JPH0748512B2 - 異物検査装置の測定条件設定法 - Google Patents
異物検査装置の測定条件設定法Info
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- JPH0748512B2 JPH0748512B2 JP22342589A JP22342589A JPH0748512B2 JP H0748512 B2 JPH0748512 B2 JP H0748512B2 JP 22342589 A JP22342589 A JP 22342589A JP 22342589 A JP22342589 A JP 22342589A JP H0748512 B2 JPH0748512 B2 JP H0748512B2
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハ上に付着した異物個数を検出す
る異物検査装置の測定条件設定法に関するものである。
る異物検査装置の測定条件設定法に関するものである。
第４図は一般的な異物検査装置を示すブロック系統図で
ある。同図において、１はウェハのロード・アンロード
を行なう搬送部、２は搬送部１から送られてきたウェハ
を受け取り、測定時にウェハをＸ−ＹまたはＲ−θ方向
に動かすステージ部、３はステージ部２の上部に設けら
れ、ステージ部２にセットされたウェハにレーザ光等を
照射し、異物に当たった場合に生じる散乱光を検出する
光学部、４は測定を行なうための条件を入力する操作パ
ネル、５は入力測定条件および検出した異物の個数、ウ
ェハ内での分布等を表示する表示装置、６は測定結果を
プリントアウトするための出力装置、７は符号１〜６の
各機器を制御するためのプログラム等を記憶するための
主記憶装置、８は符号１〜７の各機器を制御するための
中央処理装置である。
ある。同図において、１はウェハのロード・アンロード
を行なう搬送部、２は搬送部１から送られてきたウェハ
を受け取り、測定時にウェハをＸ−ＹまたはＲ−θ方向
に動かすステージ部、３はステージ部２の上部に設けら
れ、ステージ部２にセットされたウェハにレーザ光等を
照射し、異物に当たった場合に生じる散乱光を検出する
光学部、４は測定を行なうための条件を入力する操作パ
ネル、５は入力測定条件および検出した異物の個数、ウ
ェハ内での分布等を表示する表示装置、６は測定結果を
プリントアウトするための出力装置、７は符号１〜６の
各機器を制御するためのプログラム等を記憶するための
主記憶装置、８は符号１〜７の各機器を制御するための
中央処理装置である。
次に、第５図は異物の検出原理を説明するための説明図
である。同図において、11は被測定ウェハ、12はウェハ
11上に付着した異物、13は異物検査装置光学部３内に設
けられ、被測定ウェハ11に照射するレーザ光14を発する
レーザ源、15はレーザ光14が異物12に照射された際に発
生する散乱光、16は散乱光15を受光するようウェハ11の
上部に設けられた受光素子、17は受光素子16に接続され
たホトマルである。
である。同図において、11は被測定ウェハ、12はウェハ
11上に付着した異物、13は異物検査装置光学部３内に設
けられ、被測定ウェハ11に照射するレーザ光14を発する
レーザ源、15はレーザ光14が異物12に照射された際に発
生する散乱光、16は散乱光15を受光するようウェハ11の
上部に設けられた受光素子、17は受光素子16に接続され
たホトマルである。
第６図は、第５図で説明される原理によって得られたホ
トマル出力電圧と異物の粒子径の関係を示す一例のグラ
フである。
トマル出力電圧と異物の粒子径の関係を示す一例のグラ
フである。
また、第７図は異物を大きさ別に区切る際の方法を説明
するためのグラフである。
するためのグラフである。
上記の構成によってウェハ上に付着した異物の粒子径別
個数を測定した結果の出力例を第８図に示す。異物粒子
径別に区切られた単数または複数（第８図では３つ）の
チャネル（CH1,CH2,CH3）にカウントされた異物の個数
（CH1のｌ個,CH2のｍ個,CH3のｎ個、および全体のｌ＋
ｍ＋ｎ個）がヒストグラムや数値等によって出力され
る。この場合の各チャネルに対応する粒子径は、例えば
CH1で0.3〜0.5μｍ、CH2で0.5〜１μｍ、CH3で１μｍ以
上という具合に、装置の能力に応じてユーザが任意に設
定することができる。ただし、対応粒子径はCH1の粒子
径＜CH2の粒子径＜CH3の粒子径の関係にある。
個数を測定した結果の出力例を第８図に示す。異物粒子
径別に区切られた単数または複数（第８図では３つ）の
チャネル（CH1,CH2,CH3）にカウントされた異物の個数
（CH1のｌ個,CH2のｍ個,CH3のｎ個、および全体のｌ＋
ｍ＋ｎ個）がヒストグラムや数値等によって出力され
る。この場合の各チャネルに対応する粒子径は、例えば
CH1で0.3〜0.5μｍ、CH2で0.5〜１μｍ、CH3で１μｍ以
上という具合に、装置の能力に応じてユーザが任意に設
定することができる。ただし、対応粒子径はCH1の粒子
径＜CH2の粒子径＜CH3の粒子径の関係にある。
第９図は、以上のような構成の異物検査装置Ａと同装置
Ｂとの検出感度のレベル合わせ（同一ウェハを測定した
場合ほぼ近い測定結果が出ること）の方法を示すフロー
チャートである。
Ｂとの検出感度のレベル合わせ（同一ウェハを測定した
場合ほぼ近い測定結果が出ること）の方法を示すフロー
チャートである。
次に動作について説明する。異物検査装置でウェハを測
定する場合、第４図の搬送部１に被測定ウェハをウェハ
キャリアごとセットする。測定条件を操作パネル４と表
示装置によって入力した後、ウェハは１枚ずつステージ
部２に搬送され、光学部３でウェハ上の異物の検出を行
ない、その結果が表示装置５および出力装置６へ出力さ
れる。測定終了後ウェハはステージ部２から搬送部１へ
受けわたされ、元のキャリアまたはアンローダ用のキャ
リアにもどされる。
定する場合、第４図の搬送部１に被測定ウェハをウェハ
キャリアごとセットする。測定条件を操作パネル４と表
示装置によって入力した後、ウェハは１枚ずつステージ
部２に搬送され、光学部３でウェハ上の異物の検出を行
ない、その結果が表示装置５および出力装置６へ出力さ
れる。測定終了後ウェハはステージ部２から搬送部１へ
受けわたされ、元のキャリアまたはアンローダ用のキャ
リアにもどされる。
次に検出についての詳細を説明する。第５図において、
ウェハ11上にレーザ源13からのレーザ光14を照射する。
この際ウェハ11を載せたステージがＸ−Ｙ方向またはＲ
−θ方向に移動することにより、レーザ光14はウェハ全
面を走査する。走査中に異物に遭遇すれば、第５図のよ
うに、異物12に当たったレーザ光14は散乱光15となり、
上部の受光素子16に入り、光信号としてホトマル17に入
り、電気信号（電圧値）に変換される。このホトマル17
からの出力電圧値と異物の粒子径には一例として第６図
のような関係がある。よって、第７図のようにホトマル
出力電圧値を或る電圧値（V1,V2,V3）で区切ることによ
り、検出した粒子の大きさa,b,cを分別することができ
る。
ウェハ11上にレーザ源13からのレーザ光14を照射する。
この際ウェハ11を載せたステージがＸ−Ｙ方向またはＲ
−θ方向に移動することにより、レーザ光14はウェハ全
面を走査する。走査中に異物に遭遇すれば、第５図のよ
うに、異物12に当たったレーザ光14は散乱光15となり、
上部の受光素子16に入り、光信号としてホトマル17に入
り、電気信号（電圧値）に変換される。このホトマル17
からの出力電圧値と異物の粒子径には一例として第６図
のような関係がある。よって、第７図のようにホトマル
出力電圧値を或る電圧値（V1,V2,V3）で区切ることによ
り、検出した粒子の大きさa,b,cを分別することができ
る。
このように検出した異物を３つのチャネルに分けカウン
トし、出力した結果の一例が第８図に示すものである。
トし、出力した結果の一例が第８図に示すものである。
次に、このような構成の異物検査装置において複数の装
置間のレベル合わせをする従来の方法について説明す
る。第９図はその方法を示すフローチャートである。装
置Ａと装置Ｂとのレベル合わせをする場合、まず装置Ａ
のウェハを測定し、出力結果を出力させる（ステップ2
1,22）。次に、装置Ｂに、Ａでの感度より高いと予測さ
れる感度に対応する測定条件（例えばV1の値を装置Ａで
の値より下げる）を入力し（ステップ23）、先に装置Ａ
で測定したのと同一ウェハを装置Ｂで測定し、結果を出
力する（ステップ24,25）。この結果を装置Ａの結果と
照合し、装置Ａと同等の結果（トータルの値で±20％以
内）でない場合は、装置Ｂの感度を順次下げて（例えば
V1の値を少し上げて）装置Ａと同等の結果（トータル
値）となる時のV1を求める（ステップ26）。次にV1を固
定し、同様にしてV2の値を順次変えることによりV2の値
を決定し、次にV1,V2を固定しV3の値を順次変えて行きV
3の値を決定する。結果的に装置ＡとＢとでトータルお
よび各チャネルの異物検出数が±20％以内でレベル合わ
せできる。
置間のレベル合わせをする従来の方法について説明す
る。第９図はその方法を示すフローチャートである。装
置Ａと装置Ｂとのレベル合わせをする場合、まず装置Ａ
のウェハを測定し、出力結果を出力させる（ステップ2
1,22）。次に、装置Ｂに、Ａでの感度より高いと予測さ
れる感度に対応する測定条件（例えばV1の値を装置Ａで
の値より下げる）を入力し（ステップ23）、先に装置Ａ
で測定したのと同一ウェハを装置Ｂで測定し、結果を出
力する（ステップ24,25）。この結果を装置Ａの結果と
照合し、装置Ａと同等の結果（トータルの値で±20％以
内）でない場合は、装置Ｂの感度を順次下げて（例えば
V1の値を少し上げて）装置Ａと同等の結果（トータル
値）となる時のV1を求める（ステップ26）。次にV1を固
定し、同様にしてV2の値を順次変えることによりV2の値
を決定し、次にV1,V2を固定しV3の値を順次変えて行きV
3の値を決定する。結果的に装置ＡとＢとでトータルお
よび各チャネルの異物検出数が±20％以内でレベル合わ
せできる。
従来の異物検査装置間のレベル合わせは以上のように行
なわれていたので、レベルが合うまで装置Ｂの測定条件
設定（ステップ23）を人が測定毎にしなければならず、
ずっと装置につきっきりで作業するため、非常に面倒で
労力を使う（１つの条件の設定につき約１〜３時間）と
いう問題があった。
なわれていたので、レベルが合うまで装置Ｂの測定条件
設定（ステップ23）を人が測定毎にしなければならず、
ずっと装置につきっきりで作業するため、非常に面倒で
労力を使う（１つの条件の設定につき約１〜３時間）と
いう問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、装置のレベル合わせ又は感度校
正を自動で速く簡単にできる装置を得ることにある。
の目的とするところは、装置のレベル合わせ又は感度校
正を自動で速く簡単にできる装置を得ることにある。
このような課題を解決するために本発明は、半導体ウェ
ハ上に付着した或る大きさ以上の異物を検出し、その異
物の個数を単一または複数の大きさ別にそれぞれ算出す
る異物検査装置の測定条件設定法において、ウェハを測
定する際にあらかじめ異物個数を入力し、その入力した
異物個数と同等の異物個数が検出されるような測定条件
を自動設定するようにしたものである。
ハ上に付着した或る大きさ以上の異物を検出し、その異
物の個数を単一または複数の大きさ別にそれぞれ算出す
る異物検査装置の測定条件設定法において、ウェハを測
定する際にあらかじめ異物個数を入力し、その入力した
異物個数と同等の異物個数が検出されるような測定条件
を自動設定するようにしたものである。
本発明による異物検査装置の測定条件設定法は、異物個
数を入力し、ウェハをセットし、一度の測定だけで求め
たい測定条件が求まる。
数を入力し、ウェハをセットし、一度の測定だけで求め
たい測定条件が求まる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。第１
図は本発明による異物検査装置の条件設定方法の一実施
例を説明するためのフローチャート、第２図は装置間の
レベル合わせをする際に自動的に条件を設定する場合の
フローチャート、第３図は条件設定を具体的に示すグラ
フである。
図は本発明による異物検査装置の条件設定方法の一実施
例を説明するためのフローチャート、第２図は装置間の
レベル合わせをする際に自動的に条件を設定する場合の
フローチャート、第３図は条件設定を具体的に示すグラ
フである。
次に動作について説明する。装置ＡとＢとでレベル合わ
せをする場合、第２図のようにまず装置Ａでウェハを測
定し（ステップ31）、異物個数を出力させる（ステップ
32）。次に、装置Ｂに装置Ａでの測定結果である異物個
数を入力し（ステップ33）、装置Ｂでウェハを測定する
ために必要な測定条件を初期設定する（ステップ34）。
この際感度については装置Ａの感度より高いと予測され
る条件を入力しておく。次にステップ31において装置Ａ
で測定したのと同じウェハを装置Ｂで測定する（ステッ
プ35）。この測定結果をもとにして装置Ａと同等感度と
なるように装置Ｂの測定条件が自動設定され（ステップ
36）、その後求められた測定条件および測定結果が出力
される（ステップ37）。
せをする場合、第２図のようにまず装置Ａでウェハを測
定し（ステップ31）、異物個数を出力させる（ステップ
32）。次に、装置Ｂに装置Ａでの測定結果である異物個
数を入力し（ステップ33）、装置Ｂでウェハを測定する
ために必要な測定条件を初期設定する（ステップ34）。
この際感度については装置Ａの感度より高いと予測され
る条件を入力しておく。次にステップ31において装置Ａ
で測定したのと同じウェハを装置Ｂで測定する（ステッ
プ35）。この測定結果をもとにして装置Ａと同等感度と
なるように装置Ｂの測定条件が自動設定され（ステップ
36）、その後求められた測定条件および測定結果が出力
される（ステップ37）。
次に、この自動設定（ステップ36）の方法について詳細
に説明する（第１図，第３図参照）。まずウェハを測定
して得られる異物個数は、ホトマル電圧値をｎ段階（ｎ
は50以上）に区切り、その区切りごとにカウントされ、
記憶される（ステップ41,第３図）。以後の計算はすべ
てこの記憶されたカウント数を用い、測定は一度しか行
なわない。このカウント数をホトマル上限値から下降方
向へ向かって１段階ずつ積算し、あらかじめ入力された
装置Ａでのトータル検出数と同等となるまで続ける（ス
テップ42,43,第３図（ａ））。個数が同等となった時、
最後に加算した段階のホトマル電圧値を装置ＢでのV1の
値と決定する（ステップ44）。次に、カウント数を上記
のように決定したV1からホトマル電圧値上昇方向へ向か
って１段階ずつ積算し、装置ＡでのCH1の検出数と同等
になるまで続ける（ステップ45,46,第３図（ｂ））。個
数が同等となった時のホトマる電圧値を装置ＢでのV2と
決定する。次に同様にして、カウント数をV2からホトマ
ル電圧値上昇方向へ向かって１段階ずつ積算し、装置Ａ
でのCH2の検出数と同等になるまで続ける（ステップ48,
49,第３図（ｃ））。この時のホトマル電圧値を装置Ｂ
でのV3の値と決定する。
に説明する（第１図，第３図参照）。まずウェハを測定
して得られる異物個数は、ホトマル電圧値をｎ段階（ｎ
は50以上）に区切り、その区切りごとにカウントされ、
記憶される（ステップ41,第３図）。以後の計算はすべ
てこの記憶されたカウント数を用い、測定は一度しか行
なわない。このカウント数をホトマル上限値から下降方
向へ向かって１段階ずつ積算し、あらかじめ入力された
装置Ａでのトータル検出数と同等となるまで続ける（ス
テップ42,43,第３図（ａ））。個数が同等となった時、
最後に加算した段階のホトマル電圧値を装置ＢでのV1の
値と決定する（ステップ44）。次に、カウント数を上記
のように決定したV1からホトマル電圧値上昇方向へ向か
って１段階ずつ積算し、装置ＡでのCH1の検出数と同等
になるまで続ける（ステップ45,46,第３図（ｂ））。個
数が同等となった時のホトマる電圧値を装置ＢでのV2と
決定する。次に同様にして、カウント数をV2からホトマ
ル電圧値上昇方向へ向かって１段階ずつ積算し、装置Ａ
でのCH2の検出数と同等になるまで続ける（ステップ48,
49,第３図（ｃ））。この時のホトマル電圧値を装置Ｂ
でのV3の値と決定する。
なお、上記実施例では、レーザ散乱型異物検査装置につ
いて説明したが、ある異物の大きさ以上の異物個数を出
力する装置ならば他の方式のものでも本発明は適用可能
であり、装置ＡとＢとが違った機種の装置であってもよ
い。また、ウェハでなく、マスク等の異物検査装置でも
良い。
いて説明したが、ある異物の大きさ以上の異物個数を出
力する装置ならば他の方式のものでも本発明は適用可能
であり、装置ＡとＢとが違った機種の装置であってもよ
い。また、ウェハでなく、マスク等の異物検査装置でも
良い。
また、上記実施例では装置間のレベル合わせについて説
明したが、同一装置で或る期間経過した後、感度較正を
行なうためにも使える。すなわち、上記実施例における
装置Ｂを或る期間経過した後の装置Ａと置き換えれば全
く同じステップで感度較正ができる。
明したが、同一装置で或る期間経過した後、感度較正を
行なうためにも使える。すなわち、上記実施例における
装置Ｂを或る期間経過した後の装置Ａと置き換えれば全
く同じステップで感度較正ができる。
以上説明したように本発明は、ウェハを測定する際にあ
らかじめ異物個数を入力し、その入力した異物個数と同
等の異物個数が検出されるような測定条件を自動設定す
ることにより、測定の条件設定を簡単、迅速に行なうこ
とができ、大幅に労力を少なくでき、また、これによ
り、条件設定のための測定数を容易に増やすことができ
るので、感度の信頼性を向上させることができる効果が
ある。
らかじめ異物個数を入力し、その入力した異物個数と同
等の異物個数が検出されるような測定条件を自動設定す
ることにより、測定の条件設定を簡単、迅速に行なうこ
とができ、大幅に労力を少なくでき、また、これによ
り、条件設定のための測定数を容易に増やすことができ
るので、感度の信頼性を向上させることができる効果が
ある。
第１図は本発明による異物検査装置の条件設定方法の一
実施例を説明するためのフローチャート、第２図は装置
間のレベル合わせをする際に自動的に条件を設定する場
合のフローチャート、第３図は条件設定を具体的に示す
グラフ、第４図は一般的な異物検査装置を示すブロック
系統図、第５図はレーザ散乱方式の異物検査の原理を示
す説明図、第６図は粒子径とホトマル出力電圧の関係の
一例を示すグラフ、第７図は粒子径の大きさ別に異物を
区分するための電圧値を説明する説明図、第８図は異物
検出数の一例を示すグラフ、第９図は従来例における装
置間レベル合わせのフローチャートである。
実施例を説明するためのフローチャート、第２図は装置
間のレベル合わせをする際に自動的に条件を設定する場
合のフローチャート、第３図は条件設定を具体的に示す
グラフ、第４図は一般的な異物検査装置を示すブロック
系統図、第５図はレーザ散乱方式の異物検査の原理を示
す説明図、第６図は粒子径とホトマル出力電圧の関係の
一例を示すグラフ、第７図は粒子径の大きさ別に異物を
区分するための電圧値を説明する説明図、第８図は異物
検出数の一例を示すグラフ、第９図は従来例における装
置間レベル合わせのフローチャートである。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハ上に付着した或る大きさ以上
の異物を検出し、その異物の個数を単一または複数の大
きさ別にそれぞれ算出する異物検査装置の測定条件設定
法において、ウェハを測定する際にあらかじめ異物個数
を入力し、その入力した異物個数と同等の異物個数が検
出されるような測定条件を自動設定することを特徴とす
る異物検査装置の測定条件設定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22342589A JPH0748512B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 異物検査装置の測定条件設定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22342589A JPH0748512B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 異物検査装置の測定条件設定法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385743A JPH0385743A (ja) | 1991-04-10 |
| JPH0748512B2 true JPH0748512B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=16797944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22342589A Expired - Lifetime JPH0748512B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 異物検査装置の測定条件設定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748512B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100411800B1 (ko) * | 2000-07-03 | 2003-12-24 | 주식회사이원정공 | 내연기관의 타이밍벨트 오토텐셔너 |
| JP4233374B2 (ja) * | 2003-04-17 | 2009-03-04 | 株式会社小野測器 | 計測作業統合プログラム、計測システム |
| JP2011058984A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 異物検査装置，検査方法及びプログラム |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP22342589A patent/JPH0748512B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0385743A (ja) | 1991-04-10 |
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