JPH0729476U - 光電圧センサ - Google Patents
光電圧センサInfo
- Publication number
- JPH0729476U JPH0729476U JP5803793U JP5803793U JPH0729476U JP H0729476 U JPH0729476 U JP H0729476U JP 5803793 U JP5803793 U JP 5803793U JP 5803793 U JP5803793 U JP 5803793U JP H0729476 U JPH0729476 U JP H0729476U
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- linbo
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 LiNbO3 結晶を用いてポッケルス素子を
構成する場合において、共振周波数を高めて取得できる
電圧の周波数帯域を広げることができる光電圧センサを
提供する。 【構成】 スライスしたLiNbO3 結晶からなる厚さ
0.8mm程度の薄片31〜34を光路方向に厚みが増
すように4枚貼り合わせた積層体からなるポッケルス素
子3を用いる。
構成する場合において、共振周波数を高めて取得できる
電圧の周波数帯域を広げることができる光電圧センサを
提供する。 【構成】 スライスしたLiNbO3 結晶からなる厚さ
0.8mm程度の薄片31〜34を光路方向に厚みが増
すように4枚貼り合わせた積層体からなるポッケルス素
子3を用いる。
Description
【0001】
この考案は、LiNbO3 結晶からなるポッケルス素子を用いてサージ電圧を 検出する光電圧センサに関するものである。
【0002】
従来の光電圧センサは、例えば、両電極間にサージ電圧が印加される電気光学 結晶(LiNbO3 結晶)からなるポッケルス素子と1/4波長板とを重ねたも のを2つの偏向ビームスプリッタで挟んだ構造となっており、一方の偏向ビーム スプリッタへ発光素子からの光を光ファイバを通して入射させ、他方の偏向ビー ムスプリッタからの出射光を光ファイバを通して受光素子へ入射させる構成とし 、サージ電圧を受光素子の出力変化で検出するものである。この場合、ポッケル ス素子は単体の電気光学結晶から構成されている。
【0003】
光電圧センサで検出可能なサージ電圧の周波数範囲は、ポッケルス素子として 使用するLiNbO3 結晶の共振周波数以下に制限され、LiNbO3 結晶の共 振周波数を高めれば高めるほど、サージ電圧をより高い周波数範囲まで測定する ことができる。しかし、光電圧センサにおいてポッケルス素子として使用される LiNbO3 結晶は、その共振周波数が結晶寸法に依存せず結晶固有の一定値を 有しており、LiNbO3 結晶を用いた光電圧センサの共振周波数もLiNbO 3 結晶の共振周波数に依存して一定であり、光電圧センサで検出可能なサージ電 圧の周波数範囲を高い方向へのばすことはできなかった。サージ電圧の周波数範 囲を高い方向へのばそうとすれば、ポッケルス素子として使用する電気光学結晶 としてLiNbO3 結晶以外のものに交換せざるを得なかった。
【0004】 したがって、この考案の目的は、LiNbO3 結晶を用いてポッケルス素子を 構成する場合において、共振周波数を高め、取得できる電圧の周波数帯域を広げ ることができる光電圧センサを提供することである。
【0005】
この考案の光電圧センサは、スライスしたLiNbO3 結晶からなる例えば厚 さ0.8mm程度の薄片を光路方向に厚みが増すように複数枚、例えば4枚貼り 合わせた積層体からなるポッケルス素子を用いている。
【0006】
この考案の構成によれば、ポッケルス素子としてLiNbO3 結晶からなる、 例えば厚さ0.8mm程度の薄片を複数枚、例えば4枚貼り合わせた積層体を使 用したので、ポッケルス素子を用いた光電圧センサの共振周波数を単体のLiN bO3 結晶を用いた光電圧センサの共振周波数に比べて高めることができた。
【0007】
以下、この考案の一実施例を図1および図2を参照しながら説明する。 この光電圧センサは、図1に示すように、スライスしたLiNbO3 結晶から なる厚さ0.8mm程度の薄片31〜34を光路方向に厚みが増すように4枚貼 り合わせた積層体からなるポッケルス素子3を用いている。つまり、この光電圧 センサは、図1に示すように、例えば、両電極間に測定対象の電圧(サージ電圧 )が印加されるLiNbO3 結晶の薄片31〜34を光路方向に厚みが増すよう に4枚貼り合わせた積層体からなるポッケルス素子3と1/4波長板2とを光路 方向に重ねたものを2つの偏向ビームスプリッタ1A,1Bで挟んだ構造となっ ており、一方の偏向ビームスプリッタ1Aへ信号処理用の電子回路5の出力部に ある発光素子(図示せず)からの光を光ファイバ4Aを通して入射させ、他方の 偏向ビームスプリッタ1Bからの出射光を光ファイバ4Bを通して電子回路5の 入力部の受光素子(図示せず)へ入射させる構成とし、サージ電圧を受光素子の 出力変化で検出するようになっている。なお、上記両電極は、図1において、光 の透過方向と直交しかつ相対する2面(図1では紙面に垂直な2面)にポッケル ス素子3を挾む状態に形成されている。
【0008】 この光電圧センサによれば、ポッケルス素子3としてLiNbO3 結晶からな る厚さ0.8mm程度の薄片31〜34を4枚貼り合わせた積層体を使用したの で、ポッケルス素子3を用いた光電圧センサの共振周波数が794.3kHzとな って、単体のLiNbO3 結晶からなるポッケルス素子を使用した光電圧センサ の共振周波数(676.1kHz)に比べて17.5%高めることができた。
【0009】 図2に光電圧センサの共振周波数を測定する回路の回路図を示す。図2におい て、30はポッケルス素子、6は発振器、7は周波数特性分析器である。その他 は図1と同様である。 図2の回路では、発振器6の出力電圧をポッケルス素子30に印加するととも に、周波数特性分析器7に入力し、電子回路5の出力信号(受光素子の出力信号 を処理したもの)を周波数特性分析器7に入力することで、光電圧センサの共振 周波数を測定するようになっている。
【0010】 図3には、図2の回路で、ポッケルス素子30として使用するLiNbO3 結 晶の構造の例を示している。同図(a)には、単体のLiNbO3 結晶からなる ポッケルス素子3Aを示し、同図(b)にはLiNbO3 結晶からなる厚さ0. 8mm程度の薄片を4枚貼り合わせた積層体からなるポッケルス素子3Bを示し ている。
【0011】 なお、LiNbO3 結晶からなる薄片の厚さの上限は、特にないが、結晶の光 の透過率により制限される。例えば、結晶の透過率を50%(1mmにつき)とし 、10μWの入射光に対して3μWの出射光を必要とすれば、その厚さxは、 10(μW)×0.5x =3(μW) から導き出され、 x≒1.7(mm) となる。一方、LiNbO3 結晶からなる薄片の厚さの下限は、結晶を薄く加工 して貼り合わせる技術に制限され、現状では、約0.2mmである。
【0012】 また、ポッケルス素子3Bにおける薄片の積層枚数は4枚に限らず、2枚以上 何枚でもよい。
【0013】
この考案の光電圧センサによれば、ポッケルス素子としてLiNbO3 結晶か らなる薄片を複数枚貼り合わせた積層体を使用したので、光電圧センサの共振周 波数を高めることができ、取得できる電圧の周波数帯域を広げることができる。
【図1】この考案の一実施例の光電圧センサの構成を示
す概略図である。
す概略図である。
【図2】光電圧センサの共振周波数を測定する回路の回
路図である。
路図である。
【図3】ポッケルス素子の例を示す概略図である。
1A,1B 偏向ビームスプリッタ 2 1/4波長板 3 ポッケルス素子 4A,4B 光ファイバ 5 電子回路 31〜34 薄片
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 川勝 健 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 LiNbO3 結晶からなる薄片を光路方
向に厚みが増すように複数枚貼り合わせた積層体からな
るポッケルス素子を用いた光電圧センサ。 - 【請求項2】 積層体は厚さ0.8mm程度の薄片を4
枚貼り合わせている請求項1記載の光電圧センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5803793U JPH0729476U (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 光電圧センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5803793U JPH0729476U (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 光電圧センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0729476U true JPH0729476U (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=13072743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5803793U Pending JPH0729476U (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 光電圧センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0729476U (ja) |
-
1993
- 1993-10-27 JP JP5803793U patent/JPH0729476U/ja active Pending
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