JPH07299737A - 研磨方法 - Google Patents
研磨方法Info
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- JPH07299737A JPH07299737A JP9140594A JP9140594A JPH07299737A JP H07299737 A JPH07299737 A JP H07299737A JP 9140594 A JP9140594 A JP 9140594A JP 9140594 A JP9140594 A JP 9140594A JP H07299737 A JPH07299737 A JP H07299737A
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- Japan
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- abrasive grains
- polishing
- lubricant
- polished
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/048—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces of sliders and magnetic heads of hard disc drives or the like
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 研磨面に傷が発生せず、しかも硬度が異なる
ものの研磨の際に発生するリセス量を小さくする事がで
きる研磨方法を提供する事を目的とする。 【構成】 ラッピング定盤３１に遊離砥粒をめり込ませ
て固定砥粒３４を形成し、その後に潤滑剤３２によって
遊離砥粒を取り除いてその後に被研磨物３５を研磨する
事によって、平坦度の高い研磨方法が実現できる。
ものの研磨の際に発生するリセス量を小さくする事がで
きる研磨方法を提供する事を目的とする。 【構成】 ラッピング定盤３１に遊離砥粒をめり込ませ
て固定砥粒３４を形成し、その後に潤滑剤３２によって
遊離砥粒を取り除いてその後に被研磨物３５を研磨する
事によって、平坦度の高い研磨方法が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、浮動型磁気ヘッドや薄
膜磁気ヘッド等に用いられるスライダー等の研磨方法に
関するものである。
膜磁気ヘッド等に用いられるスライダー等の研磨方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の研磨方法を示す側面図であ
る。図５において、１はラッピング定盤、２はラッピン
グ定盤１の上に設けられた潤滑剤、３は潤滑剤２の中に
遊離しており、しかもダイヤモンド等の高硬度の材料で
構成された遊離砥粒、４はラッピング定盤１に固定さ
れ、しかもダイヤモンド等の高硬度の材料で構成された
固定砥粒で、固定砥粒４は遊離砥粒３がラッピング定盤
１にめり込んで固定された状態となる。５は被研磨物で
ある。
る。図５において、１はラッピング定盤、２はラッピン
グ定盤１の上に設けられた潤滑剤、３は潤滑剤２の中に
遊離しており、しかもダイヤモンド等の高硬度の材料で
構成された遊離砥粒、４はラッピング定盤１に固定さ
れ、しかもダイヤモンド等の高硬度の材料で構成された
固定砥粒で、固定砥粒４は遊離砥粒３がラッピング定盤
１にめり込んで固定された状態となる。５は被研磨物で
ある。
【０００３】以上の様な従来の研磨方法は、所定間隔で
ラッピング定盤１に潤滑剤２と遊離砥粒３が供給される
構成となっていたので、遊離砥粒３が被研磨物５の研磨
には優位に働いていた。
ラッピング定盤１に潤滑剤２と遊離砥粒３が供給される
構成となっていたので、遊離砥粒３が被研磨物５の研磨
には優位に働いていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の研磨方法では、例えば、図３に示す様な薄膜磁気ヘッ
ドに用いられるスライダー２１の浮上面７及び薄膜磁気
ヘッドのヘッド素子部８に大きな傷を発生させる。更に
図４は図３に示すヘッド素子部８の拡大図であるが、ヘ
ッド素子部８を構成する金属磁性膜１１や保護膜１０
は、スライダー２１の構成材料よりもはるかに軟らかい
ために、浮上面７に従来の方法で研磨を施すと、金属磁
性膜１１及び保護膜１０の部分は浮上面７よりも窪んで
しまい（以下この窪みをリセスと称す）、ヘッド素子８
の特性を劣化させるという問題点があった。
の研磨方法では、例えば、図３に示す様な薄膜磁気ヘッ
ドに用いられるスライダー２１の浮上面７及び薄膜磁気
ヘッドのヘッド素子部８に大きな傷を発生させる。更に
図４は図３に示すヘッド素子部８の拡大図であるが、ヘ
ッド素子部８を構成する金属磁性膜１１や保護膜１０
は、スライダー２１の構成材料よりもはるかに軟らかい
ために、浮上面７に従来の方法で研磨を施すと、金属磁
性膜１１及び保護膜１０の部分は浮上面７よりも窪んで
しまい（以下この窪みをリセスと称す）、ヘッド素子８
の特性を劣化させるという問題点があった。
【０００５】本発明は前記従来の課題を解決するもの
で、研磨面に傷が殆ど発生せず、しかも硬度が異なるも
のの研磨の際に発生するリセス量を小さくする事ができ
る研磨方法を提供することを目的とする。
で、研磨面に傷が殆ど発生せず、しかも硬度が異なるも
のの研磨の際に発生するリセス量を小さくする事ができ
る研磨方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、ラッピング定盤に砥粒を固定した後にラッピング定
盤上から遊離砥粒を排除し、潤滑剤を加えながら研磨し
た。
に、ラッピング定盤に砥粒を固定した後にラッピング定
盤上から遊離砥粒を排除し、潤滑剤を加えながら研磨し
た。
【０００７】
【作用】研磨物に発生する傷やリセスの原因は、研磨の
際に遊離砥粒が効果的に作用してしまうからであるの
で、遊離砥粒を排除することにより、固定砥粒によって
研磨される割合を増やす事ができる。
際に遊離砥粒が効果的に作用してしまうからであるの
で、遊離砥粒を排除することにより、固定砥粒によって
研磨される割合を増やす事ができる。
【０００８】
【実施例】以下、従来の研磨方法に関して一実施例を挙
げて説明する。
げて説明する。
【０００９】まず、図１に示すラッピング定盤３１上に
潤滑剤３２と遊離砥粒３を混合したものを塗布し、その
状態で図２に示す様に被研磨物３５もしくは専用の研磨
体をラッピング定盤３１に所定の力で押し付けてラッピ
ングを行う。すると図５に示す従来例と同様に、遊離砥
粒３の一部がラッピング定盤３１に食い込んで固定砥粒
３４が形成される。
潤滑剤３２と遊離砥粒３を混合したものを塗布し、その
状態で図２に示す様に被研磨物３５もしくは専用の研磨
体をラッピング定盤３１に所定の力で押し付けてラッピ
ングを行う。すると図５に示す従来例と同様に、遊離砥
粒３の一部がラッピング定盤３１に食い込んで固定砥粒
３４が形成される。
【００１０】この時、ラッピング定盤３１としては、遊
離砥粒３をグリップして固定砥粒３４が形成され易い材
料（錫，鉛，ケメット錫，ケメット錫鉛等）が用いられ
る。本実施例では、グリップ力や砥粒との相性及び研磨
特性が特に優れている錫で構成した。
離砥粒３をグリップして固定砥粒３４が形成され易い材
料（錫，鉛，ケメット錫，ケメット錫鉛等）が用いられ
る。本実施例では、グリップ力や砥粒との相性及び研磨
特性が特に優れている錫で構成した。
【００１１】また遊離砥粒３としては、ダイヤモンドや
サファイアガーネット等の高硬度の材料で構成されたも
のが用いられる。これらの砥粒の中でも特に安定性や研
磨特性の点からみてダイヤモンド砥粒が最も優れている
ので、本実施例では遊離砥粒３としてダイヤモンド砥粒
を用いた。また、ダイヤモンド砥粒の中にも多結晶ダイ
ヤモンド砥粒や単結晶ダイヤモンド砥粒等が用いられ
る。特に単結晶ダイヤモンド砥粒は、多結晶ダイヤモン
ド砥粒の様に研磨中にへき開を起こして細かな屑を発生
しないので砥粒としてはより好ましい。すなわち単結晶
ダイヤモンド砥粒を用いると被研磨物に砥粒の屑が付着
する事はないので、研磨面の平滑性を向上させる事がで
きる。更に単結晶ダイヤモンド砥粒は、粒径を０．５〜
１μｍとする事によってラッピング定盤３１にグリップ
する力が強くなるので、固定砥粒３４を形成する事に適
している。
サファイアガーネット等の高硬度の材料で構成されたも
のが用いられる。これらの砥粒の中でも特に安定性や研
磨特性の点からみてダイヤモンド砥粒が最も優れている
ので、本実施例では遊離砥粒３としてダイヤモンド砥粒
を用いた。また、ダイヤモンド砥粒の中にも多結晶ダイ
ヤモンド砥粒や単結晶ダイヤモンド砥粒等が用いられ
る。特に単結晶ダイヤモンド砥粒は、多結晶ダイヤモン
ド砥粒の様に研磨中にへき開を起こして細かな屑を発生
しないので砥粒としてはより好ましい。すなわち単結晶
ダイヤモンド砥粒を用いると被研磨物に砥粒の屑が付着
する事はないので、研磨面の平滑性を向上させる事がで
きる。更に単結晶ダイヤモンド砥粒は、粒径を０．５〜
１μｍとする事によってラッピング定盤３１にグリップ
する力が強くなるので、固定砥粒３４を形成する事に適
している。
【００１２】更に、被研磨物３５の代わりに専用の研磨
体を用いる場合、研磨体の構成材料として、被研磨物３
５の構成材料と同一にする事が好ましい。
体を用いる場合、研磨体の構成材料として、被研磨物３
５の構成材料と同一にする事が好ましい。
【００１３】また、潤滑剤３２としては潤滑油［ＯＳオ
イル（日本エンギス社製）］や水溶性潤滑剤［リューブ
リカント青（ストラウス社製）等］やグリセリン水溶液
（グリセリン２５％と純水７５％等）等が用いられる。
イル（日本エンギス社製）］や水溶性潤滑剤［リューブ
リカント青（ストラウス社製）等］やグリセリン水溶液
（グリセリン２５％と純水７５％等）等が用いられる。
【００１４】次に固定砥粒３４を形成した後に、被研磨
物３５かもしくは研磨体をラッピング定盤３１から取り
除き、続いて潤滑剤３２を噴霧し、次に埃等が発生しな
い布等を用いてラッピング定盤３１を拭き上げる事によ
って、ラッピング定盤３１上の遊離砥粒３や研磨屑等を
取り除くとともに、十分にグリップされていない固定砥
粒３４を取り除く。
物３５かもしくは研磨体をラッピング定盤３１から取り
除き、続いて潤滑剤３２を噴霧し、次に埃等が発生しな
い布等を用いてラッピング定盤３１を拭き上げる事によ
って、ラッピング定盤３１上の遊離砥粒３や研磨屑等を
取り除くとともに、十分にグリップされていない固定砥
粒３４を取り除く。
【００１５】次に被研磨物３５をラッピング定盤３１の
上に載せて潤滑剤３２を所定間隔でラッピング定盤３１
上に供給しながらラッピング定盤３１を回転させて研磨
を行うと、研磨面の傷が従来の方法に比較して非常に少
なくなり、平坦度が向上し、しかも表面粗さが小さくな
った。
上に載せて潤滑剤３２を所定間隔でラッピング定盤３１
上に供給しながらラッピング定盤３１を回転させて研磨
を行うと、研磨面の傷が従来の方法に比較して非常に少
なくなり、平坦度が向上し、しかも表面粗さが小さくな
った。
【００１６】すなわち、従来の方法では遊離砥粒３が非
常に多い状態で研磨していたので、遊離砥粒３が被研磨
物３５の研磨面に深い傷等を残したり、またリセス量が
多くなっていたが、本実施例ではラッピング定盤３１上
の遊離砥粒３をなるべく取り除いた状態で研磨する事に
よって、深い傷等が発生しない。なお、本実施例では、
全く遊離砥粒３が存在しない状態で研磨する事が最も好
ましいが、ある程度遊離砥粒３が残っていても従来より
は研磨面の表面粗さなどが向上する。
常に多い状態で研磨していたので、遊離砥粒３が被研磨
物３５の研磨面に深い傷等を残したり、またリセス量が
多くなっていたが、本実施例ではラッピング定盤３１上
の遊離砥粒３をなるべく取り除いた状態で研磨する事に
よって、深い傷等が発生しない。なお、本実施例では、
全く遊離砥粒３が存在しない状態で研磨する事が最も好
ましいが、ある程度遊離砥粒３が残っていても従来より
は研磨面の表面粗さなどが向上する。
【００１７】次に効果について具体的に説明する。ま
ず、ラッピング定盤３１の構成材料を錫とし、砥粒とし
て粒径１μｍ程度の単結晶ダイヤモンド砥粒とし、被研
磨物３５として図３，４に示す薄膜磁気ヘッドとした。
そして、従来の方法及び本実施例の方法をそれぞれ用い
て、スライダー２１の浮上面７を同じ時間研磨し、その
研磨面の粗さ及びヘッド素子部８の最大リセス量を測定
し、それらの測定には原子間力顕微鏡［ＡＦＭ（Ｄａｇ
ｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製）］を用いた。
ず、ラッピング定盤３１の構成材料を錫とし、砥粒とし
て粒径１μｍ程度の単結晶ダイヤモンド砥粒とし、被研
磨物３５として図３，４に示す薄膜磁気ヘッドとした。
そして、従来の方法及び本実施例の方法をそれぞれ用い
て、スライダー２１の浮上面７を同じ時間研磨し、その
研磨面の粗さ及びヘッド素子部８の最大リセス量を測定
し、それらの測定には原子間力顕微鏡［ＡＦＭ（Ｄａｇ
ｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製）］を用いた。
【００１８】（実施例１）まず、潤滑剤３２として、動
粘度が１．９ｃＳｔ程度の粘度を有するＯＳオイル（日
本エンギス社製）という潤滑油を用いた。
粘度が１．９ｃＳｔ程度の粘度を有するＯＳオイル（日
本エンギス社製）という潤滑油を用いた。
【００１９】その結果、浮上面７の平均表面粗さ（Ｒ
ａ）は１１０Åとなり、リセス量は１５０Åとなった。
ａ）は１１０Åとなり、リセス量は１５０Åとなった。
【００２０】（実施例２）まず、潤滑剤３２として、動
粘度が１．８ｃＳｔ程度の粘度を有するグリセリン２５
％と純水７５％の混合物を用いた。
粘度が１．８ｃＳｔ程度の粘度を有するグリセリン２５
％と純水７５％の混合物を用いた。
【００２１】その結果、浮上面７の平均表面粗さは１２
０Åとなり、リセス量は１８０Åとなった。
０Åとなり、リセス量は１８０Åとなった。
【００２２】（実施例３）まず、潤滑剤３２として、動
粘度が１．６ｃＳｔ程度の粘度を有するリューブリカン
ト青（ストラウス社製）という水溶性潤滑剤を用いた。
粘度が１．６ｃＳｔ程度の粘度を有するリューブリカン
ト青（ストラウス社製）という水溶性潤滑剤を用いた。
【００２３】その結果、浮上面７の平均表面粗さは１６
０Åとなり、リセス量は２５０Åとなった。
０Åとなり、リセス量は２５０Åとなった。
【００２４】（従来例１）まず、潤滑剤として、実施例
２と同じ潤滑剤を用いた。
２と同じ潤滑剤を用いた。
【００２５】その結果、浮上面７の平均表面粗さは２０
０Å以上となり、リセス量は５００Åとなった。
０Å以上となり、リセス量は５００Åとなった。
【００２６】以上の様に、本実施例では、従来の方法に
比較してはるかに研磨面が良好な事が分かる。更に、潤
滑剤３２の粘度が高ければ高い程平均表面粗さ及びリセ
ス量が小さくなる事が分かった。従って、目指す平均表
面粗さやリセスに応じて使用する潤滑剤３２の種類等を
適宜選択する必要がある。
比較してはるかに研磨面が良好な事が分かる。更に、潤
滑剤３２の粘度が高ければ高い程平均表面粗さ及びリセ
ス量が小さくなる事が分かった。従って、目指す平均表
面粗さやリセスに応じて使用する潤滑剤３２の種類等を
適宜選択する必要がある。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、ラッピング定盤に砥粒を固定
した後にラッピング定盤上から遊離砥粒を排除し、潤滑
剤を加えながら研磨した事により、固定砥粒によって研
磨される割合を増やす事ができるので、研磨面に傷が発
生せず、しかも硬度が異なるものの研磨の際に発生する
リセス量を小さくする事ができる。
した後にラッピング定盤上から遊離砥粒を排除し、潤滑
剤を加えながら研磨した事により、固定砥粒によって研
磨される割合を増やす事ができるので、研磨面に傷が発
生せず、しかも硬度が異なるものの研磨の際に発生する
リセス量を小さくする事ができる。
【図１】本発明の一実施例における研磨方法を示す側面
図
図
【図２】本発明の一実施例における研磨方法を示す側面
図
図
【図３】被研磨物の一例である薄膜磁気ヘッドを示す斜
視図
視図
【図４】被研磨物の一例である薄膜磁気ヘッドを示す部
分拡大図
分拡大図
【図５】従来の研磨方法を示す側面図
３ 遊離砥粒 ３１ ラッピング定盤 ３２ 潤滑剤 ３４ 固定砥粒 ３５ 被研磨物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 寛 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 松井 力 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】ラッピング定盤に遊離砥粒と潤滑剤を塗布
し、前記遊離砥粒を前記ラッピング定盤にめり込ませて
固定砥粒を形成し、前記ラッピング定盤上を洗浄した後
に被研磨物を研磨する事を特徴とする研磨方法。 - 【請求項２】遊離砥粒及び固定砥粒としてダイヤモンド
砥粒を用いた事を特徴とする請求項１記載の研磨方法。 - 【請求項３】ダイヤモンド砥粒として単結晶ダイヤモン
ド砥粒を用いる事を特徴とする請求項２記載の研磨方
法。 - 【請求項４】潤滑剤として２０℃における動粘度が１．
９ｃＳｔ以上のものを用いた事を特徴とする請求項１記
載の研磨方法。 - 【請求項５】ラッピング定盤上に遊離砥粒及び潤滑剤を
塗布し、被研磨物及び専用の研磨体を前記ラッピング定
盤上で研磨して前記ラッピング定盤に砥粒をめり込ませ
て固定砥粒を形成し、前記ラッピング定盤を前記潤滑剤
にて洗浄する事によって前記遊離砥粒を取り除き、その
後に前記被研磨物の所定の面を研磨する事を特徴とする
研磨方法。 - 【請求項６】遊離砥粒及び固定砥粒としてダイヤモンド
砥粒を用いた事を特徴とする請求項５記載の研磨方法。 - 【請求項７】ダイヤモンド砥粒として単結晶ダイヤモン
ド砥粒を用いる事を特徴とする請求項６記載の研磨方
法。 - 【請求項８】潤滑剤として２０℃における動粘度が１．
９ｃＳｔ以上のものを用いた事を特徴とする請求項５記
載の研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9140594A JPH07299737A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9140594A JPH07299737A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07299737A true JPH07299737A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14025479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9140594A Pending JPH07299737A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07299737A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7303599B2 (en) | 2003-05-26 | 2007-12-04 | Kazumasa Ohnishi | Manufacture of lapping board |
| US7964541B2 (en) | 2005-03-08 | 2011-06-21 | Tokuyama Corporation | Lubricant composition for polishing a magnetic head with fixed abrasive grains |
| JP2011181968A (ja) * | 2011-06-20 | 2011-09-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ基板の研磨方法 |
| CN102962763A (zh) * | 2011-09-01 | 2013-03-13 | 株式会社迪思科 | 磨粒埋入装置、抛光装置和抛光方法 |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP9140594A patent/JPH07299737A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7303599B2 (en) | 2003-05-26 | 2007-12-04 | Kazumasa Ohnishi | Manufacture of lapping board |
| US7717769B2 (en) | 2003-05-26 | 2010-05-18 | Kazumasa Ohnishi | Manufacture of lapping board |
| US7964541B2 (en) | 2005-03-08 | 2011-06-21 | Tokuyama Corporation | Lubricant composition for polishing a magnetic head with fixed abrasive grains |
| JP2011181968A (ja) * | 2011-06-20 | 2011-09-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ基板の研磨方法 |
| CN102962763A (zh) * | 2011-09-01 | 2013-03-13 | 株式会社迪思科 | 磨粒埋入装置、抛光装置和抛光方法 |
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