JPH0737801A - 露光パターンの分割方法 - Google Patents
露光パターンの分割方法Info
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- JPH0737801A JPH0737801A JP20103293A JP20103293A JPH0737801A JP H0737801 A JPH0737801 A JP H0737801A JP 20103293 A JP20103293 A JP 20103293A JP 20103293 A JP20103293 A JP 20103293A JP H0737801 A JPH0737801 A JP H0737801A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】露光基板Ｐ上に露光転写しようとする露光パタ
ーンＰＡを分割してなる複数種類の単位パターンＰＭの
それぞれを単数又は複数のマスクＭ上に形成し、マスク
Ｍに形成された単位パターンＰＭのそれぞれを投影レン
ズ４を介してステージ５上に載置された露光基板Ｐに対
して互いに繋ぎ露光することにより、露光基板Ｐ上に単
位パターンＰＭの集合でなる露光パターンＰＡを形成す
る露光装置１の露光パターンＰＡの分割方法において、
一段と簡易な方法によつて適切な分割方法を得る。 【構成】露光基板Ｐの大きさとマスクＭの大きさとステ
ージ５の最大移動量とによつて露光パターンＰＡの分割
数及び分割パターンを決定するようにしたことにより、
適切な分割方法を一段と簡単に決定することができる。
ーンＰＡを分割してなる複数種類の単位パターンＰＭの
それぞれを単数又は複数のマスクＭ上に形成し、マスク
Ｍに形成された単位パターンＰＭのそれぞれを投影レン
ズ４を介してステージ５上に載置された露光基板Ｐに対
して互いに繋ぎ露光することにより、露光基板Ｐ上に単
位パターンＰＭの集合でなる露光パターンＰＡを形成す
る露光装置１の露光パターンＰＡの分割方法において、
一段と簡易な方法によつて適切な分割方法を得る。 【構成】露光基板Ｐの大きさとマスクＭの大きさとステ
ージ５の最大移動量とによつて露光パターンＰＡの分割
数及び分割パターンを決定するようにしたことにより、
適切な分割方法を一段と簡単に決定することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光パターン（デバイス
パターン）の分割方法に関し、例えば大型の液晶基板に
マスクのパターンを露光転写する際の露光パターンの分
割方法に適用して好適なものである。
パターン）の分割方法に関し、例えば大型の液晶基板に
マスクのパターンを露光転写する際の露光パターンの分
割方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、マスク（レチクル）に形成された
パターンを投影レンズを介して露光基板上に露光する露
光装置としては、図１２に示すように矢印Ｘ及びＹで示
す方向に移動し得るＸＹステージ５上に載置された露光
基板Ｐに対して、マスクＭに形成されたパターンを投影
レンズ４を介して露光することにより、当該マスクＭの
パターンを露光基板Ｐ上に露光転写するようになされて
いる。
パターンを投影レンズを介して露光基板上に露光する露
光装置としては、図１２に示すように矢印Ｘ及びＹで示
す方向に移動し得るＸＹステージ５上に載置された露光
基板Ｐに対して、マスクＭに形成されたパターンを投影
レンズ４を介して露光することにより、当該マスクＭの
パターンを露光基板Ｐ上に露光転写するようになされて
いる。
【０００３】この種の露光装置１においては、大型の露
光基板に対して当該露光基板の全露光パターンを一括で
露光できない場合、露光基板の全露光パターンをいくつ
かの単位パターンに分割してそれぞれの単位パターンを
互いに繋ぎ露光する必要がある。
光基板に対して当該露光基板の全露光パターンを一括で
露光できない場合、露光基板の全露光パターンをいくつ
かの単位パターンに分割してそれぞれの単位パターンを
互いに繋ぎ露光する必要がある。
【０００４】すなわち図１３は露光基板Ｐ上の露光パタ
ーンを示し、当該露光基板Ｐの全面に当該パターンを露
光する場合の全露光パターンＰＡには例えば回路パター
ンを形成してなる画素部Ｐ１と当該画素部Ｐ１の端子等
を形成してなる周辺部Ｐ２とによつて構成されている。
ーンを示し、当該露光基板Ｐの全面に当該パターンを露
光する場合の全露光パターンＰＡには例えば回路パター
ンを形成してなる画素部Ｐ１と当該画素部Ｐ１の端子等
を形成してなる周辺部Ｐ２とによつて構成されている。
【０００５】この露光基板Ｐ上に露光される全露光パタ
ーンＰＡをマスクＭの大きさ等に応じて例えば４つの単
位パターンＰＭに分割し、それぞれの単位パターンＰＭ
を単数又は複数のマスクＭに形成して、各単位パターン
ＰＭごとに互いに繋ぎ露光することにより、全露光パタ
ーンＰＡを形成することができる。
ーンＰＡをマスクＭの大きさ等に応じて例えば４つの単
位パターンＰＭに分割し、それぞれの単位パターンＰＭ
を単数又は複数のマスクＭに形成して、各単位パターン
ＰＭごとに互いに繋ぎ露光することにより、全露光パタ
ーンＰＡを形成することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところがかかる方法に
よつて露光基板Ｐ上に全露光パターンＰＡを露光転写し
ようとすると、全露光パターンＰＡを単位パターンＰＭ
に分割する分割方法が複数考えられることにより、当該
複数の分割方法から露光処理時間及び使用するマスクＭ
の枚数等が最も適切な方法を試行錯誤を繰り返して選択
するといつた煩雑な作業を回避し得ない問題があつた。
よつて露光基板Ｐ上に全露光パターンＰＡを露光転写し
ようとすると、全露光パターンＰＡを単位パターンＰＭ
に分割する分割方法が複数考えられることにより、当該
複数の分割方法から露光処理時間及び使用するマスクＭ
の枚数等が最も適切な方法を試行錯誤を繰り返して選択
するといつた煩雑な作業を回避し得ない問題があつた。
【０００７】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、一段と簡易な方法によつて適切な分割方法を得るこ
とができる露光パターンの分割方法を提案しようとする
ものである。
で、一段と簡易な方法によつて適切な分割方法を得るこ
とができる露光パターンの分割方法を提案しようとする
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、露光基板Ｐ上に露光転写しようと
する露光パターンＰＡを分割してなる複数種類の単位パ
ターンＰＭのそれぞれを単数又は複数のマスクＭ上に形
成し、マスクＭに形成された単位パターンＰＭのそれぞ
れを投影レンズ４を介してステージ５上に載置された露
光基板Ｐに対して互いに繋ぎ露光することにより、露光
基板Ｐ上に単位パターンＰＭの集合でなる露光パターン
ＰＡを形成する露光装置１の露光パターンＰＡの分割方
法において、露光基板Ｐの大きさを表すパラメータＤ
Ｘ、ＤＹとマスクＭの大きさを表すパラメータＭＸ、Ｍ
Ｙと露光光の光軸に対して垂直な面内でのステージ５の
最大移動量を表すパラメータとに基づいて露光パターン
ＰＡを分割するようにする。
め本発明においては、露光基板Ｐ上に露光転写しようと
する露光パターンＰＡを分割してなる複数種類の単位パ
ターンＰＭのそれぞれを単数又は複数のマスクＭ上に形
成し、マスクＭに形成された単位パターンＰＭのそれぞ
れを投影レンズ４を介してステージ５上に載置された露
光基板Ｐに対して互いに繋ぎ露光することにより、露光
基板Ｐ上に単位パターンＰＭの集合でなる露光パターン
ＰＡを形成する露光装置１の露光パターンＰＡの分割方
法において、露光基板Ｐの大きさを表すパラメータＤ
Ｘ、ＤＹとマスクＭの大きさを表すパラメータＭＸ、Ｍ
Ｙと露光光の光軸に対して垂直な面内でのステージ５の
最大移動量を表すパラメータとに基づいて露光パターン
ＰＡを分割するようにする。
【０００９】また本発明においては、露光パターンの分
割方法は、露光基板Ｐの大きさを表すパラメータＤＸ、
ＤＹとマスクＭの大きさを表すパラメータＭＸ、ＭＹと
に基づいて露光パターンＰＡを分割するか否かを決定
し、マスクＭの大きさを表すパラメータＭＸ、ＭＹとス
テージ５の最大移動量を表すパラメータとに基づいて露
光パターンＰＡの分割数を決定するようにする。
割方法は、露光基板Ｐの大きさを表すパラメータＤＸ、
ＤＹとマスクＭの大きさを表すパラメータＭＸ、ＭＹと
に基づいて露光パターンＰＡを分割するか否かを決定
し、マスクＭの大きさを表すパラメータＭＸ、ＭＹとス
テージ５の最大移動量を表すパラメータとに基づいて露
光パターンＰＡの分割数を決定するようにする。
【００１０】また本発明においては、露光パターンの分
割方法は、複数のパラメータに基づいて決定された複数
の分割方法のうち、露光処理工程に要する時間が最も短
い分割方法を選択するようにする。
割方法は、複数のパラメータに基づいて決定された複数
の分割方法のうち、露光処理工程に要する時間が最も短
い分割方法を選択するようにする。
【００１１】また本発明においては、露光パターンの分
割方法は、複数のパラメータに基づいて決定された複数
の分割方法のうち、露光処理工程に要するマスクＭの枚
数が最も少ない分割方法を選択するようにする。
割方法は、複数のパラメータに基づいて決定された複数
の分割方法のうち、露光処理工程に要するマスクＭの枚
数が最も少ない分割方法を選択するようにする。
【００１２】
【作用】露光基板Ｐの大きさを表すパラメータＤＸ、Ｄ
ＹとマスクＭの大きさを表すパラメータＭＸ、ＭＹと露
光光の光軸に対して垂直な面内でのステージ５の最大移
動量を表すパラメータとでなる制限要因に基づいて露光
パターンＰＡを分割することにより、一段と簡単に適切
な分割方法を得ることができる。
ＹとマスクＭの大きさを表すパラメータＭＸ、ＭＹと露
光光の光軸に対して垂直な面内でのステージ５の最大移
動量を表すパラメータとでなる制限要因に基づいて露光
パターンＰＡを分割することにより、一段と簡単に適切
な分割方法を得ることができる。
【００１３】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１４】図１において１０は全体として露光装置１
（図１２）における露光パターンの分割演算を実行する
処理装置を示し、例えばキーボード等でなる入力部１２
において入力されたユーザパラメータを演算処理部１１
に送出し、当該演算処理部１１において露光パターンの
分割数、分割方法等が演算処理され、当該処理結果が例
えばモニタ等でなる出力部１３に送出される。
（図１２）における露光パターンの分割演算を実行する
処理装置を示し、例えばキーボード等でなる入力部１２
において入力されたユーザパラメータを演算処理部１１
に送出し、当該演算処理部１１において露光パターンの
分割数、分割方法等が演算処理され、当該処理結果が例
えばモニタ等でなる出力部１３に送出される。
【００１５】ここで図２は演算処理部１１において実行
される露光パターンの分割処理手順を示し、演算処理部
１１はステツプＳＰ１から当該処理手順に入り、ステツ
プＳＰ１２において入力部１２からユーザパラメータが
入力されるのを待ち受ける。
される露光パターンの分割処理手順を示し、演算処理部
１１はステツプＳＰ１から当該処理手順に入り、ステツ
プＳＰ１２において入力部１２からユーザパラメータが
入力されるのを待ち受ける。
【００１６】ここでユーザパラメータとしては、露光基
板の大きさ、マスクの大きさ、マスクの枚数及びＸＹス
テージのＸ及びＹ方向への最大移動量があり、これらの
パラメータが露光パターンを分割するにあたつての制限
要因となる。
板の大きさ、マスクの大きさ、マスクの枚数及びＸＹス
テージのＸ及びＹ方向への最大移動量があり、これらの
パラメータが露光パターンを分割するにあたつての制限
要因となる。
【００１７】従つて演算処理部１１はステツプＳＰ１２
において当該制限要因が入力されると、続くステツプＳ
Ｐ１３に移つて上記制限要因に基づいて露光基板上に露
光される全露光パターンを分割するか否かを決定する。
において当該制限要因が入力されると、続くステツプＳ
Ｐ１３に移つて上記制限要因に基づいて露光基板上に露
光される全露光パターンを分割するか否かを決定する。
【００１８】すなわち図１３との対応部分に同一符号を
付して示す図３においてＤＸ及びＤＹはそれぞれ露光基
板Ｐの大きさを示し、この大きさが図４に示すマスクＭ
の大きさＭＸ及びＭＹに対して、ＭＸ≧ＤＸかつＭＹ≧
ＤＹが成り立つとき、演算処理部１１は露光基板（デバ
イス）Ｐに対する全露光パターンＰＡを分割せずに一括
露光することができると判断することによつて当該ステ
ツプＳＰ１３において肯定結果を得、続くステツプＳＰ
１４に移つてマスクパターンを決定した後、ステツプＳ
Ｐ２４に移つて当該処理手順を終了する。但しこの場
合、露光基板Ｐの全面に対して全露光パターンＰＡを露
光転写することとする。
付して示す図３においてＤＸ及びＤＹはそれぞれ露光基
板Ｐの大きさを示し、この大きさが図４に示すマスクＭ
の大きさＭＸ及びＭＹに対して、ＭＸ≧ＤＸかつＭＹ≧
ＤＹが成り立つとき、演算処理部１１は露光基板（デバ
イス）Ｐに対する全露光パターンＰＡを分割せずに一括
露光することができると判断することによつて当該ステ
ツプＳＰ１３において肯定結果を得、続くステツプＳＰ
１４に移つてマスクパターンを決定した後、ステツプＳ
Ｐ２４に移つて当該処理手順を終了する。但しこの場
合、露光基板Ｐの全面に対して全露光パターンＰＡを露
光転写することとする。
【００１９】またこれに対して露光基板Ｐの大きさＤＸ
及びＤＹと、マスクの大きさＭＸ及びＭＹとの間にＭＸ
＜ＤＸ及びＭＹ＜ＤＹの関係が成り立つとき、このこと
はマスクのパターンを露光基板Ｐに対して一括露光し得
ないことを表しており、このとき演算処理部１１はステ
ツプＳＰ１５に移つて画素を共通化するか否かをユーザ
の入力によつて決定する。
及びＤＹと、マスクの大きさＭＸ及びＭＹとの間にＭＸ
＜ＤＸ及びＭＹ＜ＤＹの関係が成り立つとき、このこと
はマスクのパターンを露光基板Ｐに対して一括露光し得
ないことを表しており、このとき演算処理部１１はステ
ツプＳＰ１５に移つて画素を共通化するか否かをユーザ
の入力によつて決定する。
【００２０】ここで画素の共通化とは、露光基板Ｐ上に
露光転写される全露光パターンＰＡの中の画素部Ｐ１に
ついて同一のパターン部分ごとに分割し、当該分割して
なる単位パターンをマスクに形成することをいう。従つ
て画素を共通化する場合、使用するマスクの枚数を少な
くすることができ、ユーザがマスクの枚数を少なくする
ことを優先した場合、演算処理部１１は当該ステツプＳ
Ｐ１５において肯定結果を得、続くステツプＳＰ１６に
おいて画素部Ｐ１の分割方法を演算する。
露光転写される全露光パターンＰＡの中の画素部Ｐ１に
ついて同一のパターン部分ごとに分割し、当該分割して
なる単位パターンをマスクに形成することをいう。従つ
て画素を共通化する場合、使用するマスクの枚数を少な
くすることができ、ユーザがマスクの枚数を少なくする
ことを優先した場合、演算処理部１１は当該ステツプＳ
Ｐ１５において肯定結果を得、続くステツプＳＰ１６に
おいて画素部Ｐ１の分割方法を演算する。
【００２１】すなわち図５において露光基板Ｐに対する
全露光パターンＰＡの画素部Ｐ１において単位パターン
Ａがそれぞれ複数配列されるとすると、単位パターンの
大きさをｇＸ及びｇＹとしてＭＸ≧ｇＸかつＭＹ≧ｇＹ
を満たすようにａ・ｇＸ×ｂ・ｇＹ＝ＧＸ×ＧＹとなる
自然数ａ及びｂが決定され、画素部Ｐ１においてａ×ｂ
個の分割が決定される。
全露光パターンＰＡの画素部Ｐ１において単位パターン
Ａがそれぞれ複数配列されるとすると、単位パターンの
大きさをｇＸ及びｇＹとしてＭＸ≧ｇＸかつＭＹ≧ｇＹ
を満たすようにａ・ｇＸ×ｂ・ｇＹ＝ＧＸ×ＧＹとなる
自然数ａ及びｂが決定され、画素部Ｐ１においてａ×ｂ
個の分割が決定される。
【００２２】また演算処理部１１は続くステツプＳＰ１
７において当該決定された画素部Ｐ１の分割に従つて周
辺部Ｐ２の分割が行われる。このとき周辺部Ｐ２の分割
は、予めユーザの入力によつて制限されたマスクの枚数
内に配置されるようにその大きさが決定され、例えば図
６に示すように、３枚のマスクＭ１〜Ｍ３にそれぞれ単
位パターンＡ、周辺部のパターンＢ１〜Ｂ４及びＣ１、
Ｃ２がそれぞれ形成される。
７において当該決定された画素部Ｐ１の分割に従つて周
辺部Ｐ２の分割が行われる。このとき周辺部Ｐ２の分割
は、予めユーザの入力によつて制限されたマスクの枚数
内に配置されるようにその大きさが決定され、例えば図
６に示すように、３枚のマスクＭ１〜Ｍ３にそれぞれ単
位パターンＡ、周辺部のパターンＢ１〜Ｂ４及びＣ１、
Ｃ２がそれぞれ形成される。
【００２３】但しこの場合の分割数は、露光基板Ｐが載
置されるＸＹステージ５（図１２）のＸＹ方向への最大
移動量によつて全露光パターンＰＡの最大分割数が決ま
るため、当該最大分割数以内の分割数に制限される。ま
た、ＸＹステージの最大移動量によつては、特に周辺部
のパターンを形成することが困難になる場合がある。こ
のためステージの最大移動量を考慮して、マスク上での
パターンの配置を決めれば良い。
置されるＸＹステージ５（図１２）のＸＹ方向への最大
移動量によつて全露光パターンＰＡの最大分割数が決ま
るため、当該最大分割数以内の分割数に制限される。ま
た、ＸＹステージの最大移動量によつては、特に周辺部
のパターンを形成することが困難になる場合がある。こ
のためステージの最大移動量を考慮して、マスク上での
パターンの配置を決めれば良い。
【００２４】従つてこのように制限された最大分割数及
び指定マスク枚数以内でパターンを形成する方法がステ
ツプＳＰ１７において演算されると、当該パターン及び
マスク枚数がステツプＳＰ１８において最終的に確立さ
れ、ステツプＳＰ２４において当該処理手順を終了す
る。
び指定マスク枚数以内でパターンを形成する方法がステ
ツプＳＰ１７において演算されると、当該パターン及び
マスク枚数がステツプＳＰ１８において最終的に確立さ
れ、ステツプＳＰ２４において当該処理手順を終了す
る。
【００２５】これに対してユーザが予め入力部１２によ
つて露光処理時間を短時間化することを優先する指示を
入力している場合、演算処理部１１は露光基板Ｐの全露
光パターンＰＡについて、画素部Ｐ１の共通化を行わず
にできるだけ少ない分割数で分割することによつて露光
回数を少なくするような演算を実行するようになされて
いる。従つてこの場合演算処理部１１はステツプＳＰ１
５において否定結果を得、ステツプＳＰ１９に移つて露
光基板Ｐの全露光パターンＰＡを２分割することによつ
て露光し得るか否かを分割された単位パターンの大きさ
及びマスクの大きさに基づいて判断する。
つて露光処理時間を短時間化することを優先する指示を
入力している場合、演算処理部１１は露光基板Ｐの全露
光パターンＰＡについて、画素部Ｐ１の共通化を行わず
にできるだけ少ない分割数で分割することによつて露光
回数を少なくするような演算を実行するようになされて
いる。従つてこの場合演算処理部１１はステツプＳＰ１
５において否定結果を得、ステツプＳＰ１９に移つて露
光基板Ｐの全露光パターンＰＡを２分割することによつ
て露光し得るか否かを分割された単位パターンの大きさ
及びマスクの大きさに基づいて判断する。
【００２６】ここで図７は露光基板Ｐに露光転写する全
露光パターンＰＡを２分割した状態を示し、２分割して
なる単位パターンＰＭ１の大きさｄ２Ｘ及びｄ２Ｙがマ
スクの大きさＭＸ及びＭＹに対してＭＸ≧ｄ２ＸかつＭ
Ｙ≧ｄ２Ｙを満たすとき、演算処理部１１は２分割によ
る露光が可能であると判断し、当該ステツプＳＰ１９に
おいて肯定結果を得、続くステツプＳＰ２３に移つて２
分割によるマスクパターン及びマスク枚数の確立を行つ
た後、ステツプＳＰ２４において当該処理手順を終了す
る。
露光パターンＰＡを２分割した状態を示し、２分割して
なる単位パターンＰＭ１の大きさｄ２Ｘ及びｄ２Ｙがマ
スクの大きさＭＸ及びＭＹに対してＭＸ≧ｄ２ＸかつＭ
Ｙ≧ｄ２Ｙを満たすとき、演算処理部１１は２分割によ
る露光が可能であると判断し、当該ステツプＳＰ１９に
おいて肯定結果を得、続くステツプＳＰ２３に移つて２
分割によるマスクパターン及びマスク枚数の確立を行つ
た後、ステツプＳＰ２４において当該処理手順を終了す
る。
【００２７】これに対してステツプＳＰ１９において否
定結果が得られると、このことは２分割してなる単位パ
ターンＰＭ１がマスクよりも大きく、２分割による露光
が不可能であることを表しており、このとき演算処理部
１１は続くステツプＳＰ２０に移つて露光基板Ｐの全露
光パターンＰＡを３分割することによつて露光し得るか
否かを分割された単位パターンの大きさ及びマスクの大
きさに基づいて判断する。
定結果が得られると、このことは２分割してなる単位パ
ターンＰＭ１がマスクよりも大きく、２分割による露光
が不可能であることを表しており、このとき演算処理部
１１は続くステツプＳＰ２０に移つて露光基板Ｐの全露
光パターンＰＡを３分割することによつて露光し得るか
否かを分割された単位パターンの大きさ及びマスクの大
きさに基づいて判断する。
【００２８】ここで図８は露光基板Ｐに露光転写する全
露光パターンＰＡを３分割した状態を示し、３分割して
なる単位パターンＰＭ２の大きさｄ３Ｘ及びｄ３Ｙがマ
スクの大きさＭＸ及びＭＹに対してＭＸ≧ｄ３ＸかつＭ
Ｙ≧ｄ３Ｙを満たすとき、演算処理部１１は３分割によ
る露光が可能であると判断し、当該ステツプＳＰ２０に
おいて肯定結果を得、続くステツプＳＰ２３に移つて３
分割によるマスクパターン及びマスク枚数の確立を行つ
た後、ステツプＳＰ２４において当該処理手順を終了す
る。
露光パターンＰＡを３分割した状態を示し、３分割して
なる単位パターンＰＭ２の大きさｄ３Ｘ及びｄ３Ｙがマ
スクの大きさＭＸ及びＭＹに対してＭＸ≧ｄ３ＸかつＭ
Ｙ≧ｄ３Ｙを満たすとき、演算処理部１１は３分割によ
る露光が可能であると判断し、当該ステツプＳＰ２０に
おいて肯定結果を得、続くステツプＳＰ２３に移つて３
分割によるマスクパターン及びマスク枚数の確立を行つ
た後、ステツプＳＰ２４において当該処理手順を終了す
る。
【００２９】これに対してステツプＳＰ２０において否
定結果が得られると、このことは３分割してなる単位パ
ターンＰＭ２がマスクよりも大きく、３分割による露光
が不可能であることを表しており、このとき演算処理部
１１は続くステツプＳＰ２１に移つて露光基板Ｐの全露
光パターンＰＡを４分割することによつて露光し得るか
否かを分割された単位パターンの大きさ及びマスクの大
きさに基づいて判断する。
定結果が得られると、このことは３分割してなる単位パ
ターンＰＭ２がマスクよりも大きく、３分割による露光
が不可能であることを表しており、このとき演算処理部
１１は続くステツプＳＰ２１に移つて露光基板Ｐの全露
光パターンＰＡを４分割することによつて露光し得るか
否かを分割された単位パターンの大きさ及びマスクの大
きさに基づいて判断する。
【００３０】ここで図９は露光基板Ｐに露光転写する全
露光パターンＰＡを４分割した状態を示し、４分割して
なる単位パターンＰＭ３の大きさｄ４Ｘ及びｄ４Ｙがマ
スクの大きさＭＸ及びＭＹに対してＭＸ≧ｄ４ＸかつＭ
Ｙ≧ｄ４Ｙを満たすとき、演算処理部１１は４分割によ
る露光が可能であると判断し、当該ステツプＳＰ２１に
おいて肯定結果を得、続くステツプＳＰ２３に移つて４
分割によるマスクパターン及びマスク枚数の確立を行つ
た後、ステツプＳＰ２４において当該処理手順を終了す
る。
露光パターンＰＡを４分割した状態を示し、４分割して
なる単位パターンＰＭ３の大きさｄ４Ｘ及びｄ４Ｙがマ
スクの大きさＭＸ及びＭＹに対してＭＸ≧ｄ４ＸかつＭ
Ｙ≧ｄ４Ｙを満たすとき、演算処理部１１は４分割によ
る露光が可能であると判断し、当該ステツプＳＰ２１に
おいて肯定結果を得、続くステツプＳＰ２３に移つて４
分割によるマスクパターン及びマスク枚数の確立を行つ
た後、ステツプＳＰ２４において当該処理手順を終了す
る。
【００３１】これに対してステツプＳＰ２１において否
定結果が得られると、このことは４分割してなる単位パ
ターンＰＭ３がマスクよりも大きく、４分割による露光
が不可能であることを表しており、このとき演算処理部
１１は続くステツプＳＰ２２に移つて露光基板（デバイ
ス）Ｐに露光転写される全露光パターンＰＡを図１０に
示すようなマトリクス状に分割する。
定結果が得られると、このことは４分割してなる単位パ
ターンＰＭ３がマスクよりも大きく、４分割による露光
が不可能であることを表しており、このとき演算処理部
１１は続くステツプＳＰ２２に移つて露光基板（デバイ
ス）Ｐに露光転写される全露光パターンＰＡを図１０に
示すようなマトリクス状に分割する。
【００３２】この分割方法は、例えば上述した図５の例
のような方法を用いることにより、当該全露光パターン
ＰＡを細分割する。図５のように画素部Ｐ１の共通部分
ごとに単位パターンを形成すると、理論上無限に大きな
画面を構成することができる。但しこの場合の分割数
は、露光基板Ｐが載置されるＸＹステージ５（図１２）
のＸＹ方向への最大移動量によつて全露光パターンＰＡ
の最大分割数が決まるため、当該最大分割数以内の分割
数に制限される。
のような方法を用いることにより、当該全露光パターン
ＰＡを細分割する。図５のように画素部Ｐ１の共通部分
ごとに単位パターンを形成すると、理論上無限に大きな
画面を構成することができる。但しこの場合の分割数
は、露光基板Ｐが載置されるＸＹステージ５（図１２）
のＸＹ方向への最大移動量によつて全露光パターンＰＡ
の最大分割数が決まるため、当該最大分割数以内の分割
数に制限される。
【００３３】かくして当該ステツプＳＰ２２においてマ
トリクスによる分割方法が決定されると、ステツプＳＰ
２３において当該分割方法に基づくマスクパターン及び
マスク枚数が決定され、ステツプＳＰ２４において当該
処理手順を終了する。
トリクスによる分割方法が決定されると、ステツプＳＰ
２３において当該分割方法に基づくマスクパターン及び
マスク枚数が決定され、ステツプＳＰ２４において当該
処理手順を終了する。
【００３４】このように露光基板Ｐ上に露光パターンＰ
Ａを露光転写しようとする際に、露光基板Ｐの大きさ、
マスクＭの大きさ、マスクの使用枚数等の制限要因を入
力すると共に、マスクの枚数を少なくすることを優先す
るか又は露光処理時間を短時間化することを優先するか
といつた優先順位をユーザが入力することにより、演算
処理部１１において最も適切な露光パターンの分割方法
が決定される。
Ａを露光転写しようとする際に、露光基板Ｐの大きさ、
マスクＭの大きさ、マスクの使用枚数等の制限要因を入
力すると共に、マスクの枚数を少なくすることを優先す
るか又は露光処理時間を短時間化することを優先するか
といつた優先順位をユーザが入力することにより、演算
処理部１１において最も適切な露光パターンの分割方法
が決定される。
【００３５】従つて以上の構成によれば、種々の分割方
法に基づいて実際にマスクを作成してその露光処理時間
又は必要なマスク枚数を見つけるといつた試行錯誤を繰
り返すことなく、適切な分割方法を決定することができ
る。
法に基づいて実際にマスクを作成してその露光処理時間
又は必要なマスク枚数を見つけるといつた試行錯誤を繰
り返すことなく、適切な分割方法を決定することができ
る。
【００３６】なお上述の実施例においては、露光基板Ｐ
に露光転写する全露光パターンＰの画素部分Ｐ１に同一
パターンの繰り返しがある場合、例えば図５に示すよう
に、当該同一パターンごとに３種類の単位パターンをマ
スクＭに形成するようにした場合に比べ、例えば図５に
示すように画素部Ｐ１が全て同一のパターンＡの繰り返
しで形成されている場合は、当該同一のパターンＡを共
通化することにより、マスク枚数を一段と少なくするこ
とができる。
に露光転写する全露光パターンＰの画素部分Ｐ１に同一
パターンの繰り返しがある場合、例えば図５に示すよう
に、当該同一パターンごとに３種類の単位パターンをマ
スクＭに形成するようにした場合に比べ、例えば図５に
示すように画素部Ｐ１が全て同一のパターンＡの繰り返
しで形成されている場合は、当該同一のパターンＡを共
通化することにより、マスク枚数を一段と少なくするこ
とができる。
【００３７】この場合図１１に示すように、単位パター
ンＡを形成したマスクＭ１１と周辺部Ｐ２を分割してな
る単位パターンＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４を形成したマス
ク１２と周辺部Ｐ２を分割してなる単位パターンＣ１、
Ｃ２を形成したマスクＭ１３を用いるようにすれば良
い。
ンＡを形成したマスクＭ１１と周辺部Ｐ２を分割してな
る単位パターンＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４を形成したマス
ク１２と周辺部Ｐ２を分割してなる単位パターンＣ１、
Ｃ２を形成したマスクＭ１３を用いるようにすれば良
い。
【００３８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、露光基板
の大きさとマスクの大きさとステージの最大移動量とに
よつて露光パターンの分割数及び分割パターンを決定す
るようにしたことにより、適切な分割方法を一段と簡単
に決定することができる露光パターンの分割方法を実現
し得る。
の大きさとマスクの大きさとステージの最大移動量とに
よつて露光パターンの分割数及び分割パターンを決定す
るようにしたことにより、適切な分割方法を一段と簡単
に決定することができる露光パターンの分割方法を実現
し得る。
【図１】本発明による露光パターンの分割処理装置を示
すブロツク図である。
すブロツク図である。
【図２】本発明による露光パターンの分割処理手順を示
すフローチヤートである。
すフローチヤートである。
【図３】全露光パターンの大きさを示す略線図である。
【図４】マスクの大きさを示す略線図である。
【図５】画素部の共通化による露光パターンの分割状態
を示す略線図である。
を示す略線図である。
【図６】画素部の共通化によるマスクパターンを示す略
線図である。
線図である。
【図７】露光パターンの２分割状態を示す略線図であ
る。
る。
【図８】露光パターンの３分割状態を示す略線図であ
る。
る。
【図９】露光パターンの４分割状態を示す略線図であ
る。
る。
【図１０】マトリツクス状の露光パターンの分割状態を
示す略線図である。
示す略線図である。
【図１１】同一パターンごとの分割によるマスクパター
ンを示す略線図である。
ンを示す略線図である。
【図１２】露光装置の構成を示す略線的側面図である。
【図１３】露光基板の露光パターンを示す略線図であ
る。
る。
１……露光装置、４……投影レンズ、５……ＸＹステー
ジ、１０……分割処理装置、１１……演算処理部、１２
……入力部、１３……出力部、Ｍ……マスク、Ｐ……露
光基板。
ジ、１０……分割処理装置、１１……演算処理部、１２
……入力部、１３……出力部、Ｍ……マスク、Ｐ……露
光基板。
Claims (4)
- 【請求項１】露光基板上に露光転写しようとする露光パ
ターンを分割してなる複数種類の単位パターンのそれぞ
れを単数又は複数のマスク上に形成し、上記マスクに形
成された上記単位パターンのそれぞれを投影レンズを介
してステージ上に載置された上記露光基板に対して互い
に繋ぎ露光することにより、上記露光基板上に上記単位
パターンの集合でなる上記露光パターンを形成する露光
装置の上記露光パターンの分割方法において、 上記露光基板の大きさを表すパラメータと上記マスクの
大きさを表すパラメータと露光光の光軸に対して垂直な
面内での上記ステージの最大移動量を表すパラメータと
に基づいて上記露光パターンを分割するようにしたこと
を特徴とする露光パターンの分割方法。 - 【請求項２】上記露光パターンの分割方法は、 上記露光基板の大きさを表すパラメータと上記マスクの
大きさを表すパラメータとに基づいて上記露光パターン
を分割するか否かを決定し、 上記マスクの大きさを表すパラメータと上記ステージの
最大移動量を表すパラメータとに基づいて上記露光パタ
ーンの分割数を決定するようにしたことを特徴とする請
求項１に記載の露光パターンの分割方法。 - 【請求項３】上記露光パターンの分割方法は、 上記複数のパラメータに基づいて決定された複数の分割
方法のうち、露光処理工程に要する時間が最も短い分割
方法を選択するようにしたことを特徴とする請求項１に
記載の露光パターンの分割方法。 - 【請求項４】上記露光パターンの分割方法は、 上記複数のパラメータに基づいて決定された複数の分割
方法のうち、露光処理工程に要する上記マスクの枚数が
最も少ない分割方法を選択するようにしたことを特徴と
する請求項１に記載の露光パターンの分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20103293A JP3301172B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 露光パターンの分割方法及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20103293A JP3301172B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 露光パターンの分割方法及び露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737801A true JPH0737801A (ja) | 1995-02-07 |
| JP3301172B2 JP3301172B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=16434316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20103293A Expired - Lifetime JP3301172B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 露光パターンの分割方法及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3301172B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034255A1 (fr) * | 1997-12-25 | 1999-07-08 | Nikon Corporation | Procede et appareil de fabrication de photomasque et procede de fabrication de l'appareil |
| WO2004068445A1 (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | ディスプレイ、配線基板及びその製造方法 |
| US6875941B2 (en) | 2003-01-10 | 2005-04-05 | Japan Ae Power Systems Corporation | Hydraulic operating apparatus for switch |
| EP1632812A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-08 | Adtec Engineering Co., Ltd. | Projection exposure apparatus and method for producing a printed circuit board |
| JP2010519595A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-03 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ステッチされるｉｃチップ・レイアウトの方法、システム、およびプログラム製品 |
| JP2012114270A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体チップの製造方法 |
-
1993
- 1993-07-21 JP JP20103293A patent/JP3301172B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034255A1 (fr) * | 1997-12-25 | 1999-07-08 | Nikon Corporation | Procede et appareil de fabrication de photomasque et procede de fabrication de l'appareil |
| US6677088B2 (en) | 1997-12-25 | 2004-01-13 | Nikon Corporation | Photomask producing method and apparatus and device manufacturing method |
| US6875941B2 (en) | 2003-01-10 | 2005-04-05 | Japan Ae Power Systems Corporation | Hydraulic operating apparatus for switch |
| WO2004068445A1 (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | ディスプレイ、配線基板及びその製造方法 |
| US7324351B2 (en) | 2003-01-30 | 2008-01-29 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Display, wiring board, and method of manufacturing the same |
| EP1632812A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-08 | Adtec Engineering Co., Ltd. | Projection exposure apparatus and method for producing a printed circuit board |
| JP2010519595A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-03 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ステッチされるｉｃチップ・レイアウトの方法、システム、およびプログラム製品 |
| JP2012114270A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体チップの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3301172B2 (ja) | 2002-07-15 |
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