JPH0744861A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPH0744861A JPH0744861A JP20557393A JP20557393A JPH0744861A JP H0744861 A JPH0744861 A JP H0744861A JP 20557393 A JP20557393 A JP 20557393A JP 20557393 A JP20557393 A JP 20557393A JP H0744861 A JPH0744861 A JP H0744861A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記憶体の回転による潤滑剤の飛散が防止
された磁気記憶体を提供する。 【構成】 磁気ディスク基板または保護膜表面に、半径
方向に対し８９度以下，３度以上の角度（Ａ）をなす誘
導溝を形成する。
された磁気記憶体を提供する。 【構成】 磁気ディスク基板または保護膜表面に、半径
方向に対し８９度以下，３度以上の角度（Ａ）をなす誘
導溝を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気デイスク装置、磁
気ドラム装置等の磁気的記憶装置に用いられる磁気記憶
体に関する。
気ドラム装置等の磁気的記憶装置に用いられる磁気記憶
体に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に記録再生磁気ヘッド（以下、ヘッ
ドと呼ぶ。）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装
置の記録再生方法には次のような方法がある。すなわち
操作開始時にヘッドと磁気記憶体面とを接触状態でセッ
トした後、磁気記憶体に所要の回転を与えることにより
ヘッドと磁気記憶体面の間に空気層分の空間を作り、こ
の状態で記録再生を行う方法である（コンタクト・スタ
ート・ストップ方式；以下、ＣＳＳと呼ぶ。）。この方
法では操作終了時に磁気記憶体の回転が止まり、この時
ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状
態にある。これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気
記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体
を摩耗させ、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じ
せしめることがある。また前記接触摩擦状態において、
ヘッドのわずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不
均一にさせ、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作るこ
とがある。このヘッドとの接触および摺動による磁気記
憶体の摩耗を防止するために、磁気記憶媒体表面に潤滑
剤が塗布されている。
ドと呼ぶ。）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装
置の記録再生方法には次のような方法がある。すなわち
操作開始時にヘッドと磁気記憶体面とを接触状態でセッ
トした後、磁気記憶体に所要の回転を与えることにより
ヘッドと磁気記憶体面の間に空気層分の空間を作り、こ
の状態で記録再生を行う方法である（コンタクト・スタ
ート・ストップ方式；以下、ＣＳＳと呼ぶ。）。この方
法では操作終了時に磁気記憶体の回転が止まり、この時
ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状
態にある。これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気
記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体
を摩耗させ、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じ
せしめることがある。また前記接触摩擦状態において、
ヘッドのわずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不
均一にさせ、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作るこ
とがある。このヘッドとの接触および摺動による磁気記
憶体の摩耗を防止するために、磁気記憶媒体表面に潤滑
剤が塗布されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記潤
滑剤は、一般に液態のオイルが用いられているために、
磁気記憶体の回転による潤滑剤の飛散が問題となってい
る。即ち、潤滑剤の飛散により潤滑剤の膜厚が機械的耐
久性を維持できる膜厚以下に減少すると、磁気記録体の
摩耗が加速され、データの損失を招く。磁気記憶体の摩
耗の低減化のため、ディスク媒体の表面形状に着目した
技術としては、次のようなものがある。即ち、特開平４
−３６００１７号公報、特開平２−２６０１２６号公報
あるいは特開平３−５４７１８号公報では、ヘッドと磁
気記憶体の吸着防止と摩擦係数低減のために、磁気ディ
スク基板に粗面化処理を施すことが開示されている。ま
た特開平２−２４８２１号公報には保護膜上に凹凸層を
設けた磁気記憶体が開示されている。また特開平５−２
７３９号公報には、磁気ディスク基板上に同心円上に微
細な凹凸（テクスチャー）が形成され、静摩擦あるいは
動摩擦係数が低減することが述べられている。しかしこ
れらの凹凸またはテクスチャーは、方向性が無いかある
いは同心円状に誘導溝が形成されているために潤滑剤の
飛散の問題を解決することはできない。本発明の目的
は、このような従来の問題点を解決した磁気記憶体を提
供することにある。
滑剤は、一般に液態のオイルが用いられているために、
磁気記憶体の回転による潤滑剤の飛散が問題となってい
る。即ち、潤滑剤の飛散により潤滑剤の膜厚が機械的耐
久性を維持できる膜厚以下に減少すると、磁気記録体の
摩耗が加速され、データの損失を招く。磁気記憶体の摩
耗の低減化のため、ディスク媒体の表面形状に着目した
技術としては、次のようなものがある。即ち、特開平４
−３６００１７号公報、特開平２−２６０１２６号公報
あるいは特開平３−５４７１８号公報では、ヘッドと磁
気記憶体の吸着防止と摩擦係数低減のために、磁気ディ
スク基板に粗面化処理を施すことが開示されている。ま
た特開平２−２４８２１号公報には保護膜上に凹凸層を
設けた磁気記憶体が開示されている。また特開平５−２
７３９号公報には、磁気ディスク基板上に同心円上に微
細な凹凸（テクスチャー）が形成され、静摩擦あるいは
動摩擦係数が低減することが述べられている。しかしこ
れらの凹凸またはテクスチャーは、方向性が無いかある
いは同心円状に誘導溝が形成されているために潤滑剤の
飛散の問題を解決することはできない。本発明の目的
は、このような従来の問題点を解決した磁気記憶体を提
供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、下地体、磁性
媒体、保護膜および潤滑剤が順次形成された磁気記憶体
において、下地体、磁性媒体または保護膜表面に、半径
方向に対し８９度以下，３度以上の角度をなす溝が形成
されたことを特徴とする磁気記憶体、および下地体、磁
性媒体または保護膜表面に、半径方向に対し８９度以
下，３度以上の角度をなす互いに交差する多数の溝が形
成されたことを特徴とする磁気記憶体である。
媒体、保護膜および潤滑剤が順次形成された磁気記憶体
において、下地体、磁性媒体または保護膜表面に、半径
方向に対し８９度以下，３度以上の角度をなす溝が形成
されたことを特徴とする磁気記憶体、および下地体、磁
性媒体または保護膜表面に、半径方向に対し８９度以
下，３度以上の角度をなす互いに交差する多数の溝が形
成されたことを特徴とする磁気記憶体である。
【０００５】本発明の磁気記憶体の構成は、図３に断面
図を示すように、下地体９の上に磁性媒体１０が被覆さ
れ、さらに該媒体上に保護膜１１が被覆され、さらに該
保護膜１１の上に潤滑剤１２が被覆されている。下地
体、磁性媒体または保護膜表面には誘導溝形成によるテ
クスチャリングが施されている。この誘導溝は図１に示
すように、半径方向に対し、８９度以下，３度以上の溝
角度（Ａ）をなしている。このような構成によれば、磁
気ディスク上に流れる空気流または潤滑剤の流れは遠心
力４とコリオリ力５の合力２により磁気ディスクの外側
へ流れようとするが誘導溝３によってせき止められ、前
記合力２の前記溝３の接線方向への分力（誘導力６）に
よって磁気ディスクの内側へ誘導される。従って上記誘
導溝３を設けることによって潤滑剤の飛散を防止するこ
とができる。
図を示すように、下地体９の上に磁性媒体１０が被覆さ
れ、さらに該媒体上に保護膜１１が被覆され、さらに該
保護膜１１の上に潤滑剤１２が被覆されている。下地
体、磁性媒体または保護膜表面には誘導溝形成によるテ
クスチャリングが施されている。この誘導溝は図１に示
すように、半径方向に対し、８９度以下，３度以上の溝
角度（Ａ）をなしている。このような構成によれば、磁
気ディスク上に流れる空気流または潤滑剤の流れは遠心
力４とコリオリ力５の合力２により磁気ディスクの外側
へ流れようとするが誘導溝３によってせき止められ、前
記合力２の前記溝３の接線方向への分力（誘導力６）に
よって磁気ディスクの内側へ誘導される。従って上記誘
導溝３を設けることによって潤滑剤の飛散を防止するこ
とができる。
【０００６】前記誘導溝３の形態は、合力２の溝の接線
方向への分力（誘導力６）が生じること、およびその分
力が円周方向（コリオリ力の方向）よりも内側に向けら
れていることを条件として決定される。即ち、合力２と
遠心力４（半径方向）とのなす角をθとすると、９０度
＞Ａ＞（９０−θ）度でなければならない。ここでθ
は、遠心力４とコリオリ力５の大きさから規定される角
度であり、
方向への分力（誘導力６）が生じること、およびその分
力が円周方向（コリオリ力の方向）よりも内側に向けら
れていることを条件として決定される。即ち、合力２と
遠心力４（半径方向）とのなす角をθとすると、９０度
＞Ａ＞（９０−θ）度でなければならない。ここでθ
は、遠心力４とコリオリ力５の大きさから規定される角
度であり、
【０００７】
【数１】θ＝ｔａｎ-1（αcor／αcent）・・・（１） ＝ｔａｎ-1（２ωｖ／ω2ｒ）・・・（２）
【０００８】ここで、αcorはコリオリ力の加速度，α
centは遠心力の加速度，ωは磁気ディスクの角速度，ｒ
は半径，ｖは円周方向の速度である。ｖは、潤滑剤が空
気流の影響を受けるとすればｖの最大は、 ｖ＝６０ｒω・・・（３） となるから（２）式に代入するとθは、
centは遠心力の加速度，ωは磁気ディスクの角速度，ｒ
は半径，ｖは円周方向の速度である。ｖは、潤滑剤が空
気流の影響を受けるとすればｖの最大は、 ｖ＝６０ｒω・・・（３） となるから（２）式に代入するとθは、
【０００９】
【数２】θ＝ｔａｎ-1（１２０）・・・（４） ＝８９．５２２度
【００１０】となる。したがってこの時の溝角度Ａ
1は、９０度＞Ａ1＞０．４７８度となる。また、潤滑剤
が空気流の影響を受けないとすればｖは、 ｖ＝ｒω2ｈ2／２ν・・・（５） となるから、例えば角速度ω＝３７７ｓ-1，潤滑膜厚ｈ
＝３ｎｍ，動粘度ν＝０．３ ｃｍ2・ｓ-1とすると、θ
＝６．５×１０-8度となる。したがってこの時の溝角度
Ａ2は、９０度＞Ａ2＞（９０−６．５×１０-8）度とな
る。実際には、潤滑剤の流れは空気流の影響をある程度
受けるため、θの最適値はＡ1からＡ2の間になる。実験
の結果、溝角度Ａは３度〜８９度の間であると潤滑剤の
膜厚減少率が最も少なく、磁気記憶体の機械的耐久性を
長時間にわたって維持できることがわかった。また前記
溝角度Ａは単一の値である必要はなく、図２に示すよう
に、前記範囲にある複数の溝角度Ａを有する誘導溝３が
交差した構成であっても良い。また前記誘導溝３は、下
地体表面だけでなく、磁性媒体あるいは保護膜の表面に
形成されていても良い。
1は、９０度＞Ａ1＞０．４７８度となる。また、潤滑剤
が空気流の影響を受けないとすればｖは、 ｖ＝ｒω2ｈ2／２ν・・・（５） となるから、例えば角速度ω＝３７７ｓ-1，潤滑膜厚ｈ
＝３ｎｍ，動粘度ν＝０．３ ｃｍ2・ｓ-1とすると、θ
＝６．５×１０-8度となる。したがってこの時の溝角度
Ａ2は、９０度＞Ａ2＞（９０−６．５×１０-8）度とな
る。実際には、潤滑剤の流れは空気流の影響をある程度
受けるため、θの最適値はＡ1からＡ2の間になる。実験
の結果、溝角度Ａは３度〜８９度の間であると潤滑剤の
膜厚減少率が最も少なく、磁気記憶体の機械的耐久性を
長時間にわたって維持できることがわかった。また前記
溝角度Ａは単一の値である必要はなく、図２に示すよう
に、前記範囲にある複数の溝角度Ａを有する誘導溝３が
交差した構成であっても良い。また前記誘導溝３は、下
地体表面だけでなく、磁性媒体あるいは保護膜の表面に
形成されていても良い。
【００１１】本発明に用いられる下地体は、アルミ合
金，チタン合金，ステンレスなどの金属、ポリエステ
ル，ポリイミド，ポリアミドイミド，ポリエーテルサル
フォン，ポリサルフォン，芳香族ポリエーテル，エポキ
シ樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，ポリカーボネート，
ジアリルフタレート樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹
脂，ポリフェニレンサルファイド，ポリフェニレンエー
テル，ポリアセタール樹脂，ポリブチレンテレフタレー
ト，ビスマレイミドトリアジン樹脂，ポリオキシベンジ
レン樹脂，ポリアミノビスマレイミド樹脂，ポリフェニ
レンオキサイド，ポリフェニレンサルファイドなどのプ
ラスチック、ガラス，シリコン，ゲルマニウム，アルミ
ナ，シリカ，ダイアモンド，非晶質カーボン，グラファ
イトなどのセラミックス、陽極酸化アルマイト被覆アル
ミ合金、Ｎｉ−Ｐメッキ膜，Ｃｒ，ＦｅＮｉ，ステンレ
ス，Ｍｏ，Ｗなどの金属が用いられる。
金，チタン合金，ステンレスなどの金属、ポリエステ
ル，ポリイミド，ポリアミドイミド，ポリエーテルサル
フォン，ポリサルフォン，芳香族ポリエーテル，エポキ
シ樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，ポリカーボネート，
ジアリルフタレート樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹
脂，ポリフェニレンサルファイド，ポリフェニレンエー
テル，ポリアセタール樹脂，ポリブチレンテレフタレー
ト，ビスマレイミドトリアジン樹脂，ポリオキシベンジ
レン樹脂，ポリアミノビスマレイミド樹脂，ポリフェニ
レンオキサイド，ポリフェニレンサルファイドなどのプ
ラスチック、ガラス，シリコン，ゲルマニウム，アルミ
ナ，シリカ，ダイアモンド，非晶質カーボン，グラファ
イトなどのセラミックス、陽極酸化アルマイト被覆アル
ミ合金、Ｎｉ−Ｐメッキ膜，Ｃｒ，ＦｅＮｉ，ステンレ
ス，Ｍｏ，Ｗなどの金属が用いられる。
【００１２】次にこの下地体の上に被覆される磁性媒体
としては、Ｆｅ3Ｏ4，γ−Ｆｅ2Ｏ3，バリウムフェライ
ト，ＣｒＯ2などの酸化物、Ｆｅ3Ｎ4などの窒化物、Ｆ
ｅ5Ｃ2などの炭化物、Ｃｏ，ＣｏＮｉ，ＣｏＮｉＰ，Ｃ
ｏＭｎＰ，ＣｏＭｎＮｉＰ，ＣｏＲｅ，ＣｏＰｔ，Ｃｏ
ＮｉＰｔ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＮｉＲｅ，Ｃ
ｏＭｎＲｅＰ，ＣｏＦｅＣｒ，ＣｏＶ，ＣｏＲｕ，Ｃｏ
Ｏｓ，ＣｏＰｔＣｒ，ＣｏＰｔＶ，ＣｏＲｈ，ＣｏＣｒ
Ｒｈ，ＣｏＮｉＭｏ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＷ，Ｃｏ
Ｓｍなどのコバルトを含む金属、ＦｅＮｄ，ＦｅＭｇ，
ＦｅＮｄ，ＦｅＡｇ，ＦｅＰｄ，ＦｅＴｂなどの鉄を含
む金属、ＭｎＡｌ，ＭｎＣｕＡｌなどのマンガンを含む
金属が用いられる。または上記の種々の磁性体の微粒子
を混入，分散させた樹脂が用いられる。
としては、Ｆｅ3Ｏ4，γ−Ｆｅ2Ｏ3，バリウムフェライ
ト，ＣｒＯ2などの酸化物、Ｆｅ3Ｎ4などの窒化物、Ｆ
ｅ5Ｃ2などの炭化物、Ｃｏ，ＣｏＮｉ，ＣｏＮｉＰ，Ｃ
ｏＭｎＰ，ＣｏＭｎＮｉＰ，ＣｏＲｅ，ＣｏＰｔ，Ｃｏ
ＮｉＰｔ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＮｉＲｅ，Ｃ
ｏＭｎＲｅＰ，ＣｏＦｅＣｒ，ＣｏＶ，ＣｏＲｕ，Ｃｏ
Ｏｓ，ＣｏＰｔＣｒ，ＣｏＰｔＶ，ＣｏＲｈ，ＣｏＣｒ
Ｒｈ，ＣｏＮｉＭｏ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＷ，Ｃｏ
Ｓｍなどのコバルトを含む金属、ＦｅＮｄ，ＦｅＭｇ，
ＦｅＮｄ，ＦｅＡｇ，ＦｅＰｄ，ＦｅＴｂなどの鉄を含
む金属、ＭｎＡｌ，ＭｎＣｕＡｌなどのマンガンを含む
金属が用いられる。または上記の種々の磁性体の微粒子
を混入，分散させた樹脂が用いられる。
【００１３】前記保護膜は、ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，Ｓｉ
Ｃまたは珪酸重合物などの珪素化合物、Ａｌ2Ｏ3，Ｃｏ
Ｏ，Ｃｏ3Ｏ4，Ｃｏ2Ｏ3，α−Ｆｅ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｃ
ｒＯ3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＺｎＯ，ＰｂＯ，ＮｉＯ，
ＭｏＯ2，ＳｎＯ2などの金属酸化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，
ＣｒＮ，ＴａＮ，ＢＮなどの金属窒化物、ＭｏＳ2，Ｗ
Ｓ2，ＴａＳ2などの金属硫化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，Ｃｒ
Ｃ，ＴａＣなどの金属炭化物、ふっ化黒鉛などの金属ふ
っ化物、Ｗ，Ｃｒ，Ｉｒ，ＮｉＢ，ＮｉＰ，ＦｅＣｒ，
ＮｉＣｒ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｔｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ｇａ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｏｓ，Ｔａまたは
それらの合金などの金属または合金、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂ，
Ｃ（非晶質，ダイアモンド状あるいはその混合物、また
はグラファイト状あるいはその混合物）などの半導体、
ポリテトラフルオロエチレン，フェノール樹脂，ポリイ
ミドなどのプラスチックが用いられる。
Ｃまたは珪酸重合物などの珪素化合物、Ａｌ2Ｏ3，Ｃｏ
Ｏ，Ｃｏ3Ｏ4，Ｃｏ2Ｏ3，α−Ｆｅ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｃ
ｒＯ3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＺｎＯ，ＰｂＯ，ＮｉＯ，
ＭｏＯ2，ＳｎＯ2などの金属酸化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，
ＣｒＮ，ＴａＮ，ＢＮなどの金属窒化物、ＭｏＳ2，Ｗ
Ｓ2，ＴａＳ2などの金属硫化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，Ｃｒ
Ｃ，ＴａＣなどの金属炭化物、ふっ化黒鉛などの金属ふ
っ化物、Ｗ，Ｃｒ，Ｉｒ，ＮｉＢ，ＮｉＰ，ＦｅＣｒ，
ＮｉＣｒ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｔｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ｇａ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｏｓ，Ｔａまたは
それらの合金などの金属または合金、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂ，
Ｃ（非晶質，ダイアモンド状あるいはその混合物、また
はグラファイト状あるいはその混合物）などの半導体、
ポリテトラフルオロエチレン，フェノール樹脂，ポリイ
ミドなどのプラスチックが用いられる。
【００１４】本発明に用いられる潤滑剤は、使用温度範
囲で液体であれば種類を選ばないが、一般に以下の一般
式で表されるパーフロロポリエーテルが用いられる。 潤滑剤Ａ：ＧＣＦ2（ＯＣＦ2）p（ＯＣ2Ｆ4）qＯＣＦ2
Ｇ（ここで、ｐ，ｑは２から２５までの整数、Ｇは−Ｃ
ＯＯＨ、−ＯＨなどの官能基である。） 潤滑剤Ｂ：Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）nＣ2Ｆ4Ｇ（ここで、ｎは３
から２５までの整数、Ｇは−ＣＯＯＨ、−ＯＨなどの官
能基である。） 潤滑剤Ｃ：Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）mＣＦ2Ｇ（ここ
で、ｍは３から２５までの整数、Ｇは−ＣＯＯＨ、−Ｏ
Ｈなどの官能基である。）
囲で液体であれば種類を選ばないが、一般に以下の一般
式で表されるパーフロロポリエーテルが用いられる。 潤滑剤Ａ：ＧＣＦ2（ＯＣＦ2）p（ＯＣ2Ｆ4）qＯＣＦ2
Ｇ（ここで、ｐ，ｑは２から２５までの整数、Ｇは−Ｃ
ＯＯＨ、−ＯＨなどの官能基である。） 潤滑剤Ｂ：Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）nＣ2Ｆ4Ｇ（ここで、ｎは３
から２５までの整数、Ｇは−ＣＯＯＨ、−ＯＨなどの官
能基である。） 潤滑剤Ｃ：Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）mＣＦ2Ｇ（ここ
で、ｍは３から２５までの整数、Ｇは−ＣＯＯＨ、−Ｏ
Ｈなどの官能基である。）
【００１５】
【作用】本発明によれば、遠心力とコリオリ力との合力
により磁気ディスクの外側へ流れようとする潤滑剤は、
誘導溝によってせき止められ、前記合力の溝接線方向へ
の分力によって磁気ディスクの内側へ誘導される。この
ため、磁気記憶体の回転による潤滑剤の飛散を防止し、
磁気記憶体の機械的耐久性を長期間にわたり維持するこ
とができる。
により磁気ディスクの外側へ流れようとする潤滑剤は、
誘導溝によってせき止められ、前記合力の溝接線方向へ
の分力によって磁気ディスクの内側へ誘導される。この
ため、磁気記憶体の回転による潤滑剤の飛散を防止し、
磁気記憶体の機械的耐久性を長期間にわたり維持するこ
とができる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。 実施例１ 以下の方法により、図３に示すような構造の磁気ディス
クを作製した。アルミ合金基板の上にニッケル−燐めっ
き膜が被覆された下地体９を、スラリー研磨液と研磨パ
ッドを用いて１０μｍ研磨し、４０ｎｍの最大粗さを有
する溝角度（Ａ）が１〜８９．５度を有する溝を形成
し、さらに該下地体９の上に磁性媒体１０としてコバル
ト−クロム−白金合金を３０ｎｍの厚さにスパッタリン
グにより被覆した。次にこの磁性媒体１０の上に保護膜
１１としてスパッタリング法により非晶質炭素膜を２０
ｎｍの厚さに被覆し、次にこの保護膜１１の上に潤滑剤
１２として水酸基を有するパーフロロポリエーテル（潤
滑剤Ａ，ｐ＝１３，ｑ＝８）のパーフロロオクタン溶液
を回転塗布して３ｎｍの厚さに被覆して磁気ディスクを
作製した。
クを作製した。アルミ合金基板の上にニッケル−燐めっ
き膜が被覆された下地体９を、スラリー研磨液と研磨パ
ッドを用いて１０μｍ研磨し、４０ｎｍの最大粗さを有
する溝角度（Ａ）が１〜８９．５度を有する溝を形成
し、さらに該下地体９の上に磁性媒体１０としてコバル
ト−クロム−白金合金を３０ｎｍの厚さにスパッタリン
グにより被覆した。次にこの磁性媒体１０の上に保護膜
１１としてスパッタリング法により非晶質炭素膜を２０
ｎｍの厚さに被覆し、次にこの保護膜１１の上に潤滑剤
１２として水酸基を有するパーフロロポリエーテル（潤
滑剤Ａ，ｐ＝１３，ｑ＝８）のパーフロロオクタン溶液
を回転塗布して３ｎｍの厚さに被覆して磁気ディスクを
作製した。
【００１７】実施例２ 実施例１と同様にして、但し１０〜３０度の交差角７
（図２におけるφ）をなす溝を形成して磁気ディスクを
作製した。
（図２におけるφ）をなす溝を形成して磁気ディスクを
作製した。
【００１８】比較例１ 実施例１と同様にして但し同心円状の溝を形成して磁気
ディスクを作製した。
ディスクを作製した。
【００１９】図４は溝角度Ａを変化させた実施例１の磁
気ディスクを用いて、外径１３０ｍｍ，内径４０ｍｍの
磁気ディスク基板を８０℃，１００００ｒｐｍで回転さ
せ潤滑剤の膜厚の時間変化を測定する加速試験における
７２０時間後の減少率（初期膜厚に対する試験後の膜厚
の比）を示す。同図よりＡが３度と８９度の間で減少率
が小さくなり、Ａが３０度付近で最小値を示した。な
お、比較例の磁気ディスク（Ａ＝９０度相当）では減少
率は大きく、５０％を超えた。上記加速試験後の磁気デ
ィスクを用いて磁気ヘッドと摺動を繰り返し試験したと
ころ、Ａが０度と９０度の磁気ディスクは５０００回で
磁気ディスク表面に傷が生じたが、３度から８９度の間
の試料は無傷であった。なお、実施例２の磁気ディスク
でも同様の結果が得られた。
気ディスクを用いて、外径１３０ｍｍ，内径４０ｍｍの
磁気ディスク基板を８０℃，１００００ｒｐｍで回転さ
せ潤滑剤の膜厚の時間変化を測定する加速試験における
７２０時間後の減少率（初期膜厚に対する試験後の膜厚
の比）を示す。同図よりＡが３度と８９度の間で減少率
が小さくなり、Ａが３０度付近で最小値を示した。な
お、比較例の磁気ディスク（Ａ＝９０度相当）では減少
率は大きく、５０％を超えた。上記加速試験後の磁気デ
ィスクを用いて磁気ヘッドと摺動を繰り返し試験したと
ころ、Ａが０度と９０度の磁気ディスクは５０００回で
磁気ディスク表面に傷が生じたが、３度から８９度の間
の試料は無傷であった。なお、実施例２の磁気ディスク
でも同様の結果が得られた。
【００２０】
【発明の効果】以上、詳細に述べたように、本発明の磁
気記憶体は回転による潤滑剤の飛散を防止し、磁気記憶
体の機械的耐久性を長期間にわたり維持することが出来
る。
気記憶体は回転による潤滑剤の飛散を防止し、磁気記憶
体の機械的耐久性を長期間にわたり維持することが出来
る。
【図１】本発明の磁気記憶体の溝の形状の一例を示す図
である。
である。
【図２】本発明の磁気記憶体の溝の形状の別の一例を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明の磁気記憶体の断面図である。
【図４】本発明の磁気記憶体の回転による潤滑剤膜厚の
減少率と、溝角度Ａとの関係を示す図である。
減少率と、溝角度Ａとの関係を示す図である。
１ 磁気ディスク ２ 合力 ３ 誘導溝 ４ 遠心力 ５ コリオリ力 ６ 誘導力 ９ 下地体 １０ 磁性媒体 １１ 保護膜 １２ 潤滑剤
Claims (2)
- 【請求項１】 下地体、磁性媒体、保護膜および潤滑剤
が順次形成された磁気記憶体において、下地体、磁性媒
体または保護膜表面に、半径方向に対し８９度以下，３
度以上の角度をなす溝が形成されたことを特徴とする磁
気記憶体。 - 【請求項２】 下地体、磁性媒体、保護膜および潤滑剤
が順次形成された磁気記憶体において、下地体、磁性媒
体または保護膜表面に、半径方向に対し８９度以下，３
度以上の角度をなす互いに交差する多数の溝が形成され
たことを特徴とする磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5205573A JP3061984B2 (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5205573A JP3061984B2 (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0744861A true JPH0744861A (ja) | 1995-02-14 |
| JP3061984B2 JP3061984B2 (ja) | 2000-07-10 |
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ID=16509131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5205573A Expired - Fee Related JP3061984B2 (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 磁気記憶体 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3061984B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60191432A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスクおよびその潤滑方法 |
| JPH01273218A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気デイスク |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP5205573A patent/JP3061984B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60191432A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスクおよびその潤滑方法 |
| JPH01273218A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気デイスク |
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