JPH07335678A - 素子のモールド - Google Patents
素子のモールドInfo
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- JPH07335678A JPH07335678A JP7152808A JP15280895A JPH07335678A JP H07335678 A JPH07335678 A JP H07335678A JP 7152808 A JP7152808 A JP 7152808A JP 15280895 A JP15280895 A JP 15280895A JP H07335678 A JPH07335678 A JP H07335678A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 素子のモールドを提供する。
【構成】 モールドキャビティの外へ伸びる素子をオー
バーモールドするために、第１と第２モールド部分は素
子の第１部分の対向する面に配置され、モールドキャビ
ティ内に納められる。変形可能な材料部分は、モールド
が素子の第２部分によって境界を等分する領域に配置さ
れ、モールドキャビティの外に伸びる。従来の方法で両
モールドを押圧すると、変形可能な材料は素子の第２の
領域でシールを形成し、圧力でモールドキャビティに注
入されるモールド化合物の素子第２部分の近傍からの漏
れを防止できる。本発明の方法は特にモールドキャビテ
ィの外に伸びるリードフレームに取り付けられた集積回
路をモールドするのに適する。同様に、本発明の方法
は、オーバーモールド部分から外へ伸びる光導管を有す
る光学装置をオーバーモールドするのに適する。
バーモールドするために、第１と第２モールド部分は素
子の第１部分の対向する面に配置され、モールドキャビ
ティ内に納められる。変形可能な材料部分は、モールド
が素子の第２部分によって境界を等分する領域に配置さ
れ、モールドキャビティの外に伸びる。従来の方法で両
モールドを押圧すると、変形可能な材料は素子の第２の
領域でシールを形成し、圧力でモールドキャビティに注
入されるモールド化合物の素子第２部分の近傍からの漏
れを防止できる。本発明の方法は特にモールドキャビテ
ィの外に伸びるリードフレームに取り付けられた集積回
路をモールドするのに適する。同様に、本発明の方法
は、オーバーモールド部分から外へ伸びる光導管を有す
る光学装置をオーバーモールドするのに適する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパッケージ技術に関す
る。特に、集積回路、光学装置及び他の素子のモールド
カプセル化を行う技術に関する。
る。特に、集積回路、光学装置及び他の素子のモールド
カプセル化を行う技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】素子の一部をオーバーモールドする必要
がある場合、カプセルの先端、特に素子の残りの一部が
モールド部分の外に伸びる場合の適切なシール方法が常
に問題となってきた。このような問題を取り扱う技術の
一つとして、集積回路装置のプラスチックパッケージが
ある。従来の集積回路装置のプラスチックパッケージに
おいては、パッケージをリードフレーム組立体上にオー
バーモールドすることが多い。電子集積回路はモールド
キャビティに包囲され、そこからリードフレーム組立体
の部分が外部に伸びている。その後モールドには圧力下
でプラスチック化合物が注入される。モールドキャビテ
ィの外に伸びるリードフレームの部分は一般的に複数の
離間したリードからなる。そのため、このリードの領域
にあるモールドキャビティからパッケージ化合物の漏れ
を防ぐために、ある構造が必要となる。
がある場合、カプセルの先端、特に素子の残りの一部が
モールド部分の外に伸びる場合の適切なシール方法が常
に問題となってきた。このような問題を取り扱う技術の
一つとして、集積回路装置のプラスチックパッケージが
ある。従来の集積回路装置のプラスチックパッケージに
おいては、パッケージをリードフレーム組立体上にオー
バーモールドすることが多い。電子集積回路はモールド
キャビティに包囲され、そこからリードフレーム組立体
の部分が外部に伸びている。その後モールドには圧力下
でプラスチック化合物が注入される。モールドキャビテ
ィの外に伸びるリードフレームの部分は一般的に複数の
離間したリードからなる。そのため、このリードの領域
にあるモールドキャビティからパッケージ化合物の漏れ
を防ぐために、ある構造が必要となる。
【０００３】集積回路のプラスチックパッケージを実現
するための従来の方法においては、二つの半分に分かれ
たモールドが集積回路のサイドとリードフレームの外部
延伸部分に配置される。シールはリードの中間領域に設
置されるダムバーにより形成される。ダムバーはリード
の隣接する対の間の簡単な造りの膜網で、リードフレー
ム材料そのもので形成される。ダムバーはキャビティの
外に配置され、リードフレームの外部の残り部分に沿っ
て締め付けられる。このダムバーは隣接するリード間の
空隙にモールド化合物が流れ込まないよう封じ込めの役
割を果たしている。モールドの後、このダムバーはダム
バー間の小さなモールドフラッシュ及びモールドされた
実体のエッジとともに切り取られる。
するための従来の方法においては、二つの半分に分かれ
たモールドが集積回路のサイドとリードフレームの外部
延伸部分に配置される。シールはリードの中間領域に設
置されるダムバーにより形成される。ダムバーはリード
の隣接する対の間の簡単な造りの膜網で、リードフレー
ム材料そのもので形成される。ダムバーはキャビティの
外に配置され、リードフレームの外部の残り部分に沿っ
て締め付けられる。このダムバーは隣接するリード間の
空隙にモールド化合物が流れ込まないよう封じ込めの役
割を果たしている。モールドの後、このダムバーはダム
バー間の小さなモールドフラッシュ及びモールドされた
実体のエッジとともに切り取られる。
【０００４】ダムバーの使用が好ましくない場合もあ
る。その一つは小ピッチ素子の場合である。リード間の
間隔が減少するにつれて、ダムバーセグメントの切り取
り用ポンチツールはより小型となり、またより高い精度
の配置が必要となる。これは製造コストの増大及び切り
取り工程の複雑化につながる。ダムバーの使用が問題と
なる第二の例はマルチ素子がリードフレームに取り付け
られる場合である。この場合、最終の高価な素子を張り
付ける前に、部分の組立体をテストする必要がある。当
然のことながら、このテストはモールドパッケージ工程
の前に行わねばならない。しかしダムバーは電気的にリ
ードを相互接続しているので、部分の組立体のテストが
不可能となる。
る。その一つは小ピッチ素子の場合である。リード間の
間隔が減少するにつれて、ダムバーセグメントの切り取
り用ポンチツールはより小型となり、またより高い精度
の配置が必要となる。これは製造コストの増大及び切り
取り工程の複雑化につながる。ダムバーの使用が問題と
なる第二の例はマルチ素子がリードフレームに取り付け
られる場合である。この場合、最終の高価な素子を張り
付ける前に、部分の組立体をテストする必要がある。当
然のことながら、このテストはモールドパッケージ工程
の前に行わねばならない。しかしダムバーは電気的にリ
ードを相互接続しているので、部分の組立体のテストが
不可能となる。
【０００５】ダムバーを不要とする方法の一つとして、
周知のように少なくとも一つのモールド分割面を有する
構造物を用いる。この分割面はリードフレームの代わり
にモールドそのものとしてダムバーの役割を果たす。小
さい突出部が隣接するリードの領域の間にあるモールド
表面に設置される。モールドにおいて、これらの小さい
突出部は通常「ヒブル（hibble）」と呼ばれる。
周知のように少なくとも一つのモールド分割面を有する
構造物を用いる。この分割面はリードフレームの代わり
にモールドそのものとしてダムバーの役割を果たす。小
さい突出部が隣接するリードの領域の間にあるモールド
表面に設置される。モールドにおいて、これらの小さい
突出部は通常「ヒブル（hibble）」と呼ばれる。
【０００６】ヒブルの使用においては幾つかの問題点が
ある。まず、リードフレームが熱いモールドにさらされ
るとき、大きな熱膨張（特にその長さ方向）が起こるの
で、チップの長さ方向に垂直なリードフレームの配置設
計に対して、このヒブルの使用には特別な注意を払わな
ければならない。このようなリードフレーム構成におい
ては、リードフレームを十分に予熱しないと、昇温中ツ
ールホールから最も遠いリードはその冷却状態の位置か
ら顕著にシフトされる。これにより、リードは予定され
た領域において均等に分離されず、場合によってリード
は部分的にヒブルそのものと部分的に重なってしまう。
リードはヒブル間の中心にないと、過剰な隙間が存在す
るサイドではモールド化合物の漏れが起こり、フラッシ
ュを形成してしまう。
ある。まず、リードフレームが熱いモールドにさらされ
るとき、大きな熱膨張（特にその長さ方向）が起こるの
で、チップの長さ方向に垂直なリードフレームの配置設
計に対して、このヒブルの使用には特別な注意を払わな
ければならない。このようなリードフレーム構成におい
ては、リードフレームを十分に予熱しないと、昇温中ツ
ールホールから最も遠いリードはその冷却状態の位置か
ら顕著にシフトされる。これにより、リードは予定され
た領域において均等に分離されず、場合によってリード
は部分的にヒブルそのものと部分的に重なってしまう。
リードはヒブル間の中心にないと、過剰な隙間が存在す
るサイドではモールド化合物の漏れが起こり、フラッシ
ュを形成してしまう。
【０００７】ヒブルの使用のもう一つの問題点は、ヒブ
ルがモールドの表面から予め決めた一定の高さを有する
ことにより、リードフレームの厚さの許容変動に対応す
ることができないことである。リードフレームが少し厚
い場合、ヒブルはもう半分のモールドを遮蔽することが
できず、モールド化合物はヒブルの上部表面ともう半分
のモールドの表面との間の領域から漏れる可能性があ
る。逆にリードフレームが少し薄い場合、モールド化合
物はリードの領域から漏れる可能性がある。同様に、リ
ードが決まったリード領域を十分にカバーできる幅を有
さない場合、または前述したように、熱によりリードの
位置がシフトされる場合、フラッシュはリードのサイド
及びヒブルのサイドに沿って発生してしまう。
ルがモールドの表面から予め決めた一定の高さを有する
ことにより、リードフレームの厚さの許容変動に対応す
ることができないことである。リードフレームが少し厚
い場合、ヒブルはもう半分のモールドを遮蔽することが
できず、モールド化合物はヒブルの上部表面ともう半分
のモールドの表面との間の領域から漏れる可能性があ
る。逆にリードフレームが少し薄い場合、モールド化合
物はリードの領域から漏れる可能性がある。同様に、リ
ードが決まったリード領域を十分にカバーできる幅を有
さない場合、または前述したように、熱によりリードの
位置がシフトされる場合、フラッシュはリードのサイド
及びヒブルのサイドに沿って発生してしまう。
【０００８】前述から明らかなように、集積回路や他の
素子がモールドキャビティの外に伸びている場合におい
て、オーバーモールドされる素子の一部が二つの上下モ
ールドの中間にある領域でのシールを実現するための集
積回路及び他の素子をモールドするシステム技術が必要
となっている。
素子がモールドキャビティの外に伸びている場合におい
て、オーバーモールドされる素子の一部が二つの上下モ
ールドの中間にある領域でのシールを実現するための集
積回路及び他の素子をモールドするシステム技術が必要
となっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、モールドキャビティの周辺からのモールド化合物の
漏れを防止できる、外部に伸びるリードフレーム上に配
置された集積回路をオーバーモールドする技術を提供す
ることである。本発明の別の目的は、モールドフラッシ
ュまたはその他のモールド材料の漏れを防止できる素子
モールドのシール技術を提供することである。さらに本
発明の目的は、モールドの周辺から伸びる光導導管を有
する光学装置をオーバーモールドするモールドを提供す
ることである。さらに本発明の目的は、モールドキャビ
ティの周辺をシールできる、モールドキャビティの周辺
から伸びる部分を有する素子をモールドする技術を提供
することである。
は、モールドキャビティの周辺からのモールド化合物の
漏れを防止できる、外部に伸びるリードフレーム上に配
置された集積回路をオーバーモールドする技術を提供す
ることである。本発明の別の目的は、モールドフラッシ
ュまたはその他のモールド材料の漏れを防止できる素子
モールドのシール技術を提供することである。さらに本
発明の目的は、モールドの周辺から伸びる光導導管を有
する光学装置をオーバーモールドするモールドを提供す
ることである。さらに本発明の目的は、モールドキャビ
ティの周辺をシールできる、モールドキャビティの周辺
から伸びる部分を有する素子をモールドする技術を提供
することである。
【００１０】また、本発明のさらなる目的は、モールド
キャビティの周辺から伸びるオーバーモールドされた装
置の部分における製造変動を許容するモールドを提供す
ることである。さらに、また本発明の目的は、集積回路
のある組立体をモールドする前にテストできる、リード
フレームに取り付けられた集積回路装置をオーバーモー
ルドするモールドを提供することである。さらに、また
本発明の目的は、ダムバーを有しないリードフレームを
オーバーモールドする技術を提供することである。さら
に、また本発明の目的は、インターリードモールドをシ
ールするためのヒブルを使用しないモールドを提供する
ことである。
キャビティの周辺から伸びるオーバーモールドされた装
置の部分における製造変動を許容するモールドを提供す
ることである。さらに、また本発明の目的は、集積回路
のある組立体をモールドする前にテストできる、リード
フレームに取り付けられた集積回路装置をオーバーモー
ルドするモールドを提供することである。さらに、また
本発明の目的は、ダムバーを有しないリードフレームを
オーバーモールドする技術を提供することである。さら
に、また本発明の目的は、インターリードモールドをシ
ールするためのヒブルを使用しないモールドを提供する
ことである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は集積回路チップがリードフレームに取り付
けられるタイプの集積回路パッケージに対するモールド
を提供する。集積回路チップとリードフレームの部分と
はモールドキャビティの部分に囲まれて、圧力下でモー
ルドに注入されるモールド化合物によってオーバーモー
ルドされる。リードフレームはそこからリードフレーム
のオーバーモールド部分の外に伸びる複数の離間したリ
ードを有する。本発明によれば、第１と第２のモールド
部分は、モールド化合物で充填されるモールド体積を決
めるため、集積回路チップとリードフレームのそれぞれ
の対向するサイドに配置される。境界領域は、複数の離
間したリードの対向するサイドにおける前記第１と第２
のモールド部分の界面のそれぞれの分離面によって構成
され、前記第１と第２のモールド部分はこの境界領域で
他の一つの部分によってつながって、前記第１と第２の
モールド部分の一つはこの境界領域に沿って伸びるよう
形成されたくぼみを有する。このくぼみ領域に変形可能
な材料の部分が設置され、他のモールド半分に向かって
伸びるが、この量はリードフレームのオーバーモールド
部分の外に伸びた離間したリードの厚さにより設定され
る。それ故に、第１と第２のモールド部分は互いに押し
つけられると、変形可能な材料の部分は離間したリード
の近傍にシールを形成するよう変形される。
に、本発明は集積回路チップがリードフレームに取り付
けられるタイプの集積回路パッケージに対するモールド
を提供する。集積回路チップとリードフレームの部分と
はモールドキャビティの部分に囲まれて、圧力下でモー
ルドに注入されるモールド化合物によってオーバーモー
ルドされる。リードフレームはそこからリードフレーム
のオーバーモールド部分の外に伸びる複数の離間したリ
ードを有する。本発明によれば、第１と第２のモールド
部分は、モールド化合物で充填されるモールド体積を決
めるため、集積回路チップとリードフレームのそれぞれ
の対向するサイドに配置される。境界領域は、複数の離
間したリードの対向するサイドにおける前記第１と第２
のモールド部分の界面のそれぞれの分離面によって構成
され、前記第１と第２のモールド部分はこの境界領域で
他の一つの部分によってつながって、前記第１と第２の
モールド部分の一つはこの境界領域に沿って伸びるよう
形成されたくぼみを有する。このくぼみ領域に変形可能
な材料の部分が設置され、他のモールド半分に向かって
伸びるが、この量はリードフレームのオーバーモールド
部分の外に伸びた離間したリードの厚さにより設定され
る。それ故に、第１と第２のモールド部分は互いに押し
つけられると、変形可能な材料の部分は離間したリード
の近傍にシールを形成するよう変形される。
【００１２】変形可能な材料によって離間したリードを
受けることにより、変形可能な材料でできた複数のヒブ
ルが構成され、離間したリードの間に配置される。ヒブ
ルの高さは予定されたリードフレームの厚さと一致す
る。
受けることにより、変形可能な材料でできた複数のヒブ
ルが構成され、離間したリードの間に配置される。ヒブ
ルの高さは予定されたリードフレームの厚さと一致す
る。
【００１３】本発明の一実施例においては、変形可能な
材料はポリフェニレンサルファ（ＰＰＳ）である。この
材料は約５〜２０％のポリテトラフロロエチレン（ＰＴ
ＦＥ）を含有する。本発明の別の実施例においては、こ
の変形可能な材料はポリフタルアミドである。この材料
も約５〜２０％のＰＴＦＥを含有する。また、他の適切
な材料も使用することができる。ＰＰＳとポリフタルア
ミドは市販されており、例えば、RTP Engineering Prod
ucts(580 East Front Street, Winona, MN 55987-5439)
より販売されている。
材料はポリフェニレンサルファ（ＰＰＳ）である。この
材料は約５〜２０％のポリテトラフロロエチレン（ＰＴ
ＦＥ）を含有する。本発明の別の実施例においては、こ
の変形可能な材料はポリフタルアミドである。この材料
も約５〜２０％のＰＴＦＥを含有する。また、他の適切
な材料も使用することができる。ＰＰＳとポリフタルア
ミドは市販されており、例えば、RTP Engineering Prod
ucts(580 East Front Street, Winona, MN 55987-5439)
より販売されている。
【００１４】本発明の他の実施例においては、圧力の作
用でモールドに注入されるモールド化合物によってオー
バーモールドされた光学装置を有するタイプの光学回路
パッケージに対するモールドを提供する。この光学装置
においては、光導管がモールドから外部へ伸びる。本発
明によれば、第１と第２のモールド部分は、モールド化
合物で充填されるモールド体積を決めるため、光学装置
のそれぞれの対向するサイドに配置される。境界領域
は、光導管の対向するサイドにおける前記第１と第２の
モールド部分の界面のそれぞれの分離面によって構成さ
れ、前記第１と第２のモールド部分はこの境界領域で他
の一つの部分によってつながって、前記第１と第２のモ
ールド部分の一つはこの境界領域に沿って伸びるよう形
成されたくぼみを有する。このくぼみ領域に変形可能な
材料の部分が設置され、他のモールド半分に向かって伸
びるが、その量は光導管のモールド体積の外に伸びた光
導導管の厚さにより設定される。それ故に、第１と第２
のモールド部分は互いに押しつけられると、変形可能な
材料は光導管の近傍にシールを形成するよう変形され
る。
用でモールドに注入されるモールド化合物によってオー
バーモールドされた光学装置を有するタイプの光学回路
パッケージに対するモールドを提供する。この光学装置
においては、光導管がモールドから外部へ伸びる。本発
明によれば、第１と第２のモールド部分は、モールド化
合物で充填されるモールド体積を決めるため、光学装置
のそれぞれの対向するサイドに配置される。境界領域
は、光導管の対向するサイドにおける前記第１と第２の
モールド部分の界面のそれぞれの分離面によって構成さ
れ、前記第１と第２のモールド部分はこの境界領域で他
の一つの部分によってつながって、前記第１と第２のモ
ールド部分の一つはこの境界領域に沿って伸びるよう形
成されたくぼみを有する。このくぼみ領域に変形可能な
材料の部分が設置され、他のモールド半分に向かって伸
びるが、その量は光導管のモールド体積の外に伸びた光
導導管の厚さにより設定される。それ故に、第１と第２
のモールド部分は互いに押しつけられると、変形可能な
材料は光導管の近傍にシールを形成するよう変形され
る。
【００１５】本発明の一実施例においては、各々関連す
る光導管を有する複数の光学装置がモールド体積内に納
められるよう提供される。複数の光導管はモールド領域
から外へ伸び、ある実施例においては、それらは互いに
平行である。これにより、この実施例では変形可能な材
料は複数の外へ伸びる光導管を生成する。
る光導管を有する複数の光学装置がモールド体積内に納
められるよう提供される。複数の光導管はモールド領域
から外へ伸び、ある実施例においては、それらは互いに
平行である。これにより、この実施例では変形可能な材
料は複数の外へ伸びる光導管を生成する。
【００１６】前述したように、この変形可能な材料はＰ
ＰＳ、ポリフタルアミド、または他の適切な材料でもよ
い。本発明の他の実施例においては、これらの変形可能
な材料のいずれかまたはその結合は約５〜２０％のＰＴ
ＦＥを提供することができる。
ＰＳ、ポリフタルアミド、または他の適切な材料でもよ
い。本発明の他の実施例においては、これらの変形可能
な材料のいずれかまたはその結合は約５〜２０％のＰＴ
ＦＥを提供することができる。
【００１７】本発明のさらに別の実施例においては、素
子の一部分をオーバーモールドする方法が提供される
が、ここにおいてこの素子は第１部分から外へ伸びる第
２部分を有する。本発明によれば、第１と第２のモール
ド部分は、モールド化合物で充填される素子の第１部分
を包囲する前記モールド体積を決めるため、素子の第１
部分のそれぞれの対向するサイドに配置される。素子の
第２部分の対向するサイドが前記第１と第２のモールド
部分のそれぞれの分離面に配置され、前記第１と第２の
モールド部分はこの境界領域で他の一つの部分によって
つながる。この境界領域に変形可能な材料の部分が設置
され、それ故に、第１と第２のモールド部分が互いに押
しつけられると、変形可能な材料は素子の第２部分の近
傍にシールを形成するよう変形される。
子の一部分をオーバーモールドする方法が提供される
が、ここにおいてこの素子は第１部分から外へ伸びる第
２部分を有する。本発明によれば、第１と第２のモール
ド部分は、モールド化合物で充填される素子の第１部分
を包囲する前記モールド体積を決めるため、素子の第１
部分のそれぞれの対向するサイドに配置される。素子の
第２部分の対向するサイドが前記第１と第２のモールド
部分のそれぞれの分離面に配置され、前記第１と第２の
モールド部分はこの境界領域で他の一つの部分によって
つながる。この境界領域に変形可能な材料の部分が設置
され、それ故に、第１と第２のモールド部分が互いに押
しつけられると、変形可能な材料は素子の第２部分の近
傍にシールを形成するよう変形される。
【００１８】本発明の一実施例においては、第１と第２
のモールド部分のうちの一つは境界領域の近傍にくぼみ
を有する。このくぼみは変形可能な材料部分を受け入れ
る。ある実施例においては、このくぼみは変形可能な材
料を受けるために第１と第２のモールド部分のうちの一
つの上に形成された溝である。このような実施例におい
て、変形可能な材料は、代わりの材料を使用するために
提供される空間を除いて、溝の断面形状と同様な断面を
有するよう構築される。この変形可能な材料は溝の外に
伸び、その量は素子の第２部分の厚さに対応して予め決
められる。
のモールド部分のうちの一つは境界領域の近傍にくぼみ
を有する。このくぼみは変形可能な材料部分を受け入れ
る。ある実施例においては、このくぼみは変形可能な材
料を受けるために第１と第２のモールド部分のうちの一
つの上に形成された溝である。このような実施例におい
て、変形可能な材料は、代わりの材料を使用するために
提供される空間を除いて、溝の断面形状と同様な断面を
有するよう構築される。この変形可能な材料は溝の外に
伸び、その量は素子の第２部分の厚さに対応して予め決
められる。
【００１９】本発明の他の実施例に述べたように、変形
可能な材料はＰＰＳ、ポリフタルアミドである。この変
形可能な材料は約５〜２０％のＰＴＦＥを有すべきであ
る。
可能な材料はＰＰＳ、ポリフタルアミドである。この変
形可能な材料は約５〜２０％のＰＴＦＥを有すべきであ
る。
【００２０】
【実施例】図１には本発明によって構築されたモールド
構成１０を示す。図示されたように、本実施例において
は、モールド構成１０は下部モールド部分１１を有す
る。上部モールド部分はこの図に示されていない。図１
はリードフレーム１５にマウントされた１個またはこれ
以上のそれぞれの集積回路を含むモールドされた集積回
路チップ１２と１３を示す。同図では、集積回路チップ
はモールド、具体的に下部モールド部分１１から取り外
されている。配置ポスト１６および１７はそれぞれリー
ドフレーム１５の孔１８および１９と結合し、これによ
り、下部モールド部分１１へのリードフレームの配置が
実現される。
構成１０を示す。図示されたように、本実施例において
は、モールド構成１０は下部モールド部分１１を有す
る。上部モールド部分はこの図に示されていない。図１
はリードフレーム１５にマウントされた１個またはこれ
以上のそれぞれの集積回路を含むモールドされた集積回
路チップ１２と１３を示す。同図では、集積回路チップ
はモールド、具体的に下部モールド部分１１から取り外
されている。配置ポスト１６および１７はそれぞれリー
ドフレーム１５の孔１８および１９と結合し、これによ
り、下部モールド部分１１へのリードフレームの配置が
実現される。
【００２１】図１に示した溝２０、２１、２２、２３は
それぞれ変形可能ストリップ２６、２７、２８、２９を
収容する。この実施例においては、変形可能ストリップ
２６は本実施例において変形可能ストリップ２７、２
８、２９と全く同じで、複数のヒブル３０を形成してい
る。モールドプロセスにおいては、ヒブル３０はリード
フレーム１５のリード３１の間に配置される。さらに、
ヒブル３０はモールドの際に上下モールドの中間に配置
され、モールド化合物の漏れを防ぐ。モールド化合物は
従来の材料、例えば、周知のSumitomo 6300HDであり、
モールド時、従来のモールド圧力、例えば６００〜１５
００ｐｓｉの圧力をかける。
それぞれ変形可能ストリップ２６、２７、２８、２９を
収容する。この実施例においては、変形可能ストリップ
２６は本実施例において変形可能ストリップ２７、２
８、２９と全く同じで、複数のヒブル３０を形成してい
る。モールドプロセスにおいては、ヒブル３０はリード
フレーム１５のリード３１の間に配置される。さらに、
ヒブル３０はモールドの際に上下モールドの中間に配置
され、モールド化合物の漏れを防ぐ。モールド化合物は
従来の材料、例えば、周知のSumitomo 6300HDであり、
モールド時、従来のモールド圧力、例えば６００〜１５
００ｐｓｉの圧力をかける。
【００２２】図２は本発明の一実施例を示す。モールド
構成４０は光学装置４２をオーバーモールドするために
下部モールド部分４１が用いられる。この光学装置４２
はそこから伸びる光導管４３と４４を有する。図中の点
線は下部モールド部分４１に配置される光学装置４２の
位置を示す。下部モールド部分４１はその分離面に圧痕
４７と４８を有し、この圧痕４７と４８はそれぞれ変形
可能な材料の部分５０と５１で充填される。変形可能な
材料はポリフェニレンサルファ（ＰＰＳ）で、本発明の
他の実施例においては、ポリフタルアミドまたは他の材
料でもよい。これらの変形可能な材料は約５〜２０％の
ＰＴＦＥを含有する。モールドをクランプする間、光導
管４３と４４の周囲の変形可能な材料はシールを形成す
る。このシールはモールド体積５３に注入されるモール
ド化合物（図示せず）が光導管４３と４４から漏れるの
を防止する。
構成４０は光学装置４２をオーバーモールドするために
下部モールド部分４１が用いられる。この光学装置４２
はそこから伸びる光導管４３と４４を有する。図中の点
線は下部モールド部分４１に配置される光学装置４２の
位置を示す。下部モールド部分４１はその分離面に圧痕
４７と４８を有し、この圧痕４７と４８はそれぞれ変形
可能な材料の部分５０と５１で充填される。変形可能な
材料はポリフェニレンサルファ（ＰＰＳ）で、本発明の
他の実施例においては、ポリフタルアミドまたは他の材
料でもよい。これらの変形可能な材料は約５〜２０％の
ＰＴＦＥを含有する。モールドをクランプする間、光導
管４３と４４の周囲の変形可能な材料はシールを形成す
る。このシールはモールド体積５３に注入されるモール
ド化合物（図示せず）が光導管４３と４４から漏れるの
を防止する。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、集積回路
や他の素子がモールドキャビティの外に伸びている場合
において、オーバーモールドされる素子の一部が二つの
上下モールドの中間にある領域でのシールを実現するた
めの集積回路及び他の素子をモールドするシステムを提
供する。
や他の素子がモールドキャビティの外に伸びている場合
において、オーバーモールドされる素子の一部が二つの
上下モールドの中間にある領域でのシールを実現するた
めの集積回路及び他の素子をモールドするシステムを提
供する。
【図１】リードフレームにとりつけられた集積回路に対
するモールド処理を表す図。
するモールド処理を表す図。
【図２】外に伸びる光導導管を有する光学装置をオーバ
ーモールドするモールドの部分を表す図。
ーモールドするモールドの部分を表す図。
１０ モールド構成 １１ 下部モールド部分 １２、１３ 集積回路チップ １５ リードフレーム １６、１７ 配置ポスト １８、１９ 孔 ２０、２１、２２、２３ 溝 ２６、２７、２８、２９ 変形可能ストリップ ３０ ヒブル ３１ リード ４０ モールド構成 ４１ 下部モールド部分 ４２ 光学装置 ４３、４４ 光導管 ４７、４８ 圧痕 ５０、５１ 部分 ５３ モールド体積
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 81/02 ＬＲＧ Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 //(Ｃ０８Ｌ 77/06 27:18） (Ｃ０８Ｌ 81/02 27:18）
Claims (20)
- 【請求項１】 集積回路パッケージにおいて、集積回路
チップがリードフレームに取り付けられ、この集積回路
チップとリードフレームの部分は形成されるモールドに
含まれており、圧力の作用でこのモールドに注入される
モールド化合物でオーバーモールドされ、前記リードフ
レームは複数の離間したリードを有し、これらのリード
はリードフレームのオーバーモールドされた部分から外
へ伸びている集積回路パッケージに使用するモールドに
おいて、 モールド化合物で充填されるモールド体積を決めるた
め、集積回路チップとリードフレームのそれぞれの対向
する面に配置される第１と第２のモールド部分と、前記
第１と第２のモールド部分が相互に結合される境界領域
は、複数の離間したリードの対向する面における前記第
１と第２のモールド部分のそれぞれの分離面によって構
成され、前記第１と第２のモールド部分のうちの一つは
前記境界領域に沿って伸びるよう形成されたくぼみを有
し、 前記くぼみに配置され、そこから所定の量だけ外へ伸び
る変形可能な材料部分と、からなり、前記所定の量は、
前記リードフレームのオーバーモールドされた部分から
外へ伸びる離間した前記リードの厚さによって決まり、
第１と第２のモールド部分が相互に押しつけられると、
前記変形可能な材料部分は前記各離間したリードの近傍
にシールを形成するよう変形されることを特徴とするモ
ールド。 - 【請求項２】 前記変形可能な材料は、離間したリード
の間に配置される複数のヒブル（hibble）を形成するた
めに変形されることを特徴とする請求項１のモールド。 - 【請求項３】 前記リードフレームは所定のリードフレ
ーム厚さを有し、前記複数のヒブルは前記所定のリード
フレーム厚さに対応する高さを有することを特徴とする
請求項１のモールド。 - 【請求項４】 前記変形可能な材料は、ポリフェニレン
サルファ（ＰＰＳ）であることを特徴とする請求項１の
モールド。 - 【請求項５】 前記ポリフェニレンサルファには約５〜
２０％のポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）を含有
することを特徴とする請求項４のモールド。 - 【請求項６】 前記変形可能な材料は、ポリフタルアミ
ドであることを特徴とする請求項１のモールド。 - 【請求項７】 前記ポリフタルアミドは約５〜２０％の
ポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）を含有すること
を特徴とする請求項６のモールド。 - 【請求項８】 光学回路パッケージにおいて、光学装置
は圧力の作用でモールドに注入されるモールド化合物に
よってオーバーモールドされ、この光学装置はモールド
から外部へ伸びる光導管を有する光学回路パッケージに
使用するモールドにおいて、 モールド化合物で充填されるモールド体積を決めるた
め、光学装置のそれぞれの対向する面に配置される第１
と第２のモールド部分と、前記第１と第２のモールド部
分が相互に結合される境界領域は、光導管の対向する面
における前記第１と第２のモールド部分のそれぞれの分
離面によって構成され、前記第１と第２のモールド部分
のうちの一つは前記境界領域に沿って伸びるよう形成さ
れたくぼみを有し、 前記くぼみに配置され、そこから所定の量だけ外へ伸び
る変形可能な材料部分と、からなり、前記所定の量は、
前記モールド部分から外へ伸びる光導管の厚さによって
決まり、第１と第２のモールド部分が相互に押しつけら
れると、前記変形可能な材料部分は前記光導管の近傍に
シールを形成するよう変形されることを特徴とするモー
ルド。 - 【請求項９】 複数の光導管は境界領域にあるモールド
の外へ伸び、変形可能な材料は前記複数の光導管の近傍
でシールを形成するために変形されることを特徴とする
請求項８のモールド。 - 【請求項１０】 前記変形可能な材料は、ポリフェニレ
ンサルファ（ＰＰＳ）であることを特徴とする請求項８
のモールド。 - 【請求項１１】 前記ポリフェニレンサルファは約５〜
２０％のポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）を含有
することを特徴とする請求項１０のモールド。 - 【請求項１２】 前記変形可能な材料は、ポリフタルア
ミドであることを特徴とする請求項８のモールド。 - 【請求項１３】 前記ポリフタルアミドには約５〜２０
％のポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）を含有する
ことを特徴とする請求項１２のモールド。 - 【請求項１４】 第１部分とその外に伸びる第２部分を
有する素子の、第１部分をオーバーモールドするモール
ドにおいて、 モールド化合物で充填される素子の第１部分を包囲する
前記モールド体積を決めるため、素子の第１部分のそれ
ぞれの対向する面に配置される第１と第２のモールド部
分と、前記第１と第２のモールド部分が相互に結合され
る境界領域は、素子の第２部分の対向する面における前
記第１と第２のモールド部分のそれぞれの分離面によっ
て構成され、 前記境界領域に配置される変形可能な材料部分と、から
なり、前記第１と第２のモールド部分が相互に押しつけ
られると、前記変形可能な材料部分は前記素子の第２部
分の近傍にシールを形成するよう変形されることを特徴
とするモールド。 - 【請求項１５】 前記変形可能な材料部分を配置するた
めに、前記第１と第２のモールド部分のうちの一つが前
記境界領域にくぼみを有することを特徴とする請求項１
４のモールド。 - 【請求項１６】 前記くぼみは前記第１と第２のモール
ド部分のうちの一つに形成された溝からなり、前記変形
可能な材料部分は前記溝の断面構成と一致する断面構成
を有するよう形成され、該変形可能な材料部分は素子の
第２部分の厚さに対応して決められた所定の量だけ外へ
伸びていることを特徴とする請求項１５のモールド。 - 【請求項１７】 前記変形可能な材料は、ポリフェニレ
ンサルファ（ＰＰＳ）であることを特徴とする請求項１
４のモールド。 - 【請求項１８】 前記ポリフェニレンサルファは約５〜
２０％のポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）を含有
することを特徴とする請求項１７のモールド。 - 【請求項１９】 前記変形可能な材料は、ポリフタルア
ミドであることを特徴とする請求項１４のモールド。 - 【請求項２０】 前記ポリフタルアミドは約５〜２０％
のポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）を含有するこ
とを特徴とする請求項１９のモールド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US25281694A | 1994-06-02 | 1994-06-02 | |
| US252816 | 2002-09-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335678A true JPH07335678A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=22957673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7152808A Pending JPH07335678A (ja) | 1994-06-02 | 1995-05-29 | 素子のモールド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0685875A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07335678A (ja) |
| CA (1) | CA2147537A1 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5828841A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-19 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| US4405083A (en) * | 1982-03-19 | 1983-09-20 | Northern Telecom Limited | Moulding apparatus for encapsulating cable splices |
| JPS6030144A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-15 | Toshiba Corp | 半導体装置用モ−ルド金型 |
| KR930008743B1 (ko) * | 1989-07-05 | 1993-09-13 | 아사히가세이고오교 가부시끼가이샤 | 폴리페닐렌 설파이드 수지 조성물 |
| FR2667441B1 (fr) * | 1990-09-27 | 1997-03-28 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede de moulage pour boitiers de circuit integre et moule. |
| JPH04239614A (ja) * | 1991-01-23 | 1992-08-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュールの製造方法 |
| SE9301858L (sv) * | 1993-06-01 | 1994-08-22 | Ericsson Telefon Ab L M | Anordning vid gjutform för optodon |
-
1995
- 1995-04-21 CA CA002147537A patent/CA2147537A1/en not_active Abandoned
- 1995-05-24 EP EP95303503A patent/EP0685875A3/en not_active Withdrawn
- 1995-05-29 JP JP7152808A patent/JPH07335678A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0685875A3 (en) | 1996-11-20 |
| EP0685875A2 (en) | 1995-12-06 |
| CA2147537A1 (en) | 1995-12-03 |
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