JPH07283578A - 電波吸収体 - Google Patents
電波吸収体Info
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- JPH07283578A JPH07283578A JP6093883A JP9388394A JPH07283578A JP H07283578 A JPH07283578 A JP H07283578A JP 6093883 A JP6093883 A JP 6093883A JP 9388394 A JP9388394 A JP 9388394A JP H07283578 A JPH07283578 A JP H07283578A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
- H05K9/0084—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 偏波依存性を有しておらずかつ設計及び製作
が容易であり斜め入射波に対しても有効に反射抑制が可
能な薄型の電波吸収体を提供する。 【構成】 誘電体層１０と、この誘電体層１０の一方の
面上に積層した電波反射体層１１と、この誘電体層１０
の他方の面上に積層した抵抗膜層１２とを備えた電波吸
収体である。抵抗膜層１２は、この抵抗膜層の層平面内
における第１の方向の表面抵抗と、第１の方向と交差す
る層平面内の第２の方向の表面抵抗とが互いに異なるよ
うに構成されている。
が容易であり斜め入射波に対しても有効に反射抑制が可
能な薄型の電波吸収体を提供する。 【構成】 誘電体層１０と、この誘電体層１０の一方の
面上に積層した電波反射体層１１と、この誘電体層１０
の他方の面上に積層した抵抗膜層１２とを備えた電波吸
収体である。抵抗膜層１２は、この抵抗膜層の層平面内
における第１の方向の表面抵抗と、第１の方向と交差す
る層平面内の第２の方向の表面抵抗とが互いに異なるよ
うに構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、斜め入射波に対しても
有効に反射抑制が可能な薄型の電波吸収体に関し、特
に、１／４波長抵抗膜吸収体型の電波吸収体を発展させ
た薄型の電波吸収体に関する。
有効に反射抑制が可能な薄型の電波吸収体に関し、特
に、１／４波長抵抗膜吸収体型の電波吸収体を発展させ
た薄型の電波吸収体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電波の利用が進むにつれて電波障
害や電波による誤動作等の問題が発生しており、その対
策として薄型の電波吸収体を用いることが有効となって
いる。
害や電波による誤動作等の問題が発生しており、その対
策として薄型の電波吸収体を用いることが有効となって
いる。
【０００３】薄型の電波吸収体として最も一般的なもの
は、図２５の断面図に示すごとく、電波反射体２５１の
前面にフェライト粉末又はカーボン粉末とゴムとの混合
体層２５０を積層した構造のものである。
は、図２５の断面図に示すごとく、電波反射体２５１の
前面にフェライト粉末又はカーボン粉末とゴムとの混合
体層２５０を積層した構造のものである。
【０００４】また、１／４波長抵抗膜吸収体型の薄型電
波吸収体として、図２６（図２７のＡ−Ａ線断面図）及
び図２７（斜視図）に示すごとく、厚さ約λg ／４（λ
g は誘電体内での電波の波長）の誘電体層２６０の背面
に電波反射体２６１を設け、この誘電体層２６０の前面
に、縦系及び横系の間隔が等しい格子状に配列された導
電繊維２６２ａから主として構成されており全方向に対
して約３７７Ω／□の表面抵抗を有する抵抗膜２６２を
設けた電波吸収体が知られている（特公平２−５８７９
６号）。
波吸収体として、図２６（図２７のＡ−Ａ線断面図）及
び図２７（斜視図）に示すごとく、厚さ約λg ／４（λ
g は誘電体内での電波の波長）の誘電体層２６０の背面
に電波反射体２６１を設け、この誘電体層２６０の前面
に、縦系及び横系の間隔が等しい格子状に配列された導
電繊維２６２ａから主として構成されており全方向に対
して約３７７Ω／□の表面抵抗を有する抵抗膜２６２を
設けた電波吸収体が知られている（特公平２−５８７９
６号）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】構造物等の対象物から
の不要反射波は、対象物に垂直に入射する電波によって
生ずるもの以外にこの対象物に斜めに入射する電波によ
って生ずるものもある。従って、このような斜入射の電
波に対しても優れた吸収特性を有する電波反射体が必要
とされる。しかしながら、上述したいずれの電波吸収体
も垂直入射用として設計されているため、斜め入射の電
波に対しては電波吸収性能が低下してしまい、充分な反
射抑制効果を得ることは難しかった。
の不要反射波は、対象物に垂直に入射する電波によって
生ずるもの以外にこの対象物に斜めに入射する電波によ
って生ずるものもある。従って、このような斜入射の電
波に対しても優れた吸収特性を有する電波反射体が必要
とされる。しかしながら、上述したいずれの電波吸収体
も垂直入射用として設計されているため、斜め入射の電
波に対しては電波吸収性能が低下してしまい、充分な反
射抑制効果を得ることは難しかった。
【０００６】また、図２８に示すように、電波吸収体２
８０の表面に対して電波が垂直に入射する場合には、入
射電波の電界Ｅi 及び磁界Ｈi が必ずこの電波吸収体２
８０の表面に平行となるが、斜入射の電波ではこのよう
な状況は生じない。即ち、斜入射の電波においては、図
２９に示すように、入射電波の電界Ｅi が入射面（電波
吸収体の表面に垂直でありかつ入射電波及び反射電波の
進行方向を含む面）２８１に垂直な場合（ＴＥ波）と、
図３０に示すように入射電波の磁界Ｈi が入射面２８１
に垂直な場合（ＴＭ波）とが存在することとなる。この
ような種々の直線偏波や円偏波が電波として用いられて
いるので、ＴＥ波及びＴＭ波両偏波に対して有効で偏波
依存性を持たずどのような偏波に対しても反射抑制効果
のある電波吸収体が望まれることとなる。
８０の表面に対して電波が垂直に入射する場合には、入
射電波の電界Ｅi 及び磁界Ｈi が必ずこの電波吸収体２
８０の表面に平行となるが、斜入射の電波ではこのよう
な状況は生じない。即ち、斜入射の電波においては、図
２９に示すように、入射電波の電界Ｅi が入射面（電波
吸収体の表面に垂直でありかつ入射電波及び反射電波の
進行方向を含む面）２８１に垂直な場合（ＴＥ波）と、
図３０に示すように入射電波の磁界Ｈi が入射面２８１
に垂直な場合（ＴＭ波）とが存在することとなる。この
ような種々の直線偏波や円偏波が電波として用いられて
いるので、ＴＥ波及びＴＭ波両偏波に対して有効で偏波
依存性を持たずどのような偏波に対しても反射抑制効果
のある電波吸収体が望まれることとなる。
【０００７】図２５に示した従来の電波吸収体におい
て、混合体層２５０の厚さ、誘電率及び透磁率を調整す
ることにより、斜入射用の電波吸収体を設計すること
は、現状においてはかなり困難ではあるがカットアンド
トライを繰り返すことによって可能ではある。しかしな
がら、偏波依存性を持たせずに任意の入射角及び任意の
周波数で動作する薄型の電波吸収体を設計し実現させる
ことは著しく困難である。
て、混合体層２５０の厚さ、誘電率及び透磁率を調整す
ることにより、斜入射用の電波吸収体を設計すること
は、現状においてはかなり困難ではあるがカットアンド
トライを繰り返すことによって可能ではある。しかしな
がら、偏波依存性を持たせずに任意の入射角及び任意の
周波数で動作する薄型の電波吸収体を設計し実現させる
ことは著しく困難である。
【０００８】図２６及び図２７に示した従来の１／４波
長型電波吸収体においては、抵抗膜２６２の表面抵抗を
３７７Ω／□から変化させること及び誘電体層２６０の
厚さを調整することにより、斜入射用の電波吸収体を設
計することができる。しかしながら、この場合にも、１
つの偏波のみに有効なものであり、これとは異なる偏波
及び円偏波等に対しては充分な反射抑制効果を期待する
ことができなかった。
長型電波吸収体においては、抵抗膜２６２の表面抵抗を
３７７Ω／□から変化させること及び誘電体層２６０の
厚さを調整することにより、斜入射用の電波吸収体を設
計することができる。しかしながら、この場合にも、１
つの偏波のみに有効なものであり、これとは異なる偏波
及び円偏波等に対しては充分な反射抑制効果を期待する
ことができなかった。
【０００９】従って本発明は、偏波依存性を有しておら
ずかつ設計及び製作が容易であり斜め入射波に対しても
有効に反射抑制が可能な薄型の電波吸収体を提供するも
のである。
ずかつ設計及び製作が容易であり斜め入射波に対しても
有効に反射抑制が可能な薄型の電波吸収体を提供するも
のである。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、誘電
体層と、この誘電体層の一方の面上に積層した電波反射
体層と、この誘電体層の他方の面上に積層した抵抗膜層
とを備えた電波吸収体に関している。本発明によれば、
特に、抵抗膜層が、この抵抗膜層の層平面内における第
１の方向の表面抵抗と、第１の方向と交差する層平面内
の第２の方向の表面抵抗とが互いに異なるように構成さ
れている。
体層と、この誘電体層の一方の面上に積層した電波反射
体層と、この誘電体層の他方の面上に積層した抵抗膜層
とを備えた電波吸収体に関している。本発明によれば、
特に、抵抗膜層が、この抵抗膜層の層平面内における第
１の方向の表面抵抗と、第１の方向と交差する層平面内
の第２の方向の表面抵抗とが互いに異なるように構成さ
れている。
【００１１】上述の第１の方向と第２の方向との交差す
る角がほぼ直角であることが好ましい。
る角がほぼ直角であることが好ましい。
【００１２】上述の第１の方向の表面抵抗と第２の方向
の表面抵抗との積が、自由空間の特性インピーダンスの
２乗にほぼ等しいことが好ましい。
の表面抵抗との積が、自由空間の特性インピーダンスの
２乗にほぼ等しいことが好ましい。
【００１３】この場合、θを吸収すべき入射電波の入射
角度とすると、第１の方向の表面抵抗がほぼ１２０π／
ｃｏｓθ（Ω／□）であり、第２の方向の表面抵抗がほ
ぼ１２０π・ｃｏｓθ（Ω／□）であり得る。
角度とすると、第１の方向の表面抵抗がほぼ１２０π／
ｃｏｓθ（Ω／□）であり、第２の方向の表面抵抗がほ
ぼ１２０π・ｃｏｓθ（Ω／□）であり得る。
【００１４】電波が入射角度θで金属等の電波反射体に
入射した場合、その電波反射体の前面に定在波がたつ。
電波の入射側から電波反射体を見たときの入力インピー
ダンスは、電波反射体の法線方向に沿って周期的に零と
無限大とを繰り返すが、反射体表面から距離ｄ0 離れた
位置では、図２の（Ａ）に示すように、偏波に依存せず
に無限大となる。ここでｄ0 は、λを入射電波の波長と
すると次式で与えられる。 ｄ0 ＝λ／｛４√（１−ｓｉｎ2 θ）｝
入射した場合、その電波反射体の前面に定在波がたつ。
電波の入射側から電波反射体を見たときの入力インピー
ダンスは、電波反射体の法線方向に沿って周期的に零と
無限大とを繰り返すが、反射体表面から距離ｄ0 離れた
位置では、図２の（Ａ）に示すように、偏波に依存せず
に無限大となる。ここでｄ0 は、λを入射電波の波長と
すると次式で与えられる。 ｄ0 ＝λ／｛４√（１−ｓｉｎ2 θ）｝
【００１５】この距離ｄ0 の位置に表面抵抗がＲs の抵
抗膜を配置すると、この抵抗膜を見込んだその位置の入
力インピーダンスＺinは、図２の（Ｂ）に示すように、
抵抗膜の表面抵抗Ｒs と無限大インピーダンスとを並列
接続したものと等価となるので、Ｚin＝Ｒs となる。従
って、この場合の反射係数Ｓは、各偏波に応じて次式で
表される。ただし、Ｚ0 は自由空間の特性インピーダン
ス（Ｚ0 ＝１２０πΩ）を表す。 ＴＥ波の場合 Ｓ＝（Ｒs −Ｚ0 ／ｃｏｓθ）／（Ｒs
＋Ｚ0 ／ｃｏｓθ） ＴＭ波の場合 Ｓ＝（Ｒs −Ｚ0 ・ｃｏｓθ）／（Ｒs
＋Ｚ0 ・ｃｏｓθ）
抗膜を配置すると、この抵抗膜を見込んだその位置の入
力インピーダンスＺinは、図２の（Ｂ）に示すように、
抵抗膜の表面抵抗Ｒs と無限大インピーダンスとを並列
接続したものと等価となるので、Ｚin＝Ｒs となる。従
って、この場合の反射係数Ｓは、各偏波に応じて次式で
表される。ただし、Ｚ0 は自由空間の特性インピーダン
ス（Ｚ0 ＝１２０πΩ）を表す。 ＴＥ波の場合 Ｓ＝（Ｒs −Ｚ0 ／ｃｏｓθ）／（Ｒs
＋Ｚ0 ／ｃｏｓθ） ＴＭ波の場合 Ｓ＝（Ｒs −Ｚ0 ・ｃｏｓθ）／（Ｒs
＋Ｚ0 ・ｃｏｓθ）
【００１６】そこで、ＴＥ波に対しては抵抗膜の表面抵
抗Ｒs を Ｒs ＝Ｚ0 ／ｃｏｓθ ＴＭ波に対しては抵抗膜の表面抵抗Ｒs を Ｒs ＝Ｚ0 ・ｃｏｓθ とすることにより、反射係数Ｓを零とすることができ
る。
抗Ｒs を Ｒs ＝Ｚ0 ／ｃｏｓθ ＴＭ波に対しては抵抗膜の表面抵抗Ｒs を Ｒs ＝Ｚ0 ・ｃｏｓθ とすることにより、反射係数Ｓを零とすることができ
る。
【００１７】図２９及び図３０に示したように、ＴＥ波
とＴＭ波とは、入射する電波の電界の方向が互いに直交
し、そのため、抵抗膜面上に発生する電流の方向もＴＥ
波とＴＭ波とでは互いに直交している。従って、抵抗膜
の表面抵抗に方向性を持たせてＴＥ波用とＴＭ波用に表
面抵抗を調整することによって、即ち、抵抗膜層の層平
面内における第１の方向の表面抵抗と第１の方向と交差
する層平面内の第２の方向の表面抵抗とが互いに異なる
ようにすることによって、偏波依存性のない良好な電波
吸収特性を得ることができる。
とＴＭ波とは、入射する電波の電界の方向が互いに直交
し、そのため、抵抗膜面上に発生する電流の方向もＴＥ
波とＴＭ波とでは互いに直交している。従って、抵抗膜
の表面抵抗に方向性を持たせてＴＥ波用とＴＭ波用に表
面抵抗を調整することによって、即ち、抵抗膜層の層平
面内における第１の方向の表面抵抗と第１の方向と交差
する層平面内の第２の方向の表面抵抗とが互いに異なる
ようにすることによって、偏波依存性のない良好な電波
吸収特性を得ることができる。
【００１８】さらに本発明の電波吸収体は、対象とする
電波の波長及び入射角、並びに誘電体の誘電率が決定す
れば、誘電体の厚さ及び抵抗膜の各方向の表面抵抗が一
義的に定まるので設計及び製造が非常に容易となる。
電波の波長及び入射角、並びに誘電体の誘電率が決定す
れば、誘電体の厚さ及び抵抗膜の各方向の表面抵抗が一
義的に定まるので設計及び製造が非常に容易となる。
【００１９】ＴＥ波用である第１の方向の表面抵抗Ｒs
＝Ｚ0 ／ｃｏｓθとＴＭ波用である第２の方向の表面抵
抗Ｒs ＝Ｚ0 ・ｃｏｓθとの積Ｒs ・Ｒs は、上式よ
り、 Ｒs ・Ｒs ＝（Ｚ0 ／ｃｏｓθ）（Ｚ0 ・ｃｏｓθ）＝
Ｚ0 2 即ち、自由空間の特性インピーダンスの２乗に等しくな
る。
＝Ｚ0 ／ｃｏｓθとＴＭ波用である第２の方向の表面抵
抗Ｒs ＝Ｚ0 ・ｃｏｓθとの積Ｒs ・Ｒs は、上式よ
り、 Ｒs ・Ｒs ＝（Ｚ0 ／ｃｏｓθ）（Ｚ0 ・ｃｏｓθ）＝
Ｚ0 2 即ち、自由空間の特性インピーダンスの２乗に等しくな
る。
【００２０】抵抗膜面上に発生する電流がＴＥ波とＴＭ
波とでは互いに直交しているので、第１の方向と第２の
方向との交差角は直角であることが最も好ましいが、反
射係数を零以外のある一定値以下に抑えたいだけであれ
ば、直角からある程度ずれた角度であってもよい。ま
た、抵抗膜の各方向の表面抵抗も、反射係数を零以外の
ある一定値以下に抑えたいだけであれば、上述の値から
多少ずれていてもよい。例えば、斜入射角θ＝６０°
で、反射係数Ｓ＝０．１以下とするには、ＴＥ波に対す
る表面抵抗Ｒs をＲs ＝６１７〜９２２Ω、ＴＭ波に対
する表面抵抗Ｒs をＲs ＝１５４〜２３０Ωの間に調整
することで可能となる。
波とでは互いに直交しているので、第１の方向と第２の
方向との交差角は直角であることが最も好ましいが、反
射係数を零以外のある一定値以下に抑えたいだけであれ
ば、直角からある程度ずれた角度であってもよい。ま
た、抵抗膜の各方向の表面抵抗も、反射係数を零以外の
ある一定値以下に抑えたいだけであれば、上述の値から
多少ずれていてもよい。例えば、斜入射角θ＝６０°
で、反射係数Ｓ＝０．１以下とするには、ＴＥ波に対す
る表面抵抗Ｒs をＲs ＝６１７〜９２２Ω、ＴＭ波に対
する表面抵抗Ｒs をＲs ＝１５４〜２３０Ωの間に調整
することで可能となる。
【００２１】抵抗膜層と電波反射体層との間が、比誘電
率εr の誘電体層で構成されている場合、この誘電体層
の厚さｄは、 ｄ＝λ／｛４√（εr −ｓｉｎ2 θ）｝ に設定することにより、上述の場合と同様の電波吸収特
性を得ることができる。
率εr の誘電体層で構成されている場合、この誘電体層
の厚さｄは、 ｄ＝λ／｛４√（εr −ｓｉｎ2 θ）｝ に設定することにより、上述の場合と同様の電波吸収特
性を得ることができる。
【００２２】本発明の電波吸収体は、抵抗膜層が、絶縁
性繊維と所定の線抵抗を有する導電性繊維又は金属線と
を織り込んでなる織布であるか、又は絶縁性膜上に所定
の表面抵抗を有する導電性膜を所定パターンで配置した
膜からなることが好ましい。
性繊維と所定の線抵抗を有する導電性繊維又は金属線と
を織り込んでなる織布であるか、又は絶縁性膜上に所定
の表面抵抗を有する導電性膜を所定パターンで配置した
膜からなることが好ましい。
【００２３】本発明の電波吸収体は、抵抗膜層の誘電体
層とは反対側の面上に積層された保護膜層をさらに備え
ることも好ましい。
層とは反対側の面上に積層された保護膜層をさらに備え
ることも好ましい。
【００２４】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００２５】図１は本発明の一実施例における電波吸収
体の構成を概略的に示す斜視図、図３は図１のＢ−Ｂ線
断面図、図４は図１の実施例における抵抗膜層の構成を
概略的に示す平面図である。
体の構成を概略的に示す斜視図、図３は図１のＢ−Ｂ線
断面図、図４は図１の実施例における抵抗膜層の構成を
概略的に示す平面図である。
【００２６】これらの図において、１０は所定厚の誘電
体層、１１は誘電体層１０の裏面上に積層した電波反射
体層、１２は誘電体層１０の前面上に積層した抵抗膜層
をそれぞれ示している。
体層、１１は誘電体層１０の裏面上に積層した電波反射
体層、１２は誘電体層１０の前面上に積層した抵抗膜層
をそれぞれ示している。
【００２７】誘電体層１０は、（１）ポリエチレン、ポ
リスチレン、ポリウレタン又はシリコン等の発泡材、
（２）塩化ビニル、アクリル、ポリカーボネート又はテ
フロン等の有機樹脂、（３）木材、（４）ガラス、
（５）セラミック、（６）ゴム、（７）紙、及び（８）
空気等のうちのいずれかの誘電体材料を平板状に形成し
たものである。この誘電体層１０の厚さｄは、θを吸収
すべき入射電波の入射角度、λを入射電波の波長、εr
をこの誘電体層１０の比誘電率とすると、 ｄ＝λ／｛４√（εr −ｓｉｎ2 θ）｝ に設定される。
リスチレン、ポリウレタン又はシリコン等の発泡材、
（２）塩化ビニル、アクリル、ポリカーボネート又はテ
フロン等の有機樹脂、（３）木材、（４）ガラス、
（５）セラミック、（６）ゴム、（７）紙、及び（８）
空気等のうちのいずれかの誘電体材料を平板状に形成し
たものである。この誘電体層１０の厚さｄは、θを吸収
すべき入射電波の入射角度、λを入射電波の波長、εr
をこの誘電体層１０の比誘電率とすると、 ｄ＝λ／｛４√（εr −ｓｉｎ2 θ）｝ に設定される。
【００２８】電波反射体層１１は、（１）アルミニウ
ム、鉄、銅又はステンレススチール等の金属板、銅、ア
ルミニウム又は鉄等の金属箔、（３）格子状の金属線、
（４）炭素繊維布、（５）金属めっき布、及び（６）ス
テンレススチール等の金属繊維布等のうちのいずれかの
材料から形成されている。
ム、鉄、銅又はステンレススチール等の金属板、銅、ア
ルミニウム又は鉄等の金属箔、（３）格子状の金属線、
（４）炭素繊維布、（５）金属めっき布、及び（６）ス
テンレススチール等の金属繊維布等のうちのいずれかの
材料から形成されている。
【００２９】抵抗膜層１２は、本実施例では、絶縁性繊
維と所定の線抵抗を有する抵抗線（導電性繊維又は金属
線）１３及び１４とを織り込んでなる織布からなってお
り、抵抗線は図１及び図４に示すように格子状に織り込
まれる。この場合、縦方向に織り込まれる抵抗線１３と
横方向に織り込まれる抵抗線１４との材質や径等の種類
及び単位長さ当りの本数（間隔）を適切に選ぶことによ
り、抵抗膜層１２の縦方向の表面抵抗Ｒsl及び横方向の
表面抵抗Ｒstが Ｒsl＝Ｚ0 ／ｃｏｓθ Ｒst＝Ｚ0 ・ｃｏｓθ となるように設定する。ただし、θは吸収すべき入射電
波の入射角度、Ｚ0 は自由空間の特性インピーダンス
（Ｚ0 ＝１２０πΩ）である。このような電波吸収体を
適切な方向に設置することにより、前述したように、Ｔ
Ｅ波及びＴＭ波の反射係数Ｓを共に零とすることが可能
となる。
維と所定の線抵抗を有する抵抗線（導電性繊維又は金属
線）１３及び１４とを織り込んでなる織布からなってお
り、抵抗線は図１及び図４に示すように格子状に織り込
まれる。この場合、縦方向に織り込まれる抵抗線１３と
横方向に織り込まれる抵抗線１４との材質や径等の種類
及び単位長さ当りの本数（間隔）を適切に選ぶことによ
り、抵抗膜層１２の縦方向の表面抵抗Ｒsl及び横方向の
表面抵抗Ｒstが Ｒsl＝Ｚ0 ／ｃｏｓθ Ｒst＝Ｚ0 ・ｃｏｓθ となるように設定する。ただし、θは吸収すべき入射電
波の入射角度、Ｚ0 は自由空間の特性インピーダンス
（Ｚ0 ＝１２０πΩ）である。このような電波吸収体を
適切な方向に設置することにより、前述したように、Ｔ
Ｅ波及びＴＭ波の反射係数Ｓを共に零とすることが可能
となる。
【００３０】抵抗膜１２面上に発生する電流がＴＥ波と
ＴＭ波とでは互いに直交するので、縦方向に織り込まれ
る抵抗線１３と横方向に織り込まれる抵抗線１４とがな
す角度は直角であることが最も好ましいが、反射係数を
零以外のある一定値以下に抑えたいだけであれば、直角
からある程度ずれた角度であってもよい。また、抵抗膜
１２の各方向の表面抵抗も、反射係数を零以外のある一
定値以下に抑えたいだけであれば、上述の値から多少ず
れていてもよい。例えば、斜入射角θ＝６０°で、反射
係数Ｓ＝０．１以下とするには、ＴＥ波に対する表面抵
抗Ｒs をＲs ＝６１７〜９２２Ω、ＴＭ波に対する表面
抵抗Ｒs をＲs ＝１５４〜２３０Ωの間に調整すること
で可能となる。
ＴＭ波とでは互いに直交するので、縦方向に織り込まれ
る抵抗線１３と横方向に織り込まれる抵抗線１４とがな
す角度は直角であることが最も好ましいが、反射係数を
零以外のある一定値以下に抑えたいだけであれば、直角
からある程度ずれた角度であってもよい。また、抵抗膜
１２の各方向の表面抵抗も、反射係数を零以外のある一
定値以下に抑えたいだけであれば、上述の値から多少ず
れていてもよい。例えば、斜入射角θ＝６０°で、反射
係数Ｓ＝０．１以下とするには、ＴＥ波に対する表面抵
抗Ｒs をＲs ＝６１７〜９２２Ω、ＴＭ波に対する表面
抵抗Ｒs をＲs ＝１５４〜２３０Ωの間に調整すること
で可能となる。
【００３１】抵抗線１３及び１４は、導電性繊維又は金
属線で構成される。導電性繊維としては、例えばアクリ
ル等の合成繊維の表面に例えば硫化銅（ＣｕＳ）若しく
はその他の導電性層を染色技術により付着形成したも
の、カーボン繊維又は炭化珪素繊維等で形成される。
属線で構成される。導電性繊維としては、例えばアクリ
ル等の合成繊維の表面に例えば硫化銅（ＣｕＳ）若しく
はその他の導電性層を染色技術により付着形成したも
の、カーボン繊維又は炭化珪素繊維等で形成される。
【００３２】抵抗膜層の変更態様として、図５に示すご
とき構成もある。即ち、同図（Ａ）に示すように縦方向
に抵抗線５３を平行に織り込んだ織布（又は縦方向に抵
抗線５３を平行に付着させた膜）５５と、同図（Ｂ）に
示すように横方向に抵抗線５４を平行に織り込んだ織布
（又は縦方向に抵抗線５４を平行に付着させた膜）５６
とを、同図（Ｃ）に示すように重ね合わせて抵抗膜層５
２を構成してもよい。縦方向の抵抗線５３と横方向の抵
抗線５４とのなす角度について及び各方向の表面抵抗に
ついては、図１の実施例の場合と同様であるので説明を
省略する。
とき構成もある。即ち、同図（Ａ）に示すように縦方向
に抵抗線５３を平行に織り込んだ織布（又は縦方向に抵
抗線５３を平行に付着させた膜）５５と、同図（Ｂ）に
示すように横方向に抵抗線５４を平行に織り込んだ織布
（又は縦方向に抵抗線５４を平行に付着させた膜）５６
とを、同図（Ｃ）に示すように重ね合わせて抵抗膜層５
２を構成してもよい。縦方向の抵抗線５３と横方向の抵
抗線５４とのなす角度について及び各方向の表面抵抗に
ついては、図１の実施例の場合と同様であるので説明を
省略する。
【００３３】図６は本発明の他の実施例における電波吸
収体の構成を概略的に示す断面図である。
収体の構成を概略的に示す断面図である。
【００３４】同図において、６０は所定厚の誘電体層、
６１は誘電体層６０の裏面上に積層した電波反射体層、
６２は誘電体層６０の前面上に積層した抵抗膜層、６３
は抵抗膜層６２の表面上に積層した保護膜層をそれぞれ
示している。誘電体層６０、電波反射体層６１及び抵抗
膜層６２の構成及び作用は図１の実施例の場合と全く同
様である。
６１は誘電体層６０の裏面上に積層した電波反射体層、
６２は誘電体層６０の前面上に積層した抵抗膜層、６３
は抵抗膜層６２の表面上に積層した保護膜層をそれぞれ
示している。誘電体層６０、電波反射体層６１及び抵抗
膜層６２の構成及び作用は図１の実施例の場合と全く同
様である。
【００３５】保護膜層６３は、抵抗膜層６２の耐久性向
上のために被着されるものであり、（１）ポリウレタ
ン、フッ素系又はシリコン系等の有機樹脂の膜又は塗
料、（２）ガラス、（３）セラミック、及び（４）ゴム
等のうちのいずれかの耐久性に優れた材料から形成され
ている。
上のために被着されるものであり、（１）ポリウレタ
ン、フッ素系又はシリコン系等の有機樹脂の膜又は塗
料、（２）ガラス、（３）セラミック、及び（４）ゴム
等のうちのいずれかの耐久性に優れた材料から形成され
ている。
【００３６】図７は本発明のさらに他の実施例における
抵抗膜層の構成を概略的に示す平面図である。
抵抗膜層の構成を概略的に示す平面図である。
【００３７】本実施例における抵抗膜層７２は、絶縁性
膜上に所定の表面抵抗を有する導電性膜又は導電性塗料
を所定パターンで形成した膜からなっており、そのパタ
ーンは図７に示すように導電性パターン部分が格子状と
なるように形成される。この場合、縦方向の導電性スト
リップ７３と横方向の導電性ストリップ７４との幅及び
間隔を適切に選ぶことにより、抵抗膜層７２の縦方向の
表面抵抗Ｒsl及び横方向の表面抵抗Ｒstが Ｒsl＝Ｚ0 ／ｃｏｓθ Ｒst＝Ｚ0 ・ｃｏｓθ となるように設定する。ただし、θは吸収すべき入射電
波の入射角度、Ｚ0 は自由空間の特性インピーダンス
（Ｚ0 ＝１２０πΩ）である。図７の例では、縦方向の
導電性ストリップ７３の幅が０．６ｍｍかつ間隔が３．
４ｍｍであり、横方向の導電性ストリップ７４の幅が
１．２ｍｍかつ間隔が２．８ｍｍである。このような電
波吸収体を適切な方向に設置することにより、前述した
ように、ＴＥ波及びＴＭ波の反射係数Ｓを共に零とする
ことが可能となる。本実施例のごとく、パターンにより
各方向の表面抵抗を設定すると、抵抗値の調整が非常に
容易となる。
膜上に所定の表面抵抗を有する導電性膜又は導電性塗料
を所定パターンで形成した膜からなっており、そのパタ
ーンは図７に示すように導電性パターン部分が格子状と
なるように形成される。この場合、縦方向の導電性スト
リップ７３と横方向の導電性ストリップ７４との幅及び
間隔を適切に選ぶことにより、抵抗膜層７２の縦方向の
表面抵抗Ｒsl及び横方向の表面抵抗Ｒstが Ｒsl＝Ｚ0 ／ｃｏｓθ Ｒst＝Ｚ0 ・ｃｏｓθ となるように設定する。ただし、θは吸収すべき入射電
波の入射角度、Ｚ0 は自由空間の特性インピーダンス
（Ｚ0 ＝１２０πΩ）である。図７の例では、縦方向の
導電性ストリップ７３の幅が０．６ｍｍかつ間隔が３．
４ｍｍであり、横方向の導電性ストリップ７４の幅が
１．２ｍｍかつ間隔が２．８ｍｍである。このような電
波吸収体を適切な方向に設置することにより、前述した
ように、ＴＥ波及びＴＭ波の反射係数Ｓを共に零とする
ことが可能となる。本実施例のごとく、パターンにより
各方向の表面抵抗を設定すると、抵抗値の調整が非常に
容易となる。
【００３８】抵抗膜７２面上に発生する電流がＴＥ波と
ＴＭ波とでは互いに直交するので、縦方向の導電性スト
リップ７３と横方向の導電性ストリップ７４とがなす角
度は直角であることが最も好ましいが、反射係数を零以
外のある一定値以下に抑えたいだけであれば、直角から
ある程度ずれた角度であってもよい。また、抵抗膜７２
の各方向の表面抵抗も、反射係数を零以外のある一定値
以下に抑えたいだけであれば、上述の値から多少ずれて
いてもよい。例えば、斜入射角θ＝６０°で、反射係数
Ｓ＝０．１以下とするには、ＴＥ波に対する表面抵抗Ｒ
s をＲs ＝６１７〜９２２Ω、ＴＭ波に対する表面抵抗
Ｒs をＲs ＝１５４〜２３０Ωの間に調整することで可
能となる。
ＴＭ波とでは互いに直交するので、縦方向の導電性スト
リップ７３と横方向の導電性ストリップ７４とがなす角
度は直角であることが最も好ましいが、反射係数を零以
外のある一定値以下に抑えたいだけであれば、直角から
ある程度ずれた角度であってもよい。また、抵抗膜７２
の各方向の表面抵抗も、反射係数を零以外のある一定値
以下に抑えたいだけであれば、上述の値から多少ずれて
いてもよい。例えば、斜入射角θ＝６０°で、反射係数
Ｓ＝０．１以下とするには、ＴＥ波に対する表面抵抗Ｒ
s をＲs ＝６１７〜９２２Ω、ＴＭ波に対する表面抵抗
Ｒs をＲs ＝１５４〜２３０Ωの間に調整することで可
能となる。
【００３９】導電性パターン部分は、（１）酸化インジ
ウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ若しくは酸化亜鉛等の金
属酸化物、又は（２）窒化チタン等の金属窒化物による
薄膜を蒸着又は塗布等により絶縁性膜上に積層し、エッ
チング処理により所定パターンに形成するか、又は、例
えばカーボンを樹脂に加えてなる導電性塗料を絶縁性膜
上に所定パターンで印刷して形成される。
ウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ若しくは酸化亜鉛等の金
属酸化物、又は（２）窒化チタン等の金属窒化物による
薄膜を蒸着又は塗布等により絶縁性膜上に積層し、エッ
チング処理により所定パターンに形成するか、又は、例
えばカーボンを樹脂に加えてなる導電性塗料を絶縁性膜
上に所定パターンで印刷して形成される。
【００４０】導電性パターンは、図７に示す格子状に限
られることなく、抵抗膜層の縦方向の表面抵抗と横方向
の表面抵抗を前述のごとく設定できるのであれば、種々
の形状のものが適用可能である。例えば図８に示すよう
に、楕円状の抜きパターン８３で形成された導電性パタ
ーン８４を有する抵抗膜層８２であってもよい。
られることなく、抵抗膜層の縦方向の表面抵抗と横方向
の表面抵抗を前述のごとく設定できるのであれば、種々
の形状のものが適用可能である。例えば図８に示すよう
に、楕円状の抜きパターン８３で形成された導電性パタ
ーン８４を有する抵抗膜層８２であってもよい。
【００４１】抵抗膜層の変更態様として、さらに、図９
に示すごとき構成もある。即ち、同図（Ｂ）に示すよう
に縦方向に互いに平行に伸長する導電性ストリップ９３
をパターニングした膜９５と、同図（Ａ）に示すように
横方向に互いに平行に伸長する導電性ストリップ９４を
パターニングした膜９６とを、同図（Ｃ）に示すように
重ね合わせて抵抗膜層９２を構成してもよい。導電性パ
ターンの材質及び形成方法について、縦方向の導電性ス
トリップ９３と横方向の導電性ストリップ９４とのなす
角度について、及び各方向の表面抵抗については、図７
の実施例の場合と全く同様であるので説明を省略する。
に示すごとき構成もある。即ち、同図（Ｂ）に示すよう
に縦方向に互いに平行に伸長する導電性ストリップ９３
をパターニングした膜９５と、同図（Ａ）に示すように
横方向に互いに平行に伸長する導電性ストリップ９４を
パターニングした膜９６とを、同図（Ｃ）に示すように
重ね合わせて抵抗膜層９２を構成してもよい。導電性パ
ターンの材質及び形成方法について、縦方向の導電性ス
トリップ９３と横方向の導電性ストリップ９４とのなす
角度について、及び各方向の表面抵抗については、図７
の実施例の場合と全く同様であるので説明を省略する。
【００４２】抵抗膜層のさらに他の変更態様として、図
１０に示すごとき構成もある。即ち、同図（Ｂ）に示す
ように縦方向に抵抗線１０３を平行に織り込んだ織布
（又は縦方向に抵抗線１０３を平行に付着させた膜）１
０５と、同図（Ａ）に示すように横方向に互いに平行に
伸長する導電性ストリップ１０４をパターニングした膜
１０６とを、同図（Ｃ）に示すように重ね合わせて抵抗
膜層１０２を構成してもよい。上述の縦横の構成が逆で
あってもよいこと、及び抵抗線と他の導電性パターンの
ものとを組み合わせてもよいことはもちろんである。抵
抗線及び導電性パターンの材質及び形成方法について、
縦方向の抵抗線１０３と横方向の導電性ストリップ１０
４とのなす角度について、及び各方向の表面抵抗につい
ては、図１及び図７の実施例の場合と同様であるので説
明を省略する。
１０に示すごとき構成もある。即ち、同図（Ｂ）に示す
ように縦方向に抵抗線１０３を平行に織り込んだ織布
（又は縦方向に抵抗線１０３を平行に付着させた膜）１
０５と、同図（Ａ）に示すように横方向に互いに平行に
伸長する導電性ストリップ１０４をパターニングした膜
１０６とを、同図（Ｃ）に示すように重ね合わせて抵抗
膜層１０２を構成してもよい。上述の縦横の構成が逆で
あってもよいこと、及び抵抗線と他の導電性パターンの
ものとを組み合わせてもよいことはもちろんである。抵
抗線及び導電性パターンの材質及び形成方法について、
縦方向の抵抗線１０３と横方向の導電性ストリップ１０
４とのなす角度について、及び各方向の表面抵抗につい
ては、図１及び図７の実施例の場合と同様であるので説
明を省略する。
【００４３】以下、電波吸収体の実際の構成例及びその
電波吸収特性について説明する。
電波吸収特性について説明する。
【００４４】構成例１ 抵抗膜層 ：線抵抗４２ＫΩ／ｍの導電性繊維とポリ
エステル繊維とを導電性繊維が格子状となるように織り
込んだ織布、織布の厚さは約２００μｍ、導電性繊維の
径は約１００μｍ、導電性繊維の織り込み間隔は縦方向
の導電性繊維で１８ｍｍ、横方向の導電性繊維で４．５
ｍｍ、これにより抵抗膜層の表面抵抗を縦方向で７５４
Ω／□、横方向で１８９Ω／□に調整、 誘電体層 ：厚さ４８．１ｍｍの発泡ポリエチレンシ
ート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図１のごとき構造の電波吸収体を形成した。
この電波吸収体について、斜入射角度６０°の電波によ
り電波吸収特性を測定した結果が図１１に示されてい
る。同図より、周波数３ＧＨｚにおいて、ＴＥ波及びＴ
Ｍ波共に良好な吸収特性が得られていることが分かる。
エステル繊維とを導電性繊維が格子状となるように織り
込んだ織布、織布の厚さは約２００μｍ、導電性繊維の
径は約１００μｍ、導電性繊維の織り込み間隔は縦方向
の導電性繊維で１８ｍｍ、横方向の導電性繊維で４．５
ｍｍ、これにより抵抗膜層の表面抵抗を縦方向で７５４
Ω／□、横方向で１８９Ω／□に調整、 誘電体層 ：厚さ４８．１ｍｍの発泡ポリエチレンシ
ート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図１のごとき構造の電波吸収体を形成した。
この電波吸収体について、斜入射角度６０°の電波によ
り電波吸収特性を測定した結果が図１１に示されてい
る。同図より、周波数３ＧＨｚにおいて、ＴＥ波及びＴ
Ｍ波共に良好な吸収特性が得られていることが分かる。
【００４５】構成例２ 抵抗膜層 ：線抵抗４２ＫΩ／ｍの導電性繊維とポリ
エステル繊維とを導電性繊維が格子状となるように織り
込んだ織布、織布の厚さは約２００μｍ、導電性繊維の
径は約１００μｍ、導電性繊維の織り込み間隔は縦方向
の導電性繊維で１２．８ｍｍ、横方向の導電性繊維で
６．４ｍｍ、これにより抵抗膜層の表面抵抗を縦方向で
５３３Ω／□、横方向で２６７Ω／□に調整 誘電体層 ：厚さ３４．７ｍｍの発泡ポリエチレンシ
ート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図１のごとき構造の電波吸収体を形成した。
この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波によ
り電波吸収特性を測定した結果が図１２に示されてい
る。同図より、周波数３ＧＨｚにおいて、ＴＥ波及びＴ
Ｍ波共に良好な吸収特性が得られていることが分かる。
エステル繊維とを導電性繊維が格子状となるように織り
込んだ織布、織布の厚さは約２００μｍ、導電性繊維の
径は約１００μｍ、導電性繊維の織り込み間隔は縦方向
の導電性繊維で１２．８ｍｍ、横方向の導電性繊維で
６．４ｍｍ、これにより抵抗膜層の表面抵抗を縦方向で
５３３Ω／□、横方向で２６７Ω／□に調整 誘電体層 ：厚さ３４．７ｍｍの発泡ポリエチレンシ
ート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図１のごとき構造の電波吸収体を形成した。
この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波によ
り電波吸収特性を測定した結果が図１２に示されてい
る。同図より、周波数３ＧＨｚにおいて、ＴＥ波及びＴ
Ｍ波共に良好な吸収特性が得られていることが分かる。
【００４６】抵抗膜層の縦方向及び横方向の表面抵抗
は、上述の構成例の抵抗値に正確に一致させなければ効
果が全く得られないものではなく、この値からある程度
ずれた値であっても充分な電波吸収効果を得ることがで
きる。以下この点について、測定結果を用いて説明す
る。ただし、以下の例では、導電性繊維の織り込み間隔
を変えること以外は構成例２の場合と全く同じ構成とし
ている。
は、上述の構成例の抵抗値に正確に一致させなければ効
果が全く得られないものではなく、この値からある程度
ずれた値であっても充分な電波吸収効果を得ることがで
きる。以下この点について、測定結果を用いて説明す
る。ただし、以下の例では、導電性繊維の織り込み間隔
を変えること以外は構成例２の場合と全く同じ構成とし
ている。
【００４７】［表面抵抗値の変更例１］線抵抗４２ＫΩ
／ｍの導電性繊維の織り込み間隔を縦方向の導電性繊維
で１０．５ｍｍ、横方向で５．５ｍｍとし、抵抗膜層の
表面抵抗を縦方向で４４１Ω／□、横方向の導電性繊維
で２３１Ω／□とした場合に、図１３に示すように、周
波数３ＧＨｚにおいて、２０ｄＢの反射減衰量が得られ
た。
／ｍの導電性繊維の織り込み間隔を縦方向の導電性繊維
で１０．５ｍｍ、横方向で５．５ｍｍとし、抵抗膜層の
表面抵抗を縦方向で４４１Ω／□、横方向の導電性繊維
で２３１Ω／□とした場合に、図１３に示すように、周
波数３ＧＨｚにおいて、２０ｄＢの反射減衰量が得られ
た。
【００４８】［表面抵抗値の変更例２］線抵抗４２ＫΩ
／ｍの導電性繊維の織り込み間隔を縦方向の導電性繊維
で１５ｍｍ、横方向の導電性繊維で７．５ｍｍとし、抵
抗膜層の表面抵抗を縦方向で６３０Ω／□、横方向で３
１５Ω／□とした場合に、図１４に示すように、周波数
３ＧＨｚにおいて、２０ｄＢの反射減衰量が得られた。
／ｍの導電性繊維の織り込み間隔を縦方向の導電性繊維
で１５ｍｍ、横方向の導電性繊維で７．５ｍｍとし、抵
抗膜層の表面抵抗を縦方向で６３０Ω／□、横方向で３
１５Ω／□とした場合に、図１４に示すように、周波数
３ＧＨｚにおいて、２０ｄＢの反射減衰量が得られた。
【００４９】［表面抵抗値の変更例３］線抵抗４２ＫΩ
／ｍの導電性繊維の織り込み間隔を縦方向の導電性繊維
で９ｍｍ、横方向の導電性繊維で４．５ｍｍとし、抵抗
膜層の表面抵抗を縦方向で３７８Ω／□、横方向で１８
９Ω／□とした場合に、図１５に示すように、周波数３
ＧＨｚにおいて、１５ｄＢの反射減衰量が得られた。
／ｍの導電性繊維の織り込み間隔を縦方向の導電性繊維
で９ｍｍ、横方向の導電性繊維で４．５ｍｍとし、抵抗
膜層の表面抵抗を縦方向で３７８Ω／□、横方向で１８
９Ω／□とした場合に、図１５に示すように、周波数３
ＧＨｚにおいて、１５ｄＢの反射減衰量が得られた。
【００５０】［表面抵抗値の変更例４］線抵抗４２ＫΩ
／ｍの導電性繊維の織り込み間隔を縦方向の導電性繊維
で１８ｍｍ、横方向の導電性繊維で９ｍｍとし、抵抗膜
層の表面抵抗を縦方向で７５６Ω／□、横方向で３７８
Ω／□とした場合に、図１６に示すように、周波数３Ｇ
Ｈｚにおいて、１５ｄＢの反射減衰量が得られた。
／ｍの導電性繊維の織り込み間隔を縦方向の導電性繊維
で１８ｍｍ、横方向の導電性繊維で９ｍｍとし、抵抗膜
層の表面抵抗を縦方向で７５６Ω／□、横方向で３７８
Ω／□とした場合に、図１６に示すように、周波数３Ｇ
Ｈｚにおいて、１５ｄＢの反射減衰量が得られた。
【００５１】構成例３ 抵抗膜層 ：厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに積層された表面抵抗が８０Ω／□の酸化
インジウムスズ（ＩＴＯ）膜を格子状の導電パターンに
エッチング処理した膜、ＩＴＯ膜の導電パターンは縦方
向のストリップと横方向のストリップとでその幅及び間
隔が図７のごとくなるように設定される。これにより抵
抗膜層の表面抵抗を縦方向で５３３Ω／□、横方向で２
６７Ω／□に調整、 誘電体層 ：厚さ３４．７ｍｍの発泡ポリエチレンシ
ート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図７のごとき構造の電波吸収体を形成した。
この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波によ
り電波吸収特性を測定した結果が図１７に示されてい
る。同図より、周波数３ＧＨｚにおいて、ＴＥ波及びＴ
Ｍ波共に良好な吸収特性が得られていることが分かる。
ートフィルムに積層された表面抵抗が８０Ω／□の酸化
インジウムスズ（ＩＴＯ）膜を格子状の導電パターンに
エッチング処理した膜、ＩＴＯ膜の導電パターンは縦方
向のストリップと横方向のストリップとでその幅及び間
隔が図７のごとくなるように設定される。これにより抵
抗膜層の表面抵抗を縦方向で５３３Ω／□、横方向で２
６７Ω／□に調整、 誘電体層 ：厚さ３４．７ｍｍの発泡ポリエチレンシ
ート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図７のごとき構造の電波吸収体を形成した。
この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波によ
り電波吸収特性を測定した結果が図１７に示されてい
る。同図より、周波数３ＧＨｚにおいて、ＴＥ波及びＴ
Ｍ波共に良好な吸収特性が得られていることが分かる。
【００５２】構成例４ 抵抗膜層 ：厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに積層された表面抵抗が８０Ω／□のＩＴ
Ｏ膜を格子状の導電パターンにエッチング処理した膜、
ＩＴＯ膜の導電パターンは縦方向のストリップと横方向
のストリップとでその幅及び間隔が図７のごとくなるよ
うに設定される。これにより抵抗膜層の表面抵抗を縦方
向で５３３Ω／□、横方向で２６７Ω／□に調整、 誘電体層 ：厚さ１０．８ｍｍの発泡ポリエチレンシ
ート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図７のごとき構造の電波吸収体を形成した。
この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波によ
り電波吸収特性を測定した結果が図１８に示されてい
る。同図より、周波数９．４ＧＨｚにおいて、ＴＥ波及
びＴＭ波共に良好な吸収特性が得られていることが分か
る。
ートフィルムに積層された表面抵抗が８０Ω／□のＩＴ
Ｏ膜を格子状の導電パターンにエッチング処理した膜、
ＩＴＯ膜の導電パターンは縦方向のストリップと横方向
のストリップとでその幅及び間隔が図７のごとくなるよ
うに設定される。これにより抵抗膜層の表面抵抗を縦方
向で５３３Ω／□、横方向で２６７Ω／□に調整、 誘電体層 ：厚さ１０．８ｍｍの発泡ポリエチレンシ
ート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図７のごとき構造の電波吸収体を形成した。
この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波によ
り電波吸収特性を測定した結果が図１８に示されてい
る。同図より、周波数９．４ＧＨｚにおいて、ＴＥ波及
びＴＭ波共に良好な吸収特性が得られていることが分か
る。
【００５３】構成例５ 抵抗膜層 ：厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに積層された表面抵抗が８０Ω／□のＩＴ
Ｏ膜を格子状の導電パターンにエッチング処理した膜、
ＩＴＯ膜の導電パターンは縦方向のストリップと横方向
のストリップとでその幅及び間隔が図７のごとくなるよ
うに設定される。これにより抵抗膜層の表面抵抗を縦方
向で５３３Ω／□、横方向で２６７Ω／□に調整、 誘電体層 ：厚さ３４．７ｍｍの発泡ポリエチレンシ
ート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 保護膜層 ：厚さ５０μｍのフッ素樹脂フィルム を用いて、図６のごとき構造の電波吸収体を形成した。
この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波によ
り電波吸収特性を測定した結果が図１９に示されてい
る。同図より、周波数３ＧＨｚにおいて、ＴＥ波及びＴ
Ｍ波共に良好な吸収特性が得られていることが分かる。
ートフィルムに積層された表面抵抗が８０Ω／□のＩＴ
Ｏ膜を格子状の導電パターンにエッチング処理した膜、
ＩＴＯ膜の導電パターンは縦方向のストリップと横方向
のストリップとでその幅及び間隔が図７のごとくなるよ
うに設定される。これにより抵抗膜層の表面抵抗を縦方
向で５３３Ω／□、横方向で２６７Ω／□に調整、 誘電体層 ：厚さ３４．７ｍｍの発泡ポリエチレンシ
ート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 保護膜層 ：厚さ５０μｍのフッ素樹脂フィルム を用いて、図６のごとき構造の電波吸収体を形成した。
この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波によ
り電波吸収特性を測定した結果が図１９に示されてい
る。同図より、周波数３ＧＨｚにおいて、ＴＥ波及びＴ
Ｍ波共に良好な吸収特性が得られていることが分かる。
【００５４】構成例６ 抵抗膜層 ：厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに積層された表面抵抗が８０Ω／□のＩＴ
Ｏ膜を格子状の導電パターンにエッチング処理した膜、
ＩＴＯ膜の導電パターンは縦方向のストリップと横方向
のストリップとでその幅及び間隔が図７のごとくなるよ
うに設定される。これにより抵抗膜層の表面抵抗を縦方
向で５３３Ω／□、横方向で２６７Ω／□に調整、 誘電体層 ：厚さ５．３ｍｍのポリカーボネートシー
ト、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図７のごとき構造の電波吸収体を形成した。
この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波によ
り電波吸収特性を測定した結果が図２０に示されてい
る。同図より、周波数９．４ＧＨｚにおいて、ＴＥ波及
びＴＭ波共に良好な吸収特性が得られていることが分か
る。
ートフィルムに積層された表面抵抗が８０Ω／□のＩＴ
Ｏ膜を格子状の導電パターンにエッチング処理した膜、
ＩＴＯ膜の導電パターンは縦方向のストリップと横方向
のストリップとでその幅及び間隔が図７のごとくなるよ
うに設定される。これにより抵抗膜層の表面抵抗を縦方
向で５３３Ω／□、横方向で２６７Ω／□に調整、 誘電体層 ：厚さ５．３ｍｍのポリカーボネートシー
ト、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図７のごとき構造の電波吸収体を形成した。
この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波によ
り電波吸収特性を測定した結果が図２０に示されてい
る。同図より、周波数９．４ＧＨｚにおいて、ＴＥ波及
びＴＭ波共に良好な吸収特性が得られていることが分か
る。
【００５５】比較のための従来例１ 抵抗膜層 ：厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフィルムの全面に積層された表面抵抗が３８０Ω／
□のＩＴＯ膜、 誘電体層 ：厚さ７．８ｍｍの発泡ポリエチレンシー
ト、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図２６のごとき構造の電波吸収体を形成し
た。この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波
により電波吸収特性を測定した結果が図２１に、垂直入
射の電波による電波吸収特性が図２２に示されている。
垂直入射の場合は、周波数９．４ＧＨｚにおいて良好な
吸収特性が得られているが、斜入射の場合はＴＥ波及び
ＴＭ波共に吸収特性が低下してしまうので、満足できる
特性が得られない。
ートフィルムの全面に積層された表面抵抗が３８０Ω／
□のＩＴＯ膜、 誘電体層 ：厚さ７．８ｍｍの発泡ポリエチレンシー
ト、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図２６のごとき構造の電波吸収体を形成し
た。この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波
により電波吸収特性を測定した結果が図２１に、垂直入
射の電波による電波吸収特性が図２２に示されている。
垂直入射の場合は、周波数９．４ＧＨｚにおいて良好な
吸収特性が得られているが、斜入射の場合はＴＥ波及び
ＴＭ波共に吸収特性が低下してしまうので、満足できる
特性が得られない。
【００５６】比較のための従来例２ 抵抗膜層 ：厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフィルムの全面に積層された表面抵抗が２６７Ω／
□のＩＴＯ膜、 誘電体層 ：厚さ１０．８ｍｍの発泡ポリエチレンシ
ート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図２６のごとき構造の電波吸収体を形成し
た。この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波
により電波吸収特性を測定した結果が図２３に示されて
いる。周波数９．４ＧＨｚにおいてＴＭ波は良好な吸収
特性が得られているが、ＴＥ波においては満足できる吸
収特性が得られない。
ートフィルムの全面に積層された表面抵抗が２６７Ω／
□のＩＴＯ膜、 誘電体層 ：厚さ１０．８ｍｍの発泡ポリエチレンシ
ート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図２６のごとき構造の電波吸収体を形成し
た。この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波
により電波吸収特性を測定した結果が図２３に示されて
いる。周波数９．４ＧＨｚにおいてＴＭ波は良好な吸収
特性が得られているが、ＴＥ波においては満足できる吸
収特性が得られない。
【００５７】比較のための従来例３ 混合体層 ：クロロプレンゴムに平均粒子径が３μｍ
のフェライト粉末を体積比で３０％混合した厚さ２．５
ｍｍの複合材料シート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図２５のごとき構造の電波吸収体を形成し
た。この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波
により電波吸収特性を測定した結果が図２４に示されて
いる。周波数９．４ＧＨｚにおいてＴＭ波は良好な吸収
特性が得られているが、ＴＥ波においては満足できる吸
収特性が得られない。
のフェライト粉末を体積比で３０％混合した厚さ２．５
ｍｍの複合材料シート、 電波反射体層：厚さ３０μｍのアルミ箔、 を用いて、図２５のごとき構造の電波吸収体を形成し
た。この電波吸収体について、斜入射角度４５°の電波
により電波吸収特性を測定した結果が図２４に示されて
いる。周波数９．４ＧＨｚにおいてＴＭ波は良好な吸収
特性が得られているが、ＴＥ波においては満足できる吸
収特性が得られない。
【００５８】このように本発明の電波吸収体は、電波の
偏波に関係なく斜め入射の電波吸収特性が非常に優れて
いる。従って、垂直偏波だけでなく円偏波においても斜
め入射の不要反射波を効果的に抑制でき、しかも設計及
び製作が容易であるから低コストで製造が可能である。
偏波に関係なく斜め入射の電波吸収特性が非常に優れて
いる。従って、垂直偏波だけでなく円偏波においても斜
め入射の不要反射波を効果的に抑制でき、しかも設計及
び製作が容易であるから低コストで製造が可能である。
【００５９】以上述べた実施例は全て本発明を例示的に
示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は
他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができ
る。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等
範囲によってのみ規定されるものである。
示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は
他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができ
る。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等
範囲によってのみ規定されるものである。
【００６０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、抵抗膜層が、この抵抗膜層の層平面内における第１
の方向の表面抵抗と、第１の方向と交差する層平面内の
第２の方向の表面抵抗とが互いに異なるように構成され
ているので、偏波依存性のない非常に優れた電波吸収特
性を有している。従って、垂直偏波だけでなく円偏波に
ついても斜め入射の不要反射波を非常に効果的に抑制す
ることができる。また、設計及び製作が容易であるから
低コストで製造が可能である。
ば、抵抗膜層が、この抵抗膜層の層平面内における第１
の方向の表面抵抗と、第１の方向と交差する層平面内の
第２の方向の表面抵抗とが互いに異なるように構成され
ているので、偏波依存性のない非常に優れた電波吸収特
性を有している。従って、垂直偏波だけでなく円偏波に
ついても斜め入射の不要反射波を非常に効果的に抑制す
ることができる。また、設計及び製作が容易であるから
低コストで製造が可能である。
【図１】本発明の一実施例における電波吸収体の構成を
概略的に示す斜視図である。
概略的に示す斜視図である。
【図２】本発明における電波吸収原理を説明する図であ
る。
る。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図１の実施例における抵抗膜層の構成を概略的
に示す平面図である。
に示す平面図である。
【図５】抵抗膜層の変更態様の構成を概略的に示す斜視
図である。
図である。
【図６】本発明の他の実施例における電波吸収体の構成
を概略的に示す断面図である。
を概略的に示す断面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施例における抵抗膜層の
構成を概略的に示す平面図である。
構成を概略的に示す平面図である。
【図８】導電性パターンの変更態様の構成を概略的に示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図９】抵抗膜層の他の変更態様の構成を概略的に示す
斜視図である。
斜視図である。
【図１０】抵抗膜層のさらに他の変更態様の構成を概略
的に示す斜視図である。
的に示す斜視図である。
【図１１】構成例１の電波吸収特性を表す図である。
【図１２】構成例２の電波吸収特性を表す図である。
【図１３】表面抵抗値の変更例１の電波吸収特性を表す
図である。
図である。
【図１４】表面抵抗値の変更例２の電波吸収特性を表す
図である。
図である。
【図１５】表面抵抗値の変更例３の電波吸収特性を表す
図である。
図である。
【図１６】表面抵抗値の変更例４の電波吸収特性を表す
図である。
図である。
【図１７】構成例３の電波吸収特性を表す図である。
【図１８】構成例４の電波吸収特性を表す図である。
【図１９】構成例５の電波吸収特性を表す図である。
【図２０】構成例６の電波吸収特性を表す図である。
【図２１】比較のための従来例１の斜入射の電波吸収特
性を表す図である。
性を表す図である。
【図２２】比較のための従来例１の垂直入射の電波吸収
特性を表す図である。
特性を表す図である。
【図２３】比較のための従来例２の電波吸収特性を表す
図である。
図である。
【図２４】比較のための従来例３の電波吸収特性を表す
図である。
図である。
【図２５】従来の薄型電波吸収体の一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図２６】図２７のＡ−Ａ線断面図である。
【図２７】従来の薄型電波吸収体の他の例を示す斜視図
である。
である。
【図２８】垂直入射する電波の電界Ｅi 及び磁界Ｈi の
方向を説明する図である。
方向を説明する図である。
【図２９】斜入射するＴＥ波の電界Ｅi 及び磁界Ｈi の
方向を説明する図である。
方向を説明する図である。
【図３０】斜入射するＴＭ波の電界Ｅi 及び磁界Ｈi の
方向を説明する図である。
方向を説明する図である。
１０、６０ 誘電体層 １１、６１ 電波反射体層 １２、５２、６２、７２、８２、９２、１０２ 抵抗膜
層 １３、１４、５３、５４、１０３ 抵抗線 ６３ 保護膜層 ７３、７４、９３、９４、１０４ 導電性ストリップ
層 １３、１４、５３、５４、１０３ 抵抗線 ６３ 保護膜層 ７３、７４、９３、９４、１０４ 導電性ストリップ
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体層と、該誘電体層の一方の面上に
積層した電波反射体層と、該誘電体層の他方の面上に積
層した抵抗膜層とを備えた電波吸収体であって、前記抵
抗膜層は、該抵抗膜層の層平面内における第１の方向の
表面抵抗と、該第１の方向と交差する前記層平面内の第
２の方向の表面抵抗とが互いに異なるように構成されて
いることを特徴とする電波吸収体。 - 【請求項２】 前記第１の方向と前記第２の方向との交
差する角がほぼ直角であることを特徴とする請求項１に
記載の電波吸収体。 - 【請求項３】 前記第１の方向の表面抵抗と前記第２の
方向の表面抵抗との積が、自由空間の特性インピーダン
スの２乗にほぼ等しいことを特徴とする請求項１又は２
に記載の電波吸収体。 - 【請求項４】 前記抵抗膜層が、絶縁性繊維と所定の線
抵抗を有する導電性繊維又は金属線とを織り込んでなる
織布であることを特徴とする請求項１から３のいずれか
１項に記載の電波吸収体。 - 【請求項５】 前記抵抗膜層が、絶縁性膜上に所定の表
面抵抗を有する導電性膜を所定パターンで配置した膜か
らなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項
に記載の電波吸収体。 - 【請求項６】 前記抵抗膜層の前記誘電体層とは反対側
の面上に積層された保護膜層をさらに備えたことを特徴
とする請求項１から５のいずれか１項に記載の電波吸収
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09388394A JP3417048B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | 電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09388394A JP3417048B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | 電波吸収体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283578A true JPH07283578A (ja) | 1995-10-27 |
| JP3417048B2 JP3417048B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=14094882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09388394A Expired - Fee Related JP3417048B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | 電波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3417048B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002111277A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-04-12 | Tdk Corp | 円偏波用電波反射減衰体の設計方法および評価方法、電波反射減衰体評価装置、電波反射減衰体ならびに構造物 |
| JP2003243876A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-08-29 | Yoji Kozuka | 電波吸収体の特性変更方法 |
| JP2005317945A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Nitta Ind Corp | 電磁波吸収体 |
| JP2005331512A (ja) * | 2000-07-28 | 2005-12-02 | Tdk Corp | 円偏波用電波反射減衰体の評価方法および電波反射減衰体評価装置 |
| JP2007095830A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Nitta Ind Corp | 電磁波吸収体 |
| JP2008034651A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Takenaka Komuten Co Ltd | 電磁波吸収体 |
| US7495181B2 (en) | 2004-09-29 | 2009-02-24 | Nitta Corporation | Electromagnetic wave absorber |
| JP2009071317A (ja) * | 2008-10-24 | 2009-04-02 | Tdk Corp | 不要電波抑制構造 |
| WO2009157544A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | Kagawa Seiji | 電磁波吸収フィルム及びそれを用いた電磁波吸収体 |
| WO2011077834A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Kagawa Seiji | 複合電磁波吸収フィルム |
| CN114142246A (zh) * | 2021-11-24 | 2022-03-04 | 中国人民解放军空军工程大学 | 一种基于渐变阻抗的宽频大角度超材料吸波体及制备方法 |
-
1994
- 1994-04-08 JP JP09388394A patent/JP3417048B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8598470B2 (en) | 2008-06-26 | 2013-12-03 | Seiji Kagawa | Electromagnetic-wave-absorbing film and electromagnetic wave absorber comprising it |
| JP2009071317A (ja) * | 2008-10-24 | 2009-04-02 | Tdk Corp | 不要電波抑制構造 |
| WO2011077834A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Kagawa Seiji | 複合電磁波吸収フィルム |
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