JPH0728707A - 不揮発性メモリのデ−タ保護方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 不揮発性メモリに記憶させ保管したデ−タが
破壊されるようなことがあっても直ちに自動的に修正し
て安全にシステムの運転を実行できる不揮発性メモリの
デ−タ保護方法を提供する。 【構成】 不揮発性メモリに同一のデ−タを記憶する少
なくとも２面のデ−タエリア１Ａ，１Ｂを設け，所定の
タイミングで，この２面のデ−タエリア１Ａ，１Ｂの記
憶内容をチェックし，記憶内容に異常を検知した場合
は，異常デ−タを正常デ−タによって書き直すようにし
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はコンピュ−タによるデ
−タ処理機能等に設けられた不揮発性メモリのデ−タの
保護方法に係り，特に，このデ−タ処理機能等に記録さ
れ，所定時間は使用されないデ−タ等が，記憶中に破壊
されても容易に復活することができる不揮発性メモリの
デ−タ保護方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】各種のコンピュ−タを活用した機械類の
制御装置等には，その機械を運転する制御定数等をテン
キ−等のデ−タ設定器から入力して，このコンピュ−タ
に付属する不揮発性メモリの所定番地に書き込む場合が
ある。このようなシステムにおいては，一般に作動前に
所定番地に記憶させたデ−タをワ−クメモリに呼び出
し，コンピュ−タはワ−クメモリに呼び出したデ−タに
よってその処理機能を作動する。このような不揮発性メ
モリの使用方法は例えば図３に示すような構成によって
実行される。図３において，１ｍは，このシステムが実
行する制御定数等のデ−タを記憶する不揮発性メモリを
示している。このようなメモリには，例えば，ＥＥＰＲ
ＯＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｅｒａｓａｂｌｅ ｐｒ
ｏｇｒａｍａｂｌｅｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒ
ｙ）等の不揮発性の記憶素子によって構成されている。
不揮発性メモリ１ｍには，各種デ−タ１ｍ１，・・，１
ｍｉ，・・，１ｍｎがそれぞれのエリアに記憶され，各
デ−タ１ｍ１，・・，１ｍｉ，・・，１ｍｎはそれぞ
れ，実デ−タとチェックデ−タによって構成されてい
る。即ち，例えば，デ−タ１ｍ１は実デ−タ１ｍ１ｄと
チェックデ−タ１ｍ１ｃによって構成されている。この
ような各デ−タ１ｍ１，・・，１ｍｉ，・・，１ｍｎは
この記憶機能を備えた上位システムを作動させるための
定数類を変更する必要がある時に，テンキ−の定数設定
器等によって書き込み記憶される。このシステムが作動
するときに，所定のデ−タが不揮発性メモリ１ｍからワ
−クメモリ１２に読出され，このシステムの主要機能で
あるデ−タ処理機能１３に予め設定された制御条件に従
い，ワ−クメモリ１２に記憶されたデ−タとデ−タ処理
中に発生し，記憶したデ−タ類を用いてこのシステムの
運転が実行される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで，上述したよ
うな不揮発性メモリの使用方法によると，不揮発性メモ
リ１ｍに記憶されたデ−タを読み出すのは，例えば電源
を投入した稼働の当初のみであって，その後は，ワ−ク
メモリに読み出したデ−タを使用する。従って，次回に
読み出すまでの間にノイズ等の影響で不揮発性メモリ１
ｍに記憶されたデ−タが破壊されても気がつかないで，
次回に破壊されたデ−タをそのまま使用してしまう恐れ
がある。本発明は上記従来の課題（問題点）を解決し
て，不揮発性メモリに記憶させ保管したデ−タが破壊さ
れるようなことがあっても直ちに自動的に修正して安全
にシステムの運転を実行できる不揮発性メモリのデ−タ
保護方法を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明に基づく不揮発性メモリのデ−タ保護方法に
おいては，不揮発性メモリに同一のデ−タを記憶する少
なくとも２面のデ−タエリアを設け，所定のタイミング
で，この２面のデ−タエリアの記憶内容をチェックし，
記憶内容に異常を検知した場合は，異常デ−タを正常デ
−タによって書き直すようにした。

【０００５】

【作用】本発明は，上述のように，少なくとも２面のデ
−タエリアに同一デ−タを記憶し，所定のタイミングで
各記憶内容をチェックし，異常を検知した場合は，異常
デ−タを正常デ−タによって書き直すようにしたから，
複数面のデ−タエリアが同時に破壊される確率は極めて
低いので，常に正しいデ−タを使用できる。また，全て
の面のデ−タエリアが同時に破壊された場合には直ちに
報知することができるので，破壊されたデ−タを使用す
る恐れはない。

【０００６】

【実施例】本発明に基づく，コンピュ−タ等のデ−タ処
理装置や制御装置に適用する不揮発性メモリのデ−タ保
護方法を図１，図２を参照して詳細に説明する。図１に
は，本発明を実現する機能要素の概要構成例を示してい
る。図１は，本発明を説明する主要構成を示すもので，
コンピュ−タとしての構成やメモリの制御線等の図示は
省略している。図１において，１Ａおよび１Ｂは，ＥＥ
ＰＲＯＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｅｒａｓａｂｌｅ ｐ
ｒｏｇｒａｍａｂｌｅ ｒｅａｄ ｏｎｌｙｍｅｍｏｒ
ｙ）等の不揮発性の記憶素子によって構成した不揮発性
のメモリに設けた２面のデ−タエリア（以下メモリと記
す）であって，メモリ１Ａとメモリ１Ｂとは同一のデ−
タを記憶するように構成されている。コンピュ−タ本体
のデ−タ処理機能２で作成され，または，テンキ−等の
設定器やセンサ−類等の入力機器２ａから入力されるデ
−タ類を，コンピュ−タ本体に設けたレジスタ等のバッ
ファ−記憶部３を介してメモリ１Ａおよび１Ｂの指定番
地に書込む。即ち，メモリ１Ａには，ｎ個のデ−タ１Ａ
１，・・，１Ａｉ，・・，１Ａｎがそれぞれ指定された
番地に記憶される。また，ｎ個のデ−タ１Ａ１，・・，
１Ａｉ，・・，１Ａｎはそれぞれ，デ−タ処理に使用さ
れる実デ−タと，この実デ−タの破壊変質を検出するた
めのチェックデ−タによって構成されている。即ち，例
えば，デ−タ１Ａ１は実デ−タ１Ａ１ｄとチェックデ−
タ１Ａ１ｃによって，デ−タ１Ａｉは実デ−タ１Ａｉｄ
とチェックデ−タ１Ａｉｃによって，デ−タ１Ａｎは実
デ−タ１Ａｎｄとチェックデ−タ１Ａｎｃによって構成
されている。

【０００７】同様に，メモリ１Ｂには，ｎ個のデ−タ１
Ｂ１，・・，１Ｂｉ，・・，１Ｂｎがそれぞれ指定され
た番地に記憶される。また，ｎ個のデ−タ１Ｂ１，・
・，１Ｂｉ，・・，１Ｂｎはそれぞれ，デ−タ処理に使
用される実デ−タと，この実デ−タの破壊変質を検出す
るためのチェックデ−タによって構成されている。即
ち，例えば，デ−タ１Ｂ１は実デ−タ１Ｂ１ｄとチェッ
クデ−タ１Ｂ１ｃによって，デ−タ１Ｂｉは実デ−タ１
Ｂｉｄとチェックデ−タ１Ｂｉｃによって，デ−タ１Ｂ
ｎは実デ−タ１Ｂｎｄとチェックデ−タ１Ｂｎｃによっ
て構成されている。上述した，メモリ１Ａとメモ１Ｂに
は同一のデ−タが記録される。即ち，デ−タ１Ａ１とデ
−タ１Ｂ１とは同一である。同様に，デ−タ１Ａｉとデ
−タ１Ｂｉとは同一のデ−タであり，デ−タ１Ａｎとデ
−タ１Ｂｎとは同一のデ−タである。このメモリ１Ａと
メモリ１Ｂを備えた上位システムが稼働を開始すると，
コンピュ−タ本体のデ−タ処理機能２からの指令にした
がって，所定のデ−タがメモリ１Ａからワ−クメモリ４
に読み出され，ワ−クメモリ４に記憶されたデ−タがデ
−タ処理機能２によって運用される。５は，本発明の基
本思想によって構成されたデ−タ処理機能２によって運
用されるメモリ１Ａと１Ｂのチェック機能である。

【０００８】次に，上述した構成における本発明に基づ
く動作を図２に示す概要フロ−を参照して説明する。図
２において，このシステムが稼働を開始すると，ステッ
プ１でメモリ１Ａに記憶された所定のデ−タ１Ａ１，１
Ａｉ等がワ−クメモリ４に読み出される。メモリ１Ａに
記憶された所定のデ−タがワ−クメモリ４に読み出され
るとこれらのデ−タ類を使用してシステムは作動を開始
する（ステップ２）。システムが作動を開始すると，デ
−タ処理機能２に予め設定された処理プログラムに従
い，実作動プログラム実行の空き時間を利用してチェッ
ク機能５を機能させて，メモリ１Ａに記憶された各デ−
タ１Ａ１，・・，１Ａｉ，・・，１Ａｎが変質していな
いかを順次チェックする（ステップ３）。即ち，例え
ば，デ−タ１Ａ１について実デ−タ１Ａ１ｄのデ−タ内
容に対応して構成したチェックデ−タ１Ａ１ｃによって
実デ−タ１Ａ１ｄとチェックデ−タ１Ａ１ｃの内容をチ
ェックし，異常がなければ次のデ−タをチェックする。
メモリ１Ａのチェックが完了すると同様にメモリ１Ｂの
チェックを実行する。チェックは上述したように実作動
の間の時間を利用して実行するので，異常がなければ，
実作動を継続する。

【０００９】メモリ１Ａのチェック中に例えば，デ−タ
１Ａｉが異常であれば，デ−タ１Ａｉに対応するメモリ
１Ｂのデ−タ１Ｂｉが異常かどうかをチェックし（ステ
ップ４），デ−タ１Ｂｉに異常がなければ，デ−タ１Ｂ
ｉを，メモリ１Ａのデ−タ１Ａｉの記憶番地に記憶する
（ステップ５）。ステップ５が完了するとこのシステム
は作動を継続する。デ−タ１Ａｉと，デ−タ１Ｂｉの両
方が異常であれば，このシステムに予め設定した警報手
段に従って警報処置を実行する（ステップ６）。即ち，
デ−タ異常を報知し，また，異常デ−タ名を表示する。
システムがワ−クメモリのデ−タを使用して作動してお
り，デ−タ破壊が直ちに影響しない場合はそのまま作動
を継続し，この異常デ−タをワ−クメモリ４に読み出す
指令が出された場合にはこのシステムの運転を停止する
ようにしても良い。

【００１０】上述の説明は本発明に基づく不揮発性メモ
リのデ−タ保護方法実現のための基本方法とその実施の
ための構成例を示したものであって，この不揮発性メモ
リのデ−タ保護方法を適用するシステムにおけるデ−タ
処理機能等の構成によって，その構成に対応した手段を
実現し種々応用改変すれば良いことは当然である。ま
た，この発明を適用するシステムとその制御機能やデ−
タ処理機能の条件に対応してメモリ１Ａとメモリ１Ｂと
は同一の記憶素子を共同して使用しても個別に設けても
良いことも当然である。上述の実施例では２面の記憶エ
リアを設ける例について説明したが，このシステムのノ
イズ環境が劣悪な場合やこのシステムが長期無作動状態
にある恐れのある場合等，安全性確保が必要な場合に
は，同一デ−タを記憶する２面以上の記憶エリアを設け
ても良い。また，本発明は，本発明を適用するシステム
の条件等に対応して適切に選択設定された不揮発性のメ
モリに対応することができる。また，図１においては，
チェック機能５は説明の便宜上デ−タ処理機能２から分
離して記したが，デ−タ処理機能２が実行するプログラ
ム動作の空時間を利用したデ−タ処理機能２の働きであ
って良く，ワ−クメモリ４やバッファ−記憶部３もデ−
タ処理機能２自身に装置した機能であって良いことは当
然である。

【００１１】

【発明の効果】本発明は上記のように構成したので，次
のような優れた効果を有する。 メモリに記憶されたデ−タが破壊された場合は，直ち
に正しいデ−タに書き直され，常に正しいデ−タを使用
できる。 また，複数のデ−タエリアに記憶した各デ−タが同時
に破壊された場合は直ちに報知することができるので，
破壊されたデ−タを使用する恐れはない。 従って，この発明を適用するシステムが誤ったデ−タ
を使用して誤動作する恐れはなくなった。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は，本発明に基づく不揮発性メモリのデ−
タ保護方法を実現する機能要素の概要構成例を示すブロ
ック図である。

【図２】本発明を説明する概要フロ−図である。

【図３】従来の不揮発性メモリの使用方法を説明する機
能要素の概要構成例を示すブロック図である。

【符号の説明】

１Ａ，１Ｂ：メモリ（デ−タエリア） ２：デ−タ処理機能 ３：バッファ−記憶部 ４：ワ−クメモリ ５：チェック機能

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 不揮発性メモリをデ−タの記憶に使用す
   るシステムにおいて，当該不揮発性メモリに同一のデ−
   タを記憶する少なくとも２面のデ−タエリアを設け，所
   定のタイミングで，前記少なくとも２面のデ−タエリア
   それぞれの記憶内容を予め設定された所定の記憶デ−タ
   単位でチェックし，少なくとも１面のデ−タエリアの記
   憶内容に異常を検知した場合は，該異常デ−タを他のデ
   −タエリアに記憶された正常デ−タによって書き直すよ
   うにしたことを特徴とする不揮発性メモリのデ−タ保護
   方法。