JPH07323374A - 突き合せ溶接用の被溶接材及びその切断方法並びに溶接方法及びワイヤ - Google Patents

突き合せ溶接用の被溶接材及びその切断方法並びに溶接方法及びワイヤ

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JPH07323374A
JPH07323374A JP6121605A JP12160594A JPH07323374A JP H07323374 A JPH07323374 A JP H07323374A JP 6121605 A JP6121605 A JP 6121605A JP 12160594 A JP12160594 A JP 12160594A JP H07323374 A JPH07323374 A JP H07323374A
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wire
welding
cut
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Abstract

(57)【要約】 溶接後における、パーティクルの混入を低減せしめるこ
とが可能で、水分等の不純物濃度が抑制された高清浄な
雰囲気を再現性よく実現できる配管あるいは装置を構築
可能な突き合わせ溶接用の被溶接材及びその切断方法を
提供すること。また、溶接後における溶接ビード部近傍
におけるクロム組成の低減を防止することが可能なワイ
ヤカット放電加工用のワイヤを提供すること。 【構成】(1)被溶接材は、突き合せ面がワイヤカット
放電加工機により切断されていることを特徴とする。な
お、放電加工機のワイヤの表面はステンレス又はクロム
であるこが好ましく、切断面には0.1μm以上の厚さ
のステンレス又はクロムが付着していることが好まし
い。(2)切断方法は、少なくとも突き合せ面をワイヤ
カット放電加工機により切断することを特徴とする。
(3)ワイヤは、少なくとも表面がステンレス又はクロ
ムからなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、突き合せ溶接用の被溶
接材、その切断方法及び溶接方法並びに放電加工用のワ
イヤ、流体供給配管システム及びプロセス装置に係る。
【0002】
【関連する技術】
(A)半導体デバイスの高集積化、高性能化が益々進
み、それに対応できる製造装置が求められ、より高真
空、より高清浄な成膜雰囲気を作り出すための努力が精
力的に行われてきた。超高真空、超高清浄な成膜雰囲気
を作り出すためには、製造装置(例えば、成膜等を行う
プロセス装置)及びガス等の流体供給配管系の内表面か
らのアウトガスを完全に抑える必要がある。
【0003】本発明者の長年の研究開発活動により、耐
腐食性に優れるとともにアウトガスの極めて少ない酸化
クロムを主成分とする酸化不動態膜を表面に形成するこ
とが可能となった。その結果、装置内部からのアウトガ
スを現状の測定器では検知困難な量まで抑えた供給ガス
や成膜雰囲気をつくることに成功した。すなわち、供給
ガスや成膜雰囲気中における不純物(水分、ハイドロカ
ーボン等)濃度をppbのオーダー以下、さらにはpp
tのオーダーに抑えることが可能となった。
【0004】しかるに、装置が一層大型化・複雑化する
につれて、酸化クロムを主成分とする酸化不動態膜を形
成した長尺部材を所定長さに切断して被溶接材とし、こ
の被溶接材を溶接により接合してガスや薬液などの流体
供給用配管及び半導体等の製造装置に構築する必要性が
増えてきた。なお、従来、上記切断は、手動式のパイプ
カッターを用いて行っていた。そして、切断後、切断さ
れた端面を専用の端面処理機(トリツール社製)を用い
て、バイトによりその端面を切削し、切断後に発生する
バリを除去するとともに、表面粗度を細かくしていた。
【0005】また、上記切断、切削は、N2ガスなどの
不活性ガスをパージガスとして切断面に流しながら行
い、外部からのパーティクルや、切断時に発生する切粉
等の被溶接材表面への付着を防いでいた。特に、被溶接
材が管状の場合には、管内部に外部からのパーティクル
や、切断時に発生する切粉等が混入し、管の内表面に付
着してしまうため、管内部にパージガスを流しながら切
断を行う必要性が特に高い。
【0006】(B)一方、このように、切断時に細心の
注意を払ったとしても、溶接時に酸化不動態膜は消失
し、溶接ビード部は表面が酸化クロム不動態で覆われて
いない状態となってしまう。そのため、溶接ビード部は
ガスが吸脱着しやすくなり、供給ガスを汚染してしま
う。さらに、ビード部のみならず溶接ビード部の左右に
おいては、クロムがボラタイズ化してしまいクロム組成
が急激に減少してしまい、耐腐食性の低減をもたらすと
いう問題を本発明者は見いだした。その様子を図1の実
線Bで示してある。
【0007】すなわち、図1の実線Bからわかるよう
に、溶接ビード部を0としてその左右でクロムの組成を
測定するとクロム濃度は急激に減少している。そのた
め、溶接箇所が多くなると、そこから放出されるアウト
ガスが無視できない程度となり、雰囲気が汚染されてし
まい、超高真空、超高清浄な雰囲気の実現が阻害され
る。また、腐食性ガス等を用いる装置、配管系では溶接
部及び溶接部近傍が腐食され、それによっても雰囲気が
汚染されてしまう。
【0008】そこで、本発明者は、切断面にクロムめっ
きを施して溶接を行い、次いで、酸化性のガスを流しな
がら不動態膜の形成処理を行うことにより、溶接部にも
酸化クロムを主成分とする酸化不動態膜を形成する技術
を別途提案している(特願平5−5438号)。この技
術では、めっきクロムがボラタイズ化するクロムを補完
する形となり、溶接時の熱により、このめっきクロムが
酸化性ガスにより酸化され、溶接ビ−ド部及び熱影響部
におけるクロム組成の低減を防止し、これらの部分にも
酸化クロムを主成分とする酸化不動態膜の形成がなされ
るようにしている。そのため、この技術により、溶接部
を有する流体供給用配管、半導体等の製造装置であって
も、供給ガス中あるいはプロセス雰囲気中における不純
物濃度をppbオーダー以下さらにはpptオーダーに
抑制することが可能となっている。
【0009】(C)しかし、この技術をもってしても次
のような問題が発生することを本発明者は見いだした。 (1)溶接時において、パーティクルの発生が異常に多
くなることが場合によってはあるということである。す
なわち、図5に示すように、バックシールドガス(B.
S.G.)を管状の被溶接材(サンプル)の内部に流し
ながら、突き合わせ溶接を行い、B.S.G.下流にお
いてパーティクルの発生をパーティクルカウンターによ
り測定したところ上記問題が発生していることを見いだ
した。
【0010】発生したパーティクルは被溶接材表面に付
着し、そのままプロセス装置等に構築され、例えば、成
膜時にガスを流すと付着したパーティクルは表面から脱
離して成膜雰囲気中に持ち込まれてしまう。 (2)また、溶接時に、パーティクルが溶融部に混入
し、溶接部の強度を低下させてしまう。
【0011】(3)時により水分等の不純物濃度をpp
tオーダーにできないことがある。すなわち、高清浄雰
囲気の実現に関し必ずしも再現性が良くない。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、溶接後にお
ける、パーティクルの混入を低減せしめることが可能な
突き合わせ溶接用の被溶接材及びその切断方法を提供す
ることを目的とする。また、本発明は、水分等の不純物
濃度が抑制された高清浄な雰囲気を再現性よく実現でき
る配管あるいは装置を構築することができる突き合わせ
溶接用の被溶接材及びその切断方法を提供することを目
的とする。
【0013】本発明は、溶接ビード部における強度のに
優れた突き合わせ溶接用の被溶接材及びその切断方法を
提供することを目的とする。本発明は、溶接後における
溶接ビード部近傍におけるクロム組成の低減を防止する
ことが可能なワイヤカット放電加工用のワイヤを提供す
ることを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の突き合せ溶接用
の被溶接材は、突き合せ面がワイヤカット放電加工機に
より切断されていることを特徴とする。本発明の突き合
せ溶接用の被溶接材の切断方法は、少なくとも突き合せ
面をワイヤカット放電加工機により切断することを特徴
とする。
【0015】本発明のワイヤカット放電加工用のワイヤ
は、少なくとも表面がステンレス又はクロムからなるこ
とを特徴とする。
【0016】
【作用】以下に本発明の作用を本発明をなすに際して得
た知見等とともに説明する。 (A)本発明者は、前述した高清浄雰囲気の実現に関
し、その再現性が悪い原因を探求するために各種実験を
行った。その過程で一つの現象を見いだした。
【0017】その過程を述べる。まず、中空の管で実験
を行った。内表面に酸化クロムを主成分とする長尺の管
を、前述した従来の切断方法により切断し、端面を切削
した後、被溶接材同士を突き合わせるとともに、図5に
示すように、管内部に、水素とアルゴンとの混合ガスか
らなるバックシ−ルドガス(B.S.G.)を流した。
管内部におけるB.G.S.の内圧が100mmAqと
なるようにB.G.S.を流し、B.G.S.の内圧を
経過時に測定したところ、図3のBの線に示すように、
初期内圧は92mmAqを示したが、溶接スタートの瞬
間に85mmAqにまで下降し、やがて100mmAq
を超えた。
【0018】B.S.G.の内圧降下がなぜ起こるのか
の理由を考えた所、次のような理由によるのではないか
と推測した。溶接前の突き合わせ時に、図4(a)に示
すように,端面同士が突き合わせ状態になっていたとし
ても、溶接開始時に、何らかの力がかかり、開始位置と
は反対側の位置が図4(b)に示すように開口してしま
い、そのために内圧降下が生じるのではないかという理
由である。溶接開始位置と反対側の位置も溶接されると
管内部は溶接によりシールされるため、内圧も上昇する
のであり、図3のBの線で示す現象と一致する。
【0019】そして、この開口した時にパーティクルが
管内部に混入するために従来の被溶接部材ではパーティ
クルの発生が多くなってしまうと考えられる。上記推測
が正しいとすると、開口を防止することが必要となり、
そのための手段を探究した。開口するという現象は何に
左右されるのかは全く不明であったため、溶接条件、被
溶接材のクランプ方法等につきいろいろ条件を変えて実
験を行ったが、必ずしも有意的影響を有してはいなかっ
た。そこで、試みに切断面に関係してはいないかと考
え、まず、端面の表面粗度を変化させて実験を行った。
すなわち、従来方法による切断後、バイトによる切削に
より、(a)Ra=1500nm、(b)Ra=650n
m、(c)Ra=500nmの三種の表面粗度をそれぞ
れ有するサンプルを作製し、それぞれを突き合わせて溶
接を行うことにより実験を行ったところ、三種の間で有
意的差異は認められなかった。すなわち、表面粗度(R
a)が細かいからといって必ずしも開口の発生(内圧降
下により把握)が防止できるものではないことがわかっ
た。結局、表面粗度(Ra)が必ずしも支配的因子では
ないことがわかった。
【0020】そこで、各種の切断方法を実験的に試みた
ところ、ワイヤカット放電加工によりワイヤカットを行
った場合には、溶接初期におけるB.S.G.の内圧降
下がほとんど生じないことを見いだした。のみならず、
突き合わせ状態において、100mmAqが達成される
ことを見いだした。その様子を図3のAの線で示す線で
示す。
【0021】これは、端面同士が完全にシール状態にあ
り、また、面同士の吸着力が十分強いことを意味すると
考えられる。すなわち、ワイヤカット放電加工によるワ
イヤカットを行った面同士を突き合わせた場合には、溶
接を開始した瞬間において、溶接開始位置以外の部分に
おいても、突き合わせ面は開口せず、全体の面がシール
される。そのため、パーティクルの表面への付着を防止
することができる。
【0022】また、ビード部へのパーティクルの混入を
防止でき、高い強度を得ることが出来る。 (B)一方、開口が生じた場合には、ビード部は平坦に
はならず、凹凸が生じることを見いだした。そして、凹
凸がある場合は、流体のデッドスペースとなり、流体の
滞留が生じてしまう。その滞留は供給流体の汚染をもた
らす。これが高清浄な成膜雰囲気を再現性よく実現する
ための妨げとなっているものと考えられる。
【0023】しかるに、ワイヤカット放電加工によるワ
イヤカットした場合には、開口が生じることを防止する
ことができ、その結果凹凸の少ない平坦なビード部を得
ることができ、デッドスペースをなくすことができる。
ひいては、汚染のない高清浄な流体の供給、成膜雰囲気
の実現が可能となる。 (C)なお、ワイヤカット放電加工によるワイヤカット
した切断面は、従来の切断面に比べてクロムの付着性が
極めて良好であることをも見いだした。
【0024】すなわち、従来の切断方法により切断した
面は、クロムが必ずしも均一に付着しているわけではな
いことを見いだした。従来の切断方法で切断し、その切
断面にクロムめっきを施した後溶接を行った。次いで、
酸化性ガスを流しながら不動態化処理溶を行うことによ
り、酸化クロムを主成分とする酸化不動態膜を溶接ビー
ドに形成するとともに、熱影響部におけるクロム組成の
低下を防止する技術を本発明者が別途開発したが、この
技術をもってしても、時により不純物濃度をpptオー
ダーにできないことがあることは「関連する技術」の欄
で述べた通りである。
【0025】本発明者は、この原因は従来の切断方法に
より切断した面には、クロムが必ずしも均一に付着して
いないことであることを解明したのである。しかるに、
ワイヤカット放電加工によるワイヤカットした切断面を
有する被溶接材は、クロムを均一に付着せしめることが
できるという効果を有している。そのため、酸化性ガス
を流しながら溶接を行った場合には、溶接ビード部に酸
化クロムを主成分とする酸化不動態膜の形成が可能とな
り、ひいては、再現性よく、高清浄な雰囲気を実現でき
る。
【0026】(D)また、ワイヤカット端面は、平滑度
及び真直度に非常に優れているため、被溶接材同士の面
合わせ(管状の場合は、中心軸合わせ)が非常に容易と
なり、切断から溶接までの一連の工程にかかる時間を従
来に比べ約1/3に短縮することができるという他の効
果をも達成することができる。
【0027】
【実施態様例】ワイヤカット放電加工機のワイヤの少な
くとも表面はステンレス又はクロムとすることが好まし
い。前記ステンレスとしては、クロムを20重量%以上
含有しているものが好ましく、例えばSUS316L等
が上げられる。本発明者は、ワイヤの表面をステンレス
あるいはクロムとした場合には、切断後の被溶接材の切
断端面にクロムが付着していることを見いだした。しか
も、その付着量は、ビード部に酸化クロムを主成分とす
る酸化不動態膜の形成及び、ビード部近傍の熱影響部に
おけるクロム組成の低下防止に十分な量である、0.1
μm以上であることを見いだした。これが、ワイヤカッ
ト放電加工機のワイヤの少なくとも表面をステンレス又
はクロムとすることが好ましい理由である。
【0028】このように、ワイヤカット放電加工機のワ
イヤの少なくとも表面はステンレス又はクロムとすれ
ば、ビード部に酸化クロムを主成分とする酸化不動態膜
の形成及びビード部近傍の熱影響部におけるクロム組成
の低下防止し得るということは、わざわざめっき等の余
分な工程を省略することができるという大きな効果が得
られる。
【0029】なお、溶接ビード部への酸化クロムを主成
分とする酸化不動態膜の形成は、溶接後に酸化性ガスを
所定の加熱温度のもとで流して不動態化処理を行うこと
により行ってもよいが、溶接時に、B.S.G.として
酸化性ガスを流すことによりおこなってもよい。本発明
は、被溶接材が管状である場合により有効であり、外径
が1/4インチ(6.35mm)以下の場合にさらに有
効である。
【0030】被溶接材が管状の場合、被溶接材同士を突
き合わせると端面同士の接触面積はソリッドの場合より
少なく、そのため、心合わせが難しく、また、開口が発
生しやすい。しかるに、本発明においては、外径が1/
4インチ(6.35mm)以下で肉厚が1mmであって
も心合わせが容易であり、また、開口の発生を十分防止
できる。
【0031】本発明の溶接手段としては、例えば、放
電、レーザーを用いたものが用いられる。放電を用いた
ものとして、例えば、タングステンイナートガス溶接、
アークガス溶接等が例示される。本発明におけるプロセ
ス装置とは、半導体製造装置、超伝導薄膜製造装置、磁
性薄膜製造装置、金属薄膜製造装置、誘電体薄膜製造装
置等であり、例えば、スパッタリング装置、真空蒸着装
置、CVD、PCVD、MOCVD、MBE、ドライエ
ッチング、イオン注入、拡散・酸化炉等の成膜装置及び
処理装置、また、例えば、オージェ電子分光、XPS、
SIMS、RHEED、TREX等の評価装置である。
また、これらにガスを供給するための配管系並びに超純
水製造供給装置も本発明のプロセス装置に含まれる。
【0032】被溶接材の材質としては、フェライト系ス
テンレス、オーステナイト系ステンレス、二相系ステン
レスが用いられる。特にSUS316Lが好ましい。
【0033】
【実施例】次に本発明の実施例について、図1を参照し
て説明する。 (実施例1)長尺のチューブの内表面にクロムを主成分
とする酸化クロム不動態膜の形成処理を施した1/4イ
ンチ径のSUS316L配管を準備した。
【0034】ワイヤにあらかじめクロムめっきしたワイ
ヤカット放電加工を用いてチューブを所定の長さに切断
して管状の被溶接材とした。切断後におけるこの管状の
被溶接材の端面(切断面)に付着したクロムの膜厚をX
PS(X線光電子分布)により測定した結果、約0.1
μmであることが分かった。
【0035】その後、タングステンイナートガス溶接法
により、切断した管状の被溶接材を用いて突き合わせ溶
接を行った。溶接条件は1cm/secの溶接速度で1
周溶接を行い、ビード部幅は2mmに調整した。溶接
中、バックシールドガスとしてはH2ガスを含むArガ
スを用いた。実験方法を図5に示す。バックシールガス
(B.S.G.)の内圧は圧力センサーを介してレコー
ダにより記録した。溶接前の初期内圧を100mAqに
設定した。溶接直前から溶接後のBSGの内圧と時間と
の関係を図3に示す。得られた溶接配管サンプルをB:
従来の端面処理機(トリツール社製)を用いて端面処理
されたサンプル(図1でB)、A:放電加工によりクロ
ムが端面に付着したサンプル(図1でA)とする。
(B)の端面処理法においては、セット時内圧29mm
Aqを示した。溶接放電時において瞬間的に85mmA
qまで圧力低下が見られ、その後、溶接部の温度上昇と
ともに徐々に圧力は増加していった。一方、(A)法で
はセット時の時点で初期値と同じ100mmAqを示
し、溶接開始時でも圧力ドロップは全く見られなかっ
た。
【0036】溶接終了後、バックシールガスの流れに対
して溶接ビード部上流10mmから下流35mmの範囲
において最表面のCr組成率を調べた。その結果を図1
に示す。図1において横軸は測定点を、縦軸はFe,C
r,Ni及びMnの全検出量に対するCrの検出量の比
率を示す。図1から明らかなように、端面にクロムが付
着したサンプルのビード部におけるCrの組成率の低減
は、バックグランドレベルに対して約10%抑制され
た。つまり、溶接ビード部近傍におけるCrの組成率
は、母材の最表面のCr組成率とほぼ同等になる。
【0037】また、溶接終了後、配管を切断し、溶接部
表面の深さ方向の組成分布をXPSにより測定した。結
果を図2に示す。図2において、縦軸は原子組成比を示
し、横軸はスパッタによる表面のエッチング時間であ
る。1分間のエッチング時間は約10nmの膜厚に相当
する。
【0038】図2から明らかなように、溶接部端面にク
ロムが付着した被溶接材で溶接を行った場合には、溶接
部には酸化クロムが多量に含まれる酸化不動態膜が形成
されていることが分かる。また、パーティクルカウンタ
ーでパーティクルの量を測定したところ、Bのサンプル
の場合んは、Aのサンプルの場合よりもパーティクルの
量ははるかに少なかった。
【0039】次に、溶接した配管内に300ppmの水
分を含むHClガスを5kg/cm 2圧で封入して24
時間放置した。その後、配管を切断し、内表面を観察し
たところ(b)のサンプルの溶接部表面には腐食が認め
られたが、(A)のサンプルでは非溶接部と同様全く腐
食は認められず、本実施例の溶接方法により耐腐食性に
優れた酸化不動態膜が形成されることが分かった。
【0040】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により被溶接
部材の切断時において、クロムめっき処理を施したワイ
ヤで放電加工切断を行えば、切断と動じに端面にクロム
を付着させることが可能である。これらの材料を用いて
突き合わせ溶接を行えば、溶接と同時に、クロムあるい
はクロム酸化膜の厚い溶接ビード部の不動態化処理を行
うことができ、超高清浄なプロセス装置、超高純度ガス
供給配管系、並びに超純水製造供給装置を提供すること
が可能となる。
【0041】このワイヤカット放電加工により切断する
ことのもう一つの大きな利点は、切断及び端面処理時間
の大幅短縮である。従来の切断・端面処理・内ばり外ば
り取りの一連の工程が一回の工程で可能となる。従っ
て、従来に比較して約1/3の時間短縮が期待される。
【図面の簡単な説明】
【図1】溶接後における最上層部のCr組成を示すグラ
フである。
【図2】ワイヤカット放電加工により切断した被溶接材
の溶接後における溶接ビード部の厚さ方向における組成
をを示すグラフである。
【図3】溶接バックシールドガスの圧力変化を示すグラ
フである。
【図4】溶接時における突合せ面の変化を示す被溶接材
の側断面図である。
【図5】溶接方法を示す概念図である。
【図6】従来の切断方法により切断した被溶接材の溶接
後における厚さ方向における組成を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B23K 9/035 A 7011−4E 31/00 P

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも突き合せ面がワイヤカット放
    電加工機により切断されていることを特徴とする突き合
    せ溶接用の被溶接材。
  2. 【請求項2】 前記ワイヤカット放電加工機のワイヤの
    少なくとも表面はステンレス又はクロムであることを特
    徴とする請求項1記載の突き合せ溶接用の被溶接材。
  3. 【請求項3】 ワイヤカット面である突き合せ面には
    0.1μm以上の厚さのステンレス又はクロムが付着し
    ていることを特徴とする請求項1又は2記載の突き合わ
    せ溶接用の被溶接材。
  4. 【請求項4】 前記被溶接材は、管状であることを特徴
    とする請求項1ないし3のいずれか1項記載の突き合せ
    溶接用の被溶接材。
  5. 【請求項5】 前記管状の被溶接材は、外径が1/4イ
    ンチ(6.35mm)以下であることを特徴とする請求
    項4記載の溶接用被溶接材。
  6. 【請求項6】 切断前における前記被溶接材の表面には
    クロムを主成分とする酸化クロム不動態が形成されてい
    ることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項記
    載の溶接用被溶接材。
  7. 【請求項7】 少なくとも突き合せ面をワイヤカット放
    電加工機により切断することを特徴とする突き合せ溶接
    用の被溶接材の切断方法。
  8. 【請求項8】 前記ワイヤカット放電加工機のワイヤの
    少なくとも表面はステンレス又はクロムであることを特
    徴とする請求項7記載の突き合わせ溶接用の被溶接材の
    切断方法。
  9. 【請求項9】 前記被溶接材は、管状であることを特徴
    とする請求項7又は8記載の突き合わせ溶接用の溶接材
    の切断方法。
  10. 【請求項10】 前記管状の被溶接材は、外径が1/4
    インチ(6.35mm)以下であることを特徴とする請
    求項9記載の突き合わせ溶接用の被溶接材の切断方法。
  11. 【請求項11】 少なくとも突き合せ面をワイヤカット
    放電加工機により切断し、切断面同士を突き合わせて溶
    接することを特徴とする突き合わせ溶接方法。
  12. 【請求項12】 溶接部近傍にバックシールドガスを流
    しながら溶接を行うことを特徴とする請求項11記載の
    突き合わせ溶接方法。
  13. 【請求項13】 前記ワイヤカット放電加工機のワイヤ
    の少なくとも表面はステンレス又はクロムであることを
    特徴とする請求項11又は12記載の突き合わせ溶接方
    法。
  14. 【請求項14】 前記バックシールドガスは酸化性ガス
    又は酸化性ガスを含むガスであり、溶接と同時に、溶接
    ビード部にクロムを主成分とする酸化不動態膜を形成す
    ることを特徴とする請求項13記載の突き合わせ溶接方
    法。
  15. 【請求項15】 前記被溶接材は、管状であることを特
    徴とする請求項11ないし14のいずれか1項記載の突
    き合わせ溶接方法。
  16. 【請求項16】 前記管状の被溶接材は、外径が1/4
    インチ(6.35mm)以下であることを特徴とする請
    求項15記載の突き合わせ溶接方法。
  17. 【請求項17】 少なくとも表面がステンレス又はクロ
    ムからなることを特徴とするワイヤカット放電加工用の
    ワイヤ。
  18. 【請求項18】 前記ワイヤは、ステンレス又はクロム
    以外からなる下地の表面にステンレス層又はクロム層を
    形成したものであることを特徴とする請求項17記載の
    ワイヤカット放電加工用のワイヤ。
  19. 【請求項19】 少なくとも突き合せ面をワイヤカット
    放電加工機により切断した被溶接材同士を、切断面同士
    を突き合わせて溶接することにより構築したことを特徴
    とする流体供給配管システム。
  20. 【請求項20】 少なくとも突き合せ面をワイヤカット
    放電加工機により切断した被溶接材同士を、切断面同士
    を突き合わせて溶接することにより構築したことを特徴
    とするプロセス装置。
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