JPH07303971A - プラズマスポット溶接用トーチ - Google Patents
プラズマスポット溶接用トーチInfo
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- JPH07303971A JPH07303971A JP6097662A JP9766294A JPH07303971A JP H07303971 A JPH07303971 A JP H07303971A JP 6097662 A JP6097662 A JP 6097662A JP 9766294 A JP9766294 A JP 9766294A JP H07303971 A JPH07303971 A JP H07303971A
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- Japan
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- electrode
- plasma
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- spatter
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電極と拘束ノズルを有するトーチを備えたプ
ラズマ溶接装置を用いて、例えば自動車用ボディに用い
られる亜鉛メッキ鋼板をプラズマスポット溶接する場合
に、従来はスパッタの堆積により溶接作業に支障を来し
ていたのであるが、この発明ではスパッタの堆積を気に
することなく効率よくプラズマスポット溶接を行えるよ
うにする。 【構成】 電極１１の、プラズマ発生点１１ａを除いた
表面および拘束ノズル１２の、プラズマ発生孔１２ａを
除いた表面を絶縁被膜１３，１４で覆う。
ラズマ溶接装置を用いて、例えば自動車用ボディに用い
られる亜鉛メッキ鋼板をプラズマスポット溶接する場合
に、従来はスパッタの堆積により溶接作業に支障を来し
ていたのであるが、この発明ではスパッタの堆積を気に
することなく効率よくプラズマスポット溶接を行えるよ
うにする。 【構成】 電極１１の、プラズマ発生点１１ａを除いた
表面および拘束ノズル１２の、プラズマ発生孔１２ａを
除いた表面を絶縁被膜１３，１４で覆う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば自動車のボデ
ィに用いられる亜鉛メッキ鋼板のように溶接時において
スパッタが多量に発生するワークのプラズマスポット溶
接を行う場合に特に好適なプラズマスポット溶接用トー
チに関する。
ィに用いられる亜鉛メッキ鋼板のように溶接時において
スパッタが多量に発生するワークのプラズマスポット溶
接を行う場合に特に好適なプラズマスポット溶接用トー
チに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、プラズマ溶接装置に備えられ
たトーチ１は、図４に示すように銅製の電極２とこの電
極２の先端側を覆うように配置された筒状をなす、同じ
く銅製の拘束ノズル３とを主体として構成されている。
また、図中４はパイロットアーク電源、５は主アーク電
源であり、電極２にはこのパイロックアーク電源４の負
側および主アーク電源５の負側が接続され、ノズル３に
はパイロットアーク電源４の正側が接続され、ワークＷ
には主アーク電源５の正側が接続されている。このよう
なプラズマ溶接装置によれば、電極２とノズル３との間
に供給されたプラズマガス（アルゴンガス）がノズル３
によって拘束・冷却され、これによりその電流密度が高
められてノズル３のプラズマ発生孔３ａから高温のプラ
ズマアークＰがワークＷに向けて照射される。
たトーチ１は、図４に示すように銅製の電極２とこの電
極２の先端側を覆うように配置された筒状をなす、同じ
く銅製の拘束ノズル３とを主体として構成されている。
また、図中４はパイロットアーク電源、５は主アーク電
源であり、電極２にはこのパイロックアーク電源４の負
側および主アーク電源５の負側が接続され、ノズル３に
はパイロットアーク電源４の正側が接続され、ワークＷ
には主アーク電源５の正側が接続されている。このよう
なプラズマ溶接装置によれば、電極２とノズル３との間
に供給されたプラズマガス（アルゴンガス）がノズル３
によって拘束・冷却され、これによりその電流密度が高
められてノズル３のプラズマ発生孔３ａから高温のプラ
ズマアークＰがワークＷに向けて照射される。
【０００３】このようなトーチ１を用いてプラズマスポ
ット溶接を行う場合において、ワークＷが例えば上記亜
鉛メッキ鋼板である場合には主としてプラズマ流の押し
上げ作用によりワークＷの溶融池Ｍから多量のスパッタ
Ｓが発生して周囲に飛散する。飛散したスパッタＳは、
時間の経過に伴って例えば図５に示すようにノズル３と
電極２との間に堆積する。スパッタＳの堆積量が増える
とこのスパッタＳが電極２に接触し、従ってノズル３と
電極２との間がこのスパッタＳを経て短絡（導通）され
てしまう。また、図６に示すようにスパッタＳがノズル
３とワークＷとの間に堆積した場合にも、堆積量が増え
るとノズル３とワークＷとの間が短絡されてしまう。
ット溶接を行う場合において、ワークＷが例えば上記亜
鉛メッキ鋼板である場合には主としてプラズマ流の押し
上げ作用によりワークＷの溶融池Ｍから多量のスパッタ
Ｓが発生して周囲に飛散する。飛散したスパッタＳは、
時間の経過に伴って例えば図５に示すようにノズル３と
電極２との間に堆積する。スパッタＳの堆積量が増える
とこのスパッタＳが電極２に接触し、従ってノズル３と
電極２との間がこのスパッタＳを経て短絡（導通）され
てしまう。また、図６に示すようにスパッタＳがノズル
３とワークＷとの間に堆積した場合にも、堆積量が増え
るとノズル３とワークＷとの間が短絡されてしまう。
【０００４】上記のようにしてノズル３と電極２との間
が短絡されると、図５に示すように通電経路（図中矢印
で示した）が正規の経路（プラズマ発生孔３ａを経る経
路、以下同じ）からずれてしまい、このため電極２より
も先方に位置するノズル３の先端からアークが発生し、
従ってプラズマアークＰが発生しなくなってしまう。ま
た、特にワークＷとノズル３との間の間隔が狭い場合に
おいてスパッタＳが両者間に堆積しやすく、これにより
ワークＷとノズル３とが上記のようにして短絡されると
ワークＷとノズル３が同電位となり、従ってプラズマ電
流はノズル３から溶接位置に向かわずスパッタＳを経由
してワークＷへ流れ、このためプラズマアークＰが発生
しなくなるばかりでなくノズル３あるいはワークＷを損
傷するおそれがある。
が短絡されると、図５に示すように通電経路（図中矢印
で示した）が正規の経路（プラズマ発生孔３ａを経る経
路、以下同じ）からずれてしまい、このため電極２より
も先方に位置するノズル３の先端からアークが発生し、
従ってプラズマアークＰが発生しなくなってしまう。ま
た、特にワークＷとノズル３との間の間隔が狭い場合に
おいてスパッタＳが両者間に堆積しやすく、これにより
ワークＷとノズル３とが上記のようにして短絡されると
ワークＷとノズル３が同電位となり、従ってプラズマ電
流はノズル３から溶接位置に向かわずスパッタＳを経由
してワークＷへ流れ、このためプラズマアークＰが発生
しなくなるばかりでなくノズル３あるいはワークＷを損
傷するおそれがある。
【０００５】このような問題に対して従来は、溶接作業
に先立ちワークＷの溶接箇所を局部的に予熱してメッキ
被膜を除去し、これによりスパッタＳの発生自体を抑制
する方策がとられていた。
に先立ちワークＷの溶接箇所を局部的に予熱してメッキ
被膜を除去し、これによりスパッタＳの発生自体を抑制
する方策がとられていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来はス
パッタＳの発生自体を抑制することにより電極２とノズ
ル３との間あるいはワークＷとノズル３との間にスパッ
タＳが堆積することを防止していたのであるが必ずしも
十分な効果を得ることができず、結局トーチ１あるいは
ワークＷに付着したスパッタＳを頻繁に清掃することで
その堆積を防止せざるを得ず、従って溶接作業の効率を
非常に悪くしていた。
パッタＳの発生自体を抑制することにより電極２とノズ
ル３との間あるいはワークＷとノズル３との間にスパッ
タＳが堆積することを防止していたのであるが必ずしも
十分な効果を得ることができず、結局トーチ１あるいは
ワークＷに付着したスパッタＳを頻繁に清掃することで
その堆積を防止せざるを得ず、従って溶接作業の効率を
非常に悪くしていた。
【０００７】本発明は、特に亜鉛メッキ鋼板等のスパッ
タが多量に発生するワークをプラズマスポット溶接する
にあたり、スパッタの堆積を問題にすることなく安定し
たプラズマアークの発生を実現できるプラズマスポット
溶接用トーチを提供することを目的とする。
タが多量に発生するワークをプラズマスポット溶接する
にあたり、スパッタの堆積を問題にすることなく安定し
たプラズマアークの発生を実現できるプラズマスポット
溶接用トーチを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このため、請求項１記載
の発明は、電極と拘束ノズルを備えたプラズマスポット
溶接用トーチであって、前記電極の、プラズマ発生点を
除いた表面を絶縁被膜で覆ったことを特徴とし、請求項
２記載の発明は、電極と拘束ノズルを備えたプラズマス
ポット溶接用トーチであって、前記拘束ノズルの、プラ
ズマ発生孔を除いた表面を絶縁被膜で覆ったことを特徴
とし、請求項３の発明は、電極と拘束ノズルを備えたプ
ラズマスポット溶接用トーチであって、前記電極の、プ
ラズマ発生点を除いた表面および前記拘束ノズルの、プ
ラズマ発生孔を除いた表面を絶縁被膜で覆ったことを特
徴とする。
の発明は、電極と拘束ノズルを備えたプラズマスポット
溶接用トーチであって、前記電極の、プラズマ発生点を
除いた表面を絶縁被膜で覆ったことを特徴とし、請求項
２記載の発明は、電極と拘束ノズルを備えたプラズマス
ポット溶接用トーチであって、前記拘束ノズルの、プラ
ズマ発生孔を除いた表面を絶縁被膜で覆ったことを特徴
とし、請求項３の発明は、電極と拘束ノズルを備えたプ
ラズマスポット溶接用トーチであって、前記電極の、プ
ラズマ発生点を除いた表面および前記拘束ノズルの、プ
ラズマ発生孔を除いた表面を絶縁被膜で覆ったことを特
徴とする。
【０００９】
【作用】請求項１記載の構成によれば、電極とノズルと
の間に堆積したスパッタが電極あるいはノズルに接触し
ても電極とノズルが短絡されることはなく、請求項２記
載の構成によればワークとノズルとの間に堆積したスパ
ッタがノズルあるいはワークに接触してもワークとノズ
ルとの間が短絡されることはなく、また請求項３記載の
構成によれば、電極とノズルとの間に堆積したスパッタ
が電極あるいはノズルに接触しても電極とノズルが短絡
されることはなく、かつ、ワークとノズルとの間に堆積
したスパッタがノズルあるいはワークに接触してもワー
クとノズルとの間が短絡されることはない。
の間に堆積したスパッタが電極あるいはノズルに接触し
ても電極とノズルが短絡されることはなく、請求項２記
載の構成によればワークとノズルとの間に堆積したスパ
ッタがノズルあるいはワークに接触してもワークとノズ
ルとの間が短絡されることはなく、また請求項３記載の
構成によれば、電極とノズルとの間に堆積したスパッタ
が電極あるいはノズルに接触しても電極とノズルが短絡
されることはなく、かつ、ワークとノズルとの間に堆積
したスパッタがノズルあるいはワークに接触してもワー
クとノズルとの間が短絡されることはない。
【００１０】スパッタの堆積により、電極とノズルとの
間あるいはワークとノズルとの間が短絡されることはな
いので、プラズマアークはスパッタの堆積によっても何
ら障害を受けることなく良好に照射される状態に維持さ
れる。
間あるいはワークとノズルとの間が短絡されることはな
いので、プラズマアークはスパッタの堆積によっても何
ら障害を受けることなく良好に照射される状態に維持さ
れる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例を図１ないし図３に基
づいて説明する。図１に示すように本例のトーチ１０
は、円柱体形状の電極１１と、この電極１１の先方（図
示下方）を覆うようにして配置された筒状のノズル１２
とを主体として構成されている。なお、図ではシールド
ガス吹き付け用のノズルは省略してある。電極１１の先
端面ほぼ中央がプラズマ発生点１１ａであり、このプラ
ズマ発生点１１ａの先方（図示下方）であってノズル１
２の底面中央に小径のプラズマ発生孔１２ａが形成され
ており、このプラズマ発生孔１２ａを経て高温のプラズ
マアークＰがワークＷに向けて照射される。
づいて説明する。図１に示すように本例のトーチ１０
は、円柱体形状の電極１１と、この電極１１の先方（図
示下方）を覆うようにして配置された筒状のノズル１２
とを主体として構成されている。なお、図ではシールド
ガス吹き付け用のノズルは省略してある。電極１１の先
端面ほぼ中央がプラズマ発生点１１ａであり、このプラ
ズマ発生点１１ａの先方（図示下方）であってノズル１
２の底面中央に小径のプラズマ発生孔１２ａが形成され
ており、このプラズマ発生孔１２ａを経て高温のプラズ
マアークＰがワークＷに向けて照射される。
【００１２】電極１１の表面は、上記プラズマ発生点１
１ａを除いて絶縁皮膜１３により覆われている。この絶
縁皮膜１３は、表面が平滑（表面粗さが０．８ｓ程度以
下）なセラミックス製スリーブを電極１１の外周面に嵌
め付けて形成されている。このセラミックス製スリーブ
の底面中央に孔が形成されており、この孔が上記プラズ
マ発生点１１ａに位置合わせされて当該プラズマ発生点
１１ａだけがこの絶縁皮膜１３によって覆われていな
い。なお、絶縁皮膜１３は上記例示したセラミックス製
スリーブを用いる場合の他、セラミックス粉体を電極１
１の表面に直接溶射して形成してもよい。
１ａを除いて絶縁皮膜１３により覆われている。この絶
縁皮膜１３は、表面が平滑（表面粗さが０．８ｓ程度以
下）なセラミックス製スリーブを電極１１の外周面に嵌
め付けて形成されている。このセラミックス製スリーブ
の底面中央に孔が形成されており、この孔が上記プラズ
マ発生点１１ａに位置合わせされて当該プラズマ発生点
１１ａだけがこの絶縁皮膜１３によって覆われていな
い。なお、絶縁皮膜１３は上記例示したセラミックス製
スリーブを用いる場合の他、セラミックス粉体を電極１
１の表面に直接溶射して形成してもよい。
【００１３】次に、ノズル１２の表面（外周面）も、上
記プラズマ発生孔１２ａを除いて絶縁皮膜１４により覆
われている。この絶縁皮膜１４も上記電極１１側の絶縁
皮膜と同様にセラミックス製スリーブを嵌め付けて形成
されており、このセラミックス製スリーブの底面中央に
も孔が形成されており、この孔が上記プラズマ発生孔１
２ａに位置合わせされて当該プラズマ発生孔１２ａがノ
ズル１２の内側と外側に貫通した状態に保持されてい
る。なお、電極１１側の絶縁皮膜１３と同様に、この絶
縁皮膜１４もセラミックス粉体をノズル１２の表面に直
接溶射して形成してもよい。
記プラズマ発生孔１２ａを除いて絶縁皮膜１４により覆
われている。この絶縁皮膜１４も上記電極１１側の絶縁
皮膜と同様にセラミックス製スリーブを嵌め付けて形成
されており、このセラミックス製スリーブの底面中央に
も孔が形成されており、この孔が上記プラズマ発生孔１
２ａに位置合わせされて当該プラズマ発生孔１２ａがノ
ズル１２の内側と外側に貫通した状態に保持されてい
る。なお、電極１１側の絶縁皮膜１３と同様に、この絶
縁皮膜１４もセラミックス粉体をノズル１２の表面に直
接溶射して形成してもよい。
【００１４】本例のトーチ１０は、上記したように電極
１１およびノズル１２の表面に絶縁皮膜１３，１４を形
成する点の他は特に変更を要するものではないので説明
を省略すが、電極１１には主アーク電源の負側とパイロ
ットアーク電源の負側が接続され、ノズル１２にはパイ
ロックアーク電源の正側が接続され、またワークＷには
主アーク電源の正側が接続されている（図４参照）。さ
らに、図示は省略したが、ノズル１２は水冷方式により
冷却されるようになっている。
１１およびノズル１２の表面に絶縁皮膜１３，１４を形
成する点の他は特に変更を要するものではないので説明
を省略すが、電極１１には主アーク電源の負側とパイロ
ットアーク電源の負側が接続され、ノズル１２にはパイ
ロックアーク電源の正側が接続され、またワークＷには
主アーク電源の正側が接続されている（図４参照）。さ
らに、図示は省略したが、ノズル１２は水冷方式により
冷却されるようになっている。
【００１５】このように構成されたトーチ１０によれ
ば、ワークＷにプラズマアークＰが照射されると溶接部
位は溶融して溶融池Ｍが形成され、この溶融池Ｍから主
としてプラズマ流の押し上げによりスパッタＳが飛散す
る。飛散したスパッタＳが、例えば図２に示すようにノ
ズル１２の内側に堆積し、この堆積したスパッタＳが電
極１１にも接触する状態となった場合を考えると、従
来、この場合には電極１１とノズル１２が短絡されてし
まうので、プラズマアークＰが発生しなくなり、ひいて
は溶接作業ができなくなったしまうのであったが、本例
のトーチ１０によれば、電極１１の表面が絶縁皮膜１３
によって覆われているので、このような場合にも電極１
１とノズル１２が短絡されることはなく、従って、引き
続きプラズマアークの照射が良好に行われ、そのままの
状態で溶接作業を続行することができる。
ば、ワークＷにプラズマアークＰが照射されると溶接部
位は溶融して溶融池Ｍが形成され、この溶融池Ｍから主
としてプラズマ流の押し上げによりスパッタＳが飛散す
る。飛散したスパッタＳが、例えば図２に示すようにノ
ズル１２の内側に堆積し、この堆積したスパッタＳが電
極１１にも接触する状態となった場合を考えると、従
来、この場合には電極１１とノズル１２が短絡されてし
まうので、プラズマアークＰが発生しなくなり、ひいて
は溶接作業ができなくなったしまうのであったが、本例
のトーチ１０によれば、電極１１の表面が絶縁皮膜１３
によって覆われているので、このような場合にも電極１
１とノズル１２が短絡されることはなく、従って、引き
続きプラズマアークの照射が良好に行われ、そのままの
状態で溶接作業を続行することができる。
【００１６】また、例えば図３に示すように飛散したス
パッタＳがワークＷ上に堆積し、この堆積したスパッタ
Ｓがノズル１２に接触する状態となった場合に、従来で
あれば、ワークＷとノズル１２が短絡されてしまうので
この場合にもプラズマアークＰが発生しなくなってしま
う。しかしながら、本例のトーチ１０によれば、ノズル
１２の表面が絶縁皮膜１４によって覆われているのでこ
のような場合であってもワークＷとノズル１２が短絡さ
れることはなく、従って上記と同様にスパッタＳの堆積
をさほど気にすることなく溶接作業を続行できる。
パッタＳがワークＷ上に堆積し、この堆積したスパッタ
Ｓがノズル１２に接触する状態となった場合に、従来で
あれば、ワークＷとノズル１２が短絡されてしまうので
この場合にもプラズマアークＰが発生しなくなってしま
う。しかしながら、本例のトーチ１０によれば、ノズル
１２の表面が絶縁皮膜１４によって覆われているのでこ
のような場合であってもワークＷとノズル１２が短絡さ
れることはなく、従って上記と同様にスパッタＳの堆積
をさほど気にすることなく溶接作業を続行できる。
【００１７】このように、本例のトーチ１０によればス
パッタＳの堆積を気にすることなく溶接作業をそのまま
続行できるので、従来のように頻繁に溶接作業を中断し
てスパッタＳの除去を行う場合に比して溶接作業の効率
を大幅に良くすることができる。特に、ワークＷが例え
ば自動車のボディ等に多用される亜鉛メッキ鋼板である
場合にはスパッタＳの発生量が多いのであるが、この場
合であっても従来のような溶接作業に先立つメッキ皮膜
の除去作業をすることなくあるいは溶接作業中頻繁に行
われていた堆積スパッタＳの除去作業の頻度を少なくし
て溶接作業を効率よく行うことができるのでボディ生産
行程の効率化に多大な貢献をすることができる。
パッタＳの堆積を気にすることなく溶接作業をそのまま
続行できるので、従来のように頻繁に溶接作業を中断し
てスパッタＳの除去を行う場合に比して溶接作業の効率
を大幅に良くすることができる。特に、ワークＷが例え
ば自動車のボディ等に多用される亜鉛メッキ鋼板である
場合にはスパッタＳの発生量が多いのであるが、この場
合であっても従来のような溶接作業に先立つメッキ皮膜
の除去作業をすることなくあるいは溶接作業中頻繁に行
われていた堆積スパッタＳの除去作業の頻度を少なくし
て溶接作業を効率よく行うことができるのでボディ生産
行程の効率化に多大な貢献をすることができる。
【００１８】また、本例のトーチ１０によればその他種
々作用効果を奏する。すなわち、電極１１あるいはノズ
ル１２の表面が平滑な絶縁皮膜１３，１４で覆われてい
るのでスパッタＳが付着しにくく、この点においても良
好なプラズマ溶接を行うことができる。さらに、ノズル
外側にスパッタＳが付着しにくいのでノズル１２および
ワークＷの電触破損を未然に防ぐことができ、設備の耐
久性あるいは信頼性を高めることができる。また、トー
チ１０をワークＷに近づけて用いるほどスパッタＳが堆
積しやすいのであるが、堆積した場合でも従来のような
問題は発生しないので、複雑な形状のワークＷに対して
トーチ１０を接近させて溶接を行うことができ、この点
でプラズマスポット溶接の適用範囲が広がる。
々作用効果を奏する。すなわち、電極１１あるいはノズ
ル１２の表面が平滑な絶縁皮膜１３，１４で覆われてい
るのでスパッタＳが付着しにくく、この点においても良
好なプラズマ溶接を行うことができる。さらに、ノズル
外側にスパッタＳが付着しにくいのでノズル１２および
ワークＷの電触破損を未然に防ぐことができ、設備の耐
久性あるいは信頼性を高めることができる。また、トー
チ１０をワークＷに近づけて用いるほどスパッタＳが堆
積しやすいのであるが、堆積した場合でも従来のような
問題は発生しないので、複雑な形状のワークＷに対して
トーチ１０を接近させて溶接を行うことができ、この点
でプラズマスポット溶接の適用範囲が広がる。
【００１９】また、電極１１の表面をプラズマ発生点１
１ａを残して覆ったことにより、プラズマ発生点１１ａ
を他の部分と明確に区別して設定できるのでプラズマ発
生時の遅れを少なくでき、従ってプラズマアークの照射
開始の確動性をより高めることができる。
１ａを残して覆ったことにより、プラズマ発生点１１ａ
を他の部分と明確に区別して設定できるのでプラズマ発
生時の遅れを少なくでき、従ってプラズマアークの照射
開始の確動性をより高めることができる。
【００２０】なお、本例では電極１１とノズル１２の双
方に絶縁皮膜１３，１４を覆った構成を例示したが、必
要に応じて電極１１側あるいはノズル１２側の一方にの
み絶縁皮膜を覆う構成としてもよい。
方に絶縁皮膜１３，１４を覆った構成を例示したが、必
要に応じて電極１１側あるいはノズル１２側の一方にの
み絶縁皮膜を覆う構成としてもよい。
【００２１】
【発明の効果】この発明によれば、電極とノズルとの間
あるいはワークとノズルとの間の短絡が防止されるの
で、従来のように予め溶接作業に先立ってメッキ皮膜を
除去したりあるいは溶接作業を中断して頻繁にスパッタ
の除去をしたりすることなく、スパッタの堆積をさほど
気にすることなく溶接作業をそのまま続行でき、従って
プラズマスポット溶接の作業効率を大幅によくすること
ができる。
あるいはワークとノズルとの間の短絡が防止されるの
で、従来のように予め溶接作業に先立ってメッキ皮膜を
除去したりあるいは溶接作業を中断して頻繁にスパッタ
の除去をしたりすることなく、スパッタの堆積をさほど
気にすることなく溶接作業をそのまま続行でき、従って
プラズマスポット溶接の作業効率を大幅によくすること
ができる。
【図１】本発明の実施例を示し、トーチの概略の構成を
示す一部断面側面図である。
示す一部断面側面図である。
【図２】電極とノズルとの間にスパッタが堆積した状態
におけるトーチの一部断面側面図である。
におけるトーチの一部断面側面図である。
【図３】ワークとノズルとの間にスパッタが堆積した状
態におけるトーチの一部断面側面図である。
態におけるトーチの一部断面側面図である。
【図４】従来のトーチの側面図である。
【図５】従来のトーチにおいて、電極とノズルとの間に
スパッタが堆積した状態を示す側面図である。
スパッタが堆積した状態を示す側面図である。
【図６】従来のトーチにおいて、ワークとノズルとの間
にスパッタが堆積した状態を示す側面図である。
にスパッタが堆積した状態を示す側面図である。
１…従来のトーチ ２…電極、２ａ…プラズマ発生点 ３…拘束ノズル、３ａ…プラズマ発生孔 ４…パイロットアーク電源 ５…主アーク電源 １０…本実施例のトーチ １１…電極、１１ａ…プラズマ発生点 １２…拘束ノズル、１２ａ…プラズマ発生孔 １３…絶縁皮膜（電極側） １４…絶縁皮膜（ノズル側） Ｓ…スパッタ Ｗ…ワーク Ｍ…溶融池 Ｐ…プラズマアーク
Claims (3)
- 【請求項１】 電極と拘束ノズルを備えたプラズマスポ
ット溶接用トーチであって、前記電極の、プラズマ発生
点を除いた表面を絶縁被膜で覆ったことを特徴とするプ
ラズマスポット溶接用トーチ。 - 【請求項２】 電極と拘束ノズルを備えたプラズマスポ
ット溶接用トーチであって、前記拘束ノズルの、プラズ
マ発生孔を除いた表面を絶縁被膜で覆ったことを特徴と
するプラズマスポット溶接用トーチ。 - 【請求項３】 電極と拘束ノズルを備えたプラズマスポ
ット溶接用トーチであって、前記電極の、プラズマ発生
点を除いた表面および前記拘束ノズルの、プラズマ発生
孔を除いた表面を絶縁被膜で覆ったことを特徴とするプ
ラズマスポット溶接用トーチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6097662A JPH07303971A (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | プラズマスポット溶接用トーチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6097662A JPH07303971A (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | プラズマスポット溶接用トーチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07303971A true JPH07303971A (ja) | 1995-11-21 |
Family
ID=14198276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6097662A Pending JPH07303971A (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | プラズマスポット溶接用トーチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07303971A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002098190A1 (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-05 | Centro Sviluppo Materiali S.P.A. | Plasma torch |
| JP2012521878A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | フォード グローバル テクノロジーズ、リミテッド ライアビリティ カンパニー | プラズマ移行型ワイヤアーク溶射システム |
| JP2019208345A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | ミネベアミツミ株式会社 | モータ及びモータの製造方法 |
-
1994
- 1994-05-11 JP JP6097662A patent/JPH07303971A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002098190A1 (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-05 | Centro Sviluppo Materiali S.P.A. | Plasma torch |
| US7005599B2 (en) | 2001-05-29 | 2006-02-28 | Centro Sviluppo Materiali S.P.A. | Plasma torch |
| JP2012521878A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | フォード グローバル テクノロジーズ、リミテッド ライアビリティ カンパニー | プラズマ移行型ワイヤアーク溶射システム |
| US10730063B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-08-04 | Ford Global Technologies, Llc | Plasma transfer wire arc thermal spray system |
| JP2019208345A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | ミネベアミツミ株式会社 | モータ及びモータの製造方法 |
| WO2019230348A1 (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | ミネベアミツミ株式会社 | モータ及びモータの製造方法 |
| US11735977B2 (en) | 2018-05-30 | 2023-08-22 | Minebea Mitsumi Inc. | Motor and manufacturing method of motor |
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