JPH0738484B2 - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JPH0738484B2
JPH0738484B2 JP17690686A JP17690686A JPH0738484B2 JP H0738484 B2 JPH0738484 B2 JP H0738484B2 JP 17690686 A JP17690686 A JP 17690686A JP 17690686 A JP17690686 A JP 17690686A JP H0738484 B2 JPH0738484 B2 JP H0738484B2
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JP
Japan
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light
semiconductor device
optical
optical semiconductor
wire
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JP17690686A
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義弘 森
淳 柴田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体レーザ，発光ダイオード等の発光素子
と、PINフォトダイオード，アバランシェフォトダイオ
ード等の受光素子と、マルチプレクサ，デマルチプレク
サ等を組み込んだ集積回路あるいはディスクリートな電
気素子とを実装した混成集積回路に関するものである。
従来の技術 第５図に従来の技術の一例を示す。GaAs系半導体レーザ
501と、光パワーモニター用のフォトダイオード503とシ
リコンを用いた集積回路505がパッケージ507上にハイブ
リッドで構成されたもので、各素子は、金またはアルミ
ニウムのワイヤにより相互にあるいはワイヤボンド用パ
ッド506に接続される。半導体レーザ501の光出力は光フ
ァイバ509により外部に取り出される。
第６図に従来の技術の他の一例を示す。GaAs系あるいは
Geのフォトダイオード601がシリコンを用いた集積回路6
02の上にボンディングされており、フォトダイオード60
1には光ファイバ603より光信号が入射する。
発明が解決しようとする問題点 ところが、上記のような構成の場合、半導体レーザ501
からの出力光や、光ファイバからの光信号（第６図中に
矢印で示す）が、半導体素子やパッケージの上蓋（第５
図中には図示されていない）によって反射あるいは散乱
され、集積回路505,602に入射し、正孔と電子を発生さ
せ、誤動作の原因となる危険性があった。また、第５図
中のワイヤ510のように長いワイヤの場合、高周波の信
号が通りにくくなる。さらに、半導体レーザ501の長寿
命化のために不活性ガスを充満させるときに、パッケー
ジ内全部に充満させる必要があった。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記のような問題点を解決するために、電気
素子や集積回路と、発光または受光素子の間に遮光板を
設置し、光が電気素子や集積回路に入射しないようにす
るものである。
作用 本発明によれば、遮光板により光による誤動作の危険性
は除去される。また、遮光板中に設けた配線により素子
の電気的配線が容易になり、ワイヤ長を短くできるため
高周波も通り易くなる。さらに、遮光板を用いてパッケ
ージ内を選択的に不活性ガス等で充満でき、ガスの使用
量を低減できる。
実施例 第１図は、本発明の一実施例を示すものである。半導体
レーザ101はシリコン板102の上にボンデイングされてい
る。モニター用フォトダイオード103は第２図に示すよ
うな傾斜した台104の上にボンディングされている。105
は、マルチプレクサであり複数の入力信号を変換して高
速の信号を半導体レーザ101に送る。これらの素子とリ
ード線106はパッケージ107内の配線108と、ワイヤ109に
よって電気的に接続される。リード線106と配線108は、
高周波に対応した平板型になっている。半導体レーザ10
1の出力光は光ファイバ110により外部に取り出される。
遮光板はこの例の場合111の１枚だけである。この中を
通る配線202は第２図に示すように遮光板201を貫通して
いる。また、上蓋206は接着剤によってパッケージ内を
密封している。パッケージ内は窒素で充満されている。
第３図は、本発明の他の実施例の部分を示す。構成は第
１図，第２図で示した実施例とほぼ同じであり、差異部
分のみを第３図に示した。同図ａに示すように、遮光板
301は切れこみ302を持ち、これを用いて同図ｂのように
遮光板301の両側にある素子303,304をワイヤ305で配線
する。尚、切れこみ302の側面には、光を吸収する塗料
が塗布されている。
第４図は、本発明による第３の実施例のワイヤ配線前の
状態の上面図である。本実施例は光中継器を構成してお
り、フォトダイオード401に入射した光は、電気に変換
され波形整形用集積回路402により、波形整形及び増幅
をされたあと、半導体レーザ403により再び光として出
射される。403は、モノリシックにフォトダイオードが
集積された素子であり、これを用いて自動光出力強度制
御が行なえる。光入力，光出力には、ロッドレンズ405
と光コネクタ406を備えた光入力部と光出力部に、光フ
ァイバを接続することにより成される。
なお、上記の実施例において、発光素子として発光ダイ
オード，外部変調器付半導体レーザ，あるいはモニター
用受光素子と共に専用パッケージに組み込まれた半導体
レーザ等を用いてもなんら支障はない。また、リード線
として平板形以外のものを用いてもなんら支障はない。
また、集積回路としてデマルチプレクサ，識別器等を用
いる場合に、同様の構成を用いてもなんら支障はない。
発明の効果 本発明によれば、光入射による集積回路の誤動作の防止
が容易に行えるため、実用的に有用である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における光半導体装置を示す
上面図、第２図は第１図に示す本発明の一実施例におけ
る光半導体装置の一部分の断面図、第３図は本発明の他
の実施例における光半導体装置の一部分を示す図、第４
図は本発明の第３の実施例における光半導体装置の上面
図、第５図及び第６図は従来の構成例を示す図である。 101……半導体レーザ、103……フォトダイオード、109
……ワイヤ、111……遮光板、305……ワイヤ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくとも一個の発光用あるいは受光用の
    半導体素子を含む複数の半導体素子の間に、少なくとも
    一枚の遮光板を設置してなることを特徴とする光半導体
    装置。
  2. 【請求項２】遮光板を貫通して設けた導体を用いて、半
    導体素子を相互に電気的に接続することを特徴とする特
    許請求の範囲第１項記載の光半導体装置。
  3. 【請求項３】少なくとも発光用の半導体素子が、遮光板
    と外壁と底板と上蓋とによって密封され、且つ窒素ある
    いはその他の不活性ガス中に置かれていることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項または第２項記載の光半導体
    装置。
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JPS6333886A JPS6333886A (ja) 1988-02-13
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JPH0817260B2 (ja) * 1987-12-18 1996-02-21 株式会社日立製作所 駆動回路内蔵半導体レーザモジユール
JP2004185040A (ja) * 2000-10-03 2004-07-02 Fujitsu Ltd 光変調器

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