JPH0744959Y2 - Ｈ型匣鉢 - Google Patents
Ｈ型匣鉢Info
- Publication number
- JPH0744959Y2 JPH0744959Y2 JP650192U JP650192U JPH0744959Y2 JP H0744959 Y2 JPH0744959 Y2 JP H0744959Y2 JP 650192 U JP650192 U JP 650192U JP 650192 U JP650192 U JP 650192U JP H0744959 Y2 JPH0744959 Y2 JP H0744959Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tile base
- tile
- shaped
- flat
- flat plate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、平板瓦の瓦素地を窯詰
めするときの平板瓦を支持するＨ型匣鉢に関する。
めするときの平板瓦を支持するＨ型匣鉢に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、平板瓦の瓦素地を窯詰めに使
用する支持具は、瓦素地を水平に寝かせて使われる。こ
の種の支持具は、例えば台車上に立てられる支柱の上に
水平に平行になるように複数段設けられ、例えば図６
（Ｂ）に示すように、瓦素地１の表面が水平になるよう
に瓦素地１を支持する。このような上下方向に複数段に
配置される支持具に載せられた瓦素地１を窯詰めし、そ
の瓦素地１を焼成炉内で焼成する。
用する支持具は、瓦素地を水平に寝かせて使われる。こ
の種の支持具は、例えば台車上に立てられる支柱の上に
水平に平行になるように複数段設けられ、例えば図６
（Ｂ）に示すように、瓦素地１の表面が水平になるよう
に瓦素地１を支持する。このような上下方向に複数段に
配置される支持具に載せられた瓦素地１を窯詰めし、そ
の瓦素地１を焼成炉内で焼成する。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の瓦支持具によると、例えば図７（Ｂ）に示す
ように、瓦素地１の表面に塗られる釉薬２が高温下で粘
性の低下によって重力で例えば矢印ａ方向に流動し、瓦
素地１の屈曲部１ａから短脚部の端部１ｂにかけて釉薬
２が玉状になり、この玉状の釉薬２ａが液滴となって重
力により落下したりあるいはこの玉状の釉薬２ａがその
位置で固形化し、いびつな凸部が形成されるので、平板
瓦の品質が低下するという問題がある。
うな従来の瓦支持具によると、例えば図７（Ｂ）に示す
ように、瓦素地１の表面に塗られる釉薬２が高温下で粘
性の低下によって重力で例えば矢印ａ方向に流動し、瓦
素地１の屈曲部１ａから短脚部の端部１ｂにかけて釉薬
２が玉状になり、この玉状の釉薬２ａが液滴となって重
力により落下したりあるいはこの玉状の釉薬２ａがその
位置で固形化し、いびつな凸部が形成されるので、平板
瓦の品質が低下するという問題がある。
【０００４】また、従来の平板瓦用焼成炉内における平
板瓦の支持方法によると、例えば図６（Ｂ）に示すよう
に、上下に多段状に瓦素地を水平に寝かせた状態で保持
する構成をとるため、例えば図６（Ｂ）に示す矢印ｄの
水平方向に炉内ガスは移動しやすいが、しかし最下段の
瓦素地１の下方部の炉内ガスが瓦素地１を横切って上方
向に移動するのは困難である。このため、上下方向へ風
が流通しにくいので、瓦素地の焼成に長時間を要し、迅
速焼成がはかれないという問題がある。
板瓦の支持方法によると、例えば図６（Ｂ）に示すよう
に、上下に多段状に瓦素地を水平に寝かせた状態で保持
する構成をとるため、例えば図６（Ｂ）に示す矢印ｄの
水平方向に炉内ガスは移動しやすいが、しかし最下段の
瓦素地１の下方部の炉内ガスが瓦素地１を横切って上方
向に移動するのは困難である。このため、上下方向へ風
が流通しにくいので、瓦素地の焼成に長時間を要し、迅
速焼成がはかれないという問題がある。
【０００５】本考案が解決しようとする課題は、平板瓦
の釉薬の釉だれを確実に防止し、かつ平板瓦を迅速かつ
均質に焼成可能に支持するＨ型匣鉢を提供することにあ
る。
の釉薬の釉だれを確実に防止し、かつ平板瓦を迅速かつ
均質に焼成可能に支持するＨ型匣鉢を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の本考案によるＨ型匣鉢は、縦断面形状がＬ字状の平板
瓦を焼成するときの瓦素地を支持するＨ型匣鉢におい
て、ガス流を流す穴を有するとともに、前記瓦素地を支
持する平板と、前記平板の両側端に設けられ、少なくと
も下端が直線状に面取りされる傾斜部を有する側枠とを
備えたことを特徴とする。
の本考案によるＨ型匣鉢は、縦断面形状がＬ字状の平板
瓦を焼成するときの瓦素地を支持するＨ型匣鉢におい
て、ガス流を流す穴を有するとともに、前記瓦素地を支
持する平板と、前記平板の両側端に設けられ、少なくと
も下端が直線状に面取りされる傾斜部を有する側枠とを
備えたことを特徴とする。
【０００７】
【作用】本考案のＨ型匣鉢によると、例えば図７（Ａ）
に示すように、瓦素地１が斜めに傾斜して支持されるた
め、瓦素地１の表面の釉薬２が重力により流動すると
き、矢印ｂ、ｃの相反する２方向に釉薬２が分散される
ので、玉状の釉だれの発生を防止することができる。ま
た、例えば図６（Ａ）に示すように、傾斜して配置され
る複数の瓦素地１の間に矢印ｅ方向の斜めに下側から上
側にガス流動が生じるため、加熱空気流の流れによって
多数の瓦素地１を均一に焼成することができる。
に示すように、瓦素地１が斜めに傾斜して支持されるた
め、瓦素地１の表面の釉薬２が重力により流動すると
き、矢印ｂ、ｃの相反する２方向に釉薬２が分散される
ので、玉状の釉だれの発生を防止することができる。ま
た、例えば図６（Ａ）に示すように、傾斜して配置され
る複数の瓦素地１の間に矢印ｅ方向の斜めに下側から上
側にガス流動が生じるため、加熱空気流の流れによって
多数の瓦素地１を均一に焼成することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明
する。本考案の第１実施例を図１〜図５に示す。焼成炉
に窯詰めされる平板瓦の瓦素地は、図５に示す台車５の
頂面５ａに支柱６が立てられ、支柱６の頂面に平板状の
棚板８が載せられる。棚板８の頂面にＨ型匣鉢１０が傾
斜して棚板８の長手方向に並べられる。図１に示すよう
に、長手方向に傾斜する複数のＨ型匣鉢１０の平板１４
に平板瓦の瓦素地１が寝かせられる。
する。本考案の第１実施例を図１〜図５に示す。焼成炉
に窯詰めされる平板瓦の瓦素地は、図５に示す台車５の
頂面５ａに支柱６が立てられ、支柱６の頂面に平板状の
棚板８が載せられる。棚板８の頂面にＨ型匣鉢１０が傾
斜して棚板８の長手方向に並べられる。図１に示すよう
に、長手方向に傾斜する複数のＨ型匣鉢１０の平板１４
に平板瓦の瓦素地１が寝かせられる。
【０００９】長手方向に平行に配置される棚板８の間に
は、図１に示すように、幅広の空間部８ａが形成され
る。この空間部８ａは、従来の空間部に比べ、幅ｌが大
きくとってある。これは、棚板８の下方にあるガスをこ
の空間部８ａを通して上側に流し、さらに瓦素地１の表
面を傾斜して上方へ吹き抜けるようにガス流動を積極的
に導くためである。
は、図１に示すように、幅広の空間部８ａが形成され
る。この空間部８ａは、従来の空間部に比べ、幅ｌが大
きくとってある。これは、棚板８の下方にあるガスをこ
の空間部８ａを通して上側に流し、さらに瓦素地１の表
面を傾斜して上方へ吹き抜けるようにガス流動を積極的
に導くためである。
【００１０】図６（Ａ）に示すように瓦素地１の間隔ｌ
2 は、炉内ガスが矢印ｅ方向に流れるのを許容する程度
の間隔に設定されている。これは、ガスの矢印方向への
移動を促し、高温ガスにより瓦素地１を迅速に焼成する
ためである。図２〜図４に示すＨ型匣鉢について詳述す
ると、Ｈ型匣鉢１０は、方形状の平板１４と、その両側
端に形成される側枠２３、２４とからなる。
2 は、炉内ガスが矢印ｅ方向に流れるのを許容する程度
の間隔に設定されている。これは、ガスの矢印方向への
移動を促し、高温ガスにより瓦素地１を迅速に焼成する
ためである。図２〜図４に示すＨ型匣鉢について詳述す
ると、Ｈ型匣鉢１０は、方形状の平板１４と、その両側
端に形成される側枠２３、２４とからなる。
【００１１】平板１４は、ガス流を流通可能な大穴１
５、１６と小穴１７、１８が形成される。また小穴１
７、１８の間には瓦素地１の下端を支持するための一対
の支持ピン１９、２０が形成される。裏面側にも同様に
一対の支持ピン２１、２２が形成される。側枠２３、２
４は、ガス流を横方向に流通可能な凹溝２５、２６が形
成される。また側枠２３、２４の両端には直線状に面取
りされる傾斜部２８、２９が形成される。この場合傾斜
部２８、２９の平板１４の平面に対する傾斜角θは４５
°に設定してある。
５、１６と小穴１７、１８が形成される。また小穴１
７、１８の間には瓦素地１の下端を支持するための一対
の支持ピン１９、２０が形成される。裏面側にも同様に
一対の支持ピン２１、２２が形成される。側枠２３、２
４は、ガス流を横方向に流通可能な凹溝２５、２６が形
成される。また側枠２３、２４の両端には直線状に面取
りされる傾斜部２８、２９が形成される。この場合傾斜
部２８、２９の平板１４の平面に対する傾斜角θは４５
°に設定してある。
【００１２】このようなＨ型匣鉢１０が図１に示すよう
に長手方向に側板２３、２４の側面が接触されてコンパ
クトに重ね合わせて棚板８の上に載せられる。棚板８の
長手方向一端にはストッパ３１の底面に形成される図示
しない２本のピンが２本の棚板８と８のピン穴８ｂに嵌
まり込むようにしてストッパ３１が棚板８に固定され、
他端側では滑り止め板３０の底面に形成される図示しな
いピンがピン穴８ｃに嵌合して２本の棚板８と８とを連
結する。これらのストッパ３１と滑り止め板３０の間の
棚板８の上にＨ型匣鉢１０が載せられ長手方向への位置
決めを行う。
に長手方向に側板２３、２４の側面が接触されてコンパ
クトに重ね合わせて棚板８の上に載せられる。棚板８の
長手方向一端にはストッパ３１の底面に形成される図示
しない２本のピンが２本の棚板８と８のピン穴８ｂに嵌
まり込むようにしてストッパ３１が棚板８に固定され、
他端側では滑り止め板３０の底面に形成される図示しな
いピンがピン穴８ｃに嵌合して２本の棚板８と８とを連
結する。これらのストッパ３１と滑り止め板３０の間の
棚板８の上にＨ型匣鉢１０が載せられ長手方向への位置
決めを行う。
【００１３】この実施例によると、図５および図６
（Ａ）に示すように瓦素地１を傾斜して配置することに
より図示矢印ｅ方向に下側から上側へ抜ける斜め方向の
ガス流動が積極的に形成されるから、瓦素地の焼成が速
められる。前記実施例の場合、図７（Ａ）に示すよう
に、瓦素地１の表面の釉薬２が矢印ｂと矢印ｃの両方向
に重力で流れようとするから、釉薬２の流動方向が２方
向に分散されるので釉薬の後だれの発生率が低減され
る。これに対し、従来例のものでは、図７（Ｂ）に示す
ように、玉状の釉薬２ａの後だれが発生し、平板瓦の品
質が低下する。
（Ａ）に示すように瓦素地１を傾斜して配置することに
より図示矢印ｅ方向に下側から上側へ抜ける斜め方向の
ガス流動が積極的に形成されるから、瓦素地の焼成が速
められる。前記実施例の場合、図７（Ａ）に示すよう
に、瓦素地１の表面の釉薬２が矢印ｂと矢印ｃの両方向
に重力で流れようとするから、釉薬２の流動方向が２方
向に分散されるので釉薬の後だれの発生率が低減され
る。これに対し、従来例のものでは、図７（Ｂ）に示す
ように、玉状の釉薬２ａの後だれが発生し、平板瓦の品
質が低下する。
【００１４】また前記実施例の場合、図６（Ａ）に示す
ように、瓦素地１を台車の進行方向つまり炉長方向に傾
斜して配置されるから、瓦素地の配置スペースを節約す
ることができ、一時に焼成できる瓦の枚数を増大するこ
とができる。さらには、このように傾斜して配置される
瓦素地１の表面に矢印ｅ方向にガスが下側から上側に流
れるから、ガスの流れにより迅速焼成される。これに対
し、従来のものでは図６（Ｂ）に示すように、炉長方向
の差圧が少ないことから矢印方向のガス流動は起こりに
くい状態であるから、瓦素地の焼成が長時間となる。
ように、瓦素地１を台車の進行方向つまり炉長方向に傾
斜して配置されるから、瓦素地の配置スペースを節約す
ることができ、一時に焼成できる瓦の枚数を増大するこ
とができる。さらには、このように傾斜して配置される
瓦素地１の表面に矢印ｅ方向にガスが下側から上側に流
れるから、ガスの流れにより迅速焼成される。これに対
し、従来のものでは図６（Ｂ）に示すように、炉長方向
の差圧が少ないことから矢印方向のガス流動は起こりに
くい状態であるから、瓦素地の焼成が長時間となる。
【００１５】前記実施例においては瓦素地の傾斜角度θ
をほぼ４５°としたが、この傾斜角度θは３０°から７
５°の範囲が望ましく、特に４５°〜６０°がより効果
的である。また、瓦素地１を配置する間隔ｌ2 は、例え
ば９０〜１００ｍｍの範囲が望ましい。瓦素地１の下側
の圧力Ｐ1 、瓦素地１の上側の圧力Ｐ2 とすると、Ｐ1
−Ｐ2 ＞３（ｍｍＡｑ）となることから、大量の加熱空
気を瓦素地１と瓦素地１の間に流すため、瓦素地１の伝
熱面積を広くとることで均一加熱が可能となり、瓦素地
の迅速かつ均一な焼成が確保される。
をほぼ４５°としたが、この傾斜角度θは３０°から７
５°の範囲が望ましく、特に４５°〜６０°がより効果
的である。また、瓦素地１を配置する間隔ｌ2 は、例え
ば９０〜１００ｍｍの範囲が望ましい。瓦素地１の下側
の圧力Ｐ1 、瓦素地１の上側の圧力Ｐ2 とすると、Ｐ1
−Ｐ2 ＞３（ｍｍＡｑ）となることから、大量の加熱空
気を瓦素地１と瓦素地１の間に流すため、瓦素地１の伝
熱面積を広くとることで均一加熱が可能となり、瓦素地
の迅速かつ均一な焼成が確保される。
【００１６】前記実施例は、本考案の一実施態様を示す
ものであり、その他の実施例としては、ピン１９、２
０、２１、２２がないもの、大穴１５、１６あるいは小
穴１７、１８の形状、位置、大きさ、個数を変更したも
の、平板１４の表面と裏面とを左右対称に形成したもの
等が変形例として考えられるが、これらの実施例に本考
案は限定されるものではない。
ものであり、その他の実施例としては、ピン１９、２
０、２１、２２がないもの、大穴１５、１６あるいは小
穴１７、１８の形状、位置、大きさ、個数を変更したも
の、平板１４の表面と裏面とを左右対称に形成したもの
等が変形例として考えられるが、これらの実施例に本考
案は限定されるものではない。
【００１７】
【考案の効果】以上説明したように、本考案のＨ型匣鉢
によると、瓦素地の釉薬だれ不良を低減し、品質の良好
な平板瓦を作製できるとともに、この平板瓦の焼成時間
を大幅に短縮することができるという効果がある。
によると、瓦素地の釉薬だれ不良を低減し、品質の良好
な平板瓦を作製できるとともに、この平板瓦の焼成時間
を大幅に短縮することができるという効果がある。
【図１】本考案の実施例によるＨ型匣鉢と棚板を示す組
立分解構成図である。
立分解構成図である。
【図２】本考案の実施例によるＨ型匣鉢を示す側面図で
ある。
ある。
【図３】図２に示す矢印Ａ方向矢視平面図である。
【図４】図２に示す矢印Ｂ方向側面図である。
【図５】本考案の実施例による瓦素地の支持状態を示す
側面図である。
側面図である。
【図６】本考案の実施例による瓦素地の支持状態におけ
るガス流動状態と従来の瓦素地の支持状態におけるガス
流動状態を対比する説明図である。
るガス流動状態と従来の瓦素地の支持状態におけるガス
流動状態を対比する説明図である。
【図７】本考案の実施例による瓦素地の支持状態と従来
の瓦素地の支持状態の作用を対比する説明図である。
の瓦素地の支持状態の作用を対比する説明図である。
１ 瓦素地 １０ Ｈ型匣鉢 １４ 平板 １５、１６ 大穴 １７、１８ 小穴 ２３、２４ 側枠 ２８、２９ 傾斜部 ２５、２６ 凹溝（穴）
Claims (1)
- 【請求項１】 縦断面形状がＬ字状の平板瓦を焼成する
ときの瓦素地を支持するＨ型匣鉢において、 ガス流を流す穴を有するとともに、前記瓦素地を支持す
る平板と、 前記平板の両側端に設けられ、少なくとも下端が直線状
に面取りされる傾斜部を有する側枠とを備えたことを特
徴とするＨ型匣鉢。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP650192U JPH0744959Y2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | Ｈ型匣鉢 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP650192U JPH0744959Y2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | Ｈ型匣鉢 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566500U JPH0566500U (ja) | 1993-09-03 |
| JPH0744959Y2 true JPH0744959Y2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=11640192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP650192U Expired - Lifetime JPH0744959Y2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | Ｈ型匣鉢 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744959Y2 (ja) |
-
1992
- 1992-02-18 JP JP650192U patent/JPH0744959Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566500U (ja) | 1993-09-03 |
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