JPH0730070A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0730070A
JPH0730070A JP5174109A JP17410993A JPH0730070A JP H0730070 A JPH0730070 A JP H0730070A JP 5174109 A JP5174109 A JP 5174109A JP 17410993 A JP17410993 A JP 17410993A JP H0730070 A JPH0730070 A JP H0730070A
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JP
Japan
Prior art keywords
power supply
level signal
circuit
transistor
power
Prior art date
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Pending
Application number
JP5174109A
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English (en)
Inventor
Kiyoshi Nakakimura
清 中木村
Itsuko Kinoshita
伊都子 木下
Masayuki Hata
雅之 畑
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 複数の動作モードを持った半導体素子におい
て動作モードの選択が可能でありながら、モード選択信
号ピンを増加させる必要がない半導体装置を提供する。 【構成】 半導体装置中の半導体素子1に電源を供給す
る複数の電源端子を設け、各電源端子に電源が供給され
るタイミングに時間差を持たせて、各電源端子に電源が
供給される順序を認識することで半導体素子1内部で半
導体素子1の動作モードを選択するための動作モード選
択信号を作り出す構成としてある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、動作モードが選択可能
な半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】外部から選択可能な複数の動作モードを
持つ半導体装置は、その動作モードを選択するために、
モード選択信号ピン4を有している。図4は従来用いら
れている半導体装置のピンの数を説明するための説明図
である。図中1は半導体素子であり、半導体素子1は複
数の動作モードを持つ。電源端子2a,2b,2cは半導体素子
1に電源を供給し、グランド端子3は半導体素子1にグ
ランド電位を与える。このような構成をもつ従来の半導
体装置では半導体素子1が有する複数の動作モードから
1つを選択するために、モード選択信号ピン4に信号を
与える。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置では
動作モードを選択するためにモード選択信号ピンが必要
である。従って半導体素子1にモード選択信号ピンを設
ける必要があるという問題点があった。本発明はこの問
題点に鑑みなされたものであり、時間差を持たせて電源
が供給される電源端子を設け、この電源端子に電源が供
給される順序に依ってモード選択信号を作成する構成と
することによりモード選択信号ピンを備える必要がない
半導体装置を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、複数の電源端子を備え、動作モードを選択すること
が可能な半導体装置において時間差を持たせて電源を供
給する前記電源端子と、該電源端子から与えられる電源
により時間差に応じて生成される信号で前記動作モード
を選択するための動作モード選択信号を発生させる回路
とを備えることを特徴とする。
【0005】
【作用】本発明にあっては、各電源端子に時間差を持た
せて電源を供給し、各電源端子に電源が供給される順序
を識別することで半導体素子内部で半導体素子の動作モ
ードを選択するための動作モード選択信号を作り出すの
で、モード選択信号ピンを設けることなく、動作モード
を選択することができる。
【0006】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図1は本発明に係る半導体装置の
第1実施例を示す回路図である。図中1は半導体素子で
あり、グランド端子3はこの半導体素子1にグランド電
位を与え、電源端子5,6,7は夫々半導体素子1に独
立して電源を供給するものである。また電源端子5,6
夫々とグランド電位との間にコンデンサ8,9を接続し
ており、このコンデンサ8,9は相互に異なる容量値を
持っている。
【0007】電源端子5,6はNOR 回路10の2つの入力
端に夫々接続されている。またNOR回路10の出力端はN
チャネル型のトランジスタ11のゲートに接続されてい
る。トランジスタ11のソースはグランド電位に、ドレイ
ンはNAND回路14の一方の入力端に接続されている。さら
にNAND回路14の一方の入力端はNチャネル型のトランジ
スタ12のドレインに接続されており、また他方の入力端
はNAND回路15の出力端に接続されており、更に出力端は
動作モード選択信号を図示していない回路へ与える。こ
のNAND回路14の出力端はNAND回路15の一方の入力端及び
Nチャネルのトランジスタ13のゲートに接続されてお
り、また他方の入力端はトランジスタ13のドレインが接
続されており、更に出力端はトランジスタ12のゲートに
接続されている。また、トランジスタ12のソースは電源
端子5に接続されており、トランジスタ13のソースは電
源端子6に接続されている。
【0008】このように構成された半導体装置におい
て、コンデンサ9をコンデンサ8よりも十分大きな容量
に設定した場合の動作について説明する。半導体素子1
に対してまず電源端子7から電源が供給され、次に電源
端子5から、最後に電源端子6からという順序で電源が
供給される。この場合、最初に電源端子7のみから電源
が供給されている状態では、コンデンサ8,9のために
電源端子5,6の電位はグランド電位になっており、NO
R 回路10には2入力とも「L」レベルの信号が入力され
るので、「H」レベルの信号が出力されることになる。
この「H」レベルの信号によってトランジスタ11はオン
状態になり、NAND回路14の一方の入力端子に「L」レベ
ルの信号が入力されるので、「H」レベルの信号が出力
されることになる。
【0009】またこの「H」レベルの信号によってトラ
ンジスタ13がオン状態になる。このとき電源端子6はま
だ「L」レベルの信号が出力されていれば、これがNAND
回路15へ入力されることになり、NAND回路15からは
「H」レベルの信号が出力される。この「H」レベルの
信号によってトランジスタ12がオン状態になる。
【0010】次に時間が経過して電源端子5,7の電源
が供給されている状態ではNOR 回路10には「L」レベル
の信号と「H」レベルの信号とが入力されるので、NOR
回路10からは「L」レベルの信号が出力されて、トラン
ジスタ11はオフ状態になる。また、トランジスタ12はオ
ン状態であるからNAND回路14には2入力とも「H」レベ
ル信号が入力されるので、NAND回路14からは「L」レベ
ル信号が出力される。また、この「L」レベルの信号に
よってトランジスタ13がオフ状態になる。NAND回路15の
一入力端には「L」レベル信号が入力されるので、NAND
回路15は「H」レベル信号を出力されて変化しない。
【0011】さらに時間が経過して電源端子5,6,7
の全ての電源端子から電源が供給されるようになって
も、電源端子6の電源をNAND回路15へ伝えるためのトラ
ンジスタ13がオフ状態になっているため、各回路の状態
は前述の電源端子5,7から電源が供給されている場合
と変わらない。よってこの場合には「L」レベルの信号
が動作モード選択信号となる。
【0012】次に前述の場合とは逆にコンデンサ8をコ
ンデンサ9よりも十分に大きな容量に設定した場合の動
作について説明する。半導体素子1に対してまず電源端
子7から電源が供給され、次に電源端子6から、最後に
電源端子5からという順序で電源が供給されることにな
る。この場合、最初に電源端子7のみから電源が供給さ
れている状態では、前述の場合と同様にコンデンサ8,
9により電源端子5,6の電位はグランド電位になって
おり、NOR 回路10には2入力とも「L」レベルの信号が
入力されて、「H」レベルの信号が出力される。この
「H」レベルの信号によりトランジスタ11はオン状態に
なり、NAND回路14の一方の入力端子に「L」レベルの信
号が入力されるので、「H」レベルの信号が出力される
ことになる。この「H」レベルの信号によりトランジス
タ13がオン状態になる。このとき電源端子6はまだ
「L」レベルの信号が出力されていれば、これがNAND回
路15へ入力されて「H」レベル信号が出力される。この
「H」レベルの信号によりトランジスタ12はオン状態に
なる。
【0013】次に時間が経過して電源端子6,7から電
源が供給されている状態では、NOR回路10には「L」レ
ベル信号と「H」レベル信号とが入力され、「L」レベ
ル信号が出力されるのでトランジスタ11がオフ状態にな
る。また、トランジスタ13はオン状態であるので、NAND
回路15には2入力とも「H」レベル信号が入力され、
「L」レベル信号が出力されることになる。この結果ト
ランジスタ12はオフ状態になり、NAND回路14の一方の入
力端に「L」レベルの信号が入力されるので、「H」レ
ベルの信号が出力されることになる。
【0014】さらに時間が経過して電源端子5,6,7
の全ての電源端子から電源が供給されるようになって
も、電源端子5の電源をNAND回路14へ伝えるためのトラ
ンジスタ12がオフ状態になっているため、各回路の状態
は前述の電源端子6,7のみから電源が供給されている
場合と変わらない。よってこの場合には「H」レベルの
信号が動作モード選択信号となる。
【0015】以上のように図1に示された回路において
は、半導体素子1に電源を供給する電源端子を複数設
け、コンデンサ8,9の容量の大小関係により電源端子
5,6から電源が供給されるタイミングに時間差を持た
せることでNAND回路14の出力信号を設定させることが可
能であり、半導体素子1内部で動作モード選択信号を作
り出すことで、動作モード選択用のモード選択信号ピン
を新たに設けることなく、動作モードの選択を行うこと
が可能となる。
【0016】図2は本発明に係る半導体装置の第2実施
例を示す回路図である。図中1は半導体素子であり、グ
ランド端子3はこの半導体素子1にグランド電位を与
え、電源端子5,6,7は夫々半導体素子1に独立して
電源を供給するものである。また電源端子5,6夫々と
グランド電位との間にコンデンサ8,9を接続してお
り、このコンデンサ8,9は相互に異なる容量を持って
いる。電源端子5,6はNOR 回路10の2つの入力端に夫
々接続されている。またNOR 回路10の出力端はNチャネ
ル型のトランジスタ11のゲートに接続されている。
【0017】トランジスタ11のソースはグランド電位
に、ドレインはNチャネル型のトランジスタ17のゲー
ト、NOR 回路19の一方の入力端及びNAND回路20の一方の
入力端に接続されている。電源端子7はNAND回路20の他
方の入力端に接続されており、またNAND回路20の出力端
子はNチャネル型のトランジスタ16のゲートに接続され
ている。電源端子6はNOR 回路19の他方の入力端に接続
されており、またNOR 回路19の出力端はNOR 回路18の一
方の入力端に接続されている。NOR 回路18の他方の入力
端はトランジスタ16,17 のドレインに接続されており、
またNOR 回路18の出力端は動作モード選択信号を図示し
ていない回路へ与える。トランジスタ16のソースは電源
端子5に接続されており、トランジスタ17のソースはグ
ランド電位に接続されている。
【0018】このように構成された半導体装置において
コンデンサ9をコンデンサ8よりも十分に大きな容量に
設定した場合の動作について説明する。半導体素子1に
対してまず電源端子7から電源が供給され、次に電源端
子5から、最後に電源端子6からという順序で電源が供
給される。この場合、最初に電源端子7のみから電源が
供給されている状態ではコンデンサ8,9のために電源
端子5,6の電位はグランド電位になっており、NOR 回
路10には2入力とも「L」レベルの信号が入力されるの
で、「H」レベルの信号が出力されることになる。この
「H」レベルの信号によってトランジスタ11はオン状態
になり、NOR 回路19には2入力とも「L」レベルの信号
が入力されるので、「H」レベルの信号が出力されるこ
とになる。
【0019】またトランジスタ11はオン状態であり、NA
ND回路20は一方に「L」レベルの信号が入力されるの
で、「H」レベルの信号が出力されることになる。この
「H」レベルの信号によってトランジスタ16がオン状態
になる。また、NOR 回路19からは「H」レベルの信号が
出力されるので、NOR 回路18の一方の入力端に「H」レ
ベルの信号が入力され、「L」レベルの信号が出力され
ることになる。またこの時、NOR 回路18から「L」レベ
ルの信号が出力されるので、トランジスタ17はオフ状態
である。
【0020】次に時間が経過して電源端子5,7の電源
が供給されている状態ではNOR 回路10には「L」レベル
の信号と「H」レベルの信号とが入力されるので、NOR
回路10からは「L」レベルの信号が出力されて、トラン
ジスタ11はオフ状態になる。また、トランジスタ16はオ
ン状態であるから、NOR 回路18には2入力とも「H」レ
ベル信号が入力されるので、NOR 回路18からは「L」レ
ベルの信号が出力される。また上記以外の信号には変化
は起こらない。さらに時間が経過して、電源端子5,
6,7の全ての電源端子から電源が供給されるようにな
っても、NOR 回路19の一方に「H」レベル信号が入力さ
れるので、「L」レベル信号が出力されて変化しない。
よってこの場合には、「L」レベルの信号が動作モード
選択信号となる。
【0021】次に前述の場合とは逆に、コンデンサ8を
コンデンサ9よりも十分に大きな容量に設定した場合の
動作について説明する。半導体素子1に対してまず電源
端子7から電源が供給され、次に電源端子6から、最後
に電源端子5からという順序で電源が供給されることに
なる。この場合、最初に電源端子7のみから電源が供給
されている状態では、前述の場合と同様にコンデンサ
8,9により電源端子5,6の電位はグランド電位にな
っており、NOR 回路10には2入力とも「L」レベルの信
号が入力されて、「H」レベルの信号が出力される。こ
の「H」レベルの信号によりトランジスタ11はオン状態
になり、NOR 回路19には2入力とも「L」レベルの信号
が入力されるので、「H」レベルの信号が出力されるこ
とになる。また、トランジスタ11はオン状態であるので
NAND回路20の一方には「L」レベルの信号が入力され、
NAND回路20からは「H」レベルの信号が出力されること
になる。この「H」レベルの信号によりトランジスタ16
はオン状態になる。また、NOR 回路19から「H」レベル
の信号が出力されるので、NOR 回路18には一方に「H」
レベルの信号が入力され、「L」レベルの信号が出力さ
れる。またこの時、この「L」レベルの信号によってト
ランジスタ17はオフ状態になる。
【0022】次に時間が経過して電源端子6,7から電
源が供給されている状態では、NOR回路10には「L」レ
ベルの信号と「H」レベルの信号とが入力され、NOR 回
路10からは「L」レベルの信号が出力されるのでトラン
ジスタ11はオフ状態になる。また、NOR 回路19には
「L」レベルの信号と「H」レベルの信号とが入力され
るので、NOR 回路19からは「L」レベルの信号が出力さ
れる。その結果NOR 回路18には2入力とも「L」レベル
の信号が入力されるので、NOR 回路18からは「H」レベ
ルの信号が出力される。また、NAND回路20には2入力と
も「H」レベルの信号が入力され、NAND回路20からは
「L」レベルの信号が出力されるので、トランジスタ16
はオフ状態になる。しかし、NOR 回路18からは「H」レ
ベルの信号が出力され、トランジスタ17がオン状態にな
るので、NOR 回路18には2入力とも「L」レベルの信号
が入力される。
【0023】さらに時間が経過して、電源端子5,6,
7の全ての電源端子から電源が供給されるようになって
も、電源端子5をNOR 回路18へ伝えるためのトランジス
タ16がオフ状態になっているため、各回路の状態は前述
の電源端子6,7のみから電源が供給されている場合と
変わらない。よってこの場合には「H」レベルの信号が
動作モード選択信号となる。
【0024】図3は本発明に係る半導体装置の第3実施
例を示す回路図である。図中1は半導体素子であり、グ
ランド端子3は、この半導体素子1にグランド電位を与
え、電源端子5,6は夫々半導体素子1に独立して電源
を供給するものである。また電源端子5とグランド電位
との間にコンデンサ8を接続しており、電源端子6とグ
ランド電位との間にコンデンサ9を接続している。この
コンデンサ8,9は相互に異なる容量値を持っている。
電源端子5は抵抗21b を介在させてNチャネル型トラン
ジスタ22のゲート及びNチャネル型トランジスタ23のソ
ースに接続されている。電源端子6は抵抗21a を介在さ
せてトランジスタ22のソース及びトランジスタ23のゲー
トに接続されている。
【0025】トランジスタ22,23 のドレインはグランド
端子3に接続されている。トランジスタ23のドレイン端
子の電位を動作モード選択信号としている。このように
構成された半導体装置においてコンデンサ8の値をゼロ
に設定し、コンデンサ9の値を適当な値に設定した場
合、半導体素子1に対して、最初に電源端子5から電源
が供給され、その後しばらくしてから電源端子6からも
電源が供給されることになる。
【0026】この場合初期状態である外部から電源が一
切供給されていない状態では、コンデンサ8,9のため
に電源端子5,6の電位はグランド電位になっているの
で、トランジスタ22,23 はオフ状態である。このとき抵
抗21b とトランジスタ23とのノードの電位は電源端子5
と同じ「L」レベルである。
【0027】次に電源端子5のみから電源が供給されて
いる状態では電源端子5により与えられる「H」レベル
の信号によりトランジスタ22がオン状態になる。この場
合、トランジスタ23には「L」レベルの信号が入力され
るので、トランジスタ23はオフ状態のままである。この
とき抵抗21b とトランジスタ23とのノードの電位は電源
端子5と同じ「H」レベルである。さらに時間が経過し
て電源端子5,6から電源が供給されるようになって
も、トランジスタ22はオン状態であるから、トランジス
タ23には「L」レベルの信号が入力され、トランジスタ
23はオフ状態のままなので、電源端子6の電位が変わる
以外に変化はない。よってこの場合には「H」レベルの
信号が動作モード選択信号となる。
【0028】また前述の場合とは逆にコンデンサ9の値
をゼロに設定し、コンデンサ8の値を適当な値に設定し
た場合、半導体素子1に対して最初に電源端子6から電
源が供給され、その後しばらくしてから電源端子5から
も電源が供給されることになる。この場合、初期状態で
ある外部から電源が一切供給されていない状態では、コ
ンデンサ8,9のために電源端子5,6の電位はグラン
ド電位になっているので、トランジスタ22,23 はオフ状
態である。この時、抵抗21b とトランジスタ23とのノー
ドの電位は電源端子5と同じ「L」レベル信号である。
【0029】次に電源端子6のみから電源が供給されて
いる状態では、電源端子6により与えられる「H」レベ
ルの信号によりトランジスタ23がオン状態になる。この
場合、トランジスタ22には「L」レベルの信号が入力さ
れるので、トランジスタ22はオフ状態のままである。こ
のとき抵抗21b とトランジスタ23とのノードの電位は電
源端子5と同じ「L」レベルである。さらに時間が経過
して電源端子5,6から電源が供給されるようになって
も、トランジスタ23はオン状態であるから、トランジス
タ22には「L」レベルの信号が入力され、トランジスタ
22はオフ状態のままなので、電源端子5の電位が変わる
以外に変化はない。よってこの場合には「L」レベルの
信号が動作モード選択信号となる。
【0030】
【発明の効果】以上のように本発明に係る半導体装置で
は、半導体素子に電源を供給する電源端子を複数設け、
各電源端子に電源を時間差で供給し、各電源端子に電源
が供給される順序を認識することで、半導体素子内部で
半導体素子の動作モードを選択するための動作モード選
択信号を作り出すことが可能となる構成としているの
で、モード選択信号ピンを設けることなく、動作モード
の選択を行うことができ、製造コスト及びパッケージ自
体のコストを従来に比べて安価にすることが可能となる
等、本発明は優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体装置の第1実施例を示す回
路図である。
【図2】本発明に係る半導体装置の第2実施例を示す回
路図である。
【図3】本発明に係る半導体装置の第3実施例を示す回
路図である。
【図4】従来の半導体装置の構成を示す回路略示図であ
る。
【符号の説明】
1 半導体素子 2 電源端子 5 電源端子 6 電源端子 7 電源端子 8 コンデンサ 9 コンデンサ 14 NAND回路
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年11月9日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】電源端子5,6はNOR 回路10の2つの入力
端に夫々接続されている。またNOR回路10の出力端はN
チャネル型のトランジスタ11のゲートに接続されてい
る。トランジスタ11のソースはグランド電位に、ドレイ
ンはNAND回路14の一方の入力端に接続されている。さら
にNAND回路14の一方の入力端はNチャネル型のトランジ
スタ12のドレインに接続されており、また他方の入力端
はNAND回路15の出力端に接続されており、更にNAND回路
14の出力端は動作モード選択信号を図示していない回路
へ与え、さらにNAND回路15の一方の入力端及びNチャネ
ルのトランジスタ13のゲートに接続されている。NAND回
路15の他方の入力端はトランジスタ13のドレインが接続
されており、更に出力端はトランジスタ12のゲートに接
続されている。また、トランジスタ12のソースは電源端
子5に接続されており、トランジスタ13のソースは電源
端子6に接続されている。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】このように構成された半導体装置におい
て、コンデンサ9をコンデンサ8よりも十分大きな容量
に設定した場合の動作について説明する。半導体素子1
に対してまず電源端子7から電源が供給され、次に電源
端子5から、最後に電源端子6からという順序で電源が
供給される。この場合、最初に電源端子7のみから電源
が供給されている状態では、コンデンサ8,9のために
電源端子5,6の電位はグランド電位になっており、NO
R 回路10には2入力とも「L」レベルの信号が入力され
るので、「H」レベルの信号が出力されることになる。
この「H」レベルの信号によってトランジスタ11はオン
状態になり、NAND回路14の一方の入力端子に「L」レベ
ルの信号が入力されるので、NAND回路14からは「H」レ
ベルの信号が出力されることになる。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【補正内容】
【0009】またこの「H」レベルの信号によってトラ
ンジスタ13がオン状態になる。このとき電源端子6は
「L」レベルなので、これがNAND回路15へ入力されるこ
とになり、NAND回路15からは「H」レベルの信号が出力
される。この「H」レベルの信号によってトランジスタ
12がオン状態になる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】次に時間が経過して電源端子5,7の電源
が供給されている状態ではNOR 回路10には「L」レベル
の信号と「H」レベルの信号とが入力されるので、NOR
回路10からは「L」レベルの信号が出力されて、トラン
ジスタ11はオフ状態になる。また、トランジスタ12はオ
ン状態であるからNAND回路14には2入力とも「H」レベ
ル信号が入力されるので、NAND回路14からは「L」レベ
ル信号が出力される。また、この「L」レベルの信号に
よってトランジスタ13がオフ状態になる。NAND回路15の
一入力端には「L」レベル信号が入力されるので、NAND
回路15は「H」レベル信号を出力したまま変化しない。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】次に前述の場合とは逆にコンデンサ8をコ
ンデンサ9よりも十分に大きな容量に設定した場合の動
作について説明する。半導体素子1に対してまず電源端
子7から電源が供給され、次に電源端子6から、最後に
電源端子5からという順序で電源が供給されることにな
る。この場合、最初に電源端子7のみから電源が供給さ
れている状態では、前述の場合と同様にコンデンサ8,
9により電源端子5,6の電位はグランド電位になって
おり、NOR 回路10には2入力とも「L」レベルの信号が
入力されて、「H」レベルの信号が出力される。この
「H」レベルの信号によりトランジスタ11はオン状態に
なり、NAND回路14の一方の入力端子に「L」レベルの信
号が入力されるので、「H」レベルの信号が出力される
ことになる。この「H」レベルの信号によりトランジス
タ13がオン状態になる。このとき電源端子6は「L」レ
ベルなので、これがNAND回路15へ入力されて「H」レベ
ル信号が出力される。この「H」レベルの信号によりト
ランジスタ12はオン状態になる。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】以上のように図1に示された回路において
は、半導体素子1に電源を供給する電源端子を複数設
け、コンデンサ8,9の容量の大小関係により電源端子
5,6から電源が供給されるタイミングに時間差を持た
せることでNAND回路14の出力信号を設定することが可能
であり、半導体素子1内部で動作モード選択信号を作り
出すことで、動作モード選択用のモード選択信号ピンを
新たに設けることなく、動作モードの選択を行うことが
可能となる。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】次に時間が経過して電源端子5,7の電源
が供給されている状態ではNOR 回路10には「L」レベル
の信号と「H」レベルの信号とが入力されるので、NOR
回路10からは「L」レベルの信号が出力されて、トラン
ジスタ11はオフ状態になる。また、トランジスタ16はオ
ン状態であるから、NOR 回路18には2入力とも「H」レ
ベル信号が入力されるので、NOR 回路18からは「L」レ
ベルの信号が出力される。また上記以外の信号には変化
は起こらない。さらに時間が経過して、電源端子5,
6,7の全ての電源端子から電源が供給されるようにな
っても、NOR 回路19の一方に「H」レベル信号が入力さ
れるので、その出力は「L」レベルになるが、NOR 回路
18の出力は変化しない。よってこの場合には、「L」レ
ベルの信号が動作モード選択信号となる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の電源端子を備え、動作モードを選
    択することが可能な半導体装置において、時間差を持た
    せて電源を供給する前記電源端子と、該電源端子から与
    えられる電源により時間差に応じて生成される信号で前
    記動作モードを選択するための動作モード選択信号を発
    生させる回路とを備えることを特徴とする半導体装置。
JP5174109A 1993-07-14 1993-07-14 半導体装置 Pending JPH0730070A (ja)

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JP5174109A JPH0730070A (ja) 1993-07-14 1993-07-14 半導体装置

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JP5174109A JPH0730070A (ja) 1993-07-14 1993-07-14 半導体装置

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JPH0730070A true JPH0730070A (ja) 1995-01-31

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ID=15972809

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JP5174109A Pending JPH0730070A (ja) 1993-07-14 1993-07-14 半導体装置

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JP (1) JPH0730070A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004025016A1 (ja) * 2002-09-13 2004-03-25 Komatsu Seiren Co., Ltd. 改質繊維布帛およびその製造方法
EP2336844A1 (en) 2009-12-21 2011-06-22 STMicroelectronics S.r.l. A method of choosing a functioning mode of an integrated circuit device and relative device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004025016A1 (ja) * 2002-09-13 2004-03-25 Komatsu Seiren Co., Ltd. 改質繊維布帛およびその製造方法
EP2336844A1 (en) 2009-12-21 2011-06-22 STMicroelectronics S.r.l. A method of choosing a functioning mode of an integrated circuit device and relative device
US8539263B2 (en) 2009-12-21 2013-09-17 Stmicroelectronics S.R.L. Method of choosing a functioning mode of an integrated circuit device and relative device

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