JPH0737871A - シリコンウエーハのエッチング方法 - Google Patents
シリコンウエーハのエッチング方法Info
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- JPH0737871A JPH0737871A JP20258393A JP20258393A JPH0737871A JP H0737871 A JPH0737871 A JP H0737871A JP 20258393 A JP20258393 A JP 20258393A JP 20258393 A JP20258393 A JP 20258393A JP H0737871 A JPH0737871 A JP H0737871A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 苛性ソーダ水溶液によるシリコンウエーハの
エッチングについて、エッチング速度及びエッチピット
の大きさを制御する方法を提供する。 【構成】 ラッピング後のシリコンウエーハを薬液によ
りエッチングするに際し薬液として、ＮａＯＨ濃度５〜
１０重量％のＮａＯＨ水溶液１００重量部に対しＨ2 Ｏ
2 を０．０１〜０．２重量部の割合で添加したものを用
いる。 【効果】 Ｈ2 Ｏ2 添加量の増大と共にエッチング速度
がほぼ直線的に低下し、かつ、ＮａＯＨ水溶液による場
合に比べてシリコンウエーハ裏面のエッチピットの大き
さが微細化し、白い汚れの発生が抑制される。また、Ｎ
ａＯＨ濃度０．１〜３重量％のＮａＯＨ水溶液１００重
量部に対しＨ2 Ｏ2 を０．０５〜０．１０重量部の割合
で添加したものを用いた場合には、上記効果に加えて、
エッチング速度が向上する効果も得られる。
エッチングについて、エッチング速度及びエッチピット
の大きさを制御する方法を提供する。 【構成】 ラッピング後のシリコンウエーハを薬液によ
りエッチングするに際し薬液として、ＮａＯＨ濃度５〜
１０重量％のＮａＯＨ水溶液１００重量部に対しＨ2 Ｏ
2 を０．０１〜０．２重量部の割合で添加したものを用
いる。 【効果】 Ｈ2 Ｏ2 添加量の増大と共にエッチング速度
がほぼ直線的に低下し、かつ、ＮａＯＨ水溶液による場
合に比べてシリコンウエーハ裏面のエッチピットの大き
さが微細化し、白い汚れの発生が抑制される。また、Ｎ
ａＯＨ濃度０．１〜３重量％のＮａＯＨ水溶液１００重
量部に対しＨ2 Ｏ2 を０．０５〜０．１０重量部の割合
で添加したものを用いた場合には、上記効果に加えて、
エッチング速度が向上する効果も得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ラッピング後のシリコ
ンウエーハを薬液によりエッチングする方法に関する。
ンウエーハを薬液によりエッチングする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造に用いられるシリ
コンウエーハは通常、シリコン単結晶インゴットをスラ
イスして得られたウエーハについて面取り、ラッピン
グ、エッチング、表面の鏡面研磨の順に加工を施すこと
により作製される。エッチングは、ラッピング等の機械
加工により発生したウエーハ表面の歪層を薬液により溶
解除去して平滑な面に仕上げたり、表面の汚れを除去し
て清浄な結晶面を得るために行われるものであり、エッ
チング用の薬液としては例えば混酸（フッ酸・硝酸・酢
酸の混合液）、アルカリ水溶液等が用いられている。こ
れら薬液のうち苛性ソーダ水溶液は、前記混酸に比べて
ウエーハ面がより平坦になるうえ簡便・安価に調製する
ことができるという利点がある。
コンウエーハは通常、シリコン単結晶インゴットをスラ
イスして得られたウエーハについて面取り、ラッピン
グ、エッチング、表面の鏡面研磨の順に加工を施すこと
により作製される。エッチングは、ラッピング等の機械
加工により発生したウエーハ表面の歪層を薬液により溶
解除去して平滑な面に仕上げたり、表面の汚れを除去し
て清浄な結晶面を得るために行われるものであり、エッ
チング用の薬液としては例えば混酸（フッ酸・硝酸・酢
酸の混合液）、アルカリ水溶液等が用いられている。こ
れら薬液のうち苛性ソーダ水溶液は、前記混酸に比べて
ウエーハ面がより平坦になるうえ簡便・安価に調製する
ことができるという利点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、苛性ソ
ーダ水溶液によりシリコンウエーハをエッチングした場
合、以下のような問題があった。 基本的にはエッチング速度が前記混酸の場合に比べ
て小さいために、エッチング加工の生産性が良くない。 苛性ソーダ水溶液によりシリコンウエーハをエッチ
ングした場合、異方性エッチングによる四角いエッチピ
ットが形成される。このエッチピットの大きさはＮａＯ
Ｈ濃度に依存し、ＮａＯＨ濃度が低いと数十μｍの大き
さのエッチピットが形成される。このエッチピットの大
きさを小さく制御するためには、非常に高濃度の溶液を
用いる必要がある。 低濃度の苛性ソーダ水溶液によりシリコンウエーハ
をエッチングした場合、部分的に白い汚れ状の模様が発
生する。これらの白い汚れは、上記数十μｍの大きさの
エッチピットの中に、更に別の微小なエッチピットが発
生することによるものである。 エッチング速度はＮａＯＨ濃度と温度で決まるた
め、エッチング速度を高めるためには、その温度とＮａ
ＯＨ濃度をある値までは高くする必要がある（図１２参
照）。 上記〜の問題を解決するためには、高濃度の苛
性ソーダ水溶液を高温で用いる必要があり、危険性が高
く、安全対策等のために装置が高価になる。
ーダ水溶液によりシリコンウエーハをエッチングした場
合、以下のような問題があった。 基本的にはエッチング速度が前記混酸の場合に比べ
て小さいために、エッチング加工の生産性が良くない。 苛性ソーダ水溶液によりシリコンウエーハをエッチ
ングした場合、異方性エッチングによる四角いエッチピ
ットが形成される。このエッチピットの大きさはＮａＯ
Ｈ濃度に依存し、ＮａＯＨ濃度が低いと数十μｍの大き
さのエッチピットが形成される。このエッチピットの大
きさを小さく制御するためには、非常に高濃度の溶液を
用いる必要がある。 低濃度の苛性ソーダ水溶液によりシリコンウエーハ
をエッチングした場合、部分的に白い汚れ状の模様が発
生する。これらの白い汚れは、上記数十μｍの大きさの
エッチピットの中に、更に別の微小なエッチピットが発
生することによるものである。 エッチング速度はＮａＯＨ濃度と温度で決まるた
め、エッチング速度を高めるためには、その温度とＮａ
ＯＨ濃度をある値までは高くする必要がある（図１２参
照）。 上記〜の問題を解決するためには、高濃度の苛
性ソーダ水溶液を高温で用いる必要があり、危険性が高
く、安全対策等のために装置が高価になる。
【０００４】本発明は、エッチング用の薬液として、２
５重量％以下の低濃度のＮａＯＨ水溶液に過酸化水素を
微量添加したものを用いることによって、ＮａＯＨ水溶
液によるエッチングに伴う上記問題点を解決したもので
ある。
５重量％以下の低濃度のＮａＯＨ水溶液に過酸化水素を
微量添加したものを用いることによって、ＮａＯＨ水溶
液によるエッチングに伴う上記問題点を解決したもので
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のシリコ
ンウエーハのエッチング方法は、ラッピング後のシリコ
ンウエーハを薬液によりエッチングする方法において、
薬液として、苛性ソーダ濃度０．１〜２５重量％の苛性
ソーダ水溶液１００重量部に対し、過酸化水素を０．０
１〜０．２重量部の割合で添加したものを用いることを
特徴とする。
ンウエーハのエッチング方法は、ラッピング後のシリコ
ンウエーハを薬液によりエッチングする方法において、
薬液として、苛性ソーダ濃度０．１〜２５重量％の苛性
ソーダ水溶液１００重量部に対し、過酸化水素を０．０
１〜０．２重量部の割合で添加したものを用いることを
特徴とする。
【０００６】請求項２に記載のシリコンウエーハのエッ
チング方法は、ラッピング後のシリコンウエーハを薬液
によりエッチングする方法において、薬液として、苛性
ソーダ濃度０．１〜１０重量％の苛性ソーダ水溶液１０
０重量部に対し、過酸化水素を０．０１〜０．２重量部
の割合で添加したものを用いることを特徴とする。
チング方法は、ラッピング後のシリコンウエーハを薬液
によりエッチングする方法において、薬液として、苛性
ソーダ濃度０．１〜１０重量％の苛性ソーダ水溶液１０
０重量部に対し、過酸化水素を０．０１〜０．２重量部
の割合で添加したものを用いることを特徴とする。
【０００７】請求項３に記載のシリコンウエーハのエッ
チング方法は、ラッピング後のシリコンウエーハを薬液
によりエッチングする方法において、薬液として、苛性
ソーダ濃度５〜１０重量％の苛性ソーダ水溶液１００重
量部に対し、過酸化水素を０．０１〜０．２重量部の割
合で添加したものを用いることを特徴とする。
チング方法は、ラッピング後のシリコンウエーハを薬液
によりエッチングする方法において、薬液として、苛性
ソーダ濃度５〜１０重量％の苛性ソーダ水溶液１００重
量部に対し、過酸化水素を０．０１〜０．２重量部の割
合で添加したものを用いることを特徴とする。
【０００８】請求項４に記載のシリコンウエーハのエッ
チング方法は、ラッピング後のシリコンウエーハを薬液
によりエッチングする方法において、薬液として、苛性
ソーダ濃度０．１〜３重量％の苛性ソーダ水溶液１００
重量部に対し、過酸化水素を０．０５〜０．１０重量部
の割合で添加したものを用いることを特徴とする。な
お、ここで使用される苛性ソーダは純度が９９重量％相
当のものであり、また過酸化水素は純度３０〜３５重量
％相当のものを使用した。ＮａＯＨ水溶液の濃度、過酸
化水素の添加量はその純分に換算されたものである。
チング方法は、ラッピング後のシリコンウエーハを薬液
によりエッチングする方法において、薬液として、苛性
ソーダ濃度０．１〜３重量％の苛性ソーダ水溶液１００
重量部に対し、過酸化水素を０．０５〜０．１０重量部
の割合で添加したものを用いることを特徴とする。な
お、ここで使用される苛性ソーダは純度が９９重量％相
当のものであり、また過酸化水素は純度３０〜３５重量
％相当のものを使用した。ＮａＯＨ水溶液の濃度、過酸
化水素の添加量はその純分に換算されたものである。
【０００９】
【作用】請求項１に記載のエッチング方法においては、
ＮａＯＨ水溶液を用いるエッチングに比べて、シリコン
ウエーハ裏面のエッチピットの大きさを小さく制御する
ことができる。なお、過酸化水素の添加量が０．０１重
量部未満の場合にはその添加作用が見られず、本発明の
目的を達成することができない。過酸化水素の添加量が
０．２重量部を超えた場合には、エッチング速度が低く
なりすぎ実用的でなくなる。一方、ＮａＯＨ濃度が０．
１重量％未満ではエッチング速度が低くなりすぎるため
実用的でなくなる。また、ＮａＯＨ濃度が２５重量％を
超えると添加した過酸化水素が分解し易くなり、３０重
量％以上では過酸化水素の殆どが分解するため、その添
加作用が得られなくなる。
ＮａＯＨ水溶液を用いるエッチングに比べて、シリコン
ウエーハ裏面のエッチピットの大きさを小さく制御する
ことができる。なお、過酸化水素の添加量が０．０１重
量部未満の場合にはその添加作用が見られず、本発明の
目的を達成することができない。過酸化水素の添加量が
０．２重量部を超えた場合には、エッチング速度が低く
なりすぎ実用的でなくなる。一方、ＮａＯＨ濃度が０．
１重量％未満ではエッチング速度が低くなりすぎるため
実用的でなくなる。また、ＮａＯＨ濃度が２５重量％を
超えると添加した過酸化水素が分解し易くなり、３０重
量％以上では過酸化水素の殆どが分解するため、その添
加作用が得られなくなる。
【００１０】請求項２に記載のシリコンウエーハのエッ
チング方法においは、請求項１による作用に加えて、Ｎ
ａＯＨ水溶液を用いるエッチングに比べてシリコンウエ
ーハ裏面の白い汚れ（微小なエッチピット）の発生が抑
制される。
チング方法においは、請求項１による作用に加えて、Ｎ
ａＯＨ水溶液を用いるエッチングに比べてシリコンウエ
ーハ裏面の白い汚れ（微小なエッチピット）の発生が抑
制される。
【００１１】請求項３に記載のシリコンウエーハのエッ
チング方法においては、請求項２による作用に加えて、
Ｈ2 Ｏ2 添加量の増大と共にエッチング速度がほぼ直線
的に低下するので、Ｈ2 Ｏ2 の添加量を設定することに
より容易に、広い範囲内において所望のエッチング速度
に調整することができる。
チング方法においては、請求項２による作用に加えて、
Ｈ2 Ｏ2 添加量の増大と共にエッチング速度がほぼ直線
的に低下するので、Ｈ2 Ｏ2 の添加量を設定することに
より容易に、広い範囲内において所望のエッチング速度
に調整することができる。
【００１２】請求項４に記載のシリコンウエーハのエッ
チング方法においては、請求項３による作用に加えて、
ＮａＯＨ水溶液を用いるエッチングに比べてエッチング
速度が高まる。
チング方法においては、請求項３による作用に加えて、
ＮａＯＨ水溶液を用いるエッチングに比べてエッチング
速度が高まる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例および比較例について
説明する。 実施例１〜６および、比較例１〜４ ＣＺ法で得られた、引上げ方位が＜１００＞のシリコン
単結晶インゴットを通常の加工工程で処理し、両面ラッ
ピングした後のシリコンウエーハについて、組成が［表
１］に示される薬液を用いて常用の装置によりエッチン
グを行い、エッチング速度（単位時間当たりのウエーハ
厚さの減少量）の測定と、エッチング後のウエーハ裏面
の光学顕微鏡による観察を行った。この場合、いずれの
場合も薬液温度は８０℃、エッチング時間は１０分とし
た。
説明する。 実施例１〜６および、比較例１〜４ ＣＺ法で得られた、引上げ方位が＜１００＞のシリコン
単結晶インゴットを通常の加工工程で処理し、両面ラッ
ピングした後のシリコンウエーハについて、組成が［表
１］に示される薬液を用いて常用の装置によりエッチン
グを行い、エッチング速度（単位時間当たりのウエーハ
厚さの減少量）の測定と、エッチング後のウエーハ裏面
の光学顕微鏡による観察を行った。この場合、いずれの
場合も薬液温度は８０℃、エッチング時間は１０分とし
た。
【００１４】
【表１】
【００１５】実施例１〜６および、比較例１〜４の条件
によるエッチング速度は図１に示すとおりであり、ウエ
ーハ裏面の光学顕微鏡による観察結果は、それぞれ図２
〜１０に示すとおりであった。なお、比較例４では添加
したＨ2 Ｏ2 の殆どが分解したため、Ｈ2 Ｏ2 添加のＮ
ａＯＨ水溶液は調製できなかった。
によるエッチング速度は図１に示すとおりであり、ウエ
ーハ裏面の光学顕微鏡による観察結果は、それぞれ図２
〜１０に示すとおりであった。なお、比較例４では添加
したＨ2 Ｏ2 の殆どが分解したため、Ｈ2 Ｏ2 添加のＮ
ａＯＨ水溶液は調製できなかった。
【００１６】実施例７〜１２および、比較例５〜７ 実施例１で用いたものと同じラッピング後のシリコンウ
エーハについて、組成が［表２］に示される薬液を用い
て、実施例１と同じエッチング装置によりエッチングを
行いエッチング速度の測定と、エッチング後のウエーハ
裏面の光学顕微鏡による観察を行った。この場合、いず
れの場合も薬液温度は９０℃、エッチング時間は１０分
とした。
エーハについて、組成が［表２］に示される薬液を用い
て、実施例１と同じエッチング装置によりエッチングを
行いエッチング速度の測定と、エッチング後のウエーハ
裏面の光学顕微鏡による観察を行った。この場合、いず
れの場合も薬液温度は９０℃、エッチング時間は１０分
とした。
【００１７】
【表２】
【００１８】［表２］の条件によるエッチング速度は、
図１１に示すとおりとなった。また、光学顕微鏡観察の
結果は、実施例１〜６および比較例１〜４の場合と同様
（図示せず）の傾向が得られた。
図１１に示すとおりとなった。また、光学顕微鏡観察の
結果は、実施例１〜６および比較例１〜４の場合と同様
（図示せず）の傾向が得られた。
【００１９】比較例８ 実施例１で用いたものと同じラッピング後のシリコンウ
エーハについて、ＮａＯＨ濃度が１．０〜６５重量％の
ＮａＯＨ水溶液（Ｈ2 Ｏ2 は無し）を用いて、上記と同
じ要領でエッチングを行った。その結果、エッチング速
度は図１２に示すとおりとなった。
エーハについて、ＮａＯＨ濃度が１．０〜６５重量％の
ＮａＯＨ水溶液（Ｈ2 Ｏ2 は無し）を用いて、上記と同
じ要領でエッチングを行った。その結果、エッチング速
度は図１２に示すとおりとなった。
【００２０】以下、実施例１〜１２および、比較例１〜
８の結果について評価する。 （１）図１について：ＮａＯＨ濃度が５〜１０重量％の
ＮａＯＨ水溶液にＨ2 Ｏ2 を０．２０重量部以下の割合
で添加すると、該添加量の増大と共にエッチング速度が
ほぼ直線的に低下する。従って、Ｈ2 Ｏ2 の添加量を設
定することにより、広い範囲内において所望のエッチン
グ速度に容易に調整できることがわかる。 （２）図２〜図１０について：［表１］の範囲内では、
Ｈ2 Ｏ2 添加量の増大と共にエッチピットの大きさが微
細化していることがわかる。また、比較例１に見られる
微小なエッチピット（目視では白い汚れとして観察され
る）が、実施例１，２では発生しないことがわかる。但
し、実施例６の場合、ウエーハのエッチング量は少なく
なっている。 （３）図１１について：図１および図１１から、ＮａＯ
Ｈ濃度が１重量％の前後にある０．６３〜３重量％のＮ
ａＯＨ水溶液にＨ2 Ｏ2 を０．１６重量部以下の割合で
添加した場合、Ｈ2 Ｏ2 の添加量とエッチング速度の関
係を示すグラフは上に凸となり、Ｈ2 Ｏ2 の添加量が
０．０５〜０．１０重量部の範囲ではエッチング速度
が、ＮａＯＨ水溶液の場合よりも高くなることがわか
る。さらに、ＮａＯＨ濃度が０．６３〜３重量％で、Ｈ
2 Ｏ2 添加量が０．１６重量部以下の範囲では、図２〜
１０と同様に、Ｈ2 Ｏ2 添加量の増大と共にエッチピッ
トの大きさが微細化するうえ、白い汚れ（微小なエッチ
ピット）が発生しない。なお、実施例１〜１２、比較例
１〜７では薬液の温度を８０℃または９０℃に設定した
が、８０℃未満〜常温の範囲においても同様の結果が得
られている。また、ＫＯＨ水溶液についても同様の結果
が得られている。 （４）図１２について：一定温度８０℃でのＮａＯＨ水
溶液によるエッチング場合、ＮａＯＨ濃度が約３０重量
％までは濃度増大と共にエッチング速度が高くなり、３
０重量％前後において最大値となる。また、ＮａＯＨ濃
度が約４０重量％以上では、濃度増大と共にエッチング
速度が低下することがわかる。
８の結果について評価する。 （１）図１について：ＮａＯＨ濃度が５〜１０重量％の
ＮａＯＨ水溶液にＨ2 Ｏ2 を０．２０重量部以下の割合
で添加すると、該添加量の増大と共にエッチング速度が
ほぼ直線的に低下する。従って、Ｈ2 Ｏ2 の添加量を設
定することにより、広い範囲内において所望のエッチン
グ速度に容易に調整できることがわかる。 （２）図２〜図１０について：［表１］の範囲内では、
Ｈ2 Ｏ2 添加量の増大と共にエッチピットの大きさが微
細化していることがわかる。また、比較例１に見られる
微小なエッチピット（目視では白い汚れとして観察され
る）が、実施例１，２では発生しないことがわかる。但
し、実施例６の場合、ウエーハのエッチング量は少なく
なっている。 （３）図１１について：図１および図１１から、ＮａＯ
Ｈ濃度が１重量％の前後にある０．６３〜３重量％のＮ
ａＯＨ水溶液にＨ2 Ｏ2 を０．１６重量部以下の割合で
添加した場合、Ｈ2 Ｏ2 の添加量とエッチング速度の関
係を示すグラフは上に凸となり、Ｈ2 Ｏ2 の添加量が
０．０５〜０．１０重量部の範囲ではエッチング速度
が、ＮａＯＨ水溶液の場合よりも高くなることがわか
る。さらに、ＮａＯＨ濃度が０．６３〜３重量％で、Ｈ
2 Ｏ2 添加量が０．１６重量部以下の範囲では、図２〜
１０と同様に、Ｈ2 Ｏ2 添加量の増大と共にエッチピッ
トの大きさが微細化するうえ、白い汚れ（微小なエッチ
ピット）が発生しない。なお、実施例１〜１２、比較例
１〜７では薬液の温度を８０℃または９０℃に設定した
が、８０℃未満〜常温の範囲においても同様の結果が得
られている。また、ＫＯＨ水溶液についても同様の結果
が得られている。 （４）図１２について：一定温度８０℃でのＮａＯＨ水
溶液によるエッチング場合、ＮａＯＨ濃度が約３０重量
％までは濃度増大と共にエッチング速度が高くなり、３
０重量％前後において最大値となる。また、ＮａＯＨ濃
度が約４０重量％以上では、濃度増大と共にエッチング
速度が低下することがわかる。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかように、請求項１に
記載のエッチング方法では、ＮａＯＨ濃度０．１〜２５
重量％のＮａＯＨ水溶液１００重量部に対し、Ｈ2 Ｏ2
を０．０１〜０．２重量部の割合で添加することによ
り、ＮａＯＨ水溶液を用いるエッチングに比べて、シリ
コンウエーハ裏面のエッチピットの大きさが微細化する
という効果がある。請求項２に記載のシリコンウエーハ
のエッチング方法では、ＮａＯＨ濃度０．１〜１０重量
％のＮａＯＨ水溶液１００重量部に対しＨ2 Ｏ2 を０．
０１〜０．２重量部の割合で添加したものを用いること
により、請求項１による効果に加えて、ＮａＯＨ水溶液
を用いるエッチングに比べて、シリコンウエーハの裏面
の白い汚れ（微小なエッチピット）の発生が抑制される
という効果がある。請求項３に記載のシリコンウエーハ
のエッチング方法では、ＮａＯＨ濃度５〜１０重量％の
ＮａＯＨ水溶液１００重量部に対し、Ｈ2 Ｏ2 を０．０
１〜０．２重量部の割合で添加したものを用いることに
より、請求項２による効果に加えて、Ｈ2 Ｏ2 の添加量
の増大と共にエッチング速度がほぼ直線的に低下するの
で、Ｈ2 Ｏ2 の添加量を設定することにより容易に、広
い範囲内において所望のエッチング速度に調整すること
ができる効果がある。請求項４に記載のシリコンウエー
ハのエッチング方法では、ＮａＯＨ濃度０．１〜３重量
％の水溶液１００重量部に対し、Ｈ2 Ｏ2 を０．０５〜
０．１０重量部の割合で添加することにより、請求項２
による効果に加えて、ＮａＯＨ水溶液を用いるエッチン
グに比べてエッチング速度が高まる効果がある。
記載のエッチング方法では、ＮａＯＨ濃度０．１〜２５
重量％のＮａＯＨ水溶液１００重量部に対し、Ｈ2 Ｏ2
を０．０１〜０．２重量部の割合で添加することによ
り、ＮａＯＨ水溶液を用いるエッチングに比べて、シリ
コンウエーハ裏面のエッチピットの大きさが微細化する
という効果がある。請求項２に記載のシリコンウエーハ
のエッチング方法では、ＮａＯＨ濃度０．１〜１０重量
％のＮａＯＨ水溶液１００重量部に対しＨ2 Ｏ2 を０．
０１〜０．２重量部の割合で添加したものを用いること
により、請求項１による効果に加えて、ＮａＯＨ水溶液
を用いるエッチングに比べて、シリコンウエーハの裏面
の白い汚れ（微小なエッチピット）の発生が抑制される
という効果がある。請求項３に記載のシリコンウエーハ
のエッチング方法では、ＮａＯＨ濃度５〜１０重量％の
ＮａＯＨ水溶液１００重量部に対し、Ｈ2 Ｏ2 を０．０
１〜０．２重量部の割合で添加したものを用いることに
より、請求項２による効果に加えて、Ｈ2 Ｏ2 の添加量
の増大と共にエッチング速度がほぼ直線的に低下するの
で、Ｈ2 Ｏ2 の添加量を設定することにより容易に、広
い範囲内において所望のエッチング速度に調整すること
ができる効果がある。請求項４に記載のシリコンウエー
ハのエッチング方法では、ＮａＯＨ濃度０．１〜３重量
％の水溶液１００重量部に対し、Ｈ2 Ｏ2 を０．０５〜
０．１０重量部の割合で添加することにより、請求項２
による効果に加えて、ＮａＯＨ水溶液を用いるエッチン
グに比べてエッチング速度が高まる効果がある。
【図１】本発明の実施例１〜６および比較例１〜４にお
ける、Ｈ2 Ｏ2 添加量とエッチング速度の関係を示すグ
ラフである。
ける、Ｈ2 Ｏ2 添加量とエッチング速度の関係を示すグ
ラフである。
【図２】比較例１によるエッチング後のウエーハ裏面の
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
【図３】実施例１によるエッチング後のウエーハ裏面の
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
【図４】実施例２によるエッチング後のウエーハ裏面の
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
【図５】比較例２によるエッチング後のウエーハ裏面の
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
【図６】実施例３によるエッチング後のウエーハ裏面の
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
【図７】実施例４によるエッチング後のウエーハ裏面の
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
【図８】比較例３によるエッチング後のウエーハ裏面の
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
【図９】実施例５によるエッチング後のウエーハ裏面の
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
【図１０】実施例６によるエッチング後のウエーハ裏面
の表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
の表面状態を示す光学顕微鏡写真である。
【図１１】実施例７〜１２および比較例５〜７におけ
る、Ｈ2 Ｏ2 添加量とエッチング速度の関係を示すグラ
フである。
る、Ｈ2 Ｏ2 添加量とエッチング速度の関係を示すグラ
フである。
【図１２】比較例８における、ＮａＯＨ濃度とエッチン
グ速度の関係を示すグラフである。
グ速度の関係を示すグラフである。
Claims (4)
- 【請求項１】 ラッピング後のシリコンウエーハを薬液
によりエッチングする方法において、薬液として、苛性
ソーダ濃度０．１〜２５重量％の苛性ソーダ水溶液１０
０重量部に対し、過酸化水素を０．０１〜０．２重量部
の割合で添加したものを用いることを特徴とするシリコ
ンウエーハのエッチング方法。 - 【請求項２】 ラッピング後のシリコンウエーハを薬液
によりエッチングする方法において、薬液として、苛性
ソーダ濃度０．１〜１０重量％の苛性ソーダ水溶液１０
０重量部に対し、過酸化水素を０．０１〜０．２重量部
の割合で添加したものを用いることを特徴とするシリコ
ンウエーハのエッチング方法。 - 【請求項３】 ラッピング後のシリコンウエーハを薬液
によりエッチングする方法において、薬液として、苛性
ソーダ濃度５〜１０重量％の苛性ソーダ水溶液１００重
量部に対し、過酸化水素を０．０１〜０．２重量部の割
合で添加したものを用いることを特徴とするシリコンウ
エーハのエッチング方法。 - 【請求項４】 ラッピング後のシリコンウエーハを薬液
によりエッチングする方法において、薬液として、苛性
ソーダ濃度０．１〜３重量％の苛性ソーダ水溶液１００
重量部に対し、過酸化水素を０．０５〜０．１０重量部
の割合で添加したものを用いることを特徴とするシリコ
ンウエーハのエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5202583A JP2830706B2 (ja) | 1993-07-24 | 1993-07-24 | シリコンウエーハのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5202583A JP2830706B2 (ja) | 1993-07-24 | 1993-07-24 | シリコンウエーハのエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737871A true JPH0737871A (ja) | 1995-02-07 |
| JP2830706B2 JP2830706B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=16459893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5202583A Expired - Lifetime JP2830706B2 (ja) | 1993-07-24 | 1993-07-24 | シリコンウエーハのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830706B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003046968A1 (fr) * | 2001-11-28 | 2003-06-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de production d'une tranche de silicone, tranche de silicone et tranche soi |
| JP2008277715A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Mallinckrodt Baker Inc | 低温ポリ−シリコン薄膜パネルを平坦化するためのポリシリコン平坦化溶液 |
| US7851375B2 (en) | 2004-04-02 | 2010-12-14 | Sumco Corporation | Alkaline etchant for controlling surface roughness of semiconductor wafer |
| JP2013239661A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アルカリエッチング液及びこれを用いたアルカリエッチング方法 |
| CN115863225A (zh) * | 2023-02-27 | 2023-03-28 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 混酸的补酸控制方法、装置、计算机设备及存储介质 |
-
1993
- 1993-07-24 JP JP5202583A patent/JP2830706B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003046968A1 (fr) * | 2001-11-28 | 2003-06-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de production d'une tranche de silicone, tranche de silicone et tranche soi |
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| JP2011129940A (ja) * | 2007-04-26 | 2011-06-30 | Avantor Performance Materials Inc | 低温ポリ−シリコン薄膜パネルを平坦化するためのポリシリコン平坦化溶液 |
| JP2013239661A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アルカリエッチング液及びこれを用いたアルカリエッチング方法 |
| CN115863225A (zh) * | 2023-02-27 | 2023-03-28 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 混酸的补酸控制方法、装置、计算机设备及存储介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2830706B2 (ja) | 1998-12-02 |
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