JPH0734066A - 液晶組成物及び液晶表示装置 - Google Patents

液晶組成物及び液晶表示装置

Info

Publication number
JPH0734066A
JPH0734066A JP5182734A JP18273493A JPH0734066A JP H0734066 A JPH0734066 A JP H0734066A JP 5182734 A JP5182734 A JP 5182734A JP 18273493 A JP18273493 A JP 18273493A JP H0734066 A JPH0734066 A JP H0734066A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
liquid crystal
compound
production example
chemical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5182734A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2605249B2 (ja
Inventor
Haruyoshi Takatsu
晴義 高津
Sadao Takehara
貞夫 竹原
Kiyobumi Takeuchi
清文 竹内
Tokue Ishida
徳恵 石田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DIC Corp
Original Assignee
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd filed Critical Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority to JP5182734A priority Critical patent/JP2605249B2/ja
Priority to US08/278,260 priority patent/US5474707A/en
Priority to DE69428486T priority patent/DE69428486T2/de
Priority to EP94111448A priority patent/EP0637623B1/en
Priority to KR1019940017832A priority patent/KR100294287B1/ko
Publication of JPH0734066A publication Critical patent/JPH0734066A/ja
Priority to US08/429,485 priority patent/US5536443A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2605249B2 publication Critical patent/JP2605249B2/ja
Priority to HK98110280A priority patent/HK1009604A1/xx
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/40—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals
    • C09K19/402—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals containing deuterium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
    • C07B59/00—Introduction of isotopes of elements into organic compounds ; Labelled organic compounds per se
    • C07B59/001—Acyclic or carbocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
    • C07C255/49—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
    • C07C255/50—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton to carbon atoms of non-condensed six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
    • C07C255/49—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
    • C07C255/55—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton containing cyano groups and esterified hydroxy groups bound to the carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
    • C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
    • C09K19/3001—Cyclohexane rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
    • C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
    • C09K19/3001—Cyclohexane rings
    • C09K19/3003—Compounds containing at least two rings in which the different rings are directly linked (covalent bond)
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
    • C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
    • C09K19/3001—Cyclohexane rings
    • C09K19/3028—Cyclohexane rings in which at least two rings are linked by a carbon chain containing carbon to carbon single bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
    • C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
    • C09K19/3001—Cyclohexane rings
    • C09K19/3059—Cyclohexane rings in which at least two rings are linked by a carbon chain containing carbon to carbon triple bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
    • C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
    • C07C2601/14—The ring being saturated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K2019/0444—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit characterized by a linking chain between rings or ring systems, a bridging chain between extensive mesogenic moieties or an end chain group

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal Substances (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】 １個又は２個以上の水素原子（Ｈ）が重水素
原子（Ｄ）により置換された飽和炭化水素環〔例えば、
１−シアノ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル−２，２，６−ｄ３）ベンゼン〕を部分構造として
有する液晶化合物を含有する液晶組成物、及びこれを用
いた液晶表示装置。 【効果】 この液晶組成物は低温領域でも結晶が析出せ
ず、しかも比較的しきい値電圧が低く、応答速度も速
い。従って、この液晶組成物を用いて、液晶表示装置を
使用することができなかった低温領域において、良好な
駆動特性を示す液晶表示装置を作製することができる。
特に、低温領域での使用が期待されているアクティブマ
トリクス駆動方式やＳＴＮ表示方式の液晶表示装置の構
成材料として極めて有用である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学的表示材料とし
て有用な液晶組成物に関し、更に詳しくは、低温領域で
も結晶が析出せず、しかも汎用されている液晶組成物と
比較して、ネマチック相−等方性液体相転移温度、しき
い値電圧、屈折率異方性、誘電率異方性、応答速度、電
圧保持率等の特性が悪化することのない液晶組成物に関
する。更に、この液晶組成物を構成材料として、特に低
温領域で使用しても結晶が析出せず、しかも前記の電気
光学的特性に優れ、安定な表示をすることが可能な液晶
表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩
れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲス
ト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があ
り、また駆動方式としても従来のスタティック駆動から
マルチプレックス駆動が一般的になり、最近ではこのよ
うな単純マトリックス駆動から、ＴＦＴ（Thin Film Tr
ansistor）やＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）等を用
いたアクティブマトリックス駆動が実用化されている。
【０００３】これらの表示方式や駆動方式に応じて、液
晶組成物に種々の特性が要求されているが、（１）液晶
相の温度範囲が低温から高温まで広く、広い温度範囲で
駆動できること、（２）しきい値電圧が低く、低電圧で
駆動可能なこと、（３）低粘性であり、高速応答可能な
ことは、表示方式や駆動方式によらず、どの液晶組成物
にも共通して要求されている重要な特性である。現在ま
でのところ、こうした要求特性を単独で満たす液晶化合
物は知られておらず、種々の液晶化合物を混合すること
によって所望の特性を有する液晶組成物を得ているのが
現状である。このうち、幅広い温度範囲で液晶相を示す
液晶組成物を得るために、液晶相の温度領域の異なる種
々の液晶化合物を混合する方法が用いられている。この
ような手法を用いる場合、例えば、液晶組成物のネマチ
ック相−等方性液体相転移温度（以下、ＴN-I点とい
う。）を上昇させる場合には、ＴN-I点の高い液晶化合
物の混合割合を高くすればよい。しかしながら、このよ
うな化合物はネマチック相の下限温度（以下、ＴC-N点
という。）も高いので、必然的に得られる液晶組成物の
ＴC-N点も上昇してしまい、低温で結晶が析出してしま
うものが多く、実用的な液晶組成物として用いることが
できなくなる場合が多い。
【０００４】このようなことから、ネマチック相の温度
範囲が低温領域から高温領域まで広い実用的な液晶組成
物を調製する場合には、一般的に融点の低い液晶化合物
と室温付近でネマチック相を示す液晶化合物とＴN-I点
の高い化合物を、経験的に１０〜２０種類混合すること
により、液晶相の温度範囲を調整している。
【０００５】しかしながら、温度範囲を拡大すると同時
に、実際には使用目的に応じて、電気光学的特性や粘性
も最適化しなければならないため、液晶組成物の構成成
分となる液晶化合物としては、他の化合物との相溶性も
含めて数々の要求特性をある程度満たすものでなければ
使用できない。従って、数多い液晶化合物の中でも、実
用的な液晶組成物を調製する上で使用できる化合物の選
択範囲はかなり限定される。例えば、現在、液晶表示装
置の主流となりつつあるＴＦＴやＭＩＭ等のアクティブ
マトリクス駆動方式用の液晶組成物にも、前述の（１）
から（３）の特性が要求されるが、これらに加えて第４
番目の特性として、（４）高い電圧保持率を有すること
が更に要求される。これは、液晶組成物の電圧保持率が
低いと、駆動させたはずの画素の輝度が変化するフリッ
カ現象が起きてしまうからである。一般的に、液晶組成
物の電圧保持率を高くするためには、デバイス中での熱
や光等に対して化学的に安定で、しかも比抵抗値が高く
なければならない。このような要求特性を満たす液晶化
合物が種々検討された結果、従来、ＴＮ、ＳＴＮに用い
られていた化合物の中でも、エステル基、シアノ基、ピ
リミジン環あるいはジオキサン環等を有する液晶化合物
は、電圧保持率を低下させるので、アクティブマトリク
ス用には適さないことが明らかになった。
【０００６】また、アクティブマトリクス駆動方式にお
いても、表示方式は従来のＴＮ表示方式と同じであるた
め、液晶組成物の誘電率異方性（Δε）は全体として正
であることが必須である。しかしながら、従来使用され
ていたΔεが正の液晶化合物（以下、ｐ形液晶化合物と
する。）の中でも比較的大きなΔεを有するものも、同
様に電圧保持率を低下させるので、下記のような化合物
はアクティブマトリクス駆動用には適さないことが明ら
かになった。
【０００７】
【化１３】 （式中、Ｒはアルキル基を表わす。） そのため、現在では液晶組成物のΔεを正の適当な値に
するために、官能基としてフルオロ基やクロロ基を有す
る化合物、例えば、下記のようなｐ形液晶化合物がアク
ティブマトリクス用の材料として用いられている。
【０００８】
【化１４】
【０００９】
【化１５】 （式中、Ｒはアルキル基を表わし、Ｒ’はアルキル基、
アルケニル基又はアルコキシアルキル基を表わす。） しかしながら、これらの化合物を用いてアクティブマト
リクス駆動に必要な電気光学的特性を達成することはで
きても、アクティブマトリクスに用いられる液晶化合物
は、比較的ＴN-I点が高いものが多いので、ＴC-N点が十
分に低い液晶組成物を調製することは非常に難しい。
【００１０】この問題を解決するために、前記フルオロ
系化合物のうち、同一骨格を有し、且つ末端アルキル基
の炭素原子数が２〜７までの範囲で互いに異なる同族体
を数種添加することによって液晶組成物のＴC-N点を低
下させる方法が用いられている。しかしながら、この方
法ではＴC-N点はさほど低下せず、しかも末端アルキル
基の炭素原子数が大きくなるほど粘性が上昇する傾向が
あるので、結果的には前述の（３）の応答特性を悪化さ
せてしまう。このように、前述の（１）から（４）の特
性をすべて満足するアクティブ用液晶組成物は現在のと
ころ得られておらず、アクティブマトリクス用の液晶組
成物としては、（２）〜（４）の特性を満たすことを優
先させており、（１）の温度範囲については、ＴC-N点
が充分に低くないものでも使用せざるを得ない状況であ
り、当然、低温では結晶が析出しやすいものが多い。
【００１１】また、ＳＴＮ液晶表示装置に用いられる液
晶組成物には、前述の（１）から（３）の特性に加え
て、更に４番目の特性として（５）液晶組成物の弾性定
数比（Ｋ33／Ｋ11）が大きく、高コントラストを達成す
ることが要求されている。更に、ＳＴＮ表示方式は、特
にラップトップコンピューター等の汎用機器に多く適用
されているため、（２）のしきい値電圧が低いことも重
要な要求特性である。液晶組成物のしきい値電圧を低下
させるためには、下記の式に従って、液晶組成物の誘電
率異方性Δεを大きくするか、弾性定数Ｋを小さくする
ことが効果がある。
【００１２】
【数１】 （式中、Ｖthはしきい値電圧を、Δεは誘電率異方性を
表わす。）ここで、Δεの非常に大きな液晶化合物とし
ては例えば、下式のような化合物があるが、Δεの大き
すぎる化合物を多量に使用すると、電流値の増大等の問
題を引き起こす場合が多く、実際に液晶表示装置として
使用する場合、信頼性の面で問題がある。
【００１３】
【化１６】 （式中、Ｒはアルキル基を表わす。） また、弾性定数の小さい液晶組成物は、ｐ形液晶化合物
からなる母体液晶と、ＴN-I点が高く、且つ弾性定数の
比較的小さく、Δεが負の液晶化合物（以下、ｎ形液晶
化合物とする。）の３環系液晶化合物若しくは３環系ｐ
形液晶化合物を混合する方法によって調製される。弾性
定数比Ｋ33／Ｋ11の値が大きいｐ形液晶化合物として、
例えば、下式の化合物が用いられる。
【００１４】
【化１７】 （式中、Ｒ’はアルキル基、アルケニル基又はアルコキ
シアルキル基を表わし、Ｘは水素原子又はフッ素原子を
表わす。） 従って、ＳＴＮにおけるしきい値電圧特性とコントラス
ト特性を満たすために、このようなｐ形液晶化合物と前
述の３環系のｐ形あるいはｎ形液晶化合物を混合する
と、低温領域で結晶が析出しやすい傾向があるという問
題がある。そこで、アクティブマトリクスの場合と同様
に、同一骨格を有し、且つＲ’の炭素原子数が互いに異
なる同族体を何種類も添加したり、Ｒ’がアルケニル基
である場合、二重結合の位置が互いに異なる同族体を何
種類も添加して、得られる液晶組成物のＴC-N点を低下
させている。
【００１５】しかしながら、このような方法では、炭素
原子数の違いあるいは二重結合の位置の違いによって、
化合物の弾性定数比Ｋ33／Ｋ11の値も大きく異なるの
で、結局、得られる液晶組成物の弾性定数比Ｋ33／Ｋ11
が小さくなり、コントラストが低下してしまう場合が多
い。また、同族体を添加する方法ではＴC-N点の低下に
も限界があることに加えて、粘性が増大し、応答速度が
遅くなるという問題もあり、これらの問題点を考慮した
上で液晶組成物の組成設計をすることは非常に難しい。
現状では、しきい値電圧が１．２Ｖ程度のしきい値電圧
の低いＳＴＮ用液晶組成物が調製されているが、上述の
ように弾性定数比Ｋ33／Ｋ11の値が充分大きくないの
で、低電圧駆動で、高いコントラストのＳＴＮ液晶表示
装置は現在のところ作製されていない。
【００１６】ここまで説明してきたように、前述の
（１）の液晶相の温度範囲の広い液晶組成物としては、
液晶組成物のＴC-N点が低いことが要求されるが、実際
には、ＴC -N点よりも高い温度であっても、結晶が析出
する材料も少なくないので、信頼性の高い液晶表示装置
には、低温領域でも液晶組成物中に結晶が析出せず、表
示画面全体に環境温度による表示欠陥のないことが要求
される。液晶組成物のＴC-N点は、個々の液晶単体物質
で構成される混合系組成物が過冷却現象を示す場合が多
いので、ＴC-N点は液晶組成物を液体窒素等で固化ある
いはガラス状態に充分低温（例えば−７０℃）に冷却し
て結晶化をはかり、しかるのちに温度を徐々に上昇させ
ながら固体からネマチック相への転移温度を測定し、こ
れをもってＴC-N点としている。しかしながら、成分数
が１０〜２０種類の実用的な液晶組成物の場合、共融混
合物ではないため、前述の測定に基づくネマチック相の
下限温度より高い温度で保存したとしても、結晶が析出
してしまいう場合が多々あり、結局駆動可能な温度範囲
は狭められてしまう。例えば、ＴC-N点が−７０℃であ
るにもかかわらず、室温で結晶が析出するというものも
珍しくない。また、前述のように車載用あるいは航空機
用などには−４０℃から１１０℃までの幅広い温度範囲
で安定にネマチック相を示すことが要求されているが、
−５５℃の低温で保存しても結晶が析出しない液晶組成
物は現在のところ得られていない。そのため、実際に車
載用として汎用されている液晶組成物でさえ、例えば、
−２５℃で保存すると１週間程度で結晶が析出してしま
うものもある。
【００１７】このような例からも、液晶組成物のＴC-N
点が非常に低くても、それより高い温度で結晶が析出し
ないとは限らないので、前述の（１）の特性を満たすも
のとしては、ＴC-N点が低いことではなく、低温領域で
も結晶が析出しないことが高い信頼性を得るために必要
とされる。以上述べたように、液晶組成物はその表示方
式や駆動方式に適応するように種々の液晶化合物を混合
することによって調製されるが、現在使用されている液
晶化合物だけでは特性の改善には限界がある。特に、汎
用の液晶組成物は電気光学的特性を満足することに主眼
が置かれて組成設計されている場合多い。しかしなが
ら、そのような汎用の液晶組成物の中でも、特にＴＦＴ
やＭＩＭ等のアクティブマトリクス駆動方式用の液晶組
成物や、ＳＴＮ液晶表示装置用の液晶組成物において
は、（１）の液晶相の温度範囲が広いものであって、且
つ低温領域で結晶が析出しないことで、実用上高い信頼
性を得ている材料はほとんど存在しない。前述の（２）
〜（５）の特性をほぼ満足する汎用の液晶組成物は、そ
の使用目的により温度は異なるが、比較的低い温度で保
存しても約１カ月間結晶が析出しなければ、信頼性の高
い実用液晶として認識されている。しかしながら、この
ような液晶組成物を用いた場合、それを構成材料とする
液晶表示装置は使用する環境温度が当然制限されてい
る。このようなことから、より低温でも結晶が析出しな
い、信頼性の高い液晶組成物であって、各種の表示方式
や駆動方式に要求される電気光学的特性を充分に満足す
る液晶組成物は現在のところ得られていない。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、低温領域において結晶が析出しないという
点で顕著な効果を示し、しかも電気光学的特性、即ち、
しきい値電圧、コントラスト、応答特性等に優れる液晶
組成物を提供し、またその液晶組成物を構成材料として
用いた液晶表示装置、特に低温領域においても画面全体
に表示欠陥のないアクティブマトリクス駆動方式やＴ
Ｎ、ＳＴＮ液晶表示装置を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討したが、現在汎用されている
液晶化合物を単に組み合わせて液晶組成物を調製するだ
けでは、前述のように特性の改善には限界があった。従
って、本発明者らは、汎用の液晶組成物には全く用いら
れていない液晶化合物を開発し、この化合物を含有する
新規な液晶組成物を調製することが必要であると考え
た。そこで、本発明者らは種々の文献に着目したが、そ
の中で重水素原子（Ｄ）を有する液晶化合物について
は、以下に示すように既に数例の報告がある。 1) H.Gasparoux等，Ann.ReV.Phys.Chem.,27, 175(1976) 2) G.W.Gray等, Mol.Cryst.Liq.Cryst.,41, 75(1977) 3) A.J.Leadbetter等, J.Phys.［Paris］coll C3, 40,
125(1979) 4) A.Kolbe等, Z.Naturforsch.,23a, 1237(1968) 5) J.D.Rowell等, J.Chem.Phys.,43, 3442(1965) 6) W.D.Philips等, J.Chem.Phys.,41, 2551(1964) 7) A.F.Martins等, Mol.Cryst.Liq.Cryst.,14, 85(197
1) 8) E.T.Samulski等, Phys.Rev.Lett.,29, 340(1972) 9) H.Zimmermann等,Liquid Crystals.,4, 591(1989) しかしながら、これらの報告において、４−アルコキシ
安息香酸のカルボキシル基における水素原子（Ｈ）を重
水素原子（Ｄ）で置換した例（文献(1)）以外はすべ
て、末端基中の水素原子（Ｈ）を重水素原子（Ｄ）で置
換するか、あるいはベンゼン環に結合する水素原子
（Ｈ）を重水素原子（Ｄ）で置換した例であった。しか
もこれらの文献には、その化合物を液晶組成物に添加し
た例すらも記載されていない。
【００２０】そこで、本発明者らは、これまでに報告さ
れていない、飽和炭化水素環に結合する水素原子（Ｈ）
を重水素原子（Ｄ）で置換することを試みたが、これに
よって得られる重水素原子（Ｄ）を有する液晶化合物
は、前述の文献からは全く予想もできないような、優れ
た特性を有していることが明らかになった。即ち、本発
明は、上記課題を解決するために、任意の１個又は２個
以上の水素原子（Ｈ）が重水素原子（Ｄ）により置換さ
れた飽和炭化水素環を部分構造として有する液晶化合物
（以下、Ｄ化液晶化合物とする）を含有する液晶組成物
を提供し、更にこの液晶組成物を用いた液晶表示装置を
提供する。本発明で使用するＤ化液晶化合物は、各化合
物の構造によって異なるが、基本的には中間体の段階で
重水素置換工程を導入することにより、製造することが
できる。例えば、２環性のＤ化液晶化合物である式（Ｒ
−１）
【００２１】
【化１８】 （式中、環Ａは１個又は２個以上の重水素原子（Ｄ）を
有するシクロヘキサン環を表わす。）で表わされる１−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−エト
キシベンゼンの重水素置換体の製造方法の例を以下に示
す。なお、化合物名あるいは構造式に添えたｄn−はシ
クロヘキサン環に結合している水素原子（Ｈ）がｎ個の
重水素原子（Ｄ）により置換されていることを表わす。 （イ）
【００２２】
【化１９】 （イ） ４−プロピルシクロヘキサノンをジクロロメタ
ン等の溶媒に溶解し、塩基存在下に重水（Ｄ2Ｏ）と加
熱して、４−プロピルシクロヘキサノン−２，２，６，
６−ｄ4を得る。次に、１−エトキシ−４−ブロモベン
ゼンから調製されるグリニヤール反応剤を反応させ、得
られたｄ4−フェニルシクロヘキサノール誘導体を脱水
して、ｄ3−フェニルシクロヘキセン誘導体を得る。こ
れを接触還元し、シス体を分離して、１−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）−４
−エトキシベンゼンが得られる。 （ロ）
【００２３】
【化２０】 （ロ） シクロヘキサン−１，４−ジオンモノエチレン
アセタールを１−エトキシ−４−ブロモベンゼンから調
製されるグリニヤール反応剤と反応させ、上記（イ）と
同様にして脱水（必要に応じてエチレンアセタール化を
行う。）して、水素添加した後、脱アセタールし、４−
（４−エトキシフェニル）シクロヘキサノンを得る。こ
れを（イ）と同様に重水素化し、４−（４−エトキシフ
ェニル）シクロヘキサノン−２，２，６，６−ｄ4を得
る。これを臭化プロピルから調製されるグリニヤール反
応剤と反応させ、脱水、水素添加した後、シス体を分離
して、１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル−
３，３，５−ｄ3）−４−エトキシベンゼンが得られ
る。 （ハ）
【００２４】
【化２１】 （ハ） 前述の（ロ）で中間体として得られた４−（４
−エトキシフェニル）シクロヘキサノン−２，２，６，
６−ｄ4を、塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニ
ウムから調製される一般式（ＩＶ）
【００２５】
【化２２】 （式中、Phはフェニル基を表わす。）で表わされるウィ
ッティヒ反応剤と反応させ、次いで酸処理することによ
り、４−（４−エトキシフェニル）シクロヘキサン−
２，２，６，６−ｄ4−カルバルデヒドを得る。これを
トランス体に異性化した後、エチルトリフェニルホスホ
ニウムから調製されるウィッティヒ反応剤と反応させ、
次いで水素添加して、１−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル−３，３，５，５−ｄ4）−４−エトキシ
ベンゼンを得ることができる。 （ニ）
【００２６】
【化２３】 （ニ） 前述の（ハ）におけるカルバルデヒド誘導体の
異性化を、重水（Ｄ2Ｏ）存在下に行い、４−（４−エ
トキシフェニル）シクロヘキサン−１，２，２，６，６
−ｄ5−カルバルデヒドを得る。以下（ハ）と同様にし
て、１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル−
３，３，４，５，５−ｄ5）−４−エトキシベンゼンを
得ることができる。 （ホ）
【００２７】
【化２４】 （ホ） 前述の（ロ）で中間体として得られた４−（４
−エトキシフェニル）シクロヘキサノンと一般式（ＩＩ
Ｉ）のウィッティヒ反応剤から、４−（４−エトキシフ
ェニル）シクロヘキサンカルバルデヒドを得ることがで
きる。前述の（二）と同様にして、４−（４−エトキシ
フェニル）シクロヘキサン−１−ｄ−カルバルデヒドを
経て、１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル−
４−ｄ）−４−エトキシベンゼンを得ることができる。 （ヘ）
【００２８】
【化２５】 （ヘ） シクロヘキサン−１，４−ジオンを前述の
（イ）と同様に重水素化し、ｄ8−シクロヘキサン−
１，４−ジオンを得る。これをモノエチレンアセタール
とした後、前述の（ハ）と同様に反応させて、１−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル−２，２，３，
３，５，５，６−ｄ7）−４−エトキシベンゼンを得る
ことができる。 （ト）
【００２９】
【化２６】 （ト） シクロヘキサン−１，４−ジオンモノエチレン
アセタールを重水素化し、これから前述の（ロ）と同様
にして、４−（４−エトキシフェニル）シクロヘキサノ
ン−３，３，５−ｄ3が得られる。これから前述の
（ホ）と同様にして、１−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル−２，２，４，６−ｄ4）−４−エトキシ
ベンゼンを得ることができる。 （チ）
【００３０】
【化２７】 （チ） 前述の一般式（ｐ）の化合物における環Ａが重
水素置換されていないシクロヘキサン環を有する化合物
の製造中間体として用いられている１−（４−エトキシ
フェニル）−４−プロピルシクロヘキセンをハイドロボ
レーションし、次いで、クロム酸等で酸化して、２−
（４−エトキシフェニル）−５−プロピルシクロヘキサ
ノンを得る。これを前述の（二）と同様に重水素化及び
トランス体への異性化を行い、次いでカルボニル基を還
元除去して、１−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル−１，３，３−ｄ3）−４−エトキシベンゼンを得
ることができる。 （リ）
【００３１】
【化２８】 （リ） 前述の（チ）の中間体である２−（４−エトキ
シフェニル）−５−プロピルシクロヘキサノンを水素化
アルミニウムリチウム−ｄ4で還元し、脱水した後、水
素添加して更にトランス体に異性化して、１−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル−２−ｄ）−４−エト
キシベンゼンを得ることができる。 （ヌ）
【００３２】
【化２９】 （ヌ） フェノールを重水及び低濃度の塩化重水素（Ｄ
Ｃｌ）中で加圧下、高温（230〜250℃）で反応させ、ｄ
6−フェノールを得る。これを塩酸中還流することによ
り、３，５−ｄ2−フェノールを得る。これをプロピオ
ン酸クロリドと塩化アルミニウム存在下に反応させて、
次いでWolff-Kishner還元により、４−プロピル−
（３，５−ｄ2）フェノールを得る。これをロジウム炭
素を触媒として水素添加し、得られたシクロヘキサノー
ル誘導体を無水クロム酸等で酸化して、４−プロピル
（３，５−ｄ2）−シクロヘキサノンが得られる。この
化合物を用いて、前述の（イ）と同様にして、１−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル−３，５−ｄ2）
−４−エトキシベンゼンを得ることができる。
【００３３】このように式（Ｒ−１）の化合物は（イ）
〜（ヌ）の各方法により得ることができるが、この式
（Ｒ−１）以外の他の２環性のＤ化液晶化合物も上記方
法に準じて、あるいはこれらを組み合わせることにより
容易に得ることができる。また、例えば、３環性のＤ化
液晶化合物である式（Ｒ−２）
【００３４】
【化３０】 （式中、環Ａは少なくとも１つの重水素原子（Ｄ）を有
するシクロヘキサン環を表わす。）で表わされる１−
［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル］−３，４−ジフルオロベンゼンの重水素置
換体の製造方法の例を以下に示す。 （ル）
【００３５】
【化３１】 （ル） ４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキサノンを（イ）と同様に重水素化して、
４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロ
ヘキサノン−２，２，６，６−ｄ4を得る。これを１−
ブロモ−３，４−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤と反応させ、以下、（イ）と同様にし
て、１−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル−２，２，６−ｄ3］−３，４−ジ
フルオロベンゼンを得ることができる。 （ヲ）
【００３６】
【化３２】 （ヲ） 前述の（ル）の中間体である１−（３，４−ジ
フルオロフェニル）−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキセン−２，６，６−ｄ 3から
前述の（チ）と同様にハイドロボレーション、次いで酸
化して、２−（３，４−ジフルオロフェニル）−５−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
サノン−３，３−ｄ2を得る。これを前述の（二）と同
様に重水素化及びトランス体への異性化を行い、次いで
カルボニル基を還元除去して、１−［４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−１，
２，２，５，５−ｄ5］−３，４−ジフルオロベンゼン
を得ることができる。 （ワ）
【００３７】
【化３３】 （ワ） 前述の（ヲ）においてハイドロボレーション後
に重水素化を行わず、異性化のみを行った以外は（ヲ）
と同様にして、１−［４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル−２，２−ｄ2］−３，
４−ジフルオロベンゼンを得ることができる。 （カ）
【００３８】
【化３４】 （カ） 臭化４−プロピルシクロヘキシルから調製され
るグリニヤール反応剤を前述の（ト）で得られたシクロ
ヘキサン−１，４−ジオンモノエチレンアセタールの重
水素置換体と反応させ、同様に脱水、水素添加を行い、
４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロ
ヘキサノン−３，３，５−ｄ3を得る。これから前述の
（ル）と同様にして、１−［４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−３，３，５−ｄ
3］−３，４−ジフルオロベンゼンを得ることができ
る。 （ヨ）
【００３９】
【化３５】 （ヨ） 前述の（カ）で得られた４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサノン−３，３，
５−ｄ3を更に重水素化し、４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキサノン−２，２，３，
３，５，６，６−ｄ7を得る。これから、前述の（ル）
と同様にして、１−［４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル−２，２，３，３，５，
６−ｄ6］−３，４−ジフルオロベンゼン及び１−［４
−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘ
キシル−２，２，３，５，５，６−ｄ6］−３，４−ジ
フルオロベンゼンを得ることができる。
【００４０】このように式（Ｒ−２）の化合物は（ル）
〜（ヨ）の各方法により得ることができるが、この式
（Ｒ−２）以外の他の３環性のＤ化液晶化合物も上記方
法に準じて、あるいはこれらを組み合わせることにより
容易に得ることができる。
【００４１】また、４環性のＤ化液晶化合物も、上記
（イ）〜（ヨ）の各方法に準じて、あるいはこれらを組
み合わせることにより容易に得ることができる。ここで
は飽和炭化水素環がシクロヘキサン環であるＤ化液晶化
合物の例を挙げたが、シクロヘキサン環以外の炭素原子
数３〜５の飽和炭化水素環も好ましい。
【００４２】本発明で使用するＤ化液晶化合物は、前述
の文献に記載されている合成法を応用することができる
ので、重水素原子（Ｄ）の置換位置は（イ）〜（ヨ）の
製造方法で示されるものに限定されず、飽和炭化水素環
のどの位置に結合していてもよい。また、重水素原子
（Ｄ）は少なくとも１つ結合していればよいが、飽和炭
化水素環の全ての水素原子（Ｈ）が重水素原子（Ｄ）に
よって置換されていてもよい。例えば、前述の（ヌ）の
製造方法において、
【００４３】
【化３６】 の中間体に代えて、
【００４４】
【化３７】 で表わされる任意の中間体を用いることによって、多種
のＤ化液晶化合物を製造することができる。
【００４５】ここで、本発明で使用することができる好
ましい化合物の代表的なものの例を以下に示す。尚、下
記式（１）〜（３６４）の化合物においては特に断りが
ない限り、Ｒ1は炭素原子数１〜２０のアルキル基、ア
ルコキシアルキル基又はアルケニル基を表わし、Ｒ2は
アルキル基又はアルコキシル基を表わし、Ｒ3及びＲ4は
それぞれ独立的に炭素原子数１〜２０のアルキル基を表
わし、Ｒ5は炭素原子数１〜２０のアルキル基又はアル
ケニル基を表わす。また、下記式（１）、（２）、（２
１）〜（３８）、（４１）〜（４３）、（４５）〜（５
９）、（９０）〜（１０４）、（１５０）〜（１７
９）、（２１０）〜（３０３）、（３３５）〜（３４
９）における環Ａ及び環Ｂと、式（７５）〜（８９）、
（３５０）〜（３６４）における環Ａは、
【００４６】
【化３８】 で表わされる基からなる群から選ばれる基を表わし、式
（３）〜（２０）、（３９）、（４０）、（４４）、
（６０）〜（７４）、（１０５）〜（１４９）、（１８
０）〜（２０９）、（３０４）〜（３３４）における環
Ａと、式（７５）〜（８９）、（３５０）〜（３６４）
における環Ｂは、
【００４７】
【化３９】 で表わされる基からなる群から選ばれる基を表わす。ま
た、式（７５）〜（８９）、（２５５）〜（２６９）、
（３０１）、（３０３）、（３５０）〜（３６４）にお
ける環Ａ及び環Ｂは、互いに同一であっても異なってい
てもよい。
【００４８】
【化４０】
【００４９】
【化４１】
【００５０】
【化４２】
【００５１】
【化４３】
【００５２】
【化４４】
【００５３】
【化４５】
【００５４】
【化４６】
【００５５】
【化４７】
【００５６】
【化４８】
【００５７】
【化４９】
【００５８】
【化５０】
【００５９】
【化５１】
【００６０】
【化５２】
【００６１】
【化５３】
【００６２】
【化５４】
【００６３】
【化５５】
【００６４】
【化５６】
【００６５】
【化５７】
【００６６】
【化５８】
【００６７】
【化５９】
【００６８】
【化６０】
【００６９】
【化６１】
【００７０】
【化６２】
【００７１】
【化６３】
【００７２】
【化６４】
【００７３】
【化６５】
【００７４】
【化６６】
【００７５】
【化６７】
【００７６】
【化６８】
【００７７】
【化６９】
【００７８】
【化７０】
【００７９】
【化７１】
【００８０】
【化７２】
【００８１】
【化７３】
【００８２】
【化７４】
【００８３】
【化７５】
【００８４】
【化７６】
【００８５】
【化７７】
【００８６】
【化７８】
【００８７】
【化７９】
【００８８】
【化８０】
【００８９】
【化８１】
【００９０】
【化８２】
【００９１】
【化８３】
【００９２】
【化８４】
【００９３】
【化８５】
【００９４】
【化８６】
【００９５】
【化８７】
【００９６】
【化８８】
【００９７】
【化８９】
【００９８】
【化９０】
【００９９】
【化９１】
【０１００】また、上記の式（１）〜（３６４）の好ま
しい化合物について、各製造方法の例を以下に示す。
【０１０１】［製造例１］ 式（１）の化合物の製造方
法 前述の（イ）、（ロ）、（ヘ）の各製造方法において、
臭化４−エトキシフェニルマグネシウムに代えて、臭化
４−アルキル（又はアルコキシ）シクロヘキシルマグネ
シウムを用いるか、（ハ）、（ニ）、（ホ）、（ト）の
各製造方法において、４−（４−エトキシフェニル）シ
クロヘキサノンに代えて、４−（４−アルキル又はアル
コキシシクロヘキシル）シクロヘキサノンを用いる以外
は（イ）〜（ト）の製造方法と同様にして製造できる。 ［製造例２］ 式（２）の化合物の製造方法 製造例１において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）シクロヘキシルマグネシウムに代えて、臭化２−
［４−アルキル（又はアルコキシ）シクロヘキシル］エ
チルマグネシウムを用いるか、あるいは４−（４−アル
キル又はアルコキシシクロヘキシル）シクロヘキサノン
に代えて、４−［２−（４−アルキル又はアルコキシシ
クロヘキシル）エチル］シクロヘキサノンを用いる以外
は製造例１と同様にして製造できる。
【０１０２】［製造例３］ 式（３）の化合物の製造方
法 前述の（イ）〜（ヌ）の各製造方法に従って製造するこ
とができる。 ［製造例４］ 式（４）の化合物の製造方法 製造例３において、グリニャール反応剤として臭化４−
アルキル（又はアルコキシ）フェニルマグネシウムに代
えて、臭化４−フルオロフェニルマグネシウムを用いる
以外は製造例３と同様にして製造できる。
【０１０３】［製造例５］ 式（５）の化合物の製造方
法 製造例３において、グリニャール反応剤として臭化４−
アルキル（又はアルコキシ）フェニルマグネシウムに代
えて、臭化フェニルマグネシウムから調製されるグリニ
ャール反応剤を用いて、式（Ｐ１）
【０１０４】
【化９２】 の化合物を得る。これを、触媒存在下に塩化スルフリル
等で直接塩素化するか、あるいはニトロ化した後に還元
して、式（Ｐ２）
【０１０５】
【化９３】 のアニリン誘導体とし、次いでジアゾニウム化すること
により製造できる。 ［製造例６］ 式（６）の化合物の製造方法 製造例３において、グリニャール反応剤として、４−ブ
ロモ−１−トリフルオロメトキシベンゼンから調製され
るグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例３と同様に
製造できる。
【０１０６】［製造例７］ 式（７）の化合物の製造方
法 製造例３において、Ｒ2がＯＣＨ3である化合物を臭化水
素酸、ヨウ化トリメチルシリル、塩化アルミニウム、三
臭化ホウ素あるいは塩化アルミニウムと、ジメチルスル
フィド（又はエタンチオール）により脱メチル化して式
（Ｐ３）
【０１０７】
【化９４】 のフェノール誘導体を得る。これを塩基存在下にクロロ
ジフルオロメタンと反応させるか、あるいは蟻酸エステ
ルとした後にジメチルアミノ三弗化硫黄（ＤＡＳＴ）等
と反応させることにより製造することができる。 ［製造例８］ 式（８）の化合物の製造方法 式（Ｐ１）の中間体を、塩化アルミニウム等のルイス酸
存在下に蓚酸ジクロリドと反応させ、式（Ｐ４）
【０１０８】
【化９５】 の安息香酸クロリド誘導体を得る。これをアルコールＲ
3ＯＨと反応させてエステル化することにより製造でき
る。
【０１０９】［製造例９］ 式（９）の化合物の製造方
法 式（Ｐ３）の中間体とカルボン酸Ｒ3ＣＯＯＨ又はＲ3Ｃ
ＯＣｌを、通常の方法を用いてエステル化することによ
り製造できる。 ［製造例１０］ 式（１０）の化合物の製造方法 製造例３において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、１−ブロモ−３，
４−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反
応剤を用いる以外は製造例３と同様にして製造できる。
【０１１０】［製造例１１］ 式（１１）の化合物の製
造方法 製造例１０において、１−ブロモ−４−クロロ−３−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニャール反応剤を用
いても製造でき、あるいは１−ブロモ−３−フルオロベ
ンゼンを用いて、式（Ｐ５）
【０１１１】
【化９６】 の中間体を得て、製造例５と同様に塩素化することによ
っても製造できる。 ［製造例１２］ 式（１２）の化合物の製造方法 製造例３において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、４−ブロモ−２−
フルオロ−１−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例３と同
様にして製造できる。
【０１１２】［製造例１３］ 式（１３）の化合物の製
造方法 製造例７において、臭化４−メトキシフェニルマグネシ
ウムに代えて、４−ブロモ−２−フルオロアニソールか
ら調製されるグリニヤール反応剤を用いることにより、
式（Ｐ６）
【０１１３】
【化９７】 のフェノール誘導体を得て、製造例７と同様にして製造
できる。 ［製造例１４］ 式（１４）の化合物の製造方法 式（Ｐ５）の中間体から式（Ｐ７）
【０１１４】
【化９８】 の酸塩化物を得て、製造例８と同様にして製造できる。
【０１１５】［製造例１５］ 式（１５）の化合物の製
造方法 製造例３において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、１−ブロモ−３，
４，５−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いる以外は製造例３と同様にして製造で
きる。 ［製造例１６］ 式（１６）の化合物の製造方法 製造例３において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、１−ブロモ−４−
クロロ−３，５−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤を用いる以外は製造例３と同様にして
製造できる。あるいは１−ブロモ−３，５−ジフルオロ
ベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用いるこ
とにより得られる式（Ｐ８）
【０１１６】
【化９９】 の化合物を、製造例５と同様に塩素化することによって
も製造できる。
【０１１７】［製造例１７］ 式（１７）の化合物の製
造方法 ２，６−ジフルオロフェノールを臭素化し、次いでヨウ
化メチル等により４−ブロモ−２，６−ジフルオロアニ
ソールを得て、製造例１３と同様にして製造できる。 ［製造例１８］ 式（１８）の化合物の製造方法 式（Ｐ４）の中間体をアンモニア水と反応させて式（Ｐ
９）
【０１１８】
【化１００】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式（Ｐ
１）の中間体を沃素−過沃素酸により沃素化して、式
（Ｐ１０）
【０１１９】
【化１０１】 の化合物を得て、これをシアン化銅（Ｉ）と反応させて
も製造できる。
【０１２０】［製造例１９］ 式（１９）の化合物の製
造方法 式（Ｐ７）あるいは（Ｐ５）の中間体から製造例１８と
同様にして製造できる。 ［製造例２０］ 式（２０）の化合物の製造方法 製造例１８において、式（Ｐ１）の化合物に代えて、式
（Ｐ８）の化合物を用いる以外は実施例１８と同様にす
るか、あるいは式（Ｐ８）の化合物をアルキルリチウム
によりフェニルリチウム誘導体とし、二酸化炭素と反応
させて式（Ｐ１１）
【０１２１】
【化１０２】 の安息香酸誘導体とする。これを塩化チオニル等により
酸塩化物とし、製造例１８と同様にして製造することも
できる。
【０１２２】［製造例２１］ 式（２１）の化合物の製
造方法 シクロヘキサン−１，４−ジオンのモノエチレンアセタ
ールを、前述の式（ＩＶ）のウィッティヒ反応剤と反応
させ、式（Ｐ１２）
【０１２３】
【化１０３】 のシクロヘキサンカルバルデヒド誘導体を得る。これを
再度式（ＩＶ）の化合物と反応させて式（Ｐ１３）
【０１２４】
【化１０４】 のシクロヘキサンエタナール誘導体が得られる。これを
臭化４−アルキル（又はアルコキシ）フェニルマグネシ
ウムと反応させ、酸で脱水し、脱アセタール化した場合
には再度アセタール化し、次いで水素添加し、更に脱ア
セタール化することにより、式（Ｐ１５）
【０１２５】
【化１０５】 のシクロヘキサノン誘導体を得ることができる。この化
合物から前述の（ロ）、（ハ）、（二）、（ホ）等の各
製造方法と同様にして製造できる。あるいは上記方法に
おいて、（ト）の製造方法のように、シクロヘキサン−
１，４−ジオンのモノエチレンアセタールを重水素化し
た後、同様に行っても製造でき、あるいは（ヘ）の製造
方法のように、シクロヘキサン−１，４−ジオンを重水
素化し、これをモノアセタールとしてから同様にしても
製造できる。またＲ1がアルキル基又はアルコキシアル
キル基である場合には、（イ）の製造方法の如く、４−
置換シクロヘキサノンを重水素化し、これを式（ＩＶ）
のウィッティヒ反応剤と２回繰り返して反応させて４−
置換シクロヘキサンエタナールとし、これを上記と同様
に臭化４−アルキル（又はアルコキシ）フェニルマグネ
シウムと反応させ、以下同様にして製造することができ
る。 ［製造例２２］ 式（２２）の化合物の製造方法 製造例２１において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、臭化４−フルオロ
フェニルマグネシウムを用いることにより同様にして製
造できる。 ［製造例２３］ 式（２３）の化合物の製造方法 製造例２１において、１−ブロモ−４−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は実施
例２１と同様にして製造できる。あるいは臭化フェニル
マグネシウムを用いて、同様にして式（Ｐ１６）
【０１２６】
【化１０６】 の化合物を得て、製造例５と同様にして製造できる。 ［製造例２４］ 式（２４）の化合物の製造方法 製造例２１において、４−ブロモ−１−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いる以外は実施例２１と同様にして製造できる。 ［製造例２５］ 式（２５）の化合物の製造方法 製造例２１において、Ｒ2がＯＣＨ3である化合物を製造
例７と同様にして脱メチル化し、式（Ｐ１７）
【０１２７】
【化１０７】 のフェノール誘導体を得る。この化合物から製造例７と
同様にして製造できる。 ［製造例２６］ 式（２６）の化合物の製造方法 式（Ｐ１６）の化合物から製造例８と同様にして製造で
きる。 ［製造例２７］ 式（２７）の化合物の製造方法 式（Ｐ１７）の化合物から製造例９と同様にして製造で
きる。 ［製造例２８］ 式（２８）の化合物の製造方法 製造例２１において、４−ブロモ−１，２−ジフルオロ
ベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用いて、
同様にして製造できる。 ［製造例２９］ 式（２９）の化合物の製造方法 製造例２１において、１−ブロモ−４−クロロ−３−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いて実施例２１と同様に製造でき、あるいは１−ブロモ
−３−フルオロベンゼンから得られる式（Ｐ１８）
【０１２８】
【化１０８】 の中間体を、製造例５と同様に塩素化することによって
も製造できる。 ［製造例３０］ 式（３０）の化合物の製造方法 製造例２１において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、４−ブロモ−２−
フルオロ−１−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例２１と
同様にして製造できる。 ［製造例３１］ 式（３１）の化合物の製造方法 製造例２５において、臭化４−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、４−ブロモ−２−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、式（Ｐ１
９）
【０１２９】
【化１０９】 のフェノール誘導体を得る。次いでこの化合物から製造
例７と同様にして製造できる。 ［製造例３２］ 式（３２）の化合物の製造方法 式（Ｐ１８）の化合物から、式（Ｐ２０）
【０１３０】
【化１１０】 の酸塩化物を得て、以下製造例８と同様にして製造する
ことができる。 ［製造例３３］ 式（３３）の化合物の製造方法 １−ブロモ−３，４，５−トリフルオロベンゼンから調
製されるグリニヤール反応剤を用いることにより、製造
例２１と同様にして製造できる。 ［製造例３４］ 式（３４）の化合物の製造方法 １−ブロモ−４−クロロ−３，５−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例２１と同様にして製造できる。あるいは１−ブロモ−
３，５−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤー
ル反応剤を用いて得られる式（Ｐ２１）
【０１３１】
【化１１１】 の化合物を、製造例５と同様にして塩素化することによ
っても製造できる。 ［製造例３５］ 式（３５）の化合物の製造方法 ２，６−ジフルオロフェノールを臭素化し、次いでヨウ
化メチル等により４−ブロモ−２，６−ジフルオロアニ
ソールを得る。この化合物から製造例３１と同様にして
式（Ｐ２２）
【０１３２】
【化１１２】 の化合物を得ることにより製造できる。 ［製造例３６］ 式（３６）の化合物の製造方法 製造例１８と同様にして、式（Ｐ２３）
【０１３３】
【化１１３】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式（Ｐ
１６）の化合物を沃素−過沃素酸により沃素化して、式
（Ｐ２４）
【０１３４】
【化１１４】 のヨードベンゼン誘導体を得て、これをシアン化銅
（Ｉ）と反応させても製造できる。 ［製造例３７］ 式（３７）の化合物の製造方法 式（Ｐ１８）あるいは式（Ｐ２０）の化合物から、製造
例３６と同様にして製造できる。 ［製造例３８］ 式（３８）の化合物の製造方法 製造例３６において、式（Ｐ１６）の化合物に代えて、
式（Ｐ２１）の化合物を用いる以外は製造例３６と同様
にするか、あるいは式（Ｐ２１）の化合物をアルキルリ
チウムによりフェニルリチウム誘導体とし、二酸化炭素
と反応させて式（Ｐ２５）
【０１３５】
【化１１５】 の安息香酸誘導体とする。これを塩化チオニル等により
酸塩化物とし、以下、製造例３６と同様にして製造する
こともできる。 ［製造例３９〜４０］ 式（３９）及び（４０）の化合
物の製造方法 製造例３において、Ｒ1がアルキル基又はアルコキシア
ルキル基であり、Ｒ2がアルキル基である式（Ｐ２６）
【０１３６】
【化１１６】 の化合物を、金属リチウムあるいは金属ナトリウムによ
り還元することにより、式（３９）及び（４０）の混合
物が得られる。これらは通常混合物として使用できる
が、必要に応じ単離することも可能である。式（３９）
の化合物のみを必要とする場合には以下のようにして製
造できる。２−ブロモ−５−アルキルアニソールから調
製されるグリニヤール反応剤を用い、式（Ｐ２７）
【０１３７】
【化１１７】 の化合物を得る。これを脱メチル化し、水素添加して、
式（Ｐ２８）
【０１３８】
【化１１８】 のシクロヘキサノン誘導体を得る。これを水素化アルミ
ニウムリチウムあるいは水素化ホウ素ナトリウムで還元
し、最後に脱水することにより得ることができる。式
（４０）の化合物の場合は、５−ブロモ−２−アルキル
アニソールから調製されるグリニヤール反応剤を用いて
同様にして製造できる。 ［製造例４１〜４２］ 式（４１）及び（４２）の化合
物の製造方法 製造例２１において、Ｒ1がアルキル基又はアルコキシ
アルキル基であり、Ｒ2がアルキル基である式（Ｐ２
９）
【０１３９】
【化１１９】 の化合物を金属リチウムあるいは金属ナトリウムにより
還元することにより、式（４１）及び（４２）の混合物
が得られる。これらは通常混合物として使用できるが、
必要に応じて単離することも可能である。式（４１）の
化合物のみを必要とする場合には以下のようにして製造
できる。２−ブロモ−５−アルキルアニソールから調製
されるグリニヤール反応剤を用い、製造例２１と同様に
して、式（Ｐ３０）
【０１４０】
【化１２０】 の化合物を得る。これを脱メチル化し、水素添加して、
式（Ｐ３１）
【０１４１】
【化１２１】 のシクロヘキサノン誘導体を得る。これを水素化アルミ
ニウムリチウムあるいは水素化ホウ素ナトリウムで還元
し、最後に脱水することにより得ることができる。式
（４２）の化合物の場合は、５−ブロモ−２−アルキル
アニソールから調製されるグリニヤール反応剤を用いて
同様にして製造できる。 ［製造例４３］ 式（４３）の化合物の製造方法 式（Ｐ３）の化合物を塩基存在下にＸ−Ｒ5（Ｘは塩
素、臭素、沃素又はｐ−トルエンスルホニル基等の脱離
基を、Ｒ5はアルケニル基を表わす。）と反応させるこ
とにより製造できる。 ［製造例４４］ 式（４４）の化合物の製造方法 式（Ｐ１７）の中間体を用いる以外は製造例４３と同様
にして製造できる。 ［製造例４５］ 式（４５）の化合物の製造方法 （ロ）、（ハ）、（二）及び（ホ）の各製造方法におい
て、シクロヘキサン−１，４−ジオンのモノアセタール
に代えて、ビシクロヘキサン−４，４’−ジオンのモノ
アセタールを用いることにより、同様にして製造でき
る。あるいはＲ1がアルキル基又はアルコキシアルキル
基の場合には、式（Ｐ３）の化合物を水素添加すること
により得られる式（Ｐ３２）
【０１４２】
【化１２２】 のシクロヘキサノン誘導体を用い、以下（イ）と同様に
グリニヤール反応剤と反応させ、脱水、水素添加の後、
必要に応じてシクロヘキサン環のトランス体への異性化
を行うことにより製造できる。 ［製造例４６］ 式（４６）の化合物の製造方法 製造例４５において、グリニヤール反応剤として、臭化
４−フルオロフェニルマグネシウムを用いる以外は製造
例４５と同様にして製造できる。 ［製造例４７］ 式（４７）の化合物の製造方法 製造例４５において、１−ブロモ−４−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例４５と同様にして製造できる。あるいは臭化フェニル
マグネシウムを用いて、同様にして式（Ｐ３３）
【０１４３】
【化１２３】 の化合物を得る。これから製造例５と同様にして製造で
きる。 ［製造例４８］ 式（４８）の化合物の製造方法 製造例４５において、４−ブロモ−１−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いる以外は製造例４５と同様にして製造できる。 ［製造例４９］ 式（４９）の化合物の製造方法 製造例４５において、Ｒ2がＯＣＨ3の化合物を製造例３
と同様にして脱メチル化して式（Ｐ３４）
【０１４４】
【化１２４】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例３と同様に
して製造することができる。 ［製造例５０］ 式（５０）の化合物の製造方法 製造例４５において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、１−ブロモ−３，
４−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反
応剤を用いる以外は製造例４５と同様にして製造でき
る。 ［製造例５１］ 式（５１）の化合物の製造方法 製造例４５において、１−ブロモ−４−クロロ−３−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニャール反応剤を用
いる以外は製造例４５と同様にして製造できる。あるい
は１−ブロモ−３−フルオロベンゼンを用いて同様にし
て得られる式（Ｐ３５）
【０１４５】
【化１２５】 の中間体を、製造例５と同様に塩素化することによって
も製造することができる。 ［製造例５２］ 式（５２）の化合物の製造方法 製造例４５において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、４−ブロモ−２−
フルオロ−１−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例４５と
同様にして製造できる。 ［製造例５３］ 式（５３）の化合物の製造方法 製造例４９において、臭化４−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、４−ブロモ−３−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、同様にして
式（Ｐ３６）
【０１４６】
【化１２６】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例７と同様に
して製造できる。 ［製造例５４］ 式（５４）の化合物の製造方法 製造例４５において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、１−ブロモ−３，
４，５−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いる以外は製造例４５と同様にして製造
できる。 ［製造例５５］ 式（５５）の化合物の製造方法 １−ブロモ−４−クロロ−３，５−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例４５と同様にして製造できる。あるいは１−ブロモ−
３，５−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤー
ル反応剤を用いることにより同様にして得られる式（Ｐ
３７）
【０１４７】
【化１２７】 の化合物を製造例５と同様に塩素化することによっても
製造できる。 ［製造例５６］ 式（５６）の化合物の製造方法 製造例１７の中間体である４−ブロモ−２，６−ジフル
オロアニソールを用いてグリニャール反応剤を調製し、
以下、製造例５３と同様にして製造できる。 ［製造例５７］ 式（５７）の化合物の製造方法 式（Ｐ３３）の中間体から製造例８と同様にして式（Ｐ
３８）
【０１４８】
【化１２８】 の酸クロリドを得る。これをアンモニア水と反応させて
式（Ｐ３９）
【０１４９】
【化１２９】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式（Ｐ
３３）の中間体を沃素−過沃素酸により沃素化して式
（Ｐ４０）
【０１５０】
【化１３０】 の化合物を得て、これをシアン化銅（Ｉ）と反応させて
も製造できる。 ［製造例５８］ 式（５８）の化合物の製造方法 式（Ｐ３５）の中間体から製造例５７と同様にして製造
できる。 ［製造例５９］ 式（５９）の化合物の製造方法 製造例５７において、式（Ｐ３３）の化合物に代えて、
式（Ｐ３７）の化合物を用いて同様に行うか、あるいは
式（Ｐ３７）の化合物をアルキルリチウムによりフェニ
ルリチウム誘導体とし、二酸化炭素と反応させて式（Ｐ
４１）
【０１５１】
【化１３１】 の安息香酸誘導体とする。これを塩化チオニル等により
酸塩化物とし、以下製造例５７と同様にして製造するこ
ともできる。 ［製造例６０］ 式（６０）の化合物の製造方法 前述の（ル）、（ヲ）、（ワ）、（カ）及び（ヨ）の各
製造方法において、グリニャール反応剤として、臭化
３，４−ジフルオロフェニルマグネシウムに代えて、臭
化４−アルキル（あるいはアルコキシ）マグネシウムを
用いることにより同様にして製造できる。 ［製造例６１］ 式（６１）の化合物の製造方法 製造例６０において、グリニヤール反応剤として、臭化
４−フルオロフェニルマグネシウムを用いる以外は製造
例６０と同様にして製造できる。 ［製造例６２］ 式（６２）の化合物の製造方法 製造例６０において、１−ブロモ−４−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例６０と同様にして製造できる。あるいは臭化フェニル
マグネシウムを用いて、同様にして式（Ｐ４２）
【０１５２】
【化１３２】 の化合物を得る。これから製造例５と同様にして製造で
きる。 ［製造例６３］ 式（６３）の化合物の製造方法 製造例６０において、４−ブロモ−１−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いる以外は製造例６０と同様にして製造できる。 ［製造例６４］ 式（６４）の化合物の製造方法 製造例６０において、Ｒ2がＯＣＨ3である化合物を製造
例３と同様にして脱メチル化して式（Ｐ４３）
【０１５３】
【化１３３】 のフェノール誘導体を得ることにより製造することがで
きる。 ［製造例６５］ 式（６５）の化合物の製造方法 前述の（ル）、（ヲ）、（ワ）、（カ）及び（ヨ）の各
製造方法に従って製造できる。 ［製造例６６］ 式（６６）の化合物の製造方法 製造例６０において、１−ブロモ−４−クロロ−３−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いて同様にして製造できる。あるいは１−ブロモ−３−
フルオロベンゼンを用いて同様にして得られる式（Ｐ４
４）
【０１５４】
【化１３４】 の化合物を製造例５と同様にして塩素化することによっ
ても製造することができる。 ［製造例６７］ 式（６７）の化合物の製造方法 製造例６０において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、４−ブロモ−２−
フルオロ−１−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例６０と
同様にして製造できる。 ［製造例６８］ 式（６８）の化合物の製造方法 製造例６４において、臭化４−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、４−ブロモ−２−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例６４と同様にして、式（Ｐ４５）
【０１５５】
【化１３５】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例７と同様に
して製造できる。 ［製造例６９］ 式（６９）の化合物の製造方法 製造例６０において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、１−ブロモ−３，
４，５−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いることにより同様にして製造できる。 ［製造例７０］ 式（７０）の化合物の製造方法 １−ブロモ−４−クロロ−３，５−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例６０と同様にして製造できる。あるいは１−
ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤を用いることにより同様にして得られ
る式（Ｐ４６）
【０１５６】
【化１３６】 の化合物を製造例５と同様に塩素化することによっても
製造できる。 ［製造例７１］ 式（７１）の化合物の製造方法 製造例１７の中間体である４−ブロモ−２，６−ジフル
オロアニソールを用い、以下、製造例６８と同様にして
製造できる。 ［製造例７２］ 式（７２）の化合物の製造方法 式（Ｐ４２）の中間体から製造例８と同様にして式（Ｐ
４７）
【０１５７】
【化１３７】 の酸クロリドを得る。これをアンモニア水と反応させて
式（Ｐ４８）
【０１５８】
【化１３８】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式（Ｐ
４２）の中間体を沃素−過沃素酸により沃素化し式（Ｐ
４９）
【０１５９】
【化１３９】 の化合物を得て、これをシアン化銅（Ｉ）と反応させて
も製造できる。 ［製造例７３］ 式（７３）の化合物の製造方法 式（Ｐ４４）の化合物から製造例７２と同様にして製造
できる。 ［製造例７４］ 式（７４）の化合物の製造方法 製造例７２において、式（Ｐ４２）の化合物に代えて、
式（Ｐ４４）の化合物を用いて同様に行うか、あるいは
式（Ｐ４６）の化合物から製造例５９と同様にして、式
（Ｐ５０）
【０１６０】
【化１４０】 の安息香酸誘導体を得て製造することもできる。 ［製造例７５］ 式（７５）の化合物の製造方法 前述の（ル）〜（ヨ）の各製造方法において、４−（４
−置換シクロヘキシル）シクロヘキサノンとして、重水
素原子（Ｄ）を有する式（Ｐ５１）
【０１６１】
【化１４１】 の化合物を用い、臭化３，４−ジフルオロフェニルマグ
ネシウムに代えて、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムから調製されるグリニャール
反応剤を用いることにより製造できる。あるいは式（Ｐ
５１）の化合物に代えて、式（Ｐ３２）の化合物を反応
させて、次いで前述の（チ）〜（ヲ）の各製造方法に従
って製造することもできる。あるいは重水素原子を有す
るビシクロヘキサン−４，４’−ジオンのモノエチレン
アセタールである式（Ｐ５２）
【０１６２】
【化１４２】 の化合物を反応させ、以下製造例４５と同様にして製造
できる。あるいは式（Ｐ５２）の化合物に代えて、式
（Ｐ５３）
【０１６３】
【化１４３】 の化合物を反応させ、同様にして得られる式（Ｐ５４）
【０１６４】
【化１４４】 のシクロヘキサノン誘導体から、前述の（ロ）〜（ト）
の各製造方法と同様にして製造できる。ここで式（Ｐ５
１）の化合物は式（Ｐ３２）の化合物の重水素化によっ
て得ることができる。式（Ｐ５２）の化合物はビシクロ
ヘキサン−４，４’−ジオンを重水素化した後、モノア
セタール化することにより得ることができる。式（Ｐ５
３）の化合物はビシクロヘキサン−４，４−ジオンのモ
ノエチレンアセタールを重水素化して得ることができ
る。 ［製造例７６］ 式（７６）の化合物の製造方法 製造例７５において、グリニヤール反応剤として、臭化
４−フルオロフェニルマグネシウムを用いることにより
同様にして製造できる。 ［製造例７７］ 式（７７）の化合物の製造方法 製造例７５において、１−ブロモ−４−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることにより
同様にして製造できる。あるいは臭化フェニルマグネシ
ウムを用いて、同様にして式（Ｐ５５）
【０１６５】
【化１４５】 の化合物を得る。これから製造例５と同様にして製造で
きる。 ［製造例７８］ 式（７８）の化合物の製造方法 製造例７５において、４−ブロモ−１−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いることにより同様にして製造できる。 ［製造例７９］ 式（７９）の化合物の製造方法 製造例７５において、Ｒ2がＯＣＨ3である化合物を前述
の（イ）〜（ヌ）と同様にして脱メチル化して、式（Ｐ
５６）
【０１６６】
【化１４６】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例３と同様に
して製造できる。 ［製造例８０］ 式（８０）の化合物の製造方法 製造例７５において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、１−ブロモ−３，
４−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反
応剤を用いる以外は製造例７５と同様にして製造でき
る。 ［製造例８１］ 式（８１）の化合物の製造方法 製造例７５において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、１−ブロモ−４−
クロロ−３−フルオロベンゼンを用いて同様にして製造
できる。あるいは１−ブロモ−３−フルオロベンゼンを
用いて同様にして得られる式（Ｐ５７）
【０１６７】
【化１４７】 の中間体を製造例５と同様に塩素化することによっても
製造できる。 ［製造例８２］ 式（８２）の化合物の製造方法 製造例７５において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、４−ブロモ−２−
フルオロ−１−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いることにより同様にし
て製造できる。 ［製造例８３］ 式（８３）の化合物の製造方法 製造例７９において、臭化４−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、４−ブロモ−２−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、同様にして
式（Ｐ５８）
【０１６８】
【化１４８】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例７と同様に
して製造できる。 ［製造例８４］ 式（８４）の化合物の製造方法 製造例７５において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、１−ブロモ−３，
４，５−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いることにより同様にして製造できる。 ［製造例８５］ 式（８５）の化合物の製造方法 １−ブロモ−４−クロロ−３，５−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例７５と同様にして製造できる。あるいは１−
ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤を用いることにより同様にして得られ
る式（Ｐ５９）
【０１６９】
【化１４９】 の化合物を製造例５と同様に塩素化することによっても
製造できる。 ［製造例８６］ 式（８６）の化合物の製造方法 製造例１７の中間体である４−ブロモ−２，６−ジフル
オロアニソールを用い、以下、製造例８３と同様にして
製造できる。 ［製造例８７］ 式（８７）の化合物の製造方法 式（Ｐ５５）の中間体から製造例８と同様にして式（Ｐ
６０）
【０１７０】
【化１５０】 の酸クロリドを得る。これをアンモニア水と反応させて
式（Ｐ６１）
【０１７１】
【化１５１】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式（Ｐ
５５）の中間体を沃素−過沃素酸により沃素化して式
（Ｐ６２）
【０１７２】
【化１５２】 の化合物を得て、これをシアン化銅（Ｉ）と反応させて
も製造できる。 ［製造例８８］ 式（８８）の化合物の製造方法 式（Ｐ５７）の化合物から製造例８７と同様にして製造
できる。 ［製造例８９］ 式（８９）の化合物の製造方法 製造例８７において、式（Ｐ５５）の化合物に代えて、
式（Ｐ５９）の化合物を用いて同様に行うか、あるいは
式（Ｐ５９）の化合物をアルキルリチウムによりフェニ
ルリチウム誘導体とし、二酸化炭素と反応させて式（Ｐ
６４）
【０１７３】
【化１５３】 の安息香酸誘導体とする。これを塩化チオニル等により
酸塩化物とし、以下製造例８７と同様にして製造するこ
ともできる。 ［製造例９０］ 式（９０）の化合物の製造方法 式（Ｐ６５）
【０１７４】
【化１５４】 の重水素化されたビシクロヘキサンエタナール誘導体
に、臭化４−アルキル（又はアルコキシ）フェニルマグ
ネシウムを反応させ、次いで脱水、水素添加して製造で
きる。式（Ｐ６５）の化合物は４−（４−置換シクロヘ
キシル）シクロヘキサノンを重水素化し、式（ＩＶ）の
ウィッティヒ反応剤と反応させ、必要に応じて再度重水
素化した後、更に式（ＩＶ）の化合物と再度反応させて
得ることができる。 ［製造例９１］ 式（９１）の化合物の製造方法 製造例９０において、グリニヤール反応剤として、臭化
４−フルオロフェニルマグネシウムを用いることにより
同様にして製造できる。 ［製造例９２］ 式（９２）の化合物の製造方法 製造例９０において、１−ブロモ−４−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることにより
同様にして製造できる。あるいは臭化フェニルマグネシ
ウムを用いて、同様にして式（Ｐ６６）
【０１７５】
【化１５５】 の化合物を得る。これから製造例５と同様にして製造で
きる。 ［製造例９３］ 式（９３）の化合物の製造方法 製造例９０において、４−ブロモ−１−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いることにより同様にして製造できる。 ［製造例９４］ 式（９４）の化合物の製造方法 製造例９０において、Ｒ2がＯＣＨ3である化合物を製造
例３と同様にして脱メチル化して式（Ｐ６７）
【０１７６】
【化１５６】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例３と同様に
して製造することができる。 ［製造例９５］ 式（９５）の化合物の製造方法 製造例９０において、１−ブロモ−３，４−ジフルオロ
ベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用いるこ
とにより同様にして製造できる。 ［製造例９６］ 式（９６）の化合物の製造方法 製造例９０において、１−ブロモ−４−クロロ−３−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いて同様にして製造できる。あるいは１−ブロモ−３−
フルオロベンゼンを用いて同様にして得られる式（Ｐ６
８）
【０１７７】
【化１５７】 の化合物を製造例５と同様にして塩素化することによっ
ても製造できる。 ［製造例９７］ 式（９７）の化合物の製造方法 製造例９０において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、４−ブロモ−３−
フルオロ−１−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いることにより同様にし
て製造できる。 ［製造例９８］ 式（９８）の化合物の製造方法 製造例９４において、臭化４−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、４−ブロモ−２−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、同様にして
式（Ｐ６９）
【０１７８】
【化１５８】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例７と同様に
して製造できる。 ［製造例９９］ 式（９９）の化合物の製造方法 製造例９０において、臭化４−アルキル（又はアルコキ
シ）フェニルマグネシウムに代えて、１−ブロモ−３，
４，５−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いることにより同様にして製造できる。 ［製造例１００］ 式（１００）の化合物の製造方法 １−ブロモ−４−クロロ−３，５−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例９０と同様にして製造できる。あるいは１−
ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤を用いることにより同様にして得られ
る式（Ｐ７０）
【０１７９】
【化１５９】 の化合物を製造例５と同様に塩素化することによっても
製造できる。 ［製造例１０１］ 式（１０１）の化合物の製造方法 製造例１７の中間体である４−ブロモ−２，６−ジフル
オロアニソールを用い、以下、製造例９８と同様にして
製造できる。 ［製造例１０２］ 式（１０２）の化合物の製造方法 式（Ｐ６６）の化合物から製造例８と同様にして式（Ｐ
７１）
【０１８０】
【化１６０】 の酸クロリドを得る。これをアンモニア水と反応させて
式（Ｐ７２）
【０１８１】
【化１６１】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式（Ｐ
６６）の化合物を沃素−過沃素酸により沃素化し式（Ｐ
７３）
【０１８２】
【化１６２】 の化合物を得て、これをシアン化銅（Ｉ）と反応させて
も製造できる。 ［製造例１０３］ 式（１０３）の化合物の製造方法 式（Ｐ６８）の化合物から製造例１０２と同様にして製
造できる。 ［製造例１０４］ 式（１０４）の化合物の製造方法 製造例１０２において、式（Ｐ６６）の化合物に代え
て、式（Ｐ７０）の化合物を用いて同様に行うか、ある
いは式（Ｐ７０）の化合物から製造例５６と同様にし
て、式（Ｐ７４）
【０１８３】
【化１６３】 の安息香酸誘導体とする。これを塩化チオニル等により
酸塩化物とし、以下製造例１０２と同様にして製造する
こともできる。 ［製造例１０５〜１１９］ 式（１０５）〜（１１９）
の化合物の製造方法 製造例６０〜製造例７４において、中間体として、４−
（４−置換シクロヘキシル）シクロヘキサノンに代え
て、式（Ｐ７５）
【０１８４】
【化１６４】 の４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シク
ロヘキサノンを用いることによりそれぞれ対応する式
（１０５）〜（１１９）の化合物を製造できる。 ［製造例１２０］ 式（１２０）の化合物の製造方法 式（Ｐ１０）の化合物と２−メチル−３−ブチン−２−
オールとを、塩化パラジウム等の触媒存在下に反応さ
せ、次いで加熱下に塩基で処理することにより、式（Ｐ
７６）
【０１８５】
【化１６５】 のフェニルアセチレン誘導体が得られる。これを臭化４
−アルキル（又はアルコキシ）フェニルマグネシウムと
触媒存在下に反応させることにより、製造することがで
きる。 ［製造例１２１］ 式（１２１）の化合物の製造方法 製造例１２０において、グリニヤール反応剤として、臭
化４−フルオロフェニルマグネシウムを用いることによ
り同様にして製造できる。 ［製造例１２２］ 式（１２２）の化合物の製造方法 製造例１２０において、１−ブロモ−４−クロロベンゼ
ンから調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り同様にして製造できる。あるいは臭化フェニルマグネ
シウムを用いて、同様にして式（Ｐ７７）
【０１８６】
【化１６６】 の化合物を得る。これを製造例５と同様に、ニトロ化
し、還元してアニリン誘導体とした後、ジアゾニウム塩
を経て製造できる。 ［製造例１２３］ 式（１２３）の化合物の製造方法 製造例１２０において、４−ブロモ−１−トリフルオロ
メトキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を
用いることにより同様にして製造できる。 ［製造例１２４］ 式（１２４）の化合物の製造方法 製造例１２０において、Ｒ2がＯＣＨ3である化合物を製
造例３と同様にして脱メチル化して式（Ｐ７８）
【０１８７】
【化１６７】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例３と同様に
して製造することができる。 ［製造例１２５］ 式（１２５）の化合物の製造方法 製造例１２０において、１−ブロモ−３，４−ジフルオ
ロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用いる
ことにより同様にして製造できる。 ［製造例１２６］ 式（１２６）の化合物の製造方法 製造例１２０において、１−ブロモ−４−クロロ−３−
フルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を
用いて同様にして製造できる。あるいは１−ブロモ−３
−フルオロベンゼンを用いて同様にして得られる式（Ｐ
７９）
【０１８８】
【化１６８】 の化合物を製造例５と同様に塩素化することによっても
製造できる。 ［製造例１２７］ 式（１２７）の化合物の製造方法 製造例１２０において、臭化４−アルキル（又はアルコ
キシ）フェニルマグネシウムに代えて、４−ブロモ−２
−フルオロ−１−トリフルオロメトキシベンゼンから調
製されるグリニヤール反応剤を用いることにより同様に
して製造できる。 ［製造例１２８］ 式（１２８）の化合物の製造方法 製造例１２４において、臭化４−メトキシフェニルマグ
ネシウムに代えて、４−ブロモ−２−フルオロアニソー
ルから調製されるグリニヤール反応剤を用い、同様にし
て式（Ｐ８０）
【０１８９】
【化１６９】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例７と同様に
して製造できる。 ［製造例１２９］ 式（１２９）の化合物の製造方法 製造例１２０において、臭化４−アルキル（又はアルコ
キシ）フェニルマグネシウムに代えて、１−ブロモ−
３，４，５−トリフルオロベンゼンから調製されるグリ
ニヤール反応剤を用いることにより同様にして製造でき
る。 ［製造例１３０］ 式（１３０）の化合物の製造方法 １−ブロモ−４−クロロ−３，５−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例１２０と同様にして製造できる。あるいは１
−ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼンから調製される
グリニヤール反応剤を用いることにより同様にして得ら
れる式（Ｐ８１）
【０１９０】
【化１７０】 の化合物を製造例５と同様に塩素化することによっても
製造できる。
【０１９１】［製造例１３１］ 式（１３１）の化合物
の製造方法 製造例１２８において、４−ブロモ−２，６−ジフルオ
ロアニソールから調製されるグリニヤール反応剤を用い
ることにより同様にして製造できる。 ［製造例１３２］ 式（１３２）の化合物の製造方法 式（Ｐ７７）の化合物から製造例８と同様にして式（Ｐ
８２）
【０１９２】
【化１７１】 の酸クロリドを得る。これをアンモニア水と反応させて
式（Ｐ８３）
【０１９３】
【化１７２】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。
【０１９４】［製造例１３３］ 式（１３３）の化合物
の製造方法 式（Ｐ７９）の化合物から製造例１３２と同様にして製
造できる。 ［製造例１３４］ 式（１３４）の化合物の製造方法 製造例１３２において、式（Ｐ７７）の中間体に代え
て、式（Ｐ８１）の化合物を用いて同様に行うか、ある
いは式（Ｐ８１）の化合物から製造例５７と同様にし
て、式（Ｐ８４）
【０１９５】
【化１７３】 の安息香酸誘導体を用いて製造することもできる。
【０１９６】［製造例１３５］ 式（１３５）の化合物
の製造方法 （ａ） 式（Ｐ１０）の化合物と臭化４−アルキル（又
はアルコキシ）フェニルマグネシウムとを、パラジウム
系あるいはニッケル系触媒の存在下に反応させることに
より製造することができる。
【０１９７】（ｂ） 式（Ｐ３２）の化合物を臭化４−
アルキル（又はアルコキシ）フェニルマグネシウムと反
応させ、脱水して得られた式（Ｐ８５）
【０１９８】
【化１７４】 のシクロヘキセン誘導体を、クロラニルあるいはＤＤＱ
（ジクロロジシアノベンゾキノン）等により酸化的に脱
水素することによっても製造できる。 （ｃ） 式（Ｐ８６）
【０１９９】
【化１７５】
【０２００】の４’−ブロモ−４−アルキル（又はアル
コキシ）ビフェニルから調製されるグリニヤール反応剤
を用い、前述の（イ）〜（ヌ）の各製造方法に従って製
造できる。ここで式（Ｐ８６）の化合物は、４−アルキ
ル（又はアルコキシ）ビフェニルを直接臭素化するか、
あるいは臭化４−アルキル（又はアルコキシ）フェニル
マグネシウムをパラジウム系あるいはニッケル系触媒の
存在下に、４−ブロモ−１−ヨードベンゼンと反応させ
ることにより得ることができる。 ［製造例１３６］ 式（１３６）の化合物の製造方法 製造例１３５の（ａ）、（ｂ）において、グリニヤール
反応剤として、臭化４−フルオロフェニルマグネシウム
を用いることにより同様にして製造できる。あるいはこ
のグリニヤール反応剤と４−ブロモ−１−ヨードベンゼ
ンから得られる４−ブロモ−４’−フルオロビフェニル
を用い、（ｃ）に従っても製造できる。
【０２０１】［製造例１３７］ 式（１３７）の化合物
の製造方法 製造例１３５の（ａ）、（ｂ）において、１−ブロモ−
４−クロロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤
を用いることにより同様にして製造できる。あるいは臭
化フェニルマグネシウムを用いて同様にするか、あるい
は４−ブロモビフェニルから（ｃ）に従って、式（Ｐ８
７）
【０２０２】
【化１７６】 の化合物を得る。これを製造例５と同様にニトロ化し、
還元してアニリン誘導体とした後、ジアゾニウム塩を得
て製造できる。 ［製造例１３８］ 式（１３８）の化合物の製造方法 製造例１３５の（ａ）、（ｂ）において、４−ブロモ−
１−トリフルオロメトキシベンゼンから調製されるグリ
ニヤール反応剤を用いることにより同様にして製造でき
る。あるいはこのグリニヤール反応剤と４−ブロモ−１
−ヨードベンゼンから得られる４’−ブロモ−４−トリ
フルオロメトキシビフェニルを用い、（ｃ）に従っても
製造できる。
【０２０３】［製造例１３９］ 式（１３９）の化合物
の製造方法 製造例１３５において、Ｒ2がＯＣＨ3である化合物を製
造例３と同様にして脱メチル化して式（Ｐ８８）
【０２０４】
【化１７７】 のビフェノール誘導体を得る。これから製造例３と同様
にして製造することができる。 ［製造例１４０］ 式（１４０）の化合物の製造方法 製造例１３５の（ａ）、（ｂ）において、１−ブロモ−
３，４−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤー
ル反応剤を用いることにより同様にして製造できる。あ
るいはこのグリニヤール反応剤と４−ブロモ−１−ヨー
ドベンゼンから得られる４−ブロモ−３’，４’−ジフ
ルオロビフェニルを用い、（ｃ）に従っても製造でき
る。
【０２０５】［製造例１４１］ 式（１４１）の化合物
の製造方法 製造例１３５の（ａ）、（ｂ）において１−ブロモ−４
−クロロ−３−フルオロベンゼンから調製されるグリニ
ヤール反応剤を用いて同様にして製造できる。あるいは
１−ブロモ−３−フルオロベンゼンを用いて同様にして
得られる式（Ｐ８９）
【０２０６】
【化１７８】 の化合物を製造例５と同様に塩素化することによっても
製造できる。式（Ｐ８９）の化合物はあるいは４−ブロ
モ−３’−フルオロビフェニルから（ｃ）に従っても得
ることができる。 ［製造例１４２］ 式（１４２）の化合物の製造方法 製造例１３５の（ａ）、（ｂ）において、臭化４−アル
キル（又はアルコキシ）フェニルマグネシウムに代え
て、４−ブロモ−２−フルオロ−１−トリフルオロメト
キシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用い
ることにより同様にして製造できる。あるいはこのグリ
ニヤール反応剤と４−ブロモ−１−ヨードベンゼンから
得られる４’−ブロモ−３−フルオロ−４−トリフルオ
ロメトキシビフェニルを用い、（ｃ）に従っても製造で
きる。
【０２０７】［製造例１４３］ 式（１４３）の化合物
の製造方法 製造例１３９の（ａ）、（ｂ）において、臭化４−メト
キシフェニルマグネシウムに代えて、４−ブロモ−２−
フルオロアニソールから調製されるグリニヤール反応剤
を用い、同様にしてフェノール誘導体である式（Ｐ９
０）
【０２０８】
【化１７９】 の中間体を得る。これから製造例７と同様にして製造で
きる。あるいは式（Ｐ９０）の化合物はこのグリニヤー
ル反応剤と４−ブロモ−１−ヨードベンゼンから得られ
る４’−ブロモ−３−フルオロ−４−メトキシビフェニ
ルを用い、（ｃ）に従い、次いで脱メチル化しても得る
ことができる。 ［製造例１４４］ 式（１４４）の化合物の製造方法 製造例１３５の（ａ）、（ｂ）において、臭化４−アル
キル（又はアルコキシ）フェニルマグネシウムに代え
て、１−ブロモ−３，４，５−トリフルオロベンゼンか
ら調製されるグリニヤール反応剤を用いることにより同
様にして製造できる。あるいはこのグリニヤール反応剤
と４−ブロモ−１−ヨードベンゼンから得られる４’−
ブロモ−３，４，５−トリフルオロビフェニルを用い、
（ｃ）に従っても製造できる。
【０２０９】［製造例１４５］ 式（１４５）の化合物
の製造方法 １−ブロモ−４−クロロ−３，５−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例１３５の（ａ）、（ｂ）と同様にして製造で
きる。あるいはこのグリニヤール反応剤と４−ブロモ−
１−ヨードベンゼンから得られる４’−ブロモ−４−ク
ロロ−３，５−ジフルオロビフェニルを用い、（ｃ）に
従っても製造できる。あるいは１−ブロモ−３，５−ジ
フルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を
用いることにより（ａ）、（ｂ）に従って得られる式
（Ｐ９１）
【０２１０】
【化１８０】 の化合物を製造例５と同様にして塩素化することによっ
ても製造できる。あるいは式（Ｐ９１）の化合物はこの
グリニヤール反応剤と４−ブロモ−１−ヨードベンゼン
から得られる４−ブロモ−３’，５’−ジフルオロビフ
ェニルを用い、（ｃ）に従っても製造できる。 ［製造例１４６］ 式（１４６）の化合物の製造方法 製造例１４３の（ａ）、（ｂ）において、（１７）の中
間体である４−ブロモ−２，６−ジフルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、以下製造例
１４３と同様にして製造できる。
【０２１１】［製造例１４７］ 式（１４７）の化合物
の製造方法 式（Ｐ８７）の化合物から、製造例８と同様にして式
（Ｐ９２）
【０２１２】
【化１８１】 の酸クロリドを得る。これをアンモニア水と反応させて
式（Ｐ９３）
【０２１３】
【化１８２】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。 ［製造例１４８］ 式（１４８）の化合物の製造方法 式（Ｐ８９）の中間体から製造例１４７と同様にして製
造できる。
【０２１４】［製造例１４９］ 式（１４９）の化合物
の製造方法 製造例１４７において、式（Ｐ８７）の中間体に代え
て、式（Ｐ９１）の化合物を用いて同様に行うか、ある
いは式（Ｐ９１）の化合物から製造例５７と同様にし
て、式（Ｐ９４）
【０２１５】
【化１８３】 の安息香酸誘導体を経て製造することもできる。 ［製造例１５０］ 式（１５０）の化合物の製造方法 製造例１２０において、中間体として式（Ｐ１０）の化
合物に代えて、式（Ｐ２４）の化合物を用いることによ
り同様にして製造できる。 ［製造例１５１〜１６４］ 式（１５１）〜（１６４）
の化合物の製造方法 製造例１２１〜１３４において、製造例１５０と同様に
中間体として式（Ｐ１０）の化合物に代えて、式（Ｐ２
４）の化合物を用いることにより同様にして、それぞれ
対応する式（１５１）〜（１６４）の化合物を製造でき
る。
【０２１６】［製造例１６５］ 式（１６５）の化合物
の製造方法 製造例１３５の（ａ）において、式（Ｐ１０）の化合物
に代えて式（Ｐ２４）の化合物を用いることにより同様
にして製造できる。あるいは式（Ｐ１７）の化合物の水
素添加により得られる式（Ｐ９５）
【０２１７】
【化１８４】 の化合物を式（Ｐ３２）の化合物に代えて用いることに
より、製造例１３５の（ｂ）と同様にして製造すること
もできる。 ［製造例１６６〜１７９］ 式（１６６）〜（１７９）
の化合物の製造方法 製造例１３６〜１４９において、製造例１６５と同様に
中間体として式（Ｐ１０）の化合物に代えて、式（Ｐ２
４）の化合物を用いるか、あるいは式（Ｐ３２）の化合
物に代えて式（Ｐ９５）の化合物を用いることにより、
それぞれ対応する式（１６６）〜（１７９）の化合物が
製造できる。
【０２１８】［製造例１８０］ 式（１８０）の化合物
の製造方法 製造例１２０において、式（Ｐ１０）の化合物に代え
て、式（Ｐ９６）
【０２１９】
【化１８５】 の化合物を用いることにより、同様にして製造できる。
式（Ｐ９６）の化合物は式（Ｐ５）の化合物を沃素−過
沃素酸で直接沃素化するかあるいは式（Ｐ５）の化合物
をニトロ化し、次いで還元して式（Ｐ９７）
【０２２０】
【化１８６】 のアニリン誘導体とし、ジアゾニウム塩をヨウ化銅等で
分解しても得ることができる。 ［製造例１８１〜１９４］ 式（１８１）〜（１９４）
の化合物の製造方法 製造例１２１〜１３４において、製造例１８０と同様に
中間体として式（Ｐ１０）に代えて式（Ｐ９６）の化合
物を用いることにより、それぞれ対応する式（１８１）
〜（１９４）の化合物が製造できる。
【０２２１】［製造例１９５］ 式（１９５）の化合物
の製造方法 製造例１３５において、式（Ｐ１０）の化合物に代え
て、式（Ｐ９６）の化合物を用いることにより、同様に
して製造できる。 ［製造例１９６〜２０９］ 式（１９６）〜（２０９）
の化合物の製造方法 製造例１３６〜１４９において、製造例１９５と同様に
式（Ｐ９６）の化合物を用いることにより、、それぞれ
対応する式（１９６）〜（２０９）の化合物を製造でき
る。
【０２２２】［製造例２１０］ 式（２１０）の化合物
の製造方法 製造例１２０において、中間体として式（Ｐ１０）の化
合物に代えて、式（Ｐ９８）
【０２２３】
【化１８７】 の化合物を用いることにより同様にして製造できる。式
（Ｐ９８）の化合物は式（Ｐ１８）の化合物を沃素−過
沃素酸で直接沃素化するかあるいは式（Ｐ１８）の化合
物をニトロ化し、次いで還元して式（Ｐ９９）
【０２２４】
【化１８８】 のアニリン誘導体とし、ジアゾニウム塩をヨウ化銅等で
分解しても得ることができる。 ［製造例２１１〜２２４］ 式（２１１）〜（２２４）
の化合物の製造方法 製造例１２１〜１３４において、製造例２１０と同様
に、式（Ｐ１０）の化合物に代えて式（Ｐ９８）の化合
物を用いることにより同様にして、それぞれ対応する式
（２１１）〜（２２４）の化合物を製造できる。
【０２２５】［製造例２２５］ 式（２２５）の化合物
の製造方法 製造例１３５の（ａ）において、式（Ｐ１０）の化合物
に代えて式（Ｐ９８）の化合物を用いることにより同様
にして製造できる。 ［製造例２２６〜２３９］ 式（２２６）〜（２３９）
の化合物の製造方法 製造例１３６〜１４９において、製造例２２５と同様に
中間体として式（Ｐ１０）の化合物に代えて式（Ｐ９
８）の化合物を用いることにより、それぞれ対応する式
（２２６）〜（２３９）の化合物を製造できる。
【０２２６】［製造例２４０］ 式（２４０）の化合物
の製造方法 式（Ｐ３２）の化合物を式（ＩＶ）のウィッティヒ反応
剤と反応させ、次いで塩基によりトランス体に異性化さ
せて式（Ｐ１００）
【０２２７】
【化１８９】 のビシクロヘキサンカルバルデヒド誘導体が得られる。
これを酸化し次いで塩化チオニルと反応させて式（Ｐ１
０１）
【０２２８】
【化１９０】 の酸クロリドが得られる。この式（Ｐ１０１）の化合物
を式（Ｐ１０２）
【０２２９】
【化１９１】 の４−アルキル（又はアルコキシ）フェノールと塩基存
在下に反応させることにより製造できる。
【０２３０】［製造例２４１］ 式（２４１）の化合物
の製造方法 製造例２４０において、式（Ｐ１０２）の化合物に代え
て、４−フルオロフェノールを用いることにより同様に
して製造できる。 ［製造例２４２］ 式（２４２）の化合物の製造方法 製造例２４０において式（Ｐ１０２）の化合物に代え
て、４−クロロフェノールを用いることにより同様にし
て製造できる。
【０２３１】［製造例２４３］ 式（２４３）の化合物
の製造方法 製造例２４０において式（Ｐ１０２）の化合物に代え
て、４−トリフルオロメトキシフェノールを用いること
により同様にして製造できる。この４−トリフルオロメ
トキシフェノールは、４−トリフルオロメトキシベンゼ
ンを塩化アルミニウム等のルイス酸存在下に塩化アセチ
ルでアセチル化し、次いで蟻酸中過酸化水素で酸化し、
更に加水分解することにより得ることができる。あるい
は、４−ブロモ−１−トリフルオロメトキシベンゼンか
ら調製されるグリニヤール反応剤を、ｔ−ブチルヒドロ
パーオキシドと反応させるか、あるいはホウ酸エステル
反応させてボロン酸エステルとした後、塩基性条件下で
過酸化水素で酸化して得ることができる。あるいは４−
トリフルオロメトキシフェノールは（トリフルオロメト
キシ）ベンゼンをニトロ化し、還元して４−トリフルオ
ロメトキシアニリンとし、これをジアゾニウム塩とした
後、硫酸中で分解することによっても得ることができ
る。 ［製造例２４４］ 式（２４４）の化合物の製造方法 製造例２４０において、式（Ｐ１０２）の化合物に代え
て４−ジフルオロメトキシフェノールを用いることによ
り同様にして製造できる。この４−ジフルオロメトキシ
フェノールはヒドロキノンモノベンジルエーテルを蟻酸
エステルとし、これをＤＡＳＴと反応させてフッ素化し
た後に還元的に脱ベンジル化して得ることができる。あ
るいは（ジフルオロメトキシ）ベンゼンをニトロ化し、
還元して４−ジフルオロメトキシアニリンとし、これを
ジアゾニウム塩とした後、硫酸中で分解することによっ
ても得ることができる。あるいは４−ブロモフェノール
を蟻酸エステルとした後にＤＡＳＴでフッ素化して、４
−ブロモ−１−ジフルオロメトキシベンゼンとし、これ
から調製されるグリニヤール反応剤をｔ−ブチルヒドロ
パーオキシドと反応させるか、あるいはホウ酸エステル
反応させてボロン酸エステルとした後、塩基性条件下で
過酸化水素で酸化して得ることができる。
【０２３２】［製造例２４５］ 式（２４５）の化合物
の製造方法 製造例２４０において式（Ｐ１０２）の化合物に代え
て、３，４−ジフルオロフェノールを用いることにより
同様にして製造できる。 ［製造例２４６］ 式（２４６）の化合物の製造方法 製造例２４０において、式（Ｐ１０２）の化合物に代え
て、３−フルオロ−４−クロロフェノールを用いること
により同様にして製造できる。
【０２３３】［製造例２４７］ 式（２４７）の化合物
の製造方法 製造例２４３において、４−トリフルオロメトキシフェ
ノールに代えて３−フルオロ−４−トリフルオロメトキ
シフェノールを用いることにより同様にして製造でき
る。３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェノー
ルは３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシベンゼン
を塩化アルミニウム等のルイス酸存在下に、塩化アセチ
ルでアセチル化し、次いで蟻酸中過酸化水素で酸化し、
更に加水分解することにより得ることができる。あるい
は、４−ブロモ−１−トリフルオロメトキシベンゼンか
ら調製されるグリニヤール反応剤を、ｔ−ブチルヒドロ
パーオキシドと反応させるか、あるいはホウ酸エステル
反応させてボロン酸エステルとした後、塩基性条件下で
過酸化水素で酸化して得ることができる。あるいは３−
フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェノールは３−
フルオロ−４−トリフルオロメトキシベンゼンをニトロ
化し、還元して４−トリフルオロメトキシアニリンと
し、これをジアゾニウム塩とした後、硫酸中で分解する
ことによっても得ることができる。 ［製造例２４８］ 式（２４８）の化合物の製造方法 製造例２４４において、４−ジフルオロメトキシフェノ
ールに代えて３−フルオロ−４−ジフルオロメトキシフ
ェノールを用いることにより同様にして製造できる。こ
の３−フルオロ−４−ジフルオロメトキシフェノールは
２−フルオロ−４−ベンジルオキシフェノールを蟻酸エ
ステルとし、これをＤＡＳＴと反応させてフッ素化した
後に還元的に脱ベンジル化しても得ることもできる。あ
るいは３−フルオロ−４−ジフルオロメトキシベンゼン
をニトロ化し、還元して３−フルオロ−４−トリフルオ
ロメトキシアニリンとする。これをジアゾニウム塩とし
た後、硫酸中で分解することによっても得ることができ
る。あるいは３−フルオロ−４−ジフルオロメトキシベ
ンゼンを臭素化し、得られた４−ブロモ−２−フルオロ
−１−ジフルオロメトキシベンゼンから調製されるグリ
ニヤール反応剤を、ｔ−ブチルヒドロパーオキシドと反
応させるか、あるいはホウ酸エステル反応させてボロン
酸エステルとした後、塩基性条件下で過酸化水素で酸化
して得ることができる。
【０２３４】［製造例２４９］ 式（２４９）の化合物
の製造方法 製造例２４０において、式（Ｐ１０２）の化合物に代え
て、３，４，５−トリフルオロフェノールを用いること
により同様にして製造できる。３，４，５−トリフルオ
ロフェノールは３，４，５−トリフルオロアニリンの硫
酸中のジアゾニウム分解あるいは１−ブロモ−３，４，
５−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤール
反応剤をｔ−ブチルヒドロパーオキシドと反応させる
か、あるいはホウ酸エステル反応させてボロン酸エステ
ルとした後、塩基性条件下で過酸化水素で酸化して得る
ことができる。 ［製造例２５０］ 式（２５０）の化合物の製造方法 製造例２４０において、式（Ｐ１０２）の化合物に代え
て、４−クロロ−３，５−ジフルオロフェノールを用い
ることにより同様にして製造できる。４−クロロ−３，
５−ジフルオロフェノールは１−ブロモ−４−クロロ−
３，５−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤー
ル反応剤をｔ−ブチルヒドロパーオキシドと反応させる
か、あるいはホウ酸エステル反応させてボロン酸エステ
ルとした後、塩基性条件下で過酸化水素で酸化して得る
ことができる。あるいは２−クロロ−１，３−ジフルオ
ロベンゼン（２，６−ジフルオロアニリンをジアゾニウ
ム塩とし、塩化銅存在下に、あるいは塩酸中で分解する
ことにより得られる。）をニトロ化し、還元して４−ク
ロロ−３，５−ジフルオロアニリンとして、次いでその
ジアゾニウム塩を硫酸中で分解することによっても得る
ことができる。
【０２３５】［製造例２５１］ 式（２５１）の化合物
の製造方法 製造例２４８において、３−フルオロ−４−ジフルオロ
メトキシフェノールに代えて３，５−ジフルオロ−４−
ジフルオロメトキシフェノールを用いることにより同様
にして製造できる。この３，５−ジフルオロ−４−ジフ
ルオロメトキシフェノールは２，６−ジフルオロフェノ
ールを蟻酸エステルとし、これをＤＡＳＴと反応させて
フッ素化して２，６−ジフルオロ−１−ジフルオロメト
キシベンゼンを得て、これを臭素化して得られる４−ブ
ロモ−２，６−ジフルオロ−１−ジフルオロメトキシベ
ンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を、ｔ−ブチ
ルヒドロパーオキシドと反応させるか、あるいはホウ酸
エステル反応させてボロン酸エステルとした後、塩基性
条件下で過酸化水素で酸化して得ることができる。ある
いは３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシフェ
ノールは３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシ
ベンゼンをニトロ化し、還元して３−フルオロ−４−ト
リフルオロメトキシアニリンとする。これをジアゾニウ
ム塩とした後、硫酸中で分解することによっても得るこ
とができる。 ［製造例２５２］ 式（２５２）の化合物の製造方法 製造例２４０において、式（Ｐ１０２）の化合物に代え
て、４−シアノフェノールを用いることにより同様にし
て製造できる。
【０２３６】［製造例２５３］ 式（２５３）の化合物
の製造方法 製造例２４０において、式（Ｐ１０２）の化合物に代え
て、３−フルオロ−４−シアノフェノールを用いること
により同様にして製造できる。 ［製造例２５４］ 式（２５４）の化合物の製造方法 製造例２４０において、式（Ｐ１０２）の化合物に代え
て、３，５−ジフルオロ−４−シアノフェノールを用い
ることにより同様にして製造できる。３，５−ジフルオ
ロ−４−シアノフェノールは、２，６−ジフルオロアニ
リンをニトロ化し、得られた４−ニトロ−２，６−ジフ
ルオロアニリンをジアゾニウム塩とした後、シアン化銅
存在下に分解して４−ニトロ−２，６−ジフルオロ−１
−シアノベンゼンを得る。これを還元して４−シアノ−
３，５−ジフルオロアニリンとし、これをジアゾニウム
塩とした後、硫酸中で分解して得ることができる。
【０２３７】［製造例２５５］ 式（２５５）の化合物
の製造方法 製造例２４０において、酸クロリドとして式（Ｐ１０
３）
【０２３８】
【化１９２】 の化合物を用いることにより同様にして製造できる。式
（Ｐ１０３）の化合物は前述の式（Ｐ５１）の化合物に
式（ＩＶ）のにウィッティヒ反応剤を反応させ、トラン
ス体に異性化した後、必要に応じて更に重水素化するこ
とにより得ることができる。 ［製造例２５６〜２６９］ 式（２５６）〜（２６９）
の化合物の製造方法 製造例２４１〜２５４において、製造例２５５と同様に
酸クロリドとして式（Ｐ１０３）の化合物を用いること
により、それぞれ対応する式（２５６）〜（２６９）の
化合物が製造できる。
【０２３９】［製造例２７０］ 式（２７０）の化合物
の製造方法 製造例２４０において、酸クロリドとして式（Ｐ１０
４）
【０２４０】
【化１９３】 の化合物を用いることにより同様にして製造できる。式
（Ｐ１０４）の化合物は前述の（ル）、（カ）、（ヨ）
の各製造方法により得られるシクロヘキサノン環が重水
素化された４−（４−置換シクロヘキシル）シクロヘキ
サノンから製造例２５５と同様にして得ることができ
る。 ［製造例２７１〜２８４］ 式（２７１）〜（２８４）
の化合物の製造方法 製造例２４１〜２５４において、製造例２７０と同様に
酸クロリドとして式（Ｐ１０４）の化合物を用いること
により、それぞれ対応する式（２７１）〜（２８４）の
化合物を製造できる。
【０２４１】［製造例２８５］ 式（２８５）の化合物
の製造方法 製造例２４０において、酸クロリドとして式（Ｐ１０
５）
【０２４２】
【化１９４】 の化合物を用いることにより同様にして製造できる。式
（Ｐ１０５）の化合物は式（Ｐ１０６）
【０２４３】
【化１９５】 の重水素化されたシクロヘキサノン誘導体から、製造例
２５５と同様にして得ることができる。式（Ｐ１０６）
の化合物は前述の式（Ｐ７５）の化合物を重水素化する
か、４−置換シクロヘキサンエタナールから還元、臭素
化によって得られる式（Ｐ１０７）
【０２４４】
【化１９６】 のグリニヤール反応剤を、重水素原子（Ｄ）を有するシ
クロヘキサン−１，４−ジオンのモノエチレンアセター
ルと反応させた後、脱水、水素添加して得ることもでき
る。 ［製造例２８６〜２９９］ 式（２８６）〜（２９９）
の化合物の製造方法 製造例２４１〜２５４において、製造例２８５と同様に
酸クロリドとして式（Ｐ１０５）の化合物を用いること
により、それぞれ対応する式（２８６）〜（２９９）の
化合物が製造できる。
【０２４５】［製造例３００］ 式（３００）の化合物
の製造方法 式（Ｐ１０８）
【０２４６】
【化１９７】 の４−置換シクロヘキサンカルボン酸クロリドと式（Ｐ
１０９）
【０２４７】
【化１９８】 の４’−置換ビシクロヘキサン−４−オールとを塩基触
媒存在下に反応させて製造できる。式（Ｐ１０９）の化
合物は前述の（ル）、（カ）、（ヨ）の各製造方法によ
り得られるシクロヘキサノン環に重水素原子（Ｄ）を有
する４−（４−置換シクロヘキシル）シクロヘキサノン
を水素化アルミニウムリチウム（あるいはその重水素置
換体）あるいは水素化ホウ素ナトリウム等により還元し
て得ることができる。
【０２４８】［製造例３０１］ 式（３０１）の化合物
の製造方法 製造例３００において、式（Ｐ１０８）に代えて式（Ｐ
１１０）
【０２４９】
【化１９９】 の重水素原子（Ｄ）を有する４−置換シクロヘキサンカ
ルボン酸クロリドを用いることにより同様に製造でき
る。式（Ｐ１１０）の化合物は式（Ｐ１０８）の化合物
を重水素化するか、４−置換シクロヘキサノンを重水素
化して得られる式（Ｐ１１１）
【０２５０】
【化２００】 の化合物から、製造例２５５と同様にして得ることがで
きる。あるいは式（Ｐ１１１）の化合物はシクロヘキサ
ン−１，４−ジオンのモノエチレンアセタールを重水素
化した後、ウィッティヒ反応剤と反応させ、水素添加
後、脱アセタール化するか、あるいはグリニヤール反応
剤と反応させ、脱水、水素添加の後脱アセタール化する
ことによっても得ることができる。あるいは式（Ｐ１１
１）の化合物はシクロヘキサン−１，４−ジオンを重水
素化した後、モノエチレンアセタール化し、次いで上記
と同様にしても得ることができる。 ［製造例３０２］ 式（３０２）の化合物の製造方法 製造例３００において、式（Ｐ１０９）の化合物に代え
て、式（Ｐ１１２）
【０２５１】
【化２０１】 の化合物を用いることにより同様に製造できる。式（Ｐ
１１２）の化合物は式（Ｐ１１１）の化合物において、
Ｒ1がアルキル又はアルコキシ基である化合物を水素化
アルミニウムリチウム（あるいはその重水素置換体）あ
るいは水素化ホウ素ナトリウム等により還元して得るこ
とができる。
【０２５２】［製造例３０３］ 式（３０３）の化合物
の製造方法 式（Ｐ１１０）の化合物及び式（Ｐ１１２）の化合物か
ら、製造例３００と同様にして製造できる。 ［製造例３０４］ 式（３０４）の化合物の製造方法 式（Ｐ１１３）
【０２５３】
【化２０２】 のブロモベンゼン誘導体から調製されるグリニヤール反
応剤と前述の式（Ｐ９６）のフルオロヨードベンゼン誘
導体とを、パラジウム系あるいはニッケル系触媒の存在
下に反応させることにより製造できる。あるいは前述の
式（Ｐ１１４）
【０２５４】
【化２０３】 の化合物からグリニヤール反応剤を調製し、これを４−
置換シクロヘキサノンと反応させ、次いで脱水、水素添
加して製造することもできる。
【０２５５】［製造例３０５］ 式（３０５）の化合物
の製造方法 製造例６０において重水素原子（Ｄ）を有する４−（４
−置換シクロヘキシル）シクロヘキサノンに代えて、式
（Ｐ１１５）
【０２５６】
【化２０４】 の重水素原子（Ｄ）を有する４”−置換ターシクロヘキ
サン−４−オンを用いることにより同様にして製造でき
る。式（Ｐ１１５）の化合物は式（Ｐ１１６）
【０２５７】
【化２０５】 のフェノール誘導体の水素添加によって得られる４”−
置換ターシクロヘキサン−４−オンの重水素化により得
ることができる。あるいは式（Ｐ１１７）
【０２５８】
【化２０６】 の臭化ビシクロヘキサン誘導体から調製されるグリニヤ
ール反応剤を重水素原子（Ｄ）を有するシクロヘキサン
−１，４−ジオンモノエチレンアセタールと反応させ、
脱水、水素添加の後、脱アセタール化して得ることもで
きる。 ［製造例３０６〜３１９］ 式（３０６）〜（３１９）
の化合物の製造方法 製造例６１〜７４において、製造例３０５と同様に式
（Ｐ１１５）の重水素原子（Ｄ）を有する４”−置換タ
ーシクロヘキサン−４−オンを用いることにより、それ
ぞれ対応する式（３０６）〜（３１９）の化合物を同様
にして製造できる。
【０２５９】［製造例３２０］ 式（３２０）の化合物
の製造方法 製造例１３５において、式（Ｐ１０）の化合物に代え
て、前述の式（Ｐ４９）の化合物を用いることにより同
様にして製造できる。 ［製造例３２１〜３３４］ 式（３２１）〜（３３４）
の化合物の製造方法 製造例１３６〜１４９において、製造例３２０と同様に
式（Ｐ４９）の化合物を用いることにより、それぞれ対
応する式（３２１）〜（３３４）の化合物が同様にして
製造できる。
【０２６０】［製造例３３５］ 式（３３５）の化合物
の製造方法 製造例１３５において式（Ｐ１０）の化合物に代えて、
前述の式（Ｐ４０）の化合物を用いることにより同様に
して製造できる。 ［製造例３３６〜３４９］ 式（３３６）〜（３４９）
の化合物の製造方法 製造例１３６〜１４９において、製造例３３５と同様に
式（Ｐ４０）の化合物を用いることにより、それぞれ対
応する式（３３６）〜（３４９）の化合物が同様にして
製造できる。
【０２６１】［製造例３５０］ 式（３５０）の化合物
の製造方法 製造例１３５において式（Ｐ１０）の化合物に代えて、
前述の式（Ｐ６２）の化合物を用いることにより同様に
して製造できる。 ［製造例３５１〜３６４］ 式（３５１）〜（３６４）
の化合物の製造方法 製造例１３６〜１４９において、製造例３５０と同様に
式（Ｐ６２）の化合物を用いることにより、それぞれ対
応する式（３５１）〜（３６４）の化合物を同様にして
製造できる。
【０２６２】このように、本発明で使用することができ
るＤ化液晶化合物は多種に及ぶが、分子中に重水素原子
（Ｄ）により置換された飽和炭化水素環を１又は２個有
し、この環を含めて分子全体で２〜４環式である化合物
が好ましい。このような化合物の中でも特に、下記一般
式（Ｉ）〜（ＸＩＩ）の化合物が好ましい。
【０２６３】
【化２０７】 （式中、Ｚ1は炭素原子数１〜２０の直鎖状アルキル基
を表わし、Ｘ1〜Ｘ3はそれぞれ独立的に水素原子（Ｈ）
又は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重
水素原子（Ｄ）を表わし、Ｙ1は水素原子又はフッ素原
子を表わす。）
【０２６４】
【化２０８】 （式中、Ｚ2は炭素原子数１〜２０の直鎖状アルキル基
を表わし、Ｘ4〜Ｘ7はそれぞれ独立的に水素原子（Ｈ）
又は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重
水素原子（Ｄ）を表わし、Ｙ2は水素原子又はフッ素原
子を表わす。）
【０２６５】
【化２０９】 （式中、Ｚ3は炭素原子数１〜２０のアルキル基又はア
ルケニル基を表わし、Ｘ8〜Ｘ11はそれぞれ独立的に水
素原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なく
とも１つは重水素原子（Ｄ）を表わす。）
【０２６６】
【化２１０】 （式中、Ｚ4は炭素原子数１〜２０の直鎖状アルキル基
を表わし、Ｘ12〜Ｘ14はそれぞれ独立的に、水素原子
（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わす。）
【０２６７】
【化２１１】 （式中、Ｚ5は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表わ
し、Ｘ15〜Ｘ18はそれぞれ独立的に、水素原子（Ｈ）又
は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重水
素原子（Ｄ）を表わす。）
【０２６８】
【化２１２】 （式中、Ｚ6は炭素原子数１〜２０の直鎖状アルキル基
又はアルケニル基を表わし、Ｘ19〜Ｘ22はそれぞれ独立
的に、水素原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わす
が、少なくとも１つは重水素原子（Ｄ）を表わす。）
【０２６９】
【化２１３】 （式中、Ｚ7は炭素原子数１〜２０のアルキル基又はア
ルケニル基を表わし、Ｚ8は炭素原子数１〜２０のアル
キル基を表わし、Ｘ23〜Ｘ26はそれぞれ独立的に、水素
原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくと
も１つは重水素原子（Ｄ）を表わす。）
【０２７０】
【化２１４】 （式中、Ｚ9は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表わ
し、Ｚ10は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表わし、
Ｘ27〜Ｘ29はそれぞれ独立的に、水素原子（Ｈ）又は重
水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重水素原
子（Ｄ）を表わす。）
【０２７１】
【化２１５】 （式中、Ｚ11は炭素原子数１〜２０のアルキル基又はＺ
12−Ｏ−（ＣＨ2）n−を表わし、Ｚ12は炭素原子数１〜
１０のアルキル基を表わし、ｎは２〜７の整数を表わ
し、Ｘ30〜Ｘ32はそれぞれ独立的に、水素原子（Ｈ）又
は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重水
素原子（Ｄ）を表わす。）
【０２７２】
【化２１６】 （式中、Ｚ13は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表わ
し、Ｘ33〜Ｘ36はそれぞれ独立的に水素原子（Ｈ）又は
重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重水素
原子（Ｄ）を表わす。）
【０２７３】
【化２１７】 （式中、Ｚ14は炭素原子数２〜１８のアルケニル基を表
わし、Ｘ37〜Ｘ40はそれぞれ独立的に水素原子（Ｈ）又
は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重水
素原子（Ｄ）を表わす。）
【０２７４】
【化２１８】 （式中、Ｚ15は炭素原子数１〜１５のアルキル基を表わ
し、Ｘ41〜Ｘ43はそれぞれ独立的に水素原子（Ｈ）又は
重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重水素
原子（Ｄ）を表わす。） 斯くして得られるＤ化液晶化合物の代表的なものの例と
その相転移温度を下記第１表〜第３表に掲げる。
【０２７５】
【表１】
【０２７６】
【表２】
【０２７７】
【表３】
【０２７８】（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｓｍはスメクチ
ック相を、Ｎはネマチック相を、Ｉは等方性液体相をそ
れぞれ表わす。） 本発明で使用するＤ化液晶化合物は、対応する重水素置
換されていない化合物と比較すると、その相転移温度は
ほぼ等しいかあるいはわずかに低い程度であり、大きな
相違はないようにも考えられる。
【０２７９】しかしながら、この化合物を液晶組成物に
添加することにより、得られる液晶組成物の電気光学的
特性は改善され、低温領域において液晶組成物から結晶
が析出しないという顕著な効果を奏することが認められ
る。例えば、
【０２８０】
【化２１９】 からなる混合液晶（ａ−１）は、以下のような特性を有
する。 ＴN-I点 ： １１７ ℃ ＴC-N点 ： １１ ℃ しきい値電圧 ： ２．１４ Ｖ Δε ： ４．８ Δｎ ： ０．０９０ 応答速度 ： ２５ msec
【０２８１】尚、本発明の明細書において、各液晶組成
物の特性は、特に断りがない限り、測定条件は以下の通
りである。まず、液晶組成物のしきい値電圧、電圧保持
率及び応答速度は、電極層を有する少なくとも一方が透
明な２枚の基板間に液晶組成物を挟持する、セル厚６μ
ｍの液晶表示装置を作製して測定される。尚、しきい値
電圧及び応答速度は２５℃において測定し、応答速度は
電圧を印加してから液晶分子が動作し、光の透過率が変
化するまでの「立ち上がり時間」と、電圧を切ってから
元の状態に戻るまでの「立ち下がり時間」とが等しくな
る時間を応答速度とする。また、Δｎは屈折率異方性を
表わし、組成物中の「％」は「重量％」を意味する。
【０２８２】混合液晶（ａ−１）を構成する各化合物
は、比較的電圧保持率が高いので、特にアクティブマト
リクス用の構成材料して汎用されている。この混合液晶
（ａ−１）７０重量％及びアクティブマトリクス用の液
晶化合物３０重量％からなる混合液晶（ｂ）
【０２８３】
【化２２０】 を調製することができ、その特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １１１ ℃ しきい値電圧 ： １．８３ Ｖ Δε ： ７．０ Δｎ ： ０．０８７ 応答速度 ： ３０ msec これに対して、同じ混合液晶（ａ−１）７０重量％及び
第２表中の（Ｎｏ．１８）の化合物３０重量％からなる
混合液晶（Ｂ）
【０２８４】
【化２２１】 を調製することができ、その特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １１０ ℃ しきい値電圧 ： １．８１ Ｖ Δε ： ７．０ Δｎ ： ０．０８７ 応答速度 ： ２８ msec この結果から、混合液晶（Ｂ）の方がしきい値電圧が低
く、応答速度も速いことが明らかである。また、混合液
晶（ａ−１）及び混合液晶（ｂ）を＋１０℃で保存する
と３日後には結晶が析出するのに対して、本発明の混合
液晶（Ｂ）は＋１０℃で保存すると、１カ月経過後も結
晶は全く析出していない。このことから、本発明の液晶
組成物は、電気光学的特性が改善され、且つ低温領域に
おいても結晶が析出しないという非常に優れた効果を有
することが明らかである。
【０２８５】また、ＳＴＮ用液晶組成物に用いられてい
る化合物からなる混合液晶（ｐ）
【０２８６】
【化２２２】 を調製することができ、その特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ８４ ℃ しきい値電圧 ： １．６０ Ｖ Δε ： ９．９ Δｎ ： ０．０９９ Ｋ33／Ｋ11 ： ２．３ この混合液晶（ｐ）に用いられているシアノ基を有する
２環化合物３種を、類似構造を有するＤ化液晶化合物に
置き換えたものに相当する混合液晶（Ｐ）
【０２８７】
【化２２３】 を調製することができ、特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ８４℃ しきい値電圧 ： １．５９Ｖ Δε ： ９．９ Δｎ ： ０．０９９ Ｋ33／Ｋ11 ： ２．４ この結果から、混合液晶（Ｐ）の方がしきい値電圧が低
く、Ｋ33／Ｋ11も大きいことが明らかである。また、混
合液晶（ｐ）を０℃で保存しても、１日後には結晶が析
出するのに対して、本発明の混合液晶（Ｐ）を０℃で保
存しても、１４日経過後に結晶の析出が認められ、結晶
が析出しにくくなっていることが理解できる。このこと
から、本発明の液晶組成物は電気光学的特性が改善さ
れ、且つ低温領域においても結晶が析出しにくいという
非常に優れた効果を有することが明らかである。
【０２８８】また、上述の製造方法や第１表〜第３表か
らも明らかなように、本発明で使用することができるＤ
化液晶化合物は、骨格が同一であっても、重水素原子
（Ｄ）の置換数や置換位置の違いや、立体配置の違いに
より非常に多くの同族体が存在する。
【０２８９】例えば、アクティブマトリクス用の化合物
として有用な前述の（Ｎｏ．１８）の液晶化合物を、例
えば前述の（ヌ）の製造方法に従って製造すると、重水
素化反応の程度によって、下記のように合計８種類の同
族体を製造することができる。
【０２９０】
【化２２４】 また、前述の（ハ）の製造方法を用いると下記のように
合計９種類の同族体を製造することができる。
【０２９１】
【化２２５】
【０２９２】このように、２通りの製造方法だけでも、
同族体を合計で１７種類も製造することができる。ま
た、その他の製造方法を用いれば、更にその数が増え
る。このような化合物を使用する本発明の液晶組成物
は、Ｄ化液晶化合物を１種含有するものであっても上述
のような効果を奏することが認められるが、前述の種々
の製造方法によって得られる２種以上の同族体を併用す
るものは、低温領域で結晶が析出しないという効果がよ
り顕著に現れるので、このような液晶組成物は非常に好
ましい。また、同族体の種類が多くなっても電気光学的
特性を悪化させる傾向はみられないので、本発明の液晶
表示装置は、これまで液晶表示装置を使用することがで
きなかった極低温の環境でも、良好な駆動特性を示す。
【０２９３】ここで、Ｄ化液晶化合物の同族体を２種以
上含有する本発明の組成物の効果を以下に示す。アクテ
ィブマトリクス用に用いられる化合物を含有する比較混
合液晶（ａ−２）と、類似構造を有するＤ化液晶化合物
の数種の同族体を含有する混合液晶（Ａ）を調製するこ
とができ、その特性は以下の通りである。尚、混合液晶
（ａ−２）及び混合液晶（Ａ）は以下の組成からなる。 混合液晶（ａ−２）
【０２９４】
【化２２６】 混合液晶（Ａ）
【０２９５】
【化２２７】
【０２９６】 混合液晶（Ａ） 混合液晶（ａ−２） ＴN-I点 ： １１７ ℃ １１９ ℃ しきい値電圧 ： １．９１ Ｖ １．９６ Ｖ Δε ： ５．５ ５．５ Δｎ ： ０．０８６ ０．０８６ 応答速度 ： ２８ msec ３３ msec この結果から、本発明の混合液晶（Ａ）の方がしきい値
電圧が低くく、応答速度も速いことが明らかである。ま
た、比較の混合液晶（ａ−２）を＋１０℃で保存して
も、１日後には結晶が析出するのに対して、本発明の混
合液晶（Ａ）を＋１０℃で保存しても、１カ月経過後も
結晶は析出していない。同様に、後述の実施例にも示し
たように、Ｄ化液晶化合物を含有する種々の本発明の液
晶組成物は、いずれも電気光学的特性が改善され、且つ
低温で結晶が析出しないという顕著な効果を有すること
が明らかである。
【０２９７】また、本発明の液晶組成物は、これまでア
クティブマトリクス用液晶組成物に結晶が必ず析出して
しまうと言われている−５５℃で保存しても、３カ月以
上結晶が析出しないものを得ることもできる。そのよう
な例として下記混合液晶（Ｍ）を調製することができ、
その特性は以下の通りである。
【０２９８】
【化２２８】
【０２９９】
【化２２９】
【０３００】
【化２３０】
【０３０１】 この混合液晶（Ｍ）を用いて作製されるＴＦＴ駆動の液
晶表示装置は、低温領域においても良好な駆動特性を示
す。従って、本発明の液晶組成物を用いて、これまでア
クティブマトリクス駆動の液晶表示装置を使用すること
ができないとされている低温領域においても、使用可能
な画期的な液晶表示装置を得ることができる。従って、
低温でも安定に駆動することが要求される例えば、車載
用や航空機コックピットの表示装置の構成材料として極
めて有用である。
【０３０２】更に、ＯＡ用器機においては、アクティブ
マトリクス駆動の液晶表示装置を汎用化するために、し
きい値電圧が１．２Ｖ以下であることが強く要求されて
いる。しかしながら、前述のようにこのような要求を満
たす液晶組成物を調製すると、結晶が析出しやすいとい
う問題がある。ＯＡ用の場合、通常−２５℃で保存して
も１カ月以上結晶が析出しなければ実用的な液晶組成物
として認識されるが、しきい値電圧が１．２Ｖ以下で、
しかもＴN-I点が８５℃以上であり、−２５℃で保存し
ても１カ月以上結晶が析出しないものは現在のところ得
られていない。ここで、しきい値電圧の低い混合液晶
（ｎ）
【０３０３】
【化２３１】 を調製したところ、特性は以下の通りである。尚、この
測定にはセル厚が４．５μｍの液晶セルを使用した。 この混合液晶（ｎ）は、しきい値電圧が低く、ＴN-I点
も高いが、０℃で保存しても、１日後には結晶が析出し
てしまい、実用的ではないことが明らかである。
【０３０４】これに対して、Ｄ化液晶化合物を用いて本
発明に係わる下記混合液晶（Ｎ）を調製することができ
る。尚、この測定も前述の混合液晶（ｎ）と同様に、セ
ル厚が４．５μｍの液晶セルを使用した。
【０３０５】
【化２３２】
【０３０６】
【化２３３】
【０３０７】
【化２３４】
【０３０８】
【化２３５】
【０３０９】
【化２３６】
【０３１０】 混合液晶（Ｎ） ＴN-I点 ： ８６ ℃ ＴC-N点 ： −３０ ℃ しきい値電圧 ： １．１０ Ｖ Δε ： ９．２ Δｎ ： ０．０８０ 応答速度 ： ３３ msec 電圧保持率 ： ９８．５ ％（／１００℃） この結果から、混合液晶（Ｎ）はＴN-Iが高く、しきい
値電圧が１．２Ｖ以下と低くく、応答速度も速いことが
明らかである。また、この混合液晶（Ｎ）を−２５℃で
１カ月以上保存しても結晶が析出せず、この混合液晶
（Ｎ）を用いて作製されるＴＦＴ駆動の液晶表示装置
は、低温領域において良好な駆動特性を示す。このこと
から、本発明の液晶組成物は電気光学的特性が改善さ
れ、且つ低温領域においても結晶が析出しないという非
常に優れた効果を有することが明らかである。次に、Ｓ
ＴＮ液晶表示装置において有用な前述のシアノ基を有す
る２環系化合物を含有する混合液晶（ｔ）を調製するこ
とができ、その特性を下記に示す。
【０３１１】
【化２３７】 この混合液晶（ｔ）は、しきい値電圧が１．２Ｖ以下
で、弾性定数比Ｋ33／Ｋ 11が２．５と大きく、低電圧駆
動及び高コントラストを達成できるＳＴＮ用液晶組成物
であり、電流値増大等の問題もほとんどない優れた液晶
組成物である。しかしながら、−２５℃で保存すると５
日後には結晶が析出してしまう。この混合液晶（ｔ）の
結晶析出の問題を解決すべく、下記混合液晶（Ｔ）を調
製することができる。
【０３１２】
【化２３８】
【０３１３】
【化２３９】 この結果から混合液晶（Ｔ）の方がしきい値電圧が低く
く、これを用いて作製されるツイスト角２６０゜のＳＴ
Ｎ表示装置は、低温領域においても良好な駆動特性を示
す。また、この混合液晶（Ｔ）は、−４０℃で保存して
も３カ月経過後も結晶が析出しないという、実用上非常
に好ましいものである。このように本発明の液晶組成物
は、液晶組成物の低温での結晶析出の問題を飛躍的に改
善することができるものであり、今まで使用することが
できなかった環境温度での使用が大いに期待される。ま
た、本発明の液晶表示装置は特にアクティブマトリクス
駆動用、あるいはＳＴＮ液晶表示装置に制限されるもの
ではなく、通常のＴＮ液晶表示装置にも有用であること
は言うまでもない。
【０３１４】本発明の液晶組成物において、Ｄ化液晶化
合物の含有量は、総量で５重量％であることが好まし
く、Ｄ化液晶化合物からなる液晶組成物も好ましい。ま
た、３０重量％〜９０重量％の範囲が特に好ましい。ま
た、後述の実施例からも明らかなように、アクティブマ
トリクス用の本発明の液晶組成物としては、液晶組成物
全体の誘電率異方性（Δε）が＋３〜＋１２の範囲にあ
ることが好ましく、ＴＮ、ＳＴＮ用液晶組成物として
は、Δεが＋８以上であるＤ化液晶化合物を含有するも
のであることが好ましい。
【０３１５】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。なお、化合物の構造は、重水素
置換されていない既知の化合物と、キャピラリーガスク
ロマトグラフ及び薄層クロマトグラフを比較し、同一の
保持時間（あるいはＲｆ値）を示すこと、及び核磁気共
鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）、赤
外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認できる。なお、化
合物名中に記した「ｄn」は、シクロヘキサン環の水素
原子のうちのｎ個が重水素原子（Ｄ）で置換されている
ことを表わす。
【０３１６】（参考例１） １−シアノ−４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）
ベンゼンの合成
【０３１７】
【化２４０】
【０３１８】（１−ａ） ４−プロピルシクロヘキサノ
ンの重水素化 ナトリウムメトキシド１１．５ｇを重水（重水素化率：
９９．８％）１００ｍｌに溶解した。この溶液にジクロ
ロメタン１００ｍｌに溶解した４−プロピルシクロヘキ
サノン８８．９ｇ及び臭化テトラブチルアンモニウム
１．０ｇを加え、６時間、溶媒の還流温度で加熱攪拌す
る。反応終了後、放冷し、水層を分離して、反応生成物
をジクロロメタン５０ｍｌで抽出する。この抽出液と有
機層を併せ、この混合液を、ナトリウムメトキシド４．
０ｇを溶解した重水（重水素化率：９９．９６％）５０
ｍｌに加え、溶媒還流下で１０時間加熱攪拌する。有機
層を分離し、水層は反応生成物をジクロロメタンで抽出
した後に回収する。この抽出液と有機層を併せ、水で洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥する。溶媒を溜去
して、４−プロピルシクロヘキサノン−２，２，６，６
−ｄ4８８．６ｇを得る。 （１−ｂ） １−フェニル−４−プロピル−１−シクロ
ヘキセン−２，６，６−ｄ3の合成 乾燥したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０ｍｌ中に削
り状マグネシウム１０．２ｇを加えた。これにブロモベ
ンゼン５６．０ｇのＴＨＦ２４０ｍｌ溶液を、穏やかな
還流が持続する速度で滴下する。滴下終了後、更に１時
間攪拌した。氷冷下、上記（１−ａ）で得られる４−プ
ロピルシクロヘキサノン−２，２，６，６−ｄ4３３．
０ｇのＴＨＦ１００ｍｌ溶液を、内温が４０℃を超さな
いように注意して１時間で滴下する。室温で更に１時間
攪拌した後、水層が弱酸性となるまで稀塩酸を加える。
反応生成物を酢酸エチル３００ｍｌで２回抽出し、有機
層を飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾
燥する。溶媒を減圧下に溜去して、油状の１−フェニル
−４−プロピル−１−シクロヘキサノール−２，２，
６，６−ｄ4の粗生成物を得る。この粗生成物全量をト
ルエン２００ｍｌに溶解し、硫酸水素カリウム２．５ｇ
を加え、攪拌下、溜出する水を除去しながら１時間加熱
還流させる。室温まで放冷した後、水、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液、水、次いで飽和食塩水で洗滌し、無水
硫酸ナトリウムで脱水乾燥する。溶媒を減圧下に溜去し
て、１−フェニル−４−プロピル−１−シクロヘキセン
−２，６，６−ｄ3４７．５ｇを得る。
【０３１９】（１−ｃ） （トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼンの合成 オートクレーブ中に上記（１−ｂ）で得られる１−フェ
ニル−４−プロピル−１−シクロヘキセン−２，６，６
−ｄ3４０．０ｇを加え、酢酸エチル３４０ｍｌに溶解
する。この溶液に４．０ｇのパラジウム炭素を加え、水
素圧４Ｋｇ／ｃｍ2で３時間室温で攪拌する。セライト
濾過により触媒を除去し、減圧下に溶媒を溜去して、
（４−プロピルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベ
ンゼン（シス／トランスの混合物）を得る。これをＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２００ｍｌに溶解
し、ｔ−ブトキシカリウム１７．０ｇを加え、１１０℃
で３時間攪拌する。反応終了後、水１００ｍｌを加え、
稀塩酸で中和し、反応生成物をヘキサンで２回抽出す
る。ヘキサン層を水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱
水乾燥した後、溶媒を減圧下に溜去して得られた粗生成
物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサ
ン）を用いて精製して、（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼン及び（シス−
４−プロピルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベン
ゼンの重量比８６／１４混合物３４．２ｇを得る。
【０３２０】（１−ｄ） ４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンズアミドの
合成 上記（１−ｃ）で得られる（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼン及び（シス
−４−プロピルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベ
ンゼンの重量比８６／１４混合物２０．０ｇを、ジクロ
ロメタン１００ｍｌに溶解し、無水塩化アルミニウム１
７ｇを加え、氷冷する。ジクロロメタン７０ｍｌに溶解
したシュウ酸ジクロリド１４ｇを内温が１０℃を超えな
いよう注意して滴下する。１時間氷冷下に攪拌後、稀塩
酸及び氷中にあけ、ジクロロメタンで抽出する。このジ
クロロメタン溶液を２９％アンモニア水２５０ｍｌに氷
冷下１０℃以下で滴下する。１時間５〜１０℃で攪拌し
た後、析出した結晶を濾取し、減圧下に乾燥して、４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル−２，２，６
−ｄ3）ベンズアミドの粗結晶（シス体を少量含有す
る）２０．０ｇを得る。
【０３２１】（１−ｅ） １−シアノ−４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベ
ンゼンの合成 上記（１−ｄ）で得られる４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンズアミドの
全量を塩化チオニル１００ｍｌに加え、還流下１時間加
熱攪拌する。減圧下に過剰の塩化チオニルを溜去し、放
冷後、水及びトルエンを加えて攪拌し、有機層を分離す
る。水層はトルエンで抽出し、この抽出液と有機層を併
せて水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒
を溜去して得られる粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（トルエン）を用いて精製し、更にメタノ
ールから再結晶させて、１−シアノ−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベン
ゼン９．４ｇを得る。この相転移温度は以下の通りであ
る。 相転移温度 ４２℃（融点）（Ｃｒ→Ｎ）、４６℃
（Ｎ−Ｉ） なお、全く重水素化されていない１−シアノ−４−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼンの文献
（「液晶・基礎編」岡野光治、小林駿介共編、培風館、
１９８５年）記載の相転移温度は以下の通りである。 相転移温度 ４２℃（融点）（Ｃｒ→Ｎ）、４５℃
（Ｎ−Ｉ）
【０３２２】（参考例２） １−シアノ−４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル−３，３，５，５−ｄ
4）ベンゼンの合成
【０３２３】
【化２４１】
【０３２４】（２−ａ） ４−フェニルシクロヘキサノ
ンの重水素化 市販の４−フェニルシクロヘキサノンを参考例（１−
ａ）と同様に重水素化し、４−フェニルシクロヘキサノ
ン−２，２，６，６−ｄ4を得る。 （２−ｂ） トランス−４−フェニルシクロヘキサン−
２，２，６，６−ｄ4カルバルデヒドの合成 塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム１４．２
ｇをＴＨＦ３５ｍｌに懸濁し、−５℃に冷却する。これ
にｔ−ブトキシカリウム４．６ｇを加え、室温で１時間
攪拌してウィッティヒ反応剤を調製する。これに上記
（２−ａ）で得られる４−フェニルシクロヘキサノン−
２，２，６，６−ｄ4５．７ｇのＴＨＦ１０ｍｌ溶液を
−５℃で５分間で滴下する。室温で５時間攪拌した後、
水にあけ、ヘキサンを加え、有機層を分離する。トリフ
ェニルホスフィンオキシドの沈澱を濾別し、水で洗滌し
た後、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を溜去して
得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（ヘキサン／酢酸エチル＝５）を用いて精製して、４
−フェニルシクロヘキサン−２，２，６，６−ｄ4カル
バルデヒドの油状物５．２ｇを得る。これはシクロヘキ
サン環のシス、トランス配置によるジアステレオマー混
合物である。これをエタノール５０ｍｌに溶解し、２０
％水酸化ナトリウム水溶液１ｍｌを加えて室温で３時間
攪拌する。水を加え１Ｎ塩酸で中和した後、反応生成物
を酢酸エチルで抽出し、抽出液を水洗後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥する。溶媒を溜去して得られる粗生成物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸
エチル＝５）を用いて精製し、ヘキサンから再結晶させ
て、トランス−４−フェニルシクロヘキサン−２，２，
６，６−ｄ4カルバルデヒドの白色結晶３．１ｇを得
る。
【０３２５】（２−ｃ） トランス−１−フェニル−４
−（１−プロペニル）シクロヘキサン−３，３，５，５
−ｄ4の合成 ヨウ化エチルトリフェニルホスホニウム１．８ｇをＴＨ
Ｆ３ｍｌとトルエン１０ｍｌに懸濁し１５℃に冷却す
る。これにｔ−ブトキシカリウム０．５２ｇを加え、室
温で１時間攪拌してウィッティヒ反応剤を調製する。こ
れに、上記（２−ｂ）で得られるトランス−４−フェニ
ルシクロヘキサン−２，２，６，６−ｄ4カルバルデヒ
ド０．６０ｇのトルエン２ｍｌ溶液を１５℃で５分間で
滴下する。室温で２時間攪拌した後、反応液を水にあ
け、トルエンを加え、有機層を分離する。有機層を濃縮
した後、ヘキサンを加え、トリフェニルホスフィンオキ
シドの沈澱を濾別し、水／メタノール混合溶媒（１／
１）で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶
媒を溜去して得られる粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（ヘキサン）を用いて精製して、トラン
ス−１−フェニル−４−（１−プロペニル）シクロヘキ
サン−３，３，５，５−ｄ4０．５６ｇを得る。
【０３２６】（２−ｄ） トランス−１−フェニル−４
−プロピルシクロヘキサン−３，３，５，５−ｄ4の合
成 上記（２−ｃ）で得られるトランス−１−フェニル−４
−（１−プロペニル）シクロヘキサン−３，３，５，５
−ｄ4の全量を、参考例（１−ｃ）において用いた触媒
をパラジウム炭素からラネーニッケルに代えて反応させ
る以外は参考例（１−ｃ）と全く同様にして、トランス
−１−フェニル−４−プロピルシクロヘキサン−３，
３，５，５−ｄ4の０．５５ｇを得る。 （２−ｅ） １−シアノ−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル−３，３，５，５−ｄ4）ベンゼンの
合成 上記（２−ｄ）で得られるトランス−１−フェニル−４
−プロピルシクロヘキサン−３，３，５，５−ｄ4の全
量を用い、上記（１−ｄ）次いで（１−ｅ）と同様にし
て、１−シアノ−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル−３，３，５，５−ｄ4）ベンゼン０．２８ｇを得
る。この化合物の相転移温度は第１表に示した。
【０３２７】（参考例３） １−シアノ−２−フルオロ
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル−２，
２，６−ｄ3）ベンゼンの合成 参考例１において、ブロモベンゼンに代えて、３−フル
オロ−１−ブロモベンゼンを用いる以外は参考例１と同
様にして、１−シアノ−２−フルオロ−４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベ
ンゼンを得る。この化合物の相転移温度は第１表に示し
た。 （参考例４） １−フルオロ−４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼンの
合成 参考例１において、ブロモベンゼンに代えて、４−フル
オロ−１−ブロモベンゼンを用い、４−プロピルシクロ
ヘキサノンに代えて、４−ペンチルシクロヘキサノンを
用いる以外は参考例１と同様にして、１−フルオロ−４
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル−２，２，
６−ｄ3）ベンゼンを得る。この化合物の相転移温度は
第１表に示した。 （参考例５） １−メトキシ−４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼンの
合成 参考例１において、ブロモベンゼンに代えて、４−ブロ
モアニソールを用い、４−プロピルシクロヘキサノンに
代えて、４−ペンチルシクロヘキサノンを用いる以外は
参考例１と同様にして、１−メトキシ−４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベ
ンゼンを得る。この化合物の相転移温度は第１表に示し
た。
【０３２８】（参考例６） １，２−ジフルオロ−４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル−２，２，６
−ｄ3）ベンゼンの合成 参考例１において、ブロモベンゼンに代えて、１−ブロ
モ−３，４−ジフルオロベンゼンを用い、４−プロピル
シクロヘキサノンに代えて、４−ペンチルシクロヘキサ
ノンを用いる以外は参考例１と同様にして、１，２−ジ
フルオロ−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−２，２，６−ｄ3）ベンゼンを得る。この化合物の
相転移温度は第１表に示した。 （参考例７） １−トリフルオロメトキシ−４−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル−２，２，６−
ｄ3）ベンゼンの合成 参考例１において、ブロモベンゼンに代えて、４−ブロ
モ−１−トリフルオロメトキシベンゼンを用い、４−プ
ロピルシクロヘキサノンに代えて、４−ペンチルシクロ
ヘキサノンを用いる以外は参考例１と同様にして、１−
トリフルオロメトキシ−４−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼンを得る。
この化合物の相転移温度は第１表に示した。 （参考例８） １−メチル−４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼンの合
成 参考例１において、ブロモベンゼンに代えて、４−ブロ
モトルエンを用い、４−プロピルシクロヘキサノンに代
えて、４−ペンチルシクロヘキサノンを用いる以外は参
考例１と同様にして、１−メチル−４−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼ
ンを得る。この化合物の相転移温度は第１表に示した。
【０３２９】（参考例９） トランス−４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）−１−ブチルシクロヘ
キサン−２，２，６，６−ｄ4の合成
【０３３０】
【化２４２】
【０３３１】４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキサノンを上記（１−ａ）と同様に重水
素化し、４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキサノン−２，２，６，６−ｄ4を得る。
これを上記（２−ｂ）と同様にウィッティヒ反応剤と反
応させて、４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキサン−２，２，６，６−ｄ4カルバルデ
ヒドを得る。これを臭化プロピルトリフェニルホスホニ
ウムから調製されるウィッティヒ反応剤と上記（２−
ｃ）と同様に反応させ、次いで上記（２−ｄ）と同様に
水素添加して、トランス−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）−１−ブチルシクロヘキサン−２，
２，６，６−ｄ4を得る。この化合物の相転移温度は第
１表にまとめて示した。
【０３３２】（参考例１０） １−シアノ−４−［２−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル−２，２，
６，６−ｄ4）エチル］ベンゼンの合成
【０３３３】
【化２４３】
【０３３４】上記（１−ａ）で得られる４−プロピルシ
クロヘキサノン−２，２，６，６−ｄ4を、塩化メトキ
シメチルトリフェニルホスホニウムから調製されるウィ
ッティヒ反応剤と上記（２−ｂ）と同様に反応させて、
トランス−４−プロピルシクロヘキサン−２，２，６，
６−ｄ4カルバルデヒドを得る。これと同じウィッティ
ヒ反応剤との反応を繰り返し、トランス−４−プロピル
シクロヘキサン−２，２，６，６−ｄ4エタナールを得
る。これをトランス−４−プロピルシクロヘキサノン−
２，２，６，６−ｄ4に代えて用いる以外は、（１−
ｂ）〜（１−ｅ）と同様に反応させて、１−シアノ−４
−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル−
２，２，６，６−ｄ4）エチル］ベンゼンを得る。相転
移温度は第１表にまとめて示した。
【０３３５】（参考例１１） １−シアノ−４−（トラ
ンス−４−エテニルシクロヘキシル−３，３，５，５−
ｄ4）ベンゼンの合成 上記（２−ｂ）で得られるトランス−４−フェニル−シ
クロヘキサン−２，２，６，６−ｄ4カルバルデヒドを
ヨウ化メチルトリフェニルホスホニウムから調製される
ウィッティヒ反応剤と上記（２−ｃ）と同様に反応させ
て、トランス−１−エテニル−４−フェニルシクロヘキ
サン−２，２，６，６−ｄ4を得る。これを以下、（１
−ｄ）次いで（１−ｅ）と同様に反応させて、１−シア
ノ−４−（トランス−４−エチニルシクロヘキシル−
３，３，５，５−ｄ4）ベンゼンを得る。この化合物の
相転移温度は第２表に示した。 （参考例１２） １−シアノ−４−［トランス−４−
（トランス−１−プロペニル）シクロヘキシル−３，
３，５，５−ｄ4］ベンゼンの合成 参考例１１において、ヨウ化メチルトリフェニルホスホ
ニウムから調製されるウィッティヒ反応剤に代えて、臭
化エチルトリフェニルホスホニウムから調製されるウィ
ッティヒ反応剤を用いる以外は参考例１１と同様にし
て、トランス−１−（シス−１−プロペニル）−４−フ
ェニルシクロヘキサン−２，２，６，６−ｄ4を得る。
この化合物１．０ｇをトルエン５ｍｌに溶解し、１０％
塩酸１０ｍｌを加える。これにベンゼンスルフィン酸ナ
トリウム０．２５ｇを加え、１０時間加熱還流させる。
放冷後、トルエン５０ｍｌを加えて水層を分離し、不溶
物を除去し、２％塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、水で順次洗滌する。溶媒を減圧下に溜去して、トラ
ンス−１−（トランス−１−プロペニル）−４−フェニ
ルシクロヘキサン−２，２，６，６−ｄ4及びトランス
−１−（シス−１−プロペニル）−４−フェニルシクロ
ヘキサン−２，２，６，６−ｄ4の重量比約３／１混合
物を得る。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（ヘキサン／酢酸エチル）を用いて精製し、更にエタノ
ールから再結晶させて、トランス−１−（トランス−１
−プロペニル）−４−フェニルシクロヘキサン−２，
２，６，６−ｄ4０．６２ｇを得る。これを以下、（１
−ｄ）次いで（１−ｅ）と同様に反応させて、１−シア
ノ−４−［トランス−４−（トランス−１−プロペニ
ル）シクロヘキシル−３，３，５，５−ｄ4］ベンゼン
を得る。この化合物の相転移温度は第２表に示した。
【０３３６】（参考例１３） ３，４−ジフルオロ−１
−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル−２，２，６−ｄ3］ベンゼン
の合成
【０３３７】
【化２４４】
【０３３８】（１３−ａ） ４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキサノンの重水素化 参考例（１−ａ）において、トランス−４−プロピルシ
クロヘキサノンに代えて、４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサノンを用いる以外は
（１−ａ）と同様にして、４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサノン−２，２，６，６
−ｄ4を得る。 （１３−ｂ） ３，４−ジフルオロ−１−［トランス−
４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロ
ヘキシル−２，２，６−ｄ3］ベンゼンの合成 参考例６において、４−ペンチルシクロヘキサノン−
２，２，６，６−ｄ4に代えて、上記（１３−ａ）で得
られる４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
シクロヘキサノン−２，２，６，６−ｄ4を用いる以外
は参考例６と同様にして、３，４−ジフルオロ−１−
［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル−２，２，６−ｄ3］ベンゼンを
得る。この化合物の相転移温度は第２表に示した。 （参考例１４） ３，４−ジフルオロ−１−［トランス
−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロ
ヘキシル−２，２，６−ｄ3］ベンゼンの合成 参考例１３において、４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキサノンに代えて、４−（トラ
ンス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキサノンを
用いる以外は参考例１３と同様にして、３，４−ジフル
オロ−１−［トランス−４−（トランス−４−ブチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル−２，２，６−ｄ3］ベ
ンゼンを得る。この化合物の相転移温度は第２表に示し
た。
【０３３９】（参考例１５） ３，４−ジフルオロ−１
−［２−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル−２，２，６，６−
ｄ4］エチル］ベンゼンの合成 （１５−ａ） ４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）シクロヘキサン−２，２，６，６−ｄ4エタナ
ールの合成 上記（１３−ａ）で得られる４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキサノン−２，２，６，
６−ｄ4から、参考例１０の前半と同様にして、４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
サン−２，２，６，６−ｄ4エタナールを得る。
【０３４０】（１５−ｂ） ３，４−ジフルオロ−１−
［２−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル−２，２，６，６−ｄ4］
エチル］ベンゼンの合成 １−ブロモ−３，４−ジフルオロベンゼンからグリニヤ
ール反応剤を調製し、これを上記（１５−ａ）で得られ
る４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シク
ロヘキサン−２，２，６，６−ｄ4エタナールと、参考
例６と同様に反応させて、３，４−ジフルオロ−１−
［２−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル−２，２，６，６−ｄ4］
エチル］ベンゼンを得る。この化合物の相転移温度は第
２表に示した。
【０３４１】（参考例１６） ３，４−ジフルオロ−１
−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル−３，３，５，５−ｄ4）シクロヘキシル］ベン
ゼンの合成
【０３４２】
【化２４５】
【０３４３】（１６−ａ） ４−［トランス−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサノン−２，２，６，６−ｄ4の合成 １−ブロモ−３，４−ジフルオロベンゼン及びマグネシ
ウムからＴＨＦ中で調製されるグリニャール反応剤に、
ビシクロヘキサン−４，４’−ジオンのモノエチレンア
セタールのＴＨＦ溶液を氷冷下で滴下する。室温で１時
間反応させた後、常法通りに後処理して、４−［４−ヒ
ドロキシ−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロ
ヘキシル］シクロヘキサノンエチレンアセタールの粗結
晶を得る。この粗結晶のトルエン溶液に少量の硫酸水素
カリウムを加え、水を除きながら１０時間還流する。水
を加え、反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液の溶媒
を溜去し、４−［４−（３，４−ジフルオロフェニル）
−３−シクロヘキセニル］シクロヘキサノンエチレンア
セタールの白色結晶を得る。この結晶のトルエン溶液に
トリエチルアミンと触媒量のパラジウム炭素を加え、オ
ートクレーブ中で水素圧５Ｋｇ／ｃｍ2で３時間反応さ
せる。触媒を濾別し濃縮した後、得られる粗生成物をエ
タノールから再結晶させて、４−［トランス−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサノンエチレンアセタールの白色結晶を得る。こ
のトルエン溶液に蟻酸を加えて室温で４時間攪拌する。
水を加え、有機層を分離し、炭酸水素ナトリウム水溶液
で洗滌し乾燥した後、溶媒を溜去しエタノールから再結
晶させて、４−［トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノンの白色結
晶を得る。これを参考例（１−ａ）と同様に重水素化し
て、４−［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン−２，２，６，
６−ｄ4の結晶を得る。
【０３４４】（１６−ｂ） ４−［トランス−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサン−２，２，６，６−ｄ4カルバルデヒドの合
成 上記（１６−ａ）で得られる４−［トランス−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサノン−２，２，６，６−ｄ4から、参考例（２
−ｂ）と同様にして４−［トランス−４−（３，４−ジ
フルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサン−
２，２，６，６−ｄ4カルバルデヒドを得る。 （１６−ｃ） ３，４−ジフルオロ−１−［トランス−
４−［トランス−４−（シス−１−プロペニル）シクロ
ヘキシル−３，３，５，５−ｄ4］シクロヘキシル］ベ
ンゼンの合成 上記（１６−ｂ）で得られる４−［トランス−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサン−２，２，６，６−ｄ4カルバルデヒドか
ら、参考例（２−ｃ）と同様にして、３，４−ジフルオ
ロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（シス−１
−プロペニル）シクロヘキシル−３，３，５，５−
ｄ4］シクロヘキシル］ベンゼンを得る。 （１６−ｄ） ３，４−ジフルオロ−１−［トランス−
４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル−３，
３，５，５−ｄ4）シクロヘキシル］ベンゼンの合成 上記（１６−ｃ）で得られる３，４−ジフルオロ−１−
［トランス−４−［トランス−４−（シス−１−プロペ
ニル）シクロヘキシル−３，３，５，５−ｄ4］シクロ
ヘキシル］ベンゼンを、参考例（２−ｄ）と同様に水素
添加して、３，４−ジフルオロ−１−［トランス−４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル−３，３，
５，５−ｄ4）シクロヘキシル］ベンゼンを得る。この
化合物の相転移温度は第２表に示した。
【０３４５】（参考例１７） ３，４−ジフルオロ−１
−［トランス−４−［トランス−４−（トランス−１−
プロペニル）シクロヘキシル−３，３，５，５−ｄ4］
シクロヘキシル］ベンゼンの合成 参考例（１６−ｃ）で得られる３，４−ジフルオロ−１
−［トランス−４−［トランス−４−（シス−１−プロ
ペニル）シクロヘキシル−３，３，５，５−ｄ 4］シク
ロヘキシル］ベンゼンを参考例１２と同様にして、側鎖
をトランス体に異性化して３，４−ジフルオロ−１−
［トランス−４−［トランス−４−（トランス−１−プ
ロペニル）シクロヘキシル−３，３，５，５−ｄ4］シ
クロヘキシル］ベンゼンを得る。この化合物の相転移温
度は第２表に示した。 （参考例１８） ３，４，５−トリフルオロ−１−［ト
ランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル−２，２，６−ｄ3］ベンゼンの合
成 参考例１３において、１−ブロモ−３，４−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、１−ブロモ−３，４，５−トリフル
オロベンゼンを用いる以外は参考例１３と同様にして、
３，４，５−トリフルオロ−１−［トランス−４−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル
−２，２，６−ｄ3］ベンゼンを得る。この化合物の相
転移温度は第２表に示した。 （参考例１９） ３，４，５−トリフルオロ−１−［ト
ランス−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル−２，２，６−ｄ3］ベンゼンの合成 参考例１４において、１−ブロモ−３，４−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、１−ブロモ−３，４，５−トリフル
オロベンゼンを用いる以外は参考例１４と同様にして、
３，４，５−トリフルオロ−１−［トランス−４−（ト
ランス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル−
２，２，６−ｄ3］ベンゼンを得る。この化合物の相転
移温度は第２表に示した。
【０３４６】（参考例２０） ３，４，５−トリフルオ
ロ−１−［２−［トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−２，２，６，６
−ｄ4］エチル］ベンゼンの合成 参考例１５において、１−ブロモ−３，４−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、１−ブロモ−３，４，５−トリフル
オロベンゼンを用いる以外は参考例１５と同様にして、
３，４，５−トリフルオロ−１−［２−［トランス−４
−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘ
キシル−２，２，６，６−ｄ4］エチル］ベンゼンを得
る。この化合物の相転移温度は第２表に示した。 （参考例２１） ４−トリフルオロメトキシ−１−［ト
ランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル−２，２，６−ｄ3］ベンゼンの合
成 参考例１３において、１−ブロモ−３，４−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、４−ブロモ−１−トリフルオロメト
キシベンゼンを用いる以外は参考例１３と同様にして、
４−トリフルオロメトキシ−１−［トランス−４−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル
−２，２，６−ｄ3］ベンゼンを得る。この化合物の相
転移温度は第２表に示した。 （参考例２２） ３−フルオロ−４−シアノ−１−［ト
ランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル−２，２，６−ｄ3］ベンゼンの合
成 参考例３において、４−プロピルシクロヘキサノン−
２，２，６，６−ｄ4に代えて、４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサノン−２，２，
６，６−ｄ4を用いる以外は参考例３と同様にして、３
−フルオロ−４−シアノ−１−［トランス−４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−
２，２，６−ｄ3］ベンゼンを得る。この化合物の相転
移温度は第２表に示した。
【０３４７】（参考例２３） ４−メチル−１−［トラ
ンス−４−［トランス−４−（トランス−１−プロペニ
ル）シクロヘキシル−３，３，５，５−ｄ4］シクロヘ
キシル］ベンゼンの合成 ビシクロヘキサン−４，４’−ジオンのモノエチレンア
セタールと４−ブロモアニソールから、参考例１６と同
様にして４−［トランス−４−（４−メチルフェニル）
シクロヘキシル］シクロヘキサノン−２，２，６，６−
ｄ4を得る。これを参考例１７と同様にして、４−メチ
ル−１−［トランス−４−［トランス−４−（トランス
−１−プロペニル）シクロヘキシル−３，３，５，５−
ｄ4］シクロヘキシル］ベンゼンの白色結晶を得る。こ
の化合物の相転移温度は第３表に示した。 （参考例２４） ４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル−２，２，６−ｄ3）−４’−エチルビフェニ
ルの合成
【０３４８】
【化２４６】
【０３４９】（２４−ａ） （トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼンの合成 ４−プロピルシクロヘキサノンに代えて、４−ペンチル
シクロヘキサノンを用いる以外は参考例（１−ａ）〜
（１−ｃ）と同様にして、（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼンを得る。 （２４−ｂ） １−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル−２，２，６−ｄ 3）−４−ヨードベンゼンの合
成 上記（２４−ａ）で得られる（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼン５７ｇ、
ヨウ素３７．５ｇ、過ヨウ素酸２水和物２８．２ｇを酢
酸２００ｍｌ、硫酸７ｍｌ、水４０ｍｌ及び１，２−ジ
クロロエタン２５ｍｌの混合溶媒に溶解し、１時間加熱
攪拌する。放冷後、２０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液
２００ｍｌを加え、しばらく攪拌した後、反応生成物を
ヘキサン５００ｍｌで抽出する。有機層を水洗し乾燥し
た後、溶媒を溜去し、エタノールから再結晶させて、１
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル−２，２，
６−ｄ3）−４−ヨードベンゼン５８ｇを得る。
【０３５０】（２４−ｃ） ４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ 3）−４’−エチ
ルビフェニルの合成 ４−ブロモエチルベンゼン１５ｇ及びマグネシウム２．
４ｇからＴＨＦ１００ｍｌ中でグリニヤール反応剤を調
製する。これに上記（２４−ｂ）で得る１−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）−
４−ヨードベンゼン１９．５ｇ及びテトラキス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム（０）１．２５ｇのＴＨ
Ｆ１００ｍｌ溶液を３０℃で滴下する。１時間攪拌した
後、１％塩酸を加え、反応生成物を酢酸エチルで抽出す
る。抽出液を水で洗滌した後、乾燥し、溶媒を溜去し
て、得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（ヘキサン）を用いて精製して、４−（ト
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ
3）−４’−エチルビフェニル１９．０ｇを得る。この
化合物の相転移温度は第３表に示した。 （参考例２５） ４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル−２，２，６−ｄ3）−３’，４’−ジフルオ
ロビフェニルの合成 参考例（２４−ｂ）において、（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼンに代え
て、（トランス−４−プロピルシクロヘキシル−２，
２，６−ｄ3）ベンゼンを用い、更に（２４−ｃ）にお
いて、４−ブロモエチルベンゼンに代えて、１−ブロモ
−３，４−ジフルオロベンゼンを用いる以外は参考例２
４と同様にして、４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル−２，２，６−ｄ3）−３’，４’−ジフルオ
ロビフェニルを得る。この化合物の相転移温度は第３表
に示した。
【０３５１】（参考例２６） ４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）−４’−シ
アノビフェニルの合成 参考例２５において、１−ブロモ−３，４−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、ブロモベンゼンを用いる以外は参考
例２５と同様にして、４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ビフェニルを得る。
これを参考例（１−ｄ）、（１−ｅ）と同様にシアノ化
して、４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル−
２，２，６−ｄ3）−４’−シアノビフェニルを得る。
この化合物の相転移温度は第３表に示した。 （参考例２７） ３，４−ジフルオロ−１−［４−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ
3）フェニル］エチニルベンゼンの合成
【０３５２】
【化２４７】
【０３５３】（２７−ａ） ４−［４−（トランス−４
−プロピルシクルヘキシル−２，２，６−ｄ3）フェニ
ル］−２−メチル−３−ブチン−２−オールの合成 参考例２５で得られる１−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル−２，２，６−ｄ3）−４−ヨードベンゼ
ン１４．４ｇと２−メチル−３−ブチン−２−オール
５．１ｇを、トリエチルアミン４０ｍｌに溶解する。ヨ
ウ化銅（Ｉ）０．１５ｇとジクロロ−ビス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）０．２ｇを加え、室
温で１時間攪拌する。水１００ｍｌを加え、反応生成物
を酢酸エチル１００ｍｌで抽出し、有機層を水、飽和食
塩水で順次洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶
媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
（トルエン／酢酸エチル＝４／１）を用いて精製して、
４−［４−（トランス−４−プロピルシクルヘキシル−
２，２，６−ｄ3）フェニル］−２−メチル−３−ブチ
ン−２−オール１２．２ｇを得る。 （２７−ｂ） １−エチニル−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼンの
合成 水素化ナトリウム２．０ｇをトルエン３０ｍｌに懸濁
し、上記（２７−ａ）で得られる４−［４−（トランス
−４−プロピルシクルヘキシル−２，２，６−ｄ 3）フ
ェニル］−２−メチル−３−ブチン−２−オール全量の
トルエン７０ｍｌ溶液を、室温で３０分間で滴下する。
更に１時間加熱還流させた後、室温まで放冷する。これ
を水１００ｍｌに加え、有機層を分離した後、水、飽和
食塩水で順次洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。
溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（ヘキサン）を用いて精製して、１−エチニル−４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル−２，２，６
−ｄ3）ベンゼン８．８ｇを得る。
【０３５４】（２７−ｃ） ３，４−ジフルオロ−１−
［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル−２，
２，６−ｄ3）フェニル］エチニルベンゼンの合成 １−エチニル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル−２，２，６−ｄ3）ベンゼン３．５ｇと１−ブ
ロモ−３，４−ジフルオロベンゼン３．０ｇをトリエチ
ルアミン１２ｍｌ及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）３０ｍｌに溶解する。ヨウ化銅（Ｉ）０．０
６ｇとジクロロ−ビス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（ＩＩ）０．０６ｇを加え、室温で３０分間攪拌
し、更に３時間加熱還流させる。室温まで冷却し、水１
００ｍｌを加え、反応生成物をトルエン１００ｍｌで抽
出する。有機層を水、飽和食塩水で順次洗滌し、無水硫
酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を留去した後、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）を用いて精製
し、更にエタノールから再結晶させて、３，４−ジフル
オロ−１−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル−２，２，６−ｄ 3）フェニル］エチニルベンゼン
３．８ｇを得る。この化合物の相転移温度は第３表に示
した。 （参考例２８） ４−ブチル−１−［４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）フェ
ニル］エチニルベンゼンの合成 参考例（２７−ｃ）において、１−ブロモ−３，４−ジ
フルオロベンゼンに代えて、４−ブロモ−１−エチルベ
ンゼンを用いる以外は参考例２７と同様にして、４−ブ
チル−１−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル−２，２，６−ｄ3）フェニル］エチニルベンゼン
を得る。この化合物の相転移温度は第３表に示した。
【０３５５】（参考例２９） ４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−４’−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ3）ビフェニルの
合成 （２９−ａ） １−ブロモ−４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）ベンゼンの合成 トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベンゼン１１．
１ｇをジクロロメタン３０ｍｌに溶解し、鉄粉０．１ｇ
及びヨウ素０．０５ｇを加える。これにジクロロメタン
２０ｍｌに溶解した臭素７．７ｇを０℃以下で滴下す
る。−１０℃で６時間攪拌した後、室温に戻す。水、次
いで亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加え、反応生成物を
ヘキサンで抽出する。抽出液を炭酸水素ナトリウム水溶
液、水、飽和食塩水で洗滌し、乾燥する。溶媒を溜去し
た後、得られた粗結晶をエタノールから再結晶させて、
１−ブロモ−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゼン４．８ｇを得る。 （２９−ｂ） ４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル−２，２，６−ｄ3）ビフェニルの合成 上記（２９−ａ）で得られる１−ブロモ−４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼン２．４ｇか
ら、参考例（２４−ｃ）と同様にしてグリニヤール反応
剤を調製する。これを、参考例２５で得られる１−（ト
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル−２，２，６−ｄ
3）−４−ヨードベンゼン２．２ｇと（２４−ｃ）と同
様に反応させて、４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル−２，２，６−ｄ3）ビフェニル２．６ｇを得
る。この化合物の相転移温度は第３表に示した。
【０３５６】（参考例３０） ２−フルオロ−４−（ト
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４’−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル−２，２，６−
ｄ3）ビフェニルの合成 市販の２−フルオロ−４−ブロモビフェニルからグリニ
ヤール反応剤を調製し、これを−４−ペンチルシクロヘ
キサノンと、参考例（１−ｂ）、（１−ｃ）と同様に反
応させて、２−フルオロ−４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）ビフェニルを得る。これを参考例
（２９−ａ）と同様に臭素化し、２−フルオロ−４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４’−ブ
ロモビフェニルを得る。これからグリニヤール反応剤を
調製し、参考例４と同様に４−ペンチルシクロヘキサノ
ン−２，２，６，６−ｄ4と反応させて、２−フルオロ
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−
４’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル−２，
２，６−ｄ3）ビフェニルを得る。この化合物の相転移
温度は第３表に示した。 （実施例１）
【０３５７】
【化２４８】
【０３５８】からなる混合液晶（Ｂ）の特性は以下の通
りである。 ＴN-I点 ： １１０ ℃ しきい値電圧 ： １．８１ Ｖ Δε ： ７．０ Δｎ ： ０．０８７ 応答速度 ： ２８ msec この混合液晶（Ｂ）を１０℃で保存すると、１カ月経過
後も結晶の析出が認められない。 （実施例２）
【０３５９】
【化２４９】 からなる混合液晶（Ｂ）’の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １０８ ℃ しきい値電圧 ： １．７４ Ｖ Δε ： ７．２ Δｎ ： ０．０８６ 応答速度 ： ２４ msec この混合液晶（Ｂ）’を１０℃で保存すると、１カ月経
過後も結晶の析出が認められない。 （比較例１）
【０３６０】
【化２５０】 からなる混合液晶（ａ−１）の特性は以下の通りであ
る。 ＴN-I点 ： １１７ ℃ ＴC-N点 ： １１ ℃ しきい値電圧 ： ２．１４ Ｖ Δε ： ４．８ Δｎ ： ０．０９０ 応答速度 ： ２５ msec この混合液晶（ａ−１）を１０℃で保存すると、３日後
には結晶の析出が認められる。 （比較例２）
【０３６１】
【化２５１】 からなる混合液晶（ｂ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １１１ ℃ しきい値電圧 ： １．８３ Ｖ Δε ： ７．０ Δｎ ： ０．０８７ 応答速度 ： ３０ msec この混合液晶（ｂ）を１０℃で保存すると、３日後には
結晶の析出が認められる。 （実施例３）
【０３６２】
【化２５２】 からなる混合液晶（Ｃ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １１６ ℃ しきい値電圧 ： ２．１０ Ｖ Δε ： ５．２ Δｎ ： ０．０８６ 応答速度 ： ２５ msec この混合液晶（Ｃ）を０℃で保存すると、１カ月経過後
も結晶の析出が認められない。 （比較例３）
【０３６３】
【化２５３】 からなる混合液晶（ｃ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １１６ ℃ しきい値電圧 ： ２．１５ Ｖ Δε ： ５．１ Δｎ ： ０．０８６ 応答速度 ： ２８ msec この混合液晶（ｃ）を０℃で保存すると、４日後には結
晶の析出が認められる。 （実施例４）
【０３６４】
【化２５４】 からなる混合液晶（Ｄ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １０９ ℃ しきい値電圧 ： １．８３ Ｖ Δε ： ６．２ Δｎ ： ０．０８５ 応答速度 ： ２９ msec この混合液晶（Ｄ）を０℃で保存すると、１カ月経過後
も結晶の析出が認められない。 （比較例４）
【０３６５】
【化２５５】 からなる混合液晶（ｄ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １１０ ℃ しきい値電圧 ： １．８６ Ｖ Δε ： ６．２ Δｎ ： ０．０８５ 応答速度 ： ３２ msec この混合液晶（ｄ）を０℃で保存すると、３日後には結
晶の析出が認められる。 （実施例５）
【０３６６】
【化２５６】 からなる混合液晶（Ｅ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ９４ ℃ しきい値電圧 ： １．６６ Ｖ Δε ： ６．２ Δｎ ： ０．０８２ 応答速度 ： ３１ msec この混合液晶（Ｅ）を１０℃で保存すると、１カ月経過
後も結晶の析出は認められない。 （実施例６）
【０３６７】
【化２５７】 からなる混合液晶（Ｅ）’の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ９５ ℃ しきい値電圧 ： １．６９ Ｖ Δε ： ６．１ Δｎ ： ０．０８２ 応答速度 ： ３３ msec この混合液晶（Ｅ）’を５℃で保存すると、１カ月経過
後も結晶の析出は認められない。 （比較例５）
【０３６８】
【化２５８】 からなる混合液晶（ｅ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ９５ ℃ しきい値電圧 ： １．７４ Ｖ Δε ： ６．１ Δｎ ： ０．０８２ 応答速度 ： ３５ msec この混合液晶（ｅ）を１０℃で保存すると、３日後には
結晶の析出が認められる。 （実施例７）
【０３６９】
【化２５９】 からなる混合液晶（Ｆ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １０３ ℃ しきい値電圧 ： １．７０ Ｖ Δε ： ６．１ Δｎ ： ０．０８７ 応答速度 ： ２３ msec この混合液晶（Ｆ）を１０℃で保存すると、１カ月経過
後も結晶の析出は認められない。 （比較例６）
【０３７０】
【化２６０】 からなる混合液晶（ｆ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １０４ ℃ しきい値電圧 ： １．７９ Ｖ Δε ： ６．０ Δｎ ： ０．０８７ 応答速度 ： ２７ msec この混合液晶（ｆ）を１０℃で保存すると、１０日後に
は結晶の析出が認められる。 （実施例８）
【０３７１】
【化２６１】 からなる混合液晶（Ｇ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １２５ ℃ しきい値電圧 ： ２．１８ Ｖ Δε ： ５．４ Δｎ ： ０．０８９ 応答速度 ： ２１ msec この混合液晶（Ｇ）を０℃で保存すると、１カ月経過後
も結晶の析出は認められない。 （比較例７）
【０３７２】
【化２６２】 からなる混合液晶（ｇ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １２５ ℃ しきい値電圧 ： ２．２０ Ｖ Δε ： ５．３ Δｎ ： ０．０８９ 応答速度 ： ２４ msec この混合液晶（ｇ）を０℃で保存すると、３日後には結
晶の析出が認められる。 （実施例９）
【０３７３】
【化２６３】 からなる混合液晶（Ｈ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １２１ ℃ しきい値電圧 ： ２．２３ Ｖ Δε ： ５．１ Δｎ ： ０．０８８ 応答速度 ： ２５ msec この混合液晶（Ｈ）を−１０℃で保存すると、１カ月経
過後も結晶の析出は認められない。 （比較例８）
【０３７４】
【化２６４】 からなる混合液晶（ｈ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １２１ ℃ しきい値電圧 ： ２．２９ Ｖ Δε ： ５．０ Δｎ ： ０．０８９ 応答速度 ： ２７ msec この混合液晶（ｈ）を−１０℃で保存すると、４日後に
は結晶の析出が認められる。 （実施例１０）
【０３７５】
【化２６５】 からなる混合液晶（Ｉ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １２０ ℃ しきい値電圧 ： ２．１０ Ｖ Δε ： ４．８ Δｎ ： ０．０９０ 応答速度 ： １７ msec この混合液晶（Ｉ）を０℃で保存すると、１カ月経過後
も結晶の析出は認められない。 （比較例９）
【０３７６】
【化２６６】 からなる混合液晶（ｉ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １２１ ℃ しきい値電圧 ： ２．２１ Ｖ Δε ： ４．７ Δｎ ： ０．０９１ 応答速度 ： ２０ msec この混合液晶（ｉ）を０℃で保存すると、３日後には結
晶の析出が認められる。 （実施例１１）
【０３７７】
【化２６７】 からなる混合液晶（Ｊ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １１５ ℃ しきい値電圧 ： １．９８ Ｖ Δε ： ５．２ Δｎ ： ０．０８８ 応答速度 ： １９ msec この混合液晶（Ｊ）を０℃で保存すると、１カ月経過後
も結晶の析出は認められない。 （比較例１０）
【０３７８】
【化２６８】 からなる混合液晶（ｊ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １１５ ℃ しきい値電圧 ： ２．０７ Ｖ Δε ： ５．０ Δｎ ： ０．０８８ 応答速度 ： ２３ msec この混合液晶（ｊ）を０℃で保存すると、２日後には結
晶の析出が認められる。 （実施例１２）
【０３７９】
【化２６９】 からなる混合液晶（Ｋ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ９８ ℃ しきい値電圧 ： １．６５ Ｖ Δε ： ６．６ Δｎ ： ０．０８０ 応答速度 ： ３３ msec この混合液晶（Ｋ）を−１０℃で保存すると、１カ月経
過後も結晶の析出は認められない。 （比較例１１）
【０３８０】
【化２７０】 からなる混合液晶（ｋ１）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ９２ ℃ しきい値電圧 ： １．６０ Ｖ Δε ： ６．８ Δｎ ： ０．０８０ 応答速度 ： ３８ msec この混合液晶（ｋ１）を−１０℃で保存すると、５日後
には結晶の析出が認められる。 （比較例１２）
【０３８１】
【化２７１】 からなる混合液晶（ｋ２）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ９８ ℃ しきい値電圧 ： １．６８ Ｖ Δε ： ６．５ Δｎ ： ０．０８０ 応答速度 ： ３５ msec この混合液晶（ｋ２）を−１０℃で保存すると、９日後
には結晶の析出が認められる。 （実施例１３）
【０３８２】
【化２７２】 からなる混合液晶（Ｌ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ９３ ℃ しきい値電圧 ： １．５０ Ｖ Δε ： ７．３ Δｎ ： ０．０７９ 応答速度 ： ３５ msec この混合液晶（Ｌ）を−１０℃で保存すると、１カ月経
過後も結晶の析出は認められない。 （比較例１３）
【０３８３】
【化２７３】 からなる混合液晶（ｌ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ９４ ℃ しきい値電圧 ： １．５４ Ｖ Δε ： ７．２ Δｎ ： ０．０８０ 応答速度 ： ３８ msec この混合液晶（ｌ）を−１０℃で保存すると、７日後に
は結晶の析出が認められる。 （実施例１４）
【０３８４】
【化２７４】
【０３８５】
【化２７５】
【０３８６】
【化２７６】
【０３８７】からなる混合液晶（Ｍ）の特性は以下の通
りである。 ＴN-I点 ： １１２ ℃ ＴC-N点 ： −７０ ℃ しきい値電圧 ： １．９ Ｖ Δε ： ５．５ Δｎ ： ０．０８６ 応答速度 ： ２４ msec 電圧保持率 ： ９９％（／１００℃） この混合液晶（Ｍ）を用いて作製されるＴＦＴ駆動の液
晶表示装置は、低温領域においても良好な駆動特性を示
す。また、この混合液晶（Ｍ）を−５５℃で保存する
と、３カ月経過後も結晶の析出が認められない。 （実施例１５）
【０３８８】
【化２７７】
【０３８９】
【化２７８】
【０３９０】
【化２７９】
【０３９１】
【化２８０】
【０３９２】
【化２８１】
【０３９３】からなる混合液晶（Ｎ）の特性は以下の通
りである。 ＴN-I点 ： ８６ ℃ ＴC-N点 ： −３０ ℃ しきい値電圧 ： １．１０ Ｖ Δε ： ９．２ Δｎ ： ０．０８０ 応答速度 ： ３３ msec 電圧保持率 ： ９８．５％（／１００℃） この混合液晶（Ｎ）を用いて作製されるセル厚４．５μ
ｍのＴＦＴ駆動の液晶表示装置は、低温領域においても
良好な駆動特性を示す。また、この混合液晶（Ｎ）を−
２５℃で保存しても、３カ月経過後も結晶が析出が認め
られない。 （比較例１４）
【０３９４】
【化２８２】 からなる混合液晶（ｎ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ８７ ℃ しきい値電圧 ： １．１５ Ｖ Δε ： ９．１ Δｎ ： ０．０８０ 応答速度 ： ３８ msec この混合液晶（ｎ）を０℃で保存すると、１日後には結
晶の析出が認められる。尚、測定にはセル厚４．５μｍ
の液晶セルを使用した。 （実施例１６）
【０３９５】
【化２８３】 からなる混合液晶（Ｐ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ８４ ℃ しきい値電圧 ： １．５９ Ｖ Δε ： ９．９ Δｎ ： ０．０９９ Ｋ33／Ｋ11 ： ２．４ この混合液晶（Ｐ）を０℃で保存すると、１４日後に結
晶の析出が認められる。 （実施例１７）
【０３９６】
【化２８４】 からなる混合液晶（Ｐ）’の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ８４ ℃ しきい値電圧 ： １．５８ Ｖ Δε ： ９．９ Δｎ ： ０．０９９ Ｋ33／Ｋ11 ： ２．４ この混合液晶（Ｐ）’を０℃で保存すると、１カ月経過
後も結晶の析出が認められない。 （比較例１５）
【０３９７】
【化２８５】 からなる混合液晶（ｏ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １３９ ℃ しきい値電圧 ： ２．１１ Ｖ Δε ： ６．０ Δｎ ： ０．０７８ Ｋ33／Ｋ11 ： ２．５ この混合液晶（ｏ）を１０℃で保存すると、１日後には
結晶の析出が認められる。 （比較例１６）
【０３９８】
【化２８６】 からなる混合液晶（ｐ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ８４ ℃ しきい値電圧 ： １．６０ Ｖ Δε ： ９．９ Δｎ ： ０．０９９ Ｋ33／Ｋ11 ： ２．３ この混合液晶（ｐ）を０℃で保存すると、１日後には結
晶の析出が認められる。 （実施例１８）
【０３９９】
【化２８７】 からなる混合液晶（Ｑ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ８２ ℃ しきい値電圧 ： １．３８ Ｖ Δε ： １２．５ Δｎ ： ０．０９８ Ｋ33／Ｋ11 ： ２．３ この混合液晶（Ｑ）を０℃で保存すると、１カ月経過後
も結晶が認められない。 （比較例１７）
【０４００】
【化２８８】 からなる混合液晶（ｑ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ８２ ℃ しきい値電圧 ： １．４０ Ｖ Δε ： １２．５ Δｎ ： ０．０９９ Ｋ33／Ｋ11 ： ２．２ この混合液晶（ｑ）を０℃で保存すると、１日後には結
晶の析出が認められる。 （実施例１９）
【０４０１】
【化２８９】
【０４０２】
【化２９０】 からなる混合液晶（Ｓ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １０１ ℃ しきい値電圧 ： １．２３ Ｖ Δε ： ２３ Δｎ ： ０．１４５ Ｋ33／Ｋ11 ： ３．７ この混合液晶（Ｓ）を−１０℃で保存すると、１カ月経
過後も結晶の析出は認められない。 （比較例１８）
【０４０３】
【化２９１】 からなる混合液晶（ｒ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １９１ ℃ しきい値電圧 ： １．１７ Ｖ Δε ： ３６ Δｎ ： ０．１７６ Ｋ33／Ｋ11 ： ４．６ この混合液晶（ｒ）を室温（２０℃）で保存すると、１
日後には結晶の析出が認められる。 （比較例１９）
【０４０４】
【化２９２】 からなる混合液晶（ｓ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １０２ ℃ しきい値電圧 ： １．２９ Ｖ Δε ： ２２ Δｎ ： ０．１４６ Ｋ33／Ｋ11 ： ３．６ この混合液晶（ｓ）を−１０℃で保存すると、３日後に
は結晶の析出が認められる。 （実施例２０）
【０４０５】
【化２９３】
【０４０６】
【化２９４】
【０４０７】からなる混合液晶（Ｔ）の特性は以下の通
りである。 ＴN-I点 ： ８２ ℃ しきい値電圧 ： １．１０ Ｖ Δε ： １７ Δｎ ： ０．１１６ Ｋ33／Ｋ11 ： ２．５ この混合液晶（Ｔ）を用いて作製されるツイスト角２６
０゜のＳＴＮ液晶表示装置は、低温領域においても良好
な駆動特性を示す。また、この混合液晶（Ｔ）を−４０
℃で保存しても、１カ月経過後も結晶は認められない。 （比較例２０）
【０４０８】
【化２９５】 からなる混合液晶（ｔ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： ８３ ℃ しきい値電圧 ： １．１２ Ｖ Δε ： １７ Δｎ ： ０．１１６ Ｋ33／Ｋ11 ： ２．５ この混合液晶（ｔ）を−２５℃で保存すると、５日後に
は結晶の析出が認められる。 （実施例２１）
【０４０９】
【化２９６】 からなる混合液晶（Ｕ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １３２ ℃ しきい値電圧 ： ２．６２ Ｖ Δε ： ３．９ Δｎ ： ０．０９２ 応答速度 ： ３１ msec この混合液晶（Ｕ）を１０℃で保存すると、１カ月経過
後も結晶の析出は認められない。 （比較例２１）
【０４１０】
【化２９７】 からなる混合液晶（ｕ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １３３ ℃ しきい値電圧 ： ２．７０ Ｖ Δε ： ３．７ Δｎ ： ０．０９２ 応答速度 ： ３８ msec この混合液晶（ｕ）を１０℃で保存すると、３日後には
結晶の析出が認められる。 （実施例２２）
【０４１１】
【化２９８】 からなる混合液晶（Ｖ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １２７ ℃ しきい値電圧 ： ２．７１ Ｖ Δε ： ３．８ Δｎ ： ０．１０９ 応答速度 ： ３７ msec この混合液晶（Ｖ）を１０℃で保存すると、１カ月経過
後も結晶の析出は認められない。 （比較例２２）
【０４１２】
【化２９９】 からなる混合液晶（ｖ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １２７ ℃ しきい値電圧 ： ２．７３ Ｖ Δε ： ３．８ Δｎ ： ０．１０９ 応答速度 ： ４０ msec この混合液晶（ｖ）を１０℃で保存すると、５日後には
結晶の析出が認められる。 （実施例２３）
【０４１３】
【化３００】
【０４１４】からなる混合液晶（Ｗ）の特性は以下の通
りである。 ＴN-I点 ： １２８ ℃ しきい値電圧 ： ２．５６ Ｖ Δε ： ４．０ Δｎ ： ０．０９６ 応答速度 ： ３２ msec この混合液晶（Ｗ）を１０℃で保存すると、１カ月経過
後も結晶の析出は認められない。 （比較例２３）
【０４１５】
【化３０１】 からなる混合液晶（ｗ）の特性は以下の通りである。 ＴN-I点 ： １３０ ℃ しきい値電圧 ： ２．６４ Ｖ Δε ： ３．８ Δｎ ： ０．０９５ 応答速度 ： ３７ msec この混合液晶（ｗ）を１０℃で保存すると、３日後には
結晶の析出が認められる。
【０４１６】
【発明の効果】本発明の液晶組成物は、重水素原子
（Ｄ）を少なくとも１つ有する飽和炭化水素環を有する
液晶化合物を含有するものであり、参考例にも示したよ
うにこの化合物は市販の入手容易な化合物から工業的に
も容易に製造することができる。また、この化合物を含
有する本発明の液晶組成物は、実施例にも示したよう
に、従来公知の液晶化合物を含有する組成物に比べて、
低温領域において結晶が析出しないという顕著な効果を
有し、しかも比較的しきい値電圧が低く、応答速度も速
いという今までにない画期的な液晶組成物である。従っ
て、本発明の液晶組成物を用いた液晶表示装置は、従来
液晶表示装置を使用することができなかった低温領域に
おいても良好な駆動特性を示す。従って、本発明の液晶
組成物は、極低温領域での使用が要求されているアクテ
ィブマトリクス駆動液晶表示装置や、ＳＴＮ液晶表示装
置の構成材料として極めて有用である。

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 １個又は２個以上の水素原子（Ｈ）が重
    水素原子（Ｄ）により置換された飽和炭化水素環を部分
    構造として有する液晶化合物を含有する液晶組成物。
  2. 【請求項２】 重水素原子（Ｄ）により置換された飽和
    炭化水素環が、シクロヘキサン環であることを特徴とす
    る請求項１記載の液晶組成物。
  3. 【請求項３】 重水素原子（Ｄ）を有する液晶化合物の
    １分子中に、重水素原子（Ｄ）により置換されたシクロ
    ヘキサン環を１個又は２個有することを特徴とする請求
    項２記載の液晶組成物。
  4. 【請求項４】 重水素原子（Ｄ）を有する液晶化合物の
    １分子中に、環式構造を２〜４個有することを特徴とす
    る請求項３記載の液晶組成物。
  5. 【請求項５】 液晶組成物全体の誘電率異方性（Δε）
    が＋３〜＋１２の範囲にあり、アクティブ・マトリクス
    駆動液晶表示装置に用いられることを特徴とする請求項
    ４記載の液晶組成物。
  6. 【請求項６】 重水素原子（Ｄ）を有し且つ誘電率異方
    性（Δε）が＋８以上である液晶化合物を含有し、ＴＮ
    又はＳＴＮ液晶表示装置に用いられることを特徴とする
    請求項４記載の液晶組成物。
  7. 【請求項７】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｚ1は炭素原子数１〜２０の直鎖状アルキル基
    を表わし、Ｘ1〜Ｘ3はそれぞれ独立的に水素原子（Ｈ）
    又は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重
    水素原子（Ｄ）を表わし、Ｙ1は水素原子又はフッ素原
    子を表わす。）で表わされる化合物を含有することを特
    徴とする請求項５又は６記載の液晶組成物。
  8. 【請求項８】 一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｚ2は炭素原子数１〜２０の直鎖状アルキル基
    を表わし、Ｘ4〜Ｘ7はそれぞれ独立的に水素原子（Ｈ）
    又は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重
    水素原子（Ｄ）を表わし、Ｙ2は水素原子又はフッ素原
    子を表わす。）で表わされる化合物を含有することを特
    徴とする請求項５又は６記載の液晶組成物。
  9. 【請求項９】 一般式（ＩＩＩ） 【化３】 （式中、Ｚ3は炭素原子数１〜２０のアルキル基又はア
    ルケニル基を表わし、Ｘ8〜Ｘ11はそれぞれ独立的に水
    素原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なく
    とも１つは重水素原子（Ｄ）を表わす。）で表わされる
    化合物を含有することを特徴とする請求項５又は６記載
    の液晶組成物。
  10. 【請求項１０】 一般式（ＩＶ） 【化４】 （式中、Ｚ4は炭素原子数１〜２０の直鎖状アルキル基
    を表わし、Ｘ12〜Ｘ14はそれぞれ独立的に、水素原子
    （Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わす。）で表わされる
    化合物を含有することを特徴とする請求項５又は６記載
    の液晶組成物。
  11. 【請求項１１】 一般式（Ｖ） 【化５】 （式中、Ｚ5は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表わ
    し、Ｘ15〜Ｘ18はそれぞれ独立的に、水素原子（Ｈ）又
    は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重水
    素原子（Ｄ）を表わす。）で表わされる化合物を含有す
    ることを特徴とする請求項５又は６記載の液晶組成物。
  12. 【請求項１２】 一般式（ＶＩ） 【化６】 （式中、Ｚ6は炭素原子数１〜２０の直鎖状アルキル基
    又はアルケニル基を表わし、Ｘ19〜Ｘ22はそれぞれ独立
    的に、水素原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わす
    が、少なくとも１つは重水素原子（Ｄ）を表わす。）で
    表わされる化合物を含有することを特徴とする請求項５
    又は６記載の液晶組成物。
  13. 【請求項１３】 一般式（ＶＩＩ） 【化７】 （式中、Ｚ7は炭素原子数１〜２０のアルキル基又はア
    ルケニル基を表わし、Ｚ8は炭素原子数１〜２０のアル
    キル基を表わし、Ｘ23〜Ｘ26はそれぞれ独立的に、水素
    原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくと
    も１つは重水素原子（Ｄ）を表わす。）で表わされる化
    合物を含有することを特徴とする請求項５又は６記載の
    液晶組成物。
  14. 【請求項１４】 一般式（ＶＩＩＩ） 【化８】 （式中、Ｚ9は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表わ
    し、Ｚ10は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表わし、
    Ｘ27〜Ｘ29はそれぞれ独立的に、水素原子（Ｈ）又は重
    水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重水素原
    子（Ｄ）を表わす。）で表わされる化合物を含有するこ
    とを特徴とする請求項５又は６記載の液晶組成物。
  15. 【請求項１５】 一般式（ＩＸ） 【化９】 （式中、Ｚ11は炭素原子数１〜２０のアルキル基又はＺ
    12−Ｏ−（ＣＨ2）n−を表わし、Ｚ12は炭素原子数１〜
    １０のアルキル基を表わし、ｎは２〜７の整数を表わ
    し、Ｘ30〜Ｘ32はそれぞれ独立的に、水素原子（Ｈ）又
    は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重水
    素原子（Ｄ）を表わす。）で表わされる化合物を含有す
    ることを特徴とする請求項５又は６記載の液晶組成物。
  16. 【請求項１６】 一般式（Ｘ） 【化１０】 （式中、Ｚ13は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表わ
    し、Ｘ33〜Ｘ36はそれぞれ独立的に水素原子（Ｈ）又は
    重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重水素
    原子（Ｄ）を表わす。）で表わされる化合物を含有する
    ことを特徴とする請求項５又は６記載の液晶組成物。
  17. 【請求項１７】 一般式（ＸＩ） 【化１１】 （式中、Ｚ14は炭素原子数２〜１８のアルケニル基を表
    わし、Ｘ37〜Ｘ40はそれぞれ独立的に水素原子（Ｈ）又
    は重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重水
    素原子（Ｄ）を表わす。）で表わされる化合物を含有す
    ることを特徴とする請求項５又は６記載の液晶組成物。
  18. 【請求項１８】 一般式（ＸＩＩ） 【化１２】 （式中、Ｚ15は炭素原子数１〜１５のアルキル基を表わ
    し、Ｘ41〜Ｘ43はそれぞれ独立的に水素原子（Ｈ）又は
    重水素原子（Ｄ）を表わすが、少なくとも１つは重水素
    原子（Ｄ）を表わす。）で表わされる化合物を含有する
    ことを特徴とする請求項５又は６記載の液晶組成物。
  19. 【請求項１９】 請求項１記載の液晶組成物を用いた液
    晶表示装置。
  20. 【請求項２０】 請求項５記載の液晶組成物を用いたア
    クティブ・マトリクス駆動方式の請求項１９の液晶表示
    装置。
  21. 【請求項２１】 請求項６記載の液晶組成物を用いたＴ
    Ｎ又はＳＴＮ表示方式の請求項１９の液晶表示装置。
JP5182734A 1993-07-23 1993-07-23 液晶組成物及び液晶表示装置 Expired - Fee Related JP2605249B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5182734A JP2605249B2 (ja) 1993-07-23 1993-07-23 液晶組成物及び液晶表示装置
US08/278,260 US5474707A (en) 1993-07-23 1994-07-21 Cyclic hydrocarbon derivative and liquid crystal composition containing the same
EP94111448A EP0637623B1 (en) 1993-07-23 1994-07-22 Cyclic hydrocarbon derivative and liquid crystal composition containing the same
DE69428486T DE69428486T2 (de) 1993-07-23 1994-07-22 Zyclisches Kohlenwasserstoffderivat sowie eine dieses enthaltende Flüssigkristallzusammensetzung
KR1019940017832A KR100294287B1 (ko) 1993-07-23 1994-07-23 사이클릭탄화수소유도체및이를함유하는액정조성물
US08/429,485 US5536443A (en) 1993-07-23 1995-04-25 Cyclic hydrocarbon derivative and liquid crystal composition containing the same
HK98110280A HK1009604A1 (en) 1993-07-23 1998-08-28 Cyclic hydrocarbon derivative and liquid crystal composition containing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5182734A JP2605249B2 (ja) 1993-07-23 1993-07-23 液晶組成物及び液晶表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0734066A true JPH0734066A (ja) 1995-02-03
JP2605249B2 JP2605249B2 (ja) 1997-04-30

Family

ID=16123509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5182734A Expired - Fee Related JP2605249B2 (ja) 1993-07-23 1993-07-23 液晶組成物及び液晶表示装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US5474707A (ja)
EP (1) EP0637623B1 (ja)
JP (1) JP2605249B2 (ja)
KR (1) KR100294287B1 (ja)
DE (1) DE69428486T2 (ja)
HK (1) HK1009604A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5854666A (en) * 1996-11-28 1998-12-29 Nec Corporation Liquid crystal display device having particular twist angle, .increment.n d, .increment.ε, and threshold voltage
JP2001042793A (ja) * 1999-07-27 2001-02-16 Dainippon Ink & Chem Inc ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置
KR20070099287A (ko) * 2006-04-04 2007-10-09 삼성전자주식회사 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR101077606B1 (ko) * 2003-08-01 2011-10-27 삼성전자주식회사 높은 이방성 전이 온도 및 빠른 응답 속도를 갖는 ｖａ용액정 화합물, 이를 포함하는 액정 조성물 및 이를 채용한ｖａ 액정 디스플레이
CN103224798A (zh) * 2013-04-16 2013-07-31 西安彩晶光电科技股份有限公司 一种具有宽向列相低折光的液晶组合物
CN115785970A (zh) * 2022-11-24 2023-03-14 Tcl华星光电技术有限公司 液晶组合物和液晶显示面板

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0735015A3 (en) * 1995-03-31 1997-06-11 Chisso Corp Deuterium-containing liquid crystalline compound and liquid crystalline composition containing this compound
KR100710150B1 (ko) * 2000-12-30 2007-04-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 장치
EP1626079B1 (en) * 2004-08-10 2008-04-02 MERCK PATENT GmbH Polymerisable mesogenic cyclohexylphenyl derivatives
CN107501041A (zh) * 2008-01-16 2017-12-22 晶美晟光电材料（南京）有限公司 高介电常数的液晶
CN103242858B (zh) * 2013-04-16 2014-10-29 西安彩晶光电科技股份有限公司 一种具有低阈值快响应速度的液晶组合物
CN103194242A (zh) * 2013-04-16 2013-07-10 石家庄诚志永华显示材料有限公司 含有氘的液晶化合物及其制备方法与应用
CN103772138A (zh) * 2014-01-21 2014-05-07 石家庄诚志永华显示材料有限公司 含有氘取代的液晶单体

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1531405A (en) * 1976-08-14 1978-11-08 Merck Patent Gmbh Liquid crystalline cyclohexane derivatives
US4181625A (en) * 1977-01-22 1980-01-01 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung Liquid crystalline cyclohexylcyclohexanes
US4330426A (en) * 1979-07-06 1982-05-18 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Cyclohexylbiphenyls, their preparation and use in dielectrics and electrooptical display elements
EP0062470A1 (en) * 1981-04-02 1982-10-13 Chisso Corporation Liquid crystal benzene derivatives
US4374748A (en) * 1980-09-04 1983-02-22 Chisso Corporation 4'-(β-Alkyloxyethoxy)-4-cyanobiphenyl
US4405488A (en) * 1980-10-09 1983-09-20 Chisso Corporation Liquid-crystalline halogenobenzene derivatives
US4472293A (en) * 1982-07-16 1984-09-18 Chisso Corporation High temperature liquid crystal substances of four rings and liquid crystal compositions containing the same
EP0119756A1 (en) * 1983-02-18 1984-09-26 Chisso Corporation Fluorobenzene derivatives and liquid crystal compositions containing the same
EP0205998A1 (en) * 1985-06-10 1986-12-30 Chisso Corporation Cyclohexane derivative and liquid crystal composition containing same
US4724097A (en) * 1983-05-14 1988-02-09 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Bicyclohexylethanes
EP0387032A1 (en) * 1989-03-07 1990-09-12 Chisso Corporation Trifluorobenzene derivatives and liquid crystal compositions containing the same
US5013478A (en) * 1983-03-16 1991-05-07 Hoffmann-La Roche Inc. Liquid crystals
US5122295A (en) * 1988-10-20 1992-06-16 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Matrix liquid crystal display
US5308538A (en) * 1990-12-07 1994-05-03 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Supertwist liquid-crystal display
US5324449A (en) * 1987-09-25 1994-06-28 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Substituted phenyl trifluoromethyl ethers
US5368772A (en) * 1990-04-13 1994-11-29 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Liquid-crystalline medium
US5480581A (en) * 1990-08-03 1996-01-02 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Liquid-crystalline medium
US5487845A (en) * 1989-09-06 1996-01-30 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Fluorobenzene derivatives and liquid-crystalline medium

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1531405A (en) * 1976-08-14 1978-11-08 Merck Patent Gmbh Liquid crystalline cyclohexane derivatives
US4181625A (en) * 1977-01-22 1980-01-01 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung Liquid crystalline cyclohexylcyclohexanes
US4330426A (en) * 1979-07-06 1982-05-18 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Cyclohexylbiphenyls, their preparation and use in dielectrics and electrooptical display elements
US4374748A (en) * 1980-09-04 1983-02-22 Chisso Corporation 4'-(β-Alkyloxyethoxy)-4-cyanobiphenyl
US4405488A (en) * 1980-10-09 1983-09-20 Chisso Corporation Liquid-crystalline halogenobenzene derivatives
EP0062470A1 (en) * 1981-04-02 1982-10-13 Chisso Corporation Liquid crystal benzene derivatives
US4472293A (en) * 1982-07-16 1984-09-18 Chisso Corporation High temperature liquid crystal substances of four rings and liquid crystal compositions containing the same
EP0119756A1 (en) * 1983-02-18 1984-09-26 Chisso Corporation Fluorobenzene derivatives and liquid crystal compositions containing the same
US5013478A (en) * 1983-03-16 1991-05-07 Hoffmann-La Roche Inc. Liquid crystals
US4724097A (en) * 1983-05-14 1988-02-09 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Bicyclohexylethanes
EP0205998A1 (en) * 1985-06-10 1986-12-30 Chisso Corporation Cyclohexane derivative and liquid crystal composition containing same
US5324449A (en) * 1987-09-25 1994-06-28 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Substituted phenyl trifluoromethyl ethers
US5122295A (en) * 1988-10-20 1992-06-16 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Matrix liquid crystal display
EP0387032A1 (en) * 1989-03-07 1990-09-12 Chisso Corporation Trifluorobenzene derivatives and liquid crystal compositions containing the same
US5487845A (en) * 1989-09-06 1996-01-30 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Fluorobenzene derivatives and liquid-crystalline medium
US5368772A (en) * 1990-04-13 1994-11-29 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Liquid-crystalline medium
US5480581A (en) * 1990-08-03 1996-01-02 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Liquid-crystalline medium
US5308538A (en) * 1990-12-07 1994-05-03 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Supertwist liquid-crystal display

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5854666A (en) * 1996-11-28 1998-12-29 Nec Corporation Liquid crystal display device having particular twist angle, .increment.n d, .increment.ε, and threshold voltage
JP2001042793A (ja) * 1999-07-27 2001-02-16 Dainippon Ink & Chem Inc ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置
KR101077606B1 (ko) * 2003-08-01 2011-10-27 삼성전자주식회사 높은 이방성 전이 온도 및 빠른 응답 속도를 갖는 ｖａ용액정 화합물, 이를 포함하는 액정 조성물 및 이를 채용한ｖａ 액정 디스플레이
KR20070099287A (ko) * 2006-04-04 2007-10-09 삼성전자주식회사 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
CN103224798A (zh) * 2013-04-16 2013-07-31 西安彩晶光电科技股份有限公司 一种具有宽向列相低折光的液晶组合物
CN103224798B (zh) * 2013-04-16 2014-09-10 西安彩晶光电科技股份有限公司 一种具有宽向列相低折光的液晶组合物
CN115785970A (zh) * 2022-11-24 2023-03-14 Tcl华星光电技术有限公司 液晶组合物和液晶显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
HK1009604A1 (en) 1999-06-04
EP0637623B1 (en) 2001-10-04
DE69428486T2 (de) 2002-05-08
US5536443A (en) 1996-07-16
DE69428486D1 (de) 2001-11-08
KR100294287B1 (ko) 2001-10-24
US5474707A (en) 1995-12-12
KR950003418A (ko) 1995-02-16
EP0637623A1 (en) 1995-02-08
JP2605249B2 (ja) 1997-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100333020B1 (ko) 액정화합물,이러한화합물을함유하는액정조성물및이러한조성물을사용하여제조된액정표시소자
JP2605249B2 (ja) 液晶組成物及び液晶表示装置
EP0733692B1 (en) Liquid crystalline compound, liquid crystal composition containing the same, and display device
JP4193005B2 (ja) 新規アルケニルビフェニル誘導体
JP3783247B2 (ja) １，２−ジシクロヘキシルプロパン誘導体
JP3487356B2 (ja) シクロヘキサン誘導体
JP3783248B2 (ja) ４−（２−シクロヘキシル）プロピル−ｐ−テルフェニル誘導体
JPH06313170A (ja) フェニルビシクロヘキサン誘導体
JP2605249C (ja)
JP3452144B2 (ja) フルオロシクロヘキサン誘導体
JPH07278548A (ja) シクロヘキシルビフェニル誘導体
JPH07216356A (ja) フェニルシクロヘキサン誘導体及びその中間体
JPH0710784A (ja) フェニルシクロヘキサン誘導体
JP4239242B2 (ja) フェニルナフタレン誘導体
JP3531182B2 (ja) ジフルオロアルキルシクロヘキサン誘導体
JPH08113779A (ja) （４−シクロヘキシルエチル）ベンゼン誘導体
JP3613806B2 (ja) フェニルビシクロヘキサン誘導体
JPH0873854A (ja) ４−（２−シクロヘキシルエチル）シクロヘキシルベンゼン誘導体
JPH08157396A (ja) （２−シクロヘキシル）プロピルベンゼン誘導体
JPH07165625A (ja) フェニルシクロヘキサン誘導体
JPH07138567A (ja) フェニルビシクロヘキサン誘導体
JPH07286178A (ja) ４−（２−フェニルエチル）ビシクロヘキサン誘導体
JPH0812972A (ja) フェニルビシクロヘキサン誘導体
JP5397710B2 (ja) 新規アルケニルビフェニル誘導体
JPH07258639A (ja) フェニルビシクロヘキサン誘導体

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213

Year of fee payment: 14

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees