CN116773476A - 气体传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够抑制半导体基板的变形所引起的特性变动的气体传感器。气体传感器(1)包括：基板(重布线层30)；发光元件(11)，其设于基板的一侧的面即表面(30a)或埋入基板而设置；光接收元件(12)，其设于基板的表面或埋入基板而设置，接收从发光元件射出的光；以及多个外部连接端子(40)，其位于基板的与表面相反的面即背面(30b)，该多个外部连接端子的至少一部分外部连接端子与发光元件及光接收元件电连接，多个外部连接端子配置为，在俯视时连结任意两个外部连接端子的线上不存在发光元件和光接收元件。
Description
技术领域
本公开涉及气体传感器。
背景技术
作为半导体元件，已知有输出与接收到的红外线相应的信号的红外线接收元件(红外线传感器)和根据输入的电力而发出红外线的红外线发光元件(红外线LED：lightemitting diode(发光二极管))。量子型的红外线接收元件通过具有PN结或PIN结的半导体吸收红外线而产生的光电流检测红外线。红外线发光元件通过正向施加的电压而发出红外线。红外线接收元件和红外线发光元件例如有时使用在NDIR(non dispersive infrared：非色散红外)方式气体传感器。NDIR方式气体传感器能够使用接收与检测对象气体相应的吸收波段的红外线的红外线接收元件和发出该吸收波段的红外线的红外线发光元件，来测量气体浓度。例如专利文献1公开了小型的NDIR方式气体传感器，其被在内部设置有反射镜的盖覆盖，在基板上配置构成部件而形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2018/222764号
发明内容
发明要解决的问题
在此，在将半导体元件配置在基板上而构成的器件中，有时也相对于半导体基板施加有应力。例如，由于安装器件时的热膨胀等的影响，有时半导体基板会翘曲。在器件为气体传感器的情况下，有时由于翘曲而产生气体传感器的特性变动。特别是在小型的气体传感器中，由于半导体基板的变形对特性有较大的影响，因此，谋求能够抑制对半导体元件产生影响的技术。
鉴于上述内容而完成的本公开的目的在于，提供能够抑制半导体基板的变形所引起的特性变动的气体传感器。
用于解决问题的方案
(1)本公开的一实施方式的气体传感器，其中，
该气体传感器包括：
基板；
发光元件，其设于所述基板的一侧的面即表面或埋入所述基板而设置；
光接收元件，其设于所述基板的所述表面或埋入所述基板而设置，接收从所述发光元件射出的光；以及
多个外部连接端子，其位于所述基板的与所述表面相反的面即背面，所述多个外部连接端子的至少一部分外部连接端子与所述发光元件及所述光接收元件电连接，
所述多个外部连接端子配置为，在俯视时连结任意两个外部连接端子的线上不存在所述发光元件和所述光接收元件。
(2)作为本公开的一实施方式，在(1)中，
所述多个外部连接端子相对于所述发光元件和所述光接收元件而言都配置于在俯视时的一方向的区域。
(3)作为本公开的一实施方式，在(1)或(2)中，
所述发光元件和所述光接收元件的一部分由密封部覆盖。
(4)作为本公开的一实施方式，在(1)至(3)中任一个实施方式中，
所述基板包括在所述发光元件和所述光接收元件的电极形成面侧形成的重布线层，
所述发光元件和所述光接收元件借助所述重布线层与所述多个外部连接端子的至少一部分外部连接端子电连接。
(5)作为本公开的一实施方式，在(1)至(4)中任一个实施方式中，
该气体传感器包括将从所述发光元件射出的光向所述光接收元件引导的导光构件，
所述导光构件利用所述基板的所述表面的粘接面粘接于所述基板，所述粘接面设为，在俯视时连结所述粘接面中的任意两点的线上不存在所述发光元件和所述光接收元件。
(6)作为本公开的一实施方式，在(5)中，
所述粘接面包含在所述表面的与在所述背面配置有所述多个外部连接端子的区域相对应的区域。
(7)作为本公开的一实施方式，在(1)至(6)中任一个实施方式中，
该气体传感器包括在所述发光元件的射出面或所述光接收元件的光接收面设置的光学滤波器。
(8)作为本公开的一实施方式，在(1)至(7)中任一个实施方案中，所述多个外部连接端子是LGA或BGA。
(9)作为本公开的一实施方式，在(1)至(8)中任一个实施方式中，
所述发光元件和所述光接收元件埋入于所述基板。
发明的效果
根据本公开，能够提供能抑制半导体基板的变形所引起的特性变动的气体传感器。
附图说明
图1是表示本公开的一实施方式的气体传感器的构成例的概略图。
图2是表示图1的气体传感器的截面的剖视图。
图3是表示图1的气体传感器的除去了导光构件后的上表面的俯视图。
图4是表示图1的气体传感器的上表面的俯视图。
图5是表示图1的气体传感器的包括光电转换元件在内的局部的放大截面的剖视图。
图6是说明外部连接端子为BGA(Ball Grid Array：球栅阵列)的情况的应力的图。
图7是说明外部连接端子为LGA(Land Grid Array：栅格阵列)的情况的应力的图。
图8是表示外部连接端子的其他配置例的概略图。
图9是表示外部连接端子的其他配置例的概略图。
附图标记说明
1、气体传感器；10、光电转换元件；10a、光射出射入面；10b、电极形成面；11、发光元件；12、光接收元件；13、IC；14、存储器；15、导光构件；16、光学滤波器；16a、滤波器块；17、粘接面；20、密封部；30、重布线层；30a、表面；30b、背面；31、绝缘层；32、重布线；33、焊盘；40、外部连接端子；111、半导体基板；112、半导体层；113、电极；311、第1绝缘层；311a、开口；312、第2绝缘层；312a、开口；321、基底层；322、导体层；1001、气体传感器；1010、光电转换元件；1030、重布线层；1040、外部连接端子。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本公开的一实施方式的气体传感器。在各图中，对相同或相当的部分标注相同的附图标记。在本实施方式的说明中，对于相同或相当的部分，适当省略或简化说明。
图1是表示本实施方式的气体传感器1的构成例的概略图。在图1中，为了示出发光元件11和光接收元件12等的位置，以透过基板的方式来示出。图2是表示气体传感器1在图1的中央的虚拟线b处的截面的剖视图。图3和图4是表示气体传感器1的上表面的俯视图。在图3中，以除去(透过)气体传感器1的导光构件15的方式来示出。
在图1～图4、后述的图8和图9中，设定与气体传感器1的朝向相对应的正交坐标。z轴方向是气体传感器1的高度方向。y轴方向与气体传感器1的纵向对应，在本实施方式中，与长方形状的基板的长边方向对应。此外，x轴方向与气体传感器1的横向(宽度方向)对应，在本实施方式中，与长方形状的基板的短边方向对应。在此，基板也可以是正方形形状，此时也可以是，x轴方向与一个边的方向对应，y轴方向和与该一个边正交的方向对应。以下，有时使用该正交坐标的轴，说明位置关系。
如图1～图4所示，气体传感器1具备基板、发光元件11、光接收元件12以及多个外部连接端子40。在本实施方式中，气体传感器1还具备：导光构件15，其将从发光元件11射出的光向光接收元件12引导；和滤波器块16a，在其上树脂成形有设于发光元件11的射出面的光学滤波器16。此外，在本实施方式中，气体传感器1还具备：IC13(Integrated Circuit：集成电路)，其控制发光元件11和光接收元件12的动作，运算被检测气体的浓度；和存储器14，其存储在IC13中使用的数据和程序等。多个外部连接端子40的至少一部分与发光元件11及光接收元件12电连接。此外，多个外部连接端子40的一部分也可以与IC13或存储器14电连接。此外，发光元件11和光接收元件12的一者或两者也可以直接与IC13电连接。此外，如果存储器14能够设置在IC13，也可以不具备该存储器14。在将IC13设置在外部的情况下，气体传感器1也可以不具备IC13。此外，在将存储器14设置在外部的情况下，气体传感器1也可以不具备存储器14。
在此，在半导体元件由树脂密封的器件中，为了器件的小型化，有时使用FOWLP(Fan Out Wafer Level Package：扇出晶圆级封装)或WLCSP(Wafer level Chip SizePackage：晶圆级芯片尺寸封装)这样的封装构造。在本实施方式中，发光元件11、光接收元件12、IC13以及存储器14是半导体元件，气体传感器1实现具有FOWLP的封装构造的小型的检测装置。基板安装上述的半导体元件进行电连接，但在本实施方式中，包括在发光元件11和光接收元件12的电极形成面侧形成的重布线层30。后面叙述重布线层30的详细内容。此外，在以下的说明中，将基板(重布线层30)的一侧的面、即设置半导体元件的那一侧的面称为表面30a。将基板的与表面30a相反的面、即多个外部连接端子40所处的那一侧的面称为背面30b。在此，气体传感器1的封装构造不限定于FOWLP，例如也可以是WLCSP、SON(SmallOutline Non-leaded package：小轮廓无引线封装)等其他种类。此外，发光元件11和光接收元件12等也具有以单体构成元件的基板，元件的基板被称为半导体基板111(参照图5)。此外，使用气体传感器1作为部件的产品也具有基板，产品的基板被称为产品基板。在此，“处于背面30b”是指，不仅包括直接设于背面30b而存在的状态，还包括间接设于背面30b而存在的状态。例如多个外部连接端子40也可以借助其他层等设于背面30b，但在这样的间接的设置的情况下也记载为“处于背面30b”。
发光元件11设于基板的表面30a或埋入基板而设置，射出用于被检测气体的检测的光。发光元件11只要输出包含由被检测气体吸收的波长的光，则不特别限制。在本实施方式中，发光元件11发出的光为红外线，但不限定于此。在本实施方式中，发光元件11为LED，但作为其他例可以为半导体激光器或MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)加热器等。在此，“设于表面30a”是指，不仅包含直接设于表面30a的情况，还包含间接设于表面30a的情况。例如发光元件11借助导电性的粘接材料或其他层等设于基板的表面30a，这样的间接的设置也被记载为“设于表面30a”。
在此，红外线的波长也可以是2μm～12μm。2μm～12μm的区域在各种气体中存在多个固有的吸收带，是特别适合在气体传感器1中使用的波段。例如在3.3μm的波长存在甲烷的吸收带，在4.3μm的波长存在二氧化碳的吸收带，在9.5μm的波长存在酒精(乙醇)的吸收带。
光接收元件12设于基板的表面30a或埋入基板而设置，接收从发光元件11射出的光。光接收元件12只要在包含由被检测气体吸收的波长的光的频带具有感光度，则不特别限制。在本实施方式中，光接收元件12所接收的光为红外线，但不限定于此。光接收元件12将接收到的光转换为电信号，输出转换后的电信号。电信号例如向IC13输出。接收了电信号的IC13基于光的透过率等运算被检测气体的浓度。
在此，如图2所示，发光元件11和光接收元件12也可以埋入于基板。通过向基板埋入，能够使气体传感器1薄型化。通常来说，在埋入于基板的情况下，发光元件11和光接收元件12会直接受到基板翘曲的影响。但是，如后面叙述那样，本实施方式的气体传感器1的结构能够抑制变形所引起的发光元件11和光接收元件12的特性变动。在此，如图2所示，不仅发光元件11和光接收元件12埋入于基板，IC13和存储器14也可以埋入于基板。
导光构件15是将从发光元件11射出的光向光接收元件12引导的构件。导光构件15为气体传感器1的光学系统。导光构件15具备光学构件，构成从发光元件11向光接收元件12的光路。在此，光学构件例如为反射镜、透镜等。在本实施方式中，导光构件15利用基板的表面30a的粘接面17粘接于基板，在内部形成供气体导入的空间。从发光元件11射出的光经由导光构件15穿过空间内的气体而被光接收元件12接收。如果在空间内的气体中包含被检测气体，则特定的波长的光根据浓度被吸收，因此，能够通过检测吸收量而测量被检测气体的浓度。
光学滤波器16是具有波长选择功能的构件。光学滤波器16也可以是使被检测气体的吸收波段的光透过的带通滤波器。在本实施方式中，光学滤波器16设于发光元件11的射出面，但不限定于此。光学滤波器16例如也可以设于光接收元件12的光接收面(射入面)。
在此，图5是表示图1的气体传感器1的包括光电转换元件10在内的局部的放大截面的剖视图。光电转换元件10是发光元件11或光接收元件12。在说明与发光元件11和光接收元件12共通的构造的时候，有时使用光电转换元件10的用语来进行说明。图5中的放大了的截面例如是横切图1的发光元件11和外部连接端子40的虚拟线a处的截面。
如图5所示，在光电转换元件10的与光射出射入面10a相反的那侧的面设有电极113。光电转换元件10的形成有电极113的面即电极形成面10b与重布线层30相接。光电转换元件10借助电极113与重布线层30电连接。
半导体基板111是能够成膜出PN结或PIN结的光电二极管构造的半导体层112的元件的基板。半导体基板111只要具有红外线等的光透过性则不特别限制。半导体基板111也可以包含含有半导体的材料，也可以是绝缘性的。作为一例，半导体基板111由硅(Si)、砷化镓(GaAs)、蓝宝石、磷化铟(InP)等形成。在半导体层112由包含含有In、Sb、As、Al等的窄带隙半导体材料(例如InSb)的材料形成的情况下，从形成晶格缺陷少的半导体层112的观点出发，优选的是使用GaAs基板作为半导体基板111。在该情况下，半导体基板111具有较高的光透过率，能够在半导体基板111上进行高品质的结晶性生长。而且，半导体基板111的光射出射入面10a也可以形成凹凸，或者形成TiO2等的防反射膜。能够提高光的提取。
半导体层112例如具有由第1导电型半导体层、活性层以及第2导电型半导体层构成的PIN结的光电二极管构造。作为半导体层112，只要具有PIN结或PN结的光电二极管构造或LED构造，则不限定于特定的构造。半导体层112能够应用相对于红外线等特定波长的光具有感光度的公知的物质，例如能够应用InSb。在半导体层112上形成电极113。
密封部20由树脂材料构成，以使光电转换元件10的光射出射入面10a暴露的方式，覆盖光电转换元件10的侧面。此外，光电转换元件10的电极形成面10b相对于重布线层30暴露。即，在本实施方式的气体传感器1中，光电转换元件10的除了光射出射入面10a和电极形成面10b以外的部分由密封部20密封。在此，密封部20形成为能够借助半导体基板111相对于半导体层112射出射入红外线等光即可，对于覆盖的面不特别限定。例如，密封部20也可以覆盖光电转换元件10的电极形成面10b的局部，也可以不覆盖光电转换元件10的侧面的局部。也可以是，密封部20中的覆盖光电转换元件10的侧面的部分的上表面比光射出射入面10a低，也可以成为与光射出射入面10a齐平。
作为密封部20，从量产性、机械强度以及对光电转换元件10的应力的观点出发，优选的是使用具有与重布线层30相近的线膨胀系数的树脂材料。密封部20例如也可以由环氧树脂等树脂材料形成。
此外，构成密封部20的材料除了环氧树脂等树脂材料以外，也可以包含填料、不可避免地混杂的杂质等。作为填料，优选的是使用例如二氧化硅、氧化铝等。
重布线层30形成在光电转换元件10和密封部20的电极形成面10b侧。重布线层30包括：绝缘层31，其具有第1绝缘层311和第2绝缘层312；重布线32，其与光电转换元件10的电极113电连接；以及焊盘33，其用于连接外部连接端子40。在本实施方式中，重布线32与电极113连接，重布线32与外部连接端子40连接。
第1绝缘层311形成在光电转换元件10和密封部20的电极形成面10b侧。第1绝缘层311由翘曲小、与重布线32的接合性优异、耐热性高的材料形成，具体地说由聚酰亚胺等树脂材料形成。第1绝缘层311在光电转换元件10的电极113的位置具有贯穿第1绝缘层311的开口311a。重布线32能够经由开口311a与电极113电连接。
重布线32设于第1绝缘层311和第2绝缘层312之间。重布线32覆盖自第1绝缘层311的开口311a暴露的电极113的表面和开口311a的侧壁，在第1绝缘层311的表面上从开口311a的侧壁延伸到焊盘33。
重布线32具有基底层321和导体层322。基底层321例如通过化学镀或溅射而形成。此外，基底层321也起到提高第1绝缘层311和导体层322的粘接性的作用。基底层321例如由铜(Cu)形成。导体层322形成在基底层321上，例如通过电解镀来形成。导体层322例如由铜(Cu)形成。
第2绝缘层312是在第1绝缘层311的表面形成的绝缘层。第2绝缘层312与第1绝缘层311同样，例如由聚酰亚胺等树脂材料形成。第2绝缘层312在俯视时不与第1绝缘层311的开口311a重叠的区域具有贯穿第2绝缘层312的开口312a。焊盘33能够经由开口312a与重布线32电连接。
焊盘33为了将外部连接端子40与重布线32连接而设置。焊盘33例如由Ni层和Au层的层叠膜形成。焊盘33覆盖自第2绝缘层312的开口312a暴露的重布线32的表面和开口312a的侧壁。
外部连接端子40与焊盘33相接，与自第2绝缘层312的开口312a暴露的重布线32电连接。在本实施方式中，多个外部连接端子40为BGA(Ball Grid Array：球栅阵列)。外部连接端子40例如为焊锡球。但是，不限定外部连接端子40的形状等。例如多个外部连接端子40也可以是LGA(Land Grid Array：栅格阵列)。
气体传感器1例如作为测量设备等产品的部件来使用，在安装于产品基板时，多个外部连接端子40在产品基板的规定位置通过回流焊来进行软钎焊。
以往，由于安装光学器件时的回流焊所引起的热膨胀以及之后的冷却所引起的收缩等的影响，对光学器件的基板施力，结果是有时使光学元件变形，产生光学器件的特性变动。例如，如图6的上侧图所示，以往构造的外部连接端子1040为BGA的小型的气体传感器1001在基板(重布线层1030)由于回流焊的热而翘曲的状态下，作为焊锡球的外部连接端子1040熔融，在温度下降时可能会以压扁的状态凝固。于是，有时由于光电转换元件1010变形而产生气体传感器1001的特性变动。此外，例如，如图7的上侧图所示，以往构造的外部连接端子1040为LGA的小型的气体传感器1001在回流焊之后温度下降时，由于LGA封装的线膨胀系数比产品基板的线膨胀系数大而收缩，结果是，在与产品基板连接的外部连接端子1040产生拉拽的应力。于是，有时光电转换元件1010被向多个外部连接端子1040拉拽而变形，产生气体传感器1的特性变动。
对于本实施方式的气体传感器1，多个外部连接端子40相对于光电转换元件10而言配置于在俯视时的一方向的区域。例如，如图1所示，多个外部连接端子40相对于发光元件11而言处于在俯视时位于一方向(y轴负方向)的位置的区域c。在此，配置有多个外部连接端子40的区域c也可以被设定为由多个外部连接端子40中的处于最外面的外部连接端子40围起来的范围。此外，多个外部连接端子40相对于光接收元件12而言也处于在俯视时位于一方向(y轴正方向)的位置的区域c。根据光电转换元件10和外部连接端子40这样的位置关系，如图6的下侧图所示，本实施方式的气体传感器1在回流焊时，不会以基板(重布线层30)翘曲的状态凝固。因此，本实施方式的气体传感器1能够抑制半导体基板111的变形所引起的特性变动。此外，在本实施方式的气体传感器1中，在将外部连接端子40设为LGA的情况下，如图7的下侧图所示，在回流焊时也不会被向多个外部连接端子40拉拽。因此，能够抑制半导体基板111的变形所引起的特性变动。
在此，在气体传感器1中，多个外部连接端子40相对于光电转换元件10而言配置在实质上一方向的区域即可。具体地说，多个外部连接端子40配置为，在俯视时连结任意两个外部连接端子40的线上不存在发光元件11和光接收元件12即可。
图8是例示出多个外部连接端子40相对于光电转换元件10而言配置在实质上一方向的区域的状态的图。与图1相比，在发光元件11的x轴负方向也配置有外部连接端子40，在光接收元件12的x轴正方向也配置有外部连接端子40。也就是说，多个外部连接端子40相对于发光元件11而言位于在俯视时的y轴负方向和x轴负方向的位置。此外，多个外部连接端子40相对于光接收元件12而言位于在俯视时的y轴正方向和x轴正方向的位置。但是，在连结多个外部连接端子40的任意两个外部连接端子40的线上，不存在发光元件11和光接收元件12。图8的虚拟线d是这样的连结两个外部连接端子40的线的例子。因而，即使是如图8所示那样的多个外部连接端子40的配置，也不会产生如图6的上侧图那样的夹着光电转换元件1010并以基板(重布线层1030)翘曲的状态凝固的情况。此外，不会产生如图7的上侧图那样的夹着光电转换元件1010而施加向相反方向拉拽的力的情况。因此，在气体传感器1中，多个外部连接端子40配置为在连结任意两个外部连接端子40的线上不存在发光元件11和光接收元件12，从而能够抑制半导体基板111的变形所引起的特性变动。
此外，在图1和图8的例子中，发光元件11和光接收元件12以在俯视时夹着多个外部连接端子40的方式配置，但不限定于这样的位置关系。例如，也可以是，如图9所示，在俯视时，相对于多个外部连接端子40而言，发光元件11和光接收元件12排列配置在一方向(作为一例为y轴正方向)。此时，能够扩大配置多个外部连接端子40的区域c。此外，在图1和图8的例中，发光元件11和光接收元件12配置为在俯视时相同的朝向(各边为平行)，但也可以是发光元件11和光接收元件12中的一者相对另一者具有角度(旋转)地配置。角度的一例为45°，但不特别限定。
此外，在气体传感器1具备与基板粘接的导光构件15的情况下，由于粘接剂的收缩等，有可能对基板施力。因此，优选的是，粘接面17设为在俯视时连结粘接面17中的任意两点的线上不存在发光元件11和光接收元件12。如图3所示，特别优选的是，粘接面17包含在表面30a的与在背面30b中配置有多个外部连接端子40的区域c相对应的区域。通过这样限制粘接面17，能够进一步提高抑制半导体基板111的变形所引起的特性变动的效果。
如以上所述，对于本实施方式的气体传感器1，根据上述的结构，与以往构造相比，能够抑制半导体基板111的变形所引起的特性变动。
对于本公开的实施方式，基于各附图和实施例进行了说明，但要注意的是，对于本领域技术人员而言，容易基于本公开进行各种变形或修改。因而，要注意的是上述的变形或修改包含在本公开的范围内。例如，在各结构部等所包含的功能等能够以在理论上不矛盾的方式进行再配置，能够将多个结构部等组装为一个，或者进行分割。
Claims (9)
1.一种气体传感器，其中，
该气体传感器包括：
基板；
发光元件，其设于所述基板的一侧的面即表面或埋入所述基板而设置；
光接收元件，其设于所述基板的所述表面或埋入所述基板而设置，接收从所述发光元件射出的光；以及
多个外部连接端子，其位于所述基板的与所述表面相反的面即背面，所述多个外部连接端子的至少一部分外部连接端子与所述发光元件及所述光接收元件电连接，
所述多个外部连接端子配置为，在俯视时连结任意两个外部连接端子的线上不存在所述发光元件和所述光接收元件。
2.根据权利要求1所述的气体传感器，其中，
所述多个外部连接端子相对于所述发光元件和所述光接收元件而言都配置于在俯视时的一方向的区域。
3.根据权利要求1或2所述的气体传感器，其中，
所述发光元件和所述光接收元件的一部分由密封部覆盖。
4.根据权利要求1或2所述的气体传感器，其中，
所述基板包括在所述发光元件和所述光接收元件的电极形成面侧形成的重布线层，
所述发光元件和所述光接收元件借助所述重布线层与所述多个外部连接端子的至少一部分外部连接端子电连接。
5.根据权利要求1或2所述的气体传感器，其中，
该气体传感器包括将从所述发光元件射出的光向所述光接收元件引导的导光构件，
所述导光构件利用所述基板的所述表面的粘接面粘接于所述基板，所述粘接面设为，在俯视时连结所述粘接面中的任意两点的线上不存在所述发光元件和所述光接收元件。
6.根据权利要求5所述的气体传感器，其中，
所述粘接面包含在所述表面的与在所述背面配置有所述多个外部连接端子的区域相对应的区域。
7.根据权利要求1或2所述的气体传感器，其中，
该气体传感器包括在所述发光元件的射出面或所述光接收元件的光接收面设置的光学滤波器。
8.根据权利要求1或2所述的气体传感器，其中，
所述多个外部连接端子是LGA或BGA。
9.根据权利要求1或2所述的气体传感器，其中，
所述发光元件和所述光接收元件埋入于所述基板，所述发光元件和所述光接收元件的与电极形成面相反的那侧的面自所述基板暴露。
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