JP2005331512A - 円偏波用電波反射減衰体の評価方法および電波反射減衰体評価装置 - Google Patents

Abstract

【課題】円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を、容易に且つ適切に評価できるようにする。
【解決手段】円偏波用電波反射減衰体の評価方法は、電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対する電波反射減衰体１の複素反射係数と磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ波）に対する電波反射減衰体１の複素反射係数とをそれぞれ独立に測定する手順と、円偏波に対する電波反射減衰体１の複素反射係数の絶対値として、測定された２つの複素反射係数の平均の絶対値を求める手順と、求められた円偏波に対する複素反射係数の絶対値を用いて電波反射減衰体１の評価を行う手順とを備えている。
【選択図】図１５

Description

本発明は、例えば移動体通信、衛星通信、レーダー等で用いられる円偏波の電波における不要な反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体の評価方法および電波反射減衰体評価装置に関する。

電波の不要な反射を抑制するものとして電波吸収体が広く用いられている。電波吸収体は、所望の周波数範囲、所望の入射角度範囲において所望の反射減衰量が得られるように設計される。

従来、電波が電波吸収体に斜めに入射する場合における電波吸収体の設計は、電界が入射面に垂直な電波であるＴＥ波の場合と、磁界が入射面に垂直な電波であるＴＭ波の場合とに分けて行われていた。このような電波吸収体の設計方法は、例えば、非特許文献１や非特許文献２に示されている。

ところで、例えば特許文献１の段落００１７に記載されているように、ＴＥ波およびＴＭ波の両直線偏波に対して良好な電波吸収特性を有する電波吸収体は円偏波に対しても有効な電波吸収特性を有することが知られている。そこで、従来は、円偏波用の電波吸収体の設計は、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して良好な電波吸収特性を有するように設計されていた。

なお、特許文献２には、形状がコイル状をしている微小炭素繊維からなる電磁波吸収材料を含む難燃性電磁波吸収シートが示されている。また、特許文献２には、段落００１０において、「…さらに電磁波は、コイルにより直線偏波（水平、垂直）のほか円偏波（右回転、左回転）を受け、さらに高導電性であるために反射、散乱などを受け急激に減衰する。」と記載されている。

特開平７−２８８３９３号公報 特開平１１−３２３７７０号公報 清水 康敬 他編、「最新 電磁波の吸収と遮蔽」、日経技術図書、１９９９年 橋本 修 著、「電波吸収体入門」、森北出版、１９９７年

しかしながら、円偏波に対して良好な電波吸収特性を有する電波吸収体を実現するために、電波吸収体がＴＥ波およびＴＭ波の両直線偏波に対して良好な電波吸収特性を有するようにする必要はない。従って、従来における円偏波用の電波吸収体の設計方法では、余分な条件が課せられていると言うことができる。

また、円偏波用の電波吸収体の評価についても、設計と同様のことが言える。すなわち、従来の円偏波用の電波吸収体は、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して良好な電波吸収特性を有するか否かによって評価されていた。しかしながら、円偏波に対して良好な電波吸収特性を有する電波吸収体が、必ずしもＴＥ波およびＴＭ波の両直線偏波に対して良好な電波吸収特性を有する必要はない。従って、従来における円偏波用の電波吸収体の評価方法では、余分な条件が課せられていると言うことができる。

なお、特許文献２には、とりわけ円偏波に対して、電波吸収体が良好な電波吸収特性を有するようにするための設計方法は記載されていない。また、円偏波に対する電波吸収体の電波吸収特性を評価した結果も記載されていない。

本発明はかかる問題点を鑑みてなされたもので、その第１の目的は、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を、容易に且つ適切に評価できるようにした円偏波用電波反射減衰体の評価方法を提供することにある。

また、本発明の第２の目的は、円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を容易に且つ適切に実現できるようにするために、電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を適切に評価できるようにした電波反射減衰体評価装置を提供することにある。

本発明の第１の円偏波用電波反射減衰体の評価方法は、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を評価する方法であって、
電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対する電波反射減衰体の複素反射係数と磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ波）に対する電波反射減衰体の複素反射係数とをそれぞれ独立に測定する手順と、
円偏波に対する電波反射減衰体の複素反射係数の絶対値として、測定された２つの複素反射係数の平均の絶対値を求める手順と、
求められた円偏波に対する複素反射係数の絶対値を用いて電波反射減衰体の評価を行う手順と
を備えたものである。

本発明の第１の円偏波用電波反射減衰体の評価方法では、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して良好な反射減衰特性を有するか否かによって電波反射減衰体を評価するのではなく、円偏波に対する複素反射係数の絶対値を用いて電波反射減衰体の評価を行う。

なお、本発明において、円偏波とは、完全な円偏波のみでなく、概ね円偏波とみなせる楕円偏波も含む。本発明において、概ね円偏波とみなせる楕円偏波とは、軸比（楕円偏波率）が１．１以下の楕円偏波を言う。

本発明の第２の円偏波用電波反射減衰体の評価方法は、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を評価する方法であって、
電波反射減衰体に対して円偏波の電波を放射し、電波反射減衰体で反射されて、放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信して、円偏波に対する電波反射減衰体の反射減衰量を求める手順と、
求められた反射減衰量を用いて電波反射減衰体の評価を行う手順と
を備えたものである。

本発明の第２の円偏波用電波反射減衰体の評価方法では、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して良好な反射減衰特性を有するか否かによって電波反射減衰体を評価するのではなく、円偏波に対する反射減衰量を用いて電波反射減衰体の評価を行う。

本発明の第１の電波反射減衰体評価装置は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装置であって、
電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対する電波反射減衰体の複素反射係数と磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ波）に対する電波反射減衰体の複素反射係数とをそれぞれ独立に測定する測定手段と、
円偏波に対する電波反射減衰体の複素反射係数の絶対値として、測定手段によって測定された２つの複素反射係数の平均の絶対値を求める演算手段と
を備えたものである。

本発明の第１の電波反射減衰体評価装置では、測定手段によって、ＴＥ波に対する電波反射減衰体の複素反射係数とＴＭ波に対する電波反射減衰体の複素反射係数とが独立に測定され、演算手段によって、円偏波に対する電波反射減衰体の複素反射係数の絶対値として、測定された２つの複素反射係数の平均の絶対値が求められる。

本発明の第２の電波反射減衰体評価装置は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装置であって、
電波反射減衰体に対して円偏波の電波を放射する送信手段と、
円偏波に対する電波反射減衰体の反射減衰量を求めるために、電波反射減衰体で反射されて、送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信する受信手段と
を備えたものである。

本発明の第２の電波反射減衰体評価装置では、送信手段によって電波反射減衰体に対して円偏波の電波が放射され、電波反射減衰体で反射されて、送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波が受信手段によって受信される。

本発明の第３の電波反射減衰体評価装置は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装置であって、
内壁の少なくとも一部に電波吸収体が配置された筐体を有する電波暗箱と、
電波暗箱内に設けられ、評価対象の電波反射減衰体が設置される設置部と、
電波暗箱内に設置され、電波反射減衰体に対して円偏波の電波を放射する送信手段と、
電波暗箱内に設置され、円偏波に対する電波反射減衰体の反射減衰量を求めるために、電波反射減衰体で反射されて、送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信する受信手段と
を備えたものである。

本発明の第３の電波反射減衰体評価装置では、電波暗箱内の設置部に設置された電波反射減衰体に対して、送信手段によって円偏波の電波が放射され、電波反射減衰体で反射されて、送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波が受信手段によって受信される。

本発明の第３の電波反射減衰体評価装置において、電波暗箱は扉を有し、設置部は扉の内面に設けられていてもよい。

また、本発明の第３の電波反射減衰体評価装置において、設置部は評価対象の電波反射減衰体を着脱自在に保持する保持部材を有していてもよい。

また、本発明の第３の電波反射減衰体評価装置において、送信手段は送信アンテナを有し、受信手段は受信アンテナを有し、電波反射減衰体評価装置は、更に、電波暗箱内に設置され、送信アンテナおよび受信アンテナを支持するアンテナ支持具を備えていてもよい。

本発明の第４の電波反射減衰体評価装置は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装置であって、
内壁の少なくとも一部に電波吸収体が配置された筐体を有する電波暗箱と、
電波暗箱に設けられ、電波暗箱外から電波暗箱内へ評価対象の電波反射減衰体を挿入可能とする挿入部と、
電波暗箱内に設置され、電波反射減衰体に対して円偏波の電波を放射する送信手段と、
電波暗箱内に設置され、円偏波に対する電波反射減衰体の反射減衰量を求めるために、電波反射減衰体で反射されて、送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信する受信手段と
を備えたものである。

本発明の第４の電波反射減衰体評価装置では、挿入部より電波暗箱内に挿入された電波反射減衰体に対して、送信手段によって円偏波の電波が放射され、電波反射減衰体で反射されて、送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波が受信手段によって受信される。

本発明の第４の電波反射減衰体評価装置は、更に、評価対象の電波反射減衰体が設置され、挿入部より電波暗箱内へ挿入される可動台を備えていてもよい。

また、本発明の第４の電波反射減衰体評価装置において、送信手段は送信アンテナを有し、受信手段は受信アンテナを有し、電波反射減衰体評価装置は、更に、電波暗箱内に設置され、送信アンテナおよび受信アンテナを支持するアンテナ支持具を備えていてもよい。

なお、本発明において、電波反射減衰体は、減衰させるべき電波の周波数または所定の周波数範囲の周波数帯について、所望の反射減衰特性を有すればよい。減衰させるべき電波の周波数は、一点の周波数でもよいし、複数点の周波数でもよい。また、周波数帯は、一つの周波数帯であってもよいし、複数の周波数帯であってもよい。

請求項１記載の円偏波用電波反射減衰体の評価方法によれば、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して良好な反射減衰特性を有するか否かによって電波反射減衰体を評価するのではなく、円偏波に対する複素反射係数の絶対値を用いて電波反射減衰体の評価を行うようにしたので、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を、容易に且つ適切に評価することが可能になるという効果を奏する。

また、請求項２記載の円偏波用電波反射減衰体の評価方法によれば、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して良好な反射減衰特性を有するか否かによって電波反射減衰体を評価するのではなく、円偏波に対する反射減衰量を用いて電波反射減衰体の評価を行うようにしたので、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を、容易に且つ適切に評価することが可能になるという効果を奏する。

また、請求項３記載の電波反射減衰体評価装置によれば、測定手段によって、ＴＥ波に対する電波反射減衰体の複素反射係数とＴＭ波に対する電波反射減衰体の複素反射係数とを独立に測定し、演算手段によって、円偏波に対する電波反射減衰体の複素反射係数の絶対値として、測定された２つの複素反射係数の平均の絶対値を求めるようにしたので、電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を適切に評価することが可能になり、これにより、円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を容易に且つ適切に実現することが可能になるという効果を奏する。

また、請求項４記載の電波反射減衰体評価装置によれば、送信手段によって、電波反射減衰体に対して円偏波の電波を放射し、受信手段によって、円偏波に対する電波反射減衰体の反射減衰量を求めるために、電波反射減衰体で反射されて、送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信するようにしたので、電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を適切に評価することが可能になり、これにより、円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を容易に且つ適切に実現することが可能になるという効果を奏する。

また、請求項５ないし８のいずれかに記載の電波反射減衰体評価装置によれば、電波暗箱内の設置部に設置された電波反射減衰体に対して、送信手段によって円偏波の電波を放射し、電波反射減衰体で反射されて、送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信手段によって受信するようにしたので、電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を適切に評価することが可能になり、これにより、円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を容易に且つ適切に実現することが可能になるという効果を奏する。

また、請求項９ないし１１のいずれかに記載の電波反射減衰体評価装置によれば、電波暗箱内に挿入された電波反射減衰体に対して、送信手段によって円偏波の電波を放射し、電波反射減衰体で反射されて、送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信手段によって受信するようにしたので、電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を適切に評価することが可能になり、これにより、円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を容易に且つ適切に実現することが可能になるという効果を奏する。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
始めに、図１を参照して、本出願において用いられる用語について説明する。図１は、電波反射減衰体１に入射した電波が、電波反射減衰体１によって反射される様子を表している。入射波２と反射波３とを含む面を入射面４と言う。電波反射減衰体１の電波到来側の面における入射波２の入射点で、その面に立てた法線を入射法線５と言う。入射法線５と入射波２の進行方向とがなす角度を入射角度θ_iと言い、入射法線５と出射波３の進行方向とがなす角度を反射角度θ_rという。反射減衰体１の電波到来側の面が平面である場合には、入射角度θ_iと反射角度θ_rは等しい。

また、電界が入射面に垂直な電波をＴＥ波と言い、磁界が入射面に垂直な電波をＴＭ波と言う。図１において、符号１１はＴＥ波の電界ベクトルを表し、符号１２はＴＭ波の電界ベクトルを表している。これらＴＥ波およびＴＭ波の電界ベクトルの大きさは、周波数に依存し時間変化に伴って変化している。また、電界ベクトルが周波数に依存し時間変化に伴って回転している電波を円偏波と言う。円偏波には、電界ベクトルが右回転する右旋偏波１３と、電界ベクトルが左回転する左旋偏波１４とがある。

［第１の実施の形態］
次に、本発明の第１の実施の形態に係る円偏波用電波反射減衰体の設計方法および電波反射減衰体について説明する。

本実施の形態に係る設計方法は、円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する円偏波用電波反射減衰体を設計する方法であって、ＴＥ波に対する電波反射減衰体の複素反射係数Γ_TE ^*（＊は複素数であることを表す。）とＴＭ波に対する電波反射減衰体の複素反射係数Γ_TM ^*との平均の絶対値｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜が所望の値Ａ以下になるように、各複素反射係数Γ_TE ^*、Γ_TM ^*を変化させるパラメータの値を決定するものである。複素反射係数Γ_TE ^*、Γ_TM ^*を変化させるパラメータは、例えば電波反射減衰体が電波吸収体の場合には、電波吸収体を構成する１以上の層の電磁気的な定数（複素比誘電率、複素比透磁率）や厚さ等である。

上記の｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜は、円偏波に対する電波反射減衰体の複素反射係数Γ_CP ^*の絶対値となる。従って、本実施の形態に係る設計方法は、以下の式（１）を満たすように、複素反射係数Γ_TE ^*、Γ_TM ^*を変化させるパラメータの値を決定するものである。

｜Γ_CP ^*｜＝｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜≦Ａ …（１）

円偏波に対する電波反射減衰体の反射減衰量Ｓは、−２０log｜Γ_CP ^*｜（単位はｄＢ）と表される。従って、本実施の形態に係る設計方法は、以下の式（２）を満たすように、複素反射係数Γ_TE ^*、Γ_TM ^*を変化させるパラメータの値を決定すると言うこともできる。

Ｓ＝−２０log｜Γ_CP ^*｜
＝−２０log｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜≧−２０logＡ …（２）

本実施の形態に係る設計方法では、所望の周波数範囲および所望の入射角度範囲において、上記式（１）または式（２）を満たすように、複素反射係数Γ_TE ^*、Γ_TM ^*を変化させるパラメータの値を決定する。

なお、本実施の形態において、円偏波とは、完全な円偏波のみでなく、概ね円偏波とみなせる楕円偏波も含む。本実施の形態において、概ね円偏波とみなせる楕円偏波とは、軸比（楕円偏波率）が１．１以下の楕円偏波を言う。

また、電波反射減衰体は、電波の反射を抑制するものであればよく、代表的な例としては電波吸収体があるが、電波吸収体に限られるものではない。図２ないし図４は、電波吸収体以外の電波反射減衰体の例を示したものである。

図２は、位相調整型の電波反射減衰体２１を示している。この電波反射減衰体２１は電波を反射する材料によって構成され、段差を有する２種類の反射面２１ａ，２１ｂを有している。電波反射減衰体２１に入射した電波２０は反射面２１ａ，２１ｂで反射される。反射面２１ａで反射された電波と反射面２１ｂで反射された電波との間には位相差が生じ、この位相差により、２つの反射波が重なった後の電波が減衰される。

図３、図４は、それぞれ、電波散乱型の電波反射減衰体２２，２３を示している。これらの電波反射減衰体２２，２３は電波を反射する材料によって構成されている。電波反射減衰体２２は多角錘形状または楔形状の反射面を有している。電波反射減衰体２３は波形の反射面を有している。電波反射減衰体２２，２３に入射した電波２０は反射面で反射、散乱され、反射波が減衰される。

例えば図２ないし図４に示したような電波反射減衰体であっても、ＴＥ波、ＴＭ波それぞれに対する電波反射減衰体の複素反射係数を計算することにより、円偏波に対する電波反射減衰体の複素反射係数の絶対値を計算することができ、これにより、電波反射減衰体の設計が可能になる。

ここまでは、円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する円偏波用電波反射減衰体を設計する方法について説明してきたが、本実施の形態に係る設計方法は、楕円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を設計する場合にも応用することができる。

以下、楕円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を設計する方法について説明する。まず、図５に示したように、電波の入射面と平行な方向をｘ方向とし、入射面と垂直な方向をｙ方向とする。また、楕円偏波の入射電波のｘ方向の電界Ｅｘの大きさの最大値をＸ＝｜Ｅｘ｜とし、入射電波のｙ方向の電界Ｅｙの大きさの最大値をＹ＝｜Ｅｙ｜とする。楕円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を設計するには、以下の式（３）で表されるように、楕円偏波に対する電波反射減衰体の複素反射係数Γ_EP ^*の絶対値が所望の値Ａ以下になるように、複素反射係数Γ_TE ^*、Γ_TM ^*を変化させるパラメータの値を決定すればよい。

｜Γ_EP ^*｜＝｜［｛Y／（X＋Y）｝Γ_TE ^*+｛X／（X＋Y）｝Γ_TM ^*）］｜≦Ａ …（３）

楕円偏波に対する電波反射減衰体を設計する場合には、入射電波のｘ方向の電界の大きさの最大値Ｘとｙ方向の電界の大きさの最大値Ｙとが異なるので、電波反射減衰体に対して入射面を固定する必要がある。すなわち、電波の到来方向と電波反射減衰体の設置位置との関係を固定する必要がある。なお、電波反射減衰体が、ＴＥ波、ＴＭ波の両直線偏波に対して良好な電波吸収特性を有する電波吸収体の場合には、電波反射減衰体の反射減衰特性は、電波の到来方向と電波反射減衰体の設置位置との関係に依存しない。

以下、電波反射減衰体として電波吸収体を用いる場合を例にとって、本実施の形態に係る設計方法について更に詳しく説明する。

電波反射減衰体としての電波吸収体は、抵抗体（導電体）によって裏打されていてもよい。抵抗体（導電体）としては、金属板や、導電性メッシュや、透光性もしくは透明性を有する抵抗膜等を用いることができる。抵抗体（導電体）が、導電性メッシュや透光性もしくは透明性を有する抵抗膜である場合には、それが電波反射体として機能すべく、その面抵抗値が０Ω□〜５０Ω□以下であることが好ましい。

また、電波吸収体は誘電体からなる層（以下、誘電体層と言う。）を含んでいてもよい。誘電体層としては、空気層や、有機材質や無機材質の誘電体の層や、有機材質や無機材質の誘電体の発泡材からなる層や、有機材質や無機材質の誘電体の基材に誘電損失体の紛粒や誘電損失体の繊維を混合したものからなる層や、有機材質や無機材質の誘電体の発泡材に誘電損失体の紛粒や誘電損失体の繊維を混合したものからなる層等を用いることができる。

次に、円偏波用電波反射減衰体としての電波吸収体およびその設計方法の３つの実施例について説明する。

［第１の実施例］
第１の実施例は、抵抗体（導電体）および１層の誘電体層からなる電波吸収体およびその設計方法の例である。

図６は、抵抗体（導電体）３１および１層の誘電体層３２からなる電波吸収体３０の構成およびその電気的等価回路を示している。この電波吸収体３０では、誘電体層３２が電波到来側に配置される。この電波吸収体３０において、抵抗体（導電体）３１を第１層とし、誘電体層３２を第２層とする。

また、自由空間（空気）の特性インピーダンスをＺ₀とし、自由空間における電波の波長をλ₀とし、電波吸収体３０の表面への電波の入射角度をθとし、第ｋ層の複素比誘電率をε_rk ^*とし、第ｋ層の複素比透磁率をμ_rk ^*とし、第ｋ層の厚さをｄ_kとし、第ｋ層の特性インピーダンスをＺ_Ck ^*とし、第ｋ−１層の電波到来側表面から見込んだインピーダンスをＺ_ink-1 ^*とし、第ｋ層の伝搬定数をγ_k ^*（＝ｊ・（２π／λ₀）√（ε_rk ^*μ_rk ^*−ｓｉｎ²θ））とする。

第ｋ層が抵抗体（導電体）以外の場合、すなわち、本実施例においてｋ＝２の場合には、第ｋ層の電波到来側表面から見込んだインピーダンスＺ_ink ^*は、次の式（４）で表される。

Ｚ_ink ^*＝Ｚ_Ck ^*（Ｚ_ink-1 ^*＋Ｚ_Ck ^*ｔａｎｈγ_k ^*ｄ_k）／（Ｚ_Ck ^*＋Ｚ_ink-1 ^*ｔａｎｈγ_k ^*ｄ_k） …（４）

ここで、入射電波がＴＥ波の場合には、Ｚ_Ck ^*＝Ｚ₀μ_rk ^*／√（ε_rk ^*μ_rk ^*−ｓｉｎ²θ）であり、入射電波がＴＭ波の場合には、Ｚ_Ck ^*＝Ｚ₀√（μ_rk ^*ε_rk ^*−ｓｉｎ²θ）／ε_rk ^*である。

次に、第ｋ層が抵抗体（導電体）の場合、すなわち、本実施例においてｋ＝１の場合には、第ｋ層の電波到来側表面から見込んだインピーダンスＺ_ink ^*は、次の式（５）で表される。

Ｚ_ink ^*＝Ｒ_k・Ｚ_ink-1 ^*／（Ｒ_k＋Ｚ_ink-1 ^*） …（５）

ここで、Ｒ_kは第ｋ層の面抵抗値（単位はΩ□）である。

以上の漸化式（４）、（５）より、電波吸収体３０の電波到来側表面から見込んだインピーダンスＺ_inN ^*が求められる。なお、本実施例ではＮ＝２である。

上記インピーダンスＺ_inN ^*より、ＴＥ波に対する複素反射係数Γ_TE ^*と、ＴＭ波に対する複素反射係数Γ_TM ^*は、以下の式によって求められる。

Γ_TE ^*＝｛Ｚ_inN ^*−（Ｚ₀／ｃｏｓθ）｝／｛Ｚ_inN ^*＋（Ｚ₀／ｃｏｓθ）｝

Γ_TM ^*＝（Ｚ_inN ^*−Ｚ₀ｃｏｓθ）／（Ｚ_inN ^*＋Ｚ₀ｃｏｓθ）

また、円偏波に対する電波吸収体３０の反射減衰係数の絶対値｜Γ_CP ^*｜は、以下の式によって求められる。

｜Γ_CP ^*｜＝｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜

更に、円偏波に対する電波吸収体３０の反射減衰量Ｓ（単位はｄＢ）は、以下の式によって求められる。

Ｓ＝−２０log｜Γ_CP ^*｜＝−２０log｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜

ここで、例えば、円偏波に対する電波吸収体３０の反射減衰係数の絶対値｜Γ_CP ^*｜、すなわち｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜が０．１以下になるように設計すれば、円偏波に対する電波吸収体３０の反射減衰量Ｓは２０ｄＢ以上となる。

なお、抵抗体(導電体)３１が金属板である場合、すなわちＲ_k＝０である場合には、Ｚ_ink-1 ^*によらず、Ｚ_ink ^*＝０である。このことは、金属板が存在した場合には、この層より小さい番号の層、すなわち電波進行方向の層についてインピーダンスの計算を行う必要がないことを示している。

本実施例において抵抗体(導電体)３１が金属板である場合には、Ｚ_in1 ^*＝０となるので、Ｚ_in2 ^*は、以下の式のようになる。

Ｚ_in2 ^*＝Ｚ_C2 ^*（Ｚ_in1 ^*＋Ｚ_C2 ^*ｔａｎｈγ₂ ^*ｄ₂）／（Ｚ_C2 ^*＋Ｚ_in1 ^*ｔａｎｈγ₂ ^*ｄ₂）＝Ｚ_C2 ^*ｔａｎｈγ₂ ^*ｄ₂

次に、本実施例における電波吸収体３０の設計の一例と、設計された電波吸収体３０について計算によって求めた特性を示す。この設計では、周波数ｆ＝５．８（ＧＨｚ）、Ｒ₁＝０（Ω□）、ε_r2 ^*＝１．９−ｊ・１．１（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r2 ^*＝１−ｊ・０、ｄ₂＝１１（ｍｍ）とした。電波吸収体３０に対する電波の入射角度が０度〜７０度の場合において、設計された電波吸収体３０について計算によって求めた特性、すなわちＴＥ波、ＴＭ波および円偏波のそれぞれについての入射角度と反射減衰量との関係を図７に示す。

図７において、０度〜５０度の入射角度範囲に着目する。ＴＥ波の場合にはこの入射角度範囲内において１５ｄＢ以上の反射減衰量を有しているが、ＴＭ波の場合には入射角度が約３６度以上になると反射減衰量が１５ｄＢ未満となっている。ところが、円偏波に対しては、この入射角度範囲内において、１５ｄＢ以上の反射減衰量を有している。このことは、所望の入射角度範囲で円偏波に対して１５ｄＢ以上の反射減衰量を有する電波吸収体が、必ずしもＴＥ波およびＴＭ波の両直線偏波に対して１５ｄＢ以上の反射減衰量を有する必要がないことを示している。

図７に示した特性の電波吸収体は、５０度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量とＴＭ波に対する反射減衰量の一方は１５ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上である電波反射減衰体となる。また、図７に示した特性の電波吸収体では、０度〜５０度の電波入射角度範囲内の全域において、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上である。

［第２の実施例］
第２の実施例は、抵抗体（導電体）および３層の誘電体層からなる電波吸収体およびその設計方法の例である。

図８は、抵抗体（導電体）４１と、この抵抗体（導電体）４１側から順に配置された誘電体層４２，４３，４４からなる電波吸収体４０の構成およびその電気的等価回路を示している。この電波吸収体４０では、誘電体層４４が電波到来側に配置される。この電波吸収体４０において、抵抗体（導電体）４１を第１層とし、誘電体層４２を第２層とし、誘電体層４３を第３層とし、誘電体層４４を第４層とする。

本実施例においても、第１層に対しては第１の実施例で示した漸化式（５）を用い、第２層、第３層、第４層に対しては第１の実施例で示した漸化式（４）を用いることによって、円偏波用電波反射減衰体としての電波吸収体４０の設計が可能である。

次に、本実施例における電波吸収体４０の設計の一例と、設計された電波吸収体４０について計算によって求めた特性を示す。この設計では、周波数ｆ＝５．８（ＧＨｚ）、Ｒ₁＝０（Ω□）、ε_r2 ^*＝１．９−ｊ・１．１（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r2 ^*＝１−ｊ・０、ｄ₂＝２７（ｍｍ）、ε_r3 ^*＝１．５４−ｊ・０．３２（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r3 ^*＝１−ｊ・０、ｄ₃＝３．５（ｍｍ）、ε_r4 ^*＝２．８−ｊ・０．０２（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r4 ^*＝１−ｊ・０、ｄ₄＝１（ｍｍ）とした。電波吸収体４０に対する電波の入射角度が０度〜７０度の場合において、設計された電波吸収体４０について計算によって求めた特性、すなわちＴＥ波、ＴＭ波および円偏波のそれぞれについての入射角度と反射減衰量との関係を図９に示す。

図９において、０度〜４０度の入射角度範囲に着目する。ＴＭ波の場合にはこの入射角度範囲内において２０ｄＢ以上の反射減衰量を有しているが、ＴＥ波の場合には入射角度が約３８度以上になると反射減衰量が２０ｄＢ未満となっている。ところが、円偏波に対しては、この入射角度範囲内において、２０ｄＢ以上の反射減衰量を有している。このことは、所望の入射角度範囲で円偏波に対して２０ｄＢ以上の反射減衰量を有する電波吸収体が、必ずしもＴＥ波およびＴＭ波の両直線偏波に対して２０ｄＢ以上の反射減衰量を有する必要がないことを示している。

図９に示した特性の電波吸収体は、４０度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量とＴＭ波に対する反射減衰量の一方は２０ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上である電波反射減衰体となる。また、図９に示した特性の電波吸収体では、０度〜４０度の電波入射角度範囲内の全域において、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上である。

また、図９において、０度〜５０度の入射角度範囲に着目する。ＴＭ波の場合にはこの入射角度範囲内において１５ｄＢ以上の反射減衰量を有しているが、ＴＥ波の場合には入射角度が約４９度以上になると反射減衰量が１５ｄＢ未満となっている。ところが、円偏波に対しては、この入射角度範囲内において、１５ｄＢ以上の反射減衰量を有している。このことは、所望の入射角度範囲で円偏波に対して１５ｄＢ以上の反射減衰量を有する電波吸収体が、必ずしもＴＥ波およびＴＭ波の両直線偏波に対して１５ｄＢ以上の反射減衰量を有する必要がないことを示している。

図９に示した特性の電波吸収体は、５０度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量とＴＭ波に対する反射減衰量の一方は１５ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上である電波反射減衰体となる。また、図９に示した特性の電波吸収体では、０度〜５０度の電波入射角度範囲内の全域において、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上である。

次に、図９に示した設計例の電波吸収体４０について、入射角度が０度〜７０度の場合において、計算によって求めた複素反射係数の特性、すなわちＴＥ波、ＴＭ波および円偏波のそれぞれについての入射角度と複素反射係数との関係を図１０および図１１に示す。図１０は入射角度と複素反射係数の実部との関係を示し、図１１は入射角度と複素反射係数の虚部との関係を示している。

図１０に示した複素反射係数の実部に着目すると、ＴＥ波の場合には入射角度が大きくなるにつれて複素反射係数の実部は負側に大きくなり、ＴＭ波の場合には入射角度が大きくなるにつれて複素反射係数の実部は正側に大きくなっている。しかしながら、円偏波の場合における複素反射係数の実部は、ＴＥ波の場合における複素反射係数の実部とＴＭ波の場合における複素反射係数の実部との平均となるために、入射角度が大きくなっても入射角度０度における値を概ね維持している。

また、図１１に示した複素反射係数の虚部に着目すると、円偏波の場合における複素反射係数の虚部は、ＴＥ波の場合における複素反射係数の虚部とＴＭ波の場合における複素反射係数の虚部との平均となるために、その複素反射係数の虚部の絶対値は、ＴＥ波の場合における複素反射係数の虚部の絶対値とＴＭ波の場合における複素反射係数の虚部の絶対値のうちの大きい方の値よりも小さくなっている。

以上のことから分かるように、円偏波に対して良好な反射減衰特性（電波吸収特性）を有する電波吸収体を設計する場合には、ＴＥ波およびＴＭ波の両直線偏波に対して良好な反射減衰特性（電波吸収特性）を有するように設計する必要はなく、ＴＥ波の場合における複素反射係数とＴＭ波の場合における複素反射係数との平均値が、実部、虚部共に０に近づくように設計することが必要である。

ところで、ＴＥ波、ＴＭ波および円偏波のそれぞれについて、電波吸収体の電波到来側表面から見込んだインピーダンスが、Ｚ_inTE ^*、Ｚ_inTM ^*およびＺ_inCP ^*とすると、（Ｚ_inTE ^*）²+（Ｚ_inTM ^*）²−２Ｚ_inTE ^*・Ｚ_inTM ^*＝０を満たす範囲においては、Ｚ_inCP ^*＝（Ｚ_inTE ^*＋Ｚ_inTM ^*）／２が成り立っている。

次に、本実施例における電波吸収体４０の設計の他の例と、設計された電波吸収体４０について計算によって求めた特性を示す。この設計では、周波数ｆ＝５．８（ＧＨｚ）、Ｒ₁＝０（Ω□）、ε_r2 ^*＝１．９−ｊ・１．１（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r2 ^*＝１−ｊ・０、ｄ₂＝２７（ｍｍ）、ε_r3 ^*＝１．５４−ｊ・０．３２（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r3 ^*＝１−ｊ・０、ｄ₃＝５（ｍｍ）、ε_r4 ^*＝２．８−ｊ・０．０２（５．８ＧＨｚにおいて）、μ_r4 ^*＝１−ｊ・０、ｄ₄＝１（ｍｍ）とした。電波吸収体４０に対する電波の入射角度が０度〜７０度の場合において、設計された電波吸収体４０について計算によって求めた特性、すなわちＴＥ波、ＴＭ波および円偏波のそれぞれについての入射角度と反射減衰量との関係を図１２に示す。

図１２において、０度〜５０度の入射角度範囲に着目する。ＴＭ波の場合にはこの入射角度範囲内において２０ｄＢ以上の反射減衰量を有しているが、ＴＥ波の場合には入射角度が約４５度以上になると反射減衰量が２０ｄＢ未満となっている。ところが、円偏波に対しては、この入射角度範囲内において、２０ｄＢ以上の反射減衰量を有している。このことは、所望の入射角度範囲で円偏波に対して２０ｄＢ以上の反射減衰量を有する電波吸収体が、必ずしもＴＥ波およびＴＭ波の両直線偏波に対して２０ｄＢ以上の反射減衰量を有する必要がないことを示している。

ところで、本実施の形態に係る円偏波用電波吸収体の設計方法において、電波吸収体は磁性体からなる層（以下、磁性体層と言う。）を含んでいてもよい。磁性体層では、複素比透磁率μ_r ^*が１−ｊ・０ではなくなる。磁性体層としては、焼結フェライトからなる層や、有機材質や無機材質の誘電体の基材に磁性体の紛粒を混合したものからなる層や、有機材質や無機材質の誘電体の発泡材に磁性体の紛粒を混合したものからなる層等を用いることができる。また、磁性体層には、複素比誘電率を調整すべく、誘電体の粉粒もしくは誘電損失体の粉粒や誘電損失体の繊維を混合してもよい。

また、本実施例では、３層の誘電体層を有する電波吸収体を示したが、より多くの層を含む電波吸収体も、第１の実施例で示した漸化式を用いることにより設計可能である。また、電波吸収体は、誘電体層のみが積層されてなるものや、複数の磁性体層のみが積層されてなるものに限らず、誘電体層および磁性体層が積層されてなるものでもよい。

また、電波吸収体は、後述する第３の実施例のように、抵抗体からなる層（膜）を含んでいてもよい。抵抗体（導電体）からなる層（膜）は、透光性もしくは透明性を有する膜であってもよい。透光性を有する膜としては、例えば、透明な誘電体（有機高分子、ガラス等）の上に金属酸化物、金属窒化物または金属を蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、塗布等の方法によって形成された透明な膜を用いることができる。また、抵抗体（導電体）からなる層（膜）の面抵抗値（単位はΩ□）は、周波数分散性もしくは周波数選択性を有していてもよい。また、抵抗体（導電体）からなる層（膜）の面抵抗値（単位はΩ□）は、異方性もしくは偏波選択性を有していてもよい。

［第３の実施例］
第３の実施例は、２層の抵抗体（導電体）および３層の誘電体層からなる電波吸収体およびその設計方法の例である。

図１３は、順に配置された誘電体層５１、抵抗体（導電体）５２、誘電体層５３、抵抗体（導電体）５４および誘電体層５５からなる電波吸収体５０の構成およびその電気的等価回路を示している。この電波吸収体５０では、誘電体層５５が電波到来側に配置される。この電波吸収体５０において、誘電体層５１を第１層とし、抵抗体（導電体）５２を第２層とし、誘電体層５３を第３層とし、抵抗体（導電体）５４を第４層とし、誘電体層５５を第５層とする。

本実施例においても、第１層、第３層、第５層に対しては第１の実施例で示した漸化式（４）を用い、第２層、第４層に対しては第１の実施例で示した漸化式（５）を用いることによって、円偏波用電波反射減衰体としての電波吸収体５０の設計が可能である。

次に、本実施例における電波吸収体５０の設計の一例と、設計された電波吸収体５０について計算によって求めた特性を示す。この設計では、周波数ｆ＝２．４５（ＧＨｚ）、Ｒ₂＝１０（Ω□）、Ｒ₄＝４０５（Ω□）、ε_r1 ^*＝ε_r3 ^*＝ε_r5 ^*＝２．７−ｊ・０．０３（２．４５ＧＨｚにおいて）、μ_r1 ^*＝μ_r3 ^*＝μ_r5 ^*＝１−ｊ・０、ｄ₁＝１（ｍｍ）、ｄ₃＝１８．４（ｍｍ）、ｄ₅＝１（ｍｍ）とした。電波吸収体５０に対する電波の入射角度が０度〜７０度の場合において、設計された電波吸収体５０について計算によって求めた特性、すなわちＴＥ波、ＴＭ波および円偏波のそれぞれについての入射角度と反射減衰量との関係を図１４に示す。

図１４において、０度〜４０度の入射角度範囲に着目する。ＴＥ波、ＴＭ波の場合には共に入射角度が約３５度以上になると反射減衰量が２０ｄＢ未満となっている。ところが、円偏波に対しては、この入射角度範囲内において、２０ｄＢ以上の反射減衰量を有している。このことは、所望の入射角度範囲で円偏波に対して２０ｄＢ以上の反射減衰量を有する電波吸収体が、必ずしもＴＥ波およびＴＭ波の両直線偏波に対して２０ｄＢ以上の反射減衰量を有する必要がないことを示している。

図１４に示した特性の電波吸収体は、４０度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量とＴＭ波に対する反射減衰量は共に２０ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上である電波反射減衰体となる。また、図１４に示した特性の電波吸収体では、０度〜４０度の電波入射角度範囲内の全域において、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上である。

また、図１４において、０度〜５０度の入射角度範囲に着目する。ＴＥ波、ＴＭ波の場合には共に入射角度が約４５度以上になると反射減衰量が１５ｄＢ未満となっている。ところが、円偏波に対しては、この入射角度範囲内において、１５ｄＢ以上の反射減衰量を有している。このことは、所望の入射角度範囲で円偏波に対して１５ｄＢ以上の反射減衰量を有する電波吸収体が、必ずしもＴＥ波およびＴＭ波の両直線偏波に対して１５ｄＢ以上の反射減衰量を有する必要がないことを示している。

図１４に示した特性の電波吸収体は、５０度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量とＴＭ波に対する反射減衰量は共に１５ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上である電波反射減衰体となる。また、図１４に示した特性の電波吸収体では、０度〜５０度の電波入射角度範囲内の全域において、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上である。

電波吸収体５０において、抵抗体（導電体）と隣り合う層は、誘電体層であってもよいし、磁性体層であってもよい。

また、電波吸収体５０において、全ての層を透明性もしくは透光性を有する層で構成してもよい。この場合には、電波吸収体５０も透明性もしくは透光性を有することになる。

また、電波吸収体５０において抵抗体（導電体）５２を金属板とした場合には、電波吸収体５０は、透明性もしくは透光性は有さないが、λ／４型構造の電波吸収体となる。

また、電波吸収体５０において、隣り合う層間は、両面テープもしくは接着材によって接着されていてもよい。この場合には、両面テープもしくは接着材による層の数分だけ、誘電体層の数が増える。

なお、電波反射減衰体としての電波吸収体の形状は、平板形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。その他の形状としては、多角錐形状、楔形状または多波形状でもよいし、中空の多角錐形状、楔形状または多波形状でもよいし、平板形状の部分の電波到来方向に多角錐形状、楔形状または多波形状の部分が追加された形状等でもよい。電波吸収体の形状を平板形状以外の形状とする場合には、電波吸収体の各部分が空間に占める比率を考慮して平面多層電波吸収体に近似することによって、電波吸収体を設計することができる。

また、本実施の形態では、３つの実施例によって、３種類の構造の電波吸収体を示し、それらの設計方法について説明したが、本実施の形態に係る円偏波用電波吸収体の設計方法は、実施例で示した構造の電波吸収体を設計する場合に限定されるわけではない。すなわち、誘電体層（空気層も含む）、磁性体層（誘電体と磁性体の混合された層を含む）、抵抗体（導電体）が、如何ように積層された構造の電波吸収体であっても設計可能である。

ここで、円偏波において、電波障害対策に必要とされる２０ｄＢないし１５ｄＢの反射減衰量を有する電波吸収体を実現しようとした場合について考える。０度〜２０度程度の小さな入射角度においては、通常、垂直入射において必要とされる反射減衰量を十分に有していれば、２０度までの入射角度においても、偏波によらず必要とされる反射減衰量を実現できる。

しかしながら、２０度以上の入射角度範囲においては、ＴＥ波およびＴＭ波に対する電波吸収特性と円偏波に対する電波吸収特性が異なってくる。そこで、広い入射角度範囲において２０ｄＢないし１５ｄＢの反射減衰量を有する円偏波用の電波吸収体を実現しようとした場合には、４０度および５０度付近での複素反射係数の制御が重要となる。

ただし、第２の実施例において示した複素反射係数の入射角度に対する変化の様子から分かるように、６０度以上の大きな入射角度においては、電波吸収体の複素反射係数の実部は、ＴＥ波の場合には負側に大きくなり、ＴＭ波の場合には正側に大きくなっている。また、円偏波に対する反射係数は、ＴＥ波に対する反射係数とＴＭ波に対する反射係数との平均となることから、６０度以上の大きな入射角度においては、円偏波に対する電波吸収体の電波吸収特性は、ＴＥ波およびＴＭ波に対する電波吸収特性よりも優れた特性を有することは当然である。

以上説明したように、本実施の形態に係る円偏波用電波反射減衰体の設計方法では、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して良好な反射減衰特性を有するように電波反射減衰体を設計するのではなく、ＴＥ波に対する複素反射係数とＴＭ波に対する複素反射係数との平均の絶対値が所望の値以下になるように電波反射減衰体を設計するようにしている。従って、本実施の形態によれば、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を、容易に且つ適切に実現することが可能になる。

ところで、本実施の形態に係る電波反射減衰体には、以下の第１ないし第４の電波反射減衰体が含まれる。

第１の電波反射減衰体は、図９に示した特性の電波吸収体のように、４０度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量とＴＭ波に対する反射減衰量の一方は２０ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上であるものである。この第１の電波反射減衰体において、０度〜４０度の電波入射角度範囲内の全域において、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上であってもよい。

第２の電波反射減衰体は、図１４に示した特性の電波吸収体のように、４０度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量とＴＭ波に対する反射減衰量は共に２０ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上であるものである。この第２の電波反射減衰体において、０度〜４０度の電波入射角度範囲内の全域において、円偏波に対する反射減衰量は２０ｄＢ以上であってもよい。

第３の電波反射減衰体は、図７に示した特性の電波吸収体や図９に示した特性の電波吸収体のように、５０度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量とＴＭ波に対する反射減衰量の一方は１５ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上であるものである。この第３の電波反射減衰体において、０度〜５０度の電波入射角度範囲内の全域において、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上であってもよい。

第４の電波反射減衰体は、図１４に示した特性の電波吸収体のように、５０度の電波入射角度において、ＴＥ波に対する反射減衰量とＴＭ波に対する反射減衰量は共に１５ｄＢ未満であり、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上であるものである。この第４の電波反射減衰体において、０度〜５０度の電波入射角度範囲内の全域において、円偏波に対する反射減衰量は１５ｄＢ以上であってもよい。

このような本実施の形態に係る電波反射減衰体によれば、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対しては円偏波の電波に対する場合と同等の反射減衰特性を有する必要がないので、円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を、容易に且つ適切に実現することが可能になる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る円偏波用電波反射減衰体の評価方法および電波反射減衰体評価装置について説明する。

本実施の形態に係る評価方法は、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を評価する方法であって、ＴＥ波に対する電波反射減衰体の複素反射係数Γ_TE ^*とＴＭ波に対する電波反射減衰体の複素反射係数Γ_TM ^*とをそれぞれ独立に測定する手順と、円偏波に対する電波反射減衰体の複素反射係数の絶対値｜Γ_CP ^*｜として、測定された２つの複素反射係数の平均の絶対値｜（Γ_TE ^*＋Γ_TM ^*）／２｜を求める手順と、求められた円偏波に対する複素反射係数の絶対値を用いて電波反射減衰体の評価を行う手順とを備えている。

評価は、具体的には、第１の実施の形態で説明した式（１）、またはこれと同等の式（２）を満足するか否かを判断することによって行われる。

図１５は、本実施の形態に係る電波反射減衰体評価装置の構成を示す説明図である。この評価装置は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装置であり、特に本実施の形態に係る評価方法を実現するのに適した装置である。この評価装置は、電波反射減衰体１に対して直線偏波の電波を放射する送信アンテナ６１と、この送信アンテナ６１より放射されて、電波反射減衰体１で反射された直線偏波の電波を受信する受信する受信アンテナ６２と、送信アンテナ６１および受信アンテナ６２に接続されたネットワークアナライザー６３と、このネットワークアナライザー６３に接続された制御用コンピューター６４とを備えている。

送信アンテナ６１と受信アンテナ６２は、直線偏波用のアンテナであり、ダイポールアンテナ、ループアンテナ、ホーンアンテナ、対数周期アンテナ、アレーアンテナ、バイコニカルアンテナ、八木・宇多アンテナ等が用いられる。また、送信アンテナ６１と受信アンテナ６２は、向きを変えることによって、ＴＥ波の送受信とＴＭ波の送受信とが可能になっている。

ネットワークアナライザー６３は、送信アンテナ６１に与える信号と受信アンテナ６２より得られる信号とに基づいて、電波反射減衰体１のインピーダンス等の特性を測定する。

制御用コンピューター６４は、制御用のプログラムを実行することにより、ネットワークアナライザー６３を制御すると共に、ネットワークアナライザー６３の測定結果を取得し、その取得した測定結果に基づいて、所望の演算等を行い、演算の基礎となる測定結果や演算結果、それらをグラフ化した内容、および評価対象となる電波反射減衰体１が所望の電波減衰特性を満足しているかの判定結果等をディスプレイに表示したり、制御用コンピューター６４に接続されたプリンターにそれらの結果を出力できるようになっている。これによって、測定者はそれらの結果を把握することが可能となる。

また、制御用コンピューター６４は、前記した結果を制御用コンピューター６４に内蔵されたハードディスク等の固定記録媒体や、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスクおよび電子的メモリー等の取り外し可能な記録媒体等に、電子データとして保存することが可能である。また、制御用コンピューター６４は、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、広域ネットワーク（ＷＡＮ）等のネットワークによって接続された他のコンピューターに前記した結果を転送することが可能である。また、上述のようにして保存されたデータや転送されたデータを用いて、追加の演算処理や複数の電波反射減衰体の測定結果を集合的に演算処理することも可能である。

上記した制御用コンピューター６４の機能は、ネットワークアナライザー６３に内蔵されていればネットワークアナライザー６３のみで実行可能であり、必要な機器がネットワークアナライザー６３に接続されていれば、ネットワークアナライザー６３およびそれに接続された機器のみで実行可能である。

本実施の形態では特に、制御用コンピューター６４は、ネットワークアナライザー６３の測定結果に基づいて、ＴＥ波に対する電波反射減衰体１の複素反射係数とＴＭ波に対する電波反射減衰体１の複素反射係数とを求め、更に、円偏波に対する電波反射減衰体１の複素反射係数の絶対値として、測定された２つの複素反射係数の平均の絶対値を求める。

送信アンテナ６１、受信アンテナ６２、ネットワークアナライザー６３および制御用コンピューター６４は本発明における測定手段に対応し、制御用コンピューター６４は本発明における演算手段に対応する。

なお、本実施の形態における評価対象となる電波反射減衰体１は、第１の実施の形態と同様に、電波吸収体に限らず、例えば図２ないし図４に示したような、電波吸収体以外の電波反射減衰体であってもよい。本実施の形態では、どのような形態の電波反射減衰体１であっても、ＴＥ波、ＴＭ波それぞれに対する複素反射係数を独立に測定することにより、円偏波に対する複素反射係数の絶対値を計算することができ、これにより、電波反射減衰体１の評価が可能になる。

次に、本実施の形態に係る評価方法の妥当性について検証した結果について説明する。ここでは、第１の実施の形態における第２の実施例で示した構成の電波吸収体４０を試作し、その反射減衰特性（電波吸収特性）を測定、評価した結果を示す。ただし、試作した電波吸収体４０における第３層の厚みｄ₃は５ｍｍとした。また、試作した電波吸収体４０の材料定数、すなわち複素比誘電率は、第２の実施例で示した値とは異なっている。

電波吸収体４０の反射減衰特性の測定は電波暗室内で行った。また、円偏波に対する反射減衰特性の測定の際には円偏波用のアンテナを用い、ＴＥ波およびＴＭ波に対する反射減衰特性の測定の際には直線偏波用のアンテナを用いた。

図１６は、周波数範囲４ＧＨｚ〜７ＧＨｚ、入射角度４０度における、試作した電波吸収体４０の電波反射減衰特性、すなわち周波数と反射減衰量との関係を示している。図１６において、ＴＥ波、ＴＭ波および円偏波に対する特性は測定によって得られたものである。また、図１６において、“計算値”とは、ＴＥ波およびＴＭ波の各複素反射係数の測定値より計算によって求めた、円偏波に対する反射減衰量を表している。

すなわち、ＴＥ波およびＴＭ波に対する各複素反射係数の測定値を、それぞれΓ_measTE ^* およびΓ_measTM ^*で表すと、円偏波に対する反射減衰量の計算値Ｓ_calCP（単位はｄＢ）は、以下の式で求められる。

Ｓ_calCP＝−２０log｜（Γ_measTE ^*+Γ_measTM ^*）／２｜

また、円偏波に対する複素反射係数の実部および虚部の計算値は、それぞれ以下の式におけるＧおよびＢである。

（Γ_measTE ^*+Γ_measTM ^*）／２＝Ｇ+ｊＢ

図１６より、円偏波に対する測定値と計算値は、それらの差の大きさが０ｄＢ〜３．３ｄＢ程度であり、概ね一致しているのが分かる。特に、測定誤差が小さい、反射減衰量が３０ｄＢ以下の領域においては、測定値と計算値の差の大きさは０ｄＢ〜１．４ｄＢ程度であり、測定値と計算値が良好に一致している。

この結果より、ＴＥ波に対する複素反射係数をΓ_TE ^*とし、ＴＭ波に対する複素反射係数をΓ_TM ^*とし、円偏波に対する複素反射係数をΓ_CP ^*としたとき、以下の等式が成り立っていることが分かる。

｜Γ_CP ^*｜＝｜（Γ_TE ^*+Γ_TM ^*）／２｜

図１７は、周波数範囲４ＧＨｚ〜７ＧＨｚ、入射角度４０度における、試作した電波吸収体４０の複素反射係数の測定値および計算値を示している。図１７より、反射減衰量の場合と同様に、電波吸収体４０の複素反射係数においても測定値と計算値は概ね一致していることが分かる。

図１８は、周波数範囲４ＧＨｚ〜７ＧＨｚ、入射角度０度（実際には１．７度）における、試作した電波吸収体４０の反射減衰量の測定値を示している。図１８より、垂直入射においては、直線偏波に対する反射減衰量と円偏波に対する反射減衰量は、それらの差の大きさが０．２ｄＢ〜１．８ｄＢ程度であり、測定誤差を有するものの、概ね一致していることが分かる。

以上説明したように、本実施の形態に係る円偏波用電波反射減衰体の評価方法および電波反射減衰体評価装置では、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して良好な反射減衰特性を有するか否かによって電波反射減衰体を評価するのではなく、円偏波に対する複素反射係数の絶対値を用いて電波反射減衰体の評価を行うようにしている。従って、本実施の形態によれば、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を、容易に且つ適切に評価することが可能になる。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態に係る円偏波用電波反射減衰体の評価方法および電波反射減衰体評価装置について説明する。

本実施の形態に係る評価方法は、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を評価する方法であって、電波反射減衰体に対して円偏波の電波を放射し、電波反射減衰体で反射されて、放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信して、円偏波に対する電波反射減衰体の反射減衰量を求める手順と、求められた反射減衰量を用いて電波反射減衰体の評価を行う手順とを備えている。評価は、具体的には、求められた反射減衰量が所望の値以上か否かを判断することによって行われる。本実施の形態では、特に、後述するように電波暗箱を用いて、簡便な評価を可能としている。

図１９は、本実施の形態に係る電波反射減衰体評価装置の構成を示す説明図である。この評価装置は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装置であり、特に本実施の形態に係る評価方法を実現するのに適した装置である。

本実施の形態に係る評価装置７０は、内壁の少なくとも一部に不要反射抑制用の電波吸収体７３が配置された筐体７２を有する電波暗箱７１と、電波暗箱７１内に設けられ、評価対象の電波反射減衰体７４が設置される設置部７５と、電波暗箱７１内に設置され、電波反射減衰体７４に対して円偏波の電波を放射する送信手段としての送信アンテナ７６と、電波暗箱７１内に設置され、円偏波に対する電波反射減衰体７４の反射減衰量を求めるために、電波反射減衰体７４で反射されて、送信アンテナ７６より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信する受信手段としての受信アンテナ７７とを備えている。

筐体７２は、金属板によって、直方体形状に形成されている。筐体７２のうち、直方体の１つの面に対応する部分は扉７２Ａになっている。この扉７２Ａの内面に設置部７５が設けられている。このように設置部７５を扉７２Ａの内面に設けることにより、電波反射減衰体７４の交換が容易になる。

設置部７５に対向する筐体７２の内面の近傍には、アンテナ支持具１７０が設けられている。送信アンテナ７６および受信アンテナ７７は、このアンテナ支持具１７０に取り付けられている。アンテナ支持具１７０は、電波反射量が極めて小さい素材からなることが好ましい。また、アンテナ支持具１７０は、アンテナ７６，７７を支持するための機械的強度を有する必要がある。また、アンテナ支持具１７０の電波反射量を低減すべく、アンテナ支持具１７０に電波吸収体１７５を取り付けてもよい。

設置部７５から電波反射減衰体７４を取り外した状態では、送信アンテナ７６および受信アンテナ７７は、扉７２Ａの内面である金属面に対向するようになる。また、電波吸収体７３は、扉７２Ａの内面を除く、筐体７２の内面に配置されている。

送信アンテナ７６および受信アンテナ７７は、互いに逆旋の円偏波用のアンテナになっている。円偏波用のアンテナとしては、ヘリカルアンテナ、スパイラルアンテナ、円偏波用パッチアンテナ、円偏波用パラボラアンテナ等を用いることができる。

また、送信アンテナ７６は、同軸線ケーブル１７１を介して、筐体７２に取り付けられたコネクタ１７２に着脱自在に接続されている。同様に、受信アンテナ７７は、同軸線ケーブル１７３を介して、筐体７２に取り付けられたコネクタ１７４に着脱自在に接続されている。そのため、送信アンテナ７６および受信アンテナ７７は、取り外しが可能であり、周波数帯の異なるアンテナや偏波の異なるアンテナに変更することができるようになっている。コネクタ１７２，１７４には、それぞれ同軸線ケーブル７８，７９が接続されている。

評価装置７０を含む評価システムは、送信アンテナ７６および受信アンテナ７７に、それぞれ同軸線ケーブル１７１，１７３、コネクタ１７２，１７４および同軸線ケーブル７８，７９を介して接続されたネットワークアナライザー８０と、このネットワークアナライザー８０に接続された制御用コンピューター８１とを備えている。ネットワークアナライザー８０および制御用コンピューター８１の基本的な機能は、それぞれ第２の実施の形態におけるネットワークアナライザー６３および制御用コンピューター６４と同様である。

図２０は、評価装置７０を示す斜視図である。図２０に示したように、筐体７２のうち、扉７２Ａに対向する面の部分、すなわち送信アンテナ７６および受信アンテナ７７が取り付けられる部分７２Ｂは、ビス８２またはボルト等によって、筐体７２の他の部分に対して着脱可能になっている。また、この送信アンテナ７６および受信アンテナ７７が取り付けられる部分７２Ｂは扉としてもよい。この場合には、送信アンテナ７６および受信アンテナ７７の設置および交換が容易になる。

図２１は、扉７２Ａを示す説明図である。図２１において、（ａ）は扉７２Ａの上面図、（ｂ）は電波到来側から見た扉７２Ａの正面図、（ｃ）は扉７２Ａの側断面図、（ｄ）は（ａ）に示した扉７２Ａの上面図の一部を拡大して示した図である。図２１に示したように、扉７２Ａの内面に設けられた設置部７５は、評価対象の電波反射減衰体７４を着脱自在に保持する保持部材８３を有している。保持部材８３は、矩形の電波反射減衰体７４の左右の各端部および下端部に対応する位置に設けられている。従って、これらの保持部材８３によって囲まれた部分に対して、上方より電波反射減衰体７４を出し入れすることができるようになっている。電波反射減衰体７４は、左右の保持部材８３によって案内されて、設置部７５に対して設置され、また、設置部７５より取り外されるようになっている。

図２１中の（ｄ）に示したように、保持部材８３は、例えば、扉７２Ａに対して両面テープ８６によって接着され、更にビス８４およびナット８５によって扉７２Ａに固定されている。

このように、電波反射減衰体７４を着脱自在に保持する保持部材８３を設けることにより、電波反射減衰体７４の交換が容易になる。また、保持部材８３を扉７２Ａに設けた場合には、電波反射減衰体７４の交換がさらに容易になる。

保持部材８３は、電波反射量が極めて小さい素材からなることが好ましい。また、保持部材８３は、電波反射減衰体７４を保持するための機械的強度を有する必要もある。保持部材８３を構成する素材としては、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ＡＢＳ樹脂、アクリル、テフロン（登録商標）、塩化ビニール等の誘電体材料（有機高分子）を用いることができる。

ただし、電波到来方向から見て、保持部材８３が電波暗箱７１内の不要反射抑制用の電波吸収体７３に隠れる場合には、保持部材８３による反射波は存在しないため、保持部材８３は特に電波反射量が極めて小さい素材からなる必要はない。

なお、図１９ないし図２１に示した電波暗箱７１は、扉７２Ａの外周部一円が筐体７２の他の部分に電気的に接続された場合には、電磁的遮蔽性能を有する。扉７２Ａを筐体７２の他の部分に電気的に接続する手段としては、フィンガーコンタクトや導電性メッシュ等を用いることができる。

次に、評価装置７０を含む評価システムの作用について説明する。評価装置７０では、電波暗箱７１内の設置部７５に設置された電波反射減衰体７４に対して、送信アンテナ７６によって円偏波の電波が放射され、電波反射減衰体７４で反射されて、送信アンテナ７６より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波が受信アンテナ７７によって受信される。ネットワークアナライザー８０は、受信アンテナ７７より得られる信号に基づいて、電波反射減衰体７４における電波反射量を測定する。

また、本実施の形態では、電波反射減衰体７４の代りに、電波反射減衰体７４と同面積の金属平面を有する金属板を、その金属平面が電波反射減衰体７４の電波到来側表面と同位置となるように設置した状態で、送信アンテナ７６から電波を放射させ、金属板の金属平面で反射された電波を受信アンテナ７７によって受信し、ネットワークアナライザー８０によって、金属平面における電波反射量も測定する。そして、制御用コンピューター８１によって、金属平面における電波反射量と電波反射減衰体７４における電波反射量とを比較することによって、電波反射減衰体７４の反射減衰量を求め、この反射減衰量が所望の値以上か否かを判断することによって、電波反射減衰体７４の評価を行う。ただし、電波反射減衰体７４が厚い場合等においては、電波反射減衰体７４と同じ厚さの金属板を用いる必要はなく、電波反射減衰体７４と同じ厚さとなるように厚さを調整すべく、薄い金属板の電波到来側とは反対側の面に発泡体等を設置してなる積層板を用いてもよい。

また、本実施の形態では、扉７２Ａの内面である金属面を上記金属板の金属平面の代りに用いることも可能である。すなわち、設置部７５から電波反射減衰体７４を取り外した状態で、送信アンテナ７６から電波を放射させ、扉７２Ａの内面である金属面で反射された電波を受信アンテナ７７によって受信し、ネットワークアナライザー８０によって、金属面における電波反射量を測定することも可能である。この場合には、扉７２Ａの内面である金属面の複素反射係数が、金属平面が電波反射減衰体７４の電波到来側表面と同位置となるように設置された状態における金属平面の複素反射係数と等しくなるように、制御用コンピューター８１によって、電波反射減衰体７４の厚み分の位相補正演算を行うようにする。

ところで、図１９に示したように、評価装置７０において、測定すべき電波は、送信アンテナ７６より放射され、途中で電波吸収体７３によって反射されることなく電波反射減衰体７４に達し、この電波反射減衰体７４によって反射され、途中で電波吸収体７３によって反射されることなく受信アンテナ７７に到達する電波である。以下、この電波の経路を経路Ｒ１と言う。受信アンテナ７７に到達する電波には、経路Ｒ１を経由した電波の他に、例えば、図１９に示したような経路Ｒ２や経路Ｒ３を経由した電波もある。経路Ｒ２を経由した電波は、送信アンテナ７６より放射され、途中で１回、電波吸収体７３によって反射されてから電波反射減衰体７４に達し、この電波反射減衰体７４によって反射され、途中で電波吸収体７３によって反射されることなく受信アンテナ７７に到達した電波である。経路Ｒ３を経由した電波は、送信アンテナ７６より放射され、途中で１回、電波吸収体７３によって反射されてから電波反射減衰体７４に達し、この電波反射減衰体７４によって反射され、途中で１回、電波吸収体７３によって反射されてから受信アンテナ７７に到達した電波である。

本実施の形態では、送信アンテナ７６と受信アンテナ７７が互いに逆旋の円偏波用のアンテナになっていることから、経路Ｒ２や経路Ｒ３を経由した不要な電波の影響を低減することができる。以下、これについて説明する。ここでは、例えば、送信アンテナ７６は右旋円偏波の電波を放射し、受信アンテナ７７は左旋円偏波の電波を受信するものとする。経路Ｒ１の場合には、送信アンテナ７６より放射された右旋円偏波の電波は、電波反射減衰体７４によって反射されて左旋円偏波の電波となり、受信アンテナ７７によって受信される。経路Ｒ２の場合には、受信アンテナ７７に到達する電波は、途中で１回、電波吸収体７３によって反射されていることから、右旋円偏波となっている。従って、経路Ｒ２を経由した電波は、ほとんど受信アンテナ７７によって受信されない。また、経路Ｒ３の場合には、受信アンテナ７７に到達する電波は、途中で２回、電波吸収体７３によって反射されていることから、左旋円偏波となっている。従って、経路Ｒ２を経由した電波は、受信アンテナ７７によって受信されるが、途中で２回、電波吸収体７３によって電波吸収されていることから、経路Ｒ１を経由した電波に比べて極めて低い受信（電界）レベルとなるために、測定結果に与える影響は少ない。

このように、本実施の形態に係る評価装置７０によれば、電波暗箱７１内の不要反射が測定対象である電波反射減衰体７４の反射減衰特性の測定結果に与える影響を低減することができる。しかしながら、評価対象の電波反射減衰体７４の反射減衰特性が極めて良好であり、非常に低い受信（電界）レベルで電波反射減衰体７４の評価を行う場合や、金属面または評価対象の電波反射減衰体７４と、送信アンテナ７６および受信アンテナ７７との間における多重反射による受信（電界）レベルの誤差が大きい場合には、電波暗箱７１内の不要反射が、測定対象である電波反射減衰体７４の反射減衰特性の測定結果に与える誤差が大きくなる。このような場合には、ネットワークアナライザー７９のタイムドメイン機能（タイムゲート処理）により、評価対象の電波反射減衰体７４および電波反射量の基準となる金属面からの反射波のみを抽出することによって、タイムドメイン機能を用いない場合よりも高精度な反射減衰特性の測定および評価が可能となる。

ところで、評価される電波反射減衰体が、０度〜Ｘ度（Ｘ：要求最大入射角度）の入射角度範囲において、要求反射減衰量ＡｄＢ以上であるか否かを評価する場合において、評価される電波反射減衰体の設計特性が、０度〜Ｘ度の入射角度範囲において反射減衰量がＡｄＢ以上であり、且つ入射角度Ｘ度における反射減衰量ＣｄＢが、入射角度０度における反射減衰量ＢｄＢよりも大きい場合には、以下のような簡便な方法で電波反射減衰体の評価を行うことが可能である。すなわち、上記の場合には、垂直入射における電波反射減衰体の反射減衰量を測定し、この反射減衰量が要求反射減衰量ＡｄＢ以上であれば、０度〜Ｘ度の要求入射角度範囲において、電波反射減衰体の反射減衰量が要求反射減衰量ＡｄＢ以上であると推定することが可能である。ここで垂直入射とは、厳密な垂直入射だけではなく、斜入射角度が５度以下で、ほぼ垂直入射とみなせる場合も含む。

上記の簡便な評価方法を適用できる例としては、例えば、図１２に示した特性の電波吸収体において、Ｘ＝４０、Ａ＝２０ｄＢ（程度）とした場合がある。

このようなことから、電波反射減衰体の最終製品では、要求される入射角度範囲における反射減衰特性を測定すべきであるが、電波反射減衰体の中間製品に対する中間検査等では、図１９に示したような垂直入射における電波反射減衰体の反射減衰量を測定する評価装置の利用が有用である。ここで、中間製品とは、電波反射減衰体としての構造は最終製品と同様もしくは最終製品を模擬したものを言う。また、最終製品とは、電波反射減衰体としての基本的構造は中間製品と同様であるが、設置または施工を行えるように設置手段または施工手段を備えたものを言い、電波吸収パネル等を指す。

図２２は、本実施の形態に係る評価装置７０の他の構成例を示す説明図である。この例では、設置部７５に対向する筐体７２の内面の近傍にアンテナ支持具１７０が設けられている。このアンテナ支持具１７０には、２組の送信アンテナおよび受信アンテナが設置されている。送信アンテナ７６Ａと受信アンテナ７７Ａは、電波反射減衰体７４に対して０度に近い所定の第１の入射角度で電波を入射させ、且つ反射した電波を受信する位置に配置されている。送信アンテナ７６Ｂと受信アンテナ７７Ｂは、電波反射減衰体７４に対して、第１の入射角度よりも大きな所定の第２の入射角度で電波を入射させ、且つ反射した電波を受信する位置に配置されている。アンテナ支持具１７０には電波吸収体１７５が取り付けられていてもよい。

送信アンテナ７６Ａ，７６Ｂは、同軸線ケーブル１７１Ａ，１７１Ｂを介して、筐体７２に取り付けられたコネクタ１７２Ａ，１７２Ｂに着脱自在に接続されている。同様に、受信アンテナ７７Ａ，７７Ｂは、同軸線ケーブル１７３Ａ，１７３Ｂを介して、筐体７２に取り付けられたコネクタ１７４Ａ，１７４Ｂに着脱自在に接続されている。コネクタ１７２Ａ，１７２Ｂ，１７４Ａ，１７４Ｂには、それぞれ同軸線ケーブル７８Ａ，７８Ｂ，７９Ａ，７９Ｂが接続されている。

送信アンテナ７６Ａ，７６Ｂは、それぞれ同軸線ケーブル１７１Ａ，１７１Ｂ、コネクタ１７２Ａ，１７２Ｂ、および同軸線ケーブル７８Ａ，７８Ｂを介して信号線切換機８７に接続されている。信号線切換機８７はネットワークアナライザー８０に接続されている。信号線切換機８７は、送信アンテナ７６Ａ，７６Ｂの一方を選択的にネットワークアナライザー８０に接続する。同様に、受信アンテナ７７Ａ，７７Ｂは、それぞれ同軸線ケーブル１７３Ａ，１７３Ｂ、コネクタ１７４Ａ，１７４Ｂ、および同軸線ケーブル７９Ａ，７９Ｂを介して信号線切換機８８に接続されている。信号線切換機８８はネットワークアナライザー８０に接続されている。信号線切換機８８は、信号線切換機８７による送信アンテナ７６Ａ，７６Ｂの選択に対応させて、受信アンテナ７７Ａ，７７Ｂの一方を選択的にネットワークアナライザー８０に接続する。

また、図２２に示した例では、筐体７２において、アンテナ支持具１７０を介して送信アンテナ７６Ａ，７６Ｂおよび受信アンテナ７７Ａ，７７Ｂが取り付けられる部分は、平板状ではなく、屋根形に形成されている。図２２に示した評価装置７０のその他の構成は、図１９に示した評価装置７０と同様である。

図２２に示した構成によれば、信号線切換機８７，８８によって、使用する送信アンテナと受信アンテナの組を切り換えることができ、電波暗箱７１内においても複数の入射角度に対して電波反射減衰体７４の反射減衰特性を測定することができる。

なお、本実施の形態において、図２２に示した例のように、電波暗箱７１の形状は、直方体に限定されない。また、電波暗箱７１を構成する面は曲面であってもよい。

図２３ないし図２５は、本実施の形態に係る評価装置７０の更に他の構成例を示す説明図である。図２３は、この例における評価装置７０の斜視図である。図２４は、図２３に示した評価装置７０の側面に平行な断面を示す断面図である。図２５は、図２３に示した評価装置７０の正面に平行な断面を示す断面図である。

この例では、評価装置７０は、内壁の少なくとも一部に不要反射抑制用の電波吸収体２０３が配置された筐体２０２を有する電波暗箱２０１を備えている。電波暗箱２０１は、正面、背面および両側面に配置された４つの壁部２１１〜２１４と、天井部２１５と、底部２１６とを有している。両側面に配置された壁部２１３，２１４は、それぞれ開口２１３Ａ，２１４Ａを有している。開口２１３Ａ，２１４Ａは、壁部２１３，２１４の高さ方向の途中の位置から底部２１６にかけて形成されている。開口２１３Ａ，２１４Ａは、電波暗箱２０１外から電波暗箱２０１内へ評価対象の電波反射減衰体２２５を挿入可能とする。開口２１３Ａ，２１４Ａは、本発明における挿入部に対応する。

評価装置７０は、更に、開口２１３Ａ，２１４Ａを貫通するように、底部２１６に配置された２本のレール２２１と、このレール２２１に沿って移動する可動台２２２とを備えている。可動台２２２は、レール２２１上を走行するキャスター２２３を有している。可動台２２２の上には、評価対象の電波反射減衰体２２５が設置されるようになっている。また、レール２２１の両端部には、可動台２２２の移動範囲を制限するためのストッパー２２４が設けられている。電波反射減衰体２２５は、例えばパネル化された電波吸収体であってもよい。

可動台２２２は、評価対象の電波反射減衰体２２５によって電波的に隠れる場合には金属によって形成されていてもよい。可動台２２２が、電波の回折等によって、評価に対して電波的な影響を与える場合には、図２４および図２５に示したように、可動台２２２の脚部や構造的な支持部に電波吸収体２２６を取り付けてもよい。

電波暗箱２０１内には、アーチ状のアンテナ支持具２３０が設けられている。アンテナ支持具２３０は、天井部２１５に固定されている。アンテナ支持具２３０は、電波反射量が極めて小さい素材からなることが好ましい。また、アンテナ支持具２３０は、後述するアンテナを支持するための機械的強度を有する必要がある。また、アンテナ支持具２３０の電波反射量を低減すべく、図２４に示したように、アンテナ支持具２３０に電波吸収体２３９を取り付けてもよい。

アンテナ支持具２３０には、送信手段としての４つの送信アンテナ２３１Ａ〜２３１Ｄと、受信手段としての４つの受信アンテナ２４１Ａ〜２４１Ｄが取り付けられている。

送信アンテナ２３１Ａ〜２３１Ｄは円偏波の電波を放射する。受信アンテナ２４１Ａ〜２４１Ｄは、円偏波に対する電波反射減衰体２２５の反射減衰量を求めるために、電波反射減衰体２２５で反射されて、送信アンテナ２３１Ａ〜２３１Ｄより放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信する。

送信アンテナ２３１Ａと受信アンテナ２４１Ａは、電波反射減衰体２２５に対して０度に近い所定の第１の入射角度で電波を入射させ、且つ反射した電波を受信する位置に配置されている。送信アンテナ２３１Ｂと受信アンテナ２４１Ｂは、電波反射減衰体２２５に対して、第１の入射角度よりも大きな所定の第２の入射角度で電波を入射させ、且つ反射した電波を受信する位置に配置されている。送信アンテナ２３１Ｃと受信アンテナ２４１Ｃは、電波反射減衰体２２５に対して、第２の入射角度よりも大きな所定の第３の入射角度で電波を入射させ、且つ反射した電波を受信する位置に配置されている。送信アンテナ２３１Ｄと受信アンテナ２４１Ｄは、電波反射減衰体２２５に対して、第３の入射角度よりも大きな所定の第４の入射角度で電波を入射させ、且つ反射した電波を受信する位置に配置されている。

送信アンテナ２３１Ａ〜２３１Ｄは、それぞれ、同軸線ケーブル２３２Ａ〜２３２Ｄと、筐体２０２に取り付けられたコネクタ２３３Ａ〜２３３Ｄと、同軸線ケーブル２３４Ａ〜２３４Ｄとを介して、信号線切換機２３５に接続されている。信号線切換機２３５は、高周波用アンプ２３６を介して、ネットワークアナライザー２５０に接続されている。信号線切換機２３５は、送信アンテナ２３１Ａ〜２３１Ｄのうちのいずれかを選択的に高周波用アンプ２３６に接続する。

受信アンテナ２４１Ａ〜２４１Ｄは、それぞれ、同軸線ケーブル２４２Ａ〜２４２Ｄと、筐体２０２に取り付けられたコネクタ２４３Ａ〜２４３Ｄと、同軸線ケーブル２４４Ａ〜２４４Ｄとを介して、信号線切換機２４５に接続されている。信号線切換機２４５はネットワークアナライザー２５０に接続されている。信号線切換機２４５は、信号線切換機２３５による送信アンテナ２３１Ａ〜２３１Ｄの選択に対応させて、受信アンテナ２４１Ａ〜２４１Ｄのうちのいずれかを選択的にネットワークアナライザー２５０に接続する。

ネットワークアナライザー２５０は制御用コンピューター２５１に接続されている。制御用コンピューター２５１には、評価結果等の印刷に用いられるプリンタ２５２が接続されている。ネットワークアナライザー２５０および制御用コンピューター２５１の基本的な機能は、それぞれ第２の実施の形態におけるネットワークアナライザー６３および制御用コンピューター６４と同様である。また、高周波用アンプ２３６を、ネットワークアナライザー２５０と送信側の信号線切換機２３５との間に挿入することにより、ネットワークアナライザー２５０からの出力を高周波用アンプ２３６で増幅して、送信アンテナ２３１Ａ〜２３１Ｄに送出することが可能になる。

図２３ないし図２５に示した例によれば、信号線切換機２３５，２４５によって、使用する送信アンテナと受信アンテナの組を切り換えることができ、電波暗箱２０１内においても複数の入射角度に対して電波反射減衰体２２５の反射減衰特性を測定することができる。

また、図２３ないし図２５に示した例では、電波暗箱２０１は開口２１３Ａ，２１４Ａを有している。従って、この開口２１３Ａ，２１４Ａより、評価対象の電波反射減衰体２２５を電波暗箱２０１内に挿入することによって、電波反射減衰体２２５の反射減衰特性の評価を行うことが可能になる。また、この例では、図２５に示したように、開口２１３Ａ，２１４Ａは、電波暗箱２０１の両側面に設けられている。従って、電波暗箱２０１の両側面から、評価対象の電波反射減衰体２２５を電波暗箱２０１内に挿入することができる。なお、電波暗箱２０１に設けられる開口は、１つであってもよい。

また、この例では、評価対象の電波反射減衰体２２５を、可動台２２２に載せて、電波暗箱２０１内に挿入するようにしている。従って、評価対象の電波反射減衰体２２５の重量が大きい場合でも、電波反射減衰体２２５を容易に電波暗箱２０１内に挿入することが可能である。また、この例では、可動台２２２は、電波暗箱２０１の底部２１６に配置されたレール２２１に沿って移動する。従って、電波暗箱２０１内の的確な位置に電波反射減衰体２２５を挿入することが可能である。また、この例では、レール２２１の端部にストッパー２２４を設けている。従って、可動台２２２がレール２２１から落ちることを防止することができる。

また、開口２１３Ａ，２１４Ｂが電波暗箱２０１の両側面に設けられている場合には、電波暗箱２０１内を通過するように、可動台２２２を移動させることが可能になる。この場合、更に、可動台２２２を自走および自動制御可能にすれば、電波反射減衰体２２５の連続生産ラインにおける検査に好適となる。

筐体２０２の内壁、可動台２２２およびアンテナ支持具２３０に取り付けられる電波吸収体２０３，２２６，２３９は、マジックファスナー（登録商標）や両面テープによって取り付けられるようにしてもよい。これにより、電波吸収体２０３，２２６，２３９の脱着が可能となる。この場合には、電波吸収性能の異なる電波吸収体との交換が容易になり、また電波暗箱２０１の移設等も容易に行うことが可能となる。

以上説明したように、本実施の形態に係る円偏波用電波反射減衰体の評価方法および電波反射減衰体評価装置では、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対して良好な反射減衰特性を有するか否かによって電波反射減衰体を評価するのではなく、円偏波に対する反射減衰量を用いて電波反射減衰体の評価を行うようにしている。従って、本実施の形態によれば、円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を、容易に且つ適切に評価することが可能になる。また、これにより、円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を容易に且つ適切に実現することが可能になる。

［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態に係る円偏波用電波反射減衰体の評価方法および電波反射減衰体評価装置について説明する。

本実施の形態に係る評価方法は、電波暗箱を用いずに電波暗室を用いて電波反射減衰体の反射減衰量の測定を行う点を除いて、第３の実施の形態に係る評価方法と同様である。

図２６は、本実施の形態に係る電波反射減衰体評価装置の構成を示す説明図である。この評価装置は、電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる装置であり、特に本実施の形態に係る評価方法を実現するのに適した装置である。

本実施の形態に係る評価装置は、電波暗室９０内に設置されたアーチ状のアンテナ支持具９２を備えている。電波暗室９０の天井、壁および床には電波吸収体９１が設置されている。評価対象の電波反射減衰体１００は、例えば台９９を介して、電波暗室９０の床上に配置されるようになっている。台９９は、発泡スチロール等の電波透過体に近い材料によって形成されている。

本実施の形態に係る評価装置は、更に、アンテナ支持具９２に取り付けられ、電波反射減衰体１００に対して円偏波の電波を放射する送信手段としての送信アンテナ９３と、アンテナ支持具９２に取り付けられ、円偏波に対する電波反射減衰体１００の反射減衰量を求めるために、電波反射減衰体１００で反射されて、送信アンテナ９３より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信する受信手段としての受信アンテナ９４とを備えている。

送信アンテナ９３と受信アンテナ９４は、アンテナ支持具９２に対して移動可能に取り付けられている。

評価装置を含む評価システムは、送信アンテナ９３および受信アンテナ９４に、それぞれ同軸線ケーブル９５，９６を介して接続されたネットワークアナライザー９７と、このネットワークアナライザー９７に接続された制御用コンピューター９８とを備えている。ネットワークアナライザー９７および制御用コンピューター９８の基本的な機能は、それぞれ第２の実施の形態におけるネットワークアナライザー６３および制御用コンピューター６４と同様である。

次に、本実施の形態に係る評価装置を含む評価システムの作用について説明する。この評価システムでは、電波反射減衰体１００に対して、送信アンテナ９３によって円偏波の電波が放射され、電波反射減衰体１００で反射されて、送信アンテナ９３より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波が受信アンテナ９４によって受信される。ネットワークアナライザー９７は、受信アンテナ９４より得られる信号に基づいて、電波反射減衰体１００における電波反射量を測定する。また、本実施の形態では、電波反射減衰体１００の代りに金属板を設置した状態で、送信アンテナ９３から電波を放射させ、金属面で反射された電波を受信アンテナ９４によって受信し、ネットワークアナライザー９７によって金属面における電波反射量も測定する。そして、制御用コンピューター９８によって、金属面における電波反射量と電波反射減衰体１００における電波反射量とを比較することによって、電波反射減衰体１００の反射減衰量を求め、この反射減衰量が所望の値以上か否かを判断することによって、電波反射減衰体１００の評価を行う。

本実施の形態では、送信アンテナ９３および受信アンテナ９４を移動させることにより、斜入射における電波反射減衰体１００の反射減衰特性を測定することができる。

本実施の形態において、アンテナ支持具９２は、電波透過体に近い材料で形成されていることが好ましい。このアンテナ支持具９２における電波の反射が問題になる場合には、アンテナ支持具９２にも電波吸収体を取り付けることによって、アンテナ支持具９２における電波の反射によって生じる測定誤差を低減することができる。

また、本実施の形態において、アンテナ９３，９４の移動を自動制御化してもよい。これにより、測定の効率化を図ることができる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は第３の実施の形態と同様である。

［第５の実施の形態］
次に、本発明の第５の実施の形態に係る電波反射減衰体評価装置について説明する。

図２７は、本実施の形態に係る電波反射減衰体評価装置の構成を示す説明図である。この評価装置は、第４の実施の形態におけるアンテナ支持具９２、送信アンテナ９３および受信アンテナ９４の代りに、電波暗室９０内に設置されたアンテナ支持具１０１と、このアンテナ支持具１０１に取り付けられた３組の送信アンテナ９３Ａ〜９３Ｃおよび受信アンテナ９４Ａ〜９４Ｃを備えている。送信アンテナ９３Ａ〜９３Ｃは円偏波の電波を放射し、受信アンテナ９４Ａ〜９４Ｃは送信アンテナ９３Ａ〜９３Ｃより放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信する。

送信アンテナ９３Ａと受信アンテナ９４Ａは、電波反射減衰体１００に対して０度に近い所定の第１の入射角度で電波を入射させ、且つ反射した電波を受信する位置に配置されている。送信アンテナ９３Ｂと受信アンテナ９４Ｂは、電波反射減衰体１００に対して、第１の入射角度よりも大きな所定の第２の入射角度で電波を入射させ、且つ反射した電波を受信する位置に配置されている。送信アンテナ９３Ｃと受信アンテナ９４Ｃは、電波反射減衰体１００に対して、第２の入射角度よりも大きな所定の第３の入射角度で電波を入射させ、且つ反射した電波を受信する位置に配置されている。

送信アンテナ９３Ａ〜９３Ｃは、それぞれ同軸線ケーブルを介して信号線切換機１０２に接続されている。信号線切換機１０２はネットワークアナライザー９７に接続されている。信号線切換機１０２は、送信アンテナ９３Ａ〜９３Ｃのうちのいずれかを選択的にネットワークアナライザー９７に接続する。同様に、受信アンテナ９４Ａ〜９４Ｃは、それぞれ同軸線ケーブルを介して信号線切換機１０３に接続されている。信号線切換機１０３はネットワークアナライザー９７に接続されている。信号線切換機１０３は、信号線切換機１０２による送信アンテナ９３Ａ〜９３Ｃの選択に対応させて、受信アンテナ９４Ａ〜９４Ｃのうちのいずれかを選択的にネットワークアナライザー９７に接続する。

本実施の形態では、使用する送信アンテナおよび受信アンテナを選択することにより、複数の入射角度における電波反射減衰体１００の反射減衰特性を測定することができる。

本実施の形態において、アンテナ支持具１０１は、電波透過体に近い材料で形成されていることが好ましい。このアンテナ支持具１０１における電波の反射が問題になる場合には、アンテナ支持具１０１にも電波吸収体を取り付けることによって、アンテナ支持具１０１における電波の反射によって生じる測定誤差を低減することができる。

また、本実施の形態において、信号線切換機１０２，１０３によるアンテナの選択を自動制御化してもよい。これにより、測定の効率化を図ることができる。

本実施の形態では、送信アンテナおよび受信アンテナを３組設けたが、送信アンテナおよび受信アンテナは、２組でもよいし、４組以上でもよい。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は第４の実施の形態と同様である。

［第６の実施の形態］
次に、本発明の第６の実施の形態に係る構造物について説明する。本実施の形態に係る構造物は、第１の実施の形態に係る電波反射減衰体を含むものである。第１の実施の形態に係る電波反射減衰体には、前述のように、第１ないし第４の電波反射減衰体が含まれる。

本実施の形態に係る構造物は、例えば、電波暗室、ビルあるいはその一部（外壁やオフィスルームの壁や窓等）、架橋、高架、電信柱、アンテナ支持柱、ゲート、路面、トンネル、ガードレール、鉄道ホーム等の建築物であってもよい。また、構造物は、飛行機、船舶、自動車、鉄道車両等の輸送機であってもよい。また、構造物は、コンピュータ、ディプレイ、ゲーム機、アミューズメント機等の電子機器や、携帯電話等の携帯型電子機器や、ＭＲＩ（磁気共鳴画像）装置等の医療電子機器や、電波暗箱等の電磁的評価装置や、アンテナ等の電波送受信装置等であってもよい。

また、本実施の形態に係る構造物は、電波反射減衰体を含まない状態で所定の機能を発揮する構造物本体の少なくとも一部に電波反射減衰体が設置されたものでもよい。この場合、構造物に対する電波反射減衰体の設置形態、設置個所および設置面積は、特に限定されず、構造物の特質や、電波反射減衰体を設置する目的等に応じて適宜選択可能である。

また、本実施の形態に係る構造物は、電波反射減衰体が構造物の一部を兼ねたものでもよい。この場合も、構造物中における電波反射減衰体の設置形態、設置個所および設置面積は、特に限定されず、構造物の特質や、電波反射減衰体を設置する目的等に応じて適宜選択可能である。

また、本実施の形態に係る構造物は、全体が電波反射減衰体によって構成されたものでもよい。

本実施の形態に係る構造物の一例としては、図１９や図２２に示した電波暗箱７０において、電波吸収体７３として、第１の実施の形態に係る電波反射減衰体としての電波吸収体を用いた構造の電波暗箱がある。また、本実施の形態に係る構造物の他の例としては、図２６や図２７に示した電波暗室９０において、電波吸収体９１として、第１の実施の形態に係る電波反射減衰体としての電波吸収体を用いた構造の電波暗室がある。

以下、図２８ないし図３２を参照して、本実施の形態に係る構造物のその他のいくつかの例について説明する。

図２８は、ビルの外壁等を本実施の形態に係る構造物とした例を示す説明図である。図２８には、円偏波の電波を用いた航空機レーダシステムが示されている。このような航空機レーダシステムにおいては、送信用レーダアンテナ１１１から円偏波の電波１１３を送信し、航空機１１６で反射されて、送信された電波１１３とは逆旋となる円偏波の電波１１４を、受信用レーダアンテナ１１２で受信して、航空機１１６の位置を探知する。しかしながら、レーダの探索方向にビル１１５が存在すると、送信用レーダアンテナ１１１から送信された電波１１３は、ビル１１５によって反射され、本来探知すべき方向とは異なった方向を探知してしまい、その異なった方向に航空機１１６が存在した場合には、あたかも本来探知すべき方向に航空機１１６が存在しているように見えてしまう。すなわち、本来探知すべき方向に、航空機１１６の偽像１１６Ｐが見えてしまう。このようなレーダ偽像現象を解決する手段として、ビル１１５の外壁やガラス窓を電波反射減衰体によって構成する方法が有用である。

このようなレーダ偽像現象は、ビルだけでなく高架、電信柱等によっても起こり得る。また、船舶レーダシステム等においては、架橋がレーダ偽像現象の原因となり得る。また、自動車用の衝突防止レーダシステム等においては、トンネルの内壁やガードレールがレーダ偽像現象の原因となり得、とりわけコーナー部においてレーダ偽像現象が起こり得る。従って、これらのレーダシステムにおいても、電波反射減衰体を含む本実施の形態に係る構造物を用いることが有用となる。

図２９は、オフィスルームの天井、床、壁および窓を本実施の形態に係る構造物とした例を示す説明図である。図２９には、オフィスルームにおける無線ＬＡＮシステムが示されている。この無線ＬＡＮシステムでは、オフィスルーム１２１の天井等に設置された無線ＬＡＮ用アンテナ１２２とコンピュータ１２３等に設置された無線ＬＡＮ用アンテナ１２４とを用いて、電波１２５によって通信を行うようになっている。このシステムにおいて、電波１２５が円偏波の電波である場合には、本来は、途中でオフィスルームの天井等で反射せずにアンテナ１２２，１２４を行き来する電波１２５によって通信が行われる。しかしながら、アンテナ１２２，１２４間で、オフィスルーム１２１内の天井、床、壁、窓の面によって偶数回反射された電波１２６は、電波１２５と同旋の円偏波となるため、アンテナ１２２，１２４によって受信される。このような電波１２６による信号は、本来の通信に用いられる信号よりも時間的に遅延している。このような遅延した信号は、本来の通信に悪影響を与え、データ通信速度の低下を引き起こす可能性がある。このようなデータ通信速度の低下を防止する手段として、オフィスルーム１２１内の天井、床、壁、窓の面に電波反射減衰体を設置したり、オフィスルーム１２１内の天井、床、壁、窓の面を電波反射減衰体によって構成する方法が有用である。

図３０は、ゲート、路面、トンネル、アンテナ支持柱および自動車を本実施の形態に係る構造物とした例を示す説明図である。図３０には、自動料金収受システムが示されている。この自動料金収受システムでは、路側の機器、例えばアンテナ１３０と、通信領域１３３内に存在する自動車１３１側の機器との間で、円偏波の電波を用いた通信が行われるようになっている。このシステムにおいて、本来は、途中で反射せずにアンテナ１３０と自動車１３１側の機器とを行き来する電波１３６によって通信が行われる。しかしながら、アンテナ１３０と通信領域１３３内の自動車１３１とが通信を行っているときには、自動車１３１の屋根等とゲート屋根１３４で合計２回反射された電波１３７によって、非通信領域に存在する自動車１３２とアンテナ１３０との間でも、誤った通信が行われてしまう可能性がある。課金システムの処理方法に依存するが、このような誤った通信によって、自動車１３２は二重に課金されるか、あるいは課金されないという問題が発生する可能性がある。このような問題を解決するためには、ゲート屋根１３４の下部に電波反射減衰体を設置する方法が有用である。また、自動車の屋根等に電波反射減衰体を設置することによってもこのような問題を解決可能である。

ここで、自動車１３１が存在しない場合においても、路面とゲート屋根１３４で合計２回反射された電波によって、非通信領域に存在する自動車１３２とアンテナ１３０との間で誤った通信が行われてしまう可能性がある。このような場合には、自動車の屋根等に電波反射減衰体を設置していても、問題は解決できない。このような問題を解決するためには、路面に電波反射減衰体を設置する方法が有用である。

また、アンテナ１３０より送信され、アンテナ支持柱１３５等によって１回だけ反射された電波１３８は、自動車１３１が受信すべき電波とは逆旋となるため、自動車１３１によっては受信されない。しかしながら、アンテナ支持柱１３５等によって反射された電波が、更に路面や自動車１３１やゲート屋根１３４等で反射されることによって、誤った通信を引き起こす可能性や通信品質（通信速度）を低下させる可能性がある。このような問題を解決するためには、アンテナ支持柱１３５等にも電波反射減衰体を設置することが有用である。

図３１は、電子機器、携帯型電子機器または医療電子機器を本実施の形態に係る構造物とした例を示す説明図である。コンピューター等の電子機器１４１は、筺体に囲まれ、その内部に電子基盤１４２，１４３を有している。電子基盤１４２，１４３には高周波電流が流れている。そのため、電子基盤１４２，１４３の信号線のパターンによっては、その高周波電流によって電子基盤１４２，１４３から円偏波の電波が放射される可能性がある。この電波は、他の電子基盤１４２，１４３の信号に悪影響を与えたり、筐体内面等によって反射されることによって、自らの電子基盤１４２，１４３に悪影響を与える可能性がある。このような問題を解決するためには、電子基盤１４２，１４３のＬＳＩ（大規模集積回路）チップ等の上に電波反射減衰体を設置したり、筐体内面に電波反射減衰体を設置することが有用である。

このような問題は、コンピューターのみの問題でなく、電子基盤を搭載するディスプレイ、ゲーム機、アミューズメント機等の電子機器や、携帯電話等の携帯型電子機器や、ＭＲＩ（磁気共鳴画像）装置等の医療電子機器でも起こり得る。液晶ディスプレイ等においては、液晶パネルからの電波の放射も問題となり得る。従って、これらの機器においても、電波反射減衰体を設置することが有用となる。

図３２は、アンテナを本実施の形態に係る構造物とした例を示す説明図である。図３２には、複数の円偏波アンテナ素子１５２が配列された円偏波用のアレーアンテナ１５１が示されている。このようなアレーアンテナ１５１において、電波送受信方向とは反対の面に電波反射減衰体を設置することにより、アンテナパターンにおけるフロントバック比を変更することができる。このように、アンテナのアンテナパターンの改善に電波反射減衰体を用いることも可能である。

以上説明したように、本実施の形態に係る構造物によれば、この構造物が含む電波反射減衰体において、ＴＥ波とＴＭ波の両直線偏波に対しては円偏波の電波に対する場合と同等の反射減衰特性を有する必要がないので、円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を容易に且つ適切に実現することが可能になる。その結果、本実施の形態によれば、円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を含む構造物を容易に且つ適切に実現することが可能になる。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態において挙げた電波吸収体の構造や設計例は一例であり、これに限定されるものではない。

本出願において用いられる用語について説明するための説明図である。 本発明の第１の実施の形態における電波吸収体以外の電波反射減衰体の例を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態における電波吸収体以外の電波反射減衰体の例を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態における電波吸収体以外の電波反射減衰体の例を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態において楕円偏波の電波に対して所望の反射減衰特性を有する電波反射減衰体を設計する方法を説明するための説明図である。 本発明の第１の実施の形態の第１の実施例における電波吸収体の構成およびその電気的等価回路を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態の第１の実施例において設計された電波吸収体の特性を示す特性図である。 本発明の第１の実施の形態の第２の実施例における電波吸収体の構成およびその電気的等価回路を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態の第２の実施例において設計された電波吸収体の特性を示す特性図である。 図９に示した設計例の電波吸収体について入射角度と複素反射係数の実部との関係を示す特性図である。 図９に示した設計例の電波吸収体について入射角度と複素反射係数の虚部との関係を示す特性図である。 本発明の第１の実施の形態の第２の実施例において設計された他の電波吸収体の特性を示す特性図である。 本発明の第１の実施の形態の第３の実施例における電波吸収体の構成およびその電気的等価回路を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態の第３の実施例において設計された電波吸収体の特性を示す特性図である。 本発明の第２の実施の形態に係る電波反射減衰体評価装置の構成を示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態に係る評価方法の妥当性について検証するために試作した電波吸収体の電波反射減衰特性を示す特性図である。 本発明の第２の実施の形態において試作した電波吸収体の複素反射係数の測定値および計算値を示す特性図である。 本発明の第２の実施の形態において試作した電波吸収体の反射減衰量の測定値を示す特性図である 本発明の第３の実施の形態に係る電波反射減衰体評価装置の構成を示す説明図である。 本発明の第３の実施の形態に係る評価装置を示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態に係る評価装置における電波暗箱の扉を示す説明図である。 本発明の第３の実施の形態に係る評価装置の他の構成例を示す説明図である。 本発明の第３の実施の形態に係る評価装置の更に他の構成例を示す説明図である。 図２３に示した評価装置の側面に平行な断面を示す断面図である。 図２３に示した評価装置の正面に平行な断面を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る円偏波用電波反射減衰体の評価方法および電波反射減衰体評価装置を説明するための説明図である。 本発明の第５の実施の形態に係る電波反射減衰体評価装置の構成を示す説明図である。 本発明の第６の実施の形態に係る構造物の例を示す説明図である。 本発明の第６の実施の形態に係る構造物の例を示す説明図である。 本発明の第６の実施の形態に係る構造物の例を示す説明図である。 本発明の第６の実施の形態に係る構造物の例を示す説明図である。 本発明の第６の実施の形態に係る構造物の例を示す説明図である。

符号の説明

３０…電波吸収体、３１…抵抗体（導電体）、３２…誘電体層。

Claims (11)

1. 円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を評価する方法であって、
   電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対する前記電波反射減衰体の複素反射係数と磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ波）に対する前記電波反射減衰体の複素反射係数とをそれぞれ独立に測定する手順と、
   円偏波に対する前記電波反射減衰体の複素反射係数の絶対値として、測定された２つの複素反射係数の平均の絶対値を求める手順と、
   求められた円偏波に対する複素反射係数の絶対値を用いて前記電波反射減衰体の評価を行う手順と
   を備えたことを特徴とする円偏波用電波反射減衰体の評価方法。
2. 円偏波の電波の反射を抑制するための円偏波用電波反射減衰体を評価する方法であって、
   前記電波反射減衰体に対して円偏波の電波を放射し、前記電波反射減衰体で反射されて、放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信して、円偏波に対する前記電波反射減衰体の反射減衰量を求める手順と、
   求められた前記反射減衰量を用いて前記電波反射減衰体の評価を行う手順と
   を備えたことを特徴とする円偏波用電波反射減衰体の評価方法。
3. 電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる電波反射減衰体評価装置であって、
   電界が入射面に垂直な電波（ＴＥ波）に対する前記電波反射減衰体の複素反射係数と磁界が入射面に垂直な電波（ＴＭ波）に対する前記電波反射減衰体の複素反射係数とをそれぞれ独立に測定する測定手段と、
   円偏波に対する前記電波反射減衰体の複素反射係数の絶対値として、前記測定手段によって測定された２つの複素反射係数の平均の絶対値を求める演算手段と
   を備えたことを特徴とする電波反射減衰体評価装置。
4. 電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる電波反射減衰体評価装置であって、
   前記電波反射減衰体に対して円偏波の電波を放射する送信手段と、
   円偏波に対する前記電波反射減衰体の反射減衰量を求めるために、前記電波反射減衰体で反射されて、前記送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信する受信手段と
   を備えたことを特徴とする電波反射減衰体評価装置。
5. 電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる電波反射減衰体評価装置であって、
   内壁の少なくとも一部に電波吸収体が配置された筐体を有する電波暗箱と、
   前記電波暗箱内に設けられ、評価対象の電波反射減衰体が設置される設置部と、
   前記電波暗箱内に設置され、前記電波反射減衰体に対して円偏波の電波を放射する送信手段と、
   前記電波暗箱内に設置され、円偏波に対する前記電波反射減衰体の反射減衰量を求めるために、前記電波反射減衰体で反射されて、前記送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信する受信手段と
   を備えたことを特徴とする電波反射減衰体評価装置。
6. 前記電波暗箱は扉を有し、前記設置部は前記扉の内面に設けられていることを特徴とする請求項５記載の電波反射減衰体評価装置。
7. 前記設置部は前記評価対象の電波反射減衰体を着脱自在に保持する保持部材を有することを請求項５または６記載の電波反射減衰体評価装置。
8. 前記送信手段は送信アンテナを有し、前記受信手段は受信アンテナを有し、
   更に、前記電波暗箱内に設置され、前記送信アンテナおよび受信アンテナを支持するアンテナ支持具を備えたことを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の電波反射減衰体評価装置。
9. 電波の反射を抑制するための電波反射減衰体の円偏波に対する反射減衰特性を評価するために用いられる電波反射減衰体評価装置であって、
   内壁の少なくとも一部に電波吸収体が配置された筐体を有する電波暗箱と、
   前記電波暗箱に設けられ、電波暗箱外から電波暗箱内へ評価対象の電波反射減衰体を挿入可能とする挿入部と、
   前記電波暗箱内に設置され、前記電波反射減衰体に対して円偏波の電波を放射する送信手段と、
   前記電波暗箱内に設置され、円偏波に対する前記電波反射減衰体の反射減衰量を求めるために、前記電波反射減衰体で反射されて、前記送信手段より放射された電波とは逆旋となる円偏波の電波を受信する受信手段と
   を備えたことを特徴とする電波反射減衰体評価装置。
10. 更に、前記評価対象の電波反射減衰体が設置され、前記挿入部より前記電波暗箱内へ挿入される可動台を備えたことを特徴とする請求項９記載の電波反射減衰体評価装置。
11. 前記送信手段は送信アンテナを有し、前記受信手段は受信アンテナを有し、
    更に、前記電波暗箱内に設置され、前記送信アンテナおよび受信アンテナを支持するアンテナ支持具を備えたことを特徴とする請求項９または１０記載の電波反射減衰体評価装置。
    
    

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