JPH07291756A - 多孔質セラミックス及びその製造方法 - Google Patents
多孔質セラミックス及びその製造方法Info
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- JPH07291756A JPH07291756A JP6107389A JP10738994A JPH07291756A JP H07291756 A JPH07291756 A JP H07291756A JP 6107389 A JP6107389 A JP 6107389A JP 10738994 A JP10738994 A JP 10738994A JP H07291756 A JPH07291756 A JP H07291756A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、排気ガス中のパティキュレートの
捕集効率をアップし、圧力損失を低減できる多孔質セラ
ミックス及びその製造方法を提供する。 【構成】 この多孔質セラミックスは、ＳｉＣセラミッ
クスを母相とした開気孔を有するＳｉＣ焼結多孔体１，
２と、該ＳｉＣ焼結多孔体１，２を基体として成長して
いるＳｉＣウィスカー３とから構成されている。絶縁性
のＳｉＣウィスカー３は導電性の焼結多孔体１と２の間
に配置されている。この多孔質セラミックスは、排気系
に配置されて排気ガス中に含まれるパティキュレートを
捕集して焼却再生されるディーゼルパティキュレートフ
ィルタに適用して好ましい。
捕集効率をアップし、圧力損失を低減できる多孔質セラ
ミックス及びその製造方法を提供する。 【構成】 この多孔質セラミックスは、ＳｉＣセラミッ
クスを母相とした開気孔を有するＳｉＣ焼結多孔体１，
２と、該ＳｉＣ焼結多孔体１，２を基体として成長して
いるＳｉＣウィスカー３とから構成されている。絶縁性
のＳｉＣウィスカー３は導電性の焼結多孔体１と２の間
に配置されている。この多孔質セラミックスは、排気系
に配置されて排気ガス中に含まれるパティキュレートを
捕集して焼却再生されるディーゼルパティキュレートフ
ィルタに適用して好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、排気ガス中
のパティキュレートを捕集するディーゼルパティキュレ
ートフィルタに適用できる多孔質セラミックス及びその
製造方法に関する。
のパティキュレートを捕集するディーゼルパティキュレ
ートフィルタに適用できる多孔質セラミックス及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳｉＣを主成分とした多孔質セラ
ミックスは、ＳｉＣ粒子と焼結助材を混合した原料を成
形体に成形し、該成形体を焼成して焼結多孔体を作製す
る。その作製工程において、発泡材や原料粒子径の調整
により気孔径及び配合量を調整している。焼結多孔体の
作製としては、押し出し成形等の成形によってマクロ細
孔を形成し、ハニカム形状等を有した焼結多孔体に形成
したり、ＳｉＣ繊維をフェルト状に固めて焼結多孔体を
作製したり、或いは、ＳｉＣウィスカーのプリフォーム
を作製して焼結多孔体を作製する。
ミックスは、ＳｉＣ粒子と焼結助材を混合した原料を成
形体に成形し、該成形体を焼成して焼結多孔体を作製す
る。その作製工程において、発泡材や原料粒子径の調整
により気孔径及び配合量を調整している。焼結多孔体の
作製としては、押し出し成形等の成形によってマクロ細
孔を形成し、ハニカム形状等を有した焼結多孔体に形成
したり、ＳｉＣ繊維をフェルト状に固めて焼結多孔体を
作製したり、或いは、ＳｉＣウィスカーのプリフォーム
を作製して焼結多孔体を作製する。
【０００３】また、特開平１−１３３９８８号公報に
は、網目状シリカウィスカー・セラミックス多孔質体複
合体の製造方法が開示されている。該網目状シリカウィ
スカー・セラミックス多孔質体複合体の製造方法は、金
属珪素粉末をセラミックス多孔体マトリックスに含浸さ
せた成形体を、水蒸気露点２５℃以下の酸素、水蒸気又
は過酸化水素を含有する還元性雰囲気ガスによって焼成
したものである。
は、網目状シリカウィスカー・セラミックス多孔質体複
合体の製造方法が開示されている。該網目状シリカウィ
スカー・セラミックス多孔質体複合体の製造方法は、金
属珪素粉末をセラミックス多孔体マトリックスに含浸さ
せた成形体を、水蒸気露点２５℃以下の酸素、水蒸気又
は過酸化水素を含有する還元性雰囲気ガスによって焼成
したものである。
【０００４】また、特開平１−１９７３７５号公報に
は、多孔質体及び多孔質体製造方法が開示されている。
該多孔質体は、複数の孔を枠材によって形成する多孔支
持枠と、前記各孔のほぼ全内周面にわたって密生し、前
記各孔の全開口部を覆う針状体とを備えているものであ
る。該多孔質体の製造方法は、複数の孔を備えた多孔支
持枠を形成する耐熱性の枠材の表面に、ケイ素又はケイ
素とアルミニウムとの混合物から成る原料粒子を被着
し、被着後の多孔支持枠を窒素ガスを含む還元性ガス又
は水蒸気を含む水素ガスのガス雰囲気中で温度１２００
℃〜１３７０℃、少なくとも１時間焼成するものであ
る。
は、多孔質体及び多孔質体製造方法が開示されている。
該多孔質体は、複数の孔を枠材によって形成する多孔支
持枠と、前記各孔のほぼ全内周面にわたって密生し、前
記各孔の全開口部を覆う針状体とを備えているものであ
る。該多孔質体の製造方法は、複数の孔を備えた多孔支
持枠を形成する耐熱性の枠材の表面に、ケイ素又はケイ
素とアルミニウムとの混合物から成る原料粒子を被着
し、被着後の多孔支持枠を窒素ガスを含む還元性ガス又
は水蒸気を含む水素ガスのガス雰囲気中で温度１２００
℃〜１３７０℃、少なくとも１時間焼成するものであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳｉＣ
を主成分とした多孔質セラミックスは、ＳｉＣ粒子と焼
結助剤を混合した原料を成形した成形体を焼成してＳｉ
Ｃ焼結多孔体を作製する時に、発泡材や原料粒子を用い
ると、これらを加熱除去する際に中子が膨張し、ＳｉＣ
焼結多孔体に割れ、クラックが生じ易く、また、加熱時
に分解したＣ，Ｏが焼結を阻害する。また、焼結多孔体
として、φ５０μｍ以下の細孔を形成するのは困難であ
り、気孔率５０％以上の多孔体を得ることも困難であ
る。また、焼結多孔体の作製としては、押し出し成形等
の成形によってマクロ細孔を形成する場合に、マクロ細
孔を独立或いは屈曲させることは困難である。
を主成分とした多孔質セラミックスは、ＳｉＣ粒子と焼
結助剤を混合した原料を成形した成形体を焼成してＳｉ
Ｃ焼結多孔体を作製する時に、発泡材や原料粒子を用い
ると、これらを加熱除去する際に中子が膨張し、ＳｉＣ
焼結多孔体に割れ、クラックが生じ易く、また、加熱時
に分解したＣ，Ｏが焼結を阻害する。また、焼結多孔体
として、φ５０μｍ以下の細孔を形成するのは困難であ
り、気孔率５０％以上の多孔体を得ることも困難であ
る。また、焼結多孔体の作製としては、押し出し成形等
の成形によってマクロ細孔を形成する場合に、マクロ細
孔を独立或いは屈曲させることは困難である。
【０００６】また、ＳｉＣ繊維をフェルト状に固めてＳ
ｉＣ焼結多孔体にしたり、或いはＳｉＣウィスカーのプ
リフォームを作製してＳｉＣ焼結多孔体にする場合に
は、それらのＳｉＣ焼結多孔体では、通電加熱が困難で
あり、不純物の添加等により、通電可能となっても通電
加熱時に、不均一加熱による溶損が生じる。また、上記
焼結多孔体では、サイズの異なる気孔径を得ることは困
難である。
ｉＣ焼結多孔体にしたり、或いはＳｉＣウィスカーのプ
リフォームを作製してＳｉＣ焼結多孔体にする場合に
は、それらのＳｉＣ焼結多孔体では、通電加熱が困難で
あり、不純物の添加等により、通電可能となっても通電
加熱時に、不均一加熱による溶損が生じる。また、上記
焼結多孔体では、サイズの異なる気孔径を得ることは困
難である。
【０００７】そこで、この発明の目的は、上記の課題を
解決することであり、ディーゼルエンジンから排気され
る排気ガス中に含まれるパティキュレートを捕集し、該
パティキュレートを加熱焼却できるディーゼルパティキ
ュレートフィルタ等に適用して好ましく、排気ガスの流
れ或いは加熱焼却時の熱負荷によって割れ、クラック等
が発生することなく、耐熱性及び耐久性に富み、特にＳ
ｉＣウィスカーをＳｉＣ焼結多孔体でサンドイッチ状に
積層構造に構成することによって気孔率が５０％以上に
構成されると共にサイズの異なる気孔径を有し、ディー
ゼルパティキュレートフィルタとして使用した時に、フ
ィルタの排気ガス中の圧力損失が低く、パティキュレー
トの捕集効率がアップできる多孔質セラミックス及びそ
の製造方法を提供することである。
解決することであり、ディーゼルエンジンから排気され
る排気ガス中に含まれるパティキュレートを捕集し、該
パティキュレートを加熱焼却できるディーゼルパティキ
ュレートフィルタ等に適用して好ましく、排気ガスの流
れ或いは加熱焼却時の熱負荷によって割れ、クラック等
が発生することなく、耐熱性及び耐久性に富み、特にＳ
ｉＣウィスカーをＳｉＣ焼結多孔体でサンドイッチ状に
積層構造に構成することによって気孔率が５０％以上に
構成されると共にサイズの異なる気孔径を有し、ディー
ゼルパティキュレートフィルタとして使用した時に、フ
ィルタの排気ガス中の圧力損失が低く、パティキュレー
トの捕集効率がアップできる多孔質セラミックス及びそ
の製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の目的
を達成するために、次のように構成されている。即ち、
この発明は、ＳｉＣセラミックスを母相とした開気孔を
有するＳｉＣ焼結多孔体と、該ＳｉＣ焼結多孔体を基体
として成長しているＳｉＣウィスカーとから構成されて
いることを特徴とする多孔質セラミックスに関する。
を達成するために、次のように構成されている。即ち、
この発明は、ＳｉＣセラミックスを母相とした開気孔を
有するＳｉＣ焼結多孔体と、該ＳｉＣ焼結多孔体を基体
として成長しているＳｉＣウィスカーとから構成されて
いることを特徴とする多孔質セラミックスに関する。
【０００９】また、この多孔質セラミックスにおいて、
前記ＳｉＣウィスカーは一対の前記ＳｉＣ焼結多孔体の
間に配置され、前記ＳｉＣウィスカーは絶縁性であり且
つ前記ＳｉＣ焼結多孔体は導電性である。更に、前記Ｓ
ｉＣ焼結多孔体にＦｅ化合物が分散している。また、前
記Ｆｅ化合物がＦｅの酸化物、珪化物、炭化物、窒化物
である。そして、この多孔質セラミックスは、排気系に
配置されて排気ガス中に含まれるパティキュレートを捕
集して焼却再生されるディーゼルパティキュレートフィ
ルタに適用して好ましいものである。
前記ＳｉＣウィスカーは一対の前記ＳｉＣ焼結多孔体の
間に配置され、前記ＳｉＣウィスカーは絶縁性であり且
つ前記ＳｉＣ焼結多孔体は導電性である。更に、前記Ｓ
ｉＣ焼結多孔体にＦｅ化合物が分散している。また、前
記Ｆｅ化合物がＦｅの酸化物、珪化物、炭化物、窒化物
である。そして、この多孔質セラミックスは、排気系に
配置されて排気ガス中に含まれるパティキュレートを捕
集して焼却再生されるディーゼルパティキュレートフィ
ルタに適用して好ましいものである。
【００１０】或いは、この発明は、ＳｉＣセラミックス
を母相とした開気孔を有するＳｉＣ焼結多孔体を作製
し、カーボン繊維中にシリカのエアロゾル、カーボン及
びＦｅ系触媒を混合した原料粉を巻き込んで繊維混合部
材を作製し、一対の前記ＳｉＣ焼結多孔体の間に前記繊
維混合部材を挟み込んで積層部材を作製し、前記積層部
材にＨ2 を流しながら焼成して前記繊維混合部材を前記
ＳｉＣ焼結多孔体の表面から成長したＳｉＣウィスカー
に転化させたことを特徴とする多孔質セラミックスの製
造方法に関する。
を母相とした開気孔を有するＳｉＣ焼結多孔体を作製
し、カーボン繊維中にシリカのエアロゾル、カーボン及
びＦｅ系触媒を混合した原料粉を巻き込んで繊維混合部
材を作製し、一対の前記ＳｉＣ焼結多孔体の間に前記繊
維混合部材を挟み込んで積層部材を作製し、前記積層部
材にＨ2 を流しながら焼成して前記繊維混合部材を前記
ＳｉＣ焼結多孔体の表面から成長したＳｉＣウィスカー
に転化させたことを特徴とする多孔質セラミックスの製
造方法に関する。
【００１１】また、この多孔質セラミックスの製造方法
についは、ＳｉＣセラミックスを母相とした開気孔を有
するＳｉＣ焼結多孔体を作製する工程において、ＳｉＣ
とＣの混合粉末にＦｅ酸化物を混合して混合原料を作製
し、混合原料を造粒処理後に成形して成形体を作製し、
該成形体を脱脂した後に真空中で溶融Ｓｉに浸漬し、こ
れを加熱焼成して焼結体を作製し、次いで、焼結体を真
空中で加熱して前記焼結体中の残留Ｓｉを除去してＳｉ
Ｃ焼結多孔体を作製したものである。
についは、ＳｉＣセラミックスを母相とした開気孔を有
するＳｉＣ焼結多孔体を作製する工程において、ＳｉＣ
とＣの混合粉末にＦｅ酸化物を混合して混合原料を作製
し、混合原料を造粒処理後に成形して成形体を作製し、
該成形体を脱脂した後に真空中で溶融Ｓｉに浸漬し、こ
れを加熱焼成して焼結体を作製し、次いで、焼結体を真
空中で加熱して前記焼結体中の残留Ｓｉを除去してＳｉ
Ｃ焼結多孔体を作製したものである。
【００１２】
【作用】この発明による多孔質セラミックス及びその製
造方法は、上記のように構成されており、次のような作
用をする。即ち、この多孔質セラミックスは、ＳｉＣセ
ラミックスを母相とした開気孔を有するＳｉＣ焼結多孔
体と、該ＳｉＣ焼結多孔体を基体として成長しているＳ
ｉＣウィスカーとから構成されているので、前記ＳｉＣ
ウィスカーと前記ＳｉＣ焼結多孔体とは極めて強力に結
合している複合構造体を構成し、熱負荷時に割れや薄利
等が生じ難く、耐熱性、耐久性を向上できる。前記Ｓｉ
Ｃウィスカーを一対の前記ＳｉＣ焼結多孔体の間に配置
した構造に構成でき、気孔径の異なる気孔率の高い多孔
体を構成でき、特に、前記ＳｉＣウィスカーの気孔率は
９０％以上に構成することができ、多孔質セラミックス
全体として高い気孔率に構成でき、例えば、排気ガス中
に含まれるパティキュレートを捕集するディーゼルパテ
ィキュレートフィルタに適用した場合に、パティキュレ
ートの捕集効率をアップでき、長時間にわたって圧力損
失を低減できる。
造方法は、上記のように構成されており、次のような作
用をする。即ち、この多孔質セラミックスは、ＳｉＣセ
ラミックスを母相とした開気孔を有するＳｉＣ焼結多孔
体と、該ＳｉＣ焼結多孔体を基体として成長しているＳ
ｉＣウィスカーとから構成されているので、前記ＳｉＣ
ウィスカーと前記ＳｉＣ焼結多孔体とは極めて強力に結
合している複合構造体を構成し、熱負荷時に割れや薄利
等が生じ難く、耐熱性、耐久性を向上できる。前記Ｓｉ
Ｃウィスカーを一対の前記ＳｉＣ焼結多孔体の間に配置
した構造に構成でき、気孔径の異なる気孔率の高い多孔
体を構成でき、特に、前記ＳｉＣウィスカーの気孔率は
９０％以上に構成することができ、多孔質セラミックス
全体として高い気孔率に構成でき、例えば、排気ガス中
に含まれるパティキュレートを捕集するディーゼルパテ
ィキュレートフィルタに適用した場合に、パティキュレ
ートの捕集効率をアップでき、長時間にわたって圧力損
失を低減できる。
【００１３】また、この多孔質セラミックスは、導電性
の前記ＳｉＣ焼結多孔体の間に絶縁性の前記ＳｉＣウィ
スカーが介在しており、通電して加熱することができ、
ディーゼルパティキュレートフィルタに適用した場合
に、捕集したパティキュレートを加熱焼却する時に、通
電して加熱することができる。また、この多孔質セラミ
ックスは、絶縁性の前記ＳｉＣウィスカーの両側に導電
性の前記ＳｉＣ焼結多孔体が位置するので、例えば、片
側の前記ＳｉＣ焼結多孔体のみを通電することもでき、
例えば、ディーゼルパティキュレートフィルタに適用し
た場合には、捕集したパティキュレートの加熱焼却のた
め一方の前記ＳｉＣ焼結多孔体から順次に加熱制御を行
うことができる。
の前記ＳｉＣ焼結多孔体の間に絶縁性の前記ＳｉＣウィ
スカーが介在しており、通電して加熱することができ、
ディーゼルパティキュレートフィルタに適用した場合
に、捕集したパティキュレートを加熱焼却する時に、通
電して加熱することができる。また、この多孔質セラミ
ックスは、絶縁性の前記ＳｉＣウィスカーの両側に導電
性の前記ＳｉＣ焼結多孔体が位置するので、例えば、片
側の前記ＳｉＣ焼結多孔体のみを通電することもでき、
例えば、ディーゼルパティキュレートフィルタに適用し
た場合には、捕集したパティキュレートの加熱焼却のた
め一方の前記ＳｉＣ焼結多孔体から順次に加熱制御を行
うことができる。
【００１４】また、この多孔質セラミックスの製造方法
において、前記ＳｉＣ焼結多孔体に、Ｆｅの酸化物、珪
化物、炭化物等のＦｅ化合物が分散しているので、Ｓｉ
Ｃウィスカーの成長のためのＦｅ系触媒を原料粉に添加
する必要が無い。
において、前記ＳｉＣ焼結多孔体に、Ｆｅの酸化物、珪
化物、炭化物等のＦｅ化合物が分散しているので、Ｓｉ
Ｃウィスカーの成長のためのＦｅ系触媒を原料粉に添加
する必要が無い。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明による多孔
質セラミックス及びその製造方法の実施例を説明する。
図１はこの発明による多孔質セラミックスの一実施例を
説明する概略説明図である。
質セラミックス及びその製造方法の実施例を説明する。
図１はこの発明による多孔質セラミックスの一実施例を
説明する概略説明図である。
【００１６】この多孔質セラミックスは、例えば、ディ
ーゼルエンジンの排気ガス浄化装置に組み込んで使用で
き、排気系に配置されて排気ガス中に含まれるパティキ
ュレートを捕集して焼却再生されるディーゼルパティキ
ュレートフィルタに適用できるものである。ディーゼル
パティキュレートフィルタは、ディーゼルエンジンから
の排気ガスを排気する排気系の排気通路に配置された板
状フィルタが設けられている。板状フィルタは、排気ガ
ス中のカーボン、煤、ＨＣ、黒煙等のパティキュレート
を捕集し、捕集されたパティキュレートを加熱焼却する
ものである。板状フィルタに捕集されたパティキュレー
トを加熱燃焼させて焼却するため、板状フィルタに通電
する手段として、電源に通じる加熱回路が設けられてい
る。
ーゼルエンジンの排気ガス浄化装置に組み込んで使用で
き、排気系に配置されて排気ガス中に含まれるパティキ
ュレートを捕集して焼却再生されるディーゼルパティキ
ュレートフィルタに適用できるものである。ディーゼル
パティキュレートフィルタは、ディーゼルエンジンから
の排気ガスを排気する排気系の排気通路に配置された板
状フィルタが設けられている。板状フィルタは、排気ガ
ス中のカーボン、煤、ＨＣ、黒煙等のパティキュレート
を捕集し、捕集されたパティキュレートを加熱焼却する
ものである。板状フィルタに捕集されたパティキュレー
トを加熱燃焼させて焼却するため、板状フィルタに通電
する手段として、電源に通じる加熱回路が設けられてい
る。
【００１７】この多孔質セラミックスは、ＳｉＣセラミ
ックスを母相とした開気孔を有するＳｉＣ焼結多孔体
１，２と、該ＳｉＣ焼結多孔体１，２を基体として成長
しているＳｉＣウィスカー３とから構成されている。Ｓ
ｉＣウィスカー３は、一対のＳｉＣ焼結多孔体１と２の
間に配置されている。ＳｉＣウィスカー３は絶縁性の材
料であり、ＳｉＣ焼結多孔体１，２は導電性の材料に作
製されている。ＳｉＣ焼結多孔体１，２には、Ｆｅ酸化
物、Ｆｅ珪化物、Ｆｅ炭化物或いはＦｅ窒化物のＦｅ化
合物が分散しているものである。
ックスを母相とした開気孔を有するＳｉＣ焼結多孔体
１，２と、該ＳｉＣ焼結多孔体１，２を基体として成長
しているＳｉＣウィスカー３とから構成されている。Ｓ
ｉＣウィスカー３は、一対のＳｉＣ焼結多孔体１と２の
間に配置されている。ＳｉＣウィスカー３は絶縁性の材
料であり、ＳｉＣ焼結多孔体１，２は導電性の材料に作
製されている。ＳｉＣ焼結多孔体１，２には、Ｆｅ酸化
物、Ｆｅ珪化物、Ｆｅ炭化物或いはＦｅ窒化物のＦｅ化
合物が分散しているものである。
【００１８】この発明による多孔質セラミックスの製造
方法については、まず、ＳｉＣセラミックスを母相とし
た開気孔を有するＳｉＣ焼結多孔体を作製する。ＳｉＣ
焼結多孔体を作製する工程では、ＳｉＣとＣの混合粉末
にＦｅ酸化物を混合して混合原料を作製し、混合原料を
造粒処理した後に、粒状物を成形して成形体を作製す
る。該成形体を脱脂した後に、真空中で溶融Ｓｉに浸漬
し、これを加熱焼成して焼結体を作製する。更に、焼結
体を真空中で加熱して焼結体中の残留Ｓｉを除去してＳ
ｉＣ焼結多孔体１，２を作製する。一方、カーボン繊維
中にシリカのエアロゾル、カーボン及びＦｅ系触媒を混
合した原料粉を巻き込んで繊維混合部材を作製する。そ
こで、一対のＳｉＣ焼結多孔体の間に、繊維混合部材を
挟み込んで積層部材を作製する。積層部材の一方の側か
ら該積層部材にＨ2 を流しながら焼成し、繊維混合部材
をＳｉＣ焼結多孔体の表面から成長したＳｉＣウィスカ
ーに転化させたものである。
方法については、まず、ＳｉＣセラミックスを母相とし
た開気孔を有するＳｉＣ焼結多孔体を作製する。ＳｉＣ
焼結多孔体を作製する工程では、ＳｉＣとＣの混合粉末
にＦｅ酸化物を混合して混合原料を作製し、混合原料を
造粒処理した後に、粒状物を成形して成形体を作製す
る。該成形体を脱脂した後に、真空中で溶融Ｓｉに浸漬
し、これを加熱焼成して焼結体を作製する。更に、焼結
体を真空中で加熱して焼結体中の残留Ｓｉを除去してＳ
ｉＣ焼結多孔体１，２を作製する。一方、カーボン繊維
中にシリカのエアロゾル、カーボン及びＦｅ系触媒を混
合した原料粉を巻き込んで繊維混合部材を作製する。そ
こで、一対のＳｉＣ焼結多孔体の間に、繊維混合部材を
挟み込んで積層部材を作製する。積層部材の一方の側か
ら該積層部材にＨ2 を流しながら焼成し、繊維混合部材
をＳｉＣ焼結多孔体の表面から成長したＳｉＣウィスカ
ーに転化させたものである。
【００１９】この発明による多孔質セラミックスの製造
方法の実施例を説明する。 〔実施例１〕この多孔質セラミックスの製造方法におい
て、ＳｉＣとＡｌ2 Ｏ3 とを所定量配合し、メタノール
及びバインダを加えて、ボールミルにて２４時間混合し
て混合物を作った。次いで、混合物をスプレードライヤ
にて造粒処理を行って造粒物を作製した。これらの造粒
物を原料として成形して成形体を作製し、成形体を焼成
してＳｉＣ焼結多孔体１，２を作製し、ＳｉＣ焼結多孔
体１，２からφ１００ｍｍ（径）×ｔ５ｍｍ（厚さ）の
円盤状のＳｉＣ焼結多孔体を２枚作製した。一方、カー
ボン繊維の中にシリカのエアロゾル、カーボン、Ｆｅ系
触媒を混合した原料粉を巻き込んで繊維混合部材を作製
した。そこで、上記原料粉を２枚の上記ＳｉＣ焼結多孔
体１と２の間に挟んで積層部材を作製した。次いで、該
積層部材を焼成炉の中に設置し、一方のＳｉＣ焼結多孔
体１の側からＨ2 を流しながら１４５０℃に昇温して原
料粉を転化させてＳｉＣ焼結多孔体１と２との間にＳｉ
Ｃウィスカー３を成長させて複合焼結体を作製した。そ
の後、複合焼結体を十分に冷却して焼成炉から取り出し
た。この複合焼結体は、図１に示すように、ＳｉＣ焼結
多孔体１，２の間にＳｉＣウィスカー３が成長したサン
ドイッチ状の多孔体であった（本発明品Ａという）。
方法の実施例を説明する。 〔実施例１〕この多孔質セラミックスの製造方法におい
て、ＳｉＣとＡｌ2 Ｏ3 とを所定量配合し、メタノール
及びバインダを加えて、ボールミルにて２４時間混合し
て混合物を作った。次いで、混合物をスプレードライヤ
にて造粒処理を行って造粒物を作製した。これらの造粒
物を原料として成形して成形体を作製し、成形体を焼成
してＳｉＣ焼結多孔体１，２を作製し、ＳｉＣ焼結多孔
体１，２からφ１００ｍｍ（径）×ｔ５ｍｍ（厚さ）の
円盤状のＳｉＣ焼結多孔体を２枚作製した。一方、カー
ボン繊維の中にシリカのエアロゾル、カーボン、Ｆｅ系
触媒を混合した原料粉を巻き込んで繊維混合部材を作製
した。そこで、上記原料粉を２枚の上記ＳｉＣ焼結多孔
体１と２の間に挟んで積層部材を作製した。次いで、該
積層部材を焼成炉の中に設置し、一方のＳｉＣ焼結多孔
体１の側からＨ2 を流しながら１４５０℃に昇温して原
料粉を転化させてＳｉＣ焼結多孔体１と２との間にＳｉ
Ｃウィスカー３を成長させて複合焼結体を作製した。そ
の後、複合焼結体を十分に冷却して焼成炉から取り出し
た。この複合焼結体は、図１に示すように、ＳｉＣ焼結
多孔体１，２の間にＳｉＣウィスカー３が成長したサン
ドイッチ状の多孔体であった（本発明品Ａという）。
【００２０】〔実施例２〕この多孔質セラミックスの製
造方法において、ＳｉＣとＣとの混合粉末にＦｅ酸化物
を所定量（０．５ｗｔ％以上）を加え、メタノール及び
バインダを加えて、ボールミルにて２４時間混合して混
合物を作った。次いで、混合物をスプレードライヤにて
造粒処理を行って造粒物を作製した。これらの造粒物を
原料として成形して成形体を作製し、成形体を脱脂した
後、成形体に真空中（２０Ｐａ）で溶融Ｓｉに浸漬さ
せ、１６００℃まで加熱焼成して焼結体とした。更に、
焼結体中の残留Ｓｉを除去するために、真空中（２０Ｐ
ａ）で１７００℃まで加熱し、ＳｉＣ焼結多孔体を作製
した。次いで、該ＳｉＣ焼結多孔体からφ１００ｍｍ
（径）×ｔ５ｍｍ（厚さ）の円盤状のＳｉＣ焼結多孔体
を２枚作製した。一方、カーボン繊維の中にシリカのエ
アロゾル、カーボンを混合した原料粉を巻き込んで繊維
混合部材を作製した。そこで、上記原料粉を２枚の上記
ＳｉＣ焼結多孔体の間に挟んで積層部材を作製した。次
いで、該積層部材を焼成炉の中に設置し、一方のＳｉＣ
焼結多孔体の側からＨ2 を流しながら１４５０℃に昇温
して原料粉を転化させてＳｉＣ焼結多孔体の間にＳｉＣ
ウィスカーを成長させて複合焼結体を作製した。その
後、複合焼結体を十分に冷却して焼成炉から取り出して
ＳｉＣ焼結多孔体を作製した。ＳｉＣ焼結多孔体は、Ｆ
ｅ化合物が分散しているので、ＳｉＣウィスカーの生成
のためのＦｅ系触媒を原料粉に転化する必要がなかった
（本発明品Ｂという）。
造方法において、ＳｉＣとＣとの混合粉末にＦｅ酸化物
を所定量（０．５ｗｔ％以上）を加え、メタノール及び
バインダを加えて、ボールミルにて２４時間混合して混
合物を作った。次いで、混合物をスプレードライヤにて
造粒処理を行って造粒物を作製した。これらの造粒物を
原料として成形して成形体を作製し、成形体を脱脂した
後、成形体に真空中（２０Ｐａ）で溶融Ｓｉに浸漬さ
せ、１６００℃まで加熱焼成して焼結体とした。更に、
焼結体中の残留Ｓｉを除去するために、真空中（２０Ｐ
ａ）で１７００℃まで加熱し、ＳｉＣ焼結多孔体を作製
した。次いで、該ＳｉＣ焼結多孔体からφ１００ｍｍ
（径）×ｔ５ｍｍ（厚さ）の円盤状のＳｉＣ焼結多孔体
を２枚作製した。一方、カーボン繊維の中にシリカのエ
アロゾル、カーボンを混合した原料粉を巻き込んで繊維
混合部材を作製した。そこで、上記原料粉を２枚の上記
ＳｉＣ焼結多孔体の間に挟んで積層部材を作製した。次
いで、該積層部材を焼成炉の中に設置し、一方のＳｉＣ
焼結多孔体の側からＨ2 を流しながら１４５０℃に昇温
して原料粉を転化させてＳｉＣ焼結多孔体の間にＳｉＣ
ウィスカーを成長させて複合焼結体を作製した。その
後、複合焼結体を十分に冷却して焼成炉から取り出して
ＳｉＣ焼結多孔体を作製した。ＳｉＣ焼結多孔体は、Ｆ
ｅ化合物が分散しているので、ＳｉＣウィスカーの生成
のためのＦｅ系触媒を原料粉に転化する必要がなかった
（本発明品Ｂという）。
【００２１】実施例１で作製した本発明品Ａと実施例２
で作製した本発明品ＢとのＳｉＣ焼結多孔体は、５０μ
ｍ以上であり、ＳｉＣウィスカー部の気孔径は１〜４０
μｍ程度であり、また、ＳｉＣウィスカーの気孔率は９
０％以上であった。
で作製した本発明品ＢとのＳｉＣ焼結多孔体は、５０μ
ｍ以上であり、ＳｉＣウィスカー部の気孔径は１〜４０
μｍ程度であり、また、ＳｉＣウィスカーの気孔率は９
０％以上であった。
【００２２】次いで、本発明品Ａと本発明品Ｂとを従来
の多孔体とを比較するため、比較例ＣとしてＳｉＣハニ
カムの多孔体、比較例ＤとしてＳｉＣウィスカープリフ
ォームの多孔体、及び比較例ＥとしてＴｉＢ2 を添加し
たＳｉＣウィスカープリフォームの多孔体を作製した。
の多孔体とを比較するため、比較例ＣとしてＳｉＣハニ
カムの多孔体、比較例ＤとしてＳｉＣウィスカープリフ
ォームの多孔体、及び比較例ＥとしてＴｉＢ2 を添加し
たＳｉＣウィスカープリフォームの多孔体を作製した。
【００２３】次に、本発明品Ａ、本発明品Ｂ、比較品
Ｃ、比較品Ｄ及び比較品Ｅの材料からディーゼルパティ
キュレートフィルタに作製し、各フィルタをディーゼル
エンジンの排気系に接続し、各フィルタについて捕集時
間（分）に対する圧力損失（ｍｍＨｇ）の性能試験を行
った。その結果を、図２のグラフに示す。図２から分か
るように、捕集時間（分）に対する圧力損失（ｍｍＨ
ｇ）は、本発明品Ａ、本発明品Ｂは比較品Ｃ、比較品Ｄ
及び比較品Ｅに比較して圧力損失は小さく、比較品Ｃの
圧力損失が最も大きく上昇した。各フィルタでのパティ
キュレートの捕集後に、各フィルタを通電加熱し、捕集
されたパティキュレートを加熱して焼却する処理を行っ
て各フィルタの再生を試みた。その結果、本発明品Ａと
本発明品Ｂとのフィルタは完全に再生できたが、比較品
Ｃのフィルタでは７０％の再生効率であり且つ多孔体の
一部に割れが発生した。また、比較品Ｄのフィルタは導
電性がなく、フィルタの再生処理は行われなかった。更
に、比較品Ｅのフィルタは、再生中にＴｉＢ2 が酸化し
て導電性を失ってしまった。
Ｃ、比較品Ｄ及び比較品Ｅの材料からディーゼルパティ
キュレートフィルタに作製し、各フィルタをディーゼル
エンジンの排気系に接続し、各フィルタについて捕集時
間（分）に対する圧力損失（ｍｍＨｇ）の性能試験を行
った。その結果を、図２のグラフに示す。図２から分か
るように、捕集時間（分）に対する圧力損失（ｍｍＨ
ｇ）は、本発明品Ａ、本発明品Ｂは比較品Ｃ、比較品Ｄ
及び比較品Ｅに比較して圧力損失は小さく、比較品Ｃの
圧力損失が最も大きく上昇した。各フィルタでのパティ
キュレートの捕集後に、各フィルタを通電加熱し、捕集
されたパティキュレートを加熱して焼却する処理を行っ
て各フィルタの再生を試みた。その結果、本発明品Ａと
本発明品Ｂとのフィルタは完全に再生できたが、比較品
Ｃのフィルタでは７０％の再生効率であり且つ多孔体の
一部に割れが発生した。また、比較品Ｄのフィルタは導
電性がなく、フィルタの再生処理は行われなかった。更
に、比較品Ｅのフィルタは、再生中にＴｉＢ2 が酸化し
て導電性を失ってしまった。
【００２４】図１に示す多孔質セラミックスによって作
製した本発明品Ａと本発明品Ｂとのディーゼルパティキ
ュレートフィルタは、図１に示すように、外側に位置す
るＳｉＣ焼結多孔体１，２が導電性を示すので、中央の
ＳｉＣウィスカー３は外側から加熱するものとなり、Ｓ
ｉＣウィスカー３には導電性を必要としない。特に、フ
ィルタでは、排気ガスの入口側即ち排気ガス流れの上流
側のフィルタに多くのパティキュレートが捕集される傾
向にあるため、外側のＳｉＣ焼結多孔体１及び２のみの
加熱で有効であると考えられる。また、フィルタの加熱
処理では、両側のＳｉＣ焼結多孔体１，２を同時に加熱
してもよく、又はいずれか一方、例えば、排気ガスなが
れの上流側のＳｉＣ焼結多孔体１又は２を加熱した後、
他方のものを加熱してフィルタに捕集したパティキュレ
ートを加熱焼却することが可能である。
製した本発明品Ａと本発明品Ｂとのディーゼルパティキ
ュレートフィルタは、図１に示すように、外側に位置す
るＳｉＣ焼結多孔体１，２が導電性を示すので、中央の
ＳｉＣウィスカー３は外側から加熱するものとなり、Ｓ
ｉＣウィスカー３には導電性を必要としない。特に、フ
ィルタでは、排気ガスの入口側即ち排気ガス流れの上流
側のフィルタに多くのパティキュレートが捕集される傾
向にあるため、外側のＳｉＣ焼結多孔体１及び２のみの
加熱で有効であると考えられる。また、フィルタの加熱
処理では、両側のＳｉＣ焼結多孔体１，２を同時に加熱
してもよく、又はいずれか一方、例えば、排気ガスなが
れの上流側のＳｉＣ焼結多孔体１又は２を加熱した後、
他方のものを加熱してフィルタに捕集したパティキュレ
ートを加熱焼却することが可能である。
【００２５】次に、上記のようにして作製したＳｉＣ焼
結多孔体である導電性ＳｉＣ多孔体について、気孔率を
５５％にコントロールし且つ気孔サイズを変化させた多
孔体によってフィルタＦ、フィルタＧ及びフィルタＨを
作製した。更に、気孔率を５５％にコントロールし且つ
気孔サイズを変化させたＳｉＣ焼結多孔体を基体として
中間にＳｉＣウィスカーを配置したフィルタＩ、フィル
タＪ及びフィルタＫを作製した。これらのフィルタＦ〜
Ｋは、表１の条件を有しているものである。
結多孔体である導電性ＳｉＣ多孔体について、気孔率を
５５％にコントロールし且つ気孔サイズを変化させた多
孔体によってフィルタＦ、フィルタＧ及びフィルタＨを
作製した。更に、気孔率を５５％にコントロールし且つ
気孔サイズを変化させたＳｉＣ焼結多孔体を基体として
中間にＳｉＣウィスカーを配置したフィルタＩ、フィル
タＪ及びフィルタＫを作製した。これらのフィルタＦ〜
Ｋは、表１の条件を有しているものである。
【表１】
【００２６】これらのフィルタＦ〜Ｋをディーゼルエン
ジンの排気系に接続し、各フィルタについて、捕集時間
（分）に対する圧力損失（ｍｍＨｇ）の性能試験を行
い、その結果を図３のグラフに示す。また、捕集時間
（分）に対する捕集効率（％）の性能試験を行い、その
結果を図４のグラフに示す。図３及び図４から分かるよ
うに、３０分後の試験結果について、気孔サイズが６５
μｍのフィルタＧ及び気孔サイズ９０μｍのフィルタＨ
は、捕集効率が３５％程度であり、他のフィルタＦ、フ
ィルタＩ、フィルタＪ及びフィルタＫに比較して低い値
となった。また、気孔サイズ４０μｍのフィルタＦは、
捕集効率５０％を超えない時点から急激に圧力が上昇し
た。更に、フィルタＩ、フィルタＪ及びフィルタＫは、
他のフィルタＦ、フィルタＧ及びフィルタＨによりガス
流れ方向の厚さｔが１／３であるにもかかわらず、捕集
効率７０％以上であり、圧力上昇分も小さい値であっ
た。但し、外側のＳｉＣ焼結多孔体の気孔サイズの大き
さが４０μｍのものでは、圧力増加が大きかった。この
ことは、フィルタの表面では、比較的に大きな粒子のパ
ティキュレートが捕集され、小さな粒子のパティキュレ
ートは、内部のＳｉＣウィスカーによって捕集されるた
めと考えられる。また、内部のＳｉＣウィスカーは気孔
率が９０％と大きいため、圧力増加も小さいものと考え
られる。
ジンの排気系に接続し、各フィルタについて、捕集時間
（分）に対する圧力損失（ｍｍＨｇ）の性能試験を行
い、その結果を図３のグラフに示す。また、捕集時間
（分）に対する捕集効率（％）の性能試験を行い、その
結果を図４のグラフに示す。図３及び図４から分かるよ
うに、３０分後の試験結果について、気孔サイズが６５
μｍのフィルタＧ及び気孔サイズ９０μｍのフィルタＨ
は、捕集効率が３５％程度であり、他のフィルタＦ、フ
ィルタＩ、フィルタＪ及びフィルタＫに比較して低い値
となった。また、気孔サイズ４０μｍのフィルタＦは、
捕集効率５０％を超えない時点から急激に圧力が上昇し
た。更に、フィルタＩ、フィルタＪ及びフィルタＫは、
他のフィルタＦ、フィルタＧ及びフィルタＨによりガス
流れ方向の厚さｔが１／３であるにもかかわらず、捕集
効率７０％以上であり、圧力上昇分も小さい値であっ
た。但し、外側のＳｉＣ焼結多孔体の気孔サイズの大き
さが４０μｍのものでは、圧力増加が大きかった。この
ことは、フィルタの表面では、比較的に大きな粒子のパ
ティキュレートが捕集され、小さな粒子のパティキュレ
ートは、内部のＳｉＣウィスカーによって捕集されるた
めと考えられる。また、内部のＳｉＣウィスカーは気孔
率が９０％と大きいため、圧力増加も小さいものと考え
られる。
【００２７】
【発明の効果】この発明による多孔質セラミックス及び
その製造方法は、上記のように構成されており、次のよ
うな効果を有する。即ち、この多孔質セラミックスは、
絶縁性のＳｉＣウィスカーを、導電性のＳｉＣ焼結多孔
体で挟んだ状態のサンドイッチ構造に構成されているの
で、気孔径の異なるフィルタを容易に作製することがで
きる。しかも、内部のＳｉＣウィスカーの気孔率を９０
％以上に構成することができ、多孔質セラミックス全体
として高気孔率のフィルタを作製することができる。
その製造方法は、上記のように構成されており、次のよ
うな効果を有する。即ち、この多孔質セラミックスは、
絶縁性のＳｉＣウィスカーを、導電性のＳｉＣ焼結多孔
体で挟んだ状態のサンドイッチ構造に構成されているの
で、気孔径の異なるフィルタを容易に作製することがで
きる。しかも、内部のＳｉＣウィスカーの気孔率を９０
％以上に構成することができ、多孔質セラミックス全体
として高気孔率のフィルタを作製することができる。
【００２８】また、この多孔質セラミックスは、ＳｉＣ
焼結多孔体を基体として内部のＳｉＣウィスカーを基体
表面から成長させているので、ＳｉＣ焼結多孔体とＳｉ
Ｃウィスカーとの結合状態が極めて強固な複合構造体が
作製され、しかも、ＳｉＣ焼結多孔体とＳｉＣウィスカ
ーとは同種のセラミックスであるので、加熱時の熱負荷
等で割れが発生したり、剥離現象が発生することがな
い。
焼結多孔体を基体として内部のＳｉＣウィスカーを基体
表面から成長させているので、ＳｉＣ焼結多孔体とＳｉ
Ｃウィスカーとの結合状態が極めて強固な複合構造体が
作製され、しかも、ＳｉＣ焼結多孔体とＳｉＣウィスカ
ーとは同種のセラミックスであるので、加熱時の熱負荷
等で割れが発生したり、剥離現象が発生することがな
い。
【００２９】また、この多孔質セラミックスは、ＳｉＣ
ウィスカーを内部に配置され、両側に導電性のＳｉＣ焼
結多孔体を配置されているので、加熱処理時に、片側の
ＳｉＣ焼結多孔体から順次に加熱制御することもでき、
或いは両側のＳｉＣ焼結多孔体を同時に加熱制御するこ
ともできる。また、この多孔質セラミックスは、気孔率
が大きく、加熱時の体積が小さいため、加熱時に破損す
るようなことはない。更に、焼成時にＳｉＣウィスカー
の原料中に添加材を加える必要がなく、ＳｉＣの耐高温
酸化性が低減するようなことはない。
ウィスカーを内部に配置され、両側に導電性のＳｉＣ焼
結多孔体を配置されているので、加熱処理時に、片側の
ＳｉＣ焼結多孔体から順次に加熱制御することもでき、
或いは両側のＳｉＣ焼結多孔体を同時に加熱制御するこ
ともできる。また、この多孔質セラミックスは、気孔率
が大きく、加熱時の体積が小さいため、加熱時に破損す
るようなことはない。更に、焼成時にＳｉＣウィスカー
の原料中に添加材を加える必要がなく、ＳｉＣの耐高温
酸化性が低減するようなことはない。
【００３０】この多孔質セラミックスは、ディーゼルエ
ンジンから排気される排気ガス中に含まれるカーボン、
すす、スモーク等のパティキュレートを捕集するディー
ゼルパティキュレートフィルタに適用して極めて効率的
にパティキュレートを捕集することができる。ディーゼ
ルパティキュレートフィルタに適用した場合に、多孔質
セラミックスのフィルタは短時間で加熱することがで
き、パティキュレートは直ちに加熱焼却され、前記フィ
ルタは短時間で再生される。しかも、熱応力による前記
フィルタの溶損を防止でき、耐久性を向上させることが
できる。
ンジンから排気される排気ガス中に含まれるカーボン、
すす、スモーク等のパティキュレートを捕集するディー
ゼルパティキュレートフィルタに適用して極めて効率的
にパティキュレートを捕集することができる。ディーゼ
ルパティキュレートフィルタに適用した場合に、多孔質
セラミックスのフィルタは短時間で加熱することがで
き、パティキュレートは直ちに加熱焼却され、前記フィ
ルタは短時間で再生される。しかも、熱応力による前記
フィルタの溶損を防止でき、耐久性を向上させることが
できる。
【図１】この発明による多孔質セラミックスの一実施例
を示す概略説明図である。
を示す概略説明図である。
【図２】本発明品と比較品とのフィルタの捕集時間に対
する圧力損失をそれぞれ示すグラフである。
する圧力損失をそれぞれ示すグラフである。
【図３】この多孔質セラミックスについて、気孔サイズ
及び気孔率が異なるフィルタの捕集時間に対する圧力損
失をそれぞれ示すグラフである。
及び気孔率が異なるフィルタの捕集時間に対する圧力損
失をそれぞれ示すグラフである。
【図４】この多孔質セラミックスについて、気孔サイズ
及び気孔率が異なるフィルタの捕集時間に対する捕集効
率をそれぞれ示すグラフである。
及び気孔率が異なるフィルタの捕集時間に対する捕集効
率をそれぞれ示すグラフである。
１ ＳｉＣ焼結多孔体 ２ ＳｉＣ焼結多孔体 ３ ＳｉＣウィスカー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｄ 39/20 ＺＡＢ Ｄ Ｃ０４Ｂ 35/64 35/80 35/81 ＺＡＢ 38/06 ＺＡＢ Ｅ Ｆ０１Ｎ 3/02 ＺＡＢ ３０１ Ｂ Ｃ０４Ｂ 35/80 ＺＡＢ Ｍ
Claims (7)
- 【請求項１】 ＳｉＣセラミックスを母相とした開気孔
を有するＳｉＣ焼結多孔体と、該ＳｉＣ焼結多孔体を基
体として成長しているＳｉＣウィスカーとから構成され
ていることを特徴とする多孔質セラミックス。 - 【請求項２】 前記ＳｉＣウィスカーは一対の前記Ｓｉ
Ｃ焼結多孔体の間に配置され、前記ＳｉＣウィスカーは
絶縁性であり且つ前記ＳｉＣ焼結多孔体は導電性である
ことを特徴とする請求項１に記載の多孔質セラミック
ス。 - 【請求項３】 前記ＳｉＣ焼結多孔体にはＦｅ化合物が
分散していることを特徴とする請求項１に記載の多孔質
セラミックス。 - 【請求項４】 前記Ｆｅ化合物がＦｅの酸化物、珪化
物、炭化物、窒化物であることを特徴とする請求項３に
記載の多孔質セラミックス。 - 【請求項５】 ディーゼルエンジンの排気系に配置され
た排気ガス中に含まれるパティキュレートを捕集して焼
却再生されるディーゼルパティキュレートフィルタに適
用できることを特徴とする請求項１に記載の多孔質セラ
ミックス。 - 【請求項６】 ＳｉＣセラミックスを母相とした開気孔
を有するＳｉＣ焼結多孔体を作製し、カーボン繊維中に
シリカのエアロゾル、カーボン及びＦｅ系触媒を混合し
た原料粉を巻き込んで繊維混合部材を作製し、一対の前
記ＳｉＣ焼結多孔体の間に前記繊維混合部材を挟み込ん
で積層部材を作製し、前記積層部材にＨ2 を流しながら
焼成して前記繊維混合部材を前記ＳｉＣ焼結多孔体の表
面から成長したＳｉＣウィスカーに転化させたことを特
徴とする多孔質セラミックスの製造方法。 - 【請求項７】 ＳｉＣセラミックスを母相とした開気孔
を有するＳｉＣ焼結多孔体を作製する工程において、Ｓ
ｉＣとＣとの混合粉末にＦｅ酸化物を混合して混合原料
を作製し、混合原料を造粒処理後に成形して成形体を作
製し、該成形体を脱脂した後に真空中で溶融Ｓｉに浸漬
し、これを加熱焼成して焼結体を作製し、次いで、焼結
体を真空中で加熱して前記焼結体中の残留Ｓｉを除去し
て前記ＳｉＣ焼結多孔体を作製したことを特徴とする請
求項６に記載の多孔質セラミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10738994A JP3561950B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 多孔質セラミックス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10738994A JP3561950B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 多孔質セラミックス及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07291756A true JPH07291756A (ja) | 1995-11-07 |
| JP3561950B2 JP3561950B2 (ja) | 2004-09-08 |
Family
ID=14457898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10738994A Expired - Fee Related JP3561950B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 多孔質セラミックス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3561950B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003013727A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ディーゼルエンジン排ガス浄化装置 |
| US7041266B1 (en) | 2002-07-10 | 2006-05-09 | Advanced Composite Materials Corp. | Silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers and products made therefrom |
| JP2006130463A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Nissan Motor Co Ltd | 浄化フィルター、その製造方法及び排気ガス浄化装置 |
| US7083771B2 (en) | 2002-07-10 | 2006-08-01 | Advanced Composite Materials Corporation | Process for producing silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers |
| KR20200078959A (ko) * | 2018-12-24 | 2020-07-02 | 한국세라믹기술원 | 탄화규소 표면에 성장된 다양한 형태의 탄화규소 휘스커를 포함하는 복합체 및 이의 제조방법 |
-
1994
- 1994-04-25 JP JP10738994A patent/JP3561950B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2003013727A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ディーゼルエンジン排ガス浄化装置 |
| JP4564208B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2010-10-20 | 三井造船株式会社 | ディーゼルエンジン排ガス浄化装置 |
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