JPH0736754Y2 - 光プリンタ用発光ダイオード - Google Patents
光プリンタ用発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH0736754Y2 JPH0736754Y2 JP14661089U JP14661089U JPH0736754Y2 JP H0736754 Y2 JPH0736754 Y2 JP H0736754Y2 JP 14661089 U JP14661089 U JP 14661089U JP 14661089 U JP14661089 U JP 14661089U JP H0736754 Y2 JPH0736754 Y2 JP H0736754Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- electrode layer
- compound semiconductor
- emitting diode
- optical printer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本考案は基台上に組立てるに好適な光プリンタ用発光ダ
イオードに関する。
イオードに関する。
（ニ） 従来の技術 従来より、光プリンタに用いる発光ダイオードアレイ
は、印字ドットに対応する発光領域を化合物半導体の表
面に複数個設け、その化合物半導体の表面に絶縁膜を介
して発光領域にオーミック接触をなした電極層を形成
し、化合物半導体の裏面には共通電極を設けていた。
は、印字ドットに対応する発光領域を化合物半導体の表
面に複数個設け、その化合物半導体の表面に絶縁膜を介
して発光領域にオーミック接触をなした電極層を形成
し、化合物半導体の裏面には共通電極を設けていた。
この様な光プリンタ用発光ダイオードにおいては、特開
昭61-3763号公報、特開昭62-242558号公報などに示され
ているごとく表面に薄膜上の絶縁層を設けている。この
様な絶縁層は、発光領域の選択拡散に用いたもの、化合
物半導体表面の保護のためのもの、絶縁層などのピンホ
ールを対策するためのもの、ワイヤーボンドなどの配線
における電極下地の硬度を維持したりあるいは衝撃を吸
収するためのもの、発光領域の輝度調節用のものなどの
目的があり、これらを達成するために化合物半導体の表
面には絶縁層が複数層設けられることが多くなった。
昭61-3763号公報、特開昭62-242558号公報などに示され
ているごとく表面に薄膜上の絶縁層を設けている。この
様な絶縁層は、発光領域の選択拡散に用いたもの、化合
物半導体表面の保護のためのもの、絶縁層などのピンホ
ールを対策するためのもの、ワイヤーボンドなどの配線
における電極下地の硬度を維持したりあるいは衝撃を吸
収するためのもの、発光領域の輝度調節用のものなどの
目的があり、これらを達成するために化合物半導体の表
面には絶縁層が複数層設けられることが多くなった。
一方、光プリンタにおいては、この様な発光ダイオード
を多数整列させるが、通常は発光ダイオードを光プリン
タの主走査長さの全長にわたって長尺なセラミック等の
基台の上に一列に整列させて載置固定し、駆動素子に対
して配線を行っていた。
を多数整列させるが、通常は発光ダイオードを光プリン
タの主走査長さの全長にわたって長尺なセラミック等の
基台の上に一列に整列させて載置固定し、駆動素子に対
して配線を行っていた。
（ハ） 考案が解決しようとする課題 この時、発光領域の間隔がその発光ダイオードの継目部
分に於ても等間隔になるように精度良く配列させなけれ
ばならない。発光領域の間隔は印字ドットの間隔そのも
のなので、この配列の位置合せは高い精度が必要であ
り、概ね参照光を当ててのパターン認識技術が利用され
る。
分に於ても等間隔になるように精度良く配列させなけれ
ばならない。発光領域の間隔は印字ドットの間隔そのも
のなので、この配列の位置合せは高い精度が必要であ
り、概ね参照光を当ててのパターン認識技術が利用され
る。
さらに配線においては、ドットに対応した数と密度の電
極に対して行わなくてはならないので、この場合もパタ
ーン認識技術を利用している。
極に対して行わなくてはならないので、この場合もパタ
ーン認識技術を利用している。
ところが上述の如く表面に複数の絶縁層があると、光の
反射が複雑となり、さらには各々の絶縁層の密着性が影
響して、これらのパターン認識において特定の印とその
周辺との判別が困難となりついには認識誤りや認識不能
が生じてきたので、不都合である。
反射が複雑となり、さらには各々の絶縁層の密着性が影
響して、これらのパターン認識において特定の印とその
周辺との判別が困難となりついには認識誤りや認識不能
が生じてきたので、不都合である。
（ニ） 課題を解決するための手段 本考案は上述の点を考慮して成されたもので、化合物半
導体の表面の発光領域から離隔された部分において、そ
の表面に直接設けられた電極層とその電極層の周辺に設
けられた単一層の絶縁層とを設けたものである。
導体の表面の発光領域から離隔された部分において、そ
の表面に直接設けられた電極層とその電極層の周辺に設
けられた単一層の絶縁層とを設けたものである。
（ホ） 作用 これによりパターン認識すべき電極層は形状的に紛らわ
しい発光領域から離れるとともにその周囲の絶縁層は単
一層なので光反射区別がつきやすく、また発光領域から
離れて配置されることにより発光領域や発光領域にオー
ミック接続された電極層においては必要な絶縁膜を幾層
でも設けることができる。
しい発光領域から離れるとともにその周囲の絶縁層は単
一層なので光反射区別がつきやすく、また発光領域から
離れて配置されることにより発光領域や発光領域にオー
ミック接続された電極層においては必要な絶縁膜を幾層
でも設けることができる。
（ヘ） 実施例 以下図面に従って本考案の実施例を説明する。１はGa
P、GaAsP、GaAlAs、GaAs等からなる化合物半導体で、そ
の表面には選択拡散法などにより１列または千鳥状２列
に整列した複数の発光領域11を有している。２、３、４
は化合物半導体１の表面に順次積層して設けられたSi3N
4、SiO2、Al2O3等からなる絶縁層で、拡散膜や表面保護
膜の場合には600〜1500Å、ピンホール対策膜や配線補
強下地膜の場合は800〜2000Å、光取出し・輝度調整膜
の場合には900〜3000Å程度の厚みの膜が用いられる。
５はその複数の絶縁層２、３の上に積層され、発光領域
11にオーミック接触の取られた電極層でAl、Cr等からな
る。
P、GaAsP、GaAlAs、GaAs等からなる化合物半導体で、そ
の表面には選択拡散法などにより１列または千鳥状２列
に整列した複数の発光領域11を有している。２、３、４
は化合物半導体１の表面に順次積層して設けられたSi3N
4、SiO2、Al2O3等からなる絶縁層で、拡散膜や表面保護
膜の場合には600〜1500Å、ピンホール対策膜や配線補
強下地膜の場合は800〜2000Å、光取出し・輝度調整膜
の場合には900〜3000Å程度の厚みの膜が用いられる。
５はその複数の絶縁層２、３の上に積層され、発光領域
11にオーミック接触の取られた電極層でAl、Cr等からな
る。
６は化合物半導体１の表面に直接設けられたパターン認
識用の電極層で、その電極層６の周辺には単一層の絶縁
層４のみが設けられている。７は化合物半導体１の裏面
に設けられた、Au等からなる共通電極である。
識用の電極層で、その電極層６の周辺には単一層の絶縁
層４のみが設けられている。７は化合物半導体１の裏面
に設けられた、Au等からなる共通電極である。
そしてこの電極層６は、材質は電極層５と同じであり、
また電極層５と接していてもよいが、パターン認識によ
って発光ダイオードの位置が確認できるように所定の形
状を成し、発光領域11から離隔された部分に配置されて
いる。そしてこの様な積層関係は電極層５、６を形成す
る直前に絶縁層２、３を部分除去しておけば容易に形成
できる。しかしながら必要に応じて、どの絶縁層２、
３、４を電極層６の周囲に配置するかは選択してよい。
また電極層５と接していてもよいが、パターン認識によ
って発光ダイオードの位置が確認できるように所定の形
状を成し、発光領域11から離隔された部分に配置されて
いる。そしてこの様な積層関係は電極層５、６を形成す
る直前に絶縁層２、３を部分除去しておけば容易に形成
できる。しかしながら必要に応じて、どの絶縁層２、
３、４を電極層６の周囲に配置するかは選択してよい。
（ト） 考案の効果 以上の如くパターン認識すべき印は被膜や化合物半導体
と光学特性の異なる電極層で形成され、その電極層は形
状的に紛らわしい発光領域から離れるとともにその周囲
の絶縁層は単一層なので、識別力の高い斜方落射照明に
よるパターン認識方法においては勿論のこと、識別力は
落ちるが位置精度の高い垂直落射照明であっても認識誤
りが少なく、認識不能は生じない。これは、化合物半導
体そのものの表面よりも、単層の絶縁層がある方が、平
坦度の程度差とか照明光の波長シフトの有無などにより
電極表面と区別しやすいからである。
と光学特性の異なる電極層で形成され、その電極層は形
状的に紛らわしい発光領域から離れるとともにその周囲
の絶縁層は単一層なので、識別力の高い斜方落射照明に
よるパターン認識方法においては勿論のこと、識別力は
落ちるが位置精度の高い垂直落射照明であっても認識誤
りが少なく、認識不能は生じない。これは、化合物半導
体そのものの表面よりも、単層の絶縁層がある方が、平
坦度の程度差とか照明光の波長シフトの有無などにより
電極表面と区別しやすいからである。
またその電極層が発光領域から離れて配置されることに
より絶縁層が最も必要とされる発光領域の上方またはそ
の周辺や、発光領域にオーミック接続された電極層の下
方においては必要な絶縁膜を幾層でも設けることがで
き、その他の化合物半導体表面においても少なくとも１
層の絶縁層があるので表面保護などを行うことができ
る。
より絶縁層が最も必要とされる発光領域の上方またはそ
の周辺や、発光領域にオーミック接続された電極層の下
方においては必要な絶縁膜を幾層でも設けることがで
き、その他の化合物半導体表面においても少なくとも１
層の絶縁層があるので表面保護などを行うことができ
る。
第１図は本考案実施例の光プリンタ用発光ダイオードの
絶縁層を除いた要部平面図で、第２図はその絶縁層があ
る状態でのＡ−Ａ断面図、第３図は第１図の絶縁層があ
る状態でのＢ−Ｂ断面図である。 １……化合物半導体、11……発光領域、２、３、４……
絶縁層、５……電極層、６……電極層。
絶縁層を除いた要部平面図で、第２図はその絶縁層があ
る状態でのＡ−Ａ断面図、第３図は第１図の絶縁層があ
る状態でのＢ−Ｂ断面図である。 １……化合物半導体、11……発光領域、２、３、４……
絶縁層、５……電極層、６……電極層。
Claims (1)
- 【請求項１】表面側に複数の発光領域を有する化合物半
導体の表面に、複数の絶縁層と、その複数の絶縁層に積
層された前記発光領域の電極層とを有する光プリンタ用
発光ダイオードにおいて、 化合物半導体の表面の発光領域から離隔された部分にお
いて、その表面に直接設けられたパターン認識用の電極
層とその電極層の周辺に設けられた単一層の絶縁層とを
具備したことを特徴とする光プリンタ用発光ダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14661089U JPH0736754Y2 (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 光プリンタ用発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14661089U JPH0736754Y2 (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 光プリンタ用発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384147U JPH0384147U (ja) | 1991-08-27 |
| JPH0736754Y2 true JPH0736754Y2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=31693175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14661089U Expired - Lifetime JPH0736754Y2 (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 光プリンタ用発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0736754Y2 (ja) |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP14661089U patent/JPH0736754Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0384147U (ja) | 1991-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |