャリア
を作り、これに錫(Sn), 半田, 金(Au)などのメッキを施
したものであり、具体的には図６に断面を示すように厚
さが約120 μm のポリイミドよりなるベースフィルム１
の上に厚さが約30μm のCu箔２よりなり、微細なピッチ
で配列する多数のリード端子を作り、更にリード間の絶
縁を保つために、必要に応じてその上に厚さが約10μm
のソルダーレジスト３を被覆して形成されるもので、図
６に示すようにCu箔を接着剤を介してベースフィルムに
接着した後、ソルダーレジストを塗布する三層構造か或
は、ベースフィルム１とCu箔２の二層構造をとって作ら
れている。
に写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）を使用して幅が
数10〜数100 μm のリードを多数備えたテープキャリア
を作り、これに錫(Sn), 半田, 金(Au)などのメッキを施
したものであり、具体的には図６に断面を示すように厚
さが約120 μm のポリイミドよりなるベースフィルム１
の上に厚さが約30μm のCu箔２よりなり、微細なピッチ
で配列する多数のリード端子を作り、更にリード間の絶
縁を保つために、必要に応じてその上に厚さが約10μm
のソルダーレジスト３を被覆して形成されるもので、図
６に示すようにCu箔を接着剤を介してベースフィルムに
接着した後、ソルダーレジストを塗布する三層構造か或
は、ベースフィルム１とCu箔２の二層構造をとって作ら
れている。
【０００５】以下、本発明の基礎となる従来のＴＡＢキ
ャリアについて、製造方法とその構造を説明する。図２
は従来のＴＡＢキャリアの平面図であって、スプロケッ
トにより移動するスプロケットホール４を両側にもつベ
ースフィルム１を選択エッチングして、半導体ＩＣを搭
載するデバイスホール５と、アウターリードホール６
と、半導体ＩＣの位置決めを行なうツーリングホール７
とを形成した後、このベースフィルム１の上にエポキシ
系の接着剤を用いてCu箔２を貼着して細長いCu箔貼りの
テープが形成される。
ャリアについて、製造方法とその構造を説明する。図２
は従来のＴＡＢキャリアの平面図であって、スプロケッ
トにより移動するスプロケットホール４を両側にもつベ
ースフィルム１を選択エッチングして、半導体ＩＣを搭
載するデバイスホール５と、アウターリードホール６
と、半導体ＩＣの位置決めを行なうツーリングホール７
とを形成した後、このベースフィルム１の上にエポキシ
系の接着剤を用いてCu箔２を貼着して細長いCu箔貼りの
テープが形成される。
【０００６】次に、このCu箔２を選択エッチングしてイ
ンナーリード８と、アウターリード９と、テストパッド
10とを備えたリード端子11を多数個パターン形成するも
ので、これにより、ＩＣチップの装着が行なわれるデバ
イスホール５にインナーリード８が覗き、また、上下と
左右にあるアウターリードホール６にアウターリード９
が橋渡ししている多数のリード端子11が形成される。
ンナーリード８と、アウターリード９と、テストパッド
10とを備えたリード端子11を多数個パターン形成するも
ので、これにより、ＩＣチップの装着が行なわれるデバ
イスホール５にインナーリード８が覗き、また、上下と
左右にあるアウターリードホール６にアウターリード９
が橋渡ししている多数のリード端子11が形成される。
【０００７】次に、中央のデバイスホール５と四箇所あ
るアウターリードホール６との間の領域には写真蝕刻技
術によりパターン形成されている多数のリード端子11が
あって配線間の絶縁に不安があるためにサポートリング
13を含む領域にソルダーレジスト３を被覆してＴＡＢキ
ャリアが完成している。
るアウターリードホール６との間の領域には写真蝕刻技
術によりパターン形成されている多数のリード端子11が
あって配線間の絶縁に不安があるためにサポートリング
13を含む領域にソルダーレジスト３を被覆してＴＡＢキ
ャリアが完成している。
【０００８】次に、図２に平面図を示すＴＡＢキャリア
は図６に示したようにベースフィルム／Cu箔／ソルダー
レジストの三層構造をして構成されており、図２のツー
リングホール７を位置合わせに使用してデバイスホール
５の中央にＩＣチップを位置決めし、ＩＣチップの周辺
に設けられているバンプとリード端子11の先端にあるイ
ンナーリード８とをボンディングツールを用いてインナ
ーリードボンディングを行なった後、ＩＣチップと熱圧
着領域を保護樹脂で被覆する。次に、ベースフィルム１
をテストパッド10の位置で切断すると同時にリード端子
11のアウターリード９にホーミング(Forming) を行なっ
てＴＣＰ（Tape Carrier Package) が完成している。
は図６に示したようにベースフィルム／Cu箔／ソルダー
レジストの三層構造をして構成されており、図２のツー
リングホール７を位置合わせに使用してデバイスホール
５の中央にＩＣチップを位置決めし、ＩＣチップの周辺
に設けられているバンプとリード端子11の先端にあるイ
ンナーリード８とをボンディングツールを用いてインナ
ーリードボンディングを行なった後、ＩＣチップと熱圧
着領域を保護樹脂で被覆する。次に、ベースフィルム１
をテストパッド10の位置で切断すると同時にリード端子
11のアウターリード９にホーミング(Forming) を行なっ
てＴＣＰ（Tape Carrier Package) が完成している。
【０００９】図７はこのようにして完成したＴＣＰの断
面図であって、リード端子11のインナーリード８をＩＣ
チップ15のバンプ16に熱圧着した後、このＩＣチップ15
を保護するために保護樹脂17を被覆してある。また、ホ
ーミングを行なったアウターリード９はプリント配線基
板やセラミック配線基板の上のＩＣチップ装着位置にパ
ターン形成してあるボンディングパッドに対応してお
り、ボンディングツールを用いてアウターリードボンデ
ィングするよう構成されている。
面図であって、リード端子11のインナーリード８をＩＣ
チップ15のバンプ16に熱圧着した後、このＩＣチップ15
を保護するために保護樹脂17を被覆してある。また、ホ
ーミングを行なったアウターリード９はプリント配線基
板やセラミック配線基板の上のＩＣチップ装着位置にパ
ターン形成してあるボンディングパッドに対応してお
り、ボンディングツールを用いてアウターリードボンデ
ィングするよう構成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このようにして、ＴＣ
Ｐの回路基板への装着が行なわれていた。然し、ＩＣチ
ップの集積度が増し、リード端子の幅とピッチが狭くな
るに従って図８に示すようにリード端子11の弯曲（そ
り）を生じ、回路基板のパッドへ精度の高いボンディン
グを行なうことが困難になってきた。
Ｐの回路基板への装着が行なわれていた。然し、ＩＣチ
ップの集積度が増し、リード端子の幅とピッチが狭くな
るに従って図８に示すようにリード端子11の弯曲（そ
り）を生じ、回路基板のパッドへ精度の高いボンディン
グを行なうことが困難になってきた。
【００１１】すなわち、リード端子11の幅が約150 μm
でリード端子11のピッチが約300 μm 程度のＴＣＰにつ
いてはリード端子11のそりによるアウターリードボンデ
ィング不良は発生しなかったが、リード端子の幅が60μ
m でリード端子のピッチが150 μm 程度に狭くなるとそ
りによる不良発生が大きく、精度の高いボンディングを
行なうことが困難になり、特にソルダーレジストを塗布
してあるＴＣＰはリード端子11のそりとアウターリード
位置でのゆがみが大きく、配線基板のボンディングパッ
ドとの位置ずれが大きくなり正確なボンディングができ
なくなった。そこで、高精度のボンディングができるよ
うにすることが課題である。
でリード端子11のピッチが約300 μm 程度のＴＣＰにつ
いてはリード端子11のそりによるアウターリードボンデ
ィング不良は発生しなかったが、リード端子の幅が60μ
m でリード端子のピッチが150 μm 程度に狭くなるとそ
りによる不良発生が大きく、精度の高いボンディングを
行なうことが困難になり、特にソルダーレジストを塗布
してあるＴＣＰはリード端子11のそりとアウターリード
位置でのゆがみが大きく、配線基板のボンディングパッ
ドとの位置ずれが大きくなり正確なボンディングができ
なくなった。そこで、高精度のボンディングができるよ
うにすることが課題である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、ＴＡＢキ
ャリアを製造するに当たってベースフィルムを選択エッ
チングする際に、デバイスホールとアウターリードホー
ルとの中間領域でリード端子のパターン形成がなされて
いないサポートリングから、アウターリードホール間を
結ぶタイパーを通ってツーリングホールを結ぶ領域にラ
インホールを設け、また、ボンディングツールの吸着ノ
ズルが、方形をした枠体の底部に複数の吸着孔を有する
と共に、この枠体の底面がＴＣＰのアウターリードホー
ルの内側位置に当接するよう構成することにより解決す
ることができる。
ャリアを製造するに当たってベースフィルムを選択エッ
チングする際に、デバイスホールとアウターリードホー
ルとの中間領域でリード端子のパターン形成がなされて
いないサポートリングから、アウターリードホール間を
結ぶタイパーを通ってツーリングホールを結ぶ領域にラ
インホールを設け、また、ボンディングツールの吸着ノ
ズルが、方形をした枠体の底部に複数の吸着孔を有する
と共に、この枠体の底面がＴＣＰのアウターリードホー
ルの内側位置に当接するよう構成することにより解決す
ることができる。
【００１３】
【作用】本発明は集積度が向上したＩＣチップを搭載す
るのに使用するＴＡＢキャリアにラインホールを設けて
歪みを開放し、また、ボンディングに使用するボンディ
ングツールを改良してＴＣＰのアウターリードホールの
内側位置に吸着ノズルが当接するようにしたものであ
る。
るのに使用するＴＡＢキャリアにラインホールを設けて
歪みを開放し、また、ボンディングに使用するボンディ
ングツールを改良してＴＣＰのアウターリードホールの
内側位置に吸着ノズルが当接するようにしたものであ
る。
【００１４】発明者はリード端子がそりを生じ、また、
アウターリード位置がゆがむ原因は積層している材料の
膨張係数の違いとリード端子のパターンが均等に形成さ
れていないことによることから、これにより発生する応
力を開放乃至緩和する方法を研究した。すなわち、図６
に示すようにＴＡＢキャリアは典型的にはベースフィル
ム（ポリイミドフィルム）／Cu箔／ソルダーレジストの
三層構造で構成されているが、これらの材料の線膨張係
数は1.0 ×10-5cm/ ℃／1.65×10-5cm/ ℃／6.5×10-5c
m/ ℃であり、それぞれの接着は200 ℃程度の高温で行
なわれている。
アウターリード位置がゆがむ原因は積層している材料の
膨張係数の違いとリード端子のパターンが均等に形成さ
れていないことによることから、これにより発生する応
力を開放乃至緩和する方法を研究した。すなわち、図６
に示すようにＴＡＢキャリアは典型的にはベースフィル
ム（ポリイミドフィルム）／Cu箔／ソルダーレジストの
三層構造で構成されているが、これらの材料の線膨張係
数は1.0 ×10-5cm/ ℃／1.65×10-5cm/ ℃／6.5×10-5c
m/ ℃であり、それぞれの接着は200 ℃程度の高温で行
なわれている。
【００１５】そのために、積層体の温度を常温にまで戻
した場合には線膨張係数の大きな材料の方にそりを生
じ、また、リード端子が均等な間隔で一様にパターン形
成されていないことから（サポートリングにはリード端
子がないことから）、波打ち状のゆがみを生ずるもの
で、この現象は、図８に示すようにソルダーレジストを
被覆しないＴＣＰについても現れる。こゝで、リード端
子の幅が150 μm でリード端子のピッチが300 μm の場
合にボンディングが無かったのはリード端子の機械的強
度が線膨張係数の差により発生する応力より優っている
からに他ならない。
した場合には線膨張係数の大きな材料の方にそりを生
じ、また、リード端子が均等な間隔で一様にパターン形
成されていないことから（サポートリングにはリード端
子がないことから）、波打ち状のゆがみを生ずるもの
で、この現象は、図８に示すようにソルダーレジストを
被覆しないＴＣＰについても現れる。こゝで、リード端
子の幅が150 μm でリード端子のピッチが300 μm の場
合にボンディングが無かったのはリード端子の機械的強
度が線膨張係数の差により発生する応力より優っている
からに他ならない。
【００１６】そこで、本発明は図１に示すようにデバイ
スホール５とアウターリードホール６との中間領域でリ
ード端子のパターン形成がなされていないサポートリン
グ13から、アウターリードホール６相互間を結ぶタイパ
ー19を通ってツーリングホール７を結ぶ領域にラインホ
ール20の切込みを設けるもので、これにより内部歪みが
開放される。
スホール５とアウターリードホール６との中間領域でリ
ード端子のパターン形成がなされていないサポートリン
グ13から、アウターリードホール６相互間を結ぶタイパ
ー19を通ってツーリングホール７を結ぶ領域にラインホ
ール20の切込みを設けるもので、これにより内部歪みが
開放される。
【００１７】こゝで、ラインホール20はベースフィルム
を選択エッチングしてデバイスホールとアウターリード
ホールとツーリングホールを形成する段階で作ればよ
く、このようにするとＴＡＢキャリアのデバイスホール
にＩＣチップを装着して後、リード端子の切断とホーミ
ングを行なった際に応力が開放され、リード端子のそり
とゆがみを緩和することができる。
を選択エッチングしてデバイスホールとアウターリード
ホールとツーリングホールを形成する段階で作ればよ
く、このようにするとＴＡＢキャリアのデバイスホール
にＩＣチップを装着して後、リード端子の切断とホーミ
ングを行なった際に応力が開放され、リード端子のそり
とゆがみを緩和することができる。
【００１８】次に、ＴＣＰを回路基板に装着するに当た
っては吸着ノズルと加圧ツールとを一体化したボンディ
ングツールが用いられているが、従来は図５に示すよう
にＩＣチップの装着が行なわれているデバイスホール５
の上にからベースフィルム１に掛かるように保護樹脂を
被覆してＩＣチップを保護しているが、この保護樹脂の
中央部で円形の破線で描かれてきる領域22を図示を省略
したノズルで真空吸着することによりＴＣＰ23を固定
し、この状態で回路基板のＩＣチップ搭載位置に位置決
めして後、加圧ツールによりアウターリード９を熱圧着
して半田付けが行なわれていたが、この際、ＴＣＰのリ
ード端子が図８に示したようにそり、また、ゆがんでい
たために、位置ずれが生じていたのである。
っては吸着ノズルと加圧ツールとを一体化したボンディ
ングツールが用いられているが、従来は図５に示すよう
にＩＣチップの装着が行なわれているデバイスホール５
の上にからベースフィルム１に掛かるように保護樹脂を
被覆してＩＣチップを保護しているが、この保護樹脂の
中央部で円形の破線で描かれてきる領域22を図示を省略
したノズルで真空吸着することによりＴＣＰ23を固定
し、この状態で回路基板のＩＣチップ搭載位置に位置決
めして後、加圧ツールによりアウターリード９を熱圧着
して半田付けが行なわれていたが、この際、ＴＣＰのリ
ード端子が図８に示したようにそり、また、ゆがんでい
たために、位置ずれが生じていたのである。
【００１９】然し、本発明の実施によって応力が開放さ
れた結果、図８に示したようなリード端子のそりは無く
なり、アウターリードが回路基板のボンディングパッド
から全くずれて半田付けされてしまうと云う問題は解決
したものゝ、ベースフィルムとCu箔との熱膨張係数の差
は存在するので、リード端子のそりは本質的には無くな
ってはいない。
れた結果、図８に示したようなリード端子のそりは無く
なり、アウターリードが回路基板のボンディングパッド
から全くずれて半田付けされてしまうと云う問題は解決
したものゝ、ベースフィルムとCu箔との熱膨張係数の差
は存在するので、リード端子のそりは本質的には無くな
ってはいない。
【００２０】そこで、本発明に係るボンディングツール
はノズルの当接位置をＴＣＰのアウターリードホールの
内側とするものである。図４（Ａ）はボンディングツー
ルの断面図、また、同図（Ｂ）は平面図であって、点線
で示す四つの領域25をノズルで真空吸着して固定するこ
とによりアウターリード９の変形を抑制し、圧接治具27
で加圧することにより精度の高いボンディングを行なう
ものである。
はノズルの当接位置をＴＣＰのアウターリードホールの
内側とするものである。図４（Ａ）はボンディングツー
ルの断面図、また、同図（Ｂ）は平面図であって、点線
で示す四つの領域25をノズルで真空吸着して固定するこ
とによりアウターリード９の変形を抑制し、圧接治具27
で加圧することにより精度の高いボンディングを行なう
ものである。
【００２１】
【実施例】ベースフィルム／Cu箔／ソルダーレジストよ
りなるＴＡＢキャリアにおいて、ベースフィルムとして
厚さが125 μm のポリイミドを用い、Cu箔の厚さは35μ
mとし、また、ソルダーレジストとして品名CR240GS(朝
日化学研究所) を用いて図１に示すＴＡＢキャリアを形
成した。
りなるＴＡＢキャリアにおいて、ベースフィルムとして
厚さが125 μm のポリイミドを用い、Cu箔の厚さは35μ
mとし、また、ソルダーレジストとして品名CR240GS(朝
日化学研究所) を用いて図１に示すＴＡＢキャリアを形
成した。
【００２２】こゝで、ＩＣチップを搭載するデバイスホ
ールの大きさは10 mm 角であり、またアウターホールの
外側位置での大きさは20 mm 角であり、幅60μm のリー
ド端子256 本が150 μm ピッチでパターン形成されてい
る。また、アウターリードホールを結ぶタイパー19の幅
は１ mm でありこの中央を通りサポートリング13からツ
ーリングホール７を結ぶ位置に幅300 μm のラインホー
ル20を形成した。
ールの大きさは10 mm 角であり、またアウターホールの
外側位置での大きさは20 mm 角であり、幅60μm のリー
ド端子256 本が150 μm ピッチでパターン形成されてい
る。また、アウターリードホールを結ぶタイパー19の幅
は１ mm でありこの中央を通りサポートリング13からツ
ーリングホール７を結ぶ位置に幅300 μm のラインホー
ル20を形成した。
【００２３】かゝるＴＡＢキャリアに大きさが10 mm 角
のＩＣチップを従来と同じ方法で装着し、保護樹脂の被
覆を行なった後にリード端子の切断とホーミングを行な
って形成したＴＣＰについて、リード端子のそりとゆが
みを測定したが、ゆがみは無く、またそりについて従来
のＴＡＢキャリアを使用する場合、ソルダーレジストを
被覆していないものについても最大で200 μm のそりが
存在するのに対し、最大100 μm 程度に抑えることがで
きた。
のＩＣチップを従来と同じ方法で装着し、保護樹脂の被
覆を行なった後にリード端子の切断とホーミングを行な
って形成したＴＣＰについて、リード端子のそりとゆが
みを測定したが、ゆがみは無く、またそりについて従来
のＴＡＢキャリアを使用する場合、ソルダーレジストを
被覆していないものについても最大で200 μm のそりが
存在するのに対し、最大100 μm 程度に抑えることがで
きた。
【００２４】次に、このＴＣＰを回路基板に半田付けす
るに当たって図３に示すような吸着ノズルを使用した。
すなわち、従来の吸着ノズルはボンディングツールの中
央にあり、ＴＣＰのデバイスホールの中央位置に当接す
るよう構成されていたのに対し、吸気管29を同図
（Ｂ），（Ｃ）に示すように四分割し、この各々が三個
づつの吸気孔30を備えて形成した。その結果、図４
（Ｂ）の点線で示す領域25を真空吸着することができ、
この状態でＴＣＰのアウターリードを多層セラミック回
路基板のボンディングパッドに当接し、320 ℃に加熱し
てある圧接治具27を10Kgの荷重で５秒間加熱することで
半田付けを行なったが、ボンディングの位置精度は良好
であった。
るに当たって図３に示すような吸着ノズルを使用した。
すなわち、従来の吸着ノズルはボンディングツールの中
央にあり、ＴＣＰのデバイスホールの中央位置に当接す
るよう構成されていたのに対し、吸気管29を同図
（Ｂ），（Ｃ）に示すように四分割し、この各々が三個
づつの吸気孔30を備えて形成した。その結果、図４
（Ｂ）の点線で示す領域25を真空吸着することができ、
この状態でＴＣＰのアウターリードを多層セラミック回
路基板のボンディングパッドに当接し、320 ℃に加熱し
てある圧接治具27を10Kgの荷重で５秒間加熱することで
半田付けを行なったが、ボンディングの位置精度は良好
であった。
【００２５】
【発明の効果】本発明の実施によりリード端子の幅が10
0 μm 以下のＴＣＰについても位置精度よくボンディン
グすることが可能となり、これにより従来の問題を解決
することができる。
0 μm 以下のＴＣＰについても位置精度よくボンディン
グすることが可能となり、これにより従来の問題を解決
することができる。
【図１】 本発明に係るＴＡＢキャリアの平面図であ
る。
る。
【図２】 従来のＴＡＢキャリアの平面図である。
【図３】 本発明に係る吸着ノズルの上面図（Ａ），断
面図（Ｂ）および底面図（Ｃ）である。
面図（Ｂ）および底面図（Ｃ）である。
【図４】 本発明に係るボンデイングツールの断面図
（Ａ）と真空吸着位置を示すＴＣＰの平面図（Ｂ）であ
る。
（Ａ）と真空吸着位置を示すＴＣＰの平面図（Ｂ）であ
る。
【図５】 ＴＣＰへの従来の真空吸着位置を示す平面図
である。
である。
【図６】 ＴＡＢキャリアの材料構成を示す断面図であ
る。
る。
【図７】 ＴＣＰの断面図である。
【図８】 従来のＴＣＰの断面図である。
１ ベースフィルム ２ Cu箔 ３ ソルダーレジスト ５ デバイスホール ６ アウターリードホール ７ ツーリングホール ８ インナーリード ９ アウターリード 11 リード端子 13 サポートリング 15 ＩＣチップ 17 保護樹脂 19 タイパー 20 ラインホール 23 ＴＣＰ 26 吸着ノズル 27 圧接治具 29 吸気管 30 吸気孔
Claims (2)
- 【請求項１】 スプロケットにより移動するスプロケッ
トホール（４）を両側にもつベースフィルム（１）を選
択エッチングして、半導体ＩＣを搭載するデバイスホー
ル（５）と、アウターリードホール（６）と、半導体Ｉ
Ｃの位置決めを行なうツーリングホール（７）とを形成
し、該ベースフィルム（１）の上に銅箔を接着した後、
該銅箔を選択エッチングしてインナーリード（８）と、
アウターリード（９）と、テストパッド(10)とを備えた
リード端子(11)を多数個パターン形成した後、デバイス
ホール（５）とアウターリードホール（６）との中間領
域にパターン形成してある多数のリード端子(11)に必要
に応じてソルダーレジストを被覆してなるＴＡＢキャリ
アにおいて、 前記ベースフィルム（１）を選択エッチングする際に、
デバイスホール（５）とアウターリードホール（６）と
の中間領域でリード端子(11)のパターン形成がなされて
いないサポートリング(13)から、アウターリードホール
（６）間を結ぶタイパー(19)を通ってツーリングホール
（７）を結ぶ領域にラインホール(20)を設けたことを特
徴とするＴＡＢキャリア。 - 【請求項２】 半導体ＩＣを搭載してあるＴＣＰのアウ
ターリード（９）を、回路基板上にパターン形成してあ
るパッドに接続するのに使用するボンディングツールの
吸着ノズルが、方形をした枠体の底部に複数の吸着孔(3
0)すると共に、該枠体の底面がＴＣＰのアウターリード
ホール（６）の内側位置に当接するよう構成されている
ことを特徴とするボンディングツール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5206574A JPH0758159A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | Ｔａｂキャリアとボンディングツール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5206574A JPH0758159A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | Ｔａｂキャリアとボンディングツール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758159A true JPH0758159A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16525661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5206574A Withdrawn JPH0758159A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | Ｔａｂキャリアとボンディングツール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758159A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002023617A1 (en) * | 2000-09-12 | 2002-03-21 | Mitsui Mining & Smelting Company, Ltd. | Two-metal tab tape, double-sided csp tape, bga tape, and method for manufacturing the same |
-
1993
- 1993-08-20 JP JP5206574A patent/JPH0758159A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002023617A1 (en) * | 2000-09-12 | 2002-03-21 | Mitsui Mining & Smelting Company, Ltd. | Two-metal tab tape, double-sided csp tape, bga tape, and method for manufacturing the same |
| US6798048B2 (en) | 2000-09-12 | 2004-09-28 | Mitsui Mining & Smelting Company, Ltd. | 2-Metal layer TAB tape and both-sided CSP•BGA tape |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001031 |