JPH0733429A - Ｙ−ｂ系化合物とその製造方法 - Google Patents
Ｙ−ｂ系化合物とその製造方法Info
- Publication number
- JPH0733429A JPH0733429A JP20451293A JP20451293A JPH0733429A JP H0733429 A JPH0733429 A JP H0733429A JP 20451293 A JP20451293 A JP 20451293A JP 20451293 A JP20451293 A JP 20451293A JP H0733429 A JPH0733429 A JP H0733429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boron
- yttrium
- ratio
- compound
- mixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】熱電素子材料、分光素子材料等として有用な、
新しいタイプのＹ−Ｂ系化合物を提供する。 【構成】一般式ＹＢ48+X（−８＜Ｘ＜８）で示されるＹ
−Ｂ系化合物で、この化合物の製造に際しては、イット
リュウムに対するホウ素の比を４８＋Ｘ（−８＜Ｘ＜
８）で、かつ酸素とホウ素の比が１となるように、イッ
トリュウム酸化物にホウ素を混合し、その混合物を真空
下または不活性ガス下で温度1400℃以上1750℃以下に加
熱するか、または、イットリュウムに対するホウ素の比
が４８＋Ｘ（−８＜Ｘ＜８）となるように、イットリュ
ウム低ホウ化物にホウ素を混合し、その混合物を真空下
または不活性ガス下で温度1400℃以上1750℃以下に加熱
する。
新しいタイプのＹ−Ｂ系化合物を提供する。 【構成】一般式ＹＢ48+X（−８＜Ｘ＜８）で示されるＹ
−Ｂ系化合物で、この化合物の製造に際しては、イット
リュウムに対するホウ素の比を４８＋Ｘ（−８＜Ｘ＜
８）で、かつ酸素とホウ素の比が１となるように、イッ
トリュウム酸化物にホウ素を混合し、その混合物を真空
下または不活性ガス下で温度1400℃以上1750℃以下に加
熱するか、または、イットリュウムに対するホウ素の比
が４８＋Ｘ（−８＜Ｘ＜８）となるように、イットリュ
ウム低ホウ化物にホウ素を混合し、その混合物を真空下
または不活性ガス下で温度1400℃以上1750℃以下に加熱
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｙ−Ｂ系化合物とそ
の製造方法に関するものである。さらに詳しくは、この
発明は、熱電素子材料、分光素子材料等に利用可能な新
しいタイプのＹ−Ｂ系化合物とその製造方法に関するも
のである。
の製造方法に関するものである。さらに詳しくは、この
発明は、熱電素子材料、分光素子材料等に利用可能な新
しいタイプのＹ−Ｂ系化合物とその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】従来より、機械材料や電気電
子材料などについては、高機能を有する新規材料の研究
開発が盛んに行なわれており、酸化物系材料の他、非酸
化物系の材料の探索も進められてきている。この非酸化
物系材料の一つとして、たとえばＹ−Ｂ系の化合物が知
られており、このＹ−Ｂ系化合物としてはＹＢ12および
ＹＢ66がこれまでに提供されている。
子材料などについては、高機能を有する新規材料の研究
開発が盛んに行なわれており、酸化物系材料の他、非酸
化物系の材料の探索も進められてきている。この非酸化
物系材料の一つとして、たとえばＹ−Ｂ系の化合物が知
られており、このＹ−Ｂ系化合物としてはＹＢ12および
ＹＢ66がこれまでに提供されている。
【０００３】しかしながら、機械材料や電気電子材料な
どについては、さらに良好な性能を有する材料の開発が
望まれており、これまでにはない全くの新しいタイプの
材料の創製と、それを再現性よく、しかも簡便かつ容易
に製造することのできる製造技術の確立が期待されてい
る状況にある。この発明は、以上の通りの事情に鑑みて
なされたものであり、従来知られていない全く新しい組
成を有し、熱電素子材料、分光素子材料等に利用可能な
Ｙ−Ｂ系化合物とその製造方法を提供することを目的と
している。
どについては、さらに良好な性能を有する材料の開発が
望まれており、これまでにはない全くの新しいタイプの
材料の創製と、それを再現性よく、しかも簡便かつ容易
に製造することのできる製造技術の確立が期待されてい
る状況にある。この発明は、以上の通りの事情に鑑みて
なされたものであり、従来知られていない全く新しい組
成を有し、熱電素子材料、分光素子材料等に利用可能な
Ｙ−Ｂ系化合物とその製造方法を提供することを目的と
している。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の課題を
解決するものとして、一般式ＹＢ48+X（−８＜Ｘ＜８）
で示されてなることを特徴とするＹ−Ｂ系化合物を提供
する。またこの発明は、イットリュウムに対するホウ素
の比が４８＋Ｘ（−８＜Ｘ＜８）で、かつ酸素とホウ素
の比が１となるように、イットリュウム酸化物にホウ素
を混合し、その混合物を真空下または不活性ガス下で温
度1400℃以上1750℃以下に加熱することを特徴とする一
般式ＹＢ48+X（−８＜Ｘ＜８）で示されるＹ−Ｂ系化合
物の製造方法を提供するものでもある。
解決するものとして、一般式ＹＢ48+X（−８＜Ｘ＜８）
で示されてなることを特徴とするＹ−Ｂ系化合物を提供
する。またこの発明は、イットリュウムに対するホウ素
の比が４８＋Ｘ（−８＜Ｘ＜８）で、かつ酸素とホウ素
の比が１となるように、イットリュウム酸化物にホウ素
を混合し、その混合物を真空下または不活性ガス下で温
度1400℃以上1750℃以下に加熱することを特徴とする一
般式ＹＢ48+X（−８＜Ｘ＜８）で示されるＹ−Ｂ系化合
物の製造方法を提供するものでもある。
【０００５】さらにまたこの発明は、イットリュウムに
対するホウ素の比が４８＋Ｘ（−８＜Ｘ＜８）となるよ
うに、イットリュウム低ホウ化物にホウ素を混合し、そ
の混合物を真空下または不活性ガス下で温度1400℃以上
1750℃以下に加熱することを特徴とする一般式ＹＢ48+X
（−８＜Ｘ＜８）で示されるＹ−Ｂ系化合物の製造方法
をも提供する。
対するホウ素の比が４８＋Ｘ（−８＜Ｘ＜８）となるよ
うに、イットリュウム低ホウ化物にホウ素を混合し、そ
の混合物を真空下または不活性ガス下で温度1400℃以上
1750℃以下に加熱することを特徴とする一般式ＹＢ48+X
（−８＜Ｘ＜８）で示されるＹ−Ｂ系化合物の製造方法
をも提供する。
【０００６】
【作用】この発明のＹ−Ｂ系化合物は、従来から一般的
に知られているＹＢ12およびＹＢ66のＹ−Ｂ系の化合物
の中間の組成を有している。この化合物の安定存在組成
領域は、その組成を一般式で示すと、ＹＢ48+X（−８＜
Ｘ＜８）であり、格子定数ａ＝1.663nm ，ｂ＝1.762nm
，ｃ＝0.9480nmを持つ斜方晶系の結晶構造を有しても
いる。その代表組成の化合物は、Ｘが０のＹＢ48であ
る。このＹＢ48で示される化合物の面指数hk1 、面間隔
ｄ(nm)および粉末Ｘ線回折の相対強度Ｉ／Ｉl（％) は
以下の表１および表２に示す通りである。なお、表１お
よび表２中のdcalcは計算値を、また、ｄobs は観測値
を示している。
に知られているＹＢ12およびＹＢ66のＹ−Ｂ系の化合物
の中間の組成を有している。この化合物の安定存在組成
領域は、その組成を一般式で示すと、ＹＢ48+X（−８＜
Ｘ＜８）であり、格子定数ａ＝1.663nm ，ｂ＝1.762nm
，ｃ＝0.9480nmを持つ斜方晶系の結晶構造を有しても
いる。その代表組成の化合物は、Ｘが０のＹＢ48であ
る。このＹＢ48で示される化合物の面指数hk1 、面間隔
ｄ(nm)および粉末Ｘ線回折の相対強度Ｉ／Ｉl（％) は
以下の表１および表２に示す通りである。なお、表１お
よび表２中のdcalcは計算値を、また、ｄobs は観測値
を示している。
【０００７】
【表１】
【０００８】
【表２】
【０００９】また、この発明の一般式ＹＢ48+X（−８＜
Ｘ＜８）で示されるＹ−Ｂ系化合物は半導体であり、高
いゼーベック係数を持つ。このため、熱電素子材料とし
ての利用が期待される。また、上記の通り、格子定数が
大きいことから、軟Ｘ線分光素子材料としてきわめて有
用である。この一般式ＹＢ48+Xで示されるＹ−Ｂ系化合
物を製造するための方法としては、前記の２種類の方法
があるが、これらいずれの方法においても、イットリュ
ウムに対するホウ素の比を４０より大きく、しかも５６
より小さくする必要がある。イットリュウムに対するホ
ウ素の比が４０より小さいと、反応生成物中に低ホウ化
物であるＹＢ12などが不純物として混在してしまう。一
方、イットリュウムに対するホウ素の比が５６を超える
場合には、反応生成物中にＹＢ66が不純物として混在す
るようになる。このため、イットリュウムに対するホウ
素の比は、４８＋ｘ（−８＜Ｘ＜８）とする。
Ｘ＜８）で示されるＹ−Ｂ系化合物は半導体であり、高
いゼーベック係数を持つ。このため、熱電素子材料とし
ての利用が期待される。また、上記の通り、格子定数が
大きいことから、軟Ｘ線分光素子材料としてきわめて有
用である。この一般式ＹＢ48+Xで示されるＹ−Ｂ系化合
物を製造するための方法としては、前記の２種類の方法
があるが、これらいずれの方法においても、イットリュ
ウムに対するホウ素の比を４０より大きく、しかも５６
より小さくする必要がある。イットリュウムに対するホ
ウ素の比が４０より小さいと、反応生成物中に低ホウ化
物であるＹＢ12などが不純物として混在してしまう。一
方、イットリュウムに対するホウ素の比が５６を超える
場合には、反応生成物中にＹＢ66が不純物として混在す
るようになる。このため、イットリュウムに対するホウ
素の比は、４８＋ｘ（−８＜Ｘ＜８）とする。
【００１０】また、イットリュウム酸化物またはイット
リュウムホウ化物とホウ素とを上記の通りの所定割合に
混合した混合物を加熱する際には、1400℃以上1750℃以
下の温度で、かつ真空下または不活性ガス下で行なうこ
とが必要である。1400℃より低いと、反応速度が遅くな
り、事実上、Ｙ−Ｂ系化合物の製造が困難となる。一
方、1750℃より高いと、ＹＢ48+Xの相が分解を始め、Ｙ
Ｂ12，ＹＢ66等の他のＹ−Ｂ系化合物が反応生成物中に
不純物として混在することになる。
リュウムホウ化物とホウ素とを上記の通りの所定割合に
混合した混合物を加熱する際には、1400℃以上1750℃以
下の温度で、かつ真空下または不活性ガス下で行なうこ
とが必要である。1400℃より低いと、反応速度が遅くな
り、事実上、Ｙ−Ｂ系化合物の製造が困難となる。一
方、1750℃より高いと、ＹＢ48+Xの相が分解を始め、Ｙ
Ｂ12，ＹＢ66等の他のＹ−Ｂ系化合物が反応生成物中に
不純物として混在することになる。
【００１１】以下実施例を示し、さらにこの発明につい
て詳しく説明する。
て詳しく説明する。
【００１２】
【実施例】Ｙ2 Ｏ3 とＢを、Ｙに対するＢの比が５０
で、かつＯに対するＢの比が１となる割合で混合し、こ
れを加圧成形したものを真空中、1700℃で１時間加熱
し、ＹＢ48+X（Ｘ＝２）を合成した。化学分析による測
定では、［Ｂ］／［Ｙ］＝48.9となり、ＹＢ48+X（Ｘ＝
0.9 ）のほぼ所望の組成と近似する新たなＹ−Ｂ系化合
物を得たことが確認された。
で、かつＯに対するＢの比が１となる割合で混合し、こ
れを加圧成形したものを真空中、1700℃で１時間加熱
し、ＹＢ48+X（Ｘ＝２）を合成した。化学分析による測
定では、［Ｂ］／［Ｙ］＝48.9となり、ＹＢ48+X（Ｘ＝
0.9 ）のほぼ所望の組成と近似する新たなＹ−Ｂ系化合
物を得たことが確認された。
【００１３】そして、粉末Ｘ線回折、透過電子線回折お
よび光学顕微鏡観察により、得られた化合物中にＹＢ12
およびＹＢ66の相が混在していないことが確認された。
回折パターンは、前記の表１に示したａ＝1.663nm ，ｂ
＝1.762nm ，ｃ＝0.9480nmの斜方晶系で指数付けするこ
とができた。もちろんこの発明は、以上の例によって限
定されることはない。細部については様々な態様が可能
であることは言うまでもない。
よび光学顕微鏡観察により、得られた化合物中にＹＢ12
およびＹＢ66の相が混在していないことが確認された。
回折パターンは、前記の表１に示したａ＝1.663nm ，ｂ
＝1.762nm ，ｃ＝0.9480nmの斜方晶系で指数付けするこ
とができた。もちろんこの発明は、以上の例によって限
定されることはない。細部については様々な態様が可能
であることは言うまでもない。
【００１４】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
って、いままでには存在しなかった、全く新しいタイプ
の、一般式ＹＢ48+X（−８＜Ｘ＜８）で示されるＹ−Ｂ
系化合物が提供される。熱電素子材料、分光素子材料等
としての応用展開がきわめて有望視される。
って、いままでには存在しなかった、全く新しいタイプ
の、一般式ＹＢ48+X（−８＜Ｘ＜８）で示されるＹ−Ｂ
系化合物が提供される。熱電素子材料、分光素子材料等
としての応用展開がきわめて有望視される。
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式ＹＢ48+X（−８＜Ｘ＜８）で示さ
れてなることを特徴とするＹ−Ｂ系化合物。 - 【請求項２】 イットリュウムに対するホウ素の比が４
８＋X （−８＜Ｘ＜８）で、かつ酸素とホウ素の比が１
となるように、イットリュウム酸化物にホウ素を混合
し、その混合物を真空下または不活性ガス下で温度1400
℃以上1750℃以下に加熱することを特徴とする一般式Ｙ
Ｂ48+X（−８＜Ｘ＜８）で示されるＹ−Ｂ系化合物の製
造方法。 - 【請求項３】 イットリュウムに対するホウ素の比が４
８＋Ｘ（−８＜Ｘ＜８）となるように、イットリュウム
低ホウ化物にホウ素を混合し、その化合物を真空下また
は不活性ガス下で温度1400℃以上1750℃以下に加熱する
ことを特徴とする一般式ＹＢ48+X（−８＜Ｘ＜８）で示
されるＹ−Ｂ系化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20451293A JPH0818818B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | Ｙ−ｂ系化合物とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20451293A JPH0818818B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | Ｙ−ｂ系化合物とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0733429A true JPH0733429A (ja) | 1995-02-03 |
| JPH0818818B2 JPH0818818B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=16491761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20451293A Expired - Lifetime JPH0818818B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | Ｙ−ｂ系化合物とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818818B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8252419B2 (en) | 1998-08-13 | 2012-08-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive for bonding circuit members, circuit board and process for its production |
-
1993
- 1993-07-27 JP JP20451293A patent/JPH0818818B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8273458B2 (en) | 1997-02-14 | 2012-09-25 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive for bonding circuit members, circuit board and process for its production |
| US8252419B2 (en) | 1998-08-13 | 2012-08-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive for bonding circuit members, circuit board and process for its production |
| US8273457B2 (en) | 1998-08-13 | 2012-09-25 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive for bonding circuit members, circuit board and process for its production |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0818818B2 (ja) | 1996-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110156077A (zh) | 一维硫碘化锑半导体纳米线光电探测器及其制备方法 | |
| JPH0733429A (ja) | Ｙ−ｂ系化合物とその製造方法 | |
| Hiraguchi et al. | Structure of a high-pressure polymorph of Mg3BN3 determined from X-ray powder data | |
| JP3951005B2 (ja) | 希土類ホウ炭化物とその製造方法 | |
| Van Diepen et al. | Effect of small variations of the Fe/Cr ratio on the 57 Fe Mössbauer spectra of FeCr2S4 | |
| JP3527943B2 (ja) | 炭素および窒素、または炭素のみを含む希土類多ホウ化物とその製造方法 | |
| JP3427180B2 (ja) | ケイ素を含むＧｄ多ホウ化物とその製造方法 | |
| JP2526415B2 (ja) | Ａｇ４Ｈｆ３Ｓ８立方晶系構造化合物とその製造方法 | |
| JP2526416B2 (ja) | Ａｇ２ＨｆＳ３で表わされる斜方晶系構造を有する化合物とその製造方法 | |
| JP2710272B2 (ja) | 三斜晶系構造のビスマス希土類酸化物固溶体とその製造方法 | |
| JP4831462B2 (ja) | テルビウム酸化物Ｔｂ１１Ｏ２０及びＴｂ７Ｏ１２の製造法 | |
| JP3125021B2 (ja) | 体心立方晶系構造のビスマス希土類酸化物固溶体 | |
| JP2849704B2 (ja) | 酸化物イオン伝導体用ビスマス・バナジウム酸化物系化合物及びその製造方法 | |
| Serquis et al. | Synthesis methods and characterization of (Hg, Re)-1201 | |
| JP2730672B2 (ja) | Ａｇ−Ｔｉ−Ｓ三元系化合物とその製造方法 | |
| JP2958446B2 (ja) | ビスマス複酸化物とその製造方法 | |
| Torrison | Silicon-based nanostructures and dielectrics | |
| Kipp et al. | Crystal chemistry, synthesis, and characterization of infrared optical materials | |
| JPS63210021A (ja) | ＳｃＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPH06199510A (ja) | Ｍ４ ｃ６ ０ 製造方法 | |
| JPH0375225A (ja) | Ｃｕ↓２Ｔａ↓５Ｓ↓８で示される単斜晶系の構造を有する化合物及びその製造法 | |
| JPS63239116A (ja) | ＩｎＧａＭｇ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63195117A (ja) | ＳｃＡｌＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63190715A (ja) | ＳｃＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63295433A (ja) | ＳｃＦｅＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |