JPH0741158Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0741158Y2 JPH0741158Y2 JP1988040783U JP4078388U JPH0741158Y2 JP H0741158 Y2 JPH0741158 Y2 JP H0741158Y2 JP 1988040783 U JP1988040783 U JP 1988040783U JP 4078388 U JP4078388 U JP 4078388U JP H0741158 Y2 JPH0741158 Y2 JP H0741158Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- semiconductor device
- internal wiring
- resin
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は樹脂モールドによりパッケージしたエアブリッ
ジ内部配線構造を有する半導体装置に関する。
ジ内部配線構造を有する半導体装置に関する。
〈従来の技術〉 半導体装置を超高度で動作させるためには、その内部配
線間の寄生容量を小さくする必要がある。そこで従来よ
り、交差する内部配線間に空間をもたせたエアブリッジ
配線構造が採用されており、これによって内部配線間の
寄生容量を小さくしている。
線間の寄生容量を小さくする必要がある。そこで従来よ
り、交差する内部配線間に空間をもたせたエアブリッジ
配線構造が採用されており、これによって内部配線間の
寄生容量を小さくしている。
一方、半導体装置はパラメータのドリフト等を防止する
ために外部からの汚れに対して不活性化する必要があ
る。このため、半導体装置は樹脂によりモールドしてパ
ッケージされたり、或は、セラミックケース内にパッケ
ージされたりする。
ために外部からの汚れに対して不活性化する必要があ
る。このため、半導体装置は樹脂によりモールドしてパ
ッケージされたり、或は、セラミックケース内にパッケ
ージされたりする。
〈考案が解決しようとする課題〉 第６図に示すように、基板１上のトランジスタ2a、2b、
2c、…間をつなぐ配線3a、3b、…間に空間を設けたエア
ブリッジ内部配線構造の半導体装置にあっては、樹脂６
によってモールドしてパッケージを施すと、内部配線3
a、3b間に形成した空間内に樹脂６が侵入してしまって
空間が潰れ、寄生容量が増大してエアブリッジ構成とし
た意味が失われてしまう。
2c、…間をつなぐ配線3a、3b、…間に空間を設けたエア
ブリッジ内部配線構造の半導体装置にあっては、樹脂６
によってモールドしてパッケージを施すと、内部配線3
a、3b間に形成した空間内に樹脂６が侵入してしまって
空間が潰れ、寄生容量が増大してエアブリッジ構成とし
た意味が失われてしまう。
このため従来では、エアブリッジ内部配線構造を備えた
半導体装置は、樹脂モールドに較べて大幅にコストが高
いセラミックケースを用いてパッケージせざるを得ず、
半導体装置の製造原価低減の大きな障害となっていた。
半導体装置は、樹脂モールドに較べて大幅にコストが高
いセラミックケースを用いてパッケージせざるを得ず、
半導体装置の製造原価低減の大きな障害となっていた。
本考案は上記従来の事情に鑑みなされたもので、エアブ
リッジ内部配線構造を備え且つ樹脂モールドによりパッ
ケージされた半導体装置を提供することを目的とする。
リッジ内部配線構造を備え且つ樹脂モールドによりパッ
ケージされた半導体装置を提供することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉 上記目的を達成する本考案に係る半導体装置は、半導体
基板と、この半導体基板上に設けられたエアブリッジ構
造の内部配線部と、上記半導体基板に固設されて、この
内部配線部を覆うキャップと、このキャップの外面にモ
ールドされて、キャップを封入する樹脂モールド部とを
備えたことを特徴とする。
基板と、この半導体基板上に設けられたエアブリッジ構
造の内部配線部と、上記半導体基板に固設されて、この
内部配線部を覆うキャップと、このキャップの外面にモ
ールドされて、キャップを封入する樹脂モールド部とを
備えたことを特徴とする。
〈考案の作用及び効果〉 本考案の半導体装置によれば、エアブリッジ構造の内部
配線部はキャップにより画成された空間内に位置し、半
導体装置をパッケージする樹脂はこのキャップの上から
モールドされる。従って、内部配線の交差部の空間がモ
ールド樹脂によって潰されることはなく、エアブリッジ
内部配線構造を備えた半導体装置にあっても、寄生容量
低減という機能を損なうことなく樹脂モールドによりパ
ッケージすることができ、セラミックケースの使用を廃
止して半導体装置の製造原価を大幅に低減することがで
きる。
配線部はキャップにより画成された空間内に位置し、半
導体装置をパッケージする樹脂はこのキャップの上から
モールドされる。従って、内部配線の交差部の空間がモ
ールド樹脂によって潰されることはなく、エアブリッジ
内部配線構造を備えた半導体装置にあっても、寄生容量
低減という機能を損なうことなく樹脂モールドによりパ
ッケージすることができ、セラミックケースの使用を廃
止して半導体装置の製造原価を大幅に低減することがで
きる。
また、内部配線部を覆うキャップを導体とした場合に
は、上記に加え電磁波に対するシールド効果が得られ
る。
は、上記に加え電磁波に対するシールド効果が得られ
る。
〈実施例〉 本考案を実施例に基づいて具体的に説明する。
第１図〜第５図は本考案の一実施例に係る図面である。
エアブリッジ内部配線構造を有した半導体装置にあって
は、第１図に示すように、Si基板１に形成された複数の
トランジスタ2a、2b、2c、…、間を接続する内部配線3
a、3b、…、を上下にオフセットさせ、これら内部配線3
a、3b、…、の交差部に空間４が形成されている。尚、
図中７は基板１を固定したリードフレームである。ま
た、本実施例では、配線の幅ｄ＝２μｍに対して空間４
の高さｈ＝5000オングストローム〜１μｍに設定されて
いる。
は、第１図に示すように、Si基板１に形成された複数の
トランジスタ2a、2b、2c、…、間を接続する内部配線3
a、3b、…、を上下にオフセットさせ、これら内部配線3
a、3b、…、の交差部に空間４が形成されている。尚、
図中７は基板１を固定したリードフレームである。ま
た、本実施例では、配線の幅ｄ＝２μｍに対して空間４
の高さｈ＝5000オングストローム〜１μｍに設定されて
いる。
このような半導体装置をパッケージするに際し、先ず第
２図に示すように、内部配線部をキャップ５で覆い、こ
のキャップ５を基板１に取り付ける。
２図に示すように、内部配線部をキャップ５で覆い、こ
のキャップ５を基板１に取り付ける。
このキャップ５は本実施例では金属製であり、第３図に
示すように、その開口縁部には低温（後述のようにワイ
ヤボンディング時の熱で熔ける程度）で熔けるハンダ5a
が予め設けられている。
示すように、その開口縁部には低温（後述のようにワイ
ヤボンディング時の熱で熔ける程度）で熔けるハンダ5a
が予め設けられている。
また、第４図に示すように、基板１の内部配線部1aの周
囲にはキャップの開口に対応した環状のメタル部1bが形
成されており、キャップ５を導体とした場合にはこのメ
タル部1bはアースに接続されるようになっている。尚、
８はリードフレーム７へのボンディングワイヤであり、
このワイヤ８の接続用パッド1cはメタル部1bの外に設定
されて、キャップ５の取付によってもリードフレーム７
へのワイヤ接続が行えるようになっている。
囲にはキャップの開口に対応した環状のメタル部1bが形
成されており、キャップ５を導体とした場合にはこのメ
タル部1bはアースに接続されるようになっている。尚、
８はリードフレーム７へのボンディングワイヤであり、
このワイヤ８の接続用パッド1cはメタル部1bの外に設定
されて、キャップ５の取付によってもリードフレーム７
へのワイヤ接続が行えるようになっている。
上記キャップ５の基板１への取り付けは、基板１をリー
ドフレーム７に取り付けた後、ワイヤ８のボンディング
を行うための加熱時（すなわち、ワイヤボンディング作
業の直前若しくは直後）に行う。すなわち、基板１の内
部配線部1aにかぶせたキャップ５の開口縁をメタル部1b
に載せ、ワイヤボンディング用の熱によってハンダ5aを
熔かし、キャップ５を基板１のメタル部1bにハンダ付す
る。尚、メタル部1bの表面は金メッキされており、ハン
ダ付時の酸化を回避している。
ドフレーム７に取り付けた後、ワイヤ８のボンディング
を行うための加熱時（すなわち、ワイヤボンディング作
業の直前若しくは直後）に行う。すなわち、基板１の内
部配線部1aにかぶせたキャップ５の開口縁をメタル部1b
に載せ、ワイヤボンディング用の熱によってハンダ5aを
熔かし、キャップ５を基板１のメタル部1bにハンダ付す
る。尚、メタル部1bの表面は金メッキされており、ハン
ダ付時の酸化を回避している。
上記のようにキャップ５が基板１に取り付けられると、
このキャップ５によって内部配線部1aを収納した空間が
画成される。
このキャップ５によって内部配線部1aを収納した空間が
画成される。
そして、第５図に示すように、キャップ５を取り付けた
半導体装置を樹脂６によりモールドし、半導体装置のパ
ッケージを終了する。この樹脂モールドにおいて、内部
配線部1aはキャップ５により既に外部から隔絶されてい
るため、樹脂６が上部の配線3bと下部の配線3aとの交差
部の空間４内に侵入することはない。このため、樹脂モ
ールドにおいても内部配線間に空間４を確保することが
でき、エアブリッジ構造による寄生容量低減機能を維持
することができる。
半導体装置を樹脂６によりモールドし、半導体装置のパ
ッケージを終了する。この樹脂モールドにおいて、内部
配線部1aはキャップ５により既に外部から隔絶されてい
るため、樹脂６が上部の配線3bと下部の配線3aとの交差
部の空間４内に侵入することはない。このため、樹脂モ
ールドにおいても内部配線間に空間４を確保することが
でき、エアブリッジ構造による寄生容量低減機能を維持
することができる。
また、本実施例では特に内部配線部1aを覆うキャップ５
をアースされた導体としているため、外部からの電磁波
に対するシールド効果が得られ、半導体装置の信頼性を
向上することができる。
をアースされた導体としているため、外部からの電磁波
に対するシールド効果が得られ、半導体装置の信頼性を
向上することができる。
第１図〜第５図は本考案の一実施例に係り、第１図はパ
ッケージ前の半導体装置の断面図、第２図はキャップを
かぶせた状態の半導体装置の斜視図、第３図はキャップ
を裏返した状態で示す斜視図、第４図は半導体基板のキ
ャップ取付部を示す斜視図、第５図は樹脂モールディン
グ後の半導体装置の断面図、第６図は直接樹脂モールデ
ィングを施した半導体装置の断面図である。 １は基板、1aは内部配線部、3a、3bは内部配線、４は空
間、５はキャップ、６はモールド樹脂である。
ッケージ前の半導体装置の断面図、第２図はキャップを
かぶせた状態の半導体装置の斜視図、第３図はキャップ
を裏返した状態で示す斜視図、第４図は半導体基板のキ
ャップ取付部を示す斜視図、第５図は樹脂モールディン
グ後の半導体装置の断面図、第６図は直接樹脂モールデ
ィングを施した半導体装置の断面図である。 １は基板、1aは内部配線部、3a、3bは内部配線、４は空
間、５はキャップ、６はモールド樹脂である。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板と、 この半導体基板上に設けられたエアブリッジ構造の内部
配線部と、 上記半導体基板に固設されて、この内部配線部を覆うキ
ャップと、 このキャップの外面にモールドされて、キャップを封入
する樹脂モールド部とを備えたことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】上記キャップは導体である実用新案登録請
求の範囲第１項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988040783U JPH0741158Y2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988040783U JPH0741158Y2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01145133U JPH01145133U (ja) | 1989-10-05 |
| JPH0741158Y2 true JPH0741158Y2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=31267245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988040783U Expired - Lifetime JPH0741158Y2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0741158Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102221892B1 (ko) * | 2016-10-24 | 2021-03-02 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152647A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多層配線方法 |
| JPS6194352U (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-18 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP1988040783U patent/JPH0741158Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01145133U (ja) | 1989-10-05 |
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