JPH0754998Y2 - ウエハ支持具 - Google Patents
ウエハ支持具Info
- Publication number
- JPH0754998Y2 JPH0754998Y2 JP1988128411U JP12841188U JPH0754998Y2 JP H0754998 Y2 JPH0754998 Y2 JP H0754998Y2 JP 1988128411 U JP1988128411 U JP 1988128411U JP 12841188 U JP12841188 U JP 12841188U JP H0754998 Y2 JPH0754998 Y2 JP H0754998Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- support
- support member
- supporting
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔概要〕 ウエハ処理工程において使用されるウエハ支持具に関
し、 洗浄工程時におけるパーティクルのウエハへの付着を防
止することを可能とし且つ洗浄工程後のウエハの別の支
持具への移し換えを不要とすることを可能とすることを
目的とし、 円板状ウエハの略半円周の部分を支持する石英又は硬質
で且つ耐熱性のある材料製の第1の支持部材と、該第1
の支持部材に対して着脱可能であり、該第1の支持部材
に結合されて上記円板状ウエハのうち上記第1の支持部
材より突出している部分を支持する四フッ化エチレン樹
脂製の第2の支持部材とより構成する。
し、 洗浄工程時におけるパーティクルのウエハへの付着を防
止することを可能とし且つ洗浄工程後のウエハの別の支
持具への移し換えを不要とすることを可能とすることを
目的とし、 円板状ウエハの略半円周の部分を支持する石英又は硬質
で且つ耐熱性のある材料製の第1の支持部材と、該第1
の支持部材に対して着脱可能であり、該第1の支持部材
に結合されて上記円板状ウエハのうち上記第1の支持部
材より突出している部分を支持する四フッ化エチレン樹
脂製の第2の支持部材とより構成する。
本考案はウエハ処理工程において使用されるウエハ支持
具に関する。
具に関する。
ウエハは複数枚面対向して支持具に支持された状態で、
薬液で洗浄し、水洗し、乾燥した後、例えば酸化膜形成
工程に移される。
薬液で洗浄し、水洗し、乾燥した後、例えば酸化膜形成
工程に移される。
近年の半導体装置の高集積化に伴い、ウエハの処理工程
において、パーティクルがウエハに極力付着しないよう
にすることが必要とされる。
において、パーティクルがウエハに極力付着しないよう
にすることが必要とされる。
このため、ウエハ支持具は発塵しにくい構造であること
が必要とされる。
が必要とされる。
またウエハ支持具としては、半導体装置の生産性を損ね
ない構造である必要もある。
ない構造である必要もある。
第5図、第6図は夫々従来のウエハ支持具の各例を示
す。
す。
第5図のウエハ支持具1は、石英製であり、半円筒形状
のものである。
のものである。
円板状のウエハ2は、その下側半円周部分を係止されて
(3,4,5は係止部を示す)、垂直姿勢で面対向して支持
されている。
(3,4,5は係止部を示す)、垂直姿勢で面対向して支持
されている。
第6図のウエハ支持具10は、四フッ化エチレン樹脂(商
品名:テフロン)製であり、略四角柱状体である。
品名:テフロン)製であり、略四角柱状体である。
ウエハ2は、偏平空間である嵌合溝11内に嵌合されて、
支持されている。
支持されている。
石英製のウエハ支持具1においては、薬液槽内に浸漬し
たときに、各係止部3,4,5よりパーティクルがまい上が
り、ウエハ2の表面に付着することが起こる。6はパー
ティクルが付着した部分を示す。
たときに、各係止部3,4,5よりパーティクルがまい上が
り、ウエハ2の表面に付着することが起こる。6はパー
ティクルが付着した部分を示す。
四フッ化エチレン樹脂製のウエハ支持具10においては、
パーティクルがまい上る現象は殆ど発生しないが、耐熱
性が低いため、洗浄後酸化膜工程に移す前に、ウエハを
耐熱性が高い石英製のウエハ支持具に移し換える作業が
必要となり、半導体装置の生産性の点で問題があった。
パーティクルがまい上る現象は殆ど発生しないが、耐熱
性が低いため、洗浄後酸化膜工程に移す前に、ウエハを
耐熱性が高い石英製のウエハ支持具に移し換える作業が
必要となり、半導体装置の生産性の点で問題があった。
本考案は洗浄工程時におけるパーティクルのウエハへの
付着を防止することを可能とし且つ洗浄工程後のウエハ
の別の支持具への移し換えを不要とすることを可能とす
るウエハ支持具を提供することを目的とする。
付着を防止することを可能とし且つ洗浄工程後のウエハ
の別の支持具への移し換えを不要とすることを可能とす
るウエハ支持具を提供することを目的とする。
本考案は、円板状ウエハの略半円周の部分を支持する石
英又は硬質で且つ耐熱性のある材料製の第1の支持部材
と、該第1の支持部材に対して着脱可能であり、該第1
の支持部材に結合されて上記円板状ウエハのうち上記第
1の支持部材より突出している部分を支持する四フッ化
エチレン樹脂製の第2の支持部材とより構成する。
英又は硬質で且つ耐熱性のある材料製の第1の支持部材
と、該第1の支持部材に対して着脱可能であり、該第1
の支持部材に結合されて上記円板状ウエハのうち上記第
1の支持部材より突出している部分を支持する四フッ化
エチレン樹脂製の第2の支持部材とより構成する。
薬品による洗浄のときには、第2の支持部材を下側とし
た向きで薬品槽内に浸漬することにより、パーティクル
のウエハへの付着を防止することが出来る。
た向きで薬品槽内に浸漬することにより、パーティクル
のウエハへの付着を防止することが出来る。
洗浄後には、第1の支持部材を下側とし、第2の支持部
材を取り外すだけで、ウエハを別の支持具へ移し換える
ことなく、ウエハを以後の処理に適した支持状態とする
ことが出来る。
材を取り外すだけで、ウエハを別の支持具へ移し換える
ことなく、ウエハを以後の処理に適した支持状態とする
ことが出来る。
第1図は本考案の一実施例になるウエハ支持具20を示
す。
す。
21は第1の支持部材であり、石英製であり、図中梨地パ
ターンが付してある。
ターンが付してある。
22は第2の支持部材であり、四フッ化エチレン樹脂製で
ある。
ある。
第1の支持部材21は、両端の半円状の側板23,24と、側
板23,24の左右端同志及び下端同志を連結する梁25,26,2
7とよりなる構成である。
板23,24の左右端同志及び下端同志を連結する梁25,26,2
7とよりなる構成である。
梁25,26の内側の面、梁27の上面には、夫々複数のガイ
ド溝28,29,30が等間隔で形成してある。
ド溝28,29,30が等間隔で形成してある。
側板23,24の外側面には、左右端に半円柱形状の係止用
突部31〜34、中央に四角状の結合用突部35,36が形成し
てある。
突部31〜34、中央に四角状の結合用突部35,36が形成し
てある。
第2の支持具22は、上記の第1の支持具21と同一形状で
あり、対応する部分には添字aを付した同一符号を付
し、その説明は省略する。
あり、対応する部分には添字aを付した同一符号を付
し、その説明は省略する。
37,38は四角枠状のファスナである。
次にウエハの支持状態について説明する。
まず、円板状のウエハ2を、外周縁をガイド溝28,29,30
に嵌合させて、下半分を第1の支持部材21内に収めて、
複数のウエハ2を面対向させて第1の支持部材21に支持
させる。
に嵌合させて、下半分を第1の支持部材21内に収めて、
複数のウエハ2を面対向させて第1の支持部材21に支持
させる。
次いで、第2の支持部材22を、そのガイド溝28a,29a,30
aを夫々ウエハ2の外周縁に嵌合させて、第1の支持部
材21上に被せるように載置する。
aを夫々ウエハ2の外周縁に嵌合させて、第1の支持部
材21上に被せるように載置する。
この後、ファスナ37,38を結合用突部35,35a及び36,36a
の周りに嵌合させ、第1,第2の支持部材21,22を結合さ
せる。
の周りに嵌合させ、第1,第2の支持部材21,22を結合さ
せる。
第2図はこのときの状態を示す。
ウエハ支持具20は、第1,第2の支持部材21,22が結合さ
れ一体化されて略円筒形状となっており、この内部に、
複数のウエハ2(図示の便宜上一枚だけ図示してある)
が外周縁の四個所をガイド溝28〜30,28a〜30aにより位
置規制されて且つ外周側より挟み込まれて、面対向して
ガタツキ無く支持されている。
れ一体化されて略円筒形状となっており、この内部に、
複数のウエハ2(図示の便宜上一枚だけ図示してある)
が外周縁の四個所をガイド溝28〜30,28a〜30aにより位
置規制されて且つ外周側より挟み込まれて、面対向して
ガタツキ無く支持されている。
また係止用突部31,31aは当接しており、円柱状となって
いる。他の係止用突部についても同じである。
いる。他の係止用突部についても同じである。
次に、洗浄工程時における上記ウエハ支持具20の使用状
態について説明する。
態について説明する。
なお、ウエハ支持具20の後述する反転及び上下動等の動
きは、ロボットが係止用突部31〜34をクランプして当該
ロボットにより行われる。
きは、ロボットが係止用突部31〜34をクランプして当該
ロボットにより行われる。
第3図(A)は第2図に示す状態を示す。
同図(B)は、フッ化水素(HF)による洗浄工程を示
す。40はフッ化水素槽である。
す。40はフッ化水素槽である。
各ウエハ2はウエハ支持具20と共にフッ化水素中に浸漬
されて洗浄される。
されて洗浄される。
なお、ウエハ支持具20は、矢印A方向に180度回動させ
て、第1の支持部材21が上側、第2の支持部材22が下側
となる向きとし、この状態でフッ化水素中に浸漬され
る。
て、第1の支持部材21が上側、第2の支持部材22が下側
となる向きとし、この状態でフッ化水素中に浸漬され
る。
下側の第2の支持部材22は四フッ化エチレン樹脂製であ
り、浸漬する過程でパーティクルのまい上りは発生しな
い。上方の第1の支持具21からはパーティクルがまい上
るが、符号41で示すようにまい上り、この方向はウエハ
2よりも上方に外れた方向であり、パーティクルがウエ
ハ2に付着することはない。また、ウエハ2は支持具20
内にガタツキ無く支持されているため、キズの発生が押
えられており、発塵するパーティクルの量も従来のもの
より少ない。
り、浸漬する過程でパーティクルのまい上りは発生しな
い。上方の第1の支持具21からはパーティクルがまい上
るが、符号41で示すようにまい上り、この方向はウエハ
2よりも上方に外れた方向であり、パーティクルがウエ
ハ2に付着することはない。また、ウエハ2は支持具20
内にガタツキ無く支持されているため、キズの発生が押
えられており、発塵するパーティクルの量も従来のもの
より少ない。
このため、ウエハ2は面にパーティクルが付着すること
なく、フッ化水素で洗浄される。
なく、フッ化水素で洗浄される。
同図(C)は水による洗浄工程を示す。42は水槽であ
る。
る。
ウエハ支持具20は上記と同様に、四フッ化エチレン樹脂
製の第2の支持部材22を下側とした向きで浸漬され、こ
の場合にも、上記の場合と同様にウエハ2へのパーティ
クルの付着は避けられる。
製の第2の支持部材22を下側とした向きで浸漬され、こ
の場合にも、上記の場合と同様にウエハ2へのパーティ
クルの付着は避けられる。
同図(D)は乾燥工程を示す。43は乾燥炉、44はヒータ
である。
である。
ウエハ支持具20は水槽42より引き上げた後、乾燥炉43内
に入れ、ウエハ2を乾燥させる。
に入れ、ウエハ2を乾燥させる。
乾燥炉43内に入れる前に、ウエハ支持具20を矢印B方向
に180度回動させ、耐熱性のある石英製の第1の支持部
材21が下側となる向きとし、この状態で炉43内に入れ
る。
に180度回動させ、耐熱性のある石英製の第1の支持部
材21が下側となる向きとし、この状態で炉43内に入れ
る。
このため、ウエハ支持具20は、ヒータ44に接近して配置
され、ウエハ2は短時間で乾燥される。従って、ウエハ
2はシミを残さずに乾燥される。シミが無いため、後述
する膜はウエハ全面に亘って均一に形成される。
され、ウエハ2は短時間で乾燥される。従って、ウエハ
2はシミを残さずに乾燥される。シミが無いため、後述
する膜はウエハ全面に亘って均一に形成される。
続いて、ウエハ2は例えば酸化膜形成工程に移される。
酸化膜形成工程は熱処理炉で高温度雰囲気内で行われ
る。このため、四フッ化エチレン樹脂製の第2の支持部
材22は不適である。
る。このため、四フッ化エチレン樹脂製の第2の支持部
材22は不適である。
そこで、第1図、第2図中ファスナ37,38を取り外し、
第1、第2の支持部材21,22の結合を解除し、上側に位
置する第2の支持部材22を取り外し、第3図(E)及び
第4図に示すように、ウエハ2を石英製の第1の支持部
材21だけで支持する状態にし、この状態で酸化膜形成工
程に移される。
第1、第2の支持部材21,22の結合を解除し、上側に位
置する第2の支持部材22を取り外し、第3図(E)及び
第4図に示すように、ウエハ2を石英製の第1の支持部
材21だけで支持する状態にし、この状態で酸化膜形成工
程に移される。
即ち、ウエハを別の支持具に移し換える工程を経ずに、
ウエハ2は直ぐに酸化膜形成工程に移され、半導体装置
は生産性良く製造される。
ウエハ2は直ぐに酸化膜形成工程に移され、半導体装置
は生産性良く製造される。
また、第1の支持部材21は、石英製に限らず、硬質で且
つ耐熱性のある材料、例えば、SiC又はサファイア製で
もよい。
つ耐熱性のある材料、例えば、SiC又はサファイア製で
もよい。
第2の支持部材22は、四フッ化エチレン樹脂製に限ら
ず、これと同質製の材料製であればよい。
ず、これと同質製の材料製であればよい。
以上説明した様に、本考案によれば、ウエハを洗浄する
ときには第2の支持部材が下側となる向きで薬品槽内に
浸漬することにより、パーティクルのウエハへの付着を
防止することが出来る。これにより、半導体装置の高集
積化に伴うパーティクル付着の問題を解決することが出
来る。
ときには第2の支持部材が下側となる向きで薬品槽内に
浸漬することにより、パーティクルのウエハへの付着を
防止することが出来る。これにより、半導体装置の高集
積化に伴うパーティクル付着の問題を解決することが出
来る。
また、洗浄後にそれ以後の処理に適した支持状態とする
ことが、第1の支持部材を下側とし、第2の支持部材を
取り外すだけで可能となり、ウエハを別の支持具へ移し
換えるという時間のかかる作業は不要となり、半導体装
置の生産性を向上させることが出来る。
ことが、第1の支持部材を下側とし、第2の支持部材を
取り外すだけで可能となり、ウエハを別の支持具へ移し
換えるという時間のかかる作業は不要となり、半導体装
置の生産性を向上させることが出来る。
第1図は本考案の一実施例のウエハ支持具の分解斜視
図、 第2図はウエハを支持している状態のウエハ支持具を示
す図、 第3図(A)乃至(E)は夫々ウエハ処理工程における
ウエハ支持具の状態を示す図、 第4図はウエハを第1の支持部材のみで支持している状
態を示す図、 第5図は従来のウエハ支持具の1例を示す図、 第6図は従来のウエハ支持具の別の例を示す図である。 図において、 20はウエハ支持具、21は第1の支持部材、22は第2の支
持部材、23,24,23a,24aは側板、25〜27,25a〜27aは梁、
28〜30,28a〜30aはガイド溝、31〜34,31a〜34aは係止用
突部、35,35a,36,36bは結合用突部、37,38はファスナ、
41はパーティクルのまい上り部分。 を示す。
図、 第2図はウエハを支持している状態のウエハ支持具を示
す図、 第3図(A)乃至(E)は夫々ウエハ処理工程における
ウエハ支持具の状態を示す図、 第4図はウエハを第1の支持部材のみで支持している状
態を示す図、 第5図は従来のウエハ支持具の1例を示す図、 第6図は従来のウエハ支持具の別の例を示す図である。 図において、 20はウエハ支持具、21は第1の支持部材、22は第2の支
持部材、23,24,23a,24aは側板、25〜27,25a〜27aは梁、
28〜30,28a〜30aはガイド溝、31〜34,31a〜34aは係止用
突部、35,35a,36,36bは結合用突部、37,38はファスナ、
41はパーティクルのまい上り部分。 を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 宇野 昌明 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)考案者 中嶋 和司 愛知県春日井市高蔵寺町2丁目1844番2 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−69121(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】円板状ウエハ(2)の略半円周の部分を支
持する石英又は硬質で且つ耐熱性のある材料製の第1の
支持部材(21)と、 該第1の支持部材(21)に対して着脱可能であり、該第
1の支持部材(21)に結合されて上記円板状ウエハ
(2)のうち上記第1の支持部材(21)より突出してい
る部分を支持する四フッ化エチレン樹脂製の第2の支持
部材(22)とよりなる構成のウエハ支持具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988128411U JPH0754998Y2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | ウエハ支持具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988128411U JPH0754998Y2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | ウエハ支持具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0252330U JPH0252330U (ja) | 1990-04-16 |
JPH0754998Y2 true JPH0754998Y2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=31381728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1988128411U Expired - Lifetime JPH0754998Y2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | ウエハ支持具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0754998Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6169121A (ja) * | 1985-09-06 | 1986-04-09 | Hitachi Ltd | 熱処理装置 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP1988128411U patent/JPH0754998Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0252330U (ja) | 1990-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2574608B2 (ja) | ウェハーキャリア | |
US6227590B1 (en) | Method of constructing a wafer carrier | |
TW201810601A (zh) | 用於堆疊積體電路總成中之器件的方法及裝置 | |
JPH0754998Y2 (ja) | ウエハ支持具 | |
JPH10194453A (ja) | ウェーハの支持装置及び該装置を備えた移送装置 | |
JP2513843B2 (ja) | 基板ホルダ | |
JP3610187B2 (ja) | 除電方法ならびに処理装置および処理方法 | |
JP7109291B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、フォトマスク洗浄方法、及びフォトマスク製造方法 | |
JPH0547652A (ja) | 基板加熱装置 | |
JPH0711469Y2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH0547906A (ja) | 板状物保持手段およびそれを用いた装置 | |
JPH0143870Y2 (ja) | ||
JPH0547738A (ja) | 基板のウエツト処理方法 | |
JPH0711470Y2 (ja) | 半導体基板保持具 | |
JPH0917762A (ja) | 処理装置 | |
JPH0518019Y2 (ja) | ||
JPH0518016Y2 (ja) | ||
JPH11283909A (ja) | 基板熱処理装置 | |
JP3471068B2 (ja) | 板体の支承部材およびそれを用いた板体支承用ホルダー | |
JPH10199963A (ja) | 搬送具 | |
JPS5938051Y2 (ja) | 半導体製造治具 | |
JPS60168580A (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP2508271Y2 (ja) | ウエハ―キャリア | |
JPS63108725A (ja) | エツチング、洗浄等の処理方法 | |
JPH11274283A (ja) | 搬送方法及び搬送装置 |