JPH075552Y2 - 光磁気ディスク装置におけるバイアス磁界発生装置支持機構 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案光磁気ディスクにおけるバイアス磁界発生装置支
持機構を以下の項目に従って説明する。

A.産業上の利用分野 B.考案の概要 C.従来技術［第９図］ D.考案が解決しようとする問題点 E.問題点を解決するための手段 F.実施例［第１図乃至第８図］ Ｆ−1.第１の実施例［第１図乃至第４図］ a.フレーム b.カセット保持体 c.バイアス磁界発生装置支持機構 ｃ−1.回動ベース ｃ−2.弾発部材 ｃ−3.支持体 ｃ−4.支持体の回動ベースへの取付 ｃ−5.回動ベースの組み付け d.動作 Ｆ−2.第２の実施例［第５図乃至第８図］ a.回動ベース b.弾発部材 c.支持体 d.支持体の回動ベースへの取付 e.回動ベースの組み付け f.動作 G.考案の効果 （A.産業上の利用分野） 本考案は新規な光磁気ディスクにおけるバイアス磁界発
生装置支持機構に関する。詳しくは、部品点数を減少せ
しめて、構造が簡単であると共にバイアス磁界発生装置
をカセット保持体の動きに同期させ、かつ、カセット保
持体の移動ストロークに対するバイアス磁界発生装置の
相対移動ストロークを確実に確保することができる新規
な光磁気ディスク装置におけるバイアス磁界発生装置支
持機構を提供しようとするものである。

（B.考案の概要） 本考案光磁気ディスク装置におけるバイアス磁界発生装
置支持機構は、回動ベースをフレームに回動自在に支持
すると共に該回動ベースの当接部をフレームに対して移
動自在なカセット保持体に弾発的に当接することによっ
て、カセット保持体の移動に伴って回動ベースが回動し
てそのある部分がカセット保持体の移動ストロークに対
する所定比の移動ストロークで移動するようにし、更
に、該回動ヘースの当接部より回動端寄りの位置にバイ
アス磁界発生装置を支持する支持体を回動自在に支持
し、これによって、簡単な構造であるにもかかわらず、
バイアス磁界発生装置がカセット保持体の移動に同期
し、かつ、カセット保持体の移動ストロークに対する所
定の比率による移動ストロークで確実に移動されるよう
にしたものである。

（C.従来の技術）［第９図］ 光磁気ディスクに対する信号の書き込みと読み出しを行
なう光磁気ディスク装置にあってはバイアス磁界発生装
置が必要である。

しかも、バイアス磁界発生装置は光磁気ディスクが使用
に供されているときは、光磁気ディスクと近接している
ことが必要であるが、光磁気ディスクカセットがカセッ
ト保持体に挿入され又は取り出される場合にはその邪魔
にならない位置に逃げている必要がある。

第９図にその概要を示すと、ａはターンテーブル、ｂは
カセットトレー、即ち、カセット保持体であり、上下に
移動可能とされている。ｃはカセットトレーｂ内に着脱
自在に挿入される光磁気ディスクカセットであり、その
中には光磁気ディスクｄが回転自在に収納されている。

そして、カセットトレーｂがターンテーブルａから離れ
て位置している状態（第９図（Ａ）参照）において、カ
セットトレーｂへの光磁気ディスクカセットｃの挿入及
び取出が為され、光磁気ディスクカセットｃが挿入され
た状態でカセットトレーｂが下降して行き、光磁気ディ
スクｄの中心に設けられたセンターコアｅがターンテー
ブルａに装着される（第９図（Ｂ）参照）。

ｆはバイアス磁界発生装置であり、光磁気ディスクｄが
ターンテーブルａに装着された状態では、第９図（Ｂ）
に示すように、光磁気ディスクｄに近接して位置する必
要があるが、カセットトレーｂに光磁気ディスクカセッ
トｃを出し入れする位置（第９図（Ａ）参照）において
バイアス磁界発生装置ｆが光磁気ディスクｄに近接して
位置していると、カセットトレーｂに対する光磁気ディ
スクカセットｃの挿入や取出を行なうのに邪魔になるの
で、バイアス磁界発生装置ｆは、第９図（Ａ）に示すよ
うに、カセットトレーｂから離間している必要がある。

従って、バイアス磁界発生装置ｆは、カセットトレーｂ
の上下移動ストロークScに対し、それより大きい上下移
動ストロークSfを必要とすることになる。

（D.考案が解決しようとする問題点） ところで、従来にあっては、バイアス磁界発生装置を移
動するのに、カセット保持体の移動機構とは別系統移動
機構を用いていた。

そのため、従来にあっては、構造が複雑になるだけでな
く、カセット保持体の移動とタイミングを合わせてバイ
アス磁界発生装置を移動するのが困難で、相互の間の移
動のタイミングをとり難いという問題があり、また、カ
セット保持体の移動ストロークに対してバイアス磁界発
生装置の移動ストロークに正確にすることができないな
どの問題点があった。

（E.問題点を解決するための手段） 本考案光磁気ディスク装置におけるバイアス磁界発生装
置支持機構は、上記した問題点を解決するために、回動
ベースをフレームに回動自在に支持すると共に該回動ベ
ースの当接部をフレームに対して移動自在なカセット保
持体に弾発的に当接し、該回動ベースの当接部より回動
端寄りの位置にバイアス磁界発生装置を支持する支持体
を回動自在に支持したものである。

従って、本考案光磁気ディスク装置におけるバイアス磁
界発生装置支持機構にあっては、回動ベースはフレーム
に回動自在に支持されると共にその当接部がカセット保
持体に弾発的に当接されているので、カセット保持体が
移動をすれば、それに伴なって回動ベースが移動するの
で、この回動ベースにバイアス磁界発生装置を支持した
支持体を支持しておくことによって、特別な移動機構が
無くてもバイアス磁界発生装置を移動させることがで
き、構造がきわめて簡単になる。また、バイアス磁界発
生装置はカセット保持体が移動を開始すればそれと同時
に移動を開始し、また、カセット保持体の移動が止まれ
ば、同時にバイアス磁界発生装置もその移動が停止され
るので、カセット保持体の移動とバイアス磁界発生装置
の移動とを複雑な機構を要せずして完全に同期させるこ
とができる。更に、回動ベースの回動支点と当接部との
間の間隔と回動ベースの回動支点と支持体が支持された
位置との間の間隔との比を選ぶことによって、カセット
保持体の移動ストロークとバイアス磁界発生装置の移動
ストロークとの比を任意に設定することができる。

（F.実施例）［第１図乃至第８図］ 以下に、本考案光磁気ディスク装置におけるバイアス磁
界発生装置支持機構の詳細を図示した実施例に従って説
明する。

（Ｆ−1.第１の実施例）［第１図乃至第４図］ （a.フレーム） １は光磁気ディスク装置のフレームであり、金属板によ
り平面形状で前方が開口した略コ字形に形成さている。

２はフレーム１の左右両側板1a、1bの前端寄りの上縁間
に架け渡された桟である。

３は桟２の左右方向における中央部に固定されたブラケ
ットであり、その両端部に支持辺４、４が後方へ向って
突設されている。該支持辺４、４が上下方向及び前後方
向に沿う向きの板状に形成されており、その略中央部に
支持孔５、５が形成されている。６、６はスリットであ
り、支持辺４、４の後端縁と支持孔５、５との間を連通
している。

（b.カセット保持体） ７はカセット保持体であり、天板８と該天板８の左右両
側縁から垂下された側縁９、９を有し、側壁９、９の下
縁には内方へ僅かに突出した支受縁10、10が形成されて
いる。

そして、このようなカセット保持体７は図示しない支持
機構によってフレーム１に上下方向へ移動自在なるよう
に支持されていると共に、図示しない移動機構によって
上下方向に移動せしめられる。

そして、カセット保持体７が移動ストロールの上限に来
た位置でその前側から図示しない光磁気ディスクを回転
自在な状態で収納した光磁気ディスクカセット11の挿入
及び取出が為され、光磁気ディスクカセット11が挿入さ
れた状態でカセット保持体が移動ストロークの下限まで
移動されることによって光磁気ディスクカセット11が所
定の装着位置に装着され、光磁気ディスクが図示しない
ターンテーブル上に載置される。

12はカセット保持体７の天板８の中央に形成された大き
な開口である。

（c.バイアス磁界発生装置支持機構） 13はバイアス磁界発生装置支持機構である。

（ｃ−1.回動ベース） 14は回動ベースであり、金属板により、平面形状で略コ
字状に形成されている。即ち、基部15の左右両側端から
２つの腕片16、16が後方へ向って突設されている。

基部15の前縁の両側端には上方へ向って立ち上げられた
突片17、17が突設されていて、これら突片17、17の互い
に対向した縁の中央からは互いの方に向って突出した軸
片18、18が形成されている。

基部15の前縁の中央部には浅い切欠19が形成されてお
り、該切欠19の奥縁には上方へ向って突出した位置決片
20が形成されている。

基部15の後縁にはその両端を僅かに残した部分に上方へ
向って突出した立壁21が形成されている。そして、該立
壁21の両端の下半部が切り欠かれて係合切欠２、22が形
成されている。また、上記立壁21の上縁中央部からはス
トッパー片23が後方へ向って突設されている。

腕片16、16の外側縁に沿って上方へ向って突出された立
壁24、24が形成されており、該立壁24、24上縁の前後方
向における略中央部には更に上方へ突出した突部25、25
が形成され、該突部25、25の上縁中央に係合切欠26、26
が形成されている。更に、立壁24、24の後端には後方に
開いた係合切欠27、27が形成されている。

腕片16、16の内側縁のうち上記突部25、25に略対応した
位置には下方に向って突出された当接片28、28が形成さ
れており、該当接片28、28の下縁28a、28aは緩い曲率の
円弧縁となっている。29は右側の腕片16の外側縁のうち
内側縁に形成された前記当接片28に対応した位置から下
方へ向けて突設された当接片であり、この当接片29の下
縁29aも緩い曲率の円弧縁となっている。尚、当接片2
8、28及び29の腕片16、16からの突出量は同じであり、
また、各円弧縁28a、28a及び29aの曲率も同じに形成さ
れている。

（ｃ−2.弾発部材） 30は第１のばねであり、線ばね材料によって平面形状で
見て略コ字形に形成されている。即ち、左右方向に延び
長さが回動ベース14の基部15の長さより稍短い連結部31
と該連結部31の左右両端から後方へ向って延びる作用腕
32、32とこれら作用腕32、32の先端から外側方へ向って
突設された押え片33、33とから成り、押え片33、33はそ
の先端から前方へ向って折り返された係合片33a、33aを
有している。

そして、作用腕32、32は中間の２点32a、32a、・・・で
鈍角に屈曲されて側方から見て低い台形状に形成されて
中央部32b、32bが連結部31や押え片33に比して高い位置
にあるようにされている。

上記の如き第１のばね30の次のようにして回動ベース14
に取着される。

即ち、連結部31が回動ベース14の基部15の前縁に形成さ
れた位置決片20の前面に沿って位置される。また、作用
腕32、32の前側の屈曲点32a、32aより稍前側の部分が、
基部15の後縁の立壁21の左右両端部に形成された係合切
欠22、22に係合される。そして、押え片33、33はその先
端部と係合片33a、33aが回動ベース14の腕片16、16の外
縁に設けられた立壁24、24の後端に形成された係合切欠
27、27に係合される。第１のばね30は以上のようにして
回動ベース14に取着される。

第１のばね30が回動ベース14に上記したように取着され
た状態で、押え片33、33と腕片16、16の後端部上面との
間には僅かに隙間が形成される。また、上記取付状態に
おいては、連結部31と押え片33、33の下方へ移動が阻止
されており、かつ、作用腕32、32の一部が係合切欠22、
22と係合されていることによって、作用腕32、32はその
台形が低くなるように稍押し潰された状態となり、これ
によって、作用腕32、32に反発力が蓄えられ、該反発力
によって押え片33、33に下方への移動力が付勢されてい
る。

34は第２のばねであり、これも線ばね材料で形成されて
いる。

35は第２のばね34の連結部であり、回動ベース14の基部
15の長さより僅かに短い長さを有しており、この連結部
35の左右両端から後方に向って中間片36、36が突設さ
れ、更に、中間片36、36の後端から外側方に向って連結
腕37、37が突設されてている。

連結腕37、37はその先端が上方に位置するように傾斜さ
れており、また、先端には略Ｕ字状にかつ下側から折り
返されて係合片37a、37aが形成されている。

そして、このような第２のばね34は、その連結部35が回
動ベース14の基部15にその後縁に形成された立壁21の前
面に沿って載置され、連結腕37、37の中間片36、36と連
結した側の端部が、回動ベース14の腕片16、16の外縁に
沿って形成された立壁24、24の突部25、25に設けられた
係合切欠26、26に係合される。

第２のばね34が上記のようにして回動ベース14に取着さ
れた状態において、連結腕37、37は先端が上方へ上がる
ように傾斜されている。

尚、各ばね30、34の回動ベース14への取付順序は、第２
のばね34を先に、対で第１のばね30という順序にする
と、第２のばね34の連結部35の両端部に第１のばね30の
作用腕32、32の一部が上方から被さるように位置し、第
２のばね34の回動ベース14からの脱落が防止される。

（ｃ−3.支持体） 38はバイアス磁界発生装置を支持する支持体である。

支持体38は合成樹脂で形成され前後に長い浅い角皿状を
した主部39を有している。そして、この主部39にバイア
ス磁界発生装置40が支持される。尚、バイアス磁界発生
装置40の詳細な説明及び図示は省くが、該バイアス磁界
発生装置40はバイアス磁界発生用のコイル、磁束集中用
磁石等を備えている。

主部39の後縁には上方に向って突壁41が突設されてお
り、該突壁41の左右方向における中央部には係合切欠42
が形成されている。

43、43は主部39の両側縁に前後方向における略中央の部
分から外方へ向って突設された結合片である。

結合片43、43の上面のうち前縁に接し、かつ、主部39の
側縁から離間した位置に突部44、44が形成されており、
該突部44、44はその上面44a、44aが前下がりに傾斜され
ている。

45、45は結合片43、43の上面のうち前記突部44、44の後
端から後方へ僅かに離間した位置に突設されたストッパ
ーであり、主部39の側面と突部44、44とストッパー45、
45との間にＬ字形をした据付溝46、46が形成される。

結合片43、43の下面の前端縁43a、43aは曲面状に面取り
されている。また、結合片43、43の下面のうち前端縁43
a、43aから稍後方に寄った位置に左右方向に延びる突条
47、47の下面47a、47aは側面から見て凸円弧面とされて
いる。

48は主部39の後端縁の左右方向における略中央部から後
方に向って突設された支持片であり、該支持片48の後端
には下方へ向って突設された高さ規制部49が設けられて
いる。

（ｃ−4.支持体の回動ベースへの取付） 支持体38を回動ベース14に取着するには次のようにす
る。

即ち、支持体38の結合片43、43の前端縁を回動ベース14
の腕片16、16の後端部上面と第１のばね30の結合片33、
33との間の隙間に当てがう。その状態から、支持体38を
前方へ向って移動させれば、結合片43、43はそれに設け
られた突部44、44の斜面44a、44aが第１のばね30の押え
片33、33にそれに及んでいる弾発力に抗して押し上げな
がら進み、やがて、押え片33、33が据付溝46、46の突部
44、44とストッパー45、45との間に落ち込んだところで
支持体38の前進が停止し、回動ベース14に取り付けられ
たことになる。そして、この状態において、結合片43、
43の下面に形成された突条47、47の下面47a、47aが第１
のばね30の押え片33、33に作用している弾発力によって
回動ベース14の腕片16、16の後端部上面に弾発的に押し
付けられる。これによって、支持体38はその中央部が回
動ベース14の腕片16、16の後端部に回動自在に取り付け
られたことになる。

（ｃ−5.回動ベースの組み付け） 先ず、回動ベース14をその後端が情報に位置するように
して立てた状態でその軸片18、18をフレーム１の桟２に
取着されたブラケット３のスリット６、６を通して支持
孔５、５に挿入する。それから、回動ベース14を略水平
になるまで回動する。すると、軸片18、18が上記スリッ
ト６、６を通過することができない向きとなるので、こ
れによって、回動ベース14がフレーム１に回動自在に支
持されることになる。

そして、回動ベース14はその当接片28、28、29の下端28
a、28a、29aがカセット保持体７の天板８上面に当接さ
れた状態となる。そこで、第２のばね34の連結腕37、37
の先端部を下方へ移動させ、その係合片37a、37aをカセ
ット保持体７の天板８上面に突設された係止片50、50に
形成された水平な係止溝51、51の上縁に設けられた切欠
51、51の上縁に設けられた切欠51a、51aに係合する。こ
れによって、第２のばね34の連結腕37、37に弾発力が蓄
えられ、この弾発力が回動ベース14の当接片28、28、29
をカセット保持体７の天板８上面に弾発的に押し付ける
ように作用する。

回動ベース14は以上のようにして組み付けられ、その腕
片16、16の後端部にバイアス磁界発生装置40の支持体38
が回動自在に支持されることになる。

尚、52はフレーム１の後側板1cの上縁に前方へ突出する
ように取着されたストッパー板であり、支持体38の支持
片38の後端部に上方から臨むように位置され、支持体38
の後端が不必要に上方へ移動してしまうのを防止するた
めのものである。尚、このストッパー板52は回動ベース
14及び支持体38がフレーム１に組み付けられた後に取着
される。

（d.動作） しかして、カセット保持体７が移動ストロークの上限、
即ち、このカセット保持体７への光磁気ディスクカセッ
ト11の挿入及び取出を行なう位置に来ているときは、第
４図（Ａ）に示すように、回動ベース14は略水平な姿勢
に保たれており、支持体38はカセット保持体７の天板８
から稍上方に逃げた位置にある。

そして、カセット保持体７が移動ストロークの下限まで
移動すると、回動ベース14はその当接片28、28、29の下
端28a、28a、29aに作用している第２のばね34による下
方への移動力を支えているカセット保持体７の天板８が
下方へ逃げることになるので、当接片28、28、29はそれ
８に追従して下方へ移動し、これによって回動ベース14
が下方へ向って回動する。

回動ベース14が下方へ向って回動すると、当接片28、2
8、29より回動端側で支持されている支持体38は当接片2
8、28、29の下降ストローク以上に下降する。即ち、支
持体38はカセット保持体７の下降ストローク以上の下降
ストロークで下降し、その下側の部分は天板８に形成さ
れた開口12からカセット保持体７内に入り込んで、カセ
ット11内に収納された図示しない光磁気ディスクに近接
し得るようになる。

尚、支持体38が下降したとき、その高さ規制部49の下端
がフレーム１に設けられた図示しない高さ規制突部と当
接し、また、主部39の前端部下面がカセット保持体７の
天板８に設けられた規制リブ53に当接してその姿勢が保
たれる。そして、この状態で支持体38の結合片43、43は
回動ベース14が支持体38が結合されていなければ回動し
得た状態の回動端の位置より僅かに上方に位置するた
め、第１のばね30や第２のばね34による弾発力が支持体
38を上記高さ規制突部と規制リブ53に押し付けることに
なり、支持体38の高さが正確に規定される。

そして、カセット保持体７がその移動ストロークの下限
から上限まで移動すると、回動ベース14は上方へ回動さ
れ、その回動端に支持された支持体38はカセット保持体
７の上昇ストロークより大きい上昇ストロークで上昇
し、カセット保持体７が移動ストロークの上限に達した
ところで、は支持体38はカセット保持体７から充分に上
方に逃げた位置にあり、カセット保持体７への光磁気デ
ィスクカセット11の出し入れには全く支障がなくなる。

（Ｆ−2.第２の実施例）［第５図乃至第８図］ 第５図乃至第８図は本考案光磁気ディスク装置における
バイアス磁界発生装置支持機構の第２の実施例13Aを示
すものである。

（a.回動ベース） 54は回動ベースであり金属板により形成されている。

55は回動ベース54の基部であり左右方向に稍長い長方形
状の板状をしている。

基部55の略中央部には略正方形の孔56が形成されてお
り、該孔56の後縁の左右方向における中央部には下方へ
向って突出した係止片57が形成されており、該係止片57
はその下端に前方へ向って突出した押え片57aを有して
いる。

また、孔56の側縁には下方へ向って突出した突片58、58
が形成されており、該突片58、58の後縁には係合切欠58
a、58aが形成されている。

59、59は基部55の前縁の左右両端より稍内側の位置から
下方へ向って突設された突片であり、その外端には係合
切欠59a、59aが形成されている。

基部55の左右両側端からは腕片60、60が前方へ向って突
設されている。

61、61は立壁であり、基部55及び腕片60、60の外側縁に
沿ってかつ下方へ向けて突出するように形成されてい
る。

上記立壁61、61の後端には略鎌形をした支持片62、62が
突設されており、立壁61、61の後端部とこの支持片62、
62とによって稍斜め後上がりに延びかつ後方に開口した
略Ｕ字状の係合部63、63が形成されている。

立壁61、61の前後方向における中間の部分には下方へ向
って突出した略半円状をした当接片64、64が形成されて
いる。

更に、立壁61、61の前端部にはその下縁から内方へ向っ
て突出された受片65、65が形成されている。該受片65、
65は稍後下がりに傾斜されている。

66、66は立壁61、61の前端部から上方へ向って突設され
た突片であり、該突片66、66と立壁61、61の前端部とに
またがって前端に開口した係合切欠67、67が形成されて
いる。

68、68は腕片60、60の内側縁の基端部、即ち、後端部に
形成された浅い切欠であり、該切欠68、68の前端には上
方へ向って突出した突起69、69が形成されている。

（b.弾発部材） 70は第１のばねであり、線ばね材料によって平面形状で
見て略コ字状に形成されている。即ち、左右方向に延び
長さが回動ベース54の基部55の長さより稍短い連結部71
と該連結部71の左右両端から前方へ向って延びる作用腕
72、72とこれら作用腕72、72の先端から外側方へ向って
突設された押え片73、73とから成り、押え片73、73はそ
の先端から後方へ向って折り返された係合片73a、73aを
有している。

そして、作用腕72、72は中間の２点72a、72a、・・・で
鈍角に屈曲されて側方から見て低い台形状に形成されて
中央部72b、72b、・・・が連結部71や押え片73に比して
高い位置にあるようにされている。

上記の如き第１のばね30は次のようにして回動ベース54
に取着される。

即ち、連結部71の中心より左右に寄った部分が回動ベー
ス54の基部55に形成された突片58、58の係合切欠58a、5
8aに係合される。また、作用腕72、72の後側の屈曲点72
a、72aより稍後側の部分が、基部15の前縁の左右両端部
に形成された突片59、59の係合切欠59a、59aに係合され
る。そして、押え片73、73はその先端部と係合片73a、7
3aが回動ベース54の外縁に設けられた立壁61、61の前端
に形成された係合切欠67、67に係合される。第１のばね
70は以上のようにして回動ベース54に取着される。

第１のばね70が回動ベース54に上記したように取着され
た状態で、押え片73、73と受片65、65の前端寄りの部分
の上面との間には僅かに隙間が形成される。また、上記
取付状態においては、連結部71と押え片73、73の下方へ
の移動が阻止されており、かつ、作用腕72、72の一部が
係合切欠59a、59aと係合されていることによって、作用
腕72、72はその台形が低くなるように稍押し潰された状
態となり、これによって、作用腕72、72に反発力が蓄え
られ、該反発力によって押え片73、73に下方への移動力
が付勢されている。

74は第２のばねであり、これも線ばね材料で形成されて
いる。

75は第２のばね74の連結部であり、回動ベース54の基部
55の長さより僅かに短い長さを有しており、この連結部
75の左右両端から前方に向って中間片76、76が突設さ
れ、更に、中間片76、76の前端から外側方に向って連結
腕77、77が突設されている。

連結腕77、77はその先端が上方に位置するように傾斜さ
れており、また、先端には略Ｕ字状にかつ下側から折り
返された係合片77a、77aが形成されている。

そして、このような第２のばね74は、その連結部75の中
央部が回動ベース54の基部55に形成された係止片57の前
面に下方から押え片57aが臨んだ状態で係合され、連結
腕77、77の中間片76、76と連結した側の端部が、回動ベ
ース54の腕片60、60の内縁に沿って形成された切欠68、
68から腕片60、60の上面を横切って外方へ向って張り出
している。

第２のばね74が上記のようにして回動ベース54に取着さ
れた状態において、連結腕77、77は先端が上方へ上がる
ように傾斜されている。

（c.支持体） 78はバイアス磁界発生装置を支持する支持体である。

支持体78は合成樹脂で形成され前後に長い浅い角皿状を
した主部79を有している。そして、この主部79にバイア
ス磁界発生装置80が支持される。尚、バイアス磁界発生
装置80の詳細な説明及び図示は省くが該バイアス磁界発
生装置80はバイアス磁界発生用のコイル、磁束集中用磁
石等を備えている。

81、81は主部79の両側縁の前後方向における略中間の部
分から外方へ向って突設された結合片である。

結合片81、81の上面のうち後縁に接し、かつ、主部79の
側縁から離間した位置に突部82、82が形成されており、
該突部82、82はその上面82a、82aが後下がりに傾斜され
ている。

83、83は結合片81、81の上面のうち前記突部82、82の前
端から前方へ僅かに離間した位置に突設されたストッパ
ーであり、主部79の側面と突部82、82とストッパー83、
83との間にＬ字形をした据付溝84、84が形成される。

結合片81、81の下面の後端縁81a、81aは曲面状に面取り
されてる。また、結合片81、81の下面のうち後端縁81
a、81aから稍前方に寄った位置に左右方向に延びる突条
85、85が形成されており、そして、該突条85、85の下面
85a、85aは側面から見て凸円弧面とされている。

86は主部79の後端縁の左右方向における略中央部から後
方に向って突設された支持片であり、該支持片86の後端
には下方へ向って突設された高さ規制部87が設けられて
いる。

（d.支持体の回動ベースへの取付） 支持体78を回動ベース54に取着するには次のようにす
る。

即ち、支持体78の結合片81、81の後端縁を回動ベース54
の受片65、65の上面と第１のばね70の押え片73、73との
間の隙間に当てがう。その状態から、支持体78を後方へ
向って移動させれば、結合片81、81はそれに設けられた
突部82、82の斜面82a、82aが第１のばね70の押え片73、
73をそれに及んでいる弾発力に抗して押し上げながら進
み、やがて、押え片73、73が据付溝84、84の突部82、82
とストッパー83 83との間に落ち込んだところで支持体78の後方への移動
が停止し、回動ベース54に取り付けられたことになる。
そして、この状態において、結合片81、81の下面に形成
された突条85、85の下面85a、85aが第１のばね70の押え
片73、73に作用している弾発力によって回動ベース54の
腕片60、60の前端部に設けられた受片65、65の上面に弾
発的に押し付けられる。これによって、支持体78はその
中央部が回動ベース54の腕片60、60の前端部に回動自在
に取り付けられる。

（e.回動ベースの組み付け） 先ず、回動ベース54の後端部両側に形成された係合部6
3、63をフレーム１の後側板1cの上縁に前方へ突出する
ように取着されたブラケット88に支持された支持軸89に
回動自在に係合する。

そして、回動ベース54をその当接片64、64の下端がカセ
ット保持体７の天板８上面に当接された状態とする。そ
こで、第２のばね74の連結腕77、77の先端部を下方へ移
動させ、その係合片77a、77aをカセット保持体７の天板
８上面に突設された係止片50、50に形成された水平な係
止溝51、51の上縁に設けられた切欠51a、51aに係合す
る。これによって、第２のばね74の連結腕77、77に弾発
力が蓄えられ、この弾発力が回動ベース54の当接片64、
64をカセット保持体７の天板８上面に弾発的に押し付け
るように作用する。

回動ベース54は以上のようにして組み付けられ、その腕
片60、60の前端部にバイアス磁界発生装置80の支持体78
が回動自在に支持されることになる。

（f.動作） しかして、カセット保持体７が移動ストロークの上限、
即ち、このカセット保持体７への光磁気ディスクカセッ
ト11の挿入及び取出を行なう位置に来ているときは、第
８図（Ａ）に示すように、回動ベース54は略水平な姿勢
に保たれており、支持体78はカセット保持体７の天板８
から稍上方に逃げた位置にある。

そして、カセット保持体７が移動ストロークの下限まで
移動すると、回動ベース54はその当接片64、64の下端に
作用している第２のばね74による下方への移動力を支え
ているカセット保持体７の天板８が下方へ逃げることに
なるので、当接片64、64はそれ８に追従して下方へ移動
し、これによって回動ベース54が下方へ向って回動す
る。

回動ベース54が下方へ向って回動すると、当接片64、64
より回動端側で支持されている支持体78は当接片64、64
の下降ストローク以上の下降ストロークで下降する。即
ち、支持体78はカセット保持体７の下降ストローク以上
の下降ストロークで下降し、その下側の部分は天板８に
形成された開口12からカセット保持体７内に入り込ん
で、カセット11内に収納された図示しない光磁気ディス
クに近接し得るようになる。

尚、支持体78が下降したとき、その高さ規制部87の下端
がフレームに設けられた図示しない高さ規制突部と当接
し、また、主部79の前端部下面がカセット保持体７の天
板８に設けられた規制リブ90に当接してその姿勢が保た
れる。そして、この状態で支持体78の結合片81、81は回
動ベース54が支持体78が結合されていなければ回動し得
た状態の回動端の位置より僅かに上方に位置するため、
第１のばね70や第２のばね74による弾発力が支持体78を
上記高さ規制突部と規制リブ90に押し付けることにな
り、支持体78の高さが正確に規定される。

そして、カセット保持体７がその移動ストロークの下限
から上限まで移動すると、回動ベース54は上方へ回動さ
れ、その回動端に字された支持体78はカセット保持体７
の上昇ストロークより大きい上昇ストロークで上昇し、
カセット保持体７が移動ストロークの上限に達したとこ
ろでは支持体78はカセット保持体７から充分に上方に逃
げた位置にあり、カセット保持体７への光磁気ディスク
カセット11の出し入れには全く支障がなくなる。

（G.考案の効果） 以上に記載したところから明らかなように、本考案光磁
気ディスク装置におけるバイアス磁界発生装置支持機構
は、光磁気ディスクが収納されたカセットを保持して略
光磁気ディスクの厚さ方向に移動するカセット保持体
と、カセット保持体を移動自在に支持ているフレーム
と、フレームに回動自在に支持されると共に回動支点と
回動端との間の当接部がカセット保持体の移動方向にお
ける一方の面に当接された回動ベースと、該回動ベース
の当接部がカセット保持体の上記一方の面に対して弾発
付勢する弾発部材と、バイアス磁界発生装置を支持する
と共に上記回動ベースに当接部より回動端寄りの位置で
回動自在に支持された支持体とを備えたことを特徴とす
る。

従って、本考案光磁気ディスク装置におけるバイアス磁
界発生装置支持機構にあっては、回動ベースはフレーム
に回動自在に支持されると共にその当接部がカセット保
持体に弾発的に当接されているので、カセット保持体が
移動すれば、それに伴って回動ベースが移動するので、
この回動ベースにバイアス磁界発生装置を支持した支持
体を支持しておくことによって、特別な移動機構が無く
てもバイアス磁界発生装置を移動させることができ、構
造がきわめて簡単になる。また、バイアス磁界発生装置
はカセット保持体が移動を開始すればそれと同時に移動
を開始し、また、カセット保持体の移動が止まれば、同
時にバイアス磁界発生装置もその移動が停止されるの
で、カセット保持体の移動とバイアス磁界発生装置の移
動とを複雑な機構を要せずして完全に同期させることが
できる。更に、回動ベースの回動支点と当接部との間の
間隔と回動ベースの回動支点と支持体が支持された位置
との間の間隔との比を選ぶことによって、カセット保持
体の移動ストロークとバイアス磁界発生装置の移動スト
ロークとの比を任意に設定することができる。

尚、上記した各実施例にあっては、回動ベースの組み付
け性、回動ベースと支持体との取付作業性がきわめて良
好であると共に、構造が簡単である。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は本考案光磁気ディスク装置における
バイアス磁界発生装置支持機構の第１の実施例を示すも
ので、第１図は要部の斜視図、第２図は要部の分解斜視
図、第３図は平面図、第４図は動作を示す要部の側面
図、第５図乃至第８図は本考案光磁気ディスク装置にお
けるバイアス磁界発生装置支持機構の第２の実施例を示
すもので、第５図は要部の斜視図、第６図は要部の分解
斜視図、第７図は平面図、第８図は動作を示す要部の側
面図、第９図は従来の光磁気ディスク装置におけるバイ
アス磁界発生装置支持機構の一例とその動作を示す断面
図である。 符号の説明 １……フレーム、７……カセット保持体、11……カセッ
ト、13……光磁気ディスク装置におけるバイアス磁界発
生装置支持機構、14……回動ベース、28、29……当接
部、34……弾発部材、38……支持体、40……バイアス磁
界発生装置、13A……光磁気ディスク装置におけるバイ
アス磁界発生装置支持機構、54……回動ベース、64……
当接部、74……弾発部材、78……支持体、80……バイア
ス磁界発生装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 鈴木 正之 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−160851（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】光磁気ディスクが収納されたカセットを保
   持して略光磁気ディスクの厚さ方向に移動するカセット
   保持体と、 カセット保持体を移動自在に支持しているフレームと、 フレームに回動自在に支持されると共に回動支点と回動
   端との間の当接部がカセット保持体の移動方向における
   一方の面に当接された回動ベースと、 該回動ベースの当接部をカセット保持体の上記一方の面
   に対して弾発付勢する弾発部材と、 バイアス磁界発生装置を支持すると共に上記回動ベース
   に当接部より回動端寄りの位置で回動自在に支持された
   支持体と備えた ことを特徴とする光磁気ディスク装置におけるバイアス
   磁界発生装置支持機構