JP2008541293A - メモリモジュールシステム及び方法 - Google Patents

Abstract

剛性屈曲アセンブリの２つの２次基板若しくはカード又は剛性部が集積回路（ＩＣ）に取り付けられている回路モジュールを提供する。２次基板は可撓性サーキットリーを備える。可撓性サーキットリーの１側にはエッジコネクタへの接続に適した接点が備えられている。可撓性サーキットリーは、好ましくは金属製である基板のエッジの周囲を包み、２つの２次基板のうちの１方を主基板の第１側面に配設し、２次基板の他方を主基板の第２側面に配設する。

Description

発明の分野

本発明は高密度回路モジュールを創成するためのシステムと方法に関する。

よく知られているＤＩＭＭ（デュアル・インラインメモリモジュール）ボードは、メモリを拡張するのに長年様々な形状で使用されている。典型的なＤＩＭＭは、メモリ素子を備え両側面にデジタル論理素子を支持する従来のＰＣＢ（プリント回路基板）を含んでいる。ＤＩＭＭは、その端子支持インタフェースエッジをエッジコネクタソケットに挿入することによって、ホストコンピュータシステムに通常取り付けられる。ＤＩＭＭを使うシステムは、そういった素子のために限定的なスペースを与え、従来のＤＩＭＭベースのソリューションは、通常、単に適度の量のメモリ拡張を供給する。

ダイサイズが増大するのに従って、従来のＤＩＭＭに対して有効な限定的な表面積は、従来のＤＩＭＭテクニックに従って作られたメモリ拡張モジュールに乗せることができる素子の数を制限する。さらに、バス速度が増大するのに従って、１チャンネルあたりでより少ない素子がＤＩＭＭベースのソリューションで信頼性を持ってアドレス指定される。例えば、１チャンネルあたり２８８のＩＣ又は素子は、バッファ無しＤＩＭＭに対してＳＤＲＡＭ−１００バスプロトコルを使用してアドレス指定されるだろう。ＤＤＲ−２００バスプロトコルを使用して、１チャンネルあたりおよそ１４４の素子がアドレス指定されるだろう。ＤＤＲ２−４００バスプロトコルでは、１チャンネルあたり単に７２個の素子がアドレス指定されるだろう。この制約は、１チャンネルあたり２８８個の素子がアドレス指定されるバッファ付きＣ／Ａとデータを備える完全にバッファリングされるＤＩＭＭ（ＦＢ ＤＩＭＭ）の開発に導いた。ＦＢ−ＤＩＭＭに関しては、容量が増大しただけではなく、ピン数が以前に必要であった２４０ピンからおよそ６９本の信号ピンに減った。

ＦＢ−ＤＩＭＭ回路ソリューションは、１ギガビットＤＲＡＭを使用して、６チャンネルで、１チャンネルあたり８個のＤＩＭＭ、１ＤＩＭＭあたり２列で、最大およそ１９２ギガバイトの実用的なマザーボード記憶容量を提供すると予想される。このソリューションは、また、次世代技術に適合できるべきであり、重要な下位互換を示すべきである。

しかしながら、この改良は、何らかの費用をもたらして、結局、自己制限的になる。ＦＢ−ＤＩＭＭを採用するシステムの基本的な原理は、非バッファＤＩＭＭアドレス指定を決めるパラレル分岐インタフェースよりむしろ二地点間（ポイントツーポイント）又はシリアルアドレス指定手法に依存する。すなわち、１つのＤＩＭＭは、メモリコントローラと二地点間関係にあり、各ＤＩＭＭは隣接ＤＩＭＭと二地点間関係にある。従って、バス速度が増大するのに従って、制御装置から「最後」のＤＩＭＭまでのポイントツーポイント接続の連鎖によって引き起こされる不連続が速度増加として事実上拡大されるので、バス上のＤＩＭＭ数は少なくなる。

ＤＩＭＭと同様のモジュールの容量を改善するさまざまなテクニックとシステムが知られている。例えば、複数のダイを単一のＩＣパッケージで包むことである。そして、ＤＩＭＭモジュールはそのようなマルチダイ素子を備えるでだろう。しかしながら、マルチダイ製造とテストは複雑であり、マルチダイパッケージでは、わずかなメモリと、他の回路設計が有用である。

他ではＤＩＭＭ容量を増大させるのにドーターカードを使用したが、より良い構造方略と数の少ない素子がそのようなモジュールを改良し、その生産費を向上させるだろう。完全にバッファリングされているか否かに関係なく、ＤＩＭＭの容量を増大させるより効率的な方法はコンピュータシステムに価値を見いだす。

２つの２次基板若しくはカード又は剛性の屈曲アセンブリに集積回路（ＩＣ）を備える回路モジュールが提供される。剛性の屈曲アセンブリの２次基板か剛性部が屈曲サーキットリーの可撓部に連結される。屈曲サーキットリーの１側にはエッジコネクタへの接続のための端子が設けられている。屈曲サーキットリーは、望ましくは金属製の主基板のエッジの周囲を包み、２つの２次基板の一方を主基板の第１側面上に配設し、他方の２次基板を主基板の第２側面上に配設する。

図１は本発明の好適実施の形態に従って工夫されたモジュール１０を示す。主基板１４の各側面に２次基板２１が配設され、その上に更にＩＣ１８が載せられている。図示の例では、ＩＣ１８はチップスケールパッケージメモリ素子である。屈曲回路１２の一部が主基板１４の下エッジに沿って示されている。複数の拡張又はエッジコネクタモジュール端子２０が屈曲回路１２の側面８に沿って配設されており、好適な実施の形態では、拡張又はエッジコネクタモジュール端子２０はモジュール１０の両側面に設けられるが、いくつかの実施の形態では、エッジコネクタ又はモジュール端子２０のモジュール１０の片面だけに存在する。主基板１４は、ＰＣＢ素材かＦ４ボード、例えば（あるいは、好適実施の形態では）、例えば、より効果的な熱管理を容認するために例えば、金属合金、合成物、銅又はアルミニウムなどの金属材料である。

この開示の目的に関して、用語「チップスケール」又は「ＣＳＰ」は、１つ以上のダイにパッケージ又はダイの主要面を横切るように分布された端子（例えば、しばしば「バンプ（隆起）」又は「ボール」と呼ばれる）を介して接続されるアレイパッケージ機能のいかなる集積回路のことをいう。ＣＳＰは、例えば、ＴＳＯＰのようなパッケージの周辺の少なくとも１つの側部から出たリード線を介してパッケージ内で集積回路に接続されるリード線付き素子を含まない。

本発明の実施の形態は、パッケージされた形態又は非パッケージ形態の両方においてリード線付き素子又はＣＳＰその他の素子に使われる。但し、用語ＣＳＰが使用されているところでは、ＣＳＰのための上の定義が採用される。従って、ＣＳＰはリード線付き素子を除くが、ＣＳＰというとき、それは、メモリだけに制限されることなく、また、ダイサイズであれ、あるいは、フリップチップと同様にＢＧＡやミクロＢＧＡといった他のサイズであれ、多様なアレイ素子を含むことが広く解釈されている。当業者は、この開示を参照した後に、本発明のいくつかの実施の形態が図においてＩＣ１８で示されるところに配設されるＩＣのスタックを使うために工夫されることを理解できるであろう。

単一のＩＣ１８として描かれているパッケージにマルチプル集積回路ダイを含むことができるでだろう。この実施の形態では、メモリＩＣは、発明に従って、拡張メモリボード又はモジュールを供給するのに使用される。しかしながら、他の様々な実施の形態は多様な集積回路と他の構成要素を使うことができるであろう。そのような多様な要素は、非限定的例としてリストアップされるマイクロプロセッサ、ＦＰＧＡ、ＲＦトランシーバサーキットリー、及びデジタル論理回路を含み、あるいは、エンハンスト高密度回路ボードかモジュール能力から利益を得る他の回路かシステムを含むことができる。その結果、図示のマルチプルＩＣ１８の例は、例えば、メモリなどの第１主機能又は第１タイプの素子とされうるし、図示の回路１９などの他のデバイスは、例えば、信号バッファなど（その１例はモジュールのための完全にバッファリングされたサーキットリーデザインにおけるアドバンスドメモリバッファ（「ＡＭＢ」）である）の第２主機能又は第２タイプの素子とされうる。ＩＣ１９はまた、例えば、モジュール１０の熱蓄積又は温度の決定に使われる１つ以上の信号を作り出す熱センサとされうる。集積回路１９はまた、例えば、図形処理のためのグラフィックプロッサであるだろう。回路１９が熱センサであるとき、モジュール１０の熱状態をより正確に探知できるようにモジュール１０の主基板１４と相対的な２次基板２１の内面に取り付けられるであろう。図１と２に示す回路１９は、単に例示的に示され、正確なスケールで示されていないことが理解されるべきである。

図２は第１主機能のＩＣ１８群を備える２次基板２１の例を示す。図示のように、いくつかの実施の形態はＣＳＰ群をそれぞれ備える第１及び第２の２次基板として構成される。２次基板２１はさまざまな素材から作られうるが、一般にはＰＣＢ素材で作られ、あるいは、発明にしたがって当技術分野で知られる他の材料で作られる。２次基板２１は、例えば、ＩＣ１８、ＩＣ１９、及び他のサーキットリー（例えばレジスタやＰＬＬなど）を取り付けための領域を供給する全体的には剛性の屈曲構造の剛性部と、主基板１４を通過する又は主基板１４に取り付けられた屈曲エッジコネクタに達する可撓部を備えることができる。２次基板２１が屈曲回路１２から離散的であり（但し、それに接続されている）とき、ＩＣ１８、ＩＣ１９、及び他のサポートサーキットリー間の接続ネットワークは、例えば、図２に図示するような屈曲エッジコネクタ２３に電気的にアクセス可能である。２次基板２１は、１面又は両面にＩＣ１８の単列又は代替的にＩＣの１以上の列を備えることができる。

図３は、本発明の好適実施の形態によるモジュールの構成に使用される好適屈曲回路１２（単に「フレックス」、又は、「屈曲サーキットリー」、「可撓性回路」、「可撓性サーキットリー」という）の側面８を示す。可撓性サーキットリーは可撓性回路を横切る実質的に連続し被制御のインピーダンス回路を維持する。これは、カードエッジコネクタパッドから剛性ＰＣＢを通ってＩＣの面取付パッドまで通り又はそこを経由する回路を提供する先行技術テクニックと対照的である。これは、信号が回路のコネクタの一部であるワイヤかバスバーを通るときにインピーダンス不連続をもたらす。

屈曲回路１２は望ましくは、図７に関してさらに詳細に説明されるように１つ以上の可撓性基板層によって支持される１つ以上の導電層から作られる。屈曲又は可撓性回路１２を全体として可撓性にすることとしても良く、又は、当業者が認めるように、必要な形又は曲がりを容認するためにある領域でフレキシブル（可撓性）に、かつ、２次基板２１の平面的取付面を提供するために他の領域で剛性とすることができる。剛性屈曲が採用される場合、それは、２次基板と屈曲サーキットリーを含んでいると考えられるべきであり、かつ、屈曲サーキットリーと２次基板の両方を結合する単一基準として図８に関してここに特定される。

図３は屈曲回路１２の第１側面（外側側面）８を示す。屈曲回路１２は、線「Ｌ」の横に２列（ＣＲ１とＣＲ２）のモジュール端子２０を持っている。線Ｌは図示では屈曲回路１２の中線であるが、必ずしもその必要はない。端子２０は、好適実施の形態ではエッジコネクタなどの回路ボードソケットに挿入できるようにされている。屈曲回路１２が主基板１４のエッジ１６Ａの周りに折り重ねられるとき、図１に示す側面８はモジュール１０の外側に示される。屈曲回路１２の反対側の側面は、例えば、図４の折り重ね構成における内側にある。それは図示省略されているが、当業者は、屈曲回路１２の反対側の側部を説明することもなく、屈曲サーキットリー１２の両側面構成を理解できる。屈曲回路１２の他方の側部（第２側部）は、モジュール１０のいくつかの図示の構成において内側に位置し、したがって、屈曲回路１２の第２側面の方が側面８よりも、基板１４（この回りに屈曲回路１２が配設される）により近くにある。他の実施の形態では、１つ以上の列に並べられた他の数の接点を有することができ、あるいは、１列だけの接点であって、線Ｌの両側に配列されるのではなく、線Ｌの片側だけ又はフレックスのエッジの近くに位置するものとすることができる。屈曲エッジコネクタ２５は図３において屈曲回路１２と共に示される。図示の実施の形態では、２５Ａで示す屈曲エッジコネクタは第１の２次基板２１Ａに繋がり、かつ、該２次基板に位置する回路（（ＩＣ１８、１９等）に屈曲エッジコネクタ２３Ａを介して繋がり、一方、２５Ｂで示す屈曲エッジコネクタは、エッジコネクタ２３Ｂを介して第２の２次基板２１Ｂに繋がる。この実施の形態の構成は図４にさらに図示される。

他の実施の形態は、形が長方形でなく、正方形である屈曲回路１２を使うことができ（この場合、周囲エッジを等しいサイズとすることができる）、あるいは、当該応用例のための製造上又は仕様上の規定に適応する他の便利な形とすることができる。

図４は本発明の好適実施の形態に従って工夫されたモジュール１０の断面図である。モジュール１０は、上面１８Ｔと底面１８Ｂを有するＩＣ１８を備える。基板、即ち、支持構造１４は、図４において端部として示されている第１及び第２周囲エッジ１６Ａ、１６Ｂを含む。基板か支持構造１４は、通常、第１と第２の側面Ｓ１とＳ２を有する。フレックス１２は、図示の実施の形態では、ＪＥＤＥＣ基準ＭＯ−２５６によって定められるような一般的なＤＩＭＭフォームファクタの基本的な形を提供する基板１４の周囲エッジ１６Ａの周りを包むように又は周りに渡されるようにされる。これにより、屈曲回路１２の第１部分（１２１）を基板１４の側面Ｓ１の基部上に置き、屈曲回路１２の第２部分（１２２）を基板１４の側面Ｓ２の基部上に置く。

図示のモジュール１０は第１の２次基板２１Ａと第２の２次基板２１Ｂを示す。これらの各２次基板はそれぞれ両側面２７、２９（側面２７がモジュール１０に関して内面である）に複数のＩＣ１８を備える。この実施の形態では、それぞれの２次基板に４個の図示のＩＣが対向組として取り付けられているが、これに限定されることなく、より多くのＩＣを例えば、ちどりに、あるいは、オフセット配列にして結合することができる。図４に部分的に示された接着剤３１を用いて、望ましくは金属又は他の熱伝導素材である基板１４への熱エネルギ伝達を改善することができる。屈曲回路１２のモジュール端子２０は屈曲エッジコネクタ２３Ａ、２３Ｂとして図４に示される。

屈曲回路１２モジュール端子２０は、サーキットボードカードエッジコネクタ又は図４に示すマザーボード３５上に取り付けられたエッジコネクタ３３などのソケットにはめ込まれてコネクタの対応する接点（図示省略）に結合される。エッジコネクタ３３は汎用目的コンピュータやノートブックパソコンなどの多様な他のデバイスの一部であっても良い。図示の基板１４とフレックス１２は厚みが異なっていてもよく、図を簡素化するためにスケールアウトして描かれている。図示の基板１４は、屈曲回路１２を基板１４に付けるのに使われる粘着剤と、フレックス１２と共に組み立てられたときに、モジュール端子２０間の測定厚みが係合コネクタ３３の仕様により指定された範囲内に納まるように、適当な厚みを有する。ある他の実施の形態では、当業者が認めるように、屈曲回路１２の周囲エッジ１Ａは包まれる。

図５は例示のモジュール１０の拡大部を示す。モジュール端子２０は主基板１４のエッジ１６Ａの周りを通過する屈曲回路１２の表面からはみ出ているのが示されている。しかしながら、これに限定されるものではなく、他の実施の形態として、フレックス１２の表面レベルよりも低い接点又は面一の接点とすることができる。主基板１４は屈曲回路１２の背後（内面）からモジュール端子２０を支持し、該接点がソケットに挿入されるべく必要な機械的形状を提供する。図示の基板１４は均一な厚みを有するが、これに制限されるものではなく、他の実施の形態では、例えば、より薄いモジュールを提供するために基板１４の厚み又は表面をさまざまな方法で変えることとしても良い。

また、周囲エッジ１６Ａの付近か周囲エッジ１６Ｂの付近では、基板１４の形が一定の先細形と異なっても良い。図示の実施の形態における基板１４は、非限定的例であるが、望ましくは、アルミニウムか銅などのメタルで作られ、あるいは、熱管理がそれほど問題にならない場合、ＦＲ４（難燃タイプ４）エポキシ積層材、ＰＴＦＥ（ポリ四フッ化エチレン）又はプラスチックなどの素材で作られても良い。別の実施の形態では、複合的技術が持つ有利な特徴を両側面に銅層を有するＦＲ４と組み合わせて、熱伝導層又は接地層を提供する身近な素材から作られた基板１４を提供することができる。基板１４はまた、熱管理を助けるためにエッジ１６Ｂに拡張部を持つことができる。

ここに図示及び説明された回路モジュール１０を効率的に組み立てるための１つの有利な方法は以下の通りである。屈曲エッジコネクタ２３を含む第１及び第２の２次基板２１はそれぞれその両側面２７、２９上にＩＣ１８などのサーキットリーを備える。屈曲サーキットリー１２は主基板１４の周りに持って行かれ、２次基板２１Ａ、２１Ｂは、内側ＩＣ１８の上面１８Ｔを主基板１４に粘着させることにより、主基板１４に取り付けられ、そして、屈曲エッジコネクタ２５はそれぞれの屈曲エッジコネクタ２３に係合する。

図６は例示のモジュール１０の一部拡大詳細を示し、モジュール１０の両側面にそれぞれ２列のＩＣ１８を含むものを示す。第１及び第２の２次基板２１Ａ、２１Ｂはそれぞれ、両側面２７、２９上にＩＣ１８を備える。この拡大図はＩＣ１８のＣＳＰコネクタ３７を示す。それぞれ屈曲エッジコネクタ２５Ａ、２５Ｂが屈曲エッジコネクタ２３Ａ、２３Ｂと係合していることが示される。いくつかの代替モジュール１０では扱いにくいが、可撓性サーキットリーを基板１４の上エッジ１６Ｂの上に通し、エッジ１６Ａの周りを通る屈曲回路１２の信号密度を減少させることができることを当業者は理解できるであろう。

図７は本発明の１実施の形態による屈曲回路１２の分解断面図である。図示の屈曲回路１２は、４つの導電層７０１−７０４と７つの絶縁層７０５−７１１を有する。説明された層数は単に１つの好適実施の形態に使用されるものであり、他の層数と、層構成を使用することもできる。いくつかの実施の形態では、単一の導電層屈曲回路１２さえ使われるだろうが、発明のより複雑な実施の形態では、２つ以上の導電層を持つ屈曲回路の方が適応性が高いことが判明した。

望ましくは、上導電層７０１と他の導電層は例えば、銅か合金１１０などの導電性金属で作られている。この構成では、導電層７０１、７０２、及び７０４は、屈曲回路１２を使用して様々な接続をなす信号トレース７１２を表す。これらの導電層はまた、接地、電力供給又は基準電力のための導電層を表す。

この実施の形態では、内側導電層７０２はトレースと、２次基板２１に取り付けた様々な素子であって、これらのトレースが連結される素子を表す。図示のいずれの導電層の機能も他の導電層の機能と交換できる。内側導電層７０３は接地層を表し、これは、仮登録アドレス信号のためのＶＤＤリターンを供給するために分割されうる。内側導電層７０３はさらに他の層とトレースを表しうる。この実施の形態では、底部伝導層７０４の層又は面は、図示のトレースに加えてはＶＲＥＦと接地を供給する。

絶縁層７０５と７１１は、この実施の形態では、例えば、隣接する導電層の上に置かれる誘電体はんだマスク層である。他の実施の形態はそのような粘着性の誘電体層を有しないだろう。望ましくは、絶縁層７０６、７０８、及び７１０はポリイミドで作られた可撓性誘電基板層である。しかしながら、本発明においてはどんな適当な可撓性サーキットリーも使うことができ、図７の描写が屈曲回路１２として使われるより複雑な可撓性回路構造の１例であることが理解されるべきである。

図８は本発明による実施の形態を示す。図８に示す実施の形態では、２次基板２１Ａ，２１Ｂは剛性屈曲アセンブリ１２ＲＦの一部である。屈曲アセンブリ１２ＲＦは２次基板２１Ａ、２１Ｂを含み、これらに対応する可撓部１２ＦＡ、１２ＦＢ（可撓部１２ＦＡ、１２ＦＢは望ましくは１体である）は、基板１４の側部ＳｌとＳ２に最も近い、屈曲アセンブリの第１及び第２の可撓部をそれぞれ示すために別々に識別される。図示のように、望ましくは、可撓部１２ＦＡ、１２ＦＢは、屈曲アセンブリ１２ＲＦが基板１４のエッジ１６Ａの周りにまわされるので１ピースである。当業者が認めるように、単一の屈曲アセンブリを使用することは、とりわけ、単一の屈曲回路が２ピースよりも取り扱いやすいという製造利点を有する。

図９は本発明の実施の形態を示す。本図に示すモジュール１０は２つの部分１２Ａと１２Ｂとして識別される屈曲回路１２を採用しており、部分１２Ａと１２Ｂは、「Ｓ」で示す領域で示されるように屈曲エッジパッドを２次基板にはんだ付けすることによってそれぞれの第１及び第２の２次基板２１Ａと２１Ｂに取り付けられている。屈曲回路１２は基板１４のエッジ１６Ａの周りを通過する。図９に示すように、基板１４から出た拡張部１６Ｔは基板１４の質量及び放射表面積を増大させ、その結果、モジュール１０に熱エネルギーが蓄積することをかなり低減することができる。

図１０は本発明による別の実施の形態を示す。図１０に示すモジュール１０では、２次基板２１はコネクタ４０によって主基板１４のモジュール端子２０に連結されている。

図１１は、図１０に示す実施の形態の主基板１４の側面Ｓ２上のコネクタ４ＯＢの周りの領域の拡大して示すものである。図示のコネクタ４ＯＢは、互いに合って信号の被制御インピーダンス経路を与える第１部分４０１と第２部微分４０２を有する。コネクタ４０などのコネクタはさまざまなタイプかつ構成のものを利用可能で、そのようなコネクタの１提供者はＭｏｌｅｘ（モレックス）である。

図１２は本発明のモジュール１０の代替の実施の形態を示す。本図に示すように、２次基板２１を主基板１４の部分１４Ｂに連結する伝導性ピン４２が使われる。図では、基板１４は領域「Ｃ」で接合される部分１４Ａと部分１４Ｂに分割されている。異種物質の２つの部分を接合するテクニックは当技術分野で知られており、図示の提案例はＣ領域において部分１４Ａと１４Ｂを結合するさねはぎ継手であるが、当業者は、本明細書を理解した後、部分１４Ａと部分１４Ｂ接合して基板１４とするのに多様な技術があることを理解するであろう。部分１４ＢはＦＲ４などのボードからなり、望ましくは、エッジコネクタを挿入するように工夫された端子２０に伝導ピン４２を連結するのに使われる伝導トレースまたは領域を含むことができる。基板１４の部分１４Ａは、例えば、アルミニウム、銅又は銅合金などの金属からなる。モジュール１０は、その熱処理能力を高める拡張部１６Ｔを有するが、特にこの実施の形態では部分１４Ａは金属である。

本発明は、例えば、サーバやノートブックコンピュータなどのコンピュータなどのさまざまな応用例と環境で、マザーボードの拡張スロットに置かれて、より少ないソケット数に対して、メモリ容量を大きくするという利点を持って使われるであろう。２列構成の実施の形態または単一列構成の実施の形態のいずれもこの利点のために使用されうることを当業者は本明細書を理解した後に認識するであろう。

本発明を詳細に説明したが、発明の技術的思想及び範囲から逸脱することなく、さまざまな特定の形態をとり、変形、置換、代替を反映させた多くの実施の形態がなされうることは当業者にとって明らかである。したがって、説明された実施の形態は例示的なものであり、特許請求の範囲を制限するものではない。

本発明の好適実施の形態に従って創作されたモジュールを示す図である。 発明の好適実施の形態で使用できる２次基板を示す図である。 発明の好適実施の形態に従って創作された屈曲回路の第１側を示す図である。 本発明の好適実施の形態に従って創作されたモジュールの断面図である。 図４においてＡで示す領域をクローズアップして示す図である。 図４においてＢで示す領域の拡大図である。 本発明の代替の好適実施の形態で使われる屈曲回路の分解断面図である。 本発明の別の実施の形態を示す図である。 本発明のさらに別の実施の形態を示す図である。 本発明の実施の形態によるモジュールを示す図である。 本発明の代替の実施の形態で使われる例示的コネクタの拡大図である。 ２部分から構成される基板を有するさらに別の実施の形態を示す図である。

Claims (25)

1. 対向する第１及び第２の側面と、エッジを有する剛性の主基板と；
   第１及び第２の２次基板であって、前記第１の２次基板は第１グループのＣＳＰを備え前記剛性の主基板の前記第１側面近く配設され、前記第２の２次基板は第２グループのＣＳＰを備え前記剛性の主基板の前記第１側面近く配設された２次基板と；
   前記第１グループのＣＳＰに接続された第１屈曲エッジコネクタと、前記第２グループのＣＳＰに接続された第２屈曲エッジコネクタと；
   １セットのカードエッジコネクタモジュール端子と第１及び２グループの屈曲エッジ端子を有する可撓性回路であって、前記第１グループの屈曲エッジ端子は前記第１屈曲エッジコネクタに合わされ、前記第２グループの屈曲エッジ端子が前記第２屈曲エッジコネクタと合わされて、前記可撓性回路は前記剛性の主基板の前記エッジの周りに配設されている可撓性回路と；
   を含んで成るメモリモジュール。
2. 請求項１のメモリモジュールであって、前記第１の２次基板は、記憶回路でなくかつ前記第１グループのＣＳＰには含まれない少なくとも１つのＣＳＰを備えるメモリモジュール。
3. 請求項２のメモリモジュールであって、前記第１の２次基板は、記憶回路でなくかつ前記第１グループのＣＳＰには含まれない少なくとも１つのＣＳＰを備えるメモリモジュール。
4. 請求項１のメモリモジュールであって、前記第１及び第２の屈曲エッジコネクタはそれぞれ前記第１及び第２の２次基板に取り付けられているメモリモジュール。
5. 請求項１のメモリモジュールであって、前記第１及び第２の屈曲エッジコネクタは前記剛性の主基板に取り付けられているメモリモジュール。
6. 請求項１のメモリモジュールであって、前記剛性の主基板は金属材料を含んでなるメモリモジュール。
7. カードエッジコネクタに挿入された請求項１のメモリモジュール。
8. コンピュータのマザーボードであって、請求項７のメモリモジュールに接続されたマザーボード。
9. 対向する第１及び第２側面と、エッジを有する剛性の主基板と；
   第１及び第２の剛性部と、可撓部を有する剛性の屈曲アセンブリであって、前記第１の剛性部は第１グループのＣＳＰを備え前記剛性の主基板の前記第１側面近くに配設され、前記第２の剛性部は第２グループのＣＳＰを備え前記剛性の主基板の前記第２側面近くに配設され、前記剛性の屈曲アセンブリの前記可撓部が前記剛性の主基板の前記エッジの周りに配設されている屈曲アセンブリと；
   前記剛性の主基板により支持され前記第１及び第２グループのＣＳＰに接続された１セットのカードエッジコネクタモジュール端子と；
   を含んで成るメモリモジュール。
10. 前記剛性の主基板が金属材料を含む請求項９のメモリモジュール。
11. 請求項９のメモリモジュールであって、前記剛性の屈曲アセンブリは、第１機能を有する前記第１グループのＣＳＰに加えて、第２機能を有する少なくとも１つのＣＳＰを備えるメモリモジュール。
12. カードエッジコネクタに挿入された請求項９のメモリモジュール。
13. コンピュータのマザーボードであって、請求項１２のメモリモジュールに接続されたマザーボード。
14. エッジと、第１及び第２の側面を有する主基板と；
    第１主機能を有する複数のＣＳＰをそれぞれが備える第１及び第２の２次基板であって、前記第１の２次基板は、前記複数の第１のＣＳＰの少なくとも１つを前記主基板へ接着により取り付けることにより前記主基板に取り付けられ、前記第２の２次基板は、前記複数の第１のＣＳＰの少なくとも別の１つを前記主基板へ接着により取り付けることにより前記主基板に取り付けられている２次基板と；
    屈曲エッジコネクタを介して前記第１の２次基板の前記複数の第１のＣＳＰに接続されかつ前記基板の前記エッジの周りに配設された可撓性回路と；
    を含んで成る回路モジュール。
15. 前記接着が熱伝導接着で実現された請求項１４の回路モジュール。
16. カードエッジコネクタに挿入された請求項１４の回路モジュール。
17. コンピュータのマザーボードであって、請求項１６の回路モジュールに接続されたマザーボード。
18. 前記複数の第１のＣＳＰは単一ダイ記憶回路である請求項１４の回路モジュール。
19. 前記主基板が金属材料を含む請求項１４の回路モジュール。
20. 請求項１４の回路モジュールであって、前記２次基板に備えられた前記複数の第１のＣＳＰは、前記２次基板のそれぞれの側面に２列に配列されている回路モジュール。
21. 請求項１４の回路モジュールであって、前記第１の２次基板は第２の主機能を有する少なくとも１つの第２のＣＳＰを備える回路モジュール。
22. 前記第２の主機能が信号バッファリングである請求項２１の回路モジュール。
23. 前記第２主機能が図形処理である請求項２１の回路モジュール。
24. エッジと、第１及び第２の側面を有しかつ第１部分と第２部分を含む基板と；
    第１及び第２の２次基板であって、前記第１の２次基板は前記基板の前記第１の側面に隣接して配設され、前記第２の２次基板は前記基板の前記第２の側面に隣接して配設されている２次基板と；
    ２列の複数のカードエッジコネクタ端子を有する屈曲回路であって、該２列の複数のカードエッジコネクタ端子は屈曲回路の中線に関して対称に配列され、屈曲回路は、屈曲エッジコネクタと合う第１及び第２セットの屈曲エッジ端子をさらに有し、屈曲回路は、前記基板の前記エッジの周りに配設されて前記２列の複数のカードエッジコネクタ端子の第１列を前記基板の前記第１の側面に隣接して配設し、前記２列の複数のカードエッジコネクタ端子の第２列を前記基板の前記第２の側面に隣接して配設した屈曲回路と；
    を含んで成る回路モジュール。
25. 請求項２４の回路モジュールであって、前記基板の前記第１部分はＦＲ４であり、前記基板の前記第２部分が実質上メタルである材料からなる回路モジュール。

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