JPH07297203A - バイポーラトランジスタ - Google Patents
バイポーラトランジスタInfo
- Publication number
- JPH07297203A JPH07297203A JP6112097A JP11209794A JPH07297203A JP H07297203 A JPH07297203 A JP H07297203A JP 6112097 A JP6112097 A JP 6112097A JP 11209794 A JP11209794 A JP 11209794A JP H07297203 A JPH07297203 A JP H07297203A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- layer
- base contact
- contact layer
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 幅の狭いエミッタ層やベースコンタクト層の
加工性を低下させたり、耐圧特性を変動させることな
く、ベース面積を小さくし、高周波特性の向上を可能と
したバイポーラトランジスタを提供する。 【構成】 ベース領域１３内に矩形状のエミッタ層１４
及びベースコンタクト層１５がそれぞれ複数個交互に形
成され、ベース領域１３の外周にはリング状のベースリ
ング層１６が形成されたくし形電極構造のバイポーラト
ランジスタにおいて、複数個のベースコンタクト層１５
のうちの外側のベースコンタクト層１５ａをベースリン
グ層１６上に形成し、かつその幅ｗ1 を内側のベースコ
ンタクト層１５ｂの幅ｗ2 よりも広く設定した構成とす
る。
加工性を低下させたり、耐圧特性を変動させることな
く、ベース面積を小さくし、高周波特性の向上を可能と
したバイポーラトランジスタを提供する。 【構成】 ベース領域１３内に矩形状のエミッタ層１４
及びベースコンタクト層１５がそれぞれ複数個交互に形
成され、ベース領域１３の外周にはリング状のベースリ
ング層１６が形成されたくし形電極構造のバイポーラト
ランジスタにおいて、複数個のベースコンタクト層１５
のうちの外側のベースコンタクト層１５ａをベースリン
グ層１６上に形成し、かつその幅ｗ1 を内側のベースコ
ンタクト層１５ｂの幅ｗ2 よりも広く設定した構成とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バイポーラトランジス
タに関し、特に複数個のベース電極及びエミッタ電極が
一定ピッチで交互に配列されたいわゆるくし形電極構造
のバイポーラトランジスタにおけるベースコンタクト層
構造に関する。
タに関し、特に複数個のベース電極及びエミッタ電極が
一定ピッチで交互に配列されたいわゆるくし形電極構造
のバイポーラトランジスタにおけるベースコンタクト層
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】トランジション周波数ｆT が１００〔Ｍ
Ｈｚ〕以上、コレクタ‐ベース間耐圧が１００〔Ｖ〕以
上の高周波・高耐圧トランジスタにおいては、高周波特
性を上げるために、接合深さが浅いベース領域内に幅の
狭い矩形状の複数個のエミッタ層及び複数個のベースコ
ンタクト層を交互にファインピッチで形成することによ
り、エミッタ周囲長当りのベース面積を小さくし、コレ
クタ‐ベース間容量を下げている。
Ｈｚ〕以上、コレクタ‐ベース間耐圧が１００〔Ｖ〕以
上の高周波・高耐圧トランジスタにおいては、高周波特
性を上げるために、接合深さが浅いベース領域内に幅の
狭い矩形状の複数個のエミッタ層及び複数個のベースコ
ンタクト層を交互にファインピッチで形成することによ
り、エミッタ周囲長当りのベース面積を小さくし、コレ
クタ‐ベース間容量を下げている。
【０００３】図３は、例えばＮＰＮ型トランジスタに適
用された一従来例を示す断面図である。図３において、
Ｎ+ 型シリコン基板３１上にＮ型エピタキシャル層３２
が形成され、Ｎ型エピタキシャル層３２の表面側には接
合深さが０．３〔μｍ〕程度のＰ型ベース領域３３が形
成されている。
用された一従来例を示す断面図である。図３において、
Ｎ+ 型シリコン基板３１上にＮ型エピタキシャル層３２
が形成され、Ｎ型エピタキシャル層３２の表面側には接
合深さが０．３〔μｍ〕程度のＰ型ベース領域３３が形
成されている。
【０００４】Ｐ型ベース領域３３内には、例えば幅１．
０〔μｍ〕、長さ２０〔μｍ〕の矩形状でかつ接合深さ
が０．１〔μｍ〕程度のＮ+ 型エミッタ層３４及びＰ+
型ベースコンタクト層３５がそれぞれ複数個、５〔μ
ｍ〕程度以下の間隔（ファインピッチ）で交互に形成さ
れている。
０〔μｍ〕、長さ２０〔μｍ〕の矩形状でかつ接合深さ
が０．１〔μｍ〕程度のＮ+ 型エミッタ層３４及びＰ+
型ベースコンタクト層３５がそれぞれ複数個、５〔μ
ｍ〕程度以下の間隔（ファインピッチ）で交互に形成さ
れている。
【０００５】Ｎ+ 型エミッタ層３４及びＰ+ 型ベースコ
ンタクト層３５の配列において、外側は両サイド共にＰ
+ 型ベースコンタクト層３５となっている。Ｐ型ベース
領域３３の外周には、接合深さが２〜４〔μｍ〕とＰ型
ベース領域３３よりも深いＰ型ベースリング層３６がリ
ング状に形成されている。
ンタクト層３５の配列において、外側は両サイド共にＰ
+ 型ベースコンタクト層３５となっている。Ｐ型ベース
領域３３の外周には、接合深さが２〜４〔μｍ〕とＰ型
ベース領域３３よりも深いＰ型ベースリング層３６がリ
ング状に形成されている。
【０００６】Ｐ型ベース領域３３上の表面領域は、絶縁
膜３７によって選択的に覆われている。また、Ｐ型ベー
ス領域３３上の表面領域以外の表面領域には、フィール
ド絶縁膜３８が設けられている。このフィールド絶縁膜
３８は、エミッタ及びベースのボンディングパッドによ
る寄生容量を減らすために、２．０〔μｍ〕程度以上の
厚さとなっている。
膜３７によって選択的に覆われている。また、Ｐ型ベー
ス領域３３上の表面領域以外の表面領域には、フィール
ド絶縁膜３８が設けられている。このフィールド絶縁膜
３８は、エミッタ及びベースのボンディングパッドによ
る寄生容量を減らすために、２．０〔μｍ〕程度以上の
厚さとなっている。
【０００７】Ｎ+ 型エミッタ層３４上にはアルミニウム
（Ａｌ）等の金属層によってエミッタ電極３９が、ベー
スコンタクト層３５上には同様にしてベース電極４０が
それぞれ形成されている。一方、コレクタ電極（図示せ
ず）は、Ｎ+ 型シリコン基板３１の裏面に形成されてい
る。
（Ａｌ）等の金属層によってエミッタ電極３９が、ベー
スコンタクト層３５上には同様にしてベース電極４０が
それぞれ形成されている。一方、コレクタ電極（図示せ
ず）は、Ｎ+ 型シリコン基板３１の裏面に形成されてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
バイポーラトランジスタでは、Ｐ型ベース領域３３上の
絶縁膜３７とそれ以外のフィールド絶縁膜３８との境界
が、両絶縁膜３７，３８間に膜厚差があることから、通
常はテーパーを持った残差となっている。
バイポーラトランジスタでは、Ｐ型ベース領域３３上の
絶縁膜３７とそれ以外のフィールド絶縁膜３８との境界
が、両絶縁膜３７，３８間に膜厚差があることから、通
常はテーパーを持った残差となっている。
【０００９】このため、このテーパー部Ａがエミッタ層
３４及びベースコンタクト層３５に近いと、フォトレジ
スト工程でこれらをパターン加工する際、テーパー部Ａ
の内側近傍でレジスト膜厚が厚くなり、テーパー部Ａの
近傍のベースコンタクト層３５の加工ができないという
問題が生ずることになる。
３４及びベースコンタクト層３５に近いと、フォトレジ
スト工程でこれらをパターン加工する際、テーパー部Ａ
の内側近傍でレジスト膜厚が厚くなり、テーパー部Ａの
近傍のベースコンタクト層３５の加工ができないという
問題が生ずることになる。
【００１０】この問題を回避するために、従来構造にお
いては、図３から明らかなように、テーパー部Ａをベー
スコンタクト層３５から充分に離して形成している。し
かしながら、このようにすると、ベース面積（ベース領
域３３とベースリング層３６の接合面積）が大きくな
り、高周波特性の向上を図る上で妨げになるという問題
があった。
いては、図３から明らかなように、テーパー部Ａをベー
スコンタクト層３５から充分に離して形成している。し
かしながら、このようにすると、ベース面積（ベース領
域３３とベースリング層３６の接合面積）が大きくな
り、高周波特性の向上を図る上で妨げになるという問題
があった。
【００１１】また、図４に示すように、テーパー部Ａを
ベースコンタクト層３５から離した状態において、ベー
スリング層３６をベースコンタクト層３５に近づけた構
造の従来例もある。この従来構造においては、ベース面
積を縮小することができる反面、ベースリング層３６の
外周上は薄い絶縁膜となり、ここにトラップされたホッ
トエレクトロンがシリコン‐絶縁膜の界面準位に影響を
与えるため、コレクタ‐ベース間耐圧が変動するという
問題があった。
ベースコンタクト層３５から離した状態において、ベー
スリング層３６をベースコンタクト層３５に近づけた構
造の従来例もある。この従来構造においては、ベース面
積を縮小することができる反面、ベースリング層３６の
外周上は薄い絶縁膜となり、ここにトラップされたホッ
トエレクトロンがシリコン‐絶縁膜の界面準位に影響を
与えるため、コレクタ‐ベース間耐圧が変動するという
問題があった。
【００１２】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、幅の狭いエミッタ層
やベースコンタクト層の加工性を低下させたり、耐圧特
性を変動させることなく、ベース面積を小さくし、高周
波特性の向上を可能としたバイポーラトランジスタを提
供することにある。
であり、その目的とするところは、幅の狭いエミッタ層
やベースコンタクト層の加工性を低下させたり、耐圧特
性を変動させることなく、ベース面積を小さくし、高周
波特性の向上を可能としたバイポーラトランジスタを提
供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ベース領域内に矩形状の複数個のエミッ
タ層及び複数個のベースコンタクト層が交互に形成さ
れ、ベース領域の外周にはリング状のベースリング層が
形成されたくし形電極構造のバイポーラトランジスタに
おいて、複数個のベースコンタクト層のうちの外側のベ
ースコンタクト層をベースリング層上に形成し、かつそ
の幅を内側のベースコンタクト層の幅よりも広く設定し
た構成を採っている。
に、本発明は、ベース領域内に矩形状の複数個のエミッ
タ層及び複数個のベースコンタクト層が交互に形成さ
れ、ベース領域の外周にはリング状のベースリング層が
形成されたくし形電極構造のバイポーラトランジスタに
おいて、複数個のベースコンタクト層のうちの外側のベ
ースコンタクト層をベースリング層上に形成し、かつそ
の幅を内側のベースコンタクト層の幅よりも広く設定し
た構成を採っている。
【００１４】
【作用】上記構成のくし形電極構造のバイポーラトラン
ジスタにおいて、外側のベースコンタクト層がベースリ
ング層上に形成されたことで、ベース領域とベースリン
グ層の接合部面積であるベース面積が小さくなる。この
とき、フィールド絶縁膜のテーパー部Ａがベースリング
層上にあっても、外側のベースコンタクト層の幅が、内
側のベースコンタクト層の幅よりも広く設定されている
ので、フォトレジスト工程でパターン加工する際に、レ
ジスト膜厚が厚くなっても、外側のベースコンタクト層
を問題なくパターン加工できる。
ジスタにおいて、外側のベースコンタクト層がベースリ
ング層上に形成されたことで、ベース領域とベースリン
グ層の接合部面積であるベース面積が小さくなる。この
とき、フィールド絶縁膜のテーパー部Ａがベースリング
層上にあっても、外側のベースコンタクト層の幅が、内
側のベースコンタクト層の幅よりも広く設定されている
ので、フォトレジスト工程でパターン加工する際に、レ
ジスト膜厚が厚くなっても、外側のベースコンタクト層
を問題なくパターン加工できる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は、例えばＮＰＮ型トランジスタに適
用された本発明の第１実施例を示す断面図である。図１
において、Ｎ+ 型シリコン基板１１上にＮ型エピタキシ
ャル層１２が形成され、Ｎ型エピタキシャル層１２の表
面側には接合深さが０．３〔μｍ〕程度のＰ型ベース領
域１３が形成されている。
に説明する。図１は、例えばＮＰＮ型トランジスタに適
用された本発明の第１実施例を示す断面図である。図１
において、Ｎ+ 型シリコン基板１１上にＮ型エピタキシ
ャル層１２が形成され、Ｎ型エピタキシャル層１２の表
面側には接合深さが０．３〔μｍ〕程度のＰ型ベース領
域１３が形成されている。
【００１６】Ｐ型ベース領域１３内には、接合深さが
０．１〔μｍ〕程度の矩形状のＮ+ 型エミッタ層１４及
びＰ+ 型ベースコンタクト層１５がそれぞれ複数個（本
例の場合には、エミッタ層１４が２個、ベースコンタク
ト層１５が３個）交互に形成されている。ここで、Ｎ+
型エミッタ層１４及びＰ+ 型ベースコンタクト層１５の
配列において、外側は両サイド共にＰ+ 型ベースコンタ
クト層１５となっている。
０．１〔μｍ〕程度の矩形状のＮ+ 型エミッタ層１４及
びＰ+ 型ベースコンタクト層１５がそれぞれ複数個（本
例の場合には、エミッタ層１４が２個、ベースコンタク
ト層１５が３個）交互に形成されている。ここで、Ｎ+
型エミッタ層１４及びＰ+ 型ベースコンタクト層１５の
配列において、外側は両サイド共にＰ+ 型ベースコンタ
クト層１５となっている。
【００１７】また、Ｐ型ベース領域１３の外周には、接
合深さが２〜４〔μｍ〕とＰ型ベース領域１３よりも深
いＰ型ベースリング層１６がリング状に形成されてい
る。そして、３個のＰ+ 型ベースコンタクト層１５のう
ち、外側のベースコンタクト層１５ａは、Ｐ型ベースリ
ング層１６上に例えば幅２〜３〔μｍ〕、長さ２０〔μ
ｍ〕で形成され、中央のベースコンタクト層１５ｂは、
例えば幅１．０〔μｍ〕、長さ２０〔μｍ〕で形成され
ている。
合深さが２〜４〔μｍ〕とＰ型ベース領域１３よりも深
いＰ型ベースリング層１６がリング状に形成されてい
る。そして、３個のＰ+ 型ベースコンタクト層１５のう
ち、外側のベースコンタクト層１５ａは、Ｐ型ベースリ
ング層１６上に例えば幅２〜３〔μｍ〕、長さ２０〔μ
ｍ〕で形成され、中央のベースコンタクト層１５ｂは、
例えば幅１．０〔μｍ〕、長さ２０〔μｍ〕で形成され
ている。
【００１８】すなわち、外側のベースコンタクト層１５
ａの幅ｗ1 が、内側のベースコンタクト層１５ｂの幅ｗ
2 よりも広く設定されている。Ｐ型ベース領域１３上の
表面領域は、絶縁膜１７によって選択的に覆われてい
る。この絶縁膜１７は、幅が狭いエミッタ層１４及びベ
ースコンタクト層１５を精度良く形成するために、０．
２〔μｍ〕程度と薄く形成されている。
ａの幅ｗ1 が、内側のベースコンタクト層１５ｂの幅ｗ
2 よりも広く設定されている。Ｐ型ベース領域１３上の
表面領域は、絶縁膜１７によって選択的に覆われてい
る。この絶縁膜１７は、幅が狭いエミッタ層１４及びベ
ースコンタクト層１５を精度良く形成するために、０．
２〔μｍ〕程度と薄く形成されている。
【００１９】また、Ｐ型ベース領域１３上の表面領域以
外の表面領域には、フィールド絶縁膜１８が設けられて
いる。このフィールド絶縁膜１８は、エミッタ及びベー
スのボンディングパッドによる寄生容量を減らすため
に、２．０〔μｍ〕程度以上の厚さとなっている。この
ため、ベース領域１３上の絶縁膜１７とそれ以外のフィ
ールド絶縁膜１８との境界がテーパーを持った残差とな
っている（テーパー部Ａ）。
外の表面領域には、フィールド絶縁膜１８が設けられて
いる。このフィールド絶縁膜１８は、エミッタ及びベー
スのボンディングパッドによる寄生容量を減らすため
に、２．０〔μｍ〕程度以上の厚さとなっている。この
ため、ベース領域１３上の絶縁膜１７とそれ以外のフィ
ールド絶縁膜１８との境界がテーパーを持った残差とな
っている（テーパー部Ａ）。
【００２０】Ｎ+ 型エミッタ層１４上にはアルミニウム
（Ａｌ）等の金属層によってエミッタ電極１９が、ベー
スコンタクト層１５ａ，１５ｂ上には同様にしてベース
電極２０ａ，２０ｂがそれぞれ形成されている。一方、
コレクタ電極（図示せず）は、Ｎ+ 型シリコン基板１１
の裏面に形成されている。
（Ａｌ）等の金属層によってエミッタ電極１９が、ベー
スコンタクト層１５ａ，１５ｂ上には同様にしてベース
電極２０ａ，２０ｂがそれぞれ形成されている。一方、
コレクタ電極（図示せず）は、Ｎ+ 型シリコン基板１１
の裏面に形成されている。
【００２１】上述したように、複数個（本例では、３
個）のベースコンタクト層１５のうちの外側のベースコ
ンタクト層１５ａをベースリング層１６上に形成したこ
とにより、ベース領域１３とベースリング層１６の接合
部面積であるベース面積を小さくすることができるた
め、高周波特性を向上できる。
個）のベースコンタクト層１５のうちの外側のベースコ
ンタクト層１５ａをベースリング層１６上に形成したこ
とにより、ベース領域１３とベースリング層１６の接合
部面積であるベース面積を小さくすることができるた
め、高周波特性を向上できる。
【００２２】さらに、ベースリング層１６の外周上には
必ず膜厚の厚いフィールド絶縁膜１８が存在することに
より、ここにトラップされたホットエレクトロンがシリ
コン‐絶縁膜の界面準位に影響を及ぼすことはないた
め、コレクタ‐ベース間耐圧が変動することもない。
必ず膜厚の厚いフィールド絶縁膜１８が存在することに
より、ここにトラップされたホットエレクトロンがシリ
コン‐絶縁膜の界面準位に影響を及ぼすことはないた
め、コレクタ‐ベース間耐圧が変動することもない。
【００２３】また、フィールド絶縁膜１８のテーパー部
Ａがベースリング層１６上にあっても、外側のベースコ
ンタクト層１５ａの幅が、内側のベースコンタクト層１
５ｂの幅よりも広く設定されているので、フォトレジス
ト工程でパターン加工する際に、レジスト膜厚が厚くな
っても、外側のベースコンタクト層１５ａを問題なくパ
ターン加工できる。
Ａがベースリング層１６上にあっても、外側のベースコ
ンタクト層１５ａの幅が、内側のベースコンタクト層１
５ｂの幅よりも広く設定されているので、フォトレジス
ト工程でパターン加工する際に、レジスト膜厚が厚くな
っても、外側のベースコンタクト層１５ａを問題なくパ
ターン加工できる。
【００２４】一方、エミッタ層１４及び内側のベースコ
ンタクト層１５ｂについては、テーパー部Ａから充分に
離間して設けられているので、フォトレジスト工程でこ
れらをパターン加工する際に、レジスト膜厚が厚くなる
ことはないので、加工上の問題はない。すなわち、幅の
狭いエミッタ層１４及びベースコンタクト層１５ｂの加
工性を低下させることはない。
ンタクト層１５ｂについては、テーパー部Ａから充分に
離間して設けられているので、フォトレジスト工程でこ
れらをパターン加工する際に、レジスト膜厚が厚くなる
ことはないので、加工上の問題はない。すなわち、幅の
狭いエミッタ層１４及びベースコンタクト層１５ｂの加
工性を低下させることはない。
【００２５】図２は、例えばＮＰＮ型トランジスタに適
用された本発明の第２実施例を示す断面図であり、図
中、図１と同等部分には同一符号を付して示している。
本実施例において、外側のベースコンタクト層１５ａが
ベースリング層１６上に形成され、かつその幅ｗ1 が内
側のベースコンタクト層１５ｂの幅ｗ2 よりも広く設定
されている点では第１実施例の構造と同じであり、これ
に伴う効果も第１実施例の場合と同様である。
用された本発明の第２実施例を示す断面図であり、図
中、図１と同等部分には同一符号を付して示している。
本実施例において、外側のベースコンタクト層１５ａが
ベースリング層１６上に形成され、かつその幅ｗ1 が内
側のベースコンタクト層１５ｂの幅ｗ2 よりも広く設定
されている点では第１実施例の構造と同じであり、これ
に伴う効果も第１実施例の場合と同様である。
【００２６】この構造に加え、本実施例においては、外
側のベースコンタクト層１５ａを、その一部がベース領
域１３の外にはみ出た状態で形成することにより、ベー
ス領域１３の端部とフィールド絶縁膜１８のエッジとの
間に間隔ｄを持たせているとともに、外側のベース電極
２０ａをフィールド絶縁膜１８上まで延在させて形成し
た構成となっている。
側のベースコンタクト層１５ａを、その一部がベース領
域１３の外にはみ出た状態で形成することにより、ベー
ス領域１３の端部とフィールド絶縁膜１８のエッジとの
間に間隔ｄを持たせているとともに、外側のベース電極
２０ａをフィールド絶縁膜１８上まで延在させて形成し
た構成となっている。
【００２７】ところで、ベース領域１３は、フィールド
絶縁膜１８を形成した後、レジスト・パターンを用いて
イオン注入することによって形成されることになる。こ
のとき、上記構成の第２実施例によれば、ベース領域１
３の端部とフィールド絶縁膜１８のエッジとの間に間隔
ｄが存在することにより、フィールド絶縁膜１８のテー
パー部Ａの影響を受けないので、ベース領域１３の端部
の紙面に垂直な方向における直線性を確保できる。
絶縁膜１８を形成した後、レジスト・パターンを用いて
イオン注入することによって形成されることになる。こ
のとき、上記構成の第２実施例によれば、ベース領域１
３の端部とフィールド絶縁膜１８のエッジとの間に間隔
ｄが存在することにより、フィールド絶縁膜１８のテー
パー部Ａの影響を受けないので、ベース領域１３の端部
の紙面に垂直な方向における直線性を確保できる。
【００２８】また、外側のベース電極２０ａのパターン
形成に際しても、第１実施例の場合には、ベース領域１
３の端部とフィールド絶縁膜１８のエッジが重なり合っ
ていることにより、フィールド絶縁膜１８のテーパー部
Ａの存在によって外側のベース電極２０ａの配線幅が規
制を受け、内側のベース電極１０ｂの配線幅よりも狭く
なったり、その長手方向（紙面に垂直な方向）において
配線幅がばらついたりする可能性がある。
形成に際しても、第１実施例の場合には、ベース領域１
３の端部とフィールド絶縁膜１８のエッジが重なり合っ
ていることにより、フィールド絶縁膜１８のテーパー部
Ａの存在によって外側のベース電極２０ａの配線幅が規
制を受け、内側のベース電極１０ｂの配線幅よりも狭く
なったり、その長手方向（紙面に垂直な方向）において
配線幅がばらついたりする可能性がある。
【００２９】これに対して、第２実施例の構成によれ
ば、外側のベース電極２０ａをパターン形成する際に、
外側のベース電極２０ａをフィールド絶縁膜１８上まで
延在させることにより、外側のベース電極２０ａの配線
幅がフィールド絶縁膜１８のテーパー部Ａの規制を受け
ることはないので、外側のベース電極２０ａの配線幅を
所望の幅にかつ一定の幅で形成できることになる。
ば、外側のベース電極２０ａをパターン形成する際に、
外側のベース電極２０ａをフィールド絶縁膜１８上まで
延在させることにより、外側のベース電極２０ａの配線
幅がフィールド絶縁膜１８のテーパー部Ａの規制を受け
ることはないので、外側のベース電極２０ａの配線幅を
所望の幅にかつ一定の幅で形成できることになる。
【００３０】なお、上記各実施例においては、ＮＰＮ型
トランジスタに適用した場合を例にとって説明したが、
ＰＮＰ型トランジスタにも同様に適用し得ることは言う
までもない。また、上記各実施例では、エミッタ層１４
が２個、ベースコンタクト層１５が３個の構成の場合に
ついて説明したが、この数に限定されるものではない。
トランジスタに適用した場合を例にとって説明したが、
ＰＮＰ型トランジスタにも同様に適用し得ることは言う
までもない。また、上記各実施例では、エミッタ層１４
が２個、ベースコンタクト層１５が３個の構成の場合に
ついて説明したが、この数に限定されるものではない。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
くし形電極構造のバイポーラトランジスタにおいて、複
数個のベースコンタクト層のうちの外側のベースコンタ
クト層をベースリング層上に形成し、かつその幅を内側
のベースコンタクト層の幅よりも広く設定した構成とし
たので、幅の狭いエミッタ層やベースコンタクト層の加
工性を低下させたり、耐圧特性を変動させることなく、
ベース領域とベースリング層の接合部面積であるベース
面積を小さくし、高周波特性を向上できることになる。
くし形電極構造のバイポーラトランジスタにおいて、複
数個のベースコンタクト層のうちの外側のベースコンタ
クト層をベースリング層上に形成し、かつその幅を内側
のベースコンタクト層の幅よりも広く設定した構成とし
たので、幅の狭いエミッタ層やベースコンタクト層の加
工性を低下させたり、耐圧特性を変動させることなく、
ベース領域とベースリング層の接合部面積であるベース
面積を小さくし、高周波特性を向上できることになる。
【図１】本発明の第１実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す断面図である。
【図３】一従来例を示す断面図である。
【図４】他の従来例を示す断面図である。
１１ Ｎ+ 型シリコン基板 １２ Ｎ型エピ
タキシャル層 １３ ベース領域 １４ Ｎ+ 型エ
ミッタ層 １５，１５ａ，１５ｂ Ｐ+ 型ベースコンタクト層 １６ Ｐ型ベースリング層 １８ フィール
ド絶縁膜
タキシャル層 １３ ベース領域 １４ Ｎ+ 型エ
ミッタ層 １５，１５ａ，１５ｂ Ｐ+ 型ベースコンタクト層 １６ Ｐ型ベースリング層 １８ フィール
ド絶縁膜
【手続補正書】
【提出日】平成６年７月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
バイポーラトランジスタでは、Ｐ型ベース領域３３上の
絶縁膜３７とそれ以外のフィールド絶縁膜３８との境界
が、両絶縁膜３７，３８間に膜厚差があることから、通
常はテーパーを持った段差となっている。
バイポーラトランジスタでは、Ｐ型ベース領域３３上の
絶縁膜３７とそれ以外のフィールド絶縁膜３８との境界
が、両絶縁膜３７，３８間に膜厚差があることから、通
常はテーパーを持った段差となっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】また、Ｐ型ベース領域１３上の表面領域以
外の表面領域には、フィールド絶縁膜１８が設けられて
いる。このフィールド絶縁膜１８は、エミッタ及びベー
スのボンディングパッドによる寄生容量を減らすため
に、２．０〔μｍ〕程度以上の厚さとなっている。この
ため、ベース領域１３上の絶縁膜１７とそれ以外のフィ
ールド絶縁膜１８との境界がテーパーを持った段差とな
っている（テーパー部Ａ）。
外の表面領域には、フィールド絶縁膜１８が設けられて
いる。このフィールド絶縁膜１８は、エミッタ及びベー
スのボンディングパッドによる寄生容量を減らすため
に、２．０〔μｍ〕程度以上の厚さとなっている。この
ため、ベース領域１３上の絶縁膜１７とそれ以外のフィ
ールド絶縁膜１８との境界がテーパーを持った段差とな
っている（テーパー部Ａ）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
Claims (4)
- 【請求項１】 ベース領域内に矩形状の複数個のエミッ
タ層及び複数個のベースコンタクト層が交互に形成さ
れ、前記ベース領域の外周にはリング状のベースリング
層が形成されたくし形電極構造のバイポーラトランジス
タであって、 前記複数個のベースコンタクト層のうちの外側のベース
コンタクト層が前記ベースリング層上に形成され、かつ
その幅が内側のベースコンタクト層の幅よりも広く設定
されたことを特徴とするバイポーラトランジスタ。 - 【請求項２】 前記外側のベースコンタクト層は、その
一部が前記ベース領域外にはみ出した状態で形成されて
いることを特徴とする請求項１記載のバイポーラトラン
ジスタ。 - 【請求項３】 前記ベース領域上の表面領域以外の表面
領域に形成されたフィールド絶縁膜のエッジと前記ベー
ス領域の端部との間に所定の間隔が設けられていること
を特徴とする請求項２記載のバイポーラトランジスタ。 - 【請求項４】 前記外側のベースコンタクト層上に形成
された外側のベース電極が、前記フィールド絶縁膜上に
延在して形成されていることを特徴とする請求項３記載
のバイポーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6112097A JPH07297203A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | バイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6112097A JPH07297203A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | バイポーラトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297203A true JPH07297203A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14578059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6112097A Pending JPH07297203A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | バイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297203A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100564347B1 (ko) * | 1998-09-28 | 2006-03-27 | 로무 가부시키가이샤 | 파워트랜지스터 및 그것을 사용한 반도체 집적회로장치 |
| JP2010503999A (ja) * | 2006-09-22 | 2010-02-04 | インテル コーポレイション | ディープサブミクロン製造プロセスのための対称バイポーラ接合トランジスタ設計 |
-
1994
- 1994-04-26 JP JP6112097A patent/JPH07297203A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100564347B1 (ko) * | 1998-09-28 | 2006-03-27 | 로무 가부시키가이샤 | 파워트랜지스터 및 그것을 사용한 반도체 집적회로장치 |
| JP2010503999A (ja) * | 2006-09-22 | 2010-02-04 | インテル コーポレイション | ディープサブミクロン製造プロセスのための対称バイポーラ接合トランジスタ設計 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5897855A (ja) | モノリシツク集積回路の製造方法 | |
| EP0036319A1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH07297203A (ja) | バイポーラトランジスタ | |
| US20070281406A1 (en) | Method of making a self aligned ion implanted gate and guard ring structure for use in a sit | |
| JPS6217387B2 (ja) | ||
| JPH08213407A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2707161B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US5777376A (en) | Pnp-type bipolar transistor | |
| JP2758509B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2501317B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2605753B2 (ja) | 縦形バイポーラトランジスタ | |
| US4327367A (en) | Thyristor with even turn-on line potential and method with 1-micron to 5-mil wide alignment region band | |
| JP2532694B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2843569B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3340809B2 (ja) | 縦型半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH01216573A (ja) | バイポーラ型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0222826A (ja) | バイポーラ型半導体集積回路装置 | |
| JPS59175766A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH03230560A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0758349A (ja) | ツェナーダイオード | |
| JPS61207069A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05343412A (ja) | トランジスタ | |
| JPH01165167A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60263463A (ja) | プレ−ナ型サイリスタの製造方法 | |
| JP2001015501A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040428 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040622 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040914 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20041108 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20041207 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041208 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |