JPH07283296A - 静電吸着装置 - Google Patents
静電吸着装置Info
- Publication number
- JPH07283296A JPH07283296A JP6582894A JP6582894A JPH07283296A JP H07283296 A JPH07283296 A JP H07283296A JP 6582894 A JP6582894 A JP 6582894A JP 6582894 A JP6582894 A JP 6582894A JP H07283296 A JPH07283296 A JP H07283296A
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- wafer
- gas
- electrostatic
- gas supply
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Abstract
(57)【要約】
【構成】静電吸着装置に吸着面まで貫通する孔６を設け
て、静電吸着時に、ガス供給源１０を介してガスを供給
する。そのときのガス供給配管１２の圧力を計測するこ
とにより、ウエハが吸着されたか否かを判断する。 【効果】ウエハ吸着、またウエハ平坦化の確認手段とな
る。
て、静電吸着時に、ガス供給源１０を介してガスを供給
する。そのときのガス供給配管１２の圧力を計測するこ
とにより、ウエハが吸着されたか否かを判断する。 【効果】ウエハ吸着、またウエハ平坦化の確認手段とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導体またはシリコンウ
エハのような半導体等、微細加工に供される試料を固定
保持する静電吸着装置に関する。
エハのような半導体等、微細加工に供される試料を固定
保持する静電吸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ等の試料をエッチング、あ
るいはスパッタ、ＣＶＤ等のような成膜を施す場合に
は、試料を装置の所定の位置に固定保持することが必要
となる。特に、半導体ウエハ上に微細パターンを加工す
る場合には、ウエハのパターン焼き付けのため、反りを
矯正し平坦化を行う、あるいは、スパッタ，成膜時の熱
伝導率向上のため、ウエハを確実に密着固定すること等
が要求される。従来から、このような用途の試料保持手
段として、真空中でも使用でき、またウエハ裏面全面で
吸着力を発生させることができる静電吸着装置が用いら
れている。さらに、真空中でウエハ保持ができるため、
真空中高速搬送の保持装置としても利用されている。こ
の静電吸着装置は電極板および誘電体とを積層して構成
され、電極板と試料間に電位差を生じさせることによ
り、クーロン力を発生させ誘電体上に試料を吸着保持さ
せる。
るいはスパッタ、ＣＶＤ等のような成膜を施す場合に
は、試料を装置の所定の位置に固定保持することが必要
となる。特に、半導体ウエハ上に微細パターンを加工す
る場合には、ウエハのパターン焼き付けのため、反りを
矯正し平坦化を行う、あるいは、スパッタ，成膜時の熱
伝導率向上のため、ウエハを確実に密着固定すること等
が要求される。従来から、このような用途の試料保持手
段として、真空中でも使用でき、またウエハ裏面全面で
吸着力を発生させることができる静電吸着装置が用いら
れている。さらに、真空中でウエハ保持ができるため、
真空中高速搬送の保持装置としても利用されている。こ
の静電吸着装置は電極板および誘電体とを積層して構成
され、電極板と試料間に電位差を生じさせることによ
り、クーロン力を発生させ誘電体上に試料を吸着保持さ
せる。
【０００３】このような静電吸着装置に関しては、例え
ば、特開昭59−79545号，特開昭63−142654号公報があ
る。
ば、特開昭59−79545号，特開昭63−142654号公報があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開昭59−79
545 号公報に挙げられる開示例では、静電吸着装置によ
ってウエハの反りが矯正され、確実に固定保持されたか
否かの確認手段が考慮されておらず、吸着が不十分なま
まにエッチングや成膜等の処理が行われると、ウエハ内
で異なった条件でエッチングや成膜等が行われることに
なり、製品不良につながるといった不都合があった。ま
た、特開昭63−142654号公報に示される開示例では、静
電吸着の確認手段として静電吸着装置を構成する回路に
流れる電流値によって、ウエハが固定保持されたか否か
の確認手段としているが、プロセスを経てきたウエハの
被吸着面には、プロセスの種類によって異なった膜が形
成されており、抵抗値が異なるため、測定された電流値
によって真に平坦化されたか否かを判断する基準が明確
でなく不十分である。
545 号公報に挙げられる開示例では、静電吸着装置によ
ってウエハの反りが矯正され、確実に固定保持されたか
否かの確認手段が考慮されておらず、吸着が不十分なま
まにエッチングや成膜等の処理が行われると、ウエハ内
で異なった条件でエッチングや成膜等が行われることに
なり、製品不良につながるといった不都合があった。ま
た、特開昭63−142654号公報に示される開示例では、静
電吸着の確認手段として静電吸着装置を構成する回路に
流れる電流値によって、ウエハが固定保持されたか否か
の確認手段としているが、プロセスを経てきたウエハの
被吸着面には、プロセスの種類によって異なった膜が形
成されており、抵抗値が異なるため、測定された電流値
によって真に平坦化されたか否かを判断する基準が明確
でなく不十分である。
【０００５】また、開示例では、いずれも電圧の印加方
法、すなわち、吸着のさせ方に考慮が足りず、効果的な
ウエハ平坦度の矯正がなされていなかった。
法、すなわち、吸着のさせ方に考慮が足りず、効果的な
ウエハ平坦度の矯正がなされていなかった。
【０００６】本発明の目的は、まず第一に静電吸着装置
によってウエハの反りが矯正され、確実に固定されたか
否かの確認手段となる静電吸着式試料保持装置のモニタ
装置を提供することにある。
によってウエハの反りが矯正され、確実に固定されたか
否かの確認手段となる静電吸着式試料保持装置のモニタ
装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、静電吸
着装置内に吸着保持面まで貫通する孔を設けてガス供給
源からガスを供給し、かつガス供給ライン内にガス圧力
をモニタする圧力計を備え付けることにより達成され
る。また、ガス供給ライン内に圧力計を設ける代わり
に、静電吸着装置が設置される真空チャンバの圧力変化
をモニタしても良い。
着装置内に吸着保持面まで貫通する孔を設けてガス供給
源からガスを供給し、かつガス供給ライン内にガス圧力
をモニタする圧力計を備え付けることにより達成され
る。また、ガス供給ライン内に圧力計を設ける代わり
に、静電吸着装置が設置される真空チャンバの圧力変化
をモニタしても良い。
【０００８】
【作用】本発明の静電吸着装置は、静電吸着装置内に吸
着保持面まで貫通する孔を設けてガス供給源からガスを
供給し、かつガス供給ライン内にガス圧力をモニタする
圧力計を備え付けてある。静電気力によってウエハが吸
着保持されれば、ガス供給孔以外の吸着面はウエハと密
着し、表面粗さの大きさの極わずかな隙間しかなくな
る。したがって、ウエハが吸着保持されれば、ガス供給
ライン内のガス圧力にほとんど変化はない。しかし、ウ
エハの反りが大きいなどの原因によりウエハが吸着保持
されない場合には、ガス供給ライン内のガス圧力は低下
することになる。よって、ガス供給ライン内のガス圧力
を監視していれば吸着の有無の判断が可能になる。ま
た、ガス供給ライン内に圧力計を設ける代わりに、静電
吸着装置が設置される真空チャンバの圧力変化をモニタ
しても同様の結果が得られる。
着保持面まで貫通する孔を設けてガス供給源からガスを
供給し、かつガス供給ライン内にガス圧力をモニタする
圧力計を備え付けてある。静電気力によってウエハが吸
着保持されれば、ガス供給孔以外の吸着面はウエハと密
着し、表面粗さの大きさの極わずかな隙間しかなくな
る。したがって、ウエハが吸着保持されれば、ガス供給
ライン内のガス圧力にほとんど変化はない。しかし、ウ
エハの反りが大きいなどの原因によりウエハが吸着保持
されない場合には、ガス供給ライン内のガス圧力は低下
することになる。よって、ガス供給ライン内のガス圧力
を監視していれば吸着の有無の判断が可能になる。ま
た、ガス供給ライン内に圧力計を設ける代わりに、静電
吸着装置が設置される真空チャンバの圧力変化をモニタ
しても同様の結果が得られる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。
る。
【００１０】図１は本発明の第一の実施例を示す断面図
である。図１において、１は固定保持され搬送される被
保持物体、例えば、半導体ウエハ、２は静電吸着装置を
構成する誘電体、３は電極板であり、４は誘電体，電極
板からなる静電吸着部を支持するベースである。また、
５はウエハから取られる導通部、７は絶縁材、１４はウ
エハ１と電極板３との間に電位差を発生させる電源、１
３は電圧のオンオフを行うスイッチである。なお、導通
部５は、確実にウエハ１から導通を取るため弱いばね系
を介してウエハ１に接触している。なお、誘電体２の抵
抗率は使用温度で抵抗率１０9Ωcm から１０11Ωcmが好
ましい。６，６′は、ベース４，電極板３，誘電体２を
吸着面まで貫通する孔、８は絶縁材であり、９はガス供
給源１１からバルブ１０を介してガスを供給する配管
系、１２は配管内の圧力を計測する圧力計である。ま
た、１９は配管９，静電吸着装置内の貫通孔６内のガス
を排気する真空ポンプでありバルブ１７を介して配管１
８によって、配管９に連結している。
である。図１において、１は固定保持され搬送される被
保持物体、例えば、半導体ウエハ、２は静電吸着装置を
構成する誘電体、３は電極板であり、４は誘電体，電極
板からなる静電吸着部を支持するベースである。また、
５はウエハから取られる導通部、７は絶縁材、１４はウ
エハ１と電極板３との間に電位差を発生させる電源、１
３は電圧のオンオフを行うスイッチである。なお、導通
部５は、確実にウエハ１から導通を取るため弱いばね系
を介してウエハ１に接触している。なお、誘電体２の抵
抗率は使用温度で抵抗率１０9Ωcm から１０11Ωcmが好
ましい。６，６′は、ベース４，電極板３，誘電体２を
吸着面まで貫通する孔、８は絶縁材であり、９はガス供
給源１１からバルブ１０を介してガスを供給する配管
系、１２は配管内の圧力を計測する圧力計である。ま
た、１９は配管９，静電吸着装置内の貫通孔６内のガス
を排気する真空ポンプでありバルブ１７を介して配管１
８によって、配管９に連結している。
【００１１】このように構成された静電吸着装置におい
て、まず、ウエハ１は静電吸着装置の吸着面２′に載せ
られ、電源１４，スイッチ１３により所定の電圧が電極
板３とウエハ１との間に印加される。そして、ウエハ１
はこのとき発生する静電気力によって吸着面２′に吸着
保持される。次に、バルブ１０を開けて配管９、及び静
電吸着装置内の貫通孔６内のガスを供給する。この場
合、供給するガス圧は、静電吸着による吸引力よりも、
ガス圧がウエハに与える力の方が小さな値となるよう設
定する。
て、まず、ウエハ１は静電吸着装置の吸着面２′に載せ
られ、電源１４，スイッチ１３により所定の電圧が電極
板３とウエハ１との間に印加される。そして、ウエハ１
はこのとき発生する静電気力によって吸着面２′に吸着
保持される。次に、バルブ１０を開けて配管９、及び静
電吸着装置内の貫通孔６内のガスを供給する。この場
合、供給するガス圧は、静電吸着による吸引力よりも、
ガス圧がウエハに与える力の方が小さな値となるよう設
定する。
【００１２】ここで、もし、ウエハ１が吸着面２′に静
電気力によって確実に平坦化されていれば、吸着面２′
はウエハと密着し、表面粗さの大きさの極わずかな隙間
しかなくなる。したがって、ウエハが吸着保持されれ
ば、圧力計１２で計測されるガス供給ライン内のガス圧
力にほとんど変化はない。
電気力によって確実に平坦化されていれば、吸着面２′
はウエハと密着し、表面粗さの大きさの極わずかな隙間
しかなくなる。したがって、ウエハが吸着保持されれ
ば、圧力計１２で計測されるガス供給ライン内のガス圧
力にほとんど変化はない。
【００１３】しかし、もし、ウエハの一部の変形が矯正
されず、誘電体と接触していないような場合には、その
部分はウエハ１と吸着面２′の隙間は大きく空くため、
さらには、ガス圧がウエハに与える力も加わりさらに隙
間が空くために、圧力計１２で計測されるガス供給ライ
ン内のガス圧力は低下する。
されず、誘電体と接触していないような場合には、その
部分はウエハ１と吸着面２′の隙間は大きく空くため、
さらには、ガス圧がウエハに与える力も加わりさらに隙
間が空くために、圧力計１２で計測されるガス供給ライ
ン内のガス圧力は低下する。
【００１４】このように、静電吸着装置の吸着面にガス
供給孔を設けて、そのガス圧力をモニタすることによっ
て、ウエハ１が、各誘電体の吸着面２′に密着したかど
うかを判断させる。これによって、ウエハ全面が確実に
固定保持され、平坦化が達成されたかどうかをモニタす
ることが可能となる。
供給孔を設けて、そのガス圧力をモニタすることによっ
て、ウエハ１が、各誘電体の吸着面２′に密着したかど
うかを判断させる。これによって、ウエハ全面が確実に
固定保持され、平坦化が達成されたかどうかをモニタす
ることが可能となる。
【００１５】もし、ガス圧が低下し、ウエハ全面が吸着
固定されていないと判断されれば印加電圧を上げて吸着
力を増加させれば良い。静電吸着力はウエハに反りがあ
り、ウエハと吸着面に隙間が存在するときはその値が小
さく、比較的大きな電圧が必要とされるが、一旦、吸着
固定されれば、ウエハと吸着面との間に隙間がなくなる
ために、吸着を維持するための電圧は比較的小さな電圧
でよい。したがって、電圧を増加させた後は速やかに、
初期の電圧まで降下させ、ガス圧の低下が見られなけれ
ば平坦化が達成されたと判断して良い。また、ある電圧
のしきい値を決め、その値以上電圧を上げても平坦化で
きない場合は、ウエハの初期たわみがありすぎ不良であ
ると判断し、不良品としてそのウエハをはじけば、加工
プロセスをより円滑に進めることが可能になる。
固定されていないと判断されれば印加電圧を上げて吸着
力を増加させれば良い。静電吸着力はウエハに反りがあ
り、ウエハと吸着面に隙間が存在するときはその値が小
さく、比較的大きな電圧が必要とされるが、一旦、吸着
固定されれば、ウエハと吸着面との間に隙間がなくなる
ために、吸着を維持するための電圧は比較的小さな電圧
でよい。したがって、電圧を増加させた後は速やかに、
初期の電圧まで降下させ、ガス圧の低下が見られなけれ
ば平坦化が達成されたと判断して良い。また、ある電圧
のしきい値を決め、その値以上電圧を上げても平坦化で
きない場合は、ウエハの初期たわみがありすぎ不良であ
ると判断し、不良品としてそのウエハをはじけば、加工
プロセスをより円滑に進めることが可能になる。
【００１６】吸着されたか否かの判断がついたら、バル
ブ１０を閉じてガスの供給を停止し、バルブ１７を開い
て真空ポンプ１９により、配管９、および静電吸着装置
内の貫通孔６内のガスを排気し、真空チャンバ１６内の
圧力と同じ圧力にする。これにより、真空チャンバ内の
プロセス条件の乱れを防ぐことができる。
ブ１０を閉じてガスの供給を停止し、バルブ１７を開い
て真空ポンプ１９により、配管９、および静電吸着装置
内の貫通孔６内のガスを排気し、真空チャンバ１６内の
圧力と同じ圧力にする。これにより、真空チャンバ内の
プロセス条件の乱れを防ぐことができる。
【００１７】また、エッチング、あるいは成膜処理が終
わるまで、ガスを供給し続ければ、吸着面２′とウエハ
間の表面粗さの大きさの極わずかな隙間からのガスのリ
ークはあるものの、ガスによる熱伝導性の向上という効
果が期待できる。この場合、エッチング、あるいは成膜
処理が終った後に、バルブ１０を閉じてガスの供給を停
止し、バルブ１７を開いて真空ポンプ１９により、配管
９、および静電吸着装置内の貫通孔６内のガスを排気
し、スイッチ１３を開いて電圧を切る。また、配管９、
および静電吸着装置内の貫通孔６が小さなサイズであ
り、ガス量が微量であればバルブ１０を閉じてガスの供
給を停止した後に電圧を切って、真空チャンバ１６内に
ガスを捨ててもよい。
わるまで、ガスを供給し続ければ、吸着面２′とウエハ
間の表面粗さの大きさの極わずかな隙間からのガスのリ
ークはあるものの、ガスによる熱伝導性の向上という効
果が期待できる。この場合、エッチング、あるいは成膜
処理が終った後に、バルブ１０を閉じてガスの供給を停
止し、バルブ１７を開いて真空ポンプ１９により、配管
９、および静電吸着装置内の貫通孔６内のガスを排気
し、スイッチ１３を開いて電圧を切る。また、配管９、
および静電吸着装置内の貫通孔６が小さなサイズであ
り、ガス量が微量であればバルブ１０を閉じてガスの供
給を停止した後に電圧を切って、真空チャンバ１６内に
ガスを捨ててもよい。
【００１８】次に本発明の第二の実施例を図２を用いて
説明する。本実施例は、ガス供給ライン内に圧力計を設
ける代わりに、静電吸着装置が設置される真空チャンバ
の圧力変化を、真空チャンバ１６に取り付けた圧力計２
０によりモニタするものである。
説明する。本実施例は、ガス供給ライン内に圧力計を設
ける代わりに、静電吸着装置が設置される真空チャンバ
の圧力変化を、真空チャンバ１６に取り付けた圧力計２
０によりモニタするものである。
【００１９】もし、ウエハ１が吸着面２′に静電気力に
よってウエハが確実に平坦化されていれば、吸着面２′
はウエハと密着するために、真空チャンバ１６内の圧力
はほとんど変化しない。しかし、ウエハの一部の変形が
矯正されず、ウエハ１と吸着面２′の隙間が空いている
場合には、隙間より供給するガスがリークするため真空
チャンバ内の圧力は上昇する。
よってウエハが確実に平坦化されていれば、吸着面２′
はウエハと密着するために、真空チャンバ１６内の圧力
はほとんど変化しない。しかし、ウエハの一部の変形が
矯正されず、ウエハ１と吸着面２′の隙間が空いている
場合には、隙間より供給するガスがリークするため真空
チャンバ内の圧力は上昇する。
【００２０】このように、静電吸着装置の吸着面に設置
される真空チャンバの圧力変化を、モニタすることによ
っても、ウエハ１が、各誘電体の吸着面２′に密着した
かどうかを判断できる。
される真空チャンバの圧力変化を、モニタすることによ
っても、ウエハ１が、各誘電体の吸着面２′に密着した
かどうかを判断できる。
【００２１】なお、本第一，第二の実施例では、静電吸
着装置の電極板が一枚であり、ウエハから導通を取る方
式の、いわゆる、単極型の静電吸着装置に関して説明し
たが、誘電体の吸着面の反対側の面に電極板を二枚持
つ、双極型の静電吸着装置においても同様である。
着装置の電極板が一枚であり、ウエハから導通を取る方
式の、いわゆる、単極型の静電吸着装置に関して説明し
たが、誘電体の吸着面の反対側の面に電極板を二枚持
つ、双極型の静電吸着装置においても同様である。
【００２２】これまでに説明してきたガス供給源１１の
ガスは、乾燥空気でも良いし、静電吸着装置が真空内に
置かれることから大気でも良い。
ガスは、乾燥空気でも良いし、静電吸着装置が真空内に
置かれることから大気でも良い。
【００２３】しかし、ウエハ１が吸着面２′に静電気力
によって確実に平坦化され、吸着面２′とウエハとが密
着して、表面粗さの大きさの極わずかな隙間しかなくな
るとはいえ、わずかなガスのリークが存在して、プロセ
ス条件を乱すことがある。したがって、ガス供給源１１
のガスは、プロセスに使用されるガス、例えばエッチン
グ装置ではエッチングガス、ＣＶＤ装置においては成膜
ガスを用いるのが良い。または、化学的に安定である不
活性ガス、例えば窒素，ヘリウム等が好ましい。
によって確実に平坦化され、吸着面２′とウエハとが密
着して、表面粗さの大きさの極わずかな隙間しかなくな
るとはいえ、わずかなガスのリークが存在して、プロセ
ス条件を乱すことがある。したがって、ガス供給源１１
のガスは、プロセスに使用されるガス、例えばエッチン
グ装置ではエッチングガス、ＣＶＤ装置においては成膜
ガスを用いるのが良い。または、化学的に安定である不
活性ガス、例えば窒素，ヘリウム等が好ましい。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、静電吸着装置上で、ウ
エハが確実に保持されたか否か、また平坦化されたか否
かモニタをすることがでる。すなわち、確実なウエハ上
への処理を行うための試料保持装置のモニタ装置を提供
することができる。
エハが確実に保持されたか否か、また平坦化されたか否
かモニタをすることがでる。すなわち、確実なウエハ上
への処理を行うための試料保持装置のモニタ装置を提供
することができる。
【図１】本発明の第一の実施例を示す系統図。
【図２】本発明の第二の実施例を示す系統図。
１…ウエハ、２…誘電体、２′…誘電体の吸着面、３…
電極板、４…ベース、５…アース、６…貫通孔、７，８
…絶縁材、９…ガス供給配管、１０，１７…バルブ、１
１…ガス供給源、１２，２０…圧力計、１３…スイッ
チ、１４…電源、１６…真空チャンバ、１８…ガス排気
配管、１９…排気ポンプ。
電極板、４…ベース、５…アース、６…貫通孔、７，８
…絶縁材、９…ガス供給配管、１０，１７…バルブ、１
１…ガス供給源、１２，２０…圧力計、１３…スイッ
チ、１４…電源、１６…真空チャンバ、１８…ガス排気
配管、１９…排気ポンプ。
Claims (4)
- 【請求項１】電極板及び誘電体とを積層してなり、前記
電極板と被保持物体間に電位差を生じさせることによっ
て前記誘電体に前記被保持物体を吸着させる静電吸着装
置において、 前記誘電体、あるいは前記誘電体及び前記電極板から吸
着保持面に貫通する孔を一個以上持ち、前記貫通孔には
ガス供給源からのガス配管，供給ガスを排気するポン
プ、及び前記ガスの圧力をモニタする圧力計を備えたこ
とを特徴とする静電吸着装置。 - 【請求項２】電極板及び誘電体とを積層してなり、前記
電極板と被保持物体間に電位差を生じさせることによっ
て前記誘電体に被保持物体を吸着させる静電吸着装置に
おいて、 前記誘電体、あるいは前記誘電体及び前記電極板から吸
着保持面に貫通する孔を一個以上持ち、前記貫通孔には
ガス供給源からのガス配管，供給ガスを排気するポンプ
を備え、かつ前記静電吸着装置が設置された空間の圧力
をモニタする圧力計を備えたことを特徴とする静電吸着
装置。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記ガス供給
源から供給されるガスが、プロセスに供されるガスであ
る静電吸着装置。 - 【請求項４】請求項１または２において、前記ガス供給
源からガス供給されるガスが、不活性ガスである静電吸
着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6582894A JPH07283296A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 静電吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6582894A JPH07283296A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 静電吸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283296A true JPH07283296A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13298282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6582894A Pending JPH07283296A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 静電吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283296A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008172255A (ja) * | 2008-01-25 | 2008-07-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 静電チャック |
| CN103644893A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-03-19 | 昆山艾博机器人系统工程有限公司 | 一种工件着座检测装置 |
| CN108847382A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-20 | 上海华力微电子有限公司 | 一种气压调节装置、气压调节方法及晶圆刻蚀设备 |
| CN109834609A (zh) * | 2017-11-27 | 2019-06-04 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | 一种用于燃气表机芯定位的随行夹具 |
| US10438830B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-10-08 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and wafer holding method |
-
1994
- 1994-04-04 JP JP6582894A patent/JPH07283296A/ja active Pending
Cited By (5)
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