JPH0729961A - 半導体ウエハ移載用フォーク - Google Patents
半導体ウエハ移載用フォークInfo
- Publication number
- JPH0729961A JPH0729961A JP19552493A JP19552493A JPH0729961A JP H0729961 A JPH0729961 A JP H0729961A JP 19552493 A JP19552493 A JP 19552493A JP 19552493 A JP19552493 A JP 19552493A JP H0729961 A JPH0729961 A JP H0729961A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fork
- semiconductor wafer
- tib2
- powder
- liquid phase
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パーティクルの発生及び帯電を防止すること
により、ウエハ不良の発生解消をなし得る半導体ウエハ
移載用フォークを提供する。 【構成】 液相焼結されたＴｉＢ2 からフォークを構成
することにより、フォークが耐摩耗性に優れ、かつ導電
性で高弾性率のＴｉＢ2 によって形成され、かつＴｉＢ
2 粒子がＣｒＢとＴｉＣの粒界相に取り囲まれる。
により、ウエハ不良の発生解消をなし得る半導体ウエハ
移載用フォークを提供する。 【構成】 液相焼結されたＴｉＢ2 からフォークを構成
することにより、フォークが耐摩耗性に優れ、かつ導電
性で高弾性率のＴｉＢ2 によって形成され、かつＴｉＢ
2 粒子がＣｒＢとＴｉＣの粒界相に取り囲まれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
おいてシリコンや石英等の半導体ウエハの移載に用いら
れるフォークに関する。
おいてシリコンや石英等の半導体ウエハの移載に用いら
れるフォークに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ移載用フォークは、半導体
製造装置における搬送ロボットの軸に取り付けて使用さ
れ、例えばウエハカセット又はウエハボートに収容され
ている半導体ウエハをその上に載せて取り出し、次工程
のウエハカセット等に収容したり、あるいは検査テーブ
ルに載せたりする。従来、この種のフォークは、固相焼
結されたＡｌ2 Ｏ3 等の絶縁性セラミックスからなり、
例えば帯板の一端部上に半導体ウエハの一部と係合可能
な凹部を設けて構成されている。
製造装置における搬送ロボットの軸に取り付けて使用さ
れ、例えばウエハカセット又はウエハボートに収容され
ている半導体ウエハをその上に載せて取り出し、次工程
のウエハカセット等に収容したり、あるいは検査テーブ
ルに載せたりする。従来、この種のフォークは、固相焼
結されたＡｌ2 Ｏ3 等の絶縁性セラミックスからなり、
例えば帯板の一端部上に半導体ウエハの一部と係合可能
な凹部を設けて構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウエハ移載用フォークは、固相焼結されたＡｌ2
Ｏ3 等の絶縁性セラミックスからなるので、パーティク
ルを生じ易いと共に、半導体ウエハの静電気発生、帯電
を引き起こし、特性変化や浮遊塵埃あるいは上記パーテ
ィクルの付着によるウエハ不良となる場合がある。そこ
で、本発明は、パーティクルの発生及び帯電を防止する
ことにより、ウエハ不良の発生解消をなし得る半導体ウ
エハ移載用フォークの提供を目的とする。
半導体ウエハ移載用フォークは、固相焼結されたＡｌ2
Ｏ3 等の絶縁性セラミックスからなるので、パーティク
ルを生じ易いと共に、半導体ウエハの静電気発生、帯電
を引き起こし、特性変化や浮遊塵埃あるいは上記パーテ
ィクルの付着によるウエハ不良となる場合がある。そこ
で、本発明は、パーティクルの発生及び帯電を防止する
ことにより、ウエハ不良の発生解消をなし得る半導体ウ
エハ移載用フォークの提供を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の半導体ウエハ移載用フォークは、液相焼結
されたＴｉＢ2 からなることを特徴とする。上記フォー
クの少なくとも半導体ウエハとの接触部は、ＣＶＤ−Ｔ
ｉＢ2 膜によって覆われていることが好ましい。又、少
なくとも半導体ウエハとの接触部は、アースされている
ことが好ましい。ここで、液相焼結されたＴｉＢ2 と
は、ＴｉＢ2 の粉末に０．１〜８９重量％の金属炭化物
粉末（特にＮｉ又はＣｒの炭化物が好ましい）又は１〜
１０重量％の金属粉末（特にＮｉ又はＣｒが好ましい）
及び１〜１０重量％のカーボン粉末を添加、混合し、成
形して、無加圧又は加圧下の非酸化性雰囲気において金
属炭化物粉末又は金属粉末の融点近くの温度で焼成して
製造されるものをいう。なお、ＴｉＢ2 粉末の含有量を
８０重量％以上とすれば、緻密度を増し、より一層パー
ティクルの低減をはかることができる。
め、本発明の半導体ウエハ移載用フォークは、液相焼結
されたＴｉＢ2 からなることを特徴とする。上記フォー
クの少なくとも半導体ウエハとの接触部は、ＣＶＤ−Ｔ
ｉＢ2 膜によって覆われていることが好ましい。又、少
なくとも半導体ウエハとの接触部は、アースされている
ことが好ましい。ここで、液相焼結されたＴｉＢ2 と
は、ＴｉＢ2 の粉末に０．１〜８９重量％の金属炭化物
粉末（特にＮｉ又はＣｒの炭化物が好ましい）又は１〜
１０重量％の金属粉末（特にＮｉ又はＣｒが好ましい）
及び１〜１０重量％のカーボン粉末を添加、混合し、成
形して、無加圧又は加圧下の非酸化性雰囲気において金
属炭化物粉末又は金属粉末の融点近くの温度で焼成して
製造されるものをいう。なお、ＴｉＢ2 粉末の含有量を
８０重量％以上とすれば、緻密度を増し、より一層パー
ティクルの低減をはかることができる。
【０００５】
【作用】上記手段においては、フォークが耐摩耗性に優
れ、かつ導電性で高弾性率のＴｉＢ2 によって形成され
ると共に、ＴｉＢ2 粒子がＣｒＢとＴｉＣの粒界相に取
り囲まれる。フォークの少なくとも半導体ウエハとの接
触部がＣＶＤ−ＴｉＢ2 膜によって覆われていることに
より、接触部の純度が高くなると共に、緻密で面粗さが
密となり、かつ膜とフォーク本体の接合強度が大とな
る。又、少なくとも半導体ウエハとの接触部がアースさ
れていることにより、半導体ウエハの帯電を完全に防止
することができる。
れ、かつ導電性で高弾性率のＴｉＢ2 によって形成され
ると共に、ＴｉＢ2 粒子がＣｒＢとＴｉＣの粒界相に取
り囲まれる。フォークの少なくとも半導体ウエハとの接
触部がＣＶＤ−ＴｉＢ2 膜によって覆われていることに
より、接触部の純度が高くなると共に、緻密で面粗さが
密となり、かつ膜とフォーク本体の接合強度が大とな
る。又、少なくとも半導体ウエハとの接触部がアースさ
れていることにより、半導体ウエハの帯電を完全に防止
することができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１、図２は本発明の半導体ウエハ移載用
フォークの一実施例を示す平面図、側面図である。この
フォーク１は、液相焼結されたＴｉＢ2 からなる帯板状
のフォーク本体１ａ（７０×３００×２ｍｍ）の一端部
上に半導体ウエハＷの一部と係合可能な凹部１ｂを設
け、かつ他端部上に搬送ロボットの軸２に取り付けるた
めの取付け段部１ｂを設けると共に、その全表面を厚さ
１０μｍ、表面粗さＲａ０．８μｍのＣＶＤ−ＴｉＢ2
膜（図示せず）によって覆われて構成され、かつ上記軸
２を介してアースされている。
て説明する。図１、図２は本発明の半導体ウエハ移載用
フォークの一実施例を示す平面図、側面図である。この
フォーク１は、液相焼結されたＴｉＢ2 からなる帯板状
のフォーク本体１ａ（７０×３００×２ｍｍ）の一端部
上に半導体ウエハＷの一部と係合可能な凹部１ｂを設
け、かつ他端部上に搬送ロボットの軸２に取り付けるた
めの取付け段部１ｂを設けると共に、その全表面を厚さ
１０μｍ、表面粗さＲａ０．８μｍのＣＶＤ−ＴｉＢ2
膜（図示せず）によって覆われて構成され、かつ上記軸
２を介してアースされている。
【０００７】上記半導体ウエハ移載用フォークは、９５
重量％のＴｉＢ2 粉末に５重量％のＣｒ3 Ｃ2 粉末を添
加してセラミックス原料とし、このセラミックス原料に
少量のバインダーを加えて混合し、所定形状に成形した
後、成形用バインダーを加熱除去し、真空中あるいは不
活性ガス中等の非酸化性雰囲気において１９００℃の温
度で１〜５時間無加圧焼成し、しかる後に全表面を厚さ
１０μｍ、表面粗さＲａ０．８μｍのＣＶＤ−ＴｉＢ2
膜により覆って製造した。ＴｉＢ2 膜を形成するＣＶＤ
条件は、次の通りである。 原料ガス：ＴｉＣｌ4 ，ＢＣｌ3 温度：１４００℃ 雰囲気圧：７６０ｍｍＨｇ 得られたフォークの特性は、Ａｌ2 Ｏ3 からなる従来の
フォークのそれを併記する表１に示すようになった。
重量％のＴｉＢ2 粉末に５重量％のＣｒ3 Ｃ2 粉末を添
加してセラミックス原料とし、このセラミックス原料に
少量のバインダーを加えて混合し、所定形状に成形した
後、成形用バインダーを加熱除去し、真空中あるいは不
活性ガス中等の非酸化性雰囲気において１９００℃の温
度で１〜５時間無加圧焼成し、しかる後に全表面を厚さ
１０μｍ、表面粗さＲａ０．８μｍのＣＶＤ−ＴｉＢ2
膜により覆って製造した。ＴｉＢ2 膜を形成するＣＶＤ
条件は、次の通りである。 原料ガス：ＴｉＣｌ4 ，ＢＣｌ3 温度：１４００℃ 雰囲気圧：７６０ｍｍＨｇ 得られたフォークの特性は、Ａｌ2 Ｏ3 からなる従来の
フォークのそれを併記する表１に示すようになった。
【０００８】
【表１】
【０００９】又、得られたフォークを用いてウエハボー
トに収容したシリコンウエハをその凹部に載せて取り出
し、次工程のウエハカセットに収容するまでの作業中
に、シリコンウエハの表面に付着したパーティクル数を
測定したところ、従来のフォークを用いたその結果を併
記する表２に示すようになった。
トに収容したシリコンウエハをその凹部に載せて取り出
し、次工程のウエハカセットに収容するまでの作業中
に、シリコンウエハの表面に付着したパーティクル数を
測定したところ、従来のフォークを用いたその結果を併
記する表２に示すようになった。
【００１０】
【表２】
【００１１】従って、本発明に係るフォークは、導電性
を有すると共に、従来のものに比して極めて高い硬度と
優れた耐摩耗性を有し、パーティクルの付着するおそれ
が少ないことがわかる。
を有すると共に、従来のものに比して極めて高い硬度と
優れた耐摩耗性を有し、パーティクルの付着するおそれ
が少ないことがわかる。
【００１２】なお、上記実施例においては、フォークを
帯板状とし、その一端部上に半導体ウエハを係合可能と
する凹部を設けた場合について述べたが、フォークの形
状はこれに限定されるものではなく、例えば三角形や円
形の板状としたり、あるいは半導体ウエハの周縁部を支
持する複数の支持体を設けるようにしてもよい。又、Ｔ
ｉＢ2 粉末に焼結助剤として添加されるものは、Ｃｒ2
Ｃ3 粉末に限らず、ＮｉＣ粉末その他の金属炭化物粉末
としてもよく、あるいはＣｒ，Ｎｉその他の金属粉末及
びカーボン粉末としてもよい。
帯板状とし、その一端部上に半導体ウエハを係合可能と
する凹部を設けた場合について述べたが、フォークの形
状はこれに限定されるものではなく、例えば三角形や円
形の板状としたり、あるいは半導体ウエハの周縁部を支
持する複数の支持体を設けるようにしてもよい。又、Ｔ
ｉＢ2 粉末に焼結助剤として添加されるものは、Ｃｒ2
Ｃ3 粉末に限らず、ＮｉＣ粉末その他の金属炭化物粉末
としてもよく、あるいはＣｒ，Ｎｉその他の金属粉末及
びカーボン粉末としてもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体ウ
エハ移載用フォークによれば、フォークが耐摩耗性に優
れ、かつ導電性で高弾性率のＴｉＢ2 によって形成され
ていると共に、ＴｉＢ2 粒子がＣｒＢとＴｉＣの粒界相
に取り囲まれているので、従来のように静電気の発生や
帯電することがなく、半導体ウエハの特性変化や浮遊塵
埃の付着によるウエハ不良が発生することがない。又、
ＴｉＢ2 成分の摩粉の発生もなく、長時間安定して使用
することができる。一方、フォークの少なくとも半導体
ウエハとの接触部がＣＶＤ−ＴｉＢ2 膜によって覆われ
ていることにより、接触部の純度が高くなると共に、緻
密で面粗さが密となり、かつ膜とフォーク本体の接合強
度が大となるので、半導体ウエハの汚染、損傷を防止で
きると共に、耐用性を向上させることができる。又、少
なくとも半導体ウエハとの接触部がアースされているこ
とにより、半導体ウエハの帯電を完全に防止することが
できる。
エハ移載用フォークによれば、フォークが耐摩耗性に優
れ、かつ導電性で高弾性率のＴｉＢ2 によって形成され
ていると共に、ＴｉＢ2 粒子がＣｒＢとＴｉＣの粒界相
に取り囲まれているので、従来のように静電気の発生や
帯電することがなく、半導体ウエハの特性変化や浮遊塵
埃の付着によるウエハ不良が発生することがない。又、
ＴｉＢ2 成分の摩粉の発生もなく、長時間安定して使用
することができる。一方、フォークの少なくとも半導体
ウエハとの接触部がＣＶＤ−ＴｉＢ2 膜によって覆われ
ていることにより、接触部の純度が高くなると共に、緻
密で面粗さが密となり、かつ膜とフォーク本体の接合強
度が大となるので、半導体ウエハの汚染、損傷を防止で
きると共に、耐用性を向上させることができる。又、少
なくとも半導体ウエハとの接触部がアースされているこ
とにより、半導体ウエハの帯電を完全に防止することが
できる。
【図１】本発明の半導体ウエハ移載用フォークの一実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図２】図１に示すフォークの側面図である。
１ 半導体ウエハ移載用フォーク １ａ フォーク本体 １ｂ 凹部 １ｃ 取付け部 Ｗ 半導体ウエハ
Claims (3)
- 【請求項１】 液相焼結されたＴｉＢ2 からなることを
特徴とする半導体ウエハ移載用フォーク。 - 【請求項２】 少なくとも半導体ウエハとの接触部がＣ
ＶＤ−ＴｉＢ2 膜によって覆われていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体ウエハ移載用フォーク。 - 【請求項３】 少なくとも半導体ウエハとの接触部がア
ースされていることを特徴とする請求項１又は２記載の
半導体ウエハ移載用フォーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19552493A JP2961480B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体ウエハ移載用フォーク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19552493A JP2961480B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体ウエハ移載用フォーク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729961A true JPH0729961A (ja) | 1995-01-31 |
| JP2961480B2 JP2961480B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=16342531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19552493A Expired - Fee Related JP2961480B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体ウエハ移載用フォーク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2961480B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07147311A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Tokyo Electron Ltd | 搬送アーム |
| JP2001053135A (ja) * | 1999-06-03 | 2001-02-23 | Applied Materials Inc | 半導体処理装置のためのロボットブレード |
| US6997670B2 (en) | 2002-10-22 | 2006-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor wafer transfer apparatus |
| EP1975997A3 (en) * | 2007-03-30 | 2009-10-07 | Applied Materials, Inc. | Wafer transfer blade |
| JP2012160491A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-23 | Sharp Corp | 基板搬送装置及び基板処理装置 |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP19552493A patent/JP2961480B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07147311A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Tokyo Electron Ltd | 搬送アーム |
| JP2001053135A (ja) * | 1999-06-03 | 2001-02-23 | Applied Materials Inc | 半導体処理装置のためのロボットブレード |
| US6997670B2 (en) | 2002-10-22 | 2006-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor wafer transfer apparatus |
| EP1975997A3 (en) * | 2007-03-30 | 2009-10-07 | Applied Materials, Inc. | Wafer transfer blade |
| JP2012160491A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-23 | Sharp Corp | 基板搬送装置及び基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2961480B2 (ja) | 1999-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |