JPH0740712B2

JPH0740712B2 - 画像読取装置

Info

Publication number: JPH0740712B2
Application number: JP61237067A
Authority: JP
Inventors: 哲板橋; 敏宏雑賀; 伊八郎五福
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-10-07
Filing date: 1986-10-07
Publication date: 1995-05-01
Anticipated expiration: 2010-05-01
Also published as: JPS6392153A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、画像読取装置に関し、特に原稿の幅方向に対
応させた一次元ラインセンサを有し、その一次元ライン
センサに対して相対的に、原稿を移動させつつ画像情報
を読取るファクシミリ装置、イメージリーダ、ディジタ
ル複写装置等に適用して好適な画像読取装置に関するも
のである。

［従来の技術］従来、一次元ラインセンサを用いる画像読取り装置とし
ては、長さ数cmの一次元ラインセンサに縮小光学系を用
いて原稿像を結像させて原稿系情報の読取りを行うもの
が知られている。また、原稿幅と同じ長さの長尺一次元
ラインセンサ（等倍型ラインセンサ）を有し、原稿に直
接接触できるとともに、結像系の不要であるか、または
結像系の動作距離の短い画像読取装置が、適用機器の小
型化および低廉化を達成できるものとして注目されてい
る。

結像系の動作距離を短くできる等倍型ラインセンサを有
する画像読取装置としては、結像系に集束性光ファイバ
を用いたものやコンタクトレンズアレイを用いたものが
知られている。また、結像系を不要とした等倍型ライン
センサを有する画像読取装置としては、透明基板上にラ
インセンサを設け、基板裏面側より光を原稿面に照射し
てその反射光をラインセンサ上に受容するように構成し
たものが知られている。

［発明が解決しようとする問題点］ところで、一次元ラインセンサを有する形態の画像読取
装置においては、ラインセンサは成膜工程ないしエッチ
ング工程を経て一体に形成されるが、これら工程におい
て端部に位置するセンサの構成層が薄く形成されてしま
うのが一般的である。これにより、一次元ラインセンサ
の出力は第８図において実線で示すような分布を有する
こと、すなわち、端部においてセンサ出力が低く、中央
に近い程センサ出力が高くなるような分布を有すること
になる。また、用いる光源の照度分布に対して、センサ
出力に分布が生じてしまうこともある。

従来、このような分布を平滑化して一様な画像情報を読
取るために、読取られた画像情報に対してシェーディン
グ補正を施したり、あるいは読取りの１ビット毎に補正
を加えるビット補正を施すことが行われていた。

しかしながら、このような信号補正を行う回路は一般に
高価であり、これが画像読取装置ひいては適用機器の低
廉化を阻害する重大な一因となっていた。

本発明は、かかる問題点を鑑み、補正回路を不要とし、
ないしは用いる場合にあっても廉価に構成できるように
することにより、以て画像読取装置ひいてはこれを適用
する機器の低廉化を達成することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］そのために、本発明は、導電層と、導電層上に配置され
た絶縁層と、絶縁層上に配置された半導体層と、半導体
層に接して離隔して配置された一対の上部電極とを有す
る光センサを基板上に配列した画像読取装置において、
光センサの配列位置に応じて異なったバイアス電圧を導
電層に印加する駆動手段を具えたことを特徴とする。

［作用］すなわち、本発明によれば、センサ出力の分布は画像の
読取り時に平滑化されるので補正回路の不要となり、な
いしは用いる場合にあっても低廉なもので十分となり、
以て画像読取装置を廉価に構成できるようになる。

［実施例］以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。

まず、本発明を適用可能な画像読取装置の構成例につい
て説明する。

第１図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、本発明の一実
施例として、結像系を不要とした画像読取装置の側断面
図、およびそのセンサ部の上面図である。なお、同図
（Ａ）は同図（Ｂ）のＩ−Ｉ線断面図である。これら図
において、108はガラス等透明の基板11上に図面に直方
する方向に配列されて一次元ラインセンサを構成するセ
ンサ部である。このセンサ部108において、ガラス等の
透明基板１上には、遮光層112および絶縁層13が形成さ
れ、その上に光導電層としての水素化アモルファスシリ
コン（以下ａ−Si:Hと称する）やCdS・Se等の半導体層1
4が形成されている。更にオーミックコンタクト用のド
ーピング半導体層15を介して一対の主電極116および117
が形成され、その間に受光窓118が形成されている。

本例に係るセンサ部108においては、遮光層112を金属等
導電性の材料で形成するとともに、後述するように駆動
源に接続して、主電極116（ソース側）および117（ドレ
イン側）に対するゲート電極となるようにする。また、
主電極116および117をくし形に形成し、互い違いに対向
させることによって同図（Ｂ）上受光窓118が蛇行した
形状に形成され、この窓108によって露出した半導体層1
4の部分において原稿Ｐからの反射光を受容し、光電変
換が行われる。

また、原稿Ｐとセンサ部108との間の間隔は、通常0.1mm
程度として４〜８本/mmの読取り解像力が得られるが、
このような解像力を確保するために上記間隔は厳密に制
御されなければならない。該間隔の制御は、透明の保護
層20をセンサ部108の上面に被覆形成することによって
行われる。

かかる構成において、透明基板11の入射窓19を通して入
射した光Ｌ（この入射光に対してはセンサ部108は遮光
層112によって遮光されている）で原稿Ｐを照明し、そ
の反射光を光センサ部108が受けて、電極配線を介して
読み取り信号を取り出すものである。すなわち、例えば
主電極116の電位を基準として主電極117に高電位の駆動
電圧が印加されているとき、受光窓118を介して反射光
Ｌが半導体層14の表面に入射すると、キャリアが増加す
るために抵抗が下がり、この変化を画像情報として読取
ることができる。また、後述のように、金属性の遮光層
112に対し適切に電圧を印加することによって、光セン
サの出力を安定化させるとともに光強度に比例した出力
を得ることが可能となる。

第１図（Ａ）および（Ｂ）に示した光センサ部108は、
画像読取りの１ビットに対応したものであるが、基板11
上にこれをライン状に複数個数整列させて、一次元ライ
ンセンサを構成する。すなわち、例えば、原稿Ｐの幅方
向（同図（Ａ）において矢印で示す原稿Ｐの移動方向と
直交する方向）に1728個の光センサ部108を配列するこ
とができる。

さらに、光センサ部と、光センサ部の出力を蓄積する電
荷蓄積部（コンデンサ部）と、当該蓄積された電荷を転
送して信号処理に供するためのスイッチ部と、必要な配
線パターン等とを同一の製造工程で基板上に形成しても
よい。

第２図（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれこのよ
うな光センサ部と、電荷蓄積部とスイッチ部等とを一体
に形成した形態の画像読取装置の一実施例を示す平面
図、そのＢ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図を示す。

これら図において、210はマトリクス配線部、208は光セ
ンサ部、212は電荷蓄積部、213は転送用スイッチ213aお
よび電荷蓄積部212の電荷をリセットする放電用スイッ
チ213bを含むスイッチ部、214は転送用スイッチの信号
出力を後述の信号処理部に接続する配線、223は転送用
スイッチ213aによって転送される電荷を蓄積し、読み出
すための負荷コンデンサである。

本実施例では光センサ部208、転送用スイッチ213aおよ
び放電用スイッチ213bを構成する光電導性半導体層14と
してａ−Si:H膜が用いられ、絶縁層203としてグロー放
電による窒化シリコン膜（SiNH）が用いられている。

なお、第２図（Ａ）においては、煩雑さを避けるため
に、上下二層の電極配線のみ示し、光導電性半導体層14
および絶縁層203は図示していない。また光導電性半導
体層14および絶縁層203は光センサ部208、電荷蓄積部21
2、転送用スイッチ213aおよび放電用スイッチ213bに形
成されているほか、上層電極配線と基板との間にも形成
されている。さらに上層電極配線と光導電性半導体層と
の界面にはn⁺にドープされたａ−Si:H層205が形成さ
れ、オーミック接合がとられている。

また、本実施例のラインセンサの配線パターンにおいて
は、各センサ部から出力される信号経路はすべて他の配
線と交差しないように配線されおり、各信号成分間のク
ロストーク並びにゲート電極配線からの誘導ノイズの発
生を防いでいる。

光センサ部208において、216および217は上層電極配線
である。入射窓219から入力し、原稿面で反射された光
はａ−Si:Hたる光導電性半導体層14の導電率を変化さ
せ、くし状に対向する上層電極配線216,217間に流れる
電流を変化させる。なお、202は後述する電源に接続さ
れた金属の遮光層である。

電荷蓄積部212は下層電極配線214と、この下層電極配線
214上に形成された絶縁層203と光導電性半導体14との誘
電体と、光導電性半導体層14上に形成されて光センサ部
の上層電極配線217に連続した配線とから構成される。
この電荷蓄積部212の構造はいわゆるMIS（Metel−Insul
ater−Semiconductor）コンデンサと同じ構造である。
バイアス条件は正負いずれでも、用いることができる
が、下層電極配線214を常に負にバイアスする状態で用
いることにより、安定な容量と周波数特性を得ることが
できる。

図中（Ｃ）は転送用スイッチ213aおよび放電用スイッチ
213bを含むTFT構造のスイッチ部213を示し、転送用スイ
ッチ213aは、ゲート電極たる下層電極配線224と、ゲー
ト絶縁層をなす絶縁層203と、光導電性半導体層14と、
ソース電極たる上層電極配線225と、ドレイン電極たる
上層電極配線217等とから構成される。放電用スイッチ2
13bのゲート絶縁層および光導電性半導体層は絶縁層203
および光導電性半導体層14と同一層であり、ソース電極
は上層電極配217、ゲート電極は下層電極配線227、ドレ
イン電極は上層電極配線226である。また、234は転送用
スイッチ213aのゲート電極に接続される下層配線であ
る。

前述したように、上層電極配線217,225および226と光導
電性半導体層14との界面には、ａ−Si:Hのn⁺層205が介
在し、オーミック接触を形成している。

以上のように本例に係るラインセンサは、光センサ部、
電荷蓄積部、転送用スイッチ、放電用スイッチ、マトリ
クス配線部の各構成部のすべてが光導電性半導体層およ
び絶縁層等の積層構造を有するので、各部を同一プロセ
スにより同時形成することができる。

第３図は等倍型ラインセンサを有する画像読取装置の他
の例を示す。ここで、Ｐは原稿、301はその原稿Ｍをｆ
方向に搬送するための搬送ローラであり、その軸301Aが
装置本体の所定位置に回転自在に支持されている。303
は搬送ローラに対向する位置に設けた読取部であり、原
稿Ｐの全幅にわたって原稿Ｐを搬送ローラ301に対し弾
性的に押圧するための押え部材としての板ばね305、原
稿Ｐを照明するための照明手段としてのLEDアレー307、
原稿Ｍからの反射光を集束するための集束性光ファイバ
を配列した光学系309、集束光の光電変換を行う光電変
換素子（光センサ）を設けた変換部308、およびこれら
各部を保持する保持部材310を有する。

すなわち、搬送ローラ301の不図示の駆動手段による回
転に伴い、押え部材305により搬送ローラ301に向けて押
圧されている原稿Ｐが案内されてｆ方向に搬送されてゆ
く。この過程で原稿面がLEDアレー307により照射され、
その反射光が光学系309を介して変換部308に供給され
て、原稿Ｐ上の画像が順次読取られてゆく。

第４図は変換部308を構成する光センサの一構成例を示
す。図において、ガラスまたはセラミクス等の絶縁物基
板311上には、補助電極312および絶縁層13が形成され、
その上に光導電層としてのGdS・Seやａ−Si:H等の半導
体層14が形成されている。更にオーミックコンタクト用
のドーピング半導体層315を介して一対の主電極316およ
び317が形成され、その間に受光窓318が形成されてい
る。なお、各部312,316,317等の形状については、第１
図（Ａ）および（Ｂ）に示した実施例と同様に選択する
ことができる。

かかる構成において、例えば主電極316の電位を基準と
して主電極317に高電位の駆動電圧が印加されていると
き、受光窓318を介して反射光Ｌが半導体層14の表面に
入射すると、キャリアが増加するために抵抗が下がり、
この変化を画像情報として読取ることができる。また、
補助電極312に対し、後述のように適切に電圧を印加す
ることによって、光センサの出力を安定化させ、かつ光
強度に比例した出力を得ることが可能となる。

このような光センサは画像読取りの１ビットに対応した
ものであるが、基板11上にこれをライン状に配列して、
等倍型の一次元センサ308を構成することができる。

例えば、原稿Ｐの幅方向（第３図において矢印で示す原
稿Ｐの移動方向と直交する方向）に1728個の光センサ部
308を配列することができる。さらに、上記第２図
（Ａ）〜（Ｃ）に示した実施例と同様に、光センサ部
と、光センサ部の出力を蓄積する電荷蓄積部（コンデン
サ部）と、当該蓄積された電荷を転送して信号処理に供
するためのスイッチ部と、必要な配線パターン等とを同
一の製造工程で基板上に形成してもよい。

第５図は、このような光センサ部、電荷蓄積部およびス
イッチ部等を一体に形成した形態の画像読取装置の一実
施例を示す平面図である。

図において、410はゲートマトリクス配線部、408は光セ
ンサ部、412は電荷蓄積部、413は転送用スイッチ413aお
よび電荷蓄積部142の電荷をリセットする放電用スイッ
チ413bを含むスイッチ部、414は転送用スイッチの信号
出力を後述の信号処理部に接続する配線、423は転送用
スイッチ413aによって転送される電荷を蓄積し、読み出
すための負荷コンデンサであり、これらはそれぞれ、第
２図（Ａ）〜（Ｃ）に示した各部210,208,212,213およ
び223等と同様の積層構造で構成することができる。な
お、光センサ部408において、416および417は、それぞ
れソース電極およびドレイン電極たる電極配線、402は
ゲート電極たる補助電極配線であり、後述する駆動部に
接続されている。本例は、基板411裏面側より光を照射
する形態ではないため、第２図（Ａ）の如き入射窓は有
していない。

以上のような例に係るラインセンサは、光センサ部、電
荷蓄積部、転送用スイッチ、放電用スイッチ、マトリク
ス配線部の各構成部のすべてが光導電性半導体層と絶縁
層の積層構造を有するので、各部を同一プロセスにより
同時形成することができる。

第６図は第２図（Ａ）〜（Ｃ）または第５図に示した画
像読取装置の等価回路を示す。

同図において、S1,S2,…,SN（以下、SY1と記す）は光セ
ンサ部208をまたは408を示す光センサである。C1,C2
…、CN（以下、CY1と記す）は電荷蓄積部212または412
を示す蓄積コンデンサであり、光センサSY1の光電流を
蓄積する。ST1,ST2,…,STN（以下、STY1と記す）は蓄積
コンデンサCY1の電荷を負荷コンデンサCX1（負荷コンデ
ンサ223または423に対応）に転送するための転送用スイ
ッチ（転送用スイッチ213aまたは413aに対応）、SR1,SR
2,…,SRN（以下、SRY1と記す）は蓄積コンデンサCY1の
電荷をリセットする放電用スイッチ（放電用スイッチ21
3bに対応）である。

これらの光センサS_i,蓄積コンデンサCY1,転送用スイッ
チSTY1および放電用スイッチSRY1はそれぞれ一列にアレ
イ状に配置され、Ｎ個で１ブロックを構成し、画像読取
装置は全体としてＭ個のブロックに分けられている。例
えば、センサが1728個で構成されているとすれば、Ｎ＝
32,M＝54とすることがY1できる。アレイ状に設けられた
転送用スイッチSTY1,放電用スイッチSRaY1のゲート電極
はマトリクス配線部210に接続される。転送用スイッチS
T_iのゲート電極は他のｉ番目のブロック内での同順位の
転送用スイッチのゲート電極とそれぞれ共通に接続さ
れ、放電用スイッチSR_iのゲート電極は各ブロック内の
次の順位の転送用スイッチのゲート電極に循環して接続
される。

マトリクス配線部210または410の共通線（ゲート駆動線
G1,G2,…,GN）はゲート駆動部246によりドライブされ
る。一方信号出力は引出し線214または414（信号出力線
D1,D2,…,DM）を介して信号処理部247に接続される。

また、光センサS1,…,SN,…SN×Ｍのゲート電極（遮光
層202または補助電極402）は、各ブロック毎に、すなわ
ち、SY1,…,SYMのブロック毎に駆動部250に接続され
て、適切な値のバイアスVSG1,…,VSGMが印加され、分布
のない光電流が得られるようにする。なお、このように
ブロック毎に異なったバイアス電圧Vsgを発生する手段
としては、各ブロック毎にボリウム等を設けた可変電源
を配設して装置製造時にそれらを調整するようにしても
よく、あるいは、可変ゲインアンプを配設するとともに
装置の制御を司どるCPUや記憶部を有した制御部によ
り、装置のイニシャライズ時に記憶部に記憶された調整
値を読み出してアンプを調整するようにしてもよい。

かかる構成において、ゲート駆動線G1,G2,…,GNにはゲ
ート駆動部246から順次選択パルス（VG1,VG2,VG3,…,VG
N）が供給される。まず、ゲート駆動線G1が選択される
と、転送用スイッチST1がON状態となり、蓄積コンデン
サC1に蓄積された電荷が負荷コンデンサCX1に転送され
る。次にゲート駆動線G2が選択されると、転送用スイッ
チST2がON状態となり、蓄積コンデンサC2に蓄積された
電荷が負荷コンデンサCX1に転送され、同時に放電用ス
イッチSR1により蓄積コンデンサC1の電荷がリセットさ
れる。以下同様にして、G3,G4,…,GNについても選択さ
れて読み取り動作が行われる。これらの動作は各ブロッ
クごとに行われ、各ブロックの信号出力VX1,VX2,…,VXM
は信号処理部247の入力D1,D2,…,DMに送られ、シリアル
信号に変換されて出力される。

第７図はバイアス電圧Vsgに対する光電流Ipおよびセン
サの光量依存性（直線性）を表わすγ値（γ＝１が理
想）の特性であり、光センサのドレイン側電極117（第
１図）、217（第２図）、317（第４図）および417（第
５図）に印加する電圧Vgを変化させて行った実験結果を
示す。なお、この実験に用いる半導体層の厚みは4000Å
であった。

ここで、光電流Ipがバイアス電圧Vsgに応じて変化する
のは、バイアス電圧Vsgの値によって半導体層14に形成
される空乏層が変化するためである。

この図から明らかなように、ライン状に配列された光セ
ンサに対しそのゲート電極112（第１図）、202（第２
図）、312（第４図）および402（第５図）に印加する電
圧Vsgを適切に定めれば、均一の照射光量や反射光量等
条件に対して、直線性を損うことなく均一な光電流を得
ることができるようになる。

第８図は一次元ラインセンサを14のブロックに分割し、
各ブロック毎にバイアス電圧Vsgを調整した場合、（破
線）と非調整の場合（実線）とにおける光電流Ipを測定
した結果を示したものである。実験は均一な表面状態の
原稿の幅方向に均一な光量の光を照射することにより均
一の反射光がセンサに入射されるようにして行った。

この図から明らかなように、バイアス電圧Vsgの調整時
では、非調整時に比べて遥かに分布が平滑化されている
ことがわかる。すなわち、Vsgの調整をセンサの配列方
向に適切に行えば、同一条件に対して同一の値の光電流
が得られることとなり、従って従来の如き高価な読取り
信号の補正回路を信号処理部247に付加することが全く
不要となるか、少なくとも簡単で廉価に構成できる補正
回路を付加すれば足りることになる。

なお、本発明を適用可能な画像読取装置は上述の各実施
例にのみ限られるものではない。例えば、次のようなも
のであってもよい。

第９図は、光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部とが一
体に形成され、レンズを有さない形態の画像読取装置の
他の実施例を示す。ここで、第２図と同様に構成できる
部分については対応箇所に同一符号を付してある。図に
おいて、230は出力信号マトリクスである。

第10図は画像読取装置の等価回路を示す。

同図において、Ｓ_i,1,S_i,2，…,S_i,N（以下、S_iと記
す）は光センサ部208を示す光センサである。Ｃ_i,1,C
_i,2，…,C_i,N（以下、C_iと記す）は電荷蓄積部212を示
す蓄積コンデンサであり、光センサS_iの光電流を蓄積す
る。ST_i,1,ST_i,2，…ST_i,N（以下、ST_iと記す）は蓄積
コンデンサC_iの電荷を負荷コンデンサCX₁,…,CX_N（蓄積
コンデンサ223に対応）に転送するための転送用スイッ
チ（転送用スイッチ213aに対応）、SR_i,1,SR_i,2，…,SR
_i,N（以下、SR_iと記す）は蓄積コンデンサC_iの電荷をリ
セットする放電用スイッチ（放電用スイッチ213bに対
応）である。

これらの光センサS_i,蓄積コンデンサC_i,転送用スイッチ
ST_iおよび放電用スイッチSR_iはそれぞれ一列にアレイ状
に配置され、Ｎ個で１ブロックを構成し、画像読取装置
は全体としてＭ個のブロックに分けられている。例え
ば、センサが1728個で構成されているとすれば、Ｎ＝3
2,M＝54とすることができる。アレイ状に設けられた転
送用スイッチSTY1,放電用スイッチSRY1のゲート電極は
マトリクス配線部210に接続される。転送用スイッチST_i
のゲート電極はｉ番目のブロック内で共通に接続され、
放電用スイッチSR_iのゲート電極もブロック毎に接続さ
れ、次の順位とブロックの転送用スイッチのゲート電極
のゲート電極と共通に接続されている。

ゲート配線部210の共通線（ゲート駆動線G1,G2,…,GN）
はゲート駆動部246によりドライブされる。一方信号出
力はマトリクス構成になっている引出し線230（信号出
力線D1,D2,…,DN）を介して信号処理部247に接続され
る。

また、光センサＳ_1,1,S_1,2，…,S_1,N,S_2,1，…,S_M,Nの
ゲート電極（遮光層202）は、各ブロック毎に、すなわ
ち、Ｓ_i,1，…,S_i,Nのブロック毎に駆動部250に接続さ
れて、適切な値のバイアスVSG1,…,VSGMが印加され、分
布のない光電流が得られるようにする。なお、このよう
なブロック毎に異なったバイアス電圧Vsgを発生する手
段としては、各ブロック毎にボリウム等を設けた可変電
源を配設して装置製造時にそれらを調整するようにして
もよく、あるいは、可変ゲインアンプを配設するととも
に装置の制御を司どるCPUや記憶部を有した制御部によ
り、装置のイニシャライズ時に記憶部に記憶された調整
値を読み出してアンプを調整するようにしてもよい。

かかる構成において、ゲート駆動線G1,G2,…,GNにはゲ
ート駆動部246から順次選択パルス（VG1,VG2,VG3,…,VG
N）が供給される。まず、ゲート駆動線G1が選択される
と、転送用スイッチST1がON状態となり、蓄積コンデン
サC1に蓄積された電荷が負荷コンデンサCX1〜CXNに転送
される。次にゲート駆動線62が選択されると、転送用ス
イッチST2がON状態となり、蓄積コンデンサC2に蓄積さ
れた電荷が負荷コンデンサCX1〜CXNに転送され、同時に
放電用スイッチSR1により蓄積コンデンサC1の電荷がリ
セットされる。以下同様にして、G3,G4,…,GNについて
も選択されて読み取り動作が行われる。これらの動作は
各ブロックごとに行われ、各ブロックの信号出力VX1,VX
2,…,VXNは信号処理部247の入力D1,D2,…,DNに送られ、
シリアル信号に変換されて出力される。

本例によっても、上記実施例と同様の効果が得られる。

なお、上述の各例ではセンサ群をブロックに分割すると
ともにバイアス電圧Vsgの調整を各ブロック毎に行うよ
うにしたが、ブロック分けの有無あるいは分割時のブロ
ック数は任意所望に定めることができるのは勿論であ
る。

また、上述の各例においては、半導体層をはさんで主電
極（第１図（Ａ）では116,117）と遮光層（第１図
（Ａ）では112）とを反対側に配置したスタガー型の画
像読取装置について述べたが、第11図に示すように、半
導体層14の同じ側にAl等の主電極116,117と遮光層112と
を配置する構成にしても同様の効果が得られる。

［発明の効果］以上説明したように、本発明によれば、光センサの出力
を簡単に調整できるようにしたので、一次元ラインセン
サを具えた画像読取装置において分布が改善された出力
を得ることができ、従って従来の如き高価な補正回路は
全く必要となるか、少なくともそれが廉価なものであっ
ても足りることとなり、以て画像読取装置ひいてはこれ
を適用する機器の低廉化を達成できることになる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、本発明の一実
施例に係る画像読取装置の側断面図、およびそのセンサ
部の上面図、第２図（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれ、第１
図（Ａ）および（Ｂ）に示した、光センサ部と電荷蓄積
部とスイッチ部等とを一体に形成した形態の画像読取装
置の一実施例を示す平面図、そのＢ−Ｂ線断面図、およ
びＣ−Ｃ線断面図、第３図は、本発明の他の実施例に係る画像読取装置の側
面図、第４図は第３図示の装置における光センサの構成例を示
す側断面図、第５図は第４図示の光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ
部等とを一体に形成した形態の画像読取装置の一実施例
を示す断面図、第６図は第２図（Ａ）〜（Ｃ）および第５図に示した画
像読取装置の等価回路を示す回路図、第７図は光センサ部のゲート電極に印加するバイアス電
圧変化に対する諸特性を説明するための線図、第８図は本発明に係る画像読取装置の作用効果を説明す
るための線図、第９図は本発明のさらに他の実施例を示す平面図、第10図は第９図示の装置の等価回路を示す回路図、第11図は本発明を適用可能な画像読取装置の更に他の実
施例を示す側断面図である。 11,201……透明基板、 13,203……絶縁層、 14……半導体層、 19,219……入射窓、 20……保護層、 108,208,308,408……光センサ部、 112……遮光板、 116,117,216,217,316,317,416,417,312,402……電極
（配線）、 212,412……電荷蓄積部、 213,413……スイッチ部、 213a,413a……転送用スイッチ部、 213b,413b……放電用スイッチ部、 246……ゲート駆動部、 247……信号処理部、 250……駆動部。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電層と、該導電層上に配置された絶縁層
と、該絶縁層上に配置された半導体層と、該半導体層に
接して離隔して配置された一対の上部電極とを有する光
センサを基板上に配列した画像読取装置において、前記光センサの配列位置に応じて異なったバイアス電圧
を前記導電層に印加する駆動手段を具えたことを特徴と
する画像読取装置。
【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の画像読取装置
において、前記光センサは前記基板上に原稿幅方向に対
応させて直線状に配列されていることを特徴とする画像
読取装置。
【請求項３】特許請求の範囲第１項または第２項記載の
画像読取装置において、前記光センサは前記原稿の全幅
に対応して配列されていることを特徴とする画像読取装
置。
【請求項４】特許請求の範囲第１項ないし第３項記載の
画像読取装置において、前記直線状に配列されている光
センサを、所定個数毎にブロック分けし、前記駆動手段
はブロック毎に前記異なったバイアス電圧を印加するこ
とを特徴とする画像読取装置。
【請求項５】特許請求の範囲第１項ないし第４項記載の
画像読取装置において、前記基板を透明部材で形成し、
前記導電層を遮光性の部材で形成し、前記光センサは該
透明部材の裏面側より原稿面に照射された光の反射光を
前記一対の上部電極間に露出した前記半導体層の部分に
おいてのみ受容することを特徴とする画像読取装置。