JPH07321164A - プロービング方法 - Google Patents

プロービング方法

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Publication number
JPH07321164A
JPH07321164A JP11116694A JP11116694A JPH07321164A JP H07321164 A JPH07321164 A JP H07321164A JP 11116694 A JP11116694 A JP 11116694A JP 11116694 A JP11116694 A JP 11116694A JP H07321164 A JPH07321164 A JP H07321164A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
stage
center
pellet
stored
Prior art date
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Pending
Application number
JP11116694A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiko Oshiro
正彦 尾代
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP11116694A priority Critical patent/JPH07321164A/ja
Publication of JPH07321164A publication Critical patent/JPH07321164A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 プロービング装置のステージに装着されたウ
ェーハのスクライブ線の位置のメモリが、実際のスクラ
イブ線の位置からずれると言う不具合を解決するプロー
ビング方法を提供する。 【構成】 半導体装置のウェーハ状態での電気的特性を
測定するプロービング方法において、プロービング装置
のステージの中心マークと位置合わせ手段3とを合わせ
る工程、ステージ1上にウェーハ4を載せ、ステージ1
を移動させ、位置合わせ手段3に実スクライブ線の交差
部5aを合わせる工程、ウェーハ4のオリエンテーショ
ンフラット4aを含むウェーハサイズ、形状、および位
置をメモリする工程および外周または中心からの距離と
して与えられたウェーハの測定境界にペレットの一部も
かからない測定境界内のペレットの電気的特性を測定
し、電気的特性不良ペレット、および電気的特性を測定
しないペレットに、不良識別マークを付ける工程を含
む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ペレットのウェ
ーハでの電気的特性を測定、選別するプロービング方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】図面を用いて従来の技術について説明す
る。図4は、プロービング装置のステージの中心マーク
に顕微鏡の視野の中心を合わせたところを示す。図5
は、ステージにウェーハを載せ固定し、ペレットの中心
を顕微鏡の視野の中心に合わせたところを示す。図6は
ウェーハ上の実際のペレットのスクライブ線とプロービ
ング装置の操作からメモリしたスクライブ線の一例を示
す。プロービングでの電気的特性を測定するペレット
は、図6のウェーハ4の周辺部または中心から一定距離
のウェーハ測定境界6にペレットの一部もかからない、
ウェーハ測定境界6内のペレットである。外周部のペレ
ットは電気的特性は良品であっても電極パターンが不完
全等信頼性不良が発生する可能性があるので測定せずに
不良とする。この電気的特性を測定しないペレットに不
良識別マークを付ける。まず、プロービング装置のステ
ージ位置の原点出しをおこない、この位置をプロービン
グ装置にメモリさせる。つぎに図4に示したようにプロ
ービング装置のステージの中心マーク2が顕微鏡の視野
の中心8(顕微鏡の視野を7で示す)に振り分けで合う
ように顕微鏡を動かす。その後、図5に示したように、
ステージ1の略中心にウェーハ4を載せ固定する。プロ
ービング装置は自動的にウェーハ4の中心を通るX軸、
Y軸(ステージの移動方向である)と、ウェーハ周辺と
交わる周辺近傍の4箇所で、光学的反射率の変動により
ウェーハ4上に形成された実スクライブ線5を検出し、
ステージ1を回転させ、回転軸を固定する。この作業に
よって、ウェーハ上の実際のスクライブ線(実スクライ
ブ線5)はX軸、Y軸に平行になる。
【0003】一方、プロービング装置は、ステージ1上
の略中央に固定されたウェーハ4がX方向、Y方向に自
動的にステージ1とともに移動し、ウェーハ端部の静電
容量の変動によりウェーハサイズ、形状、およびウェー
ハの中心位置をメモリし、ウェーハの中心が顕微鏡の視
野の中心8に合う位置でステージ1が停止する。その
後、ステージ1を移動し、ウェーハ4上に形成されたペ
レットの中心9を顕微鏡の視野の中心8に振り分けで合
わせ、この位置をプロービング装置にメモリさせる。ス
テージ1のX軸、Y軸方向への移動量、および事前に電
気的特性を測定するウェーハ4の種類によって、ペレッ
トサイズおよびオリエンテーションフラット4aをプロ
ービング装置にインプットしておくことにより、プロー
ビング装置はステージの中心マーク2とペレットの中心
9とのズレ量算出してメモリスクライブ線10をメモリ
する。この時、スクライブ線はX軸、Y軸に平行として
メモリされる。以上の操作により、ウェーハ4上にメモ
リスクライブ線10をメモリする。このウェーハ4上の
メモリスクライブ線10により、ウェーハ4の外周また
は中心から一定の距離として与えられたウェーハ測定境
界6にペレットの一部もかからない、ウェーハ測定境界
6内のペレットのみ電気的特性を測定し、電気的特性不
良ペレットおよび電気的特性を測定しないペレットに、
不良識別マークを付ける。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
のプロービング装置のステージの中心マーク、およびペ
レットの中心を顕微鏡の視野の中心に合わせて、ウェー
ハ上のペレットのメモリスクライブ線位置を求めてい
た。この方法では、顕微鏡の視野の中心とペレットの中
心と言うように、正確な位置合わせができないと言う欠
点があった。この欠点により、ペレットの品種により、
プロービング装置のメモリしたウェーハ上の電気的特性
の測定を指定した境界と、プロービング装置のメモリし
た測定境界がずれる場合があった。このため、実際は測
定境界内のペレットの一部が測定境界外にある(図6の
11)と判断し、電気的特性を測定しなかったり、測定
境界外のペレットを測定境界内にある(図示せず)と判
断し、測定すると言うことが発生する欠点があった。
【0005】
【問題を解決するための手段】本発明は、半導体ペレッ
トのウェーハでの電気的特性を測定、選別する装置のプ
ロービング方法において、ステージの中心マークを位置
合わせ手段と一致させる工程、その後ステージ上にウェ
ーハを載せ、ステージの移動により、スクライブ線の交
差部を位置合わせ手段に一致させる工程、ウェーハのサ
イズ、形状および位置をメモリする工程、およびウェー
ハの所定位置からの距離で示されるウェーハの測定境界
内の個々のペレットの電気的特性を測定し、電気的特性
不良ペレット、および電気的特性を測定しないペレット
に不良識別マークを付ける工程を含むことを特徴とする
プロービング方法である。
【0006】
【作用】上記の位置合わせは、点と点を合わせることに
より、実スクライブ線がメモリスクライブ線に一致す
る。そのために、正確に指定したウェーハの測定範囲内
のペレットのみを測定することができる。
【0007】
【実施例】以下、本発明について図面を用いて説明す
る。図1は、プロービング装置のステージの中心マーク
と、位置合わせ手段の一例の針状物の先端とを合わせた
ところを示す。図2は、ステージにウェーハを載せ、ス
クライブ線の交差部を針状物の先端を合わせたところを
示す。図3はウェーハ上の実際のスクライブ線位置とプ
ロービング装置の操作からメモリしたスクライブ線位置
が一致したところを示す。まず、図1に示したように、
プロービング装置のステージ位置の原点出しをおこな
い、中心マーク2に針状物の先端3aを合わせ、プロー
ビング装置のステージの中心マーク2位置をメモリさせ
る。ここで、針状物としてプローブ電極を用いてもよ
い。また、逆に固定された位置合わせ手段にステージ1
の中心マーク2を合わせ、そこをステージの原点位置と
してもよい。次に、図2に示したように、ステージ1の
略中心にウェーハ4を載せ固定する。プロービング装置
は自動的にウェーハ4の中心を通るX軸、Y軸(ステー
ジの移動方向である)と、ウェーハ4の周辺と交わる周
辺近傍の4箇所で、光学的反射率の変動により、ウェー
ハ4上に形成された実スクライブ線5を検出しステージ
1を回転させ、回転軸を固定する。この作業によって、
ウェーハ上の実際のスクライブ線(実スクライブ線5)
はX軸、Y軸に平行になる。
【0008】一方、プロービング装置は、ステージ1上
の略中央に固定されたウェーハ4がX方向、Y方向に自
動的にステージ1とともに移動し、ウェーハ端部の静電
容量の変動により、ウェーハサイズ、形状、およびウェ
ーハの中心位置をメモリし、ウェーハの中心が針状物の
先端3aと合う位置でステージ1が停止する。次に、ス
テージ1を移動し、ウェーハ4上に形成された実スクラ
イブ線の交差部5aを針状物の先端3aに合わせる。こ
こで、X軸、Y軸方向それぞれのペレットサイズの半分
の距離だけステージ1を機械的に移動させると、針状物
の先端3aはペレットの中心に合致する。この位置をプ
ロービング装置にメモリさせる。ステージ1のX軸、Y
軸方向への移動量、および事前に電気的特性を測定する
ウェーハ4の種類によって、ペレットサイズをプロービ
ング装置にインプットしておくことにより、プロービン
グ装置はステージの中心マーク2とペレットの中心との
ズレ量を算出してメモリスクライブ線10をメモリす
る。この時、スクライブ線はX軸、Y軸に平行としてメ
モリされる。以上の操作により、点と点を位置合わせし
求めた、ウェーハ上のメモリスクライブ線10が、実ス
クライブ線5に一致する。そのために、指定したウェー
ハの測定範囲6内のペレットのみを測定する。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように、この発明はプロー
ビング装置のステージ中心マークとウェーハのスクライ
ブ線の交差点に、位置合わせ手段として、針状物の先
端、または光学系のスポット、または光学系のクロスラ
インを合わせることにより、位置合わせの精度が向上
し、ウェーハ上のスクライブ線を正確にプロービング装
置がメモリする。このために、指定した測定すべきペレ
ットは確実に測定し、測定すべきでないペレットは確実
に不良識別マークを付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のプローバの中心マークに針状物の先
を合わせた図面
【図2】 本発明のプローバ上のウェーハのパターンの
スクライブ線の交差部を針状物の先端部に合わせた図面
【図3】 本発明の方法によるウェーハ上の実際のペレ
ット配列とプロービング装置の操作からメモリしたペレ
ット配列が一致した図面
【図4】 従来の方法によるプローバの中心マークに顕
微鏡の視野の中心を合わせた図面
【図5】 従来の方法によるプローバ上のウェーハのペ
レットの中心を顕微鏡の視野の中心に合わせた図面
【図6】 従来の方法によるウェーハ上の実際のペレッ
ト配列とプロービング装置の操作からメモリしたペレッ
ト配列がずれた図面
【符号の説明】
1 ステージ 2 ステージの中心マーク 3 位置合わせ手段(針状物) 3a 針状物の先端 4 ウエーハ 4a オリエンテーションフラット 5 スクライブ線(実スクライブ線) 5a スクライブ線の交差部(実スクライブ線の交差
部) 6 測定境界
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 G 21/301

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ペレットのウェーハでの電気的特性
    を測定、選別する装置によるプロービング方法におい
    て、ステージの中心マークを位置合わせ手段と一致させ
    る工程、その後ステージ上にウェーハを載せ、ステージ
    の移動により、スクライブ線の交差部を位置合わせ手段
    に一致させる工程、ウェーハのサイズ、形状および位置
    をメモリする工程、およびウェーハの所定位置からの距
    離で示されるウェーハの測定境界内の個々のペレットの
    電気的特性を測定し、電気的特性不良ペレット、および
    電気的特性を測定しないペレットに不良識別マークを付
    ける工程を含むことを特徴とするプロービング方法。
  2. 【請求項2】請求項1において、位置合わせ手段が針状
    物先端であることを特徴とするプロービング方法。
  3. 【請求項3】請求項1において、位置合わせ手段が光学
    系のスポットであることを特徴とするプロービング方
    法。
  4. 【請求項4】請求項1において、位置合わせ手段が光学
    系のクロスラインであることを特徴とするプロービング
    方法。
JP11116694A 1994-05-25 1994-05-25 プロービング方法 Pending JPH07321164A (ja)

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JP11116694A JPH07321164A (ja) 1994-05-25 1994-05-25 プロービング方法

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JPH07321164A true JPH07321164A (ja) 1995-12-08

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ID=14554158

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JP11116694A Pending JPH07321164A (ja) 1994-05-25 1994-05-25 プロービング方法

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JP (1) JPH07321164A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009283977A (ja) * 2009-08-21 2009-12-03 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置及び検査方法
US8525984B2 (en) 2007-03-28 2013-09-03 Hitachi High-Technologies Corporation Inspection apparatus and inspection method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8525984B2 (en) 2007-03-28 2013-09-03 Hitachi High-Technologies Corporation Inspection apparatus and inspection method
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