JPH0738290A - 半導体実装装置 - Google Patents

半導体実装装置

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JPH0738290A
JPH0738290A JP5155861A JP15586193A JPH0738290A JP H0738290 A JPH0738290 A JP H0738290A JP 5155861 A JP5155861 A JP 5155861A JP 15586193 A JP15586193 A JP 15586193A JP H0738290 A JPH0738290 A JP H0738290A
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substrate
insulating substrate
terminals
connection plug
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 表面および裏面にそれぞれ複数個の半導体装
置が接合され、これらの半導体装置の外部端子と上記接
栓端子との間を接続するための配線パターンが、上記絶
縁基板の表面および裏面もしくは基板内部に形成されて
なる絶縁基板の表裏に設けられる接栓端子を、互いに電
気的に絶縁された別個の接栓端子となるように形成する
ようにした。 【効果】 従来と同一の大きさの絶縁基板にピッチを変
えることなく2倍の数の接栓端子を設けることができ
る。あるいは、接栓端子の数が同一ならば絶縁基板の大
きさをおよそ半分にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、IC実装技術さらには
に接栓端子列を有する半導体実装絶縁基板に適用して特
に有効な技術に関し、例えば複数個のメモリICを高密
度に搭載したソケット実装タイプのメモリモジュールに
利用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、一辺に接栓端子列を有する絶縁基
板上に複数個のメモリICを高密度に実装してなるメモ
リモジュールが、ノートパソコン等の小型電子機器向け
に開発されている。従来のメモリモジュールにおける接
栓端子列は、実装用絶縁基板10の表裏に銅めっきを施
した後、エッチングにより図8に示すように、基板の一
辺に沿って同一形状の接栓端子11a,11b………お
よび11a’,11b’………を基板表裏にそれぞれ形
成し、各接栓端子11の基端部と基板を貫通するように
ドリルで穴あけを行なってスルーホール15を形成し、
各接栓端子11の表面から上記スルーホール15の内面
にかけて銅めっきを施すことで、基板表裏の対応する接
栓端子11間を電気的に接続した構造とされていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。すなわち、従来のソケット実
装タイプのメモリモジュールでは、実装用絶縁基板に設
けられる接栓端子のピッチが2.54mmあるいは1.
27mmで標準化されていたため、ある大きさの基板に
設けることができる接栓端子の数に制約があった。ま
た、必要な接栓端子数を確保しようとすると、基板の外
形寸法が接栓端子数によって律速されてしまう。さら
に、従来のメモリモジュールは、実装されるメモリのリ
ード端子が内側に折曲されたSOJ(スモール・アウト
ライン・Jベンド)構造のパッケージであったため、基
板に実装したときのメモリの高さが高くなる。そのた
め、メモリモジュールの小型化が図りにくい等の問題点
があった。
【0004】本発明の目的は、従来と同一の大きさの絶
縁基板にピッチを変えることなく2倍の数の接栓端子を
設けることができるような構造の基板を用いたモジュー
ルを提供する。あるいは、接栓端子の数が同一ならば絶
縁基板の大きさをおよそ半分にすることができるような
基板構造およびそのような構造の基板を用いたモジュー
ルを提供することにある。本発明の他の目的は、絶縁基
板に実装された状態でのICの高さを低くしてモジュー
ルの小型化を図ることが可能な実装基板またはそのよう
な構造の基板を用いたモジュールを提供することにあ
る。この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特
徴については、本明細書の記述および添附図面から明ら
かになるであろう。
【0005】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。すなわち、絶縁基板の表裏に設けられる接
栓端子を、互いに電気的に絶縁された別個の接栓端子と
なるように形成するようにしたものである。また、絶縁
基板の材料として低熱膨張率の材料を使用するととも
に、TSOP(薄型スモール・アウトライン・パッケー
ジ)構造のICを実装させるようにした。
【0006】
【作用】上記した手段によれば、従来と同一の大きさの
絶縁基板にピッチを変えることなく2倍の数の接栓端子
を設けることができ、あるいは、接栓端子の数が同一な
らば絶縁基板の大きさをおよそ半分にすることができ
る。また、絶縁基板の材料として低熱膨張率の材料を使
用したため、リード端子が外側に拡がるように折曲され
たTSOP(薄型スモール・アウトライン・パッケー
ジ)構造のICをはんだ接続信頼性を低下させることな
く実装することができるようになり、これによって基板
に実装された状態でのICの高さを低くしてモジュール
の小型化を図ることができる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を図面に基づい
て説明する。図1〜図3には、本発明を適用したメモリ
モジュールの一実施例が示されている。この実施例のメ
モリモジュールは、絶縁基板10の表面と裏面にそれぞ
れ8個のメモリIC20と1個のドライバIC30が搭
載されており、上記絶縁基板10の表裏には基板の一辺
に沿って同一形状の接栓端子11a,11b,11c…
……が、等ピッチPでそれぞれ形成されている。絶縁基
板10の表側の接栓端子11a,11b,11c………
と、裏側の接栓端子11a’,11b’,11c’……
…とは、互いに電気的に絶縁されている。しかもこの実
施例では、特に制限されないが、絶縁基板10の表側の
接栓端子11a,11b,11c………と、裏側の接栓
端子11a’,11b’,11c’………とは、図2に
示すごとく、互いに位置が半ピッチP/2だけずれるよ
うに形成されている。
【0008】上記絶縁基板10は、それぞれ表面に導電
層からなる配線パターンが形成されてなる複数(例えば
6枚)の絶縁性基板が積層された多層構造とされてい
る。また、この実施例では、上記絶縁基板10の材料と
してFR−5と呼ばれる熱膨張率が10ppm程度の高
TG材料(軟化温度の高いガラス)が使用されている。
これによって、TSOP(薄型スモール・アウトライン
・パッケージ)構造のメモリIC20が実装可能にされ
る。すなわち、従来一般的に使用されていたFR−4と
呼ばれるガラスエポキシ等からなる基板にあっては、熱
膨張率が16ppm程度であるため、はんだ接合部の熱
膨張率が5ppm程度であるTSOP(薄型スモール・
アウトライン・パッケージ)構造のメモリICを使用す
ると、熱サイクル等によりはんだ接合部が剥がれたりす
るおそれがあるため、はんだ接合部の熱膨張率が10p
pm程度であるSOJ構造のメモリICを実装せざるを
得なかった。
【0009】しかるに、本実施例では、基板10の材料
として熱膨張率が10ppm程度の高TG材料を使用し
ているため、リード端子が外側に拡がるように折曲され
た熱膨張率が5ppm程度のTSOP(薄型スモール・
アウトライン・パッケージ)構造のメモリICを使用す
ることができるようになった。その結果、基板に実装さ
れた状態でのICの高さが低くなって、モジュールが小
型化できるようになった。
【0010】さらに、この実施例では、絶縁基板10の
所定の位置に、互いにリード端子が逆方向に曲げられた
メモリIC20がはんだ付けされている。すなわち、絶
縁基板10の表側に実装されたメモリIC20は、図3
に示すように、リード端子21がICの腹の側に向かっ
て曲げられており、絶縁基板10の裏側に実装されたメ
モリIC20’はリード端子21’がICの背の側に向
かって曲げられている。これによって、表面のICと裏
面のICの信号端子が同一位置に来るようになるので、
基板10の表面に形成すべき配線パターンの共用化が可
能になるとともに、最短距離の配線形成が容易となる。
そのため、配線パターンの設計が容易となるとともに、
配線同士の交差箇所を減らすことができ、配線が簡素化
されてモジュールの特性および品質が向上する。
【0011】上記絶縁基板10の接栓端子11が形成さ
れた辺とこれに直交する2辺には、図1に示すように、
それぞれノッチ12a,12bおよび13a,13bが
形成されている。このうち接栓端子が形成された辺上の
ノッチ12aと12bは、誤挿入を防止するためのメカ
ニカルキーイン用のノッチ(凹部)とされ、13a,1
3bは抜け止め用のノッチとされる。すなわち、この実
施例の絶縁基板10は、図4に示されているようなソケ
ット40に装着される適した構造とされている。
【0012】次に、ソケット40の一実施例について説
明する。絶縁基板10が装着されるソケット40は、前
記接栓端子11a,11b,11c………および11
a,11b,11c………と11a’,11b’,11
c’………の数に対応した端子ピン41a,41b,4
1c………を外側に有し、内側には上記ノッチ12a,
12bに対応した位置にそれぞれ上記ノッチと係合可能
な突起42a,42bを有している。
【0013】また、上記各端子ピン41a,41b,4
1c………には、図5に示すように、上記各接栓端子1
1と接触可能な弾性片からなるリード43がそれぞれ一
体に形成されており、それらがソケットのハウジング4
4内に接栓端子のピッチPの半分のピッチP/2で保持
されている。各リード43は互いに離間されているとと
もに、リード43は、図5に実線Aで示されているよう
なやや下向きのリードと二点鎖線Bで示されているよう
なやや上向きのリードとが交互に配置されることによ
り、互いに基板10の厚みとより少し狭い間隔をおいて
向き合う係合部を構成している。絶縁基板10は、矢印
C方向から接栓端子部を上記リード43により構成され
る係合部に挿入し、矢印D方向へ回動させることにより
装着される。
【0014】ソケット40の両端には、図4に示すよう
に、先端部にそれぞれ突起47a,47bを有する一対
の保持アーム45a,45bがピン46a,46bを支
点として回転自在に取り付けられており、上記リード4
3に上記絶縁基板10を装着した後に、上記保持アーム
45a,45bを内側に回動させ、基板10の側面のノ
ッチ13a,13bに突起47a,47bを係合させる
ことで、基板の抜け止めを行なえるようになっている。
さらに、保持アーム45a,45bには内側に向けて作
動片48a,48bが形成されており、上記ピン46
a,46bを支点としてそれぞれ外側へ回動させたと
き、上記作動片48a,48bが装着されている基板1
0を押し出して離脱させるように構成されている。これ
によって、端子密度が増大し取外しが困難になった基板
10とソケット40との結合を、保持アーム45a,4
5bの操作によるてこの原理で簡単に外すことができる
ようになる。
【0015】さらに、この実施例の絶縁基板10には、
基板識別用のPD端子17a,17b,17c,17d
と、ジャンパーチップ接続端子18a,18b,18
c,18dと、グランド端子(もしくはVcc端子)1
9a,19b,19c,19dが基板表面に、また上記
PD端子17a,17b,17c,17dをジャンパー
チップ接続端子18a,18b,18c,18dに接続
するための配線パターン50が、図1に破線で示すよう
に、内部配線層に設けられており、上記PD端子17
a,17b,17c,17dおよびグランド端子(もし
くはVcc端子)19a,19b,19c,19d間
に、それらを短絡するための導電体(0Ωの抵抗)を有
するジャンパーチップ50a,50c………が選択的に
接続されるようになっている。ジャンパーチップ50
a,50c………は、仕様の異なるモジュールを識別す
るためのコードを発生するために使用される。
【0016】すなわち、図6に示すように、ジャンパー
チップ50a,50cが接続されたPD端子17a,1
7cはグランド電位(もしくはVcc電位)に固定さ
れ、ジャンパーチップが接続されないPD端子17b,
17dはNC端子(ノオ・コネクション端子)となるた
め、これらのPD端子17a〜17dの状態をマイクロ
プロセッサが読み込むことでどのような仕様のモジュー
ルであるか、つまりモジュールの記憶容量や電気的特性
を例えば自己の保有するテーブル(メモリ)を参照する
ことで知ることができる。上記PD端子が4個あれば1
6種類、n個あれば2のn乗種類のモジュールを識別す
ることができる。
【0017】図7には、上記メモリモジュールのブロッ
ク構成例を示す。この実施例のモジュールは、16個の
ダイナミックRAM D0〜D15(メモリIC20)
と、ドライバB0〜B26とにより構成されている。上
記ドライバB0〜B26は、半数ずつそれぞれ一つの半
導体チップ上に形成されてIC化され、基板10上に実
装される(図1のIC30)。上記ドライバB0〜B2
6は、複数のダイナミックRAMに共通の信号(OE,
WE,CAS等)を各チップに伝達するのに使用され
る。
【0018】このように、ドライバがモジュール側に設
けられていることにより、これを駆動するCPUの側の
ドライバが不要となり、ユーザーはモジュールの種類ご
とにドライバを設計する必要がなくなる。すなわち、仮
にモジュール側にドライバがないとすると、使用するモ
ジュールが変わるとそれを駆動するのに必要な駆動力も
変わるので、いちいち最適なドライバを設計し直す必要
があるが、上記実施例ではドライバがモジュール側に設
けられているため、CPUの側のドライバが不要とな
る。
【0019】以上説明したように上記実施例は、絶縁基
板の表裏に設けられる接栓端子を、互いに電気的に絶縁
された別個の接栓端子となるように形成するようにした
ので、従来と同一の大きさの絶縁基板にピッチを変える
ことなく2倍の数の接栓端子を設けることができる。あ
るいは、接栓端子の数が同一ならば絶縁基板の大きさを
およそ半分にすることができるという効果がある。さら
に、絶縁基板の材料として低熱膨張率の材料を使用する
とともに、TSOP(薄型スモール・アウトライン・パ
ッケージ)構造のICとして実装させるようにしたの
で、SOJ構造のICに比べて絶縁基板に実装された状
態でのICの高さを低くなってモジュールが小型化され
るという効果がある。
【0020】また、絶縁基板の表面側の接栓端子列と、
裏面側の接栓端子列とを互いに半ピッチ分ずらして形成
するようにしたので、それぞれの接栓端子列と接触する
リード(コネクタ)を有するソケットを作りやすくなる
という効果がある。さらに、絶縁基板の接栓端子列側の
端面にノッチを設け、ソケットの対応する位置には上記
ノッチに係合可能な突起を設けるようにしたので、誤っ
た基板(モジュール)に挿入されてシステムが誤動作し
たり、モジュール内のICが破損されるのを防止するこ
とができる。また、絶縁基板の接栓端子列の一部に、複
数の基板識別用端子(PD端子)を設けるとともに、こ
れらの端子と電源端子間を選択的に短絡させるためのジ
ャンパーチップを実装可能な接続端子を設けるようにし
たので、異なる仕様の複数種のモジュールに対して基板
の標準化を可能とし、トータルコストを低減することが
できるようになる。
【0021】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば上記
実施例では、絶縁基板の表面および裏面にそれぞれ複数
のメモリICが実装されているが、複数のICが絶縁基
板の表面または裏面の一方にのみ実装されたものであっ
てもよい。以上の説明では主として本発明者によってな
された発明をその背景となった利用分野であるメモリモ
ジュールに適用した場合について説明したがこの発明は
それに限定されるものでなく、メモリカードその他一枚
の絶縁基板上に複数のICが実装された半導体実装基板
に広く利用することができる。
【0022】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。すなわち、ICが実装される絶縁基板
に、ピッチを変えることなく従来の2倍の数の接栓端子
を設けることができ、あるいは、接栓端子の数が同一な
らば絶縁基板の大きさをおよそ半分にすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用したメモリモジュールの一実施例
を示す平面図である。
【図2】図1のメモリモジュールの接栓端子部の拡大説
明図である。
【図3】図1のメモリモジュールのIC実装状態を示す
拡大説明図である。
【図4】図1のメモリモジュールが装着されるソケット
の一実施例を示す側面図である。
【図5】図3のソケットの構造を示す拡大断面図であ
る。
【図6】PD端子とジャンパーチップとの関係を示す等
化回路図である。
【図7】図1のメモリモジュールの構成例を示すブロッ
ク図である。
【図8】従来のメモリモジュールの接栓端子部の拡大説
明図である。
【符号の説明】
10 絶縁基板 11a,11b,11c 接栓端子 12a,12b メカニカルキーイン用のノッ
チ 13a,13b 抜け止め用のノッチ 17a〜17d PD端子 20 メモリIC 30 ドライバIC 40 ソケット 50a,50c ジャンパーチップ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板の表面および裏面の一辺に沿っ
    てそれぞれ複数の接栓端子が互いに電気的に絶縁された
    状態で形成されているとともに、その表面および裏面に
    はそれぞれ複数個の半導体装置が接合され、これらの半
    導体装置の外部端子と上記接栓端子との間を接続するた
    めの配線パターンが、上記絶縁基板の表面および裏面も
    しくは基板内部に形成されてなることを特徴とする半導
    体実装装置。
  2. 【請求項2】 上記絶縁基板は低熱膨張率の材料により
    構成されているとともに、その表面の所定位置には、T
    SOP(薄型スモール・アウトライン・パッケージ)構
    造の半導体装置がそれぞれはんだ付けされていることを
    特徴とする請求項1記載の半導体実装装置。
  3. 【請求項3】 上記絶縁基板の接栓端子列側の端面に、
    1または2以上のメカニカルキーイン用凹部が形成され
    ていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体
    実装装置。
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