JPH07326586A - Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の成長方法 - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の成長方法Info
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- JPH07326586A JPH07326586A JP14123794A JP14123794A JPH07326586A JP H07326586 A JPH07326586 A JP H07326586A JP 14123794 A JP14123794 A JP 14123794A JP 14123794 A JP14123794 A JP 14123794A JP H07326586 A JPH07326586 A JP H07326586A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アクセプタ濃度が十分に高いｐ型のＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体を成長させる。 【構成】 有機金属化学気相成長法またはガス原料を用
いた分子線エピタキシー法によりｐ型のＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体、例えばｐ型ＺｎＳｅなどを成長させる場合
のｐ型ドーパントとして、ジピバロイルメタネイトナト
リウム、ジピバロイルメタネイトカリウムまたはジピバ
ロイルメタネイトリチウムを用いる。
Ｉ族化合物半導体を成長させる。 【構成】 有機金属化学気相成長法またはガス原料を用
いた分子線エピタキシー法によりｐ型のＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体、例えばｐ型ＺｎＳｅなどを成長させる場合
のｐ型ドーパントとして、ジピバロイルメタネイトナト
リウム、ジピバロイルメタネイトカリウムまたはジピバ
ロイルメタネイトリチウムを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体の成長方法に関し、特に、ｐ型のＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体の成長に適用して好適なものである。
半導体の成長方法に関し、特に、ｐ型のＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体の成長に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクの記録密度の向上やレ
ーザープリンタの解像度の向上を図るために、短波長で
の発光が可能な半導体レーザーに対する要求が高まって
きており、その実現を目指して研究が活発に行われてい
る。
ーザープリンタの解像度の向上を図るために、短波長で
の発光が可能な半導体レーザーに対する要求が高まって
きており、その実現を目指して研究が活発に行われてい
る。
【０００３】このような短波長での発光が可能な半導体
レーザーの作製に用いる材料としては、ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体が有望である。特に、四元系のＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体であるＺｎＭｇＳＳｅ系化合物半導体は、
波長４００〜５５０ｎｍ帯の青色ないし緑色発光の半導
体レーザーをＧａＡｓ基板上に作製するときのクラッド
層や光導波層の材料に適していることが知られている
（例えば、Electron. Lett. 28, 1798(1992)）。
レーザーの作製に用いる材料としては、ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体が有望である。特に、四元系のＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体であるＺｎＭｇＳＳｅ系化合物半導体は、
波長４００〜５５０ｎｍ帯の青色ないし緑色発光の半導
体レーザーをＧａＡｓ基板上に作製するときのクラッド
層や光導波層の材料に適していることが知られている
（例えば、Electron. Lett. 28, 1798(1992)）。
【０００４】これまで、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成
長は、もっぱら分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により
行われているが、このＭＢＥ法は生産性の点では不満足
である。そこで、近年、生産性に優れ、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体の成長方法として多用されている有機金属化
学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法をＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体の成長に適用する試みがなされている。
長は、もっぱら分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により
行われているが、このＭＢＥ法は生産性の点では不満足
である。そこで、近年、生産性に優れ、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体の成長方法として多用されている有機金属化
学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法をＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体の成長に適用する試みがなされている。
【０００５】従来、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のうちｐ
型のものをＭＯＣＶＤ法により成長させる方法として、
次のような方法がある。すなわち、例えば、ｐ型ＺｎＳ
ｅの成長を行う場合には、ＩＩ族元素であるＺｎの原料
としてジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）、ジエチル亜鉛（ＤＥ
Ｚｎ）などの有機金属化合物、ＶＩ族元素であるＳｅの
原料としてジメチルセレン（ＤＭＳｅ）やジエチルセレ
ン（ＤＥＳｅ）などの有機金属化合物あるいはセレン化
水素（Ｈ2 Ｓｅ）などの水素化合物、アクセプタ不純物
となる窒素（Ｎ）を含むｐ型ドーパントとしてアンモニ
ア（ＮＨ3 ）、ヒドラジン（Ｎ2 Ｈ4 ）、ターシャリブ
チルアミン（ｔ−ＢＮＨ2 ）などの化合物を用い、これ
らのＺｎ原料、Ｓｅ原料およびｐ型ドーパントをガス状
態で反応管内に同時に供給し、その反応管内に設置され
たサセプタ上に置かれ、成長温度に加熱された基板上に
ｐ型ＺｎＳｅの成長を行う。
型のものをＭＯＣＶＤ法により成長させる方法として、
次のような方法がある。すなわち、例えば、ｐ型ＺｎＳ
ｅの成長を行う場合には、ＩＩ族元素であるＺｎの原料
としてジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）、ジエチル亜鉛（ＤＥ
Ｚｎ）などの有機金属化合物、ＶＩ族元素であるＳｅの
原料としてジメチルセレン（ＤＭＳｅ）やジエチルセレ
ン（ＤＥＳｅ）などの有機金属化合物あるいはセレン化
水素（Ｈ2 Ｓｅ）などの水素化合物、アクセプタ不純物
となる窒素（Ｎ）を含むｐ型ドーパントとしてアンモニ
ア（ＮＨ3 ）、ヒドラジン（Ｎ2 Ｈ4 ）、ターシャリブ
チルアミン（ｔ−ＢＮＨ2 ）などの化合物を用い、これ
らのＺｎ原料、Ｓｅ原料およびｐ型ドーパントをガス状
態で反応管内に同時に供給し、その反応管内に設置され
たサセプタ上に置かれ、成長温度に加熱された基板上に
ｐ型ＺｎＳｅの成長を行う。
【０００６】上述のｐ型ＺｎＳｅの成長においては、ｐ
型ドーパント中に含まれるＮのＺｎＳｅへの取り込みが
非常に重要である。しかしながら、上述の従来のＭＯＣ
ＶＤ法による成長においては、成長されるＺｎＳｅへの
Ｎの取り込み効率が非常に低く、これは二次イオン質量
分析（ＳＩＭＳ）やフォトルミネッセンス（ＰＬ）など
の測定によって確認されている。また、ＺｎＳｅ中にＮ
のほかに水素（Ｈ）も取り込まれることにより、このＨ
がＮを不活性化してしまうという問題もある。このよう
な理由により、アクセプタ不純物としてのＮのドーピン
グ濃度、すなわちアクセプタ濃度が十分に高いｐ型Ｚｎ
Ｓｅを得ることは困難であった。
型ドーパント中に含まれるＮのＺｎＳｅへの取り込みが
非常に重要である。しかしながら、上述の従来のＭＯＣ
ＶＤ法による成長においては、成長されるＺｎＳｅへの
Ｎの取り込み効率が非常に低く、これは二次イオン質量
分析（ＳＩＭＳ）やフォトルミネッセンス（ＰＬ）など
の測定によって確認されている。また、ＺｎＳｅ中にＮ
のほかに水素（Ｈ）も取り込まれることにより、このＨ
がＮを不活性化してしまうという問題もある。このよう
な理由により、アクセプタ不純物としてのＮのドーピン
グ濃度、すなわちアクセプタ濃度が十分に高いｐ型Ｚｎ
Ｓｅを得ることは困難であった。
【０００７】そこで、この問題を解決するために、Ｖ族
元素であるＮの代わりにナトリウム（Ｎａ）やリチウム
（Ｌｉ）などのＩａ族元素をアクセプタ不純物として用
いる試みがなされている（例えば、J. Crystal Growth
99, 408(1990))。
元素であるＮの代わりにナトリウム（Ｎａ）やリチウム
（Ｌｉ）などのＩａ族元素をアクセプタ不純物として用
いる試みがなされている（例えば、J. Crystal Growth
99, 408(1990))。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のようにＩａ族元
素をアクセプタ不純物として用いる場合には、そのドー
パントとして、通常、Ｉａ族元素の金属やＩａ族元素を
含む無機化合物が用いられる。しかしながら、これらの
金属や無機化合物は、一般に蒸気圧が非常に低いため、
ＭＯＣＶＤ法による成長時にｐ型伝導の度合を制御する
のが非常に困難であるという問題がある。また、このよ
うに蒸気圧が非常に低いことにより、ＭＯＣＶＤ法によ
る成長時には、蒸気圧を高くするために、これらの金属
や無機化合物を高温に維持しなければならない。このた
め、ドーパントを例えば３００〜５６０℃程度の温度に
加熱可能な特別な装置が必要となるなど、ＭＯＣＶＤ装
置の構成が複雑になってしまうという問題もある。例え
ば、図１１に示すように、ＭＯＣＶＤ装置の反応管１０
１の上流側の一端にアンプル部１０２を設け、さらにそ
の周囲に加熱器１０３を設け、この加熱器１０３によ
り、アンプル部１０２の中に入れたドーパント、例えば
金属Ｎａを加熱する必要があった。なお、図１１におい
て、符号１０４はサセプタ、１０５は基板を示す。
素をアクセプタ不純物として用いる場合には、そのドー
パントとして、通常、Ｉａ族元素の金属やＩａ族元素を
含む無機化合物が用いられる。しかしながら、これらの
金属や無機化合物は、一般に蒸気圧が非常に低いため、
ＭＯＣＶＤ法による成長時にｐ型伝導の度合を制御する
のが非常に困難であるという問題がある。また、このよ
うに蒸気圧が非常に低いことにより、ＭＯＣＶＤ法によ
る成長時には、蒸気圧を高くするために、これらの金属
や無機化合物を高温に維持しなければならない。このた
め、ドーパントを例えば３００〜５６０℃程度の温度に
加熱可能な特別な装置が必要となるなど、ＭＯＣＶＤ装
置の構成が複雑になってしまうという問題もある。例え
ば、図１１に示すように、ＭＯＣＶＤ装置の反応管１０
１の上流側の一端にアンプル部１０２を設け、さらにそ
の周囲に加熱器１０３を設け、この加熱器１０３によ
り、アンプル部１０２の中に入れたドーパント、例えば
金属Ｎａを加熱する必要があった。なお、図１１におい
て、符号１０４はサセプタ、１０５は基板を示す。
【０００９】したがって、この発明の目的は、気相成長
に用いる装置にドーパントを高温に加熱するための装置
などを付加することなく、しかも良好なｐ型伝導制御性
で、アクセプタ不純物としてのナトリウム、カリウムま
たはリチウムのドーピング濃度、すなわちアクセプタ濃
度が十分に高いｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長
を行うことができるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方
法を提供することにある。
に用いる装置にドーパントを高温に加熱するための装置
などを付加することなく、しかも良好なｐ型伝導制御性
で、アクセプタ不純物としてのナトリウム、カリウムま
たはリチウムのドーピング濃度、すなわちアクセプタ濃
度が十分に高いｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長
を行うことができるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方
法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、ＩＩ族元素の原料、ＶＩ族元素の原料
およびｐ型ドーパントを用いた気相成長法によりｐ型の
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長を行うようにしたＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体の成長方法において、ｐ型ドーパ
ントが、ジピバロイルメタネイトナトリウム、ジピバロ
イルメタネイトカリウムまたはジピバロイルメタネイト
リチウムから成ることを特徴とするものである。
に、この発明は、ＩＩ族元素の原料、ＶＩ族元素の原料
およびｐ型ドーパントを用いた気相成長法によりｐ型の
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長を行うようにしたＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体の成長方法において、ｐ型ドーパ
ントが、ジピバロイルメタネイトナトリウム、ジピバロ
イルメタネイトカリウムまたはジピバロイルメタネイト
リチウムから成ることを特徴とするものである。
【００１１】ここで、ジピバロイルメタネイトナトリウ
ム、ジピバロイルメタネイトカリウムおよびジピバロイ
ルメタネイトリチウムはいずれも慣用名であり、正式名
は、それぞれ、２．２．６．６−テトラメチル−３．５
−ヘプタンジオネイトナトリウム、２．２．６．６−テ
トラメチル−３．５−ヘプタンジオネイトカリウムおよ
び２．２．６．６−テトラメチル−３．５−ヘプタンジ
オネイトリチウムである。ジピバロイルメタネイトナト
リウムは
ム、ジピバロイルメタネイトカリウムおよびジピバロイ
ルメタネイトリチウムはいずれも慣用名であり、正式名
は、それぞれ、２．２．６．６−テトラメチル−３．５
−ヘプタンジオネイトナトリウム、２．２．６．６−テ
トラメチル−３．５−ヘプタンジオネイトカリウムおよ
び２．２．６．６−テトラメチル−３．５−ヘプタンジ
オネイトリチウムである。ジピバロイルメタネイトナト
リウムは
【化１】 に示すような構造を有する有機化合物であり、ジピバロ
イルメタネイトカリウムは
イルメタネイトカリウムは
【化２】 に示すような構造を有する有機化合物であり、ジピバロ
イルメタネイトリチウムは
イルメタネイトリチウムは
【化３】 に示すような構造を有する有機化合物である。
【００１２】この発明の一実施形態においては、ジピバ
ロイルメタネイトナトリウム、ジピバロイルメタネイト
カリウムまたはジピバロイルメタネイトリチウムを加熱
して昇華を起こさせることにより気化させるようにす
る。この加熱温度は低温であってよく、典型的には２０
０℃以下でよい。常温で固体であるこれらのジピバロイ
ルメタネイトナトリウム、ジピバロイルメタネイトカリ
ウムおよびジピバロイルメタネイトリチウムは、２００
℃以下の温度でも昇華により十分に高い蒸気圧を得るこ
とができる。
ロイルメタネイトナトリウム、ジピバロイルメタネイト
カリウムまたはジピバロイルメタネイトリチウムを加熱
して昇華を起こさせることにより気化させるようにす
る。この加熱温度は低温であってよく、典型的には２０
０℃以下でよい。常温で固体であるこれらのジピバロイ
ルメタネイトナトリウム、ジピバロイルメタネイトカリ
ウムおよびジピバロイルメタネイトリチウムは、２００
℃以下の温度でも昇華により十分に高い蒸気圧を得るこ
とができる。
【００１３】この発明の好適な一実施形態においては、
成長されるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体へのアクセプタ不
純物としてのナトリウムまたはカリウムの取り込み効率
を高くするため、そのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＶＩ
族元素の面上に、ジピバロイルメタネイトナトリウムの
ナトリウム（Ｎａ）、ジピバロイルメタネイトカリウム
のカリウム（Ｋ）またはジピバロイルメタネイトリチウ
ムのリチウム（Ｌｉ）をデルタドープ（δドープ）す
る。この場合、このＮａ、ＫまたはＬｉは、成長される
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＩＩ族元素のサイトに入
る。
成長されるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体へのアクセプタ不
純物としてのナトリウムまたはカリウムの取り込み効率
を高くするため、そのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＶＩ
族元素の面上に、ジピバロイルメタネイトナトリウムの
ナトリウム（Ｎａ）、ジピバロイルメタネイトカリウム
のカリウム（Ｋ）またはジピバロイルメタネイトリチウ
ムのリチウム（Ｌｉ）をデルタドープ（δドープ）す
る。この場合、このＮａ、ＫまたはＬｉは、成長される
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＩＩ族元素のサイトに入
る。
【００１４】また、このデルタドープの代わりに、この
デルタドープと同様な効果を得ることができるフローモ
ジュレーション法を用いてもよい。具体的には、このフ
ローモジュレーション法においては、ＶＩ族元素の原料
の供給およびジピバロイルメタネイトナトリウム、ジピ
バロイルメタネイトカリウムまたはジピバロイルメタネ
イトリチウムの供給を維持し、ＩＩ族元素の原料の供給
中断により成長中断を行う。この場合も、このＮａ、Ｋ
またはＬｉは、成長されるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の
ＩＩ族元素のサイトに入る。
デルタドープと同様な効果を得ることができるフローモ
ジュレーション法を用いてもよい。具体的には、このフ
ローモジュレーション法においては、ＶＩ族元素の原料
の供給およびジピバロイルメタネイトナトリウム、ジピ
バロイルメタネイトカリウムまたはジピバロイルメタネ
イトリチウムの供給を維持し、ＩＩ族元素の原料の供給
中断により成長中断を行う。この場合も、このＮａ、Ｋ
またはＬｉは、成長されるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の
ＩＩ族元素のサイトに入る。
【００１５】この発明において、気相成長法としては、
有機金属化学気相成長法のほかに、ガス原料を用いた分
子線エピタキシー法を用いることができる。また、この
発明において、成長されるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
は、例えばＺｎ1-a-b Ｍｇa Ｃｄb Ｓc Ｔｅd Ｓｅ
1-c-d 系化合物半導体（ただし、０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜
１）であり、より具体的には、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、
ＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＭｇＳＳｅなどである。
有機金属化学気相成長法のほかに、ガス原料を用いた分
子線エピタキシー法を用いることができる。また、この
発明において、成長されるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
は、例えばＺｎ1-a-b Ｍｇa Ｃｄb Ｓc Ｔｅd Ｓｅ
1-c-d 系化合物半導体（ただし、０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜
１）であり、より具体的には、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、
ＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＭｇＳＳｅなどである。
【００１６】
【作用】この発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成
長方法によれば、ｐ型ドーパントとして用いられるジピ
バロイルメタネイトナトリウム、ジピバロイルメタネイ
トカリウムまたはジピバロイルメタネイトリチウムは例
えば２００℃以下の温度でも昇華により十分に高い蒸気
圧を得ることができることから、その蒸気圧の制御によ
り、成長時にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型伝導の度
合を容易に制御することができる。また、ドーパントを
高温に加熱する必要がないことにより、気相成長に用い
るＭＯＣＶＤ装置などの装置にドーパントを高温に加熱
するための装置などを付加する必要がなく、通常用いら
れているＭＯＣＶＤ装置などで十分に対応することがで
きる。そして、ジピバロイルメタネイトナトリウムのナ
トリウム、ジピバロイルメタネイトカリウムのカリウム
またはジピバロイルメタネイトリチウムのリチウムが成
長されるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に効率よく取り込ま
れることにより、これらのナトリウム、カリウムまたは
リチウムのドーピング濃度、すなわちアクセプタ濃度が
十分に高いｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長を行
うことができる。
長方法によれば、ｐ型ドーパントとして用いられるジピ
バロイルメタネイトナトリウム、ジピバロイルメタネイ
トカリウムまたはジピバロイルメタネイトリチウムは例
えば２００℃以下の温度でも昇華により十分に高い蒸気
圧を得ることができることから、その蒸気圧の制御によ
り、成長時にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型伝導の度
合を容易に制御することができる。また、ドーパントを
高温に加熱する必要がないことにより、気相成長に用い
るＭＯＣＶＤ装置などの装置にドーパントを高温に加熱
するための装置などを付加する必要がなく、通常用いら
れているＭＯＣＶＤ装置などで十分に対応することがで
きる。そして、ジピバロイルメタネイトナトリウムのナ
トリウム、ジピバロイルメタネイトカリウムのカリウム
またはジピバロイルメタネイトリチウムのリチウムが成
長されるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に効率よく取り込ま
れることにより、これらのナトリウム、カリウムまたは
リチウムのドーピング濃度、すなわちアクセプタ濃度が
十分に高いｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長を行
うことができる。
【００１７】また、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＶＩ族
元素の面上にジピバロイルメタネイトナトリウムのナト
リウム、ジピバロイルメタネイトカリウムのカリウムま
たはジピバロイルメタネイトリチウムのリチウムをデル
タドープしたり、あるいは、ＶＩ族元素の原料の供給お
よびジピバロイルメタネイトナトリウム、ジピバロイル
メタネイトカリウムまたはジピバロイルメタネイトリチ
ウムの供給を維持し、ＩＩ族元素の原料の供給中断によ
り成長中断を行うようにすることにより、ＶＩ族元素と
アクセプタ不純物との結合を強制的に形成することがで
き、このため成長されるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体への
アクセプタ不純物の取り込み効率を高くすることができ
る。これによって、ナトリウム、カリウムまたはリチウ
ムのドーピング濃度、すなわちアクセプタ濃度をより一
層高くすることができる。
元素の面上にジピバロイルメタネイトナトリウムのナト
リウム、ジピバロイルメタネイトカリウムのカリウムま
たはジピバロイルメタネイトリチウムのリチウムをデル
タドープしたり、あるいは、ＶＩ族元素の原料の供給お
よびジピバロイルメタネイトナトリウム、ジピバロイル
メタネイトカリウムまたはジピバロイルメタネイトリチ
ウムの供給を維持し、ＩＩ族元素の原料の供給中断によ
り成長中断を行うようにすることにより、ＶＩ族元素と
アクセプタ不純物との結合を強制的に形成することがで
き、このため成長されるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体への
アクセプタ不純物の取り込み効率を高くすることができ
る。これによって、ナトリウム、カリウムまたはリチウ
ムのドーピング濃度、すなわちアクセプタ濃度をより一
層高くすることができる。
【００１８】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。まず、この発明の第１実施例におい
て用いられるＭＯＣＶＤ装置について説明する。図１は
そのＭＯＣＶＤ装置の構成を示す。
しながら説明する。まず、この発明の第１実施例におい
て用いられるＭＯＣＶＤ装置について説明する。図１は
そのＭＯＣＶＤ装置の構成を示す。
【００１９】図１に示すように、このＭＯＣＶＤ装置に
おいては、Ｈ2 純化装置１により高純度化された水素
（Ｈ2 ）ガスがキャリアガスとしてバブラ２、３および
昇華セル４内に供給される。昇華セル４は恒温槽５内に
入れられており、この恒温槽５により所要の温度（例え
ば、２００℃以下の温度）に保持されるようになってい
る。いま、ｐ型ＺｎＳｅの成長を行う場合を考え、バブ
ラ２、３内に、それぞれ例えばＺｎ原料としてのＤＭＺ
ｎおよびＳｅ原料としてのＤＭＳｅが液体の形で入れら
れているとする。また、ｐ型ドーパントとしてジピバロ
イルメタネイトナトリウム（以下「Ｎａ−ＤＰＭ」と書
く）を用いる場合を考え、それが昇華セル４内に入れら
れているとする。ここで、Ｎａ−ＤＰＭは通常、微粒子
の形で昇華セル４内に入れられる。
おいては、Ｈ2 純化装置１により高純度化された水素
（Ｈ2 ）ガスがキャリアガスとしてバブラ２、３および
昇華セル４内に供給される。昇華セル４は恒温槽５内に
入れられており、この恒温槽５により所要の温度（例え
ば、２００℃以下の温度）に保持されるようになってい
る。いま、ｐ型ＺｎＳｅの成長を行う場合を考え、バブ
ラ２、３内に、それぞれ例えばＺｎ原料としてのＤＭＺ
ｎおよびＳｅ原料としてのＤＭＳｅが液体の形で入れら
れているとする。また、ｐ型ドーパントとしてジピバロ
イルメタネイトナトリウム（以下「Ｎａ−ＤＰＭ」と書
く）を用いる場合を考え、それが昇華セル４内に入れら
れているとする。ここで、Ｎａ−ＤＰＭは通常、微粒子
の形で昇華セル４内に入れられる。
【００２０】バブラ２、３内にＨ2 ガスが供給されるこ
とにより、これらのバブラ２、３のそれぞれからその蒸
気圧分の原料ガスが、キャリアガスとしてのＨ2 ガスと
ともに、反応管ライン６を通って反応管７内に供給され
る。さらに、昇華セル４内にＨ2 ガスが供給されること
により、この昇華セル４からその温度に応じた蒸気圧分
のドーパントガスが、キャリアガスとしてのＨ2 ガスと
ともに、Ｉａ族元素供給ライン８を通って反応管７内に
供給される。ここで、この昇華セル４の温度は例えば１
８０℃に設定される。この温度におけるＮａ−ＤＰＭの
蒸気圧は５．８×１０-3Ｔｏｒｒであり、同じ温度にお
ける金属Ｎａの蒸気圧３．５×１０-5Ｔｏｒｒに比べて
１６０〜１７０倍高く、十分に高い蒸気圧である。反応
管７内にはサセプタ９が設置され、その上に基板１０が
置かれる。
とにより、これらのバブラ２、３のそれぞれからその蒸
気圧分の原料ガスが、キャリアガスとしてのＨ2 ガスと
ともに、反応管ライン６を通って反応管７内に供給され
る。さらに、昇華セル４内にＨ2 ガスが供給されること
により、この昇華セル４からその温度に応じた蒸気圧分
のドーパントガスが、キャリアガスとしてのＨ2 ガスと
ともに、Ｉａ族元素供給ライン８を通って反応管７内に
供給される。ここで、この昇華セル４の温度は例えば１
８０℃に設定される。この温度におけるＮａ−ＤＰＭの
蒸気圧は５．８×１０-3Ｔｏｒｒであり、同じ温度にお
ける金属Ｎａの蒸気圧３．５×１０-5Ｔｏｒｒに比べて
１６０〜１７０倍高く、十分に高い蒸気圧である。反応
管７内にはサセプタ９が設置され、その上に基板１０が
置かれる。
【００２１】符号１１はベントラインを示す。この場
合、バブラ２から発生される原料ガスの反応管ライン６
とベントライン１１との間での切り換えはバルブＶ1 、
Ｖ2 の開閉により行うことができるようになっており、
バブラ３から発生される原料ガスの反応管ライン６とベ
ントライン１１との間での切り換えはバルブＶ3 、Ｖ4
の開閉により行うことができるようになっている。さら
に、昇華セル４から発生されるドーパントガスのＩａ族
元素供給ライン８とベントライン１１との間での切り換
えはバルブＶ5 、Ｖ6 の開閉により行うことができるよ
うになっている。なお、符号１２〜１７は、Ｈ2 純化装
置１から供給されるＨ2 ガスの流量制御のためのマスフ
ローコントローラを示す。
合、バブラ２から発生される原料ガスの反応管ライン６
とベントライン１１との間での切り換えはバルブＶ1 、
Ｖ2 の開閉により行うことができるようになっており、
バブラ３から発生される原料ガスの反応管ライン６とベ
ントライン１１との間での切り換えはバルブＶ3 、Ｖ4
の開閉により行うことができるようになっている。さら
に、昇華セル４から発生されるドーパントガスのＩａ族
元素供給ライン８とベントライン１１との間での切り換
えはバルブＶ5 、Ｖ6 の開閉により行うことができるよ
うになっている。なお、符号１２〜１７は、Ｈ2 純化装
置１から供給されるＨ2 ガスの流量制御のためのマスフ
ローコントローラを示す。
【００２２】図２はこの発明の第１実施例によるｐ型Ｚ
ｎＳｅの成長方法における原料ガスおよびドーパントガ
スの供給の状態を示すシーケンス図である。この第１実
施例においては、まず、図１に示すＭＯＣＶＤ装置の反
応管７内のサセプタ９上に基板１０としてＧａＡｓ基板
２１（図３）を置き、このＧａＡｓ基板２１をサセプタ
９によりＨ2 ガス雰囲気中で成長温度まで加熱する。
ｎＳｅの成長方法における原料ガスおよびドーパントガ
スの供給の状態を示すシーケンス図である。この第１実
施例においては、まず、図１に示すＭＯＣＶＤ装置の反
応管７内のサセプタ９上に基板１０としてＧａＡｓ基板
２１（図３）を置き、このＧａＡｓ基板２１をサセプタ
９によりＨ2 ガス雰囲気中で成長温度まで加熱する。
【００２３】次に、反応管７内にＺｎ原料としてのＤＭ
Ｚｎ、Ｓｅ原料としてのＤＭＳｅおよびｐ型ドーパント
としてのＮａ−ＤＰＭの全てを同時に供給する（図
２）。これによって、図３に示すように、ＧａＡｓ基板
２１上に、ＮａがドープされたＺｎＳｅ層（この第１実
施例および次の第２実施例において「ＺｎＳｅ：Ｎａ
層」と書く）２２をエピタキシャル成長させる。
Ｚｎ、Ｓｅ原料としてのＤＭＳｅおよびｐ型ドーパント
としてのＮａ−ＤＰＭの全てを同時に供給する（図
２）。これによって、図３に示すように、ＧａＡｓ基板
２１上に、ＮａがドープされたＺｎＳｅ層（この第１実
施例および次の第２実施例において「ＺｎＳｅ：Ｎａ
層」と書く）２２をエピタキシャル成長させる。
【００２４】この第１実施例による成長方法によれば、
上述のようにＩａ族元素であるＮａを含むＮａ−ＤＰＭ
をｐ型ドーパントとして用いてＺｎＳｅ：Ｎａ層２２、
すなわちｐ型ＺｎＳｅ層をエピタキシャル成長させるよ
うにしているので、次のような利点がある。すなわち、
Ｎａ−ＤＰＭは、例えば１８０℃程度の低温でも十分に
高い蒸気圧が得られるので、反応管７内へのＮａ−ＤＰ
Ｍの供給量の制御によりＺｎＳｅ：Ｎａ層２２へのＮａ
のドーピング濃度の制御を容易に行うことができ、した
がってＺｎＳｅ：Ｎａ層２２のｐ型伝導の度合の制御を
安定して行うことができる。そして、Ｉａ族元素である
Ｎａは、Ｎに比べてＺｎＳｅへの取り込み効率が高いこ
とやＨによる不活性化が起こりにくいことなどにより、
アクセプタ濃度が十分に高いｐ型ＺｎＳｅ層の成長を行
うことができる。また、Ｎａ−ＤＰＭを高温に維持する
必要がないため、図１１に示すようにｐ型ドーパントと
して金属Ｎａを用いる場合のように、反応管１０１にア
ンプル部１０２を設け、このアンプル部１０２の周囲に
高温加熱を行うための加熱器１０３を設けたりする必要
がなく、ＭＯＣＶＤ装置として通常用いられているもの
を用いることができる。
上述のようにＩａ族元素であるＮａを含むＮａ−ＤＰＭ
をｐ型ドーパントとして用いてＺｎＳｅ：Ｎａ層２２、
すなわちｐ型ＺｎＳｅ層をエピタキシャル成長させるよ
うにしているので、次のような利点がある。すなわち、
Ｎａ−ＤＰＭは、例えば１８０℃程度の低温でも十分に
高い蒸気圧が得られるので、反応管７内へのＮａ−ＤＰ
Ｍの供給量の制御によりＺｎＳｅ：Ｎａ層２２へのＮａ
のドーピング濃度の制御を容易に行うことができ、した
がってＺｎＳｅ：Ｎａ層２２のｐ型伝導の度合の制御を
安定して行うことができる。そして、Ｉａ族元素である
Ｎａは、Ｎに比べてＺｎＳｅへの取り込み効率が高いこ
とやＨによる不活性化が起こりにくいことなどにより、
アクセプタ濃度が十分に高いｐ型ＺｎＳｅ層の成長を行
うことができる。また、Ｎａ−ＤＰＭを高温に維持する
必要がないため、図１１に示すようにｐ型ドーパントと
して金属Ｎａを用いる場合のように、反応管１０１にア
ンプル部１０２を設け、このアンプル部１０２の周囲に
高温加熱を行うための加熱器１０３を設けたりする必要
がなく、ＭＯＣＶＤ装置として通常用いられているもの
を用いることができる。
【００２５】次に、この発明の第２実施例について説明
する。この第２実施例においては、δドープと実質的に
同様な効果を得ることができるフローモジュレーション
法によりＮａのドープを行う。
する。この第２実施例においては、δドープと実質的に
同様な効果を得ることができるフローモジュレーション
法によりＮａのドープを行う。
【００２６】図４はこの発明の第２実施例によるｐ型Ｚ
ｎＳｅの成長方法における原料ガスおよびドーパントガ
スの供給の状態を示すシーケンス図である。また、図５
Ａ〜Ｅは、図４におけるｔ＝ｔ1 、ｔ2 、ｔ3 、ｔ4 、
ｔ5 の各時点における成長層の状態を示す。
ｎＳｅの成長方法における原料ガスおよびドーパントガ
スの供給の状態を示すシーケンス図である。また、図５
Ａ〜Ｅは、図４におけるｔ＝ｔ1 、ｔ2 、ｔ3 、ｔ4 、
ｔ5 の各時点における成長層の状態を示す。
【００２７】以下、図１、図４および図５を参照して、
この第２実施例によるｐ型ＺｎＳｅの成長方法を説明す
る。
この第２実施例によるｐ型ＺｎＳｅの成長方法を説明す
る。
【００２８】まず、図１に示すＭＯＣＶＤ装置の反応管
７内のサセプタ９上に基板１０としてＧａＡｓ基板２１
を置き、このＧａＡｓ基板２１をサセプタ９によりＨ2
ガス雰囲気中で成長温度まで加熱する。
７内のサセプタ９上に基板１０としてＧａＡｓ基板２１
を置き、このＧａＡｓ基板２１をサセプタ９によりＨ2
ガス雰囲気中で成長温度まで加熱する。
【００２９】次に、反応管７内にＺｎ原料としてのＤＭ
Ｚｎ、Ｓｅ原料としてのＤＭＳｅおよびｐ型ドーパント
としてのＮａ−ＤＰＭの全てを同時に供給することによ
り、図５Ａに示すように、ＧａＡｓ基板２１上にＺｎＳ
ｅ：Ｎａ層２３をエピタキシャル成長させる。このＺｎ
Ｓｅ：Ｎａ層２３のエピタキシャル成長は、時刻ｔ＝０
から時刻ｔ＝ｔ1 まで行う（図４）。この最初にエピタ
キシャル成長されるＺｎＳｅ：Ｎａ層２３は、その後に
成長されるＺｎＳｅ：Ｎａ層のバッファ層となる。
Ｚｎ、Ｓｅ原料としてのＤＭＳｅおよびｐ型ドーパント
としてのＮａ−ＤＰＭの全てを同時に供給することによ
り、図５Ａに示すように、ＧａＡｓ基板２１上にＺｎＳ
ｅ：Ｎａ層２３をエピタキシャル成長させる。このＺｎ
Ｓｅ：Ｎａ層２３のエピタキシャル成長は、時刻ｔ＝０
から時刻ｔ＝ｔ1 まで行う（図４）。この最初にエピタ
キシャル成長されるＺｎＳｅ：Ｎａ層２３は、その後に
成長されるＺｎＳｅ：Ｎａ層のバッファ層となる。
【００３０】次に、時刻ｔ＝ｔ1 において、ＤＭＳｅお
よびＮａ−ＤＰＭの供給を維持したままＤＭＺｎの供給
を中断し、成長中断を行う。この成長中断は、時刻ｔ＝
ｔ2まで行う。この成長中断中には、反応管７内に供給
されているＤＭＳｅの熱分解によりバッファ層としての
ＺｎＳｅ：Ｎａ層２３の表面にＳｅが吸着してその表面
がＳｅ吸着層により覆われ、さらにそのＳｅ吸着層のＳ
ｅに、Ｎａ−ＤＰＭの熱分解により生成されたＮａが吸
着し、これによって成長層にＮａが取り込まれる。この
場合、ＳｅとＮａとの結合が強制的に形成されることか
ら、Ｎａの取り込み効率は高い。図５Ｂにおいて、この
ＳｅおよびＮａの吸着層を符号２４で示す。
よびＮａ−ＤＰＭの供給を維持したままＤＭＺｎの供給
を中断し、成長中断を行う。この成長中断は、時刻ｔ＝
ｔ2まで行う。この成長中断中には、反応管７内に供給
されているＤＭＳｅの熱分解によりバッファ層としての
ＺｎＳｅ：Ｎａ層２３の表面にＳｅが吸着してその表面
がＳｅ吸着層により覆われ、さらにそのＳｅ吸着層のＳ
ｅに、Ｎａ−ＤＰＭの熱分解により生成されたＮａが吸
着し、これによって成長層にＮａが取り込まれる。この
場合、ＳｅとＮａとの結合が強制的に形成されることか
ら、Ｎａの取り込み効率は高い。図５Ｂにおいて、この
ＳｅおよびＮａの吸着層を符号２４で示す。
【００３１】次に、時刻ｔ＝ｔ2 において、反応管７内
へのＤＭＺｎの供給を再開し、時刻ｔ＝ｔ3 までこのＤ
ＭＺｎの供給を続ける。これによって、反応管７内には
ＤＭＺｎ、ＤＭＳｅおよびＮａ−ＤＰＭの全てが同時に
供給され、図５Ｃに示すように、ＺｎＳｅ：Ｎａ層２２
が薄くエピタキシャル成長される。
へのＤＭＺｎの供給を再開し、時刻ｔ＝ｔ3 までこのＤ
ＭＺｎの供給を続ける。これによって、反応管７内には
ＤＭＺｎ、ＤＭＳｅおよびＮａ−ＤＰＭの全てが同時に
供給され、図５Ｃに示すように、ＺｎＳｅ：Ｎａ層２２
が薄くエピタキシャル成長される。
【００３２】次に、時刻ｔ＝ｔ3 において、再び、ＤＭ
ＳｅおよびＮａ−ＤＰＭの供給を維持したままＤＭＺｎ
の供給を中断し、成長中断を行う。この成長中断中に
は、図５Ｄに示すように、ＺｎＳｅ：Ｎａ層２２の表面
にＳｅおよびＮａの吸着層２４が形成される。
ＳｅおよびＮａ−ＤＰＭの供給を維持したままＤＭＺｎ
の供給を中断し、成長中断を行う。この成長中断中に
は、図５Ｄに示すように、ＺｎＳｅ：Ｎａ層２２の表面
にＳｅおよびＮａの吸着層２４が形成される。
【００３３】次に、時刻ｔ＝ｔ4 において、反応管７内
へのＤＭＺｎの供給を再開し、時刻ｔ＝ｔ5 までこのＤ
ＭＺｎの供給を続ける。これによって、反応管７内には
ＤＭＺｎ、ＤＭＳｅおよびＮａ−ＤＰＭの全てが同時に
供給され、図５Ｅに示すように、再びＺｎＳｅ：Ｎａ層
２２が薄くエピタキシャル成長される。
へのＤＭＺｎの供給を再開し、時刻ｔ＝ｔ5 までこのＤ
ＭＺｎの供給を続ける。これによって、反応管７内には
ＤＭＺｎ、ＤＭＳｅおよびＮａ−ＤＰＭの全てが同時に
供給され、図５Ｅに示すように、再びＺｎＳｅ：Ｎａ層
２２が薄くエピタキシャル成長される。
【００３４】このように、成長中断を行ってＳｅおよび
Ｎａの吸着層２４を形成しては、その上にＺｎＳｅ：Ｎ
ａ層２２を薄くエピタキシャル成長させる工程を必要な
回数繰り返し行い、全体として所要の厚さを有するＺｎ
Ｓｅ：Ｎａ層２２をエピタキシャル成長させる。
Ｎａの吸着層２４を形成しては、その上にＺｎＳｅ：Ｎ
ａ層２２を薄くエピタキシャル成長させる工程を必要な
回数繰り返し行い、全体として所要の厚さを有するＺｎ
Ｓｅ：Ｎａ層２２をエピタキシャル成長させる。
【００３５】以上のように、この第２実施例による成長
方法によれば、Ｚｎ原料としてのＤＭＺｎ、Ｓｅ原料と
してのＤＭＳｅおよびｐ型ドーパントとしてのＮａ−Ｄ
ＰＭの全てを同時に供給しながらＺｎＳｅ：Ｎａ層２２
の成長を行う工程と、ＤＭＳｅの供給およびＮａ−ＤＰ
Ｍの供給を維持したままＤＭＺｎの供給中断を行って成
長中断を行うことによりＳｅおよびＮａの吸着層２４を
形成する工程とを交互に繰り返し行っているので、Ｚｎ
ＳｅへのＮａの取り込み効率を高くすることができ、そ
れによってＮａが高濃度にドープされた所要の厚さのＺ
ｎＳｅ：Ｎａ層２２、すなわちｐ型ＺｎＳｅ層の成長を
行うことができる。また、ｐ型ドーパントとしてＮａ−
ＤＰＭを用いていることにより、第１実施例と同様に、
ｐ型伝導の度合の制御を安定して行うことができ、ま
た、ＭＯＣＶＤ装置として通常の構成のものを用いるこ
とができる。
方法によれば、Ｚｎ原料としてのＤＭＺｎ、Ｓｅ原料と
してのＤＭＳｅおよびｐ型ドーパントとしてのＮａ−Ｄ
ＰＭの全てを同時に供給しながらＺｎＳｅ：Ｎａ層２２
の成長を行う工程と、ＤＭＳｅの供給およびＮａ−ＤＰ
Ｍの供給を維持したままＤＭＺｎの供給中断を行って成
長中断を行うことによりＳｅおよびＮａの吸着層２４を
形成する工程とを交互に繰り返し行っているので、Ｚｎ
ＳｅへのＮａの取り込み効率を高くすることができ、そ
れによってＮａが高濃度にドープされた所要の厚さのＺ
ｎＳｅ：Ｎａ層２２、すなわちｐ型ＺｎＳｅ層の成長を
行うことができる。また、ｐ型ドーパントとしてＮａ−
ＤＰＭを用いていることにより、第１実施例と同様に、
ｐ型伝導の度合の制御を安定して行うことができ、ま
た、ＭＯＣＶＤ装置として通常の構成のものを用いるこ
とができる。
【００３６】次に、この発明をＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体を用いた半導体レーザーの製造に適用した第３実施例
について説明する。この第３実施例により製造される半
導体レーザーは、いわゆるＳＣＨ（Separate Confineme
nt Heterostructure) 構造を有するものである。
体を用いた半導体レーザーの製造に適用した第３実施例
について説明する。この第３実施例により製造される半
導体レーザーは、いわゆるＳＣＨ（Separate Confineme
nt Heterostructure) 構造を有するものである。
【００３７】図６および図７はこの第２実施例により製
造された半導体レーザーを示す。ここで、図６はこの半
導体レーザーの共振器長方向に垂直な断面図、図７はこ
の半導体レーザーの共振器長方向に平行な断面図を示
す。
造された半導体レーザーを示す。ここで、図６はこの半
導体レーザーの共振器長方向に垂直な断面図、図７はこ
の半導体レーザーの共振器長方向に平行な断面図を示
す。
【００３８】図６および図７に示すように、この第３実
施例による半導体レーザーの製造方法においては、ま
ず、例えばドナー不純物としてシリコン（Ｓｉ）がドー
プされた（１００）面方位のｎ型ＧａＡｓ基板３１上
に、上述の第２実施例と同様な成長中断を行う工程を含
むＭＯＣＶＤ法によって、例えばドナー不純物としてヨ
ウ素（Ｉ）がドープされたｎ型ＺｎＳｅバッファ層３
２、例えばドナー不純物としてＩがドープされたｎ型Ｚ
ｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３３、例えばドナ
ー不純物としてＩがドープされたｎ型ＺｎＳｅ光導波層
３４、例えば真性（ｉ型）Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸
層から成る活性層３５、例えばアクセプタ不純物として
Ｎａがドープされたｐ型ＺｎＳｅ光導波層３６、例えば
アクセプタ不純物としてＮａがドープされたｐ型Ｚｎ
1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３７、例えばアクセ
プタ不純物としてＮａがドープされたｐ型ＺｎＳv Ｓｅ
1-v 層３８、例えばアクセプタ不純物としてＮａがドー
プされたｐ型ＺｎＳｅコンタクト層３９、例えばアクセ
プタ不純物としてＮａがそれぞれドープされたｐ型Ｚｎ
Ｔｅから成る量子井戸層とｐ型ＺｎＳｅから成る障壁層
とを交互に積層したｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ多重量子井
戸（ＭＱＷ）層４０および例えばアクセプタ不純物とし
てＮａがドープされたｐ型ＺｎＴｅコンタクト層４１を
順次エピタキシャル成長させる。ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳ
ｅＭＱＷ層４０については、後に詳細に説明する。
施例による半導体レーザーの製造方法においては、ま
ず、例えばドナー不純物としてシリコン（Ｓｉ）がドー
プされた（１００）面方位のｎ型ＧａＡｓ基板３１上
に、上述の第２実施例と同様な成長中断を行う工程を含
むＭＯＣＶＤ法によって、例えばドナー不純物としてヨ
ウ素（Ｉ）がドープされたｎ型ＺｎＳｅバッファ層３
２、例えばドナー不純物としてＩがドープされたｎ型Ｚ
ｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３３、例えばドナ
ー不純物としてＩがドープされたｎ型ＺｎＳｅ光導波層
３４、例えば真性（ｉ型）Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸
層から成る活性層３５、例えばアクセプタ不純物として
Ｎａがドープされたｐ型ＺｎＳｅ光導波層３６、例えば
アクセプタ不純物としてＮａがドープされたｐ型Ｚｎ
1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３７、例えばアクセ
プタ不純物としてＮａがドープされたｐ型ＺｎＳv Ｓｅ
1-v 層３８、例えばアクセプタ不純物としてＮａがドー
プされたｐ型ＺｎＳｅコンタクト層３９、例えばアクセ
プタ不純物としてＮａがそれぞれドープされたｐ型Ｚｎ
Ｔｅから成る量子井戸層とｐ型ＺｎＳｅから成る障壁層
とを交互に積層したｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ多重量子井
戸（ＭＱＷ）層４０および例えばアクセプタ不純物とし
てＮａがドープされたｐ型ＺｎＴｅコンタクト層４１を
順次エピタキシャル成長させる。ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳ
ｅＭＱＷ層４０については、後に詳細に説明する。
【００３９】この場合、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層３２お
よびｎ型ＺｎＳｅ光導波層３４のエピタキシャル成長に
おいては、例えば、Ｚｎ原料としてＤＭＺｎ、Ｓｅ原料
としてＤＭＳｅおよびＩのドーパントとしてヨウ化エチ
ルを用いる。ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド
層３３のエピタキシャル成長においては、例えば、Ｚｎ
原料としてＤＭＺｎ、Ｍｇ原料としてビスメチルシクロ
ペンタジエニルマグネシウム（（ＭｅＣｐ）2 Ｍｇ）、
Ｓ原料としてジエチル硫黄（ＤＥＳ）、Ｓｅ原料として
ＤＭＳｅおよびＩのドーパントとしてヨウ化エチルを用
いる。さらに、ｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層から
成る活性層３５のエピタキシャル成長においては、例え
ば、Ｚｎ原料としてＤＭＺｎ、Ｃｄ原料としてジメチル
カドミウム（ＤＭＣｄ）およびＳｅ原料としてＤＭＳｅ
を用いる。
よびｎ型ＺｎＳｅ光導波層３４のエピタキシャル成長に
おいては、例えば、Ｚｎ原料としてＤＭＺｎ、Ｓｅ原料
としてＤＭＳｅおよびＩのドーパントとしてヨウ化エチ
ルを用いる。ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド
層３３のエピタキシャル成長においては、例えば、Ｚｎ
原料としてＤＭＺｎ、Ｍｇ原料としてビスメチルシクロ
ペンタジエニルマグネシウム（（ＭｅＣｐ）2 Ｍｇ）、
Ｓ原料としてジエチル硫黄（ＤＥＳ）、Ｓｅ原料として
ＤＭＳｅおよびＩのドーパントとしてヨウ化エチルを用
いる。さらに、ｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層から
成る活性層３５のエピタキシャル成長においては、例え
ば、Ｚｎ原料としてＤＭＺｎ、Ｃｄ原料としてジメチル
カドミウム（ＤＭＣｄ）およびＳｅ原料としてＤＭＳｅ
を用いる。
【００４０】ｐ型ＺｎＳｅ光導波層３６、ｐ型ＺｎＳｅ
コンタクト層３９およびｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ
層４０のｐ型ＺｎＳｅ層のエピタキシャル成長において
は、例えば、Ｚｎ原料としてＤＭＺｎ、Ｓｅ原料として
ＤＭＳｅおよびＮａのドーパントとしてＮａ−ＤＰＭを
用いる。ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３
７のエピタキシャル成長においては、例えば、Ｚｎ原料
としてＤＭＺｎ、Ｍｇ原料として（ＭｅＣｐ）2 Ｍｇ、
Ｓ原料としてＤＥＳ、Ｓｅ原料としてＤＭＳｅおよびＮ
ａのドーパントとしてＮａ−ＤＰＭを用いる。また、ｐ
型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８のエピタキシャル成長におい
ては、例えば、Ｚｎ原料としてＤＭＺｎ、Ｓ原料として
Ｈ2 Ｓ、Ｓｅ原料としてＤＭＳｅおよびＮａのドーパン
トとしてＮａ−ＤＰＭを用いる。さらに、ｐ型ＺｎＴｅ
／ＺｎＳｅＭＱＷ層４０のｐ型ＺｎＴｅ層およびｐ型Ｚ
ｎＴｅコンタクト層４１のエピタキシャル成長において
は、例えば、Ｚｎ原料としてＤＭＺｎ、Ｔｅ原料として
ジエチルテルル（ＤＥＴｅ）およびＮａのドーパントと
してＮａ−ＤＰＭを用いる。
コンタクト層３９およびｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ
層４０のｐ型ＺｎＳｅ層のエピタキシャル成長において
は、例えば、Ｚｎ原料としてＤＭＺｎ、Ｓｅ原料として
ＤＭＳｅおよびＮａのドーパントとしてＮａ−ＤＰＭを
用いる。ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３
７のエピタキシャル成長においては、例えば、Ｚｎ原料
としてＤＭＺｎ、Ｍｇ原料として（ＭｅＣｐ）2 Ｍｇ、
Ｓ原料としてＤＥＳ、Ｓｅ原料としてＤＭＳｅおよびＮ
ａのドーパントとしてＮａ−ＤＰＭを用いる。また、ｐ
型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８のエピタキシャル成長におい
ては、例えば、Ｚｎ原料としてＤＭＺｎ、Ｓ原料として
Ｈ2 Ｓ、Ｓｅ原料としてＤＭＳｅおよびＮａのドーパン
トとしてＮａ−ＤＰＭを用いる。さらに、ｐ型ＺｎＴｅ
／ＺｎＳｅＭＱＷ層４０のｐ型ＺｎＴｅ層およびｐ型Ｚ
ｎＴｅコンタクト層４１のエピタキシャル成長において
は、例えば、Ｚｎ原料としてＤＭＺｎ、Ｔｅ原料として
ジエチルテルル（ＤＥＴｅ）およびＮａのドーパントと
してＮａ−ＤＰＭを用いる。
【００４１】また、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層３２および
ｎ型ＺｎＳｅ光導波層３４のエピタキシャル成長におい
ては、ＤＭＺｎ、ＤＭＳｅおよびヨウ化エチルを同時に
供給しながら成長を行う工程と、例えばＤＭＺｎおよび
ヨウ化エチルの供給を維持したままＤＭＳｅの供給中断
を行うことにより成長中断を行う工程とを繰り返し行
う。ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３３の
エピタキシャル成長においては、ＤＭＺｎ、（ＭｅＣ
ｐ）2 Ｍｇ、ＤＥＳ、ＤＭＳｅおよびヨウ化エチルを同
時に供給しながら成長を行う工程と、例えばＤＭＺｎ、
（ＭｅＣｐ）2 Ｍｇおよびヨウ化エチルの供給を維持し
たままＤＥＳおよびＤＭＳｅの供給中断を行うことによ
り成長中断を行う工程とを繰り返し行う。
ｎ型ＺｎＳｅ光導波層３４のエピタキシャル成長におい
ては、ＤＭＺｎ、ＤＭＳｅおよびヨウ化エチルを同時に
供給しながら成長を行う工程と、例えばＤＭＺｎおよび
ヨウ化エチルの供給を維持したままＤＭＳｅの供給中断
を行うことにより成長中断を行う工程とを繰り返し行
う。ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３３の
エピタキシャル成長においては、ＤＭＺｎ、（ＭｅＣ
ｐ）2 Ｍｇ、ＤＥＳ、ＤＭＳｅおよびヨウ化エチルを同
時に供給しながら成長を行う工程と、例えばＤＭＺｎ、
（ＭｅＣｐ）2 Ｍｇおよびヨウ化エチルの供給を維持し
たままＤＥＳおよびＤＭＳｅの供給中断を行うことによ
り成長中断を行う工程とを繰り返し行う。
【００４２】さらに、ｐ型ＺｎＳｅ光導波層３６、ｐ型
ＺｎＳｅコンタクト層３９およびｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳ
ｅＭＱＷ層４０のｐ型ＺｎＳｅ層のエピタキシャル成長
においては、ＤＭＺｎ、ＤＭＳｅおよびＮａ−ＤＰＭを
同時に供給しながら成長を行う工程と、ＤＭＳｅおよび
Ｎａ−ＤＰＭの供給を維持したままＤＭＺｎの供給中断
を行うことにより成長中断を行う工程とを繰り返し行
う。さらにまた、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラ
ッド層３７のエピタキシャル成長においては、ＤＭＺ
ｎ、（ＭｅＣｐ）2 Ｍｇ、ＤＥＳ、ＤＭＳｅおよびＮａ
−ＤＰＭを同時に供給しながら成長を行う工程と、ＤＥ
Ｓ、ＤＭＳｅおよびＮａ−ＤＰＭの供給を維持したまま
ＤＭＺｎおよび（ＭｅＣｐ）2 Ｍｇの供給中断を行うこ
とにより成長中断を行う工程とを繰り返し行う。また、
ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８のエピタキシャル成長にお
いては、ＤＭＺｎ、ＤＥＳ、ＤＭＳｅおよびＮａ−ＤＰ
Ｍを同時に供給しながら成長を行う工程と、ＤＥＳ、Ｄ
ＭＳｅおよびＮａ−ＤＰＭの供給を維持したままＤＭＺ
ｎの供給中断を行うことにより成長中断を行う工程とを
繰り返し行う。さらに、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ
層４０のｐ型ＺｎＴｅ層およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト
層４１のエピタキシャル成長においては、ＤＭＺｎ、Ｄ
ＥＴｅおよびＮａ−ＤＰＭを同時に供給しながら成長を
行う工程と、ＤＥＴｅおよびＮａ−ＤＰＭの供給を維持
したままＤＭＺｎの供給中断を行うことにより成長中断
を行う工程とを繰り返し行う。
ＺｎＳｅコンタクト層３９およびｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳ
ｅＭＱＷ層４０のｐ型ＺｎＳｅ層のエピタキシャル成長
においては、ＤＭＺｎ、ＤＭＳｅおよびＮａ−ＤＰＭを
同時に供給しながら成長を行う工程と、ＤＭＳｅおよび
Ｎａ−ＤＰＭの供給を維持したままＤＭＺｎの供給中断
を行うことにより成長中断を行う工程とを繰り返し行
う。さらにまた、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラ
ッド層３７のエピタキシャル成長においては、ＤＭＺ
ｎ、（ＭｅＣｐ）2 Ｍｇ、ＤＥＳ、ＤＭＳｅおよびＮａ
−ＤＰＭを同時に供給しながら成長を行う工程と、ＤＥ
Ｓ、ＤＭＳｅおよびＮａ−ＤＰＭの供給を維持したまま
ＤＭＺｎおよび（ＭｅＣｐ）2 Ｍｇの供給中断を行うこ
とにより成長中断を行う工程とを繰り返し行う。また、
ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８のエピタキシャル成長にお
いては、ＤＭＺｎ、ＤＥＳ、ＤＭＳｅおよびＮａ−ＤＰ
Ｍを同時に供給しながら成長を行う工程と、ＤＥＳ、Ｄ
ＭＳｅおよびＮａ−ＤＰＭの供給を維持したままＤＭＺ
ｎの供給中断を行うことにより成長中断を行う工程とを
繰り返し行う。さらに、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ
層４０のｐ型ＺｎＴｅ層およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト
層４１のエピタキシャル成長においては、ＤＭＺｎ、Ｄ
ＥＴｅおよびＮａ−ＤＰＭを同時に供給しながら成長を
行う工程と、ＤＥＴｅおよびＮａ−ＤＰＭの供給を維持
したままＤＭＺｎの供給中断を行うことにより成長中断
を行う工程とを繰り返し行う。
【００４３】次に、ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層４１上に
所定幅のストライプ形状のレジストパターン（図示せ
ず）を形成した後、このレジストパターンをマスクとし
て、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８の厚さ方向の途中の深
さまで例えばウェットエッチング法によりエッチングす
る。これによって、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８の上層
部、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層３９、ｐ型ＺｎＴｅ／Ｚ
ｎＳｅＭＱＷ層４０およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層４
１がストライプ形状にパターニングされる。このストラ
イプ部の幅は例えば５μｍである。
所定幅のストライプ形状のレジストパターン（図示せ
ず）を形成した後、このレジストパターンをマスクとし
て、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８の厚さ方向の途中の深
さまで例えばウェットエッチング法によりエッチングす
る。これによって、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８の上層
部、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層３９、ｐ型ＺｎＴｅ／Ｚ
ｎＳｅＭＱＷ層４０およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層４
１がストライプ形状にパターニングされる。このストラ
イプ部の幅は例えば５μｍである。
【００４４】次に、上述のエッチングに用いたレジスト
パターンを残したまま全面に例えば厚さが３００ｎｍの
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜を真空蒸着した後、このレジ
ストパターンをその上に形成されたＡｌ2 Ｏ3 膜ととも
に除去する（リフトオフ）。これによって、上述のスト
ライプ部以外の部分のｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８上に
のみＡｌ2 Ｏ3 膜から成る絶縁層４２が形成される。
パターンを残したまま全面に例えば厚さが３００ｎｍの
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜を真空蒸着した後、このレジ
ストパターンをその上に形成されたＡｌ2 Ｏ3 膜ととも
に除去する（リフトオフ）。これによって、上述のスト
ライプ部以外の部分のｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８上に
のみＡｌ2 Ｏ3 膜から成る絶縁層４２が形成される。
【００４５】次に、ストライプ形状のｐ型ＺｎＴｅコン
タクト層４１および絶縁層４２の全面に例えば厚さが１
０ｎｍのＰｄ膜、例えば厚さが１００ｎｍのＰｔ膜およ
び例えば厚さが３００ｎｍのＡｕ膜を順次真空蒸着して
Ｐｄ／Ｐｔ／Ａｕ電極から成るｐ側電極４３を形成し、
その後必要に応じて熱処理を行って、このｐ側電極４３
をｐ型ＺｎＴｅコンタクト層４１にオーミックコンタク
トさせる。このｐ側電極４３がｐ型ＺｎＴｅコンタクト
層４１とコンタクトした部分が電流の通路となる。一
方、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の裏面にはＩｎ電極のような
ｎ側電極４４を形成する。
タクト層４１および絶縁層４２の全面に例えば厚さが１
０ｎｍのＰｄ膜、例えば厚さが１００ｎｍのＰｔ膜およ
び例えば厚さが３００ｎｍのＡｕ膜を順次真空蒸着して
Ｐｄ／Ｐｔ／Ａｕ電極から成るｐ側電極４３を形成し、
その後必要に応じて熱処理を行って、このｐ側電極４３
をｐ型ＺｎＴｅコンタクト層４１にオーミックコンタク
トさせる。このｐ側電極４３がｐ型ＺｎＴｅコンタクト
層４１とコンタクトした部分が電流の通路となる。一
方、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の裏面にはＩｎ電極のような
ｎ側電極４４を形成する。
【００４６】次に、以上のようにしてレーザー構造が形
成されたｎ型ＧａＡｓ基板３１をバー状に劈開して両共
振器端面を形成した後、例えば真空蒸着法により、レー
ザー光が取り出されるフロント側の共振器端面にＡｌ2
Ｏ3 膜４５とＳｉ膜４６とから成る多層膜を形成すると
ともに、レーザー光が取り出されないリア側の共振器端
面にＡｌ2 Ｏ3 膜４５とＳｉ膜４６とを２周期繰り返し
た多層膜を形成する。ここで、Ａｌ2 Ｏ3 膜４５とＳｉ
膜４６とから成る多層膜の厚さは、それに屈折率をかけ
た光学的距離がレーザー光の発振波長の１／４になるよ
うに選ばれる。このような端面コーティングを施すこと
により、例えば、フロント側の端面の反射率を７０％、
リア側の端面の反射率を９５％にすることができる。こ
のように端面コーティングを施した後、このバーを劈開
してチップ化し、パッケージングを行う。
成されたｎ型ＧａＡｓ基板３１をバー状に劈開して両共
振器端面を形成した後、例えば真空蒸着法により、レー
ザー光が取り出されるフロント側の共振器端面にＡｌ2
Ｏ3 膜４５とＳｉ膜４６とから成る多層膜を形成すると
ともに、レーザー光が取り出されないリア側の共振器端
面にＡｌ2 Ｏ3 膜４５とＳｉ膜４６とを２周期繰り返し
た多層膜を形成する。ここで、Ａｌ2 Ｏ3 膜４５とＳｉ
膜４６とから成る多層膜の厚さは、それに屈折率をかけ
た光学的距離がレーザー光の発振波長の１／４になるよ
うに選ばれる。このような端面コーティングを施すこと
により、例えば、フロント側の端面の反射率を７０％、
リア側の端面の反射率を９５％にすることができる。こ
のように端面コーティングを施した後、このバーを劈開
してチップ化し、パッケージングを行う。
【００４７】この第２実施例による半導体レーザーにお
いて、活性層３５を構成するｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量
子井戸層の厚さは、好適には２〜２０ｎｍ、例えば９ｎ
ｍである。
いて、活性層３５を構成するｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量
子井戸層の厚さは、好適には２〜２０ｎｍ、例えば９ｎ
ｍである。
【００４８】また、この場合、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq
Ｓｅ1-q クラッド層３３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq
Ｓｅ1-q クラッド層３７のＭｇ組成比ｐは例えば０．０
９、またＳ組成比ｑは例えば０．１８であり、そのとき
のエネルギーギャップＥg は７７Ｋで約２．９４ｅＶで
ある。これらのＭｇ組成比ｐ＝０．０９およびＳ組成比
ｑ＝０．１８を有するｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q
クラッド層３３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q
クラッド層３７はＧａＡｓと格子整合する。また、活性
層３５を構成するｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層の
Ｃｄ組成比ｚは例えば０．１９であり、そのときのエネ
ルギーギャップＥg は７７Ｋで約２．５４ｅＶである。
このとき、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層
３３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層
３７と活性層３５を構成するｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量
子井戸層との間のエネルギーギャップＥg の差ΔＥ
g は、０．４０ｅＶである。なお、室温でのエネルギー
ギャップＥg の値は、７７ＫでのエネルギーギャップＥ
g の値から０．１ｅＶを引くことにより求めることがで
きる。
Ｓｅ1-q クラッド層３３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq
Ｓｅ1-q クラッド層３７のＭｇ組成比ｐは例えば０．０
９、またＳ組成比ｑは例えば０．１８であり、そのとき
のエネルギーギャップＥg は７７Ｋで約２．９４ｅＶで
ある。これらのＭｇ組成比ｐ＝０．０９およびＳ組成比
ｑ＝０．１８を有するｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q
クラッド層３３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q
クラッド層３７はＧａＡｓと格子整合する。また、活性
層３５を構成するｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層の
Ｃｄ組成比ｚは例えば０．１９であり、そのときのエネ
ルギーギャップＥg は７７Ｋで約２．５４ｅＶである。
このとき、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層
３３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層
３７と活性層３５を構成するｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量
子井戸層との間のエネルギーギャップＥg の差ΔＥ
g は、０．４０ｅＶである。なお、室温でのエネルギー
ギャップＥg の値は、７７ＫでのエネルギーギャップＥ
g の値から０．１ｅＶを引くことにより求めることがで
きる。
【００４９】また、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ク
ラッド層３３の厚さは例えば０．８μｍ、ｎ型ＺｎＳｅ
光導波層３４の厚さは例えば６０ｎｍ、ｐ型ＺｎＳｅ光
導波層３６の厚さは例えば６０ｎｍ、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇ
p Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３７の厚さは例えば０．６μ
ｍ、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８の厚さは例えば０．６
μｍ、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層３９の厚さは例えば４
５ｎｍ、ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１の厚さは例えば
７０ｎｍである。
ラッド層３３の厚さは例えば０．８μｍ、ｎ型ＺｎＳｅ
光導波層３４の厚さは例えば６０ｎｍ、ｐ型ＺｎＳｅ光
導波層３６の厚さは例えば６０ｎｍ、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇ
p Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３７の厚さは例えば０．６μ
ｍ、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８の厚さは例えば０．６
μｍ、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層３９の厚さは例えば４
５ｎｍ、ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１の厚さは例えば
７０ｎｍである。
【００５０】さらに、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層３２の厚
さは、ＺｎＳｅとＧａＡｓとの間にはわずかではあるが
格子不整合が存在することから、この格子不整合に起因
してこのｎ型ＺｎＳｅバッファ層３２およびその上の各
層のエピタキシャル成長時に転位が発生するのを防止す
るために、ＺｎＳｅの臨界膜厚（〜１００ｎｍ）よりも
十分に小さく選ばれるが、ここでは例えば３３ｎｍに選
ばれる。
さは、ＺｎＳｅとＧａＡｓとの間にはわずかではあるが
格子不整合が存在することから、この格子不整合に起因
してこのｎ型ＺｎＳｅバッファ層３２およびその上の各
層のエピタキシャル成長時に転位が発生するのを防止す
るために、ＺｎＳｅの臨界膜厚（〜１００ｎｍ）よりも
十分に小さく選ばれるが、ここでは例えば３３ｎｍに選
ばれる。
【００５１】なお、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ク
ラッド層３７上のｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８は、場合
に応じて、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層
３７に加えた第２のｐ型クラッド層としての機能、ｐ型
Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-qクラッド層３７との格子整
合をとる機能、ヒートシンク上へのレーザーチップのマ
ウントの際のチップ端面におけるはんだの這い上がりに
よる短絡を防止するためのスペーサ層としての機能など
のうちの一または二以上の機能を有する。ｐ型Ｚｎ1-p
Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３７のＭｇ組成比ｐおよ
びＳ組成比ｑとの兼ね合いもあるが、このｐ型ＺｎＳv
Ｓｅ1-v 層３８のＳ組成比ｖは、０＜ｖ≦０．１、好ま
しくは０．０６≦ｖ≦０．０８の範囲内に選ばれ、特
に、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３７と
の格子整合をとるために最適なＳ組成比ｖは０．０６で
ある。
ラッド層３７上のｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層３８は、場合
に応じて、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層
３７に加えた第２のｐ型クラッド層としての機能、ｐ型
Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-qクラッド層３７との格子整
合をとる機能、ヒートシンク上へのレーザーチップのマ
ウントの際のチップ端面におけるはんだの這い上がりに
よる短絡を防止するためのスペーサ層としての機能など
のうちの一または二以上の機能を有する。ｐ型Ｚｎ1-p
Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３７のＭｇ組成比ｐおよ
びＳ組成比ｑとの兼ね合いもあるが、このｐ型ＺｎＳv
Ｓｅ1-v 層３８のＳ組成比ｖは、０＜ｖ≦０．１、好ま
しくは０．０６≦ｖ≦０．０８の範囲内に選ばれ、特
に、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３７と
の格子整合をとるために最適なＳ組成比ｖは０．０６で
ある。
【００５２】上述のｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層４
０を設けるのは、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層３９とｐ型
ＺｎＴｅコンタクト層４１とを直接接合すると、接合界
面において価電子帯に大きな不連続が生じ、これがｐ側
電極４３からｐ型ＺｎＴｅコンタクト層４１に注入され
る正孔に対する障壁となることから、この障壁を実効的
になくすためである。
０を設けるのは、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層３９とｐ型
ＺｎＴｅコンタクト層４１とを直接接合すると、接合界
面において価電子帯に大きな不連続が生じ、これがｐ側
電極４３からｐ型ＺｎＴｅコンタクト層４１に注入され
る正孔に対する障壁となることから、この障壁を実効的
になくすためである。
【００５３】すなわち、ｐ型ＺｎＳｅ中のキャリア濃度
は通常は５×１０17ｃｍ-3程度が上限であり、一方、ｐ
型ＺｎＴｅ中のキャリア濃度は１０18ｃｍ-3以上とする
ことが可能である。また、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ
界面における価電子帯の不連続の大きさは約０．５ｅＶ
である。このようなｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ接合の
価電子帯には、接合がステップ接合であると仮定する
と、ｐ型ＺｎＳｅ側に Ｗ＝（２εφT ／ｑＮA ）1/2 (１) の幅にわたってバンドの曲がりが生じる。ここで、εは
ＺｎＳｅの誘電率、φTはｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ
界面における価電子帯の不連続の大きさ（約０．５ｅ
Ｖ）を表す。
は通常は５×１０17ｃｍ-3程度が上限であり、一方、ｐ
型ＺｎＴｅ中のキャリア濃度は１０18ｃｍ-3以上とする
ことが可能である。また、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ
界面における価電子帯の不連続の大きさは約０．５ｅＶ
である。このようなｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ接合の
価電子帯には、接合がステップ接合であると仮定する
と、ｐ型ＺｎＳｅ側に Ｗ＝（２εφT ／ｑＮA ）1/2 (１) の幅にわたってバンドの曲がりが生じる。ここで、εは
ＺｎＳｅの誘電率、φTはｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ
界面における価電子帯の不連続の大きさ（約０．５ｅ
Ｖ）を表す。
【００５４】(１) 式を用いてこの場合のＷを計算する
と、Ｗ＝３２ｎｍとなる。このときに価電子帯の頂上が
ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面に垂直な方向に沿って
どのように変化するかを示したのが図８である。ただ
し、ｐ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅのフェルミ準位は
価電子帯の頂上に一致すると近似している。図８に示す
ように、この場合、ｐ型ＺｎＳｅの価電子帯はｐ型Ｚｎ
Ｔｅに向かって、下（低エネルギー側）に曲がってい
る。この下に凸の価電子帯の変化は、ｐ側電極４３から
このｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ接合に注入された正孔
に対してポテンシャル障壁として働く。
と、Ｗ＝３２ｎｍとなる。このときに価電子帯の頂上が
ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面に垂直な方向に沿って
どのように変化するかを示したのが図８である。ただ
し、ｐ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅのフェルミ準位は
価電子帯の頂上に一致すると近似している。図８に示す
ように、この場合、ｐ型ＺｎＳｅの価電子帯はｐ型Ｚｎ
Ｔｅに向かって、下（低エネルギー側）に曲がってい
る。この下に凸の価電子帯の変化は、ｐ側電極４３から
このｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ接合に注入された正孔
に対してポテンシャル障壁として働く。
【００５５】この問題は、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層３
９とｐ型ＺｎＴｅコンタクト層４１との間にｐ型ＺｎＴ
ｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層４０を設けることにより解決する
ことができる。このｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層４
０は具体的には例えば次のように設計される。
９とｐ型ＺｎＴｅコンタクト層４１との間にｐ型ＺｎＴ
ｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層４０を設けることにより解決する
ことができる。このｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層４
０は具体的には例えば次のように設計される。
【００５６】図９は、ｐ型ＺｎＴｅから成る量子井戸層
の両側をｐ型ＺｎＳｅから成る障壁層によりはさんだ構
造の単一量子井戸におけるｐ型ＺｎＴｅから成る量子井
戸の幅ＬW に対して第１量子準位Ｅ1 がどのように変化
するかを有限障壁の井戸型ポテンシャルに対する量子力
学的計算により求めた結果を示す。ただし、この計算で
は、量子井戸層および障壁層における電子の質量として
ｐ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅ中の正孔の有効質量ｍ
h を想定して０．６ｍ0 （ｍ0 ：真空中の電子の静止質
量）を用い、また、井戸の深さは０．５ｅＶとしてい
る。
の両側をｐ型ＺｎＳｅから成る障壁層によりはさんだ構
造の単一量子井戸におけるｐ型ＺｎＴｅから成る量子井
戸の幅ＬW に対して第１量子準位Ｅ1 がどのように変化
するかを有限障壁の井戸型ポテンシャルに対する量子力
学的計算により求めた結果を示す。ただし、この計算で
は、量子井戸層および障壁層における電子の質量として
ｐ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅ中の正孔の有効質量ｍ
h を想定して０．６ｍ0 （ｍ0 ：真空中の電子の静止質
量）を用い、また、井戸の深さは０．５ｅＶとしてい
る。
【００５７】図９より、量子井戸の幅ＬW を小さくする
ことにより、量子井戸内に形成される第１量子準位Ｅ1
を高くすることができることがわかる。ｐ型ＺｎＴｅ／
ＺｎＳｅＭＱＷ層４０はこのことを利用して設計され
る。
ことにより、量子井戸内に形成される第１量子準位Ｅ1
を高くすることができることがわかる。ｐ型ＺｎＴｅ／
ＺｎＳｅＭＱＷ層４０はこのことを利用して設計され
る。
【００５８】この場合、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界
面からｐ型ＺｎＳｅ側に、幅Ｗにわたって生じるバンド
の曲がりは、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面からの距
離ｘ（図８）の二次関数 φ（ｘ）＝φT ｛１−（ｘ／Ｗ）2 ｝ (２) で与えられる。従って、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ
層４０の設計は、 (２)式に基づいて、ｐ型ＺｎＴｅか
ら成る量子井戸層のそれぞれに形成される第１量子準位
Ｅ1 がｐ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅの価電子帯の頂
上のエネルギーと一致し、しかも互いに等しくなるよう
にＬW を段階的に変えることにより行うことができる。
面からｐ型ＺｎＳｅ側に、幅Ｗにわたって生じるバンド
の曲がりは、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面からの距
離ｘ（図８）の二次関数 φ（ｘ）＝φT ｛１−（ｘ／Ｗ）2 ｝ (２) で与えられる。従って、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ
層４０の設計は、 (２)式に基づいて、ｐ型ＺｎＴｅか
ら成る量子井戸層のそれぞれに形成される第１量子準位
Ｅ1 がｐ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅの価電子帯の頂
上のエネルギーと一致し、しかも互いに等しくなるよう
にＬW を段階的に変えることにより行うことができる。
【００５９】図１０は、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ
層４０におけるｐ型ＺｎＳｅから成る障壁層の幅ＬB を
２ｎｍとした場合の量子井戸幅Ｌw の設計例を示す。こ
の場合、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層３９のアクセプタ濃
度ＮA は５×１０17ｃｍ-3とし、ｐ型ＺｎＴｅコンタク
ト層４１のアクセプタ濃度ＮA は１×１０19ｃｍ-3とし
ている。図１０に示すように、この場合には、合計で７
個の量子井戸の幅Ｌwを、その第１量子準位Ｅ1 がｐ型
ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅのフェルミ準位と一致する
ように、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層３９からｐ型ＺｎＴ
ｅコンタクト層４１に向かってＬw ＝０．３ｎｍ、０．
４ｎｍ、０．５ｎｍ、０．６ｎｍ、０．８ｎｍ、１．１
ｎｍ、１．７ｎｍと変化させている。
層４０におけるｐ型ＺｎＳｅから成る障壁層の幅ＬB を
２ｎｍとした場合の量子井戸幅Ｌw の設計例を示す。こ
の場合、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層３９のアクセプタ濃
度ＮA は５×１０17ｃｍ-3とし、ｐ型ＺｎＴｅコンタク
ト層４１のアクセプタ濃度ＮA は１×１０19ｃｍ-3とし
ている。図１０に示すように、この場合には、合計で７
個の量子井戸の幅Ｌwを、その第１量子準位Ｅ1 がｐ型
ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅのフェルミ準位と一致する
ように、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層３９からｐ型ＺｎＴ
ｅコンタクト層４１に向かってＬw ＝０．３ｎｍ、０．
４ｎｍ、０．５ｎｍ、０．６ｎｍ、０．８ｎｍ、１．１
ｎｍ、１．７ｎｍと変化させている。
【００６０】なお、量子井戸の幅Ｌw の設計に当たって
は、厳密には、それぞれの量子井戸の準位は相互に結合
しているためにそれらの相互作用を考慮する必要があ
り、また、量子井戸層と障壁層との格子不整合による歪
みの効果も取り入れなければならないが、多重量子井戸
の量子準位を図１０のようにフラットに設定することは
原理的に十分可能である。
は、厳密には、それぞれの量子井戸の準位は相互に結合
しているためにそれらの相互作用を考慮する必要があ
り、また、量子井戸層と障壁層との格子不整合による歪
みの効果も取り入れなければならないが、多重量子井戸
の量子準位を図１０のようにフラットに設定することは
原理的に十分可能である。
【００６１】図１０において、ｐ型ＺｎＴｅに注入され
た正孔は、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層４０のそれ
ぞれの量子井戸に形成された第１量子準位Ｅ1 を介して
共鳴トンネリングによりｐ型ＺｎＳｅ側に流れることが
できるので、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面のポテン
シャル障壁は実効的になくなる。
た正孔は、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層４０のそれ
ぞれの量子井戸に形成された第１量子準位Ｅ1 を介して
共鳴トンネリングによりｐ型ＺｎＳｅ側に流れることが
できるので、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面のポテン
シャル障壁は実効的になくなる。
【００６２】以上のように、この第３実施例によれば、
第２実施例と同様に、レーザー構造を形成する各ｐ型層
のエピタキシャル成長を行う場合にｐ型ドーパントとし
てＮａ−ＤＰＭを用いており、しかもＩＩ族元素の原料
の供給中断により成長中断を行う工程を有することによ
り、これらのｐ型層のアクセプタ濃度を十分に高くする
ことができる。さらに、レーザー構造を形成する各ｎ型
層のエピタキシャル成長を行う場合にＶＩ族元素の原料
の供給中断により成長中断を行う工程を有することによ
り、これらのｎ型層のドナー濃度も十分に高くすること
ができる。これによって、短波長で発光可能でしかも低
しきい値電流密度の高性能の半導体レーザーを実現する
ことが可能である。より具体的には、例えば、室温にお
いて連続発振可能な緑色発光の半導体レーザーを実現す
ることが可能である。また、レーザー発振に必要な印加
電圧の低減を図ることも可能である。
第２実施例と同様に、レーザー構造を形成する各ｐ型層
のエピタキシャル成長を行う場合にｐ型ドーパントとし
てＮａ−ＤＰＭを用いており、しかもＩＩ族元素の原料
の供給中断により成長中断を行う工程を有することによ
り、これらのｐ型層のアクセプタ濃度を十分に高くする
ことができる。さらに、レーザー構造を形成する各ｎ型
層のエピタキシャル成長を行う場合にＶＩ族元素の原料
の供給中断により成長中断を行う工程を有することによ
り、これらのｎ型層のドナー濃度も十分に高くすること
ができる。これによって、短波長で発光可能でしかも低
しきい値電流密度の高性能の半導体レーザーを実現する
ことが可能である。より具体的には、例えば、室温にお
いて連続発振可能な緑色発光の半導体レーザーを実現す
ることが可能である。また、レーザー発振に必要な印加
電圧の低減を図ることも可能である。
【００６３】以上、この発明の実施例について具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるも
のではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。
説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるも
のではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。
【００６４】例えば、上述の第３実施例においては、Ｓ
ＣＨ構造を有する半導体レーザーの製造にこの発明を適
用した場合について説明したが、この発明は、ＤＨ構造
（Double Heterostructure）を有する半導体レーザーの
製造に適用することも可能である。
ＣＨ構造を有する半導体レーザーの製造にこの発明を適
用した場合について説明したが、この発明は、ＤＨ構造
（Double Heterostructure）を有する半導体レーザーの
製造に適用することも可能である。
【００６５】さらに、上述の第３実施例においては、半
導体レーザーの製造にこの発明を適用した場合について
説明したが、この発明は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を
用いた発光ダイオードの製造に適用することも可能であ
り、これらの発光素子以外のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
を用いた各種の半導体装置の製造に適用することも可能
である。
導体レーザーの製造にこの発明を適用した場合について
説明したが、この発明は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を
用いた発光ダイオードの製造に適用することも可能であ
り、これらの発光素子以外のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
を用いた各種の半導体装置の製造に適用することも可能
である。
【００６６】なお、上述の第１実施例、第２実施例およ
び第３実施例においては、化合物半導体基板としてＧａ
Ａｓ基板を用いているが、この化合物半導体基板として
は、例えばＧａＰ基板などを用いてもよい。
び第３実施例においては、化合物半導体基板としてＧａ
Ａｓ基板を用いているが、この化合物半導体基板として
は、例えばＧａＰ基板などを用いてもよい。
【００６７】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
ジピバロイルメタネイトナトリウム、ジピバロイルメタ
ネイトカリウムまたはジピバロイルメタネイトリチウム
から成るｐ型ドーパントを用いるようにしているので、
気相成長に用いる装置にドーパントを高温に加熱するた
めの装置などを付加することなく、しかも良好なｐ型伝
導制御性で、アクセプタ不純物としてのナトリウム、カ
リウムまたはリチウムのドーピング濃度、すなわちアク
セプタ濃度が十分に高いｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体の成長を行うことができる。
ジピバロイルメタネイトナトリウム、ジピバロイルメタ
ネイトカリウムまたはジピバロイルメタネイトリチウム
から成るｐ型ドーパントを用いるようにしているので、
気相成長に用いる装置にドーパントを高温に加熱するた
めの装置などを付加することなく、しかも良好なｐ型伝
導制御性で、アクセプタ不純物としてのナトリウム、カ
リウムまたはリチウムのドーピング濃度、すなわちアク
セプタ濃度が十分に高いｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体の成長を行うことができる。
【図１】この発明の第１実施例において用いるＭＯＣＶ
Ｄ装置の構成を示す略線図である。
Ｄ装置の構成を示す略線図である。
【図２】この発明の第１実施例によるｐ型ＺｎＳｅの成
長方法を説明するためのシーケンス図である。
長方法を説明するためのシーケンス図である。
【図３】この発明の第１実施例によるｐ型ＺｎＳｅの成
長方法を説明するための断面図である。
長方法を説明するための断面図である。
【図４】この発明の第２実施例によるｐ型ＺｎＳｅの成
長方法を説明するためのシーケンス図である。
長方法を説明するためのシーケンス図である。
【図５】この発明の第２実施例によるｐ型ＺｎＳｅの成
長方法を説明するための断面図である。
長方法を説明するための断面図である。
【図６】この発明の第３実施例による半導体レーザーの
製造方法により製造された半導体レーザーの共振器長方
向に垂直な断面図である。
製造方法により製造された半導体レーザーの共振器長方
向に垂直な断面図である。
【図７】この発明の第３実施例による半導体レーザーの
製造方法により製造された半導体レーザーの共振器長方
向に平行な断面図である。
製造方法により製造された半導体レーザーの共振器長方
向に平行な断面図である。
【図８】ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面の近傍の価電
子帯を示すエネルギーバンド図である。
子帯を示すエネルギーバンド図である。
【図９】ｐ型ＺｎＴｅから成る量子井戸の幅Ｌw に対す
る量子井戸の第１量子準位Ｅ1の変化を示すグラフであ
る。
る量子井戸の第１量子準位Ｅ1の変化を示すグラフであ
る。
【図１０】この発明の第３実施例による半導体レーザー
におけるｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層の設計例を示
す略線図である。
におけるｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層の設計例を示
す略線図である。
【図１１】従来のＭＯＣＶＤ装置の反応管の付近の構成
を示す略線図である。
を示す略線図である。
２、３ バブラ ４ 昇華セル ５ 恒温槽 ６ 反応管ライン ９ サセプタ １０ 基板 ２１ ＧａＡｓ基板 ２２ ＺｎＳｅ：Ｎａ層 ２４ ＳｅおよびＮａの吸着層 ３１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ３２ ｎ型ＺｎＳｅバッファ層 ３３ ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層 ３４ ｎ型ＺｎＳｅ光導波層 ３５ 活性層 ３６ ｐ型ＺｎＳｅ光導波層 ３７ ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層 ３８ ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層 ３９ ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層 ４０ ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層 ４１ ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層 ４２ 絶縁層 ４３ ｐ側電極 ４４ ｎ側電極
Claims (8)
- 【請求項１】 ＩＩ族元素の原料、ＶＩ族元素の原料お
よびｐ型ドーパントを用いた気相成長法によりｐ型のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体の成長を行うようにしたＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体の成長方法において、 上記ｐ型ドーパントが、ジピバロイルメタネイトナトリ
ウム、ジピバロイルメタネイトカリウムまたはジピバロ
イルメタネイトリチウムから成ることを特徴とするＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項２】 上記ジピバロイルメタネイトナトリウ
ム、ジピバロイルメタネイトカリウムまたはジピバロイ
ルメタネイトリチウムを加熱して昇華を起こさせること
により気化させるようにしたことを特徴とする請求項１
記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項３】 上記ジピバロイルメタネイトナトリウ
ム、ジピバロイルメタネイトカリウムまたはジピバロイ
ルメタネイトリチウムを２００℃以下の温度に加熱して
昇華を起こさせることにより気化させるようにしたこと
を特徴とする請求項１記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
の成長方法。 - 【請求項４】 上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＶＩ族
元素の面上に、上記ジピバロイルメタネイトナトリウム
のナトリウム、上記ジピバロイルメタネイトカリウムの
カリウムまたは上記ジピバロイルメタネイトリチウムの
リチウムをデルタドープするようにしたことを特徴とす
る請求項１記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方
法。 - 【請求項５】 上記ＶＩ族元素の原料の供給および上記
ジピバロイルメタネイトナトリウム、ジピバロイルメタ
ネイトカリウムまたはジピバロイルメタネイトリチウム
の供給を維持し、上記ＩＩ族元素の原料の供給中断によ
り成長中断を行うようにしたことを特徴とする請求項１
記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項６】 上記気相成長法は、有機金属化学気相成
長法またはガス原料を用いた分子線エピタキシー法であ
ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項７】 上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体は、Ｚｎ
1-a-b Ｍｇa ＣｄbＳc Ｔｅd Ｓｅ1-c-d 系化合物半導
体（ただし、０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜１）であることを特
徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載のＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項８】 上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体は、Ｚｎ
Ｓｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＣｄＳｅまたはＺｎＭｇＳＳｅ
であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記
載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14123794A JPH07326586A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14123794A JPH07326586A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326586A true JPH07326586A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=15287298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14123794A Pending JPH07326586A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326586A (ja) |
-
1994
- 1994-05-31 JP JP14123794A patent/JPH07326586A/ja active Pending
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