JP2002111277A - 円偏波用電波反射減衰体の設計方法および評価方法、電波反射減衰体評価装置、電波反射減衰体ならびに構造物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波
用電波反射減衰体を、容易に且つ適切に実現できるよう
にする。 【解決手段】 円偏波用電波反射減衰体（電波吸収体３
０）の設計方法では、電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ
波）に対する電波反射減衰体の複素反射係数と磁界が入
射面に垂直な電波（ＴＭ波）に対する電波反射減衰体の
複素反射係数との平均の絶対値が所望の値以下になるよ
うに、各複素反射係数を変化させるパラメータの値を決
定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば移動体通
信、衛星通信、レーダー等で用いられる円偏波の電波に
おける不要な反射を抑制するための円偏波用電波反射減
衰体の設計方法および評価方法、電波反射減衰体評価装
置、電波反射減衰体ならびに電波反射減衰体を含む構造
物に関する。

【０００２】

【従来の技術】電波の不要な反射を抑制するものとして
電波吸収体が広く用いられている。電波吸収体は、所望
の周波数範囲、所望の入射角度範囲において所望の反射
減衰量が得られるように設計される。

【０００３】従来、電波が電波吸収体に斜めに入射する
場合における電波吸収体の設計は、電界が入射面に垂直
な電波であるＴＥ波の場合と、磁界が入射面に垂直な電
波であるＴＭ波の場合とに分けて行われていた。このよ
うな電波吸収体の設計方法は、例えば、文献“清水 康
敬 他編、「最新 電磁波の吸収と遮蔽」、日経技術図
書、１９９９年”や、“橋本 修 著、「電波吸収体入
門」、森北出版、１９９７年”に示されている。

【０００４】ところで、例えば特開平７−２８８３９３
号公報の段落００１７に記載されているように、ＴＥ波
およびＴＭ波の両直線偏波に対して良好な電波吸収特性
を有する電波吸収体は円偏波に対しても有効な電波吸収
特性を有することが知られている。そこで、従来は、円
偏波用の電波吸収体の設計は、ＴＥ波とＴＭ波の両直線
偏波に対して良好な電波吸収特性を有するように設計さ
れていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、円偏波
に対して良好な電波吸収特性を有する電波吸収体を実現
するために、電波吸収体がＴＥ波およびＴＭ波の両直線
偏波に対して良好な電波吸収特性を有するようにする必
要はない。従って、従来における円偏波用の電波吸収体
の設計方法では、余分な条件が課せられていると言うこ
とができる。

【０００６】また、円偏波用の電波吸収体の評価につい
ても、設計と同様のことが言える。すなわち、従来の円
偏波用の電波吸収体は、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に
対して良好な電波吸収特性を有するか否かによって評価
されていた。しかしながら、円偏波に対して良好な電波
吸収特性を有する電波吸収体が、必ずしもＴＥ波および
ＴＭ波の両直線偏波に対して良好な電波吸収特性を有す
る必要はない。従って、従来における円偏波用の電波吸
収体の評価方法では、余分な条件が課せられていると言
うことができる。

【０００７】なお、特開平１１−３２３７７０号公報に
は、形状がコイル状をしている微小炭素繊維からなる電
磁波吸収材料を含む難燃性電磁波吸収シートが示されて
いる。また、特開平１１−３２３７７０号公報には、段
落００１０において、「…さらに電磁波は、コイルによ
り直線偏波（水平、垂直）のほか円偏波（右回転、左回
転）を受け、さらに高導電性であるために反射、散乱な
どを受け急激に減衰する。」と記載されている。

【０００８】しかしながら、特開平１１−３２３７７０
号公報には、とりわけ円偏波に対して、電波吸収体が良
好な電波吸収特性を有するようにするための設計方法は
記載されていない。また、円偏波に対する電波吸収体の
電波吸収特性を評価した結果も記載されていない。

【０００９】本発明はかかる問題点を鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、円偏波の電波の反射を抑制す
るための円偏波用電波反射減衰体を、容易に且つ適切に
実現できるようにした円偏波用電波反射減衰体の設計方
法を提供することにある。

【００１０】また、本発明の第２の目的は、円偏波の電
波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を、
容易に且つ適切に評価できるようにした円偏波用電波反
射減衰体の評価方法を提供することにある。

【００１１】また、本発明の第３の目的は、円偏波の電
波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体
を容易に且つ適切に実現できるようにするために、電波
反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を適切に評価
できるようにした電波反射減衰体評価装置を提供するこ
とにある。

【００１２】また、本発明の第４の目的は、円偏波の電
波に対して所望の反射減衰特性を有し、容易に且つ適切
に実現できるようにした電波反射減衰体およびこの電波
反射減衰体を含む構造物を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の円偏波用電波反
射減衰体の設計方法は、円偏波の電波に対して所望の反
射減衰特性を有する円偏波用電波反射減衰体を設計する
方法であって、電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に
対する電波反射減衰体の複素反射係数と磁界が入射面に
垂直な電波（ＴＭ波）に対する電波反射減衰体の複素反
射係数との平均の絶対値が所望の値以下になるように、
各複素反射係数を変化させるパラメータの値を決定する
ものである。

【００１４】本発明の円偏波用電波反射減衰体の設計方
法では、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して良好な反
射減衰特性を有するように電波反射減衰体を設計するの
ではなく、ＴＥ波に対する複素反射係数とＴＭ波に対す
る複素反射係数との平均の絶対値が所望の値以下になる
ように電波反射減衰体を設計する。

【００１５】なお、本発明において、円偏波とは、完全
な円偏波のみでなく、概ね円偏波とみなせる楕円偏波も
含む。本発明において、概ね円偏波とみなせる楕円偏波
とは、軸比（楕円偏波率）が１．１以下の楕円偏波を言
う。

【００１６】本発明の第１の円偏波用電波反射減衰体の
評価方法は、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏
波用電波反射減衰体を評価する方法であって、電界が入
射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対する電波反射減衰体の
複素反射係数と磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ波）に
対する電波反射減衰体の複素反射係数とをそれぞれ独立
に測定する手順と、円偏波に対する電波反射減衰体の複
素反射係数の絶対値として、測定された２つの複素反射
係数の平均の絶対値を求める手順と、求められた円偏波
に対する複素反射係数の絶対値を用いて電波反射減衰体
の評価を行う手順とを備えたものである。

【００１７】本発明の第１の円偏波用電波反射減衰体の
評価方法では、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して良
好な反射減衰特性を有するか否かによって電波反射減衰
体を評価するのではなく、円偏波に対する複素反射係数
の絶対値を用いて電波反射減衰体の評価を行う。

【００１８】本発明の第２の円偏波用電波反射減衰体の
評価方法は、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏
波用電波反射減衰体を評価する方法であって、電波反射
減衰体に対して円偏波の電波を放射し、電波反射減衰体
で反射されて、放射された電波とは逆旋となる円偏波の
電波を受信して、円偏波に対する電波反射減衰体の反射
減衰量を求める手順と、求められた反射減衰量を用いて
電波反射減衰体の評価を行う手順とを備えたものであ
る。

【００１９】本発明の第２の円偏波用電波反射減衰体の
評価方法では、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して良
好な反射減衰特性を有するか否かによって電波反射減衰
体を評価するのではなく、円偏波に対する反射減衰量を
用いて電波反射減衰体の評価を行う。

【００２０】本発明の第１の電波反射減衰体評価装置
は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏
波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装
置であって、電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対
する電波反射減衰体の複素反射係数と磁界が入射面に垂
直な電波（ＴＭ波）に対する電波反射減衰体の複素反射
係数とをそれぞれ独立に測定する測定手段と、円偏波に
対する電波反射減衰体の複素反射係数の絶対値として、
測定手段によって測定された２つの複素反射係数の平均
の絶対値を求める演算手段とを備えたものである。

【００２１】本発明の第１の電波反射減衰体評価装置で
は、測定手段によって、ＴＥ波に対する電波反射減衰体
の複素反射係数とＴＭ波に対する電波反射減衰体の複素
反射係数とが独立に測定され、演算手段によって、円偏
波に対する電波反射減衰体の複素反射係数の絶対値とし
て、測定された２つの複素反射係数の平均の絶対値が求
められる。

【００２２】本発明の第２の電波反射減衰体評価装置
は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏
波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装
置であって、電波反射減衰体に対して円偏波の電波を放
射する送信手段と、円偏波に対する電波反射減衰体の反
射減衰量を求めるために、電波反射減衰体で反射され
て、送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波
の電波を受信する受信手段とを備えたものである。

【００２３】本発明の第２の電波反射減衰体評価装置で
は、送信手段によって電波反射減衰体に対して円偏波の
電波が放射され、電波反射減衰体で反射されて、送信手
段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波が受
信手段によって受信される。

【００２４】本発明の第３の電波反射減衰体評価装置
は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏
波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装
置であって、内壁の少なくとも一部に電波吸収体が配置
された筐体を有する電波暗箱と、電波暗箱内に設けら
れ、評価対象の電波反射減衰体が設置される設置部と、
電波暗箱内に設置され、電波反射減衰体に対して円偏波
の電波を放射する送信手段と、電波暗箱内に設置され、
円偏波に対する電波反射減衰体の反射減衰量を求めるた
めに、電波反射減衰体で反射されて、送信手段より放射
された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信する受信
手段とを備えたものである。

【００２５】本発明の第３の電波反射減衰体評価装置で
は、電波暗箱内の設置部に設置された電波反射減衰体に
対して、送信手段によって円偏波の電波が放射され、電
波反射減衰体で反射されて、送信手段より放射された電
波とは逆旋となる円偏波の電波が受信手段によって受信
される。

【００２６】本発明の第３の電波反射減衰体評価装置に
おいて、電波暗箱は扉を有し、設置部は扉の内面に設け
られていてもよい。

【００２７】また、本発明の第３の電波反射減衰体評価
装置において、設置部は評価対象の電波反射減衰体を着
脱自在に保持する保持部材を有していてもよい。

【００２８】また、本発明の第３の電波反射減衰体評価
装置において、送信手段は送信アンテナを有し、受信手
段は受信アンテナを有し、電波反射減衰体評価装置は、
更に、電波暗箱内に設置され、送信アンテナおよび受信
アンテナを支持するアンテナ支持具を備えていてもよ
い。

【００２９】本発明の第４の電波反射減衰体評価装置
は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏
波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装
置であって、内壁の少なくとも一部に電波吸収体が配置
された筐体を有する電波暗箱と、電波暗箱に設けられ、
電波暗箱外から電波暗箱内へ評価対象の電波反射減衰体
を挿入可能とする挿入部と、電波暗箱内に設置され、電
波反射減衰体に対して円偏波の電波を放射する送信手段
と、電波暗箱内に設置され、円偏波に対する電波反射減
衰体の反射減衰量を求めるために、電波反射減衰体で反
射されて、送信手段より放射された電波とは逆旋となる
円偏波の電波を受信する受信手段とを備えたものであ
る。

【００３０】本発明の第４の電波反射減衰体評価装置で
は、挿入部より電波暗箱内に挿入された電波反射減衰体
に対して、送信手段によって円偏波の電波が放射され、
電波反射減衰体で反射されて、送信手段より放射された
電波とは逆旋となる円偏波の電波が受信手段によって受
信される。

【００３１】本発明の第４の電波反射減衰体評価装置
は、更に、評価対象の電波反射減衰体が設置され、挿入
部より電波暗箱内へ挿入される可動台を備えていてもよ
い。

【００３２】また、本発明の第４の電波反射減衰体評価
装置において、送信手段は送信アンテナを有し、受信手
段は受信アンテナを有し、電波反射減衰体評価装置は、
更に、電波暗箱内に設置され、送信アンテナおよび受信
アンテナを支持するアンテナ支持具を備えていてもよ
い。

【００３３】本発明の第１の電波反射減衰体は、電波の
反射を抑制するためのものであって、４０度の電波入射
角度において、電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に
対する反射減衰量と磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ
波）に対する反射減衰量の一方は２０ｄＢ未満であり、
円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上であるもので
ある。

【００３４】本発明の第１の電波反射減衰体では、４０
度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量
とＴＭ波に対する反射減衰量の一方は２０ｄＢ以上とは
ならなくとも、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以
上となる。

【００３５】本発明の第１の電波反射減衰体において、
０度〜４０度の電波入射角度範囲内の全域において、円
偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上であってもよ
い。

【００３６】本発明の第２の電波反射減衰体は、電波の
反射を抑制するためのものであって、４０度の電波入射
角度において、電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に
対する反射減衰量と磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ
波）に対する反射減衰量は共に２０ｄＢ未満であり、円
偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上であるものであ
る。

【００３７】本発明の第２の電波反射減衰体では、４０
度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量
とＴＭ波に対する反射減衰量は共に２０ｄＢ以上とはな
らなくとも、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上
となる。

【００３８】本発明の第２の電波反射減衰体において、
０度〜４０度の電波入射角度範囲内の全域において、円
偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上であってもよ
い。

【００３９】本発明の第３の電波反射減衰体は、電波の
反射を抑制するためのものであって、５０度の電波入射
角度において、電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に
対する反射減衰量と磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ
波）に対する反射減衰量の一方は１５ｄＢ未満であり、
円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上であるもので
ある。

【００４０】本発明の第３の電波反射減衰体では、５０
度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量
とＴＭ波に対する反射減衰量の一方は１５ｄＢ以上とは
ならなくとも、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以
上となる。

【００４１】本発明の第３の電波反射減衰体において、
０度〜５０度の電波入射角度範囲内の全域において、円
偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上であってもよ
い。

【００４２】本発明の第４の電波反射減衰体は、電波の
反射を抑制するためのものであって、５０度の電波入射
角度において、電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に
対する反射減衰量と磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ
波）に対する反射減衰量は共に１５ｄＢ未満であり、円
偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上であるものであ
る。

【００４３】本発明の第４の電波反射減衰体では、５０
度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量
とＴＭ波に対する反射減衰量は共に１５ｄＢ以上とはな
らなくとも、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上
となる。

【００４４】本発明の第４の電波反射減衰体において、
０度〜５０度の電波入射角度範囲内の全域において、円
偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上であってもよ
い。

【００４５】本発明の構造物は、上記の各電波反射減衰
体のいずれかを含むものである。

【００４６】なお、本発明において、電波反射減衰体
は、減衰させるべき電波の周波数または所定の周波数範
囲の周波数帯について、所望の反射減衰特性を有すれば
よい。減衰させるべき電波の周波数は、一点の周波数で
もよいし、複数点の周波数でもよい。また、周波数帯
は、一つの周波数帯であってもよいし、複数の周波数帯
であってもよい。

【００４７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照
して、本出願において用いられる用語について説明す
る。図１は、電波反射減衰体１に入射した電波が、電波
反射減衰体１によって反射される様子を表している。入
射波２と反射波３とを含む面を入射面４と言う。電波反
射減衰体１の電波到来側の面における入射波２の入射点
で、その面に立てた法線を入射法線５と言う。入射法線
５と入射波２の進行方向とがなす角度を入射角度θ_iと
言い、入射法線５と出射波３の進行方向とがなす角度を
反射角度θ_rという。反射減衰体１の電波到来側の面が
平面である場合には、入射角度θ_iと反射角度θ_rは等し
い。

【００４８】また、電界が入射面に垂直な電波をＴＥ波
と言い、磁界が入射面に垂直な電波をＴＭ波と言う。図
１において、符号１１はＴＥ波の電界ベクトルを表し、
符号１２はＴＭ波の電界ベクトルを表している。これら
ＴＥ波およびＴＭ波の電界ベクトルの大きさは、周波数
に依存し時間変化に伴って変化している。また、電界ベ
クトルが周波数に依存し時間変化に伴って回転している
電波を円偏波と言う。円偏波には、電界ベクトルが右回
転する右旋偏波１３と、電界ベクトルが左回転する左旋
偏波１４とがある。

【００４９】［第１の実施の形態］次に、本発明の第１
の実施の形態に係る円偏波用電波反射減衰体の設計方法
および電波反射減衰体について説明する。

【００５０】本実施の形態に係る設計方法は、円偏波の
電波に対して所望の反射減衰特性を有する円偏波用電波
反射減衰体を設計する方法であって、ＴＥ波に対する電
波反射減衰体の複素反射係数Γ_TE ^*（＊は複素数である
ことを表す。）とＴＭ波に対する電波反射減衰体の複素
反射係数Γ_TM ^*との平均の絶対値｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／
２｜が所望の値Ａ以下になるように、各複素反射係数Γ
_TE ^*、Γ_TM ^*を変化させるパラメータの値を決定するもの
である。複素反射係数Γ_TE ^*、Γ_TM ^*を変化させるパラメ
ータは、例えば電波反射減衰体が電波吸収体の場合に
は、電波吸収体を構成する１以上の層の電磁気的な定数
（複素比誘電率、複素比透磁率）や厚さ等である。

【００５１】上記の｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜は、円偏
波に対する電波反射減衰体の複素反射係数Γ_CP ^*の絶対
値となる。従って、本実施の形態に係る設計方法は、以
下の式（１）を満たすように、複素反射係数Γ_TE ^*、Γ
_TM ^*を変化させるパラメータの値を決定するものであ
る。

【００５２】 ｜Γ_CP ^*｜＝｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜≦ Ａ …（１）

【００５３】円偏波に対する電波反射減衰体の反射減衰
量Ｓは、−２０log｜Γ_CP ^*｜（単位はｄＢ）と表され
る。従って、本実施の形態に係る設計方法は、以下の式
（２）を満たすように、複素反射係数Γ_TE ^*、Γ_TM ^*を変
化させるパラメータの値を決定すると言うこともでき
る。

【００５４】 Ｓ＝−２０log｜Γ_CP ^*｜ ＝−２０log｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜≧−２０logＡ …（２）

【００５５】本実施の形態に係る設計方法では、所望の
周波数範囲および所望の入射角度範囲において、上記式
（１）または式（２）を満たすように、複素反射係数Γ
_TE ^*、Γ_TM ^*を変化させるパラメータの値を決定する。

【００５６】なお、本実施の形態において、円偏波と
は、完全な円偏波のみでなく、概ね円偏波とみなせる楕
円偏波も含む。本実施の形態において、概ね円偏波とみ
なせる楕円偏波とは、軸比（楕円偏波率）が１．１以下
の楕円偏波を言う。

【００５７】また、電波反射減衰体は、電波の反射を抑
制するものであればよく、代表的な例としては電波吸収
体があるが、電波吸収体に限られるものではない。図２
ないし図４は、電波吸収体以外の電波反射減衰体の例を
示したものである。

【００５８】図２は、位相調整型の電波反射減衰体２１
を示している。この電波反射減衰体２１は電波を反射す
る材料によって構成され、段差を有する２種類の反射面
２１ａ，２１ｂを有している。電波反射減衰体２１に入
射した電波２０は反射面２１ａ，２１ｂで反射される。
反射面２１ａで反射された電波と反射面２１ｂで反射さ
れた電波との間には位相差が生じ、この位相差により、
２つの反射波が重なった後の電波が減衰される。

【００５９】図３、図４は、それぞれ、電波散乱型の電
波反射減衰体２２，２３を示している。これらの電波反
射減衰体２２，２３は電波を反射する材料によって構成
されている。電波反射減衰体２２は多角錘形状または楔
形状の反射面を有している。電波反射減衰体２３は波形
の反射面を有している。電波反射減衰体２２，２３に入
射した電波２０は反射面で反射、散乱され、反射波が減
衰される。

【００６０】例えば図２ないし図４に示したような電波
反射減衰体であっても、ＴＥ波、ＴＭ波それぞれに対す
る電波反射減衰体の複素反射係数を計算することによ
り、円偏波に対する電波反射減衰体の複素反射係数の絶
対値を計算することができ、これにより、電波反射減衰
体の設計が可能になる。

【００６１】ここまでは、円偏波の電波に対して所望の
反射減衰特性を有する円偏波用電波反射減衰体を設計す
る方法について説明してきたが、本実施の形態に係る設
計方法は、楕円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性
を有する電波反射減衰体を設計する場合にも応用するこ
とができる。

【００６２】以下、楕円偏波の電波に対して所望の反射
減衰特性を有する電波反射減衰体を設計する方法につい
て説明する。まず、図５に示したように、電波の入射面
と平行な方向をｘ方向とし、入射面と垂直な方向をｙ方
向とする。また、楕円偏波の入射電波のｘ方向の電界Ｅ
ｘの大きさの最大値をＸ＝｜Ｅｘ｜とし、入射電波のｙ
方向の電界Ｅｙの大きさの最大値をＹ＝｜Ｅｙ｜とす
る。楕円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有す
る電波反射減衰体を設計するには、以下の式（３）で表
されるように、楕円偏波に対する電波反射減衰体の複素
反射係数Γ_EP ^*の絶対値が所望の値Ａ以下になるよう
に、複素反射係数Γ_TE ^*、Γ_TM ^*を変化させるパラメータ
の値を決定すればよい。

【００６３】 ｜Γ_EP ^*｜＝｜［｛Y／（X＋Y）｝Γ_TE ^* +｛X／（X＋Y）｝Γ_TM ^*）］｜≦ Ａ …（３）

【００６４】楕円偏波に対する電波反射減衰体を設計す
る場合には、入射電波のｘ方向の電界の大きさの最大値
Ｘとｙ方向の電界の大きさの最大値Ｙとが異なるので、
電波反射減衰体に対して入射面を固定する必要がある。
すなわち、電波の到来方向と電波反射減衰体の設置位置
との関係を固定する必要がある。なお、電波反射減衰体
が、ＴＥ波、ＴＭ波の両直線偏波に対して良好な電波吸
収特性を有する電波吸収体の場合には、電波反射減衰体
の反射減衰特性は、電波の到来方向と電波反射減衰体の
設置位置との関係に依存しない。

【００６５】以下、電波反射減衰体として電波吸収体を
用いる場合を例にとって、本実施の形態に係る設計方法
について更に詳しく説明する。

【００６６】電波反射減衰体としての電波吸収体は、抵
抗体（導電体）によって裏打されていてもよい。抵抗体
（導電体）としては、金属板や、導電性メッシュや、透
光性もしくは透明性を有する抵抗膜等を用いることがで
きる。抵抗体（導電体）が、導電性メッシュや透光性も
しくは透明性を有する抵抗膜である場合には、それが電
波反射体として機能すべく、その面抵抗値が０Ω□〜５
０Ω□以下であることが好ましい。

【００６７】また、電波吸収体は誘電体からなる層（以
下、誘電体層と言う。）を含んでいてもよい。誘電体層
としては、空気層や、有機材質や無機材質の誘電体の層
や、有機材質や無機材質の誘電体の発泡材からなる層
や、有機材質や無機材質の誘電体の基材に誘電損失体の
紛粒や誘電損失体の繊維を混合したものからなる層や、
有機材質や無機材質の誘電体の発泡材に誘電損失体の紛
粒や誘電損失体の繊維を混合したものからなる層等を用
いることができる。

【００６８】次に、円偏波用電波反射減衰体としての電
波吸収体およびその設計方法の３つの実施例について説
明する。

【００６９】［第１の実施例］第１の実施例は、抵抗体
（導電体）および１層の誘電体層からなる電波吸収体お
よびその設計方法の例である。

【００７０】図６は、抵抗体（導電体）３１および１層
の誘電体層３２からなる電波吸収体３０の構成およびそ
の電気的等価回路を示している。この電波吸収体３０で
は、誘電体層３２が電波到来側に配置される。この電波
吸収体３０において、抵抗体（導電体）３１を第１層と
し、誘電体層３２を第２層とする。

【００７１】また、自由空間（空気）の特性インピーダ
ンスをＺ₀とし、自由空間における電波の波長をλ₀と
し、電波吸収体３０の表面への電波の入射角度をθと
し、第ｋ層の複素比誘電率をε_rk ^*とし、第ｋ層の複素
比透磁率をμ_rk ^*とし、第ｋ層の厚さをｄ_kとし、第ｋ層
の特性インピーダンスをＺ_Ck ^*とし、第ｋ−１層の電波
到来側表面から見込んだインピーダンスをＺ_ink-1 ^*と
し、第ｋ層の伝搬定数をγ_k ^*（＝ｊ・（２π／λ₀）√
（ε_rk ^*μ_rk ^*−ｓｉｎ²θ））とする。

【００７２】第ｋ層が抵抗体（導電体）以外の場合、す
なわち、本実施例においてｋ＝２の場合には、第ｋ層の
電波到来側表面から見込んだインピーダンスＺ_ink ^*は、
次の式（４）で表される。

【００７３】 Ｚ_ink ^*＝Ｚ_Ck ^*（Ｚ_ink-1 ^*＋Ｚ_Ck ^*ｔａｎｈγ_k ^*ｄ_k）／（Ｚ_Ck ^*＋Ｚ_ink-1 ^*ｔａｎ ｈγ_k ^*ｄ_k） …（４）

【００７４】ここで、入射電波がＴＥ波の場合には、Ｚ
_Ck ^*＝Ｚ₀μ_rk ^*／√（ε_rk ^*μ_rk ^*−ｓｉｎ²θ）であり、
入射電波がＴＭ波の場合には、Ｚ_Ck ^*＝Ｚ₀√（μ_rk ^*ε
_rk ^*−ｓｉｎ²θ）／ε_rk ^*である。

【００７５】次に、第ｋ層が抵抗体（導電体）の場合、
すなわち、本実施例においてｋ＝１の場合には、第ｋ層
の電波到来側表面から見込んだインピーダンスＺ
_ink ^*は、次の式（５）で表される。

【００７６】 Ｚ_ink ^*＝Ｒ_k・Ｚ_ink-1 ^*／（Ｒ_k＋Ｚ_ink-1 ^*） …（５）

【００７７】ここで、Ｒ_kは第ｋ層の面抵抗値（単位は
Ω□）である。

【００７８】以上の漸化式（４）、（５）より、電波吸
収体３０の電波到来側表面から見込んだインピーダンス
Ｚ_inN ^*が求められる。なお、本実施例ではＮ＝２であ
る。

【００７９】上記インピーダンスＺ_inN ^*より、ＴＥ波に
対する複素反射係数Γ_TE ^*と、ＴＭ波に対する複素反射
係数Γ_TM ^*は、以下の式によって求められる。

【００８０】Γ_TE ^*＝｛Ｚ_inN ^*−（Ｚ₀／ｃｏｓθ）｝／
｛Ｚ_inN ^*＋（Ｚ₀／ｃｏｓθ）｝

【００８１】Γ_TM ^*＝（Ｚ_inN ^*−Ｚ₀ｃｏｓθ）／（Ｚ
_inN ^*＋Ｚ₀ｃｏｓθ）

【００８２】また、円偏波に対する電波吸収体３０の反
射減衰係数の絶対値｜Γ_CP ^*｜は、以下の式によって求
められる。

【００８３】｜Γ_CP ^*｜＝｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜

【００８４】更に、円偏波に対する電波吸収体３０の反
射減衰量Ｓ（単位はｄＢ）は、以下の式によって求めら
れる。

【００８５】Ｓ＝−２０log｜Γ_CP ^*｜＝−２０log｜
（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜

【００８６】ここで、例えば、円偏波に対する電波吸収
体３０の反射減衰係数の絶対値｜Γ _CP ^*｜、すなわち｜
（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜が０．１以下になるように設計
すれば、円偏波に対する電波吸収体３０の反射減衰量Ｓ
は２０ｄＢ以上となる。

【００８７】なお、抵抗体(導電体)３１が金属板である
場合、すなわちＲ_k＝０である場合には、Ｚ_ink-1 ^*によ
らず、Ｚ_ink ^*＝０である。このことは、金属板が存在し
た場合には、この層より小さい番号の層、すなわち電波
進行方向の層についてインピーダンスの計算を行う必要
がないことを示している。

【００８８】本実施例において抵抗体(導電体)３１が金
属板である場合には、Ｚ_in1 ^*＝０となるので、Ｚ
_in2 ^*は、以下の式のようになる。

【００８９】Ｚ_in2 ^*＝Ｚ_C2 ^*（Ｚ_in1 ^*＋Ｚ_C2 ^*ｔａｎｈγ
₂ ^*ｄ₂）／（Ｚ_C2 ^*＋Ｚ_in1 ^*ｔａｎｈγ₂ ^*ｄ₂）＝Ｚ_C2 ^*ｔ
ａｎｈγ₂ ^*ｄ₂

【００９０】次に、本実施例における電波吸収体３０の
設計の一例と、設計された電波吸収体３０について計算
によって求めた特性を示す。この設計では、周波数ｆ＝
５．８（ＧＨｚ）、Ｒ₁＝０（Ω□）、ε_r2 ^*＝１．９−
ｊ・１．１（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r2 ^*＝１−ｊ
・０、ｄ₂＝１１（ｍｍ）とした。電波吸収体３０に対
する電波の入射角度が０度〜７０度の場合において、設
計された電波吸収体３０について計算によって求めた特
性、すなわちＴＥ波、ＴＭ波および円偏波のそれぞれに
ついての入射角度と反射減衰量との関係を図７に示す。

【００９１】図７において、０度〜５０度の入射角度範
囲に着目する。ＴＥ波の場合にはこの入射角度範囲内に
おいて１５ｄＢ以上の反射減衰量を有しているが、ＴＭ
波の場合には入射角度が約３６度以上になると反射減衰
量が１５ｄＢ未満となっている。ところが、円偏波に対
しては、この入射角度範囲内において、１５ｄＢ以上の
反射減衰量を有している。このことは、所望の入射角度
範囲で円偏波に対して１５ｄＢ以上の反射減衰量を有す
る電波吸収体が、必ずしもＴＥ波およびＴＭ波の両直線
偏波に対して１５ｄＢ以上の反射減衰量を有する必要が
ないことを示している。

【００９２】図７に示した特性の電波吸収体は、５０度
の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量と
ＴＭ波に対する反射減衰量の一方は１５ｄＢ未満であ
り、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上である電
波反射減衰体となる。また、図７に示した特性の電波吸
収体では、０度〜５０度の電波入射角度範囲内の全域に
おいて、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上であ
る。

【００９３】［第２の実施例］第２の実施例は、抵抗体
（導電体）および３層の誘電体層からなる電波吸収体お
よびその設計方法の例である。

【００９４】図８は、抵抗体（導電体）４１と、この抵
抗体（導電体）４１側から順に配置された誘電体層４
２，４３，４４からなる電波吸収体４０の構成およびそ
の電気的等価回路を示している。この電波吸収体４０で
は、誘電体層４４が電波到来側に配置される。この電波
吸収体４０において、抵抗体（導電体）４１を第１層と
し、誘電体層４２を第２層とし、誘電体層４３を第３層
とし、誘電体層４４を第４層とする。

【００９５】本実施例においても、第１層に対しては第
１の実施例で示した漸化式（５）を用い、第２層、第３
層、第４層に対しては第１の実施例で示した漸化式
（４）を用いることによって、円偏波用電波反射減衰体
としての電波吸収体４０の設計が可能である。

【００９６】次に、本実施例における電波吸収体４０の
設計の一例と、設計された電波吸収体４０について計算
によって求めた特性を示す。この設計では、周波数ｆ＝
５．８（ＧＨｚ）、Ｒ₁＝０（Ω□）、ε_r2 ^*＝１．９−
ｊ・１．１（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r2 ^*＝１−ｊ
・０、ｄ₂＝２７（ｍｍ）、ε_r3 ^*＝１．５４−ｊ・０．
３２（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r3 ^*＝１−ｊ・０、
ｄ₃＝３．５（ｍｍ）、ε_r4 ^*＝２．８−ｊ・０．０２
（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r4 ^*＝１−ｊ・０、ｄ₄＝
１（ｍｍ）とした。電波吸収体４０に対する電波の入射
角度が０度〜７０度の場合において、設計された電波吸
収体４０について計算によって求めた特性、すなわちＴ
Ｅ波、ＴＭ波および円偏波のそれぞれについての入射角
度と反射減衰量との関係を図９に示す。

【００９７】図９において、０度〜４０度の入射角度範
囲に着目する。ＴＭ波の場合にはこの入射角度範囲内に
おいて２０ｄＢ以上の反射減衰量を有しているが、ＴＥ
波の場合には入射角度が約３８度以上になると反射減衰
量が２０ｄＢ未満となっている。ところが、円偏波に対
しては、この入射角度範囲内において、２０ｄＢ以上の
反射減衰量を有している。このことは、所望の入射角度
範囲で円偏波に対して２０ｄＢ以上の反射減衰量を有す
る電波吸収体が、必ずしもＴＥ波およびＴＭ波の両直線
偏波に対して２０ｄＢ以上の反射減衰量を有する必要が
ないことを示している。

【００９８】図９に示した特性の電波吸収体は、４０度
の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量と
ＴＭ波に対する反射減衰量の一方は２０ｄＢ未満であ
り、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上である電
波反射減衰体となる。また、図９に示した特性の電波吸
収体では、０度〜４０度の電波入射角度範囲内の全域に
おいて、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上であ
る。

【００９９】また、図９において、０度〜５０度の入射
角度範囲に着目する。ＴＭ波の場合にはこの入射角度範
囲内において１５ｄＢ以上の反射減衰量を有している
が、ＴＥ波の場合には入射角度が約４９度以上になると
反射減衰量が１５ｄＢ未満となっている。ところが、円
偏波に対しては、この入射角度範囲内において、１５ｄ
Ｂ以上の反射減衰量を有している。このことは、所望の
入射角度範囲で円偏波に対して１５ｄＢ以上の反射減衰
量を有する電波吸収体が、必ずしもＴＥ波およびＴＭ波
の両直線偏波に対して１５ｄＢ以上の反射減衰量を有す
る必要がないことを示している。

【０１００】図９に示した特性の電波吸収体は、５０度
の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量と
ＴＭ波に対する反射減衰量の一方は１５ｄＢ未満であ
り、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上である電
波反射減衰体となる。また、図９に示した特性の電波吸
収体では、０度〜５０度の電波入射角度範囲内の全域に
おいて、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上であ
る。

【０１０１】次に、図９に示した設計例の電波吸収体４
０について、入射角度が０度〜７０度の場合において、
計算によって求めた複素反射係数の特性、すなわちＴＥ
波、ＴＭ波および円偏波のそれぞれについての入射角度
と複素反射係数との関係を図１０および図１１に示す。
図１０は入射角度と複素反射係数の実部との関係を示
し、図１１は入射角度と複素反射係数の虚部との関係を
示している。

【０１０２】図１０に示した複素反射係数の実部に着目
すると、ＴＥ波の場合には入射角度が大きくなるにつれ
て複素反射係数の実部は負側に大きくなり、ＴＭ波の場
合には入射角度が大きくなるにつれて複素反射係数の実
部は正側に大きくなっている。しかしながら、円偏波の
場合における複素反射係数の実部は、ＴＥ波の場合にお
ける複素反射係数の実部とＴＭ波の場合における複素反
射係数の実部との平均となるために、入射角度が大きく
なっても入射角度０度における値を概ね維持している。

【０１０３】また、図１１に示した複素反射係数の虚部
に着目すると、円偏波の場合における複素反射係数の虚
部は、ＴＥ波の場合における複素反射係数の虚部とＴＭ
波の場合における複素反射係数の虚部との平均となるた
めに、その複素反射係数の虚部の絶対値は、ＴＥ波の場
合における複素反射係数の虚部の絶対値とＴＭ波の場合
における複素反射係数の虚部の絶対値のうちの大きい方
の値よりも小さくなっている。

【０１０４】以上のことから分かるように、円偏波に対
して良好な反射減衰特性（電波吸収特性）を有する電波
吸収体を設計する場合には、ＴＥ波およびＴＭ波の両直
線偏波に対して良好な反射減衰特性（電波吸収特性）を
有するように設計する必要はなく、ＴＥ波の場合におけ
る複素反射係数とＴＭ波の場合における複素反射係数と
の平均値が、実部、虚部共に０に近づくように設計する
ことが必要である。

【０１０５】ところで、ＴＥ波、ＴＭ波および円偏波の
それぞれについて、電波吸収体の電波到来側表面から見
込んだインピーダンスが、Ｚ_inTE ^*、Ｚ_inTM ^*およびＺ
_inCP ^*とすると、（Ｚ_inTE ^*）² +（Ｚ_inTM ^*）² −２Ｚ
_inTE ^*・Ｚ_inTM ^*＝０を満たす範囲においては、Ｚ_inCP ^*
＝（Ｚ_inTE ^*＋Ｚ_inTM ^* ）／２が成り立っている。

【０１０６】次に、本実施例における電波吸収体４０の
設計の他の例と、設計された電波吸収体４０について計
算によって求めた特性を示す。この設計では、周波数ｆ
＝５．８（ＧＨｚ）、Ｒ₁＝０（Ω□）、ε_r2 ^*＝１．９
−ｊ・１．１（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r2 ^*＝１−
ｊ・０、ｄ₂＝２７（ｍｍ）、ε_r3 ^*＝１．５４−ｊ・
０．３２（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r3 ^*＝１−ｊ・
０、ｄ₃＝５（ｍｍ）、ε _r4 ^*＝２．８−ｊ・０．０２
（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r4 ^*＝１−ｊ・０、ｄ ₄＝
１（ｍｍ）とした。電波吸収体４０に対する電波の入射
角度が０度〜７０度の場合において、設計された電波吸
収体４０について計算によって求めた特性、すなわちＴ
Ｅ波、ＴＭ波および円偏波のそれぞれについての入射角
度と反射減衰量との関係を図１２に示す。

【０１０７】図１２において、０度〜５０度の入射角度
範囲に着目する。ＴＭ波の場合にはこの入射角度範囲内
において２０ｄＢ以上の反射減衰量を有しているが、Ｔ
Ｅ波の場合には入射角度が約４５度以上になると反射減
衰量が２０ｄＢ未満となっている。ところが、円偏波に
対しては、この入射角度範囲内において、２０ｄＢ以上
の反射減衰量を有している。このことは、所望の入射角
度範囲で円偏波に対して２０ｄＢ以上の反射減衰量を有
する電波吸収体が、必ずしもＴＥ波およびＴＭ波の両直
線偏波に対して２０ｄＢ以上の反射減衰量を有する必要
がないことを示している。

【０１０８】ところで、本実施の形態に係る円偏波用電
波吸収体の設計方法において、電波吸収体は磁性体から
なる層（以下、磁性体層と言う。）を含んでいてもよ
い。磁性体層では、複素比透磁率μ_r ^*が１−ｊ・０では
なくなる。磁性体層としては、焼結フェライトからなる
層や、有機材質や無機材質の誘電体の基材に磁性体の紛
粒を混合したものからなる層や、有機材質や無機材質の
誘電体の発泡材に磁性体の紛粒を混合したものからなる
層等を用いることができる。また、磁性体層には、複素
比誘電率を調整すべく、誘電体の粉粒もしくは誘電損失
体の粉粒や誘電損失体の繊維を混合してもよい。

【０１０９】また、本実施例では、３層の誘電体層を有
する電波吸収体を示したが、より多くの層を含む電波吸
収体も、第１の実施例で示した漸化式を用いることによ
り設計可能である。また、電波吸収体は、誘電体層のみ
が積層されてなるものや、複数の磁性体層のみが積層さ
れてなるものに限らず、誘電体層および磁性体層が積層
されてなるものでもよい。

【０１１０】また、電波吸収体は、後述する第３の実施
例のように、抵抗体からなる層（膜）を含んでいてもよ
い。抵抗体（導電体）からなる層（膜）は、透光性もし
くは透明性を有する膜であってもよい。透光性を有する
膜としては、例えば、透明な誘電体（有機高分子、ガラ
ス等）の上に金属酸化物、金属窒化物または金属を蒸
着、スパッタリング、イオンプレーティング、塗布等の
方法によって形成された透明な膜を用いることができ
る。また、抵抗体（導電体）からなる層（膜）の面抵抗
値（単位はΩ□）は、周波数分散性もしくは周波数選択
性を有していてもよい。また、抵抗体（導電体）からな
る層（膜）の面抵抗値（単位はΩ□）は、異方性もしく
は偏波選択性を有していてもよい。

【０１１１】［第３の実施例］第３の実施例は、２層の
抵抗体（導電体）および３層の誘電体層からなる電波吸
収体およびその設計方法の例である。

【０１１２】図１３は、順に配置された誘電体層５１、
抵抗体（導電体）５２、誘電体層５３、抵抗体（導電
体）５４および誘電体層５５からなる電波吸収体５０の
構成およびその電気的等価回路を示している。この電波
吸収体５０では、誘電体層５５が電波到来側に配置され
る。この電波吸収体５０において、誘電体層５１を第１
層とし、抵抗体（導電体）５２を第２層とし、誘電体層
５３を第３層とし、抵抗体（導電体）５４を第４層と
し、誘電体層５５を第５層とする。

【０１１３】本実施例においても、第１層、第３層、第
５層に対しては第１の実施例で示した漸化式（４）を用
い、第２層、第４層に対しては第１の実施例で示した漸
化式（５）を用いることによって、円偏波用電波反射減
衰体としての電波吸収体５０の設計が可能である。

【０１１４】次に、本実施例における電波吸収体５０の
設計の一例と、設計された電波吸収体５０について計算
によって求めた特性を示す。この設計では、周波数ｆ＝
２．４５（ＧＨｚ）、Ｒ₂＝１０（Ω□）、Ｒ₄＝４０５
（Ω□）、ε_r1 ^*＝ε_r3 ^*＝ε _r5 ^*＝２．７−ｊ・０．０
３（２．４５ＧＨｚにおいて）、μ_r1 ^*＝μ_r3 ^*＝μ_r5 ^*
＝１−ｊ・０、ｄ₁＝１（ｍｍ）、ｄ₃＝１８．４（ｍ
ｍ）、ｄ₅＝１（ｍｍ）とした。電波吸収体５０に対す
る電波の入射角度が０度〜７０度の場合において、設計
された電波吸収体５０について計算によって求めた特
性、すなわちＴＥ波、ＴＭ波および円偏波のそれぞれに
ついての入射角度と反射減衰量との関係を図１４に示
す。

【０１１５】図１４において、０度〜４０度の入射角度
範囲に着目する。ＴＥ波、ＴＭ波の場合には共に入射角
度が約３５度以上になると反射減衰量が２０ｄＢ未満と
なっている。ところが、円偏波に対しては、この入射角
度範囲内において、２０ｄＢ以上の反射減衰量を有して
いる。このことは、所望の入射角度範囲で円偏波に対し
て２０ｄＢ以上の反射減衰量を有する電波吸収体が、必
ずしもＴＥ波およびＴＭ波の両直線偏波に対して２０ｄ
Ｂ以上の反射減衰量を有する必要がないことを示してい
る。

【０１１６】図１４に示した特性の電波吸収体は、４０
度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量
とＴＭ波に対する反射減衰量は共に２０ｄＢ未満であ
り、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上である電
波反射減衰体となる。また、図１４に示した特性の電波
吸収体では、０度〜４０度の電波入射角度範囲内の全域
において、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上で
ある。

【０１１７】また、図１４において、０度〜５０度の入
射角度範囲に着目する。ＴＥ波、ＴＭ波の場合には共に
入射角度が約４５度以上になると反射減衰量が１５ｄＢ
未満となっている。ところが、円偏波に対しては、この
入射角度範囲内において、１５ｄＢ以上の反射減衰量を
有している。このことは、所望の入射角度範囲で円偏波
に対して１５ｄＢ以上の反射減衰量を有する電波吸収体
が、必ずしもＴＥ波およびＴＭ波の両直線偏波に対して
１５ｄＢ以上の反射減衰量を有する必要がないことを示
している。

【０１１８】図１４に示した特性の電波吸収体は、５０
度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量
とＴＭ波に対する反射減衰量は共に１５ｄＢ未満であ
り、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上である電
波反射減衰体となる。また、図１４に示した特性の電波
吸収体では、０度〜５０度の電波入射角度範囲内の全域
において、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上で
ある。

【０１１９】電波吸収体５０において、抵抗体（導電
体）と隣り合う層は、誘電体層であってもよいし、磁性
体層であってもよい。

【０１２０】また、電波吸収体５０において、全ての層
を透明性もしくは透光性を有する層で構成してもよい。
この場合には、電波吸収体５０も透明性もしくは透光性
を有することになる。

【０１２１】また、電波吸収体５０において抵抗体（導
電体）５２を金属板とした場合には、電波吸収体５０
は、透明性もしくは透光性は有さないが、λ／４型構造
の電波吸収体となる。

【０１２２】また、電波吸収体５０において、隣り合う
層間は、両面テープもしくは接着材によって接着されて
いてもよい。この場合には、両面テープもしくは接着材
による層の数分だけ、誘電体層の数が増える。

【０１２３】なお、電波反射減衰体としての電波吸収体
の形状は、平板形状であってもよいし、その他の形状で
あってもよい。その他の形状としては、多角錐形状、楔
形状または多波形状でもよいし、中空の多角錐形状、楔
形状または多波形状でもよいし、平板形状の部分の電波
到来方向に多角錐形状、楔形状または多波形状の部分が
追加された形状等でもよい。電波吸収体の形状を平板形
状以外の形状とする場合には、電波吸収体の各部分が空
間に占める比率を考慮して平面多層電波吸収体に近似す
ることによって、電波吸収体を設計することができる。

【０１２４】また、本実施の形態では、３つの実施例に
よって、３種類の構造の電波吸収体を示し、それらの設
計方法について説明したが、本実施の形態に係る円偏波
用電波吸収体の設計方法は、実施例で示した構造の電波
吸収体を設計する場合に限定されるわけではない。すな
わち、誘電体層（空気層も含む）、磁性体層（誘電体と
磁性体の混合された層を含む）、抵抗体（導電体）が、
如何ように積層された構造の電波吸収体であっても設計
可能である。

【０１２５】ここで、円偏波において、電波障害対策に
必要とされる２０ｄＢないし１５ｄＢの反射減衰量を有
する電波吸収体を実現しようとした場合について考え
る。０度〜２０度程度の小さな入射角度においては、通
常、垂直入射において必要とされる反射減衰量を十分に
有していれば、２０度までの入射角度においても、偏波
によらず必要とされる反射減衰量を実現できる。

【０１２６】しかしながら、２０度以上の入射角度範囲
においては、ＴＥ波およびＴＭ波に対する電波吸収特性
と円偏波に対する電波吸収特性が異なってくる。そこ
で、広い入射角度範囲において２０ｄＢないし１５ｄＢ
の反射減衰量を有する円偏波用の電波吸収体を実現しよ
うとした場合には、４０度および５０度付近での複素反
射係数の制御が重要となる。

【０１２７】ただし、第２の実施例において示した複素
反射係数の入射角度に対する変化の様子から分かるよう
に、６０度以上の大きな入射角度においては、電波吸収
体の複素反射係数の実部は、ＴＥ波の場合には負側に大
きくなり、ＴＭ波の場合には正側に大きくなっている。
また、円偏波に対する反射係数は、ＴＥ波に対する反射
係数とＴＭ波に対する反射係数との平均となることか
ら、６０度以上の大きな入射角度においては、円偏波に
対する電波吸収体の電波吸収特性は、ＴＥ波およびＴＭ
波に対する電波吸収特性よりも優れた特性を有すること
は当然である。

【０１２８】以上説明したように、本実施の形態に係る
円偏波用電波反射減衰体の設計方法では、ＴＥ波とＴＭ
波の両直線偏波に対して良好な反射減衰特性を有するよ
うに電波反射減衰体を設計するのではなく、ＴＥ波に対
する複素反射係数とＴＭ波に対する複素反射係数との平
均の絶対値が所望の値以下になるように電波反射減衰体
を設計するようにしている。従って、本実施の形態によ
れば、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電
波反射減衰体を、容易に且つ適切に実現することが可能
になる。

【０１２９】ところで、本実施の形態に係る電波反射減
衰体には、以下の第１ないし第４の電波反射減衰体が含
まれる。

【０１３０】第１の電波反射減衰体は、図９に示した特
性の電波吸収体のように、４０度の電波入射角度におい
て、ＴＥ波に対する反射減衰量とＴＭ波に対する反射減
衰量の一方は２０ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射
減衰量は２０ｄＢ以上であるものである。この第１の電
波反射減衰体において、０度〜４０度の電波入射角度範
囲内の全域において、円偏波に対する反射減衰量は２０
ｄＢ以上であってもよい。

【０１３１】第２の電波反射減衰体は、図１４に示した
特性の電波吸収体のように、４０度の電波入射角度にお
いて、ＴＥ波に対する反射減衰量とＴＭ波に対する反射
減衰量は共に２０ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射
減衰量は２０ｄＢ以上であるものである。この第２の電
波反射減衰体において、０度〜４０度の電波入射角度範
囲内の全域において、円偏波に対する反射減衰量は２０
ｄＢ以上であってもよい。

【０１３２】第３の電波反射減衰体は、図７に示した特
性の電波吸収体や図９に示した特性の電波吸収体のよう
に、５０度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反
射減衰量とＴＭ波に対する反射減衰量の一方は１５ｄＢ
未満であり、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上
であるものである。この第３の電波反射減衰体におい
て、０度〜５０度の電波入射角度範囲内の全域におい
て、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上であって
もよい。

【０１３３】第４の電波反射減衰体は、図１４に示した
特性の電波吸収体のように、５０度の電波入射角度にお
いて、ＴＥ波に対する反射減衰量とＴＭ波に対する反射
減衰量は共に１５ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射
減衰量は１５ｄＢ以上であるものである。この第４の電
波反射減衰体において、０度〜５０度の電波入射角度範
囲内の全域において、円偏波に対する反射減衰量は１５
ｄＢ以上であってもよい。

【０１３４】このような本実施の形態に係る電波反射減
衰体によれば、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対しては
円偏波の電波に対する場合と同等の反射減衰特性を有す
る必要がないので、円偏波の電波に対して所望の反射減
衰特性を有する電波反射減衰体を、容易に且つ適切に実
現することが可能になる。

【０１３５】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態に係る円偏波用電波反射減衰体の評価方法
および電波反射減衰体評価装置について説明する。

【０１３６】本実施の形態に係る評価方法は、円偏波の
電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を
評価する方法であって、ＴＥ波に対する電波反射減衰体
の複素反射係数Γ_TE ^*とＴＭ波に対する電波反射減衰体
の複素反射係数Γ_TM ^*とをそれぞれ独立に測定する手順
と、円偏波に対する電波反射減衰体の複素反射係数の絶
対値｜Γ_CP ^*｜として、測定された２つの複素反射係数
の平均の絶対値｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜を求める手順
と、求められた円偏波に対する複素反射係数の絶対値を
用いて電波反射減衰体の評価を行う手順とを備えてい
る。

【０１３７】評価は、具体的には、第１の実施の形態で
説明した式（１）、またはこれと同等の式（２）を満足
するか否かを判断することによって行われる。

【０１３８】図１５は、本実施の形態に係る電波反射減
衰体評価装置の構成を示す説明図である。この評価装置
は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏
波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装
置であり、特に本実施の形態に係る評価方法を実現する
のに適した装置である。この評価装置は、電波反射減衰
体１に対して直線偏波の電波を放射する送信アンテナ６
１と、この送信アンテナ６１より放射されて、電波反射
減衰体１で反射された直線偏波の電波を受信する受信す
る受信アンテナ６２と、送信アンテナ６１および受信ア
ンテナ６２に接続されたネットワークアナライザー６３
と、このネットワークアナライザー６３に接続された制
御用コンピューター６４とを備えている。

【０１３９】送信アンテナ６１と受信アンテナ６２は、
直線偏波用のアンテナであり、ダイポールアンテナ、ル
ープアンテナ、ホーンアンテナ、対数周期アンテナ、ア
レーアンテナ、バイコニカルアンテナ、八木・宇多アン
テナ等が用いられる。また、送信アンテナ６１と受信ア
ンテナ６２は、向きを変えることによって、ＴＥ波の送
受信とＴＭ波の送受信とが可能になっている。

【０１４０】ネットワークアナライザー６３は、送信ア
ンテナ６１に与える信号と受信アンテナ６２より得られ
る信号とに基づいて、電波反射減衰体１のインピーダン
ス等の特性を測定する。

【０１４１】制御用コンピューター６４は、制御用のプ
ログラムを実行することにより、ネットワークアナライ
ザー６３を制御すると共に、ネットワークアナライザー
６３の測定結果を取得し、その取得した測定結果に基づ
いて、所望の演算等を行い、演算の基礎となる測定結果
や演算結果、それらをグラフ化した内容、および評価対
象となる電波反射減衰体１が所望の電波減衰特性を満足
しているかの判定結果等をディスプレイに表示したり、
制御用コンピューター６４に接続されたプリンターにそ
れらの結果を出力できるようになっている。これによっ
て、測定者はそれらの結果を把握することが可能とな
る。

【０１４２】また、制御用コンピューター６４は、前記
した結果を制御用コンピューター６４に内蔵されたハー
ドディスク等の固定記録媒体や、磁気ディスク、光ディ
スク、光磁気ディスクおよび電子的メモリー等の取り外
し可能な記録媒体等に、電子データとして保存すること
が可能である。また、制御用コンピューター６４は、ロ
ーカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、広域ネットワー
ク（ＷＡＮ）等のネットワークによって接続された他の
コンピューターに前記した結果を転送することが可能で
ある。また、上述のようにして保存されたデータや転送
されたデータを用いて、追加の演算処理や複数の電波反
射減衰体の測定結果を集合的に演算処理することも可能
である。

【０１４３】上記した制御用コンピューター６４の機能
は、ネットワークアナライザー６３に内蔵されていれば
ネットワークアナライザー６３のみで実行可能であり、
必要な機器がネットワークアナライザー６３に接続され
ていれば、ネットワークアナライザー６３およびそれに
接続された機器のみで実行可能である。

【０１４４】本実施の形態では特に、制御用コンピュー
ター６４は、ネットワークアナライザー６３の測定結果
に基づいて、ＴＥ波に対する電波反射減衰体１の複素反
射係数とＴＭ波に対する電波反射減衰体１の複素反射係
数とを求め、更に、円偏波に対する電波反射減衰体１の
複素反射係数の絶対値として、測定された２つの複素反
射係数の平均の絶対値を求める。

【０１４５】送信アンテナ６１、受信アンテナ６２、ネ
ットワークアナライザー６３および制御用コンピュータ
ー６４は本発明における測定手段に対応し、制御用コン
ピューター６４は本発明における演算手段に対応する。

【０１４６】なお、本実施の形態における評価対象とな
る電波反射減衰体１は、第１の実施の形態と同様に、電
波吸収体に限らず、例えば図２ないし図４に示したよう
な、電波吸収体以外の電波反射減衰体であってもよい。
本実施の形態では、どのような形態の電波反射減衰体１
であっても、ＴＥ波、ＴＭ波それぞれに対する複素反射
係数を独立に測定することにより、円偏波に対する複素
反射係数の絶対値を計算することができ、これにより、
電波反射減衰体１の評価が可能になる。

【０１４７】次に、本実施の形態に係る評価方法の妥当
性について検証した結果について説明する。ここでは、
第１の実施の形態における第２の実施例で示した構成の
電波吸収体４０を試作し、その反射減衰特性（電波吸収
特性）を測定、評価した結果を示す。ただし、試作した
電波吸収体４０における第３層の厚みｄ₃は５ｍｍとし
た。また、試作した電波吸収体４０の材料定数、すなわ
ち複素比誘電率は、第２の実施例で示した値とは異なっ
ている。

【０１４８】電波吸収体４０の反射減衰特性の測定は電
波暗室内で行った。また、円偏波に対する反射減衰特性
の測定の際には円偏波用のアンテナを用い、ＴＥ波およ
びＴＭ波に対する反射減衰特性の測定の際には直線偏波
用のアンテナを用いた。

【０１４９】図１６は、周波数範囲４ＧＨｚ〜７ＧＨ
ｚ、入射角度４０度における、試作した電波吸収体４０
の電波反射減衰特性、すなわち周波数と反射減衰量との
関係を示している。図１６において、ＴＥ波、ＴＭ波お
よび円偏波に対する特性は測定によって得られたもので
ある。また、図１６において、“計算値”とは、ＴＥ波
およびＴＭ波の各複素反射係数の測定値より計算によっ
て求めた、円偏波に対する反射減衰量を表している。

【０１５０】すなわち、ＴＥ波およびＴＭ波に対する各
複素反射係数の測定値を、それぞれΓ_measTE ^* およびΓ
_measTM ^*で表すと、円偏波に対する反射減衰量の計算値
Ｓ_{cal CP}（単位はｄＢ）は、以下の式で求められる。

【０１５１】 Ｓ_calCP＝−２０log｜（Γ_measTE ^* +Γ_measTM ^*）／２｜

【０１５２】また、円偏波に対する複素反射係数の実部
および虚部の計算値は、それぞれ以下の式におけるＧお
よびＢである。

【０１５３】（Γ_measTE ^* +Γ_measTM ^*）／２＝Ｇ+ｊＢ

【０１５４】図１６より、円偏波に対する測定値と計算
値は、それらの差の大きさが０ｄＢ〜３．３ｄＢ程度で
あり、概ね一致しているのが分かる。特に、測定誤差が
小さい、反射減衰量が３０ｄＢ以下の領域においては、
測定値と計算値の差の大きさは０ｄＢ〜１．４ｄＢ程度
であり、測定値と計算値が良好に一致している。

【０１５５】この結果より、ＴＥ波に対する複素反射係
数をΓ_TE ^*とし、ＴＭ波に対する複素反射係数をΓ_TM ^*と
し、円偏波に対する複素反射係数をΓ_CP ^*としたとき、
以下の等式が成り立っていることが分かる。

【０１５６】｜Γ_CP ^*｜＝｜（Γ_TE ^* +Γ_TM ^*）／２｜

【０１５７】図１７は、周波数範囲４ＧＨｚ〜７ＧＨ
ｚ、入射角度４０度における、試作した電波吸収体４０
の複素反射係数の測定値および計算値を示している。図
１７より、反射減衰量の場合と同様に、電波吸収体４０
の複素反射係数においても測定値と計算値は概ね一致し
ていることが分かる。

【０１５８】図１８は、周波数範囲４ＧＨｚ〜７ＧＨ
ｚ、入射角度０度（実際には１．７度）における、試作
した電波吸収体４０の反射減衰量の測定値を示してい
る。図１８より、垂直入射においては、直線偏波に対す
る反射減衰量と円偏波に対する反射減衰量は、それらの
差の大きさが０．２ｄＢ〜１．８ｄＢ程度であり、測定
誤差を有するものの、概ね一致していることが分かる。

【０１５９】以上説明したように、本実施の形態に係る
円偏波用電波反射減衰体の評価方法および電波反射減衰
体評価装置では、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して
良好な反射減衰特性を有するか否かによって電波反射減
衰体を評価するのではなく、円偏波に対する複素反射係
数の絶対値を用いて電波反射減衰体の評価を行うように
している。従って、本実施の形態によれば、円偏波の電
波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を、
容易に且つ適切に評価することが可能になる。

【０１６０】［第３の実施の形態］次に、本発明の第３
の実施の形態に係る円偏波用電波反射減衰体の評価方法
および電波反射減衰体評価装置について説明する。

【０１６１】本実施の形態に係る評価方法は、円偏波の
電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を
評価する方法であって、電波反射減衰体に対して円偏波
の電波を放射し、電波反射減衰体で反射されて、放射さ
れた電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信して、円偏
波に対する電波反射減衰体の反射減衰量を求める手順
と、求められた反射減衰量を用いて電波反射減衰体の評
価を行う手順とを備えている。評価は、具体的には、求
められた反射減衰量が所望の値以上か否かを判断するこ
とによって行われる。本実施の形態では、特に、後述す
るように電波暗箱を用いて、簡便な評価を可能としてい
る。

【０１６２】図１９は、本実施の形態に係る電波反射減
衰体評価装置の構成を示す説明図である。この評価装置
は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏
波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装
置であり、特に本実施の形態に係る評価方法を実現する
のに適した装置である。

【０１６３】本実施の形態に係る評価装置７０は、内壁
の少なくとも一部に不要反射抑制用の電波吸収体７３が
配置された筐体７２を有する電波暗箱７１と、電波暗箱
７１内に設けられ、評価対象の電波反射減衰体７４が設
置される設置部７５と、電波暗箱７１内に設置され、電
波反射減衰体７４に対して円偏波の電波を放射する送信
手段としての送信アンテナ７６と、電波暗箱７１内に設
置され、円偏波に対する電波反射減衰体７４の反射減衰
量を求めるために、電波反射減衰体７４で反射されて、
送信アンテナ７６より放射された電波とは逆旋となる円
偏波の電波を受信する受信手段としての受信アンテナ７
７とを備えている。

【０１６４】筐体７２は、金属板によって、直方体形状
に形成されている。筐体７２のうち、直方体の１つの面
に対応する部分は扉７２Ａになっている。この扉７２Ａ
の内面に設置部７５が設けられている。このように設置
部７５を扉７２Ａの内面に設けることにより、電波反射
減衰体７４の交換が容易になる。

【０１６５】設置部７５に対向する筐体７２の内面の近
傍には、アンテナ支持具１７０が設けられている。送信
アンテナ７６および受信アンテナ７７は、このアンテナ
支持具１７０に取り付けられている。アンテナ支持具１
７０は、電波反射量が極めて小さい素材からなることが
好ましい。また、アンテナ支持具１７０は、アンテナ７
６，７７を支持するための機械的強度を有する必要があ
る。また、アンテナ支持具１７０の電波反射量を低減す
べく、アンテナ支持具１７０に電波吸収体１７５を取り
付けてもよい。

【０１６６】設置部７５から電波反射減衰体７４を取り
外した状態では、送信アンテナ７６および受信アンテナ
７７は、扉７２Ａの内面である金属面に対向するように
なる。また、電波吸収体７３は、扉７２Ａの内面を除
く、筐体７２の内面に配置されている。

【０１６７】送信アンテナ７６および受信アンテナ７７
は、互いに逆旋の円偏波用のアンテナになっている。円
偏波用のアンテナとしては、ヘリカルアンテナ、スパイ
ラルアンテナ、円偏波用パッチアンテナ、円偏波用パラ
ボラアンテナ等を用いることができる。

【０１６８】また、送信アンテナ７６は、同軸線ケーブ
ル１７１を介して、筐体７２に取り付けられたコネクタ
１７２に着脱自在に接続されている。同様に、受信アン
テナ７７は、同軸線ケーブル１７３を介して、筐体７２
に取り付けられたコネクタ１７４に着脱自在に接続され
ている。そのため、送信アンテナ７６および受信アンテ
ナ７７は、取り外しが可能であり、周波数帯の異なるア
ンテナや偏波の異なるアンテナに変更することができる
ようになっている。コネクタ１７２，１７４には、それ
ぞれ同軸線ケーブル７８，７９が接続されている。

【０１６９】評価装置７０を含む評価システムは、送信
アンテナ７６および受信アンテナ７７に、それぞれ同軸
線ケーブル１７１，１７３、コネクタ１７２，１７４お
よび同軸線ケーブル７８，７９を介して接続されたネッ
トワークアナライザー８０と、このネットワークアナラ
イザー８０に接続された制御用コンピューター８１とを
備えている。ネットワークアナライザー８０および制御
用コンピューター８１の基本的な機能は、それぞれ第２
の実施の形態におけるネットワークアナライザー６３お
よび制御用コンピューター６４と同様である。

【０１７０】図２０は、評価装置７０を示す斜視図であ
る。図２０に示したように、筐体７２のうち、扉７２Ａ
に対向する面の部分、すなわち送信アンテナ７６および
受信アンテナ７７が取り付けられる部分７２Ｂは、ビス
８２またはボルト等によって、筐体７２の他の部分に対
して着脱可能になっている。また、この送信アンテナ７
６および受信アンテナ７７が取り付けられる部分７２Ｂ
は扉としてもよい。この場合には、送信アンテナ７６お
よび受信アンテナ７７の設置および交換が容易になる。

【０１７１】図２１は、扉７２Ａを示す説明図である。
図２１において、（ａ）は扉７２Ａの上面図、（ｂ）は
電波到来側から見た扉７２Ａの正面図、（ｃ）は扉７２
Ａの側断面図、（ｄ）は（ａ）に示した扉７２Ａの上面
図の一部を拡大して示した図である。図２１に示したよ
うに、扉７２Ａの内面に設けられた設置部７５は、評価
対象の電波反射減衰体７４を着脱自在に保持する保持部
材８３を有している。保持部材８３は、矩形の電波反射
減衰体７４の左右の各端部および下端部に対応する位置
に設けられている。従って、これらの保持部材８３によ
って囲まれた部分に対して、上方より電波反射減衰体７
４を出し入れすることができるようになっている。電波
反射減衰体７４は、左右の保持部材８３によって案内さ
れて、設置部７５に対して設置され、また、設置部７５
より取り外されるようになっている。

【０１７２】図２１中の（ｄ）に示したように、保持部
材８３は、例えば、扉７２Ａに対して両面テープ８６に
よって接着され、更にビス８４およびナット８５によっ
て扉７２Ａに固定されている。

【０１７３】このように、電波反射減衰体７４を着脱自
在に保持する保持部材８３を設けることにより、電波反
射減衰体７４の交換が容易になる。また、保持部材８３
を扉７２Ａに設けた場合には、電波反射減衰体７４の交
換がさらに容易になる。

【０１７４】保持部材８３は、電波反射量が極めて小さ
い素材からなることが好ましい。また、保持部材８３
は、電波反射減衰体７４を保持するための機械的強度を
有する必要もある。保持部材８３を構成する素材として
は、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、
ＡＢＳ樹脂、アクリル、テフロン（登録商標）、塩化ビ
ニール等の誘電体材料（有機高分子）を用いることがで
きる。

【０１７５】ただし、電波到来方向から見て、保持部材
８３が電波暗箱７１内の不要反射抑制用の電波吸収体７
３に隠れる場合には、保持部材８３による反射波は存在
しないため、保持部材８３は特に電波反射量が極めて小
さい素材からなる必要はない。

【０１７６】なお、図１９ないし図２１に示した電波暗
箱７１は、扉７２Ａの外周部一円が筐体７２の他の部分
に電気的に接続された場合には、電磁的遮蔽性能を有す
る。扉７２Ａを筐体７２の他の部分に電気的に接続する
手段としては、フィンガーコンタクトや導電性メッシュ
等を用いることができる。

【０１７７】次に、評価装置７０を含む評価システムの
作用について説明する。評価装置７０では、電波暗箱７
１内の設置部７５に設置された電波反射減衰体７４に対
して、送信アンテナ７６によって円偏波の電波が放射さ
れ、電波反射減衰体７４で反射されて、送信アンテナ７
６より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波が受
信アンテナ７７によって受信される。ネットワークアナ
ライザー８０は、受信アンテナ７７より得られる信号に
基づいて、電波反射減衰体７４における電波反射量を測
定する。

【０１７８】また、本実施の形態では、電波反射減衰体
７４の代りに、電波反射減衰体７４と同面積の金属平面
を有する金属板を、その金属平面が電波反射減衰体７４
の電波到来側表面と同位置となるように設置した状態
で、送信アンテナ７６から電波を放射させ、金属板の金
属平面で反射された電波を受信アンテナ７７によって受
信し、ネットワークアナライザー８０によって、金属平
面における電波反射量も測定する。そして、制御用コン
ピューター８１によって、金属平面における電波反射量
と電波反射減衰体７４における電波反射量とを比較する
ことによって、電波反射減衰体７４の反射減衰量を求
め、この反射減衰量が所望の値以上か否かを判断するこ
とによって、電波反射減衰体７４の評価を行う。ただ
し、電波反射減衰体７４が厚い場合等においては、電波
反射減衰体７４と同じ厚さの金属板を用いる必要はな
く、電波反射減衰体７４と同じ厚さとなるように厚さを
調整すべく、薄い金属板の電波到来側とは反対側の面に
発泡体等を設置してなる積層板を用いてもよい。

【０１７９】また、本実施の形態では、扉７２Ａの内面
である金属面を上記金属板の金属平面の代りに用いるこ
とも可能である。すなわち、設置部７５から電波反射減
衰体７４を取り外した状態で、送信アンテナ７６から電
波を放射させ、扉７２Ａの内面である金属面で反射され
た電波を受信アンテナ７７によって受信し、ネットワー
クアナライザー８０によって、金属面における電波反射
量を測定することも可能である。この場合には、扉７２
Ａの内面である金属面の複素反射係数が、金属平面が電
波反射減衰体７４の電波到来側表面と同位置となるよう
に設置された状態における金属平面の複素反射係数と等
しくなるように、制御用コンピューター８１によって、
電波反射減衰体７４の厚み分の位相補正演算を行うよう
にする。

【０１８０】ところで、図１９に示したように、評価装
置７０において、測定すべき電波は、送信アンテナ７６
より放射され、途中で電波吸収体７３によって反射され
ることなく電波反射減衰体７４に達し、この電波反射減
衰体７４によって反射され、途中で電波吸収体７３によ
って反射されることなく受信アンテナ７７に到達する電
波である。以下、この電波の経路を経路Ｒ１と言う。受
信アンテナ７７に到達する電波には、経路Ｒ１を経由し
た電波の他に、例えば、図１９に示したような経路Ｒ２
や経路Ｒ３を経由した電波もある。経路Ｒ２を経由した
電波は、送信アンテナ７６より放射され、途中で１回、
電波吸収体７３によって反射されてから電波反射減衰体
７４に達し、この電波反射減衰体７４によって反射さ
れ、途中で電波吸収体７３によって反射されることなく
受信アンテナ７７に到達した電波である。経路Ｒ３を経
由した電波は、送信アンテナ７６より放射され、途中で
１回、電波吸収体７３によって反射されてから電波反射
減衰体７４に達し、この電波反射減衰体７４によって反
射され、途中で１回、電波吸収体７３によって反射され
てから受信アンテナ７７に到達した電波である。

【０１８１】本実施の形態では、送信アンテナ７６と受
信アンテナ７７が互いに逆旋の円偏波用のアンテナにな
っていることから、経路Ｒ２や経路Ｒ３を経由した不要
な電波の影響を低減することができる。以下、これにつ
いて説明する。ここでは、例えば、送信アンテナ７６は
右旋円偏波の電波を放射し、受信アンテナ７７は左旋円
偏波の電波を受信するものとする。経路Ｒ１の場合に
は、送信アンテナ７６より放射された右旋円偏波の電波
は、電波反射減衰体７４によって反射されて左旋円偏波
の電波となり、受信アンテナ７７によって受信される。
経路Ｒ２の場合には、受信アンテナ７７に到達する電波
は、途中で１回、電波吸収体７３によって反射されてい
ることから、右旋円偏波となっている。従って、経路Ｒ
２を経由した電波は、ほとんど受信アンテナ７７によっ
て受信されない。また、経路Ｒ３の場合には、受信アン
テナ７７に到達する電波は、途中で２回、電波吸収体７
３によって反射されていることから、左旋円偏波となっ
ている。従って、経路Ｒ２を経由した電波は、受信アン
テナ７７によって受信されるが、途中で２回、電波吸収
体７３によって電波吸収されていることから、経路Ｒ１
を経由した電波に比べて極めて低い受信（電界）レベル
となるために、測定結果に与える影響は少ない。

【０１８２】このように、本実施の形態に係る評価装置
７０によれば、電波暗箱７１内の不要反射が測定対象で
ある電波反射減衰体７４の反射減衰特性の測定結果に与
える影響を低減することができる。しかしながら、評価
対象の電波反射減衰体７４の反射減衰特性が極めて良好
であり、非常に低い受信（電界）レベルで電波反射減衰
体７４の評価を行う場合や、金属面または評価対象の電
波反射減衰体７４と、送信アンテナ７６および受信アン
テナ７７との間における多重反射による受信（電界）レ
ベルの誤差が大きい場合には、電波暗箱７１内の不要反
射が、測定対象である電波反射減衰体７４の反射減衰特
性の測定結果に与える誤差が大きくなる。このような場
合には、ネットワークアナライザー７９のタイムドメイ
ン機能（タイムゲート処理）により、評価対象の電波反
射減衰体７４および電波反射量の基準となる金属面から
の反射波のみを抽出することによって、タイムドメイン
機能を用いない場合よりも高精度な反射減衰特性の測定
および評価が可能となる。

【０１８３】ところで、評価される電波反射減衰体が、
０度〜Ｘ度（Ｘ：要求最大入射角度）の入射角度範囲に
おいて、要求反射減衰量ＡｄＢ以上であるか否かを評価
する場合において、評価される電波反射減衰体の設計特
性が、０度〜Ｘ度の入射角度範囲において反射減衰量が
ＡｄＢ以上であり、且つ入射角度Ｘ度における反射減衰
量ＣｄＢが、入射角度０度における反射減衰量ＢｄＢよ
りも大きい場合には、以下のような簡便な方法で電波反
射減衰体の評価を行うことが可能である。すなわち、上
記の場合には、垂直入射における電波反射減衰体の反射
減衰量を測定し、この反射減衰量が要求反射減衰量Ａｄ
Ｂ以上であれば、０度〜Ｘ度の要求入射角度範囲におい
て、電波反射減衰体の反射減衰量が要求反射減衰量Ａｄ
Ｂ以上であると推定することが可能である。ここで垂直
入射とは、厳密な垂直入射だけではなく、斜入射角度が
５度以下で、ほぼ垂直入射とみなせる場合も含む。

【０１８４】上記の簡便な評価方法を適用できる例とし
ては、例えば、図１２に示した特性の電波吸収体におい
て、Ｘ＝４０、Ａ＝２０ｄＢ（程度）とした場合があ
る。

【０１８５】このようなことから、電波反射減衰体の最
終製品では、要求される入射角度範囲における反射減衰
特性を測定すべきであるが、電波反射減衰体の中間製品
に対する中間検査等では、図１９に示したような垂直入
射における電波反射減衰体の反射減衰量を測定する評価
装置の利用が有用である。ここで、中間製品とは、電波
反射減衰体としての構造は最終製品と同様もしくは最終
製品を模擬したものを言う。また、最終製品とは、電波
反射減衰体としての基本的構造は中間製品と同様である
が、設置または施工を行えるように設置手段または施工
手段を備えたものを言い、電波吸収パネル等を指す。

【０１８６】図２２は、本実施の形態に係る評価装置７
０の他の構成例を示す説明図である。この例では、設置
部７５に対向する筐体７２の内面の近傍にアンテナ支持
具１７０が設けられている。このアンテナ支持具１７０
には、２組の送信アンテナおよび受信アンテナが設置さ
れている。送信アンテナ７６Ａと受信アンテナ７７Ａ
は、電波反射減衰体７４に対して０度に近い所定の第１
の入射角度で電波を入射させ、且つ反射した電波を受信
する位置に配置されている。送信アンテナ７６Ｂと受信
アンテナ７７Ｂは、電波反射減衰体７４に対して、第１
の入射角度よりも大きな所定の第２の入射角度で電波を
入射させ、且つ反射した電波を受信する位置に配置され
ている。アンテナ支持具１７０には電波吸収体１７５が
取り付けられていてもよい。

【０１８７】送信アンテナ７６Ａ，７６Ｂは、同軸線ケ
ーブル１７１Ａ，１７１Ｂを介して、筐体７２に取り付
けられたコネクタ１７２Ａ，１７２Ｂに着脱自在に接続
されている。同様に、受信アンテナ７７Ａ，７７Ｂは、
同軸線ケーブル１７３Ａ，１７３Ｂを介して、筐体７２
に取り付けられたコネクタ１７４Ａ，１７４Ｂに着脱自
在に接続されている。コネクタ１７２Ａ，１７２Ｂ，１
７４Ａ，１７４Ｂには、それぞれ同軸線ケーブル７８
Ａ，７８Ｂ，７９Ａ，７９Ｂが接続されている。

【０１８８】送信アンテナ７６Ａ，７６Ｂは、それぞれ
同軸線ケーブル１７１Ａ，１７１Ｂ、コネクタ１７２
Ａ，１７２Ｂ、および同軸線ケーブル７８Ａ，７８Ｂを
介して信号線切換機８７に接続されている。信号線切換
機８７はネットワークアナライザー８０に接続されてい
る。信号線切換機８７は、送信アンテナ７６Ａ，７６Ｂ
の一方を選択的にネットワークアナライザー８０に接続
する。同様に、受信アンテナ７７Ａ，７７Ｂは、それぞ
れ同軸線ケーブル１７３Ａ，１７３Ｂ、コネクタ１７４
Ａ，１７４Ｂ、および同軸線ケーブル７９Ａ，７９Ｂを
介して信号線切換機８８に接続されている。信号線切換
機８８はネットワークアナライザー８０に接続されてい
る。信号線切換機８８は、信号線切換機８７による送信
アンテナ７６Ａ，７６Ｂの選択に対応させて、受信アン
テナ７７Ａ，７７Ｂの一方を選択的にネットワークアナ
ライザー８０に接続する。

【０１８９】また、図２２に示した例では、筐体７２に
おいて、アンテナ支持具１７０を介して送信アンテナ７
６Ａ，７６Ｂおよび受信アンテナ７７Ａ，７７Ｂが取り
付けられる部分は、平板状ではなく、屋根形に形成され
ている。図２２に示した評価装置７０のその他の構成
は、図１９に示した評価装置７０と同様である。

【０１９０】図２２に示した構成によれば、信号線切換
機８７，８８によって、使用する送信アンテナと受信ア
ンテナの組を切り換えることができ、電波暗箱７１内に
おいても複数の入射角度に対して電波反射減衰体７４の
反射減衰特性を測定することができる。

【０１９１】なお、本実施の形態において、図２２に示
した例のように、電波暗箱７１の形状は、直方体に限定
されない。また、電波暗箱７１を構成する面は曲面であ
ってもよい。

【０１９２】図２３ないし図２５は、本実施の形態に係
る評価装置７０の更に他の構成例を示す説明図である。
図２３は、この例における評価装置７０の斜視図であ
る。図２４は、図２３に示した評価装置７０の側面に平
行な断面を示す断面図である。図２５は、図２３に示し
た評価装置７０の正面に平行な断面を示す断面図であ
る。

【０１９３】この例では、評価装置７０は、内壁の少な
くとも一部に不要反射抑制用の電波吸収体２０３が配置
された筐体２０２を有する電波暗箱２０１を備えてい
る。電波暗箱２０１は、正面、背面および両側面に配置
された４つの壁部２１１〜２１４と、天井部２１５と、
底部２１６とを有している。両側面に配置された壁部２
１３，２１４は、それぞれ開口２１３Ａ，２１４Ａを有
している。開口２１３Ａ，２１４Ａは、壁部２１３，２
１４の高さ方向の途中の位置から底部２１６にかけて形
成されている。開口２１３Ａ，２１４Ａは、電波暗箱２
０１外から電波暗箱２０１内へ評価対象の電波反射減衰
体２２５を挿入可能とする。開口２１３Ａ，２１４Ａ
は、本発明における挿入部に対応する。

【０１９４】評価装置７０は、更に、開口２１３Ａ，２
１４Ａを貫通するように、底部２１６に配置された２本
のレール２２１と、このレール２２１に沿って移動する
可動台２２２とを備えている。可動台２２２は、レール
２２１上を走行するキャスター２２３を有している。可
動台２２２の上には、評価対象の電波反射減衰体２２５
が設置されるようになっている。また、レール２２１の
両端部には、可動台２２２の移動範囲を制限するための
ストッパー２２４が設けられている。電波反射減衰体２
２５は、例えばパネル化された電波吸収体であってもよ
い。

【０１９５】可動台２２２は、評価対象の電波反射減衰
体２２５によって電波的に隠れる場合には金属によって
形成されていてもよい。可動台２２２が、電波の回折等
によって、評価に対して電波的な影響を与える場合に
は、図２４および図２５に示したように、可動台２２２
の脚部や構造的な支持部に電波吸収体２２６を取り付け
てもよい。

【０１９６】電波暗箱２０１内には、アーチ状のアンテ
ナ支持具２３０が設けられている。アンテナ支持具２３
０は、天井部２１５に固定されている。アンテナ支持具
２３０は、電波反射量が極めて小さい素材からなること
が好ましい。また、アンテナ支持具２３０は、後述する
アンテナを支持するための機械的強度を有する必要があ
る。また、アンテナ支持具２３０の電波反射量を低減す
べく、図２４に示したように、アンテナ支持具２３０に
電波吸収体２３９を取り付けてもよい。

【０１９７】アンテナ支持具２３０には、送信手段とし
ての４つの送信アンテナ２３１Ａ〜２３１Ｄと、受信手
段としての４つの受信アンテナ２４１Ａ〜２４１Ｄが取
り付けられている。

【０１９８】送信アンテナ２３１Ａ〜２３１Ｄは円偏波
の電波を放射する。受信アンテナ２４１Ａ〜２４１Ｄ
は、円偏波に対する電波反射減衰体２２５の反射減衰量
を求めるために、電波反射減衰体２２５で反射されて、
送信アンテナ２３１Ａ〜２３１Ｄより放射された電波と
は逆旋となる円偏波の電波を受信する。

【０１９９】送信アンテナ２３１Ａと受信アンテナ２４
１Ａは、電波反射減衰体２２５に対して０度に近い所定
の第１の入射角度で電波を入射させ、且つ反射した電波
を受信する位置に配置されている。送信アンテナ２３１
Ｂと受信アンテナ２４１Ｂは、電波反射減衰体２２５に
対して、第１の入射角度よりも大きな所定の第２の入射
角度で電波を入射させ、且つ反射した電波を受信する位
置に配置されている。送信アンテナ２３１Ｃと受信アン
テナ２４１Ｃは、電波反射減衰体２２５に対して、第２
の入射角度よりも大きな所定の第３の入射角度で電波を
入射させ、且つ反射した電波を受信する位置に配置され
ている。送信アンテナ２３１Ｄと受信アンテナ２４１Ｄ
は、電波反射減衰体２２５に対して、第３の入射角度よ
りも大きな所定の第４の入射角度で電波を入射させ、且
つ反射した電波を受信する位置に配置されている。

【０２００】送信アンテナ２３１Ａ〜２３１Ｄは、それ
ぞれ、同軸線ケーブル２３２Ａ〜２３２Ｄと、筐体２０
２に取り付けられたコネクタ２３３Ａ〜２３３Ｄと、同
軸線ケーブル２３４Ａ〜２３４Ｄとを介して、信号線切
換機２３５に接続されている。信号線切換機２３５は、
高周波用アンプ２３６を介して、ネットワークアナライ
ザー２５０に接続されている。信号線切換機２３５は、
送信アンテナ２３１Ａ〜２３１Ｄのうちのいずれかを選
択的に高周波用アンプ２３６に接続する。

【０２０１】受信アンテナ２４１Ａ〜２４１Ｄは、それ
ぞれ、同軸線ケーブル２４２Ａ〜２４２Ｄと、筐体２０
２に取り付けられたコネクタ２４３Ａ〜２４３Ｄと、同
軸線ケーブル２４４Ａ〜２４４Ｄとを介して、信号線切
換機２４５に接続されている。信号線切換機２４５はネ
ットワークアナライザー２５０に接続されている。信号
線切換機２４５は、信号線切換機２３５による送信アン
テナ２３１Ａ〜２３１Ｄの選択に対応させて、受信アン
テナ２４１Ａ〜２４１Ｄのうちのいずれかを選択的にネ
ットワークアナライザー２５０に接続する。

【０２０２】ネットワークアナライザー２５０は制御用
コンピューター２５１に接続されている。制御用コンピ
ューター２５１には、評価結果等の印刷に用いられるプ
リンタ２５２が接続されている。ネットワークアナライ
ザー２５０および制御用コンピューター２５１の基本的
な機能は、それぞれ第２の実施の形態におけるネットワ
ークアナライザー６３および制御用コンピューター６４
と同様である。また、高周波用アンプ２３６を、ネット
ワークアナライザー２５０と送信側の信号線切換機２３
５との間に挿入することにより、ネットワークアナライ
ザ２５０からの出力を高周波用アンプ２３６で増幅し
て、送信アンテナ２３１Ａ〜２３１Ｄに送出することが
可能になる。

【０２０３】図２３ないし図２５に示した例によれば、
信号線切換機２３５，２４５によって、使用する送信ア
ンテナと受信アンテナの組を切り換えることができ、電
波暗箱２０１内においても複数の入射角度に対して電波
反射減衰体２２５の反射減衰特性を測定することができ
る。

【０２０４】また、図２３ないし図２５に示した例で
は、電波暗箱２０１は開口２１３Ａ，２１４Ａを有して
いる。従って、この開口２１３Ａ，２１４Ａより、評価
対象の電波反射減衰体２２５を電波暗箱２０１内に挿入
することによって、電波反射減衰体２２５の反射減衰特
性の評価を行うことが可能になる。また、この例では、
図２５に示したように、開口２１３Ａ，２１４Ａは、電
波暗箱２０１の両側面に設けられている。従って、電波
暗箱２０１の両側面から、評価対象の電波反射減衰体２
２５を電波暗箱２０１内に挿入することができる。な
お、電波暗箱２０１に設けられる開口は、１つであって
もよい。

【０２０５】また、この例では、評価対象の電波反射減
衰体２２５を、可動台２２２に載せて、電波暗箱２０１
内に挿入するようにしている。従って、評価対象の電波
反射減衰体２２５の重量が大きい場合でも、電波反射減
衰体２２５を容易に電波暗箱２０１内に挿入することが
可能である。また、この例では、可動台２２２は、電波
暗箱２０１の底部２１６に配置されたレール２２１に沿
って移動する。従って、電波暗箱２０１内の的確な位置
に電波反射減衰体２２５を挿入することが可能である。
また、この例では、レール２２１の端部にストッパー２
２４を設けている。従って、可動台２２２がレール２２
１から落ちることを防止することができる。

【０２０６】また、開口２１３Ａ，２１４Ｂが電波暗箱
２０１の両側面に設けられている場合には、電波暗箱２
０１内を通過するように、可動台２２２を移動させるこ
とが可能になる。この場合、更に、可動台２２２を自走
および自動制御可能にすれば、電波反射減衰体２２５の
連続生産ラインにおける検査に好適となる。

【０２０７】筐体２０２の内壁、可動台２２２およびア
ンテナ支持具２３０に取り付けられる電波吸収体２０
３，２２６，２３９は、マジックファスナー（登録商
標）や両面テープによって取り付けられるようにしても
よい。これにより、電波吸収体２０３，２２６，２３９
の脱着が可能となる。この場合には、電波吸収性能の異
なる電波吸収体との交換が容易になり、また電波暗箱２
０１の移設等も容易に行うことが可能となる。

【０２０８】以上説明したように、本実施の形態に係る
円偏波用電波反射減衰体の評価方法および電波反射減衰
体評価装置では、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して
良好な反射減衰特性を有するか否かによって電波反射減
衰体を評価するのではなく、円偏波に対する反射減衰量
を用いて電波反射減衰体の評価を行うようにしている。
従って、本実施の形態によれば、円偏波の電波の反射を
抑制するための円偏波用電波反射減衰体を、容易に且つ
適切に評価することが可能になる。また、これにより、
円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波
反射減衰体を容易に且つ適切に実現することが可能にな
る。

【０２０９】［第４の実施の形態］次に、本発明の第４
の実施の形態に係る円偏波用電波反射減衰体の評価方法
および電波反射減衰体評価装置について説明する。

【０２１０】本実施の形態に係る評価方法は、電波暗箱
を用いずに電波暗室を用いて電波反射減衰体の反射減衰
量の測定を行う点を除いて、第３の実施の形態に係る評
価方法と同様である。

【０２１１】図２６は、本実施の形態に係る電波反射減
衰体評価装置の構成を示す説明図である。この評価装置
は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏
波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装
置であり、特に本実施の形態に係る評価方法を実現する
のに適した装置である。

【０２１２】本実施の形態に係る評価装置は、電波暗室
９０内に設置されたアーチ状のアンテナ支持具９２を備
えている。電波暗室９０の天井、壁および床には電波吸
収体９１が設置されている。評価対象の電波反射減衰体
１００は、例えば台９９を介して、電波暗室９０の床上
に配置されるようになっている。台９９は、発泡スチロ
ール等の電波透過体に近い材料によって形成されてい
る。

【０２１３】本実施の形態に係る評価装置は、更に、ア
ンテナ支持具９２に取り付けられ、電波反射減衰体１０
０に対して円偏波の電波を放射する送信手段としての送
信アンテナ９３と、アンテナ支持具９２に取り付けら
れ、円偏波に対する電波反射減衰体１００の反射減衰量
を求めるために、電波反射減衰体１００で反射されて、
送信アンテナ９３より放射された電波とは逆旋となる円
偏波の電波を受信する受信手段としての受信アンテナ９
４とを備えている。

【０２１４】送信アンテナ９３と受信アンテナ９４は、
アンテナ支持具９２に対して移動可能に取り付けられて
いる。

【０２１５】評価装置を含む評価システムは、送信アン
テナ９３および受信アンテナ９４に、それぞれ同軸線ケ
ーブル９５，９６を介して接続されたネットワークアナ
ライザー９７と、このネットワークアナライザー９７に
接続された制御用コンピューター９８とを備えている。
ネットワークアナライザー９７および制御用コンピュー
ター９８の基本的な機能は、それぞれ第２の実施の形態
におけるネットワークアナライザー６３および制御用コ
ンピューター６４と同様である。

【０２１６】次に、本実施の形態に係る評価装置を含む
評価システムの作用について説明する。この評価システ
ムでは、電波反射減衰体１００に対して、送信アンテナ
９３によって円偏波の電波が放射され、電波反射減衰体
１００で反射されて、送信アンテナ９３より放射された
電波とは逆旋となる円偏波の電波が受信アンテナ９４に
よって受信される。ネットワークアナライザー９７は、
受信アンテナ９４より得られる信号に基づいて、電波反
射減衰体１００における電波反射量を測定する。また、
本実施の形態では、電波反射減衰体１００の代りに金属
板を設置した状態で、送信アンテナ９３から電波を放射
させ、金属面で反射された電波を受信アンテナ９４によ
って受信し、ネットワークアナライザー９７によって金
属面における電波反射量も測定する。そして、制御用コ
ンピューター９８によって、金属面における電波反射量
と電波反射減衰体１００における電波反射量とを比較す
ることによって、電波反射減衰体１００の反射減衰量を
求め、この反射減衰量が所望の値以上か否かを判断する
ことによって、電波反射減衰体１００の評価を行う。

【０２１７】本実施の形態では、送信アンテナ９３およ
び受信アンテナ９４を移動させることにより、斜入射に
おける電波反射減衰体１００の反射減衰特性を測定する
ことができる。

【０２１８】本実施の形態において、アンテナ支持具９
２は、電波透過体に近い材料で形成されていることが好
ましい。このアンテナ支持具９２における電波の反射が
問題になる場合には、アンテナ支持具９２にも電波吸収
体を取り付けることによって、アンテナ支持具９２にお
ける電波の反射によって生じる測定誤差を低減すること
ができる。

【０２１９】また、本実施の形態において、アンテナ９
３，９４の移動を自動制御化してもよい。これにより、
測定の効率化を図ることができる。

【０２２０】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は第３の実施の形態と同様である。

【０２２１】［第５の実施の形態］次に、本発明の第５
の実施の形態に係る電波反射減衰体評価装置について説
明する。

【０２２２】図２７は、本実施の形態に係る電波反射減
衰体評価装置の構成を示す説明図である。この評価装置
は、第４の実施の形態におけるアンテナ支持具９２、送
信アンテナ９３および受信アンテナ９４の代りに、電波
暗室９０内に設置されたアンテナ支持具１０１と、この
アンテナ支持具１０１に取り付けられた３組の送信アン
テナ９３Ａ〜９３Ｃおよび受信アンテナ９４Ａ〜９４Ｃ
を備えている。送信アンテナ９３Ａ〜９３Ｃは円偏波の
電波を放射し、受信アンテナ９４Ａ〜９４Ｃは送信アン
テナ９３Ａ〜９３Ｃより放射された電波とは逆旋となる
円偏波の電波を受信する。

【０２２３】送信アンテナ９３Ａと受信アンテナ９４Ａ
は、電波反射減衰体１００に対して０度に近い所定の第
１の入射角度で電波を入射させ、且つ反射した電波を受
信する位置に配置されている。送信アンテナ９３Ｂと受
信アンテナ９４Ｂは、電波反射減衰体１００に対して、
第１の入射角度よりも大きな所定の第２の入射角度で電
波を入射させ、且つ反射した電波を受信する位置に配置
されている。送信アンテナ９３Ｃと受信アンテナ９４Ｃ
は、電波反射減衰体１００に対して、第２の入射角度よ
りも大きな所定の第３の入射角度で電波を入射させ、且
つ反射した電波を受信する位置に配置されている。

【０２２４】送信アンテナ９３Ａ〜９３Ｃは、それぞれ
同軸線ケーブルを介して信号線切換機１０２に接続され
ている。信号線切換機１０２はネットワークアナライザ
ー９７に接続されている。信号線切換機１０２は、送信
アンテナ９３Ａ〜９３Ｃのうちのいずれかを選択的にネ
ットワークアナライザー９７に接続する。同様に、受信
アンテナ９４Ａ〜９４Ｃは、それぞれ同軸線ケーブルを
介して信号線切換機１０３に接続されている。信号線切
換機１０３はネットワークアナライザー９７に接続され
ている。信号線切換機１０３は、信号線切換機１０２に
よる送信アンテナ９３Ａ〜９３Ｃの選択に対応させて、
受信アンテナ９４Ａ〜９４Ｃのうちのいずれかを選択的
にネットワークアナライザー９７に接続する。

【０２２５】本実施の形態では、使用する送信アンテナ
および受信アンテナを選択することにより、複数の入射
角度における電波反射減衰体１００の反射減衰特性を測
定することができる。

【０２２６】本実施の形態において、アンテナ支持具１
０１は、電波透過体に近い材料で形成されていることが
好ましい。このアンテナ支持具１０１における電波の反
射が問題になる場合には、アンテナ支持具１０１にも電
波吸収体を取り付けることによって、アンテナ支持具１
０１における電波の反射によって生じる測定誤差を低減
することができる。

【０２２７】また、本実施の形態において、信号線切換
機１０２，１０３によるアンテナの選択を自動制御化し
てもよい。これにより、測定の効率化を図ることができ
る。

【０２２８】本実施の形態では、送信アンテナおよび受
信アンテナを３組設けたが、送信アンテナおよび受信ア
ンテナは、２組でもよいし、４組以上でもよい。

【０２２９】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は第４の実施の形態と同様である。

【０２３０】［第６の実施の形態］次に、本発明の第６
の実施の形態に係る構造物について説明する。本実施の
形態に係る構造物は、第１の実施の形態に係る電波反射
減衰体を含むものである。第１の実施の形態に係る電波
反射減衰体には、前述のように、第１ないし第４の電波
反射減衰体が含まれる。

【０２３１】本実施の形態に係る構造物は、例えば、電
波暗室、ビルあるいはその一部（外壁やオフィスルーム
の壁や窓等）、架橋、高架、電信柱、アンテナ支持柱、
ゲート、路面、トンネル、ガードレール、鉄道ホーム等
の建築物であってもよい。また、構造物は、飛行機、船
舶、自動車、鉄道車両等の輸送機であってもよい。ま
た、構造物は、コンピュータ、ディプレイ、ゲーム機、
アミューズメント機等の電子機器や、携帯電話等の携帯
型電子機器や、ＭＲＩ（磁気共鳴画像）装置等の医療電
子機器や、電波暗箱等の電磁的評価装置や、アンテナ等
の電波送受信装置等であってもよい。

【０２３２】また、本実施の形態に係る構造物は、電波
反射減衰体を含まない状態で所定の機能を発揮する構造
物本体の少なくとも一部に電波反射減衰体が設置された
ものでもよい。この場合、構造物に対する電波反射減衰
体の設置形態、設置個所および設置面積は、特に限定さ
れず、構造物の特質や、電波反射減衰体を設置する目的
等に応じて適宜選択可能である。

【０２３３】また、本実施の形態に係る構造物は、電波
反射減衰体が構造物の一部を兼ねたものでもよい。この
場合も、構造物中における電波反射減衰体の設置形態、
設置個所および設置面積は、特に限定されず、構造物の
特質や、電波反射減衰体を設置する目的等に応じて適宜
選択可能である。

【０２３４】また、本実施の形態に係る構造物は、全体
が電波反射減衰体によって構成されたものでもよい。

【０２３５】本実施の形態に係る構造物の一例として
は、図１９や図２２に示した電波暗箱７０において、電
波吸収体７３として、第１の実施の形態に係る電波反射
減衰体としての電波吸収体を用いた構造の電波暗箱があ
る。また、本実施の形態に係る構造物の他の例として
は、図２６や図２７に示した電波暗室９０において、電
波吸収体９１として、第１の実施の形態に係る電波反射
減衰体としての電波吸収体を用いた構造の電波暗室があ
る。

【０２３６】以下、図２８ないし図３２を参照して、本
実施の形態に係る構造物のその他のいくつかの例につい
て説明する。

【０２３７】図２８は、ビルの外壁等を本実施の形態に
係る構造物とした例を示す説明図である。図２８には、
円偏波の電波を用いた航空機レーダシステムが示されて
いる。このような航空機レーダシステムにおいては、送
信用レーダアンテナ１１１から円偏波の電波１１３を送
信し、航空機１１６で反射されて、送信された電波１１
３とは逆旋となる円偏波の電波１１４を、受信用レーダ
アンテナ１１２で受信して、航空機１１６の位置を探知
する。しかしながら、レーダの探索方向にビル１１５が
存在すると、送信用レーダアンテナ１１１から送信され
た電波１１３は、ビル１１５によって反射され、本来探
知すべき方向とは異なった方向を探知してしまい、その
異なった方向に航空機１１６が存在した場合には、あた
かも本来探知すべき方向に航空機１１６が存在している
ように見えてしまう。すなわち、本来探知すべき方向
に、航空機１１６の偽像１１６Ｐが見えてしまう。この
ようなレーダ偽像現象を解決する手段として、ビル１１
５の外壁やガラス窓を電波反射減衰体によって構成する
方法が有用である。

【０２３８】このようなレーダ偽像現象は、ビルだけで
なく高架、電信柱等によっても起こり得る。また、船舶
レーダシステム等においては、架橋がレーダ偽像現象の
原因となり得る。また、自動車用の衝突防止レーダシス
テム等においては、トンネルの内壁やガードレールがレ
ーダ偽像現象の原因となり得、とりわけコーナー部にお
いてレーダ偽像現象が起こり得る。従って、これらのレ
ーダシステムにおいても、電波反射減衰体を含む本実施
の形態に係る構造物を用いることが有用となる。

【０２３９】図２９は、オフィスルームの天井、床、壁
および窓を本実施の形態に係る構造物とした例を示す説
明図である。図２９には、オフィスルームにおける無線
ＬＡＮシステムが示されている。この無線ＬＡＮシステ
ムでは、オフィスルーム１２１の天井等に設置された無
線ＬＡＮ用アンテナ１２２とコンピュータ１２３等に設
置された無線ＬＡＮ用アンテナ１２４とを用いて、電波
１２５によって通信を行うようになっている。このシス
テムにおいて、電波１２５が円偏波の電波である場合に
は、本来は、途中でオフィスルームの天井等で反射せず
にアンテナ１２２，１２４を行き来する電波１２５によ
って通信が行われる。しかしながら、アンテナ１２２，
１２４間で、オフィスルーム１２１内の天井、床、壁、
窓の面によって偶数回反射された電波１２６は、電波１
２５と同旋の円偏波となるため、アンテナ１２２，１２
４によって受信される。このような電波１２６による信
号は、本来の通信に用いられる信号よりも時間的に遅延
している。このような遅延した信号は、本来の通信に悪
影響を与え、データ通信速度の低下を引き起こす可能性
がある。このようなデータ通信速度の低下を防止する手
段として、オフィスルーム１２１内の天井、床、壁、窓
の面に電波反射減衰体を設置したり、オフィスルーム１
２１内の天井、床、壁、窓の面を電波反射減衰体によっ
て構成する方法が有用である。

【０２４０】図３０は、ゲート、路面、トンネル、アン
テナ支持柱および自動車を本実施の形態に係る構造物と
した例を示す説明図である。図３０には、自動料金収受
システムが示されている。この自動料金収受システムで
は、路側の機器、例えばアンテナ１３０と、通信領域１
３３内に存在する自動車１３１側の機器との間で、円偏
波の電波を用いた通信が行われるようになっている。こ
のシステムにおいて、本来は、途中で反射せずにアンテ
ナ１３０と自動車１３１側の機器とを行き来する電波１
３６によって通信が行われる。しかしながら、アンテナ
１３０と通信領域１３３内の自動車１３１とが通信を行
っているときには、自動車１３１の屋根等とゲート屋根
１３４で合計２回反射された電波１３７によって、非通
信領域に存在する自動車１３２とアンテナ１３０との間
でも、誤った通信が行われてしまう可能性がある。課金
システムの処理方法に依存するが、このような誤った通
信によって、自動車１３２は二重に課金されるか、ある
いは課金されないという問題が発生する可能性がある。
このような問題を解決するためには、ゲート屋根１３４
の下部に電波反射減衰体を設置する方法が有用である。
また、自動車の屋根等に電波反射減衰体を設置すること
によってもこのような問題を解決可能である。

【０２４１】ここで、自動車１３１が存在しない場合に
おいても、路面とゲート屋根１３４で合計２回反射され
た電波によって、非通信領域に存在する自動車１３２と
アンテナ１３０との間で誤った通信が行われてしまう可
能性がある。このような場合には、自動車の屋根等に電
波反射減衰体を設置していても、問題は解決できない。
このような問題を解決するためには、路面に電波反射減
衰体を設置する方法が有用である。

【０２４２】また、アンテナ１３０より送信され、アン
テナ支持柱１３５等によって１回だけ反射された電波１
３８は、自動車１３１が受信すべき電波とは逆旋となる
ため、自動車１３１によっては受信されない。しかしな
がら、アンテナ支持柱１３５等によって反射された電波
が、更に路面や自動車１３１やゲート屋根１３４等で反
射されることによって、誤った通信を引き起こす可能性
や通信品質（通信速度）を低下させる可能性がある。こ
のような問題を解決するためには、アンテナ支持柱１３
５等にも電波反射減衰体を設置することが有用である。

【０２４３】図３１は、電子機器、携帯型電子機器また
は医療電子機器を本実施の形態に係る構造物とした例を
示す説明図である。コンピューター等の電子機器１４１
は、筺体に囲まれ、その内部に電子基盤１４２，１４３
を有している。電子基盤１４２，１４３には高周波電流
が流れている。そのため、電子基盤１４２，１４３の信
号線のパターンによっては、その高周波電流によって電
子基盤１４２，１４３から円偏波の電波が放射される可
能性がある。この電波は、他の電子基盤１４２，１４３
の信号に悪影響を与えたり、筐体内面等によって反射さ
れることによって、自らの電子基盤１４２，１４３に悪
影響を与える可能性がある。このような問題を解決する
ためには、電子基盤１４２，１４３のＬＳＩ（大規模集
積回路）チップ等の上に電波反射減衰体を設置したり、
筐体内面に電波反射減衰体を設置することが有用であ
る。

【０２４４】このような問題は、コンピューターのみの
問題でなく、電子基盤を搭載するディスプレイ、ゲーム
機、アミューズメント機等の電子機器や、携帯電話等の
携帯型電子機器や、ＭＲＩ（磁気共鳴画像）装置等の医
療電子機器でも起こり得る。液晶ディスプレイ等におい
ては、液晶パネルからの電波の放射も問題となる得る。
従って、これらの機器においても、電波反射減衰体を設
置することが有用となる。

【０２４５】図３２は、アンテナを本実施の形態に係る
構造物とした例を示す説明図である。図３２には、複数
の円偏波アンテナ素子１５２が配列された円偏波用のア
レーアンテナ１５１が示されている。このようなアレー
アンテナ１５１において、電波送受信方向とは反対の面
に電波反射減衰体を設置することにより、アンテナパタ
ーンにおけるフロントバック比を変更することができ
る。このように、アンテナのアンテナパターンの改善に
電波反射減衰体を用いることも可能である。

【０２４６】以上説明したように、本実施の形態に係る
構造物によれば、この構造物が含む電波反射減衰体にお
いて、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対しては円偏波の
電波に対する場合と同等の反射減衰特性を有する必要が
ないので、円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を
有する電波反射減衰体を容易に且つ適切に実現すること
が可能になる。その結果、本実施の形態によれば、円偏
波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射
減衰体を含む構造物を容易に且つ適切に実現することが
可能になる。

【０２４７】なお、本発明は、上記各実施の形態に限定
されず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態
において挙げた電波吸収体の構造や設計例は一例であ
り、これに限定されるものではない。

【０２４８】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の円
偏波用電波反射減衰体の設計方法によれば、ＴＥ波とＴ
Ｍ波の両直線偏波に対して良好な反射減衰特性を有する
ように電波反射減衰体を設計するのではなく、ＴＥ波に
対する複素反射係数とＴＭ波に対する複素反射係数との
平均の絶対値が所望の値以下になるように電波反射減衰
体を設計するようにしたので、円偏波の電波の反射を抑
制するための円偏波用電波反射減衰体を、容易に且つ適
切に実現することが可能になるという効果を奏する。

【０２４９】また、請求項２記載の円偏波用電波反射減
衰体の評価方法によれば、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波
に対して良好な反射減衰特性を有するか否かによって電
波反射減衰体を評価するのではなく、円偏波に対する複
素反射係数の絶対値を用いて電波反射減衰体の評価を行
うようにしたので、円偏波の電波の反射を抑制するため
の円偏波用電波反射減衰体を、容易に且つ適切に評価す
ることが可能になるという効果を奏する。

【０２５０】また、請求項３記載の円偏波用電波反射減
衰体の評価方法によれば、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波
に対して良好な反射減衰特性を有するか否かによって電
波反射減衰体を評価するのではなく、円偏波に対する反
射減衰量を用いて電波反射減衰体の評価を行うようにし
たので、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用
電波反射減衰体を、容易に且つ適切に評価することが可
能になるという効果を奏する。

【０２５１】また、請求項４記載の電波反射減衰体評価
装置によれば、測定手段によって、ＴＥ波に対する電波
反射減衰体の複素反射係数とＴＭ波に対する電波反射減
衰体の複素反射係数とを独立に測定し、演算手段によっ
て、円偏波に対する電波反射減衰体の複素反射係数の絶
対値として、測定された２つの複素反射係数の平均の絶
対値を求めるようにしたので、電波反射減衰体の円偏波
に対する反射減衰特性を適切に評価することが可能にな
り、これにより、円偏波の電波に対して所望の反射減衰
特性を有する電波反射減衰体を容易に且つ適切に実現す
ることが可能になるという効果を奏する。

【０２５２】また、請求項５記載の電波反射減衰体評価
装置によれば、送信手段によって、電波反射減衰体に対
して円偏波の電波を放射し、受信手段によって、円偏波
に対する電波反射減衰体の反射減衰量を求めるために、
電波反射減衰体で反射されて、送信手段より放射された
電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信するようにした
ので、電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を
適切に評価することが可能になり、これにより、円偏波
の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減
衰体を容易に且つ適切に実現することが可能になるとい
う効果を奏する。

【０２５３】また、請求項６ないし９のいずれかに記載
の電波反射減衰体評価装置によれば、電波暗箱内の設置
部に設置された電波反射減衰体に対して、送信手段によ
って円偏波の電波を放射し、電波反射減衰体で反射され
て、送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波
の電波を受信手段によって受信するようにしたので、電
波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を適切に評
価することが可能になり、これにより、円偏波の電波に
対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を容
易に且つ適切に実現することが可能になるという効果を
奏する。

【０２５４】また、請求項１０ないし１２のいずれかに
記載の電波反射減衰体評価装置によれば、電波暗箱内に
挿入された電波反射減衰体に対して、送信手段によって
円偏波の電波を放射し、電波反射減衰体で反射されて、
送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電
波を受信手段によって受信するようにしたので、電波反
射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を適切に評価す
ることが可能になり、これにより、円偏波の電波に対し
て所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を容易に
且つ適切に実現することが可能になるという効果を奏す
る。

【０２５５】また、請求項１３ないし２０のいずれかに
記載の電波反射減衰体によれば、ＴＥ波とＴＭ波の両直
線偏波に対しては円偏波の電波に対する場合と同等の反
射減衰特性を有する必要がないので、円偏波の電波に対
して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を、容
易に且つ適切に実現することが可能になるという効果を
奏する。

【０２５６】また、請求項２１記載の構造物によれば、
この構造体が含む電波反射減衰体において、ＴＥ波とＴ
Ｍ波の両直線偏波に対しては円偏波の電波に対する場合
と同等の反射減衰特性を有する必要がないので、円偏波
の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減
衰体を容易に且つ適切に実現することが可能になり、そ
の結果、円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有
する電波反射減衰体を含む構造物を容易に且つ適切に実
現することが可能になるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本出願において用いられる用語について説明す
るための説明図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態における電波吸収体
以外の電波反射減衰体の例を示す説明図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態における電波吸収体
以外の電波反射減衰体の例を示す説明図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態における電波吸収体
以外の電波反射減衰体の例を示す説明図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態において楕円偏波の
電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰
体を設計する方法を説明するための説明図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態の第１の実施例にお
ける電波吸収体の構成およびその電気的等価回路を示す
説明図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態の第１の実施例にお
いて設計された電波吸収体の特性を示す特性図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態の第２の実施例にお
ける電波吸収体の構成およびその電気的等価回路を示す
説明図である。

【図９】本発明の第１の実施の形態の第２の実施例にお
いて設計された電波吸収体の特性を示す特性図である。

【図１０】図９に示した設計例の電波吸収体について入
射角度と複素反射係数の実部との関係を示す特性図であ
る。

【図１１】図９に示した設計例の電波吸収体について入
射角度と複素反射係数の虚部との関係を示す特性図であ
る。

【図１２】本発明の第１の実施の形態の第２の実施例に
おいて設計された他の電波吸収体の特性を示す特性図で
ある。

【図１３】本発明の第１の実施の形態の第３の実施例に
おける電波吸収体の構成およびその電気的等価回路を示
す説明図である。

【図１４】本発明の第１の実施の形態の第３の実施例に
おいて設計された電波吸収体の特性を示す特性図であ
る。

【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る電波反射減
衰体評価装置の構成を示す説明図である。

【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る評価方法の
妥当性について検証するために試作した電波吸収体の電
波反射減衰特性を示す特性図である。

【図１７】本発明の第２の実施の形態において試作した
電波吸収体の複素反射係数の測定値および計算値を示す
特性図である。

【図１８】本発明の第２の実施の形態において試作した
電波吸収体の反射減衰量の測定値を示す特性図である

【図１９】本発明の第３の実施の形態に係る電波反射減
衰体評価装置の構成を示す説明図である。

【図２０】本発明の第３の実施の形態に係る評価装置を
示す斜視図である。

【図２１】本発明の第３の実施の形態に係る評価装置に
おける電波暗箱の扉を示す説明図である。

【図２２】本発明の第３の実施の形態に係る評価装置の
他の構成例を示す説明図である。

【図２３】本発明の第３の実施の形態に係る評価装置の
更に他の構成例を示す説明図である。

【図２４】図２３に示した評価装置の側面に平行な断面
を示す断面図である。

【図２５】図２３に示した評価装置の正面に平行な断面
を示す断面図である。

【図２６】本発明の第４の実施の形態に係る円偏波用電
波反射減衰体の評価方法および電波反射減衰体評価装置
を説明するための説明図である。

【図２７】本発明の第５の実施の形態に係る電波反射減
衰体評価装置の構成を示す説明図である。

【図２８】本発明の第６の実施の形態に係る構造物の例
を示す説明図である。

【図２９】本発明の第６の実施の形態に係る構造物の例
を示す説明図である。

【図３０】本発明の第６の実施の形態に係る構造物の例
を示す説明図である。

【図３１】本発明の第６の実施の形態に係る構造物の例
を示す説明図である。

【図３２】本発明の第６の実施の形態に係る構造物の例
を示す説明図である。

【符号の説明】

３０…電波吸収体、３１…抵抗体（導電体）、３２…誘
電体層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 滝沢 幸治 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5E321 AA42 GG11 5J020 BD02 EA02 EA03 EA07 EA10

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円偏波の電波に対して所望の反射減衰特
   性を有する円偏波用電波反射減衰体を設計する方法であ
   って、 電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対する前記電波
   反射減衰体の複素反射係数と磁界が入射面に垂直な電波
   （ＴＭ波）に対する前記電波反射減衰体の複素反射係数
   との平均の絶対値が所望の値以下になるように、前記各
   複素反射係数を変化させるパラメータの値を決定するこ
   とを特徴とする円偏波用電波反射減衰体の設計方法。
2. 【請求項２】 円偏波の電波の反射を抑制するための円
   偏波用電波反射減衰体を評価する方法であって、 電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対する前記電波
   反射減衰体の複素反射係数と磁界が入射面に垂直な電波
   （ＴＭ波）に対する前記電波反射減衰体の複素反射係数
   とをそれぞれ独立に測定する手順と、 円偏波に対する前記電波反射減衰体の複素反射係数の絶
   対値として、測定された２つの複素反射係数の平均の絶
   対値を求める手順と、 求められた円偏波に対する複素反射係数の絶対値を用い
   て前記電波反射減衰体の評価を行う手順とを備えたこと
   を特徴とする円偏波用電波反射減衰体の評価方法。
3. 【請求項３】 円偏波の電波の反射を抑制するための円
   偏波用電波反射減衰体を評価する方法であって、 前記電波反射減衰体に対して円偏波の電波を放射し、前
   記電波反射減衰体で反射されて、放射された電波とは逆
   旋となる円偏波の電波を受信して、円偏波に対する前記
   電波反射減衰体の反射減衰量を求める手順と、 求められた前記反射減衰量を用いて前記電波反射減衰体
   の評価を行う手順とを備えたことを特徴とする円偏波用
   電波反射減衰体の評価方法。
4. 【請求項４】 電波の反射を抑制するための電波反射減
   衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用
   いられる電波反射減衰体評価装置であって、 電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対する前記電波
   反射減衰体の複素反射係数と磁界が入射面に垂直な電波
   （ＴＭ波）に対する前記電波反射減衰体の複素反射係数
   とをそれぞれ独立に測定する測定手段と、 円偏波に対する前記電波反射減衰体の複素反射係数の絶
   対値として、前記測定手段によって測定された２つの複
   素反射係数の平均の絶対値を求める演算手段とを備えた
   ことを特徴とする電波反射減衰体評価装置。
5. 【請求項５】 電波の反射を抑制するための電波反射減
   衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用
   いられる電波反射減衰体評価装置であって、 前記電波反射減衰体に対して円偏波の電波を放射する送
   信手段と、 円偏波に対する前記電波反射減衰体の反射減衰量を求め
   るために、前記電波反射減衰体で反射されて、前記送信
   手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を
   受信する受信手段とを備えたことを特徴とする電波反射
   減衰体評価装置。
6. 【請求項６】 電波の反射を抑制するための電波反射減
   衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用
   いられる電波反射減衰体評価装置であって、 内壁の少なくとも一部に電波吸収体が配置された筐体を
   有する電波暗箱と、 前記電波暗箱内に設けられ、評価対象の電波反射減衰体
   が設置される設置部と、 前記電波暗箱内に設置され、前記電波反射減衰体に対し
   て円偏波の電波を放射する送信手段と、 前記電波暗箱内に設置され、円偏波に対する前記電波反
   射減衰体の反射減衰量を求めるために、前記電波反射減
   衰体で反射されて、前記送信手段より放射された電波と
   は逆旋となる円偏波の電波を受信する受信手段とを備え
   たことを特徴とする電波反射減衰体評価装置。
7. 【請求項７】 前記電波暗箱は扉を有し、前記設置部は
   前記扉の内面に設けられていることを特徴とする請求項
   ６記載の電波反射減衰体評価装置。
8. 【請求項８】 前記設置部は前記評価対象の電波反射減
   衰体を着脱自在に保持する保持部材を有することを請求
   項６または７記載の電波反射減衰体評価装置。
9. 【請求項９】 前記送信手段は送信アンテナを有し、前
   記受信手段は受信アンテナを有し、 更に、前記電波暗箱内に設置され、前記送信アンテナお
   よび受信アンテナを支持するアンテナ支持具を備えたこ
   とを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の電
   波反射減衰体評価装置。
10. 【請求項１０】 電波の反射を抑制するための電波反射
    減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために
    用いられる電波反射減衰体評価装置であって、 内壁の少なくとも一部に電波吸収体が配置された筐体を
    有する電波暗箱と、 前記電波暗箱に設けられ、電波暗箱外から電波暗箱内へ
    評価対象の電波反射減衰体を挿入可能とする挿入部と、 前記電波暗箱内に設置され、前記電波反射減衰体に対し
    て円偏波の電波を放射する送信手段と、 前記電波暗箱内に設置され、円偏波に対する前記電波反
    射減衰体の反射減衰量を求めるために、前記電波反射減
    衰体で反射されて、前記送信手段より放射された電波と
    は逆旋となる円偏波の電波を受信する受信手段とを備え
    たことを特徴とする電波反射減衰体評価装置。
11. 【請求項１１】 更に、前記評価対象の電波反射減衰体
    が設置され、前記挿入部より前記電波暗箱内へ挿入され
    る可動台を備えたことを特徴とする請求項１０記載の電
    波反射減衰体評価装置。
12. 【請求項１２】 前記送信手段は送信アンテナを有し、
    前記受信手段は受信アンテナを有し、 更に、前記電波暗箱内に設置され、前記送信アンテナお
    よび受信アンテナを支持するアンテナ支持具を備えたこ
    とを特徴とする請求項１０または１１記載の電波反射減
    衰体評価装置。
13. 【請求項１３】 電波の反射を抑制するための電波反射
    減衰体であって、４０度の電波入射角度において、電界
    が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対する反射減衰量と
    磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ波）に対する反射減衰
    量の一方は２０ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射減
    衰量は２０ｄＢ以上であることを特徴とする電波反射減
    衰体。
14. 【請求項１４】 ０度〜４０度の電波入射角度範囲内の
    全域において、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以
    上であることを特徴とする請求項１３記載の電波反射減
    衰体。
15. 【請求項１５】 電波の反射を抑制するための電波反射
    減衰体であって、４０度の電波入射角度において、電界
    が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対する反射減衰量と
    磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ波）に対する反射減衰
    量は共に２０ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射減衰
    量は２０ｄＢ以上であることを特徴とする電波反射減衰
    体。
16. 【請求項１６】 ０度〜４０度の電波入射角度範囲内の
    全域において、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以
    上であることを特徴とする請求項１５記載の電波反射減
    衰体。
17. 【請求項１７】 電波の反射を抑制するための電波反射
    減衰体であって、５０度の電波入射角度において、電界
    が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対する反射減衰量と
    磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ波）に対する反射減衰
    量の一方は１５ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射減
    衰量は１５ｄＢ以上であることを特徴とする電波反射減
    衰体。
18. 【請求項１８】 ０度〜５０度の電波入射角度範囲内の
    全域において、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以
    上であることを特徴とする請求項１７記載の電波反射減
    衰体。
19. 【請求項１９】 電波の反射を抑制するための電波反射
    減衰体であって、５０度の電波入射角度において、電界
    が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対する反射減衰量と
    磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ波）に対する反射減衰
    量は共に１５ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射減衰
    量は１５ｄＢ以上であることを特徴とする電波反射減衰
    体。
20. 【請求項２０】 ０度〜５０度の電波入射角度範囲内の
    全域において、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以
    上であることを特徴とする請求項１９記載の電波反射減
    衰体。
21. 【請求項２１】 請求項１３ないし２０のいずれかに記
    載の電波反射減衰体を含むことを特徴とする構造物。