JPH07294225A - パターン検出装置 - Google Patents
パターン検出装置Info
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- JPH07294225A JPH07294225A JP8285694A JP8285694A JPH07294225A JP H07294225 A JPH07294225 A JP H07294225A JP 8285694 A JP8285694 A JP 8285694A JP 8285694 A JP8285694 A JP 8285694A JP H07294225 A JPH07294225 A JP H07294225A
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- Japan
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】微細化し、高段差化したＬＳＩウェーハ等のパ
ターンを正確に検出すること。 【構成】投影パターンマスクによりパターンを投影し、
これを合焦位置の前後に配置した投影パターン検出マス
クを介して焦点位置検出センサでコントラスト検出し、
この信号を元に対象物高さを制御することでパターン検
出センサで常に合焦点位置でパターン検出する。このと
き、マスクと焦点検出センサを同一のステージ上に配置
し移動させることでパターン検出センサでの合焦点位置
に対してオフセットをつける。 【効果】微細化するとともに、高段差化したパターンに
対し、高速に焦点合わせができ、焦点位置のオフセット
をつけることで、正確にパターン検出できる効果があ
る。
ターンを正確に検出すること。 【構成】投影パターンマスクによりパターンを投影し、
これを合焦位置の前後に配置した投影パターン検出マス
クを介して焦点位置検出センサでコントラスト検出し、
この信号を元に対象物高さを制御することでパターン検
出センサで常に合焦点位置でパターン検出する。このと
き、マスクと焦点検出センサを同一のステージ上に配置
し移動させることでパターン検出センサでの合焦点位置
に対してオフセットをつける。 【効果】微細化するとともに、高段差化したパターンに
対し、高速に焦点合わせができ、焦点位置のオフセット
をつけることで、正確にパターン検出できる効果があ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，例えばＬＳＩウェーハ
やＴＦＴなどのパターン欠陥を検査またはパターン検出
する装置の焦点位置検出に関する。
やＴＦＴなどのパターン欠陥を検査またはパターン検出
する装置の焦点位置検出に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、パターンのある対象物にたいして
は特開昭５９−２３２３０６号公報記載のように照明光
学系に一定のパターンのマスクを挿入することで対象物
上に該パターンを投影し、そのパターンのコントラスト
を検出光学系に設けた焦点検出用のイメージセンサで検
出し、検出信号を解析することで合焦点の信号を得、ス
テージの高さを調整し、焦点が合った位置でのパターン
検出を可能にしていた。
は特開昭５９−２３２３０６号公報記載のように照明光
学系に一定のパターンのマスクを挿入することで対象物
上に該パターンを投影し、そのパターンのコントラスト
を検出光学系に設けた焦点検出用のイメージセンサで検
出し、検出信号を解析することで合焦点の信号を得、ス
テージの高さを調整し、焦点が合った位置でのパターン
検出を可能にしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、ＬＳＩウェーハ
等のパターンは微細化するとともに高段差化している。
微細なパターンを検出するにはよりＮＡの大きい光学系
を用いる必要がある。ＮＡが大きい場合、解像度は高い
が一方焦点深度は浅くなり、より精密に焦点合わせを行
う必要が有る。一方、高段差化したパターンに対しては
同一速度でパターンを検出する場合、より高速に焦点合
わせを行い、パターン段差に追従する必要が有る。また
同時に高段差化したパターンに対しては最も性能を出す
ことのできる焦点位置がパターンの性質や欠陥の種類に
より異なる。これらを鑑み、従来の技術は一次元イメー
ジセンサ等の素子を用いており、焦点合わせの速度がセ
ンサ素子により制限され、焦点合わせの高速化にたいす
る配慮がされていなかった。また、投影パターンと焦点
検出センサが別の位置にあるためパターン検出センサと
の位置関係を変化させる、つまりパターン検出センサに
焦点位置オフセットを付加することに対する配慮がされ
ていなかった。
等のパターンは微細化するとともに高段差化している。
微細なパターンを検出するにはよりＮＡの大きい光学系
を用いる必要がある。ＮＡが大きい場合、解像度は高い
が一方焦点深度は浅くなり、より精密に焦点合わせを行
う必要が有る。一方、高段差化したパターンに対しては
同一速度でパターンを検出する場合、より高速に焦点合
わせを行い、パターン段差に追従する必要が有る。また
同時に高段差化したパターンに対しては最も性能を出す
ことのできる焦点位置がパターンの性質や欠陥の種類に
より異なる。これらを鑑み、従来の技術は一次元イメー
ジセンサ等の素子を用いており、焦点合わせの速度がセ
ンサ素子により制限され、焦点合わせの高速化にたいす
る配慮がされていなかった。また、投影パターンと焦点
検出センサが別の位置にあるためパターン検出センサと
の位置関係を変化させる、つまりパターン検出センサに
焦点位置オフセットを付加することに対する配慮がされ
ていなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】課題を解決するための構
成を図１に示す。照明光源１と対象物と共役な位置に配
置した投影パターンマスク２とパターン検出光学系３の
対象物と共役な位置の前後に配置した投影パターン検出
マスク４ａと４ｂと焦点位置を検出する焦点位置検出セ
ンサ５ａと５ｂと焦点位置検出センサ５ａと５ｂで検出
された信号を元焦点位置のずれ量を計算する焦点ずれ演
算部６と焦点ずれ演算部６よりの信号を元に対象物高さ
を制御するＺステージ７とパターンを検出するパターン
検出センサ８とパターン検出センサ８の信号を元にパタ
ーン欠陥を抽出する画像処理部９より構成される。尚、
焦点合わせに関する説明が主目的であるので、パターン
を検出してから欠陥を抽出する処理、パターン欠陥検出
以外の例えば測長、パターンの目視確認等の用途につい
ては説明を省略する。
成を図１に示す。照明光源１と対象物と共役な位置に配
置した投影パターンマスク２とパターン検出光学系３の
対象物と共役な位置の前後に配置した投影パターン検出
マスク４ａと４ｂと焦点位置を検出する焦点位置検出セ
ンサ５ａと５ｂと焦点位置検出センサ５ａと５ｂで検出
された信号を元焦点位置のずれ量を計算する焦点ずれ演
算部６と焦点ずれ演算部６よりの信号を元に対象物高さ
を制御するＺステージ７とパターンを検出するパターン
検出センサ８とパターン検出センサ８の信号を元にパタ
ーン欠陥を抽出する画像処理部９より構成される。尚、
焦点合わせに関する説明が主目的であるので、パターン
を検出してから欠陥を抽出する処理、パターン欠陥検出
以外の例えば測長、パターンの目視確認等の用途につい
ては説明を省略する。
【０００５】
【作用】照明光源１よりの光は例えば図２に示したよう
なハッチング部がマスクで透過率が低くその外の部分が
ガラスで透過率が高いパターンの投影パターンマスク２
を透過し対象物上に投影パターンと同一の照明パターン
を形成する。このパターンを検出して焦点ずれを検出す
る原理を図３を用いて説明する。図３は対象物位置が合
焦点位置に対して上、中、下にある場合の投影パターン
検出マスク４ａの位置と投影パターン検出マスク４ｂの
位置で検出した投影パターンマスク２の照明パターンの
波形、及び対象物位置が合焦点位置に対して上、中、下
にある場合の焦点位置検出センサ５ａ、５ｂで検出した
光量を示している。照明パターンを対象物と共役な位置
の前に配置した投影パターン検出マスク４ａの位置、及
び対象物と共役な位置の後ろに配置した投影パターン検
出マスク４ｂの位置で検出すると対象物が合焦点位置に
ある場合、いずれも同程度に鈍って検出される。対象物
が上にある場合、焦点位置は後ろになり、後ろに配置し
た投影パターン検出マスク４ｂの位置では高いコントラ
ストで検出され、前に配置した投影パターン検出マスク
４ａの位置では低いコントラストで検出される。一方、
対象物が下にある場合、焦点位置は前になり、前に配置
した投影パターン検出マスク４ａの位置では高いコント
ラストで検出され、後ろに配置した投影パターン検出マ
スク４ｂの位置では低いコントラストで検出される。
尚、コントラストが高い場合はパターン巾は狭く、コン
トラストが低い場合はパターン巾は広い。このような場
合、投影パターン検出マスク４ａ、４ｂをコントラスト
が高く狭い場合の寸法に設定しておけば焦点位置検出セ
ンサ５ａ、５ｂではコントラスト値に応じた検出信号値
が得られる。焦点ずれ演算部６で得られた信号値の差分
で対象物が上にあるか下にあるかを判断し、Ｚステージ
７を駆動し、常に焦点が合った位置でセンサ８を用いて
パターンを検出し、画像処理部９で欠陥を判定する。こ
の方式で用いる焦点位置検出センサ５ａ、５ｂはポイン
ト型のセンサであり、十分高速である。また、投影パタ
ーンマスク２と投影パターン検出マスク４と焦点位置検
出センサ５を一体にし、機械的に移動する移動ステージ
１０の上に搭載することでセンサ８との位置関係を変化
させることが出来る。これらにより、高速に焦点合わせ
をすることが出来、また容易にセンサ８の焦点位置を変
更でき、微細化するとともに高段差化したＬＳＩウェー
ハ等のパターンを正確に検出できる。
なハッチング部がマスクで透過率が低くその外の部分が
ガラスで透過率が高いパターンの投影パターンマスク２
を透過し対象物上に投影パターンと同一の照明パターン
を形成する。このパターンを検出して焦点ずれを検出す
る原理を図３を用いて説明する。図３は対象物位置が合
焦点位置に対して上、中、下にある場合の投影パターン
検出マスク４ａの位置と投影パターン検出マスク４ｂの
位置で検出した投影パターンマスク２の照明パターンの
波形、及び対象物位置が合焦点位置に対して上、中、下
にある場合の焦点位置検出センサ５ａ、５ｂで検出した
光量を示している。照明パターンを対象物と共役な位置
の前に配置した投影パターン検出マスク４ａの位置、及
び対象物と共役な位置の後ろに配置した投影パターン検
出マスク４ｂの位置で検出すると対象物が合焦点位置に
ある場合、いずれも同程度に鈍って検出される。対象物
が上にある場合、焦点位置は後ろになり、後ろに配置し
た投影パターン検出マスク４ｂの位置では高いコントラ
ストで検出され、前に配置した投影パターン検出マスク
４ａの位置では低いコントラストで検出される。一方、
対象物が下にある場合、焦点位置は前になり、前に配置
した投影パターン検出マスク４ａの位置では高いコント
ラストで検出され、後ろに配置した投影パターン検出マ
スク４ｂの位置では低いコントラストで検出される。
尚、コントラストが高い場合はパターン巾は狭く、コン
トラストが低い場合はパターン巾は広い。このような場
合、投影パターン検出マスク４ａ、４ｂをコントラスト
が高く狭い場合の寸法に設定しておけば焦点位置検出セ
ンサ５ａ、５ｂではコントラスト値に応じた検出信号値
が得られる。焦点ずれ演算部６で得られた信号値の差分
で対象物が上にあるか下にあるかを判断し、Ｚステージ
７を駆動し、常に焦点が合った位置でセンサ８を用いて
パターンを検出し、画像処理部９で欠陥を判定する。こ
の方式で用いる焦点位置検出センサ５ａ、５ｂはポイン
ト型のセンサであり、十分高速である。また、投影パタ
ーンマスク２と投影パターン検出マスク４と焦点位置検
出センサ５を一体にし、機械的に移動する移動ステージ
１０の上に搭載することでセンサ８との位置関係を変化
させることが出来る。これらにより、高速に焦点合わせ
をすることが出来、また容易にセンサ８の焦点位置を変
更でき、微細化するとともに高段差化したＬＳＩウェー
ハ等のパターンを正確に検出できる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例を図４により説
明する。本実施例ではＬＳＩウェーハのパターンを例に
説明するが、ＴＦＴなどのパターンにも適用できること
は言うまでもない。図４はＬＳＩウェーハのパターン検
出装置（以下の説明では検出装置と略す）の全体構成図
である。検査装置は照明光源１及び投影パターンマスク
２及びハーフミラー２０、２１、２２及び対象物と共役
な位置の前に配置した投影パターン検出マスク４ａ及び
センサ５ａ及び対象物と共役な位置の後ろに配置した投
影パターン検出マスク４ｂ及びセンサ５ｂ及びパターン
検出光学系３及びパターンを検出する一次元のイメージ
センサであるセンサ８及び対象物ウェーハ２３を載せて
ＸＹＺに移動可能なステージ２４及びセンサ５ａとセン
サ５ｂよりの信号をもとに焦点ずれ量を計算しステージ
２４のＺ方向の移動量を制御する焦点ずれ演算部６及び
センサ８よりの信号を元にパターン欠陥を検出する画像
処理部９及び全体を制御する全体制御部２６で構成され
る。尚、投影パターンマスク２とハーフミラー２０、２
１と投影パターン検出マスク４ａとセンサ５ａと投影パ
ターン検出マスク４ｂとセンサ５ｂは移動ステージ１０
に搭載して全体制御部２５よりの指令で移動することが
できる。
明する。本実施例ではＬＳＩウェーハのパターンを例に
説明するが、ＴＦＴなどのパターンにも適用できること
は言うまでもない。図４はＬＳＩウェーハのパターン検
出装置（以下の説明では検出装置と略す）の全体構成図
である。検査装置は照明光源１及び投影パターンマスク
２及びハーフミラー２０、２１、２２及び対象物と共役
な位置の前に配置した投影パターン検出マスク４ａ及び
センサ５ａ及び対象物と共役な位置の後ろに配置した投
影パターン検出マスク４ｂ及びセンサ５ｂ及びパターン
検出光学系３及びパターンを検出する一次元のイメージ
センサであるセンサ８及び対象物ウェーハ２３を載せて
ＸＹＺに移動可能なステージ２４及びセンサ５ａとセン
サ５ｂよりの信号をもとに焦点ずれ量を計算しステージ
２４のＺ方向の移動量を制御する焦点ずれ演算部６及び
センサ８よりの信号を元にパターン欠陥を検出する画像
処理部９及び全体を制御する全体制御部２６で構成され
る。尚、投影パターンマスク２とハーフミラー２０、２
１と投影パターン検出マスク４ａとセンサ５ａと投影パ
ターン検出マスク４ｂとセンサ５ｂは移動ステージ１０
に搭載して全体制御部２５よりの指令で移動することが
できる。
【０００７】次に装置の各部は以下のように動作してパ
ターン欠陥を検出するものである。ウェーハ２４をステ
ージ２５に搭載し、移動ステージ１０をウェーハの品
種、工程に固有の焦点位置になるような位置に移動させ
ておくなど所定のイニシャライズ終了後検査すべき場所
の最初の位置に位置決めし、ステージ２４を連続的に走
査しながら一次元のイメージセンサであるパターン検出
センサ８で二次元パターンを得、得られたパターンを元
に画像処理部９で欠陥判定する。この時以下のように動
作してパターン検出センサ８で検出されるパターンの焦
点位置をあらかじめ定められた位置に保つものである。
即ち、照明光源１よりの光を図２に例示した投影パター
ンマスク２、ハーフミラー２０、２２を介して対象物ウ
ェーハ２４を照明する。対象物ウェーハ２４よりの反射
光をハーフミラー２２、２０、２１を介して投影パター
ン検出マスク４ａとセンサ５ａ及び投影パターン検出マ
スク４ｂとセンサ５ｂで検出する。このときの投影パタ
ーン検出マスク４の位置にイメージセンサを配置した場
合の検出波形とセンサ５で検出される信号は既に図３で
説明した。センサ５ａの信号値からセンサ５ｂの信号値
を減算し、これを図５に示す方法で三値化する。即ち減
算値が＋の閾値より大きい場合、ステージ２５を上に移
動させ、減算値が−の閾値より小さい場合、ステージ２
５を上に移動させ、いずれでもない場合は移動させない
よう制御する。制御終了後一定時間待って次のセンサの
信号値検出をする。これを常時行うことで常に焦点位置
を一定に保つ。
ターン欠陥を検出するものである。ウェーハ２４をステ
ージ２５に搭載し、移動ステージ１０をウェーハの品
種、工程に固有の焦点位置になるような位置に移動させ
ておくなど所定のイニシャライズ終了後検査すべき場所
の最初の位置に位置決めし、ステージ２４を連続的に走
査しながら一次元のイメージセンサであるパターン検出
センサ８で二次元パターンを得、得られたパターンを元
に画像処理部９で欠陥判定する。この時以下のように動
作してパターン検出センサ８で検出されるパターンの焦
点位置をあらかじめ定められた位置に保つものである。
即ち、照明光源１よりの光を図２に例示した投影パター
ンマスク２、ハーフミラー２０、２２を介して対象物ウ
ェーハ２４を照明する。対象物ウェーハ２４よりの反射
光をハーフミラー２２、２０、２１を介して投影パター
ン検出マスク４ａとセンサ５ａ及び投影パターン検出マ
スク４ｂとセンサ５ｂで検出する。このときの投影パタ
ーン検出マスク４の位置にイメージセンサを配置した場
合の検出波形とセンサ５で検出される信号は既に図３で
説明した。センサ５ａの信号値からセンサ５ｂの信号値
を減算し、これを図５に示す方法で三値化する。即ち減
算値が＋の閾値より大きい場合、ステージ２５を上に移
動させ、減算値が−の閾値より小さい場合、ステージ２
５を上に移動させ、いずれでもない場合は移動させない
よう制御する。制御終了後一定時間待って次のセンサの
信号値検出をする。これを常時行うことで常に焦点位置
を一定に保つ。
【０００８】次に本実施例の第１の変形を説明する。投
影パターン検出マスク４ａと投影パターン検出マスク４
ｂの位置を１８０度位相分ずらす。または反射型のマス
クを用いる。これにより、センサ５で検出される信号値
は図６となる。センサ５ｂの信号値からセンサ５ａの信
号値を減算し、これを同様の方法で三値化する。即ち減
算値が＋の閾値より大きい場合、ステージ２５を上に移
動させ、減算値が−の閾値より小さい場合、ステージ２
５を上に移動させ、いずれでもない場合は移動させない
よう制御する。
影パターン検出マスク４ａと投影パターン検出マスク４
ｂの位置を１８０度位相分ずらす。または反射型のマス
クを用いる。これにより、センサ５で検出される信号値
は図６となる。センサ５ｂの信号値からセンサ５ａの信
号値を減算し、これを同様の方法で三値化する。即ち減
算値が＋の閾値より大きい場合、ステージ２５を上に移
動させ、減算値が−の閾値より小さい場合、ステージ２
５を上に移動させ、いずれでもない場合は移動させない
よう制御する。
【０００９】または、反射型のマスクを用いて反射と透
過の２つの成分をそれぞれセンサ５ａ１とセンサ５ａ２
を用いる。センサ５ａ１の信号値からセンサ５ａ２の信
号値を減算したものからセンサ５ｂ１の信号値からセン
サ５ｂ２の信号値を減算したものを減算し、これを同様
の方法で三値化する。即ち減算値が＋の閾値より大きい
場合、ステージ２５を上に移動させ、減算値が−の閾値
より小さい場合、ステージ２５を上に移動させ、いずれ
でもない場合は移動させないよう制御する。これらの変
形ができるということは光学系の自由度が大きく最適な
方式を選択して利用することが出来る。
過の２つの成分をそれぞれセンサ５ａ１とセンサ５ａ２
を用いる。センサ５ａ１の信号値からセンサ５ａ２の信
号値を減算したものからセンサ５ｂ１の信号値からセン
サ５ｂ２の信号値を減算したものを減算し、これを同様
の方法で三値化する。即ち減算値が＋の閾値より大きい
場合、ステージ２５を上に移動させ、減算値が−の閾値
より小さい場合、ステージ２５を上に移動させ、いずれ
でもない場合は移動させないよう制御する。これらの変
形ができるということは光学系の自由度が大きく最適な
方式を選択して利用することが出来る。
【００１０】次に本実施例の第２の変形を説明する。移
動ステージ１０で焦点位置の調整を行う替わりに図７に
示す２組みの楔ガラスを用い相対的に横に移動させるこ
とで上下方向の光路長を調整する。このほかにガラス板
の出し入れ，レンズ系を用いた方式がある。これらの方
式を用いた場合，センサやマスクを移動させる必要がな
いため機械的剛性を高くすることができる特長がある。
動ステージ１０で焦点位置の調整を行う替わりに図７に
示す２組みの楔ガラスを用い相対的に横に移動させるこ
とで上下方向の光路長を調整する。このほかにガラス板
の出し入れ，レンズ系を用いた方式がある。これらの方
式を用いた場合，センサやマスクを移動させる必要がな
いため機械的剛性を高くすることができる特長がある。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、微細化するとともに高
段差化したＬＳＩウェーハ等のパターンに対しポイント
型の高速なセンサ素子を用いており焦点合わせの速度を
高速に出来、焦点検出にかかわる光学分品をステージ等
で移動することにより、パターン検出センサに焦点位置
オフセットを付加することができ、パターンを正確に検
出できる効果がある。
段差化したＬＳＩウェーハ等のパターンに対しポイント
型の高速なセンサ素子を用いており焦点合わせの速度を
高速に出来、焦点検出にかかわる光学分品をステージ等
で移動することにより、パターン検出センサに焦点位置
オフセットを付加することができ、パターンを正確に検
出できる効果がある。
【図１】本発明の構成図である。
【図２】投影パターンマスクの例を示す図である。
【図３】波形とセンサ検出値を示す図である。
【図４】本発明の第１実施例の構成図である。
【図５】センサ検出値と処理方法を示す図である。
【図６】センサ検出値と処理方法を示す図である。
【図７】光路長変更手段を示す図である。
１…照明光源、 ２…投影パターンマスク、 ４…投影パターン検出マスク、 ５…センサ、 ６…焦点ずれ検出部、 ７…Ｚステージ、 ８…パターン検出センサ、 １０…移動ステージ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 俊二 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 牧平 坦 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】照明光源と照明光学系中にパターンを対象
物上に投影する投影パターンマスクと投影されたパター
ンの情報のみを検出する為の検出パターンマスクと検出
パターンマスクを透過又は反射又は透過と反射した光を
検出するセンサを設け、検出された信号から焦点位置の
ずれ量を検出し、ずれ量を元に対象物高さを制御し、パ
ターン検出センサで常に同一の焦点位置で検出せしめる
ことを特徴とするパターン検出装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記検出センサには投
影パターンと同一又は白黒反転パターンと類似のパター
ンを用いることを特徴とするパターン検出装置。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２において、前記投影
パターンマスク又は検出パターンマスクとセンサはパタ
ーン形状又は光学配置を変えて複数個設けることを特徴
とするパターン検出装置。 - 【請求項４】請求項１又は請求項２において、前記投影
パターンマスクと検出パターンマスクとセンサは光学的
相対位置関係を同一に保ったまま移動させてパターン検
出センサで検出される焦点位置にオフセットを設けるこ
とを特徴とするパターン検出装置。 - 【請求項５】請求項４において、前記投影パターンマス
クと検出パターンマスクとセンサは照明光学系の側に配
置せしめ、機械的に同一の位置関係を保ったままに移動
させてパターン検出センサで検出される焦点位置にオフ
セットを設けることを特徴とするパターン検出装置。 - 【請求項６】請求項５において、前記投影パターンマス
クと検出パターンマスクとセンサは照明光学系の側に配
置せしめ、光学系のミラー、レンズ等の光学素子を移動
又は出し入れさせてパターン検出センサで検出される焦
点位置にオフセットを設けることを特徴とするパターン
検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8285694A JPH07294225A (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | パターン検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8285694A JPH07294225A (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | パターン検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07294225A true JPH07294225A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13786007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8285694A Pending JPH07294225A (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | パターン検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07294225A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004333584A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Nec Corp | レチクル検査装置の焦点位置制御方法 |
| KR20190049806A (ko) * | 2016-09-06 | 2019-05-09 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 검사 시스템에서의 포커싱을 위한 디바이스 및 방법 |
-
1994
- 1994-04-21 JP JP8285694A patent/JPH07294225A/ja active Pending
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