JPH07285925A - メチレン架橋トリフェニレントリイソシアネートの製造方法 - Google Patents
メチレン架橋トリフェニレントリイソシアネートの製造方法Info
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- JPH07285925A JPH07285925A JP7563494A JP7563494A JPH07285925A JP H07285925 A JPH07285925 A JP H07285925A JP 7563494 A JP7563494 A JP 7563494A JP 7563494 A JP7563494 A JP 7563494A JP H07285925 A JPH07285925 A JP H07285925A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式（１）で示されるメチレン架橋ポリフ
ェニレンポリイソシアネ−ト混合物から （式中、ｎは０又は正の整数である。） １）含有する大部分のジフェニルメタンジイソシアネ−
トを蒸留あるいは薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によって
除去した後、 ２）薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によってメチレン架橋
トリフェニレントリイソシアネ−トを単離精製する製造
方法。 【効果】 核体組成が自由に制御されたポリＭＤＩを調
製することができる。
ェニレンポリイソシアネ−ト混合物から （式中、ｎは０又は正の整数である。） １）含有する大部分のジフェニルメタンジイソシアネ−
トを蒸留あるいは薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によって
除去した後、 ２）薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によってメチレン架橋
トリフェニレントリイソシアネ−トを単離精製する製造
方法。 【効果】 核体組成が自由に制御されたポリＭＤＩを調
製することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般式（１）で示される
メチレン架橋ポリフェニレンポリイソシアネート（以
下、ポリＭＤＩと略記）から、下記一般式（１）に示す
ｎ＝１の異性体を主成分とする混合物（以下、３核体と
略記）を製造する方法に関する。
メチレン架橋ポリフェニレンポリイソシアネート（以
下、ポリＭＤＩと略記）から、下記一般式（１）に示す
ｎ＝１の異性体を主成分とする混合物（以下、３核体と
略記）を製造する方法に関する。
【０００２】ポリＭＤＩは極めて反応性に富む物質で、
ポリウレタンフォーム、エラストマー、接着剤および塗
料等の広範囲の製造に利用されており、３核体はジフェ
ニルメタンジイソシアネート（以下、２核体と略記）と
ともにポリＭＤＩ中の主成分である。
ポリウレタンフォーム、エラストマー、接着剤および塗
料等の広範囲の製造に利用されており、３核体はジフェ
ニルメタンジイソシアネート（以下、２核体と略記）と
ともにポリＭＤＩ中の主成分である。
【０００３】
【化３】 （式中、ｎは０又は正の整数である。）
【０００４】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ポリＭ
ＤＩは、通常アニリンとホルムアルデヒドとの縮合によ
り生成するポリアミン混合物のホスゲン化によって得ら
れ、一般式（１）で示される混合物である。
ＤＩは、通常アニリンとホルムアルデヒドとの縮合によ
り生成するポリアミン混合物のホスゲン化によって得ら
れ、一般式（１）で示される混合物である。
【０００５】
【化４】 （式中、ｎは０又は正の整数である。）
【０００６】従って、生成するポリＭＤＩの核体組成は
主として原料のポリアミンの核体組成によって決まる
が、ウレタン形成時の反応性や分子構造を左右する重要
な因子であるため目的に応じてその核体組成を自由に変
えることができる技術が望まれている。
主として原料のポリアミンの核体組成によって決まる
が、ウレタン形成時の反応性や分子構造を左右する重要
な因子であるため目的に応じてその核体組成を自由に変
えることができる技術が望まれている。
【０００７】例えばポリＭＤＩ中の３核体の含有率を高
くした場合、３核体の３つのイソシアネート基のうち１
つが立体障害により反応性が低いため一般に発泡させた
ときゲル化速度が遅くなり可使時間の延長や発泡倍率が
上昇するとされている。これは、ＣＡＦＥ（メーカー別
燃費効率基準）規制に対応するための自動車の軽量化に
寄与すると期待されている。
くした場合、３核体の３つのイソシアネート基のうち１
つが立体障害により反応性が低いため一般に発泡させた
ときゲル化速度が遅くなり可使時間の延長や発泡倍率が
上昇するとされている。これは、ＣＡＦＥ（メーカー別
燃費効率基準）規制に対応するための自動車の軽量化に
寄与すると期待されている。
【０００８】ポリＭＤＩの核体組成を制御する方法とし
ては、ポリＭＤＩの抽出による方法が報告されている。
例えば、特開平５−３１０６７６は溶剤として炭素数が
５以上の脂肪族および／または脂環式炭化水素を用い
て、温度４０℃未満で抽出する方法が挙げられている。
しかし、この方法では多量の溶剤を用いなければならな
いため生産効率の低下、溶剤の取り扱いの安全性等の問
題がある。さらに主として原料ポリＭＤＩの核体組成に
よって、製品ポリＭＤＩの核体組成が決まってしまうた
め大幅な核体組成の制御は困難である。
ては、ポリＭＤＩの抽出による方法が報告されている。
例えば、特開平５−３１０６７６は溶剤として炭素数が
５以上の脂肪族および／または脂環式炭化水素を用い
て、温度４０℃未満で抽出する方法が挙げられている。
しかし、この方法では多量の溶剤を用いなければならな
いため生産効率の低下、溶剤の取り扱いの安全性等の問
題がある。さらに主として原料ポリＭＤＩの核体組成に
よって、製品ポリＭＤＩの核体組成が決まってしまうた
め大幅な核体組成の制御は困難である。
【０００９】また、溶剤を用いない方法として蒸留法が
考えられるが、通常の蒸留法により３核体を単離しよう
とした場合熱履歴によりタール化が起こり収率は極端に
低下してしまう。
考えられるが、通常の蒸留法により３核体を単離しよう
とした場合熱履歴によりタール化が起こり収率は極端に
低下してしまう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は特定の操作条件
による特定の分離方法の組み合わせにより、タール化を
抑制し高収率で高純度の３核体を単離する方法であり、
得られた３核体を２核体および／または４核体以上のポ
リＭＤＩと任意の比率で混ぜることにより、製品ポリＭ
ＤＩの核体組成を自由に制御することを目的とするもの
である。
による特定の分離方法の組み合わせにより、タール化を
抑制し高収率で高純度の３核体を単離する方法であり、
得られた３核体を２核体および／または４核体以上のポ
リＭＤＩと任意の比率で混ぜることにより、製品ポリＭ
ＤＩの核体組成を自由に制御することを目的とするもの
である。
【００１１】本発明者らは、上記のポリＭＤＩから効率
よく３核体を単離する方法を検討した結果ポリＭＤＩか
ら２核体を蒸留あるいは薄膜型蒸発装置を用いた蒸発に
よって除去した後、薄膜型蒸発装置を用いて、特定の条
件下で蒸発を行うことによって、あるいは上記のポリＭ
ＤＩから薄膜型蒸発装置を用いて、特定の条件下で蒸発
を行うことにより２核体および３核体を主成分とするポ
リＭＤＩを分離し、次いで得られた低沸分から蒸留ある
いは薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によって２核体を除去
することによって、高収率で高純度の３核体を単離でき
ることを見いだし本発明に至った。
よく３核体を単離する方法を検討した結果ポリＭＤＩか
ら２核体を蒸留あるいは薄膜型蒸発装置を用いた蒸発に
よって除去した後、薄膜型蒸発装置を用いて、特定の条
件下で蒸発を行うことによって、あるいは上記のポリＭ
ＤＩから薄膜型蒸発装置を用いて、特定の条件下で蒸発
を行うことにより２核体および３核体を主成分とするポ
リＭＤＩを分離し、次いで得られた低沸分から蒸留ある
いは薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によって２核体を除去
することによって、高収率で高純度の３核体を単離でき
ることを見いだし本発明に至った。
【００１２】即ち、本発明は一般式（１）で示されるメ
チレン架橋ポリフェニレンポリイソシアネート混合物か
ら
チレン架橋ポリフェニレンポリイソシアネート混合物か
ら
【００１３】
【化５】 （式中、ｎは０又は正の整数である。） １）含有する大部分のジフェニルメタンジイソシアネー
トを蒸留あるいは薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によって
除去した後、 ２）薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によってメチレン架橋
トリフェニレントリイソシアネートを単離精製すること
を特徴とする製造方法、
トを蒸留あるいは薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によって
除去した後、 ２）薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によってメチレン架橋
トリフェニレントリイソシアネートを単離精製すること
を特徴とする製造方法、
【００１４】および、一般式（１）で示されるメチレン
架橋ポリフェニレンポリイソシアネート混合物から
架橋ポリフェニレンポリイソシアネート混合物から
【００１５】
【化６】 （式中、ｎは０又は正の整数である。） １）薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によってジフェニルメ
タンジイソシアネートおよびメチレン架橋トリフェニレ
ントリイソシアネートを主成分とするメチレン架橋ポリ
フェニレンポリイソシアネートを得、さらにその低沸分
から、 ２）蒸留あるいは薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によって
ジフェニルメタンジイソシアネートを除去することを特
徴とするメチレン架橋トリフェニレントリイソシアネー
トの製造方法である。
タンジイソシアネートおよびメチレン架橋トリフェニレ
ントリイソシアネートを主成分とするメチレン架橋ポリ
フェニレンポリイソシアネートを得、さらにその低沸分
から、 ２）蒸留あるいは薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によって
ジフェニルメタンジイソシアネートを除去することを特
徴とするメチレン架橋トリフェニレントリイソシアネー
トの製造方法である。
【００１６】ポリＭＤＩから本発明方法のように特定の
方法を用いて、特定の条件下で高純度の３核体を高収率
で得る方法はまだ知られていない。
方法を用いて、特定の条件下で高純度の３核体を高収率
で得る方法はまだ知られていない。
【００１７】以下に本発明を詳細に説明する。本発明に
使用できるメチレン架橋ポリフェニレンポリイソシアネ
ートは、一般に酸触媒の存在下、アニリンとホルムアル
デヒドとの縮合により生成するポリアミン混合物のホス
ゲン化によって得られるポリイソシアネート混合物であ
る。
使用できるメチレン架橋ポリフェニレンポリイソシアネ
ートは、一般に酸触媒の存在下、アニリンとホルムアル
デヒドとの縮合により生成するポリアミン混合物のホス
ゲン化によって得られるポリイソシアネート混合物であ
る。
【００１８】本発明方法によりポリＭＤＩから蒸留によ
って２核体を除去する場合は通常の蒸留方法が採用でき
る。例えば、加熱温度１９０℃、真空度１．０ｔｏｒｒ
の条件下で蒸留を行い、２核体を除去する事が出来る。
って２核体を除去する場合は通常の蒸留方法が採用でき
る。例えば、加熱温度１９０℃、真空度１．０ｔｏｒｒ
の条件下で蒸留を行い、２核体を除去する事が出来る。
【００１９】本発明方法によりポリＭＤＩから薄膜型蒸
発装置を用いた蒸発によって２核体を除去する場合は通
常の蒸発方法が採用できる。例えば、神鋼フアウドラー
株式会社製ガラス薄膜蒸発装置（蒸発面積０．０３４ｍ
2）を用いて、加熱温度１９０℃、真空度１．０ｔｏｒ
ｒ、供給速度７．５ｇ／ｍｉｎの条件下で蒸発を行い、
２核体を除去する事が出来る。
発装置を用いた蒸発によって２核体を除去する場合は通
常の蒸発方法が採用できる。例えば、神鋼フアウドラー
株式会社製ガラス薄膜蒸発装置（蒸発面積０．０３４ｍ
2）を用いて、加熱温度１９０℃、真空度１．０ｔｏｒ
ｒ、供給速度７．５ｇ／ｍｉｎの条件下で蒸発を行い、
２核体を除去する事が出来る。
【００２０】本発明方法は上記の蒸留あるいは薄膜型蒸
発装置を用いた蒸発により２核体を除去して得られたポ
リＭＤＩから薄膜型蒸発装置を用いた蒸発により低沸分
として３核体を単離する。３核体を単離する条件として
は例えば、神鋼フアウドラー株式会社製ガラス薄膜蒸発
装置（蒸発面積０．０３４ｍ2）を用いて、加熱温度は
９０〜４００℃、好ましくは２２０〜３００℃、真空度
は０．０１〜７６０ｔｏｒｒ、好ましくは０．５〜２．
０ｔｏｒｒであり、２核体を除去したポリＭＤＩの供給
速度は０．１〜５００ｇ／ｍｉｎ、好ましくは１．０〜
１０ｇ／ｍｉｎである。加熱温度が２２０℃より低い場
合は３核体の収量が減り、３００℃より高い場合はタ−
ル化が起こり易くなる。
発装置を用いた蒸発により２核体を除去して得られたポ
リＭＤＩから薄膜型蒸発装置を用いた蒸発により低沸分
として３核体を単離する。３核体を単離する条件として
は例えば、神鋼フアウドラー株式会社製ガラス薄膜蒸発
装置（蒸発面積０．０３４ｍ2）を用いて、加熱温度は
９０〜４００℃、好ましくは２２０〜３００℃、真空度
は０．０１〜７６０ｔｏｒｒ、好ましくは０．５〜２．
０ｔｏｒｒであり、２核体を除去したポリＭＤＩの供給
速度は０．１〜５００ｇ／ｍｉｎ、好ましくは１．０〜
１０ｇ／ｍｉｎである。加熱温度が２２０℃より低い場
合は３核体の収量が減り、３００℃より高い場合はタ−
ル化が起こり易くなる。
【００２１】真空度は出来るだけ低くするのが好ましい
が工業的には設備的に限界があり、０．５ｔｏｒｒより
低い場合多大の設備費を要する。２．０ｔｏｒｒより高
い場合は３核体の収量が減る傾向がある。
が工業的には設備的に限界があり、０．５ｔｏｒｒより
低い場合多大の設備費を要する。２．０ｔｏｒｒより高
い場合は３核体の収量が減る傾向がある。
【００２２】ポリＭＤＩの供給速度が１．０ｇ／ｍｉｎ
より小さい場合はタール化が起こり、１０ｇ／ｍｉｎよ
り大きい場合は３核体の収量が減少する。
より小さい場合はタール化が起こり、１０ｇ／ｍｉｎよ
り大きい場合は３核体の収量が減少する。
【００２３】第二の本発明方法はポリＭＤＩから薄膜型
蒸発装置を用いた蒸発によって低沸分として２核体およ
び３核体を主成分とするポリＭＤＩを単離し、該ポリＭ
ＤＩから２核体を除き、３核体を得る方法である。ポリ
ＭＤＩ混合物から２核体および３核体を単離する条件と
しては例えば、神鋼フアウドラー株式会社製ガラス薄膜
蒸発装置（蒸発面積０．０３４ｍ2）を用いて、加熱温
度は９０〜４００℃、好ましくは２２０〜３００℃、真
空度は０．０１〜７６０ｔｏｒｒ好ましくは０．５〜
２．０ｔｏｒｒであり、ポリＭＤＩ混合物の供給速度は
０．１〜５００ｇ／ｍｉｎ好ましくは１．０〜１０ｇ／
ｍｉｎである。加熱温度が２２０℃より低い場合は２核
体および３核体を主成分とするポリＭＤＩの収量が減
り、３００℃より高い場合はタ−ル化が起こり易くな
る。真空度は出来るだけ低くするのが好ましいが工業的
には設備的に限界があり、０．５ｔｏｒｒより低い場合
多大の設備費を要する。２．０ｔｏｒｒより高い場合は
２核体および３核体を主成分とするポリＭＤＩの収量が
減る傾向がある。ポリＭＤＩの供給速度が１．０ｇ／ｍ
ｉｎより小さい場合はタ−ル化が起こり、１０ｇ／ｍｉ
ｎより大きい場合は２核体および３核体を主成分とする
ポリＭＤＩの収量が減り好ましくない。本発明方法にお
いては、上記で得られた２核体および３核体を主成分と
するポリＭＤＩから蒸留によって２核体を除去する場合
は通常の蒸留方法が採用できる。例えば、蒸留により加
熱温度１９０℃、真空度１．０ｔｏｒｒの条件下、２核
体を除去することが出来る。本発明方法では、上記で得
られた２核体および３核体を主成分とするポリＭＤＩか
ら薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によって２核体を除去す
る場合は通常の蒸発方法が採用できる。例えば、神鋼フ
アウドラー株式会社製ガラス薄膜蒸発装置（蒸発面積
０．０３４ｍ2）を用いて、加熱温度１９０℃、真空度
１．０ｔｏｒｒ、供給速度７．５ｇ／ｍｉｎの条件下で
蒸発を行い、２核体を除去することができる。
蒸発装置を用いた蒸発によって低沸分として２核体およ
び３核体を主成分とするポリＭＤＩを単離し、該ポリＭ
ＤＩから２核体を除き、３核体を得る方法である。ポリ
ＭＤＩ混合物から２核体および３核体を単離する条件と
しては例えば、神鋼フアウドラー株式会社製ガラス薄膜
蒸発装置（蒸発面積０．０３４ｍ2）を用いて、加熱温
度は９０〜４００℃、好ましくは２２０〜３００℃、真
空度は０．０１〜７６０ｔｏｒｒ好ましくは０．５〜
２．０ｔｏｒｒであり、ポリＭＤＩ混合物の供給速度は
０．１〜５００ｇ／ｍｉｎ好ましくは１．０〜１０ｇ／
ｍｉｎである。加熱温度が２２０℃より低い場合は２核
体および３核体を主成分とするポリＭＤＩの収量が減
り、３００℃より高い場合はタ−ル化が起こり易くな
る。真空度は出来るだけ低くするのが好ましいが工業的
には設備的に限界があり、０．５ｔｏｒｒより低い場合
多大の設備費を要する。２．０ｔｏｒｒより高い場合は
２核体および３核体を主成分とするポリＭＤＩの収量が
減る傾向がある。ポリＭＤＩの供給速度が１．０ｇ／ｍ
ｉｎより小さい場合はタ−ル化が起こり、１０ｇ／ｍｉ
ｎより大きい場合は２核体および３核体を主成分とする
ポリＭＤＩの収量が減り好ましくない。本発明方法にお
いては、上記で得られた２核体および３核体を主成分と
するポリＭＤＩから蒸留によって２核体を除去する場合
は通常の蒸留方法が採用できる。例えば、蒸留により加
熱温度１９０℃、真空度１．０ｔｏｒｒの条件下、２核
体を除去することが出来る。本発明方法では、上記で得
られた２核体および３核体を主成分とするポリＭＤＩか
ら薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によって２核体を除去す
る場合は通常の蒸発方法が採用できる。例えば、神鋼フ
アウドラー株式会社製ガラス薄膜蒸発装置（蒸発面積
０．０３４ｍ2）を用いて、加熱温度１９０℃、真空度
１．０ｔｏｒｒ、供給速度７．５ｇ／ｍｉｎの条件下で
蒸発を行い、２核体を除去することができる。
【００２４】本発明において、ポリＭＤＩから２核体を
除去する方法として通常の晶析方法を採用することもで
きる。特にポリＭＤＩ中の２核体の含有率が大きい場合
有効である。
除去する方法として通常の晶析方法を採用することもで
きる。特にポリＭＤＩ中の２核体の含有率が大きい場合
有効である。
【００２５】さらに、２核体および３核体を主成分とす
るポリＭＤＩから晶析によって２核体を除去する場合も
通常の晶析方法が採用できる。例えば、２核体および３
核体を主成分とするポリＭＤＩを７０℃の液体で結晶器
に送り、２４時間かけて４５℃に冷却し、未結晶分であ
る２核体と結晶化物である３核体に分離し、３核体を単
離する。単離された３核体を２核体および／または４核
体以上のポリＭＤＩと任意の比率で混ぜることにより、
核体組成が自由に制御されたポリＭＤＩを調製すること
ができる。
るポリＭＤＩから晶析によって２核体を除去する場合も
通常の晶析方法が採用できる。例えば、２核体および３
核体を主成分とするポリＭＤＩを７０℃の液体で結晶器
に送り、２４時間かけて４５℃に冷却し、未結晶分であ
る２核体と結晶化物である３核体に分離し、３核体を単
離する。単離された３核体を２核体および／または４核
体以上のポリＭＤＩと任意の比率で混ぜることにより、
核体組成が自由に制御されたポリＭＤＩを調製すること
ができる。
【００２６】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。 実施例１ ５００重量部の原料ポリＭＤＩ（２核体１４．２％，３
核体３７．４％，４核体１２．４％，５核体以上３６．
０％）から加熱温度１９０℃、真空度１．０ｔｏｒｒの
条件下、蒸留により２核体を除去し、４２９重量部の３
核体以上を主成分とするポリＭＤＩ（２核体０．１％，
３核体４３．６％，４核体１４．５％，５核体以上４
１．８ ％）を得た。得られたポリＭＤＩを加熱温度２
２０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの薄膜型蒸発装置（神鋼
フアウドラー株式会社製ガラス薄膜蒸発装置、蒸発面積
０．０３４ｍ2）内に供給速度２．７ｇ／ｍｉｎで供給
し、低沸分として３０重量部の高純度の３核体が得られ
た。得られた３核体の分析値を表１に示す。
明する。 実施例１ ５００重量部の原料ポリＭＤＩ（２核体１４．２％，３
核体３７．４％，４核体１２．４％，５核体以上３６．
０％）から加熱温度１９０℃、真空度１．０ｔｏｒｒの
条件下、蒸留により２核体を除去し、４２９重量部の３
核体以上を主成分とするポリＭＤＩ（２核体０．１％，
３核体４３．６％，４核体１４．５％，５核体以上４
１．８ ％）を得た。得られたポリＭＤＩを加熱温度２
２０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの薄膜型蒸発装置（神鋼
フアウドラー株式会社製ガラス薄膜蒸発装置、蒸発面積
０．０３４ｍ2）内に供給速度２．７ｇ／ｍｉｎで供給
し、低沸分として３０重量部の高純度の３核体が得られ
た。得られた３核体の分析値を表１に示す。
【００２７】実施例２ 加熱温度２４０℃の薄膜型蒸発装置を用いた以外は実施
例１と同様に行った。得られた３核体（４４重量部）の
分析値を表１に示す。
例１と同様に行った。得られた３核体（４４重量部）の
分析値を表１に示す。
【００２８】実施例３ 加熱温度２６０℃の薄膜型蒸発装置を用いた以外は実施
例１と同様に行った。得られた３核体（７５重量部）の
分析値を表１に示す。
例１と同様に行った。得られた３核体（７５重量部）の
分析値を表１に示す。
【００２９】実施例４ 加熱温度２８０℃、真空度０．６ｔｏｒｒの薄膜型蒸発
装置を用いた以外は実施例１と同様に行った。得られた
３核体（１５２重量部）の分析値を表１に示す。
装置を用いた以外は実施例１と同様に行った。得られた
３核体（１５２重量部）の分析値を表１に示す。
【００３０】実施例５ 加熱温度３００℃、真空度０．５ｔｏｒｒの薄膜型蒸発
装置を用いた以外は実施例１と同様に行った。得られた
３核体（１９１重量部）の分析値を表１に示す。
装置を用いた以外は実施例１と同様に行った。得られた
３核体（１９１重量部）の分析値を表１に示す。
【００３１】実施例６ ５００重量部の原料ポリＭＤＩ（２核体１４．２％，３
核体３７．４％，４核体１２．４％，５核体以上３６．
０％）を加熱温度１９０℃、真空度１．０ｔｏｒｒの条
件下、薄膜型蒸発装置〔神鋼フアウドラー株式会社製ガ
ラス薄膜蒸発装置（蒸発面積０．０３４ｍ2）〕内に供
給速度７．５ｇ／ｍｉｎで供給することにより、２核体
を除去し高沸分として４２７重量部の３核体以上を主成
分とするポリＭＤＩ（２核体０．１％，３核体４３．３
％，４核体１４．５％，５核体以上４２．１％）を得
た。得られたポリＭＤＩを加熱温度２６０℃、真空度
０．７ｔｏｒｒの薄膜型蒸発装置内に供給速度２．７ｇ
／ ｍｉｎで供給し、低沸分として７４重量部の高純度
の３核体が得られた。得られた３核体の分析値を表１に
示す。
核体３７．４％，４核体１２．４％，５核体以上３６．
０％）を加熱温度１９０℃、真空度１．０ｔｏｒｒの条
件下、薄膜型蒸発装置〔神鋼フアウドラー株式会社製ガ
ラス薄膜蒸発装置（蒸発面積０．０３４ｍ2）〕内に供
給速度７．５ｇ／ｍｉｎで供給することにより、２核体
を除去し高沸分として４２７重量部の３核体以上を主成
分とするポリＭＤＩ（２核体０．１％，３核体４３．３
％，４核体１４．５％，５核体以上４２．１％）を得
た。得られたポリＭＤＩを加熱温度２６０℃、真空度
０．７ｔｏｒｒの薄膜型蒸発装置内に供給速度２．７ｇ
／ ｍｉｎで供給し、低沸分として７４重量部の高純度
の３核体が得られた。得られた３核体の分析値を表１に
示す。
【００３２】比較例１ ５００重量部の原料ポリＭＤＩ（２核体１４．２％，３
核体３７．４％，４核体１２．４％，５核体以上３６．
０％）から加熱温度１９０℃、真空度１．０ｔｏｒｒの
条件下、蒸留により２核体を除去し、４２９重量部の３
核体以上を主成分とするポリＭＤＩを得た。得られたポ
リＭＤＩから加熱温度２６０℃、真空度０．７ｔｏｒｒ
の条件下、 蒸留により留出液として２重量部の３核体
を得た。得られた３核体の分析値を表１に示す。
核体３７．４％，４核体１２．４％，５核体以上３６．
０％）から加熱温度１９０℃、真空度１．０ｔｏｒｒの
条件下、蒸留により２核体を除去し、４２９重量部の３
核体以上を主成分とするポリＭＤＩを得た。得られたポ
リＭＤＩから加熱温度２６０℃、真空度０．７ｔｏｒｒ
の条件下、 蒸留により留出液として２重量部の３核体
を得た。得られた３核体の分析値を表１に示す。
【００３３】実施例７ ５００重量部の原料ポリＭＤＩ（２核体１４．２％，３
核体３７．４％，４核体１２．４％，５核体以上３６．
０％）を加熱温度２２０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの条
件下、薄膜型蒸発装置〔神鋼フアウドラー株式会社製ガ
ラス薄膜蒸発装置（蒸発面積０．０３４ｍ2）〕内に供
給速度２．７ｇ／ｍｉｎで供給し、低沸分として１０１
重量部の２核体および３核体を主成分とするポリＭＤＩ
（２核体７０．３％，３核体２９．３％ ４核体０．３
％，５核体以上０．１％）を得た。得られたポリＭＤＩ
から加熱温度１９０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの条件
下、蒸留により２核体を除去し、３０重量部の高純度の
３核体が得られた。得られた３核体の分析値を表１に示
す。
核体３７．４％，４核体１２．４％，５核体以上３６．
０％）を加熱温度２２０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの条
件下、薄膜型蒸発装置〔神鋼フアウドラー株式会社製ガ
ラス薄膜蒸発装置（蒸発面積０．０３４ｍ2）〕内に供
給速度２．７ｇ／ｍｉｎで供給し、低沸分として１０１
重量部の２核体および３核体を主成分とするポリＭＤＩ
（２核体７０．３％，３核体２９．３％ ４核体０．３
％，５核体以上０．１％）を得た。得られたポリＭＤＩ
から加熱温度１９０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの条件
下、蒸留により２核体を除去し、３０重量部の高純度の
３核体が得られた。得られた３核体の分析値を表１に示
す。
【００３４】実施例８ 加熱温度２４０℃の薄膜型蒸発装置を用いた以外は実施
例７と同様に行った。得られた３核体（４４重量部）の
分析値を表１に示す。
例７と同様に行った。得られた３核体（４４重量部）の
分析値を表１に示す。
【００３５】実施例９ 加熱温度２６０℃の薄膜型蒸発装置を用いた以外は実施
例７と同様に行った。得られた３核体（７４重量部）の
分析値を表１に示す。
例７と同様に行った。得られた３核体（７４重量部）の
分析値を表１に示す。
【００３６】実施例１０ 加熱温度２８０℃、真空度０．６ｔｏｒｒの薄膜型蒸発
装置を用いた以外は実施例７と同様に行った。得られた
３核体（１５３重量部）の分析値を表１に示す。
装置を用いた以外は実施例７と同様に行った。得られた
３核体（１５３重量部）の分析値を表１に示す。
【００３７】実施例１１ 加熱温度３００℃、真空度０．５ｔｏｒｒの薄膜型蒸発
装置を用いた以外は実施例７と同様に行った。得られた
３核体（１９２重量部）の分析値を表１に示す。
装置を用いた以外は実施例７と同様に行った。得られた
３核体（１９２重量部）の分析値を表１に示す。
【００３８】実施例１２ ５００重量部の原料ポリＭＤＩ（２核体１４．２％，３
核体３７．４％，４核体１２．４％，５核体以上３６．
０％）を加熱温度２６０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの条
件下、薄膜型蒸発装置〔神鋼フアウドラー株式会社製ガ
ラス薄膜蒸発装置（蒸発面積０．０３４ｍ2）〕内に供
給速度２．７ｇ／ｍｉｎで供給し、低沸分として１４６
重量部の２核体および３核体を主成分とするポリＭＤＩ
（２核体４８．６％，３核体４９．７％ ４核体１．４
％，５核体以上０．３％）を得た。得られたポリＭＤＩ
を加熱温度１９０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの条件下、
薄膜型蒸発装置内に供給速度７．５ｇ／ｍｉｎで供給
し、低沸分として２核体を除去し、高沸分として７３重
量部の高純度の３核体が得られた。得られた３核体の分
析値を表１に示す。
核体３７．４％，４核体１２．４％，５核体以上３６．
０％）を加熱温度２６０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの条
件下、薄膜型蒸発装置〔神鋼フアウドラー株式会社製ガ
ラス薄膜蒸発装置（蒸発面積０．０３４ｍ2）〕内に供
給速度２．７ｇ／ｍｉｎで供給し、低沸分として１４６
重量部の２核体および３核体を主成分とするポリＭＤＩ
（２核体４８．６％，３核体４９．７％ ４核体１．４
％，５核体以上０．３％）を得た。得られたポリＭＤＩ
を加熱温度１９０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの条件下、
薄膜型蒸発装置内に供給速度７．５ｇ／ｍｉｎで供給
し、低沸分として２核体を除去し、高沸分として７３重
量部の高純度の３核体が得られた。得られた３核体の分
析値を表１に示す。
【００３９】比較例２ ５００重量部の原料ポリＭＤＩ（２核体１４．２％，３
核体３７．４％，４核体１２．４％，５核体以上３６．
０％）から加熱温度２６０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの
条件下、蒸留により留出液として７３重量部の２核体お
よび３核体を主成分とするポリＭＤＩ（２核体９７．３
％，３核体２．７％）を得た。得られたポリＭＤＩから
加熱温度１９０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの条件下、蒸
留により２核体を除去し、２重量部の３核体が得られ
た。得られた３核体の分析値を表１に示す。
核体３７．４％，４核体１２．４％，５核体以上３６．
０％）から加熱温度２６０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの
条件下、蒸留により留出液として７３重量部の２核体お
よび３核体を主成分とするポリＭＤＩ（２核体９７．３
％，３核体２．７％）を得た。得られたポリＭＤＩから
加熱温度１９０℃、真空度０．７ｔｏｒｒの条件下、蒸
留により２核体を除去し、２重量部の３核体が得られ
た。得られた３核体の分析値を表１に示す。
【００４０】
【表１】 ※）純度換算収率＝（得られたポリＭＤＩ中の３核体の
含有量）／（仕込みのポリＭＤＩ中の３核体の含有量）
×１００（％）
含有量）／（仕込みのポリＭＤＩ中の３核体の含有量）
×１００（％）
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、２核体を除去したポリ
ＭＤＩあるいは原料ポリＭＤＩから高収率で高純度の３
核体を単離できる。この３核体を２核体および／または
４核体以上のポリＭＤＩと任意の比率で混ぜることによ
り核体組成が自由に制御されたポリＭＤＩを調製するこ
とができ、抽出法のように主として原料ポリＭＤＩの核
体組成により製品ポリＭＤＩの核体組成が制御されるこ
ともなく、広範囲の目的に使用でき、本発明の意義は大
きい。
ＭＤＩあるいは原料ポリＭＤＩから高収率で高純度の３
核体を単離できる。この３核体を２核体および／または
４核体以上のポリＭＤＩと任意の比率で混ぜることによ
り核体組成が自由に制御されたポリＭＤＩを調製するこ
とができ、抽出法のように主として原料ポリＭＤＩの核
体組成により製品ポリＭＤＩの核体組成が制御されるこ
ともなく、広範囲の目的に使用でき、本発明の意義は大
きい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯島 正章 福岡県大牟田市浅牟田町30 三井東圧化学 株式会社内 (72)発明者 佐藤 直樹 福岡県大牟田市浅牟田町30 三井東圧化学 株式会社内 (72)発明者 宮田 勝治 福岡県大牟田市浅牟田町30 三井東圧化学 株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】一般式（１）で示されるメチレン架橋ポリ
フェニレンポリイソシアネート混合物から 【化１】 （式中、ｎは０又は正の整数である。） １）含有する大部分のジフェニルメタンジイソシアネー
トを蒸留あるいは薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によって
除去した後、 ２）薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によってメチレン架橋
トリフェニレントリイソシアネートを単離精製すること
を特徴とする製造方法。 - 【請求項２】一般式（１）で示されるメチレン架橋ポリ
フェニレンポリイソシアネート混合物から 【化２】 （式中、ｎは０又は正の整数である。） １）薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によってジフェニルメ
タンジイソシアネートおよびメチレン架橋トリフェニレ
ントリイソシアネートを主成分とするメチレン架橋ポリ
フェニレンポリイソシアネートを得、さらにその低沸分
から、 ２）蒸留あるいは薄膜型蒸発装置を用いた蒸発によって
ジフェニルメタンジイソシアネートを除去することを特
徴とするメチレン架橋トリフェニレントリイソシアネー
トの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7563494A JPH07285925A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | メチレン架橋トリフェニレントリイソシアネートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7563494A JPH07285925A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | メチレン架橋トリフェニレントリイソシアネートの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07285925A true JPH07285925A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=13581889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7563494A Pending JPH07285925A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | メチレン架橋トリフェニレントリイソシアネートの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07285925A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003048871A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Nippon Soda Co Ltd | 高融点、高沸点ポリイソシアナト類の精製方法 |
| WO2007051740A1 (de) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Basf Se | Verfahren zur herstellung von polyisocyanatgemischen |
| JP2009533506A (ja) * | 2006-04-12 | 2009-09-17 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | ポリウレタンの製造方法 |
-
1994
- 1994-04-14 JP JP7563494A patent/JPH07285925A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003048871A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Nippon Soda Co Ltd | 高融点、高沸点ポリイソシアナト類の精製方法 |
| WO2007051740A1 (de) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Basf Se | Verfahren zur herstellung von polyisocyanatgemischen |
| JP2009533506A (ja) * | 2006-04-12 | 2009-09-17 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | ポリウレタンの製造方法 |
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