JPH07307478A - 半導体加速度センサ及びその製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH07307478A JPH07307478A JP7023162A JP2316295A JPH07307478A JP H07307478 A JPH07307478 A JP H07307478A JP 7023162 A JP7023162 A JP 7023162A JP 2316295 A JP2316295 A JP 2316295A JP H07307478 A JPH07307478 A JP H07307478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- gate electrode
- acceleration
- source
- electrode portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
- G01P15/124—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by semiconductor devices comprising at least one PN junction, e.g. transistors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P1/00—Details of instruments
- G01P1/006—Details of instruments used for thermal compensation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S73/00—Measuring and testing
- Y10S73/01—Vibration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ゲート電極部を半導体基板に対して平行に保
つことができるＭＩＳＦＥＴ型加速度センサ及びその製
造方法を提供することにある。 【構成】 シリコン基板１の上方には、可動部５が所定
の間隔を隔てて配置されている。この可動部５は梁部
８，９，１０，１１と重り部１２と可動電極部１３，１
４とを備えている。可動部５の各梁部８，９，１０，１
１には、ブリッジ２３が配置され、ブリッジ２３は梁部
８，９，１０，１１の周囲に所定間隔を隔てて位置し、
梁部８，９，１０，１１の可動範囲を制限している。シ
リコン基板１における可動電極部１３，１４の両側に不
純物拡散層よりなる固定電極１５，１６，１７，１８が
形成され、加速度による可動電極部１３，１４との相対
的位置の変化により固定電極１５，１６間および固定電
極１７，１８間に流れる電流が変化する。
つことができるＭＩＳＦＥＴ型加速度センサ及びその製
造方法を提供することにある。 【構成】 シリコン基板１の上方には、可動部５が所定
の間隔を隔てて配置されている。この可動部５は梁部
８，９，１０，１１と重り部１２と可動電極部１３，１
４とを備えている。可動部５の各梁部８，９，１０，１
１には、ブリッジ２３が配置され、ブリッジ２３は梁部
８，９，１０，１１の周囲に所定間隔を隔てて位置し、
梁部８，９，１０，１１の可動範囲を制限している。シ
リコン基板１における可動電極部１３，１４の両側に不
純物拡散層よりなる固定電極１５，１６，１７，１８が
形成され、加速度による可動電極部１３，１４との相対
的位置の変化により固定電極１５，１６間および固定電
極１７，１８間に流れる電流が変化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体加速度センサに
係り、詳しくは、ＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕ
ｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ
Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）型の半導体加
速度センサに関するものである。
係り、詳しくは、ＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕ
ｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ
Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）型の半導体加
速度センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、自動車用の加速度センサにおいて
低加速度レベル、低周波数レベルを精度良く検出でき、
安価で大量生産に向いている方式として半導体加速度セ
ンサが有望視されており、その中でも低加速度レベル，
低周波数レベルを精度良く検出でき、安価で大量生産に
向いている方式として、特開平２−１３４５７０号公報
に開示された静電容量式加速度センサや、特開平４−２
５７６４号公報に開示されたＭＩＳＦＥＴ型加速度セン
サがある。そして、この中でも特に小型化が可能なもの
として、後者のＭＩＳＦＥＴ型加速度センサが有望視さ
れている。図３９，４０は特開平４−２５７６４号公報
に示されたＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図であ
る。これは、加速度検出基板９１に梁状部を介して保持
されたゲート電極９３が加速度に伴って上下運動する
と、Ｐ型半導体基板９２内に形成されるチャネル領域の
キャリア密度が変化し、ソース・ドレイン間に流れる電
流量が増減することを利用して加速度を検出するもので
ある。尚、図中、９４はカンチレバー、９５はソース電
極、９６はドレイン電極、９７は溝、９８，９９，１０
０は配線、１０１はパッケージである。
低加速度レベル、低周波数レベルを精度良く検出でき、
安価で大量生産に向いている方式として半導体加速度セ
ンサが有望視されており、その中でも低加速度レベル，
低周波数レベルを精度良く検出でき、安価で大量生産に
向いている方式として、特開平２−１３４５７０号公報
に開示された静電容量式加速度センサや、特開平４−２
５７６４号公報に開示されたＭＩＳＦＥＴ型加速度セン
サがある。そして、この中でも特に小型化が可能なもの
として、後者のＭＩＳＦＥＴ型加速度センサが有望視さ
れている。図３９，４０は特開平４−２５７６４号公報
に示されたＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図であ
る。これは、加速度検出基板９１に梁状部を介して保持
されたゲート電極９３が加速度に伴って上下運動する
と、Ｐ型半導体基板９２内に形成されるチャネル領域の
キャリア密度が変化し、ソース・ドレイン間に流れる電
流量が増減することを利用して加速度を検出するもので
ある。尚、図中、９４はカンチレバー、９５はソース電
極、９６はドレイン電極、９７は溝、９８，９９，１０
０は配線、１０１はパッケージである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図３９，４０
に示された従来のＭＩＳＦＥＴ型加速度センサはゲート
電極９３を取り付けたカンチレバー９４が一本の梁状部
によって加速度検出基板９１に保持されているため、梁
状部がねじれた場合に検出誤差が大きくなってしまうと
いう問題が生じた。即ち、静電容量式加速度センサでは
二枚の電極間に加速度を検出する可動電極が取り付けら
れた構造になっているため、可動電極がねじれた場合に
おいてもその変化が相殺されて問題とならないが、ＭＩ
ＳＦＥＴ型加速度センサにおいて可動電極のねじれが生
じた場合、検出誤差や誤作動を引き起こしてしまう。
に示された従来のＭＩＳＦＥＴ型加速度センサはゲート
電極９３を取り付けたカンチレバー９４が一本の梁状部
によって加速度検出基板９１に保持されているため、梁
状部がねじれた場合に検出誤差が大きくなってしまうと
いう問題が生じた。即ち、静電容量式加速度センサでは
二枚の電極間に加速度を検出する可動電極が取り付けら
れた構造になっているため、可動電極がねじれた場合に
おいてもその変化が相殺されて問題とならないが、ＭＩ
ＳＦＥＴ型加速度センサにおいて可動電極のねじれが生
じた場合、検出誤差や誤作動を引き起こしてしまう。
【０００４】そこで、この発明の目的は、ゲート電極部
を半導体基板に対して平行に保つことができるＭＩＳＦ
ＥＴ型加速度センサ及びその製造方法を提供することに
ある。
を半導体基板に対して平行に保つことができるＭＩＳＦ
ＥＴ型加速度センサ及びその製造方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔
を隔てて両持ち梁状部によって支えられ、加速度に伴っ
て変位するゲート電極部と、前記半導体基板に不純物拡
散層を形成することで構成され、加速度による前記ゲー
ト電極部との相対的位置の変化により、流れる電流が変
化するソース・ドレイン部とを備える半導体加速度セン
サをその要旨とする。
は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔
を隔てて両持ち梁状部によって支えられ、加速度に伴っ
て変位するゲート電極部と、前記半導体基板に不純物拡
散層を形成することで構成され、加速度による前記ゲー
ト電極部との相対的位置の変化により、流れる電流が変
化するソース・ドレイン部とを備える半導体加速度セン
サをその要旨とする。
【０００６】請求項２に記載の発明は、半導体基板と、
前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて両持ち梁状
部によって支えられ、加速度に伴って変位するゲート電
極部と、前記半導体基板に設けられ、前記ゲート電極部
の可動範囲を制限する可動範囲制限部材と、前記半導体
基板に不純物拡散層を形成することで構成され、加速度
による前記ゲート電極部との相対的位置の変化により、
流れる電流が変化するソース・ドレイン部とを備える半
導体加速度センサをその要旨とする。
前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて両持ち梁状
部によって支えられ、加速度に伴って変位するゲート電
極部と、前記半導体基板に設けられ、前記ゲート電極部
の可動範囲を制限する可動範囲制限部材と、前記半導体
基板に不純物拡散層を形成することで構成され、加速度
による前記ゲート電極部との相対的位置の変化により、
流れる電流が変化するソース・ドレイン部とを備える半
導体加速度センサをその要旨とする。
【０００７】請求項３に記載の発明は、半導体基板と、
前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて両持ち梁状
部によって支えられ、加速度に伴って変位するゲート電
極部と、前記半導体基板に設けられ、前記ゲート電極部
の可動範囲を制限する可動範囲制限部材と、前記半導体
基板に不純物拡散層を形成することで構成され、加速度
による前記ゲート電極部との相対的位置の変化により、
流れる電流が変化するソース・ドレイン部とを備えた半
導体加速度センサの製造方法であって、前記ゲート電極
部の配線またはソース・ドレイン部の配線の少なくとも
いずれか一方と前記可動範囲制限部材とを同一材料にて
同時に形成するようにした半導体加速度センサの製造方
法をその要旨とする。
前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて両持ち梁状
部によって支えられ、加速度に伴って変位するゲート電
極部と、前記半導体基板に設けられ、前記ゲート電極部
の可動範囲を制限する可動範囲制限部材と、前記半導体
基板に不純物拡散層を形成することで構成され、加速度
による前記ゲート電極部との相対的位置の変化により、
流れる電流が変化するソース・ドレイン部とを備えた半
導体加速度センサの製造方法であって、前記ゲート電極
部の配線またはソース・ドレイン部の配線の少なくとも
いずれか一方と前記可動範囲制限部材とを同一材料にて
同時に形成するようにした半導体加速度センサの製造方
法をその要旨とする。
【０００８】請求項４に記載の発明は、半導体基板と、
前記半導体基板の上方に配置された両持ち梁部と、前記
両持ち梁部に設けられ、重心を両持ち梁部の軸線上から
ズラすための重り部と、前記半導体基板の上方に所定の
間隔を隔てた状態で前記両持ち梁部の両側からそれぞれ
突設され、半導体基板の表面に垂直な加速度に伴って半
導体基板との距離が互いに逆相で変位する第１および第
２のゲート電極部と、前記半導体基板に不純物拡散層を
形成することで構成され、前記加速度による前記第１の
ゲート電極部との距離の変化により、流れる電流が変化
する第１のソース・ドレイン部と、前記半導体基板に不
純物拡散層を形成することで構成され、前記加速度によ
る前記第２のゲート電極部との距離の変化により流れる
電流が変化する第２のソース・ドレイン部とを備える半
導体加速度センサをその要旨とする。
前記半導体基板の上方に配置された両持ち梁部と、前記
両持ち梁部に設けられ、重心を両持ち梁部の軸線上から
ズラすための重り部と、前記半導体基板の上方に所定の
間隔を隔てた状態で前記両持ち梁部の両側からそれぞれ
突設され、半導体基板の表面に垂直な加速度に伴って半
導体基板との距離が互いに逆相で変位する第１および第
２のゲート電極部と、前記半導体基板に不純物拡散層を
形成することで構成され、前記加速度による前記第１の
ゲート電極部との距離の変化により、流れる電流が変化
する第１のソース・ドレイン部と、前記半導体基板に不
純物拡散層を形成することで構成され、前記加速度によ
る前記第２のゲート電極部との距離の変化により流れる
電流が変化する第２のソース・ドレイン部とを備える半
導体加速度センサをその要旨とする。
【０００９】請求項５に記載の発明は、半導体基板と、
前記半導体基板の上に配置された両持ち梁構造の可動部
と、前記可動部に前記半導体基板の上方に所定の間隔を
隔てた状態で設けられ、半導体基板の表面に平行な加速
度検出方向に対し直交する方向に延びる帯状のゲート電
極部と、前記ゲート電極部の下方での前記半導体基板に
おける前記加速度検出方向に対し直交方向に並設され、
かつ、加速度検出方向に延びる不純物拡散層を形成する
ことで構成され、前記加速度検出方向への前記ゲート電
極部の変位により、流れる電流が変化する第１のソース
・ドレイン部と、前記ゲート電極部の下方での前記半導
体基板における前記加速度検出方向に対し直交方向に並
設され、かつ、加速度検出方向に延びる不純物拡散層を
形成することで構成され、前記加速度検出方向への前記
ゲート電極部の変位により、流れる電流が前記第１のソ
ース・ドレイン部での電流とは逆相で変化する第２のソ
ース・ドレイン部とを備える半導体加速度センサをその
要旨とする。
前記半導体基板の上に配置された両持ち梁構造の可動部
と、前記可動部に前記半導体基板の上方に所定の間隔を
隔てた状態で設けられ、半導体基板の表面に平行な加速
度検出方向に対し直交する方向に延びる帯状のゲート電
極部と、前記ゲート電極部の下方での前記半導体基板に
おける前記加速度検出方向に対し直交方向に並設され、
かつ、加速度検出方向に延びる不純物拡散層を形成する
ことで構成され、前記加速度検出方向への前記ゲート電
極部の変位により、流れる電流が変化する第１のソース
・ドレイン部と、前記ゲート電極部の下方での前記半導
体基板における前記加速度検出方向に対し直交方向に並
設され、かつ、加速度検出方向に延びる不純物拡散層を
形成することで構成され、前記加速度検出方向への前記
ゲート電極部の変位により、流れる電流が前記第１のソ
ース・ドレイン部での電流とは逆相で変化する第２のソ
ース・ドレイン部とを備える半導体加速度センサをその
要旨とする。
【００１０】請求項６に記載の発明は、半導体基板と、
前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて両持ち梁状
部によって支えられ、前記半導体基板の表面に平行な加
速度検出方向において対向する面を有するゲート電極部
と、前記ゲート電極部の下方での前記半導体基板におけ
る前記加速度検出方向に対し直交方向に並設され、か
つ、加速度検出方向に延びる不純物拡散層を形成するこ
とで構成され、前記加速度検出方向への前記ゲート電極
部の一方の対向面の変位により、流れる電流が変化する
第１のソース・ドレイン部と、前記ゲート電極部の下方
での前記半導体基板における前記加速度検出方向に対し
直交方向に並設され、かつ、加速度検出方向に延びる不
純物拡散層を形成することで構成され、前記加速度検出
方向への前記ゲート電極部の他方の対向面の変位によ
り、流れる電流が前記第１のソース・ドレイン部での電
流とは逆相で変化する第２のソース・ドレイン部とを備
える半導体加速度センサをその要旨とする。
前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて両持ち梁状
部によって支えられ、前記半導体基板の表面に平行な加
速度検出方向において対向する面を有するゲート電極部
と、前記ゲート電極部の下方での前記半導体基板におけ
る前記加速度検出方向に対し直交方向に並設され、か
つ、加速度検出方向に延びる不純物拡散層を形成するこ
とで構成され、前記加速度検出方向への前記ゲート電極
部の一方の対向面の変位により、流れる電流が変化する
第１のソース・ドレイン部と、前記ゲート電極部の下方
での前記半導体基板における前記加速度検出方向に対し
直交方向に並設され、かつ、加速度検出方向に延びる不
純物拡散層を形成することで構成され、前記加速度検出
方向への前記ゲート電極部の他方の対向面の変位によ
り、流れる電流が前記第１のソース・ドレイン部での電
流とは逆相で変化する第２のソース・ドレイン部とを備
える半導体加速度センサをその要旨とする。
【００１１】請求項７に記載の発明は、半導体基板と、
前記半導体基板の上に配置された両持ち梁構造の可動部
と、前記可動部に前記半導体基板の上方に所定の間隔を
隔てた状態で設けられ、半導体基板の表面に平行な加速
度検出方向に延びる帯状の第１のゲート電極部と、前記
可動部に前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てた状
態で設けられ、半導体基板の表面に平行な加速度検出方
向において前記第１のゲート電極部とは反対の向きに延
びる帯状の第２のゲート電極部と、前記第１のゲート電
極部の下方での前記半導体基板における前記加速度検出
方向に対し直交方向に並設され、かつ、加速度検出方向
に延びる不純物拡散層を形成することで構成され、前記
加速度検出方向への前記第１のゲート電極部の変位によ
り、流れる電流が変化する第１のソース・ドレイン部
と、前記第２のゲート電極部の下方での前記半導体基板
における前記加速度検出方向に対し直交方向に並設さ
れ、かつ、加速度検出方向に延びる不純物拡散層を形成
することで構成され、前記加速度検出方向への前記第２
のゲート電極部の変位により、流れる電流が前記第１の
ソース・ドレイン部での電流とは逆相で変化する第２の
ソース・ドレイン部とを備える半導体加速度センサをそ
の要旨とする。
前記半導体基板の上に配置された両持ち梁構造の可動部
と、前記可動部に前記半導体基板の上方に所定の間隔を
隔てた状態で設けられ、半導体基板の表面に平行な加速
度検出方向に延びる帯状の第１のゲート電極部と、前記
可動部に前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てた状
態で設けられ、半導体基板の表面に平行な加速度検出方
向において前記第１のゲート電極部とは反対の向きに延
びる帯状の第２のゲート電極部と、前記第１のゲート電
極部の下方での前記半導体基板における前記加速度検出
方向に対し直交方向に並設され、かつ、加速度検出方向
に延びる不純物拡散層を形成することで構成され、前記
加速度検出方向への前記第１のゲート電極部の変位によ
り、流れる電流が変化する第１のソース・ドレイン部
と、前記第２のゲート電極部の下方での前記半導体基板
における前記加速度検出方向に対し直交方向に並設さ
れ、かつ、加速度検出方向に延びる不純物拡散層を形成
することで構成され、前記加速度検出方向への前記第２
のゲート電極部の変位により、流れる電流が前記第１の
ソース・ドレイン部での電流とは逆相で変化する第２の
ソース・ドレイン部とを備える半導体加速度センサをそ
の要旨とする。
【００１２】請求項８に記載の発明は、半導体基板と、
前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて両持ち梁状
部によって支えられ、加速度に伴って変位するゲート電
極部と、前記半導体基板に不純物拡散層を形成すること
で構成され、半導体基板の表面に平行な加速度検出方向
に直交する方向においてその離間距離を変えて配置さ
れ、前記加速度検出方向への前記ゲート電極部の変位に
より、流れる電流が変化するソース・ドレイン部とを備
える半導体加速度センサをその要旨とする。
前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて両持ち梁状
部によって支えられ、加速度に伴って変位するゲート電
極部と、前記半導体基板に不純物拡散層を形成すること
で構成され、半導体基板の表面に平行な加速度検出方向
に直交する方向においてその離間距離を変えて配置さ
れ、前記加速度検出方向への前記ゲート電極部の変位に
より、流れる電流が変化するソース・ドレイン部とを備
える半導体加速度センサをその要旨とする。
【００１３】
【作用】請求項１に記載の発明によれば、加速度が加わ
ると、ソース・ドレイン部とゲート電極部との相対的位
置が変化し、この位置変化によりソース・ドレイン部に
流れる電流が変化して加速度が検出される。又、本構成
では、ゲート電極部が両持ち梁状部によって支えられて
いるので、ゲート電極部のねじれが防止される。
ると、ソース・ドレイン部とゲート電極部との相対的位
置が変化し、この位置変化によりソース・ドレイン部に
流れる電流が変化して加速度が検出される。又、本構成
では、ゲート電極部が両持ち梁状部によって支えられて
いるので、ゲート電極部のねじれが防止される。
【００１４】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、可動範囲制限部材によりゲ
ート電極部の可動範囲が制限される。よって、突発的に
大きな力（加速度）が加わった場合においても梁状部が
破損してしまうことが防止される。
に記載の発明の作用に加え、可動範囲制限部材によりゲ
ート電極部の可動範囲が制限される。よって、突発的に
大きな力（加速度）が加わった場合においても梁状部が
破損してしまうことが防止される。
【００１５】請求項３に記載の発明によれば、ゲート電
極部の配線またはソース・ドレイン部の配線の少なくと
もいずれか一方と可動範囲制限部材とが同一材料にて同
時に形成される。その結果、プロセスを増やすことなく
請求項２に記載の半導体加速度センサが製造される。
極部の配線またはソース・ドレイン部の配線の少なくと
もいずれか一方と可動範囲制限部材とが同一材料にて同
時に形成される。その結果、プロセスを増やすことなく
請求項２に記載の半導体加速度センサが製造される。
【００１６】請求項４に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、重り部にて重心が両持ち梁
部の軸線上からズレており、半導体基板の表面に垂直な
加速度が加わると、両持ち梁部にねじりが発生して各ゲ
ート電極部における半導体基板との距離が互いに逆相で
変位する。その結果、各ゲート電極部に対応して設けら
れたソース・ドレイン部におけるドレイン電流が逆相で
変化し、その電流を差動回路にて検出することができ
る。
に記載の発明の作用に加え、重り部にて重心が両持ち梁
部の軸線上からズレており、半導体基板の表面に垂直な
加速度が加わると、両持ち梁部にねじりが発生して各ゲ
ート電極部における半導体基板との距離が互いに逆相で
変位する。その結果、各ゲート電極部に対応して設けら
れたソース・ドレイン部におけるドレイン電流が逆相で
変化し、その電流を差動回路にて検出することができ
る。
【００１７】請求項５に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、加速度が加わると、半導体
基板の表面に平行な加速度検出方向にゲート電極部が変
位し、第１のソース・ドレイン部を流れる電流と第２の
ソース・ドレイン部を流れる電流とが互いに逆相にて変
化する。又、本構成では、第１のソース・ドレイン部と
第２のソース・ドレイン部とが接近して配置される。
に記載の発明の作用に加え、加速度が加わると、半導体
基板の表面に平行な加速度検出方向にゲート電極部が変
位し、第１のソース・ドレイン部を流れる電流と第２の
ソース・ドレイン部を流れる電流とが互いに逆相にて変
化する。又、本構成では、第１のソース・ドレイン部と
第２のソース・ドレイン部とが接近して配置される。
【００１８】請求項６に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、加速度が加わると、半導体
基板の表面に平行な加速度検出方向にゲート電極部が変
位し、第１のソース・ドレイン部を流れる電流と第２の
ソース・ドレイン部を流れる電流とが互いに逆相にて変
化する。又、本構成では、第１のソース・ドレイン部と
第２のソース・ドレイン部とが接近して配置される。
に記載の発明の作用に加え、加速度が加わると、半導体
基板の表面に平行な加速度検出方向にゲート電極部が変
位し、第１のソース・ドレイン部を流れる電流と第２の
ソース・ドレイン部を流れる電流とが互いに逆相にて変
化する。又、本構成では、第１のソース・ドレイン部と
第２のソース・ドレイン部とが接近して配置される。
【００１９】請求項７に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、加速度が加わると、半導体
基板の表面に平行な加速度検出方向に第１および第２の
ゲート電極部が変位し、第１のソース・ドレイン部を流
れる電流と第２のソース・ドレイン部を流れる電流とが
互いに逆相にて変化する。又、本構成では、第１のソー
ス・ドレイン部と第２のソース・ドレイン部とが接近し
て配置される。
に記載の発明の作用に加え、加速度が加わると、半導体
基板の表面に平行な加速度検出方向に第１および第２の
ゲート電極部が変位し、第１のソース・ドレイン部を流
れる電流と第２のソース・ドレイン部を流れる電流とが
互いに逆相にて変化する。又、本構成では、第１のソー
ス・ドレイン部と第２のソース・ドレイン部とが接近し
て配置される。
【００２０】請求項８に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、加速度が加わると半導体基
板の表面に平行な加速度検出方向にゲート電極部が変位
するが、その変位に伴いソース・ドレイン部での加速度
検出方向に直交するチャネル長も変化し、ソース・ドレ
イン間を等距離にした場合に比べドレイン電流の変化が
大きくなる。
に記載の発明の作用に加え、加速度が加わると半導体基
板の表面に平行な加速度検出方向にゲート電極部が変位
するが、その変位に伴いソース・ドレイン部での加速度
検出方向に直交するチャネル長も変化し、ソース・ドレ
イン間を等距離にした場合に比べドレイン電流の変化が
大きくなる。
【００２１】
（第１実施例）以下、この発明を具体化した第１実施例
を図面に従って説明する。
を図面に従って説明する。
【００２２】図１は、本実施例の半導体加速度センサの
平面図を示す。又、図２には図１のＡ−Ａ断面を示し、
図３には図１のＢ−Ｂ断面を示し、図４には図１のＣ−
Ｃ断面を示し、図５には図１のＤ−Ｄ断面を示す。
平面図を示す。又、図２には図１のＡ−Ａ断面を示し、
図３には図１のＢ−Ｂ断面を示し、図４には図１のＣ−
Ｃ断面を示し、図５には図１のＤ−Ｄ断面を示す。
【００２３】半導体基板としてのＰ型シリコン基板１に
はゲート絶縁膜としてのシリコン窒化膜２が全面に形成
されている。このシリコン窒化膜２は基板表面のリーク
電流を低減するとともにトランジスタ特性の経時変化を
抑制するためのものである。シリコン窒化膜２の上には
所定の厚みを有するシリコン酸化膜３，４が形成されて
いる。このシリコン酸化膜３，４は帯状をなし、直線的
にかつ互いに平行に延設されている。シリコン酸化膜
３，４上にはポリシリコン薄膜よりなる可動部５が架設
されている。この可動部５は、アンカー部６，７と梁部
８，９，１０，１１と重り部１２とゲート電極部として
の可動電極部１３，１４とからなり、梁部８，９，１
０，１１と重り部１２と可動電極部１３，１４とがシリ
コン基板１（シリコン窒化膜２）の上方に所定の間隔を
隔てて配置されている。シリコン酸化膜３，４上には、
このシリコン酸化膜３，４と同一寸法のアンカー部６，
７が配置され、アンカー部６，７から帯状の梁部８，
９，１０，１１が延び、四角形状の重り部１２が支持さ
れている。重り部１２には長方形状の可動電極部１３，
１４が相反する方向に突設されている。つまり、可動電
極部１３，１４は両持ち梁状部（梁部８，９，１０，１
１）によって支えられ、シリコン基板１の表面に垂直な
方向と平行な方向とに変位できるようになっている。
はゲート絶縁膜としてのシリコン窒化膜２が全面に形成
されている。このシリコン窒化膜２は基板表面のリーク
電流を低減するとともにトランジスタ特性の経時変化を
抑制するためのものである。シリコン窒化膜２の上には
所定の厚みを有するシリコン酸化膜３，４が形成されて
いる。このシリコン酸化膜３，４は帯状をなし、直線的
にかつ互いに平行に延設されている。シリコン酸化膜
３，４上にはポリシリコン薄膜よりなる可動部５が架設
されている。この可動部５は、アンカー部６，７と梁部
８，９，１０，１１と重り部１２とゲート電極部として
の可動電極部１３，１４とからなり、梁部８，９，１
０，１１と重り部１２と可動電極部１３，１４とがシリ
コン基板１（シリコン窒化膜２）の上方に所定の間隔を
隔てて配置されている。シリコン酸化膜３，４上には、
このシリコン酸化膜３，４と同一寸法のアンカー部６，
７が配置され、アンカー部６，７から帯状の梁部８，
９，１０，１１が延び、四角形状の重り部１２が支持さ
れている。重り部１２には長方形状の可動電極部１３，
１４が相反する方向に突設されている。つまり、可動電
極部１３，１４は両持ち梁状部（梁部８，９，１０，１
１）によって支えられ、シリコン基板１の表面に垂直な
方向と平行な方向とに変位できるようになっている。
【００２４】図４に示すように、可動部５の可動電極部
１４の下方でのシリコン基板１には、可動電極部１４に
対しその両側にＮ型不純物拡散層よりなるソース・ドレ
イン部としての固定電極１５，１６が形成されている。
同様に、図１に示すように、可動部５の可動電極部１３
の下方でのシリコン基板１には、可動電極部１３に対し
その両側にＮ型不純物拡散層よりなるソース・ドレイン
部としての固定電極１７，１８が形成されている。図４
に示すように、シリコン基板１における固定電極１５，
１６間にはチャネル領域１９が形成され、同チャネル領
域１９はシリコン基板１と可動電極部１４との間に電圧
を印加することにより生じたものである。そして、固定
電極１５，１６間に電圧を印加することによりこのチャ
ネル領域１９にドレイン電流が流れる。同様に、シリコ
ン基板１における固定電極１７，１８間にはチャネル領
域（図示略）が形成され、同チャネル領域はシリコン基
板１と可動電極部１３との間に電圧を印加することによ
り生じたものである。そして、固定電極１７，１８間に
電圧を印加することによりこのチャネル領域にドレイン
電流が流れる。
１４の下方でのシリコン基板１には、可動電極部１４に
対しその両側にＮ型不純物拡散層よりなるソース・ドレ
イン部としての固定電極１５，１６が形成されている。
同様に、図１に示すように、可動部５の可動電極部１３
の下方でのシリコン基板１には、可動電極部１３に対し
その両側にＮ型不純物拡散層よりなるソース・ドレイン
部としての固定電極１７，１８が形成されている。図４
に示すように、シリコン基板１における固定電極１５，
１６間にはチャネル領域１９が形成され、同チャネル領
域１９はシリコン基板１と可動電極部１４との間に電圧
を印加することにより生じたものである。そして、固定
電極１５，１６間に電圧を印加することによりこのチャ
ネル領域１９にドレイン電流が流れる。同様に、シリコ
ン基板１における固定電極１７，１８間にはチャネル領
域（図示略）が形成され、同チャネル領域はシリコン基
板１と可動電極部１３との間に電圧を印加することによ
り生じたものである。そして、固定電極１７，１８間に
電圧を印加することによりこのチャネル領域にドレイン
電流が流れる。
【００２５】可動部５のアンカー部６の上には層間絶縁
膜２０が形成され、その層間絶縁膜２０には開口部２１
が形成されている（図１，２参照）。この開口部２１内
にはアルミ配線２２が形成され、アルミ配線２２と可動
部５との電気的コンタクトがとられている。アルミ配線
２２は、図１，３に示すように、層間絶縁膜２０上を延
設され、さらに、シリコン基板１上に延びている。
膜２０が形成され、その層間絶縁膜２０には開口部２１
が形成されている（図１，２参照）。この開口部２１内
にはアルミ配線２２が形成され、アルミ配線２２と可動
部５との電気的コンタクトがとられている。アルミ配線
２２は、図１，３に示すように、層間絶縁膜２０上を延
設され、さらに、シリコン基板１上に延びている。
【００２６】図１に示すように、可動部５の各梁部８，
９，１０，１１における重り部１２の近接位置には、そ
れぞれ可動範囲制限部材としてのブリッジ２３が配置さ
れている。図５に示すように、ブリッジ２３は全体とし
て帯状をなし、アルミよりなる。又、ブリッジ２３はア
ンカー部２４とストッパ部２５とからなる。アンカー部
２４がシリコン基板１に固定されるとともに、ストッパ
部２５が梁部８，９，１０，１１の周囲に所定間隔を隔
てて配置されている。つまり、基板表面に平行な方向と
垂直な方向に所定の間隔を隔てて配置されている。そし
て、このブリッジ２３により梁部８，９，１０，１１の
可動範囲が制限されている。
９，１０，１１における重り部１２の近接位置には、そ
れぞれ可動範囲制限部材としてのブリッジ２３が配置さ
れている。図５に示すように、ブリッジ２３は全体とし
て帯状をなし、アルミよりなる。又、ブリッジ２３はア
ンカー部２４とストッパ部２５とからなる。アンカー部
２４がシリコン基板１に固定されるとともに、ストッパ
部２５が梁部８，９，１０，１１の周囲に所定間隔を隔
てて配置されている。つまり、基板表面に平行な方向と
垂直な方向に所定の間隔を隔てて配置されている。そし
て、このブリッジ２３により梁部８，９，１０，１１の
可動範囲が制限されている。
【００２７】又、シリコン基板１の表面には、可動部５
と対向した部分での固定電極１５，１６，１７，１８の
ない領域においてＮ型不純物拡散層よりなる下部電極２
６が形成されている。この下部電極２６は可動部５の電
位と等電位に保たれており、シリコン基板１と可動部５
との間で発生する静電気力を抑えるものである。又、上
記ブリッジ２３は下部電極２６と接続されており、下部
電極２６とブリッジ２３は等電位である。
と対向した部分での固定電極１５，１６，１７，１８の
ない領域においてＮ型不純物拡散層よりなる下部電極２
６が形成されている。この下部電極２６は可動部５の電
位と等電位に保たれており、シリコン基板１と可動部５
との間で発生する静電気力を抑えるものである。又、上
記ブリッジ２３は下部電極２６と接続されており、下部
電極２６とブリッジ２３は等電位である。
【００２８】シリコン基板１における可動部５の配置領
域の周辺には周辺回路（図示略）が形成されている。そ
して、周辺回路とアルミ配線２２とが接続されるととも
に、周辺回路と固定電極１５，１６，１７，１８とが電
気的に接続され、さらに、周辺回路と下部電極２６とが
電気的に接続されている。
域の周辺には周辺回路（図示略）が形成されている。そ
して、周辺回路とアルミ配線２２とが接続されるととも
に、周辺回路と固定電極１５，１６，１７，１８とが電
気的に接続され、さらに、周辺回路と下部電極２６とが
電気的に接続されている。
【００２９】次に、この半導体加速度センサの動作を説
明する。可動部５とシリコン基板１との間、および固定
電極１５，１６（１７，１８）間に電圧をかけると、チ
ャネル領域１９が形成され、固定電極１５，１６（１
７，１８）間に電流が流れる。ここで、本加速度センサ
が加速度を受けて、図１に示すＸ+ 方向（基板１の表面
に平行な方向）に可動電極部１３，１４（可動部５）が
変位した場合には、固定電極間のチャネル領域の面積
（トランジスタでいうチャネル幅）が変わることによ
り、固定電極１５，１６に流れる電流は減少し、固定電
極１７，１８に流れる電流は増大する。又、図１に示す
Ｘ- 方向（基板１の表面に平行な方向）に可動電極部１
３，１４（可動部５）が変位した場合には、固定電極間
のチャネル領域の面積（トランジスタでいうチャネル
幅）が変わることにより、固定電極１５，１６に流れる
電流は増加し、固定電極１７，１８に流れる電流は減少
する。一方、本加速度センサが加速度を受けて、図４に
示すＺ方向（基板１の表面に垂直な方向）に可動電極部
１３，１４が変位した場合には、電界強度の変化によっ
てチャネル領域１９のキャリア濃度が減少するため、前
記電流は同時に減少する。
明する。可動部５とシリコン基板１との間、および固定
電極１５，１６（１７，１８）間に電圧をかけると、チ
ャネル領域１９が形成され、固定電極１５，１６（１
７，１８）間に電流が流れる。ここで、本加速度センサ
が加速度を受けて、図１に示すＸ+ 方向（基板１の表面
に平行な方向）に可動電極部１３，１４（可動部５）が
変位した場合には、固定電極間のチャネル領域の面積
（トランジスタでいうチャネル幅）が変わることによ
り、固定電極１５，１６に流れる電流は減少し、固定電
極１７，１８に流れる電流は増大する。又、図１に示す
Ｘ- 方向（基板１の表面に平行な方向）に可動電極部１
３，１４（可動部５）が変位した場合には、固定電極間
のチャネル領域の面積（トランジスタでいうチャネル
幅）が変わることにより、固定電極１５，１６に流れる
電流は増加し、固定電極１７，１８に流れる電流は減少
する。一方、本加速度センサが加速度を受けて、図４に
示すＺ方向（基板１の表面に垂直な方向）に可動電極部
１３，１４が変位した場合には、電界強度の変化によっ
てチャネル領域１９のキャリア濃度が減少するため、前
記電流は同時に減少する。
【００３０】このように本加速度センサは、加速度によ
る可動電極部１３，１４と固定電極１５，１６，１７，
１８との相対的位置の変化により固定電極１５，１６間
と固定電極１７，１８間に流れる電流が変化し、この電
流変化の大きさ、位相により二次元の加速度を検出する
ことができる。
る可動電極部１３，１４と固定電極１５，１６，１７，
１８との相対的位置の変化により固定電極１５，１６間
と固定電極１７，１８間に流れる電流が変化し、この電
流変化の大きさ、位相により二次元の加速度を検出する
ことができる。
【００３１】又、ブリッジ２３を設けたことにより可動
部５の可動範囲が制限されている。よって、通常の加速
度範囲であれば、正常に加速度センサとして作用する。
又、製造時の落下等により過大な力（加速度）が加わっ
た場合には可動部５はその衝撃力により過大変形しよう
とするがブリッジ２３によりその過大変形が基板表面に
平行および垂直方向ともに抑えられ過大な力（加速度）
による梁部８，９，１０，１１の破壊が回避される。
部５の可動範囲が制限されている。よって、通常の加速
度範囲であれば、正常に加速度センサとして作用する。
又、製造時の落下等により過大な力（加速度）が加わっ
た場合には可動部５はその衝撃力により過大変形しよう
とするがブリッジ２３によりその過大変形が基板表面に
平行および垂直方向ともに抑えられ過大な力（加速度）
による梁部８，９，１０，１１の破壊が回避される。
【００３２】次に、加速度センサの製造工程を、図６〜
図１２を用いて説明する。尚、図６（ａ），図７
（ａ），図８（ａ），図９（ａ），図１０（ａ），図１
１（ａ），図１２（ａ）は、図１におけるＡ−Ａ断面で
の製造工程を示し、図６（ｂ），図７（ｂ），図８
（ｂ），図９（ｂ），図１０（ｂ），図１１（ｂ），図
１２（ｂ）は、図１におけるＢ−Ｂ断面での製造工程を
示す。
図１２を用いて説明する。尚、図６（ａ），図７
（ａ），図８（ａ），図９（ａ），図１０（ａ），図１
１（ａ），図１２（ａ）は、図１におけるＡ−Ａ断面で
の製造工程を示し、図６（ｂ），図７（ｂ），図８
（ｂ），図９（ｂ），図１０（ｂ），図１１（ｂ），図
１２（ｂ）は、図１におけるＢ−Ｂ断面での製造工程を
示す。
【００３３】図６（ａ），（ｂ）に示すように、Ｐ型シ
リコン基板２７を用意し、その表面の所定領域にＮ型不
純物拡散層よりなる下部電極２８並びに図１に示す不純
物拡散層よりなる固定電極１５，１６，１７，１８を形
成するとともに、シリコン基板１の表面にシリコン窒化
膜２９を全面に形成する。そして、図７（ａ），（ｂ）
に示すように、シリコン基板２７の全面にシリコン酸化
膜３０を堆積する。さらに、図８（ａ），（ｂ）に示す
ように、シリコン基板２７の全面に可動部３１となるポ
リシリコン薄膜を堆積し、所定の形状にパターニングす
る。
リコン基板２７を用意し、その表面の所定領域にＮ型不
純物拡散層よりなる下部電極２８並びに図１に示す不純
物拡散層よりなる固定電極１５，１６，１７，１８を形
成するとともに、シリコン基板１の表面にシリコン窒化
膜２９を全面に形成する。そして、図７（ａ），（ｂ）
に示すように、シリコン基板２７の全面にシリコン酸化
膜３０を堆積する。さらに、図８（ａ），（ｂ）に示す
ように、シリコン基板２７の全面に可動部３１となるポ
リシリコン薄膜を堆積し、所定の形状にパターニングす
る。
【００３４】引き続き、図９（ａ），（ｂ）に示すよう
に、シリコン基板２７の全面にＰＳＧ等よりなる層間絶
縁膜３２を堆積する。そして、図１０（ａ），（ｂ）に
示すように、層間絶縁膜３２における可動部３１へのコ
ンタク箇所に開口部３３を形成するとともに、ブリッジ
形成箇所における層間絶縁膜３２およびシリコン酸化膜
３０およびシリコン窒化膜２９に開口部３４を形成す
る。
に、シリコン基板２７の全面にＰＳＧ等よりなる層間絶
縁膜３２を堆積する。そして、図１０（ａ），（ｂ）に
示すように、層間絶縁膜３２における可動部３１へのコ
ンタク箇所に開口部３３を形成するとともに、ブリッジ
形成箇所における層間絶縁膜３２およびシリコン酸化膜
３０およびシリコン窒化膜２９に開口部３４を形成す
る。
【００３５】さらに、図１１（ａ），（ｂ）に示すよう
に、開口部３３，３４の中を含む層間絶縁膜３２の上
に、図１でのゲート電極配線２２およびブリッジ２３と
なるアルミ薄膜３５を堆積し、所定の形状にパターニン
グする。そして、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、
所定領域のシリコン酸化膜３０及び層間絶縁膜３２を残
してシリコン酸化膜３０及び層間絶縁膜３２を犠牲層と
してエッチング除去する。このとき、図５に示すよう
に、梁部８，９，１０，１１とブリッジ２３との間にあ
ったシリコン酸化膜３０並びに層間絶縁膜３２が除去さ
れ、梁部８，９，１０，１１とブリッジ２３との間に空
間が形成される。
に、開口部３３，３４の中を含む層間絶縁膜３２の上
に、図１でのゲート電極配線２２およびブリッジ２３と
なるアルミ薄膜３５を堆積し、所定の形状にパターニン
グする。そして、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、
所定領域のシリコン酸化膜３０及び層間絶縁膜３２を残
してシリコン酸化膜３０及び層間絶縁膜３２を犠牲層と
してエッチング除去する。このとき、図５に示すよう
に、梁部８，９，１０，１１とブリッジ２３との間にあ
ったシリコン酸化膜３０並びに層間絶縁膜３２が除去さ
れ、梁部８，９，１０，１１とブリッジ２３との間に空
間が形成される。
【００３６】引き続き、可動部３１の下のシリコン酸化
膜３０を犠牲層としてエッチング除去して図２，３に示
すように、可動部を可動状態にする。このように本実施
例では、可動電極部１３，１４を両持ち梁にて保持して
いるので、可動電極部１３，１４をシリコン基板１に対
し平行に保つことができる。。その結果、可動電極部１
３，１４に対し基板表面に垂直および平行な方向に加速
度が加わった場合でも可動電極部１３，１４とシリコン
基板１の表面とを平行に保つことができる。よって、固
定電極１５，１６間および固定電極１７，１８間に流れ
る電流の変化を所望の値にでき、極めて正確に加速度検
出を行うことができる。
膜３０を犠牲層としてエッチング除去して図２，３に示
すように、可動部を可動状態にする。このように本実施
例では、可動電極部１３，１４を両持ち梁にて保持して
いるので、可動電極部１３，１４をシリコン基板１に対
し平行に保つことができる。。その結果、可動電極部１
３，１４に対し基板表面に垂直および平行な方向に加速
度が加わった場合でも可動電極部１３，１４とシリコン
基板１の表面とを平行に保つことができる。よって、固
定電極１５，１６間および固定電極１７，１８間に流れ
る電流の変化を所望の値にでき、極めて正確に加速度検
出を行うことができる。
【００３７】又、ブリッジ２３を設けたことにより可動
電極部１３，１４（可動部５）の可動範囲を制限するこ
とができる。従って、可動電極部１３，１４（可動部
５）に対して基板表面に平行な方向だけでなく垂直な方
向に突発的に大きな力（加速度）が加わっても、梁部８
〜１１が破損したり曲がってしまうことがない。よって
耐久性に優れ、常に安定した正確な加速度検出を行うこ
とができる。
電極部１３，１４（可動部５）の可動範囲を制限するこ
とができる。従って、可動電極部１３，１４（可動部
５）に対して基板表面に平行な方向だけでなく垂直な方
向に突発的に大きな力（加速度）が加わっても、梁部８
〜１１が破損したり曲がってしまうことがない。よって
耐久性に優れ、常に安定した正確な加速度検出を行うこ
とができる。
【００３８】さらに、可動電極部１３，１４の配線２２
とブリッジ２３とを同一材料（アルミ）にて同時に形成
するようにしたので、プロセスを増やすことなく容易に
ブリッジ２３を形成することができる。
とブリッジ２３とを同一材料（アルミ）にて同時に形成
するようにしたので、プロセスを増やすことなく容易に
ブリッジ２３を形成することができる。
【００３９】本実施例の応用例を以下に説明する。上記
実施例では可動電極部（ゲート電極部）１３，１４の配
線とブリッジ（可動範囲制限部材）２３とを同一部材に
て同時に形成したが、固定電極（ソース・ドレイン部）
１５，１６，１７，１８の配線とブリッジ２３とを同一
部材にて同時に形成したり、可動電極部１３，１４の配
線および固定電極１５，１６，１７，１８の配線とブリ
ッジ２３とを同一部材にて同時に形成してもよい。
実施例では可動電極部（ゲート電極部）１３，１４の配
線とブリッジ（可動範囲制限部材）２３とを同一部材に
て同時に形成したが、固定電極（ソース・ドレイン部）
１５，１６，１７，１８の配線とブリッジ２３とを同一
部材にて同時に形成したり、可動電極部１３，１４の配
線および固定電極１５，１６，１７，１８の配線とブリ
ッジ２３とを同一部材にて同時に形成してもよい。
【００４０】又、４本の梁部のそれぞれに可動範囲制限
部材であるブリッジ２３を配置したが、ブリッジ２３の
形状，構成位置，数等は任意に変更することができ、例
えば図１３のように二箇所のみとしてもよいし、図１４
のように重り部１２全体を覆う構造としてもよい。
部材であるブリッジ２３を配置したが、ブリッジ２３の
形状，構成位置，数等は任意に変更することができ、例
えば図１３のように二箇所のみとしてもよいし、図１４
のように重り部１２全体を覆う構造としてもよい。
【００４１】又、図１５に示すように、Ｐ型シリコン基
板１上に可動部５の梁部８〜１１と所定の間隔を隔てて
サイドストッパ３６（可動範囲制限部材）を取り付けて
もよい。このサイドストッパ３６はアルミ又はポリシリ
コンよりなり、可動電極部１３，１４のアルミ配線又は
梁状部と同時に形成されたものである。このように、サ
イドストッパ３６を設けたことにより可動部５の可動範
囲を制限することができる。従って、可動部５に対して
基板表面に平行な方向に突発的に大きな加速度が加わっ
ても、梁部８〜１１が破損したり曲がってしまうことが
ない。よって、耐久性に優れ、常に安定した正確な加速
度検出を行うことができる。又、サイドストッパ３６は
アルミ配線又はポリシリコンを形成する過程で同時に形
成されるため、サイドストッパ３６を形成するために特
別な工程を増加する必要はない。尚、図１５において、
サイドストッパ３６は４本の梁部の外側近傍にそれぞれ
一個づつ（計４個）形成しているが、形成する位置，数
は任意に変更しても構わず、例えば図１６のように４本
の梁部８，９，１０，１１の内側近傍にそれぞれ一個づ
つ（計４個）配置したり、図１７のように内側と外側に
それぞれ一個づつ（計８個）配置したり、図１８のよう
に可動部５の変位方向にそれぞれ一個（計２個）配置し
てもよい。
板１上に可動部５の梁部８〜１１と所定の間隔を隔てて
サイドストッパ３６（可動範囲制限部材）を取り付けて
もよい。このサイドストッパ３６はアルミ又はポリシリ
コンよりなり、可動電極部１３，１４のアルミ配線又は
梁状部と同時に形成されたものである。このように、サ
イドストッパ３６を設けたことにより可動部５の可動範
囲を制限することができる。従って、可動部５に対して
基板表面に平行な方向に突発的に大きな加速度が加わっ
ても、梁部８〜１１が破損したり曲がってしまうことが
ない。よって、耐久性に優れ、常に安定した正確な加速
度検出を行うことができる。又、サイドストッパ３６は
アルミ配線又はポリシリコンを形成する過程で同時に形
成されるため、サイドストッパ３６を形成するために特
別な工程を増加する必要はない。尚、図１５において、
サイドストッパ３６は４本の梁部の外側近傍にそれぞれ
一個づつ（計４個）形成しているが、形成する位置，数
は任意に変更しても構わず、例えば図１６のように４本
の梁部８，９，１０，１１の内側近傍にそれぞれ一個づ
つ（計４個）配置したり、図１７のように内側と外側に
それぞれ一個づつ（計８個）配置したり、図１８のよう
に可動部５の変位方向にそれぞれ一個（計２個）配置し
てもよい。
【００４２】さらに、図１９に示すように重り部１２の
内部にセンターストッパ３７を形成させても同様な効果
を得ることができる。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
内部にセンターストッパ３７を形成させても同様な効果
を得ることができる。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
【００４３】図２０は、本実施例の半導体加速度センサ
の平面図を示す。又、図２１には図２０のＥ−Ｅ断面を
示し、図２２には図２０のＦ−Ｆ断面を示す。半導体基
板としてのＰ型シリコン基板４１上にはシリコン酸化膜
４２，４３が離間して配置され、そのシリコン酸化膜４
２，４３上に可動部４４が架設されている。可動部４４
は、両持ち梁部としての梁部４５と、第１のゲート電極
部としての可動電極部４７と、第２のゲート電極部とし
ての可動電極部４８と、重り部４９とからなり、可動部
４４はシリコン基板４１の上方に所定間隔を隔てて配置
されている。シリコン酸化膜４２，４３上には、一定幅
を有し、かつ、直線的に延びる梁部４５が架設され、梁
部４５の中央部には梁部４５の軸線Ｙに直交する方向に
長方形状の可動電極部４７，４８がそれぞれ相反する方
向に突設されている。又、可動電極部４８の端部には重
り部４９が形成されている。
の平面図を示す。又、図２１には図２０のＥ−Ｅ断面を
示し、図２２には図２０のＦ−Ｆ断面を示す。半導体基
板としてのＰ型シリコン基板４１上にはシリコン酸化膜
４２，４３が離間して配置され、そのシリコン酸化膜４
２，４３上に可動部４４が架設されている。可動部４４
は、両持ち梁部としての梁部４５と、第１のゲート電極
部としての可動電極部４７と、第２のゲート電極部とし
ての可動電極部４８と、重り部４９とからなり、可動部
４４はシリコン基板４１の上方に所定間隔を隔てて配置
されている。シリコン酸化膜４２，４３上には、一定幅
を有し、かつ、直線的に延びる梁部４５が架設され、梁
部４５の中央部には梁部４５の軸線Ｙに直交する方向に
長方形状の可動電極部４７，４８がそれぞれ相反する方
向に突設されている。又、可動電極部４８の端部には重
り部４９が形成されている。
【００４４】このように、重り部４９により梁部４５の
軸線Ｙ上から可動部４４の重心がズレている。そして、
可動部４４はシリコン基板４１の表面に垂直な方向に変
位できるようになっている。
軸線Ｙ上から可動部４４の重心がズレている。そして、
可動部４４はシリコン基板４１の表面に垂直な方向に変
位できるようになっている。
【００４５】一方、可動部４４の可動電極部４７の下方
でのシリコン基板４１には、可動電極部４７に対しその
両側にＮ型不純物拡散層よりなる第１のソース・ドレイ
ン部としての固定電極５０，５１が形成されている。そ
して、可動電極部４７との距離の変化により固定電極５
０，５１間に流れる電流が変化するようになっている。
同様に、可動部４４の可動電極部４８の下方でのシリコ
ン基板４１には、可動電極部４８に対しその両側にＮ型
不純物拡散層よりなる第２のソース・ドレイン部として
の固定電極５２，５３が形成されている。そして、可動
電極部４８との距離の変化により固定電極５２，５３間
に流れる電流が変化するようになっている。
でのシリコン基板４１には、可動電極部４７に対しその
両側にＮ型不純物拡散層よりなる第１のソース・ドレイ
ン部としての固定電極５０，５１が形成されている。そ
して、可動電極部４７との距離の変化により固定電極５
０，５１間に流れる電流が変化するようになっている。
同様に、可動部４４の可動電極部４８の下方でのシリコ
ン基板４１には、可動電極部４８に対しその両側にＮ型
不純物拡散層よりなる第２のソース・ドレイン部として
の固定電極５２，５３が形成されている。そして、可動
電極部４８との距離の変化により固定電極５２，５３間
に流れる電流が変化するようになっている。
【００４６】次に、この半導体加速度センサの動作を説
明する。本加速度センサは、図２２に示すＺ方向（基板
１の表面に垂直な方向）に加速度を受けると、可動部４
４は梁部４５の軸線Ｙ上にその重心がズレているので、
梁部４５の軸線Ｙに対しねじりが発生する。その結果、
図２３に示すように、可動電極部４７はシリコン基板４
１に接近するように動き、可動電極部４８はシリコン基
板４１から離れるように動く。その結果、固定電極５
０，５１間のチャネル領域のキャリア濃度が増加するた
め、チャネル領域を流れる電流も増加し、一方、固定電
極５２，５３間のチャネル領域のキャリア濃度が減少す
るため、チャネル領域を流れる電流も減少する。このよ
うに、図２２に示すＺ方向（基板４１の表面に垂直な方
向）に加速度を受けると、可動電極部４７，４８はシリ
コン基板４１との距離が互いに逆相で変位し、固定電極
５０，５１と固定電極５２，５３に流れる電流も互いに
逆相で変化する。
明する。本加速度センサは、図２２に示すＺ方向（基板
１の表面に垂直な方向）に加速度を受けると、可動部４
４は梁部４５の軸線Ｙ上にその重心がズレているので、
梁部４５の軸線Ｙに対しねじりが発生する。その結果、
図２３に示すように、可動電極部４７はシリコン基板４
１に接近するように動き、可動電極部４８はシリコン基
板４１から離れるように動く。その結果、固定電極５
０，５１間のチャネル領域のキャリア濃度が増加するた
め、チャネル領域を流れる電流も増加し、一方、固定電
極５２，５３間のチャネル領域のキャリア濃度が減少す
るため、チャネル領域を流れる電流も減少する。このよ
うに、図２２に示すＺ方向（基板４１の表面に垂直な方
向）に加速度を受けると、可動電極部４７，４８はシリ
コン基板４１との距離が互いに逆相で変位し、固定電極
５０，５１と固定電極５２，５３に流れる電流も互いに
逆相で変化する。
【００４７】この固定電極５０，５１間の電流と固定電
極５２，５３間の電流が差動回路にて差動で検出され
る。このように差動回路で加速度を検出できるので検出
精度が向上する。
極５２，５３間の電流が差動回路にて差動で検出され
る。このように差動回路で加速度を検出できるので検出
精度が向上する。
【００４８】つまり、基板表面に垂直な方向の加速度に
対し図１に示したように２つのトランジスタ（固定電極
１５，１６と固定電極１７，１８）の出力を同相に変化
させると差動回路での検出ができず検出精度が高くな
い。即ち、トランジスタの温度特性によるゼロ点のシフ
トが発生して検出精度が落ちてしまう。これに対し、本
実施例では差動回路で加速度を検出できるので検出精度
が向上する。
対し図１に示したように２つのトランジスタ（固定電極
１５，１６と固定電極１７，１８）の出力を同相に変化
させると差動回路での検出ができず検出精度が高くな
い。即ち、トランジスタの温度特性によるゼロ点のシフ
トが発生して検出精度が落ちてしまう。これに対し、本
実施例では差動回路で加速度を検出できるので検出精度
が向上する。
【００４９】本実施例の応用例を図２４に示す。本実施
例では、閉ループ（サーボ）制御により加速度検出を行
うものである。重り部４９には、互いに所定間隔を隔て
て平行に延びるサーボ用電極５４，５５が突設されてい
る。又、シリコン基板４１の上面には、サーボ用電極５
４，５５に対し所定間隔だけ離れた状態で櫛歯状のサー
ボ用対向電極５６，５７が対向配置されている。そし
て、重り部４９が加速度を受けて基板表面から離れる方
向に移動しようとしたときにサーボ用対向電極５６，５
７に電圧を加えると、静電気力により重り部４９を基板
表面に接近させる力を付与することができる。つまり、
サーボ用対向電極５６，５７に加える電圧を調整するこ
とによりサーボ用対向電極５６，５７とサーボ用電極５
４，５５との間で発生する静電気力を調節できる。そし
て、基板表面に垂直な加速度が加わった際に、固定電極
５０，５１間のドレイン電流と固定電極５２，５３間の
ドレイン電流が等しくなるようにサーボ用対向電極５
６，５７に加える電圧が調整される。このサーボ用対向
電極５６，５７に印加する電圧により加わっている加速
度が検出される。 （第３実施例）次に、第３実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
例では、閉ループ（サーボ）制御により加速度検出を行
うものである。重り部４９には、互いに所定間隔を隔て
て平行に延びるサーボ用電極５４，５５が突設されてい
る。又、シリコン基板４１の上面には、サーボ用電極５
４，５５に対し所定間隔だけ離れた状態で櫛歯状のサー
ボ用対向電極５６，５７が対向配置されている。そし
て、重り部４９が加速度を受けて基板表面から離れる方
向に移動しようとしたときにサーボ用対向電極５６，５
７に電圧を加えると、静電気力により重り部４９を基板
表面に接近させる力を付与することができる。つまり、
サーボ用対向電極５６，５７に加える電圧を調整するこ
とによりサーボ用対向電極５６，５７とサーボ用電極５
４，５５との間で発生する静電気力を調節できる。そし
て、基板表面に垂直な加速度が加わった際に、固定電極
５０，５１間のドレイン電流と固定電極５２，５３間の
ドレイン電流が等しくなるようにサーボ用対向電極５
６，５７に加える電圧が調整される。このサーボ用対向
電極５６，５７に印加する電圧により加わっている加速
度が検出される。 （第３実施例）次に、第３実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
【００５０】図２５は、本実施例の半導体加速度センサ
の平面図を示す。又、図２６には図２５のＧ−Ｇ断面を
示し、図２７には図２５のＨ−Ｈ断面を示す。半導体基
板としてのＰ型シリコン基板５８上には両持ち梁構造の
可動部５９が配置去れている。可動部５９は、アンカー
部６０，６１，６２，６３と、梁部６４，６５，６６，
６７と、重り部６８とからなる。シリコン基板５８上に
アンカー部６０，６１，６２，６３が突設され、アンカ
ー部６０，６１，６２，６３から梁部６４，６５，６
６，６７が延びている。この梁部６４，６５，６６，６
７に四角形状の重り部６８が支持されている。可動部５
９は基板表面に垂直および平行な方向にそれぞれ変位で
きるようになっている。図２５において、Ｘで示す方向
が基板表面に平行な可動部５９の変位方向、即ち、加速
度検出方向となる。この加速度検出方向Ｘに直交する方
向に重り部６８から帯状のゲート電極部としての可動電
極部６９が延設されている。梁部６４，６５，６６，６
７と重り部６８と可動電極部６９とは、シリコン基板５
８の上方に所定の間隔を隔てた状態で配置されている。
の平面図を示す。又、図２６には図２５のＧ−Ｇ断面を
示し、図２７には図２５のＨ−Ｈ断面を示す。半導体基
板としてのＰ型シリコン基板５８上には両持ち梁構造の
可動部５９が配置去れている。可動部５９は、アンカー
部６０，６１，６２，６３と、梁部６４，６５，６６，
６７と、重り部６８とからなる。シリコン基板５８上に
アンカー部６０，６１，６２，６３が突設され、アンカ
ー部６０，６１，６２，６３から梁部６４，６５，６
６，６７が延びている。この梁部６４，６５，６６，６
７に四角形状の重り部６８が支持されている。可動部５
９は基板表面に垂直および平行な方向にそれぞれ変位で
きるようになっている。図２５において、Ｘで示す方向
が基板表面に平行な可動部５９の変位方向、即ち、加速
度検出方向となる。この加速度検出方向Ｘに直交する方
向に重り部６８から帯状のゲート電極部としての可動電
極部６９が延設されている。梁部６４，６５，６６，６
７と重り部６８と可動電極部６９とは、シリコン基板５
８の上方に所定の間隔を隔てた状態で配置されている。
【００５１】一方、可動電極部６９における端面６９ａ
の下方でのシリコン基板５８には、加速度検出方向Ｘに
直交する方向にＮ型不純物拡散層よりなる第１のソース
・ドレイン部としての固定電極７０，７１が所定間隔を
隔てて並設されている。この固定電極７０，７１は長方
形状をなし、加速度検出方向Ｘに延びている。同様に、
可動電極部６９におけるもう一方の端面６９ｂの下方で
のシリコン基板５８には、加速度検出方向Ｘに直交する
方向にＮ型不純物拡散層よりなる第２のソース・ドレイ
ン部としての固定電極７２，７３が所定間隔を隔てて並
設されている。この固定電極７２，７３は長方形状をな
し、加速度検出方向Ｘに延びている。
の下方でのシリコン基板５８には、加速度検出方向Ｘに
直交する方向にＮ型不純物拡散層よりなる第１のソース
・ドレイン部としての固定電極７０，７１が所定間隔を
隔てて並設されている。この固定電極７０，７１は長方
形状をなし、加速度検出方向Ｘに延びている。同様に、
可動電極部６９におけるもう一方の端面６９ｂの下方で
のシリコン基板５８には、加速度検出方向Ｘに直交する
方向にＮ型不純物拡散層よりなる第２のソース・ドレイ
ン部としての固定電極７２，７３が所定間隔を隔てて並
設されている。この固定電極７２，７３は長方形状をな
し、加速度検出方向Ｘに延びている。
【００５２】次に、この半導体加速度センサの動作を説
明する。本加速度センサは加速度を受けて、図２５に示
すＸ方向（基板１の表面に平行な方向）に可動電極部６
９（可動部５９）が変位した場合には、固定電極７２，
７３間のチャネル領域の面積（トランジスタでいうチャ
ネル幅）が増加し固定電極７２，７３間に流れる電流は
増加する。一方、固定電極７０，７１間のチャネル領域
の面積（トランジスタでいうチャネル幅）が減少し固定
電極７０，７１間に流れる電流は減少する。このよう
に、加速度検出方向Ｘへの可動電極部６９の変位により
固定電極７２，７３に流れる電流と固定電極７０，７１
に流れる電流とが互いに逆相にて変化する。
明する。本加速度センサは加速度を受けて、図２５に示
すＸ方向（基板１の表面に平行な方向）に可動電極部６
９（可動部５９）が変位した場合には、固定電極７２，
７３間のチャネル領域の面積（トランジスタでいうチャ
ネル幅）が増加し固定電極７２，７３間に流れる電流は
増加する。一方、固定電極７０，７１間のチャネル領域
の面積（トランジスタでいうチャネル幅）が減少し固定
電極７０，７１間に流れる電流は減少する。このよう
に、加速度検出方向Ｘへの可動電極部６９の変位により
固定電極７２，７３に流れる電流と固定電極７０，７１
に流れる電流とが互いに逆相にて変化する。
【００５３】又、本加速度センサが加速度を受けて、図
２７に示すＺ方向（基板５８の表面に垂直な方向）に可
動電極部６９が変位した場合には、チャネル領域のキャ
リア濃度が減少するため、両トランジスタのドレイン電
流は同時に減少する。
２７に示すＺ方向（基板５８の表面に垂直な方向）に可
動電極部６９が変位した場合には、チャネル領域のキャ
リア濃度が減少するため、両トランジスタのドレイン電
流は同時に減少する。
【００５４】このように本実施例では、シリコン基板５
８の表面に平行な方向の加速度に対し差動式で検出する
ための２つのソース・ドレイン部（固定電極７０，７１
と固定電極７２，７３）を近接して配置した。その結
果、２つのトランジスタの特性のバラツキを小さくして
検出回路側での制約を小さくすることができる。つま
り、図１のように基板内において２つのトランジスタの
固定電極（１７，１８と１５，１６）を離して配置する
と、基板の不純物濃度分布や結晶欠陥の分布さらには犠
牲層の膜厚が面内にバラつくことによりトランジスタの
特性にバラツキが大きくなる。本実施例では、２つのソ
ース・ドレイン部（固定電極７０，７１と固定電極７
２，７３）を近接して配置できるので、そのようなこと
が回避される。
８の表面に平行な方向の加速度に対し差動式で検出する
ための２つのソース・ドレイン部（固定電極７０，７１
と固定電極７２，７３）を近接して配置した。その結
果、２つのトランジスタの特性のバラツキを小さくして
検出回路側での制約を小さくすることができる。つま
り、図１のように基板内において２つのトランジスタの
固定電極（１７，１８と１５，１６）を離して配置する
と、基板の不純物濃度分布や結晶欠陥の分布さらには犠
牲層の膜厚が面内にバラつくことによりトランジスタの
特性にバラツキが大きくなる。本実施例では、２つのソ
ース・ドレイン部（固定電極７０，７１と固定電極７
２，７３）を近接して配置できるので、そのようなこと
が回避される。
【００５５】本実施例の応用例を図２８に示す。重り部
を２つに分割して第１重り部６８ａと第２重り部６８ｂ
とし、両重り部６８ａ，６８ｂが帯状の可動電極部６９
で連結されている。この可動電極部６９の下方のシリコ
ン基板５８に、２つのソース・ドレイン部（固定電極７
０，７１と固定電極７２，７３）が近接して配置されて
いる。
を２つに分割して第１重り部６８ａと第２重り部６８ｂ
とし、両重り部６８ａ，６８ｂが帯状の可動電極部６９
で連結されている。この可動電極部６９の下方のシリコ
ン基板５８に、２つのソース・ドレイン部（固定電極７
０，７１と固定電極７２，７３）が近接して配置されて
いる。
【００５６】本実施例の他の応用例を図２９に示す。可
動部５９の重り部６８の一部に、加速度検出方向Ｘに対
し直交方向に延びる長方形のくり抜き部（開口部）１０
４，１０５が形成され、くり抜き部１０４とくり抜き部
１０５との間に加速度検出方向Ｘに対し直交方向に延び
る両持ち梁状可動電極部６９が設けられている。可動電
極部６９の下方におけるのシリコン基板５８には加速度
検出方向Ｘに直交する方向にＮ型不純物拡散層よりなる
固定電極７０，７１および固定電極７２，７３が並設さ
れている。このように帯状の可動電極部６９を形成する
ことにより固定電極（第１のソース・ドレイン部）７
０，７１と固定電極（第２のソース・ドレイン部）７
２，７３が接近して配置される。又、この場合、可動電
極部６９は回りが重り部６８にて囲まれ、かつ両持ち梁
構造となっているので強度的に優れたものとなる。 （第４実施例）次に、第４実施例を第３実施例との相違
点を中心に説明する。
動部５９の重り部６８の一部に、加速度検出方向Ｘに対
し直交方向に延びる長方形のくり抜き部（開口部）１０
４，１０５が形成され、くり抜き部１０４とくり抜き部
１０５との間に加速度検出方向Ｘに対し直交方向に延び
る両持ち梁状可動電極部６９が設けられている。可動電
極部６９の下方におけるのシリコン基板５８には加速度
検出方向Ｘに直交する方向にＮ型不純物拡散層よりなる
固定電極７０，７１および固定電極７２，７３が並設さ
れている。このように帯状の可動電極部６９を形成する
ことにより固定電極（第１のソース・ドレイン部）７
０，７１と固定電極（第２のソース・ドレイン部）７
２，７３が接近して配置される。又、この場合、可動電
極部６９は回りが重り部６８にて囲まれ、かつ両持ち梁
構造となっているので強度的に優れたものとなる。 （第４実施例）次に、第４実施例を第３実施例との相違
点を中心に説明する。
【００５７】図３０は、本実施例の半導体加速度センサ
の平面図を示す。半導体基板としてのＰ型シリコン基板
５８上には両持ち梁構造の可動部５９が配置されてい
る。可動部５９は、アンカー部６０，６１，６２，６３
と、梁部６４，６５，６６，６７と、ゲート電極部とし
ての重り部１０６とからなる。Ｐ型シリコン基板５８上
にアンカー部６０，６１，６２，６３が突設され、アン
カー部６０，６１，６２，６３から梁部６４，６５，６
６，６７が延びている。この梁部６４，６５，６６，６
７に四角形状の重り部１０６が支持されている。梁部６
４，６５，６６，６７と重り部１０６とは、シリコン基
板５８の上方に所定の間隔を隔てた状態で配置され、重
り部１０６は両持ち梁状部（梁部６４，６５，６６，６
７）によって支えられている。可動部５９は基板表面に
垂直および平行な方向にそれぞれ変位できるようになっ
ている。図３０において、Ｘで示す方向が基板表面に平
行な可動部５９の変位方向、即ち、加速度検出方向とな
る。
の平面図を示す。半導体基板としてのＰ型シリコン基板
５８上には両持ち梁構造の可動部５９が配置されてい
る。可動部５９は、アンカー部６０，６１，６２，６３
と、梁部６４，６５，６６，６７と、ゲート電極部とし
ての重り部１０６とからなる。Ｐ型シリコン基板５８上
にアンカー部６０，６１，６２，６３が突設され、アン
カー部６０，６１，６２，６３から梁部６４，６５，６
６，６７が延びている。この梁部６４，６５，６６，６
７に四角形状の重り部１０６が支持されている。梁部６
４，６５，６６，６７と重り部１０６とは、シリコン基
板５８の上方に所定の間隔を隔てた状態で配置され、重
り部１０６は両持ち梁状部（梁部６４，６５，６６，６
７）によって支えられている。可動部５９は基板表面に
垂直および平行な方向にそれぞれ変位できるようになっ
ている。図３０において、Ｘで示す方向が基板表面に平
行な可動部５９の変位方向、即ち、加速度検出方向とな
る。
【００５８】重り部１０６の中央部には上下に貫通する
四角形状のくり抜き部（開口部）１０７が形成され、こ
のくり抜き部（開口部）１０７は加速度検出方向Ｘにお
いて端面１０８，１０９が対向している。
四角形状のくり抜き部（開口部）１０７が形成され、こ
のくり抜き部（開口部）１０７は加速度検出方向Ｘにお
いて端面１０８，１０９が対向している。
【００５９】一方、重り部１０６におけるくり抜き部１
０７の対向面１０８の下方でのシリコン基板５８には、
加速度検出方向Ｘに直交する方向にＮ型不純物拡散層よ
りなる第１のソース・ドレイン部としての固定電極１１
０，１１１が所定間隔を隔てて並設されている。この固
定電極１１０，１１１は長方形状をなし、加速度検出方
向Ｘに延びている。同様に、重り部１０６におけるくり
抜き部１０７の対向面１０９の下方でのシリコン基板５
８には、加速度検出方向Ｘに直交する方向にＮ型不純物
拡散層よりなる第２のソース・ドレイン部としての固定
電極１１２，１１３が所定間隔を隔てて並設されてい
る。この固定電極１１２，１１３は長方形状をなし、加
速度検出方向Ｘに延びている。
０７の対向面１０８の下方でのシリコン基板５８には、
加速度検出方向Ｘに直交する方向にＮ型不純物拡散層よ
りなる第１のソース・ドレイン部としての固定電極１１
０，１１１が所定間隔を隔てて並設されている。この固
定電極１１０，１１１は長方形状をなし、加速度検出方
向Ｘに延びている。同様に、重り部１０６におけるくり
抜き部１０７の対向面１０９の下方でのシリコン基板５
８には、加速度検出方向Ｘに直交する方向にＮ型不純物
拡散層よりなる第２のソース・ドレイン部としての固定
電極１１２，１１３が所定間隔を隔てて並設されてい
る。この固定電極１１２，１１３は長方形状をなし、加
速度検出方向Ｘに延びている。
【００６０】次に、この半導体加速度センサの動作を説
明する。本加速度センサは加速度を受けて、図３０に示
すＸ方向（基板５８の表面に平行な方向）に可動部５９
が変位した場合には、固定電極１１２，１１３間のチャ
ネル領域の面積（トランジスタでいうチャネル幅）が減
少し固定電極１１２，１１３間に流れる電流は減少す
る。一方、固定電極１１０，１１１間のチャネル領域の
面積（トランジスタでいうチャネル幅）が増加し固定電
極１１０，１１１間に流れる電流は増加する。このよう
に、加速度検出方向Ｘへの可動部５９の変位により固定
電極１１２，１１３に流れる電流と固定電極１１０，１
１１に流れる電流とが互いに逆相にて変化する。
明する。本加速度センサは加速度を受けて、図３０に示
すＸ方向（基板５８の表面に平行な方向）に可動部５９
が変位した場合には、固定電極１１２，１１３間のチャ
ネル領域の面積（トランジスタでいうチャネル幅）が減
少し固定電極１１２，１１３間に流れる電流は減少す
る。一方、固定電極１１０，１１１間のチャネル領域の
面積（トランジスタでいうチャネル幅）が増加し固定電
極１１０，１１１間に流れる電流は増加する。このよう
に、加速度検出方向Ｘへの可動部５９の変位により固定
電極１１２，１１３に流れる電流と固定電極１１０，１
１１に流れる電流とが互いに逆相にて変化する。
【００６１】又、本加速度センサが加速度を受けて、Ｚ
方向（基板５８の表面に垂直な方向）に可動部５９が変
位した場合には、チャネル領域のキャリア濃度が減少す
るため、両トランジスタのドレイン電流は同時に減少
（あるいは増加）する。
方向（基板５８の表面に垂直な方向）に可動部５９が変
位した場合には、チャネル領域のキャリア濃度が減少す
るため、両トランジスタのドレイン電流は同時に減少
（あるいは増加）する。
【００６２】このように本実施例では、重り部１０６に
四角形状のくり抜き部（開口部）１０７を設けることに
より加速度検出方向Ｘにおいて対向する面１０８，１０
９を形成し、この対向面１０８，１０９の下方のシリコ
ン基板５８に固定電極（第１のソース・ドレイン部）１
１０，１１１と固定電極（第２のソース・ドレイン部）
１１２，１１３とを配置した。よって、シリコン基板５
８の表面に平行な方向の加速度に対し差動式で検出する
ための２つのソース・ドレイン部（固定電極１１０，１
１１と固定電極１１２，１１３）とが近接して配置され
る。その結果、２つのトランジスタの特性のバラツキを
小さくして検出回路側での制約を小さくすることができ
る。 （第５実施例）次に、第５実施例を第３実施例との相違
点を中心に説明する。
四角形状のくり抜き部（開口部）１０７を設けることに
より加速度検出方向Ｘにおいて対向する面１０８，１０
９を形成し、この対向面１０８，１０９の下方のシリコ
ン基板５８に固定電極（第１のソース・ドレイン部）１
１０，１１１と固定電極（第２のソース・ドレイン部）
１１２，１１３とを配置した。よって、シリコン基板５
８の表面に平行な方向の加速度に対し差動式で検出する
ための２つのソース・ドレイン部（固定電極１１０，１
１１と固定電極１１２，１１３）とが近接して配置され
る。その結果、２つのトランジスタの特性のバラツキを
小さくして検出回路側での制約を小さくすることができ
る。 （第５実施例）次に、第５実施例を第３実施例との相違
点を中心に説明する。
【００６３】図３１は、本実施例の半導体加速度センサ
の平面図を示す。半導体基板としてのＰ型シリコン基板
５８上には両持ち梁構造の可動部５９が配置されてい
る。可動部５９は、アンカー部６０，６１，６２，６３
と、梁部６４，６５，６６，６７と、重り部６８とから
なる。Ｐ型シリコン基板５８上にアンカー部６０，６
１，６２，６３が突設され、アンカー部６０，６１，６
２，６３から梁部６４，６５，６６，６７が延びてい
る。この梁部６４，６５，６６，６７に四角形状の重り
部６８が支持されている。重り部６８には上下に貫通す
る四角形状のくり抜き部（開口部）１１４が形成され、
このくり抜き部（開口部）１１４により帯状の片持ち梁
状可動電極部１１５，１１６が形成されている。第１の
ゲート電極部としての可動電極部１１５は、シリコン基
板５８の表面に平行な加速度検出方向Ｘ+ に延び、又、
第２のゲート電極部としての可動電極部１１６は、シリ
コン基板５８の表面に平行な加速度検出方向Ｘ- に延
び、かつ前記可動電極部１１５と互いに接近する位置に
配置されている。梁部６４，６５，６６，６７と重り部
６８と可動電極部１１５，１１６とは、シリコン基板５
８の上方に所定の間隔を隔てた状態で配置されている。
の平面図を示す。半導体基板としてのＰ型シリコン基板
５８上には両持ち梁構造の可動部５９が配置されてい
る。可動部５９は、アンカー部６０，６１，６２，６３
と、梁部６４，６５，６６，６７と、重り部６８とから
なる。Ｐ型シリコン基板５８上にアンカー部６０，６
１，６２，６３が突設され、アンカー部６０，６１，６
２，６３から梁部６４，６５，６６，６７が延びてい
る。この梁部６４，６５，６６，６７に四角形状の重り
部６８が支持されている。重り部６８には上下に貫通す
る四角形状のくり抜き部（開口部）１１４が形成され、
このくり抜き部（開口部）１１４により帯状の片持ち梁
状可動電極部１１５，１１６が形成されている。第１の
ゲート電極部としての可動電極部１１５は、シリコン基
板５８の表面に平行な加速度検出方向Ｘ+ に延び、又、
第２のゲート電極部としての可動電極部１１６は、シリ
コン基板５８の表面に平行な加速度検出方向Ｘ- に延
び、かつ前記可動電極部１１５と互いに接近する位置に
配置されている。梁部６４，６５，６６，６７と重り部
６８と可動電極部１１５，１１６とは、シリコン基板５
８の上方に所定の間隔を隔てた状態で配置されている。
【００６４】一方、可動電極部１１５の下方のシリコン
基板５８には、加速度検出方向Ｘに直交する方向にＮ型
不純物拡散層よりなる第１のソース・ドレイン部として
の固定電極１１７，１１８が所定間隔を隔てて並設され
ている。この固定電極１１７，１１８は長方形状をな
し、加速度検出方向Ｘに延びている。同様に、可動電極
部１１６の下方でのシリコン基板５８には、加速度検出
方向Ｘに直交する方向にＮ型不純物拡散層よりなる第２
のソース・ドレイン部としての固定電極１１９，１２０
が所定間隔を隔てて並設されている。この固定電極１１
９，１２０は長方形状をなし、加速度検出方向Ｘに延び
ている。
基板５８には、加速度検出方向Ｘに直交する方向にＮ型
不純物拡散層よりなる第１のソース・ドレイン部として
の固定電極１１７，１１８が所定間隔を隔てて並設され
ている。この固定電極１１７，１１８は長方形状をな
し、加速度検出方向Ｘに延びている。同様に、可動電極
部１１６の下方でのシリコン基板５８には、加速度検出
方向Ｘに直交する方向にＮ型不純物拡散層よりなる第２
のソース・ドレイン部としての固定電極１１９，１２０
が所定間隔を隔てて並設されている。この固定電極１１
９，１２０は長方形状をなし、加速度検出方向Ｘに延び
ている。
【００６５】次に、この半導体加速度センサの動作を説
明する。本加速度センサは加速度を受けて、図３１に示
すＸ+ 方向（基板１の表面に平行な方向）に可動電極部
１１５，１１６（可動部５９）が変位した場合には、固
定電極１１７，１１８間のチャネル領域の面積（トラン
ジスタでいうチャネル幅）が増加し固定電極１１７，１
１８間に流れる電流は増加する。一方、固定電極１１
９，１２０間のチャネル領域の面積（トランジスタでい
うチャネル幅）が減少し固定電極１１９，１２０間に流
れる電流は減少する。このように、加速度検出方向Ｘへ
の可動電極部１１５，１１６の変位により固定電極１１
７，１１８に流れる電流と固定電極１１９，１２０に流
れる電流とが互いに逆相にて変化する。
明する。本加速度センサは加速度を受けて、図３１に示
すＸ+ 方向（基板１の表面に平行な方向）に可動電極部
１１５，１１６（可動部５９）が変位した場合には、固
定電極１１７，１１８間のチャネル領域の面積（トラン
ジスタでいうチャネル幅）が増加し固定電極１１７，１
１８間に流れる電流は増加する。一方、固定電極１１
９，１２０間のチャネル領域の面積（トランジスタでい
うチャネル幅）が減少し固定電極１１９，１２０間に流
れる電流は減少する。このように、加速度検出方向Ｘへ
の可動電極部１１５，１１６の変位により固定電極１１
７，１１８に流れる電流と固定電極１１９，１２０に流
れる電流とが互いに逆相にて変化する。
【００６６】又、本加速度センサが加速度を受けて、Ｚ
方向（基板５８の表面に垂直な方向）に可動電極部１１
５，１１６（可動部５９）が変位した場合には、チャネ
ル領域のキャリア濃度が減少するため、両トランジスタ
のドレイン電流は同時に減少（あるいは増加）する。
方向（基板５８の表面に垂直な方向）に可動電極部１１
５，１１６（可動部５９）が変位した場合には、チャネ
ル領域のキャリア濃度が減少するため、両トランジスタ
のドレイン電流は同時に減少（あるいは増加）する。
【００６７】このように実施例では、重り部６８にくり
抜き部（開口部）１１４を設けることにより加速度検出
方向Ｘに延びる帯状の可動電極部１１５と、この可動電
極部１１５とは反対の向きに延びる帯状の可動電極部１
１６を形成し、この可動電極部１１５，１１６の下方の
シリコン基板５８に固定電極（第１のソース・ドレイン
部）１１７，１１８と固定電極（第２のソース・ドレイ
ン部）１１９，１２０とを配置した。よって、シリコン
基板５８の表面に平行な方向の加速度に対し差動式で検
出するための２つのソース・ドレイン部（固定電極１１
７，１１８と固定電極１１９，１２０）とが近接して配
置される。その結果、２つのトランジスタの特性のバラ
ツキを小さくして検出回路側での制約を小さくすること
ができる。
抜き部（開口部）１１４を設けることにより加速度検出
方向Ｘに延びる帯状の可動電極部１１５と、この可動電
極部１１５とは反対の向きに延びる帯状の可動電極部１
１６を形成し、この可動電極部１１５，１１６の下方の
シリコン基板５８に固定電極（第１のソース・ドレイン
部）１１７，１１８と固定電極（第２のソース・ドレイ
ン部）１１９，１２０とを配置した。よって、シリコン
基板５８の表面に平行な方向の加速度に対し差動式で検
出するための２つのソース・ドレイン部（固定電極１１
７，１１８と固定電極１１９，１２０）とが近接して配
置される。その結果、２つのトランジスタの特性のバラ
ツキを小さくして検出回路側での制約を小さくすること
ができる。
【００６８】本実施例の応用例を図３２，３３に示す。
図３２は可動電極のくり抜き部１１４により加速度検出
方向Ｘに離間した状態で片持ち梁状可動電極部１１５，
１１６が配置されている。このように、可動電極１１
５，１１６を配置することにより固定電極１１７，１１
８と固定電極１１９，１２０が接近して配置できる。
図３２は可動電極のくり抜き部１１４により加速度検出
方向Ｘに離間した状態で片持ち梁状可動電極部１１５，
１１６が配置されている。このように、可動電極１１
５，１１６を配置することにより固定電極１１７，１１
８と固定電極１１９，１２０が接近して配置できる。
【００６９】又、図３３は、図３２の固定電極１１８，
１１９を共通化し、第１および第２のソース・ドレイン
部としての固定電極（共通固定電極）１２１としたもの
である。この場合、２つのエアギャップトランジスタを
近接して配置できる。 （第６実施例）次に、第６実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
１１９を共通化し、第１および第２のソース・ドレイン
部としての固定電極（共通固定電極）１２１としたもの
である。この場合、２つのエアギャップトランジスタを
近接して配置できる。 （第６実施例）次に、第６実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
【００７０】図３４は、本実施例の半導体加速度センサ
の平面図を示す。半導体基板としてのＰ型シリコン基板
７４上には可動部７５が設けられている。可動部７５は
アンカー部７６，７７，７８，７９と梁部８０，８１，
８２，８３とゲート電極部としての重り部８４とからな
る。シリコン基板７４上にアンカー部７６，７７，７
８，７９が突設され、アンカー部７６，７７，７８，７
９から梁部８０，８１，８２，８３が延びている。この
梁部８０，８１，８２，８３に四角形状の重り部８４が
支持されている。可動部７５はシリコン基板７４の上方
に所定の間隔を隔てて配置され、重り部８４は両持ち梁
状部（梁部８０，８１，８２，８３）によって支えられ
ている。図３４において、Ｘ（プラス側Ｘ+ およびマイ
ナス側Ｘ- ）で示す方向が基板表面に平行な可動部７５
（重り部８４）の変位方向、即ち、加速度検出方向とな
る。
の平面図を示す。半導体基板としてのＰ型シリコン基板
７４上には可動部７５が設けられている。可動部７５は
アンカー部７６，７７，７８，７９と梁部８０，８１，
８２，８３とゲート電極部としての重り部８４とからな
る。シリコン基板７４上にアンカー部７６，７７，７
８，７９が突設され、アンカー部７６，７７，７８，７
９から梁部８０，８１，８２，８３が延びている。この
梁部８０，８１，８２，８３に四角形状の重り部８４が
支持されている。可動部７５はシリコン基板７４の上方
に所定の間隔を隔てて配置され、重り部８４は両持ち梁
状部（梁部８０，８１，８２，８３）によって支えられ
ている。図３４において、Ｘ（プラス側Ｘ+ およびマイ
ナス側Ｘ- ）で示す方向が基板表面に平行な可動部７５
（重り部８４）の変位方向、即ち、加速度検出方向とな
る。
【００７１】一方、重り部８４の端面部８４ａにおける
下方のシリコン基板７４には、Ｎ型不純物拡散層よりな
るソース・ドレイン部としての固定電極８５，８６が形
成されている。又、重り部８４の他方の端面部８４ｂに
おける下方のシリコン基板７４には、Ｎ型不純物拡散層
よりなるソース・ドレイン部としての固定電極８７，８
８が形成されている。固定電極８５，８６と固定電極８
７，８８は重り部８４の変位方向（加速度検出方向Ｘ）
に直交する方向においてその離間距離が変えられてい
る。即ち、固定電極８５における固定電極８６との対向
面は加速度検出方向Ｘに対し所定角度＋θ（時計回り方
向を＋、反時計回り方向を−とする）だけ傾けて形成さ
れ、固定電極８６における固定電極８５との対向面は加
速度検出方向Ｘに対し所定角度−θだけ傾けて形成され
ている。又、固定電極８７における固定電極８８との対
向面は加速度検出方向Ｘに対し所定角度−θだけ傾けて
形成され、固定電極８８における固定電極８７との対向
面は加速度検出方向Ｘに対し所定角度＋θだけ傾けて形
成されている。
下方のシリコン基板７４には、Ｎ型不純物拡散層よりな
るソース・ドレイン部としての固定電極８５，８６が形
成されている。又、重り部８４の他方の端面部８４ｂに
おける下方のシリコン基板７４には、Ｎ型不純物拡散層
よりなるソース・ドレイン部としての固定電極８７，８
８が形成されている。固定電極８５，８６と固定電極８
７，８８は重り部８４の変位方向（加速度検出方向Ｘ）
に直交する方向においてその離間距離が変えられてい
る。即ち、固定電極８５における固定電極８６との対向
面は加速度検出方向Ｘに対し所定角度＋θ（時計回り方
向を＋、反時計回り方向を−とする）だけ傾けて形成さ
れ、固定電極８６における固定電極８５との対向面は加
速度検出方向Ｘに対し所定角度−θだけ傾けて形成され
ている。又、固定電極８７における固定電極８８との対
向面は加速度検出方向Ｘに対し所定角度−θだけ傾けて
形成され、固定電極８８における固定電極８７との対向
面は加速度検出方向Ｘに対し所定角度＋θだけ傾けて形
成されている。
【００７２】次に、このように構成した加速度センサの
動作を図３５，３６を用いて説明する。図３５において
実線で示すように、重り部８４（可動ゲート電極）が加
速度を受けず変位しないときにはチャネル幅Ｗ＝Ｗ0 、
チャネル長Ｌ＝Ｌ0 である。重り部８４（可動ゲート電
極）がプラス側加速度検出方向Ｘ+ に変位すると、チャ
ネル幅Ｗ＝Ｗ1 、チャネル長Ｌ＝Ｌ1 となる。つまり、
Ｗ0 ＜Ｗ1 、Ｌ0 ＞Ｌ1となる。ここで、チャネル幅の
変化量はＷ1 −Ｗ0 となり、ドレイン電流Ｉd ＝Ａ・Ｗ
／Ｌの関係にあるため、ドレイン電流の変化量はΔＩd1
＝Ａ・（Ｗ1 −Ｗ 0 ）／Ｌ1 で表される。ただし、Ａは
定数。これに対し、図１に示すような構成、即ち、図３
７に示すように固定電極８５，８６の間隔を等距離にし
た場合、重り部８４（可動ゲート電極）が変位してもチ
ャネル長は変化しないため、同量の変位によるドレイン
電流変化はΔＩd1’＝Ａ・（Ｗ1 −Ｗ0 ）／Ｌ0 、従っ
て、Ｌ1 ＜Ｌ0 より、ΔＩd1＞ΔＩd1’となる。即ち、
同じ重り部８４（可動ゲート電極）の変位量に対して本
実施例は図３７に示す構成に対し大きなドレイン電流の
変化を得ることができる。従って、可動部７５の大きさ
（重り部、梁の幅等）が同じでも高感度化が可能とな
る。換言すれば、図３７に示すように固定電極の間隔が
一定であると、変位量に等しいチャネル幅の増減分のみ
で決まってしまい大きなドレイン電流の変化を得るには
大きな重り部８４（可動ゲート電極）の変位が必要とな
り、そのためには可動部７５の質量を大きくしたり梁を
細くするなど小型化や製造工程の簡略化の妨げとなる。
しかし、本実施例では、ドレイン電流の変化が大きくな
るので、小型化に有利である。さらに、サーボ式検出回
路に適用した場合、サーボ制御に必要な変位を小さくで
き信号検出精度を向上できる。
動作を図３５，３６を用いて説明する。図３５において
実線で示すように、重り部８４（可動ゲート電極）が加
速度を受けず変位しないときにはチャネル幅Ｗ＝Ｗ0 、
チャネル長Ｌ＝Ｌ0 である。重り部８４（可動ゲート電
極）がプラス側加速度検出方向Ｘ+ に変位すると、チャ
ネル幅Ｗ＝Ｗ1 、チャネル長Ｌ＝Ｌ1 となる。つまり、
Ｗ0 ＜Ｗ1 、Ｌ0 ＞Ｌ1となる。ここで、チャネル幅の
変化量はＷ1 −Ｗ0 となり、ドレイン電流Ｉd ＝Ａ・Ｗ
／Ｌの関係にあるため、ドレイン電流の変化量はΔＩd1
＝Ａ・（Ｗ1 −Ｗ 0 ）／Ｌ1 で表される。ただし、Ａは
定数。これに対し、図１に示すような構成、即ち、図３
７に示すように固定電極８５，８６の間隔を等距離にし
た場合、重り部８４（可動ゲート電極）が変位してもチ
ャネル長は変化しないため、同量の変位によるドレイン
電流変化はΔＩd1’＝Ａ・（Ｗ1 −Ｗ0 ）／Ｌ0 、従っ
て、Ｌ1 ＜Ｌ0 より、ΔＩd1＞ΔＩd1’となる。即ち、
同じ重り部８４（可動ゲート電極）の変位量に対して本
実施例は図３７に示す構成に対し大きなドレイン電流の
変化を得ることができる。従って、可動部７５の大きさ
（重り部、梁の幅等）が同じでも高感度化が可能とな
る。換言すれば、図３７に示すように固定電極の間隔が
一定であると、変位量に等しいチャネル幅の増減分のみ
で決まってしまい大きなドレイン電流の変化を得るには
大きな重り部８４（可動ゲート電極）の変位が必要とな
り、そのためには可動部７５の質量を大きくしたり梁を
細くするなど小型化や製造工程の簡略化の妨げとなる。
しかし、本実施例では、ドレイン電流の変化が大きくな
るので、小型化に有利である。さらに、サーボ式検出回
路に適用した場合、サーボ制御に必要な変位を小さくで
き信号検出精度を向上できる。
【００７３】本実施例の応用例としては、図３８に示す
ように、２つの固定電極の内の一方のみを斜状に形成し
てもよい。
ように、２つの固定電極の内の一方のみを斜状に形成し
てもよい。
【００７４】
【発明の効果】以上詳述したように請求項１に記載の発
明によれば、ゲート電極部を半導体基板に対して平行に
保つことができる。
明によれば、ゲート電極部を半導体基板に対して平行に
保つことができる。
【００７５】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の効果に加え、可動範囲制限部材によりゲ
ート電極部の可動範囲が制限され、梁状部の破損が回避
できる。
に記載の発明の効果に加え、可動範囲制限部材によりゲ
ート電極部の可動範囲が制限され、梁状部の破損が回避
できる。
【００７６】請求項３に記載の発明によれば、請求項２
に記載の半導体加速度センサを容易に製造できる。請求
項４に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の効
果に加え、ゲート電極部が互いに逆相で変位するので差
動回路を用いて高精度に検出することができる。
に記載の半導体加速度センサを容易に製造できる。請求
項４に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の効
果に加え、ゲート電極部が互いに逆相で変位するので差
動回路を用いて高精度に検出することができる。
【００７７】請求項５，６，７に記載の発明によれば、
請求項１に記載の発明の効果に加え、第１のソース・ド
レイン部と第２のソース・ドレイン部とが接近して配置
でき、２つのトランジスタ特性のバラツキを小さくする
ことができる。
請求項１に記載の発明の効果に加え、第１のソース・ド
レイン部と第２のソース・ドレイン部とが接近して配置
でき、２つのトランジスタ特性のバラツキを小さくする
ことができる。
【００７８】請求項８に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の効果に加え、ドレイン電流の変化が大き
くなり高感度化が可能となる。
に記載の発明の効果に加え、ドレイン電流の変化が大き
くなり高感度化が可能となる。
【図１】第１実施例の半導体加速度センサの平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】図１のＢ−Ｂ断面図。
【図４】図１のＣ−Ｃ断面図。
【図５】図１のＤ−Ｄ断面図。
【図６】（ａ），（ｂ）は半導体加速度センサの製造工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図７】（ａ），（ｂ）は半導体加速度センサの製造工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図８】（ａ），（ｂ）は半導体加速度センサの製造工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図９】（ａ），（ｂ）は半導体加速度センサの製造工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図１０】（ａ），（ｂ）は半導体加速度センサの製造
工程を示す断面図。
工程を示す断面図。
【図１１】（ａ），（ｂ）は半導体加速度センサの製造
工程を示す断面図。
工程を示す断面図。
【図１２】（ａ），（ｂ）は半導体加速度センサの製造
工程を示す断面図。
工程を示す断面図。
【図１３】第１実施例の応用例の半導体加速度センサの
斜視図。
斜視図。
【図１４】第１実施例の応用例の半導体加速度センサの
斜視図。
斜視図。
【図１５】第１実施例の応用例の半導体加速度センサの
斜視図。
斜視図。
【図１６】第１実施例の応用例の半導体加速度センサの
斜視図。
斜視図。
【図１７】第１実施例の応用例の半導体加速度センサの
斜視図。
斜視図。
【図１８】第１実施例の応用例の半導体加速度センサの
斜視図。
斜視図。
【図１９】第１実施例の応用例の半導体加速度センサの
斜視図。
斜視図。
【図２０】第２実施例の半導体加速度センサの平面図。
【図２１】図２０のＥ−Ｅ断面図。
【図２２】図２０のＦ−Ｆ断面図。
【図２３】第２実施例の半導体加速度センサの動作を説
明するための断面図。
明するための断面図。
【図２４】第２実施例の応用例の半導体加速度センサの
平面図。
平面図。
【図２５】第３実施例の半導体加速度センサの平面図。
【図２６】図２５のＧ−Ｇ断面図。
【図２７】図２５のＨ−Ｈ断面図。
【図２８】第３実施例の応用例の半導体加速度センサの
平面図。
平面図。
【図２９】第３実施例の他の応用例の半導体加速度セン
サの平面図。
サの平面図。
【図３０】第４実施例の半導体加速度センサの平面図。
【図３１】第５実施例の半導体加速度センサの平面図。
【図３２】第５実施例の応用例の半導体加速度センサの
平面図。
平面図。
【図３３】第５実施例の応用例の半導体加速度センサの
平面図。
平面図。
【図３４】第６実施例の半導体加速度センサの平面図。
【図３５】第６実施例の半導体加速度センサの要部拡大
図。
図。
【図３６】第６実施例の半導体加速度センサの動作を示
す説明図。
す説明図。
【図３７】比較のための半導体加速度センサの要部拡大
図。
図。
【図３８】第６実施例の応用例の半導体加速度センサの
要部拡大図。
要部拡大図。
【図３９】従来の半導体加速度センサの平面図。
【図４０】図３９のＩ−Ｉ断面図。
１…半導体基板としてのシリコン基板、８…梁部、９…
梁部、１０…梁部、１１…梁部、１３…ゲート電極部と
しての可動電極部、１４…ゲート電極部としての可動電
極部、１５…ソース・ドレイン部としての固定電極、１
６…ソース・ドレイン部としての固定電極、１７…ソー
ス・ドレイン部としての固定電極、１８…ソース・ドレ
イン部としての固定電極、２２…アルミ配線、２３…可
動範囲制限部材としてのブリッジ、４１…半導体基板と
してのシリコン基板、４５…両持ち梁部としての梁部、
４７…第１のゲート電極部としての可動電極部、４８…
第２のゲート電極部としての可動電極部、４９…重り
部、５０…第１のソース・ドレイン部としての固定電
極、５１…第１のソース・ドレイン部としての固定電
極、５２…第２のソース・ドレイン部としての固定電
極、５３…第２のソース・ドレイン部としての固定電
極、５８…半導体基板としてのシリコン基板、５９…可
動部、６４…梁部、６５…梁部、６６…梁部、６７…梁
部、６９…ゲート電極部としての可動電極部、７０…第
１のソース・ドレイン部としての固定電極、７０…第１
のソース・ドレイン部としての固定電極、７２…第２の
ソース・ドレイン部としての固定電極、７３…第２のソ
ース・ドレイン部としての固定電極、７４…半導体基板
としてのシリコン基板、８０…梁部、８１…梁部、８２
…梁部、８３…梁部、８４…ゲート電極部としての重り
部、８５…ソース・ドレイン部としての固定電極、８６
…ソース・ドレイン部としての固定電極、８７…ソース
・ドレイン部としての固定電極、８８…ソース・ドレイ
ン部としての固定電極、１０６…ゲート電極部としての
重り部、１０８…対向面、１０９…対向面、１１０…第
１のソース・ドレイン部としての固定電極、１１１…第
１のソース・ドレイン部としての固定電極、１１２…第
２のソース・ドレイン部としての固定電極、１１３…第
２のソース・ドレイン部としての固定電極、１１５…第
１のゲート電極部としての可動電極部、１１６…第２の
ゲート電極部としての可動電極部、１１７…第１のソー
ス・ドレイン部としての固定電極、１１８…第１のソー
ス・ドレイン部としての固定電極、１１９…第２のソー
ス・ドレイン部としての固定電極、１２０…第２のソー
ス・ドレイン部としての固定電極、１２１…第１および
第２のソース・ドレイン部としての固定電極（共通固定
電極）
梁部、１０…梁部、１１…梁部、１３…ゲート電極部と
しての可動電極部、１４…ゲート電極部としての可動電
極部、１５…ソース・ドレイン部としての固定電極、１
６…ソース・ドレイン部としての固定電極、１７…ソー
ス・ドレイン部としての固定電極、１８…ソース・ドレ
イン部としての固定電極、２２…アルミ配線、２３…可
動範囲制限部材としてのブリッジ、４１…半導体基板と
してのシリコン基板、４５…両持ち梁部としての梁部、
４７…第１のゲート電極部としての可動電極部、４８…
第２のゲート電極部としての可動電極部、４９…重り
部、５０…第１のソース・ドレイン部としての固定電
極、５１…第１のソース・ドレイン部としての固定電
極、５２…第２のソース・ドレイン部としての固定電
極、５３…第２のソース・ドレイン部としての固定電
極、５８…半導体基板としてのシリコン基板、５９…可
動部、６４…梁部、６５…梁部、６６…梁部、６７…梁
部、６９…ゲート電極部としての可動電極部、７０…第
１のソース・ドレイン部としての固定電極、７０…第１
のソース・ドレイン部としての固定電極、７２…第２の
ソース・ドレイン部としての固定電極、７３…第２のソ
ース・ドレイン部としての固定電極、７４…半導体基板
としてのシリコン基板、８０…梁部、８１…梁部、８２
…梁部、８３…梁部、８４…ゲート電極部としての重り
部、８５…ソース・ドレイン部としての固定電極、８６
…ソース・ドレイン部としての固定電極、８７…ソース
・ドレイン部としての固定電極、８８…ソース・ドレイ
ン部としての固定電極、１０６…ゲート電極部としての
重り部、１０８…対向面、１０９…対向面、１１０…第
１のソース・ドレイン部としての固定電極、１１１…第
１のソース・ドレイン部としての固定電極、１１２…第
２のソース・ドレイン部としての固定電極、１１３…第
２のソース・ドレイン部としての固定電極、１１５…第
１のゲート電極部としての可動電極部、１１６…第２の
ゲート電極部としての可動電極部、１１７…第１のソー
ス・ドレイン部としての固定電極、１１８…第１のソー
ス・ドレイン部としての固定電極、１１９…第２のソー
ス・ドレイン部としての固定電極、１２０…第２のソー
ス・ドレイン部としての固定電極、１２１…第１および
第２のソース・ドレイン部としての固定電極（共通固定
電極）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青 建一 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装 株式会社内 (72)発明者 彼末 将和 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装 株式会社内 (72)発明者 上野山 博文 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装 株式会社内 (72)発明者 奈良 健一 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装 株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて両持ち梁状
部によって支えられ、加速度に伴って変位するゲート電
極部と、 前記半導体基板に不純物拡散層を形成することで構成さ
れ、加速度による前記ゲート電極部との相対的位置の変
化により、流れる電流が変化するソース・ドレイン部と
を備えることを特徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項２】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて両持ち梁状
部によって支えられ、加速度に伴って変位するゲート電
極部と、 前記半導体基板に設けられ、前記ゲート電極部の可動範
囲を制限する可動範囲制限部材と、 前記半導体基板に不純物拡散層を形成することで構成さ
れ、加速度による前記ゲート電極部との相対的位置の変
化により、流れる電流が変化するソース・ドレイン部と
を備えることを特徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項３】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて両持ち梁状
部によって支えられ、加速度に伴って変位するゲート電
極部と、 前記半導体基板に設けられ、前記ゲート電極部の可動範
囲を制限する可動範囲制限部材と、 前記半導体基板に不純物拡散層を形成することで構成さ
れ、加速度による前記ゲート電極部との相対的位置の変
化により、流れる電流が変化するソース・ドレイン部と
を備えた半導体加速度センサの製造方法であって、 前記ゲート電極部の配線またはソース・ドレイン部の配
線の少なくともいずれか一方と前記可動範囲制限部材と
を同一材料にて同時に形成するようにしたことを特徴と
する半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に配置された両持ち梁部と、 前記両持ち梁部に設けられ、重心を両持ち梁部の軸線上
からズラすための重り部と、 前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てた状態で前記
両持ち梁部の両側からそれぞれ突設され、半導体基板の
表面に垂直な加速度に伴って半導体基板との距離が互い
に逆相で変位する第１および第２のゲート電極部と、 前記半導体基板に不純物拡散層を形成することで構成さ
れ、前記加速度による前記第１のゲート電極部との距離
の変化により、流れる電流が変化する第１のソース・ド
レイン部と、 前記半導体基板に不純物拡散層を形成することで構成さ
れ、前記加速度による前記第２のゲート電極部との距離
の変化により、流れる電流が変化する第２のソース・ド
レイン部とを備えることを特徴とする半導体加速度セン
サ。 - 【請求項５】 半導体基板と、 前記半導体基板の上に配置された両持ち梁構造の可動部
と、 前記可動部に前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔て
た状態で設けられ、半導体基板の表面に平行な加速度検
出方向に対し直交する方向に延びる帯状のゲート電極部
と、 前記ゲート電極部の下方での前記半導体基板における前
記加速度検出方向に対し直交方向に並設され、かつ、加
速度検出方向に延びる不純物拡散層を形成することで構
成され、前記加速度検出方向への前記ゲート電極部の変
位により、流れる電流が変化する第１のソース・ドレイ
ン部と、 前記ゲート電極部の下方での前記半導体基板における前
記加速度検出方向に対し直交方向に並設され、かつ、加
速度検出方向に延びる不純物拡散層を形成することで構
成され、前記加速度検出方向への前記ゲート電極部の変
位により、流れる電流が前記第１のソース・ドレイン部
での電流とは逆相で変化する第２のソース・ドレイン部
とを備えることを特徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項６】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて両持ち梁状
部によって支えられ、前記半導体基板の表面に平行な加
速度検出方向において対向する面を有するゲート電極部
と、 前記ゲート電極部の下方での前記半導体基板における前
記加速度検出方向に対し直交方向に並設され、かつ、加
速度検出方向に延びる不純物拡散層を形成することで構
成され、前記加速度検出方向への前記ゲート電極部の一
方の対向面の変位により、流れる電流が変化する第１の
ソース・ドレイン部と、 前記ゲート電極部の下方での前記半導体基板における前
記加速度検出方向に対し直交方向に並設され、かつ、加
速度検出方向に延びる不純物拡散層を形成することで構
成され、前記加速度検出方向への前記ゲート電極部の他
方の対向面の変位により、流れる電流が前記第１のソー
ス・ドレイン部での電流とは逆相で変化する第２のソー
ス・ドレイン部とを備えることを特徴とする半導体加速
度センサ。 - 【請求項７】 半導体基板と、 前記半導体基板の上に配置された両持ち梁構造の可動部
と、 前記可動部に前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔て
た状態で設けられ、半導体基板の表面に平行な加速度検
出方向に延びる帯状の第１のゲート電極部と、 前記可動部に前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔て
た状態で設けられ、半導体基板の表面に平行な加速度検
出方向において前記第１のゲート電極部とは反対の向き
に延びる帯状の第２のゲート電極部と、 前記第１のゲート電極部の下方での前記半導体基板にお
ける前記加速度検出方向に対し直交方向に並設され、か
つ、加速度検出方向に延びる不純物拡散層を形成するこ
とで構成され、前記加速度検出方向への前記第１のゲー
ト電極部の変位により、流れる電流が変化する第１のソ
ース・ドレイン部と、 前記第２のゲート電極部の下方での前記半導体基板にお
ける前記加速度検出方向に対し直交方向に並設され、か
つ、加速度検出方向に延びる不純物拡散層を形成するこ
とで構成され、前記加速度検出方向への前記第２のゲー
ト電極部の変位により、流れる電流が前記第１のソース
・ドレイン部での電流とは逆相で変化する第２のソース
・ドレイン部とを備えることを特徴とする半導体加速度
センサ。 - 【請求項８】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて両持ち梁状
部によって支えられ、加速度に伴って変位するゲート電
極部と、 前記半導体基板に不純物拡散層を形成することで構成さ
れ、半導体基板の表面に平行な加速度検出方向に直交す
る方向においてその離間距離を変えて配置され、前記加
速度検出方向への前記ゲート電極部の変位により、流れ
る電流が変化するソース・ドレイン部とを備えることを
特徴とする半導体加速度センサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02316295A JP3555214B2 (ja) | 1994-03-15 | 1995-02-10 | 半導体加速度センサ |
| US08/402,949 US5627397A (en) | 1994-03-15 | 1995-03-13 | Semiconductor acceleration sensor with source and drain regions |
| DE19509160A DE19509160B4 (de) | 1994-03-15 | 1995-03-14 | Halbleiterbeschleunigungssensoren |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4435494 | 1994-03-15 | ||
| JP6-44354 | 1994-03-15 | ||
| JP02316295A JP3555214B2 (ja) | 1994-03-15 | 1995-02-10 | 半導体加速度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307478A true JPH07307478A (ja) | 1995-11-21 |
| JP3555214B2 JP3555214B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=26360480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02316295A Expired - Fee Related JP3555214B2 (ja) | 1994-03-15 | 1995-02-10 | 半導体加速度センサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5627397A (ja) |
| JP (1) | JP3555214B2 (ja) |
| DE (1) | DE19509160B4 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000183364A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Motorola Inc | センサおよび製造方法 |
| JP2007071846A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Univ Kansai | 静電容量型センサとその製造方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5922212A (en) * | 1995-06-08 | 1999-07-13 | Nippondenso Co., Ltd | Semiconductor sensor having suspended thin-film structure and method for fabricating thin-film structure body |
| JP3489273B2 (ja) * | 1995-06-27 | 2004-01-19 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサの製造方法 |
| US5808331A (en) * | 1995-09-05 | 1998-09-15 | Motorola, Inc. | Monolithic semiconductor device having a microstructure and a transistor |
| US5818093A (en) * | 1996-01-25 | 1998-10-06 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a movable gate |
| DE19734530B4 (de) * | 1996-08-09 | 2008-04-24 | Denso Corp., Kariya | Halbleiterbeschleunigungssensor |
| US6043524A (en) * | 1997-02-03 | 2000-03-28 | Motorola, Inc. | Transducer and interface circuit |
| JP3555388B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2004-08-18 | 株式会社デンソー | 半導体ヨーレートセンサ |
| US5903038A (en) * | 1997-06-30 | 1999-05-11 | Motorola, Inc. | Semiconductor sensing device and method for fabricating the same |
| US6065341A (en) * | 1998-02-18 | 2000-05-23 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor with stopper portion |
| DE19844676C1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-08-03 | Siemens Ag | Mikromechanischer Sensor auf Basis des Feldeffekts und dessen Verwendung |
| US6388299B1 (en) | 1998-12-10 | 2002-05-14 | Honeywell Inc. | Sensor assembly and method |
| US6204544B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-03-20 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Laterally movable gate field effect transistors for microsensors and microactuators |
| DE10019408C2 (de) * | 2000-04-19 | 2003-11-13 | Bosch Gmbh Robert | Feldeffekttransistor, insbesondere zur Verwendung als Sensorelement oder Beschleunigungssensor, und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6720634B2 (en) * | 2002-01-07 | 2004-04-13 | Honeywell International Inc. | Contactless acceleration switch |
| DE602004007877T2 (de) * | 2004-03-02 | 2008-04-24 | Colibrys S.A. | Mikroelektromechanisches System |
| FR2901263B1 (fr) * | 2006-05-18 | 2008-10-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif sensible a un mouvement comportant au moins un transistor |
| US8186220B2 (en) * | 2009-03-09 | 2012-05-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Accelerometer with over-travel stop structure |
| US9162868B2 (en) * | 2013-11-27 | 2015-10-20 | Infineon Technologies Ag | MEMS device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2578323B1 (fr) * | 1985-03-01 | 1987-11-20 | Metravib Sa | Capteur integre de grandeurs mecaniques a effet capacitif et procede de fabrication. |
| US5016072A (en) * | 1988-01-13 | 1991-05-14 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Semiconductor chip gyroscopic transducer |
| JPH0623782B2 (ja) * | 1988-11-15 | 1994-03-30 | 株式会社日立製作所 | 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ |
| US5126812A (en) * | 1990-02-14 | 1992-06-30 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Monolithic micromechanical accelerometer |
| JPH0425764A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-29 | Nec Corp | 半導体加速度センサ |
| WO1992003740A1 (en) * | 1990-08-17 | 1992-03-05 | Analog Devices, Inc. | Monolithic accelerometer |
| US5103279A (en) * | 1990-10-18 | 1992-04-07 | Motorola, Inc. | Field effect transistor with acceleration dependent gain |
-
1995
- 1995-02-10 JP JP02316295A patent/JP3555214B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-13 US US08/402,949 patent/US5627397A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-14 DE DE19509160A patent/DE19509160B4/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000183364A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Motorola Inc | センサおよび製造方法 |
| JP2007071846A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Univ Kansai | 静電容量型センサとその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19509160B4 (de) | 2007-03-22 |
| US5627397A (en) | 1997-05-06 |
| DE19509160A1 (de) | 1995-09-21 |
| JP3555214B2 (ja) | 2004-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07307478A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 | |
| US5572057A (en) | Semiconductor acceleration sensor with movable electrode | |
| JP3385688B2 (ja) | 半導体ヨーレートセンサおよびその製造方法 | |
| US5504356A (en) | Semiconductor accelerometer | |
| US8106471B2 (en) | Semiconductor dynamic quantity sensor and method of producing the same | |
| JP3412293B2 (ja) | 半導体ヨーレートセンサおよびその製造方法 | |
| US6137150A (en) | Semiconductor physical-quantity sensor having a locos oxide film, for sensing a physical quantity such as acceleration, yaw rate, or the like | |
| US7884624B2 (en) | Capacitance sensing structure | |
| US20060169043A1 (en) | Z-axis accelerometer with at least two gap sizes and travel stops disposed outside an active capacitor area | |
| US7225675B2 (en) | Capacitance type dynamic quantity sensor | |
| US6909158B2 (en) | Capacitance type dynamical quantity sensor | |
| US7004029B2 (en) | Semiconductor dynamic quantity sensor | |
| US9612254B2 (en) | Microelectromechanical systems devices with improved lateral sensitivity | |
| JPH0923015A (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JP3331648B2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JP2000108099A (ja) | 変位測定用マイクロマシンセンサ | |
| US7155977B2 (en) | Semiconductor dynamic quantity sensor | |
| JPH08320339A (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JP3385759B2 (ja) | 半導体ヨーレートセンサ及びその製造方法 | |
| JPH11218545A (ja) | 静電容量型加速度センサ及び検出方法 | |
| JP3326905B2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH06163934A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 | |
| JPH06196721A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 | |
| JPH0918020A (ja) | 半導体力学量センサとその製造方法 | |
| JPH08111534A (ja) | 半導体力学量センサ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040420 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040503 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110521 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120521 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120521 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140521 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |