JPH07282365A - 薄いフィルムの電子物品監視マーカーを製造する方法 - Google Patents
薄いフィルムの電子物品監視マーカーを製造する方法Info
- Publication number
- JPH07282365A JPH07282365A JP6316769A JP31676994A JPH07282365A JP H07282365 A JPH07282365 A JP H07282365A JP 6316769 A JP6316769 A JP 6316769A JP 31676994 A JP31676994 A JP 31676994A JP H07282365 A JPH07282365 A JP H07282365A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis
- layer
- magnetic
- magnetic material
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G08—SIGNALLING
- G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
- G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
- G08B13/22—Electrical actuation
- G08B13/24—Electrical actuation by interference with electromagnetic field distribution
- G08B13/2402—Electronic Article Surveillance [EAS], i.e. systems using tags for detecting removal of a tagged item from a secure area, e.g. tags for detecting shoplifting
- G08B13/2405—Electronic Article Surveillance [EAS], i.e. systems using tags for detecting removal of a tagged item from a secure area, e.g. tags for detecting shoplifting characterised by the tag technology used
- G08B13/2408—Electronic Article Surveillance [EAS], i.e. systems using tags for detecting removal of a tagged item from a secure area, e.g. tags for detecting shoplifting characterised by the tag technology used using ferromagnetic tags
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G08—SIGNALLING
- G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
- G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
- G08B13/22—Electrical actuation
- G08B13/24—Electrical actuation by interference with electromagnetic field distribution
- G08B13/2402—Electronic Article Surveillance [EAS], i.e. systems using tags for detecting removal of a tagged item from a secure area, e.g. tags for detecting shoplifting
- G08B13/2428—Tag details
- G08B13/2437—Tag layered structure, processes for making layered tags
-
- G—PHYSICS
- G08—SIGNALLING
- G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
- G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
- G08B13/22—Electrical actuation
- G08B13/24—Electrical actuation by interference with electromagnetic field distribution
- G08B13/2402—Electronic Article Surveillance [EAS], i.e. systems using tags for detecting removal of a tagged item from a secure area, e.g. tags for detecting shoplifting
- G08B13/2428—Tag details
- G08B13/2437—Tag layered structure, processes for making layered tags
- G08B13/244—Tag manufacturing, e.g. continuous manufacturing processes
-
- G—PHYSICS
- G08—SIGNALLING
- G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
- G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
- G08B13/22—Electrical actuation
- G08B13/24—Electrical actuation by interference with electromagnetic field distribution
- G08B13/2402—Electronic Article Surveillance [EAS], i.e. systems using tags for detecting removal of a tagged item from a secure area, e.g. tags for detecting shoplifting
- G08B13/2428—Tag details
- G08B13/2437—Tag layered structure, processes for making layered tags
- G08B13/2442—Tag materials and material properties thereof, e.g. magnetic material details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
- H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
- Y10T428/31681—Next to polyester, polyamide or polyimide [e.g., alkyd, glue, or nylon, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31786—Of polyester [e.g., alkyd, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Burglar Alarm Systems (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 監視システムマーカーに使用される二重軸フ
ィルム磁気デバイスの製造法に関する。 【構成】 本発明は第１及び第２の直角軸に特徴される
表面を有するサブストレートを提供する。第１軸に平行
に配向した磁場をこのサブストレートの表面に適用す
る。非磁気フィルム層によって分離された相対的に薄い
フィルム磁気層のスタックがサブストレートに設けられ
ている。この相対的に薄いフィルム層は磁性を示すのに
十分な厚さであり、磁化容易軸が第２軸に平行に配向す
るのに十分な薄さであって、磁場の存在下に形成され
る。非磁気フィルム層によって分離された相対的に厚い
フィルム磁気層の第２のスタックは第１スタックの上に
設けられている。この相対的に厚いフィルム層は磁化容
易軸が第１軸に平行に配向するのに十分な厚さで、磁場
の存在下形成される。
ィルム磁気デバイスの製造法に関する。 【構成】 本発明は第１及び第２の直角軸に特徴される
表面を有するサブストレートを提供する。第１軸に平行
に配向した磁場をこのサブストレートの表面に適用す
る。非磁気フィルム層によって分離された相対的に薄い
フィルム磁気層のスタックがサブストレートに設けられ
ている。この相対的に薄いフィルム層は磁性を示すのに
十分な厚さであり、磁化容易軸が第２軸に平行に配向す
るのに十分な薄さであって、磁場の存在下に形成され
る。非磁気フィルム層によって分離された相対的に厚い
フィルム磁気層の第２のスタックは第１スタックの上に
設けられている。この相対的に厚いフィルム層は磁化容
易軸が第１軸に平行に配向するのに十分な厚さで、磁場
の存在下形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的には薄いフィルム
磁気デバイスに関する。特に、本発明は電子物品監視系
に使用される薄いフィルム磁気マーカーの製造方法であ
る。
磁気デバイスに関する。特に、本発明は電子物品監視系
に使用される薄いフィルム磁気マーカーの製造方法であ
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気タイプの電子物品監視（ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃ ａｒｔｉｃｌｅ ｓｕｒｖｅｉｌｌａｎｃ
ｅ、以下ＥＡＳという）系は、図書館、書店及び百貨店
から書物及び衣服の如き物品を盗んだり又は許可なく持
去ったりすることを防止するために通常使用されてい
る。この種のＥＡＳ系は、保護すべき物品にマーカーが
付着され、そしてその物品が存在する建物の出口につな
がる監視廊下の反対側に設けた検出パネルを有する質問
系をも有している。この質問系は、検出パネル間に送信
される事前に設定した周波数において、相応する磁気質
問シグナルを形成する。マーカーは比較的小さく、磁気
物質を含有している。例えばチェックアウトカウンター
において効果的に作用するならば、マーカー内の磁気物
質は、質問信号に照合して事前に設定した質問周波数と
調和する。質問系はこの調和の存在をモニターし、そし
て調和を検出した時にはアラーム信号を発生する。可逆
的に不活性化することのできるこの種のマーカーは、二
重状況マーカーとして知られている。この種のＥＡＳ系
は、Ｅｌｄｅｒ等の米国特許３，６６５，４４９に記載
され、また市場において３Ｍ社から入手できる。
ｒｏｎｉｃ ａｒｔｉｃｌｅ ｓｕｒｖｅｉｌｌａｎｃ
ｅ、以下ＥＡＳという）系は、図書館、書店及び百貨店
から書物及び衣服の如き物品を盗んだり又は許可なく持
去ったりすることを防止するために通常使用されてい
る。この種のＥＡＳ系は、保護すべき物品にマーカーが
付着され、そしてその物品が存在する建物の出口につな
がる監視廊下の反対側に設けた検出パネルを有する質問
系をも有している。この質問系は、検出パネル間に送信
される事前に設定した周波数において、相応する磁気質
問シグナルを形成する。マーカーは比較的小さく、磁気
物質を含有している。例えばチェックアウトカウンター
において効果的に作用するならば、マーカー内の磁気物
質は、質問信号に照合して事前に設定した質問周波数と
調和する。質問系はこの調和の存在をモニターし、そし
て調和を検出した時にはアラーム信号を発生する。可逆
的に不活性化することのできるこの種のマーカーは、二
重状況マーカーとして知られている。この種のＥＡＳ系
は、Ｅｌｄｅｒ等の米国特許３，６６５，４４９に記載
され、また市場において３Ｍ社から入手できる。
【０００３】この種のＥＡＳ系に使用されるマーカー
は、低飽和保磁力及び高透過性を含む磁気性能を示す非
晶質又は多結晶性強磁性物質の延伸したストリップ（例
えば、１５．０cm×０．６cm）である。Ｐｉｏｔｒｏｗ
ｓｋｉ等の米国特許５，０８３，１１２には、パーマロ
イ、ニッケルと鉄との合金（ＮｉＦｅ）の複数の薄いフ
ィルム層を有するコンパクトマーカーが開示されてい
る。これらの薄いＮｉＦｅ層は、層間の静磁気カップリ
ングを行うが、しかしマーカーの飽和保磁力を増加する
ような交換カップリングを阻止するＳｉＯｘの非磁性薄
層によって分離されている。通常の電子線（Ｅ−Ｂｅａ
ｍ）沈着方法を用いて、軟質重合体サブストレートに磁
性物質の薄いフィルム層を形成する。ＳｉＯ2 の非磁性
フィルム層は、通常の昇華沈着方法によって成長され
る。
は、低飽和保磁力及び高透過性を含む磁気性能を示す非
晶質又は多結晶性強磁性物質の延伸したストリップ（例
えば、１５．０cm×０．６cm）である。Ｐｉｏｔｒｏｗ
ｓｋｉ等の米国特許５，０８３，１１２には、パーマロ
イ、ニッケルと鉄との合金（ＮｉＦｅ）の複数の薄いフ
ィルム層を有するコンパクトマーカーが開示されてい
る。これらの薄いＮｉＦｅ層は、層間の静磁気カップリ
ングを行うが、しかしマーカーの飽和保磁力を増加する
ような交換カップリングを阻止するＳｉＯｘの非磁性薄
層によって分離されている。通常の電子線（Ｅ−Ｂｅａ
ｍ）沈着方法を用いて、軟質重合体サブストレートに磁
性物質の薄いフィルム層を形成する。ＳｉＯ2 の非磁性
フィルム層は、通常の昇華沈着方法によって成長され
る。
【０００４】磁化の容易軸として知られている磁化の所
望軸をフィルムに形成するような方法で磁気フィルムを
形成するための磁場内において、磁性物質とサブストレ
ートに塗布して薄い磁性フィルム層を形成する。磁化の
容易軸と同調させて磁性フィルム層を一方の質問信号に
向けると、薄いフィルム層の磁性状態は容易に飽和さ
れ、質問信号に極めて応答し易くなる。別の言葉でいう
と、質問信号で同調した磁化の容易軸を質問信号に向け
ると、容易に磁化されたマーカーは質問信号に極めて容
易に応答するようになる。対称的に、一般に容易軸と直
角である磁気の磁化困難軸を質問信号で同調させた場
合、この層は比較少量しか磁化されず、そして質問信号
に殆んど応答しなくなる。
望軸をフィルムに形成するような方法で磁気フィルムを
形成するための磁場内において、磁性物質とサブストレ
ートに塗布して薄い磁性フィルム層を形成する。磁化の
容易軸と同調させて磁性フィルム層を一方の質問信号に
向けると、薄いフィルム層の磁性状態は容易に飽和さ
れ、質問信号に極めて応答し易くなる。別の言葉でいう
と、質問信号で同調した磁化の容易軸を質問信号に向け
ると、容易に磁化されたマーカーは質問信号に極めて容
易に応答するようになる。対称的に、一般に容易軸と直
角である磁気の磁化困難軸を質問信号で同調させた場
合、この層は比較少量しか磁化されず、そして質問信号
に殆んど応答しなくなる。
【０００５】それ故に、マークした物品を検出するため
の磁気タイプＥＡＳ系の能力は、検出バネルに送られて
くるので、マーカーの配向に或る程度依存することにな
る。ＥＡＳ系は、わずかに一方の軸に側した質問信号を
発生する質問系を有している。この種の系の物品は、物
品に付されたマーカーが質問信号と平行して容易軸が磁
化されていて、そして検出パネルを通った場合、極めて
容易に応答しそして最も簡単に検出される。誘発される
応答の規模、すなわちマークされた物品を検出するため
の質問系の能力は、マーカーの磁化容易軸と質問信号の
軸との間の角度が大きくなると、これに伴い減少するこ
とになる。マーカーを検出する質問系の能力は、磁化容
易軸が質問信号の軸に直角に配向されていると、最低に
なる。
の磁気タイプＥＡＳ系の能力は、検出バネルに送られて
くるので、マーカーの配向に或る程度依存することにな
る。ＥＡＳ系は、わずかに一方の軸に側した質問信号を
発生する質問系を有している。この種の系の物品は、物
品に付されたマーカーが質問信号と平行して容易軸が磁
化されていて、そして検出パネルを通った場合、極めて
容易に応答しそして最も簡単に検出される。誘発される
応答の規模、すなわちマークされた物品を検出するため
の質問系の能力は、マーカーの磁化容易軸と質問信号の
軸との間の角度が大きくなると、これに伴い減少するこ
とになる。マーカーを検出する質問系の能力は、磁化容
易軸が質問信号の軸に直角に配向されていると、最低に
なる。
【０００６】Ｐｉｏｔｒｏｗｓｋｉ等の米国特許は、非
磁性ＳｉＯｘ層によって分離された複数の磁性ＮｉＦｅ
層を含む二軸又は二方向磁気マーカーを開示している。
上に述べた種類の、すなわち、フィルムの磁化の容易軸
はお互いに直角又は９０度に配向した２個の磁性フィル
ム層を集積して、二軸応答を得ている。この種の二軸マ
ーカーは、検出パネルを通るとマーカーを検出する質問
系の能力がマーカーの配向に対して感受が弱くなるの
で、一軸マーカーより顕著に優れている。しかし残念な
ことに、この種の二軸マーカーを製造する近年の方法は
比較的複雑であって、その上マーカーの製作に費用がか
かる。フィルム要素の磁化の容易軸は沈着工程で適用し
た磁場の軸と平行するので、二軸マーカーは、磁化の容
易軸はお互いに直角になるように２以上の要素を貼合せ
るか、又はお互いに直角方向に配向磁場を形成できる塗
布システムでフィルム層を沈着させることによって製造
されなければならない。再度述べるが、この技術は比較
的複雑であって、マーカーの製作費用がかさむ。それ故
に、二軸磁気フィルムマーカーの製造方法には、より効
率の良いものが更に必要である。
磁性ＳｉＯｘ層によって分離された複数の磁性ＮｉＦｅ
層を含む二軸又は二方向磁気マーカーを開示している。
上に述べた種類の、すなわち、フィルムの磁化の容易軸
はお互いに直角又は９０度に配向した２個の磁性フィル
ム層を集積して、二軸応答を得ている。この種の二軸マ
ーカーは、検出パネルを通るとマーカーを検出する質問
系の能力がマーカーの配向に対して感受が弱くなるの
で、一軸マーカーより顕著に優れている。しかし残念な
ことに、この種の二軸マーカーを製造する近年の方法は
比較的複雑であって、その上マーカーの製作に費用がか
かる。フィルム要素の磁化の容易軸は沈着工程で適用し
た磁場の軸と平行するので、二軸マーカーは、磁化の容
易軸はお互いに直角になるように２以上の要素を貼合せ
るか、又はお互いに直角方向に配向磁場を形成できる塗
布システムでフィルム層を沈着させることによって製造
されなければならない。再度述べるが、この技術は比較
的複雑であって、マーカーの製作費用がかさむ。それ故
に、二軸磁気フィルムマーカーの製造方法には、より効
率の良いものが更に必要である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、沈着の工程
で適用される磁場の軸に直角である磁化容易軸を有する
薄いフィルム磁気デバイスの製造のための改良方法であ
る。本発明は、磁場内において成長若しくは沈着した磁
性物質の薄いフィルム層又はサブストレートが、もしこ
の層が相対的に薄いときには、適用した磁場の軸に直角
である磁化容易軸が得られるという、全たく予期せぬ結
果を発見したことに基づいている。
で適用される磁場の軸に直角である磁化容易軸を有する
薄いフィルム磁気デバイスの製造のための改良方法であ
る。本発明は、磁場内において成長若しくは沈着した磁
性物質の薄いフィルム層又はサブストレートが、もしこ
の層が相対的に薄いときには、適用した磁場の軸に直角
である磁化容易軸が得られるという、全たく予期せぬ結
果を発見したことに基づいている。
【０００８】本発明の一つの態様は、第１及び第２の一
般に直角軸により特徴とされる表面を有するサブストレ
ートを提供することである。第１軸に平行に配向した磁
場をこのサブストレートの表面に適用する。相対的に薄
い磁気物質のフィルム層を磁場の存在下サブストレート
上に成長させる。この相対的に薄い層は磁気性能を呈す
るのに十分な物質層の厚さに成長し、この厚さは表面効
果とは実質的に関係はないがしかし磁化容易軸が第２の
軸に平行して配向されるのに十分な薄いものである。好
ましい態様としては、本願方法は更に磁場の存在におい
て複数の相対的に薄い磁性物質層をサブストレート上に
成長させることであり、またいづれの相対的に薄い磁性
物質の薄い層の間に非磁性物質の薄いフィルム層を成長
させることを包含する。
般に直角軸により特徴とされる表面を有するサブストレ
ートを提供することである。第１軸に平行に配向した磁
場をこのサブストレートの表面に適用する。相対的に薄
い磁気物質のフィルム層を磁場の存在下サブストレート
上に成長させる。この相対的に薄い層は磁気性能を呈す
るのに十分な物質層の厚さに成長し、この厚さは表面効
果とは実質的に関係はないがしかし磁化容易軸が第２の
軸に平行して配向されるのに十分な薄いものである。好
ましい態様としては、本願方法は更に磁場の存在におい
て複数の相対的に薄い磁性物質層をサブストレート上に
成長させることであり、またいづれの相対的に薄い磁性
物質の薄い層の間に非磁性物質の薄いフィルム層を成長
させることを包含する。
【０００９】本願発明は、また電子物品監視系に使用さ
れる二軸磁気マーカーの製造に利用することもできる。
この方法は表面を有し、そして一般に直角の下降ウェブ
軸（ｄｏｗｎ−ｗｅｂ ａｘｉｓ）及び交叉ウェブ軸
（ｃｒｏｓｓ−ｗｅｂ ａｘｉｓ）で特徴される軟質サ
ブストレートのウェブの提供も包含する。磁性物質及び
非磁性物質の表面を沈着部分に送入する。沈着ステーシ
ョンでのサブストレートの交叉ウェブ軸に平行に配向さ
れた磁場を適用できる磁石についても、また明らかにさ
れよう。沈着ステーションを通して前方及び逆方向に向
を変え、ウェブを下降ウェブ軸に平行な方向に駆動す
る。磁性物質の下降ウェブ方向に配列した薄いフィルム
層は、沈着部分を通して下降ウェブ方向にスタック形成
を前方及び逆方向にいづれも通過させる工程において、
磁場の存在下サブストレートに沈着される。いづれの下
降ウェブ配列層は磁気性能を呈するのに十分な厚さに沈
着し、これは表面効果と実質的に関係はないがしかしこ
の物質の磁化容易軸は下降ウェブ軸と平行に配向される
のに十分な薄いものである。非磁性物質の薄いフィルム
層は、沈着ステーションを通して下降ウェブ方向にスタ
ック形成を前方及び逆方向にいづれも通過させる工程に
おいて、いづれの下降ウェブ方向に配列した層の間に沈
着される。非磁性物質の層により分離され、そして下降
ウェブ軸に平行に配向された磁化容易軸を有する磁性物
質の相対的に薄いフィルム層の下降ウェブ配列スタック
が、かくして得られる。
れる二軸磁気マーカーの製造に利用することもできる。
この方法は表面を有し、そして一般に直角の下降ウェブ
軸（ｄｏｗｎ−ｗｅｂ ａｘｉｓ）及び交叉ウェブ軸
（ｃｒｏｓｓ−ｗｅｂ ａｘｉｓ）で特徴される軟質サ
ブストレートのウェブの提供も包含する。磁性物質及び
非磁性物質の表面を沈着部分に送入する。沈着ステーシ
ョンでのサブストレートの交叉ウェブ軸に平行に配向さ
れた磁場を適用できる磁石についても、また明らかにさ
れよう。沈着ステーションを通して前方及び逆方向に向
を変え、ウェブを下降ウェブ軸に平行な方向に駆動す
る。磁性物質の下降ウェブ方向に配列した薄いフィルム
層は、沈着部分を通して下降ウェブ方向にスタック形成
を前方及び逆方向にいづれも通過させる工程において、
磁場の存在下サブストレートに沈着される。いづれの下
降ウェブ配列層は磁気性能を呈するのに十分な厚さに沈
着し、これは表面効果と実質的に関係はないがしかしこ
の物質の磁化容易軸は下降ウェブ軸と平行に配向される
のに十分な薄いものである。非磁性物質の薄いフィルム
層は、沈着ステーションを通して下降ウェブ方向にスタ
ック形成を前方及び逆方向にいづれも通過させる工程に
おいて、いづれの下降ウェブ方向に配列した層の間に沈
着される。非磁性物質の層により分離され、そして下降
ウェブ軸に平行に配向された磁化容易軸を有する磁性物
質の相対的に薄いフィルム層の下降ウェブ配列スタック
が、かくして得られる。
【００１０】磁気物質の交叉ウェブ方向に配列した相対
的に薄いフィルム層は、沈着ステーションを通して交叉
ウェブ方向にスタック形成を前方及び逆方向にいづれも
通過させる工程において、磁場の存在下サブストレート
上に沈着される。いづれの交叉ウェブ配列層は磁気性能
を呈するのに十分な厚さに沈着し、この厚さはこの物質
の磁化容易軸が交叉ウェブ軸に平行に配向されるに十分
なものである。非磁性物質の薄いフィルム層は、沈着ス
テーションを通して交叉ウェブ方向にスタック形成を前
方及び逆方向にいづれも通過させる工程において、いづ
れの交叉ウェブ方向に配列した層の間に沈着される。非
磁性物質の層により分離され、そして交叉ウェブ軸に平
行に配向された磁化容易軸を有する磁性物質の相対的に
薄いフィルム層の交叉ウェブ配列のスタックが、それ故
に得られる。次いで、ウェブは磁気発生部分から分離さ
れる。
的に薄いフィルム層は、沈着ステーションを通して交叉
ウェブ方向にスタック形成を前方及び逆方向にいづれも
通過させる工程において、磁場の存在下サブストレート
上に沈着される。いづれの交叉ウェブ配列層は磁気性能
を呈するのに十分な厚さに沈着し、この厚さはこの物質
の磁化容易軸が交叉ウェブ軸に平行に配向されるに十分
なものである。非磁性物質の薄いフィルム層は、沈着ス
テーションを通して交叉ウェブ方向にスタック形成を前
方及び逆方向にいづれも通過させる工程において、いづ
れの交叉ウェブ方向に配列した層の間に沈着される。非
磁性物質の層により分離され、そして交叉ウェブ軸に平
行に配向された磁化容易軸を有する磁性物質の相対的に
薄いフィルム層の交叉ウェブ配列のスタックが、それ故
に得られる。次いで、ウェブは磁気発生部分から分離さ
れる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁場の存在下
サブストレートに成長又は沈着された磁性物質の薄いフ
ィルム層は、このフィルム層が相対的に薄い場合には適
用した磁場の軸に直角に磁化容易軸を形成することを見
い出し、全たく予期できないこの発見に基いたものであ
る。本願明細書において、“相対的に薄い”とは、適用
した磁場の軸に直角に磁化容易軸が配列する程度に薄い
フィルムに関する用語である。例えば、上に述べたよう
に、２５０−３００エルステッド（Ｏｅ）の磁場におい
て、電子線蒸着により約２００オングストロームの厚さ
のＮｉＦｅ層を成長されることが、この特徴に該当す
る。この厚さは、適用された磁場の軸に平行に配列した
磁化容易軸を得るために沈着されたＮｉＦｅフィルム層
の約３００オングストロームより大きい厚さとは対照的
である。ＮｉＦｅの薄いフィルムと記載された例におい
てでも、いづれの薄いフィルムは、適用した磁場の軸に
直角に容易軸が配列するのに十分な薄さとは異なった厚
さである。本願でいう“相対的に薄い”の用語を満足す
る薄いフィルム物質及びその厚さのものが、本発明の精
神及び範囲内に入るものと理解されるべきである。
サブストレートに成長又は沈着された磁性物質の薄いフ
ィルム層は、このフィルム層が相対的に薄い場合には適
用した磁場の軸に直角に磁化容易軸を形成することを見
い出し、全たく予期できないこの発見に基いたものであ
る。本願明細書において、“相対的に薄い”とは、適用
した磁場の軸に直角に磁化容易軸が配列する程度に薄い
フィルムに関する用語である。例えば、上に述べたよう
に、２５０−３００エルステッド（Ｏｅ）の磁場におい
て、電子線蒸着により約２００オングストロームの厚さ
のＮｉＦｅ層を成長されることが、この特徴に該当す
る。この厚さは、適用された磁場の軸に平行に配列した
磁化容易軸を得るために沈着されたＮｉＦｅフィルム層
の約３００オングストロームより大きい厚さとは対照的
である。ＮｉＦｅの薄いフィルムと記載された例におい
てでも、いづれの薄いフィルムは、適用した磁場の軸に
直角に容易軸が配列するのに十分な薄さとは異なった厚
さである。本願でいう“相対的に薄い”の用語を満足す
る薄いフィルム物質及びその厚さのものが、本発明の精
神及び範囲内に入るものと理解されるべきである。
【００１２】２個の直角軸のいづれかに沿った磁化容易
軸を有するこの種の薄いフィルムは、わずか１個の軸に
沿って磁場を適用する装置によって得られることから、
本発明者の発見の利用は薄いフィルムの磁気デバイスを
製造する方法の効率に大きく寄与しよう。
軸を有するこの種の薄いフィルムは、わずか１個の軸に
沿って磁場を適用する装置によって得られることから、
本発明者の発見の利用は薄いフィルムの磁気デバイスを
製造する方法の効率に大きく寄与しよう。
【００１３】
【実施例】本発明に従って得られた二軸、非線状応答、
薄いフィルムの磁気電子物品監視（ＥＡＳ）マーカー１
０を図１に示す。マーカー１０は貼り合せた薄いフィル
ムの磁気デバイス１１を含み、このサブストレート１２
は磁性物質の下降ウェブ方向に配列（例えば、第２軸に
配列）された相対的に薄いフィルム層１６のスタック１
４、及び磁性物質の交叉ウェブ方向に配列（例えば、第
１軸に配列）された相対的に厚い薄いフィルム層２０の
スタック１８を有している。いづれの相対的に薄い層１
６と及び相対的に厚い層２０は非磁性物質の薄いフィル
ム層２２によって分離されている。この態様において、
任意の接着促進プライマー層２４が、下降ウェブ方向に
配列されたスタック１４の下のサブストレート１２の上
に設けられている。感圧接着剤層２６は、スタック１４
及び１８と反対側のサブストレート１２の面に設けら
れ、そして監視を行う対象とする本又は他の物品にマー
カー１０を確実に貼着するために利用される。剥離ライ
ナー２８は、マーカーが保護すべき物品に貼着されるま
では接着剤層２６を保護する。保護層３０は感圧接着剤
層３２によって交叉ウェブ配列のスタック１８の上部面
に設けられている。保護層３０は印刷できる面をも併せ
ることが可能である。
薄いフィルムの磁気電子物品監視（ＥＡＳ）マーカー１
０を図１に示す。マーカー１０は貼り合せた薄いフィル
ムの磁気デバイス１１を含み、このサブストレート１２
は磁性物質の下降ウェブ方向に配列（例えば、第２軸に
配列）された相対的に薄いフィルム層１６のスタック１
４、及び磁性物質の交叉ウェブ方向に配列（例えば、第
１軸に配列）された相対的に厚い薄いフィルム層２０の
スタック１８を有している。いづれの相対的に薄い層１
６と及び相対的に厚い層２０は非磁性物質の薄いフィル
ム層２２によって分離されている。この態様において、
任意の接着促進プライマー層２４が、下降ウェブ方向に
配列されたスタック１４の下のサブストレート１２の上
に設けられている。感圧接着剤層２６は、スタック１４
及び１８と反対側のサブストレート１２の面に設けら
れ、そして監視を行う対象とする本又は他の物品にマー
カー１０を確実に貼着するために利用される。剥離ライ
ナー２８は、マーカーが保護すべき物品に貼着されるま
では接着剤層２６を保護する。保護層３０は感圧接着剤
層３２によって交叉ウェブ配列のスタック１８の上部面
に設けられている。保護層３０は印刷できる面をも併せ
ることが可能である。
【００１４】サブストレート１２は薄くそして軟質の重
合体であって、層１６，２０及び２２を沈着する工程で
の高温度に耐えることのできるものである。一つの好ま
しい態様として、５０μｍの厚さのＩＣＩ社のＭｅｌｉ
ｎｅｘである熱安定化ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレ
ート）である。サブストレート１２には、ポリイミドの
如き他の重合体も使用することができ、同様に非磁性の
ステンレス鋼、アルミニウム又は銅を薄くした金属箔も
使用することができる。酸素グロー放電を利用して接着
促進プライマー層２４を形成することができる。一般に
は１２と７５μｍの間の厚さの重合体サブストレート１
２が、マーカー１０に使用される。
合体であって、層１６，２０及び２２を沈着する工程で
の高温度に耐えることのできるものである。一つの好ま
しい態様として、５０μｍの厚さのＩＣＩ社のＭｅｌｉ
ｎｅｘである熱安定化ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレ
ート）である。サブストレート１２には、ポリイミドの
如き他の重合体も使用することができ、同様に非磁性の
ステンレス鋼、アルミニウム又は銅を薄くした金属箔も
使用することができる。酸素グロー放電を利用して接着
促進プライマー層２４を形成することができる。一般に
は１２と７５μｍの間の厚さの重合体サブストレート１
２が、マーカー１０に使用される。
【００１５】薄いフィルム層１６及び２０は低保磁力及
び高浸透性の磁気的に温和な物質（ｓｏｆｔ ｍａｔｅ
ｒｉａｌ）から得られる。このような特性を有する物質
は、質問信号に対して所望の磁気応答（ｎｏｎｌｉｎｅ
ａｒ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒｅｓｐｏｎｓｅ）をするこ
とができる。マーカー１０は結晶性パーマロイ型ＮｉＦ
ｅ合金によって製造される。一つの態様として、層１６
及び２０の各自上の組成は８１．５重量％のニッケル及
び１８．５重量％の鉄である。このような性質を有する
他の非晶質、多結晶性又は結晶性の強磁性物質は、また
層１６及び２０に使用することができる。
び高浸透性の磁気的に温和な物質（ｓｏｆｔ ｍａｔｅ
ｒｉａｌ）から得られる。このような特性を有する物質
は、質問信号に対して所望の磁気応答（ｎｏｎｌｉｎｅ
ａｒ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒｅｓｐｏｎｓｅ）をするこ
とができる。マーカー１０は結晶性パーマロイ型ＮｉＦ
ｅ合金によって製造される。一つの態様として、層１６
及び２０の各自上の組成は８１．５重量％のニッケル及
び１８．５重量％の鉄である。このような性質を有する
他の非晶質、多結晶性又は結晶性の強磁性物質は、また
層１６及び２０に使用することができる。
【００１６】下に述べるように、薄いフィルム層１６及
び２０は配向のための磁場内で沈着されるので、スタッ
ク１４及び１８内のこれらの層はいづれもお互いに直角
に磁化容易軸を有している。例えば、図１において、下
降ウェブに配列したスタック１４内の層１６の磁化容易
軸は、“Ｘ”及び矢印１５によって表わされた第１又は
下降ウェブ軸に平行に配向される。この場合、交叉ウェ
ブに配列したスタック１８内の層２０の磁気容易軸は
“Ｘ”及び矢印１９によって表わされた第２又は交叉ウ
ェブ軸に平行に配向される。
び２０は配向のための磁場内で沈着されるので、スタッ
ク１４及び１８内のこれらの層はいづれもお互いに直角
に磁化容易軸を有している。例えば、図１において、下
降ウェブに配列したスタック１４内の層１６の磁化容易
軸は、“Ｘ”及び矢印１５によって表わされた第１又は
下降ウェブ軸に平行に配向される。この場合、交叉ウェ
ブに配列したスタック１８内の層２０の磁気容易軸は
“Ｘ”及び矢印１９によって表わされた第２又は交叉ウ
ェブ軸に平行に配向される。
【００１７】非磁性層２２は珪素若しくはアルミニウム
の酸化物又は他の物質から得ることができる。原型のマ
ーカー１０の層２２にＳｉＯｘが使用され、ここでの
“ｘ”は約１である。
の酸化物又は他の物質から得ることができる。原型のマ
ーカー１０の層２２にＳｉＯｘが使用され、ここでの
“ｘ”は約１である。
【００１８】磁性フィルム層１６及び２０並びに非磁性
フィルム層２２をサブストレート１２の上に沈着するた
めに使用される例示したフィルム塗布系４０を図２に示
す。薄いフィルム層と重合体サブストレート１２との間
に磁性物質及び非磁性物質の１個以上の層が存在してい
るが、ここでは、いづれも１つの磁性フィルム層及び非
磁性フィルム層をサブストレートに沈着させる態様を示
すものである。塗布系４０は、加熱回転ドラム４２並び
に一組の巻取りスプール４４Ａ及び４４Ｂを含めたウェ
ブ駆動系を含み、これらすべては真空室４６の内部に存
在している。サブストレート１２の延伸されたウェブ４
５は、強磁性物質の沈着ステーション４８を前方及び逆
方向の交互に巻取りスプロール４４Ａ及び４４Ｂの間を
駆動させる。ウェブ４５は沈着ステーション４８におい
てローラー５０によりドラム４２にかみ合ってバイアス
される。非磁性物質源５６Ａ及び５６Ｂはウェブ４５の
下部にあって、沈着ステーション４８並びに巻取りスプ
ロール４４Ａ及び４４Ｂの間にそれぞれ位置している。
室４６を排気するために通常の真空装置（示していな
い）が使用される。図２において示されていないが、巻
取りスプロール４４Ａ及び４４Ｂ、並びに非磁性物質源
５６Ａ及び５６Ｂは、別個の真空室に設けることもでき
る。真空系は、部屋４６を排気して少なくとも５×１０
-6Torrの基本圧力にすることのできるターボポンプ及び
低温ポンプを組合せたものが含まれる。塗布系４０は、
下に記載するように塗布工程で約１×１０-5Torrの圧力
に維持される。
フィルム層２２をサブストレート１２の上に沈着するた
めに使用される例示したフィルム塗布系４０を図２に示
す。薄いフィルム層と重合体サブストレート１２との間
に磁性物質及び非磁性物質の１個以上の層が存在してい
るが、ここでは、いづれも１つの磁性フィルム層及び非
磁性フィルム層をサブストレートに沈着させる態様を示
すものである。塗布系４０は、加熱回転ドラム４２並び
に一組の巻取りスプール４４Ａ及び４４Ｂを含めたウェ
ブ駆動系を含み、これらすべては真空室４６の内部に存
在している。サブストレート１２の延伸されたウェブ４
５は、強磁性物質の沈着ステーション４８を前方及び逆
方向の交互に巻取りスプロール４４Ａ及び４４Ｂの間を
駆動させる。ウェブ４５は沈着ステーション４８におい
てローラー５０によりドラム４２にかみ合ってバイアス
される。非磁性物質源５６Ａ及び５６Ｂはウェブ４５の
下部にあって、沈着ステーション４８並びに巻取りスプ
ロール４４Ａ及び４４Ｂの間にそれぞれ位置している。
室４６を排気するために通常の真空装置（示していな
い）が使用される。図２において示されていないが、巻
取りスプロール４４Ａ及び４４Ｂ、並びに非磁性物質源
５６Ａ及び５６Ｂは、別個の真空室に設けることもでき
る。真空系は、部屋４６を排気して少なくとも５×１０
-6Torrの基本圧力にすることのできるターボポンプ及び
低温ポンプを組合せたものが含まれる。塗布系４０は、
下に記載するように塗布工程で約１×１０-5Torrの圧力
に維持される。
【００１９】ウェブ４５のいづれの側にあるコイル５４
を含むヘルムホルツコイル５２（図２では１個のみのコ
イル５４を示す）は、また真空室４６内に設けられてい
る。ヘルムホルツコイル５２は、ウェブ４５の長手方向
軸に直角であって、ドラム４２の回転軸に平行、すなわ
ち“交叉ウェブ”又は“第１ウェブ軸”方向に配向でき
る磁場を発生する。ヘルムホルツコイル５２は、ウェブ
４５の幅方向に比較的一定の磁力を有する配向のための
磁場を発生するように配置されている。コイル５２は、
沈着ステーション４８内のドラム４２とウェブ４５の交
点における配向磁場の中央に設けられている。ヘルムホ
ルツコイル５２によって発生される磁場の強さは、薄い
フィルム層１６及び２０に生ずる磁気が磁気的に飽和し
そして異方性を十分に生成するのに十分なものである。
この目的には、８，０００−１６，０００Ａ／ｍ（１
Ｏｅは８０Ａ／ｍである）の磁場の強さが一般的にいっ
て十分である。
を含むヘルムホルツコイル５２（図２では１個のみのコ
イル５４を示す）は、また真空室４６内に設けられてい
る。ヘルムホルツコイル５２は、ウェブ４５の長手方向
軸に直角であって、ドラム４２の回転軸に平行、すなわ
ち“交叉ウェブ”又は“第１ウェブ軸”方向に配向でき
る磁場を発生する。ヘルムホルツコイル５２は、ウェブ
４５の幅方向に比較的一定の磁力を有する配向のための
磁場を発生するように配置されている。コイル５２は、
沈着ステーション４８内のドラム４２とウェブ４５の交
点における配向磁場の中央に設けられている。ヘルムホ
ルツコイル５２によって発生される磁場の強さは、薄い
フィルム層１６及び２０に生ずる磁気が磁気的に飽和し
そして異方性を十分に生成するのに十分なものである。
この目的には、８，０００−１６，０００Ａ／ｍ（１
Ｏｅは８０Ａ／ｍである）の磁場の強さが一般的にいっ
て十分である。
【００２０】１つ以上の電子線蒸発系５８が沈着ステー
ション４８のウェブ４５の下に設けられる。磁気デバイ
ス１１を製造するために使用される例示的に示した塗布
系４０は、サブストレート１２の１６インチ幅（４０．
６cm）のウェブ４５に塗布するように配置され、そして
２つの蒸発系５８（図２では１つのみを示す）を有し、
このいづれもは交叉ウェブ軸に沿ったウェブの縁から約
４インチ（１０．２cm）の場所に位置されている。いづ
れの電子線蒸発系５８は、例えば３インチのＥｄｗａｒ
ｄｓ Ｔｅｍｅｓｃａｌ電子銃及びＴｅｍｅｓｃａｌワ
イヤー供給装置を有している。このワイヤー供給装置
は、組成を調整して十分に沈着することもできる。電子
銃に供給する電力は、所望のフィルム沈着の程度に応じ
て変化する。シャッター及びバッフル（表示せず）を通
常の如くして使用し、殆んど均一にウェブ４５に沈着で
きる。
ション４８のウェブ４５の下に設けられる。磁気デバイ
ス１１を製造するために使用される例示的に示した塗布
系４０は、サブストレート１２の１６インチ幅（４０．
６cm）のウェブ４５に塗布するように配置され、そして
２つの蒸発系５８（図２では１つのみを示す）を有し、
このいづれもは交叉ウェブ軸に沿ったウェブの縁から約
４インチ（１０．２cm）の場所に位置されている。いづ
れの電子線蒸発系５８は、例えば３インチのＥｄｗａｒ
ｄｓ Ｔｅｍｅｓｃａｌ電子銃及びＴｅｍｅｓｃａｌワ
イヤー供給装置を有している。このワイヤー供給装置
は、組成を調整して十分に沈着することもできる。電子
銃に供給する電力は、所望のフィルム沈着の程度に応じ
て変化する。シャッター及びバッフル（表示せず）を通
常の如くして使用し、殆んど均一にウェブ４５に沈着で
きる。
【００２１】上で述べた塗布系４０において、物質源５
６Ａ及び５６Ｂは、昇華によってＳｉＯｘの層２２を沈
着するためるつぼ及び誘導加熱器（図２には分けて示し
ていない）を有している。市場において入手できる約６
mmのサイズのチップは粗物質として使用することができ
る。物質源５６Ａ及び５６ＢはＭａｉｓｅｌ ａｎｄＧ
ｌａｎｇ（Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌ
ｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｚｙ， ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌ
ｌ，ＮｅｗＹｏｒｋ １９７０）に記載されているのと
同様な方法に従って操作され、ＳｉＯｘ層２２を熱的に
沈着する。沈着量は沈着るつぼの温度を調整することに
よって調整できる。
６Ａ及び５６Ｂは、昇華によってＳｉＯｘの層２２を沈
着するためるつぼ及び誘導加熱器（図２には分けて示し
ていない）を有している。市場において入手できる約６
mmのサイズのチップは粗物質として使用することができ
る。物質源５６Ａ及び５６ＢはＭａｉｓｅｌ ａｎｄＧ
ｌａｎｇ（Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌ
ｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｚｙ， ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌ
ｌ，ＮｅｗＹｏｒｋ １９７０）に記載されているのと
同様な方法に従って操作され、ＳｉＯｘ層２２を熱的に
沈着する。沈着量は沈着るつぼの温度を調整することに
よって調整できる。
【００２２】塗布系４０は、サブストレート１２のウェ
ブ４５を沈着ステーション４８を通して巻取りスプール
４４Ａと４４Ｂの間を交互に前方及び逆方向に駆動して
操作される。いづれのパスで、蒸発系５８並びに非磁性
物質源５６Ａ及び５６Ｂは、非磁性層２２の半分、磁性
フィルム層１６又は２０の１つ、そして次に、非磁性フ
ィルム層２２の半分をウェブの下側に沈着するために操
作する。例えば、１回の前方パスで、ウェブ４５は巻取
りスプール４４Ａからほどきそしてスプール４４Ｂに巻
き取る。蒸発系５８並びに非磁性物質源５６Ａ及び５６
Ｂは、操作によりこの通過でウェブの表面に、第１非磁
性フィルム層２２の第２の半分、第１磁性フィルム層１
６及び第２非磁性フィルム層２２の第１の半分がそれぞ
れ沈着される。直ちに逆方向に戻し、ウェブ４５をスプ
ール４４Ｂからほどき、そしてスプール４４Ａに巻き戻
す。蒸発系５８並びに非磁性物質源５６Ｂ及び５６Ａを
操作して次のこの通過により、沈着した層の上に、第２
非磁性フィルム層２２の第２の半分、第２層１６及び第
３層２２の第１の半分をそれぞれ沈着する。この操作
は、所望の数の相対的に薄い層及び相対的に厚い層１６
及び２０を含む下降ウェブ配列したスタック１４及び交
叉ウェブ配列したスタック１８の磁気デバイス１１を製
造するために繰返して行われる。
ブ４５を沈着ステーション４８を通して巻取りスプール
４４Ａと４４Ｂの間を交互に前方及び逆方向に駆動して
操作される。いづれのパスで、蒸発系５８並びに非磁性
物質源５６Ａ及び５６Ｂは、非磁性層２２の半分、磁性
フィルム層１６又は２０の１つ、そして次に、非磁性フ
ィルム層２２の半分をウェブの下側に沈着するために操
作する。例えば、１回の前方パスで、ウェブ４５は巻取
りスプール４４Ａからほどきそしてスプール４４Ｂに巻
き取る。蒸発系５８並びに非磁性物質源５６Ａ及び５６
Ｂは、操作によりこの通過でウェブの表面に、第１非磁
性フィルム層２２の第２の半分、第１磁性フィルム層１
６及び第２非磁性フィルム層２２の第１の半分がそれぞ
れ沈着される。直ちに逆方向に戻し、ウェブ４５をスプ
ール４４Ｂからほどき、そしてスプール４４Ａに巻き戻
す。蒸発系５８並びに非磁性物質源５６Ｂ及び５６Ａを
操作して次のこの通過により、沈着した層の上に、第２
非磁性フィルム層２２の第２の半分、第２層１６及び第
３層２２の第１の半分をそれぞれ沈着する。この操作
は、所望の数の相対的に薄い層及び相対的に厚い層１６
及び２０を含む下降ウェブ配列したスタック１４及び交
叉ウェブ配列したスタック１８の磁気デバイス１１を製
造するために繰返して行われる。
【００２３】この原型の薄いフィルム磁気デバイス１１
は、Ｍｅｌｉｎｅｘの熱安定化ＰＥＴサブストレート１
２の１６インチ幅（４０．６cm）ウェブ４５に形成され
る。このウェブ４５は約８０℃の温度に加熱されたドラ
ム４２と共に１分間に約４０フィート（１０．１６ｍ／
min ）の速度で駆動される。第１の薄いフィルム層１６
又は２０を沈着する前に、ウェブ４５はウェブに吸収さ
れた水分を除去するために、複数の近赤外ランプ（示し
ていない）によりウェブを駆動して脱気する。使用する
サブストレートの性質によっては、ドラムを約３００℃
に加熱し、そしてこれにウェブを数回通すことによる如
き脱気手段を採用することもできる。赤外ランプ及び加
熱ドラムに最初に通す前のウェブの予備加熱は、フィル
ムの破損防止になることが、発明者により新たに見い出
された。Ｈｅｌｍｈｏｌｔｚコイル５２により配向用磁
場は約２５０−３００エルステッドに維持される。沈着
の工程で磁性層１６及び２０の容易軸を配列するのに加
えて、コイル５２により生成された磁場は、蒸発系５８
で生成された電子線を蒸発系のるつぼ上で電子線が好適
に衝突するように配置する。ここでは、原型磁気デバイ
ス１１にプライム層２４を形成することはしなかった。
は、Ｍｅｌｉｎｅｘの熱安定化ＰＥＴサブストレート１
２の１６インチ幅（４０．６cm）ウェブ４５に形成され
る。このウェブ４５は約８０℃の温度に加熱されたドラ
ム４２と共に１分間に約４０フィート（１０．１６ｍ／
min ）の速度で駆動される。第１の薄いフィルム層１６
又は２０を沈着する前に、ウェブ４５はウェブに吸収さ
れた水分を除去するために、複数の近赤外ランプ（示し
ていない）によりウェブを駆動して脱気する。使用する
サブストレートの性質によっては、ドラムを約３００℃
に加熱し、そしてこれにウェブを数回通すことによる如
き脱気手段を採用することもできる。赤外ランプ及び加
熱ドラムに最初に通す前のウェブの予備加熱は、フィル
ムの破損防止になることが、発明者により新たに見い出
された。Ｈｅｌｍｈｏｌｔｚコイル５２により配向用磁
場は約２５０−３００エルステッドに維持される。沈着
の工程で磁性層１６及び２０の容易軸を配列するのに加
えて、コイル５２により生成された磁場は、蒸発系５８
で生成された電子線を蒸発系のるつぼ上で電子線が好適
に衝突するように配置する。ここでは、原型磁気デバイ
ス１１にプライム層２４を形成することはしなかった。
【００２４】上記したような方法及び条件で生成した１
２５−２２５オングストロームの厚さの相対的に薄いＮ
ｉＦｅフィルム層１６は、下降ウェブ軸に平行な磁化容
易軸を有している。この容易軸の配向は、相対的に薄い
フィルム層１６の生成の工程で適用された磁場の交叉ウ
ェブ軸に直角である。相対的に薄いフィルム層１６の厚
さは、下に示すように１７５オングストローム以下であ
ると、表面効果は層の磁気特性に大きく関与し、そして
高保磁力を含めての所望の磁性値には達しない。相対的
に薄いＮｉＦｅ層１６が２２５オングストローム以上に
なると、この層の磁気容易軸は下降ウェブ軸と配列する
ことが減少してくる。約３００オングストローム又はそ
れより厚いと磁化容易軸は配向する磁場の交叉ウェブ軸
と実質的に配列する。
２５−２２５オングストロームの厚さの相対的に薄いＮ
ｉＦｅフィルム層１６は、下降ウェブ軸に平行な磁化容
易軸を有している。この容易軸の配向は、相対的に薄い
フィルム層１６の生成の工程で適用された磁場の交叉ウ
ェブ軸に直角である。相対的に薄いフィルム層１６の厚
さは、下に示すように１７５オングストローム以下であ
ると、表面効果は層の磁気特性に大きく関与し、そして
高保磁力を含めての所望の磁性値には達しない。相対的
に薄いＮｉＦｅ層１６が２２５オングストローム以上に
なると、この層の磁気容易軸は下降ウェブ軸と配列する
ことが減少してくる。約３００オングストローム又はそ
れより厚いと磁化容易軸は配向する磁場の交叉ウェブ軸
と実質的に配列する。
【００２５】スタック１８の相対的に厚いフィルム層２
０は、それ故に少なくとも約３００オングストロームの
厚さに形成する。比較的厚い層２０の保磁力は層が厚く
なるに従い増加し、そして効果的には相対的に厚い層の
厚さには限界が存在する。形成される比較的薄い層及び
比較的厚い層１６及び２０の厚さは、本願において記載
した所望の性質を呈するには、磁性物質の性質と組成、
速度と温度の如き生成方法でのパラメーター、並びに塗
布工程で適用される配向の磁場の強度の如き要因によっ
て影響される。
０は、それ故に少なくとも約３００オングストロームの
厚さに形成する。比較的厚い層２０の保磁力は層が厚く
なるに従い増加し、そして効果的には相対的に厚い層の
厚さには限界が存在する。形成される比較的薄い層及び
比較的厚い層１６及び２０の厚さは、本願において記載
した所望の性質を呈するには、磁性物質の性質と組成、
速度と温度の如き生成方法でのパラメーター、並びに塗
布工程で適用される配向の磁場の強度の如き要因によっ
て影響される。
【００２６】ウェブ４５にスタック１４及び１８を形成
し、次いで薄いフィルム磁気デバイス１１を塗布系４０
から取り出す。接着層２６及び剥離ライナー２８のシー
トを、スタック１４及び１８の反対側のサブストレート
１２に適用する。同様にして、接着層３２及び保護層３
０をスタック１８の上部面に設けマーカーストックを完
成する。次いで、このストックのロールを切断、細断又
は分離して１個のマーカー１０とする。
し、次いで薄いフィルム磁気デバイス１１を塗布系４０
から取り出す。接着層２６及び剥離ライナー２８のシー
トを、スタック１４及び１８の反対側のサブストレート
１２に適用する。同様にして、接着層３２及び保護層３
０をスタック１８の上部面に設けマーカーストックを完
成する。次いで、このストックのロールを切断、細断又
は分離して１個のマーカー１０とする。
【００２７】薄いフィルム磁気デバイス１１の一つの態
様として、６個の約２００オングストロームの厚さの相
対的に薄いＮｉＦｅ層１６を有する下降ウェブに配列し
たスタック１４、及び５個の約３５０オングストローム
の厚さの相対的に厚いＮｉＦｅ層２０を有する交叉ウェ
ブに配列したスタック１８を有するデバイスを上に述べ
たような方法で製造する。約１２５オングストロームの
厚さのＳｉＯｘ層２２は、デバイス１１のいづれの薄い
フィルム層１６及び２０を分離している。これらデバイ
ス１１の１インチ平方（２．５４cm2 ）のサンプルは、
これら薄いフィルム層が２５０−３００エルステッドの
交叉ウェブ磁場で沈着されたとしても、下降ウェブに配
列したスタック１４の相対的に薄い層１６内の結晶軸の
配向に由来すると考えられる下降ウェブの磁化容易軸が
存在する。交叉ウェブに配列したスタック１８の相対的
に厚い層２０の容易軸は、予期されたように交叉ウェブ
方向に配向されている。この磁気デバイス１１からのマ
ーカー１０は、それ故に二重軸磁気特性を示すことにな
る。いづれのスタック１４及び１８内の薄いフィルム磁
性層の数、並びにサブストレート１２上に沈着したこれ
らスタックの順序は、使用されるフィルムの適用要件を
満足するために変えることができる。例えば、磁性物質
層の数が増加すると質問信号の応答強度は上昇するが、
しかし製造費用が嵩むことになる。図３は上に述べたサ
ンプルの測定したＢ−Ｈヒステリシス曲線であって、下
降ウェブ軸（破線で示す）及び交叉軸（実線で示す）の
いづれを表わす。下降ウェブ軸及び交叉ウェブ軸の両者
に適用した磁場で測定した保磁力は、上で述べたサンプ
ルについて１６インチのウェブ４５の中央部分の少なく
とも６から７インチ（１５．２−１７．８cm）の範囲で
は、比較的一定であることが測定された。図４は、ウェ
ブの幅の１２個所で測定した交叉ウェブの保磁力（Ｈ
ｃ）のグラフである。曲線Ａ−Ｆは、ウェブ４５の６個
の下降ウェブ位置において測定したものである。６個の
サンプルは、約１週間にわたり個々に沈着して得たもの
である。同様に、図５は同じサンプルの下降ウェブ軸に
沿った保磁力（Ｈｃ）のグラフである。図４及び５の測
定値は、１８KHz, 1.5エルステッドの磁場を適用した１
インチ平方のサンプルについてのものである。図４及び
５におけるサンプルＡが他の残りのサンプルと多少異な
る事実は、沈着処理を始めたウェブのポンプダウン後の
第１の沈着工程及び脱ガス工程で除去されない残査の水
蒸気によるものである。この現像は一般的に観察され
る。これら６個のサンプルに対する質問信号による応答
の規模は、ウェブ４５の中央部分の６から７インチ内の
範囲で測定したサンプルの下降ウェブ軸及び交叉ウェブ
軸の両者に関し、比較的一定であることが測定されてい
る。
様として、６個の約２００オングストロームの厚さの相
対的に薄いＮｉＦｅ層１６を有する下降ウェブに配列し
たスタック１４、及び５個の約３５０オングストローム
の厚さの相対的に厚いＮｉＦｅ層２０を有する交叉ウェ
ブに配列したスタック１８を有するデバイスを上に述べ
たような方法で製造する。約１２５オングストロームの
厚さのＳｉＯｘ層２２は、デバイス１１のいづれの薄い
フィルム層１６及び２０を分離している。これらデバイ
ス１１の１インチ平方（２．５４cm2 ）のサンプルは、
これら薄いフィルム層が２５０−３００エルステッドの
交叉ウェブ磁場で沈着されたとしても、下降ウェブに配
列したスタック１４の相対的に薄い層１６内の結晶軸の
配向に由来すると考えられる下降ウェブの磁化容易軸が
存在する。交叉ウェブに配列したスタック１８の相対的
に厚い層２０の容易軸は、予期されたように交叉ウェブ
方向に配向されている。この磁気デバイス１１からのマ
ーカー１０は、それ故に二重軸磁気特性を示すことにな
る。いづれのスタック１４及び１８内の薄いフィルム磁
性層の数、並びにサブストレート１２上に沈着したこれ
らスタックの順序は、使用されるフィルムの適用要件を
満足するために変えることができる。例えば、磁性物質
層の数が増加すると質問信号の応答強度は上昇するが、
しかし製造費用が嵩むことになる。図３は上に述べたサ
ンプルの測定したＢ−Ｈヒステリシス曲線であって、下
降ウェブ軸（破線で示す）及び交叉軸（実線で示す）の
いづれを表わす。下降ウェブ軸及び交叉ウェブ軸の両者
に適用した磁場で測定した保磁力は、上で述べたサンプ
ルについて１６インチのウェブ４５の中央部分の少なく
とも６から７インチ（１５．２−１７．８cm）の範囲で
は、比較的一定であることが測定された。図４は、ウェ
ブの幅の１２個所で測定した交叉ウェブの保磁力（Ｈ
ｃ）のグラフである。曲線Ａ−Ｆは、ウェブ４５の６個
の下降ウェブ位置において測定したものである。６個の
サンプルは、約１週間にわたり個々に沈着して得たもの
である。同様に、図５は同じサンプルの下降ウェブ軸に
沿った保磁力（Ｈｃ）のグラフである。図４及び５の測
定値は、１８KHz, 1.5エルステッドの磁場を適用した１
インチ平方のサンプルについてのものである。図４及び
５におけるサンプルＡが他の残りのサンプルと多少異な
る事実は、沈着処理を始めたウェブのポンプダウン後の
第１の沈着工程及び脱ガス工程で除去されない残査の水
蒸気によるものである。この現像は一般的に観察され
る。これら６個のサンプルに対する質問信号による応答
の規模は、ウェブ４５の中央部分の６から７インチ内の
範囲で測定したサンプルの下降ウェブ軸及び交叉ウェブ
軸の両者に関し、比較的一定であることが測定されてい
る。
【００２８】図７は、１２５オングストロームの厚さの
ＳｉＯｘの層２２によって分離された６個の２００オン
グストロームの厚さのＮｉＦｅフィルム層１６を有する
フィルム磁気デバイスのサンプルの下降ウェブ軸（実線
で示した）及び交叉ウェブ軸（破線で示した）に沿った
Ｂ−Ｈ曲線のグラフである。図７の測定に用いたサンプ
ルは、ＰＥＴサブストレートに上記したような方法で製
造したものであるが、しかし相対的に厚いフィルム層２
０を有していない。このサンプルの高度の異方性及び磁
化の下降ウェブ容易軸（２５０−３００エルステッド交
叉ウェブ磁場で形成したが）はこの図から明確である。
特に、この方法は、直角の容易軸を有する層のスタック
を製造するために、２個以上のフィルムを貼合せたり又
はフィルムを製造する工程での磁場を回転することな
く、二重軸デバイス及びマーカーを製造することができ
る。デバイスを使用する質問域での強い応答を生成する
ために必要とされる比較的高い透過性と低い保磁力を有
しているデバイスが製造される。高品質の二重軸磁気フ
ィルムデバイス及びＥＡＳマーカーは、それ故に低い費
用で効率的に製造することが可能となった。
ＳｉＯｘの層２２によって分離された６個の２００オン
グストロームの厚さのＮｉＦｅフィルム層１６を有する
フィルム磁気デバイスのサンプルの下降ウェブ軸（実線
で示した）及び交叉ウェブ軸（破線で示した）に沿った
Ｂ−Ｈ曲線のグラフである。図７の測定に用いたサンプ
ルは、ＰＥＴサブストレートに上記したような方法で製
造したものであるが、しかし相対的に厚いフィルム層２
０を有していない。このサンプルの高度の異方性及び磁
化の下降ウェブ容易軸（２５０−３００エルステッド交
叉ウェブ磁場で形成したが）はこの図から明確である。
特に、この方法は、直角の容易軸を有する層のスタック
を製造するために、２個以上のフィルムを貼合せたり又
はフィルムを製造する工程での磁場を回転することな
く、二重軸デバイス及びマーカーを製造することができ
る。デバイスを使用する質問域での強い応答を生成する
ために必要とされる比較的高い透過性と低い保磁力を有
しているデバイスが製造される。高品質の二重軸磁気フ
ィルムデバイス及びＥＡＳマーカーは、それ故に低い費
用で効率的に製造することが可能となった。
【００２９】本発明は好適な態様と関連させて説明した
が、当業者は本発明の精神及び範囲を逸脱することなく
態様を詳細に改変することができることは認識されてよ
い。特に、上に述べた原型は交叉ウェブに配列したスタ
ックの下に下降ウェブに配列したスタックを設けて製造
したが、本発明における磁気デバイスは、逆の順序でス
タックを準備することもできる。配向の磁場は、上に述
べた交叉ウェブ軸よりはむしろ下降ウェブ軸に配列する
こともできる。更には、本発明は二重状態様（逆に不活
性化）の薄いフィルム磁気デバイス中において、下降ウ
ェブに配列した層及び交叉ウェブに配列した層を製造す
るのにも使用することができる。
が、当業者は本発明の精神及び範囲を逸脱することなく
態様を詳細に改変することができることは認識されてよ
い。特に、上に述べた原型は交叉ウェブに配列したスタ
ックの下に下降ウェブに配列したスタックを設けて製造
したが、本発明における磁気デバイスは、逆の順序でス
タックを準備することもできる。配向の磁場は、上に述
べた交叉ウェブ軸よりはむしろ下降ウェブ軸に配列する
こともできる。更には、本発明は二重状態様（逆に不活
性化）の薄いフィルム磁気デバイス中において、下降ウ
ェブに配列した層及び交叉ウェブに配列した層を製造す
るのにも使用することができる。
【図１】図１は、本発明に従って製造された二軸磁気フ
ィルムＥＡＳマーカーの透視図（尺度を表わしていな
い）である。
ィルムＥＡＳマーカーの透視図（尺度を表わしていな
い）である。
【図２】図２は、本発明に従って磁気フィルムデバイス
を製造するために使用される塗布系の側面図である。
を製造するために使用される塗布系の側面図である。
【図３】図３は、本発明に従って製造されたフィルム磁
気デバイスの交叉ウェブ軸、及び下降ウェブ軸について
の測定したＢ−Ｈヒステリシスループのグラフである。
気デバイスの交叉ウェブ軸、及び下降ウェブ軸について
の測定したＢ−Ｈヒステリシスループのグラフである。
【図４】図４は、本発明に従って製造されたフィルム磁
気デバイスの延伸したウェブから、いづれも６個のサン
プルの幅を通して、１２個の場所における交叉ウェブ軸
に沿って測定した保磁力のグラフである。
気デバイスの延伸したウェブから、いづれも６個のサン
プルの幅を通して、１２個の場所における交叉ウェブ軸
に沿って測定した保磁力のグラフである。
【図５】図５は、本発明に従って製造されたフィルム磁
気デバイスの延伸したウェブから、いづれも６個のサン
プルの幅を通して、１２個の場所における下降ウェブ軸
に沿って測定した保磁力のグラフである。
気デバイスの延伸したウェブから、いづれも６個のサン
プルの幅を通して、１２個の場所における下降ウェブ軸
に沿って測定した保磁力のグラフである。
【図６】図６は、本発明に従って製造された原型磁気デ
バイスにより発生された第１５調和信号を測定したグラ
フであり、この場合下降ウェブ軸及び交叉ウェブ軸に沿
って配向された質問信号に応答させたものである。
バイスにより発生された第１５調和信号を測定したグラ
フであり、この場合下降ウェブ軸及び交叉ウェブ軸に沿
って配向された質問信号に応答させたものである。
【図７】図７は、本発明に従って製造されたフィルム磁
気デバイスであって、そして下降ウェブにのみ配列させ
たフィルム層のスタックを交叉ウェブ軸及び下降ウェブ
軸に沿って測定したＢ−Ｈヒステリシスループのグラフ
である。
気デバイスであって、そして下降ウェブにのみ配列させ
たフィルム層のスタックを交叉ウェブ軸及び下降ウェブ
軸に沿って測定したＢ−Ｈヒステリシスループのグラフ
である。
１０…マーカー １１…磁気デバイス １２…サブストレート １４，１８…スタック １６…相対的に薄いフィルム層 ２０…相対的に厚いフィルム層 ２２…非磁性物質のフィルム層 ２４…プライマー層 ２６…感圧接着剤層 ２８…剥離ライナー ４０…フィルム塗布系 ４２…加熱回転ドラム ４４Ａ，４４Ｂ…スプール ４５…ウェブ ４６…真空室 ４８…沈着ステーション（室） ５０…ローラー ５２，５４…（ヘルムホルツ）コイル ５６Ａ，５６Ｂ…非磁性物質源 ５８…電子線蒸発系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ティモシー マイケル フェル アメリカ合衆国，ミネソタ 55144−1000, セント ポール，スリーエム センター （番地なし)
Claims (13)
- 【請求項１】 お互いに直角である第１軸及び第２軸で
特徴される表面を有するサブストレートを準備し、 第１軸に平行に配向した磁場を該サブストレートの表面
に適用し、 該磁場の存在下サブストレートの上に磁性物質の相対的
に薄いフィルム層を形成し、ここでの層の厚さは表面効
果とは実質的に独立した磁性を示すのに十分な厚さであ
るが、しかしこの物質の磁化容易軸が第２軸に平行して
配向するのに十分な薄さであることを包含する薄いフィ
ルム磁気デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 相対的に薄い層の第１スタックを形成す
るために磁場の存在下磁性物質の相対的に薄いフィルム
層を複数形成し、 いづれの相対的に薄い層の厚さは表面効果とは実質的に
独立した磁性を示すのに十分な厚さであるが、しかし磁
化容易軸が第２軸に平行に配向されるのに十分な薄さで
あり、そしてスタックのいづれの相対的に薄いフィルム
層の間に非磁性物質の薄いフィルム層が設けられること
を更に包含する請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 磁場の存在下サブストレート上に磁性物
質の相対的に厚いフィルム層を形成し、ここでの厚さは
物質の磁化容易軸が磁場に平行に配向されるのに十分な
厚さであり、そして磁性物質の相対的に厚い層と相対的
に薄い層との間に非磁性物質の薄いフィルム層を設ける
ことを更に包含する請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 相対的に薄い層の第１スタックを形成す
るために磁場の存在下磁性物質の相対的に薄いフィルム
層を複数形成し、ここでのいづれの相対的に薄い層の厚
さは第１スタックが表面効果とは実質的に独立した磁性
を示すのに十分な厚さであるが、しかし磁性容易軸が第
２軸に平行に配向されるのに十分な薄さに設けられ、 相対的に厚い層の第２フタックを形成するために磁場の
存在下、サブストレートに磁性物質の相対的に厚いフィ
ルム層を複数形成し、ここでのいづれの相対的に厚い層
は第２のスタックの磁化軸が磁場に平行に配向されるに
十分な厚さに設けられ、そしていづれの磁気物質の相対
的に厚い層と相対的に薄い層との間に非磁性物質の薄い
フィルム層を設けることを更に含む請求項３記載の方
法。 - 【請求項５】 磁性物質の相対的に薄い層及び相対的に
厚い層はニッケルと鉄の合金の層を設けた請求項４記載
の方法。 - 【請求項６】 相対的に薄い層は約１２５オングストロ
ームと約２２５オングストロームの間の厚さのニッケル
と鉄の合金の相対的に薄い層を設けた請求項５記載の方
法。 - 【請求項７】 相対的に厚い層は約３００オングストロ
ームより厚いニッケルと鉄の合金の相対的に厚い層を設
ける請求項５記載の方法。 - 【請求項８】 請求項４記載の方法に従って製造された
磁気フィルムデバイスを含む電子部品監視マーカー。 - 【請求項９】 一般に直角の第１及び第２軸によって特
徴され、そして表面を有する軟質サブストレートのウェ
ブを準備し、 磁性物質源及び非磁性物質源を含む沈着ステーションを
準備し、 沈着ステーションを通して前方及び逆方向に交互にウェ
ブを駆動し、 磁場源を準備してそして沈着ステーションにおいてサブ
ストレートの表面に第１軸と平行に配向した磁場を適用
し、 沈着ステーションを通して第２の軸に配列したスタック
形成のために前方及び逆方向に複数回通すいづれにおい
て、磁場の存在下サブストレート上に磁性物質の第２軸
に配列した薄いフィルム層を沈着し、ここでのいづれの
第２軸に配列した層の厚さは表面効果とは実質的に独立
した磁性を示すのに十分な厚さであるがしかしこの物質
の磁化容易軸が第２軸に平行して配向するのに十分な薄
さで沈着され、 非磁性物質の層によって分離されそして第２軸に平行に
配向された磁化容易軸を有する磁性物質の相対的に薄い
フィルム層の第２軸に配列したスタックを形成するため
に沈着ステーションを通して第２軸に配列したスタック
形成のために前方及び逆方向に複数回通すいづれにおい
て、いづれの第２軸に配列した層の間に非磁性物質の薄
いフィルム層を沈着し、 沈着ステーションを通して第１軸に配列したスタックを
形成するために前方及び逆方向に複数回通すいづれにお
いて、磁場の存在下サブストレート上の磁性物質の第１
軸に配列した薄いフィルム層を沈着し、ここでのいづれ
の第１軸に配列した層の厚さは第１軸に平行に物質の磁
化容易軸が配向されるに十分な厚さに沈着され、 非磁性物質の層によって分離されそして第１軸に平行に
配向された磁化容易軸を有する磁性物質の相対的に厚い
フィルム層の第１軸に配列したスタックを形成するため
に、沈着ステーションを通して第１軸に配列したスタッ
ク形成のために前方及び逆方向に複数回通すいづれにお
いて、いづれの第１軸に配列した層の間に非磁性物質の
薄いフィルム層を沈着し、そして磁気フィルム層の第１
軸配列スタック及び第２軸配列スタックを含むサブスト
レートの磁気マーカー部分をウェブから分離することを
含む電子物品監視系に使用される磁気マーカーの製造方
法。 - 【請求項１０】 相対的に薄いフィルム層及び相対的に
厚いフィルム層の形成はニッケルと鉄の合金の層を形成
することを含む請求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 相対的に薄いフィルム層の形成はニッ
ケルと鉄の合金の相対的に薄い層を約１２５オングスト
ロームと約２２５オングストロームの間の厚さに形成し
たことを含む請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 ウェブの表面の磁場の適用は約２００
エルステッドと約３００エルステッドの間の強さを有す
る磁場を適用することを含む請求項１１記載の方法。 - 【請求項１３】 相対的に厚い層の形成はニッケルと鉄
の合金を約３００オングストローム以上の厚さを有する
相対的に厚い層に形成することを含む請求項１０記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US175790 | 1988-03-31 | ||
| US08/175,790 US5405702A (en) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | Method for manufacturing a thin-film EAS and marker |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07282365A true JPH07282365A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=22641642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6316769A Pending JPH07282365A (ja) | 1993-12-30 | 1994-12-20 | 薄いフィルムの電子物品監視マーカーを製造する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5405702A (ja) |
| EP (1) | EP0661723B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07282365A (ja) |
| CA (1) | CA2137321A1 (ja) |
| DE (1) | DE69425873T2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5580664A (en) * | 1992-12-23 | 1996-12-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Dual status thin-film eas marker having multiple magnetic layers |
| US5751256A (en) * | 1994-03-04 | 1998-05-12 | Flexcon Company Inc. | Resonant tag labels and method of making same |
| GB9404775D0 (en) | 1994-03-11 | 1994-04-27 | Payne P P Ltd | Improvements in or relating to article tagging |
| JPH08287369A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-11-01 | Unitika Ltd | 磁気マーカー及びその磁気マーカーを横方向に並べた巻物状製品の製造方法 |
| DE19857583A1 (de) * | 1998-12-14 | 2000-06-15 | Meto International Gmbh | Sicherungselement für die elektronische Artikelsicherung und Verfahren zur Herstellung eines Sicherungselementes |
| US6275156B1 (en) * | 2000-02-07 | 2001-08-14 | Westvaco Corporation | EAS ready paperboard |
| DE10163507A1 (de) * | 2001-12-21 | 2003-07-10 | Infineon Technologies Ag | Schichtfolge für ein magnetisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung der Schichtfolge |
| FR2973946B1 (fr) * | 2011-04-08 | 2013-03-22 | Saint Gobain | Dispositif électronique a couches |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR763681A (fr) * | 1933-11-10 | 1934-05-04 | Procédé de repérage des objets par modification d'un champ magnétique | |
| DE1439443B2 (de) * | 1964-09-16 | 1972-01-13 | Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München | Verfahren zur herstellung von magnetischen speichermatrizen |
| US3747086A (en) * | 1968-03-22 | 1973-07-17 | Shoplifter International Inc | Deactivatable ferromagnetic marker for detection of objects having marker secured thereto and method and system of using same |
| US3765007A (en) * | 1969-07-11 | 1973-10-09 | Minnesota Mining & Mfg | Method and apparatus for detecting at a distance the status and identity of objects |
| US3665449A (en) * | 1969-07-11 | 1972-05-23 | Minnesota Mining & Mfg | Method and apparatus for detecting at a distance the status and identity of objects |
| US4158434A (en) * | 1969-11-07 | 1979-06-19 | Glen Peterson | Electronic status determining system for goods |
| USRE32427E (en) * | 1979-04-23 | 1987-05-26 | Amorphous antipilferage marker | |
| US4539558A (en) * | 1981-11-24 | 1985-09-03 | Shin International, Inc. | Antitheft system |
| US4745401A (en) * | 1985-09-09 | 1988-05-17 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | RF reactivatable marker for electronic article surveillance system |
| US4682154A (en) * | 1986-02-12 | 1987-07-21 | E.A.S. Technologies, Inc. | Label for use in anti-theft surveillance system |
| US4689590A (en) * | 1986-07-21 | 1987-08-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Demagnetization apparatus for magnetic markers used with electromagnetic article surveillance systems |
| US4710754A (en) * | 1986-09-19 | 1987-12-01 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magnetic marker having switching section for use in electronic article surveillance systems |
| US4746908A (en) * | 1986-09-19 | 1988-05-24 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Dual-status, magnetically imagable article surveillance marker |
| DE3880202T2 (de) * | 1987-06-08 | 1993-08-05 | Esselte Meto Int Gmbh | Magnetische vorrichtungen. |
| US4825197A (en) * | 1988-02-01 | 1989-04-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Dual status magnetic marker having magnetically biasable flux collectors for us in electronic article surveillance systems |
| GB8900398D0 (en) * | 1989-01-09 | 1989-03-08 | Scient Generics Ltd | Magnetic materials |
| US5015993A (en) * | 1989-06-29 | 1991-05-14 | Pitney Bowes Inc. | Ferromagnetic alloys with high nickel content and high permeability |
| US4967185A (en) * | 1989-08-08 | 1990-10-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multi-directionally responsive, dual-status, magnetic article surveillance marker having continuous keeper |
| US5010320A (en) * | 1989-12-08 | 1991-04-23 | Pitney Bowes Inc. | Self modulating electronic article surveillance marker |
| DE4004540A1 (de) * | 1990-02-14 | 1991-08-22 | Siemens Ag | Ferromagnetischer vielschichtfilm mit uniaxialer magnetischer anisotropie sowie verfahren zu dessen herstellung |
| DE4009010A1 (de) * | 1990-03-21 | 1991-09-26 | Vacuumschmelze Gmbh | Deaktivierbares sicherungsetikett |
| JPH04218905A (ja) * | 1990-03-23 | 1992-08-10 | Unitika Ltd | 薄膜状磁性材料及びその製造方法 |
| US5083112A (en) * | 1990-06-01 | 1992-01-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multi-layer thin-film eas marker |
| JP3483895B2 (ja) * | 1990-11-01 | 2004-01-06 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果膜 |
-
1993
- 1993-12-30 US US08/175,790 patent/US5405702A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-12-05 CA CA002137321A patent/CA2137321A1/en not_active Abandoned
- 1994-12-20 JP JP6316769A patent/JPH07282365A/ja active Pending
- 1994-12-21 DE DE69425873T patent/DE69425873T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-21 EP EP94120278A patent/EP0661723B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0661723A3 (en) | 1995-07-19 |
| EP0661723B1 (en) | 2000-09-13 |
| US5405702A (en) | 1995-04-11 |
| DE69425873D1 (de) | 2000-10-19 |
| DE69425873T2 (de) | 2001-01-11 |
| EP0661723A2 (en) | 1995-07-05 |
| CA2137321A1 (en) | 1995-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5083112A (en) | Multi-layer thin-film eas marker | |
| JP2643312B2 (ja) | 磁気デバイス | |
| JPH04218905A (ja) | 薄膜状磁性材料及びその製造方法 | |
| JPH07282365A (ja) | 薄いフィルムの電子物品監視マーカーを製造する方法 | |
| WO2009036659A1 (fr) | Film fonctionnel anti-contrefaçon et produit anti-contrefaçon le comprenant | |
| US5519379A (en) | Multi-thread re-entrant marker with simultaneous switching | |
| US5580664A (en) | Dual status thin-film eas marker having multiple magnetic layers | |
| JP2001500648A (ja) | 印刷回路板用電子物品監視保護 | |
| GB2127437A (en) | Magnetic recording media | |
| Oka et al. | Uniaxial magnetic FeC thin films sputtered onto polymer substrates | |
| EP0604293B1 (en) | Dual status thin-film EAS marker | |
| Akiyama et al. | Continuous formation of CoCr films on PEN tape by facing targets sputtering | |
| US5912075A (en) | Magnetic marker and process for manufacturing a roll having a plurality of magnetic markers arranged transversely thereon | |
| WO2000005693A2 (en) | Security device comprising soft magnetic thin film | |
| JP2758602B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| EP0066146B1 (en) | Method for manufacturing magnetic recording medium | |
| JPH10116715A (ja) | 磁気素子とその製造方法並びにその製造装置 | |
| JPH097172A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| Nakagawa et al. | Studies on coercivity in Co‐Cr thin films by means of a multilayer technique | |
| JPH0831198B2 (ja) | 物品監視用ラベルの製造方法 | |
| JPS60111344A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6047226A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH04132015A (ja) | ＣｏＣｒ垂直磁気記録テープおよびその製造方法 | |
| Haga et al. | Magnetic and structural properties of Fe/Ag and Fe/Ta multilayer films prepared by dc sputtering | |
| JPS5814326A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031125 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20040223 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20040226 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040727 |