JPH07546A - 低エネルギ放射療法を施す方法及びシステム - Google Patents
低エネルギ放射療法を施す方法及びシステムInfo
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- JPH07546A JPH07546A JP5238380A JP23838093A JPH07546A JP H07546 A JPH07546 A JP H07546A JP 5238380 A JP5238380 A JP 5238380A JP 23838093 A JP23838093 A JP 23838093A JP H07546 A JPH07546 A JP H07546A
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- A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
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- A61N5/0613—Apparatus adapted for a specific treatment
- A61N5/0618—Psychological treatment
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
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- A61N1/02—Details
- A61N1/04—Electrodes
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- A61N1/0526—Head electrodes
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- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
- A61N1/00—Electrotherapy; Circuits therefor
- A61N1/40—Applying electric fields by inductive or capacitive coupling ; Applying radio-frequency signals
-
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- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
- A61N5/00—Radiation therapy
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- Radiation-Therapy Devices (AREA)
- Measurement And Recording Of Electrical Phenomena And Electrical Characteristics Of The Living Body (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 中枢神経系の障害の治療に有効な、複数の低
周波数で変調した電磁波を使用する低エネルギ放射療法
とそれに使用する適用システム（１１）を提供する。 【構成】 治療する患者に前記電磁波を放射するプロー
ブ（１３）、患者のインピーダンスを放射器の出力イン
ピーダンスに整合させる変成器（１４）、前記電磁波を
発生する各種電子回路構成部を制御するマイクロプロセ
ッサ（２１）を含む低エネルギ電磁放射システム（１
１）は、複数の変調信号で変調された搬送波信号の形で
高周波電磁波を放射する。不眠症や恐怖発作を含む一般
的な不安症の治療に対して、特定の変調信号周波数と放
射時間および放射順序が用意され、アプリケーション記
憶装置（５２）に記憶し、随時使用することができる。
周波数で変調した電磁波を使用する低エネルギ放射療法
とそれに使用する適用システム（１１）を提供する。 【構成】 治療する患者に前記電磁波を放射するプロー
ブ（１３）、患者のインピーダンスを放射器の出力イン
ピーダンスに整合させる変成器（１４）、前記電磁波を
発生する各種電子回路構成部を制御するマイクロプロセ
ッサ（２１）を含む低エネルギ電磁放射システム（１
１）は、複数の変調信号で変調された搬送波信号の形で
高周波電磁波を放射する。不眠症や恐怖発作を含む一般
的な不安症の治療に対して、特定の変調信号周波数と放
射時間および放射順序が用意され、アプリケーション記
憶装置（５２）に記憶し、随時使用することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は中枢神経系障害の治療に
低エネルギ放射療法を施す方法及びシステムに関する。
低エネルギ放射療法を施す方法及びシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】患者に低エネルギの電磁放射を加えるこ
とが含まれている低エネルギ放射療法は、中枢神経系
（ＣＮＳ）障害に悩む患者を治療する有効な方法である
ことがわかってきた。中枢神経系の障害は、一般的にな
った不安・緊張症（anxiety disorders ）、恐怖症（pa
nic disorders ）、不眠症（insomnia）を含む睡眠異常
（sleep disorders ）、睡眠が遅れる概日リズム症（ci
rcadian disorders ）、うつ病（depression）などの神
経障害（psychiatric disorders ） 、強迫神経症（ob
sessive compulsive disorders）、薬物乱用の結果とし
ての障害、社会病質者（sociopathy）、外傷後ストレス
障害（post traumatic stress disorders ）、或いはそ
の他の中枢神経系の障害である。このような治療を行う
方法と装置は、本出願と同一譲受人に譲渡された米国特
許、第４，６４９，９３５号、及び４，７６５，３２２
号に説明されているが、ここでこれらの特許に言及する
ことによりこれらの特許の開示内容は、本願に明確に組
み入れることにする。これらの先行特許が開示された時
以来、この治療に関するメカニズムの解明並びに最適な
結果を保証する方法に関するかなり進んだ知識理解が得
られている。この知識に基づいて本装置（以下システム
として説明する）の重要な進展がみられることになっ
た。
とが含まれている低エネルギ放射療法は、中枢神経系
（ＣＮＳ）障害に悩む患者を治療する有効な方法である
ことがわかってきた。中枢神経系の障害は、一般的にな
った不安・緊張症（anxiety disorders ）、恐怖症（pa
nic disorders ）、不眠症（insomnia）を含む睡眠異常
（sleep disorders ）、睡眠が遅れる概日リズム症（ci
rcadian disorders ）、うつ病（depression）などの神
経障害（psychiatric disorders ） 、強迫神経症（ob
sessive compulsive disorders）、薬物乱用の結果とし
ての障害、社会病質者（sociopathy）、外傷後ストレス
障害（post traumatic stress disorders ）、或いはそ
の他の中枢神経系の障害である。このような治療を行う
方法と装置は、本出願と同一譲受人に譲渡された米国特
許、第４，６４９，９３５号、及び４，７６５，３２２
号に説明されているが、ここでこれらの特許に言及する
ことによりこれらの特許の開示内容は、本願に明確に組
み入れることにする。これらの先行特許が開示された時
以来、この治療に関するメカニズムの解明並びに最適な
結果を保証する方法に関するかなり進んだ知識理解が得
られている。この知識に基づいて本装置（以下システム
として説明する）の重要な進展がみられることになっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記特許の中で説明さ
れている方法と装置は、多くの場合満足すべき結果を提
供したとはいえ、結果に対する無矛盾性、有意性に欠け
るところがあった。また、治療時間や患者に与える低エ
ネルギ放射の量や特性を適切に制御したり、監視したり
することが常に可能であるとはいえなかった。更に、低
エネルギを患者に転送する効率が限定されており、患者
が動いたり、外部からの干渉等の要因によって影響を受
けるということがあった。
れている方法と装置は、多くの場合満足すべき結果を提
供したとはいえ、結果に対する無矛盾性、有意性に欠け
るところがあった。また、治療時間や患者に与える低エ
ネルギ放射の量や特性を適切に制御したり、監視したり
することが常に可能であるとはいえなかった。更に、低
エネルギを患者に転送する効率が限定されており、患者
が動いたり、外部からの干渉等の要因によって影響を受
けるということがあった。
【０００４】前に説明した装置を制約する別の条件は、
本質的に医薬産業に組み込まれた販売組織による従来の
販売には、この装置は全然合っていないということであ
る。本装置が患者の療法や治療を目的としており、その
患者に低エネルギ放射を与えるということは薬事療法と
同じだといえる。したがって医薬産業の販売組織は、医
師の処方箋の有無にかかわらず、たとえば薬剤師を通し
て医薬製品を販売する方法と大きく変わらない方法で、
本療法を販売する立場に置かれるべきなのである。
本質的に医薬産業に組み込まれた販売組織による従来の
販売には、この装置は全然合っていないということであ
る。本装置が患者の療法や治療を目的としており、その
患者に低エネルギ放射を与えるということは薬事療法と
同じだといえる。したがって医薬産業の販売組織は、医
師の処方箋の有無にかかわらず、たとえば薬剤師を通し
て医薬製品を販売する方法と大きく変わらない方法で、
本療法を販売する立場に置かれるべきなのである。
【０００５】不眠症に対する治療の研究は他の医療研究
プロジェクトから遅れている。不眠症に対する現在の治
療方法は催眠薬、行動療法（たとえばバイオフィードバ
ック（生体自己制御））、或いは特にベンゾジアゼピ
ン、イミダゾピリジン（imidazopyridines）などの薬物
の使用のどれかになっている。薬に対する耐性、依存
性、長期治療における効果の減退などは現在使用可能な
この種類の薬に共通した欠点である。
プロジェクトから遅れている。不眠症に対する現在の治
療方法は催眠薬、行動療法（たとえばバイオフィードバ
ック（生体自己制御））、或いは特にベンゾジアゼピ
ン、イミダゾピリジン（imidazopyridines）などの薬物
の使用のどれかになっている。薬に対する耐性、依存
性、長期治療における効果の減退などは現在使用可能な
この種類の薬に共通した欠点である。
【０００６】過去２０年間にわたる研究から明らかにな
ったことは、脳は通信リンク及び思考処理器官として働
くだけではなく、生体に影響する多数の化合物と同様、
重要な化学的活動の源泉としても働いているということ
である。これらの多くの神経伝達物質（neurotransmitt
er）化合物及びイオンが分泌されると化学的及び電気的
刺激が起こるのである。また研究が示していることは、
これらの神経に影響する化合物のあるものは睡眠サイク
ルと覚醒サイクルの規則に含まれているということであ
る（コエラ：「睡眠の規則と構成」、イクスペリエンシ
ア、１９８４；４０（４）：３０９−４０８（Koella,
"The Organization and Regulation ofSleep"Experien
tia, 1984; 40(4):309-408））。
ったことは、脳は通信リンク及び思考処理器官として働
くだけではなく、生体に影響する多数の化合物と同様、
重要な化学的活動の源泉としても働いているということ
である。これらの多くの神経伝達物質（neurotransmitt
er）化合物及びイオンが分泌されると化学的及び電気的
刺激が起こるのである。また研究が示していることは、
これらの神経に影響する化合物のあるものは睡眠サイク
ルと覚醒サイクルの規則に含まれているということであ
る（コエラ：「睡眠の規則と構成」、イクスペリエンシ
ア、１９８４；４０（４）：３０９−４０８（Koella,
"The Organization and Regulation ofSleep"Experien
tia, 1984; 40(4):309-408））。
【０００７】１９７０年代に、アデイ（Adey）と彼のグ
ループは、適切に規定された低周波で変調された弱い電
磁場により、脳内のカルシュームイオンと神経伝達物質
（ＧＡＢＡ）の放出を変えることができたることを発表
した。（カックマレク及びアデイ、「猫の大脳皮質から
の45Ｃａ2+及び［3 Ｈ］ｙ−アミノ酪酸の放出」、ブレ
インリサーチ、１９７３；６３：３３１−３４２（Kacz
marek and Adey, "TheEfflux of Ca and [H ] y-ami
nobutyric Acid from Cat Cerebral Cortex,"Brain Res
earch, 1973; 63:331-342 ）； カックマレク及びアデ
イ、「皮質におけるイオンと伝達物質の放出を変える弱
い電子勾配」 ブレインリサーチ、１９７４；６６：５
３７−５４０（Kaczmarek and Adey, "Weak Elecctroni
c Gradients Change Ionic and Transmitter Fluxes in
Cortex" Brain Research, 1974; 66:537-540 ）；ボー
インほか、「電磁場による鶏の大脳組織からの45Ｃａ2+
の放出におけるイオンの要因」、米国科学アカデミー会
報、１９７８； ７５（１２）：６３１４−６３１８
（Bawin et al., "Ionic Factors in Release of Ca Fr
om Chicken Cerebral Tissue by Electromagetic Field
s," Proceedings ofNational Academy of Science, 197
8; 75(12):6314-6318））。これらの実験では、麻酔し
た猫の大脳皮質は当初、放射性同位元素で識別されたカ
ルシュウムとＧＡＢＡにより培養されていた。この大脳
皮質が、２００ヘルツで変調された弱い電場により連続
した刺激を受けると、１．２９倍多いＣａ＋＋と１．２
１倍多いＧＡＢＡの流出が起こることが研究者たちによ
り発見された（カックマレク及びアデイ、ブレインリサ
ーチ、１９７３；６３：３３１−３４２（Kaczmarek an
d Adey, Brain Research, 1973;63:331-342 ））。興味
深いことに、ＧＡＢＡの流出はＣａ＋＋の流出と並行し
て発生していることであり、このことは２つの現象は密
接に関係していることを示している。変調された電磁場
による刺激を受けると大脳組織からのＣａ＋＋の流出が
増加するということは繰り返し発見されている（ヅッタ
ほか、「マイクロ波輻射により導出されて、培養液中の
人間の神経芽腫細胞から流出したカルシュームイオ
ン」、バイオエレクトロマグネチックス、１９８４；５
（１）：７１−７８；およびブラックマンほか、「試験
管内の大脳組織からのカルシュウムイオンの流出に対す
る電磁場の影響」バイオエレクロマグネチックス、１９
８８； ９：２１５−２２７（Dutta et al., "Microwa
veRadiation Induced Calsium Ions Effused from Huma
n Neuroblastoma Cells in Culture, "Bioelectromagne
tics, 1984; 5(1): 71-78; and Blackman et al.,"Infl
uence of Electromagnetic Fields on the Efflux of C
alcium Ions fromBrain Tissue in Vitro, "Bioelectro
magnetics, 1988; 9:215-227 ）。ある種の低周波で変
調された弱い電場により、Ｃａ＋＋とＧＡＢＡの流出を
変えることができることはもはや既定の事実となったの
である。
ループは、適切に規定された低周波で変調された弱い電
磁場により、脳内のカルシュームイオンと神経伝達物質
（ＧＡＢＡ）の放出を変えることができたることを発表
した。（カックマレク及びアデイ、「猫の大脳皮質から
の45Ｃａ2+及び［3 Ｈ］ｙ−アミノ酪酸の放出」、ブレ
インリサーチ、１９７３；６３：３３１−３４２（Kacz
marek and Adey, "TheEfflux of Ca and [H ] y-ami
nobutyric Acid from Cat Cerebral Cortex,"Brain Res
earch, 1973; 63:331-342 ）； カックマレク及びアデ
イ、「皮質におけるイオンと伝達物質の放出を変える弱
い電子勾配」 ブレインリサーチ、１９７４；６６：５
３７−５４０（Kaczmarek and Adey, "Weak Elecctroni
c Gradients Change Ionic and Transmitter Fluxes in
Cortex" Brain Research, 1974; 66:537-540 ）；ボー
インほか、「電磁場による鶏の大脳組織からの45Ｃａ2+
の放出におけるイオンの要因」、米国科学アカデミー会
報、１９７８； ７５（１２）：６３１４−６３１８
（Bawin et al., "Ionic Factors in Release of Ca Fr
om Chicken Cerebral Tissue by Electromagetic Field
s," Proceedings ofNational Academy of Science, 197
8; 75(12):6314-6318））。これらの実験では、麻酔し
た猫の大脳皮質は当初、放射性同位元素で識別されたカ
ルシュウムとＧＡＢＡにより培養されていた。この大脳
皮質が、２００ヘルツで変調された弱い電場により連続
した刺激を受けると、１．２９倍多いＣａ＋＋と１．２
１倍多いＧＡＢＡの流出が起こることが研究者たちによ
り発見された（カックマレク及びアデイ、ブレインリサ
ーチ、１９７３；６３：３３１−３４２（Kaczmarek an
d Adey, Brain Research, 1973;63:331-342 ））。興味
深いことに、ＧＡＢＡの流出はＣａ＋＋の流出と並行し
て発生していることであり、このことは２つの現象は密
接に関係していることを示している。変調された電磁場
による刺激を受けると大脳組織からのＣａ＋＋の流出が
増加するということは繰り返し発見されている（ヅッタ
ほか、「マイクロ波輻射により導出されて、培養液中の
人間の神経芽腫細胞から流出したカルシュームイオ
ン」、バイオエレクトロマグネチックス、１９８４；５
（１）：７１−７８；およびブラックマンほか、「試験
管内の大脳組織からのカルシュウムイオンの流出に対す
る電磁場の影響」バイオエレクロマグネチックス、１９
８８； ９：２１５−２２７（Dutta et al., "Microwa
veRadiation Induced Calsium Ions Effused from Huma
n Neuroblastoma Cells in Culture, "Bioelectromagne
tics, 1984; 5(1): 71-78; and Blackman et al.,"Infl
uence of Electromagnetic Fields on the Efflux of C
alcium Ions fromBrain Tissue in Vitro, "Bioelectro
magnetics, 1988; 9:215-227 ）。ある種の低周波で変
調された弱い電場により、Ｃａ＋＋とＧＡＢＡの流出を
変えることができることはもはや既定の事実となったの
である。
【０００８】１９８３年の間に、低周波で変調され、頬
面窩洞（buccal cavity ） 内に設置されたアンテナに
より供給された弱い電磁場により、ボランチアの人間の
ＥＥＧ（脳電図：electroencephalogram）の読みが変わ
ったことが発見された。アデイおよびブラックマンの所
見と一致して、非常に適切に規定された低周波により変
調され、かつ適切に決められた強度で放射された標準搬
送周波数（２７メガヘルツ）の場合のみＥＥＧの変化を
顕在化できることが発見されたのである。
面窩洞（buccal cavity ） 内に設置されたアンテナに
より供給された弱い電磁場により、ボランチアの人間の
ＥＥＧ（脳電図：electroencephalogram）の読みが変わ
ったことが発見された。アデイおよびブラックマンの所
見と一致して、非常に適切に規定された低周波により変
調され、かつ適切に決められた強度で放射された標準搬
送周波数（２７メガヘルツ）の場合のみＥＥＧの変化を
顕在化できることが発見されたのである。
【０００９】本発明は、我々の以前の特許の中で説明し
た患者の治療に対して、上に述べた欠点を克服しつつ、
まったく新しい方法を実行することを可能としたのであ
る。
た患者の治療に対して、上に述べた欠点を克服しつつ、
まったく新しい方法を実行することを可能としたのであ
る。
【００１０】
【課題を解決する手段】本発明では、システム（装置）
の中に応用例記憶装置（application storagedevice）
用のインタフェースを用意する事を意図しているが、こ
のアプリケーション記憶装置には磁気記憶媒体、半導体
メモリ記憶媒体、光学式メモリ記憶媒体、機械式記憶媒
体などの記憶媒体を含めることができる。選択した記憶
媒体は各種の制御情報を運べるようにプログラムされ
る。記憶媒体に記憶される別の情報には、低エネルギ電
磁放射の持続時間、したがって患者に前記電磁波を放射
する継続時間を制御する継続時間制御情報が含まれてい
る。更に制御情報にはデューティ・サイクル制御情報を
含めても良いが、このデュウテー・サイクル制御情報
は、たとえば選択した時間の間に低エネルギ放射を停止
したり再開始したりして放射が交互に行われるように制
御するものである。更にまた記憶媒体にプログラムされ
る制御情報には、選択情報、即ち、順番にどんな形式の
放射をしてよいか、放射の間にポーズを置くのか置かな
いのかなど、各種の異なる変調波形と変調周波数の放射
を選択する情報が含まれている。また記憶媒体にプログ
ラムされる制御情報には電力レベル制御情報も含まれて
いる。
の中に応用例記憶装置（application storagedevice）
用のインタフェースを用意する事を意図しているが、こ
のアプリケーション記憶装置には磁気記憶媒体、半導体
メモリ記憶媒体、光学式メモリ記憶媒体、機械式記憶媒
体などの記憶媒体を含めることができる。選択した記憶
媒体は各種の制御情報を運べるようにプログラムされ
る。記憶媒体に記憶される別の情報には、低エネルギ電
磁放射の持続時間、したがって患者に前記電磁波を放射
する継続時間を制御する継続時間制御情報が含まれてい
る。更に制御情報にはデューティ・サイクル制御情報を
含めても良いが、このデュウテー・サイクル制御情報
は、たとえば選択した時間の間に低エネルギ放射を停止
したり再開始したりして放射が交互に行われるように制
御するものである。更にまた記憶媒体にプログラムされ
る制御情報には、選択情報、即ち、順番にどんな形式の
放射をしてよいか、放射の間にポーズを置くのか置かな
いのかなど、各種の異なる変調波形と変調周波数の放射
を選択する情報が含まれている。また記憶媒体にプログ
ラムされる制御情報には電力レベル制御情報も含まれて
いる。
【００１１】本発明の１実施例では、このシステムには
マイクロプロセッサが含まれているが、マイクロプロセ
ッサにはアプリケーション記憶装置からの制御情報がロ
ードされる。するとマイクロプロセッサはシステムの機
能を制御して望ましい治療用放射を発生させる。
マイクロプロセッサが含まれているが、マイクロプロセ
ッサにはアプリケーション記憶装置からの制御情報がロ
ードされる。するとマイクロプロセッサはシステムの機
能を制御して望ましい治療用放射を発生させる。
【００１２】本発明の別の実施例では、アプリケーショ
ン記憶装置は１つのユニットに組み合わされ、システム
を制御するためにインタフェースを介してシステムに接
続されるように考えられている。
ン記憶装置は１つのユニットに組み合わされ、システム
を制御するためにインタフェースを介してシステムに接
続されるように考えられている。
【００１３】これらの実施例の何れにおいても、本発明
では、このインタフェースに、たとえば無線周波リンク
や電話回線などの通信チャネルが含まれ、このチャネル
によりアプリケーション記憶装置がシステムの残り部分
に接続されることが考えられている。
では、このインタフェースに、たとえば無線周波リンク
や電話回線などの通信チャネルが含まれ、このチャネル
によりアプリケーション記憶装置がシステムの残り部分
に接続されることが考えられている。
【００１４】また、本発明はシステムの中では、低エネ
ルギ放射の放射器と、患者にこれを放射するプローブの
中間に接続されるインピーダンス変成器を用意する事が
考えられているが、このインピーダンス変成器により、
放射器回路から見た患者のインピーダンスは放射器回路
の出力インピーダンスに十分に整合する。
ルギ放射の放射器と、患者にこれを放射するプローブの
中間に接続されるインピーダンス変成器を用意する事が
考えられているが、このインピーダンス変成器により、
放射器回路から見た患者のインピーダンスは放射器回路
の出力インピーダンスに十分に整合する。
【００１５】本発明の別の側面は電力反射率検出器を用
意する事であるが、この電力検出器は患者に加えられた
電力放射量を検出し、その量をシステムにより放射され
た電力量と比較する。この電力検出器により、患者が処
方通りの治療を受けている事を監視することが可能とな
る。この患者治療適合性情報（patient treatment comp
liance information）は、後で検索し分析できるように
アプリケーション記憶装置に記憶される。たとえば、こ
の電力検出器は特定の患者に加えられた治療の回数と、
治療毎の経過時間を検出するのに使用できるのである。
更に、治療の試行回数の記録と同様、各治療日の実際の
時間も記録できるのである。
意する事であるが、この電力検出器は患者に加えられた
電力放射量を検出し、その量をシステムにより放射され
た電力量と比較する。この電力検出器により、患者が処
方通りの治療を受けている事を監視することが可能とな
る。この患者治療適合性情報（patient treatment comp
liance information）は、後で検索し分析できるように
アプリケーション記憶装置に記憶される。たとえば、こ
の電力検出器は特定の患者に加えられた治療の回数と、
治療毎の経過時間を検出するのに使用できるのである。
更に、治療の試行回数の記録と同様、各治療日の実際の
時間も記録できるのである。
【００１６】
【実施例】添付の図面と以下に述べる詳細説明を参照す
れば、本発明に関するこれらの特徴と利点は当業者には
明かとなるであろう。
れば、本発明に関するこれらの特徴と利点は当業者には
明かとなるであろう。
【００１７】図１を参照すると、本発明による変調され
た低エネルギ放射適用システム１１が示されている。前
出の米国特許、第４，６４９，９３５号および第４，７
６５，３２２号に示されている通り、このシステムは低
エネルギ放射療法（Low Energy Emission Therapy ）
（ＬＥＥＴ：本出願人に譲渡された登録商標）を実施す
るのに有用である事が証明されているが、このシステム
には低エネルギ無線周波（ＲＦ）電磁波の放射が含まれ
ており、以下に示す中枢神経系（ＣＮＳ）障害に悩む患
者の治療に有効な方法であることが証明されている。中
枢神経系の障害とは、たとえば、一般的になった不安・
緊張症、恐怖症、不眠症を含む睡眠異常、睡眠が遅れる
概日リズム症、うつ病などの神経障害、強迫神経症、薬
物乱用の結果としての障害、社会病質者、外傷後ストレ
ス障害、或いはその他の中枢神経系の障害である。本シ
ステムにはプローブあるいはマウスピース１３が含まれ
ているが、これらは治療中の患者の口の中に挿入され
る。プローブ１３は、同軸ケーブル１２とインピーダン
ス整合用変成器１４を介して電磁エネルギ放出器（図２
も参照されたい）に接続されている。プローブ１３はマ
ウスピースとして示しているがどこの粘膜にでも適用で
きるようになっているプローブならばいかなるプローブ
でも使用できる。たとえば、口内用、鼻孔用、眼窩用、
尿道用、肛門用及び／或いは膣用のプローブは本発明の
範囲から逸脱せずに使用可能である。現在のところ望ま
しいのは、たとえば、鼻孔用や口内用プローブのように
脳に近接して置かれるプローブである。
た低エネルギ放射適用システム１１が示されている。前
出の米国特許、第４，６４９，９３５号および第４，７
６５，３２２号に示されている通り、このシステムは低
エネルギ放射療法（Low Energy Emission Therapy ）
（ＬＥＥＴ：本出願人に譲渡された登録商標）を実施す
るのに有用である事が証明されているが、このシステム
には低エネルギ無線周波（ＲＦ）電磁波の放射が含まれ
ており、以下に示す中枢神経系（ＣＮＳ）障害に悩む患
者の治療に有効な方法であることが証明されている。中
枢神経系の障害とは、たとえば、一般的になった不安・
緊張症、恐怖症、不眠症を含む睡眠異常、睡眠が遅れる
概日リズム症、うつ病などの神経障害、強迫神経症、薬
物乱用の結果としての障害、社会病質者、外傷後ストレ
ス障害、或いはその他の中枢神経系の障害である。本シ
ステムにはプローブあるいはマウスピース１３が含まれ
ているが、これらは治療中の患者の口の中に挿入され
る。プローブ１３は、同軸ケーブル１２とインピーダン
ス整合用変成器１４を介して電磁エネルギ放出器（図２
も参照されたい）に接続されている。プローブ１３はマ
ウスピースとして示しているがどこの粘膜にでも適用で
きるようになっているプローブならばいかなるプローブ
でも使用できる。たとえば、口内用、鼻孔用、眼窩用、
尿道用、肛門用及び／或いは膣用のプローブは本発明の
範囲から逸脱せずに使用可能である。現在のところ望ま
しいのは、たとえば、鼻孔用や口内用プローブのように
脳に近接して置かれるプローブである。
【００１８】また、適用システム１１にはインタフェー
ス１６が含まれているが、このインタフェースは、たと
えば、磁気記憶媒体、半導体メモリ記憶媒体、光学式メ
モリ記憶媒体、機械的に符号化された媒体などのアプリ
ケーション（応用例）記憶装置を受けるようになってい
る。またアプリケーション（応用例）記憶装置は、シス
テム１１の動作を制御するのに使用される制御情報によ
りプログラムされて、治療中の患者に対して望ましいタ
イプの低エネルギ放射療法が施される。
ス１６が含まれているが、このインタフェースは、たと
えば、磁気記憶媒体、半導体メモリ記憶媒体、光学式メ
モリ記憶媒体、機械的に符号化された媒体などのアプリ
ケーション（応用例）記憶装置を受けるようになってい
る。またアプリケーション（応用例）記憶装置は、シス
テム１１の動作を制御するのに使用される制御情報によ
りプログラムされて、治療中の患者に対して望ましいタ
イプの低エネルギ放射療法が施される。
【００１９】以下より詳細に示す通り、アプリケーショ
ン記憶装置５２はマイクロプロセッサを備えても良く、
インタフェース１６につながると、システム１１の機能
を制御して望ましい低エネルギ放射療法を提供する。そ
のかわりとして、アプリケーション記憶装置５２は、シ
ステム１１のマイクロプロセッサ２１と共同で使用され
るマイクロプロセッサを備えても良い。このような場
合、装置５２のマイクロプロセッサはシステム１１と記
憶装置５２のインタフェース動作を援助したり、あるい
は安全チェック機能を提供したりできる。
ン記憶装置５２はマイクロプロセッサを備えても良く、
インタフェース１６につながると、システム１１の機能
を制御して望ましい低エネルギ放射療法を提供する。そ
のかわりとして、アプリケーション記憶装置５２は、シ
ステム１１のマイクロプロセッサ２１と共同で使用され
るマイクロプロセッサを備えても良い。このような場
合、装置５２のマイクロプロセッサはシステム１１と記
憶装置５２のインタフェース動作を援助したり、あるい
は安全チェック機能を提供したりできる。
【００２０】またシステム１１にはディスプレイ１７が
含まれており、このディスプレイはシステム１１の動作
の各種指示を表示できる。更に、システム１１には電源
のオンボタン１８、オフボタン１９が含まれている。
含まれており、このディスプレイはシステム１１の動作
の各種指示を表示できる。更に、システム１１には電源
のオンボタン１８、オフボタン１９が含まれている。
【００２１】適用システム１１の構成で図１に示したも
のとは別の構成も本発明の精神と範囲から逸脱する事な
く使用できる事が理解されるであろう。
のとは別の構成も本発明の精神と範囲から逸脱する事な
く使用できる事が理解されるであろう。
【００２２】つぎに図２を参照すると、示されているの
は本発明による適用システム１１の電子回路のブロック
図である。マイクロプロセッサ２１は適用システム１１
のコントローラとして動作し、アドレス・バス２２、デ
ータ・バス２３、Ｉ／Ｏライン２５を介してシステム１
１の各種構成部を制御するように接続されている。
は本発明による適用システム１１の電子回路のブロック
図である。マイクロプロセッサ２１は適用システム１１
のコントローラとして動作し、アドレス・バス２２、デ
ータ・バス２３、Ｉ／Ｏライン２５を介してシステム１
１の各種構成部を制御するように接続されている。
【００２３】マイクロプロセッサ２１には、命令コー
ド、制御プログラム、一時的データ用の中間記憶が含ま
れていることが望ましい。さらに、マイクロプロセッサ
２１には入／出力ポートと内部タイマーが含まれてい
る。マイクロプロセッサ２１は、たとえば、インテル社
（Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）から入手可能
な８ビット・シングルチップ・マイクロコントローラ、
８０４８あるいは８０５１で良い。
ド、制御プログラム、一時的データ用の中間記憶が含ま
れていることが望ましい。さらに、マイクロプロセッサ
２１には入／出力ポートと内部タイマーが含まれてい
る。マイクロプロセッサ２１は、たとえば、インテル社
（Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）から入手可能
な８ビット・シングルチップ・マイクロコントローラ、
８０４８あるいは８０５１で良い。
【００２４】マイクロプロセッサ２１のタイミングはシ
ステムクロック２４により供給されているが、このシス
テムクロック２４にはコンデンサ２７、２８と共にクロ
ック用水晶２６が含まれている。システムクロック２４
は、使用される特定のマイクロプロセッサに適合するい
かなるクロック周波数でも動作できる。本発明の実施例
の１つによれば、システムクロック２４はクロック周波
数８メガヘルツで動作する。
ステムクロック２４により供給されているが、このシス
テムクロック２４にはコンデンサ２７、２８と共にクロ
ック用水晶２６が含まれている。システムクロック２４
は、使用される特定のマイクロプロセッサに適合するい
かなるクロック周波数でも動作できる。本発明の実施例
の１つによれば、システムクロック２４はクロック周波
数８メガヘルツで動作する。
【００２５】マイクロプロセッサ２１の動作プログラム
は、図１１から図１４を参照して流れ図の形式で以下に
示す。一般的に、マイクロプロセッサ２１は可制御型電
磁エネルギ発生器回路２９を制御して、プローブ１３を
介して患者に加えるための希望する形式の変調された低
エネルギ電磁放射を発生させるように機能する。
は、図１１から図１４を参照して流れ図の形式で以下に
示す。一般的に、マイクロプロセッサ２１は可制御型電
磁エネルギ発生器回路２９を制御して、プローブ１３を
介して患者に加えるための希望する形式の変調された低
エネルギ電磁放射を発生させるように機能する。
【００２６】可制御型発生器回路２９には変調周波数発
生器回路３１と搬送波信号発振器３２が含まれている。
マイクロプロセッサ２１は、以下より詳細に説明する通
り、発振器ディスエーブル・ライン３３を介して可制御
型発生器回路２９を起動したり停止したりするように動
作する。また、可制御型発生器回路２９にはＡＭ変調・
電力発生器３４が含まれているが、ＡＭ変調・電力発生
器３４は、搬送波信号発振器３２が発生させた、搬送波
信号ライン３６上の搬送波信号を、変調周波数発生器回
路３１が発生させた、変調信号ライン３７上の変調信号
を使って振幅変調するように動作する。
生器回路３１と搬送波信号発振器３２が含まれている。
マイクロプロセッサ２１は、以下より詳細に説明する通
り、発振器ディスエーブル・ライン３３を介して可制御
型発生器回路２９を起動したり停止したりするように動
作する。また、可制御型発生器回路２９にはＡＭ変調・
電力発生器３４が含まれているが、ＡＭ変調・電力発生
器３４は、搬送波信号発振器３２が発生させた、搬送波
信号ライン３６上の搬送波信号を、変調周波数発生器回
路３１が発生させた、変調信号ライン３７上の変調信号
を使って振幅変調するように動作する。
【００２７】変調器３４は、振幅変調された搬送波信号
を変調搬送波信号ライン３８上に発生させる。振幅変調
された搬送波信号はフィルタ回路３９に供給される。フ
ィルタ回路３９は、同軸ケーブル１２とインピーダンス
変成器１４を介してプローブ１３に接続される。
を変調搬送波信号ライン３８上に発生させる。振幅変調
された搬送波信号はフィルタ回路３９に供給される。フ
ィルタ回路３９は、同軸ケーブル１２とインピーダンス
変成器１４を介してプローブ１３に接続される。
【００２８】マイクロプロセッサ２１は、アドレス・バ
ス２２、データ・バス２３、Ｉ／Ｏライン２５を介して
可制御型発生器回路２９の変調周波数発生器回路３１を
制御する。特に、マイクロプロセッサ２１はＩ／Ｏライ
ン２５を介して変調波形記憶装置４３に記憶された希望
する波形を選択する。また選択した変調信号を検索する
ために、マイクロプロセッサ２１が波形アドレス発生器
４１を制御して、波形アドレス・バス４２上に一連のア
ドレスをつくり出すと、これらのアドレスは変調信号記
憶装置４３に供給される。希望する変調信号は変調信号
記憶装置４３から検索され変調信号バス４４にディジタ
ル形式で供給される。変調信号バス４４がディジタル・
アナログ変換器（ＤＡＣ）４６につながると、ＤＡＣ４
６はディジタル変調信号をアナログ形式に変換する。こ
のアナログ変調信号は選択フィルタ４７につながれ、選
択フィルタ４７は、ＤＡＣ４６によってつくられ、変調
信号ライン２０上にあるアナログ変調信号をマイクロプ
ロセッサ２１の制御の下で抵抗器４８とコンデンサ４
９、５１を使用して濾波する。
ス２２、データ・バス２３、Ｉ／Ｏライン２５を介して
可制御型発生器回路２９の変調周波数発生器回路３１を
制御する。特に、マイクロプロセッサ２１はＩ／Ｏライ
ン２５を介して変調波形記憶装置４３に記憶された希望
する波形を選択する。また選択した変調信号を検索する
ために、マイクロプロセッサ２１が波形アドレス発生器
４１を制御して、波形アドレス・バス４２上に一連のア
ドレスをつくり出すと、これらのアドレスは変調信号記
憶装置４３に供給される。希望する変調信号は変調信号
記憶装置４３から検索され変調信号バス４４にディジタ
ル形式で供給される。変調信号バス４４がディジタル・
アナログ変換器（ＤＡＣ）４６につながると、ＤＡＣ４
６はディジタル変調信号をアナログ形式に変換する。こ
のアナログ変調信号は選択フィルタ４７につながれ、選
択フィルタ４７は、ＤＡＣ４６によってつくられ、変調
信号ライン２０上にあるアナログ変調信号をマイクロプ
ロセッサ２１の制御の下で抵抗器４８とコンデンサ４
９、５１を使用して濾波する。
【００２９】本実施例においては、各種の変調信号波形
は変調信号記憶装置４３の中に記憶されている。２キロ
バイトのメモリにより、変調信号記憶装置４３は８つの
異なる変調信号波形を記憶することができる。使用して
成功した波形には方形波形や正弦波形が含まれている。
このほかに使用できそうな波形には整流した正弦波、三
角波、上記波形のすべての組み合わせの波形が含まれて
いる。
は変調信号記憶装置４３の中に記憶されている。２キロ
バイトのメモリにより、変調信号記憶装置４３は８つの
異なる変調信号波形を記憶することができる。使用して
成功した波形には方形波形や正弦波形が含まれている。
このほかに使用できそうな波形には整流した正弦波、三
角波、上記波形のすべての組み合わせの波形が含まれて
いる。
【００３０】本実施例においては、各変調信号波形は２
５６バイトのメモリを使用しているので、２５６の連続
したアドレスを速読（running through ）することによ
り変調信号記憶装置４３から検索される。変調信号の周
波数は、変調信号記憶装置４３から波形が検索される早
さにより制御される。本実施例によれば、これはマイク
ロプロセッサ２１から波形アドレス発生器４１の中に含
まれるプログラマブルカウンターに制御コードをダウン
ロードすることにより遂行される。プログラマブルカウ
ンターの出力はリプル・カウンターを駆動すると、リプ
ル・カウンターは８ビットのアドレス列を波形アドレス
・バス４２上に発生させる。
５６バイトのメモリを使用しているので、２５６の連続
したアドレスを速読（running through ）することによ
り変調信号記憶装置４３から検索される。変調信号の周
波数は、変調信号記憶装置４３から波形が検索される早
さにより制御される。本実施例によれば、これはマイク
ロプロセッサ２１から波形アドレス発生器４１の中に含
まれるプログラマブルカウンターに制御コードをダウン
ロードすることにより遂行される。プログラマブルカウ
ンターの出力はリプル・カウンターを駆動すると、リプ
ル・カウンターは８ビットのアドレス列を波形アドレス
・バス４２上に発生させる。
【００３１】波形アドレス発生器４１は、たとえば、Ｎ
ＥＣから入手可能なプログラマブル・タイマー／カウン
ター・ｕＰＤ６５０４２Ｃでよい。変調信号記憶装置４
３は、たとえば、希望する波形テーブルによりプログラ
ムされた２８Ｃ１６型電気的消去可能プログラマブル読
出し専用メモリ（Electrical Erasable ProgrammableRe
ad Only Memory:ＥＥＰＲＯＭ）でよい。ディジタル・
アナログ変換器４６は、たとえば、アナログ・デバイス
（Analog Devices）社から入手可能なＤＡＣポート、Ａ
Ｄ５５７ＪＮでよいし、選択フィルタ４７はナショナル
・セミコンダクター（National Semiconductor）社ある
いはハリス・セミコンダクター（HarisSemiconductor）
社から入手可能な４０５２型マルチプレクサでよい。
ＥＣから入手可能なプログラマブル・タイマー／カウン
ター・ｕＰＤ６５０４２Ｃでよい。変調信号記憶装置４
３は、たとえば、希望する波形テーブルによりプログラ
ムされた２８Ｃ１６型電気的消去可能プログラマブル読
出し専用メモリ（Electrical Erasable ProgrammableRe
ad Only Memory:ＥＥＰＲＯＭ）でよい。ディジタル・
アナログ変換器４６は、たとえば、アナログ・デバイス
（Analog Devices）社から入手可能なＤＡＣポート、Ａ
Ｄ５５７ＪＮでよいし、選択フィルタ４７はナショナル
・セミコンダクター（National Semiconductor）社ある
いはハリス・セミコンダクター（HarisSemiconductor）
社から入手可能な４０５２型マルチプレクサでよい。
【００３２】本発明によれば、可制御型発生器回路２９
の動作を制御するために使用される特定の変調制御情報
はアプリケーション記憶装置５２に記憶される。図１
５、図１６、図１７、図１８を参照して以下より詳細に
説明する通り、アプリケーション記憶装置５２は、後で
検索に使える情報を記憶するどんな記憶装置でもよい。
たとえば、アプリケーション記憶装置５２は、カード、
テープ、ディスク、ドラムなど磁気記憶媒体を基本とす
る記憶装置でよい。代替方法としては、アプリケーショ
ン記憶装置５２は、消去可能プログラマブル読出し専用
メモリ（ErasableProgrammable Read Only Memory: Ｅ
ＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読出し専用
メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）あるいは不揮発性ランダムアク
セスメモリ（ＲＡＭ）など半導体メモリを基本とした記
憶装置でもよい。アプリケーション記憶装置５２に対す
るその他の方法として、パンチカード、カムなどの機械
的情報記憶装置がある。アプリケーション記憶装置５２
の更に別の方法としてはコンパクトディスク読出し専用
メモリＣＤ ＲＯＭ）がある。
の動作を制御するために使用される特定の変調制御情報
はアプリケーション記憶装置５２に記憶される。図１
５、図１６、図１７、図１８を参照して以下より詳細に
説明する通り、アプリケーション記憶装置５２は、後で
検索に使える情報を記憶するどんな記憶装置でもよい。
たとえば、アプリケーション記憶装置５２は、カード、
テープ、ディスク、ドラムなど磁気記憶媒体を基本とす
る記憶装置でよい。代替方法としては、アプリケーショ
ン記憶装置５２は、消去可能プログラマブル読出し専用
メモリ（ErasableProgrammable Read Only Memory: Ｅ
ＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読出し専用
メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）あるいは不揮発性ランダムアク
セスメモリ（ＲＡＭ）など半導体メモリを基本とした記
憶装置でもよい。アプリケーション記憶装置５２に対す
るその他の方法として、パンチカード、カムなどの機械
的情報記憶装置がある。アプリケーション記憶装置５２
の更に別の方法としてはコンパクトディスク読出し専用
メモリＣＤ ＲＯＭ）がある。
【００３３】強調しておかなければならないことは、マ
イクロプロセッサ２１を示す図形はアプリケーション記
憶装置５２と離れているが、マイクロプロセッサ２１と
アプリケーション記憶装置５２は両方とも１つの素子に
組み込まれ、この素子はシステム１１にロードされて、
ここに説明する通りシステム１１の動作を制御するので
ある。この場合、インタフェース１６はマイクロプロセ
ッサ２１とアプリケーション記憶装置５２とシステム１
１の残り部分との組み合わせの間に介在している事にな
る。
イクロプロセッサ２１を示す図形はアプリケーション記
憶装置５２と離れているが、マイクロプロセッサ２１と
アプリケーション記憶装置５２は両方とも１つの素子に
組み込まれ、この素子はシステム１１にロードされて、
ここに説明する通りシステム１１の動作を制御するので
ある。この場合、インタフェース１６はマイクロプロセ
ッサ２１とアプリケーション記憶装置５２とシステム１
１の残り部分との組み合わせの間に介在している事にな
る。
【００３４】インタフェース１６は使用される特定のア
プリケーション記憶装置５２に対して適切に構成され
る。インタフェース１６はアプリケーション記憶装置５
２に記憶された制御情報を、マイクロプロセッサ２１の
メモリ内の記憶に使用可能な形式に翻訳し、マイクロプ
ロセッサ２１が可制御型発生器回路２９を制御して、希
望する変調された低エネルギ放射を発生させるようにす
る。
プリケーション記憶装置５２に対して適切に構成され
る。インタフェース１６はアプリケーション記憶装置５
２に記憶された制御情報を、マイクロプロセッサ２１の
メモリ内の記憶に使用可能な形式に翻訳し、マイクロプ
ロセッサ２１が可制御型発生器回路２９を制御して、希
望する変調された低エネルギ放射を発生させるようにす
る。
【００３５】インタフェース１６はアプリケーション記
憶装置５２に記憶された情報を直接読出しても良いし、
各種の既存の通信リンクを使用してこの情報を読出しし
ても良い。インタフェース１６とアプリケーション記憶
装置５２の間の情報転送に、たとえば、無線周波、マイ
クロウエーブ、電話あるいは光による通信リンクを使用
してもよい。
憶装置５２に記憶された情報を直接読出しても良いし、
各種の既存の通信リンクを使用してこの情報を読出しし
ても良い。インタフェース１６とアプリケーション記憶
装置５２の間の情報転送に、たとえば、無線周波、マイ
クロウエーブ、電話あるいは光による通信リンクを使用
してもよい。
【００３６】アプリケーション記憶装置５２とマイクロ
プロセッサ２１が同一素子に組み込まれた場合、インタ
フェース１６は、マイクロプロセッサ２１をシステム１
１の残り部分に接続するように構成される。
プロセッサ２１が同一素子に組み込まれた場合、インタ
フェース１６は、マイクロプロセッサ２１をシステム１
１の残り部分に接続するように構成される。
【００３７】アプリケーション記憶装置５２に記憶され
た制御情報により、プローブ１３を介して患者に加えら
れる変調された低エネルギＲＦ電磁放射の調整可能な各
種パラメータが指定される。このような調整可能なパラ
メータには、たとえば、搬送波の周波数と振幅、搬送波
の変調の振幅と周波数、放射持続時間、放射の電力レベ
ル、放射のデューティ・サイクル（即ち、使用中加えら
れた放射パルスの、オフ時間に対するオン時間の割
合）、特定の使用に対する異なる変調周波数の使用の順
番、全治療回数、特定の患者に処方された治療毎の継続
時間が含まれている。
た制御情報により、プローブ１３を介して患者に加えら
れる変調された低エネルギＲＦ電磁放射の調整可能な各
種パラメータが指定される。このような調整可能なパラ
メータには、たとえば、搬送波の周波数と振幅、搬送波
の変調の振幅と周波数、放射持続時間、放射の電力レベ
ル、放射のデューティ・サイクル（即ち、使用中加えら
れた放射パルスの、オフ時間に対するオン時間の割
合）、特定の使用に対する異なる変調周波数の使用の順
番、全治療回数、特定の患者に処方された治療毎の継続
時間が含まれている。
【００３８】たとえば、搬送波信号と変調信号は、振幅
変調された信号によりプローブ１３を駆動するように選
択されるが、振幅変調された信号の中の搬送波信号には
１ギガヘルツ以下、望ましくは１メガヘルツと９００メ
ガヘルツの間のスペクトル周波数成分が含まれ、かつ変
調信号には、０．１ヘルツと１０キロヘルツの間の、望
ましくは１ヘルツと１０００ヘルツの間のスペクトル周
波数成分が含まれている。本発明によれば、１つあるい
はそれ以上の変調周波数を順番に連続して変調信号を形
成している。
変調された信号によりプローブ１３を駆動するように選
択されるが、振幅変調された信号の中の搬送波信号には
１ギガヘルツ以下、望ましくは１メガヘルツと９００メ
ガヘルツの間のスペクトル周波数成分が含まれ、かつ変
調信号には、０．１ヘルツと１０キロヘルツの間の、望
ましくは１ヘルツと１０００ヘルツの間のスペクトル周
波数成分が含まれている。本発明によれば、１つあるい
はそれ以上の変調周波数を順番に連続して変調信号を形
成している。
【００３９】追加機能としては、電磁放射センサ５３が
備えられていて、搬送波発振器３２の周波数による電磁
放射の存在が検出される。放射センサ５３により、希望
する周波数の電磁放射が出ているかどうかの指示がマイ
クロプロセッサ２１に与えられる。以下より詳細に説明
する通り、マイクロプロセッサ２１は、たとえば、ディ
スプレイ１７にエラーメッセージを表示したり、可制御
型発生器回路２９を停止したりするなどの適切な作用を
行う。
備えられていて、搬送波発振器３２の周波数による電磁
放射の存在が検出される。放射センサ５３により、希望
する周波数の電磁放射が出ているかどうかの指示がマイ
クロプロセッサ２１に与えられる。以下より詳細に説明
する通り、マイクロプロセッサ２１は、たとえば、ディ
スプレイ１７にエラーメッセージを表示したり、可制御
型発生器回路２９を停止したりするなどの適切な作用を
行う。
【００４０】また本発明には電力センサ５４が含まれて
いるが、この電力センサ５４は、プローブ１３を介して
患者に加えられる電力量を検出し、この量を該患者から
戻ってきたあるいは反射された電力量と比較する。この
比率は、治療セッション中にシステムが適正に使用され
ていることを示している。電力センサ５４は、患者から
反射された電力量に対する該患者に加えられた電力量
を、電力センス・ライン５６を介してマイクロプロセッ
サ２１に与える。
いるが、この電力センサ５４は、プローブ１３を介して
患者に加えられる電力量を検出し、この量を該患者から
戻ってきたあるいは反射された電力量と比較する。この
比率は、治療セッション中にシステムが適正に使用され
ていることを示している。電力センサ５４は、患者から
反射された電力量に対する該患者に加えられた電力量
を、電力センス・ライン５６を介してマイクロプロセッ
サ２１に与える。
【００４１】電力センス・ライン５６上に与えられる指
示はディジタル化されて、マイクロプロセッサ２１によ
り使用され、たとえば、加えた電力のレベルを検出し制
御するとともに、実際に加えた治療に関する情報をアプ
リケーション記憶装置５２に記録する。この情報は、患
者の治療の適合性と効果を評価するために治療医や臨床
医によって使用される。このような治療上の情報には、
たとえば、所定の時間中に加えられた治療回数、治療毎
の日時と実際の時間、治療の試行回数、治療の適合性
（即ち、治療セッション中にプローブが正しい場所にあ
ったか、正しい場所からはずれていたかどうかというこ
と）、特定の変調周波数の累積放射量、が含まれてい
る。
示はディジタル化されて、マイクロプロセッサ２１によ
り使用され、たとえば、加えた電力のレベルを検出し制
御するとともに、実際に加えた治療に関する情報をアプ
リケーション記憶装置５２に記録する。この情報は、患
者の治療の適合性と効果を評価するために治療医や臨床
医によって使用される。このような治療上の情報には、
たとえば、所定の時間中に加えられた治療回数、治療毎
の日時と実際の時間、治療の試行回数、治療の適合性
（即ち、治療セッション中にプローブが正しい場所にあ
ったか、正しい場所からはずれていたかどうかというこ
と）、特定の変調周波数の累積放射量、が含まれてい
る。
【００４２】加えられる電力レベルは、患者によって吸
収されたエネルギの固有吸収率（ＳＡＲ：specific abs
orption rate）が、組織１キログラム当たり１マイクロ
ワットから組織１キログラム当たり５０ワットになるよ
うに制御されることが望ましい。さらに望ましくは、Ｓ
ＡＲが組織１キログラム当たり１００マイクロワットか
ら組織１キログラム当たり１０ワットに、さらに最も望
ましくは、ＳＡＲが組織１キログラム当たり１ミリワッ
トから組織１キログラム当たり１００ミリワットまでと
するように電力レベルを調整する。これらＳＡＲは当該
患者のどこの組織における値でも良いが、中枢神経形の
組織の中である事が望ましい。
収されたエネルギの固有吸収率（ＳＡＲ：specific abs
orption rate）が、組織１キログラム当たり１マイクロ
ワットから組織１キログラム当たり５０ワットになるよ
うに制御されることが望ましい。さらに望ましくは、Ｓ
ＡＲが組織１キログラム当たり１００マイクロワットか
ら組織１キログラム当たり１０ワットに、さらに最も望
ましくは、ＳＡＲが組織１キログラム当たり１ミリワッ
トから組織１キログラム当たり１００ミリワットまでと
するように電力レベルを調整する。これらＳＡＲは当該
患者のどこの組織における値でも良いが、中枢神経形の
組織の中である事が望ましい。
【００４３】また、システム１１には、バッテリ及び充
電回路５７とバッテリ電圧変化検出器５８を含んだ電源
供給回路が含まれている。
電回路５７とバッテリ電圧変化検出器５８を含んだ電源
供給回路が含まれている。
【００４４】図３から図１０は図２のシステムの各種構
成部の詳細を示している。
成部の詳細を示している。
【００４５】図３を参照すると、可調整型変調周波数発
生器回路３１の詳細な模式図が示されている。変調周波
数発生器回路３１には波形アドレス発生器４１、変調信
号記憶装置４３、ディジタル・アナログ変換器４６、選
択フィルタ回路網４７が含まれている。
生器回路３１の詳細な模式図が示されている。変調周波
数発生器回路３１には波形アドレス発生器４１、変調信
号記憶装置４３、ディジタル・アナログ変換器４６、選
択フィルタ回路網４７が含まれている。
【００４６】マイクロプロセッサ２１は拡張Ｉ／Ｏライ
ン４５を制御して波形記憶装置４３から希望する波形を
選択する。ついでマイクロプロセッサ２１が波形アドレ
ス発生器４１に制御情報をダウンロードすると、次に波
形アドレス発生器４１は１連の波形アドレスを発生させ
る。この１連の波形アドレスは波形アドレス・バス４２
を介して変調信号記憶装置４３に供給される。すると希
望する変調信号が記憶装置４３から検索されて、信号バ
ス４４にディジタル形式で現れる。ディジタル・アナロ
グ変換器４６によってディジタルからアナログへ変換さ
れた後、当該変調信号は濾波されて変調信号ライン２０
に出力される。
ン４５を制御して波形記憶装置４３から希望する波形を
選択する。ついでマイクロプロセッサ２１が波形アドレ
ス発生器４１に制御情報をダウンロードすると、次に波
形アドレス発生器４１は１連の波形アドレスを発生させ
る。この１連の波形アドレスは波形アドレス・バス４２
を介して変調信号記憶装置４３に供給される。すると希
望する変調信号が記憶装置４３から検索されて、信号バ
ス４４にディジタル形式で現れる。ディジタル・アナロ
グ変換器４６によってディジタルからアナログへ変換さ
れた後、当該変調信号は濾波されて変調信号ライン２０
に出力される。
【００４７】変調信号の周波数は、一連の波形アドレス
が発生する速度によって決定される。変調信号の形は拡
張Ｉ／Ｏライン４５を介してマイクロプロセッサ２１に
より選択され、フィルター回路網はＩ／Ｏライン５０を
介して選択される。
が発生する速度によって決定される。変調信号の形は拡
張Ｉ／Ｏライン４５を介してマイクロプロセッサ２１に
より選択され、フィルター回路網はＩ／Ｏライン５０を
介して選択される。
【００４８】つぎに図４を参照すると、変調信号バッフ
ァー増幅器３５と搬送波発振器回路３２の詳細な模式図
が示されている。
ァー増幅器３５と搬送波発振器回路３２の詳細な模式図
が示されている。
【００４９】変調信号バッファー増幅器３５は基本的に
は離散型の非インバーティング増幅器である。この増幅
器は選択フィルター４７からの変調信号２０をバッファ
ーし、ＡＭ変調・電力発生器３４に対して必要な変調信
号振幅と電流ドライブを与える。出力ステ−ジは、出力
信号３７がレール間の電圧振幅（rail-to-railvaltage
swing ）になるように設計されている。変調信号バッフ
ァーの出力は信号ライン３７に現れる。
は離散型の非インバーティング増幅器である。この増幅
器は選択フィルター４７からの変調信号２０をバッファ
ーし、ＡＭ変調・電力発生器３４に対して必要な変調信
号振幅と電流ドライブを与える。出力ステ−ジは、出力
信号３７がレール間の電圧振幅（rail-to-railvaltage
swing ）になるように設計されている。変調信号バッフ
ァーの出力は信号ライン３７に現れる。
【００５０】つぎのことに注意されたい。即ち、ここに
開示した実施例では、変調信号バッファー増幅器３５の
利得は実質的に一定であると考えられている。しかし本
発明では、ライン３７上の変調信号の大きさを変えるた
めに、マイクロプロセッサ２１によって制御される可変
利得増幅器を使用することも意図されており、したがっ
て加える電力の制御をプログラムできるようになってい
る。
開示した実施例では、変調信号バッファー増幅器３５の
利得は実質的に一定であると考えられている。しかし本
発明では、ライン３７上の変調信号の大きさを変えるた
めに、マイクロプロセッサ２１によって制御される可変
利得増幅器を使用することも意図されており、したがっ
て加える電力の制御をプログラムできるようになってい
る。
【００５１】搬送波発振器３２は搬送波発振器水晶５９
の周辺につくられている。１つの実施例においては、搬
送波発振器３２は２７メガヘルツの無線周波（ＲＦ）搬
送周波数を発生させる。本発明の他の実施例では４８メ
ガヘルツ、４５０メガヘルツあるいは９００メガヘルツ
のＲＦ搬送周波数をつかうことを考えている。一般に、
搬送波発振器３２によって発生するＲＦ搬送周波数は、
望ましくは１メガヘルツと９００キロヘルツの間の、１
メガヘルツより少ないスペクトル周波数成分を有してい
る。これも注意されたい事であるが、開示した実施例で
は、一度設定されると搬送波発振器の周波数は実質的に
一定になっているが、本発明では、搬送波信号発振器３
２によって発生する搬送波の周波数は、アプリケーショ
ン記憶装置５２に記憶されている制御情報の使用により
マイクロプロセッサ２１によって制御しかつ可変とする
ことができるのである。これは、たとえば、高周波発振
器を使用すれば可能であるが、この場合、高周波発振器
の出力を可調整型クロック・デバイダ回路により調整し
て搬送周波数信号を発生させることになる。
の周辺につくられている。１つの実施例においては、搬
送波発振器３２は２７メガヘルツの無線周波（ＲＦ）搬
送周波数を発生させる。本発明の他の実施例では４８メ
ガヘルツ、４５０メガヘルツあるいは９００メガヘルツ
のＲＦ搬送周波数をつかうことを考えている。一般に、
搬送波発振器３２によって発生するＲＦ搬送周波数は、
望ましくは１メガヘルツと９００キロヘルツの間の、１
メガヘルツより少ないスペクトル周波数成分を有してい
る。これも注意されたい事であるが、開示した実施例で
は、一度設定されると搬送波発振器の周波数は実質的に
一定になっているが、本発明では、搬送波信号発振器３
２によって発生する搬送波の周波数は、アプリケーショ
ン記憶装置５２に記憶されている制御情報の使用により
マイクロプロセッサ２１によって制御しかつ可変とする
ことができるのである。これは、たとえば、高周波発振
器を使用すれば可能であるが、この場合、高周波発振器
の出力を可調整型クロック・デバイダ回路により調整し
て搬送周波数信号を発生させることになる。
【００５２】搬送波発振器３２は搬送波信号ライン３６
上に搬送波信号を発生させるが、この搬送波信号は信号
ライン３７で運ばれる変調信号によって変調される。
上に搬送波信号を発生させるが、この搬送波信号は信号
ライン３７で運ばれる変調信号によって変調される。
【００５３】発振器ディスエーブル・ライン３３がＮＡ
ＮＤゲート６１に供給されると、その出力はＮＡＮＤゲ
ート６２に供給される。この構成によって、マイクロプ
ロセッサ２１は、適切なディスエーブル信号を発振器デ
ィスエーブル・ライン３３に供給する事により変調信号
バッファー３５と搬送波発振器３２の双方を動作不能に
することができる。
ＮＤゲート６１に供給されると、その出力はＮＡＮＤゲ
ート６２に供給される。この構成によって、マイクロプ
ロセッサ２１は、適切なディスエーブル信号を発振器デ
ィスエーブル・ライン３３に供給する事により変調信号
バッファー３５と搬送波発振器３２の双方を動作不能に
することができる。
【００５４】図５はＡＭ変調・電力発生器３４と出力フ
ィルター３９の詳細な模式図を示す。ＡＭ変調器は、並
列に接続され零交差スイッチング・モードで動作する２
つのトランジスタ６６、６７からつくられている。搬送
波信号３６はインダクタ６８、６９を介してトランジス
タ６６、６７のベースに供給される。トランジスタ６
６、６７のコレクタに現れる変調された搬送波が最終結
果である。
ィルター３９の詳細な模式図を示す。ＡＭ変調器は、並
列に接続され零交差スイッチング・モードで動作する２
つのトランジスタ６６、６７からつくられている。搬送
波信号３６はインダクタ６８、６９を介してトランジス
タ６６、６７のベースに供給される。トランジスタ６
６、６７のコレクタに現れる変調された搬送波が最終結
果である。
【００５５】出力電力は、３対のインダクタとコンデン
サ７０、７１、７２により構成されるシングルエンド型
同調式共振変換器（single-ended tuned resonant conv
erters）によって発生する。ＬＣ共振回路７０、７１、
７２は同調して必要な出力電力を与え、かつ最適化され
て変換器の効率は最大となる。
サ７０、７１、７２により構成されるシングルエンド型
同調式共振変換器（single-ended tuned resonant conv
erters）によって発生する。ＬＣ共振回路７０、７１、
７２は同調して必要な出力電力を与え、かつ最適化され
て変換器の効率は最大となる。
【００５６】ＡＭ変調・電力発生器３４の出力は信号ラ
イン３８に現れる。この変調された信号は出力フィルタ
回路網３９を介して出力コネクタ７８に与えられる。出
力フィルタ３９には３つのＬＣフィルターステ−ジ７
３、７４、７６が含まれている。
イン３８に現れる。この変調された信号は出力フィルタ
回路網３９を介して出力コネクタ７８に与えられる。出
力フィルタ３９には３つのＬＣフィルターステ−ジ７
３、７４、７６が含まれている。
【００５７】第１のＬＣフィルター・ステ−ジ７３は、
通過バンドの中心が２７メガヘルツでバンド・ノッチの
中心が５４メガヘルツのバンド・パス・フィルター及び
バンド・ノッチ・フィルターである。バンド・ノッチ・
フィルターは搬送波の第２高調波を追加して抑止する。
第２および第３のＬＣフィルター・ステ−ジ７４、７６
はともにバンド・パス・フィルターであって、その通過
バンドの中心は２７メガヘルツである。この３ステ−ジ
の出力フィルターは、ＡＭ変調回路３４の零交差スイッ
チングに起因する搬送波の高調波を実質的に除去する役
目をしている。
通過バンドの中心が２７メガヘルツでバンド・ノッチの
中心が５４メガヘルツのバンド・パス・フィルター及び
バンド・ノッチ・フィルターである。バンド・ノッチ・
フィルターは搬送波の第２高調波を追加して抑止する。
第２および第３のＬＣフィルター・ステ−ジ７４、７６
はともにバンド・パス・フィルターであって、その通過
バンドの中心は２７メガヘルツである。この３ステ−ジ
の出力フィルターは、ＡＭ変調回路３４の零交差スイッ
チングに起因する搬送波の高調波を実質的に除去する役
目をしている。
【００５８】出力の直列抵抗器７７は変調器の出力イン
ピーダンスを調整するために使用されている。ＡＭ変調
器の出力インピーダンスは５０オームよりかなり小さい
という事が測定で判っている。直列抵抗器７７により回
路の出力インピーダンスはほぼ５０オームに調整され
る。
ピーダンスを調整するために使用されている。ＡＭ変調
器の出力インピーダンスは５０オームよりかなり小さい
という事が測定で判っている。直列抵抗器７７により回
路の出力インピーダンスはほぼ５０オームに調整され
る。
【００５９】図６はインピーダンス変成器１４の詳細を
示す。図１、図２、図５を参照すると、ＡＭ変調・電力
発生器３４とフィルタ・ステ−ジ３９の出力は５０オー
ムの出力インピーダンスを持つように設計されている
が、これは同軸ケーブル１２の５０オームのインピーダ
ンスに整合するために選択されているのである。インピ
ーダンス変成器１４には、プローブ１３と同軸ケーブル
１２の中心導体との間に接続されるインダクタ７９と、
プローブ１３と同軸ケーブル１２の接地導体との間に接
続されるコンデンサ８１が含まれている。
示す。図１、図２、図５を参照すると、ＡＭ変調・電力
発生器３４とフィルタ・ステ−ジ３９の出力は５０オー
ムの出力インピーダンスを持つように設計されている
が、これは同軸ケーブル１２の５０オームのインピーダ
ンスに整合するために選択されているのである。インピ
ーダンス変成器１４には、プローブ１３と同軸ケーブル
１２の中心導体との間に接続されるインダクタ７９と、
プローブ１３と同軸ケーブル１２の接地導体との間に接
続されるコンデンサ８１が含まれている。
【００６０】インピーダンスの測定から決定されている
事として、プローブ１３が患者の口の中に挿入される
と、プローブと患者の組み合わせにより、１５０＋ｊ２
００オームのオーダの複素インピーダンスを呈するとい
う事がある。 インピーダンス変成器１４は、この複素
インピーダンスを同軸ケーブル１２の５０オームのイン
ピーダンスに、したがってＡＭ変調器３４と出力フィル
タ３９の出力インピーダンスに整合する働きをしている
のである。これによって電力の伝送が向上し、反射が最
小となる。１つの実施例では、インダクタ７９は０．６
８マイクロヘンリー、コンデンサ８１は４７ピコファラ
ッドである。
事として、プローブ１３が患者の口の中に挿入される
と、プローブと患者の組み合わせにより、１５０＋ｊ２
００オームのオーダの複素インピーダンスを呈するとい
う事がある。 インピーダンス変成器１４は、この複素
インピーダンスを同軸ケーブル１２の５０オームのイン
ピーダンスに、したがってＡＭ変調器３４と出力フィル
タ３９の出力インピーダンスに整合する働きをしている
のである。これによって電力の伝送が向上し、反射が最
小となる。１つの実施例では、インダクタ７９は０．６
８マイクロヘンリー、コンデンサ８１は４７ピコファラ
ッドである。
【００６１】図７は本発明の放射センサ５３の詳細な模
式図を示す。放射センサ５３にはアンテナ８２が含まれ
ており、このアンテナは搬送波発振器３２の周波数の電
磁場を検出することができる。アンテナ８２によって誘
起された信号は、ダイオード８３、コンデンサ８４、抵
抗器８５で形成される簡単なダイオード検波器に供給さ
れる。復調された低周波信号はスイッチとして動作する
トランジスタ８６のベースに供給される。この出力は低
レベル信号ライン８７であり、この出力はマイクロプロ
セッサ２１に接続されている。放射センサ５３は治療セ
ッションの始めで使用され、プローブ１３が当該搬送周
波数の電磁場を放射しているかどうかを検出する。前記
電磁場が放射されていれば、マイクロプロセッサ２１
は、正しく電磁場がつくられているということをディス
プレイ１７に表示する。
式図を示す。放射センサ５３にはアンテナ８２が含まれ
ており、このアンテナは搬送波発振器３２の周波数の電
磁場を検出することができる。アンテナ８２によって誘
起された信号は、ダイオード８３、コンデンサ８４、抵
抗器８５で形成される簡単なダイオード検波器に供給さ
れる。復調された低周波信号はスイッチとして動作する
トランジスタ８６のベースに供給される。この出力は低
レベル信号ライン８７であり、この出力はマイクロプロ
セッサ２１に接続されている。放射センサ５３は治療セ
ッションの始めで使用され、プローブ１３が当該搬送周
波数の電磁場を放射しているかどうかを検出する。前記
電磁場が放射されていれば、マイクロプロセッサ２１
は、正しく電磁場がつくられているということをディス
プレイ１７に表示する。
【００６２】また、放射センサ５３は、ＥＸＴ ＤＣ
ＩＮライン１１５を介して電力供給回路に接続されてい
る（図１０も参照されたい）。外部の直流電力が供給さ
れると、トランジスタ８６のベースに接続されているラ
イン１１５はトランジスタ８６をオンにするので、外部
の直流電力が供給されているという表示をマイクロプロ
セッサ２１に与える事になる。
ＩＮライン１１５を介して電力供給回路に接続されてい
る（図１０も参照されたい）。外部の直流電力が供給さ
れると、トランジスタ８６のベースに接続されているラ
イン１１５はトランジスタ８６をオンにするので、外部
の直流電力が供給されているという表示をマイクロプロ
セッサ２１に与える事になる。
【００６３】つぎに図８を参照すると、患者に加える電
力とその患者から反射する電力の比を感知するために使
用される電力センサ５４の模式図が示されている。この
比率は、適用システム１１から患者に対して伝送される
電力の効率を示しており、患者治療の適合性を事前調査
するのに使用される。また、電力センサ５４は患者に加
えられる電力レベルを監視するのにも使用される。
力とその患者から反射する電力の比を感知するために使
用される電力センサ５４の模式図が示されている。この
比率は、適用システム１１から患者に対して伝送される
電力の効率を示しており、患者治療の適合性を事前調査
するのに使用される。また、電力センサ５４は患者に加
えられる電力レベルを監視するのにも使用される。
【００６４】電力センサ５４には双方向カプラ８８が含
まれているが、双方向カプラ８８はシナジー・マイクロ
ウエーブ・コーポレーション（Sinergy Microwave Corp
oration ）から入手可能なモデルＫＤＰ−２４３双方向
カプラで良い。双方向カプラ８８は、適用システム１１
により出力コネクタ７８を介して放射されかつ同軸ケー
ブル１２により運ばれるエネルギの一部分を、検出回路
８９、９０に結合する。
まれているが、双方向カプラ８８はシナジー・マイクロ
ウエーブ・コーポレーション（Sinergy Microwave Corp
oration ）から入手可能なモデルＫＤＰ−２４３双方向
カプラで良い。双方向カプラ８８は、適用システム１１
により出力コネクタ７８を介して放射されかつ同軸ケー
ブル１２により運ばれるエネルギの一部分を、検出回路
８９、９０に結合する。
【００６５】出力コネクタ７８は双方向カプラ８８の１
次側入力に接続され、同軸ケーブル１２は双方向カプラ
８８の１次側入力に接続されている。双方向カプラ８８
には２つの２次側出力が含まれているが、各２次側出力
はそれぞれ検出回路８９、９０に接続されている。検出
回路８９は、患者に加えられる電力量を検出するように
機能し、検出回路９０は、患者から反射される電力を検
出するように機能する。検出回路８９は、抵抗性分割器
９４を介して差動増幅器９１のプラスの入力に接続され
ている。検出回路９０は、抵抗性分割器９２を介して差
動増幅器９１のマイナスの入力に接続されている。差動
増幅器９１の出力は適用システム１１により患者に対し
て伝送された電力と、患者から反射された電力の差を示
しており、したがって患者によって吸収された電力量を
示している事になる。差動増幅器９１の出力はアナログ
・ディジタル変換器（ＡＤＣ）あるいは比較器９３に接
続され、ＡＤＣ９３の出力は電力センス・ライン５６を
介してマイクロプロセッサ２１に接続されている。
次側入力に接続され、同軸ケーブル１２は双方向カプラ
８８の１次側入力に接続されている。双方向カプラ８８
には２つの２次側出力が含まれているが、各２次側出力
はそれぞれ検出回路８９、９０に接続されている。検出
回路８９は、患者に加えられる電力量を検出するように
機能し、検出回路９０は、患者から反射される電力を検
出するように機能する。検出回路８９は、抵抗性分割器
９４を介して差動増幅器９１のプラスの入力に接続され
ている。検出回路９０は、抵抗性分割器９２を介して差
動増幅器９１のマイナスの入力に接続されている。差動
増幅器９１の出力は適用システム１１により患者に対し
て伝送された電力と、患者から反射された電力の差を示
しており、したがって患者によって吸収された電力量を
示している事になる。差動増幅器９１の出力はアナログ
・ディジタル変換器（ＡＤＣ）あるいは比較器９３に接
続され、ＡＤＣ９３の出力は電力センス・ライン５６を
介してマイクロプロセッサ２１に接続されている。
【００６６】図１１から図１４の流れ図を参照して以下
より詳細に説明する通り、マイクロプロセッサ２１、は
電力センス・ライン５６に現れる信号を解析して、患者
に加えた電力量を調べかつ制御し、さらに患者の治療の
適合性を評価するとともに、あとで治療医や臨床医によ
って分析や評価に使用できるように、患者の治療の適合
性の特徴や証拠をアプリケーション記憶装置５２に記録
しておく。
より詳細に説明する通り、マイクロプロセッサ２１、は
電力センス・ライン５６に現れる信号を解析して、患者
に加えた電力量を調べかつ制御し、さらに患者の治療の
適合性を評価するとともに、あとで治療医や臨床医によ
って分析や評価に使用できるように、患者の治療の適合
性の特徴や証拠をアプリケーション記憶装置５２に記録
しておく。
【００６７】図９は情報出力回路１７の詳細な模式図を
示す。マイクロプロセッサ２１はデータ・バス２３、ア
ドレス・バス２２を介して情報出力回路１７のディスプ
レイ・モジュール１０９を制御し、Ｉ／Ｏライン１００
によりサウンド制御回路１１０を制御する。ディスプレ
イ・モジュール１０９はジーメンス（Siemens ）から入
手可能なインテリジェントＬＥＤディスプレイ・モジュ
ールＰＤ３５３５、あるいはエプソン（EPSON ）から入
手可能なＬＣＤグラフィック・モジュールでも良い。サ
ウンド制御回路１１０は図９のブザーでも良いし、最新
型の音声合成器でも良い。
示す。マイクロプロセッサ２１はデータ・バス２３、ア
ドレス・バス２２を介して情報出力回路１７のディスプ
レイ・モジュール１０９を制御し、Ｉ／Ｏライン１００
によりサウンド制御回路１１０を制御する。ディスプレ
イ・モジュール１０９はジーメンス（Siemens ）から入
手可能なインテリジェントＬＥＤディスプレイ・モジュ
ールＰＤ３５３５、あるいはエプソン（EPSON ）から入
手可能なＬＣＤグラフィック・モジュールでも良い。サ
ウンド制御回路１１０は図９のブザーでも良いし、最新
型の音声合成器でも良い。
【００６８】つぎに図１０を参照すると、本発明の適用
システム１１に使用されている電力供給回路の詳細が示
されている。
システム１１に使用されている電力供給回路の詳細が示
されている。
【００６９】適用システム１１の動作中は、電力は再充
電型バッテリ９５から引き出されるが、このバッテリ
は、たとえば、６ボルトの再充電型Ｎｉ−Ｃｄバッテリ
等でよい。バッテリ９５はリレー９９を介してリレー９
８に接続されている。リレー９８の巻線に流れる電流
は、ＮＡＮＤゲート１０２の出力により制御されるトラ
ンジスタ１０６によって供給される。
電型バッテリ９５から引き出されるが、このバッテリ
は、たとえば、６ボルトの再充電型Ｎｉ−Ｃｄバッテリ
等でよい。バッテリ９５はリレー９９を介してリレー９
８に接続されている。リレー９８の巻線に流れる電流
は、ＮＡＮＤゲート１０２の出力により制御されるトラ
ンジスタ１０６によって供給される。
【００７０】ＮＡＮＤゲート１０２、１０３、１０４、
１０５はリセット型ラッチを形成するように構成されて
いる。オン・ボタン１８が押下されると、本ラッチによ
りトランジスタ１０６がオンになり、トランジスタ１０
６によってリレー９８の巻線が活性化される。オフ・ボ
タン１９が押下されると、このラッチはリセットされ、
したがってトランジスタ１０６はオフになり、リレー９
８の巻線から電力が除かれる。またマイクロプロセッサ
２１は、自動オフ・ライン１０７を瞬間ロウに引っ張る
ことにより、このラッチをリセットできる。この動作
は、システム１１がアイドルになっている時、不必要に
電力が消費されることを防止する。
１０５はリセット型ラッチを形成するように構成されて
いる。オン・ボタン１８が押下されると、本ラッチによ
りトランジスタ１０６がオンになり、トランジスタ１０
６によってリレー９８の巻線が活性化される。オフ・ボ
タン１９が押下されると、このラッチはリセットされ、
したがってトランジスタ１０６はオフになり、リレー９
８の巻線から電力が除かれる。またマイクロプロセッサ
２１は、自動オフ・ライン１０７を瞬間ロウに引っ張る
ことにより、このラッチをリセットできる。この動作
は、システム１１がアイドルになっている時、不必要に
電力が消費されることを防止する。
【００７１】リレー９８の巻線に電流が流れると、バッ
テリ９５は電圧調整器９７に接続され、この電圧調整器
９７は調整された電圧Ｖｃｃを供給する。電圧Ｖｃｃは
適用システム１１の各種構成部に電力を供給するために
使用されている。
テリ９５は電圧調整器９７に接続され、この電圧調整器
９７は調整された電圧Ｖｃｃを供給する。電圧Ｖｃｃは
適用システム１１の各種構成部に電力を供給するために
使用されている。
【００７２】コネクタ９６は、バッテリ９５を充電する
ために使用される外部交流／直流アダプタ（示されてい
ない）を収容するために用意されている。コネクタ９６
に外部直流アダプタが接続されると、電圧調整器１０１
によって調整された電圧が生じ、この電圧によってリレ
ー９９の巻線に電流が流れる。ついでバッテリ９５は電
圧調整器９７から切断され、電圧調整器１０１の出力は
電圧調整器９７の入力に接続されるので、適用システム
１１は外部直流アダプタにより電力が供給されるように
なる。外部直流電圧があることの表示は、ＥＸＴ ＤＣ
ＩＮライン１１５を介して放射センサ５３（図７）に
供給される。
ために使用される外部交流／直流アダプタ（示されてい
ない）を収容するために用意されている。コネクタ９６
に外部直流アダプタが接続されると、電圧調整器１０１
によって調整された電圧が生じ、この電圧によってリレ
ー９９の巻線に電流が流れる。ついでバッテリ９５は電
圧調整器９７から切断され、電圧調整器１０１の出力は
電圧調整器９７の入力に接続されるので、適用システム
１１は外部直流アダプタにより電力が供給されるように
なる。外部直流電圧があることの表示は、ＥＸＴ ＤＣ
ＩＮライン１１５を介して放射センサ５３（図７）に
供給される。
【００７３】外部直流電力が接続されれば（当初、適用
システム１１に電力が供給されているときは、放射セン
サ５３により判断される）、マイクロプロセッサ２１は
バッテリ充電ルーチンを実行し、可制御型発生器回路２
９を停止させ、搬送波発振器３２を動作不能にする。ま
た、マイクロプロセッサ２１はバッテリ充電コントロー
ラ５７に信号を送り急速充電回路をオンにする。ディス
プレイ１７にメッセージが表示されるか、別の発光ダイ
オードにバッテリが充電中である事が表示される。
システム１１に電力が供給されているときは、放射セン
サ５３により判断される）、マイクロプロセッサ２１は
バッテリ充電ルーチンを実行し、可制御型発生器回路２
９を停止させ、搬送波発振器３２を動作不能にする。ま
た、マイクロプロセッサ２１はバッテリ充電コントロー
ラ５７に信号を送り急速充電回路をオンにする。ディス
プレイ１７にメッセージが表示されるか、別の発光ダイ
オードにバッテリが充電中である事が表示される。
【００７４】バッテリ充電ルーチンの間、マイクロプロ
セッサ２１は、データ・バス２３を介して−ｄＶ検出器
５８からのバッテリ電圧を常時監視する。必要な−ｄＶ
が検出されると、Ｎｉ−Ｃｄバッテリ９５は全充電状態
に到達し、マイクロプロセッサ２１は高速充電回路をオ
フに切り換え、システム１１から外部電力を自動的に切
り離す。−ｄＶ検出器５８は、たとえば、マキシム・イ
ンテグレーテッド、プロダクツ社（Maxim Integrated P
roducts, Inc. ）から入手可能なＭＡＸ１６６ディジタ
ル・アナログ変換器を含んだ構成でも良い。
セッサ２１は、データ・バス２３を介して−ｄＶ検出器
５８からのバッテリ電圧を常時監視する。必要な−ｄＶ
が検出されると、Ｎｉ−Ｃｄバッテリ９５は全充電状態
に到達し、マイクロプロセッサ２１は高速充電回路をオ
フに切り換え、システム１１から外部電力を自動的に切
り離す。−ｄＶ検出器５８は、たとえば、マキシム・イ
ンテグレーテッド、プロダクツ社（Maxim Integrated P
roducts, Inc. ）から入手可能なＭＡＸ１６６ディジタ
ル・アナログ変換器を含んだ構成でも良い。
【００７５】バッテリ電圧はバッテリ電圧モニター１０
８により監視されている。バッテリ電圧が所定の低レベ
ル（放射電力が校正された値から３％低下するときの電
圧レベル）に低下すると、マイクロプロセッサ２１に信
号が供給され、マイクロプロセッサ２１はつぎに放射を
停止しディスプレイ１７にエラー・メッセージを供給す
る。バッテリ電圧モニター１０８は、たとえば、テキサ
ス・インスツルメンツ（Texas Instruments ）あるいは
ＳＧＳトムソン（SGS Thompson）から入手可能な電圧監
視用集積回路でよい。
８により監視されている。バッテリ電圧が所定の低レベ
ル（放射電力が校正された値から３％低下するときの電
圧レベル）に低下すると、マイクロプロセッサ２１に信
号が供給され、マイクロプロセッサ２１はつぎに放射を
停止しディスプレイ１７にエラー・メッセージを供給す
る。バッテリ電圧モニター１０８は、たとえば、テキサ
ス・インスツルメンツ（Texas Instruments ）あるいは
ＳＧＳトムソン（SGS Thompson）から入手可能な電圧監
視用集積回路でよい。
【００７６】つぎに図１１から図１４を参照すると、本
発明の方法による図１および図２の適用システム１１の
動作の流れ図が示されている。実際にマイクロプロセッ
サ２１に適用システム１１の機能を制御させるために、
図１１から図１４の流れ図は適切なコンピュータ・プロ
グラムにコーディングされマイクロプロセッサ２１の動
作プログラム記憶部分にロードされている。
発明の方法による図１および図２の適用システム１１の
動作の流れ図が示されている。実際にマイクロプロセッ
サ２１に適用システム１１の機能を制御させるために、
図１１から図１４の流れ図は適切なコンピュータ・プロ
グラムにコーディングされマイクロプロセッサ２１の動
作プログラム記憶部分にロードされている。
【００７７】図１１を参照すると、スイッチ１８が作動
するとマイクロプロセッサ２１はプログラムの実行を開
始する。ブロック１１１で、マイクロプロセッサ２１は
波形アドレス発生器４１を停止し、搬送波発振器３２を
動作不能にしてディスプレイ・モジュール１０９にユー
ザに対する歓迎のメッセージを表示することにより回路
を初期化する。
するとマイクロプロセッサ２１はプログラムの実行を開
始する。ブロック１１１で、マイクロプロセッサ２１は
波形アドレス発生器４１を停止し、搬送波発振器３２を
動作不能にしてディスプレイ・モジュール１０９にユー
ザに対する歓迎のメッセージを表示することにより回路
を初期化する。
【００７８】ブロック１１２で、初期化後の直流電源が
直ちにチェックされる。外部直流電源、たとえば交流／
直流アダプタ、が接続されていれば、システム１１はＮ
ｉ−Ｃｄバッテリ充電器として機能していると考えるこ
とができる。マイクロプロセッサ２１がブロック１１３
に制御を渡すと、バッテリ充電コントローラ５７の急速
充電モードをオンに切り換え、ブロック１１４、１１６
を含む制御ループの中で−ｄＶ検出器５８を介してバッ
テリ電圧を監視する。−ｄＶ検出器５８によって検出さ
れた通り、Ｎｉ−Ｃｄバッテリ９５がフル充電状態にな
ると、マイクロプロセッサ２１はブロック１１７の急速
充電電流をオフに切り換えブロック１１８でシステム１
１を自動的にオフに切り換える。
直ちにチェックされる。外部直流電源、たとえば交流／
直流アダプタ、が接続されていれば、システム１１はＮ
ｉ−Ｃｄバッテリ充電器として機能していると考えるこ
とができる。マイクロプロセッサ２１がブロック１１３
に制御を渡すと、バッテリ充電コントローラ５７の急速
充電モードをオンに切り換え、ブロック１１４、１１６
を含む制御ループの中で−ｄＶ検出器５８を介してバッ
テリ電圧を監視する。−ｄＶ検出器５８によって検出さ
れた通り、Ｎｉ−Ｃｄバッテリ９５がフル充電状態にな
ると、マイクロプロセッサ２１はブロック１１７の急速
充電電流をオフに切り換えブロック１１８でシステム１
１を自動的にオフに切り換える。
【００７９】判断ブロック１１２で外部直流電源が接続
されていないことが決定されると、システム１１は内部
バッテリ９５により電力が供給される。バッテリ電圧モ
ニタ１０８はバッテリ電圧を常時監視し、判断ブロック
１１９で使用する情報をマイクロプロセッサ２１に提供
する。バッテリの電圧レベルが所定の低レベルに低下す
ると、マイクロプロセッサ２１はブロック１２１でディ
スプレイ１０９にエラーメッセージを表示する。これ
は、システムを再び使用する前にバッテリを再充電して
ください、というユーザに対する連絡である。また、タ
イミングループ１２３により決定された通りユーザの応
答がなければ、マイクロプロセッサ２１はブロック１２
２でシステム１１を自動的にオフに切り換える。
されていないことが決定されると、システム１１は内部
バッテリ９５により電力が供給される。バッテリ電圧モ
ニタ１０８はバッテリ電圧を常時監視し、判断ブロック
１１９で使用する情報をマイクロプロセッサ２１に提供
する。バッテリの電圧レベルが所定の低レベルに低下す
ると、マイクロプロセッサ２１はブロック１２１でディ
スプレイ１０９にエラーメッセージを表示する。これ
は、システムを再び使用する前にバッテリを再充電して
ください、というユーザに対する連絡である。また、タ
イミングループ１２３により決定された通りユーザの応
答がなければ、マイクロプロセッサ２１はブロック１２
２でシステム１１を自動的にオフに切り換える。
【００８０】つぎに図１２を参照すると、バッテリのレ
ベルがチェックされた後、マイクロプロセッサ２１はブ
ロック１２４で、インタフェース１６を介してアプリケ
ーション記憶装置５２がシステム１１に接続されていな
いかチェックする。アプリケーション記憶装置５２が接
続されていなければ、マイクロプロセッサ２１はブロッ
ク１２６で、ディスプレイ１０９の情報を介してアプリ
ケーション記憶装置５２を接続するように促す。アプリ
ケーション記憶装置５２は、ブロック１２７で決められ
ている通り、所定の時間内に接続されなければならな
い。さもないとマイクロプロセッサ２１はブロック１２
８でシステム１１をオフに切り換える。
ベルがチェックされた後、マイクロプロセッサ２１はブ
ロック１２４で、インタフェース１６を介してアプリケ
ーション記憶装置５２がシステム１１に接続されていな
いかチェックする。アプリケーション記憶装置５２が接
続されていなければ、マイクロプロセッサ２１はブロッ
ク１２６で、ディスプレイ１０９の情報を介してアプリ
ケーション記憶装置５２を接続するように促す。アプリ
ケーション記憶装置５２は、ブロック１２７で決められ
ている通り、所定の時間内に接続されなければならな
い。さもないとマイクロプロセッサ２１はブロック１２
８でシステム１１をオフに切り換える。
【００８１】ブロック１２４でアプリケーション記憶装
置５２が正確に接続されている事が決定されると、マイ
クロプロセッサ２１はブロック１２９で識別コードを読
み、ブロック１３１でアプリケーション記憶装置５２が
本物かつ有効であるかチェックする。本物かつ有効でな
ければ、ブロック１３２でエラー・メッセージが表示さ
れ、所定の制限時間の後システム１１はオフに切り換え
られる。
置５２が正確に接続されている事が決定されると、マイ
クロプロセッサ２１はブロック１２９で識別コードを読
み、ブロック１３１でアプリケーション記憶装置５２が
本物かつ有効であるかチェックする。本物かつ有効でな
ければ、ブロック１３２でエラー・メッセージが表示さ
れ、所定の制限時間の後システム１１はオフに切り換え
られる。
【００８２】有効なアプリケーション記憶装置が接続さ
れると、マイクロプロセッサ２１はブロック１３３で制
御情報を読出し、その制御情報を内部のＲＡＭ領域に記
憶する。治療のタイプなどのアプリケーション情報は、
ユーザが再確認に使用するためブロック１３４でディス
プレイ１７に表示される。ついでマイクロプロセッサ２
１はブロック１３６でポーズをとり、ユーザからの入力
を待つて使用を開始する。
れると、マイクロプロセッサ２１はブロック１３３で制
御情報を読出し、その制御情報を内部のＲＡＭ領域に記
憶する。治療のタイプなどのアプリケーション情報は、
ユーザが再確認に使用するためブロック１３４でディス
プレイ１７に表示される。ついでマイクロプロセッサ２
１はブロック１３６でポーズをとり、ユーザからの入力
を待つて使用を開始する。
【００８３】ユーザは、オンスイッチ１８を再度押下す
ることにより使用を開始する。マイクロプロセッサ２１
はブロック１３７で、可制御型発生器２９を制御するこ
とによりテスト放射を発生し、ブロック１３８で、放射
センサ５３を使ってこの放射をチェックするようにユー
ザを促す。ついでマイクロプロセッサ２１はブロック１
３９で表示信号に対する放射センサ入力をチェックす
る。ブロック１４２によって決定される所定の制限時間
内に放射が検出されなければ、マイクロプロセッサ２１
はブロック１４３で該当するエラー・メッセージを表示
し、ブロック１４６によって決定される所定のアイドル
時間の後、ブロック１４４でシステム１１をオフに切り
換える。
ることにより使用を開始する。マイクロプロセッサ２１
はブロック１３７で、可制御型発生器２９を制御するこ
とによりテスト放射を発生し、ブロック１３８で、放射
センサ５３を使ってこの放射をチェックするようにユー
ザを促す。ついでマイクロプロセッサ２１はブロック１
３９で表示信号に対する放射センサ入力をチェックす
る。ブロック１４２によって決定される所定の制限時間
内に放射が検出されなければ、マイクロプロセッサ２１
はブロック１４３で該当するエラー・メッセージを表示
し、ブロック１４６によって決定される所定のアイドル
時間の後、ブロック１４４でシステム１１をオフに切り
換える。
【００８４】ブロック１４２によって決定される所定の
制限時間内に放射が検出されると、制御はブロック１４
７に渡され、ここでマイクロプロセッサ２１は、図１４
の流れ図に詳細に示す電磁放射応用ソフトウエア・ルー
チンを実行する。
制限時間内に放射が検出されると、制御はブロック１４
７に渡され、ここでマイクロプロセッサ２１は、図１４
の流れ図に詳細に示す電磁放射応用ソフトウエア・ルー
チンを実行する。
【００８５】電磁放射応用ソフトウエア・ルーチンは制
御情報を取り込み、その情報を解釈して可制御型発生器
２９を制御し、該当する変調波形、周波数、電力レベ
ル、持続時間、デューティ・サイクルを発生させる。
御情報を取り込み、その情報を解釈して可制御型発生器
２９を制御し、該当する変調波形、周波数、電力レベ
ル、持続時間、デューティ・サイクルを発生させる。
【００８６】図１４を参照すると、マイクロプロセッサ
２１はブロック１５１で、第１に全治療時間カウンター
を設定する事によりこのルーチンを開始し、全治療時間
カウンターは実際の治療のタイミングの痕跡を（track
s）を保持する。ついでマイクロプロセッサ２１はブロ
ック１５２で、変調用周波数データの第１のブロックを
取得して解釈する。ついでブロック１５３で、Ｉ／Ｏラ
イン４５を介して変調波形が選択され、かつ適応するフ
ィルター回路網が拡張Ｉ／Ｏライン５０を介して選択さ
れる。また、ブロック１５３で、電力レベル制御情報に
従って変調信号バッファー増幅器３５の利得が調整され
る。ブロック１５４で、波形アドレス発生器４１を介し
て変調周波数が制御される。ついでブロック１５６で、
マイクロプロセッサ２１は放射動作を可能とする。
２１はブロック１５１で、第１に全治療時間カウンター
を設定する事によりこのルーチンを開始し、全治療時間
カウンターは実際の治療のタイミングの痕跡を（track
s）を保持する。ついでマイクロプロセッサ２１はブロ
ック１５２で、変調用周波数データの第１のブロックを
取得して解釈する。ついでブロック１５３で、Ｉ／Ｏラ
イン４５を介して変調波形が選択され、かつ適応するフ
ィルター回路網が拡張Ｉ／Ｏライン５０を介して選択さ
れる。また、ブロック１５３で、電力レベル制御情報に
従って変調信号バッファー増幅器３５の利得が調整され
る。ブロック１５４で、波形アドレス発生器４１を介し
て変調周波数が制御される。ついでブロック１５６で、
マイクロプロセッサ２１は放射動作を可能とする。
【００８７】判断ブロック１５７で、バッテリ電圧モニ
タ１０８を使用してバッテリ電圧がチェックされ、バッ
テリレベルが許容値内かどうか判断される。許容値内で
なければ、制御はブロック１５８に渡され、ここで適切
なエラー・メッセージが表示される。ついでブロック１
６１で、判断ブロック１５９で決定される遅延時間の後
システム１１は閉塞される。
タ１０８を使用してバッテリ電圧がチェックされ、バッ
テリレベルが許容値内かどうか判断される。許容値内で
なければ、制御はブロック１５８に渡され、ここで適切
なエラー・メッセージが表示される。ついでブロック１
６１で、判断ブロック１５９で決定される遅延時間の後
システム１１は閉塞される。
【００８８】反対に、バッテリ電圧が許容値内であれ
ば、制御は判断ブロック１６２に渡され、ここで、アプ
リケーション記憶装置５２がまだインタフェース１６に
挿入されているかどうか判断される。挿入されていなけ
れば、制御は判断ブロック１６３に渡され、ここで、ア
プリケーション記憶装置５２がない状態で所定の時間が
経過したかどうか判断される。制限時間が経過すると、
制御はブロック１６４に渡され、ここで適切なエラー・
メッセージが表示され、最終的にはブロック１６１でシ
ステム１１は自動的に閉塞される。
ば、制御は判断ブロック１６２に渡され、ここで、アプ
リケーション記憶装置５２がまだインタフェース１６に
挿入されているかどうか判断される。挿入されていなけ
れば、制御は判断ブロック１６３に渡され、ここで、ア
プリケーション記憶装置５２がない状態で所定の時間が
経過したかどうか判断される。制限時間が経過すると、
制御はブロック１６４に渡され、ここで適切なエラー・
メッセージが表示され、最終的にはブロック１６１でシ
ステム１１は自動的に閉塞される。
【００８９】反対に、判断ブロック１６２でアプリケー
ション記憶装置５２がインタフェース１６内にあること
が確定すると、制御はブロック１６６に渡され、ここで
アプリケーション記憶装置５２はユーザの適合性情報に
より更新される。ついで制御はブロック１６７に渡さ
れ、ここで電力センサ５４の出力が読出される。ついで
制御はブロック１６８に渡され、ここで電力センサ５４
の出力が評価されて、患者に加えられている電力のレベ
ルを確定し、更に治療が有効に加えられているかどうか
を評価する。たとえば、センサ５４により大量の反射電
力のある事が確定されると、多分この状態はプローブ１
３が正しく接続されていないか、あるいは患者の口の中
に正しく挿入されていないことを示している。
ション記憶装置５２がインタフェース１６内にあること
が確定すると、制御はブロック１６６に渡され、ここで
アプリケーション記憶装置５２はユーザの適合性情報に
より更新される。ついで制御はブロック１６７に渡さ
れ、ここで電力センサ５４の出力が読出される。ついで
制御はブロック１６８に渡され、ここで電力センサ５４
の出力が評価されて、患者に加えられている電力のレベ
ルを確定し、更に治療が有効に加えられているかどうか
を評価する。たとえば、センサ５４により大量の反射電
力のある事が確定されると、多分この状態はプローブ１
３が正しく接続されていないか、あるいは患者の口の中
に正しく挿入されていないことを示している。
【００９０】判断ブロック１６８で治療が正しく加えら
れていないことが確定すると、制御は判断ブロック１６
９に渡され、ここで、正しい治療を検出せずに所定の制
限時間が超過したかどうか判断される。制限時間を超過
すれば、制御はブロック１７１に渡され、ここでアプリ
ケーション記憶装置５２は、治療プロトコルに適合して
いない事を示す情報により更新される。
れていないことが確定すると、制御は判断ブロック１６
９に渡され、ここで、正しい治療を検出せずに所定の制
限時間が超過したかどうか判断される。制限時間を超過
すれば、制御はブロック１７１に渡され、ここでアプリ
ケーション記憶装置５２は、治療プロトコルに適合して
いない事を示す情報により更新される。
【００９１】反対に、判断ブロック１６８で治療が正し
く加えられていることが確定すると、制御はブロック１
７２に渡され、ここで使用中の特定の変調周波数ブロッ
クが終わりに到達したかどうか判断される。終わってい
なければ制御は判断ブロック１５７に戻される。反対
に、判断ブロック１７２で現在使用中の変調周波数ブロ
ックの終わりに到達している事が確定されると、制御は
判断ブロック１７３に渡され、ここで治療時間の終わり
になったか判断される。終了していれば、制御はブロッ
ク１４８（図１３）に戻る。反対に、判断ブロック１７
３で治療セッションの終わりに到達していなかった事が
確定されると、制御はブロック１７４に渡され、ここで
次の周波数ブロックがアプリケーション記憶装置５２か
ら読出され、治療セッションを継続するため制御はブロ
ック１５３に渡る。
く加えられていることが確定すると、制御はブロック１
７２に渡され、ここで使用中の特定の変調周波数ブロッ
クが終わりに到達したかどうか判断される。終わってい
なければ制御は判断ブロック１５７に戻される。反対
に、判断ブロック１７２で現在使用中の変調周波数ブロ
ックの終わりに到達している事が確定されると、制御は
判断ブロック１７３に渡され、ここで治療時間の終わり
になったか判断される。終了していれば、制御はブロッ
ク１４８（図１３）に戻る。反対に、判断ブロック１７
３で治療セッションの終わりに到達していなかった事が
確定されると、制御はブロック１７４に渡され、ここで
次の周波数ブロックがアプリケーション記憶装置５２か
ら読出され、治療セッションを継続するため制御はブロ
ック１５３に渡る。
【００９２】電磁放射応用ルーチンの終わりで制御はも
とに戻り、マイクロプロセッサ２１はブロック１４８で
終了メッセージを表示し、ブロック１４９でシステムを
自動的にオフに切り換える。
とに戻り、マイクロプロセッサ２１はブロック１４８で
終了メッセージを表示し、ブロック１４９でシステムを
自動的にオフに切り換える。
【００９３】図１５、図１６、図１７、図１８、図１
９、図２０はアプリケーション記憶装置５２の代表的な
構成を示す。理解されたい事は、本発明の精神と範囲を
逸脱せずに、アプリケーション記憶装置５２に対する別
の構成も可能であるということである。
９、図２０はアプリケーション記憶装置５２の代表的な
構成を示す。理解されたい事は、本発明の精神と範囲を
逸脱せずに、アプリケーション記憶装置５２に対する別
の構成も可能であるということである。
【００９４】図１５を参照すると、アプリケーション記
憶装置５２には磁気的に符号化したカード１８１が含ま
れているが、カード１８１には磁気的に記録できる部分
が含まれており、この部分に上に説明した制御情報と患
者治療適合性情報が記憶される。
憶装置５２には磁気的に符号化したカード１８１が含ま
れているが、カード１８１には磁気的に記録できる部分
が含まれており、この部分に上に説明した制御情報と患
者治療適合性情報が記憶される。
【００９５】図１６を参照すると、アプリケーション記
憶装置５２は半導体メモリ１８３を含んでいるが、半導
体メモリ１８３は端子１８４を介してインタフェース１
６に接続されている。半導体メモリ１８３は、アプリケ
ーション制御情報と患者治療適合性情報を記憶するのに
使用される。
憶装置５２は半導体メモリ１８３を含んでいるが、半導
体メモリ１８３は端子１８４を介してインタフェース１
６に接続されている。半導体メモリ１８３は、アプリケ
ーション制御情報と患者治療適合性情報を記憶するのに
使用される。
【００９６】つぎに図１７を参照すると、アプリケーシ
ョン記憶装置５２は、接点１８７の背後に半導体が隠さ
れているスマートカード１８６の形をしている。この半
導体には、ある種の安全制御論理を有するメモリだけを
含めても良いし、あるいは、インタフェース１６を介し
たホストマイクロプロセッサ２１との通信を援助する独
立マイクロプロセッサを含めても良い。
ョン記憶装置５２は、接点１８７の背後に半導体が隠さ
れているスマートカード１８６の形をしている。この半
導体には、ある種の安全制御論理を有するメモリだけを
含めても良いし、あるいは、インタフェース１６を介し
たホストマイクロプロセッサ２１との通信を援助する独
立マイクロプロセッサを含めても良い。
【００９７】図１８に示す通り、アプリケーション記憶
装置５２は、キーの形をした構造体１８８の形をとって
も良く、この中には、機能的に動作できるように電気端
子１９２に接続された半導体メモリ１８９とマイクロプ
ロセッサ１９１が含まれている。
装置５２は、キーの形をした構造体１８８の形をとって
も良く、この中には、機能的に動作できるように電気端
子１９２に接続された半導体メモリ１８９とマイクロプ
ロセッサ１９１が含まれている。
【００９８】図１９はコンパクト・ディスク読出し専用
メモリ（ＣＤ ＲＯＭ）１９３の形をしたアプリケーシ
ョン記憶装置５２を示す。制御情報はＣＤ ＲＯＭ１９
３に光学的に符号化される。
メモリ（ＣＤ ＲＯＭ）１９３の形をしたアプリケーシ
ョン記憶装置５２を示す。制御情報はＣＤ ＲＯＭ１９
３に光学的に符号化される。
【００９９】最後に図２０に示す通り、アプリケーショ
ン記憶装置５２はパンチ・カード１９４の形をとっても
良い。このカードの中で制御情報はパンチ孔１９６のパ
ターンで具体的に表される。
ン記憶装置５２はパンチ・カード１９４の形をとっても
良い。このカードの中で制御情報はパンチ孔１９６のパ
ターンで具体的に表される。
【０１００】本発明に従って、患者に対して変調された
低エネルギ電磁放射を加えるシステムは、中枢神経系
（ＣＮＳ）の障害に悩む患者の治療に有用である。この
システムを使用する場合、患者に変調された搬送波信号
を与えるプローブは、特に患者の口の中に置かれるマウ
スピース・プローブによりその患者に接続されており、
変調された低エネルギ電磁放射は前記プローブを介して
患者に加えられている。異なる周波数で変調された少な
くとも２つの低エネルギ電磁放射が患者に加えられ有益
な結果が得られているが、この結果は単一周波数で変調
された１種類だけの低エネルギ電磁放射が加えられる場
合よりも改善されている。ＣＮＳ障害の特別治療のため
には、異なる周波数で変調されたいくつかの離散的な電
磁放射が患者に加えることが有効である。治療時間は患
者に加えられる低エネルギ電磁放射の量に関係するが、
治療中の障害の性質と希望する効果に依存する広い限界
の間で変わって良い。しかしながら一般には、治療時間
は少なくとも１日あたり１分であり、１日あたり数時間
にわたって継続しても良いであろうが、通常は多くても
１日あたり１時間であろう。最も望ましくは、治療時間
は１日あたり少なくとも１０分で、この時間を２回ある
いはそれ以上の利用回数に分割してよく、たとえば１回
の利用時間あたり１０分から４５分の治療時間とするの
が望ましい。
低エネルギ電磁放射を加えるシステムは、中枢神経系
（ＣＮＳ）の障害に悩む患者の治療に有用である。この
システムを使用する場合、患者に変調された搬送波信号
を与えるプローブは、特に患者の口の中に置かれるマウ
スピース・プローブによりその患者に接続されており、
変調された低エネルギ電磁放射は前記プローブを介して
患者に加えられている。異なる周波数で変調された少な
くとも２つの低エネルギ電磁放射が患者に加えられ有益
な結果が得られているが、この結果は単一周波数で変調
された１種類だけの低エネルギ電磁放射が加えられる場
合よりも改善されている。ＣＮＳ障害の特別治療のため
には、異なる周波数で変調されたいくつかの離散的な電
磁放射が患者に加えることが有効である。治療時間は患
者に加えられる低エネルギ電磁放射の量に関係するが、
治療中の障害の性質と希望する効果に依存する広い限界
の間で変わって良い。しかしながら一般には、治療時間
は少なくとも１日あたり１分であり、１日あたり数時間
にわたって継続しても良いであろうが、通常は多くても
１日あたり１時間であろう。最も望ましくは、治療時間
は１日あたり少なくとも１０分で、この時間を２回ある
いはそれ以上の利用回数に分割してよく、たとえば１回
の利用時間あたり１０分から４５分の治療時間とするの
が望ましい。
【０１０１】例Ｉ：不眠症の治療 ＣＮＳ障害の１つで、本システムを使って治療し非常に
成功したのは睡眠障害、特に不眠症であるが、不眠症は
最も重要な睡眠障害である。臨床不眠症は、１９８７
年、米国精神医学会から発行されている、精神障害の診
断と統計的処理マニュアル（ＤＭＳ−ＩＩＩ−Ｒ）によ
り定義されている。即ち、
成功したのは睡眠障害、特に不眠症であるが、不眠症は
最も重要な睡眠障害である。臨床不眠症は、１９８７
年、米国精神医学会から発行されている、精神障害の診
断と統計的処理マニュアル（ＤＭＳ−ＩＩＩ−Ｒ）によ
り定義されている。即ち、
【０１０２】「不眠症の診断基準」 Ａ．とくに目立つ苦情は、睡眠を初めることとその維持
が困難である、あるいは睡眠できても体力が回復しない
（睡眠の量は適当だと思うが、休息できたと感じられな
い睡眠）というものである。
が困難である、あるいは睡眠できても体力が回復しない
（睡眠の量は適当だと思うが、休息できたと感じられな
い睡眠）というものである。
【０１０３】Ｂ．Ａにおける障害が、１ケ月に少なくと
も週に３回発生し、それは非常に厳しくて日中に倦怠感
を感じるという苦情になったり、あるいは、短気になっ
たり日中の動作が緩慢になったりするという睡眠障害に
もとづく症状が第３者により観察される。
も週に３回発生し、それは非常に厳しくて日中に倦怠感
を感じるという苦情になったり、あるいは、短気になっ
たり日中の動作が緩慢になったりするという睡眠障害に
もとづく症状が第３者により観察される。
【０１０４】Ｃ．「睡眠・覚醒スケジュール異常あるい
は逆説不眠症（Parasomnia）」のあいだ、ときどき発生
する。
は逆説不眠症（Parasomnia）」のあいだ、ときどき発生
する。
【０１０５】「３０７．４２１次不眠症に対する診断基
準」基準Ａ、Ｂ、Ｃにより定義された通り、身体的疾
患、向精神薬使用による障害、あるいは薬物療法など、
他の精神障害あるいは既知の器官による要因の何れによ
っても持続されない事が明らかな不眠症。
準」基準Ａ、Ｂ、Ｃにより定義された通り、身体的疾
患、向精神薬使用による障害、あるいは薬物療法など、
他の精神障害あるいは既知の器官による要因の何れによ
っても持続されない事が明らかな不眠症。
【０１０６】不眠症を治療するために患者に加えられる
低エネルギ電磁放射を変調する周波数は、以下に示す帯
域幅から選択された２つあるいはそれ以上の周波数によ
る変調が含まれるとき有効である事が判明している。即
ち、１〜５ヘルツ、２１〜２４ヘルツ、４０〜５０ヘル
ツ、１００〜１１０ヘルツ、１７５〜２００ヘルツの周
波数である。
低エネルギ電磁放射を変調する周波数は、以下に示す帯
域幅から選択された２つあるいはそれ以上の周波数によ
る変調が含まれるとき有効である事が判明している。即
ち、１〜５ヘルツ、２１〜２４ヘルツ、４０〜５０ヘル
ツ、１００〜１１０ヘルツ、１７５〜２００ヘルツの周
波数である。
【０１０７】非常に限定された例として、不眠症に悩む
患者に加えられる１組の低エネルギ電磁放射は次に示す
周波数で変調され、１週間に毎日あるいは３回で、１日
２０分にわたり指定された時間のあいだ患者に順番に加
えられる。即ち、プロトコルＰ４０：約２．７ヘルツで
約６秒間、つぎに１秒のポーズ、約２１．９ヘルツで約
４秒間、つぎに１秒のポーズ、約４２．７ヘルツで約３
秒間、つぎに１秒のポーズ、約４８．９ヘルツで約３秒
間、つぎに１秒のポーズ
患者に加えられる１組の低エネルギ電磁放射は次に示す
周波数で変調され、１週間に毎日あるいは３回で、１日
２０分にわたり指定された時間のあいだ患者に順番に加
えられる。即ち、プロトコルＰ４０：約２．７ヘルツで
約６秒間、つぎに１秒のポーズ、約２１．９ヘルツで約
４秒間、つぎに１秒のポーズ、約４２．７ヘルツで約３
秒間、つぎに１秒のポーズ、約４８．９ヘルツで約３秒
間、つぎに１秒のポーズ
【０１０８】上記プロトコルＰ４０による周波数による
変調と照射時間のセットを使用した調査が実行され、不
眠症の治療における低エネルギ放射療法（ＬＥＥＴ）の
効果がテストされた。
変調と照射時間のセットを使用した調査が実行され、不
眠症の治療における低エネルギ放射療法（ＬＥＥＴ）の
効果がテストされた。
【０１０９】事例ＩＡ；不眠症の治療 本調査の第１の終点（endpoint）は、睡眠ポリグラフィ
（ＰＳＧ：polysomnography ）により測定された睡眠の
測定値（全睡眠時間（ＴＳＴ）および潜伏睡眠（ＳＬ：
Sleep Latency ））を得ることと定義された。これもＰ
ＳＧによって計量される第２の終点には、レム（ＲＥ
Ｍ：rapid eye movement：急速眼球運動）睡眠、ノンレ
ム睡眠、入眠後目覚めた回数、入眠後の覚醒（ＷＡＳ
Ｏ）の測定値を得ることが含まれていた。治療に対する
個々の反応の測定値も追加して患者の報告から引き出さ
れた。
（ＰＳＧ：polysomnography ）により測定された睡眠の
測定値（全睡眠時間（ＴＳＴ）および潜伏睡眠（ＳＬ：
Sleep Latency ））を得ることと定義された。これもＰ
ＳＧによって計量される第２の終点には、レム（ＲＥ
Ｍ：rapid eye movement：急速眼球運動）睡眠、ノンレ
ム睡眠、入眠後目覚めた回数、入眠後の覚醒（ＷＡＳ
Ｏ）の測定値を得ることが含まれていた。治療に対する
個々の反応の測定値も追加して患者の報告から引き出さ
れた。
【０１１０】方法：本調査はプラシーボ（偽治療）で制
御された２重盲式の繰り返し測定による調査（placebo-
controlled, double-blind, repeated-measures study
）で、全部で３０人の被験者に対して行われた。治療
には、本発明による１２ボルトのバッテリで駆動された
装置が使用され、プロトコル４０に従って放射された。
御された２重盲式の繰り返し測定による調査（placebo-
controlled, double-blind, repeated-measures study
）で、全部で３０人の被験者に対して行われた。治療
には、本発明による１２ボルトのバッテリで駆動された
装置が使用され、プロトコル４０に従って放射された。
【０１１１】本調査に参加する３０人の被験者を選別す
るために４６人の被験者が睡眠ポリグラフィ（ＰＳＧ）
による試験を受けた。ＰＳＧの基準に合致した被験者
は、貨幣をはじいて（coin flip ）無作為化し治療グル
ープに分けられた。３０人の被験者はすべて本調査を完
了した。各被験者はテレビとラジオの広告を用いた潜在
的な登録名簿にした
るために４６人の被験者が睡眠ポリグラフィ（ＰＳＧ）
による試験を受けた。ＰＳＧの基準に合致した被験者
は、貨幣をはじいて（coin flip ）無作為化し治療グル
ープに分けられた。３０人の被験者はすべて本調査を完
了した。各被験者はテレビとラジオの広告を用いた潜在
的な登録名簿にした
【０１１２】本調査に入る前と本調査の期間中、各被験
者に多数の格付け尺度が行われた。これらの尺度にはハ
ミルトン不安格付け尺度（ＨＡＬＳ：Hamilton Anxiety
Rating Scale ）、気分状態プロフィール（ＰＯＭＳ：
Profile of Mood States）、ホプキンズ症状チェックリ
スト（ＨＳＣＬ：Hopkins Symptom Check List）、患者
が報告した睡眠格付け尺度が含まれている。ＨＡＲＳ，
ＰＯＭＳ、ＨＳＣＬは調査に入る前の精神医学による最
初の選別のあいだに行われ、その後は週単位で行われ
て、本調査の終了時に行われた。本調査の期間中、毎日
の睡眠の記録は患者により続けられた。患者は本調査の
４週間にわたって毎週３回の治療を受け、２重盲式調査
方法に従って実治療グループ（active treatment grou
p）あるいは非実治療グループ（inactive treatment gr
oup）の何れかに無作為に割当てられた。低レベルの照
明をした睡眠記録用の部屋のベッドに休み、仰向けの姿
勢の患者に対して治療が行われた。
者に多数の格付け尺度が行われた。これらの尺度にはハ
ミルトン不安格付け尺度（ＨＡＬＳ：Hamilton Anxiety
Rating Scale ）、気分状態プロフィール（ＰＯＭＳ：
Profile of Mood States）、ホプキンズ症状チェックリ
スト（ＨＳＣＬ：Hopkins Symptom Check List）、患者
が報告した睡眠格付け尺度が含まれている。ＨＡＲＳ，
ＰＯＭＳ、ＨＳＣＬは調査に入る前の精神医学による最
初の選別のあいだに行われ、その後は週単位で行われ
て、本調査の終了時に行われた。本調査の期間中、毎日
の睡眠の記録は患者により続けられた。患者は本調査の
４週間にわたって毎週３回の治療を受け、２重盲式調査
方法に従って実治療グループ（active treatment grou
p）あるいは非実治療グループ（inactive treatment gr
oup）の何れかに無作為に割当てられた。低レベルの照
明をした睡眠記録用の部屋のベッドに休み、仰向けの姿
勢の患者に対して治療が行われた。
【０１１３】調査に入る基準：基準線（baseline）のＰ
ＳＧ調査を受ける資格を得るために、被験者は選別さ
れ、内科の病気に起因しない慢性不眠症が集められた。
現在、内科の病気にかかっていたり、（ＤＳＭ−ＩＩＩ
−Ｒによる）精神科の病気や薬物やアルコール常習の患
者や、ベンゾディアゼピン及び／或いはトランキライザ
を服用中の患者は除外された。
ＳＧ調査を受ける資格を得るために、被験者は選別さ
れ、内科の病気に起因しない慢性不眠症が集められた。
現在、内科の病気にかかっていたり、（ＤＳＭ−ＩＩＩ
−Ｒによる）精神科の病気や薬物やアルコール常習の患
者や、ベンゾディアゼピン及び／或いはトランキライザ
を服用中の患者は除外された。
【０１１４】本調査に入るためには、患者は（６ケ月以
上の）慢性の不眠症に悩んでおり、かつＰＳＧによって
確立された睡眠基準の３項目、即ち、３０分以上続く潜
伏睡眠、１晩あたり３６０分以下の全睡眠時間（ＴＳ
Ｔ）、８５％以下の睡眠効率（全睡眠時間／全記録時
間）のうち少なくとも２つの項目に合致している必要が
あった。被験者は、自分に決まっている就眠時間に研究
室のベッドに行くように求められ、かつ眠りたいだけ眠
って良い事になっていた。ベッドにいる時間が８．５時
間以上で、かつその時当該患者が目覚めてベッドに横に
なっているという条件の場合にのみ、専門技術者が調査
を終了した。
上の）慢性の不眠症に悩んでおり、かつＰＳＧによって
確立された睡眠基準の３項目、即ち、３０分以上続く潜
伏睡眠、１晩あたり３６０分以下の全睡眠時間（ＴＳ
Ｔ）、８５％以下の睡眠効率（全睡眠時間／全記録時
間）のうち少なくとも２つの項目に合致している必要が
あった。被験者は、自分に決まっている就眠時間に研究
室のベッドに行くように求められ、かつ眠りたいだけ眠
って良い事になっていた。ベッドにいる時間が８．５時
間以上で、かつその時当該患者が目覚めてベッドに横に
なっているという条件の場合にのみ、専門技術者が調査
を終了した。
【０１１５】統計的方法：統計的に分析する目的で、治
療グループの間の（前と後の）変化の得点の差を比較し
てスチューデントのｔ検定が行われた。妥当な場合に
は、線形回帰を使用して基準線の値に対する分析の調整
が行われた。
療グループの間の（前と後の）変化の得点の差を比較し
てスチューデントのｔ検定が行われた。妥当な場合に
は、線形回帰を使用して基準線の値に対する分析の調整
が行われた。
【０１１６】結果： 基準線の評価 合格しかつ資格のある３０人の被験者のうち、１５人が
無作為にどちらかの治療グループに割当られた。実治療
グループには４人の男性と１１人の女性が居た（平均年
齢は３９才）。非実治療グループには６人の男性と７人
の女性が居た（平均年齢は４１才）。被験者の平均年齢
はグループ間で有為な差はなかった。
無作為にどちらかの治療グループに割当られた。実治療
グループには４人の男性と１１人の女性が居た（平均年
齢は３９才）。非実治療グループには６人の男性と７人
の女性が居た（平均年齢は４１才）。被験者の平均年齢
はグループ間で有為な差はなかった。
【０１１７】基準線では、定義により全患者は強度の不
眠症の基準に合致していた。調査グループの有する基準
線における患者報告ＴＳＴ時間はほぼ同等であったが、
患者報告およびＰＳＧ測定値によって決定されている通
り、プラシーボ・グループの有する基準線における潜伏
睡眠は長くなっていた（２０分より大）。治療前の睡眠
パラメータは表ＩＩに要約されている。
眠症の基準に合致していた。調査グループの有する基準
線における患者報告ＴＳＴ時間はほぼ同等であったが、
患者報告およびＰＳＧ測定値によって決定されている通
り、プラシーボ・グループの有する基準線における潜伏
睡眠は長くなっていた（２０分より大）。治療前の睡眠
パラメータは表ＩＩに要約されている。
【０１１８】治療後の評価：間隔変化 ３０名の全患者はテストを完了した。プラシーボ・グル
ープにおけるＰＳＧＴＳＴは、基準線の値に比較して調
査の終了時に僅かに減少している（３３７．０±５７．
２から３２６．０±１３０．５になり、ＴＳＴの変化は
−１１．０±１２２．８でｐ＝０．７４）。同様に、治
療前と治療後の患者報告ＴＳＴ測定値はプラシーボ・グ
ループではほぼ等しかった（２６９．０±７３．６から
２７４．３±１０３．２になり、ＴＳＴの変化は５±１
２２でｐ＝０．８７）。これとは著しく異なり、ＰＳＧ
測定ＴＳＴは実治療グループでは約９０分増加していた
（２６５．９±６７．５から３５５．８±１０３．５に
なり、ＴＳＴの変化は８９．９±９３．９でｐ＝０．０
０２）。この所見は、実治療グループにより報告された
患者報告改善値と一致する（２２１．７±１１２．３か
ら３０４．０±１４４．７になり、ＴＳＴの変化は８
２．３±１６９．０分でｐ＝０．０８）。
ープにおけるＰＳＧＴＳＴは、基準線の値に比較して調
査の終了時に僅かに減少している（３３７．０±５７．
２から３２６．０±１３０．５になり、ＴＳＴの変化は
−１１．０±１２２．８でｐ＝０．７４）。同様に、治
療前と治療後の患者報告ＴＳＴ測定値はプラシーボ・グ
ループではほぼ等しかった（２６９．０±７３．６から
２７４．３±１０３．２になり、ＴＳＴの変化は５±１
２２でｐ＝０．８７）。これとは著しく異なり、ＰＳＧ
測定ＴＳＴは実治療グループでは約９０分増加していた
（２６５．９±６７．５から３５５．８±１０３．５に
なり、ＴＳＴの変化は８９．９±９３．９でｐ＝０．０
０２）。この所見は、実治療グループにより報告された
患者報告改善値と一致する（２２１．７±１１２．３か
ら３０４．０±１４４．７になり、ＴＳＴの変化は８
２．３±１６９．０分でｐ＝０．０８）。
【０１１９】またつぎのことは注目に値する。即ち、プ
ラシーボ・グループにおけるＲＥＭ睡眠の割合は全睡眠
時間の１７．３％から１８．３％に若干増加しただけで
あるが、実治療グループでは、全睡眠時間の１６．３％
から２０．９％に増加した。潜伏睡眠の患者報告測定値
は、実治療グループでは本調査の期間中に５０％以上改
善された（１４５．８±１３３．２５から７０．７±６
７．９になり、ｐ＝０．０３）が、プラシーボ・グルー
プでは本調査の期間中に潜伏睡眠は若干増加した（７
１．３±４１．２から８２．８±８４．８になり、ｐ＝
０．５８）。
ラシーボ・グループにおけるＲＥＭ睡眠の割合は全睡眠
時間の１７．３％から１８．３％に若干増加しただけで
あるが、実治療グループでは、全睡眠時間の１６．３％
から２０．９％に増加した。潜伏睡眠の患者報告測定値
は、実治療グループでは本調査の期間中に５０％以上改
善された（１４５．８±１３３．２５から７０．７±６
７．９になり、ｐ＝０．０３）が、プラシーボ・グルー
プでは本調査の期間中に潜伏睡眠は若干増加した（７
１．３±４１．２から８２．８±８４．８になり、ｐ＝
０．５８）。
【０１２０】副作用は表Ｉに要約されている。実治療グ
ループの１患者は夢が多くなったと報告している。外に
は副作用は報告されていない。
ループの１患者は夢が多くなったと報告している。外に
は副作用は報告されていない。
【表１】
【０１２１】結論：本調査に登録された被験者の睡眠
は、ひどく妨害された睡眠基準であることが患者報告測
定値およびＰＳＧの測定値の双方により示されている。
実治療グループはＰＳＧ ＴＳＴにおいて３４％の改善
が示したが、プラシーボ・グループはＰＳＧ ＴＳＴに
おいて３％の減少を示した。グループ間のＴＳＴの変化
における基準線からの有意な差は、実治療グループとプ
ラシーボ・グループの基準線が大きく異なっていること
だけでは説明することができなかった。補間処理を行っ
てこの基準線のＴＳＴを回帰モデルに追加しても両治療
グループ間の差に対する適切な意味づけは生じなかっ
た。
は、ひどく妨害された睡眠基準であることが患者報告測
定値およびＰＳＧの測定値の双方により示されている。
実治療グループはＰＳＧ ＴＳＴにおいて３４％の改善
が示したが、プラシーボ・グループはＰＳＧ ＴＳＴに
おいて３％の減少を示した。グループ間のＴＳＴの変化
における基準線からの有意な差は、実治療グループとプ
ラシーボ・グループの基準線が大きく異なっていること
だけでは説明することができなかった。補間処理を行っ
てこの基準線のＴＳＴを回帰モデルに追加しても両治療
グループ間の差に対する適切な意味づけは生じなかっ
た。
【０１２２】患者報告の測定値はＰＳＧによる所見によ
り確認された。即ち、プラシーボ・グループにおける２
％の改善に比較して実治療グループにおいては３７％の
改善があったのである。他のＰＳＧおよび患者報告の睡
眠測定値も、実治療グループにおける改善はプラシーボ
・グループに比較して大きく矛盾のないことを示した。
これらの結果は、１日おきの（Ｐ４０プロトコルを使用
した）ＬＥＥＴ療法によって、全睡眠時間を長くしかつ
潜伏睡眠を短くすることによる不眠症の治療が成功した
ことを示している。更に、患者は睡眠のパターンが改善
されたと感じている。治療後の睡眠パラメータは表ＩＩ
Ｉに要約されている。
り確認された。即ち、プラシーボ・グループにおける２
％の改善に比較して実治療グループにおいては３７％の
改善があったのである。他のＰＳＧおよび患者報告の睡
眠測定値も、実治療グループにおける改善はプラシーボ
・グループに比較して大きく矛盾のないことを示した。
これらの結果は、１日おきの（Ｐ４０プロトコルを使用
した）ＬＥＥＴ療法によって、全睡眠時間を長くしかつ
潜伏睡眠を短くすることによる不眠症の治療が成功した
ことを示している。更に、患者は睡眠のパターンが改善
されたと感じている。治療後の睡眠パラメータは表ＩＩ
Ｉに要約されている。
【表２】表ＩＩ：治療前の睡眠パラメータ 示した数値は、平均±標準偏差である。測定値は、治療
開始前１晩のＰＳＧから得られたもの。
開始前１晩のＰＳＧから得られたもの。
【表３】表ＩＩＩ：治療後善の睡眠パラメータ 示した数値は、平均±標準偏差である。間隔の変化は、
（調査終了（第２８日）に得たＰＳＧデータ）−（治療
開始前に得たＰＳＧデータ）
（調査終了（第２８日）に得たＰＳＧデータ）−（治療
開始前に得たＰＳＧデータ）
【０１２３】例ＩＢ：不眠症の治療 非内科疾患の不眠症の治療における低エネルギ放射療法
（ＬＥＥＴ）の効果をテストするため、別の２重盲式患
者報告調査（double blind, patient-reportedstudy）
を計画した。
（ＬＥＥＴ）の効果をテストするため、別の２重盲式患
者報告調査（double blind, patient-reportedstudy）
を計画した。
【０１２４】本調査の最初のＰＳＧは、患者によって報
告される知覚睡眠（全睡眠時間と潜伏睡眠）測定値にお
ける両治療グループ間の差を検出することであった。
告される知覚睡眠（全睡眠時間と潜伏睡眠）測定値にお
ける両治療グループ間の差を検出することであった。
【０１２５】方法：調査は３人の被験者全体に対して行
われた。治療には、１２ボルトのバッテリで駆動され、
Ｐ４０プロトコルをつかった本発明による装置が用意さ
れた。全患者は本調査の全段階を完了した。非実治療グ
ループには８人の男性と７人の女性が居た（平均年齢は
４０才）。実治療グループには６人の男性と９人の女性
が居た（平均年齢は３９才）。実治療グループと非実治
療グループの人数の間で年齢の有為な差はなかった。
われた。治療には、１２ボルトのバッテリで駆動され、
Ｐ４０プロトコルをつかった本発明による装置が用意さ
れた。全患者は本調査の全段階を完了した。非実治療グ
ループには８人の男性と７人の女性が居た（平均年齢は
４０才）。実治療グループには６人の男性と９人の女性
が居た（平均年齢は３９才）。実治療グループと非実治
療グループの人数の間で年齢の有為な差はなかった。
【０１２６】本調査に入る前と本調査の期間中、各被験
者に多数の格付け尺度が行われた。これらの尺度にはハ
ミルトン不安格付け尺度（ＨＡＬＳ）、気分状態プロフ
ィール（ＰＯＭＳ）、ホプキンズ症状チェックリスト
（ＨＳＣＬ）、患者が報告した睡眠格付け尺度が含まれ
ている。ＨＡＲＳ、ＰＯＭＳ、ＨＳＣＬは調査に入る前
の精神医学による最初の選別のあいだに行われ、その後
は週単位で行われ、本調査の終了時に行われた。本調査
の期間中、患者が報告する毎日の睡眠格付け尺度は患者
により記録された。患者は本調査の４週間にわたって毎
週３回の治療を受け、２重盲式調査方法に従って実治療
グループあるいは非実治療グループの何れかに無作為に
割当てられた。低レベルの照明をした睡眠記録用の部屋
のベッドに休み、仰向けの姿勢の患者に対して治療が行
われた。治療を中止した後２週間、患者は睡眠データの
記録をとり続けた。
者に多数の格付け尺度が行われた。これらの尺度にはハ
ミルトン不安格付け尺度（ＨＡＬＳ）、気分状態プロフ
ィール（ＰＯＭＳ）、ホプキンズ症状チェックリスト
（ＨＳＣＬ）、患者が報告した睡眠格付け尺度が含まれ
ている。ＨＡＲＳ、ＰＯＭＳ、ＨＳＣＬは調査に入る前
の精神医学による最初の選別のあいだに行われ、その後
は週単位で行われ、本調査の終了時に行われた。本調査
の期間中、患者が報告する毎日の睡眠格付け尺度は患者
により記録された。患者は本調査の４週間にわたって毎
週３回の治療を受け、２重盲式調査方法に従って実治療
グループあるいは非実治療グループの何れかに無作為に
割当てられた。低レベルの照明をした睡眠記録用の部屋
のベッドに休み、仰向けの姿勢の患者に対して治療が行
われた。治療を中止した後２週間、患者は睡眠データの
記録をとり続けた。
【０１２７】調査に入る基準：この調査に募集されたの
は２０才から５０才の間の患者であった。本調査に入る
ためには、患者は（６ケ月以上の）慢性の不眠症に悩ん
でおり、かつＰＳＧによって確立された睡眠基準の３項
目、即ち、患者が報告する３０分以上続く潜伏睡眠、患
者が報告する１晩あたり３６０分以下の全睡眠時間（Ｔ
ＳＴ）、患者が報告する８５％以下の睡眠効率（全睡眠
時間／全記録時間で計算される）のうち少なくとも２つ
の項目に合致している必要があった。現在、内科の病気
にかかっていたり、（ＤＳＭ−ＩＩＩ−Ｒによる）精神
科の病気や、薬物やアルコール依存症の患者は除外され
た。
は２０才から５０才の間の患者であった。本調査に入る
ためには、患者は（６ケ月以上の）慢性の不眠症に悩ん
でおり、かつＰＳＧによって確立された睡眠基準の３項
目、即ち、患者が報告する３０分以上続く潜伏睡眠、患
者が報告する１晩あたり３６０分以下の全睡眠時間（Ｔ
ＳＴ）、患者が報告する８５％以下の睡眠効率（全睡眠
時間／全記録時間で計算される）のうち少なくとも２つ
の項目に合致している必要があった。現在、内科の病気
にかかっていたり、（ＤＳＭ−ＩＩＩ−Ｒによる）精神
科の病気や、薬物やアルコール依存症の患者は除外され
た。
【０１２８】統計的方法：統計的に分析する目的で、治
療グループの間の（前と後の）変化の得点の差を比較し
てスチューデントのｔ検定が行われた。
療グループの間の（前と後の）変化の得点の差を比較し
てスチューデントのｔ検定が行われた。
【０１２９】結果：本調査の過程を通して、各患者は自
分の全睡眠時間および潜伏睡眠を推定するように依頼さ
れた。電話インタービューの時の患者報告の潜伏睡眠お
よび患者報告の全睡眠時間と、前の晩に治療しその翌日
の朝に得られた患者報告の潜伏睡眠および患者報告の全
睡眠時間との間の比較を行った。全睡眠時間について
は、プラシーボ・グループと比較して、実治療グループ
では３倍以上の増加を伴う高度に有意な差（両側で、ｐ
＝０．００２１）が見られた。また実治療グループでは
基準線と比較して潜伏睡眠が５０％以上減少することも
示された。睡眠に関する患者の報告は表ＩＶに要約され
ている。
分の全睡眠時間および潜伏睡眠を推定するように依頼さ
れた。電話インタービューの時の患者報告の潜伏睡眠お
よび患者報告の全睡眠時間と、前の晩に治療しその翌日
の朝に得られた患者報告の潜伏睡眠および患者報告の全
睡眠時間との間の比較を行った。全睡眠時間について
は、プラシーボ・グループと比較して、実治療グループ
では３倍以上の増加を伴う高度に有意な差（両側で、ｐ
＝０．００２１）が見られた。また実治療グループでは
基準線と比較して潜伏睡眠が５０％以上減少することも
示された。睡眠に関する患者の報告は表ＩＶに要約され
ている。
【表４】
【０１３０】他の測定パラメータに対しては２つのグル
ープの間で統計的に有意な差は見られなかった。全睡眠
時間あるいは潜伏睡眠の何れの変化によっても評価でき
るように、第１あるいは第２の夜に不眠症反跳（reboun
d insomnia）はなかった。更に、治療を中止した後の２
週間に効果反跳（rebound effect）の事実はなかった。
再発不眠症の分析は表Ｖに要約されている。
ープの間で統計的に有意な差は見られなかった。全睡眠
時間あるいは潜伏睡眠の何れの変化によっても評価でき
るように、第１あるいは第２の夜に不眠症反跳（reboun
d insomnia）はなかった。更に、治療を中止した後の２
週間に効果反跳（rebound effect）の事実はなかった。
再発不眠症の分析は表Ｖに要約されている。
【表５】
【０１３１】本調査の副作用は表ＶＩに要約されてい
る。
る。
【表６】
【０１３２】結論：患者が報告した全睡眠時間の測定値
に基づくと、バッテリ駆動のシステムを使用したＬＥＥ
Ｔによる治療は不眠症の治療に高い効果がある。
に基づくと、バッテリ駆動のシステムを使用したＬＥＥ
Ｔによる治療は不眠症の治療に高い効果がある。
【０１３３】睡眠に関する患者の報告：上記２つの不眠
症の調査を組み合わせた総合分析（meta-analysis ） 前記２つの調査から睡眠に関する患者の報告の総合分析
が表ＶＩＩに示されている。これらの調査は、調査への
参入・除外基準および調査計画（プラシーボで制御され
た２重盲式の４週間の調査）という意味では同じであっ
た。６０人の被験者（グループあたり３０人）からのデ
ータを使って行われたこの分析によれば、非実治療グル
ープでは（ｐ＝０．０２５で）変化がないのに対して実
治療グループでは、潜伏睡眠が５２分減少したことを示
している。全睡眠時間はプラシーボ・グループでは（ｐ
＝０．００５で）２８分の増加なのに対し、実治療グル
ープでは１２８分増加した。
症の調査を組み合わせた総合分析（meta-analysis ） 前記２つの調査から睡眠に関する患者の報告の総合分析
が表ＶＩＩに示されている。これらの調査は、調査への
参入・除外基準および調査計画（プラシーボで制御され
た２重盲式の４週間の調査）という意味では同じであっ
た。６０人の被験者（グループあたり３０人）からのデ
ータを使って行われたこの分析によれば、非実治療グル
ープでは（ｐ＝０．０２５で）変化がないのに対して実
治療グループでは、潜伏睡眠が５２分減少したことを示
している。全睡眠時間はプラシーボ・グループでは（ｐ
＝０．００５で）２８分の増加なのに対し、実治療グル
ープでは１２８分増加した。
【表７】
【０１３４】例ＩＩ：一般的になった不安症および恐怖
発作（panic attacks ）の治療 上に説明した通り、異なる周波数で変調されたいくつか
の離散的な電磁放射が、ＣＮＳ障害の特殊治療をする患
者に加えられる。全睡眠時間および潜伏睡眠における改
善は統計的に有意であることが上に報告されているが、
これに基づいて低エネルギ放射療法（ＬＥＥＴ）は、更
に別のＣＮＳ障害、より詳細には一般的になった不安症
および恐怖発作に適用できるように開発計画が進められ
てきた。これに対して、低エネルギ電磁放射の変調周波
数は以下に示す帯域幅内にあるとよいことが解った。即
ち、１〜５ヘルツ、１４〜１７ヘルツ、４０〜５０ヘル
ツ、１７５〜２００ヘルツ、１７５〜２００ヘルツの周
波数の帯域幅である。より詳細には、一連の離散的変調
が上記帯域幅から選択され、異なる時刻に加えられる。
１つの特殊な例には、約１．４ヘルツで約４０秒間、約
２．８ヘルツで約２０秒間、約３．４ヘルツで約１５秒
間の放射が含まれており、別のグループには、約３．４
ヘルツで約１５秒間、約１４．６ヘルツで約４秒間、約
４２．７ヘルツで約２秒間、約４８．９ヘルツで約２秒
間、 約１８９．７ヘルツで約１秒間の放射が含まれて
いる。
発作（panic attacks ）の治療 上に説明した通り、異なる周波数で変調されたいくつか
の離散的な電磁放射が、ＣＮＳ障害の特殊治療をする患
者に加えられる。全睡眠時間および潜伏睡眠における改
善は統計的に有意であることが上に報告されているが、
これに基づいて低エネルギ放射療法（ＬＥＥＴ）は、更
に別のＣＮＳ障害、より詳細には一般的になった不安症
および恐怖発作に適用できるように開発計画が進められ
てきた。これに対して、低エネルギ電磁放射の変調周波
数は以下に示す帯域幅内にあるとよいことが解った。即
ち、１〜５ヘルツ、１４〜１７ヘルツ、４０〜５０ヘル
ツ、１７５〜２００ヘルツ、１７５〜２００ヘルツの周
波数の帯域幅である。より詳細には、一連の離散的変調
が上記帯域幅から選択され、異なる時刻に加えられる。
１つの特殊な例には、約１．４ヘルツで約４０秒間、約
２．８ヘルツで約２０秒間、約３．４ヘルツで約１５秒
間の放射が含まれており、別のグループには、約３．４
ヘルツで約１５秒間、約１４．６ヘルツで約４秒間、約
４２．７ヘルツで約２秒間、約４８．９ヘルツで約２秒
間、 約１８９．７ヘルツで約１秒間の放射が含まれて
いる。
【０１３５】たとえば、周波数の第１のグループは、各
治療日の朝の間に約１５分間順番に連続して患者に加え
て良く、周波数の第２のグループは、各治療日の夜間に
約３０分間順番に連続して患者に加えて良い。
治療日の朝の間に約１５分間順番に連続して患者に加え
て良く、周波数の第２のグループは、各治療日の夜間に
約３０分間順番に連続して患者に加えて良い。
【０１３６】不安症に悩む患者の治療に上記の放射基準
を用いた場合の結果は以下のように報告されている。
を用いた場合の結果は以下のように報告されている。
【０１３７】方法：被験者が募集された。インフォーム
ド・コンセントを実施した後、被験者はＤＭＳ−ＩＩＩ
による構造化臨床面接診断（ＳＣＩＤ：Structured Cli
cical Interview for DMS-III Diagnosis ）による面接
を受け、各種の症状はハミルトン不安尺度（Ｈａｍ−
Ａ）（ハミルトン、「格付けによる不安状態の審査」英
国医療心理学ジャーナル、３２：ページ５０−５５、１
９５９年（Hamilton, "Theassessment of Anxiety Stat
es by Rating," Br. J. Med. Psychol., 32:pp. 50-55,
1959 ））と３１項目のハミルトンうつ病格付け尺度
（Ｈａｍ−Ｄ）（ハミルトン、「 うつ病に対する格付
け尺度」、精神医療・神経外科ジャーナル、５３：ペー
ジ５６−６２、１９６０年（Hamilton,"A Rating Scale
for Depression,"J. Neurol. Neurosurg. Psychiat.,
53:pp. 56-62, 1960 ））の構造化面接版をつかって格
付けされた。身体検査が行われ、研究所で選別するため
に各患者の血液が採取された。
ド・コンセントを実施した後、被験者はＤＭＳ−ＩＩＩ
による構造化臨床面接診断（ＳＣＩＤ：Structured Cli
cical Interview for DMS-III Diagnosis ）による面接
を受け、各種の症状はハミルトン不安尺度（Ｈａｍ−
Ａ）（ハミルトン、「格付けによる不安状態の審査」英
国医療心理学ジャーナル、３２：ページ５０−５５、１
９５９年（Hamilton, "Theassessment of Anxiety Stat
es by Rating," Br. J. Med. Psychol., 32:pp. 50-55,
1959 ））と３１項目のハミルトンうつ病格付け尺度
（Ｈａｍ−Ｄ）（ハミルトン、「 うつ病に対する格付
け尺度」、精神医療・神経外科ジャーナル、５３：ペー
ジ５６−６２、１９６０年（Hamilton,"A Rating Scale
for Depression,"J. Neurol. Neurosurg. Psychiat.,
53:pp. 56-62, 1960 ））の構造化面接版をつかって格
付けされた。身体検査が行われ、研究所で選別するため
に各患者の血液が採取された。
【０１３８】下記の条件に合致した被験者が調査に入る
ことになった。
ことになった。
【０１３９】参入基準 １．年齢が１８才から５０才であること ２．インフォームドコンセントができること ３．最低３カ月間、一般になった不安症あるいは不安な
気分のある適応症（Adjustment disorder ）のＤＳＭ−
ＩＩＩ−Ｒ基準に合致していること ４．ハミルトン不安尺度（ＨＡＭ−Ａ）が１８に等しい
か１８より大きいこと
気分のある適応症（Adjustment disorder ）のＤＳＭ−
ＩＩＩ−Ｒ基準に合致していること ４．ハミルトン不安尺度（ＨＡＭ−Ａ）が１８に等しい
か１８より大きいこと
【０１４０】除外基準 １．過去３カ月間、薬物乱用のＤＳＭ−ＩＩＩ−Ｒ基準
に合致していること ２．低強度電磁場に対しては禁忌であることが判ってい
る（妊娠中の患者、あるいは近く妊娠しようとしている
患者を含む）こと ３．現在躁病状態、軽躁状態、あるいは混合再発性うつ
病（Mixed-Episode Depression）、気分変調、循環気質
のＤＳＭ−ＩＩＩ−Ｒ基準に合致していること ４．恐怖症、強迫神経症、精神分裂病、精神分裂病型の
感情障害（Schizoaffective disorder）の履歴があるこ
と ５．選別インタービューのとき激しい自殺願望があるこ
とがわかったこと ６．選別訪問したときの１週間以内に不安緩解剤による
薬物治療をしていたこと ７．前から１２週間、向精神薬を不定期に使用していた
こと ８．６カ月前に新規の心理療法を始めたこと ９．本調査の進行過程中に新規の心理療法を始めること
を計画していること
に合致していること ２．低強度電磁場に対しては禁忌であることが判ってい
る（妊娠中の患者、あるいは近く妊娠しようとしている
患者を含む）こと ３．現在躁病状態、軽躁状態、あるいは混合再発性うつ
病（Mixed-Episode Depression）、気分変調、循環気質
のＤＳＭ−ＩＩＩ−Ｒ基準に合致していること ４．恐怖症、強迫神経症、精神分裂病、精神分裂病型の
感情障害（Schizoaffective disorder）の履歴があるこ
と ５．選別インタービューのとき激しい自殺願望があるこ
とがわかったこと ６．選別訪問したときの１週間以内に不安緩解剤による
薬物治療をしていたこと ７．前から１２週間、向精神薬を不定期に使用していた
こと ８．６カ月前に新規の心理療法を始めたこと ９．本調査の進行過程中に新規の心理療法を始めること
を計画していること
【０１４１】被験者は、家庭でＬＥＥＴを使用できるよ
うに口頭および筆記試験を受けた。毎日の治療として、
毎朝１５分間と毎晩３０分間の放射を浴びることになっ
ていた。装置は、被験者が上顎に向けて挿入したアンテ
ナを介して、選択したＡＭ周波数ＲＦＥＭ波を与えるよ
うに予めプログラムされていた。被験者は目を閉じて横
たわりながら本装置を使用するように指示された。あら
ゆる格付けがオープンの状態で行われた。６週間の治療
後、装置は回収された。被験者は、治療中止後第２週と
第４週のフォローアップの訪問に対して報告した。
うに口頭および筆記試験を受けた。毎日の治療として、
毎朝１５分間と毎晩３０分間の放射を浴びることになっ
ていた。装置は、被験者が上顎に向けて挿入したアンテ
ナを介して、選択したＡＭ周波数ＲＦＥＭ波を与えるよ
うに予めプログラムされていた。被験者は目を閉じて横
たわりながら本装置を使用するように指示された。あら
ゆる格付けがオープンの状態で行われた。６週間の治療
後、装置は回収された。被験者は、治療中止後第２週と
第４週のフォローアップの訪問に対して報告した。
【０１４２】結果：本プロトコルに参画した４人の女性
と６人の男性に対して結果が報告された。表ＶＩＩＩに
示す通り、Ｈａｍ−Ａの平均は、第１週の治療後、２
３．４から８．１に改善した。第３週の治療により、１
０人中９人の患者について、Ｈａｍ−Ａに関する自分達
の基準線得点の少なくとも５０％が改善されたことが示
された。一般的にいって改善は第６週目までずっと持続
した。治療後のフォローアップを通じて、治療の中止後
もある患者には治療の効果が持続していることが判明し
た。治療の中止後、多くの患者はＨａｍ−Ｄの若干の増
加を経験したが、不安症の反跳を報告した患者は１人も
いなかった。またＨａｍ−Ｄの平均得点も基準線におけ
る１５．０１から改善して、第１週の治療後はずっと６
以下となっていた。
と６人の男性に対して結果が報告された。表ＶＩＩＩに
示す通り、Ｈａｍ−Ａの平均は、第１週の治療後、２
３．４から８．１に改善した。第３週の治療により、１
０人中９人の患者について、Ｈａｍ−Ａに関する自分達
の基準線得点の少なくとも５０％が改善されたことが示
された。一般的にいって改善は第６週目までずっと持続
した。治療後のフォローアップを通じて、治療の中止後
もある患者には治療の効果が持続していることが判明し
た。治療の中止後、多くの患者はＨａｍ−Ｄの若干の増
加を経験したが、不安症の反跳を報告した患者は１人も
いなかった。またＨａｍ−Ｄの平均得点も基準線におけ
る１５．０１から改善して、第１週の治療後はずっと６
以下となっていた。
【表８】
【０１４３】検討：この結果はいくつかの理由から注目
に値する。第１に、ＬＥＥＴは全く新しい治療パラダイ
ムであり、興味深い副作用のパターンと、不安症と関連
障害を治療する可能性を提供していることである。第２
に、この結果から効果の大きさおよび臨床的に有意な改
善が得られた患者のパーセンテージの双方に大きな自信
が得られたことである。第３に、改善された期間を考え
ると、観察した効果の全ての例にプラシーボ反応が影響
しているという可能性は小さいということと、さらに前
に行った制御された調査と、効き目の高いベンゾディア
ゼピン及び／或いは抗うつ剤を使って以前に行った公開
の治療とにおいて、何人かの患者は改善に失敗したとい
うことである。２重盲式条件で更に行った研究では、Ｌ
ＥＥＴを臨床で使用する場合の用途が明確化し、かつそ
の効果が確立したことを示している。
に値する。第１に、ＬＥＥＴは全く新しい治療パラダイ
ムであり、興味深い副作用のパターンと、不安症と関連
障害を治療する可能性を提供していることである。第２
に、この結果から効果の大きさおよび臨床的に有意な改
善が得られた患者のパーセンテージの双方に大きな自信
が得られたことである。第３に、改善された期間を考え
ると、観察した効果の全ての例にプラシーボ反応が影響
しているという可能性は小さいということと、さらに前
に行った制御された調査と、効き目の高いベンゾディア
ゼピン及び／或いは抗うつ剤を使って以前に行った公開
の治療とにおいて、何人かの患者は改善に失敗したとい
うことである。２重盲式条件で更に行った研究では、Ｌ
ＥＥＴを臨床で使用する場合の用途が明確化し、かつそ
の効果が確立したことを示している。
【０１４４】いくつかの実施例を参照して本発明を説明
してきたが、当業者ならば、本発明の精神と範囲から逸
脱せずにこれら実施例に対する追加、削除、変更ができ
ることを理解できるであろう。
してきたが、当業者ならば、本発明の精神と範囲から逸
脱せずにこれら実施例に対する追加、削除、変更ができ
ることを理解できるであろう。
【図１】本発明による、変調された低エネルギ放射を患
者に加えるシステム。
者に加えるシステム。
【図２】図１のシステムの回路のブロック図。
【図３】図２の回路の変調信号発生器の詳細な模式図。
【図４】図２の回路に使用される変調信号バッファと搬
送波発振器の詳細な模式図。
送波発振器の詳細な模式図。
【図５】図２の回路のＡＭ変調・電力発生器と出力フィ
ルターの詳細な模式図。
ルターの詳細な模式図。
【図６】図２の回路のインピーダンス変成器の詳細な模
式図。
式図。
【図７】図２の回路の放射センサ回路の詳細な模式図。
【図８】図２の回路に使用される出力電力センサ回路の
詳細な模式図。
詳細な模式図。
【図９】図２の回路に使用されるディスプレイ・モジュ
ールの詳細な模式図。
ールの詳細な模式図。
【図１０】図２の回路に使用される電力供給回路の詳細
な模式図。
な模式図。
【図１１】本発明による、図１および図２のシステムの
動作方法の流れ図。
動作方法の流れ図。
【図１２】本発明による、図１および図２のシステムの
動作方法の流れ図。
動作方法の流れ図。
【図１３】本発明による、図１および図２のシステムの
動作方法の流れ図。
動作方法の流れ図。
【図１４】本発明による、図１および図２のシステムの
動作方法の流れ図。
動作方法の流れ図。
【図１５】本発明により使用するアプリケーション記憶
装置の例。
装置の例。
【図１６】本発明により使用するアプリケーション記憶
装置の例。
装置の例。
【図１７】本発明により使用するアプリケーション記憶
装置の例。
装置の例。
【図１８】本発明により使用するアプリケーション記憶
装置の例。
装置の例。
【図１９】本発明により使用するアプリケーション記憶
装置の例。
装置の例。
【図２０】本発明により使用するアプリケーション記憶
装置の例。
装置の例。
１１ 適用システム １２ 同軸ケーブル １３ プローブ １４ インピーダンス変成器 １６ インタフェース １７ ディスプレイ １８ オン・ボタン １９ オフ・ボタン ２０ 変調信号 ２１ マイクロプロセッサ ２２ アドレス・バス ２３ データ・バス ２４ システム・クロック ２５、５０、１０１ Ｉ／Ｏライン ２６ クロック用水晶 ２７、２８、４９、５１、８１、８４ コンデンサ ２９ 可制御型発生器回路 ３２ 搬送波信号発振器 ３３ 発振器ディスエーブル・ライン ３４ ＡＭ変調・電力発生器 ３５ 変調信号バッファー増幅器 ３６ 搬送波信号ライン ３７ 信号ライン ３８ 変調搬送波信号ライン ３９ フィルター回路 ４０ 放射器出力フィルター ４１ 波形アドレス発生器 ４２ 波形アドレス・バス ４３ 変調信号記憶装置 ４４ 変調信号バス ４５ 拡張Ｉ／Ｏライン ４６ ディジタル・アナログ変換器 ４７ 選択フィルター ４８、８５ 抵抗器 ５２ アプリケーション記憶装置 ５３ 放射センサー ５４ 電力センサー ５６ 電力センス・ライン ５７ バッテリ充電コントローラ ５８ −ｄＶ検出器 ６１、６２、１０２、１０３、１０４、１０５ ＮＡＮ
Ｄゲート ６６、６７、８６、１０６ トランジスタ ６８、６９、７９ インダクタ ７０、７１、７２ ＬＣ共振回路 ７３、７４、７６ ＬＣフィルター・ステ−ジ ７７ 直列抵抗器 ７８ 出力コネクタ ８２ アンテナ ８３ ダイオード ８７ 低レベル信号ライン ８８ 双方向カプラ ８９、９０ 検出回路 ９１ 差動増幅器 ９２、９４ 抵抗性分圧器 ９３ アナログ・ディジタル変換器 ９５ 再充電型バッテリ ９６ コネクタ ９７ 電圧調整器 ９８、９９ リレー １０７ 自動オフ・ライン １０８ バッテリ電圧モニタ １０９ ディスプレイ・モジュール １１０ サウンド制御回路
Ｄゲート ６６、６７、８６、１０６ トランジスタ ６８、６９、７９ インダクタ ７０、７１、７２ ＬＣ共振回路 ７３、７４、７６ ＬＣフィルター・ステ−ジ ７７ 直列抵抗器 ７８ 出力コネクタ ８２ アンテナ ８３ ダイオード ８７ 低レベル信号ライン ８８ 双方向カプラ ８９、９０ 検出回路 ９１ 差動増幅器 ９２、９４ 抵抗性分圧器 ９３ アナログ・ディジタル変換器 ９５ 再充電型バッテリ ９６ コネクタ ９７ 電圧調整器 ９８、９９ リレー １０７ 自動オフ・ライン １０８ バッテリ電圧モニタ １０９ ディスプレイ・モジュール １１０ サウンド制御回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘンリー クンツ スイス国ヴェティンゲン，クロステルシュ トラーセ 39 (72)発明者 レア − ウオウン チャング シンガポール国ビーティー．パンジャング リング ロード，ビーエルケイ 432, ナンバー04−609 (72)発明者 アレクサンドル バルボウル フランス国コルマル，リュ ドゥ ベルダ ン 20 (72)発明者 ボリス パスケ アメリカ合衆国ニューヨーク州ニューヨー ク，ナンバー ７−ピー，イースト シッ クスティーエイトス ストリート 445
Claims (22)
- 【請求項１】患者に低エネルギ電磁放射を加えるシステ
ムであって、 高周波低エネルギ搬送波信号を発生し、かつプログラム
可能な変調信号により前記搬送波信号の振幅を変調し
て、変調された搬送波信号を発生する可制御型電磁エネ
ルギ型発生器回路と、 前記発生器回路に接続され、前記発生器回路を制御して
前記変調された搬送波信号を発生させるデータプロセッ
サと、 前記データプロセッサに接続され、使用方法記憶装置に
対して接続できるようになっていて、変調信号制御情報
を含む制御情報を当該使用方法記憶装置から受信し、か
つ前記制御情報を前記データプロセッサに転送する使用
方法記憶装置用インタフェースと、 前記変調された搬送波信号を患者に加えるプローブと、
を有する、システム。 - 【請求項２】請求項１記載のシステムであって、前記可
制御型電磁エネルギ型発生器回路は、 高周波低エネルギ搬送波信号発生器回路と、 変調信号発生器回路と、 前記搬送波信号発生器回路および前記変調信号発生器回
路に接続され、前記変調信号により前記高周波低エネル
ギ搬送波信号を変調して前記変調された搬送波信号をつ
くり出すＡＭ変調器・電力発生器と、を含む、システ
ム。 - 【請求項３】請求項２記載のシステムであって、前記変
調信号発生器回路は、 アドレス指定可能な変調信号記憶装置と、 前記データプロセッサに接続されて制御され、前記変調
信号記憶装置のアドレスを発生させるアドレス発生器
と、 前記変調信号記憶装置に接続され、前記変調信号記憶装
置からのディジタル変調信号出力をアナログ変調信号に
変換するディジタル・アナログ変換器と、を含む、シス
テム。 - 【請求項４】請求項３記載のシステムであって、前記変
調信号発生器回路は、 前記データプロセッサに接続されて制御され、前記アナ
ログ変調信号を選択的に濾波し、濾波された変調信号を
つくり出す選択フィルターと、 前記データプロセッサに接続されて制御され、前記濾波
された変調信号を前記変調器・電力発生器に供給する前
にバッファリングする、変調信号バッファー増幅器と、
を更に含む、システム。 - 【請求項５】請求項１記載のシステムであって、前記変
調信号および搬送波信号を受信し、かつ前記変調された
搬送波信号を前記プローブに供給するように接続された
放射器回路を更に含む、システム。 - 【請求項６】請求項５記載のシステムであって、前記放
射器回路は、 前記変調信号および搬送波信号を変調された搬送波信号
に変換するＡＭ変調器と、 前記変調された搬送波信号を増幅する同調した共振回路
と、 前記変調された搬送波信号を濾波するフィルター回路
と、を含む、システム。 - 【請求項７】請求項１記載のシステムであって、前記デ
ータプロセッサに接続され、前記搬送波信号の周波数を
有する電磁放射を感知し、かつ前記搬送波信号の有無の
表示を与える電磁放射センサを更に含む、システム。 - 【請求項８】請求項５記載のシステムであって、前記放
射器回路と前記プローブの中間に接続されるアンテナケ
ーブルを更に含む、システム。 - 【請求項９】請求項８記載のシステムであって、放射器
回路から見た患者のインピーダンスを該放射器回路の出
力インピーダンスに実質的に整合させるため、前記放射
器回路と前記プローブの中間に接続されるインピーダン
ス変成器を更に含む、システム。 - 【請求項１０】請求項９記載のシステムであって、前記
インピーダンス変成器は前記放射器回路と前記プローブ
の中間に接続されるインダクタと、グラウンドと前記イ
ンダクタおよび前記プローブの間の接続点の中間に接続
されるコンデンサを含む、システム。 - 【請求項１１】請求項１記載のシステムであって、前記
患者に加えられる電磁的電力の量を検出する電力センサ
を更に含む、システム。 - 【請求項１２】請求項１１記載のシステムであって、前
記電力センサは、 前記患者に加えられる電力量を検出する検出器と、 前記患者から反射される電力量を検出する検出器と、 前記患者に加えられる前記電力量を前記患者から反射さ
れる前記電力量と比較する手段と、を含む、システム。 - 【請求項１３】請求項１記載のシステムに使用され、磁
気記憶媒体、半導体メモリ記憶媒体、機械的記憶媒体お
よび光学的記憶媒体から成るグループから選択される制
御情報記憶媒体を含むアプリケーション記憶装置。 - 【請求項１４】請求項１３記載のアプリケーション記憶
装置であって、前記制御情報は変調周波数制御情報を含
む、アプリケーション記憶装置。 - 【請求項１５】請求項１４記載のアプリケーション記憶
装置であって、前記制御情報は低エネルギ電磁放射持続
時間制御情報を更に含む、アプリケーション記憶装置。 - 【請求項１６】請求項１５記載のアプリケーション記憶
装置であって、前記持続時間制御情報は変調された搬送
波信号中断情報を更に含む、アプリケーション記憶装
置。 - 【請求項１７】請求項１４記載のアプリケーション記憶
装置であって、前記制御情報は放射応用制限情報を更に
含む、アプリケーション記憶装置。 - 【請求項１８】請求項１３記載のアプリケーション記憶
装置であって、前記制御情報は患者治療適合性情報を含
む、アプリケーション記憶装置。 - 【請求項１９】請求項１３記載のアプリケーション記憶
装置であって、前記制御情報は電力レベル制御情報を含
む、アプリケーション記憶装置。 - 【請求項２０】請求項１記載のシステムであって、前記
データプロセッサに接続されて制御され、該システムの
動作の特徴を表示するディスプレイ装置を更に含む、シ
ステム。 - 【請求項２１】請求項１記載のシステムであって、前記
プローブは前記患者の粘膜に適用できるようになってい
る電導性の材料のプローブ要素を含む、システム。 - 【請求項２２】請求項２１記載のシステムであって、前
記プローブ要素は前記患者の口内に適合するようになっ
ている、システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/951,563 US5441528A (en) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | Method and system for applying low energy emission therapy |
| US951563 | 1992-09-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07546A true JPH07546A (ja) | 1995-01-06 |
| JP3609440B2 JP3609440B2 (ja) | 2005-01-12 |
Family
ID=25491832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23838093A Expired - Fee Related JP3609440B2 (ja) | 1992-09-25 | 1993-09-24 | 低エネルギ電磁放射を患者に加えるシステム及びそれに用いられるアプリケーション記憶装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5441528A (ja) |
| EP (1) | EP0592851B1 (ja) |
| JP (1) | JP3609440B2 (ja) |
| CA (1) | CA2106245A1 (ja) |
| DE (1) | DE69331262T2 (ja) |
| ES (1) | ES2170062T3 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010522051A (ja) * | 2007-03-27 | 2010-07-01 | パッシュ，ボリス | 温血動物対象における細胞機能に影響するための電子システム |
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