JPH07318612A - Method and jig for testing semiconductor device - Google Patents

Method and jig for testing semiconductor device

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JPH07318612A
JPH07318612A JP6115490A JP11549094A JPH07318612A JP H07318612 A JPH07318612 A JP H07318612A JP 6115490 A JP6115490 A JP 6115490A JP 11549094 A JP11549094 A JP 11549094A JP H07318612 A JPH07318612 A JP H07318612A
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JP
Japan
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semiconductor device
contact
external lead
contactor
lead
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JP6115490A
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Japanese (ja)
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Takeshi Okuyama
武 奥山
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a method for testing a semiconductor device including a large number of external leads while preventing deformation of the external leads, lightening the damage on the plating of the external leads, taking countermeasures against noise and matching the impedance at the contact part. CONSTITUTION:An external lead 8 of a semiconductor device 1 is brought into electric contact with a probe 10 in order to test the electrical characteristics of the semiconductor device 1. In order to increase the contact area with the external lead 8 of the semiconductor device 1, an inserting part 10a1 is formed in the contactor 10. The external lead 8 is then inserted into the inserting part 10a1 of the contactor 10 and brought into electric contact therewith.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、多数の外部リードを含
む半導体装置の試験方法およびこの試験方法に用いられ
る半導体装置の試験治具に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for testing a semiconductor device including a large number of external leads and a test jig for the semiconductor device used in this testing method.

【0002】近年、半導体装置の高集積化のため外部リ
ードの数が増加すると共に、半導体装置の小型化が要求
されている。これに伴い、外部リードが極細化してい
る。このため、外部リードの機械的強度も極端に低下し
ている。この結果、外部リードが、その特性試験を行う
際に、変形し易くなっている。
In recent years, the number of external leads has increased due to the high integration of semiconductor devices, and miniaturization of semiconductor devices has been required. Along with this, the external leads have become extremely thin. Therefore, the mechanical strength of the external leads is also extremely reduced. As a result, the external leads are easily deformed when the characteristic test is performed.

【0003】また、半導体装置をプリント基板に実装す
ることの自動化が進んでいる現在、その特性試験を終了
し、外部リードの変形した半導体装置がプリント基板に
実装されると、外部リードの変形箇所の発見および変形
した外部リードの修復は、膨大な時間と労力を要する。
Further, at the present time when automation of mounting a semiconductor device on a printed circuit board is progressing, when the characteristic test is completed and the semiconductor device having the deformed external lead is mounted on the printed circuit board, the deformed part of the external lead is deformed. It is time-consuming and labor-intensive to discover and repair deformed external leads.

【0004】さらに、変形した外部リードの半導体装置
を発見できなかったとき、最悪の場合、この半導体装置
を実装したプリント基板を組み込んだ装置は、事故を発
生させる可能性もある。
Furthermore, when a semiconductor device having a deformed external lead cannot be found, in the worst case, a device incorporating a printed circuit board on which this semiconductor device is mounted may cause an accident.

【0005】また、半導体装置の試験方法には、半導体
装置の高速化に伴い、その特性試験の際に、接触子と外
部リードとの接触部分での耐ノイズ性の向上、インピー
ダンスの整合性の最適化が要求されている。
Further, in the method of testing a semiconductor device, as the speed of the semiconductor device is increased, the noise resistance at the contact portion between the contactor and the external lead is improved and the impedance matching is improved at the time of the characteristic test. Optimization is required.

【0006】以上の理由から、半導体装置の特性試験の
際に、外部リードの変形防止、外部リードと接触子との
接触部分でのノイズ対策・インピーダンス整合が必要で
ある。
For the above reasons, it is necessary to prevent deformation of the external leads and to take measures against noise and impedance matching at the contact portion between the external lead and the contactor during the characteristic test of the semiconductor device.

【0007】[0007]

【従来の技術】一般に、表面実装型半導体装置は、試験
治具であるソケットに挟まれており、半導体装置のテス
トシステムによって、半導体装置の電気的特性の試験が
行われる。
2. Description of the Related Art Generally, a surface mount semiconductor device is sandwiched between sockets which are test jigs, and a semiconductor device test system tests the electrical characteristics of the semiconductor device.

【0008】図6は、従来の半導体装置の試験治具を示
す図である。
FIG. 6 is a view showing a conventional test jig for a semiconductor device.

【0009】図6において、試験治具であるソケット6
1の本体62は箱状に形成される。この本体62には、
上蓋67が蝶番63を中心に回転自在に設けられる。
In FIG. 6, a socket 6 which is a test jig.
The main body 62 of No. 1 is formed in a box shape. In this body 62,
An upper lid 67 is provided rotatably around the hinge 63.

【0010】この本体62の底部には、接触子である接
触子66が方形状に多数整列し、半導体装置1の多数の
外部リード8に対応してそれぞれ設けられる。この接触
子66は導電性物質で構成される。接触子66の先端は
外部リード8の下面に接触することができる。
On the bottom of the main body 62, a large number of contacts 66, which are contacts, are arranged in a rectangular shape, and are provided corresponding to a large number of external leads 8 of the semiconductor device 1. The contact 66 is made of a conductive material. The tip of the contactor 66 can contact the lower surface of the external lead 8.

【0011】上記本体62はプリント基板68上に固定
されている。このプリント基板68中を上記接触子66
が通っている。そして、接触子66の終端および同軸ケ
ーブル69の信号線がプリント基板68の下面に半田付
けされる。この同軸ケーブル69は半導体装置のテスト
システム(図示略)に接続される。
The main body 62 is fixed on a printed circuit board 68. The printed circuit board 68 has the contact 66.
Is passing. Then, the terminal end of the contactor 66 and the signal line of the coaxial cable 69 are soldered to the lower surface of the printed board 68. The coaxial cable 69 is connected to a semiconductor device test system (not shown).

【0012】そして、上蓋67を図中反時計回り方向に
回転させることにより、本体62の閉塞が行われる。こ
の結果、半導体装置1の本体の上面1aが上蓋67に押
さえ付けられ、外部リード8が接触子66の先端に強固
に押し付けられる。このとき、外部リード8は本体2に
対し上方向に加圧される。
The main body 62 is closed by rotating the upper lid 67 in the counterclockwise direction in the figure. As a result, the upper surface 1a of the main body of the semiconductor device 1 is pressed against the upper lid 67, and the external lead 8 is firmly pressed against the tip of the contact 66. At this time, the external lead 8 is pressed upward against the main body 2.

【0013】この結果、各接触子66と各外部リード8
との接触が確実となり、接触子66を介して、外部リー
ド8と同軸ケーブル69の信号線とが確実に電気的に接
続される。
As a result, each contact 66 and each external lead 8
The contact between the external lead 8 and the signal line of the coaxial cable 69 is surely electrically connected via the contact 66.

【0014】そして、半導体装置のテストシステムによ
り半導体装置1の電気的特性試験が行われていた。
Then, an electrical characteristic test of the semiconductor device 1 has been conducted by the semiconductor device test system.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の試験方法にあっては、半導体装置1の外部
リード8の機械的強度が弱い上に外部リード8が上方向
に加圧されるため、外部リード8が変形し易いものであ
った。
However, in the conventional semiconductor device testing method, the mechanical strength of the external leads 8 of the semiconductor device 1 is weak and the external leads 8 are pressed upward. The external lead 8 was easily deformed.

【0016】また、上蓋67による半導体装置1の押し
付けが強いと、接触子66の弾性変形の復元力による外
部リード8を上方向に加圧する力が強くなり、外部リー
ド8に被覆されたメッキを傷つけることにもなった。
Further, when the semiconductor device 1 is strongly pressed by the upper lid 67, the force for pressing the outer lead 8 upward due to the restoring force of the elastic deformation of the contact 66 becomes strong, and the plating coated on the outer lead 8 is strengthened. It also hurt me.

【0017】さらに、接触子66が導電性物質のみで構
成され、シールド線で被覆されない上に、信号経路とな
る接触子66が複雑な形状を有するとともに、長いた
め、半導体装置1が高速素子の場合、ノイズが発生し易
いものであった。
Further, the contact 66 is made of only a conductive material, is not covered with the shielded wire, and the contact 66 serving as a signal path has a complicated shape and is long, so that the semiconductor device 1 is a high-speed element. In this case, noise was likely to occur.

【0018】そして、信号経路となる接触子66が複雑
な形状を有し、長いので、接触子66の電気抵抗が大き
くなり、かつ、接触子66と外部リード8との接触面積
が小さいので、接触抵抗が大きくなり、インピーダンス
の増加を招いていた。半導体装置1が高速素子の場合
に、インピーダンスの影響を受け、特性変動が発生し、
正確な特性試験が行えなかった。
Since the contactor 66 serving as a signal path has a complicated shape and is long, the electrical resistance of the contactor 66 is large and the contact area between the contactor 66 and the external lead 8 is small. The contact resistance was increased and the impedance was increased. When the semiconductor device 1 is a high-speed element, it is affected by impedance and characteristic variation occurs,
An accurate characteristic test could not be performed.

【0019】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、半導体装置の外部リードの変形を防止し、外部
リードのメッキのダメージを緩和し、測定時の接触部分
でのノイズ対策およびインピーダンスの整合性を図った
半導体装置の試験方法およびその試験治具を提供するこ
とを、その目的とする。
Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and prevents deformation of the external leads of the semiconductor device, alleviates damage to the plating of the external leads, and measures against noise and impedance at the contact portion during measurement. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device testing method and a test jig for the semiconductor device, which are designed to be consistent with each other.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の発明
の構成により解決される。
The above-mentioned problems can be solved by the constitutions of the following inventions.

【0021】請求項1の発明は、半導体装置の外部リー
ドを接触子と電気的に接触させ、該半導体装置の電気的
特性を試験する半導体装置の試験方法において、上記半
導体装置の外部リードとの接触面積が大となるように上
記接触子に挿入部を形成し、この接触子の挿入部に上記
外部リードを挿入させて電気的接触を行う構成としたこ
とを特徴とするものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device testing method for electrically contacting an external lead of a semiconductor device with a contact to test an electrical characteristic of the semiconductor device. An insertion portion is formed in the contactor so as to have a large contact area, and the external lead is inserted into the insertion portion of the contactor to make electrical contact.

【0022】また請求項2の発明は、半導体装置の外部
リードと接触子とを接触させ、該半導体装置の電気的特
性を試験する半導体装置の試験方法において、上記半導
体装置の外部リードを接触子に案内し、上記外部リード
と上記接触子との接触を行いながら該外部リードを整形
する構成としたことを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device testing method for testing the electrical characteristics of the semiconductor device by bringing the external leads of the semiconductor device into contact with the contactors. The external lead is shaped while the external lead is brought into contact with the contactor.

【0023】また請求項3の発明は、半導体装置の外部
リードと電気的に接触し、該半導体装置の電気的特性の
試験に使用される半導体装置の試験治具において、上記
半導体装置の外部リードとの接触面積が大となるように
形成された挿入部を有する導電体を備える接触子よりな
る構成としたことを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device test jig which is in electrical contact with an external lead of a semiconductor device and is used for testing the electrical characteristics of the semiconductor device. It is characterized in that the contactor is provided with an electric conductor having an insertion portion formed to have a large contact area with.

【0024】また請求項4の発明は、半導体装置のメッ
キされた外部リードと接触し、該半導体装置の電気的特
性の試験に使用される半導体装置の試験治具において、
上記メッキされた外部リードとの接触面積が大となるよ
うに形成されるとともに、弾性変形可能に形成された挿
入部を有する導電体を備える接触子よりなる、構成とし
たことを特徴とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device test jig which is in contact with a plated external lead of the semiconductor device and is used for testing the electrical characteristics of the semiconductor device.
The contact element is formed so that the contact area with the plated external lead is large, and the contact element includes a conductor having an elastically deformable insertion portion. Is.

【0025】また請求項5の発明は、半導体装置の外部
リードと電気的に接触し、該半導体装置の電気的特性の
試験に使用される半導体装置の試験治具において、上記
半導体装置の外部リードと電気的に接触可能な内導体
と、この内導体を電気的にシールドする外導体と、この
外導体と上記内導体とを電気的に絶縁する絶縁体と、を
備える接触子よりなる構成としたことを特徴とするもの
である。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device test jig which is in electrical contact with an external lead of a semiconductor device and is used for testing the electrical characteristics of the semiconductor device. A contactor including an inner conductor electrically contactable with the outer conductor, an outer conductor electrically shielding the inner conductor, and an insulator electrically insulating the outer conductor from the inner conductor. It is characterized by having done.

【0026】[0026]

【作用】上述のように、請求項1の発明に係る半導体装
置の試験方法は、半導体装置の外部リードとの接触面積
が大となるように接触子に挿入部を形成し、この接触子
の挿入部に外部リードを挿入させて電気的接触を行う構
成とした。接触子と外部リードとの接触面積が大となる
ので、接触子と外部リードとの電気的接触抵抗を減らす
ことができる。
As described above, in the semiconductor device testing method according to the first aspect of the present invention, the insertion portion is formed in the contactor so that the contact area with the external lead of the semiconductor device is large. An external lead is inserted into the insertion portion to make electrical contact. Since the contact area between the contact and the outer lead is large, the electrical contact resistance between the contact and the outer lead can be reduced.

【0027】また、請求項2の発明に係る半導体装置の
試験方法は、半導体装置の外部リードを接触子に案内
し、外部リードと接触子との接触を行いながら該外部リ
ードを整形する構成とした。このため、半導体装置の外
部リードが接触子との接触の前に、正規の形状から変形
している場合でも、外部リードを接触子に案内し、外部
リードを整形し、その変形を修正することができる。
Further, a semiconductor device testing method according to a second aspect of the present invention is configured such that the external lead of the semiconductor device is guided to a contact and the external lead is shaped while the external lead and the contact are in contact with each other. did. Therefore, even if the external lead of the semiconductor device is deformed from the regular shape before the contact with the contactor, the external lead is guided to the contactor, the external lead is shaped, and the deformation is corrected. You can

【0028】また、請求項3の発明に係る半導体装置の
試験治具は、半導体装置の外部リードとの接触面積が大
となるように形成された挿入部を有する導電体を備える
接触子よりなる構成とした。このため、接触子と外部リ
ードとの接触面積が広がり、接触抵抗を下げることがで
きる。さらに、インピーダンスの増加を回避することが
できる。
A semiconductor device test jig according to a third aspect of the present invention comprises a contactor including a conductor having an insertion portion formed so as to have a large contact area with an external lead of the semiconductor device. It was configured. Therefore, the contact area between the contact and the external lead is increased, and the contact resistance can be reduced. Furthermore, it is possible to avoid an increase in impedance.

【0029】そして、半導体素子が高速素子の場合に、
インピーダンスの影響を受けず、特性変動が防止され
て、正確な特性試験を行うことができる。
When the semiconductor element is a high speed element,
An accurate characteristic test can be performed without being affected by impedance and preventing characteristic fluctuation.

【0030】また、請求項4の発明に係る半導体装置の
試験治具は、メッキされた外部リードとの接触面積が大
となるように形成されるとともに、弾性変形可能に形成
された挿入部を有する導電体を備える接触子よりなる、
構成とした。このため、導電体の挿入部に外部リードを
挿入させると、外部リードを押す圧力を小さくすること
ができる。これは、接触面積が従来より広がるからであ
る。したがって、外部リードを押さえつける圧力が小さ
いので、外部リードに被覆されたメッキを傷つけ難い。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a test jig for a semiconductor device, which is formed so as to have a large contact area with a plated external lead and has an elastically deformable insertion portion. A contactor having a conductor having
It was configured. Therefore, when the external lead is inserted into the insertion portion of the conductor, the pressure pushing the external lead can be reduced. This is because the contact area is wider than before. Therefore, the pressure applied to the external leads is small, and the plating coated on the external leads is not easily damaged.

【0031】また、請求項5の発明に係る半導体装置の
試験治具は、半導体装置の外部リードと電気的に接触可
能な内導体と、この内導体を電気的にシールドする外導
体と、この外導体と上記内導体とを電気的に絶縁する絶
縁体と、を備える接触子よりなる構成とした。内導体が
外導体で電気的にシールドされるため、接触子の耐ノイ
ズ性が優れている。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a test jig for a semiconductor device, which comprises an inner conductor electrically contactable with an outer lead of the semiconductor device, an outer conductor electrically shielding the inner conductor, and an outer conductor. The contactor is provided with an insulator that electrically insulates the outer conductor from the inner conductor. Since the inner conductor is electrically shielded by the outer conductor, the contactor has excellent noise resistance.

【0032】[0032]

【実施例】図1に、本発明の第1実施例に係る半導体装
置の試験方法を説明するための図を示す。図1(A)
は、半導体装置1の特性試験において、接触子10との
接触前の状態を示す斜視図であり、図1(B)、接触子
10との接触中の状態の一部を示す断面図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining a method of testing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. Figure 1 (A)
1B is a perspective view showing a state before contact with the contact 10 in a characteristic test of the semiconductor device 1, and FIG. 1B is a cross-sectional view showing a part of the state during contact with the contact 10. .

【0033】半導体装置1はQFP(Quad Flat Packa
g)構造の表面実装型であり、図には、100ピンを越
えるものを20ピンに簡略化したものを示している(図
3参照)。
The semiconductor device 1 is a QFP (Quad Flat Packa).
g) A surface mount type structure, in which the number of pins exceeding 100 pins is simplified to 20 pins (see FIG. 3).

【0034】この半導体装置1は、パッケージ7と、こ
のパッケージ7の四方から水平方向に延出すると共に、
回路基板の表面に実装可能となるような形状であるガル
ウイング状に形成された外部リード8と、を有してい
る。
This semiconductor device 1 extends in a horizontal direction from four sides of the package 7 and the package 7, and
The external lead 8 is formed in a gull wing shape that is mountable on the surface of the circuit board.

【0035】この外部リード8は、パッケージ7から水
平方向に延出する基端部8aと、この基端部8aから折
れ曲がる屈折部8bと、この屈折部8bから水平方向に
折れ曲がる先端部8cと、で構成される。
The external lead 8 has a base end portion 8a extending horizontally from the package 7, a bending portion 8b bent from the base end portion 8a, and a tip portion 8c bending horizontally from the bending portion 8b. Composed of.

【0036】また、半導体装置1は、電気絶縁性のベー
ス11上に載置されている。このベース11には、半導
体装置1のパッケージ7を位置決めする四角形状の凹部
11aと、上方に突出する突起11bが形成されてい
る。この突起11bには、外部リード8の形状に対応す
るようにテーパ面11cが形成されている。
The semiconductor device 1 is mounted on an electrically insulating base 11. The base 11 is provided with a rectangular recess 11 a for positioning the package 7 of the semiconductor device 1 and a protrusion 11 b protruding upward. A tapered surface 11c is formed on the protrusion 11b so as to correspond to the shape of the external lead 8.

【0037】そして、半導体装置1をベース11上に載
置すると、パッケージ7が位置決めされ、外部リード8
の屈折部8bがテーパ面11cと接触する。
When the semiconductor device 1 is placed on the base 11, the package 7 is positioned and the external leads 8 are placed.
The refraction part 8b comes into contact with the tapered surface 11c.

【0038】そして、接触子10は、この外部リード8
の先端部8cを挿入可能な構造である。図1(B)は、
外部リード8の先端部8cを接触子10に挿入させた状
態の断面を示している。
The contact 10 is made up of the external lead 8
This is a structure into which the tip portion 8c of can be inserted. Figure 1 (B)
The cross section of the tip 8c of the external lead 8 inserted into the contact 10 is shown.

【0039】ここで、接触子10を正面から見た断面図
を図2(A)に、側面からみた断面図を図2(B)に示
す。この図2(B)には、接触子10に接続される同軸
ケーブル12が示されている。
Here, a sectional view of the contactor 10 as seen from the front is shown in FIG. 2A, and a sectional view as seen from the side is shown in FIG. 2B. In FIG. 2B, a coaxial cable 12 connected to the contact 10 is shown.

【0040】接触子10は、多数の外部リード8と接触
するため、各外部リード8にそれぞれ対応してパッケー
ジ7を囲むように方形状に多数整列してそれぞれ設けら
れる(図3参照)。
Since the contacts 10 come into contact with a large number of external leads 8, a plurality of contacts 10 are arranged in a rectangular shape so as to surround the package 7 in correspondence with each external lead 8 (see FIG. 3).

【0041】この接触子10は、矩形の筒状のものであ
り、導電性物質で構成された内導体10aと、この内導
体10aの外方に設けられ導電性物質で構成された外導
体10bと、この外導体10bと内導体10aとを電気
的に絶縁するとともに、外導体10bを被覆する絶縁体
10cとで構成される。
The contact 10 has a rectangular tubular shape, and includes an inner conductor 10a made of a conductive material and an outer conductor 10b provided outside the inner conductor 10a and made of a conductive material. And an insulator 10c that electrically insulates the outer conductor 10b from the inner conductor 10a and covers the outer conductor 10b.

【0042】内導体10aの先端部10a1 には、軸方
向に沿って挿入部である矩形状の穴10a2 が形成され
ている。
A rectangular hole 10a2, which is an insertion portion, is formed along the axial direction at the tip portion 10a1 of the inner conductor 10a.

【0043】この穴10a2 および絶縁体10cの先端
には、外部リード8のガルウイング状の形状の屈折部8
bに対応すると共に、外部リード8の先端部8cを穴1
0a2 に案内するテーパ面10a3 およびテーパ面10
c1 がそれぞれ形成されている。
At the tip of the hole 10a2 and the insulator 10c, the gull-wing-shaped bending portion 8 of the external lead 8 is formed.
In addition to corresponding to b, the tip portion 8c of the external lead 8 is provided with the hole 1
0a2 guiding taper surface 10a3 and taper surface 10
c1 are formed respectively.

【0044】また、矩形状の穴10a2 を有する先端部
10a1 は4枚の板で構成され、各板は、それぞれ弾性
変形可能である。この先端部10a1 の穴10a2 に外
部リード8の先端部8cを差し込むと、外部リード8の
先端部8cが穴10a2 の各側面に圧せられ、外部リー
ド8と内導体10aとが離れないように固定される。こ
のとき、外部リード8の先端部8cの上面、下面、左側
面、右側面および先端面は、内導体10aの穴10a2
の各面と接触するとともに、各面に押さえつけられる。
すなわち、外部リード8の先端部8cは、接触子10の
内導体10aの穴10a2 (先端部10a1 の4枚の
板)の弾性変形により、立体的に接触される。
The tip portion 10a1 having the rectangular hole 10a2 is composed of four plates, and each plate is elastically deformable. When the tip portion 8c of the outer lead 8 is inserted into the hole 10a2 of the tip portion 10a1, the tip portion 8c of the outer lead 8 is pressed against each side surface of the hole 10a2 so that the outer lead 8 and the inner conductor 10a are not separated from each other. Fixed. At this time, the upper surface, the lower surface, the left side surface, the right side surface, and the tip surface of the tip portion 8c of the outer lead 8 are formed in the holes 10a2 of the inner conductor 10a.
It comes into contact with and is pressed against each surface.
That is, the tips 8c of the outer leads 8 are three-dimensionally contacted by the elastic deformation of the holes 10a2 (four plates of the tips 10a1) of the inner conductor 10a of the contact 10.

【0045】詳しくは、外部リード8の先端部8cは、
接触子10の内導体10aの穴10a2 の各側面と接触
しており、この接触面積が従来より広くなっている。
Specifically, the tip portion 8c of the external lead 8 is
The contactor 10 is in contact with each side surface of the hole 10a2 of the inner conductor 10a, and the contact area is wider than in the prior art.

【0046】接触子10の内導体10aの基端部10a
4 は、同軸ケーブル12の信号線12aの一端と電気的
に接続されている。この信号線12aの他端は、図示し
ない半導体装置のテストシステムに接続される。
The base end portion 10a of the inner conductor 10a of the contactor 10
4 is electrically connected to one end of the signal line 12a of the coaxial cable 12. The other end of the signal line 12a is connected to a semiconductor device test system (not shown).

【0047】また、同軸ケーブル12のシールド線12
bは、接触子10の外導体10bと電気的に接続されて
いる。この外導体10bの一端は、アース13に接地さ
れている。
Further, the shielded wire 12 of the coaxial cable 12
b is electrically connected to the outer conductor 10b of the contact 10. One end of the outer conductor 10b is grounded to the ground 13.

【0048】そして、図3に示すように、同軸ケーブル
12に接続された接触子10を半導体装置1の各外部リ
ード8に対応して配設し、図1(A)に示すように、外
部リード8がパッケージ7から突出する方向(A2)と
は、逆の方向(A1)方向にに接触子10を水平移動さ
せ、図1(B)に示すように、外部リード8を接触子1
0に挿入する。
Then, as shown in FIG. 3, the contacts 10 connected to the coaxial cable 12 are arranged corresponding to the external leads 8 of the semiconductor device 1, and as shown in FIG. The contact 10 is horizontally moved in a direction (A1) opposite to the direction (A2) in which the lead 8 projects from the package 7, and the external lead 8 is moved to the contact 1 as shown in FIG.
Insert at 0.

【0049】この結果、接触子10の内導体10aの穴
10a2 のばね性により、外部リード8の先端部8cの
上面、下面、左側面、右側面および先端面は、内導体1
0の穴10a2 の各面とそれぞれ接触・導通する。この
状態で、半導体装置1の特性試験が行われる。
As a result, due to the spring property of the hole 10a2 of the inner conductor 10a of the contactor 10, the upper surface, the lower surface, the left side surface, the right side surface and the front surface of the tip portion 8c of the outer lead 8 are the inner conductor 1a.
It makes contact and conducts with the respective surfaces of the hole 10a2 of 0. In this state, the characteristic test of the semiconductor device 1 is performed.

【0050】また、この状態で、外部リード8の屈折部
8bは、正規の状態から変形した場合でも、絶縁体10
cのテーパ面10c1 と内導体10aのテーパ面10a
1 とで、穴10a2 に案内され、絶縁体10cのテーパ
面10c1 とベース11のテーパ面11cとで挟まれる
結果、屈折部8bの形状の修正が可能となる。
Further, in this state, the bending portion 8b of the external lead 8 has the insulator 10 even when it is deformed from the normal state.
c tapered surface 10c1 and inner conductor 10a tapered surface 10a
The guide portion 8 is guided to the hole 10a2 by 1 and is sandwiched between the tapered surface 10c1 of the insulator 10c and the tapered surface 11c of the base 11, so that the shape of the bent portion 8b can be modified.

【0051】したがって、半導体装置の試験方法は、半
導体装置1の外部リード8が接触子10との接触の際
に、屈折部8bの形状の修正を行うため、外部リード8
の変形を防止することができる。
Therefore, in the semiconductor device testing method, the shape of the bent portion 8b is corrected when the external lead 8 of the semiconductor device 1 contacts the contact 10, so that the external lead 8 is
Can be prevented from being deformed.

【0052】また、半導体装置1の外部リード8の先端
部8cを押す圧力を従来の場合より小さくすることがで
きる。
Further, the pressure for pushing the tip 8c of the external lead 8 of the semiconductor device 1 can be made smaller than in the conventional case.

【0053】これは、従来の場合は、接触子66との接
触を外部リード8の下面のみで行っていたが、本実施例
の場合は、接触子10との接触を、外部リード8の先端
部8cの上面、下面、左側面、右側面および先端面で行
うため、接触面積が従来より広がるからである。
In the conventional case, the contact with the contact 66 was made only on the lower surface of the external lead 8. However, in the case of the present embodiment, the contact with the contact 10 is provided at the tip of the external lead 8. This is because the contact area is wider than in the conventional case because the upper surface, the lower surface, the left side surface, the right side surface, and the tip surface of the portion 8c are used.

【0054】すなわち、従来の接触子66の弾性変形の
復元力による外部リード8を押す力を、接触子10の内
導体10aの穴10a2 の弾性変形の復元力による外部
リード8を押す力と等しくしても、接触面積が従来より
広くなるので、圧力は小さくなる。
That is, the force for pushing the outer lead 8 by the restoring force of the elastic deformation of the conventional contactor 66 is equal to the force of pushing the outer lead 8 by the restoring force of the elastic deformation of the hole 10a2 of the inner conductor 10a of the contactor 10. Even so, since the contact area becomes wider than in the conventional case, the pressure becomes smaller.

【0055】したがって、外部リード8の先端部8aが
押さえつけられる圧力が小さいので、外部リード8に被
覆されたメッキを傷つけ難い。
Therefore, since the pressure applied to the tip portion 8a of the outer lead 8 is small, it is difficult to damage the plating coated on the outer lead 8.

【0056】さらに、接触子10は、信号経路となる内
導体10aを、接地された外導体10bで被覆する構造
であり、信号経路となる内導体10aが単純な形状を有
するとともに、短いため、半導体装置1が高速素子の場
合、ノイズが発生し難い。
Further, the contact 10 has a structure in which the inner conductor 10a serving as a signal path is covered with the grounded outer conductor 10b. Since the inner conductor 10a serving as a signal path has a simple shape and is short, When the semiconductor device 1 is a high speed element, noise is unlikely to occur.

【0057】そして、信号経路となる内導体10aが単
純な形状を有し、短いので、接触子10の電気抵抗が小
さくなり、かつ、接触子10と外部リード8との接触面
積が大きいので、接触抵抗が小さくなり、インピーダン
スの増加を回避することができる。
Since the inner conductor 10a serving as a signal path has a simple shape and is short, the electrical resistance of the contact 10 is small, and the contact area between the contact 10 and the external lead 8 is large. The contact resistance is reduced, and the increase in impedance can be avoided.

【0058】半導体装置1が高速素子の場合に、インピ
ーダンスの影響を受けず、特性変動が防止されて正確な
特性試験を行うことができる。
When the semiconductor device 1 is a high-speed element, it is not affected by impedance, characteristic fluctuations are prevented, and accurate characteristic tests can be performed.

【0059】次に、図4及び図5を参照して、本発明の
第2実施例に係る半導体装置の試験方法を説明する。
Next, a method of testing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0060】図4は、この第2実施例に係る半導体装置
の試験方法を説明するための図である。図5は、図4中
V−V線に沿う断面図を示す。なお、図5には、クラン
パ18が示されている。
FIG. 4 is a diagram for explaining the method of testing the semiconductor device according to the second embodiment. FIG. 5 shows a sectional view taken along the line VV in FIG. The clamper 18 is shown in FIG.

【0061】この実施例は、半導体装置の特性試験の際
に、接触子10を半導体装置1の方へ水平移動させる方
法を特徴とする。
This embodiment is characterized by a method of horizontally moving the contact 10 toward the semiconductor device 1 during the characteristic test of the semiconductor device.

【0062】図4の14は、パッケージガイドであり、
半導体装置1のパッケージ7の四隅に設けられ、第1実
施例のベース11と共にパッケージ7の位置決めをする
ものである。
Reference numeral 14 in FIG. 4 is a package guide,
It is provided at four corners of the package 7 of the semiconductor device 1 and positions the package 7 together with the base 11 of the first embodiment.

【0063】また、15はガイドピンであり、連設され
た接触子10・・・の両側に設けられ、各接触子10を
支持する支持板16中を移動可能である。この支持板1
6とガイドピン15のヘッドとの間には、圧縮ばね17
が係止されている。
Further, reference numeral 15 is a guide pin, which is provided on both sides of the contactors 10 ... Which are arranged in series and is movable in a support plate 16 which supports each contactor 10. This support plate 1
6 and the head of the guide pin 15 between the compression spring 17
Is locked.

【0064】クランパ18は、半導体装置1のパッケー
ジ7を固定するとともに、特性試験の際にパッケージ7
を加熱するものである。
The clamper 18 fixes the package 7 of the semiconductor device 1 and at the time of the characteristic test.
Is to heat.

【0065】また、図5に示すように、パッケージガイ
ド14には、ガイドピン15の先端と嵌合する穴14a
が形成されている。この実施例の半導体装置の試験方法
で使用される半導体装置の試験治具のその他の構成は、
第1実施例のものと同じである。
Further, as shown in FIG. 5, the package guide 14 has a hole 14a for fitting with the tip of the guide pin 15.
Are formed. Other configurations of the semiconductor device test jig used in the semiconductor device test method of this example are as follows.
It is the same as that of the first embodiment.

【0066】そして、図4に示すように、パッケージガ
イド14とベース11とで、半導体装置1のパッケージ
7を位置決めする。
Then, as shown in FIG. 4, the package 7 of the semiconductor device 1 is positioned by the package guide 14 and the base 11.

【0067】次に、ガイドピン15をパッケージガイド
14の穴14aに嵌合させる。この結果、各接触子10
が対応する各外部リード8の位置に決められる。
Next, the guide pin 15 is fitted into the hole 14a of the package guide 14. As a result, each contact 10
Are determined to correspond to the positions of the external leads 8.

【0068】さらに、圧縮ばね17の圧縮を解除する。
この結果、圧縮ばね17が伸び、支持板16に支持され
た各接触子10が半導体装置1の各外部リード8に向か
って水平方向に移動し、各接触子10が各外部リード8
と同時に接触する。
Further, the compression of the compression spring 17 is released.
As a result, the compression spring 17 expands, the contacts 10 supported by the support plate 16 move horizontally toward the external leads 8 of the semiconductor device 1, and the contacts 10 move toward the external leads 8.
Contact at the same time.

【0069】次いで、図5に示すように、このパッケー
ジ7をクランパ18で固定するとともに、加熱する。こ
の状態で半導体装置1の特性試験が行われる。
Then, as shown in FIG. 5, the package 7 is fixed by a clamper 18 and heated. In this state, the characteristic test of the semiconductor device 1 is performed.

【0070】この実施例では、位置決めされた各接触子
10を、位置決めされた各外部リード8へ同時に接触さ
せることができる。多数の接触子10を別々に接触させ
る場合より、接触までの時間を短縮化できる。
In this embodiment, the positioned contacts 10 can be brought into contact with the positioned external leads 8 at the same time. The time until contact can be shortened as compared with the case where a large number of contacts 10 are contacted separately.

【0071】[0071]

【発明の効果】以上のように請求項1の発明によれば、
半導体装置の外部リードとの接触面積が大となるように
接触子に挿入部を形成し、この接触子の挿入部に外部リ
ードを挿入させて電気的接触を行う構成とした。接触子
と外部リードとの接触面積が大となるので、接触子と外
部リードとの電気的接触抵抗を減らすことができる。
As described above, according to the invention of claim 1,
An insertion portion is formed in the contactor so that the contact area with the external lead of the semiconductor device is large, and the external lead is inserted into the insertion portion of the contactor to make electrical contact. Since the contact area between the contact and the outer lead is large, the electrical contact resistance between the contact and the outer lead can be reduced.

【0072】また、請求項2の発明によれば、半導体装
置の外部リードを接触子に案内し、外部リードと接触子
との接触を行いながら該外部リードを整形する構成とし
たため、半導体装置の外部リードが接触子との接触の前
に、正規の形状から変形している場合でも、外部リード
を接触子に案内し、外部リードを整形し、その変形を修
正することができる。
According to the second aspect of the invention, the external lead of the semiconductor device is guided to the contact, and the external lead is shaped while the external lead and the contact are in contact with each other. Even when the external lead is deformed from the regular shape before the contact with the contact, the external lead can be guided to the contact, the external lead can be shaped, and the deformation can be corrected.

【0073】また、請求項3の発明によれば、半導体装
置の外部リードとの接触面積が大となるように形成され
た挿入部を有する導電体を備える接触子よりなる構成と
したため、接触子と外部リードとの接触面積が広がり、
接触抵抗を下げることができ、インピーダンスの増加を
回避することができ、半導体素子が高速素子の場合に、
インピーダンスの影響を受けず、特性変動が防止され
て、正確な特性試験を行うことができる。
According to the third aspect of the invention, the contactor is provided with the conductor having the insertion portion formed so that the contact area with the external lead of the semiconductor device is large. And the contact area between the external lead and
The contact resistance can be reduced, the increase in impedance can be avoided, and when the semiconductor element is a high-speed element,
An accurate characteristic test can be performed without being affected by impedance and preventing characteristic fluctuation.

【0074】また、請求項4の発明によれば、メッキさ
れた外部リードとの接触面積が大となるように形成され
るとともに、弾性変形可能に形成された挿入部を有する
導電体を備える接触子よりなる、構成としたため、導電
体の挿入部に外部リードを挿入させると、外部リードを
押す圧力を小さくすることができ、外部リードを押さえ
つける圧力が小さいので、外部リードに被覆されたメッ
キを傷つけ難い。
Further, according to the invention of claim 4, a contact is provided which is formed so as to have a large contact area with the plated external lead and which is provided with a conductor having an insertion portion elastically deformable. Since the structure is composed of a child, when the external lead is inserted in the insertion part of the conductor, the pressure to push the external lead can be reduced, and the pressure to press the external lead is small. Hard to hurt.

【0075】また、請求項5の発明によれば、半導体装
置の外部リードと電気的に接触可能な内導体と、この内
導体を電気的にシールドする外導体と、この外導体と上
記内導体とを電気的に絶縁する絶縁体と、を備える接触
子よりなる構成としたため、接触子の耐ノイズ性が優れ
ている。
Further, according to the invention of claim 5, an inner conductor capable of electrically contacting the outer lead of the semiconductor device, an outer conductor for electrically shielding the inner conductor, and the outer conductor and the inner conductor. Since the contactor is provided with an insulator that electrically insulates and, the contactor is excellent in noise resistance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係る半導体装置の試験方
法を説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining a method of testing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の接触子を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the contact of FIG.

【図3】図1の接触子の配列状態を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an arrangement state of the contacts of FIG.

【図4】本発明の第2実施例に係る半導体装置の試験方
法を説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a semiconductor device testing method according to a second embodiment of the present invention.

【図5】図4中V−V線に沿う断面図である。5 is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG.

【図6】従来の半導体装置の試験治具を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a conventional test jig for a semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体装置 7 パッケージ 8 外部リード 10 接触子 10a 内導体 10b 外導体 10c 絶縁体 11 ベース 11b 突起 11c テーパ面 12 同軸ケーブル 12a 信号線 12b シールド線 13 アース 14 パッケージガイド 15 ガイドピン 16 支持板 17 圧縮ばね 18 クランパ 1 Semiconductor Device 7 Package 8 External Lead 10 Contact 10a Inner Conductor 10b Outer Conductor 10c Insulator 11 Base 11b Protrusion 11c Tapered Surface 12 Coaxial Cable 12a Signal Line 12b Shield Wire 13 Earth 14 Package Guide 15 Guide Pin 16 Support Plate 17 Compression Spring 18 clamper

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体装置(1)の外部リード(8)を
接触子(10)と電気的に接触させ、該半導体装置
(1)の電気的特性を試験する半導体装置の試験方法に
おいて、 上記半導体装置(1)の外部リード(8)との接触面積
が大となるように上記接触子(10)に挿入部(10a
2 )を形成し、 この接触子(10)の挿入部(10a2 )に上記外部リ
ード(8)を挿入させて電気的接触を行う構成としたこ
とを特徴とする半導体装置の試験方法。
1. A method for testing a semiconductor device, wherein an external lead (8) of the semiconductor device (1) is electrically contacted with a contactor (10) to test the electrical characteristics of the semiconductor device (1). The insertion part (10a) is attached to the contact (10) so that the contact area with the external lead (8) of the semiconductor device (1) becomes large.
2) is formed, and the external lead (8) is inserted into the insertion portion (10a2) of the contactor (10) to make an electrical contact.
【請求項2】 半導体装置(1)の外部リード(8)と
接触子(10)とを接触させ、該半導体装置(1)の電
気的特性を試験する半導体装置の試験方法において、 上記半導体装置(1)の外部リード(8)を接触子(1
0)に案内し、 上記外部リード(8)と上記接触子(10)との接触を
行いながら該外部リード(8)を整形する構成としたこ
とを特徴とする半導体装置の試験方法。
2. A semiconductor device testing method for testing the electrical characteristics of the semiconductor device (1) by bringing the external leads (8) of the semiconductor device (1) into contact with a contactor (10). Connect the external lead (8) of (1) to the contact (1
0), and the outer lead (8) is shaped while the outer lead (8) and the contactor (10) are brought into contact with each other.
【請求項3】 半導体装置(1)の外部リード(8)と
電気的に接触し、該半導体装置(1)の電気的特性の試
験に使用される半導体装置の試験治具において、 上記半導体装置(1)の外部リード(8)との接触面積
が大となるように形成された挿入部(10a2 )を有す
る導電体(10a)を備える接触子(10)よりなる構
成としたことを特徴とする半導体装置の試験治具。
3. A test jig for a semiconductor device, which is electrically contacted with an external lead (8) of the semiconductor device (1) and is used for testing the electrical characteristics of the semiconductor device (1), (1) A contactor (10) having a conductor (10a) having an insertion portion (10a2) formed so as to have a large contact area with the external lead (8). A test jig for semiconductor devices.
【請求項4】 半導体装置(1)のメッキされた外部リ
ード(8)と接触し、該半導体装置(1)の電気的特性
の試験に使用される半導体装置の試験治具において、 上記メッキされた外部リード(8)との接触面積が大と
なるように形成されるとともに、弾性変形可能に形成さ
れた挿入部(10a2 )を有する導電体(10a)を備
える接触子(10)よりなる、 構成とした半導体装置の試験治具。
4. A test jig for a semiconductor device, which is in contact with a plated external lead (8) of the semiconductor device (1) and is used for testing the electrical characteristics of the semiconductor device (1), wherein And a contactor (10) having a conductor (10a) which is formed so as to have a large contact area with the external lead (8) and has an elastically deformable insertion portion (10a2). A test jig for the configured semiconductor device.
【請求項5】 半導体装置(1)の外部リード(8)と
電気的に接触し、該半導体装置(1)の電気的特性の試
験に使用される半導体装置の試験治具において、 上記半導体装置(1)の外部リード(8)と電気的に接
触可能な内導体(10a)と、 この内導体(10a)を電気的にシールドする外導体
(10b)と、 この外導体(10b)と上記内導体(10a)とを電気
的に絶縁する絶縁体(10c)と、を備える接触子(1
0)よりなる構成としたことを特徴とする半導体装置の
試験治具。
5. A test jig for a semiconductor device, which is in electrical contact with an external lead (8) of the semiconductor device (1) and is used to test the electrical characteristics of the semiconductor device (1), The inner conductor (10a) capable of electrically contacting the outer lead (8) of (1), the outer conductor (10b) that electrically shields the inner conductor (10a), the outer conductor (10b), and the above An insulator (10c) electrically insulating the inner conductor (10a);
0) A test jig for a semiconductor device, characterized in that
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102257672A (en) * 2009-10-21 2011-11-23 松下电器产业株式会社 Antenna device

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US8711053B2 (en) 2009-10-21 2014-04-29 Panasonic Corporation Antenna device

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