JPH0743079B2 - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

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JPH0743079B2
JPH0743079B2 JP60030928A JP3092885A JPH0743079B2 JP H0743079 B2 JPH0743079 B2 JP H0743079B2 JP 60030928 A JP60030928 A JP 60030928A JP 3092885 A JP3092885 A JP 3092885A JP H0743079 B2 JPH0743079 B2 JP H0743079B2
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gas
supply pipe
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gas supply
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雄一郎 山田
宏 佐伯
隆三 宝珍
益男 丹野
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体製造設備における、例えばドライエッチ
ング装置や気相成長装置等の真空処理装置に関するもの
である。
従来の技術 近年、半導体技術の進歩に伴い、その製造設備には有毒
ガスを用いるドライエッチング装置や気相成長装置等の
真空処理装置が増加しつつある。
以下第2図に基づいて従来の真空処理装置について説明
する。
1は例えばドライエッチング処理や気相成長処理を行な
う真空処理本体の反応室である。2は本体1に設けられ
図示されない排気手段に連接された排気口、3は一次側
ガス供給配管、4はガス流量制御器、5は二次側ガス供
給配管、6は例えば塩素系ガス等の有毒ガスが貯蔵され
ているガスボンベ、7はガスボンベ収納容器である。
以上のように構成された真空処理装置について、以下そ
の動作を説明する。ガスボンベ6から流出した有毒ガス
は一次側ガス供給配管3を通り、ガス流量制御器4を通
過し、二次側ガス供給配管5を通って反応室1の内部に
おいて所定の化学反応等に使用された後、図示されない
排気手段に連接された排気口2より真空排気される。ガ
スボンベ6は通常ガスボンベ収納容器7に収納され、ま
たガスボンベ収納容器7は図示されない排気ダクトに連
接されて常にその内部を吸引されており、ガスボンベ収
納容器7内の空気がガスボンベ収納容器7の外部に流出
しないようにして、ガスボンベ収納容器7内においてガ
ス漏れが発生した際の安全対策としていた。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、ガスボンベ収納容
器7内の有毒ガス漏れに対してのみの安全対策にとどま
っており、一次側ガス供給配管3及びガス流量制御器4
におけるガス漏れに対してはなんらの安全対策も施され
ていなかった。通常使用するガスはガスボンベ6に加圧
封入されている場合が多く、上記構成におけるガス使用
時には一次側ガス供給配管3からガス流量制御器に至る
までの配管内は大気圧以上の圧力をもって有毒ガスが満
たされている場合が多い。加えて、通常ガス流量制御器
4は反応室1の近傍に設置されるため、ボンベボックス
7と反応室1の設置状況によっては一次側ガス供給配管
3は数mの長さになり、かつ配管途中にガス漏れ発生の
原因箇所となる継手類を多用する場合が多い。従って上
記構成では、有毒ガス使用時に一次側ガス供給配管3か
らガス流量制御器4に至るまでの間の有毒ガス漏れが生
じた場合に作業者が有毒ガスに暴露されて危険にさらさ
れるという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、一次側ガス供給配管3から
ガス流量制御器4に至るまでの間における有毒ガス漏れ
発生時に作業者の安全を確保する真空処理装置を提供す
るものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の真空処理装置は、
一次側ガス供給配管及びガス流量制御器を外気と遮断す
るガス供給配管収納容器を設け、また前記ガス供給配管
収納容器に吸引口とガス漏れ警報機を備え、さらにガス
ボンベと一次側ガス供給配管の間に自動遮断弁を備えた
ものである。
作用 本発明は上記した構成によって、一次側ガス供給配管及
びガス流量制御器において有毒ガス漏れが発生した場
合、ガス供給配管収納容器を設け、また内部が吸引され
ているため、装置外部に有毒ガスが漏れることを防止で
きる。さらにガス供給配管収納容器に設けられたガス漏
れ警報機からの信号によって自動遮断弁を動作させ、ガ
スボンベからの有毒ガス供給を停止する。この結果、ガ
ス漏れ発生時に作業者が有毒ガスに暴露されることを防
ぐことができ、作業者の安全性が確保される。
実施例 以下本発明の一実施例の真空処理装置について第1図を
参照しながら説明する。11は真空処理を行う反応室、12
は図示されない排気手段に連接された排気口、13は一次
側ガス供給配管、14はガス流量制御器、15は二次側ガス
供給配管、16は例えば塩素系ガス等の有毒ガスが貯蔵さ
れるガスボンベ、17はガスボンベ収納容器であり、ここ
までの構成は従来例と同様である。18はガス供給配管収
納容器、19はガス供給配管収納容器18に設けられ、図示
されない排気ダクトに連接された吸引口、20はガス漏れ
警報機、21はガスボンベ17と一次側ガス供給配管13の間
に設けられガス漏れ警報に連動して動作する自動遮断弁
である。
以上のように構成された真空処理装置について、特にAl
膜のドライエッチングの場合を例にとってその動作を説
明する。
ガスボンベ16から流出した塩素ガスは一次側ガス供給配
管13を通り、ガス流量制御器14を通過し、300cc/分のガ
ス流量に安定化されて二次側ガス供給配管15を通り、反
応室11に流入し、圧力を400m Torrに保持され高周波電
圧に励起されてプラズマ化し、Al膜のドライエッチング
を行なう。使用された塩素ガス及びプラズマ反応生成物
は排気口12から図示されない排気手段によって真空排気
される。ガスボンベ16はガスボンベ収納容器17に収納さ
れ、またガスボンベ収納容器17は図示されない排気ダク
トに連接されて内部を常に吸引されており、容器内部に
おけるガス漏れ発生時の安全対策としている。以上は従
来例の構成と同様であるが、本発明においてはさらに一
次側ガス供給配管13からガス流量制御器14に至るまでの
間はガス供給配管収納容器18に収納され、ガス供給配管
収納容器18は図示されない排気ダクトに吸引口19をもっ
て連接されてその内部を常に吸引されており、一次側ガ
ス供給配管13及びガス流量制御器14におけるガス漏れ発
生時に装置外部に塩素ガスが漏れ、作業者が同ガスに暴
露されることを防ぐ。さらにガス漏れ警報機20がガス漏
れを検知し、警報信号を発して自動遮断弁21を動作させ
ガスボンベからの塩素ガス供給を停止するので、さらに
安全性が高められると共にガス漏れ発生検知後の対処、
補修を速やかに行なうことができる。
発明の効果 以上のように本発明の真空処理装置は、一次側ガス供給
配管及びガス流量制御器を外気と遮断するガス供給配管
収納容器を設け、その内部を排気するための吸引口を設
け、さらにガス供給配管収納容器にガス漏れ警報機を設
け、ガス漏れ警報信号に連動して動作する自動遮断弁を
ガスボンベと一次側ガス供給配管13の間に設けることに
より、一次側ガス供給配管及びガス流量制御器における
有毒ガス漏れが発生した場合有毒ガスが装置外部に漏れ
ることがなく、作業者が有毒ガスに暴露されることを防
ぎ作業者の安全性を確保することができる。さらに同部
位におけるガス漏れ発生を検知して有毒ガスの供給を遮
断することにより、ガス漏れを最少限にとどめる効果を
有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における真空処理装置の構成
図、第2図は従来の真空処理装置の構成図である。 11……真空処理本体、12……排気口、13……一次側ガス
供給配管、14……ガス流量制御器、15……二次側ガス供
給配管、16……ガスボンベ、17……ガスボンベ収納容
器、18……ガス供給配管収納容器、19……吸引口、20…
…ガス漏れ警報機、21……自動遮断弁。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宝珍 隆三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 丹野 益男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 実開 昭59−90697(JP,U) 実開 昭58−130198(JP,U)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】真空処理を行う反応室と、この反応室にガ
    スを供給するガスボンベと、ガスの流量を制御するガス
    流量制御器と、前記ガスボンベと前記ガス流量制御器の
    間を連接する一次側ガス供給配管と、前記ガス流量制御
    器と前記反応室の間を連接する二次側ガス供給配管と、
    前記反応室に連接された排気口と、前記ガスボンベを外
    気と遮断するガスボンベ収納容器と、前記ガスボンベ収
    納容器に設けられた吸引口と、前記一次側ガス供給配管
    及びガス流量制御器を外気と遮断するガス供給配管収納
    容器と、前記ガス供給配管収納容器に設けられた吸引口
    と、前記ガス供給配管収納容器のガス漏れを検知するガ
    ス漏れ警報機と、前記ガスボンベと一次側ガス供給配管
    との間に設けられた自動遮断弁とを備え、前記ガス漏れ
    警報機によって前記一次側ガス供給配管もしくはガス流
    量制御器のガス漏れを検知してガス漏れを警報すると共
    に、前記自動遮断弁を作動させて前記ガスボンベからの
    ガスの供給を遮断するように構成した真空処理装置。
JP60030928A 1985-02-19 1985-02-19 真空処理装置 Expired - Lifetime JPH0743079B2 (ja)

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JPS5990697U (ja) * 1982-12-09 1984-06-19 日本酸素株式会社 有毒ガス用容器の収納箱

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