JPH0734066A - 液晶組成物及び液晶表示装置 - Google Patents
液晶組成物及び液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH0734066A JPH0734066A JP5182734A JP18273493A JPH0734066A JP H0734066 A JPH0734066 A JP H0734066A JP 5182734 A JP5182734 A JP 5182734A JP 18273493 A JP18273493 A JP 18273493A JP H0734066 A JPH0734066 A JP H0734066A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- liquid crystal
- compound
- production example
- chemical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 362
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 574
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 50
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 12
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 150000001975 deuterium Chemical group 0.000 claims description 66
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 44
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 39
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 38
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 7
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical group [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 91
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 abstract description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical group C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 633
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 288
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 151
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 70
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 69
- -1 4-ethoxyphenyl Chemical group 0.000 description 68
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 51
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 44
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 40
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 37
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 37
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 36
- ANRQGKOBLBYXFM-UHFFFAOYSA-M phenylmagnesium bromide Chemical compound Br[Mg]C1=CC=CC=C1 ANRQGKOBLBYXFM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 35
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 30
- FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N thionyl chloride Chemical compound ClS(Cl)=O FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 28
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 28
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000003747 Grignard reaction Methods 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 20
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical compound CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 16
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 16
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- DGLFSNZWRYADFC-UHFFFAOYSA-N chembl2334586 Chemical compound C1CCC2=CN=C(N)N=C2C2=C1NC1=CC=C(C#CC(C)(O)C)C=C12 DGLFSNZWRYADFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 15
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 14
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 14
- 150000008424 iodobenzenes Chemical class 0.000 description 14
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 14
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 13
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 13
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 12
- SEAOBYFQWJFORM-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-(trifluoromethoxy)benzene Chemical compound FC(F)(F)OC1=CC=C(Br)C=C1 SEAOBYFQWJFORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 11
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 11
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 11
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 10
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- YMQPKONILWWJQG-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,2-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC=C(Br)C=C1F YMQPKONILWWJQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- NBZANZVJRKXVBH-GYDPHNCVSA-N alpha-Cryptoxanthin Natural products O[C@H]1CC(C)(C)C(/C=C/C(=C\C=C\C(=C/C=C/C=C(\C=C\C=C(/C=C/[C@H]2C(C)=CCCC2(C)C)\C)/C)\C)/C)=C(C)C1 NBZANZVJRKXVBH-GYDPHNCVSA-N 0.000 description 9
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 9
- 125000002243 cyclohexanonyl group Chemical class *C1(*)C(=O)C(*)(*)C(*)(*)C(*)(*)C1(*)* 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 9
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 9
- IOHPVZBSOKLVMN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylethyl)benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1CCC1=CC=CC=C1 IOHPVZBSOKLVMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CDOQKISJPOWBKC-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-1,3-difluoro-2-methoxybenzene Chemical compound COC1=C(F)C=C(Br)C=C1F CDOQKISJPOWBKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- CZFYCERNFMOPFN-UHFFFAOYSA-N [I].OI(=O)(=O)=O Chemical compound [I].OI(=O)(=O)=O CZFYCERNFMOPFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007333 cyanation reaction Methods 0.000 description 8
- BRKADVNLTRCLOW-UHFFFAOYSA-M magnesium;fluorobenzene;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].FC1=CC=[C-]C=C1 BRKADVNLTRCLOW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- RBWRWAUAVRMBAC-UHFFFAOYSA-M magnesium;methoxybenzene;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].COC1=CC=[C-]C=C1 RBWRWAUAVRMBAC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UCCUXODGPMAHRL-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-iodobenzene Chemical compound BrC1=CC=C(I)C=C1 UCCUXODGPMAHRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UKRYEFFTFFRSPY-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-2-(trifluoromethoxy)benzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1OC(F)(F)F UKRYEFFTFFRSPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- NQEDLIZOPMNZMC-UHFFFAOYSA-N 4-propylcyclohexan-1-one Chemical compound CCCC1CCC(=O)CC1 NQEDLIZOPMNZMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- SWELJVAWQMCJLG-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-2-chloro-1,3-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC(Br)=CC(F)=C1Cl SWELJVAWQMCJLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- JRKLRIAIMIKGHT-UHFFFAOYSA-N 8-bromoquinoline-4-carbaldehyde Chemical compound C1=CN=C2C(Br)=CC=CC2=C1C=O JRKLRIAIMIKGHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QDFKKJYEIFBEFC-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-fluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC(Br)=C1 QDFKKJYEIFBEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NHDODQWIKUYWMW-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Br)C=C1 NHDODQWIKUYWMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DWNXGZBXFDNKOR-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-2-fluoro-1-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(Br)C=C1F DWNXGZBXFDNKOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N Heavy water Chemical compound [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007239 Wittig reaction Methods 0.000 description 6
- ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N [methyl(oxido){1-[6-(trifluoromethyl)pyridin-3-yl]ethyl}-lambda(6)-sulfanylidene]cyanamide Chemical compound N#CN=S(C)(=O)C(C)C1=CC=C(C(F)(F)F)N=C1 ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- SAVQQRYWWAGSQW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-(trifluoro-$l^{4}-sulfanyl)methanamine Chemical compound CN(C)S(F)(F)F SAVQQRYWWAGSQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 6
- VKRKCBWIVLSRBJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxaspiro[4.5]decan-8-one Chemical compound C1CC(=O)CCC21OCCO2 VKRKCBWIVLSRBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JHLKSIOJYMGSMB-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3,5-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC(F)=CC(Br)=C1 JHLKSIOJYMGSMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- AGYWDGVTLKNTBS-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1-chloro-2-fluorobenzene Chemical compound FC1=CC(Br)=CC=C1Cl AGYWDGVTLKNTBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UKLNPJDLSPMJMQ-UHFFFAOYSA-N 4-pentylcyclohexan-1-one Chemical compound CCCCCC1CCC(=O)CC1 UKLNPJDLSPMJMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 5
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 5
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 5
- DCZFGQYXRKMVFG-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-dione Chemical compound O=C1CCC(=O)CC1 DCZFGQYXRKMVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 5
- 230000000802 nitrating effect Effects 0.000 description 5
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- URFPRAHGGBYNPW-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=C(Br)C=C1 URFPRAHGGBYNPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(C#N)=C(C#N)C1=O HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WDRJNKMAZMEYOF-UHFFFAOYSA-N 4-(trifluoromethoxy)phenol Chemical compound OC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 WDRJNKMAZMEYOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N Sodium methoxide Chemical compound [Na+].[O-]C WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ADSXDBCZNVXTRD-UHFFFAOYSA-N [Mg]C1=CC=CC=C1 Chemical compound [Mg]C1=CC=CC=C1 ADSXDBCZNVXTRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- SNHMUERNLJLMHN-UHFFFAOYSA-N iodobenzene Chemical compound IC1=CC=CC=C1 SNHMUERNLJLMHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006317 isomerization reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N monofluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1 PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTSLXHKWHWQRSH-UHFFFAOYSA-N oxalyl chloride Chemical compound ClC(=O)C(Cl)=O CTSLXHKWHWQRSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NHKJPPKXDNZFBJ-UHFFFAOYSA-N phenyllithium Chemical class [Li]C1=CC=CC=C1 NHKJPPKXDNZFBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 4
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 4
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 4
- GQHWSLKNULCZGI-UHFFFAOYSA-N trifluoromethoxybenzene Chemical compound FC(F)(F)OC1=CC=CC=C1 GQHWSLKNULCZGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UEMGWPRHOOEKTA-UHFFFAOYSA-N 1,3-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC(F)=C1 UEMGWPRHOOEKTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CKKOVFGIBXCEIJ-UHFFFAOYSA-N 2,6-difluorophenol Chemical compound OC1=C(F)C=CC=C1F CKKOVFGIBXCEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UTFSPWRTXCDUIJ-UHFFFAOYSA-N 3-fluoro-4-(trifluoromethoxy)phenol Chemical compound OC1=CC=C(OC(F)(F)F)C(F)=C1 UTFSPWRTXCDUIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AKCZQKBKWXBJOF-UHFFFAOYSA-N 4-(4-propylcyclohexyl)cyclohexan-1-one Chemical compound C1CC(CCC)CCC1C1CCC(=O)CC1 AKCZQKBKWXBJOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KYGXQIJIJIWLGF-UHFFFAOYSA-N 4-(difluoromethoxy)-3-fluorophenol Chemical compound OC1=CC=C(OC(F)F)C(F)=C1 KYGXQIJIJIWLGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BNHAYQSUBZKWAG-UHFFFAOYSA-N 4-(difluoromethoxy)phenol Chemical compound OC1=CC=C(OC(F)F)C=C1 BNHAYQSUBZKWAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KCBWAFJCKVKYHO-UHFFFAOYSA-N 6-(4-cyclopropyl-6-methoxypyrimidin-5-yl)-1-[[4-[1-propan-2-yl-4-(trifluoromethyl)imidazol-2-yl]phenyl]methyl]pyrazolo[3,4-d]pyrimidine Chemical compound C1(CC1)C1=NC=NC(=C1C1=NC=C2C(=N1)N(N=C2)CC1=CC=C(C=C1)C=1N(C=C(N=1)C(F)(F)F)C(C)C)OC KCBWAFJCKVKYHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N Dimethyl sulfide Chemical compound CSC QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 3
- 238000006705 deacetalization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000006197 hydroboration reaction Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 3
- UKVIEHSSVKSQBA-UHFFFAOYSA-N methane;palladium Chemical compound C.[Pd] UKVIEHSSVKSQBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SJFNDMHZXCUXSA-UHFFFAOYSA-M methoxymethyl(triphenyl)phosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(COC)C1=CC=CC=C1 SJFNDMHZXCUXSA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N (e)-4-(6-aminopurin-9-yl)but-2-en-1-ol Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2C\C=C\CO DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- MOWXJLUYGFNTAL-DEOSSOPVSA-N (s)-[2-chloro-4-fluoro-5-(7-morpholin-4-ylquinazolin-4-yl)phenyl]-(6-methoxypyridazin-3-yl)methanol Chemical compound N1=NC(OC)=CC=C1[C@@H](O)C1=CC(C=2C3=CC=C(C=C3N=CN=2)N2CCOCC2)=C(F)C=C1Cl MOWXJLUYGFNTAL-DEOSSOPVSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-RUKOHJPDSA-N 1,1,3,3-tetradeuteriocyclohexane Chemical compound [2H]C1([2H])CCCC([2H])([2H])C1 XDTMQSROBMDMFD-RUKOHJPDSA-N 0.000 description 2
- UKVSXBCHYOLQPB-RNQUUERDSA-N 1,3,3-trideuterio-2-phenyl-5-propylcyclohexene Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=C(CC(CC1([2H])[2H])CCC)[2H] UKVSXBCHYOLQPB-RNQUUERDSA-N 0.000 description 2
- GZGPRZYZKBQPBQ-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxaspiro[4.5]decane Chemical compound O1CCOC11CCCCC1 GZGPRZYZKBQPBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNXSLMDVLZECHU-UHFFFAOYSA-N 1-(difluoromethoxy)-2-fluorobenzene Chemical compound FC(F)OC1=CC=CC=C1F WNXSLMDVLZECHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQEDLIZOPMNZMC-KXGHAPEVSA-N 2,2,6,6-tetradeuterio-4-propylcyclohexan-1-one Chemical compound [2H]C1([2H])CC(CCC)CC([2H])([2H])C1=O NQEDLIZOPMNZMC-KXGHAPEVSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-CQOLUAMGSA-N 2,2,6,6-tetradeuteriocyclohexan-1-one Chemical compound [2H]C1([2H])CCCC([2H])([2H])C1=O JHIVVAPYMSGYDF-CQOLUAMGSA-N 0.000 description 2
- KEIYYIGMDPTAPL-UHFFFAOYSA-N 2,6-difluoro-4-hydroxybenzonitrile Chemical compound OC1=CC(F)=C(C#N)C(F)=C1 KEIYYIGMDPTAPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODUZJBKKYBQIBX-UHFFFAOYSA-N 2,6-difluoroaniline Chemical compound NC1=C(F)C=CC=C1F ODUZJBKKYBQIBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XRSVSKDINJLXEK-UHFFFAOYSA-N 2-(4-ethoxyphenyl)-5-propylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1CC(CCC)CCC1C1=CC=C(OCC)C=C1 XRSVSKDINJLXEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUEGXTQCXQHKOM-UHFFFAOYSA-N 2-(difluoromethoxy)-1,3-difluorobenzene Chemical compound FC(F)OC1=C(F)C=CC=C1F WUEGXTQCXQHKOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UXJMXERXJQAWSP-UHFFFAOYSA-N 2-pentylcyclohexan-1-one Chemical compound CCCCCC1CCCCC1=O UXJMXERXJQAWSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRTWIJKGTUGZJY-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trifluorophenol Chemical group OC1=CC(F)=C(F)C(F)=C1 ZRTWIJKGTUGZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NDCPAIUBKAIJTK-UHFFFAOYSA-N 3-fluoro-4-(trifluoromethoxy)aniline Chemical compound NC1=CC=C(OC(F)(F)F)C(F)=C1 NDCPAIUBKAIJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUJFOSLZQITUOI-UHFFFAOYSA-N 4-(trifluoromethoxy)aniline Chemical compound NC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 XUJFOSLZQITUOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QJPJQTDYNZXKQF-UHFFFAOYSA-N 4-bromoanisole Chemical compound COC1=CC=C(Br)C=C1 QJPJQTDYNZXKQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEBQPSQPCDHCKT-UHFFFAOYSA-N 4-chloro-3,5-difluorophenol Chemical compound OC1=CC(F)=C(Cl)C(F)=C1 OEBQPSQPCDHCKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKAYMASDSHFOGI-UHFFFAOYSA-N 4-phenylcyclohexan-1-one Chemical compound C1CC(=O)CCC1C1=CC=CC=C1 YKAYMASDSHFOGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HKJCELUUIFFSIN-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-1,2,3-trifluorobenzene Chemical compound FC1=CC(Br)=CC(F)=C1F HKJCELUUIFFSIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N Benzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=C1 KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AKCZQKBKWXBJOF-LAQOCWJLSA-N C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1CC(C(C(C1)([2H])[2H])=O)([2H])[2H] Chemical compound C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1CC(C(C(C1)([2H])[2H])=O)([2H])[2H] AKCZQKBKWXBJOF-LAQOCWJLSA-N 0.000 description 2
- QYGWJCMCLQAINT-XWHCYAROSA-N C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC([C@H](C(C1)([2H])[2H])CCCC)([2H])[2H] Chemical compound C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC([C@H](C(C1)([2H])[2H])CCCC)([2H])[2H] QYGWJCMCLQAINT-XWHCYAROSA-N 0.000 description 2
- PJBOOKMLDPERRS-CQIZRSKDSA-N C(CCCC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])CCC)([2H])[2H] Chemical group C(CCCC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])CCC)([2H])[2H] PJBOOKMLDPERRS-CQIZRSKDSA-N 0.000 description 2
- GMUPOLFWZIYWQO-CNNLGHGTSA-N FC=1C=C(C=CC=1C#N)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])[C@@H]1CC[C@H](CC1)CCC)([2H])[2H] Chemical compound FC=1C=C(C=CC=1C#N)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])[C@@H]1CC[C@H](CC1)CCC)([2H])[2H] GMUPOLFWZIYWQO-CNNLGHGTSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DWAQJAXMDSEUJJ-UHFFFAOYSA-M Sodium bisulfite Chemical compound [Na+].OS([O-])=O DWAQJAXMDSEUJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WETWJCDKMRHUPV-UHFFFAOYSA-N acetyl chloride Chemical compound CC(Cl)=O WETWJCDKMRHUPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012346 acetyl chloride Substances 0.000 description 2
- 230000000397 acetylating effect Effects 0.000 description 2
- YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N as-o-xylenol Natural products CC1=CC=C(O)C=C1C YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical class [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 2
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 2
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 2
- DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N ethanethiol Chemical compound CCS DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- GFTXWCQFWLOXAT-UHFFFAOYSA-M magnesium;cyclohexane;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].C1CC[CH-]CC1 GFTXWCQFWLOXAT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 2
- JNMIXMFEVJHFNY-UHFFFAOYSA-M methyl(triphenyl)phosphanium;iodide Chemical compound [I-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C)C1=CC=CC=C1 JNMIXMFEVJHFNY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M potassium bisulfate Chemical compound [K+].OS([O-])(=O)=O CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910000343 potassium bisulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- DEDZSLCZHWTGOR-UHFFFAOYSA-N propylcyclohexane Chemical compound CCCC1CCCCC1 DEDZSLCZHWTGOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 229940079827 sodium hydrogen sulfite Drugs 0.000 description 2
- 235000010267 sodium hydrogen sulphite Nutrition 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- CSRZQMIRAZTJOY-UHFFFAOYSA-N trimethylsilyl iodide Chemical compound C[Si](C)(C)I CSRZQMIRAZTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphane oxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- PWGUTKLGUISGAE-RNQUUERDSA-N (2,2,6-trideuterio-4-propylcyclohexyl)benzene Chemical compound C(CC)C1CC(C(C(C1)[2H])C1=CC=CC=C1)([2H])[2H] PWGUTKLGUISGAE-RNQUUERDSA-N 0.000 description 1
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- IGARGHRYKHJQSM-NZLXMSDQSA-N (3,3,5,5-tetradeuteriocyclohexyl)benzene Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1CC(CC(C1)([2H])[2H])([2H])[2H] IGARGHRYKHJQSM-NZLXMSDQSA-N 0.000 description 1
- DEDZSLCZHWTGOR-CQOLUAMGSA-N 1,1,3,3-tetradeuterio-5-propylcyclohexane Chemical compound [2H]C1([2H])CC(CCC)CC([2H])([2H])C1 DEDZSLCZHWTGOR-CQOLUAMGSA-N 0.000 description 1
- AJKNNUJQFALRIK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trifluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC(F)=C1F AJKNNUJQFALRIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMRDUZYEQXQJEW-CXJRGFTHSA-N 1,2-difluoro-4-[(1S,4S)-2,2,6-trideuterio-4-pentylcyclohexyl]benzene Chemical compound FC1=C(C=C(C=C1)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])CCCCC)([2H])[2H])F ZMRDUZYEQXQJEW-CXJRGFTHSA-N 0.000 description 1
- PEOWZOPAGXRWRE-MUWRVYDXSA-N 1,2-difluoro-4-[2-[4-[(1S,4S)-2,2,6-trideuterio-4-propylcyclohexyl]phenyl]ethynyl]benzene Chemical compound FC=1C=C(C=CC=1F)C#CC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])CCC)([2H])[2H] PEOWZOPAGXRWRE-MUWRVYDXSA-N 0.000 description 1
- GOYDNIKZWGIXJT-UHFFFAOYSA-N 1,2-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1F GOYDNIKZWGIXJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGCIXCUEYOPUTN-NZALAYQPSA-N 1,3,3-trideuteriocyclohexene Chemical compound [2H]C1=CC([2H])([2H])CCC1 HGCIXCUEYOPUTN-NZALAYQPSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEVSGDZNKPSEGL-UHFFFAOYSA-N 1-(3,4-difluorophenyl)-4-(1,4-dioxaspiro[4.5]decan-8-yl)cyclohexan-1-ol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=C(F)C(F)=CC=2)CCC1C(CC1)CCC21OCCO2 VEVSGDZNKPSEGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUYWOVXWSWXETF-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-3,5-difluorobenzene Chemical class FC1=CC(F)=CC(C=2C=CC(Br)=CC=2)=C1 GUYWOVXWSWXETF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKYROPHAJBWGMB-MTODCKRISA-N 1-[(1S,4S)-2,2,6-trideuterio-4-pentylcyclohexyl]-4-(trifluoromethoxy)benzene Chemical compound FC(OC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])CCCCC)([2H])[2H])(F)F QKYROPHAJBWGMB-MTODCKRISA-N 0.000 description 1
- OXBRRUNAAVNTOZ-GWHQZBGESA-N 1-[(1S,4S)-2-deuterio-4-propylcyclohexyl]-4-ethoxybenzene Chemical compound C(CC)[C@@H]1CC([C@H](CC1)C1=CC=C(C=C1)OCC)[2H] OXBRRUNAAVNTOZ-GWHQZBGESA-N 0.000 description 1
- ABDDQTDRAHXHOC-QMMMGPOBSA-N 1-[(7s)-5,7-dihydro-4h-thieno[2,3-c]pyran-7-yl]-n-methylmethanamine Chemical compound CNC[C@@H]1OCCC2=C1SC=C2 ABDDQTDRAHXHOC-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- XANVIFOBBVAKCY-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-fluoro-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(Br)C(F)=C1 XANVIFOBBVAKCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYFQOLAWGXSJST-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-(3-fluorophenyl)benzene Chemical group FC1=CC=CC(C=2C=CC(Br)=CC=2)=C1 ZYFQOLAWGXSJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFGPSHWWPIFPNL-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-(4-fluorophenyl)benzene Chemical class C1=CC(F)=CC=C1C1=CC=C(Br)C=C1 XFGPSHWWPIFPNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUWHOIKFJBTGHZ-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-(4-pentylcyclohexyl)benzene Chemical compound C1CC(CCCCC)CCC1C1=CC=C(Br)C=C1 QUWHOIKFJBTGHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDMHNTFDAVQHEE-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-(4-propylcyclohexyl)cyclohexane Chemical compound C1CC(CCC)CCC1C1CCC(Br)CC1 JDMHNTFDAVQHEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORIYZUFTROJBQJ-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-(difluoromethoxy)benzene Chemical compound FC(F)OC1=CC=C(Br)C=C1 ORIYZUFTROJBQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOJDIXJKGSONDR-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]benzene Chemical group C1=CC(OC(F)(F)F)=CC=C1C1=CC=C(Br)C=C1 SOJDIXJKGSONDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVUYYXUATWMVIT-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-ethoxybenzene Chemical compound CCOC1=CC=C(Br)C=C1 WVUYYXUATWMVIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AITNMTXHTIIIBB-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-fluorobenzene Chemical compound FC1=CC=C(Br)C=C1 AITNMTXHTIIIBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBTMRBYMKUEVEU-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(Br)C=C1 ZBTMRBYMKUEVEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKJBWOWQJHHAHG-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-phenylbenzene Chemical group C1=CC(Br)=CC=C1C1=CC=CC=C1 PKJBWOWQJHHAHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZCKOVSBURQMDH-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-propylcyclohexane Chemical compound CCCC1CCC(Br)CC1 KZCKOVSBURQMDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYNYIHKIEHGYOZ-UHFFFAOYSA-N 1-bromopropane Chemical compound CCCBr CYNYIHKIEHGYOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFKBODCWHNDUTJ-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3,5-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC(F)=CC(Cl)=C1 RFKBODCWHNDUTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZHJIJZEOCBKRA-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-fluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC(Cl)=C1 VZHJIJZEOCBKRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMFPGIKXCOAZHX-UQBWLURTSA-N 1-deuterio-4-(4-ethoxyphenyl)cyclohexane-1-carbaldehyde Chemical compound C(C)OC1=CC=C(C=C1)C1CCC(CC1)(C=O)[2H] WMFPGIKXCOAZHX-UQBWLURTSA-N 0.000 description 1
- ROJYWCQJNXZKDT-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-4-(4-propylcyclohexen-1-yl)benzene Chemical compound C1C(CCC)CCC(C=2C=CC(OCC)=CC=2)=C1 ROJYWCQJNXZKDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXBRRUNAAVNTOZ-QKUYDJDVSA-N 1-ethoxy-4-[(1S,4S)-1,3,3-trideuterio-4-propylcyclohexyl]benzene Chemical compound C(CC)[C@@H]1C(C[C@@](CC1)([2H])C1=CC=C(C=C1)OCC)([2H])[2H] OXBRRUNAAVNTOZ-QKUYDJDVSA-N 0.000 description 1
- OXBRRUNAAVNTOZ-YGRREAHVSA-N 1-ethoxy-4-[(1S,4S)-2,2,4,6-tetradeuterio-4-propylcyclohexyl]benzene Chemical compound C(CC)[C@@]1(CC([C@H](C(C1)[2H])C1=CC=C(C=C1)OCC)([2H])[2H])[2H] OXBRRUNAAVNTOZ-YGRREAHVSA-N 0.000 description 1
- OXBRRUNAAVNTOZ-MTODCKRISA-N 1-ethoxy-4-[(1S,4S)-2,2,6-trideuterio-4-propylcyclohexyl]benzene Chemical compound C(CC)[C@@H]1CC([C@H](C(C1)[2H])C1=CC=C(C=C1)OCC)([2H])[2H] OXBRRUNAAVNTOZ-MTODCKRISA-N 0.000 description 1
- OXBRRUNAAVNTOZ-HKNUHQCLSA-N 1-ethoxy-4-[(1S,4S)-3,3,5-trideuterio-4-propylcyclohexyl]benzene Chemical compound C(CC)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])C1=CC=C(C=C1)OCC)([2H])[2H] OXBRRUNAAVNTOZ-HKNUHQCLSA-N 0.000 description 1
- JOLGXBQYTARJLD-NRKSCVPNSA-N 1-ethyl-4-[4-[(1S,4S)-2,2,6-trideuterio-4-pentylcyclohexyl]phenyl]benzene Chemical group C(CCCC)[C@@H]1CC([C@H](C(C1)[2H])C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)CC)([2H])[2H] JOLGXBQYTARJLD-NRKSCVPNSA-N 0.000 description 1
- JIXDOBAQOWOUPA-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-2-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=CC=C1F JIXDOBAQOWOUPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JULMJGDXANEQDP-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-4-(trifluoromethoxy)benzene Chemical compound FC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 JULMJGDXANEQDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCIVJVKSOMDCMN-MTODCKRISA-N 1-fluoro-4-[(1S,4S)-2,2,6-trideuterio-4-pentylcyclohexyl]benzene Chemical compound FC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])CCCCC)([2H])[2H] VCIVJVKSOMDCMN-MTODCKRISA-N 0.000 description 1
- YZEXUPSVZPXFON-DSMUIFTDSA-N 1-methoxy-4-[(1S,4S)-2,2,6-trideuterio-4-pentylcyclohexyl]benzene Chemical compound COC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])CCCCC)([2H])[2H] YZEXUPSVZPXFON-DSMUIFTDSA-N 0.000 description 1
- DLSADTCGLUEMFD-GRGWROPPSA-N 1-methyl-4-[(1S,4S)-2,2,6-trideuterio-4-pentylcyclohexyl]benzene Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])CCCCC)([2H])[2H] DLSADTCGLUEMFD-GRGWROPPSA-N 0.000 description 1
- SUHKOMYOHMIZHD-DQKGMDAKSA-N 1-phenyl-4-[(1S,4S)-2,2,6-trideuterio-4-propylcyclohexyl]benzene Chemical group C(CC)[C@@H]1CC([C@H](C(C1)[2H])C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=C1)([2H])[2H] SUHKOMYOHMIZHD-DQKGMDAKSA-N 0.000 description 1
- VBGMDGDDOADTCY-OSEHSPPNSA-N 2,2,6,6-tetradeuterio-4-(4-ethoxyphenyl)cyclohexan-1-one Chemical compound C1C([2H])([2H])C(=O)C([2H])([2H])CC1C1=CC=C(OCC)C=C1 VBGMDGDDOADTCY-OSEHSPPNSA-N 0.000 description 1
- WMFPGIKXCOAZHX-KHORGVISSA-N 2,2,6,6-tetradeuterio-4-(4-ethoxyphenyl)cyclohexane-1-carbaldehyde Chemical compound C1C([2H])([2H])C(C=O)C([2H])([2H])CC1C1=CC=C(OCC)C=C1 WMFPGIKXCOAZHX-KHORGVISSA-N 0.000 description 1
- UKLNPJDLSPMJMQ-LZMSFWOYSA-N 2,2,6,6-tetradeuterio-4-pentylcyclohexan-1-one Chemical compound [2H]C1([2H])CC(CCCCC)CC([2H])([2H])C1=O UKLNPJDLSPMJMQ-LZMSFWOYSA-N 0.000 description 1
- YKAYMASDSHFOGI-LZMSFWOYSA-N 2,2,6,6-tetradeuterio-4-phenylcyclohexan-1-one Chemical compound C1C([2H])([2H])C(=O)C([2H])([2H])CC1C1=CC=CC=C1 YKAYMASDSHFOGI-LZMSFWOYSA-N 0.000 description 1
- GPWNWKWQOLEVEQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminopyrimidine-5-carbaldehyde Chemical compound NC1=NC=C(C=O)C(N)=N1 GPWNWKWQOLEVEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDFFWUVELIFAOP-UHFFFAOYSA-N 2,6-difluoro-4-nitroaniline Chemical compound NC1=C(F)C=C([N+]([O-])=O)C=C1F WDFFWUVELIFAOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVNTURWWDZNXTK-UHFFFAOYSA-N 2-(difluoromethoxy)phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1OC(F)F PVNTURWWDZNXTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTZQYBFTOANOJO-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-1,3-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC(F)=C1Cl OTZQYBFTOANOJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJMDTERTPNYIGZ-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexylacetaldehyde Chemical class O=CCC1CCCCC1 JJMDTERTPNYIGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REIVHYDACHXPNH-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-4-hydroxybenzonitrile Chemical compound OC1=CC=C(C#N)C(F)=C1 REIVHYDACHXPNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPRUTERQSYYYFE-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-4-phenylmethoxyphenol Chemical compound C1=C(F)C(O)=CC=C1OCC1=CC=CC=C1 OPRUTERQSYYYFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAIHLXPPVKYYMW-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylbut-3-yn-2-ol Chemical compound C#CC(O)(C)CC1=CC=CC=C1 MAIHLXPPVKYYMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-3-yn-2-ol Chemical compound CC(C)(O)C#C CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJLPZCBZSCVCO-UHFFFAOYSA-N 2-propylcyclohexan-1-one Chemical compound CCCC1CCCCC1=O OCJLPZCBZSCVCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBGMDGDDOADTCY-MPRALRHZSA-N 3,3,5-trideuterio-4-(4-ethoxyphenyl)cyclohexan-1-one Chemical compound [2H]C1CC(=O)CC([2H])([2H])C1C1=CC=C(OCC)C=C1 VBGMDGDDOADTCY-MPRALRHZSA-N 0.000 description 1
- SZRDJHHKIJHJHQ-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trifluoroaniline Chemical group NC1=CC(F)=C(F)C(F)=C1 SZRDJHHKIJHJHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNPWVUJOPCGHIK-UHFFFAOYSA-N 3,4-difluorophenol Chemical compound OC1=CC=C(F)C(F)=C1 BNPWVUJOPCGHIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLXRNDWAUTYKT-UHFFFAOYSA-N 3-(1H-indol-3-yl)propanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCC(=O)O)=CNC2=C1 GOLXRNDWAUTYKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCDMJFOHIXMBOV-UHFFFAOYSA-N 3-(2,6-difluoro-3,5-dimethoxyphenyl)-1-ethyl-8-(morpholin-4-ylmethyl)-4,7-dihydropyrrolo[4,5]pyrido[1,2-d]pyrimidin-2-one Chemical compound C=1C2=C3N(CC)C(=O)N(C=4C(=C(OC)C=C(OC)C=4F)F)CC3=CN=C2NC=1CN1CCOCC1 HCDMJFOHIXMBOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYHQTRFJOGIQAO-GOSISDBHSA-N 3-(4-bromophenyl)-8-[(2R)-2-hydroxypropyl]-1-[(3-methoxyphenyl)methyl]-1,3,8-triazaspiro[4.5]decan-2-one Chemical compound C[C@H](CN1CCC2(CC1)CN(C(=O)N2CC3=CC(=CC=C3)OC)C4=CC=C(C=C4)Br)O BYHQTRFJOGIQAO-GOSISDBHSA-N 0.000 description 1
- YGYGASJNJTYNOL-CQSZACIVSA-N 3-[(4r)-2,2-dimethyl-1,1-dioxothian-4-yl]-5-(4-fluorophenyl)-1h-indole-7-carboxamide Chemical compound C1CS(=O)(=O)C(C)(C)C[C@@H]1C1=CNC2=C(C(N)=O)C=C(C=3C=CC(F)=CC=3)C=C12 YGYGASJNJTYNOL-CQSZACIVSA-N 0.000 description 1
- WNEODWDFDXWOLU-QHCPKHFHSA-N 3-[3-(hydroxymethyl)-4-[1-methyl-5-[[5-[(2s)-2-methyl-4-(oxetan-3-yl)piperazin-1-yl]pyridin-2-yl]amino]-6-oxopyridin-3-yl]pyridin-2-yl]-7,7-dimethyl-1,2,6,8-tetrahydrocyclopenta[3,4]pyrrolo[3,5-b]pyrazin-4-one Chemical compound C([C@@H](N(CC1)C=2C=NC(NC=3C(N(C)C=C(C=3)C=3C(=C(N4C(C5=CC=6CC(C)(C)CC=6N5CC4)=O)N=CC=3)CO)=O)=CC=2)C)N1C1COC1 WNEODWDFDXWOLU-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCMSFBRREKZZFL-UHFFFAOYSA-N 3-cyclohexen-1-yl-Benzene Chemical class C1CCCC(C=2C=CC=CC=2)=C1 WCMSFBRREKZZFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHJPNMFHHRACQL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-bromophenyl)-1,2-difluorobenzene Chemical group C1=C(F)C(F)=CC=C1C1=CC=C(Br)C=C1 SHJPNMFHHRACQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLVNRPWLRKXNHU-UHFFFAOYSA-N 4-(4-bromophenyl)-2-fluoro-1-(trifluoromethoxy)benzene Chemical class C1=C(OC(F)(F)F)C(F)=CC(C=2C=CC(Br)=CC=2)=C1 XLVNRPWLRKXNHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUCAWZLRQTVEHM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-bromophenyl)-2-fluoro-1-methoxybenzene Chemical group C1=C(F)C(OC)=CC=C1C1=CC=C(Br)C=C1 BUCAWZLRQTVEHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDUYZTOYURUHIX-UHFFFAOYSA-N 4-(4-butylcyclohexyl)cyclohexan-1-one Chemical compound C1CC(CCCC)CCC1C1CCC(=O)CC1 LDUYZTOYURUHIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBGMDGDDOADTCY-UHFFFAOYSA-N 4-(4-ethoxyphenyl)cyclohexan-1-one Chemical compound C1=CC(OCC)=CC=C1C1CCC(=O)CC1 VBGMDGDDOADTCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMFPGIKXCOAZHX-UHFFFAOYSA-N 4-(4-ethoxyphenyl)cyclohexane-1-carbaldehyde Chemical compound C1=CC(OCC)=CC=C1C1CCC(C=O)CC1 WMFPGIKXCOAZHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXUSEPRYHRDKFV-UHFFFAOYSA-N 4-(4-propylcyclohexyl)benzonitrile Chemical compound C1CC(CCC)CCC1C1=CC=C(C#N)C=C1 XXUSEPRYHRDKFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRFCJNHNOSNQOU-UHFFFAOYSA-N 4-(difluoromethoxy)-3,5-difluorophenol Chemical class OC1=CC(F)=C(OC(F)F)C(F)=C1 MRFCJNHNOSNQOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDEZTSHWEPQVBX-UHFFFAOYSA-N 4-(difluoromethoxy)aniline Chemical compound NC1=CC=C(OC(F)F)C=C1 NDEZTSHWEPQVBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXUSEPRYHRDKFV-OOKPMTHPSA-N 4-[(1S,4S)-2,2,6-trideuterio-4-propylcyclohexyl]benzonitrile Chemical compound C(#N)C1=CC=C(C=C1)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])CCC)([2H])[2H] XXUSEPRYHRDKFV-OOKPMTHPSA-N 0.000 description 1
- CRCASZFDSWMENA-RCIZBHCQSA-N 4-[4-[(1S,4S)-2,2,6-trideuterio-4-propylcyclohexyl]phenyl]benzonitrile Chemical group C(CC)[C@@H]1CC([C@H](C(C1)[2H])C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)C#N)([2H])[2H] CRCASZFDSWMENA-RCIZBHCQSA-N 0.000 description 1
- XVAWRQGGPSIPGP-UHFFFAOYSA-N 4-amino-2,6-difluorobenzonitrile Chemical compound NC1=CC(F)=C(C#N)C(F)=C1 XVAWRQGGPSIPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXWHYZBAUYHCQK-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,2,3-trifluoro-5-phenylbenzene Chemical group BrC1=C(C=C(C(=C1F)F)F)C1=CC=CC=C1 IXWHYZBAUYHCQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOMDQZCKLBEOTD-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1-(difluoromethoxy)-2-fluorobenzene Chemical compound FC(F)OC1=CC=C(Br)C=C1F DOMDQZCKLBEOTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZFGOTFRPZRKDS-UHFFFAOYSA-N 4-bromophenol Chemical compound OC1=CC=C(Br)C=C1 GZFGOTFRPZRKDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLHYAEBESNFTCA-UHFFFAOYSA-N 4-chloro-3-fluorophenol Chemical compound OC1=CC=C(Cl)C(F)=C1 XLHYAEBESNFTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXNZTHHGJRFXKQ-UHFFFAOYSA-N 4-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=C(Cl)C=C1 WXNZTHHGJRFXKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVNOWLNNPYYEOH-UHFFFAOYSA-N 4-cyanophenol Chemical compound OC1=CC=C(C#N)C=C1 CVNOWLNNPYYEOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHMPLDJJXGPMEX-UHFFFAOYSA-N 4-fluorophenol Chemical compound OC1=CC=C(F)C=C1 RHMPLDJJXGPMEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JKXLPVBCDBKOPX-UHFFFAOYSA-N 5-(4-bromophenyl)-2-chloro-1,3-difluorobenzene Chemical group FC1=C(Cl)C(F)=CC(C=2C=CC(Br)=CC=2)=C1 JKXLPVBCDBKOPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZIBINAQRAEVEO-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-2-(difluoromethoxy)-1,3-difluorobenzene Chemical compound FC(F)OC1=C(F)C=C(Br)C=C1F ZZIBINAQRAEVEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UISZWYORHKBZTP-UHFFFAOYSA-N 7-methoxy-n,n-dimethyl-1h-indazole-3-carboxamide Chemical compound COC1=CC=CC2=C1NN=C2C(=O)N(C)C UISZWYORHKBZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIVQQUNOTICCSA-UHFFFAOYSA-N ANTU Chemical compound C1=CC=C2C(NC(=S)N)=CC=CC2=C1 PIVQQUNOTICCSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXDQUWVYXCNUPD-GUGHIXIESA-N C(=C)[C@@H]1C(C[C@H](CC1([2H])[2H])C1=CC=CC=C1)([2H])[2H] Chemical compound C(=C)[C@@H]1C(C[C@H](CC1([2H])[2H])C1=CC=CC=C1)([2H])[2H] MXDQUWVYXCNUPD-GUGHIXIESA-N 0.000 description 1
- JWRDOUAJOUAXJD-WZOBIEQSSA-N C(=C/C)/[C@@H]1C(C[C@H](CC1([2H])[2H])C1=CC=CC=C1)([2H])[2H] Chemical compound C(=C/C)/[C@@H]1C(C[C@H](CC1([2H])[2H])C1=CC=CC=C1)([2H])[2H] JWRDOUAJOUAXJD-WZOBIEQSSA-N 0.000 description 1
- JWRDOUAJOUAXJD-PHCFIUSHSA-N C(=C\C)/[C@@H]1C(C[C@H](CC1([2H])[2H])C1=CC=CC=C1)([2H])[2H] Chemical compound C(=C\C)/[C@@H]1C(C[C@H](CC1([2H])[2H])C1=CC=CC=C1)([2H])[2H] JWRDOUAJOUAXJD-PHCFIUSHSA-N 0.000 description 1
- OXBRRUNAAVNTOZ-HWDJAHDKSA-N C(CC)[C@@H]1C(C[C@H](CC1([2H])[2H])C1=CC=C(C=C1)OCC)([2H])[2H] Chemical compound C(CC)[C@@H]1C(C[C@H](CC1([2H])[2H])C1=CC=C(C=C1)OCC)([2H])[2H] OXBRRUNAAVNTOZ-HWDJAHDKSA-N 0.000 description 1
- FSWZOZXLWVWJAH-FSEKLWDVSA-N C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1C(C(C(C(C1[2H])[2H])C1=CC(=C(C=C1)F)F)([2H])[2H])([2H])[2H] Chemical compound C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1C(C(C(C(C1[2H])[2H])C1=CC(=C(C=C1)F)F)([2H])[2H])([2H])[2H] FSWZOZXLWVWJAH-FSEKLWDVSA-N 0.000 description 1
- FSWZOZXLWVWJAH-TZGISVQNSA-N C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1C(CC(CC1[2H])C1=CC(=C(C=C1)F)F)([2H])[2H] Chemical compound C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1C(CC(CC1[2H])C1=CC(=C(C=C1)F)F)([2H])[2H] FSWZOZXLWVWJAH-TZGISVQNSA-N 0.000 description 1
- FSWZOZXLWVWJAH-OYZYTMSZSA-N C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1CC(C(C(C1)[2H])C1=CC(=C(C=C1)F)F)([2H])[2H] Chemical compound C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1CC(C(C(C1)[2H])C1=CC(=C(C=C1)F)F)([2H])[2H] FSWZOZXLWVWJAH-OYZYTMSZSA-N 0.000 description 1
- OXBRRUNAAVNTOZ-NQWJSUNDSA-N C(CC)[C@@]1(C(C[C@H](CC1([2H])[2H])C1=CC=C(C=C1)OCC)([2H])[2H])[2H] Chemical compound C(CC)[C@@]1(C(C[C@H](CC1([2H])[2H])C1=CC=C(C=C1)OCC)([2H])[2H])[2H] OXBRRUNAAVNTOZ-NQWJSUNDSA-N 0.000 description 1
- FTFJTFBOONHNQY-UHFFFAOYSA-N C1=C(C=C(C=C1F)F)NCl Chemical compound C1=C(C=C(C=C1F)F)NCl FTFJTFBOONHNQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXBRRUNAAVNTOZ-SHTZXODSSA-N C1C[C@@H](CCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(OCC)C=C1 Chemical compound C1C[C@@H](CCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(OCC)C=C1 OXBRRUNAAVNTOZ-SHTZXODSSA-N 0.000 description 1
- QUWHOIKFJBTGHZ-SHTZXODSSA-N C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(Br)C=C1 Chemical compound C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(Br)C=C1 QUWHOIKFJBTGHZ-SHTZXODSSA-N 0.000 description 1
- ZQOZCNGXZRDCPJ-WGSAOQKQSA-N C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C(F)=C1 Chemical group C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C(F)=C1 ZQOZCNGXZRDCPJ-WGSAOQKQSA-N 0.000 description 1
- JDQZGRGYWRCRGI-BHORDTRYSA-N CC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC([C@H](C(C1)([2H])[2H])\C=C\C)([2H])[2H] Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC([C@H](C(C1)([2H])[2H])\C=C\C)([2H])[2H] JDQZGRGYWRCRGI-BHORDTRYSA-N 0.000 description 1
- XQSXFYOQIMNKDA-CWJALWSBSA-N CC=O.[2H]C1([2H])CC(CC([2H])([2H])C1)[C@H]1CC[C@H](CCC)CC1 Chemical compound CC=O.[2H]C1([2H])CC(CC([2H])([2H])C1)[C@H]1CC[C@H](CCC)CC1 XQSXFYOQIMNKDA-CWJALWSBSA-N 0.000 description 1
- WLQWXCVGJRUEFB-IYARVYRRSA-N CCCCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)c1ccc(c(F)c1)-c1ccc(Br)cc1 Chemical group CCCCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)c1ccc(c(F)c1)-c1ccc(Br)cc1 WLQWXCVGJRUEFB-IYARVYRRSA-N 0.000 description 1
- FSWZOZXLWVWJAH-MJYONLJCSA-N CCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)C1CCC(CC1)c1ccc(F)c(F)c1 Chemical compound CCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)C1CCC(CC1)c1ccc(F)c(F)c1 FSWZOZXLWVWJAH-MJYONLJCSA-N 0.000 description 1
- FLAKGKCBSLMHQU-UHFFFAOYSA-N CC[Mg] Chemical compound CC[Mg] FLAKGKCBSLMHQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOPWNXZWBYDODV-UHFFFAOYSA-N Chlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)Cl VOPWNXZWBYDODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-DYCDLGHISA-N Deuterium chloride Chemical compound [2H]Cl VEXZGXHMUGYJMC-DYCDLGHISA-N 0.000 description 1
- 102100025027 E3 ubiquitin-protein ligase TRIM69 Human genes 0.000 description 1
- AJQMFUYBFQQAKA-CNNLGHGTSA-N FC(OC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])[C@@H]1CC[C@H](CC1)CCC)([2H])[2H])(F)F Chemical compound FC(OC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])[C@@H]1CC[C@H](CC1)CCC)([2H])[2H])(F)F AJQMFUYBFQQAKA-CNNLGHGTSA-N 0.000 description 1
- FSWZOZXLWVWJAH-PWMALGFTSA-N FC=1C=C(C=CC=1F)C1CCC(CC1([2H])[2H])[C@@H]1CC[C@H](CC1)CCC Chemical compound FC=1C=C(C=CC=1F)C1CCC(CC1([2H])[2H])[C@@H]1CC[C@H](CC1)CCC FSWZOZXLWVWJAH-PWMALGFTSA-N 0.000 description 1
- FQZFDALKYRQQTE-IOPUKHPESA-N FC=1C=C(C=CC=1F)CC[C@@H]1C(C[C@H](CC1([2H])[2H])[C@@H]1CC[C@H](CC1)CCC)([2H])[2H] Chemical compound FC=1C=C(C=CC=1F)CC[C@@H]1C(C[C@H](CC1([2H])[2H])[C@@H]1CC[C@H](CC1)CCC)([2H])[2H] FQZFDALKYRQQTE-IOPUKHPESA-N 0.000 description 1
- NZXZINXFUSKTPH-LJEQAPTISA-N FC=1C=C(C=CC=1F)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])[C@@H]1CC[C@H](CC1)CCCC)([2H])[2H] Chemical compound FC=1C=C(C=CC=1F)[C@@H]1C(C[C@H](CC1[2H])[C@@H]1CC[C@H](CC1)CCCC)([2H])[2H] NZXZINXFUSKTPH-LJEQAPTISA-N 0.000 description 1
- FSWZOZXLWVWJAH-IZOCSYDNSA-N FC=1C=C(C=CC=1F)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC([C@H](C(C1)([2H])[2H])CCC)([2H])[2H] Chemical compound FC=1C=C(C=CC=1F)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC([C@H](C(C1)([2H])[2H])CCC)([2H])[2H] FSWZOZXLWVWJAH-IZOCSYDNSA-N 0.000 description 1
- KKIHOSNURHODCZ-JVPQIDJXSA-N FC=1C=C(C=CC=1F)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC([C@H](C(C1)([2H])[2H])\C=C/C)([2H])[2H] Chemical compound FC=1C=C(C=CC=1F)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC([C@H](C(C1)([2H])[2H])\C=C/C)([2H])[2H] KKIHOSNURHODCZ-JVPQIDJXSA-N 0.000 description 1
- 101000830203 Homo sapiens E3 ubiquitin-protein ligase TRIM69 Proteins 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007868 Raney catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910000564 Raney nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- YJAGXPCJZYMNES-UHFFFAOYSA-N S(=O)(Cl)Cl.C(C1=CC=CC=C1)(=O)N Chemical compound S(=O)(Cl)Cl.C(C1=CC=CC=C1)(=O)N YJAGXPCJZYMNES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical class [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005644 Wolff-Kishner reduction reaction Methods 0.000 description 1
- LXRZVMYMQHNYJB-UNXOBOICSA-N [(1R,2S,4R)-4-[[5-[4-[(1R)-7-chloro-1,2,3,4-tetrahydroisoquinolin-1-yl]-5-methylthiophene-2-carbonyl]pyrimidin-4-yl]amino]-2-hydroxycyclopentyl]methyl sulfamate Chemical compound CC1=C(C=C(S1)C(=O)C1=C(N[C@H]2C[C@H](O)[C@@H](COS(N)(=O)=O)C2)N=CN=C1)[C@@H]1NCCC2=C1C=C(Cl)C=C2 LXRZVMYMQHNYJB-UNXOBOICSA-N 0.000 description 1
- PWGUTKLGUISGAE-MDRLKRFISA-N [(1S,4S)-2,2,6-trideuterio-4-propylcyclohexyl]benzene Chemical compound C(CC)[C@@H]1CC([C@H](C(C1)[2H])C1=CC=CC=C1)([2H])[2H] PWGUTKLGUISGAE-MDRLKRFISA-N 0.000 description 1
- FRKVGIKPQJABFV-HZSWNJLVSA-N [2H]C(CC([2H])([2H])C1[C@H]2CC[C@H](CCC)CC2)CC1=O Chemical compound [2H]C(CC([2H])([2H])C1[C@H]2CC[C@H](CCC)CC2)CC1=O FRKVGIKPQJABFV-HZSWNJLVSA-N 0.000 description 1
- FEMIAMSIPSFMKJ-DPJDIRBESA-N [2H]C([2H])(C[C@H](CC1([2H])[2H])C(C=C2)=CC=C2C#N)[C@H]1C#C Chemical compound [2H]C([2H])(C[C@H](CC1([2H])[2H])C(C=C2)=CC=C2C#N)[C@H]1C#C FEMIAMSIPSFMKJ-DPJDIRBESA-N 0.000 description 1
- JWRDOUAJOUAXJD-DSQHSELBSA-N [2H]C1([2H])C[C@@H](CC([2H])([2H])[C@H]1C=CC)c1ccccc1 Chemical compound [2H]C1([2H])C[C@@H](CC([2H])([2H])[C@H]1C=CC)c1ccccc1 JWRDOUAJOUAXJD-DSQHSELBSA-N 0.000 description 1
- XXUSEPRYHRDKFV-OMDBAQLBSA-N [2H]C1([2H])C[C@@H](CC([2H])([2H])[C@H]1CCC)c1ccc(cc1)C#N Chemical compound [2H]C1([2H])C[C@@H](CC([2H])([2H])[C@H]1CCC)c1ccc(cc1)C#N XXUSEPRYHRDKFV-OMDBAQLBSA-N 0.000 description 1
- DAUXIZYWZXMLAF-LEDWMXJNSA-N [2H]C1([2H])C[C@H](CCC)CC([2H])([2H])[C@H]1CCc1ccc(cc1)C#N Chemical compound [2H]C1([2H])C[C@H](CCC)CC([2H])([2H])[C@H]1CCc1ccc(cc1)C#N DAUXIZYWZXMLAF-LEDWMXJNSA-N 0.000 description 1
- OXBRRUNAAVNTOZ-FOTHTFOJSA-N [2H][C@]1(CCC)CC[C@@H](CC1)c1ccc(OCC)cc1 Chemical compound [2H][C@]1(CCC)CC[C@@H](CC1)c1ccc(OCC)cc1 OXBRRUNAAVNTOZ-FOTHTFOJSA-N 0.000 description 1
- ZQUHHVZCOJJESC-UHFFFAOYSA-N [O-][N+](OC(C=C1F)=CC(F)=C1OC(F)F)=O Chemical class [O-][N+](OC(C=C1F)=CC(F)=C1OC(F)F)=O ZQUHHVZCOJJESC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N benzoyl chloride Chemical class ClC(=O)C1=CC=CC=C1 PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031709 bromination Effects 0.000 description 1
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004768 bromobenzenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000003965 capillary gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N chloroethane Chemical compound CCCl HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NKNDPYCGAZPOFS-UHFFFAOYSA-M copper(i) bromide Chemical compound Br[Cu] NKNDPYCGAZPOFS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- KVFDZFBHBWTVID-UHFFFAOYSA-N cyclohexanecarbaldehyde Chemical class O=CC1CCCCC1 KVFDZFBHBWTVID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-PTQBSOBMSA-N cyclohexanol Chemical class O[13CH]1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-PTQBSOBMSA-N 0.000 description 1
- 150000001935 cyclohexenes Chemical class 0.000 description 1
- WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N cyclohexylcyclohexane Chemical class C1CCCCC1C1CCCCC1 WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017858 demethylation Effects 0.000 description 1
- 238000010520 demethylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- LMVBQQAXGZVBFH-UHFFFAOYSA-N difluoromethoxybenzene Chemical compound FC(F)OC1=CC=CC=C1 LMVBQQAXGZVBFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000532 dioxanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229960003750 ethyl chloride Drugs 0.000 description 1
- GELSOTNVVKOYAW-UHFFFAOYSA-N ethyl(triphenyl)phosphanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CC)C1=CC=CC=C1 GELSOTNVVKOYAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYNXXDQQHTCHJ-UHFFFAOYSA-M ethyl(triphenyl)phosphanium;bromide Chemical compound [Br-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CC)C1=CC=CC=C1 JHYNXXDQQHTCHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SLAFUPJSGFVWPP-UHFFFAOYSA-M ethyl(triphenyl)phosphanium;iodide Chemical compound [I-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CC)C1=CC=CC=C1 SLAFUPJSGFVWPP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000374 eutectic mixture Substances 0.000 description 1
- 125000001207 fluorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJLGJVIYKARPDT-UHFFFAOYSA-M magnesium;ethoxybenzene;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].CCOC1=CC=[C-]C=C1 PJLGJVIYKARPDT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- RPNNPZHFJPXFQS-UHFFFAOYSA-N methane;rhodium Chemical compound C.[Rh] RPNNPZHFJPXFQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYQNWZOUAUKGHI-UHFFFAOYSA-N monobenzone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OCC1=CC=CC=C1 VYQNWZOUAUKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000990 monobenzone Drugs 0.000 description 1
- FMASTMURQSHELY-UHFFFAOYSA-N n-(4-fluoro-2-methylphenyl)-3-methyl-n-[(2-methyl-1h-indol-4-yl)methyl]pyridine-4-carboxamide Chemical compound C1=CC=C2NC(C)=CC2=C1CN(C=1C(=CC(F)=CC=1)C)C(=O)C1=CC=NC=C1C FMASTMURQSHELY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005839 oxidative dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PESSIQDIMKDTSP-UHFFFAOYSA-N periodic acid;dihydrate Chemical compound O.O.OI(=O)(=O)=O PESSIQDIMKDTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZWZRACFZGVKFM-UHFFFAOYSA-N propanoyl chloride Chemical compound CCC(Cl)=O RZWZRACFZGVKFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- CHLCPTJLUJHDBO-UHFFFAOYSA-M sodium;benzenesulfinate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)C1=CC=CC=C1 CHLCPTJLUJHDBO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N sulfuryl dichloride Chemical compound ClS(Cl)(=O)=O YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004809 thin layer chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XMQSELBBYSAURN-UHFFFAOYSA-M triphenyl(propyl)phosphanium;bromide Chemical compound [Br-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CCC)C1=CC=CC=C1 XMQSELBBYSAURN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/40—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals
- C09K19/402—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals containing deuterium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
- C07B59/00—Introduction of isotopes of elements into organic compounds ; Labelled organic compounds per se
- C07B59/001—Acyclic or carbocyclic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
- C07C255/49—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
- C07C255/50—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton to carbon atoms of non-condensed six-membered aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
- C07C255/49—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
- C07C255/55—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton containing cyano groups and esterified hydroxy groups bound to the carbon skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
- C09K19/3001—Cyclohexane rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
- C09K19/3001—Cyclohexane rings
- C09K19/3003—Compounds containing at least two rings in which the different rings are directly linked (covalent bond)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
- C09K19/3001—Cyclohexane rings
- C09K19/3028—Cyclohexane rings in which at least two rings are linked by a carbon chain containing carbon to carbon single bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
- C09K19/3001—Cyclohexane rings
- C09K19/3059—Cyclohexane rings in which at least two rings are linked by a carbon chain containing carbon to carbon triple bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
- C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
- C07C2601/14—The ring being saturated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K2019/0444—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit characterized by a linking chain between rings or ring systems, a bridging chain between extensive mesogenic moieties or an end chain group
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】 1個又は2個以上の水素原子(H)が重水素
原子(D)により置換された飽和炭化水素環〔例えば、
1−シアノ−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル−2,2,6−d3)ベンゼン〕を部分構造として
有する液晶化合物を含有する液晶組成物、及びこれを用
いた液晶表示装置。 【効果】 この液晶組成物は低温領域でも結晶が析出せ
ず、しかも比較的しきい値電圧が低く、応答速度も速
い。従って、この液晶組成物を用いて、液晶表示装置を
使用することができなかった低温領域において、良好な
駆動特性を示す液晶表示装置を作製することができる。
特に、低温領域での使用が期待されているアクティブマ
トリクス駆動方式やSTN表示方式の液晶表示装置の構
成材料として極めて有用である。
原子(D)により置換された飽和炭化水素環〔例えば、
1−シアノ−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル−2,2,6−d3)ベンゼン〕を部分構造として
有する液晶化合物を含有する液晶組成物、及びこれを用
いた液晶表示装置。 【効果】 この液晶組成物は低温領域でも結晶が析出せ
ず、しかも比較的しきい値電圧が低く、応答速度も速
い。従って、この液晶組成物を用いて、液晶表示装置を
使用することができなかった低温領域において、良好な
駆動特性を示す液晶表示装置を作製することができる。
特に、低温領域での使用が期待されているアクティブマ
トリクス駆動方式やSTN表示方式の液晶表示装置の構
成材料として極めて有用である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学的表示材料とし
て有用な液晶組成物に関し、更に詳しくは、低温領域で
も結晶が析出せず、しかも汎用されている液晶組成物と
比較して、ネマチック相−等方性液体相転移温度、しき
い値電圧、屈折率異方性、誘電率異方性、応答速度、電
圧保持率等の特性が悪化することのない液晶組成物に関
する。更に、この液晶組成物を構成材料として、特に低
温領域で使用しても結晶が析出せず、しかも前記の電気
光学的特性に優れ、安定な表示をすることが可能な液晶
表示装置に関する。
て有用な液晶組成物に関し、更に詳しくは、低温領域で
も結晶が析出せず、しかも汎用されている液晶組成物と
比較して、ネマチック相−等方性液体相転移温度、しき
い値電圧、屈折率異方性、誘電率異方性、応答速度、電
圧保持率等の特性が悪化することのない液晶組成物に関
する。更に、この液晶組成物を構成材料として、特に低
温領域で使用しても結晶が析出せず、しかも前記の電気
光学的特性に優れ、安定な表示をすることが可能な液晶
表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにTN(捩れネマチック)型、STN(超捩
れネマチック)型、DS(動的光散乱)型、GH(ゲス
ト・ホスト)型あるいはFLC(強誘電性液晶)等があ
り、また駆動方式としても従来のスタティック駆動から
マルチプレックス駆動が一般的になり、最近ではこのよ
うな単純マトリックス駆動から、TFT(Thin Film Tr
ansistor)やMIM(Metal-Insulator-Metal)等を用
いたアクティブマトリックス駆動が実用化されている。
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにTN(捩れネマチック)型、STN(超捩
れネマチック)型、DS(動的光散乱)型、GH(ゲス
ト・ホスト)型あるいはFLC(強誘電性液晶)等があ
り、また駆動方式としても従来のスタティック駆動から
マルチプレックス駆動が一般的になり、最近ではこのよ
うな単純マトリックス駆動から、TFT(Thin Film Tr
ansistor)やMIM(Metal-Insulator-Metal)等を用
いたアクティブマトリックス駆動が実用化されている。
【0003】これらの表示方式や駆動方式に応じて、液
晶組成物に種々の特性が要求されているが、(1)液晶
相の温度範囲が低温から高温まで広く、広い温度範囲で
駆動できること、(2)しきい値電圧が低く、低電圧で
駆動可能なこと、(3)低粘性であり、高速応答可能な
ことは、表示方式や駆動方式によらず、どの液晶組成物
にも共通して要求されている重要な特性である。現在ま
でのところ、こうした要求特性を単独で満たす液晶化合
物は知られておらず、種々の液晶化合物を混合すること
によって所望の特性を有する液晶組成物を得ているのが
現状である。このうち、幅広い温度範囲で液晶相を示す
液晶組成物を得るために、液晶相の温度領域の異なる種
々の液晶化合物を混合する方法が用いられている。この
ような手法を用いる場合、例えば、液晶組成物のネマチ
ック相−等方性液体相転移温度(以下、TN-I点とい
う。)を上昇させる場合には、TN-I点の高い液晶化合
物の混合割合を高くすればよい。しかしながら、このよ
うな化合物はネマチック相の下限温度(以下、TC-N点
という。)も高いので、必然的に得られる液晶組成物の
TC-N点も上昇してしまい、低温で結晶が析出してしま
うものが多く、実用的な液晶組成物として用いることが
できなくなる場合が多い。
晶組成物に種々の特性が要求されているが、(1)液晶
相の温度範囲が低温から高温まで広く、広い温度範囲で
駆動できること、(2)しきい値電圧が低く、低電圧で
駆動可能なこと、(3)低粘性であり、高速応答可能な
ことは、表示方式や駆動方式によらず、どの液晶組成物
にも共通して要求されている重要な特性である。現在ま
でのところ、こうした要求特性を単独で満たす液晶化合
物は知られておらず、種々の液晶化合物を混合すること
によって所望の特性を有する液晶組成物を得ているのが
現状である。このうち、幅広い温度範囲で液晶相を示す
液晶組成物を得るために、液晶相の温度領域の異なる種
々の液晶化合物を混合する方法が用いられている。この
ような手法を用いる場合、例えば、液晶組成物のネマチ
ック相−等方性液体相転移温度(以下、TN-I点とい
う。)を上昇させる場合には、TN-I点の高い液晶化合
物の混合割合を高くすればよい。しかしながら、このよ
うな化合物はネマチック相の下限温度(以下、TC-N点
という。)も高いので、必然的に得られる液晶組成物の
TC-N点も上昇してしまい、低温で結晶が析出してしま
うものが多く、実用的な液晶組成物として用いることが
できなくなる場合が多い。
【0004】このようなことから、ネマチック相の温度
範囲が低温領域から高温領域まで広い実用的な液晶組成
物を調製する場合には、一般的に融点の低い液晶化合物
と室温付近でネマチック相を示す液晶化合物とTN-I点
の高い化合物を、経験的に10〜20種類混合すること
により、液晶相の温度範囲を調整している。
範囲が低温領域から高温領域まで広い実用的な液晶組成
物を調製する場合には、一般的に融点の低い液晶化合物
と室温付近でネマチック相を示す液晶化合物とTN-I点
の高い化合物を、経験的に10〜20種類混合すること
により、液晶相の温度範囲を調整している。
【0005】しかしながら、温度範囲を拡大すると同時
に、実際には使用目的に応じて、電気光学的特性や粘性
も最適化しなければならないため、液晶組成物の構成成
分となる液晶化合物としては、他の化合物との相溶性も
含めて数々の要求特性をある程度満たすものでなければ
使用できない。従って、数多い液晶化合物の中でも、実
用的な液晶組成物を調製する上で使用できる化合物の選
択範囲はかなり限定される。例えば、現在、液晶表示装
置の主流となりつつあるTFTやMIM等のアクティブ
マトリクス駆動方式用の液晶組成物にも、前述の(1)
から(3)の特性が要求されるが、これらに加えて第4
番目の特性として、(4)高い電圧保持率を有すること
が更に要求される。これは、液晶組成物の電圧保持率が
低いと、駆動させたはずの画素の輝度が変化するフリッ
カ現象が起きてしまうからである。一般的に、液晶組成
物の電圧保持率を高くするためには、デバイス中での熱
や光等に対して化学的に安定で、しかも比抵抗値が高く
なければならない。このような要求特性を満たす液晶化
合物が種々検討された結果、従来、TN、STNに用い
られていた化合物の中でも、エステル基、シアノ基、ピ
リミジン環あるいはジオキサン環等を有する液晶化合物
は、電圧保持率を低下させるので、アクティブマトリク
ス用には適さないことが明らかになった。
に、実際には使用目的に応じて、電気光学的特性や粘性
も最適化しなければならないため、液晶組成物の構成成
分となる液晶化合物としては、他の化合物との相溶性も
含めて数々の要求特性をある程度満たすものでなければ
使用できない。従って、数多い液晶化合物の中でも、実
用的な液晶組成物を調製する上で使用できる化合物の選
択範囲はかなり限定される。例えば、現在、液晶表示装
置の主流となりつつあるTFTやMIM等のアクティブ
マトリクス駆動方式用の液晶組成物にも、前述の(1)
から(3)の特性が要求されるが、これらに加えて第4
番目の特性として、(4)高い電圧保持率を有すること
が更に要求される。これは、液晶組成物の電圧保持率が
低いと、駆動させたはずの画素の輝度が変化するフリッ
カ現象が起きてしまうからである。一般的に、液晶組成
物の電圧保持率を高くするためには、デバイス中での熱
や光等に対して化学的に安定で、しかも比抵抗値が高く
なければならない。このような要求特性を満たす液晶化
合物が種々検討された結果、従来、TN、STNに用い
られていた化合物の中でも、エステル基、シアノ基、ピ
リミジン環あるいはジオキサン環等を有する液晶化合物
は、電圧保持率を低下させるので、アクティブマトリク
ス用には適さないことが明らかになった。
【0006】また、アクティブマトリクス駆動方式にお
いても、表示方式は従来のTN表示方式と同じであるた
め、液晶組成物の誘電率異方性(Δε)は全体として正
であることが必須である。しかしながら、従来使用され
ていたΔεが正の液晶化合物(以下、p形液晶化合物と
する。)の中でも比較的大きなΔεを有するものも、同
様に電圧保持率を低下させるので、下記のような化合物
はアクティブマトリクス駆動用には適さないことが明ら
かになった。
いても、表示方式は従来のTN表示方式と同じであるた
め、液晶組成物の誘電率異方性(Δε)は全体として正
であることが必須である。しかしながら、従来使用され
ていたΔεが正の液晶化合物(以下、p形液晶化合物と
する。)の中でも比較的大きなΔεを有するものも、同
様に電圧保持率を低下させるので、下記のような化合物
はアクティブマトリクス駆動用には適さないことが明ら
かになった。
【0007】
【化13】 (式中、Rはアルキル基を表わす。) そのため、現在では液晶組成物のΔεを正の適当な値に
するために、官能基としてフルオロ基やクロロ基を有す
る化合物、例えば、下記のようなp形液晶化合物がアク
ティブマトリクス用の材料として用いられている。
するために、官能基としてフルオロ基やクロロ基を有す
る化合物、例えば、下記のようなp形液晶化合物がアク
ティブマトリクス用の材料として用いられている。
【0008】
【化14】
【0009】
【化15】 (式中、Rはアルキル基を表わし、R’はアルキル基、
アルケニル基又はアルコキシアルキル基を表わす。) しかしながら、これらの化合物を用いてアクティブマト
リクス駆動に必要な電気光学的特性を達成することはで
きても、アクティブマトリクスに用いられる液晶化合物
は、比較的TN-I点が高いものが多いので、TC-N点が十
分に低い液晶組成物を調製することは非常に難しい。
アルケニル基又はアルコキシアルキル基を表わす。) しかしながら、これらの化合物を用いてアクティブマト
リクス駆動に必要な電気光学的特性を達成することはで
きても、アクティブマトリクスに用いられる液晶化合物
は、比較的TN-I点が高いものが多いので、TC-N点が十
分に低い液晶組成物を調製することは非常に難しい。
【0010】この問題を解決するために、前記フルオロ
系化合物のうち、同一骨格を有し、且つ末端アルキル基
の炭素原子数が2〜7までの範囲で互いに異なる同族体
を数種添加することによって液晶組成物のTC-N点を低
下させる方法が用いられている。しかしながら、この方
法ではTC-N点はさほど低下せず、しかも末端アルキル
基の炭素原子数が大きくなるほど粘性が上昇する傾向が
あるので、結果的には前述の(3)の応答特性を悪化さ
せてしまう。このように、前述の(1)から(4)の特
性をすべて満足するアクティブ用液晶組成物は現在のと
ころ得られておらず、アクティブマトリクス用の液晶組
成物としては、(2)〜(4)の特性を満たすことを優
先させており、(1)の温度範囲については、TC-N点
が充分に低くないものでも使用せざるを得ない状況であ
り、当然、低温では結晶が析出しやすいものが多い。
系化合物のうち、同一骨格を有し、且つ末端アルキル基
の炭素原子数が2〜7までの範囲で互いに異なる同族体
を数種添加することによって液晶組成物のTC-N点を低
下させる方法が用いられている。しかしながら、この方
法ではTC-N点はさほど低下せず、しかも末端アルキル
基の炭素原子数が大きくなるほど粘性が上昇する傾向が
あるので、結果的には前述の(3)の応答特性を悪化さ
せてしまう。このように、前述の(1)から(4)の特
性をすべて満足するアクティブ用液晶組成物は現在のと
ころ得られておらず、アクティブマトリクス用の液晶組
成物としては、(2)〜(4)の特性を満たすことを優
先させており、(1)の温度範囲については、TC-N点
が充分に低くないものでも使用せざるを得ない状況であ
り、当然、低温では結晶が析出しやすいものが多い。
【0011】また、STN液晶表示装置に用いられる液
晶組成物には、前述の(1)から(3)の特性に加え
て、更に4番目の特性として(5)液晶組成物の弾性定
数比(K33/K11)が大きく、高コントラストを達成す
ることが要求されている。更に、STN表示方式は、特
にラップトップコンピューター等の汎用機器に多く適用
されているため、(2)のしきい値電圧が低いことも重
要な要求特性である。液晶組成物のしきい値電圧を低下
させるためには、下記の式に従って、液晶組成物の誘電
率異方性Δεを大きくするか、弾性定数Kを小さくする
ことが効果がある。
晶組成物には、前述の(1)から(3)の特性に加え
て、更に4番目の特性として(5)液晶組成物の弾性定
数比(K33/K11)が大きく、高コントラストを達成す
ることが要求されている。更に、STN表示方式は、特
にラップトップコンピューター等の汎用機器に多く適用
されているため、(2)のしきい値電圧が低いことも重
要な要求特性である。液晶組成物のしきい値電圧を低下
させるためには、下記の式に従って、液晶組成物の誘電
率異方性Δεを大きくするか、弾性定数Kを小さくする
ことが効果がある。
【0012】
【数1】 (式中、Vthはしきい値電圧を、Δεは誘電率異方性を
表わす。)ここで、Δεの非常に大きな液晶化合物とし
ては例えば、下式のような化合物があるが、Δεの大き
すぎる化合物を多量に使用すると、電流値の増大等の問
題を引き起こす場合が多く、実際に液晶表示装置として
使用する場合、信頼性の面で問題がある。
表わす。)ここで、Δεの非常に大きな液晶化合物とし
ては例えば、下式のような化合物があるが、Δεの大き
すぎる化合物を多量に使用すると、電流値の増大等の問
題を引き起こす場合が多く、実際に液晶表示装置として
使用する場合、信頼性の面で問題がある。
【0013】
【化16】 (式中、Rはアルキル基を表わす。) また、弾性定数の小さい液晶組成物は、p形液晶化合物
からなる母体液晶と、TN-I点が高く、且つ弾性定数の
比較的小さく、Δεが負の液晶化合物(以下、n形液晶
化合物とする。)の3環系液晶化合物若しくは3環系p
形液晶化合物を混合する方法によって調製される。弾性
定数比K33/K11の値が大きいp形液晶化合物として、
例えば、下式の化合物が用いられる。
からなる母体液晶と、TN-I点が高く、且つ弾性定数の
比較的小さく、Δεが負の液晶化合物(以下、n形液晶
化合物とする。)の3環系液晶化合物若しくは3環系p
形液晶化合物を混合する方法によって調製される。弾性
定数比K33/K11の値が大きいp形液晶化合物として、
例えば、下式の化合物が用いられる。
【0014】
【化17】 (式中、R’はアルキル基、アルケニル基又はアルコキ
シアルキル基を表わし、Xは水素原子又はフッ素原子を
表わす。) 従って、STNにおけるしきい値電圧特性とコントラス
ト特性を満たすために、このようなp形液晶化合物と前
述の3環系のp形あるいはn形液晶化合物を混合する
と、低温領域で結晶が析出しやすい傾向があるという問
題がある。そこで、アクティブマトリクスの場合と同様
に、同一骨格を有し、且つR’の炭素原子数が互いに異
なる同族体を何種類も添加したり、R’がアルケニル基
である場合、二重結合の位置が互いに異なる同族体を何
種類も添加して、得られる液晶組成物のTC-N点を低下
させている。
シアルキル基を表わし、Xは水素原子又はフッ素原子を
表わす。) 従って、STNにおけるしきい値電圧特性とコントラス
ト特性を満たすために、このようなp形液晶化合物と前
述の3環系のp形あるいはn形液晶化合物を混合する
と、低温領域で結晶が析出しやすい傾向があるという問
題がある。そこで、アクティブマトリクスの場合と同様
に、同一骨格を有し、且つR’の炭素原子数が互いに異
なる同族体を何種類も添加したり、R’がアルケニル基
である場合、二重結合の位置が互いに異なる同族体を何
種類も添加して、得られる液晶組成物のTC-N点を低下
させている。
【0015】しかしながら、このような方法では、炭素
原子数の違いあるいは二重結合の位置の違いによって、
化合物の弾性定数比K33/K11の値も大きく異なるの
で、結局、得られる液晶組成物の弾性定数比K33/K11
が小さくなり、コントラストが低下してしまう場合が多
い。また、同族体を添加する方法ではTC-N点の低下に
も限界があることに加えて、粘性が増大し、応答速度が
遅くなるという問題もあり、これらの問題点を考慮した
上で液晶組成物の組成設計をすることは非常に難しい。
現状では、しきい値電圧が1.2V程度のしきい値電圧
の低いSTN用液晶組成物が調製されているが、上述の
ように弾性定数比K33/K11の値が充分大きくないの
で、低電圧駆動で、高いコントラストのSTN液晶表示
装置は現在のところ作製されていない。
原子数の違いあるいは二重結合の位置の違いによって、
化合物の弾性定数比K33/K11の値も大きく異なるの
で、結局、得られる液晶組成物の弾性定数比K33/K11
が小さくなり、コントラストが低下してしまう場合が多
い。また、同族体を添加する方法ではTC-N点の低下に
も限界があることに加えて、粘性が増大し、応答速度が
遅くなるという問題もあり、これらの問題点を考慮した
上で液晶組成物の組成設計をすることは非常に難しい。
現状では、しきい値電圧が1.2V程度のしきい値電圧
の低いSTN用液晶組成物が調製されているが、上述の
ように弾性定数比K33/K11の値が充分大きくないの
で、低電圧駆動で、高いコントラストのSTN液晶表示
装置は現在のところ作製されていない。
【0016】ここまで説明してきたように、前述の
(1)の液晶相の温度範囲の広い液晶組成物としては、
液晶組成物のTC-N点が低いことが要求されるが、実際
には、TC -N点よりも高い温度であっても、結晶が析出
する材料も少なくないので、信頼性の高い液晶表示装置
には、低温領域でも液晶組成物中に結晶が析出せず、表
示画面全体に環境温度による表示欠陥のないことが要求
される。液晶組成物のTC-N点は、個々の液晶単体物質
で構成される混合系組成物が過冷却現象を示す場合が多
いので、TC-N点は液晶組成物を液体窒素等で固化ある
いはガラス状態に充分低温(例えば−70℃)に冷却し
て結晶化をはかり、しかるのちに温度を徐々に上昇させ
ながら固体からネマチック相への転移温度を測定し、こ
れをもってTC-N点としている。しかしながら、成分数
が10〜20種類の実用的な液晶組成物の場合、共融混
合物ではないため、前述の測定に基づくネマチック相の
下限温度より高い温度で保存したとしても、結晶が析出
してしまいう場合が多々あり、結局駆動可能な温度範囲
は狭められてしまう。例えば、TC-N点が−70℃であ
るにもかかわらず、室温で結晶が析出するというものも
珍しくない。また、前述のように車載用あるいは航空機
用などには−40℃から110℃までの幅広い温度範囲
で安定にネマチック相を示すことが要求されているが、
−55℃の低温で保存しても結晶が析出しない液晶組成
物は現在のところ得られていない。そのため、実際に車
載用として汎用されている液晶組成物でさえ、例えば、
−25℃で保存すると1週間程度で結晶が析出してしま
うものもある。
(1)の液晶相の温度範囲の広い液晶組成物としては、
液晶組成物のTC-N点が低いことが要求されるが、実際
には、TC -N点よりも高い温度であっても、結晶が析出
する材料も少なくないので、信頼性の高い液晶表示装置
には、低温領域でも液晶組成物中に結晶が析出せず、表
示画面全体に環境温度による表示欠陥のないことが要求
される。液晶組成物のTC-N点は、個々の液晶単体物質
で構成される混合系組成物が過冷却現象を示す場合が多
いので、TC-N点は液晶組成物を液体窒素等で固化ある
いはガラス状態に充分低温(例えば−70℃)に冷却し
て結晶化をはかり、しかるのちに温度を徐々に上昇させ
ながら固体からネマチック相への転移温度を測定し、こ
れをもってTC-N点としている。しかしながら、成分数
が10〜20種類の実用的な液晶組成物の場合、共融混
合物ではないため、前述の測定に基づくネマチック相の
下限温度より高い温度で保存したとしても、結晶が析出
してしまいう場合が多々あり、結局駆動可能な温度範囲
は狭められてしまう。例えば、TC-N点が−70℃であ
るにもかかわらず、室温で結晶が析出するというものも
珍しくない。また、前述のように車載用あるいは航空機
用などには−40℃から110℃までの幅広い温度範囲
で安定にネマチック相を示すことが要求されているが、
−55℃の低温で保存しても結晶が析出しない液晶組成
物は現在のところ得られていない。そのため、実際に車
載用として汎用されている液晶組成物でさえ、例えば、
−25℃で保存すると1週間程度で結晶が析出してしま
うものもある。
【0017】このような例からも、液晶組成物のTC-N
点が非常に低くても、それより高い温度で結晶が析出し
ないとは限らないので、前述の(1)の特性を満たすも
のとしては、TC-N点が低いことではなく、低温領域で
も結晶が析出しないことが高い信頼性を得るために必要
とされる。以上述べたように、液晶組成物はその表示方
式や駆動方式に適応するように種々の液晶化合物を混合
することによって調製されるが、現在使用されている液
晶化合物だけでは特性の改善には限界がある。特に、汎
用の液晶組成物は電気光学的特性を満足することに主眼
が置かれて組成設計されている場合多い。しかしなが
ら、そのような汎用の液晶組成物の中でも、特にTFT
やMIM等のアクティブマトリクス駆動方式用の液晶組
成物や、STN液晶表示装置用の液晶組成物において
は、(1)の液晶相の温度範囲が広いものであって、且
つ低温領域で結晶が析出しないことで、実用上高い信頼
性を得ている材料はほとんど存在しない。前述の(2)
〜(5)の特性をほぼ満足する汎用の液晶組成物は、そ
の使用目的により温度は異なるが、比較的低い温度で保
存しても約1カ月間結晶が析出しなければ、信頼性の高
い実用液晶として認識されている。しかしながら、この
ような液晶組成物を用いた場合、それを構成材料とする
液晶表示装置は使用する環境温度が当然制限されてい
る。このようなことから、より低温でも結晶が析出しな
い、信頼性の高い液晶組成物であって、各種の表示方式
や駆動方式に要求される電気光学的特性を充分に満足す
る液晶組成物は現在のところ得られていない。
点が非常に低くても、それより高い温度で結晶が析出し
ないとは限らないので、前述の(1)の特性を満たすも
のとしては、TC-N点が低いことではなく、低温領域で
も結晶が析出しないことが高い信頼性を得るために必要
とされる。以上述べたように、液晶組成物はその表示方
式や駆動方式に適応するように種々の液晶化合物を混合
することによって調製されるが、現在使用されている液
晶化合物だけでは特性の改善には限界がある。特に、汎
用の液晶組成物は電気光学的特性を満足することに主眼
が置かれて組成設計されている場合多い。しかしなが
ら、そのような汎用の液晶組成物の中でも、特にTFT
やMIM等のアクティブマトリクス駆動方式用の液晶組
成物や、STN液晶表示装置用の液晶組成物において
は、(1)の液晶相の温度範囲が広いものであって、且
つ低温領域で結晶が析出しないことで、実用上高い信頼
性を得ている材料はほとんど存在しない。前述の(2)
〜(5)の特性をほぼ満足する汎用の液晶組成物は、そ
の使用目的により温度は異なるが、比較的低い温度で保
存しても約1カ月間結晶が析出しなければ、信頼性の高
い実用液晶として認識されている。しかしながら、この
ような液晶組成物を用いた場合、それを構成材料とする
液晶表示装置は使用する環境温度が当然制限されてい
る。このようなことから、より低温でも結晶が析出しな
い、信頼性の高い液晶組成物であって、各種の表示方式
や駆動方式に要求される電気光学的特性を充分に満足す
る液晶組成物は現在のところ得られていない。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、低温領域において結晶が析出しないという
点で顕著な効果を示し、しかも電気光学的特性、即ち、
しきい値電圧、コントラスト、応答特性等に優れる液晶
組成物を提供し、またその液晶組成物を構成材料として
用いた液晶表示装置、特に低温領域においても画面全体
に表示欠陥のないアクティブマトリクス駆動方式やT
N、STN液晶表示装置を提供することにある。
する課題は、低温領域において結晶が析出しないという
点で顕著な効果を示し、しかも電気光学的特性、即ち、
しきい値電圧、コントラスト、応答特性等に優れる液晶
組成物を提供し、またその液晶組成物を構成材料として
用いた液晶表示装置、特に低温領域においても画面全体
に表示欠陥のないアクティブマトリクス駆動方式やT
N、STN液晶表示装置を提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討したが、現在汎用されている
液晶化合物を単に組み合わせて液晶組成物を調製するだ
けでは、前述のように特性の改善には限界があった。従
って、本発明者らは、汎用の液晶組成物には全く用いら
れていない液晶化合物を開発し、この化合物を含有する
新規な液晶組成物を調製することが必要であると考え
た。そこで、本発明者らは種々の文献に着目したが、そ
の中で重水素原子(D)を有する液晶化合物について
は、以下に示すように既に数例の報告がある。 1) H.Gasparoux等,Ann.ReV.Phys.Chem.,27, 175(1976) 2) G.W.Gray等, Mol.Cryst.Liq.Cryst.,41, 75(1977) 3) A.J.Leadbetter等, J.Phys.[Paris]coll C3, 40,
125(1979) 4) A.Kolbe等, Z.Naturforsch.,23a, 1237(1968) 5) J.D.Rowell等, J.Chem.Phys.,43, 3442(1965) 6) W.D.Philips等, J.Chem.Phys.,41, 2551(1964) 7) A.F.Martins等, Mol.Cryst.Liq.Cryst.,14, 85(197
1) 8) E.T.Samulski等, Phys.Rev.Lett.,29, 340(1972) 9) H.Zimmermann等,Liquid Crystals.,4, 591(1989) しかしながら、これらの報告において、4−アルコキシ
安息香酸のカルボキシル基における水素原子(H)を重
水素原子(D)で置換した例(文献(1))以外はすべ
て、末端基中の水素原子(H)を重水素原子(D)で置
換するか、あるいはベンゼン環に結合する水素原子
(H)を重水素原子(D)で置換した例であった。しか
もこれらの文献には、その化合物を液晶組成物に添加し
た例すらも記載されていない。
を解決するために鋭意検討したが、現在汎用されている
液晶化合物を単に組み合わせて液晶組成物を調製するだ
けでは、前述のように特性の改善には限界があった。従
って、本発明者らは、汎用の液晶組成物には全く用いら
れていない液晶化合物を開発し、この化合物を含有する
新規な液晶組成物を調製することが必要であると考え
た。そこで、本発明者らは種々の文献に着目したが、そ
の中で重水素原子(D)を有する液晶化合物について
は、以下に示すように既に数例の報告がある。 1) H.Gasparoux等,Ann.ReV.Phys.Chem.,27, 175(1976) 2) G.W.Gray等, Mol.Cryst.Liq.Cryst.,41, 75(1977) 3) A.J.Leadbetter等, J.Phys.[Paris]coll C3, 40,
125(1979) 4) A.Kolbe等, Z.Naturforsch.,23a, 1237(1968) 5) J.D.Rowell等, J.Chem.Phys.,43, 3442(1965) 6) W.D.Philips等, J.Chem.Phys.,41, 2551(1964) 7) A.F.Martins等, Mol.Cryst.Liq.Cryst.,14, 85(197
1) 8) E.T.Samulski等, Phys.Rev.Lett.,29, 340(1972) 9) H.Zimmermann等,Liquid Crystals.,4, 591(1989) しかしながら、これらの報告において、4−アルコキシ
安息香酸のカルボキシル基における水素原子(H)を重
水素原子(D)で置換した例(文献(1))以外はすべ
て、末端基中の水素原子(H)を重水素原子(D)で置
換するか、あるいはベンゼン環に結合する水素原子
(H)を重水素原子(D)で置換した例であった。しか
もこれらの文献には、その化合物を液晶組成物に添加し
た例すらも記載されていない。
【0020】そこで、本発明者らは、これまでに報告さ
れていない、飽和炭化水素環に結合する水素原子(H)
を重水素原子(D)で置換することを試みたが、これに
よって得られる重水素原子(D)を有する液晶化合物
は、前述の文献からは全く予想もできないような、優れ
た特性を有していることが明らかになった。即ち、本発
明は、上記課題を解決するために、任意の1個又は2個
以上の水素原子(H)が重水素原子(D)により置換さ
れた飽和炭化水素環を部分構造として有する液晶化合物
(以下、D化液晶化合物とする)を含有する液晶組成物
を提供し、更にこの液晶組成物を用いた液晶表示装置を
提供する。本発明で使用するD化液晶化合物は、各化合
物の構造によって異なるが、基本的には中間体の段階で
重水素置換工程を導入することにより、製造することが
できる。例えば、2環性のD化液晶化合物である式(R
−1)
れていない、飽和炭化水素環に結合する水素原子(H)
を重水素原子(D)で置換することを試みたが、これに
よって得られる重水素原子(D)を有する液晶化合物
は、前述の文献からは全く予想もできないような、優れ
た特性を有していることが明らかになった。即ち、本発
明は、上記課題を解決するために、任意の1個又は2個
以上の水素原子(H)が重水素原子(D)により置換さ
れた飽和炭化水素環を部分構造として有する液晶化合物
(以下、D化液晶化合物とする)を含有する液晶組成物
を提供し、更にこの液晶組成物を用いた液晶表示装置を
提供する。本発明で使用するD化液晶化合物は、各化合
物の構造によって異なるが、基本的には中間体の段階で
重水素置換工程を導入することにより、製造することが
できる。例えば、2環性のD化液晶化合物である式(R
−1)
【0021】
【化18】 (式中、環Aは1個又は2個以上の重水素原子(D)を
有するシクロヘキサン環を表わす。)で表わされる1−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4−エト
キシベンゼンの重水素置換体の製造方法の例を以下に示
す。なお、化合物名あるいは構造式に添えたdn−はシ
クロヘキサン環に結合している水素原子(H)がn個の
重水素原子(D)により置換されていることを表わす。 (イ)
有するシクロヘキサン環を表わす。)で表わされる1−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4−エト
キシベンゼンの重水素置換体の製造方法の例を以下に示
す。なお、化合物名あるいは構造式に添えたdn−はシ
クロヘキサン環に結合している水素原子(H)がn個の
重水素原子(D)により置換されていることを表わす。 (イ)
【0022】
【化19】 (イ) 4−プロピルシクロヘキサノンをジクロロメタ
ン等の溶媒に溶解し、塩基存在下に重水(D2O)と加
熱して、4−プロピルシクロヘキサノン−2,2,6,
6−d4を得る。次に、1−エトキシ−4−ブロモベン
ゼンから調製されるグリニヤール反応剤を反応させ、得
られたd4−フェニルシクロヘキサノール誘導体を脱水
して、d3−フェニルシクロヘキセン誘導体を得る。こ
れを接触還元し、シス体を分離して、1−(トランス−
4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)−4
−エトキシベンゼンが得られる。 (ロ)
ン等の溶媒に溶解し、塩基存在下に重水(D2O)と加
熱して、4−プロピルシクロヘキサノン−2,2,6,
6−d4を得る。次に、1−エトキシ−4−ブロモベン
ゼンから調製されるグリニヤール反応剤を反応させ、得
られたd4−フェニルシクロヘキサノール誘導体を脱水
して、d3−フェニルシクロヘキセン誘導体を得る。こ
れを接触還元し、シス体を分離して、1−(トランス−
4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)−4
−エトキシベンゼンが得られる。 (ロ)
【0023】
【化20】 (ロ) シクロヘキサン−1,4−ジオンモノエチレン
アセタールを1−エトキシ−4−ブロモベンゼンから調
製されるグリニヤール反応剤と反応させ、上記(イ)と
同様にして脱水(必要に応じてエチレンアセタール化を
行う。)して、水素添加した後、脱アセタールし、4−
(4−エトキシフェニル)シクロヘキサノンを得る。こ
れを(イ)と同様に重水素化し、4−(4−エトキシフ
ェニル)シクロヘキサノン−2,2,6,6−d4を得
る。これを臭化プロピルから調製されるグリニヤール反
応剤と反応させ、脱水、水素添加した後、シス体を分離
して、1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−
3,3,5−d3)−4−エトキシベンゼンが得られ
る。 (ハ)
アセタールを1−エトキシ−4−ブロモベンゼンから調
製されるグリニヤール反応剤と反応させ、上記(イ)と
同様にして脱水(必要に応じてエチレンアセタール化を
行う。)して、水素添加した後、脱アセタールし、4−
(4−エトキシフェニル)シクロヘキサノンを得る。こ
れを(イ)と同様に重水素化し、4−(4−エトキシフ
ェニル)シクロヘキサノン−2,2,6,6−d4を得
る。これを臭化プロピルから調製されるグリニヤール反
応剤と反応させ、脱水、水素添加した後、シス体を分離
して、1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−
3,3,5−d3)−4−エトキシベンゼンが得られ
る。 (ハ)
【0024】
【化21】 (ハ) 前述の(ロ)で中間体として得られた4−(4
−エトキシフェニル)シクロヘキサノン−2,2,6,
6−d4を、塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニ
ウムから調製される一般式(IV)
−エトキシフェニル)シクロヘキサノン−2,2,6,
6−d4を、塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニ
ウムから調製される一般式(IV)
【0025】
【化22】 (式中、Phはフェニル基を表わす。)で表わされるウィ
ッティヒ反応剤と反応させ、次いで酸処理することによ
り、4−(4−エトキシフェニル)シクロヘキサン−
2,2,6,6−d4−カルバルデヒドを得る。これを
トランス体に異性化した後、エチルトリフェニルホスホ
ニウムから調製されるウィッティヒ反応剤と反応させ、
次いで水素添加して、1−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル−3,3,5,5−d4)−4−エトキシ
ベンゼンを得ることができる。 (ニ)
ッティヒ反応剤と反応させ、次いで酸処理することによ
り、4−(4−エトキシフェニル)シクロヘキサン−
2,2,6,6−d4−カルバルデヒドを得る。これを
トランス体に異性化した後、エチルトリフェニルホスホ
ニウムから調製されるウィッティヒ反応剤と反応させ、
次いで水素添加して、1−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル−3,3,5,5−d4)−4−エトキシ
ベンゼンを得ることができる。 (ニ)
【0026】
【化23】 (ニ) 前述の(ハ)におけるカルバルデヒド誘導体の
異性化を、重水(D2O)存在下に行い、4−(4−エ
トキシフェニル)シクロヘキサン−1,2,2,6,6
−d5−カルバルデヒドを得る。以下(ハ)と同様にし
て、1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−
3,3,4,5,5−d5)−4−エトキシベンゼンを
得ることができる。 (ホ)
異性化を、重水(D2O)存在下に行い、4−(4−エ
トキシフェニル)シクロヘキサン−1,2,2,6,6
−d5−カルバルデヒドを得る。以下(ハ)と同様にし
て、1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−
3,3,4,5,5−d5)−4−エトキシベンゼンを
得ることができる。 (ホ)
【0027】
【化24】 (ホ) 前述の(ロ)で中間体として得られた4−(4
−エトキシフェニル)シクロヘキサノンと一般式(II
I)のウィッティヒ反応剤から、4−(4−エトキシフ
ェニル)シクロヘキサンカルバルデヒドを得ることがで
きる。前述の(二)と同様にして、4−(4−エトキシ
フェニル)シクロヘキサン−1−d−カルバルデヒドを
経て、1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−
4−d)−4−エトキシベンゼンを得ることができる。 (ヘ)
−エトキシフェニル)シクロヘキサノンと一般式(II
I)のウィッティヒ反応剤から、4−(4−エトキシフ
ェニル)シクロヘキサンカルバルデヒドを得ることがで
きる。前述の(二)と同様にして、4−(4−エトキシ
フェニル)シクロヘキサン−1−d−カルバルデヒドを
経て、1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−
4−d)−4−エトキシベンゼンを得ることができる。 (ヘ)
【0028】
【化25】 (ヘ) シクロヘキサン−1,4−ジオンを前述の
(イ)と同様に重水素化し、d8−シクロヘキサン−
1,4−ジオンを得る。これをモノエチレンアセタール
とした後、前述の(ハ)と同様に反応させて、1−(ト
ランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,3,
3,5,5,6−d7)−4−エトキシベンゼンを得る
ことができる。 (ト)
(イ)と同様に重水素化し、d8−シクロヘキサン−
1,4−ジオンを得る。これをモノエチレンアセタール
とした後、前述の(ハ)と同様に反応させて、1−(ト
ランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,3,
3,5,5,6−d7)−4−エトキシベンゼンを得る
ことができる。 (ト)
【0029】
【化26】 (ト) シクロヘキサン−1,4−ジオンモノエチレン
アセタールを重水素化し、これから前述の(ロ)と同様
にして、4−(4−エトキシフェニル)シクロヘキサノ
ン−3,3,5−d3が得られる。これから前述の
(ホ)と同様にして、1−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル−2,2,4,6−d4)−4−エトキシ
ベンゼンを得ることができる。 (チ)
アセタールを重水素化し、これから前述の(ロ)と同様
にして、4−(4−エトキシフェニル)シクロヘキサノ
ン−3,3,5−d3が得られる。これから前述の
(ホ)と同様にして、1−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル−2,2,4,6−d4)−4−エトキシ
ベンゼンを得ることができる。 (チ)
【0030】
【化27】 (チ) 前述の一般式(p)の化合物における環Aが重
水素置換されていないシクロヘキサン環を有する化合物
の製造中間体として用いられている1−(4−エトキシ
フェニル)−4−プロピルシクロヘキセンをハイドロボ
レーションし、次いで、クロム酸等で酸化して、2−
(4−エトキシフェニル)−5−プロピルシクロヘキサ
ノンを得る。これを前述の(二)と同様に重水素化及び
トランス体への異性化を行い、次いでカルボニル基を還
元除去して、1−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル−1,3,3−d3)−4−エトキシベンゼンを得
ることができる。 (リ)
水素置換されていないシクロヘキサン環を有する化合物
の製造中間体として用いられている1−(4−エトキシ
フェニル)−4−プロピルシクロヘキセンをハイドロボ
レーションし、次いで、クロム酸等で酸化して、2−
(4−エトキシフェニル)−5−プロピルシクロヘキサ
ノンを得る。これを前述の(二)と同様に重水素化及び
トランス体への異性化を行い、次いでカルボニル基を還
元除去して、1−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル−1,3,3−d3)−4−エトキシベンゼンを得
ることができる。 (リ)
【0031】
【化28】 (リ) 前述の(チ)の中間体である2−(4−エトキ
シフェニル)−5−プロピルシクロヘキサノンを水素化
アルミニウムリチウム−d4で還元し、脱水した後、水
素添加して更にトランス体に異性化して、1−(トラン
ス−4−プロピルシクロヘキシル−2−d)−4−エト
キシベンゼンを得ることができる。 (ヌ)
シフェニル)−5−プロピルシクロヘキサノンを水素化
アルミニウムリチウム−d4で還元し、脱水した後、水
素添加して更にトランス体に異性化して、1−(トラン
ス−4−プロピルシクロヘキシル−2−d)−4−エト
キシベンゼンを得ることができる。 (ヌ)
【0032】
【化29】 (ヌ) フェノールを重水及び低濃度の塩化重水素(D
Cl)中で加圧下、高温(230〜250℃)で反応させ、d
6−フェノールを得る。これを塩酸中還流することによ
り、3,5−d2−フェノールを得る。これをプロピオ
ン酸クロリドと塩化アルミニウム存在下に反応させて、
次いでWolff-Kishner還元により、4−プロピル−
(3,5−d2)フェノールを得る。これをロジウム炭
素を触媒として水素添加し、得られたシクロヘキサノー
ル誘導体を無水クロム酸等で酸化して、4−プロピル
(3,5−d2)−シクロヘキサノンが得られる。この
化合物を用いて、前述の(イ)と同様にして、1−(ト
ランス−4−プロピルシクロヘキシル−3,5−d2)
−4−エトキシベンゼンを得ることができる。
Cl)中で加圧下、高温(230〜250℃)で反応させ、d
6−フェノールを得る。これを塩酸中還流することによ
り、3,5−d2−フェノールを得る。これをプロピオ
ン酸クロリドと塩化アルミニウム存在下に反応させて、
次いでWolff-Kishner還元により、4−プロピル−
(3,5−d2)フェノールを得る。これをロジウム炭
素を触媒として水素添加し、得られたシクロヘキサノー
ル誘導体を無水クロム酸等で酸化して、4−プロピル
(3,5−d2)−シクロヘキサノンが得られる。この
化合物を用いて、前述の(イ)と同様にして、1−(ト
ランス−4−プロピルシクロヘキシル−3,5−d2)
−4−エトキシベンゼンを得ることができる。
【0033】このように式(R−1)の化合物は(イ)
〜(ヌ)の各方法により得ることができるが、この式
(R−1)以外の他の2環性のD化液晶化合物も上記方
法に準じて、あるいはこれらを組み合わせることにより
容易に得ることができる。また、例えば、3環性のD化
液晶化合物である式(R−2)
〜(ヌ)の各方法により得ることができるが、この式
(R−1)以外の他の2環性のD化液晶化合物も上記方
法に準じて、あるいはこれらを組み合わせることにより
容易に得ることができる。また、例えば、3環性のD化
液晶化合物である式(R−2)
【0034】
【化30】 (式中、環Aは少なくとも1つの重水素原子(D)を有
するシクロヘキサン環を表わす。)で表わされる1−
[4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シク
ロヘキシル]−3,4−ジフルオロベンゼンの重水素置
換体の製造方法の例を以下に示す。 (ル)
するシクロヘキサン環を表わす。)で表わされる1−
[4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シク
ロヘキシル]−3,4−ジフルオロベンゼンの重水素置
換体の製造方法の例を以下に示す。 (ル)
【0035】
【化31】 (ル) 4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキサノンを(イ)と同様に重水素化して、
4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロ
ヘキサノン−2,2,6,6−d4を得る。これを1−
ブロモ−3,4−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤と反応させ、以下、(イ)と同様にし
て、1−[4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]−3,4−ジ
フルオロベンゼンを得ることができる。 (ヲ)
ル)シクロヘキサノンを(イ)と同様に重水素化して、
4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロ
ヘキサノン−2,2,6,6−d4を得る。これを1−
ブロモ−3,4−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤と反応させ、以下、(イ)と同様にし
て、1−[4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]−3,4−ジ
フルオロベンゼンを得ることができる。 (ヲ)
【0036】
【化32】 (ヲ) 前述の(ル)の中間体である1−(3,4−ジ
フルオロフェニル)−4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)シクロヘキセン−2,6,6−d 3から
前述の(チ)と同様にハイドロボレーション、次いで酸
化して、2−(3,4−ジフルオロフェニル)−5−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキ
サノン−3,3−d2を得る。これを前述の(二)と同
様に重水素化及びトランス体への異性化を行い、次いで
カルボニル基を還元除去して、1−[4−(トランス−
4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル−1,
2,2,5,5−d5]−3,4−ジフルオロベンゼン
を得ることができる。 (ワ)
フルオロフェニル)−4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)シクロヘキセン−2,6,6−d 3から
前述の(チ)と同様にハイドロボレーション、次いで酸
化して、2−(3,4−ジフルオロフェニル)−5−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキ
サノン−3,3−d2を得る。これを前述の(二)と同
様に重水素化及びトランス体への異性化を行い、次いで
カルボニル基を還元除去して、1−[4−(トランス−
4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル−1,
2,2,5,5−d5]−3,4−ジフルオロベンゼン
を得ることができる。 (ワ)
【0037】
【化33】 (ワ) 前述の(ヲ)においてハイドロボレーション後
に重水素化を行わず、異性化のみを行った以外は(ヲ)
と同様にして、1−[4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)シクロヘキシル−2,2−d2]−3,
4−ジフルオロベンゼンを得ることができる。 (カ)
に重水素化を行わず、異性化のみを行った以外は(ヲ)
と同様にして、1−[4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)シクロヘキシル−2,2−d2]−3,
4−ジフルオロベンゼンを得ることができる。 (カ)
【0038】
【化34】 (カ) 臭化4−プロピルシクロヘキシルから調製され
るグリニヤール反応剤を前述の(ト)で得られたシクロ
ヘキサン−1,4−ジオンモノエチレンアセタールの重
水素置換体と反応させ、同様に脱水、水素添加を行い、
4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロ
ヘキサノン−3,3,5−d3を得る。これから前述の
(ル)と同様にして、1−[4−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)シクロヘキシル−3,3,5−d
3]−3,4−ジフルオロベンゼンを得ることができ
る。 (ヨ)
るグリニヤール反応剤を前述の(ト)で得られたシクロ
ヘキサン−1,4−ジオンモノエチレンアセタールの重
水素置換体と反応させ、同様に脱水、水素添加を行い、
4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロ
ヘキサノン−3,3,5−d3を得る。これから前述の
(ル)と同様にして、1−[4−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)シクロヘキシル−3,3,5−d
3]−3,4−ジフルオロベンゼンを得ることができ
る。 (ヨ)
【0039】
【化35】 (ヨ) 前述の(カ)で得られた4−(トランス−4−
プロピルシクロヘキシル)シクロヘキサノン−3,3,
5−d3を更に重水素化し、4−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)シクロヘキサノン−2,2,3,
3,5,6,6−d7を得る。これから、前述の(ル)
と同様にして、1−[4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)シクロヘキシル−2,2,3,3,5,
6−d6]−3,4−ジフルオロベンゼン及び1−[4
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘ
キシル−2,2,3,5,5,6−d6]−3,4−ジ
フルオロベンゼンを得ることができる。
プロピルシクロヘキシル)シクロヘキサノン−3,3,
5−d3を更に重水素化し、4−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)シクロヘキサノン−2,2,3,
3,5,6,6−d7を得る。これから、前述の(ル)
と同様にして、1−[4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)シクロヘキシル−2,2,3,3,5,
6−d6]−3,4−ジフルオロベンゼン及び1−[4
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘ
キシル−2,2,3,5,5,6−d6]−3,4−ジ
フルオロベンゼンを得ることができる。
【0040】このように式(R−2)の化合物は(ル)
〜(ヨ)の各方法により得ることができるが、この式
(R−2)以外の他の3環性のD化液晶化合物も上記方
法に準じて、あるいはこれらを組み合わせることにより
容易に得ることができる。
〜(ヨ)の各方法により得ることができるが、この式
(R−2)以外の他の3環性のD化液晶化合物も上記方
法に準じて、あるいはこれらを組み合わせることにより
容易に得ることができる。
【0041】また、4環性のD化液晶化合物も、上記
(イ)〜(ヨ)の各方法に準じて、あるいはこれらを組
み合わせることにより容易に得ることができる。ここで
は飽和炭化水素環がシクロヘキサン環であるD化液晶化
合物の例を挙げたが、シクロヘキサン環以外の炭素原子
数3〜5の飽和炭化水素環も好ましい。
(イ)〜(ヨ)の各方法に準じて、あるいはこれらを組
み合わせることにより容易に得ることができる。ここで
は飽和炭化水素環がシクロヘキサン環であるD化液晶化
合物の例を挙げたが、シクロヘキサン環以外の炭素原子
数3〜5の飽和炭化水素環も好ましい。
【0042】本発明で使用するD化液晶化合物は、前述
の文献に記載されている合成法を応用することができる
ので、重水素原子(D)の置換位置は(イ)〜(ヨ)の
製造方法で示されるものに限定されず、飽和炭化水素環
のどの位置に結合していてもよい。また、重水素原子
(D)は少なくとも1つ結合していればよいが、飽和炭
化水素環の全ての水素原子(H)が重水素原子(D)に
よって置換されていてもよい。例えば、前述の(ヌ)の
製造方法において、
の文献に記載されている合成法を応用することができる
ので、重水素原子(D)の置換位置は(イ)〜(ヨ)の
製造方法で示されるものに限定されず、飽和炭化水素環
のどの位置に結合していてもよい。また、重水素原子
(D)は少なくとも1つ結合していればよいが、飽和炭
化水素環の全ての水素原子(H)が重水素原子(D)に
よって置換されていてもよい。例えば、前述の(ヌ)の
製造方法において、
【0043】
【化36】 の中間体に代えて、
【0044】
【化37】 で表わされる任意の中間体を用いることによって、多種
のD化液晶化合物を製造することができる。
のD化液晶化合物を製造することができる。
【0045】ここで、本発明で使用することができる好
ましい化合物の代表的なものの例を以下に示す。尚、下
記式(1)〜(364)の化合物においては特に断りが
ない限り、R1は炭素原子数1〜20のアルキル基、ア
ルコキシアルキル基又はアルケニル基を表わし、R2は
アルキル基又はアルコキシル基を表わし、R3及びR4は
それぞれ独立的に炭素原子数1〜20のアルキル基を表
わし、R5は炭素原子数1〜20のアルキル基又はアル
ケニル基を表わす。また、下記式(1)、(2)、(2
1)〜(38)、(41)〜(43)、(45)〜(5
9)、(90)〜(104)、(150)〜(17
9)、(210)〜(303)、(335)〜(34
9)における環A及び環Bと、式(75)〜(89)、
(350)〜(364)における環Aは、
ましい化合物の代表的なものの例を以下に示す。尚、下
記式(1)〜(364)の化合物においては特に断りが
ない限り、R1は炭素原子数1〜20のアルキル基、ア
ルコキシアルキル基又はアルケニル基を表わし、R2は
アルキル基又はアルコキシル基を表わし、R3及びR4は
それぞれ独立的に炭素原子数1〜20のアルキル基を表
わし、R5は炭素原子数1〜20のアルキル基又はアル
ケニル基を表わす。また、下記式(1)、(2)、(2
1)〜(38)、(41)〜(43)、(45)〜(5
9)、(90)〜(104)、(150)〜(17
9)、(210)〜(303)、(335)〜(34
9)における環A及び環Bと、式(75)〜(89)、
(350)〜(364)における環Aは、
【0046】
【化38】 で表わされる基からなる群から選ばれる基を表わし、式
(3)〜(20)、(39)、(40)、(44)、
(60)〜(74)、(105)〜(149)、(18
0)〜(209)、(304)〜(334)における環
Aと、式(75)〜(89)、(350)〜(364)
における環Bは、
(3)〜(20)、(39)、(40)、(44)、
(60)〜(74)、(105)〜(149)、(18
0)〜(209)、(304)〜(334)における環
Aと、式(75)〜(89)、(350)〜(364)
における環Bは、
【0047】
【化39】 で表わされる基からなる群から選ばれる基を表わす。ま
た、式(75)〜(89)、(255)〜(269)、
(301)、(303)、(350)〜(364)にお
ける環A及び環Bは、互いに同一であっても異なってい
てもよい。
た、式(75)〜(89)、(255)〜(269)、
(301)、(303)、(350)〜(364)にお
ける環A及び環Bは、互いに同一であっても異なってい
てもよい。
【0048】
【化40】
【0049】
【化41】
【0050】
【化42】
【0051】
【化43】
【0052】
【化44】
【0053】
【化45】
【0054】
【化46】
【0055】
【化47】
【0056】
【化48】
【0057】
【化49】
【0058】
【化50】
【0059】
【化51】
【0060】
【化52】
【0061】
【化53】
【0062】
【化54】
【0063】
【化55】
【0064】
【化56】
【0065】
【化57】
【0066】
【化58】
【0067】
【化59】
【0068】
【化60】
【0069】
【化61】
【0070】
【化62】
【0071】
【化63】
【0072】
【化64】
【0073】
【化65】
【0074】
【化66】
【0075】
【化67】
【0076】
【化68】
【0077】
【化69】
【0078】
【化70】
【0079】
【化71】
【0080】
【化72】
【0081】
【化73】
【0082】
【化74】
【0083】
【化75】
【0084】
【化76】
【0085】
【化77】
【0086】
【化78】
【0087】
【化79】
【0088】
【化80】
【0089】
【化81】
【0090】
【化82】
【0091】
【化83】
【0092】
【化84】
【0093】
【化85】
【0094】
【化86】
【0095】
【化87】
【0096】
【化88】
【0097】
【化89】
【0098】
【化90】
【0099】
【化91】
【0100】また、上記の式(1)〜(364)の好ま
しい化合物について、各製造方法の例を以下に示す。
しい化合物について、各製造方法の例を以下に示す。
【0101】[製造例1] 式(1)の化合物の製造方
法 前述の(イ)、(ロ)、(ヘ)の各製造方法において、
臭化4−エトキシフェニルマグネシウムに代えて、臭化
4−アルキル(又はアルコキシ)シクロヘキシルマグネ
シウムを用いるか、(ハ)、(ニ)、(ホ)、(ト)の
各製造方法において、4−(4−エトキシフェニル)シ
クロヘキサノンに代えて、4−(4−アルキル又はアル
コキシシクロヘキシル)シクロヘキサノンを用いる以外
は(イ)〜(ト)の製造方法と同様にして製造できる。 [製造例2] 式(2)の化合物の製造方法 製造例1において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)シクロヘキシルマグネシウムに代えて、臭化2−
[4−アルキル(又はアルコキシ)シクロヘキシル]エ
チルマグネシウムを用いるか、あるいは4−(4−アル
キル又はアルコキシシクロヘキシル)シクロヘキサノン
に代えて、4−[2−(4−アルキル又はアルコキシシ
クロヘキシル)エチル]シクロヘキサノンを用いる以外
は製造例1と同様にして製造できる。
法 前述の(イ)、(ロ)、(ヘ)の各製造方法において、
臭化4−エトキシフェニルマグネシウムに代えて、臭化
4−アルキル(又はアルコキシ)シクロヘキシルマグネ
シウムを用いるか、(ハ)、(ニ)、(ホ)、(ト)の
各製造方法において、4−(4−エトキシフェニル)シ
クロヘキサノンに代えて、4−(4−アルキル又はアル
コキシシクロヘキシル)シクロヘキサノンを用いる以外
は(イ)〜(ト)の製造方法と同様にして製造できる。 [製造例2] 式(2)の化合物の製造方法 製造例1において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)シクロヘキシルマグネシウムに代えて、臭化2−
[4−アルキル(又はアルコキシ)シクロヘキシル]エ
チルマグネシウムを用いるか、あるいは4−(4−アル
キル又はアルコキシシクロヘキシル)シクロヘキサノン
に代えて、4−[2−(4−アルキル又はアルコキシシ
クロヘキシル)エチル]シクロヘキサノンを用いる以外
は製造例1と同様にして製造できる。
【0102】[製造例3] 式(3)の化合物の製造方
法 前述の(イ)〜(ヌ)の各製造方法に従って製造するこ
とができる。 [製造例4] 式(4)の化合物の製造方法 製造例3において、グリニャール反応剤として臭化4−
アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグネシウムに代
えて、臭化4−フルオロフェニルマグネシウムを用いる
以外は製造例3と同様にして製造できる。
法 前述の(イ)〜(ヌ)の各製造方法に従って製造するこ
とができる。 [製造例4] 式(4)の化合物の製造方法 製造例3において、グリニャール反応剤として臭化4−
アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグネシウムに代
えて、臭化4−フルオロフェニルマグネシウムを用いる
以外は製造例3と同様にして製造できる。
【0103】[製造例5] 式(5)の化合物の製造方
法 製造例3において、グリニャール反応剤として臭化4−
アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグネシウムに代
えて、臭化フェニルマグネシウムから調製されるグリニ
ャール反応剤を用いて、式(P1)
法 製造例3において、グリニャール反応剤として臭化4−
アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグネシウムに代
えて、臭化フェニルマグネシウムから調製されるグリニ
ャール反応剤を用いて、式(P1)
【0104】
【化92】 の化合物を得る。これを、触媒存在下に塩化スルフリル
等で直接塩素化するか、あるいはニトロ化した後に還元
して、式(P2)
等で直接塩素化するか、あるいはニトロ化した後に還元
して、式(P2)
【0105】
【化93】 のアニリン誘導体とし、次いでジアゾニウム化すること
により製造できる。 [製造例6] 式(6)の化合物の製造方法 製造例3において、グリニャール反応剤として、4−ブ
ロモ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製され
るグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例3と同様に
製造できる。
により製造できる。 [製造例6] 式(6)の化合物の製造方法 製造例3において、グリニャール反応剤として、4−ブ
ロモ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製され
るグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例3と同様に
製造できる。
【0106】[製造例7] 式(7)の化合物の製造方
法 製造例3において、R2がOCH3である化合物を臭化水
素酸、ヨウ化トリメチルシリル、塩化アルミニウム、三
臭化ホウ素あるいは塩化アルミニウムと、ジメチルスル
フィド(又はエタンチオール)により脱メチル化して式
(P3)
法 製造例3において、R2がOCH3である化合物を臭化水
素酸、ヨウ化トリメチルシリル、塩化アルミニウム、三
臭化ホウ素あるいは塩化アルミニウムと、ジメチルスル
フィド(又はエタンチオール)により脱メチル化して式
(P3)
【0107】
【化94】 のフェノール誘導体を得る。これを塩基存在下にクロロ
ジフルオロメタンと反応させるか、あるいは蟻酸エステ
ルとした後にジメチルアミノ三弗化硫黄(DAST)等
と反応させることにより製造することができる。 [製造例8] 式(8)の化合物の製造方法 式(P1)の中間体を、塩化アルミニウム等のルイス酸
存在下に蓚酸ジクロリドと反応させ、式(P4)
ジフルオロメタンと反応させるか、あるいは蟻酸エステ
ルとした後にジメチルアミノ三弗化硫黄(DAST)等
と反応させることにより製造することができる。 [製造例8] 式(8)の化合物の製造方法 式(P1)の中間体を、塩化アルミニウム等のルイス酸
存在下に蓚酸ジクロリドと反応させ、式(P4)
【0108】
【化95】 の安息香酸クロリド誘導体を得る。これをアルコールR
3OHと反応させてエステル化することにより製造でき
る。
3OHと反応させてエステル化することにより製造でき
る。
【0109】[製造例9] 式(9)の化合物の製造方
法 式(P3)の中間体とカルボン酸R3COOH又はR3C
OClを、通常の方法を用いてエステル化することによ
り製造できる。 [製造例10] 式(10)の化合物の製造方法 製造例3において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反
応剤を用いる以外は製造例3と同様にして製造できる。
法 式(P3)の中間体とカルボン酸R3COOH又はR3C
OClを、通常の方法を用いてエステル化することによ
り製造できる。 [製造例10] 式(10)の化合物の製造方法 製造例3において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反
応剤を用いる以外は製造例3と同様にして製造できる。
【0110】[製造例11] 式(11)の化合物の製
造方法 製造例10において、1−ブロモ−4−クロロ−3−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニャール反応剤を用
いても製造でき、あるいは1−ブロモ−3−フルオロベ
ンゼンを用いて、式(P5)
造方法 製造例10において、1−ブロモ−4−クロロ−3−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニャール反応剤を用
いても製造でき、あるいは1−ブロモ−3−フルオロベ
ンゼンを用いて、式(P5)
【0111】
【化96】 の中間体を得て、製造例5と同様に塩素化することによ
っても製造できる。 [製造例12] 式(12)の化合物の製造方法 製造例3において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2−
フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例3と同
様にして製造できる。
っても製造できる。 [製造例12] 式(12)の化合物の製造方法 製造例3において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2−
フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例3と同
様にして製造できる。
【0112】[製造例13] 式(13)の化合物の製
造方法 製造例7において、臭化4−メトキシフェニルマグネシ
ウムに代えて、4−ブロモ−2−フルオロアニソールか
ら調製されるグリニヤール反応剤を用いることにより、
式(P6)
造方法 製造例7において、臭化4−メトキシフェニルマグネシ
ウムに代えて、4−ブロモ−2−フルオロアニソールか
ら調製されるグリニヤール反応剤を用いることにより、
式(P6)
【0113】
【化97】 のフェノール誘導体を得て、製造例7と同様にして製造
できる。 [製造例14] 式(14)の化合物の製造方法 式(P5)の中間体から式(P7)
できる。 [製造例14] 式(14)の化合物の製造方法 式(P5)の中間体から式(P7)
【0114】
【化98】 の酸塩化物を得て、製造例8と同様にして製造できる。
【0115】[製造例15] 式(15)の化合物の製
造方法 製造例3において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4,5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いる以外は製造例3と同様にして製造で
きる。 [製造例16] 式(16)の化合物の製造方法 製造例3において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−4−
クロロ−3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤を用いる以外は製造例3と同様にして
製造できる。あるいは1−ブロモ−3,5−ジフルオロ
ベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用いるこ
とにより得られる式(P8)
造方法 製造例3において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4,5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いる以外は製造例3と同様にして製造で
きる。 [製造例16] 式(16)の化合物の製造方法 製造例3において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−4−
クロロ−3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤を用いる以外は製造例3と同様にして
製造できる。あるいは1−ブロモ−3,5−ジフルオロ
ベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用いるこ
とにより得られる式(P8)
【0116】
【化99】 の化合物を、製造例5と同様に塩素化することによって
も製造できる。
も製造できる。
【0117】[製造例17] 式(17)の化合物の製
造方法 2,6−ジフルオロフェノールを臭素化し、次いでヨウ
化メチル等により4−ブロモ−2,6−ジフルオロアニ
ソールを得て、製造例13と同様にして製造できる。 [製造例18] 式(18)の化合物の製造方法 式(P4)の中間体をアンモニア水と反応させて式(P
9)
造方法 2,6−ジフルオロフェノールを臭素化し、次いでヨウ
化メチル等により4−ブロモ−2,6−ジフルオロアニ
ソールを得て、製造例13と同様にして製造できる。 [製造例18] 式(18)の化合物の製造方法 式(P4)の中間体をアンモニア水と反応させて式(P
9)
【0118】
【化100】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式(P
1)の中間体を沃素−過沃素酸により沃素化して、式
(P10)
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式(P
1)の中間体を沃素−過沃素酸により沃素化して、式
(P10)
【0119】
【化101】 の化合物を得て、これをシアン化銅(I)と反応させて
も製造できる。
も製造できる。
【0120】[製造例19] 式(19)の化合物の製
造方法 式(P7)あるいは(P5)の中間体から製造例18と
同様にして製造できる。 [製造例20] 式(20)の化合物の製造方法 製造例18において、式(P1)の化合物に代えて、式
(P8)の化合物を用いる以外は実施例18と同様にす
るか、あるいは式(P8)の化合物をアルキルリチウム
によりフェニルリチウム誘導体とし、二酸化炭素と反応
させて式(P11)
造方法 式(P7)あるいは(P5)の中間体から製造例18と
同様にして製造できる。 [製造例20] 式(20)の化合物の製造方法 製造例18において、式(P1)の化合物に代えて、式
(P8)の化合物を用いる以外は実施例18と同様にす
るか、あるいは式(P8)の化合物をアルキルリチウム
によりフェニルリチウム誘導体とし、二酸化炭素と反応
させて式(P11)
【0121】
【化102】 の安息香酸誘導体とする。これを塩化チオニル等により
酸塩化物とし、製造例18と同様にして製造することも
できる。
酸塩化物とし、製造例18と同様にして製造することも
できる。
【0122】[製造例21] 式(21)の化合物の製
造方法 シクロヘキサン−1,4−ジオンのモノエチレンアセタ
ールを、前述の式(IV)のウィッティヒ反応剤と反応
させ、式(P12)
造方法 シクロヘキサン−1,4−ジオンのモノエチレンアセタ
ールを、前述の式(IV)のウィッティヒ反応剤と反応
させ、式(P12)
【0123】
【化103】 のシクロヘキサンカルバルデヒド誘導体を得る。これを
再度式(IV)の化合物と反応させて式(P13)
再度式(IV)の化合物と反応させて式(P13)
【0124】
【化104】 のシクロヘキサンエタナール誘導体が得られる。これを
臭化4−アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグネシ
ウムと反応させ、酸で脱水し、脱アセタール化した場合
には再度アセタール化し、次いで水素添加し、更に脱ア
セタール化することにより、式(P15)
臭化4−アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグネシ
ウムと反応させ、酸で脱水し、脱アセタール化した場合
には再度アセタール化し、次いで水素添加し、更に脱ア
セタール化することにより、式(P15)
【0125】
【化105】 のシクロヘキサノン誘導体を得ることができる。この化
合物から前述の(ロ)、(ハ)、(二)、(ホ)等の各
製造方法と同様にして製造できる。あるいは上記方法に
おいて、(ト)の製造方法のように、シクロヘキサン−
1,4−ジオンのモノエチレンアセタールを重水素化し
た後、同様に行っても製造でき、あるいは(ヘ)の製造
方法のように、シクロヘキサン−1,4−ジオンを重水
素化し、これをモノアセタールとしてから同様にしても
製造できる。またR1がアルキル基又はアルコキシアル
キル基である場合には、(イ)の製造方法の如く、4−
置換シクロヘキサノンを重水素化し、これを式(IV)
のウィッティヒ反応剤と2回繰り返して反応させて4−
置換シクロヘキサンエタナールとし、これを上記と同様
に臭化4−アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグネ
シウムと反応させ、以下同様にして製造することができ
る。 [製造例22] 式(22)の化合物の製造方法 製造例21において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、臭化4−フルオロ
フェニルマグネシウムを用いることにより同様にして製
造できる。 [製造例23] 式(23)の化合物の製造方法 製造例21において、1−ブロモ−4−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は実施
例21と同様にして製造できる。あるいは臭化フェニル
マグネシウムを用いて、同様にして式(P16)
合物から前述の(ロ)、(ハ)、(二)、(ホ)等の各
製造方法と同様にして製造できる。あるいは上記方法に
おいて、(ト)の製造方法のように、シクロヘキサン−
1,4−ジオンのモノエチレンアセタールを重水素化し
た後、同様に行っても製造でき、あるいは(ヘ)の製造
方法のように、シクロヘキサン−1,4−ジオンを重水
素化し、これをモノアセタールとしてから同様にしても
製造できる。またR1がアルキル基又はアルコキシアル
キル基である場合には、(イ)の製造方法の如く、4−
置換シクロヘキサノンを重水素化し、これを式(IV)
のウィッティヒ反応剤と2回繰り返して反応させて4−
置換シクロヘキサンエタナールとし、これを上記と同様
に臭化4−アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグネ
シウムと反応させ、以下同様にして製造することができ
る。 [製造例22] 式(22)の化合物の製造方法 製造例21において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、臭化4−フルオロ
フェニルマグネシウムを用いることにより同様にして製
造できる。 [製造例23] 式(23)の化合物の製造方法 製造例21において、1−ブロモ−4−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は実施
例21と同様にして製造できる。あるいは臭化フェニル
マグネシウムを用いて、同様にして式(P16)
【0126】
【化106】 の化合物を得て、製造例5と同様にして製造できる。 [製造例24] 式(24)の化合物の製造方法 製造例21において、4−ブロモ−1−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いる以外は実施例21と同様にして製造できる。 [製造例25] 式(25)の化合物の製造方法 製造例21において、R2がOCH3である化合物を製造
例7と同様にして脱メチル化し、式(P17)
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いる以外は実施例21と同様にして製造できる。 [製造例25] 式(25)の化合物の製造方法 製造例21において、R2がOCH3である化合物を製造
例7と同様にして脱メチル化し、式(P17)
【0127】
【化107】 のフェノール誘導体を得る。この化合物から製造例7と
同様にして製造できる。 [製造例26] 式(26)の化合物の製造方法 式(P16)の化合物から製造例8と同様にして製造で
きる。 [製造例27] 式(27)の化合物の製造方法 式(P17)の化合物から製造例9と同様にして製造で
きる。 [製造例28] 式(28)の化合物の製造方法 製造例21において、4−ブロモ−1,2−ジフルオロ
ベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用いて、
同様にして製造できる。 [製造例29] 式(29)の化合物の製造方法 製造例21において、1−ブロモ−4−クロロ−3−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いて実施例21と同様に製造でき、あるいは1−ブロモ
−3−フルオロベンゼンから得られる式(P18)
同様にして製造できる。 [製造例26] 式(26)の化合物の製造方法 式(P16)の化合物から製造例8と同様にして製造で
きる。 [製造例27] 式(27)の化合物の製造方法 式(P17)の化合物から製造例9と同様にして製造で
きる。 [製造例28] 式(28)の化合物の製造方法 製造例21において、4−ブロモ−1,2−ジフルオロ
ベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用いて、
同様にして製造できる。 [製造例29] 式(29)の化合物の製造方法 製造例21において、1−ブロモ−4−クロロ−3−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いて実施例21と同様に製造でき、あるいは1−ブロモ
−3−フルオロベンゼンから得られる式(P18)
【0128】
【化108】 の中間体を、製造例5と同様に塩素化することによって
も製造できる。 [製造例30] 式(30)の化合物の製造方法 製造例21において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2−
フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例21と
同様にして製造できる。 [製造例31] 式(31)の化合物の製造方法 製造例25において、臭化4−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、4−ブロモ−2−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、式(P1
9)
も製造できる。 [製造例30] 式(30)の化合物の製造方法 製造例21において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2−
フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例21と
同様にして製造できる。 [製造例31] 式(31)の化合物の製造方法 製造例25において、臭化4−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、4−ブロモ−2−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、式(P1
9)
【0129】
【化109】 のフェノール誘導体を得る。次いでこの化合物から製造
例7と同様にして製造できる。 [製造例32] 式(32)の化合物の製造方法 式(P18)の化合物から、式(P20)
例7と同様にして製造できる。 [製造例32] 式(32)の化合物の製造方法 式(P18)の化合物から、式(P20)
【0130】
【化110】 の酸塩化物を得て、以下製造例8と同様にして製造する
ことができる。 [製造例33] 式(33)の化合物の製造方法 1−ブロモ−3,4,5−トリフルオロベンゼンから調
製されるグリニヤール反応剤を用いることにより、製造
例21と同様にして製造できる。 [製造例34] 式(34)の化合物の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例21と同様にして製造できる。あるいは1−ブロモ−
3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤー
ル反応剤を用いて得られる式(P21)
ことができる。 [製造例33] 式(33)の化合物の製造方法 1−ブロモ−3,4,5−トリフルオロベンゼンから調
製されるグリニヤール反応剤を用いることにより、製造
例21と同様にして製造できる。 [製造例34] 式(34)の化合物の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例21と同様にして製造できる。あるいは1−ブロモ−
3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤー
ル反応剤を用いて得られる式(P21)
【0131】
【化111】 の化合物を、製造例5と同様にして塩素化することによ
っても製造できる。 [製造例35] 式(35)の化合物の製造方法 2,6−ジフルオロフェノールを臭素化し、次いでヨウ
化メチル等により4−ブロモ−2,6−ジフルオロアニ
ソールを得る。この化合物から製造例31と同様にして
式(P22)
っても製造できる。 [製造例35] 式(35)の化合物の製造方法 2,6−ジフルオロフェノールを臭素化し、次いでヨウ
化メチル等により4−ブロモ−2,6−ジフルオロアニ
ソールを得る。この化合物から製造例31と同様にして
式(P22)
【0132】
【化112】 の化合物を得ることにより製造できる。 [製造例36] 式(36)の化合物の製造方法 製造例18と同様にして、式(P23)
【0133】
【化113】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式(P
16)の化合物を沃素−過沃素酸により沃素化して、式
(P24)
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式(P
16)の化合物を沃素−過沃素酸により沃素化して、式
(P24)
【0134】
【化114】 のヨードベンゼン誘導体を得て、これをシアン化銅
(I)と反応させても製造できる。 [製造例37] 式(37)の化合物の製造方法 式(P18)あるいは式(P20)の化合物から、製造
例36と同様にして製造できる。 [製造例38] 式(38)の化合物の製造方法 製造例36において、式(P16)の化合物に代えて、
式(P21)の化合物を用いる以外は製造例36と同様
にするか、あるいは式(P21)の化合物をアルキルリ
チウムによりフェニルリチウム誘導体とし、二酸化炭素
と反応させて式(P25)
(I)と反応させても製造できる。 [製造例37] 式(37)の化合物の製造方法 式(P18)あるいは式(P20)の化合物から、製造
例36と同様にして製造できる。 [製造例38] 式(38)の化合物の製造方法 製造例36において、式(P16)の化合物に代えて、
式(P21)の化合物を用いる以外は製造例36と同様
にするか、あるいは式(P21)の化合物をアルキルリ
チウムによりフェニルリチウム誘導体とし、二酸化炭素
と反応させて式(P25)
【0135】
【化115】 の安息香酸誘導体とする。これを塩化チオニル等により
酸塩化物とし、以下、製造例36と同様にして製造する
こともできる。 [製造例39〜40] 式(39)及び(40)の化合
物の製造方法 製造例3において、R1がアルキル基又はアルコキシア
ルキル基であり、R2がアルキル基である式(P26)
酸塩化物とし、以下、製造例36と同様にして製造する
こともできる。 [製造例39〜40] 式(39)及び(40)の化合
物の製造方法 製造例3において、R1がアルキル基又はアルコキシア
ルキル基であり、R2がアルキル基である式(P26)
【0136】
【化116】 の化合物を、金属リチウムあるいは金属ナトリウムによ
り還元することにより、式(39)及び(40)の混合
物が得られる。これらは通常混合物として使用できる
が、必要に応じ単離することも可能である。式(39)
の化合物のみを必要とする場合には以下のようにして製
造できる。2−ブロモ−5−アルキルアニソールから調
製されるグリニヤール反応剤を用い、式(P27)
り還元することにより、式(39)及び(40)の混合
物が得られる。これらは通常混合物として使用できる
が、必要に応じ単離することも可能である。式(39)
の化合物のみを必要とする場合には以下のようにして製
造できる。2−ブロモ−5−アルキルアニソールから調
製されるグリニヤール反応剤を用い、式(P27)
【0137】
【化117】 の化合物を得る。これを脱メチル化し、水素添加して、
式(P28)
式(P28)
【0138】
【化118】 のシクロヘキサノン誘導体を得る。これを水素化アルミ
ニウムリチウムあるいは水素化ホウ素ナトリウムで還元
し、最後に脱水することにより得ることができる。式
(40)の化合物の場合は、5−ブロモ−2−アルキル
アニソールから調製されるグリニヤール反応剤を用いて
同様にして製造できる。 [製造例41〜42] 式(41)及び(42)の化合
物の製造方法 製造例21において、R1がアルキル基又はアルコキシ
アルキル基であり、R2がアルキル基である式(P2
9)
ニウムリチウムあるいは水素化ホウ素ナトリウムで還元
し、最後に脱水することにより得ることができる。式
(40)の化合物の場合は、5−ブロモ−2−アルキル
アニソールから調製されるグリニヤール反応剤を用いて
同様にして製造できる。 [製造例41〜42] 式(41)及び(42)の化合
物の製造方法 製造例21において、R1がアルキル基又はアルコキシ
アルキル基であり、R2がアルキル基である式(P2
9)
【0139】
【化119】 の化合物を金属リチウムあるいは金属ナトリウムにより
還元することにより、式(41)及び(42)の混合物
が得られる。これらは通常混合物として使用できるが、
必要に応じて単離することも可能である。式(41)の
化合物のみを必要とする場合には以下のようにして製造
できる。2−ブロモ−5−アルキルアニソールから調製
されるグリニヤール反応剤を用い、製造例21と同様に
して、式(P30)
還元することにより、式(41)及び(42)の混合物
が得られる。これらは通常混合物として使用できるが、
必要に応じて単離することも可能である。式(41)の
化合物のみを必要とする場合には以下のようにして製造
できる。2−ブロモ−5−アルキルアニソールから調製
されるグリニヤール反応剤を用い、製造例21と同様に
して、式(P30)
【0140】
【化120】 の化合物を得る。これを脱メチル化し、水素添加して、
式(P31)
式(P31)
【0141】
【化121】 のシクロヘキサノン誘導体を得る。これを水素化アルミ
ニウムリチウムあるいは水素化ホウ素ナトリウムで還元
し、最後に脱水することにより得ることができる。式
(42)の化合物の場合は、5−ブロモ−2−アルキル
アニソールから調製されるグリニヤール反応剤を用いて
同様にして製造できる。 [製造例43] 式(43)の化合物の製造方法 式(P3)の化合物を塩基存在下にX−R5(Xは塩
素、臭素、沃素又はp−トルエンスルホニル基等の脱離
基を、R5はアルケニル基を表わす。)と反応させるこ
とにより製造できる。 [製造例44] 式(44)の化合物の製造方法 式(P17)の中間体を用いる以外は製造例43と同様
にして製造できる。 [製造例45] 式(45)の化合物の製造方法 (ロ)、(ハ)、(二)及び(ホ)の各製造方法におい
て、シクロヘキサン−1,4−ジオンのモノアセタール
に代えて、ビシクロヘキサン−4,4’−ジオンのモノ
アセタールを用いることにより、同様にして製造でき
る。あるいはR1がアルキル基又はアルコキシアルキル
基の場合には、式(P3)の化合物を水素添加すること
により得られる式(P32)
ニウムリチウムあるいは水素化ホウ素ナトリウムで還元
し、最後に脱水することにより得ることができる。式
(42)の化合物の場合は、5−ブロモ−2−アルキル
アニソールから調製されるグリニヤール反応剤を用いて
同様にして製造できる。 [製造例43] 式(43)の化合物の製造方法 式(P3)の化合物を塩基存在下にX−R5(Xは塩
素、臭素、沃素又はp−トルエンスルホニル基等の脱離
基を、R5はアルケニル基を表わす。)と反応させるこ
とにより製造できる。 [製造例44] 式(44)の化合物の製造方法 式(P17)の中間体を用いる以外は製造例43と同様
にして製造できる。 [製造例45] 式(45)の化合物の製造方法 (ロ)、(ハ)、(二)及び(ホ)の各製造方法におい
て、シクロヘキサン−1,4−ジオンのモノアセタール
に代えて、ビシクロヘキサン−4,4’−ジオンのモノ
アセタールを用いることにより、同様にして製造でき
る。あるいはR1がアルキル基又はアルコキシアルキル
基の場合には、式(P3)の化合物を水素添加すること
により得られる式(P32)
【0142】
【化122】 のシクロヘキサノン誘導体を用い、以下(イ)と同様に
グリニヤール反応剤と反応させ、脱水、水素添加の後、
必要に応じてシクロヘキサン環のトランス体への異性化
を行うことにより製造できる。 [製造例46] 式(46)の化合物の製造方法 製造例45において、グリニヤール反応剤として、臭化
4−フルオロフェニルマグネシウムを用いる以外は製造
例45と同様にして製造できる。 [製造例47] 式(47)の化合物の製造方法 製造例45において、1−ブロモ−4−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例45と同様にして製造できる。あるいは臭化フェニル
マグネシウムを用いて、同様にして式(P33)
グリニヤール反応剤と反応させ、脱水、水素添加の後、
必要に応じてシクロヘキサン環のトランス体への異性化
を行うことにより製造できる。 [製造例46] 式(46)の化合物の製造方法 製造例45において、グリニヤール反応剤として、臭化
4−フルオロフェニルマグネシウムを用いる以外は製造
例45と同様にして製造できる。 [製造例47] 式(47)の化合物の製造方法 製造例45において、1−ブロモ−4−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例45と同様にして製造できる。あるいは臭化フェニル
マグネシウムを用いて、同様にして式(P33)
【0143】
【化123】 の化合物を得る。これから製造例5と同様にして製造で
きる。 [製造例48] 式(48)の化合物の製造方法 製造例45において、4−ブロモ−1−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いる以外は製造例45と同様にして製造できる。 [製造例49] 式(49)の化合物の製造方法 製造例45において、R2がOCH3の化合物を製造例3
と同様にして脱メチル化して式(P34)
きる。 [製造例48] 式(48)の化合物の製造方法 製造例45において、4−ブロモ−1−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いる以外は製造例45と同様にして製造できる。 [製造例49] 式(49)の化合物の製造方法 製造例45において、R2がOCH3の化合物を製造例3
と同様にして脱メチル化して式(P34)
【0144】
【化124】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例3と同様に
して製造することができる。 [製造例50] 式(50)の化合物の製造方法 製造例45において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反
応剤を用いる以外は製造例45と同様にして製造でき
る。 [製造例51] 式(51)の化合物の製造方法 製造例45において、1−ブロモ−4−クロロ−3−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニャール反応剤を用
いる以外は製造例45と同様にして製造できる。あるい
は1−ブロモ−3−フルオロベンゼンを用いて同様にし
て得られる式(P35)
して製造することができる。 [製造例50] 式(50)の化合物の製造方法 製造例45において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反
応剤を用いる以外は製造例45と同様にして製造でき
る。 [製造例51] 式(51)の化合物の製造方法 製造例45において、1−ブロモ−4−クロロ−3−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニャール反応剤を用
いる以外は製造例45と同様にして製造できる。あるい
は1−ブロモ−3−フルオロベンゼンを用いて同様にし
て得られる式(P35)
【0145】
【化125】 の中間体を、製造例5と同様に塩素化することによって
も製造することができる。 [製造例52] 式(52)の化合物の製造方法 製造例45において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2−
フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例45と
同様にして製造できる。 [製造例53] 式(53)の化合物の製造方法 製造例49において、臭化4−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、4−ブロモ−3−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、同様にして
式(P36)
も製造することができる。 [製造例52] 式(52)の化合物の製造方法 製造例45において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2−
フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例45と
同様にして製造できる。 [製造例53] 式(53)の化合物の製造方法 製造例49において、臭化4−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、4−ブロモ−3−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、同様にして
式(P36)
【0146】
【化126】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例7と同様に
して製造できる。 [製造例54] 式(54)の化合物の製造方法 製造例45において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4,5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いる以外は製造例45と同様にして製造
できる。 [製造例55] 式(55)の化合物の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例45と同様にして製造できる。あるいは1−ブロモ−
3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤー
ル反応剤を用いることにより同様にして得られる式(P
37)
して製造できる。 [製造例54] 式(54)の化合物の製造方法 製造例45において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4,5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いる以外は製造例45と同様にして製造
できる。 [製造例55] 式(55)の化合物の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例45と同様にして製造できる。あるいは1−ブロモ−
3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤー
ル反応剤を用いることにより同様にして得られる式(P
37)
【0147】
【化127】 の化合物を製造例5と同様に塩素化することによっても
製造できる。 [製造例56] 式(56)の化合物の製造方法 製造例17の中間体である4−ブロモ−2,6−ジフル
オロアニソールを用いてグリニャール反応剤を調製し、
以下、製造例53と同様にして製造できる。 [製造例57] 式(57)の化合物の製造方法 式(P33)の中間体から製造例8と同様にして式(P
38)
製造できる。 [製造例56] 式(56)の化合物の製造方法 製造例17の中間体である4−ブロモ−2,6−ジフル
オロアニソールを用いてグリニャール反応剤を調製し、
以下、製造例53と同様にして製造できる。 [製造例57] 式(57)の化合物の製造方法 式(P33)の中間体から製造例8と同様にして式(P
38)
【0148】
【化128】 の酸クロリドを得る。これをアンモニア水と反応させて
式(P39)
式(P39)
【0149】
【化129】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式(P
33)の中間体を沃素−過沃素酸により沃素化して式
(P40)
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式(P
33)の中間体を沃素−過沃素酸により沃素化して式
(P40)
【0150】
【化130】 の化合物を得て、これをシアン化銅(I)と反応させて
も製造できる。 [製造例58] 式(58)の化合物の製造方法 式(P35)の中間体から製造例57と同様にして製造
できる。 [製造例59] 式(59)の化合物の製造方法 製造例57において、式(P33)の化合物に代えて、
式(P37)の化合物を用いて同様に行うか、あるいは
式(P37)の化合物をアルキルリチウムによりフェニ
ルリチウム誘導体とし、二酸化炭素と反応させて式(P
41)
も製造できる。 [製造例58] 式(58)の化合物の製造方法 式(P35)の中間体から製造例57と同様にして製造
できる。 [製造例59] 式(59)の化合物の製造方法 製造例57において、式(P33)の化合物に代えて、
式(P37)の化合物を用いて同様に行うか、あるいは
式(P37)の化合物をアルキルリチウムによりフェニ
ルリチウム誘導体とし、二酸化炭素と反応させて式(P
41)
【0151】
【化131】 の安息香酸誘導体とする。これを塩化チオニル等により
酸塩化物とし、以下製造例57と同様にして製造するこ
ともできる。 [製造例60] 式(60)の化合物の製造方法 前述の(ル)、(ヲ)、(ワ)、(カ)及び(ヨ)の各
製造方法において、グリニャール反応剤として、臭化
3,4−ジフルオロフェニルマグネシウムに代えて、臭
化4−アルキル(あるいはアルコキシ)マグネシウムを
用いることにより同様にして製造できる。 [製造例61] 式(61)の化合物の製造方法 製造例60において、グリニヤール反応剤として、臭化
4−フルオロフェニルマグネシウムを用いる以外は製造
例60と同様にして製造できる。 [製造例62] 式(62)の化合物の製造方法 製造例60において、1−ブロモ−4−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例60と同様にして製造できる。あるいは臭化フェニル
マグネシウムを用いて、同様にして式(P42)
酸塩化物とし、以下製造例57と同様にして製造するこ
ともできる。 [製造例60] 式(60)の化合物の製造方法 前述の(ル)、(ヲ)、(ワ)、(カ)及び(ヨ)の各
製造方法において、グリニャール反応剤として、臭化
3,4−ジフルオロフェニルマグネシウムに代えて、臭
化4−アルキル(あるいはアルコキシ)マグネシウムを
用いることにより同様にして製造できる。 [製造例61] 式(61)の化合物の製造方法 製造例60において、グリニヤール反応剤として、臭化
4−フルオロフェニルマグネシウムを用いる以外は製造
例60と同様にして製造できる。 [製造例62] 式(62)の化合物の製造方法 製造例60において、1−ブロモ−4−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例60と同様にして製造できる。あるいは臭化フェニル
マグネシウムを用いて、同様にして式(P42)
【0152】
【化132】 の化合物を得る。これから製造例5と同様にして製造で
きる。 [製造例63] 式(63)の化合物の製造方法 製造例60において、4−ブロモ−1−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いる以外は製造例60と同様にして製造できる。 [製造例64] 式(64)の化合物の製造方法 製造例60において、R2がOCH3である化合物を製造
例3と同様にして脱メチル化して式(P43)
きる。 [製造例63] 式(63)の化合物の製造方法 製造例60において、4−ブロモ−1−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いる以外は製造例60と同様にして製造できる。 [製造例64] 式(64)の化合物の製造方法 製造例60において、R2がOCH3である化合物を製造
例3と同様にして脱メチル化して式(P43)
【0153】
【化133】 のフェノール誘導体を得ることにより製造することがで
きる。 [製造例65] 式(65)の化合物の製造方法 前述の(ル)、(ヲ)、(ワ)、(カ)及び(ヨ)の各
製造方法に従って製造できる。 [製造例66] 式(66)の化合物の製造方法 製造例60において、1−ブロモ−4−クロロ−3−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いて同様にして製造できる。あるいは1−ブロモ−3−
フルオロベンゼンを用いて同様にして得られる式(P4
4)
きる。 [製造例65] 式(65)の化合物の製造方法 前述の(ル)、(ヲ)、(ワ)、(カ)及び(ヨ)の各
製造方法に従って製造できる。 [製造例66] 式(66)の化合物の製造方法 製造例60において、1−ブロモ−4−クロロ−3−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いて同様にして製造できる。あるいは1−ブロモ−3−
フルオロベンゼンを用いて同様にして得られる式(P4
4)
【0154】
【化134】 の化合物を製造例5と同様にして塩素化することによっ
ても製造することができる。 [製造例67] 式(67)の化合物の製造方法 製造例60において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2−
フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例60と
同様にして製造できる。 [製造例68] 式(68)の化合物の製造方法 製造例64において、臭化4−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、4−ブロモ−2−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例64と同様にして、式(P45)
ても製造することができる。 [製造例67] 式(67)の化合物の製造方法 製造例60において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2−
フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造例60と
同様にして製造できる。 [製造例68] 式(68)の化合物の製造方法 製造例64において、臭化4−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、4−ブロモ−2−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用いる以外は製造
例64と同様にして、式(P45)
【0155】
【化135】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例7と同様に
して製造できる。 [製造例69] 式(69)の化合物の製造方法 製造例60において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4,5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いることにより同様にして製造できる。 [製造例70] 式(70)の化合物の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例60と同様にして製造できる。あるいは1−
ブロモ−3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤を用いることにより同様にして得られ
る式(P46)
して製造できる。 [製造例69] 式(69)の化合物の製造方法 製造例60において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4,5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いることにより同様にして製造できる。 [製造例70] 式(70)の化合物の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例60と同様にして製造できる。あるいは1−
ブロモ−3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤を用いることにより同様にして得られ
る式(P46)
【0156】
【化136】 の化合物を製造例5と同様に塩素化することによっても
製造できる。 [製造例71] 式(71)の化合物の製造方法 製造例17の中間体である4−ブロモ−2,6−ジフル
オロアニソールを用い、以下、製造例68と同様にして
製造できる。 [製造例72] 式(72)の化合物の製造方法 式(P42)の中間体から製造例8と同様にして式(P
47)
製造できる。 [製造例71] 式(71)の化合物の製造方法 製造例17の中間体である4−ブロモ−2,6−ジフル
オロアニソールを用い、以下、製造例68と同様にして
製造できる。 [製造例72] 式(72)の化合物の製造方法 式(P42)の中間体から製造例8と同様にして式(P
47)
【0157】
【化137】 の酸クロリドを得る。これをアンモニア水と反応させて
式(P48)
式(P48)
【0158】
【化138】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式(P
42)の中間体を沃素−過沃素酸により沃素化し式(P
49)
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式(P
42)の中間体を沃素−過沃素酸により沃素化し式(P
49)
【0159】
【化139】 の化合物を得て、これをシアン化銅(I)と反応させて
も製造できる。 [製造例73] 式(73)の化合物の製造方法 式(P44)の化合物から製造例72と同様にして製造
できる。 [製造例74] 式(74)の化合物の製造方法 製造例72において、式(P42)の化合物に代えて、
式(P44)の化合物を用いて同様に行うか、あるいは
式(P46)の化合物から製造例59と同様にして、式
(P50)
も製造できる。 [製造例73] 式(73)の化合物の製造方法 式(P44)の化合物から製造例72と同様にして製造
できる。 [製造例74] 式(74)の化合物の製造方法 製造例72において、式(P42)の化合物に代えて、
式(P44)の化合物を用いて同様に行うか、あるいは
式(P46)の化合物から製造例59と同様にして、式
(P50)
【0160】
【化140】 の安息香酸誘導体を得て製造することもできる。 [製造例75] 式(75)の化合物の製造方法 前述の(ル)〜(ヨ)の各製造方法において、4−(4
−置換シクロヘキシル)シクロヘキサノンとして、重水
素原子(D)を有する式(P51)
−置換シクロヘキシル)シクロヘキサノンとして、重水
素原子(D)を有する式(P51)
【0161】
【化141】 の化合物を用い、臭化3,4−ジフルオロフェニルマグ
ネシウムに代えて、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムから調製されるグリニャール
反応剤を用いることにより製造できる。あるいは式(P
51)の化合物に代えて、式(P32)の化合物を反応
させて、次いで前述の(チ)〜(ヲ)の各製造方法に従
って製造することもできる。あるいは重水素原子を有す
るビシクロヘキサン−4,4’−ジオンのモノエチレン
アセタールである式(P52)
ネシウムに代えて、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムから調製されるグリニャール
反応剤を用いることにより製造できる。あるいは式(P
51)の化合物に代えて、式(P32)の化合物を反応
させて、次いで前述の(チ)〜(ヲ)の各製造方法に従
って製造することもできる。あるいは重水素原子を有す
るビシクロヘキサン−4,4’−ジオンのモノエチレン
アセタールである式(P52)
【0162】
【化142】 の化合物を反応させ、以下製造例45と同様にして製造
できる。あるいは式(P52)の化合物に代えて、式
(P53)
できる。あるいは式(P52)の化合物に代えて、式
(P53)
【0163】
【化143】 の化合物を反応させ、同様にして得られる式(P54)
【0164】
【化144】 のシクロヘキサノン誘導体から、前述の(ロ)〜(ト)
の各製造方法と同様にして製造できる。ここで式(P5
1)の化合物は式(P32)の化合物の重水素化によっ
て得ることができる。式(P52)の化合物はビシクロ
ヘキサン−4,4’−ジオンを重水素化した後、モノア
セタール化することにより得ることができる。式(P5
3)の化合物はビシクロヘキサン−4,4−ジオンのモ
ノエチレンアセタールを重水素化して得ることができ
る。 [製造例76] 式(76)の化合物の製造方法 製造例75において、グリニヤール反応剤として、臭化
4−フルオロフェニルマグネシウムを用いることにより
同様にして製造できる。 [製造例77] 式(77)の化合物の製造方法 製造例75において、1−ブロモ−4−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることにより
同様にして製造できる。あるいは臭化フェニルマグネシ
ウムを用いて、同様にして式(P55)
の各製造方法と同様にして製造できる。ここで式(P5
1)の化合物は式(P32)の化合物の重水素化によっ
て得ることができる。式(P52)の化合物はビシクロ
ヘキサン−4,4’−ジオンを重水素化した後、モノア
セタール化することにより得ることができる。式(P5
3)の化合物はビシクロヘキサン−4,4−ジオンのモ
ノエチレンアセタールを重水素化して得ることができ
る。 [製造例76] 式(76)の化合物の製造方法 製造例75において、グリニヤール反応剤として、臭化
4−フルオロフェニルマグネシウムを用いることにより
同様にして製造できる。 [製造例77] 式(77)の化合物の製造方法 製造例75において、1−ブロモ−4−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることにより
同様にして製造できる。あるいは臭化フェニルマグネシ
ウムを用いて、同様にして式(P55)
【0165】
【化145】 の化合物を得る。これから製造例5と同様にして製造で
きる。 [製造例78] 式(78)の化合物の製造方法 製造例75において、4−ブロモ−1−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いることにより同様にして製造できる。 [製造例79] 式(79)の化合物の製造方法 製造例75において、R2がOCH3である化合物を前述
の(イ)〜(ヌ)と同様にして脱メチル化して、式(P
56)
きる。 [製造例78] 式(78)の化合物の製造方法 製造例75において、4−ブロモ−1−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いることにより同様にして製造できる。 [製造例79] 式(79)の化合物の製造方法 製造例75において、R2がOCH3である化合物を前述
の(イ)〜(ヌ)と同様にして脱メチル化して、式(P
56)
【0166】
【化146】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例3と同様に
して製造できる。 [製造例80] 式(80)の化合物の製造方法 製造例75において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反
応剤を用いる以外は製造例75と同様にして製造でき
る。 [製造例81] 式(81)の化合物の製造方法 製造例75において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−4−
クロロ−3−フルオロベンゼンを用いて同様にして製造
できる。あるいは1−ブロモ−3−フルオロベンゼンを
用いて同様にして得られる式(P57)
して製造できる。 [製造例80] 式(80)の化合物の製造方法 製造例75において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反
応剤を用いる以外は製造例75と同様にして製造でき
る。 [製造例81] 式(81)の化合物の製造方法 製造例75において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−4−
クロロ−3−フルオロベンゼンを用いて同様にして製造
できる。あるいは1−ブロモ−3−フルオロベンゼンを
用いて同様にして得られる式(P57)
【0167】
【化147】 の中間体を製造例5と同様に塩素化することによっても
製造できる。 [製造例82] 式(82)の化合物の製造方法 製造例75において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2−
フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いることにより同様にし
て製造できる。 [製造例83] 式(83)の化合物の製造方法 製造例79において、臭化4−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、4−ブロモ−2−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、同様にして
式(P58)
製造できる。 [製造例82] 式(82)の化合物の製造方法 製造例75において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2−
フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いることにより同様にし
て製造できる。 [製造例83] 式(83)の化合物の製造方法 製造例79において、臭化4−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、4−ブロモ−2−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、同様にして
式(P58)
【0168】
【化148】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例7と同様に
して製造できる。 [製造例84] 式(84)の化合物の製造方法 製造例75において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4,5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いることにより同様にして製造できる。 [製造例85] 式(85)の化合物の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例75と同様にして製造できる。あるいは1−
ブロモ−3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤を用いることにより同様にして得られ
る式(P59)
して製造できる。 [製造例84] 式(84)の化合物の製造方法 製造例75において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4,5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いることにより同様にして製造できる。 [製造例85] 式(85)の化合物の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例75と同様にして製造できる。あるいは1−
ブロモ−3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤を用いることにより同様にして得られ
る式(P59)
【0169】
【化149】 の化合物を製造例5と同様に塩素化することによっても
製造できる。 [製造例86] 式(86)の化合物の製造方法 製造例17の中間体である4−ブロモ−2,6−ジフル
オロアニソールを用い、以下、製造例83と同様にして
製造できる。 [製造例87] 式(87)の化合物の製造方法 式(P55)の中間体から製造例8と同様にして式(P
60)
製造できる。 [製造例86] 式(86)の化合物の製造方法 製造例17の中間体である4−ブロモ−2,6−ジフル
オロアニソールを用い、以下、製造例83と同様にして
製造できる。 [製造例87] 式(87)の化合物の製造方法 式(P55)の中間体から製造例8と同様にして式(P
60)
【0170】
【化150】 の酸クロリドを得る。これをアンモニア水と反応させて
式(P61)
式(P61)
【0171】
【化151】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式(P
55)の中間体を沃素−過沃素酸により沃素化して式
(P62)
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式(P
55)の中間体を沃素−過沃素酸により沃素化して式
(P62)
【0172】
【化152】 の化合物を得て、これをシアン化銅(I)と反応させて
も製造できる。 [製造例88] 式(88)の化合物の製造方法 式(P57)の化合物から製造例87と同様にして製造
できる。 [製造例89] 式(89)の化合物の製造方法 製造例87において、式(P55)の化合物に代えて、
式(P59)の化合物を用いて同様に行うか、あるいは
式(P59)の化合物をアルキルリチウムによりフェニ
ルリチウム誘導体とし、二酸化炭素と反応させて式(P
64)
も製造できる。 [製造例88] 式(88)の化合物の製造方法 式(P57)の化合物から製造例87と同様にして製造
できる。 [製造例89] 式(89)の化合物の製造方法 製造例87において、式(P55)の化合物に代えて、
式(P59)の化合物を用いて同様に行うか、あるいは
式(P59)の化合物をアルキルリチウムによりフェニ
ルリチウム誘導体とし、二酸化炭素と反応させて式(P
64)
【0173】
【化153】 の安息香酸誘導体とする。これを塩化チオニル等により
酸塩化物とし、以下製造例87と同様にして製造するこ
ともできる。 [製造例90] 式(90)の化合物の製造方法 式(P65)
酸塩化物とし、以下製造例87と同様にして製造するこ
ともできる。 [製造例90] 式(90)の化合物の製造方法 式(P65)
【0174】
【化154】 の重水素化されたビシクロヘキサンエタナール誘導体
に、臭化4−アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグ
ネシウムを反応させ、次いで脱水、水素添加して製造で
きる。式(P65)の化合物は4−(4−置換シクロヘ
キシル)シクロヘキサノンを重水素化し、式(IV)の
ウィッティヒ反応剤と反応させ、必要に応じて再度重水
素化した後、更に式(IV)の化合物と再度反応させて
得ることができる。 [製造例91] 式(91)の化合物の製造方法 製造例90において、グリニヤール反応剤として、臭化
4−フルオロフェニルマグネシウムを用いることにより
同様にして製造できる。 [製造例92] 式(92)の化合物の製造方法 製造例90において、1−ブロモ−4−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることにより
同様にして製造できる。あるいは臭化フェニルマグネシ
ウムを用いて、同様にして式(P66)
に、臭化4−アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグ
ネシウムを反応させ、次いで脱水、水素添加して製造で
きる。式(P65)の化合物は4−(4−置換シクロヘ
キシル)シクロヘキサノンを重水素化し、式(IV)の
ウィッティヒ反応剤と反応させ、必要に応じて再度重水
素化した後、更に式(IV)の化合物と再度反応させて
得ることができる。 [製造例91] 式(91)の化合物の製造方法 製造例90において、グリニヤール反応剤として、臭化
4−フルオロフェニルマグネシウムを用いることにより
同様にして製造できる。 [製造例92] 式(92)の化合物の製造方法 製造例90において、1−ブロモ−4−クロロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることにより
同様にして製造できる。あるいは臭化フェニルマグネシ
ウムを用いて、同様にして式(P66)
【0175】
【化155】 の化合物を得る。これから製造例5と同様にして製造で
きる。 [製造例93] 式(93)の化合物の製造方法 製造例90において、4−ブロモ−1−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いることにより同様にして製造できる。 [製造例94] 式(94)の化合物の製造方法 製造例90において、R2がOCH3である化合物を製造
例3と同様にして脱メチル化して式(P67)
きる。 [製造例93] 式(93)の化合物の製造方法 製造例90において、4−ブロモ−1−トリフルオロメ
トキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いることにより同様にして製造できる。 [製造例94] 式(94)の化合物の製造方法 製造例90において、R2がOCH3である化合物を製造
例3と同様にして脱メチル化して式(P67)
【0176】
【化156】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例3と同様に
して製造することができる。 [製造例95] 式(95)の化合物の製造方法 製造例90において、1−ブロモ−3,4−ジフルオロ
ベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用いるこ
とにより同様にして製造できる。 [製造例96] 式(96)の化合物の製造方法 製造例90において、1−ブロモ−4−クロロ−3−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いて同様にして製造できる。あるいは1−ブロモ−3−
フルオロベンゼンを用いて同様にして得られる式(P6
8)
して製造することができる。 [製造例95] 式(95)の化合物の製造方法 製造例90において、1−ブロモ−3,4−ジフルオロ
ベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用いるこ
とにより同様にして製造できる。 [製造例96] 式(96)の化合物の製造方法 製造例90において、1−ブロモ−4−クロロ−3−フ
ルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用
いて同様にして製造できる。あるいは1−ブロモ−3−
フルオロベンゼンを用いて同様にして得られる式(P6
8)
【0177】
【化157】 の化合物を製造例5と同様にして塩素化することによっ
ても製造できる。 [製造例97] 式(97)の化合物の製造方法 製造例90において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−3−
フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いることにより同様にし
て製造できる。 [製造例98] 式(98)の化合物の製造方法 製造例94において、臭化4−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、4−ブロモ−2−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、同様にして
式(P69)
ても製造できる。 [製造例97] 式(97)の化合物の製造方法 製造例90において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−3−
フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製
されるグリニヤール反応剤を用いることにより同様にし
て製造できる。 [製造例98] 式(98)の化合物の製造方法 製造例94において、臭化4−メトキシフェニルマグネ
シウムに代えて、4−ブロモ−2−フルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、同様にして
式(P69)
【0178】
【化158】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例7と同様に
して製造できる。 [製造例99] 式(99)の化合物の製造方法 製造例90において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4,5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いることにより同様にして製造できる。 [製造例100] 式(100)の化合物の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例90と同様にして製造できる。あるいは1−
ブロモ−3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤を用いることにより同様にして得られ
る式(P70)
して製造できる。 [製造例99] 式(99)の化合物の製造方法 製造例90において、臭化4−アルキル(又はアルコキ
シ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−3,
4,5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤ
ール反応剤を用いることにより同様にして製造できる。 [製造例100] 式(100)の化合物の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例90と同様にして製造できる。あるいは1−
ブロモ−3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグ
リニヤール反応剤を用いることにより同様にして得られ
る式(P70)
【0179】
【化159】 の化合物を製造例5と同様に塩素化することによっても
製造できる。 [製造例101] 式(101)の化合物の製造方法 製造例17の中間体である4−ブロモ−2,6−ジフル
オロアニソールを用い、以下、製造例98と同様にして
製造できる。 [製造例102] 式(102)の化合物の製造方法 式(P66)の化合物から製造例8と同様にして式(P
71)
製造できる。 [製造例101] 式(101)の化合物の製造方法 製造例17の中間体である4−ブロモ−2,6−ジフル
オロアニソールを用い、以下、製造例98と同様にして
製造できる。 [製造例102] 式(102)の化合物の製造方法 式(P66)の化合物から製造例8と同様にして式(P
71)
【0180】
【化160】 の酸クロリドを得る。これをアンモニア水と反応させて
式(P72)
式(P72)
【0181】
【化161】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式(P
66)の化合物を沃素−過沃素酸により沃素化し式(P
73)
てシアノ化することにより製造できる。あるいは式(P
66)の化合物を沃素−過沃素酸により沃素化し式(P
73)
【0182】
【化162】 の化合物を得て、これをシアン化銅(I)と反応させて
も製造できる。 [製造例103] 式(103)の化合物の製造方法 式(P68)の化合物から製造例102と同様にして製
造できる。 [製造例104] 式(104)の化合物の製造方法 製造例102において、式(P66)の化合物に代え
て、式(P70)の化合物を用いて同様に行うか、ある
いは式(P70)の化合物から製造例56と同様にし
て、式(P74)
も製造できる。 [製造例103] 式(103)の化合物の製造方法 式(P68)の化合物から製造例102と同様にして製
造できる。 [製造例104] 式(104)の化合物の製造方法 製造例102において、式(P66)の化合物に代え
て、式(P70)の化合物を用いて同様に行うか、ある
いは式(P70)の化合物から製造例56と同様にし
て、式(P74)
【0183】
【化163】 の安息香酸誘導体とする。これを塩化チオニル等により
酸塩化物とし、以下製造例102と同様にして製造する
こともできる。 [製造例105〜119] 式(105)〜(119)
の化合物の製造方法 製造例60〜製造例74において、中間体として、4−
(4−置換シクロヘキシル)シクロヘキサノンに代え
て、式(P75)
酸塩化物とし、以下製造例102と同様にして製造する
こともできる。 [製造例105〜119] 式(105)〜(119)
の化合物の製造方法 製造例60〜製造例74において、中間体として、4−
(4−置換シクロヘキシル)シクロヘキサノンに代え
て、式(P75)
【0184】
【化164】 の4−[2−(4−置換シクロヘキシル)エチル]シク
ロヘキサノンを用いることによりそれぞれ対応する式
(105)〜(119)の化合物を製造できる。 [製造例120] 式(120)の化合物の製造方法 式(P10)の化合物と2−メチル−3−ブチン−2−
オールとを、塩化パラジウム等の触媒存在下に反応さ
せ、次いで加熱下に塩基で処理することにより、式(P
76)
ロヘキサノンを用いることによりそれぞれ対応する式
(105)〜(119)の化合物を製造できる。 [製造例120] 式(120)の化合物の製造方法 式(P10)の化合物と2−メチル−3−ブチン−2−
オールとを、塩化パラジウム等の触媒存在下に反応さ
せ、次いで加熱下に塩基で処理することにより、式(P
76)
【0185】
【化165】 のフェニルアセチレン誘導体が得られる。これを臭化4
−アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグネシウムと
触媒存在下に反応させることにより、製造することがで
きる。 [製造例121] 式(121)の化合物の製造方法 製造例120において、グリニヤール反応剤として、臭
化4−フルオロフェニルマグネシウムを用いることによ
り同様にして製造できる。 [製造例122] 式(122)の化合物の製造方法 製造例120において、1−ブロモ−4−クロロベンゼ
ンから調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り同様にして製造できる。あるいは臭化フェニルマグネ
シウムを用いて、同様にして式(P77)
−アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグネシウムと
触媒存在下に反応させることにより、製造することがで
きる。 [製造例121] 式(121)の化合物の製造方法 製造例120において、グリニヤール反応剤として、臭
化4−フルオロフェニルマグネシウムを用いることによ
り同様にして製造できる。 [製造例122] 式(122)の化合物の製造方法 製造例120において、1−ブロモ−4−クロロベンゼ
ンから調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り同様にして製造できる。あるいは臭化フェニルマグネ
シウムを用いて、同様にして式(P77)
【0186】
【化166】 の化合物を得る。これを製造例5と同様に、ニトロ化
し、還元してアニリン誘導体とした後、ジアゾニウム塩
を経て製造できる。 [製造例123] 式(123)の化合物の製造方法 製造例120において、4−ブロモ−1−トリフルオロ
メトキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を
用いることにより同様にして製造できる。 [製造例124] 式(124)の化合物の製造方法 製造例120において、R2がOCH3である化合物を製
造例3と同様にして脱メチル化して式(P78)
し、還元してアニリン誘導体とした後、ジアゾニウム塩
を経て製造できる。 [製造例123] 式(123)の化合物の製造方法 製造例120において、4−ブロモ−1−トリフルオロ
メトキシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を
用いることにより同様にして製造できる。 [製造例124] 式(124)の化合物の製造方法 製造例120において、R2がOCH3である化合物を製
造例3と同様にして脱メチル化して式(P78)
【0187】
【化167】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例3と同様に
して製造することができる。 [製造例125] 式(125)の化合物の製造方法 製造例120において、1−ブロモ−3,4−ジフルオ
ロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用いる
ことにより同様にして製造できる。 [製造例126] 式(126)の化合物の製造方法 製造例120において、1−ブロモ−4−クロロ−3−
フルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を
用いて同様にして製造できる。あるいは1−ブロモ−3
−フルオロベンゼンを用いて同様にして得られる式(P
79)
して製造することができる。 [製造例125] 式(125)の化合物の製造方法 製造例120において、1−ブロモ−3,4−ジフルオ
ロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用いる
ことにより同様にして製造できる。 [製造例126] 式(126)の化合物の製造方法 製造例120において、1−ブロモ−4−クロロ−3−
フルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を
用いて同様にして製造できる。あるいは1−ブロモ−3
−フルオロベンゼンを用いて同様にして得られる式(P
79)
【0188】
【化168】 の化合物を製造例5と同様に塩素化することによっても
製造できる。 [製造例127] 式(127)の化合物の製造方法 製造例120において、臭化4−アルキル(又はアルコ
キシ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2
−フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調
製されるグリニヤール反応剤を用いることにより同様に
して製造できる。 [製造例128] 式(128)の化合物の製造方法 製造例124において、臭化4−メトキシフェニルマグ
ネシウムに代えて、4−ブロモ−2−フルオロアニソー
ルから調製されるグリニヤール反応剤を用い、同様にし
て式(P80)
製造できる。 [製造例127] 式(127)の化合物の製造方法 製造例120において、臭化4−アルキル(又はアルコ
キシ)フェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2
−フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼンから調
製されるグリニヤール反応剤を用いることにより同様に
して製造できる。 [製造例128] 式(128)の化合物の製造方法 製造例124において、臭化4−メトキシフェニルマグ
ネシウムに代えて、4−ブロモ−2−フルオロアニソー
ルから調製されるグリニヤール反応剤を用い、同様にし
て式(P80)
【0189】
【化169】 のフェノール誘導体を得る。これから製造例7と同様に
して製造できる。 [製造例129] 式(129)の化合物の製造方法 製造例120において、臭化4−アルキル(又はアルコ
キシ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−
3,4,5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリ
ニヤール反応剤を用いることにより同様にして製造でき
る。 [製造例130] 式(130)の化合物の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例120と同様にして製造できる。あるいは1
−ブロモ−3,5−ジフルオロベンゼンから調製される
グリニヤール反応剤を用いることにより同様にして得ら
れる式(P81)
して製造できる。 [製造例129] 式(129)の化合物の製造方法 製造例120において、臭化4−アルキル(又はアルコ
キシ)フェニルマグネシウムに代えて、1−ブロモ−
3,4,5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリ
ニヤール反応剤を用いることにより同様にして製造でき
る。 [製造例130] 式(130)の化合物の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例120と同様にして製造できる。あるいは1
−ブロモ−3,5−ジフルオロベンゼンから調製される
グリニヤール反応剤を用いることにより同様にして得ら
れる式(P81)
【0190】
【化170】 の化合物を製造例5と同様に塩素化することによっても
製造できる。
製造できる。
【0191】[製造例131] 式(131)の化合物
の製造方法 製造例128において、4−ブロモ−2,6−ジフルオ
ロアニソールから調製されるグリニヤール反応剤を用い
ることにより同様にして製造できる。 [製造例132] 式(132)の化合物の製造方法 式(P77)の化合物から製造例8と同様にして式(P
82)
の製造方法 製造例128において、4−ブロモ−2,6−ジフルオ
ロアニソールから調製されるグリニヤール反応剤を用い
ることにより同様にして製造できる。 [製造例132] 式(132)の化合物の製造方法 式(P77)の化合物から製造例8と同様にして式(P
82)
【0192】
【化171】 の酸クロリドを得る。これをアンモニア水と反応させて
式(P83)
式(P83)
【0193】
【化172】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。
てシアノ化することにより製造できる。
【0194】[製造例133] 式(133)の化合物
の製造方法 式(P79)の化合物から製造例132と同様にして製
造できる。 [製造例134] 式(134)の化合物の製造方法 製造例132において、式(P77)の中間体に代え
て、式(P81)の化合物を用いて同様に行うか、ある
いは式(P81)の化合物から製造例57と同様にし
て、式(P84)
の製造方法 式(P79)の化合物から製造例132と同様にして製
造できる。 [製造例134] 式(134)の化合物の製造方法 製造例132において、式(P77)の中間体に代え
て、式(P81)の化合物を用いて同様に行うか、ある
いは式(P81)の化合物から製造例57と同様にし
て、式(P84)
【0195】
【化173】 の安息香酸誘導体を用いて製造することもできる。
【0196】[製造例135] 式(135)の化合物
の製造方法 (a) 式(P10)の化合物と臭化4−アルキル(又
はアルコキシ)フェニルマグネシウムとを、パラジウム
系あるいはニッケル系触媒の存在下に反応させることに
より製造することができる。
の製造方法 (a) 式(P10)の化合物と臭化4−アルキル(又
はアルコキシ)フェニルマグネシウムとを、パラジウム
系あるいはニッケル系触媒の存在下に反応させることに
より製造することができる。
【0197】(b) 式(P32)の化合物を臭化4−
アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグネシウムと反
応させ、脱水して得られた式(P85)
アルキル(又はアルコキシ)フェニルマグネシウムと反
応させ、脱水して得られた式(P85)
【0198】
【化174】 のシクロヘキセン誘導体を、クロラニルあるいはDDQ
(ジクロロジシアノベンゾキノン)等により酸化的に脱
水素することによっても製造できる。 (c) 式(P86)
(ジクロロジシアノベンゾキノン)等により酸化的に脱
水素することによっても製造できる。 (c) 式(P86)
【0199】
【化175】
【0200】の4’−ブロモ−4−アルキル(又はアル
コキシ)ビフェニルから調製されるグリニヤール反応剤
を用い、前述の(イ)〜(ヌ)の各製造方法に従って製
造できる。ここで式(P86)の化合物は、4−アルキ
ル(又はアルコキシ)ビフェニルを直接臭素化するか、
あるいは臭化4−アルキル(又はアルコキシ)フェニル
マグネシウムをパラジウム系あるいはニッケル系触媒の
存在下に、4−ブロモ−1−ヨードベンゼンと反応させ
ることにより得ることができる。 [製造例136] 式(136)の化合物の製造方法 製造例135の(a)、(b)において、グリニヤール
反応剤として、臭化4−フルオロフェニルマグネシウム
を用いることにより同様にして製造できる。あるいはこ
のグリニヤール反応剤と4−ブロモ−1−ヨードベンゼ
ンから得られる4−ブロモ−4’−フルオロビフェニル
を用い、(c)に従っても製造できる。
コキシ)ビフェニルから調製されるグリニヤール反応剤
を用い、前述の(イ)〜(ヌ)の各製造方法に従って製
造できる。ここで式(P86)の化合物は、4−アルキ
ル(又はアルコキシ)ビフェニルを直接臭素化するか、
あるいは臭化4−アルキル(又はアルコキシ)フェニル
マグネシウムをパラジウム系あるいはニッケル系触媒の
存在下に、4−ブロモ−1−ヨードベンゼンと反応させ
ることにより得ることができる。 [製造例136] 式(136)の化合物の製造方法 製造例135の(a)、(b)において、グリニヤール
反応剤として、臭化4−フルオロフェニルマグネシウム
を用いることにより同様にして製造できる。あるいはこ
のグリニヤール反応剤と4−ブロモ−1−ヨードベンゼ
ンから得られる4−ブロモ−4’−フルオロビフェニル
を用い、(c)に従っても製造できる。
【0201】[製造例137] 式(137)の化合物
の製造方法 製造例135の(a)、(b)において、1−ブロモ−
4−クロロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤
を用いることにより同様にして製造できる。あるいは臭
化フェニルマグネシウムを用いて同様にするか、あるい
は4−ブロモビフェニルから(c)に従って、式(P8
7)
の製造方法 製造例135の(a)、(b)において、1−ブロモ−
4−クロロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤
を用いることにより同様にして製造できる。あるいは臭
化フェニルマグネシウムを用いて同様にするか、あるい
は4−ブロモビフェニルから(c)に従って、式(P8
7)
【0202】
【化176】 の化合物を得る。これを製造例5と同様にニトロ化し、
還元してアニリン誘導体とした後、ジアゾニウム塩を得
て製造できる。 [製造例138] 式(138)の化合物の製造方法 製造例135の(a)、(b)において、4−ブロモ−
1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製されるグリ
ニヤール反応剤を用いることにより同様にして製造でき
る。あるいはこのグリニヤール反応剤と4−ブロモ−1
−ヨードベンゼンから得られる4’−ブロモ−4−トリ
フルオロメトキシビフェニルを用い、(c)に従っても
製造できる。
還元してアニリン誘導体とした後、ジアゾニウム塩を得
て製造できる。 [製造例138] 式(138)の化合物の製造方法 製造例135の(a)、(b)において、4−ブロモ−
1−トリフルオロメトキシベンゼンから調製されるグリ
ニヤール反応剤を用いることにより同様にして製造でき
る。あるいはこのグリニヤール反応剤と4−ブロモ−1
−ヨードベンゼンから得られる4’−ブロモ−4−トリ
フルオロメトキシビフェニルを用い、(c)に従っても
製造できる。
【0203】[製造例139] 式(139)の化合物
の製造方法 製造例135において、R2がOCH3である化合物を製
造例3と同様にして脱メチル化して式(P88)
の製造方法 製造例135において、R2がOCH3である化合物を製
造例3と同様にして脱メチル化して式(P88)
【0204】
【化177】 のビフェノール誘導体を得る。これから製造例3と同様
にして製造することができる。 [製造例140] 式(140)の化合物の製造方法 製造例135の(a)、(b)において、1−ブロモ−
3,4−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤー
ル反応剤を用いることにより同様にして製造できる。あ
るいはこのグリニヤール反応剤と4−ブロモ−1−ヨー
ドベンゼンから得られる4−ブロモ−3’,4’−ジフ
ルオロビフェニルを用い、(c)に従っても製造でき
る。
にして製造することができる。 [製造例140] 式(140)の化合物の製造方法 製造例135の(a)、(b)において、1−ブロモ−
3,4−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤー
ル反応剤を用いることにより同様にして製造できる。あ
るいはこのグリニヤール反応剤と4−ブロモ−1−ヨー
ドベンゼンから得られる4−ブロモ−3’,4’−ジフ
ルオロビフェニルを用い、(c)に従っても製造でき
る。
【0205】[製造例141] 式(141)の化合物
の製造方法 製造例135の(a)、(b)において1−ブロモ−4
−クロロ−3−フルオロベンゼンから調製されるグリニ
ヤール反応剤を用いて同様にして製造できる。あるいは
1−ブロモ−3−フルオロベンゼンを用いて同様にして
得られる式(P89)
の製造方法 製造例135の(a)、(b)において1−ブロモ−4
−クロロ−3−フルオロベンゼンから調製されるグリニ
ヤール反応剤を用いて同様にして製造できる。あるいは
1−ブロモ−3−フルオロベンゼンを用いて同様にして
得られる式(P89)
【0206】
【化178】 の化合物を製造例5と同様に塩素化することによっても
製造できる。式(P89)の化合物はあるいは4−ブロ
モ−3’−フルオロビフェニルから(c)に従っても得
ることができる。 [製造例142] 式(142)の化合物の製造方法 製造例135の(a)、(b)において、臭化4−アル
キル(又はアルコキシ)フェニルマグネシウムに代え
て、4−ブロモ−2−フルオロ−1−トリフルオロメト
キシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用い
ることにより同様にして製造できる。あるいはこのグリ
ニヤール反応剤と4−ブロモ−1−ヨードベンゼンから
得られる4’−ブロモ−3−フルオロ−4−トリフルオ
ロメトキシビフェニルを用い、(c)に従っても製造で
きる。
製造できる。式(P89)の化合物はあるいは4−ブロ
モ−3’−フルオロビフェニルから(c)に従っても得
ることができる。 [製造例142] 式(142)の化合物の製造方法 製造例135の(a)、(b)において、臭化4−アル
キル(又はアルコキシ)フェニルマグネシウムに代え
て、4−ブロモ−2−フルオロ−1−トリフルオロメト
キシベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を用い
ることにより同様にして製造できる。あるいはこのグリ
ニヤール反応剤と4−ブロモ−1−ヨードベンゼンから
得られる4’−ブロモ−3−フルオロ−4−トリフルオ
ロメトキシビフェニルを用い、(c)に従っても製造で
きる。
【0207】[製造例143] 式(143)の化合物
の製造方法 製造例139の(a)、(b)において、臭化4−メト
キシフェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2−
フルオロアニソールから調製されるグリニヤール反応剤
を用い、同様にしてフェノール誘導体である式(P9
0)
の製造方法 製造例139の(a)、(b)において、臭化4−メト
キシフェニルマグネシウムに代えて、4−ブロモ−2−
フルオロアニソールから調製されるグリニヤール反応剤
を用い、同様にしてフェノール誘導体である式(P9
0)
【0208】
【化179】 の中間体を得る。これから製造例7と同様にして製造で
きる。あるいは式(P90)の化合物はこのグリニヤー
ル反応剤と4−ブロモ−1−ヨードベンゼンから得られ
る4’−ブロモ−3−フルオロ−4−メトキシビフェニ
ルを用い、(c)に従い、次いで脱メチル化しても得る
ことができる。 [製造例144] 式(144)の化合物の製造方法 製造例135の(a)、(b)において、臭化4−アル
キル(又はアルコキシ)フェニルマグネシウムに代え
て、1−ブロモ−3,4,5−トリフルオロベンゼンか
ら調製されるグリニヤール反応剤を用いることにより同
様にして製造できる。あるいはこのグリニヤール反応剤
と4−ブロモ−1−ヨードベンゼンから得られる4’−
ブロモ−3,4,5−トリフルオロビフェニルを用い、
(c)に従っても製造できる。
きる。あるいは式(P90)の化合物はこのグリニヤー
ル反応剤と4−ブロモ−1−ヨードベンゼンから得られ
る4’−ブロモ−3−フルオロ−4−メトキシビフェニ
ルを用い、(c)に従い、次いで脱メチル化しても得る
ことができる。 [製造例144] 式(144)の化合物の製造方法 製造例135の(a)、(b)において、臭化4−アル
キル(又はアルコキシ)フェニルマグネシウムに代え
て、1−ブロモ−3,4,5−トリフルオロベンゼンか
ら調製されるグリニヤール反応剤を用いることにより同
様にして製造できる。あるいはこのグリニヤール反応剤
と4−ブロモ−1−ヨードベンゼンから得られる4’−
ブロモ−3,4,5−トリフルオロビフェニルを用い、
(c)に従っても製造できる。
【0209】[製造例145] 式(145)の化合物
の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例135の(a)、(b)と同様にして製造で
きる。あるいはこのグリニヤール反応剤と4−ブロモ−
1−ヨードベンゼンから得られる4’−ブロモ−4−ク
ロロ−3,5−ジフルオロビフェニルを用い、(c)に
従っても製造できる。あるいは1−ブロモ−3,5−ジ
フルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を
用いることにより(a)、(b)に従って得られる式
(P91)
の製造方法 1−ブロモ−4−クロロ−3,5−ジフルオロベンゼン
から調製されるグリニヤール反応剤を用いることによ
り、製造例135の(a)、(b)と同様にして製造で
きる。あるいはこのグリニヤール反応剤と4−ブロモ−
1−ヨードベンゼンから得られる4’−ブロモ−4−ク
ロロ−3,5−ジフルオロビフェニルを用い、(c)に
従っても製造できる。あるいは1−ブロモ−3,5−ジ
フルオロベンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を
用いることにより(a)、(b)に従って得られる式
(P91)
【0210】
【化180】 の化合物を製造例5と同様にして塩素化することによっ
ても製造できる。あるいは式(P91)の化合物はこの
グリニヤール反応剤と4−ブロモ−1−ヨードベンゼン
から得られる4−ブロモ−3’,5’−ジフルオロビフ
ェニルを用い、(c)に従っても製造できる。 [製造例146] 式(146)の化合物の製造方法 製造例143の(a)、(b)において、(17)の中
間体である4−ブロモ−2,6−ジフルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、以下製造例
143と同様にして製造できる。
ても製造できる。あるいは式(P91)の化合物はこの
グリニヤール反応剤と4−ブロモ−1−ヨードベンゼン
から得られる4−ブロモ−3’,5’−ジフルオロビフ
ェニルを用い、(c)に従っても製造できる。 [製造例146] 式(146)の化合物の製造方法 製造例143の(a)、(b)において、(17)の中
間体である4−ブロモ−2,6−ジフルオロアニソール
から調製されるグリニヤール反応剤を用い、以下製造例
143と同様にして製造できる。
【0211】[製造例147] 式(147)の化合物
の製造方法 式(P87)の化合物から、製造例8と同様にして式
(P92)
の製造方法 式(P87)の化合物から、製造例8と同様にして式
(P92)
【0212】
【化181】 の酸クロリドを得る。これをアンモニア水と反応させて
式(P93)
式(P93)
【0213】
【化182】 のアミド誘導体を得る。これを塩化チオニル等で脱水し
てシアノ化することにより製造できる。 [製造例148] 式(148)の化合物の製造方法 式(P89)の中間体から製造例147と同様にして製
造できる。
てシアノ化することにより製造できる。 [製造例148] 式(148)の化合物の製造方法 式(P89)の中間体から製造例147と同様にして製
造できる。
【0214】[製造例149] 式(149)の化合物
の製造方法 製造例147において、式(P87)の中間体に代え
て、式(P91)の化合物を用いて同様に行うか、ある
いは式(P91)の化合物から製造例57と同様にし
て、式(P94)
の製造方法 製造例147において、式(P87)の中間体に代え
て、式(P91)の化合物を用いて同様に行うか、ある
いは式(P91)の化合物から製造例57と同様にし
て、式(P94)
【0215】
【化183】 の安息香酸誘導体を経て製造することもできる。 [製造例150] 式(150)の化合物の製造方法 製造例120において、中間体として式(P10)の化
合物に代えて、式(P24)の化合物を用いることによ
り同様にして製造できる。 [製造例151〜164] 式(151)〜(164)
の化合物の製造方法 製造例121〜134において、製造例150と同様に
中間体として式(P10)の化合物に代えて、式(P2
4)の化合物を用いることにより同様にして、それぞれ
対応する式(151)〜(164)の化合物を製造でき
る。
合物に代えて、式(P24)の化合物を用いることによ
り同様にして製造できる。 [製造例151〜164] 式(151)〜(164)
の化合物の製造方法 製造例121〜134において、製造例150と同様に
中間体として式(P10)の化合物に代えて、式(P2
4)の化合物を用いることにより同様にして、それぞれ
対応する式(151)〜(164)の化合物を製造でき
る。
【0216】[製造例165] 式(165)の化合物
の製造方法 製造例135の(a)において、式(P10)の化合物
に代えて式(P24)の化合物を用いることにより同様
にして製造できる。あるいは式(P17)の化合物の水
素添加により得られる式(P95)
の製造方法 製造例135の(a)において、式(P10)の化合物
に代えて式(P24)の化合物を用いることにより同様
にして製造できる。あるいは式(P17)の化合物の水
素添加により得られる式(P95)
【0217】
【化184】 の化合物を式(P32)の化合物に代えて用いることに
より、製造例135の(b)と同様にして製造すること
もできる。 [製造例166〜179] 式(166)〜(179)
の化合物の製造方法 製造例136〜149において、製造例165と同様に
中間体として式(P10)の化合物に代えて、式(P2
4)の化合物を用いるか、あるいは式(P32)の化合
物に代えて式(P95)の化合物を用いることにより、
それぞれ対応する式(166)〜(179)の化合物が
製造できる。
より、製造例135の(b)と同様にして製造すること
もできる。 [製造例166〜179] 式(166)〜(179)
の化合物の製造方法 製造例136〜149において、製造例165と同様に
中間体として式(P10)の化合物に代えて、式(P2
4)の化合物を用いるか、あるいは式(P32)の化合
物に代えて式(P95)の化合物を用いることにより、
それぞれ対応する式(166)〜(179)の化合物が
製造できる。
【0218】[製造例180] 式(180)の化合物
の製造方法 製造例120において、式(P10)の化合物に代え
て、式(P96)
の製造方法 製造例120において、式(P10)の化合物に代え
て、式(P96)
【0219】
【化185】 の化合物を用いることにより、同様にして製造できる。
式(P96)の化合物は式(P5)の化合物を沃素−過
沃素酸で直接沃素化するかあるいは式(P5)の化合物
をニトロ化し、次いで還元して式(P97)
式(P96)の化合物は式(P5)の化合物を沃素−過
沃素酸で直接沃素化するかあるいは式(P5)の化合物
をニトロ化し、次いで還元して式(P97)
【0220】
【化186】 のアニリン誘導体とし、ジアゾニウム塩をヨウ化銅等で
分解しても得ることができる。 [製造例181〜194] 式(181)〜(194)
の化合物の製造方法 製造例121〜134において、製造例180と同様に
中間体として式(P10)に代えて式(P96)の化合
物を用いることにより、それぞれ対応する式(181)
〜(194)の化合物が製造できる。
分解しても得ることができる。 [製造例181〜194] 式(181)〜(194)
の化合物の製造方法 製造例121〜134において、製造例180と同様に
中間体として式(P10)に代えて式(P96)の化合
物を用いることにより、それぞれ対応する式(181)
〜(194)の化合物が製造できる。
【0221】[製造例195] 式(195)の化合物
の製造方法 製造例135において、式(P10)の化合物に代え
て、式(P96)の化合物を用いることにより、同様に
して製造できる。 [製造例196〜209] 式(196)〜(209)
の化合物の製造方法 製造例136〜149において、製造例195と同様に
式(P96)の化合物を用いることにより、、それぞれ
対応する式(196)〜(209)の化合物を製造でき
る。
の製造方法 製造例135において、式(P10)の化合物に代え
て、式(P96)の化合物を用いることにより、同様に
して製造できる。 [製造例196〜209] 式(196)〜(209)
の化合物の製造方法 製造例136〜149において、製造例195と同様に
式(P96)の化合物を用いることにより、、それぞれ
対応する式(196)〜(209)の化合物を製造でき
る。
【0222】[製造例210] 式(210)の化合物
の製造方法 製造例120において、中間体として式(P10)の化
合物に代えて、式(P98)
の製造方法 製造例120において、中間体として式(P10)の化
合物に代えて、式(P98)
【0223】
【化187】 の化合物を用いることにより同様にして製造できる。式
(P98)の化合物は式(P18)の化合物を沃素−過
沃素酸で直接沃素化するかあるいは式(P18)の化合
物をニトロ化し、次いで還元して式(P99)
(P98)の化合物は式(P18)の化合物を沃素−過
沃素酸で直接沃素化するかあるいは式(P18)の化合
物をニトロ化し、次いで還元して式(P99)
【0224】
【化188】 のアニリン誘導体とし、ジアゾニウム塩をヨウ化銅等で
分解しても得ることができる。 [製造例211〜224] 式(211)〜(224)
の化合物の製造方法 製造例121〜134において、製造例210と同様
に、式(P10)の化合物に代えて式(P98)の化合
物を用いることにより同様にして、それぞれ対応する式
(211)〜(224)の化合物を製造できる。
分解しても得ることができる。 [製造例211〜224] 式(211)〜(224)
の化合物の製造方法 製造例121〜134において、製造例210と同様
に、式(P10)の化合物に代えて式(P98)の化合
物を用いることにより同様にして、それぞれ対応する式
(211)〜(224)の化合物を製造できる。
【0225】[製造例225] 式(225)の化合物
の製造方法 製造例135の(a)において、式(P10)の化合物
に代えて式(P98)の化合物を用いることにより同様
にして製造できる。 [製造例226〜239] 式(226)〜(239)
の化合物の製造方法 製造例136〜149において、製造例225と同様に
中間体として式(P10)の化合物に代えて式(P9
8)の化合物を用いることにより、それぞれ対応する式
(226)〜(239)の化合物を製造できる。
の製造方法 製造例135の(a)において、式(P10)の化合物
に代えて式(P98)の化合物を用いることにより同様
にして製造できる。 [製造例226〜239] 式(226)〜(239)
の化合物の製造方法 製造例136〜149において、製造例225と同様に
中間体として式(P10)の化合物に代えて式(P9
8)の化合物を用いることにより、それぞれ対応する式
(226)〜(239)の化合物を製造できる。
【0226】[製造例240] 式(240)の化合物
の製造方法 式(P32)の化合物を式(IV)のウィッティヒ反応
剤と反応させ、次いで塩基によりトランス体に異性化さ
せて式(P100)
の製造方法 式(P32)の化合物を式(IV)のウィッティヒ反応
剤と反応させ、次いで塩基によりトランス体に異性化さ
せて式(P100)
【0227】
【化189】 のビシクロヘキサンカルバルデヒド誘導体が得られる。
これを酸化し次いで塩化チオニルと反応させて式(P1
01)
これを酸化し次いで塩化チオニルと反応させて式(P1
01)
【0228】
【化190】 の酸クロリドが得られる。この式(P101)の化合物
を式(P102)
を式(P102)
【0229】
【化191】 の4−アルキル(又はアルコキシ)フェノールと塩基存
在下に反応させることにより製造できる。
在下に反応させることにより製造できる。
【0230】[製造例241] 式(241)の化合物
の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、4−フルオロフェノールを用いることにより同様に
して製造できる。 [製造例242] 式(242)の化合物の製造方法 製造例240において式(P102)の化合物に代え
て、4−クロロフェノールを用いることにより同様にし
て製造できる。
の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、4−フルオロフェノールを用いることにより同様に
して製造できる。 [製造例242] 式(242)の化合物の製造方法 製造例240において式(P102)の化合物に代え
て、4−クロロフェノールを用いることにより同様にし
て製造できる。
【0231】[製造例243] 式(243)の化合物
の製造方法 製造例240において式(P102)の化合物に代え
て、4−トリフルオロメトキシフェノールを用いること
により同様にして製造できる。この4−トリフルオロメ
トキシフェノールは、4−トリフルオロメトキシベンゼ
ンを塩化アルミニウム等のルイス酸存在下に塩化アセチ
ルでアセチル化し、次いで蟻酸中過酸化水素で酸化し、
更に加水分解することにより得ることができる。あるい
は、4−ブロモ−1−トリフルオロメトキシベンゼンか
ら調製されるグリニヤール反応剤を、t−ブチルヒドロ
パーオキシドと反応させるか、あるいはホウ酸エステル
反応させてボロン酸エステルとした後、塩基性条件下で
過酸化水素で酸化して得ることができる。あるいは4−
トリフルオロメトキシフェノールは(トリフルオロメト
キシ)ベンゼンをニトロ化し、還元して4−トリフルオ
ロメトキシアニリンとし、これをジアゾニウム塩とした
後、硫酸中で分解することによっても得ることができ
る。 [製造例244] 式(244)の化合物の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て4−ジフルオロメトキシフェノールを用いることによ
り同様にして製造できる。この4−ジフルオロメトキシ
フェノールはヒドロキノンモノベンジルエーテルを蟻酸
エステルとし、これをDASTと反応させてフッ素化し
た後に還元的に脱ベンジル化して得ることができる。あ
るいは(ジフルオロメトキシ)ベンゼンをニトロ化し、
還元して4−ジフルオロメトキシアニリンとし、これを
ジアゾニウム塩とした後、硫酸中で分解することによっ
ても得ることができる。あるいは4−ブロモフェノール
を蟻酸エステルとした後にDASTでフッ素化して、4
−ブロモ−1−ジフルオロメトキシベンゼンとし、これ
から調製されるグリニヤール反応剤をt−ブチルヒドロ
パーオキシドと反応させるか、あるいはホウ酸エステル
反応させてボロン酸エステルとした後、塩基性条件下で
過酸化水素で酸化して得ることができる。
の製造方法 製造例240において式(P102)の化合物に代え
て、4−トリフルオロメトキシフェノールを用いること
により同様にして製造できる。この4−トリフルオロメ
トキシフェノールは、4−トリフルオロメトキシベンゼ
ンを塩化アルミニウム等のルイス酸存在下に塩化アセチ
ルでアセチル化し、次いで蟻酸中過酸化水素で酸化し、
更に加水分解することにより得ることができる。あるい
は、4−ブロモ−1−トリフルオロメトキシベンゼンか
ら調製されるグリニヤール反応剤を、t−ブチルヒドロ
パーオキシドと反応させるか、あるいはホウ酸エステル
反応させてボロン酸エステルとした後、塩基性条件下で
過酸化水素で酸化して得ることができる。あるいは4−
トリフルオロメトキシフェノールは(トリフルオロメト
キシ)ベンゼンをニトロ化し、還元して4−トリフルオ
ロメトキシアニリンとし、これをジアゾニウム塩とした
後、硫酸中で分解することによっても得ることができ
る。 [製造例244] 式(244)の化合物の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て4−ジフルオロメトキシフェノールを用いることによ
り同様にして製造できる。この4−ジフルオロメトキシ
フェノールはヒドロキノンモノベンジルエーテルを蟻酸
エステルとし、これをDASTと反応させてフッ素化し
た後に還元的に脱ベンジル化して得ることができる。あ
るいは(ジフルオロメトキシ)ベンゼンをニトロ化し、
還元して4−ジフルオロメトキシアニリンとし、これを
ジアゾニウム塩とした後、硫酸中で分解することによっ
ても得ることができる。あるいは4−ブロモフェノール
を蟻酸エステルとした後にDASTでフッ素化して、4
−ブロモ−1−ジフルオロメトキシベンゼンとし、これ
から調製されるグリニヤール反応剤をt−ブチルヒドロ
パーオキシドと反応させるか、あるいはホウ酸エステル
反応させてボロン酸エステルとした後、塩基性条件下で
過酸化水素で酸化して得ることができる。
【0232】[製造例245] 式(245)の化合物
の製造方法 製造例240において式(P102)の化合物に代え
て、3,4−ジフルオロフェノールを用いることにより
同様にして製造できる。 [製造例246] 式(246)の化合物の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、3−フルオロ−4−クロロフェノールを用いること
により同様にして製造できる。
の製造方法 製造例240において式(P102)の化合物に代え
て、3,4−ジフルオロフェノールを用いることにより
同様にして製造できる。 [製造例246] 式(246)の化合物の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、3−フルオロ−4−クロロフェノールを用いること
により同様にして製造できる。
【0233】[製造例247] 式(247)の化合物
の製造方法 製造例243において、4−トリフルオロメトキシフェ
ノールに代えて3−フルオロ−4−トリフルオロメトキ
シフェノールを用いることにより同様にして製造でき
る。3−フルオロ−4−トリフルオロメトキシフェノー
ルは3−フルオロ−4−トリフルオロメトキシベンゼン
を塩化アルミニウム等のルイス酸存在下に、塩化アセチ
ルでアセチル化し、次いで蟻酸中過酸化水素で酸化し、
更に加水分解することにより得ることができる。あるい
は、4−ブロモ−1−トリフルオロメトキシベンゼンか
ら調製されるグリニヤール反応剤を、t−ブチルヒドロ
パーオキシドと反応させるか、あるいはホウ酸エステル
反応させてボロン酸エステルとした後、塩基性条件下で
過酸化水素で酸化して得ることができる。あるいは3−
フルオロ−4−トリフルオロメトキシフェノールは3−
フルオロ−4−トリフルオロメトキシベンゼンをニトロ
化し、還元して4−トリフルオロメトキシアニリンと
し、これをジアゾニウム塩とした後、硫酸中で分解する
ことによっても得ることができる。 [製造例248] 式(248)の化合物の製造方法 製造例244において、4−ジフルオロメトキシフェノ
ールに代えて3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシフ
ェノールを用いることにより同様にして製造できる。こ
の3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシフェノールは
2−フルオロ−4−ベンジルオキシフェノールを蟻酸エ
ステルとし、これをDASTと反応させてフッ素化した
後に還元的に脱ベンジル化しても得ることもできる。あ
るいは3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシベンゼン
をニトロ化し、還元して3−フルオロ−4−トリフルオ
ロメトキシアニリンとする。これをジアゾニウム塩とし
た後、硫酸中で分解することによっても得ることができ
る。あるいは3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシベ
ンゼンを臭素化し、得られた4−ブロモ−2−フルオロ
−1−ジフルオロメトキシベンゼンから調製されるグリ
ニヤール反応剤を、t−ブチルヒドロパーオキシドと反
応させるか、あるいはホウ酸エステル反応させてボロン
酸エステルとした後、塩基性条件下で過酸化水素で酸化
して得ることができる。
の製造方法 製造例243において、4−トリフルオロメトキシフェ
ノールに代えて3−フルオロ−4−トリフルオロメトキ
シフェノールを用いることにより同様にして製造でき
る。3−フルオロ−4−トリフルオロメトキシフェノー
ルは3−フルオロ−4−トリフルオロメトキシベンゼン
を塩化アルミニウム等のルイス酸存在下に、塩化アセチ
ルでアセチル化し、次いで蟻酸中過酸化水素で酸化し、
更に加水分解することにより得ることができる。あるい
は、4−ブロモ−1−トリフルオロメトキシベンゼンか
ら調製されるグリニヤール反応剤を、t−ブチルヒドロ
パーオキシドと反応させるか、あるいはホウ酸エステル
反応させてボロン酸エステルとした後、塩基性条件下で
過酸化水素で酸化して得ることができる。あるいは3−
フルオロ−4−トリフルオロメトキシフェノールは3−
フルオロ−4−トリフルオロメトキシベンゼンをニトロ
化し、還元して4−トリフルオロメトキシアニリンと
し、これをジアゾニウム塩とした後、硫酸中で分解する
ことによっても得ることができる。 [製造例248] 式(248)の化合物の製造方法 製造例244において、4−ジフルオロメトキシフェノ
ールに代えて3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシフ
ェノールを用いることにより同様にして製造できる。こ
の3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシフェノールは
2−フルオロ−4−ベンジルオキシフェノールを蟻酸エ
ステルとし、これをDASTと反応させてフッ素化した
後に還元的に脱ベンジル化しても得ることもできる。あ
るいは3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシベンゼン
をニトロ化し、還元して3−フルオロ−4−トリフルオ
ロメトキシアニリンとする。これをジアゾニウム塩とし
た後、硫酸中で分解することによっても得ることができ
る。あるいは3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシベ
ンゼンを臭素化し、得られた4−ブロモ−2−フルオロ
−1−ジフルオロメトキシベンゼンから調製されるグリ
ニヤール反応剤を、t−ブチルヒドロパーオキシドと反
応させるか、あるいはホウ酸エステル反応させてボロン
酸エステルとした後、塩基性条件下で過酸化水素で酸化
して得ることができる。
【0234】[製造例249] 式(249)の化合物
の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、3,4,5−トリフルオロフェノールを用いること
により同様にして製造できる。3,4,5−トリフルオ
ロフェノールは3,4,5−トリフルオロアニリンの硫
酸中のジアゾニウム分解あるいは1−ブロモ−3,4,
5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤール
反応剤をt−ブチルヒドロパーオキシドと反応させる
か、あるいはホウ酸エステル反応させてボロン酸エステ
ルとした後、塩基性条件下で過酸化水素で酸化して得る
ことができる。 [製造例250] 式(250)の化合物の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、4−クロロ−3,5−ジフルオロフェノールを用い
ることにより同様にして製造できる。4−クロロ−3,
5−ジフルオロフェノールは1−ブロモ−4−クロロ−
3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤー
ル反応剤をt−ブチルヒドロパーオキシドと反応させる
か、あるいはホウ酸エステル反応させてボロン酸エステ
ルとした後、塩基性条件下で過酸化水素で酸化して得る
ことができる。あるいは2−クロロ−1,3−ジフルオ
ロベンゼン(2,6−ジフルオロアニリンをジアゾニウ
ム塩とし、塩化銅存在下に、あるいは塩酸中で分解する
ことにより得られる。)をニトロ化し、還元して4−ク
ロロ−3,5−ジフルオロアニリンとして、次いでその
ジアゾニウム塩を硫酸中で分解することによっても得る
ことができる。
の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、3,4,5−トリフルオロフェノールを用いること
により同様にして製造できる。3,4,5−トリフルオ
ロフェノールは3,4,5−トリフルオロアニリンの硫
酸中のジアゾニウム分解あるいは1−ブロモ−3,4,
5−トリフルオロベンゼンから調製されるグリニヤール
反応剤をt−ブチルヒドロパーオキシドと反応させる
か、あるいはホウ酸エステル反応させてボロン酸エステ
ルとした後、塩基性条件下で過酸化水素で酸化して得る
ことができる。 [製造例250] 式(250)の化合物の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、4−クロロ−3,5−ジフルオロフェノールを用い
ることにより同様にして製造できる。4−クロロ−3,
5−ジフルオロフェノールは1−ブロモ−4−クロロ−
3,5−ジフルオロベンゼンから調製されるグリニヤー
ル反応剤をt−ブチルヒドロパーオキシドと反応させる
か、あるいはホウ酸エステル反応させてボロン酸エステ
ルとした後、塩基性条件下で過酸化水素で酸化して得る
ことができる。あるいは2−クロロ−1,3−ジフルオ
ロベンゼン(2,6−ジフルオロアニリンをジアゾニウ
ム塩とし、塩化銅存在下に、あるいは塩酸中で分解する
ことにより得られる。)をニトロ化し、還元して4−ク
ロロ−3,5−ジフルオロアニリンとして、次いでその
ジアゾニウム塩を硫酸中で分解することによっても得る
ことができる。
【0235】[製造例251] 式(251)の化合物
の製造方法 製造例248において、3−フルオロ−4−ジフルオロ
メトキシフェノールに代えて3,5−ジフルオロ−4−
ジフルオロメトキシフェノールを用いることにより同様
にして製造できる。この3,5−ジフルオロ−4−ジフ
ルオロメトキシフェノールは2,6−ジフルオロフェノ
ールを蟻酸エステルとし、これをDASTと反応させて
フッ素化して2,6−ジフルオロ−1−ジフルオロメト
キシベンゼンを得て、これを臭素化して得られる4−ブ
ロモ−2,6−ジフルオロ−1−ジフルオロメトキシベ
ンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を、t−ブチ
ルヒドロパーオキシドと反応させるか、あるいはホウ酸
エステル反応させてボロン酸エステルとした後、塩基性
条件下で過酸化水素で酸化して得ることができる。ある
いは3,5−ジフルオロ−4−ジフルオロメトキシフェ
ノールは3,5−ジフルオロ−4−ジフルオロメトキシ
ベンゼンをニトロ化し、還元して3−フルオロ−4−ト
リフルオロメトキシアニリンとする。これをジアゾニウ
ム塩とした後、硫酸中で分解することによっても得るこ
とができる。 [製造例252] 式(252)の化合物の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、4−シアノフェノールを用いることにより同様にし
て製造できる。
の製造方法 製造例248において、3−フルオロ−4−ジフルオロ
メトキシフェノールに代えて3,5−ジフルオロ−4−
ジフルオロメトキシフェノールを用いることにより同様
にして製造できる。この3,5−ジフルオロ−4−ジフ
ルオロメトキシフェノールは2,6−ジフルオロフェノ
ールを蟻酸エステルとし、これをDASTと反応させて
フッ素化して2,6−ジフルオロ−1−ジフルオロメト
キシベンゼンを得て、これを臭素化して得られる4−ブ
ロモ−2,6−ジフルオロ−1−ジフルオロメトキシベ
ンゼンから調製されるグリニヤール反応剤を、t−ブチ
ルヒドロパーオキシドと反応させるか、あるいはホウ酸
エステル反応させてボロン酸エステルとした後、塩基性
条件下で過酸化水素で酸化して得ることができる。ある
いは3,5−ジフルオロ−4−ジフルオロメトキシフェ
ノールは3,5−ジフルオロ−4−ジフルオロメトキシ
ベンゼンをニトロ化し、還元して3−フルオロ−4−ト
リフルオロメトキシアニリンとする。これをジアゾニウ
ム塩とした後、硫酸中で分解することによっても得るこ
とができる。 [製造例252] 式(252)の化合物の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、4−シアノフェノールを用いることにより同様にし
て製造できる。
【0236】[製造例253] 式(253)の化合物
の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、3−フルオロ−4−シアノフェノールを用いること
により同様にして製造できる。 [製造例254] 式(254)の化合物の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールを用い
ることにより同様にして製造できる。3,5−ジフルオ
ロ−4−シアノフェノールは、2,6−ジフルオロアニ
リンをニトロ化し、得られた4−ニトロ−2,6−ジフ
ルオロアニリンをジアゾニウム塩とした後、シアン化銅
存在下に分解して4−ニトロ−2,6−ジフルオロ−1
−シアノベンゼンを得る。これを還元して4−シアノ−
3,5−ジフルオロアニリンとし、これをジアゾニウム
塩とした後、硫酸中で分解して得ることができる。
の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、3−フルオロ−4−シアノフェノールを用いること
により同様にして製造できる。 [製造例254] 式(254)の化合物の製造方法 製造例240において、式(P102)の化合物に代え
て、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールを用い
ることにより同様にして製造できる。3,5−ジフルオ
ロ−4−シアノフェノールは、2,6−ジフルオロアニ
リンをニトロ化し、得られた4−ニトロ−2,6−ジフ
ルオロアニリンをジアゾニウム塩とした後、シアン化銅
存在下に分解して4−ニトロ−2,6−ジフルオロ−1
−シアノベンゼンを得る。これを還元して4−シアノ−
3,5−ジフルオロアニリンとし、これをジアゾニウム
塩とした後、硫酸中で分解して得ることができる。
【0237】[製造例255] 式(255)の化合物
の製造方法 製造例240において、酸クロリドとして式(P10
3)
の製造方法 製造例240において、酸クロリドとして式(P10
3)
【0238】
【化192】 の化合物を用いることにより同様にして製造できる。式
(P103)の化合物は前述の式(P51)の化合物に
式(IV)のにウィッティヒ反応剤を反応させ、トラン
ス体に異性化した後、必要に応じて更に重水素化するこ
とにより得ることができる。 [製造例256〜269] 式(256)〜(269)
の化合物の製造方法 製造例241〜254において、製造例255と同様に
酸クロリドとして式(P103)の化合物を用いること
により、それぞれ対応する式(256)〜(269)の
化合物が製造できる。
(P103)の化合物は前述の式(P51)の化合物に
式(IV)のにウィッティヒ反応剤を反応させ、トラン
ス体に異性化した後、必要に応じて更に重水素化するこ
とにより得ることができる。 [製造例256〜269] 式(256)〜(269)
の化合物の製造方法 製造例241〜254において、製造例255と同様に
酸クロリドとして式(P103)の化合物を用いること
により、それぞれ対応する式(256)〜(269)の
化合物が製造できる。
【0239】[製造例270] 式(270)の化合物
の製造方法 製造例240において、酸クロリドとして式(P10
4)
の製造方法 製造例240において、酸クロリドとして式(P10
4)
【0240】
【化193】 の化合物を用いることにより同様にして製造できる。式
(P104)の化合物は前述の(ル)、(カ)、(ヨ)
の各製造方法により得られるシクロヘキサノン環が重水
素化された4−(4−置換シクロヘキシル)シクロヘキ
サノンから製造例255と同様にして得ることができ
る。 [製造例271〜284] 式(271)〜(284)
の化合物の製造方法 製造例241〜254において、製造例270と同様に
酸クロリドとして式(P104)の化合物を用いること
により、それぞれ対応する式(271)〜(284)の
化合物を製造できる。
(P104)の化合物は前述の(ル)、(カ)、(ヨ)
の各製造方法により得られるシクロヘキサノン環が重水
素化された4−(4−置換シクロヘキシル)シクロヘキ
サノンから製造例255と同様にして得ることができ
る。 [製造例271〜284] 式(271)〜(284)
の化合物の製造方法 製造例241〜254において、製造例270と同様に
酸クロリドとして式(P104)の化合物を用いること
により、それぞれ対応する式(271)〜(284)の
化合物を製造できる。
【0241】[製造例285] 式(285)の化合物
の製造方法 製造例240において、酸クロリドとして式(P10
5)
の製造方法 製造例240において、酸クロリドとして式(P10
5)
【0242】
【化194】 の化合物を用いることにより同様にして製造できる。式
(P105)の化合物は式(P106)
(P105)の化合物は式(P106)
【0243】
【化195】 の重水素化されたシクロヘキサノン誘導体から、製造例
255と同様にして得ることができる。式(P106)
の化合物は前述の式(P75)の化合物を重水素化する
か、4−置換シクロヘキサンエタナールから還元、臭素
化によって得られる式(P107)
255と同様にして得ることができる。式(P106)
の化合物は前述の式(P75)の化合物を重水素化する
か、4−置換シクロヘキサンエタナールから還元、臭素
化によって得られる式(P107)
【0244】
【化196】 のグリニヤール反応剤を、重水素原子(D)を有するシ
クロヘキサン−1,4−ジオンのモノエチレンアセター
ルと反応させた後、脱水、水素添加して得ることもでき
る。 [製造例286〜299] 式(286)〜(299)
の化合物の製造方法 製造例241〜254において、製造例285と同様に
酸クロリドとして式(P105)の化合物を用いること
により、それぞれ対応する式(286)〜(299)の
化合物が製造できる。
クロヘキサン−1,4−ジオンのモノエチレンアセター
ルと反応させた後、脱水、水素添加して得ることもでき
る。 [製造例286〜299] 式(286)〜(299)
の化合物の製造方法 製造例241〜254において、製造例285と同様に
酸クロリドとして式(P105)の化合物を用いること
により、それぞれ対応する式(286)〜(299)の
化合物が製造できる。
【0245】[製造例300] 式(300)の化合物
の製造方法 式(P108)
の製造方法 式(P108)
【0246】
【化197】 の4−置換シクロヘキサンカルボン酸クロリドと式(P
109)
109)
【0247】
【化198】 の4’−置換ビシクロヘキサン−4−オールとを塩基触
媒存在下に反応させて製造できる。式(P109)の化
合物は前述の(ル)、(カ)、(ヨ)の各製造方法によ
り得られるシクロヘキサノン環に重水素原子(D)を有
する4−(4−置換シクロヘキシル)シクロヘキサノン
を水素化アルミニウムリチウム(あるいはその重水素置
換体)あるいは水素化ホウ素ナトリウム等により還元し
て得ることができる。
媒存在下に反応させて製造できる。式(P109)の化
合物は前述の(ル)、(カ)、(ヨ)の各製造方法によ
り得られるシクロヘキサノン環に重水素原子(D)を有
する4−(4−置換シクロヘキシル)シクロヘキサノン
を水素化アルミニウムリチウム(あるいはその重水素置
換体)あるいは水素化ホウ素ナトリウム等により還元し
て得ることができる。
【0248】[製造例301] 式(301)の化合物
の製造方法 製造例300において、式(P108)に代えて式(P
110)
の製造方法 製造例300において、式(P108)に代えて式(P
110)
【0249】
【化199】 の重水素原子(D)を有する4−置換シクロヘキサンカ
ルボン酸クロリドを用いることにより同様に製造でき
る。式(P110)の化合物は式(P108)の化合物
を重水素化するか、4−置換シクロヘキサノンを重水素
化して得られる式(P111)
ルボン酸クロリドを用いることにより同様に製造でき
る。式(P110)の化合物は式(P108)の化合物
を重水素化するか、4−置換シクロヘキサノンを重水素
化して得られる式(P111)
【0250】
【化200】 の化合物から、製造例255と同様にして得ることがで
きる。あるいは式(P111)の化合物はシクロヘキサ
ン−1,4−ジオンのモノエチレンアセタールを重水素
化した後、ウィッティヒ反応剤と反応させ、水素添加
後、脱アセタール化するか、あるいはグリニヤール反応
剤と反応させ、脱水、水素添加の後脱アセタール化する
ことによっても得ることができる。あるいは式(P11
1)の化合物はシクロヘキサン−1,4−ジオンを重水
素化した後、モノエチレンアセタール化し、次いで上記
と同様にしても得ることができる。 [製造例302] 式(302)の化合物の製造方法 製造例300において、式(P109)の化合物に代え
て、式(P112)
きる。あるいは式(P111)の化合物はシクロヘキサ
ン−1,4−ジオンのモノエチレンアセタールを重水素
化した後、ウィッティヒ反応剤と反応させ、水素添加
後、脱アセタール化するか、あるいはグリニヤール反応
剤と反応させ、脱水、水素添加の後脱アセタール化する
ことによっても得ることができる。あるいは式(P11
1)の化合物はシクロヘキサン−1,4−ジオンを重水
素化した後、モノエチレンアセタール化し、次いで上記
と同様にしても得ることができる。 [製造例302] 式(302)の化合物の製造方法 製造例300において、式(P109)の化合物に代え
て、式(P112)
【0251】
【化201】 の化合物を用いることにより同様に製造できる。式(P
112)の化合物は式(P111)の化合物において、
R1がアルキル又はアルコキシ基である化合物を水素化
アルミニウムリチウム(あるいはその重水素置換体)あ
るいは水素化ホウ素ナトリウム等により還元して得るこ
とができる。
112)の化合物は式(P111)の化合物において、
R1がアルキル又はアルコキシ基である化合物を水素化
アルミニウムリチウム(あるいはその重水素置換体)あ
るいは水素化ホウ素ナトリウム等により還元して得るこ
とができる。
【0252】[製造例303] 式(303)の化合物
の製造方法 式(P110)の化合物及び式(P112)の化合物か
ら、製造例300と同様にして製造できる。 [製造例304] 式(304)の化合物の製造方法 式(P113)
の製造方法 式(P110)の化合物及び式(P112)の化合物か
ら、製造例300と同様にして製造できる。 [製造例304] 式(304)の化合物の製造方法 式(P113)
【0253】
【化202】 のブロモベンゼン誘導体から調製されるグリニヤール反
応剤と前述の式(P96)のフルオロヨードベンゼン誘
導体とを、パラジウム系あるいはニッケル系触媒の存在
下に反応させることにより製造できる。あるいは前述の
式(P114)
応剤と前述の式(P96)のフルオロヨードベンゼン誘
導体とを、パラジウム系あるいはニッケル系触媒の存在
下に反応させることにより製造できる。あるいは前述の
式(P114)
【0254】
【化203】 の化合物からグリニヤール反応剤を調製し、これを4−
置換シクロヘキサノンと反応させ、次いで脱水、水素添
加して製造することもできる。
置換シクロヘキサノンと反応させ、次いで脱水、水素添
加して製造することもできる。
【0255】[製造例305] 式(305)の化合物
の製造方法 製造例60において重水素原子(D)を有する4−(4
−置換シクロヘキシル)シクロヘキサノンに代えて、式
(P115)
の製造方法 製造例60において重水素原子(D)を有する4−(4
−置換シクロヘキシル)シクロヘキサノンに代えて、式
(P115)
【0256】
【化204】 の重水素原子(D)を有する4”−置換ターシクロヘキ
サン−4−オンを用いることにより同様にして製造でき
る。式(P115)の化合物は式(P116)
サン−4−オンを用いることにより同様にして製造でき
る。式(P115)の化合物は式(P116)
【0257】
【化205】 のフェノール誘導体の水素添加によって得られる4”−
置換ターシクロヘキサン−4−オンの重水素化により得
ることができる。あるいは式(P117)
置換ターシクロヘキサン−4−オンの重水素化により得
ることができる。あるいは式(P117)
【0258】
【化206】 の臭化ビシクロヘキサン誘導体から調製されるグリニヤ
ール反応剤を重水素原子(D)を有するシクロヘキサン
−1,4−ジオンモノエチレンアセタールと反応させ、
脱水、水素添加の後、脱アセタール化して得ることもで
きる。 [製造例306〜319] 式(306)〜(319)
の化合物の製造方法 製造例61〜74において、製造例305と同様に式
(P115)の重水素原子(D)を有する4”−置換タ
ーシクロヘキサン−4−オンを用いることにより、それ
ぞれ対応する式(306)〜(319)の化合物を同様
にして製造できる。
ール反応剤を重水素原子(D)を有するシクロヘキサン
−1,4−ジオンモノエチレンアセタールと反応させ、
脱水、水素添加の後、脱アセタール化して得ることもで
きる。 [製造例306〜319] 式(306)〜(319)
の化合物の製造方法 製造例61〜74において、製造例305と同様に式
(P115)の重水素原子(D)を有する4”−置換タ
ーシクロヘキサン−4−オンを用いることにより、それ
ぞれ対応する式(306)〜(319)の化合物を同様
にして製造できる。
【0259】[製造例320] 式(320)の化合物
の製造方法 製造例135において、式(P10)の化合物に代え
て、前述の式(P49)の化合物を用いることにより同
様にして製造できる。 [製造例321〜334] 式(321)〜(334)
の化合物の製造方法 製造例136〜149において、製造例320と同様に
式(P49)の化合物を用いることにより、それぞれ対
応する式(321)〜(334)の化合物が同様にして
製造できる。
の製造方法 製造例135において、式(P10)の化合物に代え
て、前述の式(P49)の化合物を用いることにより同
様にして製造できる。 [製造例321〜334] 式(321)〜(334)
の化合物の製造方法 製造例136〜149において、製造例320と同様に
式(P49)の化合物を用いることにより、それぞれ対
応する式(321)〜(334)の化合物が同様にして
製造できる。
【0260】[製造例335] 式(335)の化合物
の製造方法 製造例135において式(P10)の化合物に代えて、
前述の式(P40)の化合物を用いることにより同様に
して製造できる。 [製造例336〜349] 式(336)〜(349)
の化合物の製造方法 製造例136〜149において、製造例335と同様に
式(P40)の化合物を用いることにより、それぞれ対
応する式(336)〜(349)の化合物が同様にして
製造できる。
の製造方法 製造例135において式(P10)の化合物に代えて、
前述の式(P40)の化合物を用いることにより同様に
して製造できる。 [製造例336〜349] 式(336)〜(349)
の化合物の製造方法 製造例136〜149において、製造例335と同様に
式(P40)の化合物を用いることにより、それぞれ対
応する式(336)〜(349)の化合物が同様にして
製造できる。
【0261】[製造例350] 式(350)の化合物
の製造方法 製造例135において式(P10)の化合物に代えて、
前述の式(P62)の化合物を用いることにより同様に
して製造できる。 [製造例351〜364] 式(351)〜(364)
の化合物の製造方法 製造例136〜149において、製造例350と同様に
式(P62)の化合物を用いることにより、それぞれ対
応する式(351)〜(364)の化合物を同様にして
製造できる。
の製造方法 製造例135において式(P10)の化合物に代えて、
前述の式(P62)の化合物を用いることにより同様に
して製造できる。 [製造例351〜364] 式(351)〜(364)
の化合物の製造方法 製造例136〜149において、製造例350と同様に
式(P62)の化合物を用いることにより、それぞれ対
応する式(351)〜(364)の化合物を同様にして
製造できる。
【0262】このように、本発明で使用することができ
るD化液晶化合物は多種に及ぶが、分子中に重水素原子
(D)により置換された飽和炭化水素環を1又は2個有
し、この環を含めて分子全体で2〜4環式である化合物
が好ましい。このような化合物の中でも特に、下記一般
式(I)〜(XII)の化合物が好ましい。
るD化液晶化合物は多種に及ぶが、分子中に重水素原子
(D)により置換された飽和炭化水素環を1又は2個有
し、この環を含めて分子全体で2〜4環式である化合物
が好ましい。このような化合物の中でも特に、下記一般
式(I)〜(XII)の化合物が好ましい。
【0263】
【化207】 (式中、Z1は炭素原子数1〜20の直鎖状アルキル基
を表わし、X1〜X3はそれぞれ独立的に水素原子(H)
又は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重
水素原子(D)を表わし、Y1は水素原子又はフッ素原
子を表わす。)
を表わし、X1〜X3はそれぞれ独立的に水素原子(H)
又は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重
水素原子(D)を表わし、Y1は水素原子又はフッ素原
子を表わす。)
【0264】
【化208】 (式中、Z2は炭素原子数1〜20の直鎖状アルキル基
を表わし、X4〜X7はそれぞれ独立的に水素原子(H)
又は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重
水素原子(D)を表わし、Y2は水素原子又はフッ素原
子を表わす。)
を表わし、X4〜X7はそれぞれ独立的に水素原子(H)
又は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重
水素原子(D)を表わし、Y2は水素原子又はフッ素原
子を表わす。)
【0265】
【化209】 (式中、Z3は炭素原子数1〜20のアルキル基又はア
ルケニル基を表わし、X8〜X11はそれぞれ独立的に水
素原子(H)又は重水素原子(D)を表わすが、少なく
とも1つは重水素原子(D)を表わす。)
ルケニル基を表わし、X8〜X11はそれぞれ独立的に水
素原子(H)又は重水素原子(D)を表わすが、少なく
とも1つは重水素原子(D)を表わす。)
【0266】
【化210】 (式中、Z4は炭素原子数1〜20の直鎖状アルキル基
を表わし、X12〜X14はそれぞれ独立的に、水素原子
(H)又は重水素原子(D)を表わす。)
を表わし、X12〜X14はそれぞれ独立的に、水素原子
(H)又は重水素原子(D)を表わす。)
【0267】
【化211】 (式中、Z5は炭素原子数1〜20のアルキル基を表わ
し、X15〜X18はそれぞれ独立的に、水素原子(H)又
は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水
素原子(D)を表わす。)
し、X15〜X18はそれぞれ独立的に、水素原子(H)又
は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水
素原子(D)を表わす。)
【0268】
【化212】 (式中、Z6は炭素原子数1〜20の直鎖状アルキル基
又はアルケニル基を表わし、X19〜X22はそれぞれ独立
的に、水素原子(H)又は重水素原子(D)を表わす
が、少なくとも1つは重水素原子(D)を表わす。)
又はアルケニル基を表わし、X19〜X22はそれぞれ独立
的に、水素原子(H)又は重水素原子(D)を表わす
が、少なくとも1つは重水素原子(D)を表わす。)
【0269】
【化213】 (式中、Z7は炭素原子数1〜20のアルキル基又はア
ルケニル基を表わし、Z8は炭素原子数1〜20のアル
キル基を表わし、X23〜X26はそれぞれ独立的に、水素
原子(H)又は重水素原子(D)を表わすが、少なくと
も1つは重水素原子(D)を表わす。)
ルケニル基を表わし、Z8は炭素原子数1〜20のアル
キル基を表わし、X23〜X26はそれぞれ独立的に、水素
原子(H)又は重水素原子(D)を表わすが、少なくと
も1つは重水素原子(D)を表わす。)
【0270】
【化214】 (式中、Z9は炭素原子数1〜20のアルキル基を表わ
し、Z10は炭素原子数1〜20のアルキル基を表わし、
X27〜X29はそれぞれ独立的に、水素原子(H)又は重
水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水素原
子(D)を表わす。)
し、Z10は炭素原子数1〜20のアルキル基を表わし、
X27〜X29はそれぞれ独立的に、水素原子(H)又は重
水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水素原
子(D)を表わす。)
【0271】
【化215】 (式中、Z11は炭素原子数1〜20のアルキル基又はZ
12−O−(CH2)n−を表わし、Z12は炭素原子数1〜
10のアルキル基を表わし、nは2〜7の整数を表わ
し、X30〜X32はそれぞれ独立的に、水素原子(H)又
は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水
素原子(D)を表わす。)
12−O−(CH2)n−を表わし、Z12は炭素原子数1〜
10のアルキル基を表わし、nは2〜7の整数を表わ
し、X30〜X32はそれぞれ独立的に、水素原子(H)又
は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水
素原子(D)を表わす。)
【0272】
【化216】 (式中、Z13は炭素原子数1〜20のアルキル基を表わ
し、X33〜X36はそれぞれ独立的に水素原子(H)又は
重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水素
原子(D)を表わす。)
し、X33〜X36はそれぞれ独立的に水素原子(H)又は
重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水素
原子(D)を表わす。)
【0273】
【化217】 (式中、Z14は炭素原子数2〜18のアルケニル基を表
わし、X37〜X40はそれぞれ独立的に水素原子(H)又
は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水
素原子(D)を表わす。)
わし、X37〜X40はそれぞれ独立的に水素原子(H)又
は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水
素原子(D)を表わす。)
【0274】
【化218】 (式中、Z15は炭素原子数1〜15のアルキル基を表わ
し、X41〜X43はそれぞれ独立的に水素原子(H)又は
重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水素
原子(D)を表わす。) 斯くして得られるD化液晶化合物の代表的なものの例と
その相転移温度を下記第1表〜第3表に掲げる。
し、X41〜X43はそれぞれ独立的に水素原子(H)又は
重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水素
原子(D)を表わす。) 斯くして得られるD化液晶化合物の代表的なものの例と
その相転移温度を下記第1表〜第3表に掲げる。
【0275】
【表1】
【0276】
【表2】
【0277】
【表3】
【0278】(表中、Crは結晶相を、Smはスメクチ
ック相を、Nはネマチック相を、Iは等方性液体相をそ
れぞれ表わす。) 本発明で使用するD化液晶化合物は、対応する重水素置
換されていない化合物と比較すると、その相転移温度は
ほぼ等しいかあるいはわずかに低い程度であり、大きな
相違はないようにも考えられる。
ック相を、Nはネマチック相を、Iは等方性液体相をそ
れぞれ表わす。) 本発明で使用するD化液晶化合物は、対応する重水素置
換されていない化合物と比較すると、その相転移温度は
ほぼ等しいかあるいはわずかに低い程度であり、大きな
相違はないようにも考えられる。
【0279】しかしながら、この化合物を液晶組成物に
添加することにより、得られる液晶組成物の電気光学的
特性は改善され、低温領域において液晶組成物から結晶
が析出しないという顕著な効果を奏することが認められ
る。例えば、
添加することにより、得られる液晶組成物の電気光学的
特性は改善され、低温領域において液晶組成物から結晶
が析出しないという顕著な効果を奏することが認められ
る。例えば、
【0280】
【化219】 からなる混合液晶(a−1)は、以下のような特性を有
する。 TN-I点 : 117 ℃ TC-N点 : 11 ℃ しきい値電圧 : 2.14 V Δε : 4.8 Δn : 0.090 応答速度 : 25 msec
する。 TN-I点 : 117 ℃ TC-N点 : 11 ℃ しきい値電圧 : 2.14 V Δε : 4.8 Δn : 0.090 応答速度 : 25 msec
【0281】尚、本発明の明細書において、各液晶組成
物の特性は、特に断りがない限り、測定条件は以下の通
りである。まず、液晶組成物のしきい値電圧、電圧保持
率及び応答速度は、電極層を有する少なくとも一方が透
明な2枚の基板間に液晶組成物を挟持する、セル厚6μ
mの液晶表示装置を作製して測定される。尚、しきい値
電圧及び応答速度は25℃において測定し、応答速度は
電圧を印加してから液晶分子が動作し、光の透過率が変
化するまでの「立ち上がり時間」と、電圧を切ってから
元の状態に戻るまでの「立ち下がり時間」とが等しくな
る時間を応答速度とする。また、Δnは屈折率異方性を
表わし、組成物中の「%」は「重量%」を意味する。
物の特性は、特に断りがない限り、測定条件は以下の通
りである。まず、液晶組成物のしきい値電圧、電圧保持
率及び応答速度は、電極層を有する少なくとも一方が透
明な2枚の基板間に液晶組成物を挟持する、セル厚6μ
mの液晶表示装置を作製して測定される。尚、しきい値
電圧及び応答速度は25℃において測定し、応答速度は
電圧を印加してから液晶分子が動作し、光の透過率が変
化するまでの「立ち上がり時間」と、電圧を切ってから
元の状態に戻るまでの「立ち下がり時間」とが等しくな
る時間を応答速度とする。また、Δnは屈折率異方性を
表わし、組成物中の「%」は「重量%」を意味する。
【0282】混合液晶(a−1)を構成する各化合物
は、比較的電圧保持率が高いので、特にアクティブマト
リクス用の構成材料して汎用されている。この混合液晶
(a−1)70重量%及びアクティブマトリクス用の液
晶化合物30重量%からなる混合液晶(b)
は、比較的電圧保持率が高いので、特にアクティブマト
リクス用の構成材料して汎用されている。この混合液晶
(a−1)70重量%及びアクティブマトリクス用の液
晶化合物30重量%からなる混合液晶(b)
【0283】
【化220】 を調製することができ、その特性は以下の通りである。 TN-I点 : 111 ℃ しきい値電圧 : 1.83 V Δε : 7.0 Δn : 0.087 応答速度 : 30 msec これに対して、同じ混合液晶(a−1)70重量%及び
第2表中の(No.18)の化合物30重量%からなる
混合液晶(B)
第2表中の(No.18)の化合物30重量%からなる
混合液晶(B)
【0284】
【化221】 を調製することができ、その特性は以下の通りである。 TN-I点 : 110 ℃ しきい値電圧 : 1.81 V Δε : 7.0 Δn : 0.087 応答速度 : 28 msec この結果から、混合液晶(B)の方がしきい値電圧が低
く、応答速度も速いことが明らかである。また、混合液
晶(a−1)及び混合液晶(b)を+10℃で保存する
と3日後には結晶が析出するのに対して、本発明の混合
液晶(B)は+10℃で保存すると、1カ月経過後も結
晶は全く析出していない。このことから、本発明の液晶
組成物は、電気光学的特性が改善され、且つ低温領域に
おいても結晶が析出しないという非常に優れた効果を有
することが明らかである。
く、応答速度も速いことが明らかである。また、混合液
晶(a−1)及び混合液晶(b)を+10℃で保存する
と3日後には結晶が析出するのに対して、本発明の混合
液晶(B)は+10℃で保存すると、1カ月経過後も結
晶は全く析出していない。このことから、本発明の液晶
組成物は、電気光学的特性が改善され、且つ低温領域に
おいても結晶が析出しないという非常に優れた効果を有
することが明らかである。
【0285】また、STN用液晶組成物に用いられてい
る化合物からなる混合液晶(p)
る化合物からなる混合液晶(p)
【0286】
【化222】 を調製することができ、その特性は以下の通りである。 TN-I点 : 84 ℃ しきい値電圧 : 1.60 V Δε : 9.9 Δn : 0.099 K33/K11 : 2.3 この混合液晶(p)に用いられているシアノ基を有する
2環化合物3種を、類似構造を有するD化液晶化合物に
置き換えたものに相当する混合液晶(P)
2環化合物3種を、類似構造を有するD化液晶化合物に
置き換えたものに相当する混合液晶(P)
【0287】
【化223】 を調製することができ、特性は以下の通りである。 TN-I点 : 84℃ しきい値電圧 : 1.59V Δε : 9.9 Δn : 0.099 K33/K11 : 2.4 この結果から、混合液晶(P)の方がしきい値電圧が低
く、K33/K11も大きいことが明らかである。また、混
合液晶(p)を0℃で保存しても、1日後には結晶が析
出するのに対して、本発明の混合液晶(P)を0℃で保
存しても、14日経過後に結晶の析出が認められ、結晶
が析出しにくくなっていることが理解できる。このこと
から、本発明の液晶組成物は電気光学的特性が改善さ
れ、且つ低温領域においても結晶が析出しにくいという
非常に優れた効果を有することが明らかである。
く、K33/K11も大きいことが明らかである。また、混
合液晶(p)を0℃で保存しても、1日後には結晶が析
出するのに対して、本発明の混合液晶(P)を0℃で保
存しても、14日経過後に結晶の析出が認められ、結晶
が析出しにくくなっていることが理解できる。このこと
から、本発明の液晶組成物は電気光学的特性が改善さ
れ、且つ低温領域においても結晶が析出しにくいという
非常に優れた効果を有することが明らかである。
【0288】また、上述の製造方法や第1表〜第3表か
らも明らかなように、本発明で使用することができるD
化液晶化合物は、骨格が同一であっても、重水素原子
(D)の置換数や置換位置の違いや、立体配置の違いに
より非常に多くの同族体が存在する。
らも明らかなように、本発明で使用することができるD
化液晶化合物は、骨格が同一であっても、重水素原子
(D)の置換数や置換位置の違いや、立体配置の違いに
より非常に多くの同族体が存在する。
【0289】例えば、アクティブマトリクス用の化合物
として有用な前述の(No.18)の液晶化合物を、例
えば前述の(ヌ)の製造方法に従って製造すると、重水
素化反応の程度によって、下記のように合計8種類の同
族体を製造することができる。
として有用な前述の(No.18)の液晶化合物を、例
えば前述の(ヌ)の製造方法に従って製造すると、重水
素化反応の程度によって、下記のように合計8種類の同
族体を製造することができる。
【0290】
【化224】 また、前述の(ハ)の製造方法を用いると下記のように
合計9種類の同族体を製造することができる。
合計9種類の同族体を製造することができる。
【0291】
【化225】
【0292】このように、2通りの製造方法だけでも、
同族体を合計で17種類も製造することができる。ま
た、その他の製造方法を用いれば、更にその数が増え
る。このような化合物を使用する本発明の液晶組成物
は、D化液晶化合物を1種含有するものであっても上述
のような効果を奏することが認められるが、前述の種々
の製造方法によって得られる2種以上の同族体を併用す
るものは、低温領域で結晶が析出しないという効果がよ
り顕著に現れるので、このような液晶組成物は非常に好
ましい。また、同族体の種類が多くなっても電気光学的
特性を悪化させる傾向はみられないので、本発明の液晶
表示装置は、これまで液晶表示装置を使用することがで
きなかった極低温の環境でも、良好な駆動特性を示す。
同族体を合計で17種類も製造することができる。ま
た、その他の製造方法を用いれば、更にその数が増え
る。このような化合物を使用する本発明の液晶組成物
は、D化液晶化合物を1種含有するものであっても上述
のような効果を奏することが認められるが、前述の種々
の製造方法によって得られる2種以上の同族体を併用す
るものは、低温領域で結晶が析出しないという効果がよ
り顕著に現れるので、このような液晶組成物は非常に好
ましい。また、同族体の種類が多くなっても電気光学的
特性を悪化させる傾向はみられないので、本発明の液晶
表示装置は、これまで液晶表示装置を使用することがで
きなかった極低温の環境でも、良好な駆動特性を示す。
【0293】ここで、D化液晶化合物の同族体を2種以
上含有する本発明の組成物の効果を以下に示す。アクテ
ィブマトリクス用に用いられる化合物を含有する比較混
合液晶(a−2)と、類似構造を有するD化液晶化合物
の数種の同族体を含有する混合液晶(A)を調製するこ
とができ、その特性は以下の通りである。尚、混合液晶
(a−2)及び混合液晶(A)は以下の組成からなる。 混合液晶(a−2)
上含有する本発明の組成物の効果を以下に示す。アクテ
ィブマトリクス用に用いられる化合物を含有する比較混
合液晶(a−2)と、類似構造を有するD化液晶化合物
の数種の同族体を含有する混合液晶(A)を調製するこ
とができ、その特性は以下の通りである。尚、混合液晶
(a−2)及び混合液晶(A)は以下の組成からなる。 混合液晶(a−2)
【0294】
【化226】 混合液晶(A)
【0295】
【化227】
【0296】 混合液晶(A) 混合液晶(a−2) TN-I点 : 117 ℃ 119 ℃ しきい値電圧 : 1.91 V 1.96 V Δε : 5.5 5.5 Δn : 0.086 0.086 応答速度 : 28 msec 33 msec この結果から、本発明の混合液晶(A)の方がしきい値
電圧が低くく、応答速度も速いことが明らかである。ま
た、比較の混合液晶(a−2)を+10℃で保存して
も、1日後には結晶が析出するのに対して、本発明の混
合液晶(A)を+10℃で保存しても、1カ月経過後も
結晶は析出していない。同様に、後述の実施例にも示し
たように、D化液晶化合物を含有する種々の本発明の液
晶組成物は、いずれも電気光学的特性が改善され、且つ
低温で結晶が析出しないという顕著な効果を有すること
が明らかである。
電圧が低くく、応答速度も速いことが明らかである。ま
た、比較の混合液晶(a−2)を+10℃で保存して
も、1日後には結晶が析出するのに対して、本発明の混
合液晶(A)を+10℃で保存しても、1カ月経過後も
結晶は析出していない。同様に、後述の実施例にも示し
たように、D化液晶化合物を含有する種々の本発明の液
晶組成物は、いずれも電気光学的特性が改善され、且つ
低温で結晶が析出しないという顕著な効果を有すること
が明らかである。
【0297】また、本発明の液晶組成物は、これまでア
クティブマトリクス用液晶組成物に結晶が必ず析出して
しまうと言われている−55℃で保存しても、3カ月以
上結晶が析出しないものを得ることもできる。そのよう
な例として下記混合液晶(M)を調製することができ、
その特性は以下の通りである。
クティブマトリクス用液晶組成物に結晶が必ず析出して
しまうと言われている−55℃で保存しても、3カ月以
上結晶が析出しないものを得ることもできる。そのよう
な例として下記混合液晶(M)を調製することができ、
その特性は以下の通りである。
【0298】
【化228】
【0299】
【化229】
【0300】
【化230】
【0301】 この混合液晶(M)を用いて作製されるTFT駆動の液
晶表示装置は、低温領域においても良好な駆動特性を示
す。従って、本発明の液晶組成物を用いて、これまでア
クティブマトリクス駆動の液晶表示装置を使用すること
ができないとされている低温領域においても、使用可能
な画期的な液晶表示装置を得ることができる。従って、
低温でも安定に駆動することが要求される例えば、車載
用や航空機コックピットの表示装置の構成材料として極
めて有用である。
晶表示装置は、低温領域においても良好な駆動特性を示
す。従って、本発明の液晶組成物を用いて、これまでア
クティブマトリクス駆動の液晶表示装置を使用すること
ができないとされている低温領域においても、使用可能
な画期的な液晶表示装置を得ることができる。従って、
低温でも安定に駆動することが要求される例えば、車載
用や航空機コックピットの表示装置の構成材料として極
めて有用である。
【0302】更に、OA用器機においては、アクティブ
マトリクス駆動の液晶表示装置を汎用化するために、し
きい値電圧が1.2V以下であることが強く要求されて
いる。しかしながら、前述のようにこのような要求を満
たす液晶組成物を調製すると、結晶が析出しやすいとい
う問題がある。OA用の場合、通常−25℃で保存して
も1カ月以上結晶が析出しなければ実用的な液晶組成物
として認識されるが、しきい値電圧が1.2V以下で、
しかもTN-I点が85℃以上であり、−25℃で保存し
ても1カ月以上結晶が析出しないものは現在のところ得
られていない。ここで、しきい値電圧の低い混合液晶
(n)
マトリクス駆動の液晶表示装置を汎用化するために、し
きい値電圧が1.2V以下であることが強く要求されて
いる。しかしながら、前述のようにこのような要求を満
たす液晶組成物を調製すると、結晶が析出しやすいとい
う問題がある。OA用の場合、通常−25℃で保存して
も1カ月以上結晶が析出しなければ実用的な液晶組成物
として認識されるが、しきい値電圧が1.2V以下で、
しかもTN-I点が85℃以上であり、−25℃で保存し
ても1カ月以上結晶が析出しないものは現在のところ得
られていない。ここで、しきい値電圧の低い混合液晶
(n)
【0303】
【化231】 を調製したところ、特性は以下の通りである。尚、この
測定にはセル厚が4.5μmの液晶セルを使用した。 この混合液晶(n)は、しきい値電圧が低く、TN-I点
も高いが、0℃で保存しても、1日後には結晶が析出し
てしまい、実用的ではないことが明らかである。
測定にはセル厚が4.5μmの液晶セルを使用した。 この混合液晶(n)は、しきい値電圧が低く、TN-I点
も高いが、0℃で保存しても、1日後には結晶が析出し
てしまい、実用的ではないことが明らかである。
【0304】これに対して、D化液晶化合物を用いて本
発明に係わる下記混合液晶(N)を調製することができ
る。尚、この測定も前述の混合液晶(n)と同様に、セ
ル厚が4.5μmの液晶セルを使用した。
発明に係わる下記混合液晶(N)を調製することができ
る。尚、この測定も前述の混合液晶(n)と同様に、セ
ル厚が4.5μmの液晶セルを使用した。
【0305】
【化232】
【0306】
【化233】
【0307】
【化234】
【0308】
【化235】
【0309】
【化236】
【0310】 混合液晶(N) TN-I点 : 86 ℃ TC-N点 : −30 ℃ しきい値電圧 : 1.10 V Δε : 9.2 Δn : 0.080 応答速度 : 33 msec 電圧保持率 : 98.5 %(/100℃) この結果から、混合液晶(N)はTN-Iが高く、しきい
値電圧が1.2V以下と低くく、応答速度も速いことが
明らかである。また、この混合液晶(N)を−25℃で
1カ月以上保存しても結晶が析出せず、この混合液晶
(N)を用いて作製されるTFT駆動の液晶表示装置
は、低温領域において良好な駆動特性を示す。このこと
から、本発明の液晶組成物は電気光学的特性が改善さ
れ、且つ低温領域においても結晶が析出しないという非
常に優れた効果を有することが明らかである。次に、S
TN液晶表示装置において有用な前述のシアノ基を有す
る2環系化合物を含有する混合液晶(t)を調製するこ
とができ、その特性を下記に示す。
値電圧が1.2V以下と低くく、応答速度も速いことが
明らかである。また、この混合液晶(N)を−25℃で
1カ月以上保存しても結晶が析出せず、この混合液晶
(N)を用いて作製されるTFT駆動の液晶表示装置
は、低温領域において良好な駆動特性を示す。このこと
から、本発明の液晶組成物は電気光学的特性が改善さ
れ、且つ低温領域においても結晶が析出しないという非
常に優れた効果を有することが明らかである。次に、S
TN液晶表示装置において有用な前述のシアノ基を有す
る2環系化合物を含有する混合液晶(t)を調製するこ
とができ、その特性を下記に示す。
【0311】
【化237】 この混合液晶(t)は、しきい値電圧が1.2V以下
で、弾性定数比K33/K 11が2.5と大きく、低電圧駆
動及び高コントラストを達成できるSTN用液晶組成物
であり、電流値増大等の問題もほとんどない優れた液晶
組成物である。しかしながら、−25℃で保存すると5
日後には結晶が析出してしまう。この混合液晶(t)の
結晶析出の問題を解決すべく、下記混合液晶(T)を調
製することができる。
で、弾性定数比K33/K 11が2.5と大きく、低電圧駆
動及び高コントラストを達成できるSTN用液晶組成物
であり、電流値増大等の問題もほとんどない優れた液晶
組成物である。しかしながら、−25℃で保存すると5
日後には結晶が析出してしまう。この混合液晶(t)の
結晶析出の問題を解決すべく、下記混合液晶(T)を調
製することができる。
【0312】
【化238】
【0313】
【化239】 この結果から混合液晶(T)の方がしきい値電圧が低く
く、これを用いて作製されるツイスト角260゜のST
N表示装置は、低温領域においても良好な駆動特性を示
す。また、この混合液晶(T)は、−40℃で保存して
も3カ月経過後も結晶が析出しないという、実用上非常
に好ましいものである。このように本発明の液晶組成物
は、液晶組成物の低温での結晶析出の問題を飛躍的に改
善することができるものであり、今まで使用することが
できなかった環境温度での使用が大いに期待される。ま
た、本発明の液晶表示装置は特にアクティブマトリクス
駆動用、あるいはSTN液晶表示装置に制限されるもの
ではなく、通常のTN液晶表示装置にも有用であること
は言うまでもない。
く、これを用いて作製されるツイスト角260゜のST
N表示装置は、低温領域においても良好な駆動特性を示
す。また、この混合液晶(T)は、−40℃で保存して
も3カ月経過後も結晶が析出しないという、実用上非常
に好ましいものである。このように本発明の液晶組成物
は、液晶組成物の低温での結晶析出の問題を飛躍的に改
善することができるものであり、今まで使用することが
できなかった環境温度での使用が大いに期待される。ま
た、本発明の液晶表示装置は特にアクティブマトリクス
駆動用、あるいはSTN液晶表示装置に制限されるもの
ではなく、通常のTN液晶表示装置にも有用であること
は言うまでもない。
【0314】本発明の液晶組成物において、D化液晶化
合物の含有量は、総量で5重量%であることが好まし
く、D化液晶化合物からなる液晶組成物も好ましい。ま
た、30重量%〜90重量%の範囲が特に好ましい。ま
た、後述の実施例からも明らかなように、アクティブマ
トリクス用の本発明の液晶組成物としては、液晶組成物
全体の誘電率異方性(Δε)が+3〜+12の範囲にあ
ることが好ましく、TN、STN用液晶組成物として
は、Δεが+8以上であるD化液晶化合物を含有するも
のであることが好ましい。
合物の含有量は、総量で5重量%であることが好まし
く、D化液晶化合物からなる液晶組成物も好ましい。ま
た、30重量%〜90重量%の範囲が特に好ましい。ま
た、後述の実施例からも明らかなように、アクティブマ
トリクス用の本発明の液晶組成物としては、液晶組成物
全体の誘電率異方性(Δε)が+3〜+12の範囲にあ
ることが好ましく、TN、STN用液晶組成物として
は、Δεが+8以上であるD化液晶化合物を含有するも
のであることが好ましい。
【0315】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。なお、化合物の構造は、重水素
置換されていない既知の化合物と、キャピラリーガスク
ロマトグラフ及び薄層クロマトグラフを比較し、同一の
保持時間(あるいはRf値)を示すこと、及び核磁気共
鳴スペクトル(NMR)、質量スペクトル(MS)、赤
外吸収スペクトル(IR)により確認できる。なお、化
合物名中に記した「dn」は、シクロヘキサン環の水素
原子のうちのn個が重水素原子(D)で置換されている
ことを表わす。
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。なお、化合物の構造は、重水素
置換されていない既知の化合物と、キャピラリーガスク
ロマトグラフ及び薄層クロマトグラフを比較し、同一の
保持時間(あるいはRf値)を示すこと、及び核磁気共
鳴スペクトル(NMR)、質量スペクトル(MS)、赤
外吸収スペクトル(IR)により確認できる。なお、化
合物名中に記した「dn」は、シクロヘキサン環の水素
原子のうちのn個が重水素原子(D)で置換されている
ことを表わす。
【0316】(参考例1) 1−シアノ−4−(トラン
ス−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)
ベンゼンの合成
ス−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)
ベンゼンの合成
【0317】
【化240】
【0318】(1−a) 4−プロピルシクロヘキサノ
ンの重水素化 ナトリウムメトキシド11.5gを重水(重水素化率:
99.8%)100mlに溶解した。この溶液にジクロ
ロメタン100mlに溶解した4−プロピルシクロヘキ
サノン88.9g及び臭化テトラブチルアンモニウム
1.0gを加え、6時間、溶媒の還流温度で加熱攪拌す
る。反応終了後、放冷し、水層を分離して、反応生成物
をジクロロメタン50mlで抽出する。この抽出液と有
機層を併せ、この混合液を、ナトリウムメトキシド4.
0gを溶解した重水(重水素化率:99.96%)50
mlに加え、溶媒還流下で10時間加熱攪拌する。有機
層を分離し、水層は反応生成物をジクロロメタンで抽出
した後に回収する。この抽出液と有機層を併せ、水で洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥する。溶媒を溜去
して、4−プロピルシクロヘキサノン−2,2,6,6
−d488.6gを得る。 (1−b) 1−フェニル−4−プロピル−1−シクロ
ヘキセン−2,6,6−d3の合成 乾燥したテトラヒドロフラン(THF)20ml中に削
り状マグネシウム10.2gを加えた。これにブロモベ
ンゼン56.0gのTHF240ml溶液を、穏やかな
還流が持続する速度で滴下する。滴下終了後、更に1時
間攪拌した。氷冷下、上記(1−a)で得られる4−プ
ロピルシクロヘキサノン−2,2,6,6−d433.
0gのTHF100ml溶液を、内温が40℃を超さな
いように注意して1時間で滴下する。室温で更に1時間
攪拌した後、水層が弱酸性となるまで稀塩酸を加える。
反応生成物を酢酸エチル300mlで2回抽出し、有機
層を飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾
燥する。溶媒を減圧下に溜去して、油状の1−フェニル
−4−プロピル−1−シクロヘキサノール−2,2,
6,6−d4の粗生成物を得る。この粗生成物全量をト
ルエン200mlに溶解し、硫酸水素カリウム2.5g
を加え、攪拌下、溜出する水を除去しながら1時間加熱
還流させる。室温まで放冷した後、水、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液、水、次いで飽和食塩水で洗滌し、無水
硫酸ナトリウムで脱水乾燥する。溶媒を減圧下に溜去し
て、1−フェニル−4−プロピル−1−シクロヘキセン
−2,6,6−d347.5gを得る。
ンの重水素化 ナトリウムメトキシド11.5gを重水(重水素化率:
99.8%)100mlに溶解した。この溶液にジクロ
ロメタン100mlに溶解した4−プロピルシクロヘキ
サノン88.9g及び臭化テトラブチルアンモニウム
1.0gを加え、6時間、溶媒の還流温度で加熱攪拌す
る。反応終了後、放冷し、水層を分離して、反応生成物
をジクロロメタン50mlで抽出する。この抽出液と有
機層を併せ、この混合液を、ナトリウムメトキシド4.
0gを溶解した重水(重水素化率:99.96%)50
mlに加え、溶媒還流下で10時間加熱攪拌する。有機
層を分離し、水層は反応生成物をジクロロメタンで抽出
した後に回収する。この抽出液と有機層を併せ、水で洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥する。溶媒を溜去
して、4−プロピルシクロヘキサノン−2,2,6,6
−d488.6gを得る。 (1−b) 1−フェニル−4−プロピル−1−シクロ
ヘキセン−2,6,6−d3の合成 乾燥したテトラヒドロフラン(THF)20ml中に削
り状マグネシウム10.2gを加えた。これにブロモベ
ンゼン56.0gのTHF240ml溶液を、穏やかな
還流が持続する速度で滴下する。滴下終了後、更に1時
間攪拌した。氷冷下、上記(1−a)で得られる4−プ
ロピルシクロヘキサノン−2,2,6,6−d433.
0gのTHF100ml溶液を、内温が40℃を超さな
いように注意して1時間で滴下する。室温で更に1時間
攪拌した後、水層が弱酸性となるまで稀塩酸を加える。
反応生成物を酢酸エチル300mlで2回抽出し、有機
層を飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾
燥する。溶媒を減圧下に溜去して、油状の1−フェニル
−4−プロピル−1−シクロヘキサノール−2,2,
6,6−d4の粗生成物を得る。この粗生成物全量をト
ルエン200mlに溶解し、硫酸水素カリウム2.5g
を加え、攪拌下、溜出する水を除去しながら1時間加熱
還流させる。室温まで放冷した後、水、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液、水、次いで飽和食塩水で洗滌し、無水
硫酸ナトリウムで脱水乾燥する。溶媒を減圧下に溜去し
て、1−フェニル−4−プロピル−1−シクロヘキセン
−2,6,6−d347.5gを得る。
【0319】(1−c) (トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンの合成 オートクレーブ中に上記(1−b)で得られる1−フェ
ニル−4−プロピル−1−シクロヘキセン−2,6,6
−d340.0gを加え、酢酸エチル340mlに溶解
する。この溶液に4.0gのパラジウム炭素を加え、水
素圧4Kg/cm2で3時間室温で攪拌する。セライト
濾過により触媒を除去し、減圧下に溶媒を溜去して、
(4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベ
ンゼン(シス/トランスの混合物)を得る。これをN,
N−ジメチルホルムアミド(DMF)200mlに溶解
し、t−ブトキシカリウム17.0gを加え、110℃
で3時間攪拌する。反応終了後、水100mlを加え、
稀塩酸で中和し、反応生成物をヘキサンで2回抽出す
る。ヘキサン層を水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱
水乾燥した後、溶媒を減圧下に溜去して得られた粗生成
物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサ
ン)を用いて精製して、(トランス−4−プロピルシク
ロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼン及び(シス−
4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベン
ゼンの重量比86/14混合物34.2gを得る。
クロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンの合成 オートクレーブ中に上記(1−b)で得られる1−フェ
ニル−4−プロピル−1−シクロヘキセン−2,6,6
−d340.0gを加え、酢酸エチル340mlに溶解
する。この溶液に4.0gのパラジウム炭素を加え、水
素圧4Kg/cm2で3時間室温で攪拌する。セライト
濾過により触媒を除去し、減圧下に溶媒を溜去して、
(4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベ
ンゼン(シス/トランスの混合物)を得る。これをN,
N−ジメチルホルムアミド(DMF)200mlに溶解
し、t−ブトキシカリウム17.0gを加え、110℃
で3時間攪拌する。反応終了後、水100mlを加え、
稀塩酸で中和し、反応生成物をヘキサンで2回抽出す
る。ヘキサン層を水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱
水乾燥した後、溶媒を減圧下に溜去して得られた粗生成
物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサ
ン)を用いて精製して、(トランス−4−プロピルシク
ロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼン及び(シス−
4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベン
ゼンの重量比86/14混合物34.2gを得る。
【0320】(1−d) 4−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンズアミドの
合成 上記(1−c)で得られる(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼン及び(シス
−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベ
ンゼンの重量比86/14混合物20.0gを、ジクロ
ロメタン100mlに溶解し、無水塩化アルミニウム1
7gを加え、氷冷する。ジクロロメタン70mlに溶解
したシュウ酸ジクロリド14gを内温が10℃を超えな
いよう注意して滴下する。1時間氷冷下に攪拌後、稀塩
酸及び氷中にあけ、ジクロロメタンで抽出する。このジ
クロロメタン溶液を29%アンモニア水250mlに氷
冷下10℃以下で滴下する。1時間5〜10℃で攪拌し
た後、析出した結晶を濾取し、減圧下に乾燥して、4−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6
−d3)ベンズアミドの粗結晶(シス体を少量含有す
る)20.0gを得る。
ルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンズアミドの
合成 上記(1−c)で得られる(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼン及び(シス
−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベ
ンゼンの重量比86/14混合物20.0gを、ジクロ
ロメタン100mlに溶解し、無水塩化アルミニウム1
7gを加え、氷冷する。ジクロロメタン70mlに溶解
したシュウ酸ジクロリド14gを内温が10℃を超えな
いよう注意して滴下する。1時間氷冷下に攪拌後、稀塩
酸及び氷中にあけ、ジクロロメタンで抽出する。このジ
クロロメタン溶液を29%アンモニア水250mlに氷
冷下10℃以下で滴下する。1時間5〜10℃で攪拌し
た後、析出した結晶を濾取し、減圧下に乾燥して、4−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6
−d3)ベンズアミドの粗結晶(シス体を少量含有す
る)20.0gを得る。
【0321】(1−e) 1−シアノ−4−(トランス
−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベ
ンゼンの合成 上記(1−d)で得られる4−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンズアミドの
全量を塩化チオニル100mlに加え、還流下1時間加
熱攪拌する。減圧下に過剰の塩化チオニルを溜去し、放
冷後、水及びトルエンを加えて攪拌し、有機層を分離す
る。水層はトルエンで抽出し、この抽出液と有機層を併
せて水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒
を溜去して得られる粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(トルエン)を用いて精製し、更にメタノ
ールから再結晶させて、1−シアノ−4−(トランス−
4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベン
ゼン9.4gを得る。この相転移温度は以下の通りであ
る。 相転移温度 42℃(融点)(Cr→N)、46℃
(N−I) なお、全く重水素化されていない1−シアノ−4−(ト
ランス−4−プロピルシクロヘキシル)ベンゼンの文献
(「液晶・基礎編」岡野光治、小林駿介共編、培風館、
1985年)記載の相転移温度は以下の通りである。 相転移温度 42℃(融点)(Cr→N)、45℃
(N−I)
−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベ
ンゼンの合成 上記(1−d)で得られる4−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンズアミドの
全量を塩化チオニル100mlに加え、還流下1時間加
熱攪拌する。減圧下に過剰の塩化チオニルを溜去し、放
冷後、水及びトルエンを加えて攪拌し、有機層を分離す
る。水層はトルエンで抽出し、この抽出液と有機層を併
せて水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒
を溜去して得られる粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(トルエン)を用いて精製し、更にメタノ
ールから再結晶させて、1−シアノ−4−(トランス−
4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベン
ゼン9.4gを得る。この相転移温度は以下の通りであ
る。 相転移温度 42℃(融点)(Cr→N)、46℃
(N−I) なお、全く重水素化されていない1−シアノ−4−(ト
ランス−4−プロピルシクロヘキシル)ベンゼンの文献
(「液晶・基礎編」岡野光治、小林駿介共編、培風館、
1985年)記載の相転移温度は以下の通りである。 相転移温度 42℃(融点)(Cr→N)、45℃
(N−I)
【0322】(参考例2) 1−シアノ−4−(トラン
ス−4−プロピルシクロヘキシル−3,3,5,5−d
4)ベンゼンの合成
ス−4−プロピルシクロヘキシル−3,3,5,5−d
4)ベンゼンの合成
【0323】
【化241】
【0324】(2−a) 4−フェニルシクロヘキサノ
ンの重水素化 市販の4−フェニルシクロヘキサノンを参考例(1−
a)と同様に重水素化し、4−フェニルシクロヘキサノ
ン−2,2,6,6−d4を得る。 (2−b) トランス−4−フェニルシクロヘキサン−
2,2,6,6−d4カルバルデヒドの合成 塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム14.2
gをTHF35mlに懸濁し、−5℃に冷却する。これ
にt−ブトキシカリウム4.6gを加え、室温で1時間
攪拌してウィッティヒ反応剤を調製する。これに上記
(2−a)で得られる4−フェニルシクロヘキサノン−
2,2,6,6−d45.7gのTHF10ml溶液を
−5℃で5分間で滴下する。室温で5時間攪拌した後、
水にあけ、ヘキサンを加え、有機層を分離する。トリフ
ェニルホスフィンオキシドの沈澱を濾別し、水で洗滌し
た後、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を溜去して
得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(ヘキサン/酢酸エチル=5)を用いて精製して、4
−フェニルシクロヘキサン−2,2,6,6−d4カル
バルデヒドの油状物5.2gを得る。これはシクロヘキ
サン環のシス、トランス配置によるジアステレオマー混
合物である。これをエタノール50mlに溶解し、20
%水酸化ナトリウム水溶液1mlを加えて室温で3時間
攪拌する。水を加え1N塩酸で中和した後、反応生成物
を酢酸エチルで抽出し、抽出液を水洗後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥する。溶媒を溜去して得られる粗生成物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸
エチル=5)を用いて精製し、ヘキサンから再結晶させ
て、トランス−4−フェニルシクロヘキサン−2,2,
6,6−d4カルバルデヒドの白色結晶3.1gを得
る。
ンの重水素化 市販の4−フェニルシクロヘキサノンを参考例(1−
a)と同様に重水素化し、4−フェニルシクロヘキサノ
ン−2,2,6,6−d4を得る。 (2−b) トランス−4−フェニルシクロヘキサン−
2,2,6,6−d4カルバルデヒドの合成 塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム14.2
gをTHF35mlに懸濁し、−5℃に冷却する。これ
にt−ブトキシカリウム4.6gを加え、室温で1時間
攪拌してウィッティヒ反応剤を調製する。これに上記
(2−a)で得られる4−フェニルシクロヘキサノン−
2,2,6,6−d45.7gのTHF10ml溶液を
−5℃で5分間で滴下する。室温で5時間攪拌した後、
水にあけ、ヘキサンを加え、有機層を分離する。トリフ
ェニルホスフィンオキシドの沈澱を濾別し、水で洗滌し
た後、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を溜去して
得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(ヘキサン/酢酸エチル=5)を用いて精製して、4
−フェニルシクロヘキサン−2,2,6,6−d4カル
バルデヒドの油状物5.2gを得る。これはシクロヘキ
サン環のシス、トランス配置によるジアステレオマー混
合物である。これをエタノール50mlに溶解し、20
%水酸化ナトリウム水溶液1mlを加えて室温で3時間
攪拌する。水を加え1N塩酸で中和した後、反応生成物
を酢酸エチルで抽出し、抽出液を水洗後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥する。溶媒を溜去して得られる粗生成物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸
エチル=5)を用いて精製し、ヘキサンから再結晶させ
て、トランス−4−フェニルシクロヘキサン−2,2,
6,6−d4カルバルデヒドの白色結晶3.1gを得
る。
【0325】(2−c) トランス−1−フェニル−4
−(1−プロペニル)シクロヘキサン−3,3,5,5
−d4の合成 ヨウ化エチルトリフェニルホスホニウム1.8gをTH
F3mlとトルエン10mlに懸濁し15℃に冷却す
る。これにt−ブトキシカリウム0.52gを加え、室
温で1時間攪拌してウィッティヒ反応剤を調製する。こ
れに、上記(2−b)で得られるトランス−4−フェニ
ルシクロヘキサン−2,2,6,6−d4カルバルデヒ
ド0.60gのトルエン2ml溶液を15℃で5分間で
滴下する。室温で2時間攪拌した後、反応液を水にあ
け、トルエンを加え、有機層を分離する。有機層を濃縮
した後、ヘキサンを加え、トリフェニルホスフィンオキ
シドの沈澱を濾別し、水/メタノール混合溶媒(1/
1)で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶
媒を溜去して得られる粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(ヘキサン)を用いて精製して、トラン
ス−1−フェニル−4−(1−プロペニル)シクロヘキ
サン−3,3,5,5−d40.56gを得る。
−(1−プロペニル)シクロヘキサン−3,3,5,5
−d4の合成 ヨウ化エチルトリフェニルホスホニウム1.8gをTH
F3mlとトルエン10mlに懸濁し15℃に冷却す
る。これにt−ブトキシカリウム0.52gを加え、室
温で1時間攪拌してウィッティヒ反応剤を調製する。こ
れに、上記(2−b)で得られるトランス−4−フェニ
ルシクロヘキサン−2,2,6,6−d4カルバルデヒ
ド0.60gのトルエン2ml溶液を15℃で5分間で
滴下する。室温で2時間攪拌した後、反応液を水にあ
け、トルエンを加え、有機層を分離する。有機層を濃縮
した後、ヘキサンを加え、トリフェニルホスフィンオキ
シドの沈澱を濾別し、水/メタノール混合溶媒(1/
1)で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶
媒を溜去して得られる粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(ヘキサン)を用いて精製して、トラン
ス−1−フェニル−4−(1−プロペニル)シクロヘキ
サン−3,3,5,5−d40.56gを得る。
【0326】(2−d) トランス−1−フェニル−4
−プロピルシクロヘキサン−3,3,5,5−d4の合
成 上記(2−c)で得られるトランス−1−フェニル−4
−(1−プロペニル)シクロヘキサン−3,3,5,5
−d4の全量を、参考例(1−c)において用いた触媒
をパラジウム炭素からラネーニッケルに代えて反応させ
る以外は参考例(1−c)と全く同様にして、トランス
−1−フェニル−4−プロピルシクロヘキサン−3,
3,5,5−d4の0.55gを得る。 (2−e) 1−シアノ−4−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシル−3,3,5,5−d4)ベンゼンの
合成 上記(2−d)で得られるトランス−1−フェニル−4
−プロピルシクロヘキサン−3,3,5,5−d4の全
量を用い、上記(1−d)次いで(1−e)と同様にし
て、1−シアノ−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル−3,3,5,5−d4)ベンゼン0.28gを得
る。この化合物の相転移温度は第1表に示した。
−プロピルシクロヘキサン−3,3,5,5−d4の合
成 上記(2−c)で得られるトランス−1−フェニル−4
−(1−プロペニル)シクロヘキサン−3,3,5,5
−d4の全量を、参考例(1−c)において用いた触媒
をパラジウム炭素からラネーニッケルに代えて反応させ
る以外は参考例(1−c)と全く同様にして、トランス
−1−フェニル−4−プロピルシクロヘキサン−3,
3,5,5−d4の0.55gを得る。 (2−e) 1−シアノ−4−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシル−3,3,5,5−d4)ベンゼンの
合成 上記(2−d)で得られるトランス−1−フェニル−4
−プロピルシクロヘキサン−3,3,5,5−d4の全
量を用い、上記(1−d)次いで(1−e)と同様にし
て、1−シアノ−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル−3,3,5,5−d4)ベンゼン0.28gを得
る。この化合物の相転移温度は第1表に示した。
【0327】(参考例3) 1−シアノ−2−フルオロ
−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,
2,6−d3)ベンゼンの合成 参考例1において、ブロモベンゼンに代えて、3−フル
オロ−1−ブロモベンゼンを用いる以外は参考例1と同
様にして、1−シアノ−2−フルオロ−4−(トランス
−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベ
ンゼンを得る。この化合物の相転移温度は第1表に示し
た。 (参考例4) 1−フルオロ−4−(トランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンの
合成 参考例1において、ブロモベンゼンに代えて、4−フル
オロ−1−ブロモベンゼンを用い、4−プロピルシクロ
ヘキサノンに代えて、4−ペンチルシクロヘキサノンを
用いる以外は参考例1と同様にして、1−フルオロ−4
−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,
6−d3)ベンゼンを得る。この化合物の相転移温度は
第1表に示した。 (参考例5) 1−メトキシ−4−(トランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンの
合成 参考例1において、ブロモベンゼンに代えて、4−ブロ
モアニソールを用い、4−プロピルシクロヘキサノンに
代えて、4−ペンチルシクロヘキサノンを用いる以外は
参考例1と同様にして、1−メトキシ−4−(トランス
−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベ
ンゼンを得る。この化合物の相転移温度は第1表に示し
た。
−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,
2,6−d3)ベンゼンの合成 参考例1において、ブロモベンゼンに代えて、3−フル
オロ−1−ブロモベンゼンを用いる以外は参考例1と同
様にして、1−シアノ−2−フルオロ−4−(トランス
−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベ
ンゼンを得る。この化合物の相転移温度は第1表に示し
た。 (参考例4) 1−フルオロ−4−(トランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンの
合成 参考例1において、ブロモベンゼンに代えて、4−フル
オロ−1−ブロモベンゼンを用い、4−プロピルシクロ
ヘキサノンに代えて、4−ペンチルシクロヘキサノンを
用いる以外は参考例1と同様にして、1−フルオロ−4
−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,
6−d3)ベンゼンを得る。この化合物の相転移温度は
第1表に示した。 (参考例5) 1−メトキシ−4−(トランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンの
合成 参考例1において、ブロモベンゼンに代えて、4−ブロ
モアニソールを用い、4−プロピルシクロヘキサノンに
代えて、4−ペンチルシクロヘキサノンを用いる以外は
参考例1と同様にして、1−メトキシ−4−(トランス
−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベ
ンゼンを得る。この化合物の相転移温度は第1表に示し
た。
【0328】(参考例6) 1,2−ジフルオロ−4−
(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6
−d3)ベンゼンの合成 参考例1において、ブロモベンゼンに代えて、1−ブロ
モ−3,4−ジフルオロベンゼンを用い、4−プロピル
シクロヘキサノンに代えて、4−ペンチルシクロヘキサ
ノンを用いる以外は参考例1と同様にして、1,2−ジ
フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル−2,2,6−d3)ベンゼンを得る。この化合物の
相転移温度は第1表に示した。 (参考例7) 1−トリフルオロメトキシ−4−(トラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−
d3)ベンゼンの合成 参考例1において、ブロモベンゼンに代えて、4−ブロ
モ−1−トリフルオロメトキシベンゼンを用い、4−プ
ロピルシクロヘキサノンに代えて、4−ペンチルシクロ
ヘキサノンを用いる以外は参考例1と同様にして、1−
トリフルオロメトキシ−4−(トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンを得る。
この化合物の相転移温度は第1表に示した。 (参考例8) 1−メチル−4−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンの合
成 参考例1において、ブロモベンゼンに代えて、4−ブロ
モトルエンを用い、4−プロピルシクロヘキサノンに代
えて、4−ペンチルシクロヘキサノンを用いる以外は参
考例1と同様にして、1−メチル−4−(トランス−4
−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼ
ンを得る。この化合物の相転移温度は第1表に示した。
(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6
−d3)ベンゼンの合成 参考例1において、ブロモベンゼンに代えて、1−ブロ
モ−3,4−ジフルオロベンゼンを用い、4−プロピル
シクロヘキサノンに代えて、4−ペンチルシクロヘキサ
ノンを用いる以外は参考例1と同様にして、1,2−ジ
フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル−2,2,6−d3)ベンゼンを得る。この化合物の
相転移温度は第1表に示した。 (参考例7) 1−トリフルオロメトキシ−4−(トラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−
d3)ベンゼンの合成 参考例1において、ブロモベンゼンに代えて、4−ブロ
モ−1−トリフルオロメトキシベンゼンを用い、4−プ
ロピルシクロヘキサノンに代えて、4−ペンチルシクロ
ヘキサノンを用いる以外は参考例1と同様にして、1−
トリフルオロメトキシ−4−(トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンを得る。
この化合物の相転移温度は第1表に示した。 (参考例8) 1−メチル−4−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンの合
成 参考例1において、ブロモベンゼンに代えて、4−ブロ
モトルエンを用い、4−プロピルシクロヘキサノンに代
えて、4−ペンチルシクロヘキサノンを用いる以外は参
考例1と同様にして、1−メチル−4−(トランス−4
−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼ
ンを得る。この化合物の相転移温度は第1表に示した。
【0329】(参考例9) トランス−4−(トランス
−4−プロピルシクロヘキシル)−1−ブチルシクロヘ
キサン−2,2,6,6−d4の合成
−4−プロピルシクロヘキシル)−1−ブチルシクロヘ
キサン−2,2,6,6−d4の合成
【0330】
【化242】
【0331】4−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル)シクロヘキサノンを上記(1−a)と同様に重水
素化し、4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキサノン−2,2,6,6−d4を得る。
これを上記(2−b)と同様にウィッティヒ反応剤と反
応させて、4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキサン−2,2,6,6−d4カルバルデ
ヒドを得る。これを臭化プロピルトリフェニルホスホニ
ウムから調製されるウィッティヒ反応剤と上記(2−
c)と同様に反応させ、次いで上記(2−d)と同様に
水素添加して、トランス−4−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシル)−1−ブチルシクロヘキサン−2,
2,6,6−d4を得る。この化合物の相転移温度は第
1表にまとめて示した。
シル)シクロヘキサノンを上記(1−a)と同様に重水
素化し、4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキサノン−2,2,6,6−d4を得る。
これを上記(2−b)と同様にウィッティヒ反応剤と反
応させて、4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキサン−2,2,6,6−d4カルバルデ
ヒドを得る。これを臭化プロピルトリフェニルホスホニ
ウムから調製されるウィッティヒ反応剤と上記(2−
c)と同様に反応させ、次いで上記(2−d)と同様に
水素添加して、トランス−4−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシル)−1−ブチルシクロヘキサン−2,
2,6,6−d4を得る。この化合物の相転移温度は第
1表にまとめて示した。
【0332】(参考例10) 1−シアノ−4−[2−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,
6,6−d4)エチル]ベンゼンの合成
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,
6,6−d4)エチル]ベンゼンの合成
【0333】
【化243】
【0334】上記(1−a)で得られる4−プロピルシ
クロヘキサノン−2,2,6,6−d4を、塩化メトキ
シメチルトリフェニルホスホニウムから調製されるウィ
ッティヒ反応剤と上記(2−b)と同様に反応させて、
トランス−4−プロピルシクロヘキサン−2,2,6,
6−d4カルバルデヒドを得る。これと同じウィッティ
ヒ反応剤との反応を繰り返し、トランス−4−プロピル
シクロヘキサン−2,2,6,6−d4エタナールを得
る。これをトランス−4−プロピルシクロヘキサノン−
2,2,6,6−d4に代えて用いる以外は、(1−
b)〜(1−e)と同様に反応させて、1−シアノ−4
−[2−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−
2,2,6,6−d4)エチル]ベンゼンを得る。相転
移温度は第1表にまとめて示した。
クロヘキサノン−2,2,6,6−d4を、塩化メトキ
シメチルトリフェニルホスホニウムから調製されるウィ
ッティヒ反応剤と上記(2−b)と同様に反応させて、
トランス−4−プロピルシクロヘキサン−2,2,6,
6−d4カルバルデヒドを得る。これと同じウィッティ
ヒ反応剤との反応を繰り返し、トランス−4−プロピル
シクロヘキサン−2,2,6,6−d4エタナールを得
る。これをトランス−4−プロピルシクロヘキサノン−
2,2,6,6−d4に代えて用いる以外は、(1−
b)〜(1−e)と同様に反応させて、1−シアノ−4
−[2−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−
2,2,6,6−d4)エチル]ベンゼンを得る。相転
移温度は第1表にまとめて示した。
【0335】(参考例11) 1−シアノ−4−(トラ
ンス−4−エテニルシクロヘキシル−3,3,5,5−
d4)ベンゼンの合成 上記(2−b)で得られるトランス−4−フェニル−シ
クロヘキサン−2,2,6,6−d4カルバルデヒドを
ヨウ化メチルトリフェニルホスホニウムから調製される
ウィッティヒ反応剤と上記(2−c)と同様に反応させ
て、トランス−1−エテニル−4−フェニルシクロヘキ
サン−2,2,6,6−d4を得る。これを以下、(1
−d)次いで(1−e)と同様に反応させて、1−シア
ノ−4−(トランス−4−エチニルシクロヘキシル−
3,3,5,5−d4)ベンゼンを得る。この化合物の
相転移温度は第2表に示した。 (参考例12) 1−シアノ−4−[トランス−4−
(トランス−1−プロペニル)シクロヘキシル−3,
3,5,5−d4]ベンゼンの合成 参考例11において、ヨウ化メチルトリフェニルホスホ
ニウムから調製されるウィッティヒ反応剤に代えて、臭
化エチルトリフェニルホスホニウムから調製されるウィ
ッティヒ反応剤を用いる以外は参考例11と同様にし
て、トランス−1−(シス−1−プロペニル)−4−フ
ェニルシクロヘキサン−2,2,6,6−d4を得る。
この化合物1.0gをトルエン5mlに溶解し、10%
塩酸10mlを加える。これにベンゼンスルフィン酸ナ
トリウム0.25gを加え、10時間加熱還流させる。
放冷後、トルエン50mlを加えて水層を分離し、不溶
物を除去し、2%塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、水で順次洗滌する。溶媒を減圧下に溜去して、トラ
ンス−1−(トランス−1−プロペニル)−4−フェニ
ルシクロヘキサン−2,2,6,6−d4及びトランス
−1−(シス−1−プロペニル)−4−フェニルシクロ
ヘキサン−2,2,6,6−d4の重量比約3/1混合
物を得る。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(ヘキサン/酢酸エチル)を用いて精製し、更にエタノ
ールから再結晶させて、トランス−1−(トランス−1
−プロペニル)−4−フェニルシクロヘキサン−2,
2,6,6−d40.62gを得る。これを以下、(1
−d)次いで(1−e)と同様に反応させて、1−シア
ノ−4−[トランス−4−(トランス−1−プロペニ
ル)シクロヘキシル−3,3,5,5−d4]ベンゼン
を得る。この化合物の相転移温度は第2表に示した。
ンス−4−エテニルシクロヘキシル−3,3,5,5−
d4)ベンゼンの合成 上記(2−b)で得られるトランス−4−フェニル−シ
クロヘキサン−2,2,6,6−d4カルバルデヒドを
ヨウ化メチルトリフェニルホスホニウムから調製される
ウィッティヒ反応剤と上記(2−c)と同様に反応させ
て、トランス−1−エテニル−4−フェニルシクロヘキ
サン−2,2,6,6−d4を得る。これを以下、(1
−d)次いで(1−e)と同様に反応させて、1−シア
ノ−4−(トランス−4−エチニルシクロヘキシル−
3,3,5,5−d4)ベンゼンを得る。この化合物の
相転移温度は第2表に示した。 (参考例12) 1−シアノ−4−[トランス−4−
(トランス−1−プロペニル)シクロヘキシル−3,
3,5,5−d4]ベンゼンの合成 参考例11において、ヨウ化メチルトリフェニルホスホ
ニウムから調製されるウィッティヒ反応剤に代えて、臭
化エチルトリフェニルホスホニウムから調製されるウィ
ッティヒ反応剤を用いる以外は参考例11と同様にし
て、トランス−1−(シス−1−プロペニル)−4−フ
ェニルシクロヘキサン−2,2,6,6−d4を得る。
この化合物1.0gをトルエン5mlに溶解し、10%
塩酸10mlを加える。これにベンゼンスルフィン酸ナ
トリウム0.25gを加え、10時間加熱還流させる。
放冷後、トルエン50mlを加えて水層を分離し、不溶
物を除去し、2%塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、水で順次洗滌する。溶媒を減圧下に溜去して、トラ
ンス−1−(トランス−1−プロペニル)−4−フェニ
ルシクロヘキサン−2,2,6,6−d4及びトランス
−1−(シス−1−プロペニル)−4−フェニルシクロ
ヘキサン−2,2,6,6−d4の重量比約3/1混合
物を得る。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(ヘキサン/酢酸エチル)を用いて精製し、更にエタノ
ールから再結晶させて、トランス−1−(トランス−1
−プロペニル)−4−フェニルシクロヘキサン−2,
2,6,6−d40.62gを得る。これを以下、(1
−d)次いで(1−e)と同様に反応させて、1−シア
ノ−4−[トランス−4−(トランス−1−プロペニ
ル)シクロヘキシル−3,3,5,5−d4]ベンゼン
を得る。この化合物の相転移温度は第2表に示した。
【0336】(参考例13) 3,4−ジフルオロ−1
−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘ
キシル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼン
の合成
−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘ
キシル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼン
の合成
【0337】
【化244】
【0338】(13−a) 4−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)シクロヘキサノンの重水素化 参考例(1−a)において、トランス−4−プロピルシ
クロヘキサノンに代えて、4−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシル)シクロヘキサノンを用いる以外は
(1−a)と同様にして、4−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシル)シクロヘキサノン−2,2,6,6
−d4を得る。 (13−b) 3,4−ジフルオロ−1−[トランス−
4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンの合成 参考例6において、4−ペンチルシクロヘキサノン−
2,2,6,6−d4に代えて、上記(13−a)で得
られる4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
シクロヘキサノン−2,2,6,6−d4を用いる以外
は参考例6と同様にして、3,4−ジフルオロ−1−
[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンを
得る。この化合物の相転移温度は第2表に示した。 (参考例14) 3,4−ジフルオロ−1−[トランス
−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンの合成 参考例13において、4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)シクロヘキサノンに代えて、4−(トラ
ンス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキサノンを
用いる以外は参考例13と同様にして、3,4−ジフル
オロ−1−[トランス−4−(トランス−4−ブチルシ
クロヘキシル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベ
ンゼンを得る。この化合物の相転移温度は第2表に示し
た。
ピルシクロヘキシル)シクロヘキサノンの重水素化 参考例(1−a)において、トランス−4−プロピルシ
クロヘキサノンに代えて、4−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシル)シクロヘキサノンを用いる以外は
(1−a)と同様にして、4−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシル)シクロヘキサノン−2,2,6,6
−d4を得る。 (13−b) 3,4−ジフルオロ−1−[トランス−
4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンの合成 参考例6において、4−ペンチルシクロヘキサノン−
2,2,6,6−d4に代えて、上記(13−a)で得
られる4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
シクロヘキサノン−2,2,6,6−d4を用いる以外
は参考例6と同様にして、3,4−ジフルオロ−1−
[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンを
得る。この化合物の相転移温度は第2表に示した。 (参考例14) 3,4−ジフルオロ−1−[トランス
−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンの合成 参考例13において、4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)シクロヘキサノンに代えて、4−(トラ
ンス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキサノンを
用いる以外は参考例13と同様にして、3,4−ジフル
オロ−1−[トランス−4−(トランス−4−ブチルシ
クロヘキシル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベ
ンゼンを得る。この化合物の相転移温度は第2表に示し
た。
【0339】(参考例15) 3,4−ジフルオロ−1
−[2−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)シクロヘキシル−2,2,6,6−
d4]エチル]ベンゼンの合成 (15−a) 4−(トランス−4−プロピルシクロヘ
キシル)シクロヘキサン−2,2,6,6−d4エタナ
ールの合成 上記(13−a)で得られる4−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)シクロヘキサノン−2,2,6,
6−d4から、参考例10の前半と同様にして、4−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキ
サン−2,2,6,6−d4エタナールを得る。
−[2−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)シクロヘキシル−2,2,6,6−
d4]エチル]ベンゼンの合成 (15−a) 4−(トランス−4−プロピルシクロヘ
キシル)シクロヘキサン−2,2,6,6−d4エタナ
ールの合成 上記(13−a)で得られる4−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)シクロヘキサノン−2,2,6,
6−d4から、参考例10の前半と同様にして、4−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキ
サン−2,2,6,6−d4エタナールを得る。
【0340】(15−b) 3,4−ジフルオロ−1−
[2−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシク
ロヘキシル)シクロヘキシル−2,2,6,6−d4]
エチル]ベンゼンの合成 1−ブロモ−3,4−ジフルオロベンゼンからグリニヤ
ール反応剤を調製し、これを上記(15−a)で得られ
る4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シク
ロヘキサン−2,2,6,6−d4エタナールと、参考
例6と同様に反応させて、3,4−ジフルオロ−1−
[2−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシク
ロヘキシル)シクロヘキシル−2,2,6,6−d4]
エチル]ベンゼンを得る。この化合物の相転移温度は第
2表に示した。
[2−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシク
ロヘキシル)シクロヘキシル−2,2,6,6−d4]
エチル]ベンゼンの合成 1−ブロモ−3,4−ジフルオロベンゼンからグリニヤ
ール反応剤を調製し、これを上記(15−a)で得られ
る4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シク
ロヘキサン−2,2,6,6−d4エタナールと、参考
例6と同様に反応させて、3,4−ジフルオロ−1−
[2−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシク
ロヘキシル)シクロヘキシル−2,2,6,6−d4]
エチル]ベンゼンを得る。この化合物の相転移温度は第
2表に示した。
【0341】(参考例16) 3,4−ジフルオロ−1
−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘ
キシル−3,3,5,5−d4)シクロヘキシル]ベン
ゼンの合成
−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘ
キシル−3,3,5,5−d4)シクロヘキシル]ベン
ゼンの合成
【0342】
【化245】
【0343】(16−a) 4−[トランス−4−
(3,4−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル]シク
ロヘキサノン−2,2,6,6−d4の合成 1−ブロモ−3,4−ジフルオロベンゼン及びマグネシ
ウムからTHF中で調製されるグリニャール反応剤に、
ビシクロヘキサン−4,4’−ジオンのモノエチレンア
セタールのTHF溶液を氷冷下で滴下する。室温で1時
間反応させた後、常法通りに後処理して、4−[4−ヒ
ドロキシ−4−(3,4−ジフルオロフェニル)シクロ
ヘキシル]シクロヘキサノンエチレンアセタールの粗結
晶を得る。この粗結晶のトルエン溶液に少量の硫酸水素
カリウムを加え、水を除きながら10時間還流する。水
を加え、反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液の溶媒
を溜去し、4−[4−(3,4−ジフルオロフェニル)
−3−シクロヘキセニル]シクロヘキサノンエチレンア
セタールの白色結晶を得る。この結晶のトルエン溶液に
トリエチルアミンと触媒量のパラジウム炭素を加え、オ
ートクレーブ中で水素圧5Kg/cm2で3時間反応さ
せる。触媒を濾別し濃縮した後、得られる粗生成物をエ
タノールから再結晶させて、4−[トランス−4−
(3,4−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル]シク
ロヘキサノンエチレンアセタールの白色結晶を得る。こ
のトルエン溶液に蟻酸を加えて室温で4時間攪拌する。
水を加え、有機層を分離し、炭酸水素ナトリウム水溶液
で洗滌し乾燥した後、溶媒を溜去しエタノールから再結
晶させて、4−[トランス−4−(3,4−ジフルオロ
フェニル)シクロヘキシル]シクロヘキサノンの白色結
晶を得る。これを参考例(1−a)と同様に重水素化し
て、4−[トランス−4−(3,4−ジフルオロフェニ
ル)シクロヘキシル]シクロヘキサノン−2,2,6,
6−d4の結晶を得る。
(3,4−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル]シク
ロヘキサノン−2,2,6,6−d4の合成 1−ブロモ−3,4−ジフルオロベンゼン及びマグネシ
ウムからTHF中で調製されるグリニャール反応剤に、
ビシクロヘキサン−4,4’−ジオンのモノエチレンア
セタールのTHF溶液を氷冷下で滴下する。室温で1時
間反応させた後、常法通りに後処理して、4−[4−ヒ
ドロキシ−4−(3,4−ジフルオロフェニル)シクロ
ヘキシル]シクロヘキサノンエチレンアセタールの粗結
晶を得る。この粗結晶のトルエン溶液に少量の硫酸水素
カリウムを加え、水を除きながら10時間還流する。水
を加え、反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液の溶媒
を溜去し、4−[4−(3,4−ジフルオロフェニル)
−3−シクロヘキセニル]シクロヘキサノンエチレンア
セタールの白色結晶を得る。この結晶のトルエン溶液に
トリエチルアミンと触媒量のパラジウム炭素を加え、オ
ートクレーブ中で水素圧5Kg/cm2で3時間反応さ
せる。触媒を濾別し濃縮した後、得られる粗生成物をエ
タノールから再結晶させて、4−[トランス−4−
(3,4−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル]シク
ロヘキサノンエチレンアセタールの白色結晶を得る。こ
のトルエン溶液に蟻酸を加えて室温で4時間攪拌する。
水を加え、有機層を分離し、炭酸水素ナトリウム水溶液
で洗滌し乾燥した後、溶媒を溜去しエタノールから再結
晶させて、4−[トランス−4−(3,4−ジフルオロ
フェニル)シクロヘキシル]シクロヘキサノンの白色結
晶を得る。これを参考例(1−a)と同様に重水素化し
て、4−[トランス−4−(3,4−ジフルオロフェニ
ル)シクロヘキシル]シクロヘキサノン−2,2,6,
6−d4の結晶を得る。
【0344】(16−b) 4−[トランス−4−
(3,4−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル]シク
ロヘキサン−2,2,6,6−d4カルバルデヒドの合
成 上記(16−a)で得られる4−[トランス−4−
(3,4−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル]シク
ロヘキサノン−2,2,6,6−d4から、参考例(2
−b)と同様にして4−[トランス−4−(3,4−ジ
フルオロフェニル)シクロヘキシル]シクロヘキサン−
2,2,6,6−d4カルバルデヒドを得る。 (16−c) 3,4−ジフルオロ−1−[トランス−
4−[トランス−4−(シス−1−プロペニル)シクロ
ヘキシル−3,3,5,5−d4]シクロヘキシル]ベ
ンゼンの合成 上記(16−b)で得られる4−[トランス−4−
(3,4−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル]シク
ロヘキサン−2,2,6,6−d4カルバルデヒドか
ら、参考例(2−c)と同様にして、3,4−ジフルオ
ロ−1−[トランス−4−[トランス−4−(シス−1
−プロペニル)シクロヘキシル−3,3,5,5−
d4]シクロヘキシル]ベンゼンを得る。 (16−d) 3,4−ジフルオロ−1−[トランス−
4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−3,
3,5,5−d4)シクロヘキシル]ベンゼンの合成 上記(16−c)で得られる3,4−ジフルオロ−1−
[トランス−4−[トランス−4−(シス−1−プロペ
ニル)シクロヘキシル−3,3,5,5−d4]シクロ
ヘキシル]ベンゼンを、参考例(2−d)と同様に水素
添加して、3,4−ジフルオロ−1−[トランス−4−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−3,3,
5,5−d4)シクロヘキシル]ベンゼンを得る。この
化合物の相転移温度は第2表に示した。
(3,4−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル]シク
ロヘキサン−2,2,6,6−d4カルバルデヒドの合
成 上記(16−a)で得られる4−[トランス−4−
(3,4−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル]シク
ロヘキサノン−2,2,6,6−d4から、参考例(2
−b)と同様にして4−[トランス−4−(3,4−ジ
フルオロフェニル)シクロヘキシル]シクロヘキサン−
2,2,6,6−d4カルバルデヒドを得る。 (16−c) 3,4−ジフルオロ−1−[トランス−
4−[トランス−4−(シス−1−プロペニル)シクロ
ヘキシル−3,3,5,5−d4]シクロヘキシル]ベ
ンゼンの合成 上記(16−b)で得られる4−[トランス−4−
(3,4−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル]シク
ロヘキサン−2,2,6,6−d4カルバルデヒドか
ら、参考例(2−c)と同様にして、3,4−ジフルオ
ロ−1−[トランス−4−[トランス−4−(シス−1
−プロペニル)シクロヘキシル−3,3,5,5−
d4]シクロヘキシル]ベンゼンを得る。 (16−d) 3,4−ジフルオロ−1−[トランス−
4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−3,
3,5,5−d4)シクロヘキシル]ベンゼンの合成 上記(16−c)で得られる3,4−ジフルオロ−1−
[トランス−4−[トランス−4−(シス−1−プロペ
ニル)シクロヘキシル−3,3,5,5−d4]シクロ
ヘキシル]ベンゼンを、参考例(2−d)と同様に水素
添加して、3,4−ジフルオロ−1−[トランス−4−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−3,3,
5,5−d4)シクロヘキシル]ベンゼンを得る。この
化合物の相転移温度は第2表に示した。
【0345】(参考例17) 3,4−ジフルオロ−1
−[トランス−4−[トランス−4−(トランス−1−
プロペニル)シクロヘキシル−3,3,5,5−d4]
シクロヘキシル]ベンゼンの合成 参考例(16−c)で得られる3,4−ジフルオロ−1
−[トランス−4−[トランス−4−(シス−1−プロ
ペニル)シクロヘキシル−3,3,5,5−d 4]シク
ロヘキシル]ベンゼンを参考例12と同様にして、側鎖
をトランス体に異性化して3,4−ジフルオロ−1−
[トランス−4−[トランス−4−(トランス−1−プ
ロペニル)シクロヘキシル−3,3,5,5−d4]シ
クロヘキシル]ベンゼンを得る。この化合物の相転移温
度は第2表に示した。 (参考例18) 3,4,5−トリフルオロ−1−[ト
ランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンの合
成 参考例13において、1−ブロモ−3,4−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、1−ブロモ−3,4,5−トリフル
オロベンゼンを用いる以外は参考例13と同様にして、
3,4,5−トリフルオロ−1−[トランス−4−(ト
ランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル
−2,2,6−d3]ベンゼンを得る。この化合物の相
転移温度は第2表に示した。 (参考例19) 3,4,5−トリフルオロ−1−[ト
ランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)
シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンの合成 参考例14において、1−ブロモ−3,4−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、1−ブロモ−3,4,5−トリフル
オロベンゼンを用いる以外は参考例14と同様にして、
3,4,5−トリフルオロ−1−[トランス−4−(ト
ランス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキシル−
2,2,6−d3]ベンゼンを得る。この化合物の相転
移温度は第2表に示した。
−[トランス−4−[トランス−4−(トランス−1−
プロペニル)シクロヘキシル−3,3,5,5−d4]
シクロヘキシル]ベンゼンの合成 参考例(16−c)で得られる3,4−ジフルオロ−1
−[トランス−4−[トランス−4−(シス−1−プロ
ペニル)シクロヘキシル−3,3,5,5−d 4]シク
ロヘキシル]ベンゼンを参考例12と同様にして、側鎖
をトランス体に異性化して3,4−ジフルオロ−1−
[トランス−4−[トランス−4−(トランス−1−プ
ロペニル)シクロヘキシル−3,3,5,5−d4]シ
クロヘキシル]ベンゼンを得る。この化合物の相転移温
度は第2表に示した。 (参考例18) 3,4,5−トリフルオロ−1−[ト
ランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンの合
成 参考例13において、1−ブロモ−3,4−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、1−ブロモ−3,4,5−トリフル
オロベンゼンを用いる以外は参考例13と同様にして、
3,4,5−トリフルオロ−1−[トランス−4−(ト
ランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル
−2,2,6−d3]ベンゼンを得る。この化合物の相
転移温度は第2表に示した。 (参考例19) 3,4,5−トリフルオロ−1−[ト
ランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)
シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンの合成 参考例14において、1−ブロモ−3,4−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、1−ブロモ−3,4,5−トリフル
オロベンゼンを用いる以外は参考例14と同様にして、
3,4,5−トリフルオロ−1−[トランス−4−(ト
ランス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキシル−
2,2,6−d3]ベンゼンを得る。この化合物の相転
移温度は第2表に示した。
【0346】(参考例20) 3,4,5−トリフルオ
ロ−1−[2−[トランス−4−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)シクロヘキシル−2,2,6,6
−d4]エチル]ベンゼンの合成 参考例15において、1−ブロモ−3,4−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、1−ブロモ−3,4,5−トリフル
オロベンゼンを用いる以外は参考例15と同様にして、
3,4,5−トリフルオロ−1−[2−[トランス−4
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘ
キシル−2,2,6,6−d4]エチル]ベンゼンを得
る。この化合物の相転移温度は第2表に示した。 (参考例21) 4−トリフルオロメトキシ−1−[ト
ランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンの合
成 参考例13において、1−ブロモ−3,4−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、4−ブロモ−1−トリフルオロメト
キシベンゼンを用いる以外は参考例13と同様にして、
4−トリフルオロメトキシ−1−[トランス−4−(ト
ランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル
−2,2,6−d3]ベンゼンを得る。この化合物の相
転移温度は第2表に示した。 (参考例22) 3−フルオロ−4−シアノ−1−[ト
ランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンの合
成 参考例3において、4−プロピルシクロヘキサノン−
2,2,6,6−d4に代えて、4−(トランス−4−
プロピルシクロヘキシル)シクロヘキサノン−2,2,
6,6−d4を用いる以外は参考例3と同様にして、3
−フルオロ−4−シアノ−1−[トランス−4−(トラ
ンス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル−
2,2,6−d3]ベンゼンを得る。この化合物の相転
移温度は第2表に示した。
ロ−1−[2−[トランス−4−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)シクロヘキシル−2,2,6,6
−d4]エチル]ベンゼンの合成 参考例15において、1−ブロモ−3,4−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、1−ブロモ−3,4,5−トリフル
オロベンゼンを用いる以外は参考例15と同様にして、
3,4,5−トリフルオロ−1−[2−[トランス−4
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘ
キシル−2,2,6,6−d4]エチル]ベンゼンを得
る。この化合物の相転移温度は第2表に示した。 (参考例21) 4−トリフルオロメトキシ−1−[ト
ランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンの合
成 参考例13において、1−ブロモ−3,4−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、4−ブロモ−1−トリフルオロメト
キシベンゼンを用いる以外は参考例13と同様にして、
4−トリフルオロメトキシ−1−[トランス−4−(ト
ランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル
−2,2,6−d3]ベンゼンを得る。この化合物の相
転移温度は第2表に示した。 (参考例22) 3−フルオロ−4−シアノ−1−[ト
ランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキシル−2,2,6−d3]ベンゼンの合
成 参考例3において、4−プロピルシクロヘキサノン−
2,2,6,6−d4に代えて、4−(トランス−4−
プロピルシクロヘキシル)シクロヘキサノン−2,2,
6,6−d4を用いる以外は参考例3と同様にして、3
−フルオロ−4−シアノ−1−[トランス−4−(トラ
ンス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル−
2,2,6−d3]ベンゼンを得る。この化合物の相転
移温度は第2表に示した。
【0347】(参考例23) 4−メチル−1−[トラ
ンス−4−[トランス−4−(トランス−1−プロペニ
ル)シクロヘキシル−3,3,5,5−d4]シクロヘ
キシル]ベンゼンの合成 ビシクロヘキサン−4,4’−ジオンのモノエチレンア
セタールと4−ブロモアニソールから、参考例16と同
様にして4−[トランス−4−(4−メチルフェニル)
シクロヘキシル]シクロヘキサノン−2,2,6,6−
d4を得る。これを参考例17と同様にして、4−メチ
ル−1−[トランス−4−[トランス−4−(トランス
−1−プロペニル)シクロヘキシル−3,3,5,5−
d4]シクロヘキシル]ベンゼンの白色結晶を得る。こ
の化合物の相転移温度は第3表に示した。 (参考例24) 4−(トランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシル−2,2,6−d3)−4’−エチルビフェニ
ルの合成
ンス−4−[トランス−4−(トランス−1−プロペニ
ル)シクロヘキシル−3,3,5,5−d4]シクロヘ
キシル]ベンゼンの合成 ビシクロヘキサン−4,4’−ジオンのモノエチレンア
セタールと4−ブロモアニソールから、参考例16と同
様にして4−[トランス−4−(4−メチルフェニル)
シクロヘキシル]シクロヘキサノン−2,2,6,6−
d4を得る。これを参考例17と同様にして、4−メチ
ル−1−[トランス−4−[トランス−4−(トランス
−1−プロペニル)シクロヘキシル−3,3,5,5−
d4]シクロヘキシル]ベンゼンの白色結晶を得る。こ
の化合物の相転移温度は第3表に示した。 (参考例24) 4−(トランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシル−2,2,6−d3)−4’−エチルビフェニ
ルの合成
【0348】
【化246】
【0349】(24−a) (トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンの合成 4−プロピルシクロヘキサノンに代えて、4−ペンチル
シクロヘキサノンを用いる以外は参考例(1−a)〜
(1−c)と同様にして、(トランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンを得る。 (24−b) 1−(トランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル−2,2,6−d 3)−4−ヨードベンゼンの合
成 上記(24−a)で得られる(トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼン57g、
ヨウ素37.5g、過ヨウ素酸2水和物28.2gを酢
酸200ml、硫酸7ml、水40ml及び1,2−ジ
クロロエタン25mlの混合溶媒に溶解し、1時間加熱
攪拌する。放冷後、20%亜硫酸水素ナトリウム水溶液
200mlを加え、しばらく攪拌した後、反応生成物を
ヘキサン500mlで抽出する。有機層を水洗し乾燥し
た後、溶媒を溜去し、エタノールから再結晶させて、1
−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,
6−d3)−4−ヨードベンゼン58gを得る。
シクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンの合成 4−プロピルシクロヘキサノンに代えて、4−ペンチル
シクロヘキサノンを用いる以外は参考例(1−a)〜
(1−c)と同様にして、(トランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンを得る。 (24−b) 1−(トランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル−2,2,6−d 3)−4−ヨードベンゼンの合
成 上記(24−a)で得られる(トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼン57g、
ヨウ素37.5g、過ヨウ素酸2水和物28.2gを酢
酸200ml、硫酸7ml、水40ml及び1,2−ジ
クロロエタン25mlの混合溶媒に溶解し、1時間加熱
攪拌する。放冷後、20%亜硫酸水素ナトリウム水溶液
200mlを加え、しばらく攪拌した後、反応生成物を
ヘキサン500mlで抽出する。有機層を水洗し乾燥し
た後、溶媒を溜去し、エタノールから再結晶させて、1
−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,
6−d3)−4−ヨードベンゼン58gを得る。
【0350】(24−c) 4−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシル−2,2,6−d 3)−4’−エチ
ルビフェニルの合成 4−ブロモエチルベンゼン15g及びマグネシウム2.
4gからTHF100ml中でグリニヤール反応剤を調
製する。これに上記(24−b)で得る1−(トランス
−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−d3)−
4−ヨードベンゼン19.5g及びテトラキス(トリフ
ェニルホスフィン)パラジウム(0)1.25gのTH
F100ml溶液を30℃で滴下する。1時間攪拌した
後、1%塩酸を加え、反応生成物を酢酸エチルで抽出す
る。抽出液を水で洗滌した後、乾燥し、溶媒を溜去し
て、得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(ヘキサン)を用いて精製して、4−(ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−d
3)−4’−エチルビフェニル19.0gを得る。この
化合物の相転移温度は第3表に示した。 (参考例25) 4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル−2,2,6−d3)−3’,4’−ジフルオ
ロビフェニルの合成 参考例(24−b)において、(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンに代え
て、(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,
2,6−d3)ベンゼンを用い、更に(24−c)にお
いて、4−ブロモエチルベンゼンに代えて、1−ブロモ
−3,4−ジフルオロベンゼンを用いる以外は参考例2
4と同様にして、4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル−2,2,6−d3)−3’,4’−ジフルオ
ロビフェニルを得る。この化合物の相転移温度は第3表
に示した。
チルシクロヘキシル−2,2,6−d 3)−4’−エチ
ルビフェニルの合成 4−ブロモエチルベンゼン15g及びマグネシウム2.
4gからTHF100ml中でグリニヤール反応剤を調
製する。これに上記(24−b)で得る1−(トランス
−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−d3)−
4−ヨードベンゼン19.5g及びテトラキス(トリフ
ェニルホスフィン)パラジウム(0)1.25gのTH
F100ml溶液を30℃で滴下する。1時間攪拌した
後、1%塩酸を加え、反応生成物を酢酸エチルで抽出す
る。抽出液を水で洗滌した後、乾燥し、溶媒を溜去し
て、得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(ヘキサン)を用いて精製して、4−(ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−d
3)−4’−エチルビフェニル19.0gを得る。この
化合物の相転移温度は第3表に示した。 (参考例25) 4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル−2,2,6−d3)−3’,4’−ジフルオ
ロビフェニルの合成 参考例(24−b)において、(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンに代え
て、(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,
2,6−d3)ベンゼンを用い、更に(24−c)にお
いて、4−ブロモエチルベンゼンに代えて、1−ブロモ
−3,4−ジフルオロベンゼンを用いる以外は参考例2
4と同様にして、4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル−2,2,6−d3)−3’,4’−ジフルオ
ロビフェニルを得る。この化合物の相転移温度は第3表
に示した。
【0351】(参考例26) 4−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)−4’−シ
アノビフェニルの合成 参考例25において、1−ブロモ−3,4−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、ブロモベンゼンを用いる以外は参考
例25と同様にして、4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル−2,2,6−d3)ビフェニルを得る。
これを参考例(1−d)、(1−e)と同様にシアノ化
して、4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−
2,2,6−d3)−4’−シアノビフェニルを得る。
この化合物の相転移温度は第3表に示した。 (参考例27) 3,4−ジフルオロ−1−[4−(ト
ランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d
3)フェニル]エチニルベンゼンの合成
ロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)−4’−シ
アノビフェニルの合成 参考例25において、1−ブロモ−3,4−ジフルオロ
ベンゼンに代えて、ブロモベンゼンを用いる以外は参考
例25と同様にして、4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル−2,2,6−d3)ビフェニルを得る。
これを参考例(1−d)、(1−e)と同様にシアノ化
して、4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−
2,2,6−d3)−4’−シアノビフェニルを得る。
この化合物の相転移温度は第3表に示した。 (参考例27) 3,4−ジフルオロ−1−[4−(ト
ランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d
3)フェニル]エチニルベンゼンの合成
【0352】
【化247】
【0353】(27−a) 4−[4−(トランス−4
−プロピルシクルヘキシル−2,2,6−d3)フェニ
ル]−2−メチル−3−ブチン−2−オールの合成 参考例25で得られる1−(トランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル−2,2,6−d3)−4−ヨードベンゼ
ン14.4gと2−メチル−3−ブチン−2−オール
5.1gを、トリエチルアミン40mlに溶解する。ヨ
ウ化銅(I)0.15gとジクロロ−ビス(トリフェニ
ルホスフィン)パラジウム(II)0.2gを加え、室
温で1時間攪拌する。水100mlを加え、反応生成物
を酢酸エチル100mlで抽出し、有機層を水、飽和食
塩水で順次洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶
媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
(トルエン/酢酸エチル=4/1)を用いて精製して、
4−[4−(トランス−4−プロピルシクルヘキシル−
2,2,6−d3)フェニル]−2−メチル−3−ブチ
ン−2−オール12.2gを得る。 (27−b) 1−エチニル−4−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンの
合成 水素化ナトリウム2.0gをトルエン30mlに懸濁
し、上記(27−a)で得られる4−[4−(トランス
−4−プロピルシクルヘキシル−2,2,6−d 3)フ
ェニル]−2−メチル−3−ブチン−2−オール全量の
トルエン70ml溶液を、室温で30分間で滴下する。
更に1時間加熱還流させた後、室温まで放冷する。これ
を水100mlに加え、有機層を分離した後、水、飽和
食塩水で順次洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。
溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(ヘキサン)を用いて精製して、1−エチニル−4−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6
−d3)ベンゼン8.8gを得る。
−プロピルシクルヘキシル−2,2,6−d3)フェニ
ル]−2−メチル−3−ブチン−2−オールの合成 参考例25で得られる1−(トランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル−2,2,6−d3)−4−ヨードベンゼ
ン14.4gと2−メチル−3−ブチン−2−オール
5.1gを、トリエチルアミン40mlに溶解する。ヨ
ウ化銅(I)0.15gとジクロロ−ビス(トリフェニ
ルホスフィン)パラジウム(II)0.2gを加え、室
温で1時間攪拌する。水100mlを加え、反応生成物
を酢酸エチル100mlで抽出し、有機層を水、飽和食
塩水で順次洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶
媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
(トルエン/酢酸エチル=4/1)を用いて精製して、
4−[4−(トランス−4−プロピルシクルヘキシル−
2,2,6−d3)フェニル]−2−メチル−3−ブチ
ン−2−オール12.2gを得る。 (27−b) 1−エチニル−4−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ベンゼンの
合成 水素化ナトリウム2.0gをトルエン30mlに懸濁
し、上記(27−a)で得られる4−[4−(トランス
−4−プロピルシクルヘキシル−2,2,6−d 3)フ
ェニル]−2−メチル−3−ブチン−2−オール全量の
トルエン70ml溶液を、室温で30分間で滴下する。
更に1時間加熱還流させた後、室温まで放冷する。これ
を水100mlに加え、有機層を分離した後、水、飽和
食塩水で順次洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。
溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(ヘキサン)を用いて精製して、1−エチニル−4−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6
−d3)ベンゼン8.8gを得る。
【0354】(27−c) 3,4−ジフルオロ−1−
[4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,
2,6−d3)フェニル]エチニルベンゼンの合成 1−エチニル−4−(トランス−4−プロピルシクロヘ
キシル−2,2,6−d3)ベンゼン3.5gと1−ブ
ロモ−3,4−ジフルオロベンゼン3.0gをトリエチ
ルアミン12ml及びN,N−ジメチルホルムアミド
(DMF)30mlに溶解する。ヨウ化銅(I)0.0
6gとジクロロ−ビス(トリフェニルホスフィン)パラ
ジウム(II)0.06gを加え、室温で30分間攪拌
し、更に3時間加熱還流させる。室温まで冷却し、水1
00mlを加え、反応生成物をトルエン100mlで抽
出する。有機層を水、飽和食塩水で順次洗滌し、無水硫
酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を留去した後、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン)を用いて精製
し、更にエタノールから再結晶させて、3,4−ジフル
オロ−1−[4−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル−2,2,6−d 3)フェニル]エチニルベンゼン
3.8gを得る。この化合物の相転移温度は第3表に示
した。 (参考例28) 4−ブチル−1−[4−(トランス−
4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)フェ
ニル]エチニルベンゼンの合成 参考例(27−c)において、1−ブロモ−3,4−ジ
フルオロベンゼンに代えて、4−ブロモ−1−エチルベ
ンゼンを用いる以外は参考例27と同様にして、4−ブ
チル−1−[4−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル−2,2,6−d3)フェニル]エチニルベンゼン
を得る。この化合物の相転移温度は第3表に示した。
[4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−2,
2,6−d3)フェニル]エチニルベンゼンの合成 1−エチニル−4−(トランス−4−プロピルシクロヘ
キシル−2,2,6−d3)ベンゼン3.5gと1−ブ
ロモ−3,4−ジフルオロベンゼン3.0gをトリエチ
ルアミン12ml及びN,N−ジメチルホルムアミド
(DMF)30mlに溶解する。ヨウ化銅(I)0.0
6gとジクロロ−ビス(トリフェニルホスフィン)パラ
ジウム(II)0.06gを加え、室温で30分間攪拌
し、更に3時間加熱還流させる。室温まで冷却し、水1
00mlを加え、反応生成物をトルエン100mlで抽
出する。有機層を水、飽和食塩水で順次洗滌し、無水硫
酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を留去した後、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン)を用いて精製
し、更にエタノールから再結晶させて、3,4−ジフル
オロ−1−[4−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル−2,2,6−d 3)フェニル]エチニルベンゼン
3.8gを得る。この化合物の相転移温度は第3表に示
した。 (参考例28) 4−ブチル−1−[4−(トランス−
4−プロピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)フェ
ニル]エチニルベンゼンの合成 参考例(27−c)において、1−ブロモ−3,4−ジ
フルオロベンゼンに代えて、4−ブロモ−1−エチルベ
ンゼンを用いる以外は参考例27と同様にして、4−ブ
チル−1−[4−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル−2,2,6−d3)フェニル]エチニルベンゼン
を得る。この化合物の相転移温度は第3表に示した。
【0355】(参考例29) 4−(トランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ビフェニルの
合成 (29−a) 1−ブロモ−4−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシル)ベンゼンの合成 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルベンゼン11.
1gをジクロロメタン30mlに溶解し、鉄粉0.1g
及びヨウ素0.05gを加える。これにジクロロメタン
20mlに溶解した臭素7.7gを0℃以下で滴下す
る。−10℃で6時間攪拌した後、室温に戻す。水、次
いで亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加え、反応生成物を
ヘキサンで抽出する。抽出液を炭酸水素ナトリウム水溶
液、水、飽和食塩水で洗滌し、乾燥する。溶媒を溜去し
た後、得られた粗結晶をエタノールから再結晶させて、
1−ブロモ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)ベンゼン4.8gを得る。 (29−b) 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)−4’−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル−2,2,6−d3)ビフェニルの合成 上記(29−a)で得られる1−ブロモ−4−(トラン
ス−4−ペンチルシクロヘキシル)ベンゼン2.4gか
ら、参考例(24−c)と同様にしてグリニヤール反応
剤を調製する。これを、参考例25で得られる1−(ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−d
3)−4−ヨードベンゼン2.2gと(24−c)と同
様に反応させて、4−(トランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシル)−4’−(トランス−4−プロピルシクロヘ
キシル−2,2,6−d3)ビフェニル2.6gを得
る。この化合物の相転移温度は第3表に示した。
ンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル−2,2,6−d3)ビフェニルの
合成 (29−a) 1−ブロモ−4−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシル)ベンゼンの合成 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルベンゼン11.
1gをジクロロメタン30mlに溶解し、鉄粉0.1g
及びヨウ素0.05gを加える。これにジクロロメタン
20mlに溶解した臭素7.7gを0℃以下で滴下す
る。−10℃で6時間攪拌した後、室温に戻す。水、次
いで亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加え、反応生成物を
ヘキサンで抽出する。抽出液を炭酸水素ナトリウム水溶
液、水、飽和食塩水で洗滌し、乾燥する。溶媒を溜去し
た後、得られた粗結晶をエタノールから再結晶させて、
1−ブロモ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)ベンゼン4.8gを得る。 (29−b) 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)−4’−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル−2,2,6−d3)ビフェニルの合成 上記(29−a)で得られる1−ブロモ−4−(トラン
ス−4−ペンチルシクロヘキシル)ベンゼン2.4gか
ら、参考例(24−c)と同様にしてグリニヤール反応
剤を調製する。これを、参考例25で得られる1−(ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−d
3)−4−ヨードベンゼン2.2gと(24−c)と同
様に反応させて、4−(トランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシル)−4’−(トランス−4−プロピルシクロヘ
キシル−2,2,6−d3)ビフェニル2.6gを得
る。この化合物の相転移温度は第3表に示した。
【0356】(参考例30) 2−フルオロ−4−(ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−
d3)ビフェニルの合成 市販の2−フルオロ−4−ブロモビフェニルからグリニ
ヤール反応剤を調製し、これを−4−ペンチルシクロヘ
キサノンと、参考例(1−b)、(1−c)と同様に反
応させて、2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)ビフェニルを得る。これを参考例
(29−a)と同様に臭素化し、2−フルオロ−4−
(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−ブ
ロモビフェニルを得る。これからグリニヤール反応剤を
調製し、参考例4と同様に4−ペンチルシクロヘキサノ
ン−2,2,6,6−d4と反応させて、2−フルオロ
−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−
4’−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,
2,6−d3)ビフェニルを得る。この化合物の相転移
温度は第3表に示した。 (実施例1)
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,2,6−
d3)ビフェニルの合成 市販の2−フルオロ−4−ブロモビフェニルからグリニ
ヤール反応剤を調製し、これを−4−ペンチルシクロヘ
キサノンと、参考例(1−b)、(1−c)と同様に反
応させて、2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシル)ビフェニルを得る。これを参考例
(29−a)と同様に臭素化し、2−フルオロ−4−
(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−ブ
ロモビフェニルを得る。これからグリニヤール反応剤を
調製し、参考例4と同様に4−ペンチルシクロヘキサノ
ン−2,2,6,6−d4と反応させて、2−フルオロ
−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−
4’−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル−2,
2,6−d3)ビフェニルを得る。この化合物の相転移
温度は第3表に示した。 (実施例1)
【0357】
【化248】
【0358】からなる混合液晶(B)の特性は以下の通
りである。 TN-I点 : 110 ℃ しきい値電圧 : 1.81 V Δε : 7.0 Δn : 0.087 応答速度 : 28 msec この混合液晶(B)を10℃で保存すると、1カ月経過
後も結晶の析出が認められない。 (実施例2)
りである。 TN-I点 : 110 ℃ しきい値電圧 : 1.81 V Δε : 7.0 Δn : 0.087 応答速度 : 28 msec この混合液晶(B)を10℃で保存すると、1カ月経過
後も結晶の析出が認められない。 (実施例2)
【0359】
【化249】 からなる混合液晶(B)’の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 108 ℃ しきい値電圧 : 1.74 V Δε : 7.2 Δn : 0.086 応答速度 : 24 msec この混合液晶(B)’を10℃で保存すると、1カ月経
過後も結晶の析出が認められない。 (比較例1)
過後も結晶の析出が認められない。 (比較例1)
【0360】
【化250】 からなる混合液晶(a−1)の特性は以下の通りであ
る。 TN-I点 : 117 ℃ TC-N点 : 11 ℃ しきい値電圧 : 2.14 V Δε : 4.8 Δn : 0.090 応答速度 : 25 msec この混合液晶(a−1)を10℃で保存すると、3日後
には結晶の析出が認められる。 (比較例2)
る。 TN-I点 : 117 ℃ TC-N点 : 11 ℃ しきい値電圧 : 2.14 V Δε : 4.8 Δn : 0.090 応答速度 : 25 msec この混合液晶(a−1)を10℃で保存すると、3日後
には結晶の析出が認められる。 (比較例2)
【0361】
【化251】 からなる混合液晶(b)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 111 ℃ しきい値電圧 : 1.83 V Δε : 7.0 Δn : 0.087 応答速度 : 30 msec この混合液晶(b)を10℃で保存すると、3日後には
結晶の析出が認められる。 (実施例3)
結晶の析出が認められる。 (実施例3)
【0362】
【化252】 からなる混合液晶(C)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 116 ℃ しきい値電圧 : 2.10 V Δε : 5.2 Δn : 0.086 応答速度 : 25 msec この混合液晶(C)を0℃で保存すると、1カ月経過後
も結晶の析出が認められない。 (比較例3)
も結晶の析出が認められない。 (比較例3)
【0363】
【化253】 からなる混合液晶(c)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 116 ℃ しきい値電圧 : 2.15 V Δε : 5.1 Δn : 0.086 応答速度 : 28 msec この混合液晶(c)を0℃で保存すると、4日後には結
晶の析出が認められる。 (実施例4)
晶の析出が認められる。 (実施例4)
【0364】
【化254】 からなる混合液晶(D)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 109 ℃ しきい値電圧 : 1.83 V Δε : 6.2 Δn : 0.085 応答速度 : 29 msec この混合液晶(D)を0℃で保存すると、1カ月経過後
も結晶の析出が認められない。 (比較例4)
も結晶の析出が認められない。 (比較例4)
【0365】
【化255】 からなる混合液晶(d)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 110 ℃ しきい値電圧 : 1.86 V Δε : 6.2 Δn : 0.085 応答速度 : 32 msec この混合液晶(d)を0℃で保存すると、3日後には結
晶の析出が認められる。 (実施例5)
晶の析出が認められる。 (実施例5)
【0366】
【化256】 からなる混合液晶(E)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 94 ℃ しきい値電圧 : 1.66 V Δε : 6.2 Δn : 0.082 応答速度 : 31 msec この混合液晶(E)を10℃で保存すると、1カ月経過
後も結晶の析出は認められない。 (実施例6)
後も結晶の析出は認められない。 (実施例6)
【0367】
【化257】 からなる混合液晶(E)’の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 95 ℃ しきい値電圧 : 1.69 V Δε : 6.1 Δn : 0.082 応答速度 : 33 msec この混合液晶(E)’を5℃で保存すると、1カ月経過
後も結晶の析出は認められない。 (比較例5)
後も結晶の析出は認められない。 (比較例5)
【0368】
【化258】 からなる混合液晶(e)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 95 ℃ しきい値電圧 : 1.74 V Δε : 6.1 Δn : 0.082 応答速度 : 35 msec この混合液晶(e)を10℃で保存すると、3日後には
結晶の析出が認められる。 (実施例7)
結晶の析出が認められる。 (実施例7)
【0369】
【化259】 からなる混合液晶(F)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 103 ℃ しきい値電圧 : 1.70 V Δε : 6.1 Δn : 0.087 応答速度 : 23 msec この混合液晶(F)を10℃で保存すると、1カ月経過
後も結晶の析出は認められない。 (比較例6)
後も結晶の析出は認められない。 (比較例6)
【0370】
【化260】 からなる混合液晶(f)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 104 ℃ しきい値電圧 : 1.79 V Δε : 6.0 Δn : 0.087 応答速度 : 27 msec この混合液晶(f)を10℃で保存すると、10日後に
は結晶の析出が認められる。 (実施例8)
は結晶の析出が認められる。 (実施例8)
【0371】
【化261】 からなる混合液晶(G)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 125 ℃ しきい値電圧 : 2.18 V Δε : 5.4 Δn : 0.089 応答速度 : 21 msec この混合液晶(G)を0℃で保存すると、1カ月経過後
も結晶の析出は認められない。 (比較例7)
も結晶の析出は認められない。 (比較例7)
【0372】
【化262】 からなる混合液晶(g)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 125 ℃ しきい値電圧 : 2.20 V Δε : 5.3 Δn : 0.089 応答速度 : 24 msec この混合液晶(g)を0℃で保存すると、3日後には結
晶の析出が認められる。 (実施例9)
晶の析出が認められる。 (実施例9)
【0373】
【化263】 からなる混合液晶(H)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 121 ℃ しきい値電圧 : 2.23 V Δε : 5.1 Δn : 0.088 応答速度 : 25 msec この混合液晶(H)を−10℃で保存すると、1カ月経
過後も結晶の析出は認められない。 (比較例8)
過後も結晶の析出は認められない。 (比較例8)
【0374】
【化264】 からなる混合液晶(h)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 121 ℃ しきい値電圧 : 2.29 V Δε : 5.0 Δn : 0.089 応答速度 : 27 msec この混合液晶(h)を−10℃で保存すると、4日後に
は結晶の析出が認められる。 (実施例10)
は結晶の析出が認められる。 (実施例10)
【0375】
【化265】 からなる混合液晶(I)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 120 ℃ しきい値電圧 : 2.10 V Δε : 4.8 Δn : 0.090 応答速度 : 17 msec この混合液晶(I)を0℃で保存すると、1カ月経過後
も結晶の析出は認められない。 (比較例9)
も結晶の析出は認められない。 (比較例9)
【0376】
【化266】 からなる混合液晶(i)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 121 ℃ しきい値電圧 : 2.21 V Δε : 4.7 Δn : 0.091 応答速度 : 20 msec この混合液晶(i)を0℃で保存すると、3日後には結
晶の析出が認められる。 (実施例11)
晶の析出が認められる。 (実施例11)
【0377】
【化267】 からなる混合液晶(J)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 115 ℃ しきい値電圧 : 1.98 V Δε : 5.2 Δn : 0.088 応答速度 : 19 msec この混合液晶(J)を0℃で保存すると、1カ月経過後
も結晶の析出は認められない。 (比較例10)
も結晶の析出は認められない。 (比較例10)
【0378】
【化268】 からなる混合液晶(j)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 115 ℃ しきい値電圧 : 2.07 V Δε : 5.0 Δn : 0.088 応答速度 : 23 msec この混合液晶(j)を0℃で保存すると、2日後には結
晶の析出が認められる。 (実施例12)
晶の析出が認められる。 (実施例12)
【0379】
【化269】 からなる混合液晶(K)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 98 ℃ しきい値電圧 : 1.65 V Δε : 6.6 Δn : 0.080 応答速度 : 33 msec この混合液晶(K)を−10℃で保存すると、1カ月経
過後も結晶の析出は認められない。 (比較例11)
過後も結晶の析出は認められない。 (比較例11)
【0380】
【化270】 からなる混合液晶(k1)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 92 ℃ しきい値電圧 : 1.60 V Δε : 6.8 Δn : 0.080 応答速度 : 38 msec この混合液晶(k1)を−10℃で保存すると、5日後
には結晶の析出が認められる。 (比較例12)
には結晶の析出が認められる。 (比較例12)
【0381】
【化271】 からなる混合液晶(k2)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 98 ℃ しきい値電圧 : 1.68 V Δε : 6.5 Δn : 0.080 応答速度 : 35 msec この混合液晶(k2)を−10℃で保存すると、9日後
には結晶の析出が認められる。 (実施例13)
には結晶の析出が認められる。 (実施例13)
【0382】
【化272】 からなる混合液晶(L)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 93 ℃ しきい値電圧 : 1.50 V Δε : 7.3 Δn : 0.079 応答速度 : 35 msec この混合液晶(L)を−10℃で保存すると、1カ月経
過後も結晶の析出は認められない。 (比較例13)
過後も結晶の析出は認められない。 (比較例13)
【0383】
【化273】 からなる混合液晶(l)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 94 ℃ しきい値電圧 : 1.54 V Δε : 7.2 Δn : 0.080 応答速度 : 38 msec この混合液晶(l)を−10℃で保存すると、7日後に
は結晶の析出が認められる。 (実施例14)
は結晶の析出が認められる。 (実施例14)
【0384】
【化274】
【0385】
【化275】
【0386】
【化276】
【0387】からなる混合液晶(M)の特性は以下の通
りである。 TN-I点 : 112 ℃ TC-N点 : −70 ℃ しきい値電圧 : 1.9 V Δε : 5.5 Δn : 0.086 応答速度 : 24 msec 電圧保持率 : 99%(/100℃) この混合液晶(M)を用いて作製されるTFT駆動の液
晶表示装置は、低温領域においても良好な駆動特性を示
す。また、この混合液晶(M)を−55℃で保存する
と、3カ月経過後も結晶の析出が認められない。 (実施例15)
りである。 TN-I点 : 112 ℃ TC-N点 : −70 ℃ しきい値電圧 : 1.9 V Δε : 5.5 Δn : 0.086 応答速度 : 24 msec 電圧保持率 : 99%(/100℃) この混合液晶(M)を用いて作製されるTFT駆動の液
晶表示装置は、低温領域においても良好な駆動特性を示
す。また、この混合液晶(M)を−55℃で保存する
と、3カ月経過後も結晶の析出が認められない。 (実施例15)
【0388】
【化277】
【0389】
【化278】
【0390】
【化279】
【0391】
【化280】
【0392】
【化281】
【0393】からなる混合液晶(N)の特性は以下の通
りである。 TN-I点 : 86 ℃ TC-N点 : −30 ℃ しきい値電圧 : 1.10 V Δε : 9.2 Δn : 0.080 応答速度 : 33 msec 電圧保持率 : 98.5%(/100℃) この混合液晶(N)を用いて作製されるセル厚4.5μ
mのTFT駆動の液晶表示装置は、低温領域においても
良好な駆動特性を示す。また、この混合液晶(N)を−
25℃で保存しても、3カ月経過後も結晶が析出が認め
られない。 (比較例14)
りである。 TN-I点 : 86 ℃ TC-N点 : −30 ℃ しきい値電圧 : 1.10 V Δε : 9.2 Δn : 0.080 応答速度 : 33 msec 電圧保持率 : 98.5%(/100℃) この混合液晶(N)を用いて作製されるセル厚4.5μ
mのTFT駆動の液晶表示装置は、低温領域においても
良好な駆動特性を示す。また、この混合液晶(N)を−
25℃で保存しても、3カ月経過後も結晶が析出が認め
られない。 (比較例14)
【0394】
【化282】 からなる混合液晶(n)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 87 ℃ しきい値電圧 : 1.15 V Δε : 9.1 Δn : 0.080 応答速度 : 38 msec この混合液晶(n)を0℃で保存すると、1日後には結
晶の析出が認められる。尚、測定にはセル厚4.5μm
の液晶セルを使用した。 (実施例16)
晶の析出が認められる。尚、測定にはセル厚4.5μm
の液晶セルを使用した。 (実施例16)
【0395】
【化283】 からなる混合液晶(P)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 84 ℃ しきい値電圧 : 1.59 V Δε : 9.9 Δn : 0.099 K33/K11 : 2.4 この混合液晶(P)を0℃で保存すると、14日後に結
晶の析出が認められる。 (実施例17)
晶の析出が認められる。 (実施例17)
【0396】
【化284】 からなる混合液晶(P)’の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 84 ℃ しきい値電圧 : 1.58 V Δε : 9.9 Δn : 0.099 K33/K11 : 2.4 この混合液晶(P)’を0℃で保存すると、1カ月経過
後も結晶の析出が認められない。 (比較例15)
後も結晶の析出が認められない。 (比較例15)
【0397】
【化285】 からなる混合液晶(o)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 139 ℃ しきい値電圧 : 2.11 V Δε : 6.0 Δn : 0.078 K33/K11 : 2.5 この混合液晶(o)を10℃で保存すると、1日後には
結晶の析出が認められる。 (比較例16)
結晶の析出が認められる。 (比較例16)
【0398】
【化286】 からなる混合液晶(p)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 84 ℃ しきい値電圧 : 1.60 V Δε : 9.9 Δn : 0.099 K33/K11 : 2.3 この混合液晶(p)を0℃で保存すると、1日後には結
晶の析出が認められる。 (実施例18)
晶の析出が認められる。 (実施例18)
【0399】
【化287】 からなる混合液晶(Q)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 82 ℃ しきい値電圧 : 1.38 V Δε : 12.5 Δn : 0.098 K33/K11 : 2.3 この混合液晶(Q)を0℃で保存すると、1カ月経過後
も結晶が認められない。 (比較例17)
も結晶が認められない。 (比較例17)
【0400】
【化288】 からなる混合液晶(q)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 82 ℃ しきい値電圧 : 1.40 V Δε : 12.5 Δn : 0.099 K33/K11 : 2.2 この混合液晶(q)を0℃で保存すると、1日後には結
晶の析出が認められる。 (実施例19)
晶の析出が認められる。 (実施例19)
【0401】
【化289】
【0402】
【化290】 からなる混合液晶(S)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 101 ℃ しきい値電圧 : 1.23 V Δε : 23 Δn : 0.145 K33/K11 : 3.7 この混合液晶(S)を−10℃で保存すると、1カ月経
過後も結晶の析出は認められない。 (比較例18)
過後も結晶の析出は認められない。 (比較例18)
【0403】
【化291】 からなる混合液晶(r)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 191 ℃ しきい値電圧 : 1.17 V Δε : 36 Δn : 0.176 K33/K11 : 4.6 この混合液晶(r)を室温(20℃)で保存すると、1
日後には結晶の析出が認められる。 (比較例19)
日後には結晶の析出が認められる。 (比較例19)
【0404】
【化292】 からなる混合液晶(s)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 102 ℃ しきい値電圧 : 1.29 V Δε : 22 Δn : 0.146 K33/K11 : 3.6 この混合液晶(s)を−10℃で保存すると、3日後に
は結晶の析出が認められる。 (実施例20)
は結晶の析出が認められる。 (実施例20)
【0405】
【化293】
【0406】
【化294】
【0407】からなる混合液晶(T)の特性は以下の通
りである。 TN-I点 : 82 ℃ しきい値電圧 : 1.10 V Δε : 17 Δn : 0.116 K33/K11 : 2.5 この混合液晶(T)を用いて作製されるツイスト角26
0゜のSTN液晶表示装置は、低温領域においても良好
な駆動特性を示す。また、この混合液晶(T)を−40
℃で保存しても、1カ月経過後も結晶は認められない。 (比較例20)
りである。 TN-I点 : 82 ℃ しきい値電圧 : 1.10 V Δε : 17 Δn : 0.116 K33/K11 : 2.5 この混合液晶(T)を用いて作製されるツイスト角26
0゜のSTN液晶表示装置は、低温領域においても良好
な駆動特性を示す。また、この混合液晶(T)を−40
℃で保存しても、1カ月経過後も結晶は認められない。 (比較例20)
【0408】
【化295】 からなる混合液晶(t)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 83 ℃ しきい値電圧 : 1.12 V Δε : 17 Δn : 0.116 K33/K11 : 2.5 この混合液晶(t)を−25℃で保存すると、5日後に
は結晶の析出が認められる。 (実施例21)
は結晶の析出が認められる。 (実施例21)
【0409】
【化296】 からなる混合液晶(U)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 132 ℃ しきい値電圧 : 2.62 V Δε : 3.9 Δn : 0.092 応答速度 : 31 msec この混合液晶(U)を10℃で保存すると、1カ月経過
後も結晶の析出は認められない。 (比較例21)
後も結晶の析出は認められない。 (比較例21)
【0410】
【化297】 からなる混合液晶(u)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 133 ℃ しきい値電圧 : 2.70 V Δε : 3.7 Δn : 0.092 応答速度 : 38 msec この混合液晶(u)を10℃で保存すると、3日後には
結晶の析出が認められる。 (実施例22)
結晶の析出が認められる。 (実施例22)
【0411】
【化298】 からなる混合液晶(V)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 127 ℃ しきい値電圧 : 2.71 V Δε : 3.8 Δn : 0.109 応答速度 : 37 msec この混合液晶(V)を10℃で保存すると、1カ月経過
後も結晶の析出は認められない。 (比較例22)
後も結晶の析出は認められない。 (比較例22)
【0412】
【化299】 からなる混合液晶(v)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 127 ℃ しきい値電圧 : 2.73 V Δε : 3.8 Δn : 0.109 応答速度 : 40 msec この混合液晶(v)を10℃で保存すると、5日後には
結晶の析出が認められる。 (実施例23)
結晶の析出が認められる。 (実施例23)
【0413】
【化300】
【0414】からなる混合液晶(W)の特性は以下の通
りである。 TN-I点 : 128 ℃ しきい値電圧 : 2.56 V Δε : 4.0 Δn : 0.096 応答速度 : 32 msec この混合液晶(W)を10℃で保存すると、1カ月経過
後も結晶の析出は認められない。 (比較例23)
りである。 TN-I点 : 128 ℃ しきい値電圧 : 2.56 V Δε : 4.0 Δn : 0.096 応答速度 : 32 msec この混合液晶(W)を10℃で保存すると、1カ月経過
後も結晶の析出は認められない。 (比較例23)
【0415】
【化301】 からなる混合液晶(w)の特性は以下の通りである。 TN-I点 : 130 ℃ しきい値電圧 : 2.64 V Δε : 3.8 Δn : 0.095 応答速度 : 37 msec この混合液晶(w)を10℃で保存すると、3日後には
結晶の析出が認められる。
結晶の析出が認められる。
【0416】
【発明の効果】本発明の液晶組成物は、重水素原子
(D)を少なくとも1つ有する飽和炭化水素環を有する
液晶化合物を含有するものであり、参考例にも示したよ
うにこの化合物は市販の入手容易な化合物から工業的に
も容易に製造することができる。また、この化合物を含
有する本発明の液晶組成物は、実施例にも示したよう
に、従来公知の液晶化合物を含有する組成物に比べて、
低温領域において結晶が析出しないという顕著な効果を
有し、しかも比較的しきい値電圧が低く、応答速度も速
いという今までにない画期的な液晶組成物である。従っ
て、本発明の液晶組成物を用いた液晶表示装置は、従来
液晶表示装置を使用することができなかった低温領域に
おいても良好な駆動特性を示す。従って、本発明の液晶
組成物は、極低温領域での使用が要求されているアクテ
ィブマトリクス駆動液晶表示装置や、STN液晶表示装
置の構成材料として極めて有用である。
(D)を少なくとも1つ有する飽和炭化水素環を有する
液晶化合物を含有するものであり、参考例にも示したよ
うにこの化合物は市販の入手容易な化合物から工業的に
も容易に製造することができる。また、この化合物を含
有する本発明の液晶組成物は、実施例にも示したよう
に、従来公知の液晶化合物を含有する組成物に比べて、
低温領域において結晶が析出しないという顕著な効果を
有し、しかも比較的しきい値電圧が低く、応答速度も速
いという今までにない画期的な液晶組成物である。従っ
て、本発明の液晶組成物を用いた液晶表示装置は、従来
液晶表示装置を使用することができなかった低温領域に
おいても良好な駆動特性を示す。従って、本発明の液晶
組成物は、極低温領域での使用が要求されているアクテ
ィブマトリクス駆動液晶表示装置や、STN液晶表示装
置の構成材料として極めて有用である。
Claims (21)
- 【請求項1】 1個又は2個以上の水素原子(H)が重
水素原子(D)により置換された飽和炭化水素環を部分
構造として有する液晶化合物を含有する液晶組成物。 - 【請求項2】 重水素原子(D)により置換された飽和
炭化水素環が、シクロヘキサン環であることを特徴とす
る請求項1記載の液晶組成物。 - 【請求項3】 重水素原子(D)を有する液晶化合物の
1分子中に、重水素原子(D)により置換されたシクロ
ヘキサン環を1個又は2個有することを特徴とする請求
項2記載の液晶組成物。 - 【請求項4】 重水素原子(D)を有する液晶化合物の
1分子中に、環式構造を2〜4個有することを特徴とす
る請求項3記載の液晶組成物。 - 【請求項5】 液晶組成物全体の誘電率異方性(Δε)
が+3〜+12の範囲にあり、アクティブ・マトリクス
駆動液晶表示装置に用いられることを特徴とする請求項
4記載の液晶組成物。 - 【請求項6】 重水素原子(D)を有し且つ誘電率異方
性(Δε)が+8以上である液晶化合物を含有し、TN
又はSTN液晶表示装置に用いられることを特徴とする
請求項4記載の液晶組成物。 - 【請求項7】 一般式(I) 【化1】 (式中、Z1は炭素原子数1〜20の直鎖状アルキル基
を表わし、X1〜X3はそれぞれ独立的に水素原子(H)
又は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重
水素原子(D)を表わし、Y1は水素原子又はフッ素原
子を表わす。)で表わされる化合物を含有することを特
徴とする請求項5又は6記載の液晶組成物。 - 【請求項8】 一般式(II) 【化2】 (式中、Z2は炭素原子数1〜20の直鎖状アルキル基
を表わし、X4〜X7はそれぞれ独立的に水素原子(H)
又は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重
水素原子(D)を表わし、Y2は水素原子又はフッ素原
子を表わす。)で表わされる化合物を含有することを特
徴とする請求項5又は6記載の液晶組成物。 - 【請求項9】 一般式(III) 【化3】 (式中、Z3は炭素原子数1〜20のアルキル基又はア
ルケニル基を表わし、X8〜X11はそれぞれ独立的に水
素原子(H)又は重水素原子(D)を表わすが、少なく
とも1つは重水素原子(D)を表わす。)で表わされる
化合物を含有することを特徴とする請求項5又は6記載
の液晶組成物。 - 【請求項10】 一般式(IV) 【化4】 (式中、Z4は炭素原子数1〜20の直鎖状アルキル基
を表わし、X12〜X14はそれぞれ独立的に、水素原子
(H)又は重水素原子(D)を表わす。)で表わされる
化合物を含有することを特徴とする請求項5又は6記載
の液晶組成物。 - 【請求項11】 一般式(V) 【化5】 (式中、Z5は炭素原子数1〜20のアルキル基を表わ
し、X15〜X18はそれぞれ独立的に、水素原子(H)又
は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水
素原子(D)を表わす。)で表わされる化合物を含有す
ることを特徴とする請求項5又は6記載の液晶組成物。 - 【請求項12】 一般式(VI) 【化6】 (式中、Z6は炭素原子数1〜20の直鎖状アルキル基
又はアルケニル基を表わし、X19〜X22はそれぞれ独立
的に、水素原子(H)又は重水素原子(D)を表わす
が、少なくとも1つは重水素原子(D)を表わす。)で
表わされる化合物を含有することを特徴とする請求項5
又は6記載の液晶組成物。 - 【請求項13】 一般式(VII) 【化7】 (式中、Z7は炭素原子数1〜20のアルキル基又はア
ルケニル基を表わし、Z8は炭素原子数1〜20のアル
キル基を表わし、X23〜X26はそれぞれ独立的に、水素
原子(H)又は重水素原子(D)を表わすが、少なくと
も1つは重水素原子(D)を表わす。)で表わされる化
合物を含有することを特徴とする請求項5又は6記載の
液晶組成物。 - 【請求項14】 一般式(VIII) 【化8】 (式中、Z9は炭素原子数1〜20のアルキル基を表わ
し、Z10は炭素原子数1〜20のアルキル基を表わし、
X27〜X29はそれぞれ独立的に、水素原子(H)又は重
水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水素原
子(D)を表わす。)で表わされる化合物を含有するこ
とを特徴とする請求項5又は6記載の液晶組成物。 - 【請求項15】 一般式(IX) 【化9】 (式中、Z11は炭素原子数1〜20のアルキル基又はZ
12−O−(CH2)n−を表わし、Z12は炭素原子数1〜
10のアルキル基を表わし、nは2〜7の整数を表わ
し、X30〜X32はそれぞれ独立的に、水素原子(H)又
は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水
素原子(D)を表わす。)で表わされる化合物を含有す
ることを特徴とする請求項5又は6記載の液晶組成物。 - 【請求項16】 一般式(X) 【化10】 (式中、Z13は炭素原子数1〜20のアルキル基を表わ
し、X33〜X36はそれぞれ独立的に水素原子(H)又は
重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水素
原子(D)を表わす。)で表わされる化合物を含有する
ことを特徴とする請求項5又は6記載の液晶組成物。 - 【請求項17】 一般式(XI) 【化11】 (式中、Z14は炭素原子数2〜18のアルケニル基を表
わし、X37〜X40はそれぞれ独立的に水素原子(H)又
は重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水
素原子(D)を表わす。)で表わされる化合物を含有す
ることを特徴とする請求項5又は6記載の液晶組成物。 - 【請求項18】 一般式(XII) 【化12】 (式中、Z15は炭素原子数1〜15のアルキル基を表わ
し、X41〜X43はそれぞれ独立的に水素原子(H)又は
重水素原子(D)を表わすが、少なくとも1つは重水素
原子(D)を表わす。)で表わされる化合物を含有する
ことを特徴とする請求項5又は6記載の液晶組成物。 - 【請求項19】 請求項1記載の液晶組成物を用いた液
晶表示装置。 - 【請求項20】 請求項5記載の液晶組成物を用いたア
クティブ・マトリクス駆動方式の請求項19の液晶表示
装置。 - 【請求項21】 請求項6記載の液晶組成物を用いたT
N又はSTN表示方式の請求項19の液晶表示装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5182734A JP2605249B2 (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 液晶組成物及び液晶表示装置 |
US08/278,260 US5474707A (en) | 1993-07-23 | 1994-07-21 | Cyclic hydrocarbon derivative and liquid crystal composition containing the same |
EP94111448A EP0637623B1 (en) | 1993-07-23 | 1994-07-22 | Cyclic hydrocarbon derivative and liquid crystal composition containing the same |
DE69428486T DE69428486T2 (de) | 1993-07-23 | 1994-07-22 | Zyclisches Kohlenwasserstoffderivat sowie eine dieses enthaltende Flüssigkristallzusammensetzung |
KR1019940017832A KR100294287B1 (ko) | 1993-07-23 | 1994-07-23 | 사이클릭탄화수소유도체및이를함유하는액정조성물 |
US08/429,485 US5536443A (en) | 1993-07-23 | 1995-04-25 | Cyclic hydrocarbon derivative and liquid crystal composition containing the same |
HK98110280A HK1009604A1 (en) | 1993-07-23 | 1998-08-28 | Cyclic hydrocarbon derivative and liquid crystal composition containing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5182734A JP2605249B2 (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 液晶組成物及び液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0734066A true JPH0734066A (ja) | 1995-02-03 |
JP2605249B2 JP2605249B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=16123509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5182734A Expired - Fee Related JP2605249B2 (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 液晶組成物及び液晶表示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5474707A (ja) |
EP (1) | EP0637623B1 (ja) |
JP (1) | JP2605249B2 (ja) |
KR (1) | KR100294287B1 (ja) |
DE (1) | DE69428486T2 (ja) |
HK (1) | HK1009604A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5854666A (en) * | 1996-11-28 | 1998-12-29 | Nec Corporation | Liquid crystal display device having particular twist angle, .increment.n d, .increment.ε, and threshold voltage |
JP2001042793A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Dainippon Ink & Chem Inc | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 |
KR20070099287A (ko) * | 2006-04-04 | 2007-10-09 | 삼성전자주식회사 | 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
KR101077606B1 (ko) * | 2003-08-01 | 2011-10-27 | 삼성전자주식회사 | 높은 이방성 전이 온도 및 빠른 응답 속도를 갖는 va용액정 화합물, 이를 포함하는 액정 조성물 및 이를 채용한va 액정 디스플레이 |
CN103224798A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-07-31 | 西安彩晶光电科技股份有限公司 | 一种具有宽向列相低折光的液晶组合物 |
CN115785970A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-14 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶组合物和液晶显示面板 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0735015A3 (en) * | 1995-03-31 | 1997-06-11 | Chisso Corp | Deuterium-containing liquid crystalline compound and liquid crystalline composition containing this compound |
KR100710150B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 디스플레이 장치 |
EP1626079B1 (en) * | 2004-08-10 | 2008-04-02 | MERCK PATENT GmbH | Polymerisable mesogenic cyclohexylphenyl derivatives |
CN107501041A (zh) * | 2008-01-16 | 2017-12-22 | 晶美晟光电材料(南京)有限公司 | 高介电常数的液晶 |
CN103242858B (zh) * | 2013-04-16 | 2014-10-29 | 西安彩晶光电科技股份有限公司 | 一种具有低阈值快响应速度的液晶组合物 |
CN103194242A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-07-10 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 含有氘的液晶化合物及其制备方法与应用 |
CN103772138A (zh) * | 2014-01-21 | 2014-05-07 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 含有氘取代的液晶单体 |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1531405A (en) * | 1976-08-14 | 1978-11-08 | Merck Patent Gmbh | Liquid crystalline cyclohexane derivatives |
US4181625A (en) * | 1977-01-22 | 1980-01-01 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Liquid crystalline cyclohexylcyclohexanes |
US4330426A (en) * | 1979-07-06 | 1982-05-18 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Cyclohexylbiphenyls, their preparation and use in dielectrics and electrooptical display elements |
EP0062470A1 (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-13 | Chisso Corporation | Liquid crystal benzene derivatives |
US4374748A (en) * | 1980-09-04 | 1983-02-22 | Chisso Corporation | 4'-(β-Alkyloxyethoxy)-4-cyanobiphenyl |
US4405488A (en) * | 1980-10-09 | 1983-09-20 | Chisso Corporation | Liquid-crystalline halogenobenzene derivatives |
US4472293A (en) * | 1982-07-16 | 1984-09-18 | Chisso Corporation | High temperature liquid crystal substances of four rings and liquid crystal compositions containing the same |
EP0119756A1 (en) * | 1983-02-18 | 1984-09-26 | Chisso Corporation | Fluorobenzene derivatives and liquid crystal compositions containing the same |
EP0205998A1 (en) * | 1985-06-10 | 1986-12-30 | Chisso Corporation | Cyclohexane derivative and liquid crystal composition containing same |
US4724097A (en) * | 1983-05-14 | 1988-02-09 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Bicyclohexylethanes |
EP0387032A1 (en) * | 1989-03-07 | 1990-09-12 | Chisso Corporation | Trifluorobenzene derivatives and liquid crystal compositions containing the same |
US5013478A (en) * | 1983-03-16 | 1991-05-07 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystals |
US5122295A (en) * | 1988-10-20 | 1992-06-16 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Matrix liquid crystal display |
US5308538A (en) * | 1990-12-07 | 1994-05-03 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Supertwist liquid-crystal display |
US5324449A (en) * | 1987-09-25 | 1994-06-28 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Substituted phenyl trifluoromethyl ethers |
US5368772A (en) * | 1990-04-13 | 1994-11-29 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Liquid-crystalline medium |
US5480581A (en) * | 1990-08-03 | 1996-01-02 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Liquid-crystalline medium |
US5487845A (en) * | 1989-09-06 | 1996-01-30 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Fluorobenzene derivatives and liquid-crystalline medium |
-
1993
- 1993-07-23 JP JP5182734A patent/JP2605249B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-07-21 US US08/278,260 patent/US5474707A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-22 EP EP94111448A patent/EP0637623B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-22 DE DE69428486T patent/DE69428486T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-23 KR KR1019940017832A patent/KR100294287B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-04-25 US US08/429,485 patent/US5536443A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-08-28 HK HK98110280A patent/HK1009604A1/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1531405A (en) * | 1976-08-14 | 1978-11-08 | Merck Patent Gmbh | Liquid crystalline cyclohexane derivatives |
US4181625A (en) * | 1977-01-22 | 1980-01-01 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Liquid crystalline cyclohexylcyclohexanes |
US4330426A (en) * | 1979-07-06 | 1982-05-18 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Cyclohexylbiphenyls, their preparation and use in dielectrics and electrooptical display elements |
US4374748A (en) * | 1980-09-04 | 1983-02-22 | Chisso Corporation | 4'-(β-Alkyloxyethoxy)-4-cyanobiphenyl |
US4405488A (en) * | 1980-10-09 | 1983-09-20 | Chisso Corporation | Liquid-crystalline halogenobenzene derivatives |
EP0062470A1 (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-13 | Chisso Corporation | Liquid crystal benzene derivatives |
US4472293A (en) * | 1982-07-16 | 1984-09-18 | Chisso Corporation | High temperature liquid crystal substances of four rings and liquid crystal compositions containing the same |
EP0119756A1 (en) * | 1983-02-18 | 1984-09-26 | Chisso Corporation | Fluorobenzene derivatives and liquid crystal compositions containing the same |
US5013478A (en) * | 1983-03-16 | 1991-05-07 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystals |
US4724097A (en) * | 1983-05-14 | 1988-02-09 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Bicyclohexylethanes |
EP0205998A1 (en) * | 1985-06-10 | 1986-12-30 | Chisso Corporation | Cyclohexane derivative and liquid crystal composition containing same |
US5324449A (en) * | 1987-09-25 | 1994-06-28 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Substituted phenyl trifluoromethyl ethers |
US5122295A (en) * | 1988-10-20 | 1992-06-16 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Matrix liquid crystal display |
EP0387032A1 (en) * | 1989-03-07 | 1990-09-12 | Chisso Corporation | Trifluorobenzene derivatives and liquid crystal compositions containing the same |
US5487845A (en) * | 1989-09-06 | 1996-01-30 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Fluorobenzene derivatives and liquid-crystalline medium |
US5368772A (en) * | 1990-04-13 | 1994-11-29 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Liquid-crystalline medium |
US5480581A (en) * | 1990-08-03 | 1996-01-02 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Liquid-crystalline medium |
US5308538A (en) * | 1990-12-07 | 1994-05-03 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Supertwist liquid-crystal display |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5854666A (en) * | 1996-11-28 | 1998-12-29 | Nec Corporation | Liquid crystal display device having particular twist angle, .increment.n d, .increment.ε, and threshold voltage |
JP2001042793A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Dainippon Ink & Chem Inc | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 |
KR101077606B1 (ko) * | 2003-08-01 | 2011-10-27 | 삼성전자주식회사 | 높은 이방성 전이 온도 및 빠른 응답 속도를 갖는 va용액정 화합물, 이를 포함하는 액정 조성물 및 이를 채용한va 액정 디스플레이 |
KR20070099287A (ko) * | 2006-04-04 | 2007-10-09 | 삼성전자주식회사 | 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
CN103224798A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-07-31 | 西安彩晶光电科技股份有限公司 | 一种具有宽向列相低折光的液晶组合物 |
CN103224798B (zh) * | 2013-04-16 | 2014-09-10 | 西安彩晶光电科技股份有限公司 | 一种具有宽向列相低折光的液晶组合物 |
CN115785970A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-14 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶组合物和液晶显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
HK1009604A1 (en) | 1999-06-04 |
EP0637623B1 (en) | 2001-10-04 |
DE69428486T2 (de) | 2002-05-08 |
US5536443A (en) | 1996-07-16 |
DE69428486D1 (de) | 2001-11-08 |
KR100294287B1 (ko) | 2001-10-24 |
US5474707A (en) | 1995-12-12 |
KR950003418A (ko) | 1995-02-16 |
EP0637623A1 (en) | 1995-02-08 |
JP2605249B2 (ja) | 1997-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100333020B1 (ko) | 액정화합물,이러한화합물을함유하는액정조성물및이러한조성물을사용하여제조된액정표시소자 | |
JP2605249B2 (ja) | 液晶組成物及び液晶表示装置 | |
EP0733692B1 (en) | Liquid crystalline compound, liquid crystal composition containing the same, and display device | |
JP4193005B2 (ja) | 新規アルケニルビフェニル誘導体 | |
JP3783247B2 (ja) | 1,2−ジシクロヘキシルプロパン誘導体 | |
JP3487356B2 (ja) | シクロヘキサン誘導体 | |
JP3783248B2 (ja) | 4−(2−シクロヘキシル)プロピル−p−テルフェニル誘導体 | |
JPH06313170A (ja) | フェニルビシクロヘキサン誘導体 | |
JP2605249C (ja) | ||
JP3452144B2 (ja) | フルオロシクロヘキサン誘導体 | |
JPH07278548A (ja) | シクロヘキシルビフェニル誘導体 | |
JPH07216356A (ja) | フェニルシクロヘキサン誘導体及びその中間体 | |
JPH0710784A (ja) | フェニルシクロヘキサン誘導体 | |
JP4239242B2 (ja) | フェニルナフタレン誘導体 | |
JP3531182B2 (ja) | ジフルオロアルキルシクロヘキサン誘導体 | |
JPH08113779A (ja) | (4−シクロヘキシルエチル)ベンゼン誘導体 | |
JP3613806B2 (ja) | フェニルビシクロヘキサン誘導体 | |
JPH0873854A (ja) | 4−(2−シクロヘキシルエチル)シクロヘキシルベンゼン誘導体 | |
JPH08157396A (ja) | (2−シクロヘキシル)プロピルベンゼン誘導体 | |
JPH07165625A (ja) | フェニルシクロヘキサン誘導体 | |
JPH07138567A (ja) | フェニルビシクロヘキサン誘導体 | |
JPH07286178A (ja) | 4−(2−フェニルエチル)ビシクロヘキサン誘導体 | |
JPH0812972A (ja) | フェニルビシクロヘキサン誘導体 | |
JP5397710B2 (ja) | 新規アルケニルビフェニル誘導体 | |
JPH07258639A (ja) | フェニルビシクロヘキサン誘導体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |